CN103264025B - 晶舟自动吹扫装置 - Google Patents

晶舟自动吹扫装置 Download PDF

Info

Publication number
CN103264025B
CN103264025B CN201310213627.0A CN201310213627A CN103264025B CN 103264025 B CN103264025 B CN 103264025B CN 201310213627 A CN201310213627 A CN 201310213627A CN 103264025 B CN103264025 B CN 103264025B
Authority
CN
China
Prior art keywords
nozzle
brilliant boat
purging
guide rail
boiler tube
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201310213627.0A
Other languages
English (en)
Other versions
CN103264025A (zh
Inventor
俞玮
倪立华
裴雷洪
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Shanghai Huali Microelectronics Corp
Original Assignee
Shanghai Huali Microelectronics Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Shanghai Huali Microelectronics Corp filed Critical Shanghai Huali Microelectronics Corp
Priority to CN201310213627.0A priority Critical patent/CN103264025B/zh
Publication of CN103264025A publication Critical patent/CN103264025A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN103264025B publication Critical patent/CN103264025B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Landscapes

  • Nozzles (AREA)
  • Cleaning In General (AREA)

Abstract

本发明公开了一种晶舟自动吹扫装置，属于半导体技术领域。其设置在炉管内的装载区，具体可以包括：喷嘴、导轨和吹扫控制机构，喷嘴用于喷洒吹扫气体，以实现将晶舟槽内残留物自动清除的功能，在清除过程中，所述喷嘴可沿着所述导轨行进；所述吹扫控制结构用于控制喷嘴的吹扫状态。通过这种方案自动实现了残留物的清扫，避免了现有技术中人工进行停机、清扫等工作，从而降低了产品的生产成本，提高了产品的良率。

Description

晶舟自动吹扫装置
技术领域
本发明属于半导体技术领域，具体地说，涉及一种晶舟自动吹扫装置。
背景技术
在半导体制造工艺中，为了设置分立器件和集成电路，需要在晶圆的衬底上沉积不同种类的薄膜。而在各种沉积薄膜的方法中，低压化学气相沉积(LPCVD，Low Pressure Chemical Vapor Deposition)是一种常用的方法，已经被广泛应用到各种薄膜的沉积工艺中。
在LPCVD工艺中，当前采用的主流设备是垂直炉管，而在炉管中，使用晶舟来进行硅片传送、清洗及加工的承载工具。半导体工艺中，一般晶舟有两种材质，一是石英/碳化硅，另一是特氟龙。石英/碳化硅晶舟用在温度较高(大于300℃)的场合，如炉管工艺。而特氟龙晶舟则用在传送或酸处理的场合。
目前，在炉管工艺中，由于硅片与晶舟的硅片支撑脚的材质不同，其在高温下的热膨胀率不同。因此，在升降温过程中，硅片与晶舟的硅片支撑脚处的膜容易产生剥落，导致硅片在晶舟的硅片支撑脚位置的颗粒不断积累，影响产品良率。如果不及时吹扫晶舟槽内的颗粒(剥落的膜)，会对后续再进管的产品产生不良影响。目前的晶舟槽内的颗粒的清除手法主要依赖于工程师手动将晶舟搬走，之后，后用氮气枪吹扫，然后再安装回炉管内，并进行机械手传送校正确认。但是，这种方式依赖于手工，在吹扫的过程中，设备必须停机时间，而且还需要人为搬送石英件。因此，导致产品的生产成本较高，产品的良率较低。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是提供一种晶舟自动吹扫装置，用以实现线性和分布式控制。
为解决上述技术问题，本发明提供了一种晶舟自动吹扫装置，其设置在炉管内的装载区，包括：喷嘴、导轨和吹扫控制结构，喷嘴用于喷洒吹扫气体，以实现将晶舟槽内残留物自动清除的功能，在清除过程中，所述喷嘴可沿着所述导轨行进；所述吹扫控制结构用于控制喷嘴的吹扫状态。
优选地，在本发明的一实施例中，所述吹扫控制结构为一气缸。
优选地，在本发明的一实施例中，所述反应物为氮气。
优选地，在本发明的一实施例中，所述炉管为垂直炉管。
优选地，在本发明的一实施例中，还可以包括驱动机构，用于接口控制信号，驱动所述喷嘴在所述导轨上行进。
优选地，在本发明的一实施例中，所述喷嘴在其工作状态下配合晶舟的旋转，完成对晶舟的全方位吹扫。
为解决上述技术问题，本发明提供了一种炉管，其包括上述任一晶舟自动吹扫装置。
本发明中，晶舟自动吹扫装置设置在炉管内的装载区，包括：喷嘴、导轨和吹扫控制结构，喷嘴用于喷洒吹扫气体，以实现将晶舟槽内残留物自动清除的功能，在清除过程中，所述喷嘴可沿着所述导轨行进；所述吹扫控制结构用于控制喷嘴的吹扫状态。通过这种方案自动实现了残留物的清扫，避免了现有技术中人工进行停机、清扫等工作，从而降低了产品的生产成本，提高了产品的良率。
附图说明
图1为本发明实施例中晶舟自动吹扫装置的结构示意图；
图2为喷嘴101的吹扫状态示意图。
具体实施方式
以下将配合图式及实施例来详细说明本发明的实施方式，藉此对本发明如何应用技术手段来解决技术问题并达成技术功效的实现过程能充分理解并据以实施。
本发明的下述实施例中，晶舟自动吹扫装置设置在炉管内的装载区，包括：喷嘴、导轨和吹扫控制结构，喷嘴用于喷洒吹扫其他，以将晶舟槽内残留物自动清除的功能，在清除过程中，所述喷嘴可沿着所述导轨行进；所述吹扫控制结构用于控制喷嘴的吹扫状态。通过这种方案自动实现了残留物的清扫，避免了现有技术中人工进行停机、清扫等工作，从而降低了产品的生产成本，提高了产品的良率。
如图1所示，为本发明实施例中晶舟自动吹扫装置的结构示意图，其设置在炉管内的装载区10，包括：喷嘴101、导轨102和吹扫控制结构(图中未示出)，喷嘴101用于喷洒吹扫气体，以将晶舟槽内的残留物自动清除的功能，在清除过程中，可通过马达的运转，带动所述喷嘴101沿着所述导轨102或者其他机构行进；所述吹扫控制结构用于控制喷嘴101的吹扫状态。
优选地，在本实施例中，所述吹扫控制结构可以为一气缸。在另外一实施例中，所述吹扫控制结构也可以其他机构，在此并不做特殊限定。
优选地，在本实施例中，所述吹扫气体可以为常用的氮气。在另外一实施例中，所述气体也可以其他气体或者液体，在此并不做特殊限定。
优选地，在本实施例中，所述炉管为垂直炉管。当然，在另外一实施例中，所述炉管也可以水平炉管或者其他类型的炉管，在此并不做特殊限定。
优选地，在本发明的一实施例中，还可以包括驱动机构(图中未示出)，该驱动机构可以为一马达，用于接口控制信号，驱动所述喷嘴101在所述导轨102上行进。如果是垂直炉管的话，则是根据工艺的需求，驱动所述喷嘴101在所述导轨102垂直上升降。如果是水平炉管的话，则是根据工艺的需求，驱动所述喷嘴101在所述导轨102上水移动。
优选地，在本发明的一实施例中，所述喷嘴101的吹扫状态使喷嘴101沿任意方向喷洒吹扫气体，随着晶舟的旋转，从而完成全方位的吹扫。在吹扫控制结构的控制下，喷嘴的工作状态从大的方面定义的话包括工作状态和非工作状态，如图2所示，竖直方向时，喷嘴处于非工作状态，而对象晶舟105时，则是处在工作状态中，可以对喷嘴101相对晶舟103喷洒方向的任意控制，如图2所示，为喷嘴101的吹扫状态示意图。而该过程可以具体利用气缸或者其他机械结构来实现，在此不再赘述。
当需要清除晶舟槽中的残留物时，本发明上述实施例中的晶舟自动吹扫装置工作过程如下：
通过吹扫控制装置启动所述晶舟自动吹扫装置中的喷嘴，使所述喷嘴瞄向要处理的晶舟；
控制喷嘴向晶舟喷洒吹扫气体如氮气，在喷洒的过程中，不断调整喷嘴的喷洒方向和沿着导轨上下移动所述喷嘴，从而彻底的清除晶舟槽中的残留物。
清除完毕，使所述晶舟自动吹扫装置回归于装载区，处于待机状态。
上述实施例中，装载区10中从下到上依次还有帽桩cap103、机架pedestal104和晶舟boat 105，详细结构在此不再赘述。
在另外一实施例子中，炉管可以包括上述晶舟自动吹扫装置，详细不再赘述。
上述说明示出并描述了本发明的若干优选实施例，但如前所述，应当理解本发明并非局限于本文所披露的形式，不应看作是对其他实施例的排除，而可用于各种其他组合、修改和环境，并能够在本文所述发明构想范围内，通过上述教导或相关领域的技术或知识进行改动。而本领域人员所进行的改动和变化不脱离本发明的精神和范围，则都应在本发明所附权利要求的保护范围内。

Claims (7)

1.一种晶舟自动吹扫装置，其特征在于，所述晶舟自动吹扫装置设置在炉管内的装载区，包括：喷嘴、导轨和吹扫控制结构，所述喷嘴用于喷洒吹扫气体，以将晶舟槽内残留物自动清除，在清除过程中，所述喷嘴沿着所述导轨行进；所述吹扫控制结构使所述喷嘴在与所述导轨垂直的平面内绕其靠近所述导轨的一端旋转，用以控制所述喷嘴的吹扫状态为工作状态或非工作状态以及在所述喷嘴处于工作状态时任意控制所述喷嘴相对晶舟的喷洒方向。
2.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述吹扫控制结构为一气缸。
3.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述吹扫气体为氮气。
4.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述炉管为垂直炉管。
5.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，还包括驱动机构，用于接口控制信号，驱动所述喷嘴在所述导轨上行进。
6.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述喷嘴在其工作状态下配合所述晶舟的旋转，完成对所述晶舟的全方位吹扫。
7.一种炉管，其特征在于，包括权利要求1-6任一所述晶舟自动吹扫装置。
CN201310213627.0A 2013-05-31 2013-05-31 晶舟自动吹扫装置 Active CN103264025B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201310213627.0A CN103264025B (zh) 2013-05-31 2013-05-31 晶舟自动吹扫装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201310213627.0A CN103264025B (zh) 2013-05-31 2013-05-31 晶舟自动吹扫装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN103264025A CN103264025A (zh) 2013-08-28
CN103264025B true CN103264025B (zh) 2015-08-05

Family

ID=49007711

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201310213627.0A Active CN103264025B (zh) 2013-05-31 2013-05-31 晶舟自动吹扫装置

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN103264025B (zh)

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105689330B (zh) * 2016-03-29 2018-08-28 上海华力微电子有限公司 一种改善炉管晶舟支撑脚颗粒状况的装置及方法
CN107497779A (zh) * 2017-09-19 2017-12-22 海盐众信电子有限公司 一种用于生产继电器的磁保持除尘机及除尘方法
CN107791087A (zh) * 2017-11-29 2018-03-13 曹建华 铝边框自动吹屑机
CN110523709A (zh) * 2019-09-11 2019-12-03 格力电器（郑州）有限公司 一种吹扫设备、吹扫胀管机底座的方法和存储介质
CN112620243B (zh) * 2019-10-08 2024-03-26 长鑫存储技术有限公司 清洁装置及清洁方法

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH07106272A (ja) * 1993-05-31 1995-04-21 Tokyo Electron Ltd 縦型熱処理装置
JP2004104029A (ja) * 2002-09-12 2004-04-02 Hitachi Kokusai Electric Inc 基板処理装置および半導体装置の製造方法
CN1808690A (zh) * 2004-12-09 2006-07-26 东京毅力科创株式会社 成膜方法和成膜装置以及存储介质
CN101026083A (zh) * 2006-02-21 2007-08-29 旺宏电子股份有限公司 反应器制造芯片的方法
CN101092277A (zh) * 2006-06-23 2007-12-26 东京毅力科创株式会社 石英制品的烘焙方法、计算机程序和存储介质
CN101532126A (zh) * 2008-03-14 2009-09-16 东京毅力科创株式会社 半导体处理用的成膜装置及其使用方法

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20020020433A1 (en) * 1999-12-28 2002-02-21 Asami Suemura Oxidation apparatus and method of cleaning the same
JP4358077B2 (ja) * 2004-09-21 2009-11-04 株式会社東芝 成膜装置及び成膜方法

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH07106272A (ja) * 1993-05-31 1995-04-21 Tokyo Electron Ltd 縦型熱処理装置
JP2004104029A (ja) * 2002-09-12 2004-04-02 Hitachi Kokusai Electric Inc 基板処理装置および半導体装置の製造方法
CN1808690A (zh) * 2004-12-09 2006-07-26 东京毅力科创株式会社 成膜方法和成膜装置以及存储介质
CN101026083A (zh) * 2006-02-21 2007-08-29 旺宏电子股份有限公司 反应器制造芯片的方法
CN101092277A (zh) * 2006-06-23 2007-12-26 东京毅力科创株式会社 石英制品的烘焙方法、计算机程序和存储介质
CN101532126A (zh) * 2008-03-14 2009-09-16 东京毅力科创株式会社 半导体处理用的成膜装置及其使用方法

Also Published As

Publication number Publication date
CN103264025A (zh) 2013-08-28

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN103264025B (zh) 晶舟自动吹扫装置
JP6026351B2 (ja) 成膜装置のクリーニング方法および成膜装置
US20160089696A1 (en) Substrate processing method
KR20120120245A (ko) 반도체 프로세싱을 위한 코팅 물질을 갖는 가스 분배 샤워헤드
KR102654243B1 (ko) 고밀도 플라즈마 cvd 시스템들에서 제 1 웨이퍼 금속 오염 효과 제거
JP2007165472A (ja) フラットディップ装置およびフラットディップ装置のはんだ付け方法
WO2017098823A1 (ja) 基板洗浄装置
JP6194034B2 (ja) 蒸着装置及び蒸着方法
KR101680291B1 (ko) 증착 장치 및 증착 방법
CN1791968A (zh) 衬底处理方法和衬底处理装置
CN107533998B (zh) 基板处理装置以及清洗腔室的方法
TW202015816A (zh) 噴淋裝置及清洗設備
US20170032940A1 (en) Chemical vapor deposition tool and operating method thereof
CN203794981U (zh) 远程等离子体系统与化学气相沉积设备之间的连接装置
US20190041743A1 (en) Substrate processing device, substrate processing method, and program recording medium
CN104962880A (zh) 一种气相沉积设备
JP6316759B2 (ja) ガス供給系清浄化方法および基板処理装置
US20160104601A1 (en) Local dry etching apparatus
WO2017177565A1 (zh) 用于精密生产的环境保持系统及方法
CN105220115A (zh) 一种对镀膜产品二次清洁的离子净化系统及其净化方法
JP2005336590A (ja) 成膜装置および成膜装置を用いた成膜システム
US9589825B2 (en) Glass substrate transfer system and robot arm thereof
KR102112130B1 (ko) 샤워헤드 장치
JP2017175053A (ja) 局所ドライエッチング装置
US20160068425A1 (en) Glass substrate transfer system and robot arm thereof

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant