CN203895418U - 保护晶圆表面的装置 - Google Patents
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Abstract
本实用新型揭露了一种保护晶圆表面的装置，所述装置在晶圆制造过程中需要长期存放或运输时在晶圆表面形成保护膜，所述装置包括保护膜形成系统、保护膜去除系统，所述保护膜成型系统包括保护液供给模块、保护液成型模块，所述保护液供给模块用于将有机溶液供给到晶圆表面，晶圆表面的有机溶剂在所述保护液成型模块中液体成型形成保护膜；所述保护膜去除系统将保护膜从晶圆表面去除。这样，能防止在教长时间的存放或运输时在晶圆表面形成缺陷，提高产品的良率和可靠性。
Description
技术领域
本实用新型涉及集成电路制造领域，尤其涉及一种保护晶圆表面的装置。
背景技术
在半导体集成电路制造工艺中，在晶圆制造阶段，由于工序或其他原因晶圆需要入库暂存或远途运送至其他工厂加工，现有技术中通常利用晶圆盒或封装盒密封存放，虽然对存放的环境和容器做了严格的控制，但由于科技和成本以及晶圆处于制造阶段并未封装完全等原因，不可避免的还是会在晶圆表面产生各种缺陷和污染。例如晶圆盒由于使用时间的增加，在盒内产生的微小颗粒会对晶圆表面造成污染或缺陷，又或者金属垫长期暴露在空气中产生晶体缺陷。这些缺陷或污染严重影响了器件的良率，严重的甚至会引起晶圆报废。如能减少或避免这些缺陷和污染对晶圆表面的影响，则能大大提升产品的良率和可靠性。
实用新型内容
本实用新型提供一种保护晶圆表面的装置，以解决晶圆需要较长时间的存放或运输时会在晶圆表面形成各种缺陷或污染的问题。
为解决上述问题，本实用新型提供一种保护晶圆表面的装置，所述装置在晶圆制造过程中需要长期存放或运输时在晶圆表面形成保护膜，所述装置包括保护膜形成系统、保护膜去除系统，所述保护膜成型系统包括保护液供给模块、保护液成型模块，所述保护液供给模块用于将有机溶液供给到晶圆表面，晶圆表面的有机溶剂在所述保护液成型模块中液体成型形成保护膜；所述保护膜去除系统将保护膜从晶圆表面去除。
可选的，所述保护液供给模块利用喷嘴将有机溶液喷涂到晶圆表面。
可选的，所述保护液供给模块利用旋涂法或浸入法在晶圆表面形成有机溶液。
可选的，所述有机溶液为水溶性聚亚安酯。
可选的，所述形成的保护膜的厚度为30μm～100μm。
可选的，所述保护膜去除系统利用机械的方式剥离所述保护膜。
可选的，所述保护膜去除系统利用加热气化的方式去除所述保护膜。
可选的，所述保护膜去除系统利用紫外光分解并清洗的方式去除所述保护膜。
与现有技术相比，本实用新型提供的保护晶圆表面的装置，在晶圆需要较长时间存放或运输时，在晶圆表面形成液体成型的保护膜，在存放或运输结束进行后续的工艺时，将保护膜通过物理或化学的方式去除。这样，由于保护膜的存在，避免直接对晶圆污染或损伤，能大大提高器件的可靠性，避免报废或返工造成的损失。
附图说明
图1为本申请实施例的保护晶圆表面的装置的结构图；
图2为本申请一实施例的保护膜形成系统的结构示意图；
图3为本申请一实施例的保护膜去除系统的示意图；
图4为本申请另一实施例的保护膜去除系统的示意图。
具体实施方式
本实用新型的核心思想在于，提供一种保护晶圆表面的装置，所述装置在晶圆制造过程中需要长期存放或运输时，在晶圆表面形成有机溶液，所述有机溶液在晶圆表面液体成型以形成保护膜保护膜，所述保护膜能在长期存放或运输后通过物理或化学的方式去除。这样，由于保护膜的存在，避免直接对晶圆污染或损伤，能大大提高器件的可靠性，避免报废或返工造成的损失。
以下结合附图和具体实施例对本实用新型提出的保护晶圆表面的装置作进一步详细说明。根据下面说明和权利要求书，本实用新型的优点和特征将更清楚。
参考附图1，图1为本实施例的保护晶圆表面的装置的结构图。所述装置在晶圆制造过程中需要长期存放或运输时在晶圆表面形成保护膜，所述装置包括保护膜形成系统、保护膜去除系统，所述保护膜成型系统包括保护液供给模块、保护液成型模块，所述保护液供给模块用于将有机溶液供给到晶圆表面，晶圆表面的有机溶剂在所述保护液成型模块中液体成型形成保护膜；所述保护膜去除系统将保护膜从晶圆表面去除。此外还包括传动系统，用于将晶圆传输到所述保护膜形成系统或保护膜去除系统中。
具体的，本实施例中，参照图2，所述保护液供给模块可以利用喷嘴106将有机溶液喷涂到晶圆101的表面，其中喷嘴106设置在晶圆101上方，喷嘴106可在水平方向移动，通过气压装置102将有机溶液从存储装置103中通过管路105提供给喷嘴106，然后均匀喷涂到放置于旋转的载物台107上的晶圆101的表面。其中，所述有机溶液可选用水溶性聚亚安酯。较优的，所述有机溶剂液体成型所形成的保护膜的厚度可以为30μm～100μm，这样可以保证晶圆表面不会形成污染或缺陷。当然，所述保护液供给模块还可以利用旋涂法或浸入法在晶圆表面形成有机溶液。
在利用本实用新型的保护晶圆表面的装置在晶圆表面形成保护膜后，即可利用正常的运输或存放方式进行运输或存放，晶圆盒内的微小颗粒污或空气中的有害气体无法直接接触到晶圆表面，避免了晶圆表面各类缺陷的形成。在存放或运输结束后，只需利用保护膜去除系统将保护膜从晶圆表面去除即可。所述保护膜去除系统可以选择不同的方式去除晶圆表面的保护膜，具体的，参照图3，将晶圆101置于保护膜去除系统的载物台107上，然后通过机械的方式将保护膜108从晶圆101表面剥离，或者如图4所示，利用加热气化的方式去除晶圆101表面的保护膜108，又或者利用紫外光分解并清洗的方式去除晶圆表面的保护膜，具体的，利用传动系统将待去除保护膜108的晶圆101置于载物台107上，然后利用加热装置或紫外光发射装置109使晶圆表面的保护膜108气化或分解，然后清洗晶圆101表面，去除残余物。
综上所述，本实用新型提供了一种保护晶圆表面的装置，所述保护晶圆表面的装置在晶圆表面形成保护膜，这样，保护膜在较长时间存放或运输期间可以保护晶圆表面，避免在晶圆表面形成缺陷，大大提高产品的可靠性和良率。
显然，本领域的技术人员可以对本实用新型进行各种改动和变型而不脱离本实用新型的精神和范围。这样，倘若本实用新型的这些修改和变型属于本实用新型权利要求及其等同技术的范围之内，则本实用新型也意图包含这些改动和变型在内。
Claims (8)
1.一种保护晶圆表面的装置，其特征在于，所述装置在晶圆制造过程中需要长期存放或运输时在晶圆表面形成保护膜，所述装置包括保护膜形成系统、保护膜去除系统，所述保护膜成型系统包括保护液供给模块、保护液成型模块，所述保护液供给模块用于将有机溶液供给到晶圆表面，晶圆表面的有机溶剂在所述保护液成型模块中液体成型形成保护膜；所述保护膜去除系统将保护膜从晶圆表面去除。
2.如权利要求1所述的保护晶圆表面的装置，其特征在于，所述保护液供给模块利用喷嘴将有机溶液喷涂到晶圆表面。
3.如权利要求1所述的保护晶圆表面的装置，其特征在于，所述保护液供给模块利用旋涂法或浸入法在晶圆表面形成有机溶液。
4.如权利要求1所述的保护晶圆表面的装置，其特征在于，所述有机溶液为水溶性聚亚安酯。
5.如权利要求1所述的保护晶圆表面的装置，其特征在于，所述形成的保护膜的厚度为30μm～100μm。
6.如权利要求1所述的保护晶圆表面的装置，其特征在于，所述保护膜去除系统利用机械的方式剥离所述保护膜。
7.如权利要求1所述的保护晶圆表面的装置，其特征在于，所述保护膜去除系统利用加热气化的方式去除所述保护膜。
8.如权利要求1所述的保护晶圆表面的装置，其特征在于，所述保护膜去除系统利用紫外光分解并清洗的方式去除所述保护膜。
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Cited By (1)
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|---|---|---|---|---|
| CN115319639A (zh) * | 2022-09-22 | 2022-11-11 | 西安奕斯伟材料科技有限公司 | 研磨装置、研磨方法及硅片 |
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2013
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