KR20180127962A - 실리콘 조성물을 가교결합시키기 위한 ii형 광개시제 시스템의 용도 - Google Patents

Abstract

본 발명은 200 내지 450 ㎚의 파장에서의 방사선에 실리콘 조성물(C)을 노출시킴으로써 가교결합될 수 있는 실리콘 조성물(C)에 관한 것이고, 상기 조성물은
- 적어도 1종의 라디칼 광개시제(A); 및
- 규소 원자에 결합된 적어도 1개의 수소 원자를 포함하는 화합물들로부터 선택된 적어도 1종의 공개시제(B)를 포함한다.

Description

실리콘 조성물을 가교결합시키기 위한 II형 광개시제 시스템의 용도

본 발명의 목적은 실리콘 조성물, 특히 아크릴 실리콘 조성물의 라디칼 가교결합을 위한 II형 광개시제 시스템의 용도에 관한 것이다.

비점착 코팅(이형 코팅)을 생성하기 위한 실리콘 코팅의 도포를 위한 지지 재료로서의 플라스틱 필름의 용도는 적절한 기법을 요한다. 사실, 대부분의 이들 플라스틱 필름은 감열성이다. 따라서, 필름에 가해지는 인장력 및 온도의 조합 효과 하에 열 퍼니스에서 실리콘 층의 코팅 및 건조 동안 필름의 차수 변형이 발생한다. 자외선(UV) 방사선 하의 기능적 실리콘 오일에 대한 가교결합 기술은 고온의 사용을 생략하는 것 및 이에 따라 지지체에 영향을 미치지 않으면서 비점착 층을 가교결합하는 것이 가능하게 한다. 또한, 이 기술은 에너지 집약적이 아니면서 용매 사용 없이 높은 생산성을 달성하는 것의 이점을 갖는다. 플라스틱 기재는 많은 분야에 선택되는 재료이고, 이의 사용은 끊임없이 성장하고 있다. 또한, UV 하의 실리콘의 박막의 가교결합의 분야에서 연구 및 혁신이 필수적이다.

실리콘 조성물은 일반적으로 방출 스펙트럼이 200 ㎚로부터 450 ㎚로 연장되는 도핑된 또는 비도핑된 수은 증기 램프에 의해 방출된 UV 또는 가시광선 하에 가교결합된다. 특정 UV 또는 가시광을 전달하는, 두문자어 "LED"에 의해 더 잘 공지된, 발광 다이오드와 같은 광원을 또한 사용할 수 있다.

일반적인 관점으로부터, 조사 하의 가교결합은 광개시제 분자에 의해 촉진된다. 상당한 문헌은 광개시제 및 이의 용도를 기재한다. 아크릴 실리콘 조성물의 라디칼 중합의 분야에서, 흔히 사용되는 광개시제 분자는 소위 I형 광개시제이다. 조사 하에, 이 분자는 쪼개지고 자유 라디칼을 생성한다. 이 라디칼은 중합 개시 반응을 유도하고, 이는 조성물의 경화를 발생시킨다. I형 광개시제가 비점착 코팅을 얻도록 아크릴 실리콘 제제에서의 이의 사용을 허용하는 특징을 갖도록 많은 계획이 실행된다. 본 출원에 걸쳐, 용어 "I형 광개시제"는 당해 분야의 숙련자에게 널리 공지되고, 분자내 등방성 단편화를 통해 UV 여기 하에 중합의 자유 라디칼 개시제를 생성시킬 수 있는 화합물을 의미하는 것으로 이해된다.

라디칼 광개시제 및 공개시제(co-initiator)를 포함하는 II형 광개시제 시스템이 또한 존재한다. II형의 광개시제 시스템에서, 사용된 광개시제는 공개시제라 불리는 또 다른 화합물과의 반응에 의해 중합을 개시시키는 자유 라디칼을 생성할 수 있고, 여기서 반응은 공개시제로부터 광개시제로 수소의 전달을 발생시킨다. II형 광개시제 시스템에서 사용된 광개시제는 "II형 광개시제"라 불린다.

현재까지, 아크릴 실리콘 조성물의 중합에 효과적인 라디칼 광개시제 및 공개시제를 포함하는 II형 광개시제 시스템이 없다. 본 발명의 목적은 특히 방사선에 대한 노출에 의해 실리콘 조성물을 가교결합시키기 위해 적합한 II형 광개시제 시스템을 포함하는 라디칼 중합 가능한 또는 가교결합 가능한 실리콘 조성물을 제공하는 것이다.

본 발명은 또한 실리콘 조성물에서 혼화성이고, 분야에 고려되는 파장, 즉 200 ㎚ 내지 450 ㎚에서 광 방사선의 양호한 흡수 특성을 제공하는, 특히 방사선에 대한 노출에 의한 실리콘 조성물의 가교결합에 적응된, II형 광개시제 시스템을 포함하는 라디칼 중합 가능한 또는 가교결합 가능한 실리콘 조성물을 제공하는 것을 목표로 한다.

본 발명은 또한 본 발명에 따른 라디칼 중합 가능한 실리콘 조성물로부터 기재에 필름 또는 코팅을 제조하는 방법을 제공하는 것을 목표로 한다.

본 발명은 또한 본 발명에 따른 라디칼 중합 가능한 실리콘 조성물로부터 수득된 필름 또는 코팅과 접촉된 기재를 제공하는 것을 목표로 한다.

본 발명의 또 다른 목적은, (메트)아크릴레이트 기, 특히 에스테르 (메트)아크릴 또는 에폭시 아크릴레이트 또는 폴리에테르 아크릴레이트 기를 포함하는 오가노폴리실록산에 기초한, 방사선 하에, 특히 UV 방사선 하에 가교결합하는 비점착 코팅을 얻을 수 있게 하는 실리콘 조성물을 제공하는 것이다.

따라서, 본 발명은

- 적어도 1종의 라디칼 광개시제(A);

- 규소 원자에 결합된 적어도 1개의 수소 원자를 포함하는 화합물로부터 선택된 적어도 1종의 공개시제(B); 및

- 적어도 1개의 (메트)아크릴레이트 기를 포함하는 적어도 1종의 오가노폴리실록산(D)을 포함하되;

공개시제(B)는 공개시제(B)의 100 g당 적어도 0.05 몰의 Si-H 작용기를 포함하는, 200 ㎚ 내지 450 ㎚의 파장을 갖는 방사선에 대한 노출에 의해 가교결합 가능한 실리콘 조성물(C)에 관한 것이다.

규소 원자에 결합된 수소 원자는 Si-H 작용기 또는 Si-H 결합을 의미한다. 본 발명에 따라, 공개시제(B)를 정의하기 위해, 용어 "규소 원자에 결합된 적어도 1개의 수소 원자를 포함하는 화합물" 또는 "적어도 하나의 Si-H 결합을 포함하는 화합물" 또는 "적어도 1개의 하이드로게노실릴 작용기를 포함하는 화합물" 또는 "적어도 하나의 Si-H 작용기를 포함하는 화합물"은 구별 없이 사용될 수 있다.

본 발명은 따라서 라디칼 광개시제(A) 및 규소 원자에 결합된 적어도 1개의 수소 원자를 포함하는 화합물로부터 선택된 공개시제(B)의 조합을 포함하는 특정한 II형 광개시제 시스템의 용도에 기초한다.

본 출원에 걸쳐, 용어 "가교결합"은 메트(아크릴레이트) 작용기의 중합 반응에 의한 조성물의 경화를 의미하도록 이해된다.

용어 "방사선에 대한 노출에 의해 가교결합 가능한 실리콘 조성물"은 방사선, 특히 200 ㎚ 내지 450 ㎚의 파장을 갖는 UV 방사선에 대한 노출에 의해 경화될 수 있는 적어도 1종의 오가노폴리실록산을 포함하는 조성물을 의미한다.

방사선을 통해 광가교결합을 얻기 위해, 상기 조성물은 입사광 에너지의 흡수의 효과 하에 자유 라디칼을 매질로 방출시키는 II형 광개시제 시스템을 포함한다. 이 라디칼은 (메트)아크릴 작용기의 라디칼 중합의 개시제로서 작용한다. 이것이 조성물의 경화를 개시시키므로, 광개시제 시스템은 본 특허 출원의 필수 요소이다.

규소 원자에 결합된 적어도 1개의 수소 원자를 포함하는 공개시제 분자(B)와 함께 광개시제 분자 A를 포함하고, (메트)아크릴 작용기를 갖는 적어도 오가노폴리실록산(D)을 포함하는 실리콘 조성물(C)로 도입된, 본 발명에 따른 II형 광개시제 시스템은 조사를 통해 특히 비점착 특성을 갖는 가교결합된 필름이 얻어지게 할 수 있다.

공개시제

본 발명에 따라, 사용된 공개시제(B)는 규소 원자에 결합된 적어도 1개의 수소 원자를 포함하는 화합물이다.

본 발명에 따라, 공개시제(B)는 바람직하게는 규소 원자에 결합된 적어도 1개의 수소 원자를 포함하는 유기 규소 화합물이다.

일 구현예에 따라, 본 발명에 따른 실리콘 조성물(C)은 공개시제의 혼합물을 포함한다.

규소 원자에 결합된 적어도 1개의 수소 원자를 포함하는 유기 규소 화합물 중에서, 실란(S) 및 오가노하이드로겐폴리실록산(H)을 언급할 수 있다.

실란(S) 중에서, 화학식 R₃SiH의 화합물을 언급할 수 있고, 여기서 동일하거나 상이한, 기 R은 H, (C₁-C₂₀) 알킬 라디칼 및 (C₆-C₁₀) 아릴 라디칼로 이루어진 군으로부터 선택된다. 본 발명에 따라, 기 R은 또한 라디칼 -SiR'₃을 나타낼 수 있고, 여기서 동일하거나 상이한 기 R'는 (C₁-C₁₀) 알킬 라디칼 및 (C₆-C₁₀) 아릴 라디칼로부터 선택된다.

특히, R은 페닐 기 또는 알킬 기, 특히 메틸, 에틸 또는 옥타데실을 나타낼 수 있다. R은 또한 -SiMe₃ 기를 나타낼 수 있다.

본 발명에 따른 공개시제(B)로서 사용될 수 있는 실란(S)의 예로서, 2-트리에틸실란, 디메틸페닐실란, 디페닐실란, 트리페닐실란 및 트리스(트리메틸실릴)실란을 언급할 수 있다.

실란(S)으로서 N,N-디에틸-1,1-디메틸실릴아민, 1,1,3,3-테트라메틸디실라잔, N,N',N''-트리-tert-부틸-실란트리아민, 펜타메틸디실란 또는 클로로디페닐실란을 또한 언급할 수 있다.

일 구현예에 따라, 본 발명에 따른 공개시제(B)는 트리스(트리메틸-실릴)실란(TTMSS), 트리페닐실란(TPSi) 및 옥타데실실란(OctaSi)으로 이루어진 군으로부터 선택된다.

일 구현예에 따라, 본 발명에 따른 공개시제(B)는 적어도 1개의 실록산 결합 및 규소 원자에 결합된 적어도 1개의 수소 원자를 포함한다. 실록산 결합이란 ≡Si-O-Si≡ 결합을 의미한다. 일 구현예에 따라, 본 발명에 따른 공개시제(B)는 오가노하이드로겐폴리실록산(H)으로부터 선택된다.

바람직한 구현예에 따라, 오가노하이드로겐폴리실록산(H)은 상이한 규소 원자에 각각 결합된 적어도 2개, 바람직하게는 3개의 수소 원자를 포함한다.

바람직한 구현예에 따라, 오가노하이드로겐폴리실록산(H)은 하기를 포함한다:

(ⅰ) 화학식 (H1)의 적어도 2개의 단위,

[화학식 H1]

H_dL_eSiO_{(4-(d+e))/ 2}

(식 중,

о L은 수소 원자와 다른 1가 라디칼을 나타내고,

о H는 수소 원자를 나타내고,

о d 및 e는 정수를 나타내고, 여기서 d는 1 또는 2이고, e은 0, 1 또는 2이고, (d+e)는 1, 2 또는 3임); 및

(ⅱ) 임의로 화학식 (H2)의 다른 단위:

[화학식 H2]

L_fSiO_{(4-f)/ 2}

(식 중,

о L은 상기와 같은 의미를 갖고,

о f는 0, 1, 2 또는 3인 정수를 나타냄).

상기 화학식 (H1) 및 (H2)에서, 몇몇 L 기가 존재하는 경우 이것은 동일하거나 상이할 수 있는 것으로 이해되어야 한다. 화학식 (H1)에서, 기호 d는 우선적으로 1일 수 있다. 더구나, 화학식 (H1) 및 화학식 (H2)에서, L은 바람직하게는, 적어도 1개의 할로겐 원자에 의해 임의로 치환된, 1개 내지 8개의 탄소 원자를 갖는 알킬 기 및 아릴 기로 이루어진 군으로부터 선택된 1가 라디칼을 나타낼 수 있다. L은 유리하게는 메틸, 에틸, 프로필, 3,3,3-트리플루오로프로필, 자일릴, 톨릴 및 페닐로 이루어진 군으로부터 선택된 1가 라디칼을 나타낼 수 있다. 화학식 (H1)의 단위의 예는 하기와 같다: H(CH₃)₂SiO_{1 /2}, H(CH₃)SiO_{2 /2} 및 H(C₆H₅)SiO_{2 /2}.

오가노하이드로겐폴리실록산(H)은 선형, 분지형, 환형 또는 망상 구조를 가질 수 있다. 선형 오가노하이드로겐폴리실록산의 경우에, 이것은 본질적으로

- 화학식 HLSiO_{2 /2}(D' 단위라고도 칭함) 및 L₂SiO_{2 /2}의 단위로부터 선택된 실록실 "D" 단위; 및

- 화학식 HL₂SiO_{1 /2}(M' 단위라고도 칭함) 및 L₃SiO_{2 /2}의 단위로부터 선택된 실록실 "M" 단위

(식 중, 기호 L은 상기와 동일한 의미를 갖고, 기호 H는 수소 원자를 나타냄)로 이루어질 수 있다.

이 선형 오가노하이드로겐폴리실록산(H)은 1 mPa.s 내지 100,000 mPa.s, 바람직하게는 1 mPa.s 내지 5,000 mPa.s, 훨씬 더 바람직하게는 1 mPa.s 내지 2,000 mPa.s의 25℃에서의 동적 점도를 갖는 오일일 수 있다.

본 명세서에 언급되는 점도는 모두 "뉴턴"이라 불리는 25℃에서의 동적 점도 분량, 즉 측정된 점도가 속도 기울기에 무관하도록 충분히 낮은 전단력 기울기에서 브룩필드 점도계에 의해 특히 공지된 방식으로 측정된 동적 점도에 상응한다.

이것이 환형 오가노하이드로겐폴리실록산에 관한 것일 때, 이것은 화학식 HLSiO_2/2 및 L₂SiO_{2 /2}의 단위 중에서 선택된 "D" 실록실 단위, 또는 단독으로 화학식 HLSiO_2/2의 실록실 단위로 이루어질 수 있다. 화학식 L₂SiO_{2 /2}의 단위는 특히, 디알킬실록시 또는 알킬아릴실록시일 수 있다. 이 환형 오가노하이드로겐폴리실록산은 1 mPa.s 내지 5,000 mPa.s의 25℃에서의 동적 점도를 가질 수 있다.

오가노하이드로겐폴리실록산(H)의 예는

- 하이드로게노디메틸실릴 말단을 갖는 폴리디메틸실록산;

- 트리-메틸실릴 말단을 갖는 폴리(디메틸실록산-코-하이드로게노메틸실록산);

- 하이드로게노디메틸실릴 말단을 갖는 폴리(디메틸실록산-코-하이드로게노메틸실록산);

- 트리메틸실릴 말단을 갖는 폴리하이드로게노메틸실록산; 및

- 환형 하이드로게노메틸폴리실록산이다.

분지형 또는 망상화 오가노하이드로겐폴리실록산(H)의 경우에, 이것은 게다가

- 화학식 HSiO_{3 /2} 및 LSiO_{3 /2}의 단위로부터 선택된 실록실 "T" 단위;

- 화학식 SiO_{4 /2}의 실록실 단위 "Q"

(여기서, 기호 H는 수소 원자를 나타내고, L은 상기와 같은 의미를 가짐)를 포함할 수 있다.

일 구현예에 따라, 공개시제(B)는 공개시제(B)의 100 g당 적어도 0.08 mol의 Si-H 작용기, 더 바람직하게는 공개시제(B)의 100 g당 0.08 mol 내지 2.5 mol의 Si-H 작용기, 훨씬 더 우선적으로 공개시제(B)의 100 g당 0.08 mol 내지 1.8 mol의 Si-H 작용기를 포함한다.

일 구현예에 따라, 공개시제(B)는 중합체의 100 g당 적어도 0.05 mol의 Si-H 작용기, 바람직하게는 중합체의 100 g당 적어도 0.08 mol의 Si-H 작용기, 더 바람직하게는 중합체의 100 g당 0.08 mol 내지 2.5 mol의 Si-H 작용기, 훨씬 더 바람직하게는 중합체의 100 g당 0.08 mol 내지 1.8 mol의 Si-H 작용기를 포함하는 오가노하이드로겐폴리실록산 중합체(H)이다.

일 구현예에 따라, 본 발명에 따른 가교결합 가능한 실리콘 조성물(C)에서, Si-H 작용기의 농도는 조성물(C)의 100 g당 0.01 mol 이하, 바람직하게는 조성물(C)의 100 g당 0.006 mol 미만, 더 바람직하게는 조성물(C)의 100 g당 0.005 mol 미만이다.

일 구현예에 따라, 본 발명에 따른 가교결합 가능한 실리콘 조성물(C)은 조성물(C)의 100 g당 0.0001 몰 내지 0.01 몰의 Si-H 작용기, 특히 조성물(C)의 100 g당 0.0002 몰 내지 0.01 몰의 Si-H 작용기, 바람직하게는 조성물(C)의 100 g당 0.0002 몰 내지 0.006 몰의 Si-H 작용기를 포함한다.

라디칼 광개시제 (A)

본 발명에 따라, 사용된 광개시제는 라디칼 광개시제(A)이다.

바람직하게는 (메트)아크릴레이트 기에 의해 작용기화된, 오가노폴리실록산을 중합하기 위해, 당해 분야의 숙련자는 II형 광개시제 시스템에서 사용될 수 있고, 200 ㎚ 내지 450 ㎚의 파장을 갖는 발광성 방사선을 흡수하는 적합한 라디칼 광개시제(A)를 선택할 수 있을 것이다.

일 구현예에 따라, 라디칼 광개시제(A)는 벤조페논 및 이의 유도체, 티오크산톤 및 이의 유도체, 안트라퀴논 및 이의 유도체, 벤조일 포르메이트의 에스테르, 캄퍼퀴논, 벤질, 페난트렌퀴논, 쿠마린 및 케토쿠마린 및 이들의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택된다.

벤조페논 유도체란 치환된 벤조페논 및 벤조페논의 중합체 버전을 의미한다.

용어 "티오크산톤 유도체"는 치환된 티오크산톤을 의미하고, 용어 "안트라퀴논 유도체"는 치환된 안트라퀴논, 특히 안트라퀴논 설폰산 및 아크릴아미도 치환된 안트라퀴논을 의미한다.

본 발명에 따라, 벤조일 포르메이트 에스테르 중에서, 임의로 이작용성인 메틸 벤조일포르메이트를 언급할 수 있다.

라디칼 광개시제(A)의 예로서, 특히 하기 생성물을 언급할 수 있다: 이소프로필티오크산톤; 벤조페논; 캄퍼퀴논; 9-잔테논; 안트라퀴논; 1-4 디하이드록시안트라퀴논; 2-메틸안트라퀴논; 2,2'-비스(3-하이드록시-1,4-나프토퀴논); 2,6-디하이드록시안트라퀴논; 1-하이드록시사이클로헥실-페닐케톤; 1,5-디하이드록시안트라퀴논; 1,3-디페닐-1,3-프로판-디온; 5,7-디하이드록시플라본; 디벤조일퍼옥사이드; 2-벤조일벤조산; 2-하이드록시-2-메틸프로피오페논; 2-페닐아세토페논; 안트론; 4,4'-디메톡시벤조인; 페난트렌퀴논; 2-에틸안트라퀴논; 2-메틸안트라퀴논; 2-에틸안트라퀴논; 1,8-디하이드록시안트라퀴논; 디벤조일 퍼옥사이드; 2,2-디메톡시-2-페닐아세토페논; 벤조인; 2-하이드록시-2-메틸프로피오페논; 벤즈알데하이드; 4-(2-하이드록시에톡시) 페닐-(2-하이드록시-2-메틸프로필) 케톤; 벤조일-아세톤; 에틸(2,4,6-트리메틸벤조일) 페닐 포스피네이트 및 이들의 혼합물.

본 발명에 따른 라디칼 광개시제(A)의 상업용 제품의 예로서, 벤조페논 유도체 중에서 Esacure^® TZT, Speedcure^® MBP, Omnipol^® BP 제품 및 티오크산톤 유도체 중에서 Irgacure^® 907, Omnipol^® TX 및 Genopol^® TX-1 제품을 언급할 수 있다.

일 구현예에 따라, 본 발명에 따른 라디칼 광개시제(A)는 벤조페논, 치환된 벤조페논, 티오크산톤, 치환된 티오크산톤, 및 이들의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택된다.

치환된 또는 비치환된 티오크산톤 중에서, 예를 들어, 하기 화합물을 언급할 수 있다:

치환된 벤조페논 중에서, 이치환된 벤조페논(각각의 방향족 고리에서 1 치환) 및 하기 화학식 (IV)의 화합물을 언급할 수 있다:

[화학식 IV]

[식 중, R은

- H;

- Si(R¹)₃ 기(동일하거나 상이한 R¹ 기는 (C₁-C₆) 알킬 기임); 및

- 기 OR²에 의해 임의로 치환된 (C₁-C₂₀) 알킬 기(여기서, R²는 하기 화학식 (V)에 상응함):

[화학식 V]

- -C(=O)-R³ 기(여기서, 라디칼 R³은 선형 또는 분지형 (C₁-C₂₀) 알킬 기로부터 선택됨);

- -A-CH=CH₂ 기(여기서, 라디칼 A는

о 공유 결합,

о -C(=O)- 기, 또는

о 하기 화학식 (VI)의 기

[화학식 VI]

(식 중, i는 0 또는 1이고, A₁은 바람직하게는 선형인 (C₁-C₂₀) 알킬렌 라디칼을 나타냄)로부터 선택됨)로부터 선택됨].

화학식 (IV)의 화합물 중에서, 하기 화합물 (3) 내지 (13) 및 (15) 내지 (17)을 언급할 수 있다:

본 발명에 따라 유용한 벤조페논의 또 다른 예로서, 화합물 (14)를 언급할 수 있다:

이 화합물은 제품 Ebecryl P36(CAS: 85340-63-2)에 상응한다.

바람직하게는, 라디칼 광개시제(A)는 벤조페논, 2-메틸벤조페논, 3-메틸벤조페논, 2,5-디메틸벤조페논, 3,4-디메틸벤조페논, 2,4-디메틸 벤조페논, 4-이소프로필벤조페논 및 2-트리메틸실릴옥시 벤조페논 및 이들의 혼합물로 이루어진 군 중에서 선택된다.

일 구현예에 따라, 조성물(C) 내의 광개시제(A)의 몰의 수와 공개시제(B)의 Si-H 작용기의 몰의 수 사이의 비율은 0.5 이상, 바람직하게는 0.5 내지 20, 훨씬 더 바람직하게는 1 내지 10이다.

바람직한 구현예에 따라, 조성물(C) 내의 광개시제(A)의 몰의 수와 공개시제(B)의 Si-H 작용기의 몰의 수 사이의 비율은 1 내지 5이다.

일 구현예에 따라, 본 발명에 따른 가교결합 가능한 실리콘 조성물(C)은 조성물(C)의 100 g당 적어도 0.0003 몰의 라디칼 광개시제(A), 바람직하게는 조성물(C)의 100 g당 적어도 0.0005 몰의 라디칼 광개시제(A)를 포함한다. 바람직하게는, 본 발명의 조성물(C) 내의 라디칼 광개시제(A)의 몰 함량은 조성물(C)의 100 g당 0.0003 내지 0.015 몰, 훨씬 더 바람직하게는 조성물(C)의 100 g당 0.0005 내지 0.015 몰이다.

오가노폴리실록산 (D)

본 발명에 따라, 본 발명에 따른 가교결합 가능한 실리콘 조성물(C)은 적어도 1개의 (메트)아크릴레이트 기를 포함하는 적어도 1종의 오가노폴리실록산(D)을 포함한다.

실리콘이 보유하고 특히 본 발명에 적합한 (메트)아크릴레이트 작용기의 대표로서, 더 특히 아크릴레이트 유도체, 메타크릴레이트, (메트)아크릴레이트의 에테르 및 Si-C 결합을 통해 폴리실록산 사슬에 연결된 (메트)아크릴레이트의 에스테르를 언급할 수 있다.

일 구현예에 따라, 오가노폴리실록산(D)은 하기를 포함한다:

a1) 하기 화학식 (I)의 적어도 하나의 단위:

[화학식 I]

R_aZ_bSiO_(4-a-b)/2

(식 중,

- 동일하거나 상이한, 기호 R은 각각, 바람직하게는 할로겐 원자에 의해 임의로 치환된, 선형 또는 분지형 C₁-C₁₈ 알킬 기, C₆-C₁₂ 아릴 또는 아르알킬 기, 또는 알콕시 -OR⁴ 라디칼을 나타내고; 여기서 R⁴는 수소 원자 또는 1개 내지 10개의 탄소 원자를 포함하는 탄화수소 라디칼이고,

- 기호 Z는 화학식 -y-(Y')_n의 1가 라디칼이고, 여기서

о y는 2가 C₁-C₄ 옥시알킬렌에 의해 임의로 연장된 선형 또는 분지형 C₁-C₁₈ 알킬렌 다가 라디칼 또는 하이드록실 라디칼에 의해 임의로 치환된 폴리옥시알킬렌 라디칼을 나타내고,

о Y'는 1가 알케닐카보닐옥시 라디칼을 나타내고,

о n은 1, 2 또는 3이고,

- a는 0, 1 또는 2인 정수인 한편, b는 1 또는 2인 정수이고, 합 a+b = 1, 2 또는 3임); 및

a2) 임의로 하기 화학식 (II)의 단위:

[화학식 II]

R_aSiO_(4-a)/2

(식 중,

- 동일하거나 상이한, 기호 R은 각각, 바람직하게는 할로겐 원자에 의해 임의로 치환된, 선형 또는 분지형 C₁-C₁₈ 알킬 기, C₆-C₁₂ 아릴 또는 아르알킬 기를 나타내고,

- a는 0, 1, 2 또는 3인 정수임).

상기 화학식 (I) 및 (II)에서, 기호 R은 유리하게는 메틸, 에틸, 프로필, 3,3,3-트리플루오로프로필, 자일릴, 톨릴 및 페닐로 이루어진 군으로부터 선택된 1가 라디칼을 나타낼 수 있다.

오가노폴리실록산(D)은 선형, 분지형, 환형 또는 망상 구조를 가질 수 있다. 선형 오가노폴리실록산의 경우에, 이것은 본질적으로

- 화학식 R₂SiO_{2 /2}, RZSiO_{2 /2} 및 Z₂SiO_{2 /2}의 단위로부터 선택된 실록실 "D" 단위; 및

- 화학식 R₃SiO_{1 /2}, R₂ZSiO_{1 /2}, RZ₂SiO_{1 /2} 및 Z₃SiO_{1 /2}의 단위로부터 선택된 실록실 "M" 단위로 이루어질 수 있고,

- 기호 R 및 Z는 화학식 (I)에서 상기 정의된 바와 같다.

일 구현예에 따라, 상기 화학식 (I)에서, 상기 언급된 알케닐카보닐옥시 라디칼 Y' 중에서, 아크릴옥시 [CH₂=CH-CO-O-] 및 메타크릴옥시 라디칼: [(CH₃)CH=CH-CO-O-] 및 [CH₂=C(CH₃)-CO-O-]을 언급할 수 있다.

화학식 (I)의 단위에서 기호 y의 예시로서, 하기 라디칼을 언급할 수 있다:

-CH₂-;

-(CH₂)₂-;

-(CH₂)₃-;

-CH₂-CH(CH₃)-CH₂-;

-(CH₂)₃-NH-CH₂-CH₂-;

-(CH₂)₃-OCH₂-;

-(CH₂)₃-[O-CH₂-CH(CH₃)-]-;

-(CH₂)₃-O-CH_2-CH(OH)(-CH_2-);

-(CH₂)₃-O-CH_2-C(CH₂-CH₃)[-(CH₂)_2-]₂; 및

-(CH₂)₂-C₆H₉(OH)-.

바람직하게는, 오가노폴리실록산(D)은 하기 화학식 (III)을 갖는다:

[화학식 III]

식 중,

- 동일하거나 상이할 수 있는, 기호 R¹은 각각, 바람직하게는 할로겐 원자에 임의로 의해 치환된, 선형 또는 분지형 C₁ 내지 C₁₈ 알킬 기, C₆ 내지 C₁₂ 아릴 또는 아르알킬 기, 또는 알콕시 -OR⁴ 라디칼을 나타내고; 여기서 R⁴는 수소 원자 또는 1개 내지 10개의 탄소 원자를 포함하는 탄화수소 라디칼이고,

- 동일하거나 상이할 수 있는, 기호 R² 및 R³은 각각 라디칼 R¹ 또는 화학식 Z = -w-(Y')n의 1가 라디칼을 나타내고, 여기서

о w는 C₁-C₄ 2가 옥시알킬렌에 의해 임의로 연장된 선형 또는 분지형 C₁-C₁₈ 알킬렌 다가 라디칼 또는 하이드록실 라디칼에 의해 임의로 치환된 폴리옥시알킬렌 라디칼을 나타내고,

о Y'는 1가 알케닐카보닐옥시 라디칼을 나타내고,

о n은 1, 2 또는 3이고,

- a = 0 내지 1000이고, b = 0 내지 500이고, c = 0 내지 500이고, d = 0 내지 500이고, a+b+c+d = 0 내지 2500이고,

- 적어도 하나의 기호 R² 또는 R³이 화학식 Z의 1가 라디칼을 나타내는 조건.

바람직한 구현예에 따라, 상기 화학식 (III)에서,

- c = 0이고, d = 0이고, a = 1 내지 1000이고, b = 1 내지 250이고, 여기서 기호 R²는 화학식 Z의 1가 라디칼을 나타내는 한편, 기호 R¹ 및 R³은 상기와 동일한 의미를 갖는다.

훨씬 더 바람직하게는, 상기 화학식 (III)에서,

- c = 0이고, d = 0이고, a = 1 내지 500이고, b = 1 내지 100이고, 여기서 기호 R²는 화학식 Z의 1가 라디칼을 나타내고, 기호 R¹ 및 R³은 상기와 동일한 의미를 갖는다.

일 구현예에 따라, 본 발명에 따른 오가노폴리실록산(D)은 하기 화학식을 갖는다:

(식 중,

- x는 1 내지 1000이고;

- n은 1 내지 100임).

본 발명에 따른 가교결합 가능한 실리콘 조성물(C)은 적어도 1종의 첨가제를 추가로 포함할 수 있다. 첨가제로서, 하기로부터 선택된, 실리콘/접착제 계면의 비점착 힘을 제어하기 위한 적어도 1종의 첨가제는 조성물에 포함될 수 있다:

(ⅰ) 유기 (메트)아크릴레이트 유도체, 및

(ⅱ) (메트)아크릴레이트 작용기(들)를 갖는 실리콘.

특히 적합한 유기 (메트)아크릴레이트 유도체는 에폭시화 (메트)아크릴레이트, (메트)아크릴로글라이세로폴리에스테르, (메트)아크릴로우레탄, (메트)아크릴로폴리에테르, (메트)아크릴로폴리에스테르 및 (메트)아크릴로아크릴 화합물이다. 트리메틸올프로판 트리아크릴레이트, 트리프로필렌 글리콜 디아크릴레이트 및 펜타에리쓰리톨 테트라아크릴레이트가 더 특히 바람직하다.

본 발명의 바람직한 변형에 따라, 사용된 첨가제는 (메트)아크릴레이트 작용기(들)를 갖는 실리콘이다. 실리콘이 보유하고 본 발명에 특히 적합한 (메트)아크릴레이트 작용기의 대표로서, 더 특히, Si-C 결합을 통해 폴리실록산 사슬에 연결된, 아크릴레이트, 메타크릴레이트, (메트)아크릴레이트 에테르 및 메트(아크릴레이트) 에스테르 유도체를 언급할 수 있다. 이러한 아크릴레이트 유도체는 특히 특허 EP 0 281 718, FR 2,632,960 및 EP 0 940 458에 기재되어 있다.

다른 첨가제, 예컨대 티올 또는 방향족 아민은 조성물의 가교결합을 촉진하도록 첨가될 수 있다.

일 구현예에 따라, 조성물(C)은 백금을 포함하지 않는다.

본 발명은 또한, 비점착 특성을 갖는 실리콘 필름의 제조를 위한, 본 발명에 따른 조성물(C)의 용도에 관한 것이다.

바람직하게는, 이 실리콘 필름을 제조하기 위해, 상기 정의된 바와 같은 조성물(C)을 사용하고, 여기서 광개시제(A)의 몰의 수와 공개시제(B)의 Si-H 작용기의 몰의 수 사이의 비율은 0.5 내지 20, 바람직하게는 1 내지 5이고, 공개시제(B)는 바람직하게는 100 g당 적어도 0.08 mol, 바람직하게는 0.1 mol 내지 2.5 mol의 Si-H 작용기를 포함한다.

본 발명은 또한 상기 정의된 바와 같은 가교결합 가능한 조성물(C)을 가교결합함으로써 수득된 실리콘 엘라스토머에 관한 것이다.

본 발명은 또한, 상기 정의된 바와 같은 가교결합 가능한 조성물(C)을 가교결합시키는 단계를 포함하는, 비점착 특성을 갖는 실리콘 필름을 제조하는 방법에 관한 것이다.

바람직하게는, 본 발명에 따른 방법에서, 상기 정의된 바와 같은 조성물(C)을 사용하고, 여기서 라디칼 광개시제(A)의 몰의 수와 공개시제(B)의 Si-H 작용기의 몰의 수 사이의 비율은 0.5 내지 20, 바람직하게는 1 내지 5이고, 공개시제(B)는 바람직하게는 공개시제(B)의 100 g당 적어도 0.08 mol, 바람직하게는 0.1 mol 내지 2.5 mol의 Si-H 작용기를 포함한다.

본 발명의 방법의 일 구현예에 따라, 가교결합 단계는 공기 하에 또는 불활성 분위기 하에 수행된다. 바람직하게는, 이 가교결합 단계는 불활성 분위기 하에 수행된다.

일 구현예에 따라, 본 발명에 따른 방법의 가교결합 단계는 바람직하게는 불활성 분위기 하에 200 ㎚ 내지 450 ㎚의 파장을 갖는 방사선에 의해 수행된다.

본 발명은 또한

- 기재에 상기 정의된 바와 같은 가교결합 가능한 조성물(C)을 도포하는 단계, 및

- 200 ㎚ 내지 450 ㎚의 파장을 갖는 방사선에 노출시킴으로써 조성물(C)을 가교결합시키는 단계를 포함하는 기재에 코팅을 제조하는 방법에 관한 것이다.

UV 방사선은 방출 스펙트럼이 200 ㎚로부터 450 ㎚로 연장되는 도핑된 또는 비도핑된 수은 증기 램프에 의해 방출될 수 있다. 특정 UV 또는 가시광을 전달하는, 두문자어 "LED"에 의해 더 잘 공지된, 발광 다이오드와 같은 광원을 또한 사용할 수 있다.

본 발명의 바람직한 구현예에 따라, 방사선은 400 나노미터 미만의 파장을 갖는 자외선 광이다.

본 발명의 바람직한 구현예에 따라, 방사선은 200 나노미터 초과의 파장의 자외선 광이다.

조사 시간은 짧을 수 있고, 일반적으로 1초 미만이고, 낮은 코팅 두께에 대해 수 0.01초의 차수이다. 수득된 가교결합은 임의의 가열의 부재에서도 훌륭하다.

일 구현예에 따라, 가교결합 단계는 10℃ 내지 50℃, 바람직하게는 15℃ 내지 35℃의 온도에서 수행된다.

물론, 경화 속도는 사용된 U.V. 램프의 수, U.V. 노출 시간 및 조성물과 U.V. 램프 사이의 거리에 의해 특히 조정될 수 있다.

용매 없이, 즉 희석되지 않은 본 발명에 따른 조성물(C)은 균일한 방식으로 소량의 액체를 침착시킬 수 있는 장치를 사용하여 도포될 수 있다. 이 목적을 위해, 예를 들어, 특히 2개의 중첩된 실린더를 포함하는 "슬라이딩 헬리오(sliding helio)"라 불리는 장치를 사용할 수 있고, 조성물이 배치된 코팅 탱크 내에 액침된 가장 낮게 배치된 실린더의 역할은 하나의 매우 얇은 코팅에 의해 가장 높게 배치된 실린더에 스며들게 하는 것인 한편, 마지막의 실린더의 역할은 이후 이것이 종이에 스며든 조성물의 원하는 분량을 침착시키는 것이고, 이러한 용량은 서로에 반대의 방향에서 회전하는 2개의 실린더의 각각의 속도를 조정함으로써 얻어진다.

지지체에 침착된 조성물(C)의 양은 가변적이고, 일반적으로 처리된 표면 1 ㎡당 0.1 내지 5 g의 범위이다. 이 양은 지지체의 성질 및 원하는 비점착 특성에 따라 달라진다. 이것은 가장 대개 비다공성 지지체에 대해 0.5 내지 1.5 g/㎡이다.

이 방법은 텍스타일, 종이, 폴리비닐 클로라이드, 폴리에스테르, 폴리프로필렌, 폴리아미드, 폴리에틸렌, 폴리에틸렌 테레프탈레이트, 폴리우레탄 또는 비부직 유리 섬유로 제조된 가요성 지지체인 기재에 비점착 실리콘 코팅을 제조하기에 특히 적합하다.

이 코팅은 비점착 용액의 분야에서의 이의 용도에 특히 적합하다.

본 발명은 따라서 또한 상기 정의된 바와 같은 방법에 의해 수득 가능한 코팅된 기재에 관한 것이다. 상기 표시된 바대로, 기재는 텍스타일, 종이, 폴리비닐 클로라이드, 폴리에스테르, 폴리프로필렌, 폴리아미드, 폴리에틸렌, 폴리에틸렌 테레프탈레이트, 폴리우레탄 또는 비부직 유리 섬유로 제조된 가요성 지지체일 수 있다.

코팅된 기재는 비점착 방수 특성을 가지거나, 미끄러움, 내오염성(stain resistance) 또는 부드러움과 같은 개선된 표면 특성이 가능하게 한다.

본 발명의 또 다른 목적은 하기 화합물 (2), (4), (5), (6), (7), (7a), (9), (15), (16) 및 (17)에 관한 것이다:

본 발명은 또한 라디칼 광개시제로서의 상기 기재된 화합물 (2), (4), (5), (6), (7), (7a), (9), (15), (16) 및 (17)의 용도, 및 바람직하게는 실리콘 조성물의 가교결합을 위한 라디칼 광개시제로서의 상기 기재된 화합물 (2), (4), (5), (6), (7), (7a), (9), (15), (16) 및 (17)의 용도에 관한 것이다.

하기 실시예는 예시적인 비제한적인 목적을 위해 주어진다. 이것은 특히 본 발명의 더 양호한 이해를 가능하게 하고, 모든 이의 이점을 발휘되게 한다.

실시예

하기 실시예에서, 다양한 광개시제, 공개시제 및 아크릴 실리콘은 본 발명에 따라 사용되는 한편, 이의 구조는 하기 표에 표시된다.

광개시제(표 1)

이 광개시제 중에서, 화합물 (2), (4), (8), (9), (15), (16) 및 (17)을 하기 설명된 프로토콜에 따라 합성하였다.

화합물 ( 4)의 합성

40.4 mmol(6.67 g)의 브로모헥산 및 20.2 mmol(2.79 g)의 탄산칼륨을 10 ㎖의 아세토니트릴 중에 100 ㎖의 2구 플라스크로 도입하였다. 이후, 용액이 비등되게 한 후, 30 ㎖의 아세토니트릴 중의 10.1 mmol(2 g)의 4-하이드록시벤조페논의 용액을 적하로 첨가하였다. 용액은 무색으로부터 황색으로 변했다. 용액이 다시 무색일 때 반응이 완료되었다.

반응이 완료될 때, 혼합물을 셀라이트™를 통해 여과시키고, 여액을 회전 증발기에서 농축시켰다.

이후, 생성물을 90/10 사이클로헥산/에틸 아세테이트 용리제에 의해 실리카 칼럼에서 정제하였다. 생성물을 2일 동안 활차형(vane-type) 펌프 진공 하에 정치시켜서 미량의 브로모헥산을 제거하였다.

수득된 생성물은 70.7%의 수율로 백색 결정질 고체이다.

화합물 (5), (6), (7), (7a) 및 ( 8)의 합성

고체 수산화칼륨(하이드록실 작용기당 4 당량)을 무수 디메틸설폭사이드(DMSO)(하이드록실 작용기의 1 mmol당 2 ㎖)에 첨가하였다. 5분 동안 교반한 후, 각각의 화합물에 대해 5 mmol의 4-하이드록시벤조페논 및 상이한 할로겐화 화합물(하이드록실 작용기당 2 당량)을 반응 혼합물에 적하로 첨가한다. 이후, 혼합물을 교반하면서 아르곤 하에 상온에서 밤새 정치시켰다. 이후, 혼합물에 20 ㎖의 물을 첨가하고, 디클로로메탄(추출마다 20 ㎖)에 의해 3회 추출하였다. 이후, 유기 상을 물(세척마다 10 ㎖)에 의해 10 5회 세척하였다. 유기 상을 MgSO₄ 위에서 건조시켰다. 이후, 용매를 회전 증발기에서, 이어서 활차형 펌프 진공 하에 증발시켰다.

- 화합물 (5)을 89%의 수율로 4-하이드록시벤조페논 및 브로모데칸으로부터 얻었다;

- 화합물 (6)을 71%의 수율로 4-하이드록시벤조페논 및 브로모도데칸으로부터 얻었다;

- 화합물 (7)을 63%의 수율로 4-하이드록시벤조페논 및 1,5-디브로모펜탄으로부터 얻었다;

- 화합물 (7a)을 40%의 수율로 4-하이드록시벤조페논 및 1,10-디브로모데칸으로부터 얻었다;

- 화합물 (8)을 67%의 수율로 5 mmol의 4-하이드록시벤조페논 및 브로모메탄으로부터 얻었다.

화합물 ( 9)의 합성

0.25 mmol의 브롬화마그네슘의 디에틸에테레이트를 5 mmol의 알콜 및 3 mmol의 헥사메틸디실라잔의 혼합물에 첨가한다. 반응 혼합물을 상온에서 4시간 동안 교반하였다.

반응 매질에 10 ㎖의 물을 첨가하고, 디에틸 에테르(추출에 의해 10 ㎖)에 의해 3회 추출하였다. 이후, 합한 에테르성 상을 물에 의해 세척하고, 이후 MgSO₄ 위에서 건조시켰다. 용매를 회전 증발기에서, 이어서 활차형 펌프 진공 하에 증발시켰다.

이 화합물을 5 mmol의 4-하이드록시벤조페논으로부터 20%의 수율로 얻었다.

화합물 ( 2)의 합성

0.1 mmol의 루테늄 촉매(RuH₂(CO)(P(C₆H₅)₃)₃)를 10 ㎖의 톨루엔에 첨가하였다. 반응 혼합물을 환류 설정에서 Ar의 불활성 분위기 하에 135℃에서 15분(촉매를 활성화하고, 용액의 색상이 적색이 되는 시간) 동안 교반하였다. 5 mmol의 티오크산톤 및 10 mmol의 트리메틸비닐실란을 반응 매질에 첨가하였다. 반응 혼합물을 Ar 하에 135℃에서 72시간 동안 교반하면서 유지시켰다. 화합물 (2)을 회수하고, 실리카 칼럼(9:1 사이클로헥산/에틸 아세테이트 용리제)에서 크로마토그래피에 의해 정제하였다. 수율은 90% 초과이다.

화합물 ( 15)의 합성

BP-OHexa-아크릴레이트인 화합물 (15)을 하기 기재된 바와 같은 2개의 단계에서 합성하였다.

단계 1 : Br- 헥사 - 아크릴레이트의 합성

12 ㎖의 CH₂Cl₂를 함유하는 100 ㎖의 2구 플라스크에서, 0℃에서 16.57 mmol의 6-브로모헥산-1-올과 함께 24.85 mmol의 트리에틸아민 및 촉매량의 DMAP(4-(디메틸아미노)피리딘)를 첨가하였다. 적하 깔때기에서, 18.22 mmol의 아크릴레이트 클로라이드와 함께 2 ㎖의 디클로로메탄을 첨가하였다. 이 후자의 혼합물을 플라스크에서 제조된 용액에 적하로 첨가하였다. 전체를 1주일 동안 반응되게 정치시켰다.

반응이 완료되면, 반응 혼합물을 CH₂Cl₂에 의해 추출하고, 이후 1N의 HCl, 물 및 염수에 의해 세척한 후, 무수 황산마그네슘 위에서 건조시켰다. 이후, 유기 상을 회전 증발기에서 농축시켰다. 이후, 수득된 생성물을 90/10 사이클로헥산 에테르 용리제에 의해 실리카의 칼럼에 의해 정제하였다. 수율은 65%이다.

반응:

단계 2 : BP- O Hexa - 아크릴레이트의 합성

절차:

100 ㎖의 1구 플라스크에서, 30 ㎖의 아세톤 중의 8.26 mmol의 4-하이드록시벤조페논과 함께 12 mmol의 순수한 K₂CO₃을 도입하였다. 혼합물에, 8.20 mmol의 Br-Hex-아크릴레이트(단계 1)를 교반하면서 첨가하였다. 혼합물을 24시간 동안 교반하면서 60℃가 되게 하였다.

반응이 완료될 때, 아세톤을 증발시키고, 반응 혼합물을 30 ㎖의 2N HCl 용액에 의해 2회, 이어서 30 ㎖의 중탄산나트륨의 1N 용액에 의해 2회 및 30 ㎖의 물에 의해 2회 세척하였다. 이후, 유기 상을 황산마그네슘 위에서 건조시키고, 이후 증발시켰다. 이후, 수득된 생성물을 90/10 사이클로헥산 에테르 용리제에 의해 실리카의 칼럼에 의해 정제하였다. 화합물 (15) BP-O Hexa-아크릴레이트의 수율은 25%이다.

화합물 (16)(BP-O-CO-네오데카)의 합성

15 mmol(3 g)의 4-하이드록시-벤조페논, 12 ㎖의 무수 디클로로메탄 중의 22.5 mmol(4.29 g)의 네오데칸산 클로라이드, 22.5 mmol(2.27 g)의 트리에틸아민을 함유하는 0℃에서의 용액에 촉매량의 DMAP를 첨가하고, 하루밤 동안 교반하면서 상온에서 반응되게 허용하였다. 반응이 완료되면, 반응 매질을 20 ㎖의 디에틸 에테르 중에 희석하고, 유기 상을 HCl의 2N 용액, 물 및 염수에 의해 연속하여 세척한 후, 무수 황산마그네슘 위에서 건조시켰다. 이후, 유기 상을 회전 증발기에서 농축시켰다. 이후, 수득된 생성물을 90/10 사이클로헥산 에테르 용리제에 의해 실리카의 칼럼에 의해 정제하였다. 수득된 수율은 66%이다.

화합물 (17)(BP- OC ₆ H ₁₂ O -BP)의 합성

100 ㎖의 1구 플라스크에서, 50 ㎖의 DMSO 중의 24.6 mmol(4.876 g)의 4-하이드록시벤조페논을 첨가하고, 이후 98.4 mmol(5.520 g)의 수산화칼륨을 도입하였다. 이후, 8.20 mmol(2 g)의 1,6-디브로모헥산을 교반하면서 아르곤 하에 적하로 도입하였다. 반응물이 6일 동안 반응되게 허용하였다.

반응이 완료될 때, 100 ㎖의 물을 도입하였다. 이후, 반응 혼합물을 40 ㎖의 디클로로메탄에 의해 3회 추출하고, 이후 물에 의해 세척하였다. 이후, 유기 상을 황산나트륨 위에서 건조시킨 후, 증발시켰다.

이후, 수득된 생성물을 2일 동안 활차형 펌프 진공 하에 건조시켜 순수한 생성물을 얻었다. 이것은 결정질 백색 고체이다. 수득된 수율은 94%이다.

공개시제(표 2)

화합물 S1, S2 및 S3은 실란이다.

화합물 H1 내지 H10은 선형 메틸하이드로겐실록산이고, 여기서 Si-H 작용기는 실리콘 사슬 내에, 실리콘 사슬의 말단(사슬의 말단)에 또는 둘 다에 있을 수 있다.

화합물 H11은 화학식 SiO_{4 /2}의 실록실 단위 "Q" 및 화학식 H(CH₃)₂SiO_{1 /2}의 실록실 단위 "M"을 포함하는 수지이다.

아크릴 실리콘(표 3)

사용된 아크릴 실리콘 A1 및 A2는 상기 언급된 화학식 (III)을 가지며, 다음과 같다:

실시예 1 : 아크릴 실리콘 아크릴 작용기의 중합의 모니터링

이 실시예는 아크릴 실리콘(상기 표 3에 기재된 A1 및 A2)의 중합을 개시시키기 위해 벤조페논 광개시제와 조합된 공개시제로서의 H3 오일(상기 표 2 참조)의 용도에 관한 것이다.

더구나, 비교 시험을 위해, I형 광개시제, 즉 하기 구조를 갖는 하기 Irgacure^® 1173(CAS 번호: 7473-98-5)을 또한 사용하였다:

하기와 같이 제제를 얻었다: 벤조페논을 칭량하고, A1 또는 A2 수지로 도입하고, 균질한 생성물이 얻어질 때까지(약 30분) 혼합물을 교반하였다.

마지막으로, 칭량 후, 오가노하이드로겐폴리실록산(H3)을 도입하였다.

이후, 이렇게 수득된 제제를 365 ㎚에서 반사기를 갖는 Mercury-Xenon 램프에 의해 UV 방사선 하에 가교결합시켰다. UV 램프의 전력을 510 mW.㎝^-2로 설정하였다.

절차는 산소에 의한 반응성 종의 임의의 저해 작용을 극복하기 위해 공기 하에 또는 라미네이션된 채 수행된다. 절차가 라미네이션된 채 수행될 때, 제제는 폴리프로필렌의 2개의 시트 사이에, 이어서 CaF₂의 2개의 펠렛 사이에 배치된다.

중합 동력학의 모니터링을 실시간 푸리에 변환 적외선(RT-FTIR, Brucker Optik로부터의 Vertex 70)에 의해 수행하였다. 이 분광학적 기법은 아크릴 작용기의 C=C 결합의 특징적인 밴드인 1636 ㎝^-1에서의 IR 스펙트럼의 변경을 따르도록 샘플을 광 및 적외선에 동시에 노출시키는 것으로 이루어진다.

중합 동안 C-C로의 C=C의 전환율은 하기 식에 따라 1636 ㎝^-1에서 계산된 피크 하 면적의 감소와 직접적으로 관련된다: 전환율(%) = (A0-At)/A0 × 100, 여기서, A0은 조사 전의 피크 하 면적인 한편, At는 조사의 각각의 순간(t)에 피크 하 면적임).

시간에 대한 작도는 최종 전환율, 그러나 또한 다른 중요한 매개변수, 예컨대 최대 전환율((Rp/[M]0)×100)로의 접근을 허용한다. 후자는 이의 변곡점에서 곡선 전환율(%) = f(t)의 기울기에 의해 결정된다.

라미네이션 하의 아크릴 실리콘 A1 및 A2에서의 II형 시스템의 프라이밍 효율의 입증

하기 표(표 4)는 2 g의 A1 또는 A2 수지에 기초하여 제조된 혼합물을 나타낸다. 데이터는 중량%로 표시된다. 이 절차를 라미네이션 하에 수행하였다.

표 4:

C 표시된 실시예는 비교예에 상응하는 한편, 다른 실시예(5 및 10)는 본 발명에 따른 조성물에 상응한다.

이 시험은 광개시제(벤조페논) 또는 공개시제(H3)가 중합 개시제로서 별개로 효과적이지 않다는 것을 명확히 보여준다(시험 3C 및 4C 및 시험 8C 및 9C).

반면, 본 발명에 따른 II형 광개시제 시스템을 구성하는 2개의 요소의 조합은 효과적이다(시험 3C 및 4C에 대한 시험 5 및 시험 8C 및 9C에 대한 시험 10).

수득된 전환율은 I형 광개시제 Irgacure^® 1173과 비교하여 꽤 확실하다(시험 2C에 대해 시험 5 및 시험 7C에 대해 시험 10).

공기에서의 아크릴 실리콘 A1 및 A2에 대한 II형 시스템의 프라이밍 효율의 입증

하기 표(표 5)는 2 g의 A1 또는 A2 수지에 기초하여 제조된 혼합물을 나타낸다. 데이터는 중량%로 표시된다. 이 절차를 공기 하에 수행하였다.

표 5:

C 표시된 실시예는 비교예에 상응하는 한편, 실시예 12 및 14는 본 발명에 따른 조성물에 상응한다.

이 시험은 본 발명에 따른 II형 광개시제 시스템이 또한 더 튼튼한 것으로 공지된 I형 시스템과 비교하여 공기 중에 효율적인 중합을 허용한다는 것을 입증한다(시험 12에 대한 시험 11C 및 시험 14에 대한 시험 13C).

실시예 2 : 다른 광개시제의 사용

실시예 1은 벤조페논을 벤조페논 유도체 또는 이소프로필티오크산톤 유도체에 의해 대체함으로써 재현된다.

공개시제는 H1 오일이다(표 2 참조).

1.2x10^-4 몰의 광개시제 및 8.05x10^-5 몰의 -Si-H 결합을 사용하여 시험을 수행하였다.

실시예 1에서처럼, 2 g의 아크릴 실리콘(A1)을 사용하였다.

시험된 광개시제는 BP-OH, BP-OMe, BP-OHexa, BP-OTMeSi, TX-TMVSi, BP-아크릴레이트, BP-OHexa-아크릴레이트, BP-O-CO-네오데카 및 BP-O-C₆H₁₂-O-BP(이의 구조는 표 1에 기재됨)이다.

수득된 결과는 하기 표 6에 기재되어 있다.

표 6:

벤조페논 이외의 시험된 광개시제가, 오가노하이드로겐폴리실록산과 조합되어, 시험된 아크릴 실리콘의 중합을 또한 허용한다는 것이 따라서 발견되었다.

실시예 3 : 다른 실란 공개시제의 사용

중합 시험은, 공개시제의 성질을 개질시키면서, 실시예 1의 것과 동일한 조건 하에 수행되었다. 이 실시예에서, 오가노하이드로겐폴리실록산 오일을 표 2에 기재된 S1, S2 또는 S3으로부터 선택된 실란에 의해 대체하였다.

사용된 광개시제는 실시예 1에서처럼 벤조페논(BP) 또는 이소프로필티오크산톤(ITX)이다.

시험을 라미네이션 하에 1.2x10^-4 몰의 공개시제 및 8.05x10^-5 몰의 -Si-H 결합을 사용하여 수행하였다.

실시예 1에서처럼, 2 g의 아크릴 실리콘(A1 또는 A2)을 사용하였다.

수득된 결과는 하기 표 7 및 표 8에 기재되어 있다.

표 7:

표 8:

시험된 실란이, 벤조페논 또는 이소프로프릴티오크산톤과 조합되어, 시험된 아크릴 실리콘의 중합을 또한 허용한다는 것이 따라서 발견되었다.

하기 실시예에서, 본 발명에 따른 실리콘 조성물을 코팅하고, 이후 방사선에 대한 노출에 의해 가요성 지지체에서 가교결합시켰다. 이렇게 수득된 지지체의 비점착 성능을 평가하였다. 이를 하기 위해, 실시예 5 내지 9에 기재된 다양한 성분을 혼합하고, 이후 다양한 실시예에 기재된 조건 하에 상이한 지지체에서 Rotomec 파일럿 코팅에 의해 코팅함으로써 제제를 제조하였다.

실리콘 비점착 코팅에 의해 코팅된 기재에서 수행된 시험

침착: 규소의 X선 형광 분석에 의해 표면에 코팅된 실리콘 침착물의 조절(Oxford Lab-X 3000). X선 관은 규소 원자의 전자 층을 여기시키고, 이것은 여기된 규소의 양에 비례하여 X선 방출을 발생시킨다. 이 값 또는 통과의 수는 (보정선을 사용하여) 계산에 의해 실리콘의 양으로 변환된다.

도말: 하기와 같이 지문 방법에 의한 표면 중합의 정성적 조절:

- 평평하고 경질인 표면에 시험하고자 하는 실리콘 코팅된 지지체 샘플을 배치한다;

- 적당히 그러나 분명히 누름으로써 손가락 끝에 의해 궤적을 만든다;

- 이렇게 제조된 궤적을 바람직하게는 앙각의 조명 하에 눈에 의해 검사한다. 본 발명자들은 표면의 광택의 차이에 의해 (심지어 매우 약간의) 궤적의 존재를 따라서 볼 수 있다.

평가는 정성적이다. "도말"은, 최고의 결과로부터 최악의 결과로, 하기 순위에 의해, 즉 A로부터 D로 순위를 매겨 정량화된다:

A: 매우 양호, 손가락의 궤적 무

B: A보다는 약간 나쁨, 거의 궤적이 보이지 않음

C: 명확한 궤적

D: 매우 명확한 궤적 및 표면의 기름기있는 외관, 거의 중합되지 않은 생성물.

러브오프 (rub-off): 하기와 같이 뒤 및 앞으로 손가락을 문지름으로써 가요성 지지체에 부착하는 실리콘의 능력을 확인한다:

- 평평하고 경질인 표면에 시험하고자 하는 실리콘 코팅된 지지체 샘플을 배치한다(여기서, 실리콘은 상면에 있음);

- 적당히 그러나 분명히 누르면서 손가락 끝에 의해 뒤 및 앞으로 10회의 이동(약 10 ㎝ 길이의)을 수행한다;

- 문지름의 외관을 눈에 의해 검사한다. 문지름은 손가락 아래에 구르는 미세한 백색 분말 또는 작은 볼의 외관을 야기한다.

평가는 정성적이다. 문지름을 하기한 순위에 의해 정량화한다:

10: 매우 양호, 10회 A-R 후 문지름의 외관 무

1: 매우 불량, 제1 통과로부터의 문지름

순위는 문지름이 보인 후 뒤 및 앞의 이동의 수(1 내지 10)를 반영한다.

즉, 최악으로부터 최고의 결과로 1 내지 10의 점수.

디웨팅 ( dewetting ): 표준 표면 요입 잉크를 사용하여 코팅과 접촉하는 접착제에 대한 실리콘의 전사를 평가함으로써 실리콘 층의 중합도의 평가. 방법은 하기와 같다:

- 권출의 방향(기계 방향)에서 취해진, 시험하고자 하는 실리콘 코팅된 종이의 약 20 x 5 ㎝의 샘플을 선택한다;

- 접착 테이프의 대략 15 ㎝의 길이를 절단하고, 이후 시험하고자 하는 종이에서 접착제 면에 의해 구겨짐 없이 이것을 배치하고, 접착 테이프의 길이를 따라 손가락을 슬라이드함으로써 10회 압력을 가한다. (3M 스카치 테이프, 참고 610, 폭: 25 ㎜);

- 접착 테이프를 제거하고, 이것을 접착제를 면을 위로 하여 평평하게 놓는다;

- (단일 사용을 위해) 면봉에 의해 테이프의 접착제 면에 미량의 잉크를 약 10 ㎝ 길이로 배치한다(대략 30 다인/㎝의 표면 인장 및 2 내지 4 mPa/s의 점도의 SHERMAN 또는 FERARINI 및 BENELI 브랜드 잉크). 스톱워치를 즉시 트리거한다;

- 본 발명자들은 디웨팅 현상의 시기는 잉크 스트로크가 외관을 변경시킬 때 시작한다고 생각하고, 이후 타이머를 중단한다;

- 테이프의 접착제 면으로부터의 잉크의 제거는 실리콘 코팅 후 2분 내에 실행되어야 한다;

- 수득된 결과가 10초인 경우, 접착제에서 실리콘 이동이 존재하고, 중합이 완료되지 않다고 예상된다;

- 0 내지 10의 순위는 디웨팅 현상의 관찰 전에 초 단위의 경과한 시간에 상응하여 주어진다;

- 수득된 결과가 10초 미만인 경우, 중합이 완료되었다고 예상된다. 이 경우에, 10의 점수가 주어지며, 이는 결과가 매우 양호하다는 것을 의미한다;

- 수득된 순위 및 사용된 잉크(명칭, 브랜드, 표면 인장, 점도)에 주목한다.

추출물:

중합 동안 형성된 네트워크에 그래프팅된 실리콘의 양의 측정. 이 실리콘은 최소 24시간 동안 MIBK에서 기계 출구로부터 샘플의 액침에 의해 필름으로부터 추출된다. 이는 화염 흡수 분광학에 의해 측정된다.

자가접착 다층 물품의 제조

표준화된 접착제 코팅된 지지체 TESA7475(지지체 = PET - 접착제 = 아크릴)를 상기 제조된 실리콘 라이너(= UV 하에 가교결합함으로써 수득된 실리콘 코팅과 접촉된 지지체)에서 다층화하여 다층 물품을 형성하였다. 견인력 시험은 수행하여 시효 전 및 후의 박리력, 및 후속적인 접착 및 루프택(loop-tack) 값을 결정하였다. 이 시험은 하기 기재되어 있다.

수득된 다층 물품에서 수행된 시험

후속적인 접착(또는 " SubAd "):

당해 분야의 숙련자에게 공지된 FINAT 11(FTM 11) 시험에 따라 실리콘 코팅과 접촉하는 접착제(TESA 7475)의 접착성의 보유를 검증하기 위한 측정. 이 시험에서, 기준 시편은 PET이고, 접착제는 70℃에서 1일 동안 및 70℃에서 7일 동안 시험하고자 하는 실리콘 표면과 접촉한 채 있었다.

결과는 % 단위로 기준 테이프의 % 접착제 강도 보유로 표시된다:

CA = (Fm2/Fm1) x 100

(식 중,

Fm2 = 20시간 동안 실리콘 지지체와 접촉 후 평균 테이프 비점착 힘이고;

Fm1 = 실리콘 지지체에 의한 평균 (비접촉) 테이프 비점착 힘임).

루프택: 루프택 시험은 압력 없이 표준 재료와 접촉한 채 배치된 접착제(TESA 7475)의 루프를 300 ㎜/분에서 분리하는 데 필요한 힘을 결정하는 것으로 이루어진다. 23℃에서의 1일 동안 깨끗한 접착제와 다층화된 접착제 사이의 결과의 비율은 당해 분야의 숙련자에게 공지된 FINAT 9 시험(FTM9)에 따라 접착성의 손실을 분석하는 것이 가능하게 한다.

최종 결과는 N/인치로 표시된 3 측정의 평균일 것이다(단위: 1 인치 = 2.54 ㎝).

비점착: 박리력의 측정을 표준화된 접착제 TESA 7475에 의해 수행하였다. 다층 물품(실리콘 표면과 접촉하는 접착제)의 시편을 필요한 압력 조건 하에 23℃에서 1일, 70℃에서 1일 및 70℃에서 7일 동안 유지시키고, 이후 당해 분야의 숙련자에게 공지된 FINAT 3(FTM3) 시험에 따라 낮은 박리력에서 시험하였다.

박리력은 cN/인치로 표시되고, 가속 시효 시험(일반적으로 70℃) 동안 상온(23℃) 또는 더 높은 온도에서 샘플을 가압한 후 동력계에 의해 측정된다.

실시예 4:

이 실시예에서, 벤조페논을 광개시제로서 사용하고, 화합물 H9를 공개시제로서 사용하였다(표 2 참조). 하기 표 11에 다양한 제제가 기재되어 있다. I형 광개시제 시스템, 즉 에틸(1,4,6-트리에틸벤조일)페닐포스피네이트(PA I)를 또한 시험하였다.

코팅 조건:

- 선 속도: 50 m/분 - UV 램프: 100 W/㎝에서의 Honle

- 코로나: 1000 W - 램프 하의 잔류 O₂: 20 ppm 미만

코팅 지지체는 87 g/㎡의 LDPE이다. 코팅을 지지체의 바깥 면에서 수행하였다. 목표 침착은 0.8 내지 1.0 g/㎡이다.

기계 생산량에서, 수행된 시험의 결과는 하기 표 9에 제시된다:

표 9:

이 실시예는, II형 광개시제에 대해, 실리콘 조성물(실시예 A1 및 A2)에서 Si-H 작용기의 낮은 농도에 의해, I형 광개시제에 의해 수득된 것과 필적하는 최고의 결과가 얻어진다는 것을 보여준다. 실리콘 조성물이 100 g당 0.012 mol의 Si-H를 포함하는 실시예 A3은 70℃에서 7일 후 높은 수준의 추출물, 디웨팅 시험에서 더 불량한 성능 및 높은 비점착 특성을 발생시켰다.

실시예 5 : 광개시제 및 공개시제 농도의 영향

이 실시예에서, 본 발명자들은 코팅 조성물에서 코팅 조성물 내의 Si-H의 몰 농도 및 광개시제의 몰 농도를 변경하였다. 이를 위해, 대조군으로서 I형 PA I 광개시제 시스템을 사용하고, 3 몰 농도의 상이한 Si-H 작용기(실리콘 조성물의 100 g당 0.001 내지 0.002 및 0.003 mol) 및 각각에 대해 4 몰 농도의 광개시제(실리콘 조성물의 100 g당 0.0017 내지 0.0033 내지 0.0064 및 0.0129 mol)를 사용하였다. 사용된 광개시제는 Genocure^® LBP이다.

코팅 조건:

- 선 속도: 50 m/분 - UV 램프: 200 W/㎝에서의 Honle

- 코로나: 1000 W - 램프 하의 잔류 O₂: 20 ppm 미만

코팅 지지체는, 코팅이 이의 바깥 면에서 수행되면서, 23 g/㎡의 LDPE이다. 목표 침착은 0.8 내지 1.0 g/㎡이다.

하기 표 10은 사용된 상이한 실리콘 조성물, 및 상기 언급된 시험에서 수득된 결과를 요약한다.

표 10:

표 10(계속)

상기 표 10으로부터, 모든 이 시험에 대해 능력 시험 및 추출물 측정에 대한 결과가 만족스러운 것으로 관찰되었다. 조성물 내의 Si-H 작용기의 농도의 증가에 의해, 추출물 함량이 증가한다는 것이 발견되었다. 특히, Si-H 작용기의 낮은 농도를 사용하는 것이 특히 유리한 것으로 발견되었다.

실시예 6 : 공개시제의 Si -H 작용기 함량의 영향

이 실시예에서, 다양한 Si-H 작용기 함량을 가지는 오가노하이드로겐폴리실록산 오일을 사용하는 것을 제외하고는 출발 조성물에서 Si-H 작용기의 일정 농도에서 시험을 수행하였다. 오일 H4, H9, H8 및 H5를 사용하였다(표 2 참조). Genocure^® LBP 광개시제의 일정한 농도를 사용하였다.

낮은 코팅 속도 및 높은 램프 전력에서 이 제제를 시험하였다.

코팅 조건:

- 선 속도: 50 m/분 - UV 램프: 200 W/㎝에서의 Honle

- 코로나: 1000 W - 램프 하의 잔류 O₂: 20 ppm 미만

코팅 지지체는 23 g/㎡의 LDPE이다. 코팅을 이의 바깥 면에서 수행하였다. 목표 침착은 0.8 내지 1.0 g/㎡(0.90±0.10)이다.

하기 표 11은 사용된 조성물 및 상기 언급된 시험 후 수득된 결과를 요약한다.

표 11:

Si-H 작용기의 가장 낮은 함량(0.0228 mol/100 g)을 갖는 오일 H5(실시예 C4)에 의해 디웨팅이 저하된다는 것이 관찰된다.

100 g당 0.0646 mol의 Si-H 작용기 함량을 갖는 H8(실시예 C3) 오일은 공개시제 H4 및 H9에 의해 수득된 것(실시예 C1 및 C2)보다 24% 더 높은 추출물의 수준을 갖는 한편, 비점착 값은 70℃에서 1일 및 7일 후 급격히 증가한다.

이 실시예는 따라서 100 g당 적어도 0.05 몰의 Si-H 작용기, 바람직하게는 100 g당 적어도 0.08 몰의 Si-H 작용기를 포함하는 오가노하이드로겐폴리실록산을 공개시제로서 사용하는 것이 바람직하다는 것을 보여준다.

실시예 7 : Si -H 작용기의 함량 및 Si -H 단위의 위치에 따른 상이한 오일에 의한 코팅 시험

이 실시예는 공개시제의 성질 및 특히 Si-H 단위의 위치(사슬의 말단, 사슬 내, 또는 둘 다)의 중합에 대한 영향의 연구에 관한 것이다.

코팅 조건:

- 선 속도: 50 m/분 - UV 램프: 200 W/㎝에서의 Honle

- 코로나: 1000 W - 램프 하의 잔류 O₂: 20 ppm 미만

코팅 지지체는 흰색 LDPE GLD3 28 g/㎡이다. 코팅을 이의 바깥 면에서 수행하였다. 목표 침착은 0.8 g/㎡ 내지 1.0 g/㎡이다.

광개시제로서, Genocure^® LBP를 사용하였다(표 1). Si-H 작용기의 상이한 구조 및 함량을 갖는 상이한 오일 또는 수지로부터 공개시제를 선택한다(표 2 참조).

하기 표 12는 사용된 상이한 조성물, 및 상기 언급된 시험 후 수득된 결과를 요약한다.

표 12:

전체 시리즈에 대해 도말을 A-B로부터 A로 순위 매겼다. 러브오프는 9 내지 10이다. 디웨팅은 10이다. 코팅된 조성물의 중합은 따라서 모든 제제에 양호하고, 사용된 공개시제의 사용에 의해서도, 사슬에서 Si-H 단위의 위치결정에 의해서도 유의미한 영향을 받지 않는다. 모든 추출물 값은 2.4% 내지 3.1%이다. 이것은 중합이 Si-H 단위의 위치와 관계없이 양호하다는 사실을 확인시켜준다.

다층 물품의 특징의 결과 및 비점착 값은 또한 모두 만족스러웠다.

이 실시예는 또한 공개시제가 100 g당 0.05 mol 이상인 Si-H 함량을 가질 때 매우 양호한 결과가 얻어진다는 것을 확인시켜준다.

실시예 8 : A1 및 A2의 혼합물에 의한 코팅 시험

이 실시예에서, 아크릴레이트에 의해 작용기화된 오가노폴리실록산의 혼합물을 사용하였다. Genocure^® LBP를 광개시제로서 사용하고, H9 오일을 공개시제로서 사용하였다.

코팅 조건:

- 선 속도: 50 m/분 - UV 램프: 200 W/㎝에서의 Honle

- 코로나: 1000 W - 램프 하의 잔류 O₂: 20 ppm 미만

코팅 지지체는 TORAY로부터의 PET 30.01/30 투명 30 g/㎡이다. 코팅을 이의 바깥 면에서 수행하였다. 목표 침착은 0.8 g/㎡ 내지 1.0 g/㎡이다. 하기 표 13은 사용된 상이한 조성물, 및 상기 언급된 시험 후 수득된 결과를 요약한다.

표 13:

실시예 9:

새로운 시리즈의 시험을 실리콘 조성물에서 광개시제 및 공개시제의 더 낮은 농도를 시험하도록 수행하였다. Genocure^® LBP 및 Genocure^® LBP-2를 광개시제로서 사용하고, H9 오일을 공개시제로서 사용하였다.

코팅 조건:

- 선 속도: 50 m/분 - UV 램프: 100 W/㎝에서의 Honle

- 코로나: 1000 W - 램프 하의 잔류 O₂: 20 ppm 미만

코팅 지지체는 LDPE이다. 코팅을 이의 바깥 면에서 수행하였다. 목표 침착은 0.8 g/㎡ 내지 1.0 g/㎡이다.

하기 표 14는 사용된 상이한 조성물, 및 상기 언급된 시험 후 수득된 결과를 요약한다.

표 14:

결과는 시험된 모든 조성물에 대해 만족스러웠다. 실시예 F3은 광개시제(조성물의 100 g당 0.0008 mol) 및 공개시제(조성물의 100 g당 0.005 mol)의 낮은 농도가 만족스러운 결과를 달성할 수 있다는 것을 시험한다.

실시예 10:

이 실시예에서, 변형된 벤조페논을 광개시제로서 사용하고, 화합물 H9(표 2 참조)를 공개시제로서 사용하였다. 상이한 제제는 하기 15에 기재되어 있다. 벤조페논 Genocure LBP 및 에틸(1,4,6-트리에틸벤조일)페닐포스피네이트(PA I)인 I형 광개시제 시스템을 또한 시험하였다.

코팅이 코로나의 부재 하에 수행되므로, 점착 첨가제를 모든 제제에 첨가하였다.

코팅 조건:

- 선 속도: 50 m/분 - UV 램프: 200 W/㎝에서의 Honle

- 램프 하의 잔류 O₂: 20 ppm 미만

코팅 지지체는 글라신이다.

코팅을 지지체의 바깥 면에서 수행하였다. 목표 침착은 0.8 내지 1.0 g/㎡이다.

기계 생산량에서, 수행된 시험의 결과는 하기 표 15에 제시된다:

표 15:

Claims (19)

1. 200 ㎚ 내지 450 ㎚의 파장을 갖는 방사선에 노출에 의해 가교결합 가능한 실리콘 조성물(C)로서,
   - 적어도 1종의 라디칼 광개시제(A);
   - 규소 원자에 결합된 적어도 1개의 수소 원자를 포함하는 화합물들로부터 선택된 적어도 1종의 공개시제(co-initiator)(B); 및
   - 적어도 1개의 (메트)아크릴레이트 기를 포함하는 적어도 1종의 오가노폴리실록산(D)을 포함하며;
   여기서, 공개시제(B)는 공개시제(B)의 100 g당 적어도 0.05 몰의 Si-H 작용기를 포함하는, 실리콘 조성물(C).
2. 제1항에 있어서, 공개시제(B)는 적어도 1개의 실록산 결합 및 규소 원자에 결합된 적어도 1개의 수소 원자를 포함하는, 조성물(C).
3. 제1항 또는 제2항에 있어서, 공개시제(B)는 오가노하이드로겐폴리실록산으로부터 선택되는, 조성물(C).
4. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 공개시제(B)는 공개시제(B)의 100 g당 적어도 0.08 몰의 Si-H 작용기를 포함하는, 조성물(C).
5. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서, 라디칼 광개시제(A)는 벤조페논 및 이의 유도체, 티오크산톤 및 이의 유도체, 안트라퀴논 및 이의 유도체, 벤조일 포르메이트의 에스테르, 캄퍼퀴논, 벤질, 페난트렌퀴논, 쿠마린 및 케토쿠마린, 및 이들의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택되는, 조성물(C).
6. 제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서, 라디칼 광개시제(A)는 벤조페논인, 조성물(C).
7. 제1항 내지 제6항 중 어느 한 항에 있어서, 오가노폴리실록산(D)은
   a1) 하기 화학식 (I)의 적어도 하나의 단위:
   [화학식 I]
   R_aZ_bSiO_(4-a-b)/2
   (식 중,
   - 동일하거나 상이한, 기호 R은 각각, 바람직하게는 할로겐 원자에 의해 임의로 치환된, 선형 또는 분지형 C₁-C₁₈ 알킬 기, C₆-C₁₂ 아릴 또는 아르알킬 기, 또는 알콕시 -OR⁴ 라디칼을 나타내고; 여기서 R⁴는 수소 원자 또는 1개 내지 10개의 탄소 원자를 포함하는 탄화수소 라디칼이고,
   - 기호 Z는 화학식 -y-(Y')_n의 1가 라디칼이고, 여기서
   о y는 2가 C₁-C₄ 옥시알킬렌에 의해 임의로 연장된 선형 또는 분지형 C₁-C₁₈ 알킬렌 다가 라디칼 또는 하이드록실 라디칼에 의해 임의로 치환된 폴리옥시알킬렌 라디칼을 나타내고,
   о Y'는 1가 알케닐카보닐옥시 라디칼을 나타내고,
   о n은 1, 2 또는 3이고,
   - a는 0, 1 또는 2인 정수이고, b는 1 또는 2인 정수이고, 합 a+b = 1, 2 또는 3임); 및
   a2) 임의로 하기 화학식 (II)의 단위를 포함하는, 조성물(C):
   [화학식 II]
   R_aSiO_(4-a)/2
   (식 중,
   - 동일하거나 상이한, 기호 R은 각각, 바람직하게는 할로겐 원자에 의해 임의로 치환된, 선형 또는 분지형 C₁-C₁₈ 알킬 기, C₆-C₁₂ 아릴 또는 아르알킬 기를 나타내고,
   - a는 0, 1, 2 또는 3인 정수임).
8. 제1항 내지 제7항 중 어느 한 항에 있어서, 라디칼 광개시제(A)의 몰의 수와 공개시제(B)의 Si-H 작용기의 몰의 수 사이의 비율은 0.5 이상, 바람직하게는 0.5 내지 20, 훨씬 더 바람직하게는 1 내지 10인, 조성물(C).
9. 제1항 내지 제8항 중 어느 한 항에 있어서, Si-H 작용기의 농도는 조성물(C)의 100 g당 0.01 mol 이하, 바람직하게는 조성물(C)의 100 g당 0.0002 내지 0.01 mol인, 조성물(C).
10. 제1항 내지 제9항 중 어느 한 항에 있어서, 라디칼 광개시제(A)의 농도는 조성물(C)의 100 g당 0.0003 내지 0.015 몰인, 조성물(C).
11. 비점착 특성을 갖는 실리콘 필름의 제조를 위한, 제1항 내지 제10항 중 어느 한 항에 따른 조성물(C)의 용도.
12. 제1항 내지 제10항 중 어느 한 항에 따른 조성물(C)을 가교결합시킴으로써 수득된 실리콘 엘라스토머.
13. 제1항 내지 제10항 중 어느 한 항에 따른 조성물(C)을 가교결합시키는 단계를 포함하는, 비점착 특성을 갖는 실리콘 필름을 제조하는 방법.
14. 제13항에 있어서, 가교결합 단계는 공기 하에 또는 불활성 분위기 하에 수행되는, 방법.
15. 제13항에 있어서, 가교결합 단계는 200 ㎚ 내지 450 ㎚의 파장을 갖는 방사선에 대한 노출에 의해 수행되는, 방법.
16. - 기재에 제1항 내지 제10항 중 어느 한 항에 따른 조성물(C)을 도포하는 단계, 및
    - 200 ㎚ 내지 450 ㎚의 파장을 갖는 방사선에 노출시킴으로써 조성물을 가교결합시키는 단계
    를 포함하는, 기재에 코팅을 제조하는 방법.
17. 제16항에 따른 방법에 의해 수득 가능한 코팅된 기재.
18. 하기 화학식의 화합물 (2), (4), (5), (6), (7), (7a), (9), (15), (16) 및 (17):
    

    

    .
19. 라디칼 광개시제로서의, 제18항에 따른 화합물의 용도.