KR20180123694A - 반도체칩 제조의 방법과 장치 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 반도체칩 제조의 방법과 장치를 제공한다. 반도체칩 제조의 방법은 다음과 같은 단계를 포함한다. 반도체 재료를 용해 상태로 가열하여 용해 반도체 재료를 얻는다. 열 분사 코팅 총을 이용해 용해 반도체 재료를 기판 위에 열 분사 코팅한 후 냉각하여 기판 위의 용해 반도체 재료를 응고시켜서 반도체칩을 얻어낸다. 본 발명의 방법은 반도체칩을 제조하는 데에 있어 재료의 이용률이 높고 제조 원가가 낮으며 제조하는 반도체칩의 사이즈가 크다. 또한 두께 조절이 가능하고 순도가 높으며 응용 전망이 광범위하다.

Description

반도체칩 제조의 방법과 장치
본 발명은 반도체칩 제조기술과 관련되어 있으며, 구체적으로 반도체칩 제조 방법과 장치에 관련되어 있다.
현재 전통적인 화석에너지는 줄곧 에너지 공급의 주요 부분을 차지해왔다. 그러나 화석에너지 매장량의 감소, 채굴 난이도의 부단한 증가 및 환경에 대한 지대한 영향 등의 문제로 인해 신에너지원의 발전이 시급해졌다.
반도체칩은 반도체 재료로 만들어진 기판으로, 집적회로, 태양광 발전 등의 분야에 광범위하게 응용된다. 실리콘은 가장 많이 사용되는 반도체 재료로서, 지구상에 매장량이 풍부하고 채굴이 용이하기 때문에 실리콘 태양열발전 기술은 발전 잠재력이 매우 높다.
현재 실리콘을 이용하여 제조하는 반도체칩은 일반적으로 드로잉 방법을 채택하는데, 이 방법은 생산 에너지 소모가 많고 환경오염이 심각하다. 특히 이 방법은 싱글 칩을 절편으로 제작하는 반도체칩이 필요하기 때문에 반도체 재료의 낭비가 쉽고 재료의 활용도가 비교적 낮다. 또한 이 방법을 이용하여 만든 반도체칩은 사이즈가 작아서 큰 폭의 반도체칩을 제작할 때 성형하기가 어렵다. 게다가 제조한 반도체칩은 일반적으로 두께가 크고 불순물이 많아 제조원가가 높을 뿐만 아니라 유연성 있는 반도체를 만들 수도 없다. 상기의 결함은 반도체 업계의 발전에 지대한 영향을 주었다.
본 발명은 반도체칩을 제조하는 방법과 장치를 제공한다. 재료의 활용도가 높고 제조 원가가 낮으며, 이 방법과 장치를 이용하여 만든 반도체칩은 사이즈가 크고 두께는 조절이 가능하며 순도가 높다. 특히 유연성 있는 반도체칩을 만들 수 있어 응용할 수 있는 전망이 광범위하다.
본 발명은 다음과 같은 순서를 포함하여 반도체칩을 제조하는 방법을 제공한다.
반도체 재료를 용해상태까지 가열하면 용해 반도체 재료를 얻을 수 있다.
열 분사 코팅 총을 이용해 상기의 용해반도체 재료를 기판위에 열 분사 코팅 하면 온도가 내려가면서 기판의 용해 반도체 재료를 응고시켜 반도체칩을 만들 수 있다.
본 발명은 상기의 반도체 재료에 대한 엄격한 제한 없이 이 분야의 일반적인 원소 반도체, 무기화합물 반도체, 유기화합물 반도체, 비결정성과 액화 반도체 등의 재료가 가능하며, 다결정 실리콘, 게르마늄, 셀레늄, 갈륨비소, 텔루르화 카드뮴, 비소화 카드뮴, 산화아연 등을 포함하며 이에 국한되지 않는다. 반도체 재료에 대해 열을 가하는 온도가 반드시 반도체 재료의 용해점 온도 이상이어야 용해 상태의 반도체 재료를 얻는데 도움이 된다는 것을 이해할 수 있다. 구체적으로 가열온도는 반도체 재료의 용해점 온도보다 100~400 ℃ 높을 수 있다. 예를 들어 가공을 기다리는 반도체 재료의 용해점이 T라면, 가열온도는 (T+100)-(T+400)℃, 더 나아가 (T+200)-(T+300)℃가 될 수 있다.
본 발명에서 열 분사 코팅은 용해상태의 반도체 재료를 기판 표면에 원자화 분사한 후 온도가 내려가면서 응고되어 침적하면서 박막이나 기판이 형성되는 과정을 말한다. 열 분사 코팅 시 주위 환경 온도는 반드시 반도체 재료의 용해점보다 높아야 반도체 재료의 분사 코팅에 도움이 된다. 또한 주위 환경이 먼지 없이 깨끗해야 반도체칩의 순도를 보장할 수 있다. 특히 접착층이 있는 방진망을 사용하여 먼지를 제거할 수 있으며, 접착층은 용해상태의 유리나 고온에 강한 에폭시 수지 등을 사용하여 코팅을 할 수 있다.
본 발명의 열 분사 코팅 총은 용해 반도체 재료를 기판 표면에 원자화 분사하는데 사용하는데, 고온을 견디고 원자화가 균일해야 한다. 이에 대해 엄격히 제한하지 않는다면 접촉이나 비접촉식 열 분사 코팅 총이 가능한데, 예를 들어 압축 공기 열 분사 코팅 총, 무기 열 분사 코팅 총, 회전 컵 열 분사 코팅 총 등이 있다. 특히 기체를 이용한 원자화 시, 기체는 불활성 기체를 사용해야한다. 아르곤가스, 네온가스 등을 포함하며 국한되지 않고, 또는 밀폐된 공간의 순환 기체를 사용할 경우 기체의 온도는 반도체의 용해점보다 높아야 반도체 재료의 분사 코팅에 도움이 된다.
본 발명에서 기판은 반도체 재료를 지탱하는 데 사용된다. 즉, 열 분사 코팅 총에 의해 원자화 분사를 거쳐 용해 반도체 재료가 기판 위에 떨어진다. 기판 표면은 반드시 평평하고 매끈해야 하며, 기판은 반도체 재료의 용해점 이상의 온도를 견딜 수 있어야 한다. 그 재료에 대해서는 엄격한 제한이 없는데, 예를 들어 고온에 견디는 금속이나 비금속 재료가 가능하다.
또한 열 분사 코팅 시 고온으로 열이 빨리 방출되는 특성에 따라 에너지 절약 측면에서는 고온 열전도율이 낮으면서 수명이 긴 보온재를 사용하여 열 분사 코팅의 각 관련 설비에 대해 내외 보온을 실시하여 에너지를 절약하고 에너지 소모를 줄일 수 있다.
본 발명은 열 분사 코팅 법제를 채택해 반도체칩을 제조하는데 이 방법은 기판의 사이즈에 대해 엄격히 요구하지 않는다. 즉, 제조한 반도체칩의 폭에 제한이 없으므로 구체적인 수요에 따라 설치할 수 있으며, 특히 대척폭의 반도체칩을 제조할 수 있다. 본 발명의 방법으로 구체적인 수요에 따라 두께가 다른 반도체칩 또한 만들 수 있다. 특히 두께가 50μm 이하인 반도체칩을 만들 수 있는데, 이 때 반도체칩은 유연성이 있어 응용 범위가 더욱 넓어진다. 본 발명의 방법은 절편할 필요가 없기 때문에 반도체 재료를 낭비하지 않으며 재료의 이용율이 높아 제조 원가를 낮추는 데에 도움이 된다.
본 발명의 방법 중에서 예를 들어 기판의 한쪽 끝에 결정을 깔아 두는 것 처럼 기판 위에 미리 결정을 깔아 두고 열 분사 코팅을 하면, 용해 반도체 재료를 기판의 결정에서 다른 끝 쪽으로 분사 코팅할 수 있으며 용해 반도체 재료는 냉각 응고 과정에서 결정체를 형성하게 된다.
본 발명은 열 분사 코팅에 관한 공정에서 계수의 통제에 엄격한 제한을 두지 않기 때문에 제조에 필요한 반도체칩의 재료, 사이즈, 두께 등 관련 계수에 따라 적절한 설치가 가능하다. 예를 들어 열 분사 코팅의 속도가 0.1-0.5L/s, 즉 초당 분사 코팅 0.1-0.5L의 용해 반도체 재료의 통제가 가능하다.
나아가 냉각 속도는 0.1-10℃/min로 통제가 가능하다. 냉각 속도에 대해서도 엄격한 제한을 두지 않는데, 예를 들어 연속적인 냉각과 계단식 냉각이 가능하다. 구체적으로 반도체 재료가 실리콘일 때 냉각 속도를 0.2-2℃/min로 통제할 수 있고, 반도체 재료가 산화 아연일 때 통제할 수 있는 냉각 속도는 5-10℃/min이다. 반도체 재료가 갈륨비소, 텔루르화 카드뮴, 비소화 카드뮴 등 기타 화합물 재료일 때 냉각 속도를 1-5℃/min로 통제할 수 있다. 본 발명의 구체적인 방안 중에 예를 들면, 기판 아래에 온도 조절이 가능한 가열 장치를 설치해서 기판의 가열과 냉각을 할 수 있다.
본 발명의 방법 중에서 냉각 이전에 상기 기판의 용해 반도체 재료를 분사하는 온도가 반도체 재료의 용해점의 불활성 기체보다 높으면 순도를 높일 수 있다. 불활성 기체를 분사하여 반도체칩의 불순물을 제거하는 데 사용함으로써 반도체칩의 순도를 높일 수 있다. 분사할 때는 기판이 노출되지 않아야 하며 분사 방식에 있어 외부에서 분사 한다거나 흔들어서 분사하는 등 엄격하게 제한하지 않는다.
본 발명에서 열 분사 코팅 총과 기판은 반드시 상대적으로 움직여서 연속적이고 균일하게 분사 코팅해야 한다. 예를 들어, 열 분사 코팅을 할 때 0.1-2m/min의 속도에서 상기의 열 분사 코팅 총 또는 기판이 연속적으로 이동할 수 있다. 구체적으로는 반도체 재료가 실리콘일 경우 연속적으로 이동할 수 있는 속도는 0.1-0.5m/min이고, 반도체 재료가 갈륨비소, 텔루르화 카드뮴, 비소화 카드뮴 등의 화합물 재료일 경우 연속으로 이동하는 속도는 0.5-2m/min가 될 수 있다.
나아가 본 발명의 방법으로 상기의 반도체칩에 대해 사진석판술 또는 반사방지 처리도 할 수 있다. 본 영역의 일반적인 방식으로 상기의 사진석판술이나 반사방지 처리를 할 수 있다. 사진석판술은 반도체칩 위에 형성된 나노 격자를 사용하는데 예를 들어 한 변의 길이가 10-50nm의 나노 격자이다. 사진석판술 또는 반사방지 처리를 거친 반도체 칩은 직접 무패키징공정 전지셀을 형성하거나 유리 패키지공정 후 패키징 전지셀을 형성할 수 있다.
본 발명은 또한 반도체칩을 제조하는 장치도 제공하는데, 밀폐된 공간과 그 공간 내부에 설치된 제1가열부, 열 분사 코팅 총 및 적재부를 포함하고,
열 분사 코팅 총의 출구 끝은 상기 제1가열부의 출구 끝 하단에 설치하며, 열 분사 코팅 총과 적재부는 상대적으로 이동이 가능하다.
이 적재부는 기판과 기판에 열을 가하는 제2가열부를 갖추고 있으며 기판은 열 분사 코팅 총의 하부에 설치되어 있다.
본 발명에서 밀폐 공간은 밀폐, 무진, 보온의 열 분사 코팅 환경을 제공하는 데 사용되고, 밀폐 공간 내부의 온도는 반도체 재료의 용해점보다 높아야 하며 반도체 재료의 분사 코팅에 유리하다. 이 밖에 밀폐 공간의 내벽과/또는 외벽에 보온층을 설치함으로써 에너지를 절약하고 에너지 소모를 줄일 수 있다.
본 발명은 열 분사 코팅 총과 적재부의 상대적 이동 방식에 엄격한 제한을 두지 않는다. 예를 들면, 적재부가 상대적으로 고정되어 열 분사 코팅 총이 움직여야 하거나 열 분사 코팅 총이 상대적으로 고정되어 적재부가 이동할 수 있다. 적재부가 이동하는 경우 적재부의 하부 간격에 따라 여러 개의 롤러가 설치될 수 있다.
본 발명의 제2가열부는 기판에 열을 가하는 데 쓰인다. 시행 방식에서 제2가열부는 가열강과 여러 개의 가열봉을 포함할 수 있고 가열강은 기판의 하부에 설치되며 여러 개의 가열봉은 기판의 길이 방향에 따라 차례대로 가열강의 내부에 설치된다. 이 시행 방식에서 각 가열봉의 온도는 단독으로 조절과 제어가 가능하여 냉각 조작에 유리하다.
나아가 본 발명의 장치에는 기판에 설치된 분사부도 포함되어 있는데, 분사부는 분사관과 분사관 끝에 설치된 분사 꼭지를 갖추고 있으며 분사 꼭지는 외부를 향해 비스듬히 설치된 노즐이 있다. 이 설치 방식의 분사부는 반도체칩의 불순물을 외부로 분출할 수 있다.
또 다른 시행 방식에서 본 발명의 장치는 기판에 설치된 분사부도 포함하는데, 분사부는 분사관과 분사관 끝에 설치된 분사 꼭지를 갖추고 있으며 분사 꼭지는 분사관에 상대적으로 진동할 수 있다. 이 설치 방식의 분사부는 반도체칩의 불순물을 진동으로 분출할 수 있다.
나아가 본 발명의 장치에는 송풍기, 진풍관과 제진부가 포함되어 있는데, 진풍관의 한쪽 끝과 송풍기는 연결되어 있고 진풍관의 다른 한쪽 끝은 밀폐 공간과 관통되어 있으며 제진부는 진풍관의 위에 설치되어 있다. 송풍기 및 진풍관과 제진부의 설치는 밀폐 공간 내부의 무진 환경을 보장하기 위함이다.
본 발명은 제진부의 구조에 대하여 엄격한 제한을 두지 않기 때문에 본 영역의 일반적인 제진 설비를 할 수 있다. 시행 방식에 있어서 제진부는 상자 모양의 외부와 상자 내부에 설치된 여러 층의 제진망을 갖추고 있으며 제진망 위에는 접착층이 설치되어 있다. 이 설치 방식은 먼지 제거 효과가 좋다.
본 발명의 방법과 장치는 반도체칩을 제조할 때 에너지 소모가 적고 환경 오염이 없으며 친환경적이다. 반도체 재료를 낭비하지 않으며 재료의 이용률이 높고 제조 원가가 낮아 전통적인 드로잉 방법의 6분의 1에 불과하다. 또한 이 방법과 장치를 이용해 만든 반도체 칩은 사이즈에 제한이 없으며 특히 대척폭의 기판을 제조할 수 있다. 반도체칩의 두께 조절이 가능한데 특히 두께가 50μm보다 작은 유연성 있는 기판을 만들 수 있다. 제조된 반도체 칩의 불순물이 적어 순도는 13~15개의 '9'(99.의 소수점 이후가 13~15개의 9)에 달하며 폐품률이 낮고 시장 경쟁력이 강하며 응용 전망이 광범위하다.
도 1 본 발명으로 실시되는 방식의 반도체칩 제조 방법의 공정 설명도이다.
도 2 본 발명으로 실시되는 방식의 반도체칩 제조 장치의 구조이다.
본 발명의 목적, 기술방안과 장점을 더욱 명확하게 하기 위해 아래에서 본 발명의 첨부그림과 실시 예시를 결합할 것이다. 본 발명의 실시 예시 중의 기술방안에 대해 명확하고 완전하게 묘사하며, 묘사된 실시 예시는 본 발명의 일부 예시이지 전체의 실시 예시가 아니다. 본 발명의 실시 예시에 근거하여, 이 분야의 일반 기술자들이 창조적인 노동을 하지 않았다는 전제 하에서 얻은 모든 기타 실시 예시는 본 발명의 보호 범위에 속한다.
반도체칩을 제조하는 환경과 설비는 다음과 같다.
환경 : 작업실 폐쇄, 보온, 무진, 반도체 재료의 용해점보다 높은 온도, 작업실 내외벽에 단열판 설치해 보호.
열 분사 코팅 총 : 접촉 또는 비접촉식 분사 총, 고온 내구성, 균등한 분사, 기체를 분사할 때 기체는 반드시 반도체 재료의 용해점 이상의 온도에서 가열해야 한다.
기판 : 고온에 강한 금속 또는 비금속 재료를 사용하며, 재료는 반도체 재료의 용해점 이상의 온도를 견디며, 기판 표면은 평평하고 매끌매끌하다.
실시 예시1
도 1에서 보듯, 온도가 1800℃정도인 밀폐 공간(1)에서 제1가열부(2)를 이용하여 다결정 실리콘을 1800℃ 정도까지 가열한 후 다결정 실리콘이 용해 상태가 되도록 한다.
기판(4)의 한쪽(왼쪽 끝)끝에 단결정 실리콘을 미리 깔고 제2가열부 (5)를 이용하여 기판(4)를 가열한다. 가열할 때 각각 가열공간(51)에 있는 가열봉(52)를 제어하여 용해 상태인 실리콘이 있는 기판(4)의 온도를 1800℃ 정도로 만든다. 이어 열 분사 코팅 총(3)을 0.3 L/s 정도의 분사 코팅 속도로 용해 상태인 실리콘을 기판(4)에 열 분사 코팅한다. 열 분사 코팅할 때 용해 상태 실리콘이 기판(4)의 단결정 실리콘 한쪽 끝에서 시작하여 뻗어 나가도록 하며, 롤러(6)를 이용해 0.3 m/min 정도의 속도로 연속적으로 기판(4)을 이동시킨다.
기판(4)에 있는 용해 상태의 실리콘에 온도가 1800℃ 정도인 불활성 기체를 분사하여 불순물을 기판(4)에서 분리한다. 각 가열봉(52)를 제어하여 1℃/min 정도의 속도로 계속해서 냉각시켜서 기판(4)의 용해 상태인 실리콘이 점차 응고되도록 한다. 응고 과정에서 결정체가 형성되어 두께 50μm인 유연성 있는 실리콘 칩을 얻으며, 순도는 15개의 '9'(즉 99.의 소수점 이하 15개의 9)이다. 나아가 유연성 있는 실리콘 칩에 대해 사진석판술이나 반사방지 처리를 할 수 있다.
실시 예시2
온도가 1600℃정도 되는 작업실에서 갈륨비소를 1600℃ 정도로 가열하여 갈륨비소를 용해상태가 되도록 한다.
열 분사 코팅 총으로 0.5 L/s정도의 분사 코팅 속도로 용해 상태인 갈륨비소를 기판에 열 분사 코팅한다. 이 때 1 m/min 정도의 속도로 연속해서 기판을 이동한다.
기판의 용해 상태 갈륨비소에 1600℃정도의 불활성 기체를 분사하여 불순물을 기판에서 분리한 후, 3℃/min의 속도로 계속하여 냉각시키면 기판의 용해 상태 갈륨비소가 점차 응고되어 두께가 100μm인 갈륨비소칩이 얻어진다. 순도는 13개 '9'(즉 99.의 소수점 이하가 13개의 9)이다.
실시 예시3
도 2에서 보듯, 반도체칩 제조 장치는 밀폐공간(1)과 밀폐공간(1) 내부에 설치된 제1가열부, 열 분사 코팅 총과 적재부를 포함한다. 열 분사 코팅 총(3)의 출구 끝은 제1가열부(2)의 출구 끝 하단에 있으며 열 분사 코팅 총(3)과 적재부는 상대적으로 이동이 가능하다. 적재부는 기판(4)과 기판(4)의 가열에 사용되는 제2가열부(5)를 갖추고 있으며 기판(4)는 열 분사 코팅 총(3)의 하부에 설치되어 있다.
밀폐공간(1)은 밀폐, 무진, 보온의 열 분사 코팅 환경을 제공하는데 쓰이며 밀폐공간(1) 내부의 온도는 반드시 반도체 재료의 용해점보다 높아야 반도체 재료의 분사 코팅에 유리하다. 또한 밀폐공간(1)의 내벽과/또는 외벽에 보온층(그림 없음)을 설치하여 에너지를 절약하고 에너지 소모를 줄일 수 있다.
열 분사 코팅 총(3)과 적재부가 상대적으로 이동하는 방식에는 엄격한 제한을 두지 않는다. 예를 들어 적재부를 상대적으로 고정시키고 열 분사 코팅 총(3)이 이동하거나 열 분사 코팅 총(3)이 상대적으로 고정되어 있고 적재부 이동 또한 가능하다. 적재부가 이동하는 경우 적재부의 하부 공간에 여러 개의 롤러(6)를 설치할 수 있다.
일 실시방식에서 제2가열부(5)에는 가열공간(51)과 여러 개의 가열봉(52)이 포함되고, 가열공간(51)은 기판(4)의 아래에 설치되며 여러 개의 가열봉(52)은 기판(4)의 길이 방향을 따라 순차적으로 가열공간(51) 내부에 설치된다. 이 방식에서 각 가열봉(52)의 온도는 개별적으로 조절과 제어가 가능하기 때문에 냉각 조작에 유리하다.
나아가 상기의 장치는 기판(4)의 윗면에 설치된 분사부(그림 없음)도 포함하는데 분사부는 분사관과 분사관 한쪽에 설치된 분사 꼭지를 갖추고 있으며, 분사 꼭지는 외부로 기울어져 설치된 분사 노즐이 있다. 이 설치 방식의 분사부는 반도체칩의 불순물을 외부로 분출할 수 있다.
또 다른 실시방식에는 상기 장치에서 기판 위에 설치된 분사부(그림 없음)를 포함하고, 분사부는 분사관과 분사관 한쪽 끝에 설치된 분사 꼭지를 갖추고 있으며, 분사 꼭지는 상대적으로 분사관과 진동할 수 있다. 이 설치 방식의 분사부는 반도체칩의 불순물을 진동 분출할 수 있다.
나아가 이 장치는 송풍기, 진풍관과 제진부를 포함하는데, 진풍관의 한쪽 끝과 송풍기는 연결되며 진풍관의 다른 한쪽 끝은 밀폐공간과 연결되고 제진부는 진풍관 위에 설치된다. 송풍기, 진풍관과 제진부를 설치하여 밀폐 공간 내부의 무진환경을 보장하는데 쓰인다. 상술한 제진부의 구조는 엄격하게 제한하지 않기 때문에 본 분야의 일반적인 제진부 설비를 하면 된다. 실시방식에서 제진부는 상자 외관과 여러 층의 상자 내부의 제진망을 갖추고 있고 제진망에 접착층이 설치되어 있다. 이 설치 방식은 제진 효과가 좋다.
최종적으로 이상 각 실시 예시들은 본 발명의 기술방안에 대한 설명이며 그것에 대한 제한이 아니다. 각 실시 예시를 참조하여 본 발명에 대해 상세하게 설명했으며 본 분야의 일반 기술자들은 반드시 이해해야 한다. 각 실시 예시에 기재된 기술 방안을 수정하거나 그 중 일부 또는 모든 기술 특징을 동일하게 바꿀 수 있다. 이러한 수정이나 교체는 해당 기술 방안의 본질이 본 발명의 각 실시 예시 기술 방안의 범위를 벗어나게 하지 않는다.
1：밀폐공간； 2：제1가열부； 3：열 분사 코팅 총；
4：기판； 5：제2가열부； 51：가열공간；
52：가열봉； 6：롤러.

Claims (10)

  1. 반도체칩 제조 방법에 있어서,
    반도체 재료를 용해상태로 가열하여 용해 반도체 재료를 얻는 단계; 및
    열 분사 코팅 총으로 용해한 반도체 재료를 기판 위에 열 분사 코팅한 후 냉각하여 기판 위의 용해 반도체 재료를 응고시켜 반도체칩을 얻는 단계
    를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체칩 제조방법.
  2. 제1 항에 있어서,
    열 분사 코팅 총의 속도를 0.1-0.5L/s로 제어하는 것을 특징으로 하는 반도체칩 제조방법.
  3. 제1 항에 있어서, 냉각 속도를 0.1-10℃/min로 제어하는 것을 특징으로 하는 반도체칩 제조방법.
  4. 제1 항에 있어서, 냉각 전에 해당 기판 위의 용해 반도체 재료에 상기 반도체 재료의 용해점보다 온도가 높은 불활성기체를 분사하여 정제하는 것을 특징으로 하는 반도체칩 제조방법.
  5. 제1 항에 있어서, 열 분사 코팅을 진행할 때 0.1-2m/min의 속도로 열 분사 코팅 총이나 기판을 연속적으로 이동하는 것을 특징으로 하는 반도체칩 제조방법.
  6. 제1 항에 있어서, 상기의 반도체 기판에 사진석판술이나 반사 방지 처리를 하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체칩 제조방법.
  7. 반도체칩 제조 장치에 있어서, 밀폐공간과 밀폐공간 내부에 설치된 제1가열부, 열 분사 코팅총과 적재부를 포함하되, 열 분사 코팅 총의 출구 끝은 제1가열부의 출구 끝 하단에 설치되어 있으며 열 분사 코팅 총과 적재부는 상대적으로 이동이 가능하고, 상기 적재부는 기판과 기판에 열을 가하는 제2가열부를 갖추고 있으며 상기 기판은 열 분사 코팅 총의 하부에 설치되는 것
    을 특징으로 하는 반도체칩 제조 장치.
  8. 제7 항에 있어서, 제2가열부는 가열공간과 복수의 가열봉을 포함하되, 상기 가열공간은 기판의 아래에 설치되어 있고 복수의 가열 봉은 기판의 길이 방향을 따라 순차적으로 해당 가열공간 내부에 설치되는 것을 특징으로 하는 반도체칩 제조 장치.
  9. 제7 항에 있어서, 기판 위에 설치된 분사부를 더 포함하되, 분사부는 분사관과 분사관 한쪽 끝에 설치된 분사 꼭지를 포함하고, 상기 분사 꼭지는 외부를 향해 기울어져 설치된 분사 노즐이 갖는 것을 특징으로 하는 반도체칩 제조 장치.
  10. 제7 항에 있어서, 송풍기와 진풍관 및 제진부를 더 포함하되, 상기 진풍관의 한쪽 끝과 송풍기는 연결되어 있고 상기 진풍관의 다른 한쪽 끝은 밀폐공간과 연결되어 있으며 제진부는 진풍관 위에 설치되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체칩 제조 장치.
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