KR20190012174A - 적층체, 전자 디바이스용 부재, 및 전자 디바이스 - Google Patents

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KR20190012174A
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사토시 나가나와
와타루 이와야
다케히로 오하시
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린텍 가부시키가이샤
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Abstract

본 발명은, 적어도 기재층과, 가스 배리어층과, 에너지 경화성 수지의 경화물로 이루어지는 층을 갖는 적층체로서, 상기 가스 배리어층이, 상기 기재층의 일방의 측에, 직접 또는 그 밖의 층을 개재하여 적층되어 이루어지고, 상기 에너지 경화성 수지의 경화물로 이루어지는 층이, 상기 기재층의, 가스 배리어층과는 반대의 측에, 직접 또는 그 밖의 층을 개재하여 적층되어 이루어지는 것을 특징으로 하는 적층체, 이 적층체로 이루어지는 전자 디바이스용 부재, 및 이 전자 디바이스용 부재를 구비하는 전자 디바이스입니다.
본 발명에 의하면, 가스 배리어성이 우수하고, 또한, 열이력을 받아도 컬이나 열수축이 잘 일어나지 않기 때문에, 바람직하게 전자 디바이스에 대한 첩합 공정에 적용할 수 있는 적층체, 이 적층체로 이루어지는 전자 디바이스용 부재, 및 이 전자 디바이스용 부재를 구비하는 전자 디바이스가 제공된다.

Description

적층체, 전자 디바이스용 부재, 및 전자 디바이스
본 발명은, 가스 배리어성이 우수하고, 또한, 열이력을 받아도 컬이나 열수축이 잘 일어나지 않기 때문에, 바람직하게 전자 디바이스에 대한 첩합 (貼合) 공정에 적용할 수 있는 적층체, 이 적층체로 이루어지는 전자 디바이스용 부재, 및 이 전자 디바이스용 부재를 구비하는 전자 디바이스에 관한 것이다.
최근, 액정 디스플레이나 일렉트로 루미네선스 (EL) 디스플레이 등의 디스플레이의 박형화, 경량화, 플렉시블화 등을 실현하기 위해, 전극을 갖는 기판으로서, 유리판 대신에 투명 플라스틱 필름 상에 가스 배리어층이 적층되어 이루어지는, 이른바 가스 배리어 필름이 사용되고 있다.
예를 들어, 특허문헌 1 에는, 기재의 적어도 편면에, 산화규소를 주성분으로 하는 특정한 박막이 형성된 가스 배리어 필름이 기재되어 있다.
또, 이 문헌에는, 광학적으로 등방적인 기재를 사용함으로써, 광학 용도에 바람직하게 사용되는 가스 배리어 필름이 얻어지는 것도 기재되어 있다.
일본 공개특허공보 평8-224825호
특허문헌 1 에 기재되는 바와 같이, 광학적으로 등방적인 기재를 사용하여 형성된 가스 배리어 필름은, 각종 디스플레이 등의 제조 재료로서 바람직하게 사용되어 왔다.
그러나, 종래의 가스 배리어 필름을 사용하여 디스플레이 등을 제조하면, 그 제조 공정 중의 가열 처리에 의해 가스 배리어 필름이 컬되거나 수축이 일어나거나 하는 경우가 있고, 그 결과, 목적으로 하는 제품을 효율적으로 제조할 수 없는 경우가 있었다.
본 발명은, 상기 실정을 감안하여 이루어진 것으로, 가스 배리어성이 우수하고, 또한, 열이력을 받아도 컬이나 열수축이 잘 일어나지 않기 때문에, 바람직하게 전자 디바이스에 대한 첩합 공정에 적용할 수 있는 적층체, 이 적층체로 이루어지는 전자 디바이스용 부재, 및 이 전자 디바이스용 부재를 구비하는 전자 디바이스를 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명자들은 상기 과제를 해결하기 위해, 기재층과 가스 배리어층을 갖는 적층 필름에 대해 예의 검토하였다. 그 결과, 기재층의 일방의 측에, 가스 배리어층을 형성하고, 또한, 상기 기재층의, 가스 배리어층과는 반대의 측에, 에너지 경화성 수지의 경화물로 이루어지는 층을 형성함으로써, 가스 배리어성이 우수하고, 또한, 열이력을 받아도 컬이나 열수축이 잘 일어나지 않기 때문에, 바람직하게 전자 디바이스에 대한 첩합 공정에 적용할 수 있는 적층체가 얻어지는 것을 알아내어, 본 발명을 완성하기에 이르렀다.
이렇게 하여 본 발명에 의하면, 하기 (1) ∼ (11) 의 적층체, (12) 의 전자 디바이스용 부재, 및 (13) 의 전자 디바이스가 제공된다.
(1) 적어도 기재층과, 가스 배리어층과, 에너지 경화성 수지의 경화물로 이루어지는 층을 갖는 적층체로서, 상기 가스 배리어층이, 상기 기재층의 일방의 측에, 직접 또는 그 밖의 층을 개재하여 적층되어 이루어지고, 상기 에너지 경화성 수지의 경화물로 이루어지는 층이, 상기 기재층의, 가스 배리어층과는 반대의 측에, 직접 또는 그 밖의 층을 개재하여 적층되어 이루어지는 것을 특징으로 하는 적층체.
(2) 상기 적층체를, JIS K 7133 에 준거하여, 100 ℃ 에서 1 시간 열처리했을 때의 열수축률이 0.2 ％ 이하인, (1) 에 기재된 적층체.
(3) 상기 적층체를, 1 변 100 ㎜ 의 정방 형상으로 잘라내어, 150 ℃ 에서 1 시간 가열한 후, 상기 적층체를 수평의 받침대 상에 놓고, 4 정점 (頂点) 의 높이를 측정했을 때의 평균값이 10 ㎜ 이하인, (1) 또는 (2) 에 기재된 적층체.
(4) 상기 적층체의 면내 위상차 Re(550) 이 100 ㎚ 이하인, (1) ∼ (3) 중 어느 하나에 기재된 적층체.
(5) 온도 40 ℃, 상대 습도 90 ％ 의 분위기하에 있어서의 수증기 투과율이, 5.0 g·m-2·일(day)-1 미만인, (1) ∼ (4) 중 어느 하나에 기재된 적층체.
(6) 상기 에너지 경화성 수지의 경화물의 유리 전이 온도 (Tg) 가, 100 ℃ 이상인, (1) ∼ (5) 중 어느 하나에 기재된 적층체.
(7) 상기 기재층이, 폴리카보네이트 필름 또는 지환식 탄화수소계 수지 필름인, (1) ∼ (6) 중 어느 하나에 기재된 적층체.
(8) 상기 가스 배리어층이, 무기 증착막인, (1) ∼ (7) 중 어느 하나에 기재된 적층체.
(9) 상기 가스 배리어층이, 고분자 화합물을 포함하는 층의 표면이 개질되어 이루어지는 것인, (1) ∼ (7) 중 어느 하나에 기재된 적층체.
(10) 상기 에너지 경화성 수지가, 자외선 경화성 수지인, (1) ∼ (9) 중 어느 하나에 기재된 적층체.
(11) 상기 에너지 경화성 수지의 경화물로 이루어지는 층의 두께가, 100 ㎚ 이상인, (1) ∼ (10) 중 어느 하나에 기재된 적층체.
(12) 상기 (1) ∼ (11) 중 어느 하나에 기재된 적층체로 이루어지는 전자 디바이스용 부재.
(13) 상기 (12) 에 기재된 전자 디바이스용 부재를 구비하는 전자 디바이스.
본 발명에 의하면, 가스 배리어성이 우수하고, 또한, 열이력을 받아도 컬이나 열수축이 잘 일어나지 않기 때문에, 바람직하게 전자 디바이스에 대한 첩합 공정에 적용할 수 있는 적층체, 이 적층체로 이루어지는 전자 디바이스용 부재, 및 이 전자 디바이스용 부재를 구비하는 전자 디바이스가 제공된다.
이하, 본 발명을 1) 적층체, 그리고 2) 전자 디바이스용 부재 및 전자 디바이스로 항목 분류하여 상세하게 설명한다.
1) 적층체
본 발명의 적층체는, 적어도 기재층과, 가스 배리어층과, 에너지 경화성 수지의 경화물로 이루어지는 층을 갖는 적층체로서, 상기 가스 배리어층이, 상기 기재층의 일방의 측에, 직접 또는 그 밖의 층을 개재하여 적층되어 이루어지고, 상기 에너지 경화성 수지의 경화물로 이루어지는 층이, 상기 기재층의, 가스 배리어층과는 반대의 측에, 직접 또는 그 밖의 층을 개재하여 적층되어 이루어지는 것을 특징으로 한다.
〔기재층〕
본 발명의 적층체를 구성하는 기재층은, 가스 배리어층과, 에너지 경화성 수지의 경화물로 이루어지는 층을 담지할 수 있는 것이면, 특별히 한정되지 않는다.
기재층으로는, 수지 필름을 사용할 수 있다.
수지 필름의 수지 성분으로는, 폴리이미드, 폴리아미드, 폴리아미드이미드, 폴리페닐렌에테르, 폴리에테르케톤, 폴리에테르에테르케톤, 폴리올레핀, 폴리에스테르, 폴리카보네이트, 폴리술폰, 폴리에테르술폰, 폴리페닐렌술파이드, 아크릴계 수지, 시클로올레핀계 폴리머, 방향족계 중합체 등을 들 수 있다.
이들 수지 성분은, 1 종 단독으로, 혹은 2 종 이상을 조합하여 사용할 수 있다.
본 발명의 적층체를 디스플레이의 제조 재료로서 사용하는 경우, 기재층으로서 광학 등방성 필름을 사용하는 것이 바람직하다. 기재층으로서 광학 등방성 필름을 사용함으로써, 디스플레이 재료로서 공정에 사용되는 광학 등방성 적층체를 얻기 쉬워진다.
본 발명에 있어서, 광학 등방성 필름이나 광학 등방성 적층체의 「광학 등방성」이란, 저복굴절성을 갖는 것을 말한다. 기재층의 형성에 사용하는 광학 등방성 필름의 면내 위상차 Re(550) 은, 바람직하게는 100 ㎚ 이하이다.
본 발명에 있어서, 면내 위상차 Re(550) 이란, 파장 550 ㎚ 의 광으로 측정했을 때의 면내의 위상차 (R) 이고, 하기 식 (I) 에 의해 산출된다.
Figure pct00001
(nx 는 필름 면내의 지상축 (굴절률이 가장 높은 방향) 의 굴절률이고, ny 는 필름 면내에서 지상축에 수직인 방향의 굴절률이며, d 는 필름의 평균 두께이다.)
광학 등방성 필름으로는, 폴리카보네이트 필름, 폴리술폰 필름, 아크릴계 수지 필름, 지환식 탄화수소계 수지 필름 등을 들 수 있다. 이들 중에서도, 열수축률이 작고, 또한, 면내 위상차 Re(550) 이 작은 광학 등방성 적층체를 얻기 쉬운 점에서, 폴리카보네이트 필름 또는 지환식 탄화수소계 수지 필름이 바람직하고, 지환식 탄화수소계 수지 필름이 보다 바람직하다.
지환식 탄화수소계 수지는, 주사슬 중에 고리형의 탄화수소기를 갖는 고분자이다. 지환식 탄화수소계 수지로는, 특별히 한정되지 않고, 공지된 것을 사용할 수 있다. 지환식 탄화수소계 수지로는, 예를 들어, 단고리의 고리형 올레핀계 중합체, 노르보르넨계 중합체, 고리형 공액 디엔계 중합체, 비닐 지환식 탄화수소 중합체, 및 이들의 수소화물을 들 수 있다. 시판품으로는, 아펠 (미츠이 화학 주식회사 제조의 에틸렌-시클로올레핀 공중합체), TOPAS (폴리플라스틱스 주식회사 제조의 에틸렌-시클로올레핀 공중합체), 아톤 (JSR 주식회사 제조의 노르보르넨계 중합체), 제오노아 (닛폰 제온 주식회사 제조의 노르보르넨계 중합체) 등을 들 수 있다.
기재층으로서 사용하는 수지 필름은, 본 발명의 효과를 방해하지 않는 범위에 있어서, 각종 첨가제를 함유하고 있어도 된다. 첨가제로는, 자외선 흡수제, 대전 방지제, 안정제, 산화 방지제, 가소제, 활제, 착색 안료 등을 들 수 있다. 이들 첨가제의 함유량은, 목적에 맞춰 적절히 결정하면 된다.
기재층으로서 사용하는 수지 필름의 두께는, 특별히 한정되지 않는다. 보다 얇은 적층체를 얻기 쉬운 점에서, 수지 필름의 두께는, 바람직하게는 500 ㎛ 이하, 보다 바람직하게는 10 ∼ 300 ㎛ 이다.
기재층으로서 사용하는 수지 필름은, 수지 성분 및 원하는 바에 따라 각종 첨가제를 포함하는 수지 조성물을 조제하고, 이것을 필름상으로 성형함으로써 얻을 수 있다. 성형 방법은 특별히 한정되지 않고, 캐스트법이나 용융 압출법 등의 공지된 방법을 이용할 수 있다.
〔가스 배리어층〕
본 발명의 적층체를 구성하는 가스 배리어층은, 산소나 수증기 등의 가스의 투과를 억제하는 특성 (가스 배리어성) 을 갖는 층으로서, 상기 기재층의 일방의 측에, 직접 또는 그 밖의 층을 개재하여 적층되어 이루어지는 것이다.
가스 배리어층으로는, 예를 들어, 무기 증착막이나, 고분자 화합물을 포함하는 층 (이하, 「고분자층」이라고 하는 경우가 있다.) 의 표면이 개질되어 이루어지는 것 (이 경우, 가스 배리어층이란, 개질된 영역만을 의미하는 것이 아니라, 「개질된 영역을 포함하는 고분자층」을 의미한다.) 등을 들 수 있다.
무기 증착막으로는, 무기 화합물이나 금속의 증착막을 들 수 있다.
무기 화합물의 증착막의 원료로는, 산화규소, 산화알루미늄, 산화마그네슘, 산화아연, 산화인듐, 산화주석 등의 무기 산화물 ; 질화규소, 질화알루미늄, 질화티탄 등의 무기 질화물 ; 무기 탄화물 ; 무기 황화물 ; 산화질화규소 등의 무기 산화질화물 ; 무기 산화탄화물 ; 무기 질화탄화물 ; 무기 산화질화탄화물 등을 들 수 있다.
금속의 증착막의 원료로는, 알루미늄, 마그네슘, 아연, 및 주석 등을 들 수 있다.
이들은 1 종 단독으로, 혹은 2 종 이상을 조합하여 사용할 수 있다.
이들 중에서는, 가스 배리어성의 관점에서, 무기 산화물, 무기 질화물 또는 금속을 원료로 하는 무기 증착막이 바람직하고, 또한, 투명성의 관점에서, 무기 산화물 또는 무기 질화물을 원료로 하는 무기 증착막이 바람직하다.
무기 증착막을 형성하는 방법으로는, 진공 증착법, 스퍼터링법, 이온 플레이팅법 등의 PVD (물리적 증착) 법이나, 열 CVD (화학적 증착) 법, 플라즈마 CVD 법, 광 CVD 법 등의 CVD 법을 들 수 있다.
무기 증착막의 두께는, 사용하는 무기 화합물이나 금속에 따라서도 상이하지만, 가스 배리어성과 취급성의 관점에서, 바람직하게는 50 ∼ 300 ㎚, 보다 바람직하게는 50 ∼ 200 ㎚ 의 범위이다.
고분자층의 표면이 개질되어 이루어지는 가스 배리어층에 있어서, 사용하는 고분자 화합물로는, 규소 함유 고분자 화합물, 폴리이미드, 폴리아미드, 폴리아미드이미드, 폴리페닐렌에테르, 폴리에테르케톤, 폴리에테르에테르케톤, 폴리올레핀, 폴리에스테르, 폴리카보네이트, 폴리술폰, 폴리에테르술폰, 폴리페닐렌술파이드, 폴리아릴레이트, 아크릴계 수지, 지환식 탄화수소계 수지, 방향족계 중합체 등을 들 수 있다.
이들 고분자 화합물은 1 종 단독으로, 혹은 2 종 이상을 조합하여 사용할 수 있다.
고분자층은, 고분자 화합물 이외에, 본 발명의 목적을 저해하지 않는 범위에서 다른 성분을 함유해도 된다. 다른 성분으로는, 경화제, 노화 방지제, 광안정제, 난연제 등을 들 수 있다.
고분자층 중의 고분자 화합물의 함유량은, 보다 가스 배리어성이 우수한 가스 배리어층을 형성할 수 있는 점에서, 50 질량％ 이상이 바람직하고, 70 질량％ 이상이 보다 바람직하다.
고분자층의 두께는, 특별히 제한되지 않지만, 통상적으로 20 ㎚ 내지 50 ㎛, 바람직하게는 30 ㎚ 내지 1 ㎛, 보다 바람직하게는 40 ㎚ 내지 500 ㎚ 이다.
고분자층은, 예를 들어, 고분자 화합물을 유기 용제에 용해 또는 분산한 액을, 공지된 도포 방법에 의해, 직접 또는 그 밖의 층을 개재하여 기재층이 되는 수지 필름 상에 도포하고, 얻어진 도막을 건조시킴으로써 형성할 수 있다.
유기 용제로는, 벤젠, 톨루엔 등의 방향족 탄화수소계 용매 ; 아세트산에틸, 아세트산부틸 등의 에스테르계 용매 ; 아세톤, 메틸에틸케톤, 메틸이소부틸케톤 등의 케톤계 용매 ; n-펜탄, n-헥산, n-헵탄 등의 지방족 탄화수소계 용매 ; 시클로펜탄, 시클로헥산 등의 지환식 탄화수소계 용매 등을 들 수 있다.
이들 용매는, 1 종 단독으로 혹은 2 종 이상을 조합하여 사용할 수 있다.
도포 방법으로는, 바 코트법, 스핀 코트법, 딥핑법, 롤 코트법, 그라비아 코트법, 나이프 코트법, 에어 나이프 코트법, 롤 나이프 코트법, 다이 코트법, 스크린 인쇄법, 스프레이 코트법, 그라비아 오프셋법 등을 들 수 있다.
도막의 건조 방법으로는, 열풍 건조, 열롤 건조, 적외선 조사 등의 종래 공지된 건조 방법을 들 수 있다. 가열 온도는, 통상적으로 80 ∼ 150 ℃ 이고, 가열 시간은, 통상적으로 수십 초 내지 수십 분이다.
고분자층의 표면을 개질하는 방법으로는, 이온 주입 처리, 플라즈마 처리, 자외선 조사 처리, 열처리 등을 들 수 있다.
이온 주입 처리는, 후술하는 바와 같이, 가속시킨 이온을 고분자층에 주입하여, 고분자층의 표면을 개질하는 방법이다.
플라즈마 처리는, 고분자층을 플라즈마 중에 노출시켜, 고분자층의 표면을 개질하는 방법이다. 예를 들어, 일본 공개특허공보 2012-106421호에 기재된 방법에 따라, 플라즈마 처리를 실시할 수 있다.
자외선 조사 처리는, 고분자층에 자외선을 조사하여 고분자층의 표면을 개질하는 방법이다. 자외선 개질 처리는, 예를 들어, 일본 공개특허공보 2013-226757호에 기재된 방법에 따라 실시할 수 있다.
이들 가스 배리어층 중에서도, 보다 가스 배리어성이 우수한 점에서, 규소 함유 고분자 화합물을 포함하는 층에 이온 주입 처리를 실시하여 얻어지는 것이 바람직하다.
규소 함유 고분자 화합물로는, 폴리실라잔계 화합물, 폴리카르보실란계 화합물, 폴리실란계 화합물, 폴리오르가노실록산계 화합물, 폴리(디실라닐렌페닐렌)계 화합물, 및 폴리(디실라닐렌에틸렌)계 화합물 등을 들 수 있고, 폴리실라잔계 화합물이 보다 바람직하다.
폴리실라잔계 화합물은, 분자 내에 -Si-N- 결합 (실라잔 결합) 을 포함하는 반복 단위를 갖는 화합물이다. 구체적으로는, 식 (1)
[화학식 1]
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로 나타내는 반복 단위를 갖는 화합물이 바람직하다. 또, 사용하는 폴리실라잔계 화합물의 수평균 분자량은, 특별히 한정되지 않지만, 100 ∼ 50,000 인 것이 바람직하다.
상기 식 (1) 중, n 은 임의의 자연수를 나타낸다. Rx, Ry, Rz 는, 각각 독립적으로, 수소 원자, 무치환 혹은 치환기를 갖는 알킬기, 무치환 혹은 치환기를 갖는 시클로알킬기, 무치환 혹은 치환기를 갖는 알케닐기, 무치환 혹은 치환기를 갖는 아릴기 또는 알킬실릴기 등의 비가수분해성기를 나타낸다.
상기 무치환 혹은 치환기를 갖는 알킬기의 알킬기로는, 예를 들어, 메틸기, 에틸기, n-프로필기, 이소프로필기, n-부틸기, 이소부틸기, sec-부틸기, t-부틸기, n-펜틸기, 이소펜틸기, 네오펜틸기, n-헥실기, n-헵틸기, n-옥틸기 등의 탄소수 1 ∼ 10 의 알킬기를 들 수 있다.
무치환 혹은 치환기를 갖는 시클로알킬기의 시클로알킬기로는, 예를 들어, 시클로부틸기, 시클로펜틸기, 시클로헥실기, 시클로헵틸기 등의 탄소수 3 ∼ 10 의 시클로알킬기를 들 수 있다.
무치환 혹은 치환기를 갖는 알케닐기의 알케닐기로는, 예를 들어, 비닐기, 1-프로페닐기, 2-프로페닐기, 1-부테닐기, 2-부테닐기, 3-부테닐기 등의 탄소수 2 ∼ 10 의 알케닐기를 들 수 있다.
상기 알킬기, 시클로알킬기 및 알케닐기의 치환기로는, 불소 원자, 염소 원자, 브롬 원자, 요오드 원자 등의 할로겐 원자 ; 하이드록실기 ; 티올기 ; 에폭시기 ; 글리시독시기 ; (메트)아크릴로일옥시기 ; 페닐기, 4-메틸페닐기, 4-클로로페닐기 등의 무치환 혹은 치환기를 갖는 아릴기 등을 들 수 있다.
무치환 또는 치환기를 갖는 아릴기의 아릴기로는, 예를 들어, 페닐기, 1-나프틸기, 2-나프틸기 등의 탄소수 6 ∼ 15 의 아릴기를 들 수 있다.
상기 아릴기의 치환기로는, 불소 원자, 염소 원자, 브롬 원자, 요오드 원자 등의 할로겐 원자 ; 메틸기, 에틸기 등의 탄소수 1 ∼ 6 의 알킬기 ; 메톡시기, 에톡시기 등의 탄소수 1 ∼ 6 의 알콕시기 ; 니트로기 ; 시아노기 ; 하이드록실기 ; 티올기 ; 에폭시기 ; 글리시독시기 ; (메트)아크릴로일옥시기 ; 페닐기, 4-메틸페닐기, 4-클로로페닐기 등의 무치환 혹은 치환기를 갖는 아릴기 등을 들 수 있다.
알킬실릴기로는, 트리메틸실릴기, 트리에틸실릴기, 트리이소프로필실릴기, 트리t-부틸실릴기, 메틸디에틸실릴기, 디메틸실릴기, 디에틸실릴기, 메틸실릴기, 에틸실릴기 등을 들 수 있다.
이들 중에서도, Rx, Ry, Rz 로는, 수소 원자, 탄소수 1 ∼ 6 의 알킬기, 또는 페닐기가 바람직하고, 수소 원자가 특히 바람직하다.
상기 식 (1) 로 나타내는 반복 단위를 갖는 폴리실라잔계 화합물로는, Rx, Ry, Rz 가 모두 수소 원자인 무기 폴리실라잔, Rx, Ry, Rz 의 적어도 1 개가 수소 원자는 아닌 유기 폴리실라잔 중 어느 것이어도 된다.
또, 본 발명에 있어서는, 폴리실라잔계 화합물로서, 폴리실라잔 변성물을 사용할 수도 있다. 폴리실라잔 변성물로는, 예를 들어, 일본 공개특허공보 소62-195024호, 일본 공개특허공보 평2-84437호, 일본 공개특허공보 소63-81122호, 일본 공개특허공보 평1-138108호 등, 일본 공개특허공보 평2-175726호, 일본 공개특허공보 평5-238827호, 일본 공개특허공보 평5-238827호, 일본 공개특허공보 평6-122852호, 일본 공개특허공보 평6-306329호, 일본 공개특허공보 평6-299118호, 일본 공개특허공보 평9-31333호, 일본 공개특허공보 평5-345826호, 일본 공개특허공보 평4-63833호 등에 기재되어 있는 것을 들 수 있다.
이들 중에서도, 폴리실라잔계 화합물로는, 입수 용이성, 및 우수한 가스 배리어성을 갖는 이온 주입층을 형성할 수 있는 관점에서, Rx, Ry, Rz 가 모두 수소 원자인 퍼하이드로폴리실라잔이 바람직하다.
또, 폴리실라잔계 화합물로는, 유리 코팅재 등으로서 시판되고 있는 시판품을 그대로 사용할 수도 있다.
폴리실라잔계 화합물은, 1 종 단독으로, 혹은 2 종 이상을 조합하여 사용할 수 있다.
고분자층에 주입하는 이온으로는, 아르곤, 헬륨, 네온, 크립톤, 크세논 등의 희가스의 이온 ; 플루오로카본, 수소, 질소, 산소, 이산화탄소, 염소, 불소, 황 등의 이온 ; 메탄, 에탄 등의 알칸계 가스류의 이온 ; 에틸렌, 프로필렌 등의 알켄계 가스류의 이온 ; 펜타디엔, 부타디엔 등의 알카디엔계 가스류의 이온 ; 아세틸렌 등의 알킨계 가스류의 이온 ; 벤젠, 톨루엔 등의 방향족 탄화수소계 가스류의 이온 ; 시클로프로판 등의 시클로알칸계 가스류의 이온 ; 시클로펜텐 등의 시클로알켄계 가스류의 이온 ; 금속의 이온 ; 유기 규소 화합물의 이온 등을 들 수 있다.
이들 이온은 1 종 단독으로, 혹은 2 종 이상을 조합하여 사용할 수 있다.
이들 중에서도, 보다 간편하게 이온을 주입할 수 있고, 보다 우수한 가스 배리어성을 갖는 가스 배리어층을 형성할 수 있는 점에서, 아르곤, 헬륨, 네온, 크립톤, 크세논 등의 희가스의 이온이 바람직하다.
이온의 주입량은, 적층체의 사용 목적 (필요한 가스 배리어성, 투명성 등) 등에 맞춰 적절히 결정할 수 있다.
이온을 주입하는 방법으로는, 전계에 의해 가속된 이온 (이온 빔) 을 조사하는 방법, 플라즈마 중의 이온을 주입하는 방법 등을 들 수 있다. 그 중에서도, 목적으로 하는 가스 배리어층을 간편하게 형성할 수 있는 점에서, 후자의 플라즈마 중의 이온을 주입하는 방법 (플라즈마 이온 주입법) 이 바람직하다.
플라즈마 이온 주입법은, 예를 들어, 플라즈마 생성 가스 (상기 고분자층에 주입하는 이온을 생성하는 가스) 를 포함하는 분위기하에서 플라즈마를 발생시키고, 고분자층에 부 (負) 의 고전압 펄스를 인가함으로써, 그 플라즈마 중의 이온 (양이온) 을, 고분자층의 표면부에 주입하여 실시할 수 있다. 플라즈마 이온 주입법은, 보다 구체적으로는, WO2010/107018호 팜플렛 등에 기재된 방법에 의해 실시할 수 있다.
이온 주입에 의해, 이온이 주입되는 영역의 두께는, 이온의 종류나 인가 전압, 처리 시간 등의 주입 조건에 의해 제어할 수 있어, 고분자층의 두께나 적층체의 사용 목적 등에 따라 결정하면 되는데, 통상적으로 10 ∼ 400 ㎚ 이다.
이온이 주입된 것은, X 선 광전자 분광 분석 (XPS) 을 이용하여 고분자층의 표면으로부터 10 ㎚ 부근의 원소 분석 측정을 실시함으로써 확인할 수 있다.
본 발명의 적층체를 구성하는 가스 배리어층은, 상기 기재층의 일방의 측에, 직접 또는 그 밖의 층을 개재하여 적층되어 이루어지는 것이다.
적층체가, 기재층과 가스 배리어층 사이에 그 밖의 층을 갖는 경우, 그 밖의 층으로는, 프라이머층 등을 들 수 있다. 프라이머층은 특별히 한정되지 않고, 공지된 방법에 따라 형성할 수 있다.
〔에너지 경화성 수지의 경화물로 이루어지는 층〕
본 발명의 적층체를 구성하는, 에너지 경화성 수지의 경화물로 이루어지는 층은, 에너지 경화성 수지를 경화하여 이루어지는 층으로서, 상기 기재층의, 가스 배리어층과는 반대의 측에, 직접 또는 그 밖의 층을 개재하여 적층되어 이루어지는 것 (이하, 「카운터층」이라고 하는 경우가 있다.) 이다.
본 발명의 적층체는 카운터층을 가짐으로써, 열이력을 받았을 때의 컬이 억제된다.
에너지 경화성 수지란, 전자선, 자외선 등의 에너지선을 조사하거나, 가열하거나 함으로써, 경화 반응이 개시되어, 경화물로 변화하는 경화성 수지 조성물을 말한다. 에너지 경화성 수지는, 통상적으로 중합성 화합물을 주성분으로 하는 것이다.
중합성 화합물은, 에너지 중합성 관능기를 갖는 화합물이다. 에너지 중합성 관능기로는, (메트)아크릴로일기, 비닐기, 알릴기, 스티릴기 등의 에틸렌성 불포화기가 예시된다. 이들 중에서도, 반응성이 높은 점에서, (메트)아크릴로일기가 바람직하다. 또한, 본 명세서에 있어서, 「(메트)아크릴로일기」란, 아크릴로일기 또는 메타크릴로일기를 의미한다.
(메트)아크릴로일기를 갖는 중합성 화합물로는, 다관능 아크릴레이트계 화합물을 들 수 있다. 다관능 아크릴레이트계 화합물이란, 중합 반응에 관여하는 불포화 결합을 2 이상 갖는, 아크릴산에스테르 화합물 또는 메타크릴산에스테르 화합물을 말한다.
다관능 아크릴레이트계 화합물로는, 트리시클로데칸디메탄올디(메트)아크릴레이트, 1,4-부탄디올디(메트)아크릴레이트, 1,6-헥산디올디(메트)아크릴레이트, 네오펜틸글리콜디(메트)아크릴레이트, 폴리에틸렌글리콜디(메트)아크릴레이트, 네오펜틸글리콜아디페이트디(메트)아크릴레이트, 하이드록시피발산네오펜틸글리콜디(메트)아크릴레이트, 디시클로펜타닐디(메트)아크릴레이트, 카프로락톤 변성 디시클로펜테닐디(메트)아크릴레이트, 에틸렌옥사이드 변성 인산디(메트)아크릴레이트, 디(아크릴로일옥시에틸)이소시아누레이트, 알릴화시클로헥실디(메트)아크릴레이트 등의 2 관능 아크릴레이트계 화합물 ;
트리메틸올프로판트리(메트)아크릴레이트, 디펜타에리트리톨트리(메트)아크릴레이트, 프로피온산 변성 디펜타에리트리톨트리(메트)아크릴레이트, 펜타에리트리톨트리(메트)아크릴레이트, 프로필렌옥사이드 변성 트리메틸올프로판트리(메트)아크릴레이트, 트리스(2-아크릴로일옥시에틸)이소시아누레이트 등의 3 관능 아크릴레이트계 화합물 ;
디글리세린테트라(메트)아크릴레이트, 펜타에리트리톨테트라(메트)아크릴레이트 등의 4 관능 아크릴레이트계 화합물 ;
프로피온산 변성 디펜타에리트리톨펜타(메트)아크릴레이트 등의 5 관능 아크릴레이트계 화합물 ;
디펜타에리트리톨헥사(메트)아크릴레이트, 카프로락톤 변성 디펜타에리트리톨헥사(메트)아크릴레이트 등의 6 관능 아크릴레이트계 화합물 등을 들 수 있다.
이들 다관능 아크릴레이트계 화합물은 1 종 단독으로, 혹은 2 종 이상을 조합하여 사용할 수 있다.
에너지 경화성 수지는, 올리고머를 포함하고 있어도 된다. 이러한 올리고머로는, 폴리에스테르아크릴레이트계 올리고머, 에폭시아크릴레이트계 올리고머, 우레탄아크릴레이트계 올리고머, 폴리올아크릴레이트계 올리고머 등을 들 수 있다.
에너지 경화성 수지는, 광중합 개시제나 열중합 개시제 등의 중합 개시제를 포함하고 있어도 된다.
광중합 개시제로는, 2,2-디메톡시-1,2-디페닐에탄-1-온, 1-하이드록시-시클로헥실-페닐케톤 등의 케톤계 광중합 개시제 ; 2,4,6-트리메틸벤조일-디페닐포스핀옥사이드, 비스(2,4,6-트리메틸벤조일)-페닐포스핀옥사이드, 에틸(2,4,6-트리메틸벤조일)-페닐포스피네이트, 비스(2,6-디메톡시벤조일)-2,4,4-트리메틸-펜틸포스핀옥사이드 등의 인계 광중합 개시제 ; 비스(η5-2,4-시클로펜타디엔-1-일)-비스[2,6-디플루오로-3-(1H-피롤-1-일)-페닐]티타늄 등의 티타노센계 광중합 개시제 ; 옥심에스테르계 광중합 개시제 ; 벤조페논, p-클로로벤조페논, 4,4'-디에틸아미노벤조페논 등의 벤조페논계 광중합 개시제 ; 티오크산톤 등의 티오크산톤계 광중합 개시제 ; 트리이소프로판올아민 등의 아민계 광중합 개시제 등을 들 수 있다. 이들은, 1 종 단독으로, 혹은 2 종 이상을 조합하여 사용할 수 있다.
열중합 개시제로는, 과산화수소 ; 퍼옥소이황산암모늄, 퍼옥소이황산나트륨, 퍼옥소이황산칼륨 등의 퍼옥소이황산염 ; 2,2'-아조비스(2-아미디노프로판)이염산염, 4,4'-아조비스(4-시아노발레르산), 2,2'-아조비스이소부티로니트릴, 2,2'-아조비스(4-메톡시-2,4-디메틸발레로니트릴) 등의 아조계 화합물 ; 과산화벤조일, 과산화라우로일, 과아세트산, 과숙신산, 디-t-부틸퍼옥사이드, t-부틸하이드로퍼옥사이드, 쿠멘하이드로퍼옥사이드 등의 유기 과산화물 등을 들 수 있다. 이들은, 1 종 단독으로, 혹은 2 종 이상을 조합하여 사용할 수 있다.
에너지 경화성 수지가 중합 개시제를 함유하는 경우, 그 함유량은, 중합성 화합물 100 질량부에 대하여, 통상적으로 0.01 ∼ 20 질량부의 범위이다.
에너지 경화성 수지는, 폴리이소시아네이트계 가교제를 함유해도 된다. 폴리이소시아네이트계 가교제로는, 특별히 한정되지 않고, 분자 중에 2 개 이상의 이소시아네이트기를 갖는 화합물이 사용된다. 이와 같은 폴리이소시아네이트계 가교제로는, 톨릴렌디이소시아네이트, 디페닐메탄디이소시아네이트, 자일릴렌디이소시아네이트 등의 방향족 폴리이소시아네이트 ; 헥사메틸렌디이소시아네이트 등의 지방족 폴리이소시아네이트 ; 이소포론디이소시아네이트, 수소 첨가 디페닐메탄디이소시아네이트 등의 지환식 폴리이소시아네이트 ; 및 그들의 뷰렛체, 이소시아누레이트체, 또한 에틸렌글리콜, 프로필렌글리콜, 네오펜틸글리콜, 트리메틸올프로판, 피마자유 등의 저분자 활성 수소 함유 화합물과의 반응물인 어덕트체 등을 들 수 있다. 이들은, 1 종 단독으로, 혹은 2 종 이상을 조합하여 사용할 수 있다.
에너지 경화성 수지가 폴리이소시아네이트계 가교제를 함유하는 경우, 그 함유량은, 중합성 화합물 100 질량부에 대하여, 통상적으로 1 ∼ 10 질량부, 바람직하게는 2 ∼ 8 질량부이다.
에너지 경화성 수지로는, 자외선 조사에 의해 경화되는 수지 (자외선 경화성 수지) 가 바람직하다. 자외선 경화성 수지를 사용함으로써, 에너지 경화성 수지의 경화물로 이루어지는 층을 효율적으로 형성할 수 있다.
본 발명의 적층체를 구성하는 카운터층은, 상기 에너지 경화성 수지 및 용제를 함유하는 도공액을, 공지된 도포 방법에 의해, 직접 또는 그 밖의 층을 개재하여 상기 기재층의 가스 배리어층과는 반대의 측에 도포하고, 얻어진 도막을 필요에 따라 건조시킨 후, 도막을 경화시킴으로써 형성할 수 있다.
용제로는, n-헥산, n-헵탄 등의 지방족 탄화수소계 용매 ; 톨루엔, 자일렌 등의 방향족 탄화수소계 용매 ; 디클로로메탄, 염화에틸렌, 클로로포름, 사염화탄소, 1,2-디클로로에탄, 모노클로로벤젠 등의 할로겐화탄화수소계 용매 ; 메탄올, 에탄올, 프로판올, 부탄올, 프로필렌글리콜모노메틸에테르 등의 알코올계 용매 ; 아세톤, 메틸에틸케톤, 2-펜타논, 이소포론, 시클로헥사논 등의 케톤계 용매 ; 아세트산에틸, 아세트산부틸 등의 에스테르계 용매 ; 에틸셀로솔브 등의 셀로솔브계 용제 ; 1,3-디옥소란 등의 에테르계 용매 등을 들 수 있다.
도공액을 도포하는 방법으로는, 통상의 습식 코팅 방법을 사용할 수 있다. 예를 들어 딥핑법, 롤 코트, 그라비아 코트, 나이프 코트, 에어 나이프 코트, 롤 나이프 코트, 다이 코트, 스크린 인쇄법, 스프레이 코트, 그라비아 오프셋법 등을 들 수 있다.
도막을 건조시키는 방법으로는, 열풍 건조, 열롤 건조, 적외선 조사 등의 종래 공지된 건조 방법을 들 수 있다.
도막을 경화시키는 방법으로는, 특별히 한정되지 않고, 에너지 경화성 수지의 특성에 따라 공지된 방법을 적절히 선택할 수 있다.
예를 들어, 에너지 경화성 수지가 활성 에너지선을 받아 경화되는 것인 경우에는, 고압 수은 램프, 무전극 램프, 크세논 램프 등을 사용하여, 활성 에너지선을 도막에 조사함으로써, 도막을 경화시킬 수 있다.
활성 에너지선의 파장은, 200 ∼ 400 ㎚ 가 바람직하고, 350 ∼ 400 ㎚ 가 보다 바람직하다. 조사량은, 통상적으로 조도 50 ∼ 1000 ㎽/㎠, 광량 50 ∼ 5000 mJ/㎠, 바람직하게는 1000 ∼ 5000 mJ/㎠ 의 범위이다. 조사 시간은, 통상적으로 0.1 ∼ 1000 초, 바람직하게는 1 ∼ 500 초, 보다 바람직하게는 10 ∼ 100 초이다. 광조사 공정의 열부하를 고려하여 전술한 광량을 만족시키기 위해, 복수 회 조사해도 상관없다.
또, 에너지 경화성 수지가 가열에 의해 경화되는 것인 경우에는, 경화 반응이 진행되는 온도로 도막을 가열함으로써, 도막을 경화시킬 수 있다.
카운터층의 두께는 특별히 한정되지 않고, 적층체의 사용 목적 등에 맞춰 적절히 결정하면 된다. 카운터층의 두께는, 통상적으로 100 ㎚ 이상, 바람직하게는 0.10 ∼ 10 ㎛ 이다.
(적층체)
본 발명의 적층체는, 기재층 상에, 상기 방법에 따라, 가스 배리어층, 카운터층 등을 형성함으로써 제조할 수 있다. 가스 배리어층과 카운터층의 형성 순서는 특별히 한정되지 않고, 가스 배리어층을 먼저 형성해도 되고, 카운터층을 먼저 형성해도 된다.
본 발명의 적층체의 두께는, 특별히 한정되지 않지만, 바람직하게는 5 ∼ 500 ㎛, 보다 바람직하게는 10 ∼ 300 ㎛, 특히 바람직하게는 20 ∼ 200 ㎛ 이다.
본 발명의 적층체는, 가스 배리어성이 우수한 것이다.
본 발명의 적층체의 수증기 투과율은, 온도 40 ℃, 상대 습도 90 ％ 의 분위기하에서, 바람직하게는 5.0 g·m-2·일-1 미만, 보다 바람직하게는 0.5 g·m-2·일-1 미만이다. 하한값은 특별히 없고, 작을수록 바람직하지만, 통상적으로는 1 × 10-6 g·m-2·일-1 이상이다.
수증기 투과율은, 실시예에 기재된 방법에 의해 측정할 수 있다.
본 발명의 적층체는 투명성이 우수한 것인 것이 바람직하다. JIS K 7361-1 에 준거하여 측정한, 적층체의 전광선 투과율은, 85 ％ 이상이 바람직하다.
본 발명의 적층체는 광학 등방성이 우수한 것인 것이 바람직하다. 본 발명의 적층체의 면내 위상차 Re(550) 은, 100 ㎚ 이하가 바람직하고, 10 ㎚ 이하가 보다 바람직하다.
본 발명의 적층체는, 내열성이 우수한 것이다.
실시예에 기재된 방법에 의해 컬 평가를 실시했을 때, 4 정점의 높이의 평균값은, 10 ㎜ 이하가 바람직하다.
또, 실시예에 기재된 방법에 의해 열수축률을 측정했을 때, 열수축률은 0.20 ％ 이하가 바람직하다.
2) 전자 디바이스용 부재 및 전자 디바이스
본 발명의 전자 디바이스용 부재는, 우수한 가스 배리어성을 갖는 본 발명의 적층체로 이루어지는 것을 특징으로 한다. 따라서, 본 발명의 전자 디바이스용 부재도 우수한 가스 배리어성을 갖고 있으므로, 수증기 등의 가스에 의한 소자의 열화를 방지할 수 있다. 또한, 열이력을 받아도 컬이나 열수축이 잘 일어나지 않는 것이기 때문에, 목적으로 하는 전자 디바이스를 효율적으로 제조할 수 있다.
또, 광학 등방성이 우수한 적층체로 이루어지는 전자 디바이스용 부재는, 액정 디스플레이, EL 디스플레이 등의 디스플레이 부재 등으로서 바람직하다.
본 발명의 전자 디바이스는, 본 발명의 전자 디바이스용 부재를 구비한다. 구체예로는, 액정 디스플레이, 유기 EL 디스플레이, 무기 EL 디스플레이, 전자 페이퍼, 태양 전지 등을 들 수 있다.
본 발명의 전자 디바이스는, 본 발명의 적층체로 이루어지는 전자 디바이스용 부재를 구비하고 있으므로, 수증기 등의 침입에 의한 고장이 잘 발생하지 않고, 또, 시인성이 우수하다.
실시예
이하, 실시예를 들어 본 발명을 더욱 상세하게 설명한다. 단, 본 발명은, 이하의 실시예에 조금도 한정되는 것은 아니다.
각 예 중의 부 및 ％ 는, 특별히 언급하지 않는 한 질량 기준이다.
〔에너지 경화성 수지의 경화물로 이루어지는 층의 유리 전이 온도 (Tg)〕
실시예 또는 비교예에서 얻어진 적층체를 구성하는 에너지 경화성 수지의 경화물로 이루어지는 층의 유리 전이 온도 (Tg) 는, JIS K 7121 에 준거하여, 시차 주사 열량계 (티·에이·인스투르먼트·재팬사 제조, 제품명 「DSC Q2000」) 를 사용하여, 승온 속도 20 ℃/분으로 측정하였다.
〔적층체의 가스 배리어성 평가〕
실시예 또는 비교예에서 얻어진 적층체에 대해, Mocon 사 제조 「AQUATRAN」 을 사용하여, 40 ℃, 상대 습도 90 ％ 조건하에서 수증기 투과율 (g·m-2·일-1) 을 측정하였다.
〔적층체의 투명성 평가〕
실시예 또는 비교예에서 얻어진 적층체에 대해, JIS K 7361 에 준거하여, 전광선 투과율을 측정하였다.
〔적층체의 광학 등방성 평가〕
실시예 또는 비교예에서 얻어진 적층체에 대해, 오지 측정 기기 주식회사 제조 「KOBRA-WR」을 사용하여, 면내 위상차 Re(550) 을 측정하였다.
〔가열 후의 적층체의 컬 평가〕
실시예 또는 비교예에서 얻어진 적층체를, 1 변 100 ㎜ 의 정방 형상으로 잘라내어, 시험편을 얻었다. 이 시험편을 150 ℃ 에서 1 시간 가열한 후, 이것을 수평의 받침대 상에 놓고, 4 정점의 높이를 측정하여, 그들의 평균값을 산출하였다.
〔적층체의 열수축률 평가〕
실시예 또는 비교예에서 얻어진 적층체에 대해, JIS K 7133 에 준거하여, 100 ℃ 에서 1 시간 열처리했을 때의 열수축률을 측정하였다.
〔첩합 평가〕
실시예 또는 비교예에서 얻어진 적층체를 A4 사이즈로 잘라내고, JIS K 7133 에 준거하여, 100 ℃ 에서 1 시간 열처리한 것을 평가 샘플로 하였다. 평가 샘플을 첩합기 (산쿄 주식회사 제조, HAL-320) 로, A4 사이즈의 유리 기판에 첩합하여, 평가 샘플과 유리 기판의 어긋남이 5 ㎜ 이하이고, 평가 샘플에 주름이나 접힘이 없는 경우를 양호로 하고, 어긋남이 5 ㎜ 초과, 또는, 주름이나 접힘이 있는 경우를 불량으로 하였다.
〔실시예 1〕
군제사 제조의 시클로올레핀 공중합체 필름 (「F1-ISO-80」, 두께 80 ㎛, 면내 위상차 Re(550) 2 ㎚) 상에, 퍼하이드로폴리실라잔을 주성분으로 하는 코팅제 (AZ 일렉트로닉 머티리얼즈사 제조 「아쿠아미카 NL110-20」, 용매 : 자일렌, 농도 : 10 ％) 를 스핀 코트법으로 도포하고, 얻어진 도막을 120 ℃ 에서 2 분간 건조시켜, 두께 150 ㎚ 의 폴리실라잔층을 형성하였다.
얻어진 폴리실라잔층에 대하여, 플라즈마 이온 주입 장치 (RF 전원 : 닛폰 전자 주식회사 제조 「RF56000」, 고전압 펄스 전원 : 주식회사 쿠리타 제작소 제조 「PV-3-HSHV-0835」) 를 사용하고, 하기 조건으로 플라즈마 이온 주입을 실시하여, 가스 배리어층을 형성하였다.
플라즈마 생성 가스 : Ar
가스 유량 : 100 sc㎝
Duty 비 : 0.5 ％
인가 전압 : -6 ㎸
RF 전원 : 주파수 13.56 ㎒, 인가 전력 1000 W
챔버 내압 : 0.2 ㎩
펄스 폭 : 5 μsec
처리 시간 (이온 주입 시간) : 200 초
상기 시클로올레핀 공중합체 필름의 가스 배리어층과는 반대측의 면에, JSR 사 제조 「오프스타 Z7530」을 메이어 바로 도포하고, 얻어진 도막을 70 ℃ 에서 1 분간 건조시키고, 이어서 UV 조사에 의해 도막을 경화시킴으로써, 막두께가 1 ㎛ 인 층 (에너지 경화성 수지의 경화물로 이루어지는 층, 유리 전이 온도 (Tg) 는, 300 ℃) 을 형성하고, 적층체를 얻었다.
〔실시예 2〕
실시예 1 에 있어서, 시클로올레핀 공중합체 필름 대신에, 폴리카보네이트 필름 (테이진 주식회사 제조 「C110-80」, 두께 80 ㎛, 면내 위상차 Re(550) 6 ㎚) 을 사용한 것을 제외하고, 실시예 1 과 동일하게 하여 적층체를 얻었다.
〔실시예 3〕
실시예 1 에 있어서, 시클로올레핀 공중합체 필름 대신에, 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름 (토요보 주식회사 제조 「코스모샤인 A4300」, 두께 50 ㎛, 면내 위상차 Re(550) ＞ 2000 ㎚) 을 사용한 것을 제외하고, 실시예 1 과 동일하게 하여 적층체를 얻었다.
〔비교예 1〕
실시예 1 에 있어서, 에너지 경화성 수지의 경화물로 이루어지는 층을 형성하지 않고, 기재층과 가스 배리어층으로 이루어지는 적층체를 얻었다.
〔비교예 2〕
실시예 2 에 있어서, 에너지 경화성 수지의 경화물로 이루어지는 층을 형성하지 않고, 기재층과 가스 배리어층으로 이루어지는 적층체를 얻었다.
〔비교예 3〕
실시예 3 에 있어서, 에너지 경화성 수지의 경화물로 이루어지는 층을 형성하지 않고, 기재층과 가스 배리어층으로 이루어지는 적층체를 얻었다.
실시예 1 ∼ 3 및 비교예 1 ∼ 3 에서 얻어진 적층체에 대해, 상기의 평가 시험을 실시하였다. 결과를 제 1 표에 나타낸다.
Figure pct00003
제 1 표로부터 이하의 것을 알 수 있다.
실시예 1 ∼ 3 의 적층체는, 에너지 경화성 수지의 경화물로 이루어지는 층을 갖는 것이다. 이들 적층체에 있어서는, 디바이스에 첩합할 때에, 어긋나지 않고, 또한 적층체에 주름이나 접힘 없이 첩합할 수 있다.
특히, 실시예 1, 2 에서 얻어진 적층체는, 가스 배리어성, 투명성 및 광학 등방성이 우수하고, 또한, 가열 후에 있어서, 컬이나 열수축이 잘 일어나지 않는 것으로, 디스플레이의 제조 재료로서 적합하다.

Claims (13)

  1. 적어도 기재층과, 가스 배리어층과, 에너지 경화성 수지의 경화물로 이루어지는 층을 갖는 적층체로서,
    상기 가스 배리어층이, 상기 기재층의 일방의 측에, 직접 또는 그 밖의 층을 개재하여 적층되어 이루어지고,
    상기 에너지 경화성 수지의 경화물로 이루어지는 층이, 상기 기재층의, 가스 배리어층과는 반대의 측에, 직접 또는 그 밖의 층을 개재하여 적층되어 이루어지는 것을 특징으로 하는 적층체.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 적층체를, JIS K 7133 에 준거하여, 100 ℃ 에서 1 시간 열처리했을 때의 열수축률이 0.2 ％ 이하인, 적층체.
  3. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 적층체를, 1 변 100 ㎜ 의 정방 형상으로 잘라내어, 150 ℃ 에서 1 시간 가열한 후, 상기 적층체를 수평의 받침대 상에 놓고, 4 정점의 높이를 측정했을 때의 평균값이 10 ㎜ 이하인, 적층체.
  4. 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 적층체의 면내 위상차 Re(550) 이 100 ㎚ 이하인, 적층체.
  5. 제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서,
    온도 40 ℃, 상대 습도 90 ％ 의 분위기하에 있어서의 수증기 투과율이, 5.0 g·m-2·일(day)-1 미만인, 적층체.
  6. 제 1 항 내지 제 5 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 에너지 경화성 수지의 경화물의 유리 전이 온도 (Tg) 가, 100 ℃ 이상인, 적층체.
  7. 제 1 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 기재층이, 폴리카보네이트 필름 또는 지환식 탄화수소계 수지 필름인, 적층체.
  8. 제 1 항 내지 제 7 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 가스 배리어층이, 무기 증착막인, 적층체.
  9. 제 1 항 내지 제 7 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 가스 배리어층이, 고분자 화합물을 포함하는 층의 표면이 개질되어 이루어지는 것인, 적층체.
  10. 제 1 항 내지 제 9 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 에너지 경화성 수지가, 자외선 경화성 수지인, 적층체.
  11. 제 1 항 내지 제 10 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 에너지 경화성 수지의 경화물로 이루어지는 층의 두께가, 100 ㎚ 이상인, 적층체.
  12. 제 1 항 내지 제 11 항 중 어느 한 항에 기재된 적층체로 이루어지는 전자 디바이스용 부재.
  13. 제 12 항에 기재된 전자 디바이스용 부재를 구비하는 전자 디바이스.
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