KR20190001652U - 박막 부품 및 박막 부품을 포함하는 헤테로 접합 전지 - Google Patents

박막 부품 및 박막 부품을 포함하는 헤테로 접합 전지 Download PDF

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Abstract

본 발명은 박막 부품 및 박막 부품을 포함하는 헤테로 접합 전지를 포함한다. 상기 박막 부품은 서로 중첩되는 적어도 2층의 투명 도전 산화물 박막을 포함하며, 상기 적어도 2층의 투명 도전 산화물 박막은 모두 IPO 박막이며, 그 중, 제1층 ITO 박막의 주석 함량은 10-15중량% 이며, 제2층 ITO 박막의 주석 함량은 ≥5중량% 및 ＜10중량%이다.

Description

박막 부품 및 박막 부품을 포함하는 헤테로 접합 전지{THIN FILM ASSEMBLY AND METHOD OF MAKING THE SAME, AND HETERO-JUNCTION CELL INCLUDING THIN FILM ASSEMBLY}
본 출원은 2017년 12월 21일에 중국 지적재산권국에 제출된 특허출원번호 No. 201711395346.6 및 No. 201721807096.8의 우선권을 주장하며, 상기 출원의 전체 내용은 인용 방식을 통해 본 출원의 내용에 포함된다.
본 출원은 태양 전지 공정 기술 분야와 관련되며, 또한 구체적으로 박막 부품 및 박막 부품을 포함하는 헤테로 접합 전지와 관련된다.
인듐주석산화물 박막(Indium Tin Oxide Film, ITO 박막으로 약칭함)은 낮은 저항율, 높은 가시광선 투과율 등의 우수한 물리 특성을 구비하기 때문에, 헤테로 접합(Hetero-junction with Intrinsic Thin layer) 태양 전지(헤테로 접합 전지 또는 HIT전지 또는 HJT 전지로 약칭함)의 투명 도전 산화물 박막층에 널리 응용된다.
ITO 박막은 HJT 전지에서 도전 및 반사 방지막의 작용을 한다. 현재 널리 사용되고 있는 ITO 박막은 단층막이다. 반사 방지막으로서, 전통적인 1/4 파장 ITO 단층막은 단지 특정 파장의 작은 각도 입사에 대해서만 양호한 반사 방지 효과가 있기 때문에, 이러한 단층막은 더 큰 파장 범위 및 더 큰 입사 각도의 광에 대한 HJT 전지의 반사 방지 요건을 완전히 만족할 수 없다.
종래기술 중에 존재하는 기술문제를 적어도 부분적으로 해결하기 위해, 본 발명은 성능이 개선된 HJT 전지와, HJT 전지의 성능 개선을 실현할 수 있는 박막 부품을 제공한다.
본 발명의 일 측면에 따라, 본 발명은 박막 부품을 제공하며, 상기 박막 부품은 서로 중첩되는 적어도 2층의 투명 도전 산화물 박막을 포함하며, 상기 적어도 2층의 투명 도전 산화물 박막은 모두 ITO 박막이며, 그 중, 제1층 ITO 박막의 주석 함량은 10-15중량% 이며, 제2층 ITO 박막의 주석 함량은 ≥5중량% 및 ＜10중량%이다.
상기 박막 부품은 제3층 ITO 박막을 더 포함할 수 있으며, 상기 제1층 ITO 박막, 상기 제2층 ITO 박막 및 상기 제3층 ITO 박막은 순서대로 설치되며, 상기 제3층 ITO 박막의 주석 함량은 ≥1중량% 및 ＜5중량%, 또는 10-15중량% 이다.
상기 제1층 ITO 박막의 주석 함량은 10중량%일 수 있고, 상기 제2층 ITO 박막의 주석 함량은 5중량%일 수 있고, 상기 제3층 ITO 박막의 주석 함량은 3중량%일 수 있다.
상기 박막 부품은 제4층 ITO 박막을 더 포함할 수 있으며, 상기 제1층 ITO 박막, 상기 제2층 ITO 박막, 상기 제3층 ITO 박막 및 상기 제4층 ITO 박막은 순서대로 설치되며, 상기 제4층 ITO 박막의 주석 함량은 10-15중량%이다.
상기 제1층 ITO 박막의 주석 함량은 10중량%일 수 있고, 상기 제2층 ITO 박막의 주석 함량은 5중량%일 수 있고, 상기 제3층 ITO 박막의 주석 함량은 3중량%일 수 있고, 상기 제4층 ITO 박막의 주석 함량은 10중량%일 수 있다.
각 한층 ITO 박막의 두께는 10-50nm 범위 내일 수 있다.
각 한층 ITO 박막의 굴절율(n)은 1.8-2.0의 범위 내일 수 있으며, 밴드 갭은 3.0-4.6 eV의 범위 내일 수 있고, 캐리어 농도는 (1-10)x1020cm-3의 범위 내일 수 있고, 캐리어 이동도는 10-50cm2/vs의 범위 내일 수 있다.
본 발명의 또 다른 일 측면에 따라, 본 발명은 헤테로 접합 전지를 제공하며, 상기 헤테로 접합 전지는 상기 박막 부품을 포함한다.
상기 헤테로 접합 전지의 일면은 적어도 3층의 ITO 박막이 서로 중첩됨으로써 구성되는 제1 박막 부품을 포함할 수 있으며, 다른 일면은 적어도 2층의 ITO 박막이 서로 중첩됨으로써 구성되는 제2 박막 부품을 포함할 수 있다.
상기 헤테로 접합 전지는 결정질 실리콘층, 제1 진성층, 제2 진성층, 제1 도핑층, 제2 도핑층, 제1 그리드선 및 제2 그리드선을 더 포함할 수 있으며, 상기 결정질 실리콘층은 서로 대향되는 제1 표면과 제2표면을 구비하며;
상기 제1 박막 부품은 4층의 ITO 박막이 설치되고, 상기 제2 박막 부품은 3층의 ITO 박막이 설치되며;
상기 제1 진성층, 상기 제1 도핑층, 상기 제1 박막 부품의 제4층 ITO 박막, 제3층 ITO 박막, 제2층 ITO 박막, 제1층 ITO 박막 및 상기 제1 그리드선이 내측에서 외측으로 순서대로 상기 결정질 실리콘층의 제1 표면 상에 설치될 수 있으며;
상기 제2 진성층, 상기 제2 도핑층, 상기 제2 박막 부품의 제3층 ITO 박막, 제2층 ITO 박막, 제1층 ITO 박막 및 상기 제2 그리드선이 내측에서 외측으로 순서대로 상기 결정질 실리콘층의 제2 표면 상에 설치될 수 있다.
상기 제1 박막 부품의 제1층 ITO 박막의 주석 함량은 10중량%일 수 있고, 제2층 ITO 박막의 주석 함량은 5중량%일 수 있고, 제3층 ITO 박막의 주석 함량은 3중량%일 수 있고, 제4층 ITO 박막의 주석 함량은 10중량%일 수 있으며;
상기 제2 박막 부품의 제1층 ITO 박막의 주석 함량은 10중량%일 수 있고, 제2층 ITO 박막의 주석 함량은 5중량%일 수 있고, 제3층 ITO 박막의 주석 함량은 3중량%일 수 있다.
상기 결정질 실리콘층(1)은 n형 결정질 실리콘층 또는 p형 결정질 실리콘층일 수 있으며; 또한,
상기 제1 도핑층은 n형 도핑층일 수 있고, 상기 제2 도핑층은 p형 도핑층일 수 있다.
상기 제2 도핑층과 접촉되는 상기 제2 박막 부품의 상기 제3층 ITO 박막의 일함수는 상기 제1 도핑층과 접촉되는 상기 제1 박막 부품의 상기 제4층 ITO 박막의 일함수보다 높을 수 있다.
본 발명의 출원인은 ITO 박막의 광전 성능, 예를 들면, 굴절율, 일함수와 p형 도핑층 및 n형 도핑층의 매칭이 HJT 전지의 성능에 직접 영향을 미친다는 것을 발견하였다. 본 발명은 다층 ITO 박막을 포함하는 박막 부품을 제공하며, 각 층 ITO 박막의 주석의 도핑량을 점진적으로 변화시켜, 다층 계단형의 ITO 반사 방지 박막을 형성하여, 박막 부품의 광전 성능을 개선하였다. 단층 ITO 박막과 비교하여, 본 발명의 다층 계단형의 ITO 박막의 장점은 구체적으로 다층 계단형의 ITO 구조를 통해 광의 손실을 진일보하게 감소시키고, 동시에 최적화된 ITO 박막을 통해, p형 및 n형 도핑층의 일함수와 매칭하여, n형 도핑층과 접촉되는 ITO 는 상대적으로 낮은 일함수가 구비되게 하고, p형 도핑층과 접촉되는ITO는 상대적으로 높은 일함수가 구비되게 하여, HJT 전지의 다양한 성능 지표를 향상시키는 것이다.
첨부 도면은 본 발명의 기술방안에 대해 진일보한 이해를 제공하기 위해 사용되고, 또한 명세서의 일부분을 구성하며, 본 발명의 예시성 실시예와 함께 본 발명의 기술방안을 해석하는데 사용되고, 또한 본 발명의 기술방안에 대한 한정을 구성하지 않는다.
도 1은 일반적인 HJT 전지의 구조 개략도를 나타낸다.
도 2는 본 발명의 예시성 실시예의 HJT 전지의 구조 개략도를 나타낸다.
본 발명의 목적, 기술방안 및 장점을 더욱 명확하게 하기 위해, 다음은 첨부 도면을 결합하여 본 발명의 예시성 실시예에 대해 상세한 설명을 진행한다. 충돌하지 않는 정황 하에서, 본 발명의 예시성 실시예와 예시성 실시예 중의 특징은 상호간 임의로 조합될 수 있다.
제1 예시성 실시예
본 발명의 일 측면에 따라, 본 예시성 실시예는 박막 부품을 제공한다. 상기 박막 부품은 서로 중첩되는 적어도 2층의 투명 도전 산화물 박막을 포함한다. 상기 적어도 2층의 투명 도전 산화물 박막은 모두 IPO 박막이다. 구체적으로, 도 2에 도시된 바와 같이, 박막 부품(5)은 중첩되는 4층의 ITO 박막을 포함하며, 순서대로 제1층 ITO 박막(5-1), 제2층 ITO 박막(5-2), 제3층 ITO 박막(5-3), 제4층 ITO 박막(5-4)이다; 그 중, 상기 제1층 ITO 박막(5-1)의 주석 함량은 10중량%이고, 두께는 34nm이다. 물론, 상기 제1층 ITO 박막(5-1)의 주석 함량은 10-15중량% 범위 내의 임의의 값일 수도 있다; 상기 제2층 ITO 박막(5-2)의 주석 함량은 5중량%이고, 두께는 34nm이다. 물론, 상기 제2층 ITO 박막(5-2)의 주석 함량은 5중량%보다 크거나 같으며 또한 10중량%보다 작은 범위 내의 임의의 값일 수도 있다; 상기 제3층 ITO 박막(5-3)의 주석 함량은 3중량%이고, 두께는 34nm이다. 물론, 상기 제3층 ITO 박막(5-3)의 주석 함량은 1중량%보다 크거나 같으며 또한 5중량%보다 작은 범위 내의 임의의 값일 수도 있다; 상기 제4층 ITO 박막(5-4)의 주석 함량은 10중량%이고, 두께는 10nm이다. 물론, 상기 제4층 ITO 박막(5-4)의 주석 함량은 10-15중량% 범위 내의 임의의 값일 수도 있다. 또한, 상기 각 층 ITO 박막의 두께의 값은 상기에 열거된 값에 한정되지 않으며, 15-50nm 범위내의 임의의 값일 수도 있다는 것을 본 분야의 기술자는 이해해야 한다.
다음에 설명된 방법에 따라 상기 박막 부품(5)을 제조한다:
(1) 기판(2개의 진성층(2, 2') 및 2개의 도핑층(3, 4)이 이미 증착된 결정질 실리콘 웨이퍼(1))을 선택한다;
(2) 진공 챔버의 진공도를 5x10- 4Pa 로 조절하고, 진공 챔버에 산소와 아르곤을 2:98의 체적 유량비로 공급하며, 스퍼터링 출력은 4Kw로 하고, 마그네트론 스퍼터링을 사용하여, 상기 기판의 제1 표면 상에 상기 제4층 ITO 박막(5-4)을 증착한다;
(3) 진공 챔버의 진공도를 5x10- 4Pa 로 유지하고, 진공 챔버에 산소와 아르곤을 5:95의 체적 유량비로 공급하며, 스퍼터링 출력은 4Kw로 하고, 계속 진공 챔버에서 상기 제3층 ITO 박막(5-3)을 증착한다;
(4) 진공 챔버의 진공도를 5x10- 4Pa 로 유지하고, 진공 챔버에 산소와 아르곤을 6:94의 체적 유량비로 공급하며, 스퍼터링 출력은 4Kw로 하고, 계속 진공 챔버에서 상기 제2층 ITO 박막(5-2)을 증착한다;
(5) 진공 챔버의 진공도를 5x10- 4Pa 로 유지하고, 진공 챔버에 산소와 아르곤을 2:98의 체적 유량비로 공급하며, 스퍼터링 츌력은 4Kw로 하고, 계속 진공 챔버에서 상기 제1층 ITO 박막(5-1)을 증착한다;
전체 증착 과정에서 전공 챔버를 열어서는 안되며, 증착을 연속 진행해야 한다는 점을 유의해야 한다. 즉, 진공 조건 하에서 다층 ITO 박막을 연속 제조한다. 또한, 각 한층 ITO 박막의 굴절율(n)은 1.8-2.0의 범위 내로 설정하고, 밴드 갭은 3.0-4.6 eV의 범위 내로 설정하고, 캐리어 농도는 (1-10)x1020cm-3의 범위 내로 설정하며, 캐리어 이동도는 10-50cm2/vs의 범위 내로 설정한다.
상기 제조 과정에서, 상기 산소와 아르곤의 체적 유량비, 스퍼터링 츌력, 진공도는 상기에 열거된 값에 한정되지 않으며, 필요에 따라 적당한 값을 선택할 수 있음을 본 분야의 기술자는 이해해야 한다. 예를 들면, 산소와 아르곤의 체적 유량비는 0-2:98 범위 내의 임의의 값일 수 있으며, 스퍼터링 출력은 2-8kW 범위 내의 임의의 값일 수 있으며, 제조 과정에서 사용하는 챔버의 백그라운드 진공도는 ≥5×10-4Pa 의 범위 내로 제어될 수 있다.
본 발명의 예시성 실시예가 제공하는 다층 ITO 박막을 포함하는 박막 부품에서는, 각 층 ITO 박막의 주석의 도핑량을 점진적으로 변화시켜, 다층 계단형의 ITO 반사 방지 박막을 형성하여, 박막 부품의 광전 성능을 개선한다. 단층 ITO 박막과 비교하여, 본 발명의 다층 계단형의 ITO 박막은 다층 계단형의 ITO 구조를 통해 광의 손실을 진일보하게 감소시키는 장점이 있다.
제2 예시성 실시예
본 발명의 다른 일 측면에 따라, 도 2에 도시된 바와 같이, 본 예시성 실시예가 제공하는 박막 부품(5')는 서로 중첩되는 3층의 ITO 박막을 포함하며, 순서대로 제1층 ITO 박막(5-1'), 제2층 ITO 박막(5-2'), 제3층 ITO 박막(5-3')이다. 그 중, 상기 제1층 ITO 박막(5-1')의 주석 함량은 10중량%이고, 두께는 37nm이며; 상기 제2층 ITO 박막(5-2')의 주석 함량은 5중량%이고, 두께는 37nm이며; 상기 제3층 ITO 박막(5-3’)의 주석 함량은 3중량%이고, 두께는 37nm이다.
제 1 예시성 실시예의 상기 박막 부품(5)의 제조 단계(3)-(5)에 따라 제1 예시성 실시예의 기판의 제2 표면 상에 상기 박막 부품(5')의 제3층 ITO 박막(5-3'), 제2층 ITO 박막(5-2') 및 제1층 ITO 박막(5-1')을 계속 증착한다.
상기 열거된 구별 이외에, 본 예시성 실시예의 박막 부품(5')은 제1 예시성 실시예의 박막 부품(5)과 구조, 파라미터 및 제조 방법 방면에서 동일하다.
제3 예시성 실시예
도 1에 도시된 바와 같이, HJT 전지의 기본 구조는 통상 결정질 실리콘층(1), 진성층(2), p형 도핑층(3), n형 도핑층(4), 투명 도전 산화물 박막층(5), 전면 그리드선(6) 및 후면 그리드선(7)을 포함한다. HJT 전지의 투명 도전 산화물 박막층(5)은 일반적으로 단층막이다. 그러나 이러한 단층막은 넓은 파장 범위 및 큰 입사 각의 광에 대한 HJT 전지의 반사 방지 요건을 충분히 만족할 수 없다.
이에, 출원인은 신형의 HJT 전지를 제공한다. 그 구조는 도 2에 도시된 바와 같다. 즉, 상기 HJT 전지는 n형 결정질 실리콘층(1), 진성층(2 및 2'), p형 도핑층(3), n형 도핑층(4), 제1 예시성 실시예의 박막 부품(5), 제2 예시성 실시예의 박막 부품(5'), 전면 그리드선(6) 및 후면 그리드선(7)을 포함하며, 상기 n형 결정질 실리콘층(1)은 서로 대향되는 제1 표면과 제2 표면을 구비한다. 본 분야의 기술자는 결정질 실리콘층(1)은 p형 결정질 실리콘층일 수도 있음을 이해해야 한다.
본 발명의 예시성 실시예에서, n형 도핑층(4)이 위치하는 일면을 HJT 전지의 전면으로 정의하고, p형 도핑층(3)이 위치하는 일면을 HJT 전지의 후면으로 정의한다.
진성층(2), n형 도핑층(4), 제1 예시성 실시예의 박막 부품(5)의 제4층 ITO 박막(5-4), 제3층 ITO 박막(5-3), 제2층 ITO 박막(5-2) 및 제1층 ITO 박막(5-1) 및 전면 그리드선(6)은 내측에서 외측의 순서에 따라 n형 결정질 실리콘층(1)의 제1 표면 상에 설치된다.
진성층(2'), p형 도핑층(3), 제2 예시성 실시예의 박막 부품(5')의 제3층 ITO 박막(5-3'), 제2층 ITO 박막(5-2') 및 제1층 ITO 박막(5-1') 및 후면 그리드선(7)은 내측에서 외측의 순서에 따라 결정질 실리콘층(1)의 제2 표면 상에 설치된다.
이러한 방식으로 하면, 이러한 구조의 HJT 전지의 양측은 모두 전기를 발생시킬 수 있다. 즉, 본 예시성 실시예의HJT 전지는 양면 발전 전지이다.
본 발명의 예시성 실시예에서, p형 도핑층(3)과 접촉되는 제3층 ITO 박막(5-3')의 일함수는 n형 도핑층(4)과 접촉되는 제4층 ITO 박막(5-4)의 일함수보다 크다. 이러한 방식으로, 제조된 HJT 전지는 단락 전류 밀도가 증가하고, 개로 전압이 증가하므로, 전지의 변환 효율이 효과적으로 개선된다.
또한 박막 부품(5, 5')의 구체적인 구조는 각각 상기 제1 및 제2 예시성 실시예를 참조할 수 있다.
본 발명의 예시성 실시예가 제공하는 HJT 전지는, 각 층의 ITO 박막 중의 주석 도핑량을 점진적으로 변화시켜, 다층 계단형의 ITO 반사 방지 박막을 형성하여, 박막 부품의 광전 성능을 개선한다. 단층 ITO 박막과 비교하여, 본 발명의 다층 계단형의 ITO 박막의 장점은 다층 계단형의 ITO 구조를 통해 광의 손실을 진일보하게 감소시키고, 동시에 최적화된 ITO 박막을 통해, p형 및 n형 도핑층의 일함수와 매칭하여, n형 도핑층과 접촉되는 ITO 는 상대적으로 낮은 일함수가 구비되게 하고, p형 도핑층과 접촉되는ITO는 상대적으로 높은 일함수가 구비되게 하여, HJT 전지의 다양한 성능 지표를 향상시키는 것이다.
제4 예시성 실시예
본 발명의 다른 측면에 따라, 본 예시성 실시예는 HJT 전지를 제공하며, 본 예시성 실시예의 HJT 전지와 제3 예시성 실시예의 HJT 전지의 다른 점은 다음과 같다: 박막 부품(5)은 제3층 ITO 박막(5-3)을 포함하지 않으며, 박막 부품(5')은 제3층 ITO 박막(5-3')을 포함하지 않는다.
본 예시성 실시예의 HJT 전지는 제3예시성 실시예의 HJT 전지와 유사한 효과를 얻을 수 있다.
이상의 실시 방식은 본 발명이 공개하는 원리 및 사용되는 예시성 실시 방식을 설명하기 위함일 뿐이며, 본 발명의 공개는 이에 한정되지는 않는다. 본 분야의 기술자는 본 발명이 공개하는 정신 및 실질의 상황 하에서, 각종 변형 및 개량을 할 수 있으며, 이러한 변형 및 개량은 본 발명이 공개하는 보호 범위로 간주한다.

Claims (13)

  1. 박막 부품에 있어서,
    상기 박막 부품은 서로 중첩되는 적어도 2층의 투명 도전 산화물 박막을 포함하며, 상기 적어도 2층의 투명 도전 산화물 박막은 모두 ITO 박막이며, 그 중, 제1층 ITO 박막의 주석 함량은 10-15중량% 이며, 제2층 ITO 박막의 주석 함량은 ≥5중량% 및 ＜10중량%인 것을 특징으로 하는 박막 부품.
  2. 청구항 1에 있어서,
    상기 박막 부품은 제3층 ITO 박막을 더 포함하며, 상기 제1층 ITO 박막, 상기 제2층 ITO 박막 및 상기 제3층 ITO 박막은 순서대로 설치되며, 상기 제3층 ITO 박막의 주석 함량은 ≥1중량% 및 ＜5중량%, 또는 10-15중량% 인 것을 특징으로 하는 박막 부품.
  3. 청구항 2에 있어서,
    상기 제1층 ITO 박막의 주석 함량은 10중량%이고, 상기 제2층 ITO 박막의 주석 함량은 5중량%이고, 상기 제3층 ITO 박막의 주석 함량은 3중량%인 것을 특징으로 하는 박막 부품.
  4. 청구항 2에 있어서,
    상기 박막 부품은 제4층 ITO 박막을 더 포함하며, 상기 제1층 ITO 박막, 상기 제2층 ITO 박막, 상기 제3층 ITO 박막 및 상기 제4층 ITO 박막은 순서대로 설치되며, 상기 제4층 ITO 박막의 주석 함량은 10-15중량%인 것을 특징으로 하는 박막 부품.
  5. 청구항 4에 있어서,
    상기 제1층 ITO 박막의 주석 함량은 10중량%이고, 상기 제2층 ITO 박막의 주석 함량은 5중량%이고, 상기 제3층 ITO 박막의 주석 함량은 3중량%이고, 상기 제4층 ITO 박막의 주석 함량은 10중량%인 것을 특징으로 하는 박막 부품.
  6. 청구항 1 내지 청구항 5 중 어느 한 항에 있어서,
    각 한층 ITO 박막의 두께는 10-50nm 범위 내인 것을 특징으로 하는 박막 부품.
  7. 청구항 1 내지 청구항 5 중 어느 한 항에 있어서,
    각 한층 ITO 박막의 굴절율(n)은 1.8-2.0의 범위 내이며, 밴드 갭은 3.0-4.6 eV의 범위 내이며, 캐리어 농도는 (1-10)x1020cm-3의 범위 내이며, 캐리어 이동도는 10-50cm2/vs의 범위 내인 것을 특징으로 하는 박막 부품.
  8. 헤테로 접합 전지에 있어서,
    상기 헤테로 접합 전지는 청구항 1 내지 청구항 5 중 어느 한 항의 박막 부품을 포함하는 것을 특징으로 하는 헤테로 접합 전지.
  9. 청구항 8에 있어서,
    상기 헤테로 접합 전지의 일면은 적어도 3층의 ITO 박막이 서로 중첩됨으로써 구성되는 제1 박막 부품을 포함하며, 다른 일면은 적어도 2층의 ITO 박막이 서로 중첩됨으로써 구성되는 제2 박막 부품을 포함하는 것을 특징으로 하는 헤테로 접합 전지.
  10. 청구항 9에 있어서,
    상기 헤테로 접합 전지는 결정질 실리콘층, 제1 진성층, 제2 진성층, 제1도핑층, 제2도핑층, 제1 그리드선 및 제2 그리드선을 더 포함하며, 상기 결정질 실리콘층은 서로 대향되는 제1 표면과 제2표면을 구비하며;
    상기 제1 박막 부품은 4층의 ITO 박막이 설치되고, 상기 제2 박막 부품은 3층의 ITO 박막이 설치되며;
    상기 제1 진성층, 상기 제1 도핑층, 상기 제1 박막 부품의 제4층 ITO 박막, 제3층 ITO 박막, 제2층 ITO 박막, 제1층 ITO 박막 및 상기 제1 그리드선이 내측에서 외측으로 순서대로 상기 결정질 실리콘층의 제1 표면 상에 설치되며;
    상기 제2 진성층, 상기 제2 도핑층, 상기 제2 박막 부품의 제3층 ITO 박막, 제2층 ITO 박막, 제1층 ITO 박막 및 상기 제2그리드선이 내측에서 외측으로 순서대로 상기 결정질 실리콘층의 제2 표면 상에 설치되는 것을 특징으로 하는 헤테로 접합 전지.
  11. 청구항 10에 있어서,
    상기 제1 박막 부품의 제1층 ITO 박막의 주석 함량은 10중량%이고, 제2층 ITO 박막의 주석 함량은 5중량%이고, 제3층 ITO 박막의 주석 함량은 3중량%이고, 제4층 ITO 박막의 주석 함량은 10중량%이며;
    상기 제2 박막 부품의 제1층 ITO 박막의 주석 함량은 10중량%이고, 제2층 ITO 박막의 주석 함량은 5중량%이고, 제3층 ITO 박막의 주석 함량은 3중량%인 것을 특징으로 하는 헤테로 접합 전지.
  12. 청구항 10에 있어서,
    상기 결정질 실리콘층은 n형 결정질 실리콘층 또는 p형 결정질 실리콘층이며; 또한,
    상기 제1 도핑층은 n형 도핑층이고, 상기 제2 도핑층은 p형 도핑층인 것을 특징으로 하는 헤테로 접합 전지.
  13. 청구항 12에 있어서,
    상기 제2 도핑층과 접촉되는 상기 제2 박막 부품의 상기 제3층 ITO 박막의 일함수는 상기 제1 도핑층과 접촉되는 상기 제1 박막 부품의 상기 제4층 ITO 박막의 일함수보다 높은 것을 특징으로 하는 헤테로 접합 전지.
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