CN201040358Y - 为破坏晶圆表面电路的去除设备 - Google Patents

Abstract

本实用新型涉及一种为破坏晶圆表面电路的去除设备，特别系指一种可在晶圆厂内破坏晶圆表面电路的去除设备，该去除设备包含有一去除装置、一输送装置、一入料装置及一出料装置，其中入、出料装置系设于输送装置两端，且输送装置可将晶圆加载去除装置内部，而去除装置系于输送装置之晶圆上方设有复数喷砂单元，喷砂单元系以水平方式进行喷砂，又去除装置于晶圆下方设有一抽风单元，其可利用抽风之风力使喷砂向下刮除、破坏晶圆表面之护层与电路，透过前述之间接喷砂之特殊设计，使其可直接于晶圆厂进行破坏晶圆表面电路布局的工作，以防止晶圆电路布局外泄。

Description

为破坏晶圆表面电路的去除设备

【技术领域】

本实用新型涉及一种破坏晶圆表面电路布局的技术领域，具体而言系指一种仅破坏电路、且不伤及硅基板的去除设备。

【背景技术】

按，由于硅基板(Silicon Substrate)具有极佳的绝缘性与应变性，因此其被广泛的应用于半导体与太阳能光电之制程上，做为承载用之基板，而受到能源的短缺，使硅基板的价格日益高涨，由于一般用于半导体制程的硅基板，为了符合其制程设备及多道重复溅镀、蚀刻的制程，其外缘被要求为圆盘状，外径需为8寸或12寸，且厚度需达725um+/-25um，而用于太阳能光电制程的硅基板的外缘形状与尺寸规格较不受限制，且其所需的厚度仅约300um即可，因此太阳能光电厂为了降低成本，通常系收购半导体厂在制程中所产生的不良品或破片，而在去除硅基板表面金属层后，再重新加工用于太阳能板上；

然现有半导体厂在考虑不良品之晶圆表面上，已形成完整的电路布局(Pattern)，为了避免泄露客户的Know-How与知识产权，因此一般通常会先将不良品予以打碎，再回炉重新磊晶形成硅基板，如此对半导体厂出售破碎晶圆的价格极低，且对太阳能厂而言，其更需要重新磊晶，而增加处理的时间、流程与成本；

因此如能将半导体厂所产生的不良晶圆完整的出售，则不仅极大提高其售价、增加半导体厂的收入，且也可以减少后续处理的程序与不便，进而提升其经济效益，然欲完整出售不良晶圆前，需先克服如何去除晶圆表面电路的问题，且在去除电路的过程中不能伤及硅基板，以降低再生过程中的破片率，然现有具体公开使用之设备及数据中，从未教示一种可满足前述去除晶圆电路要求的方法，因此如能解决此一问题，则可提升处理不良晶圆的价值。

【实用新型内容】

本实用新型之主要目的在于提供一种为破坏晶圆表面电路的去除设备，可于半导体厂直接去除晶圆表面之电路，防止泄露客户机密，并可提高硅基板回收的经济价值。

本实用新型是这样实现的，为破坏晶圆表面电路的去除设备，包含有：

一去除装置，其系于内部上段设有复数喷砂单元，且各喷砂单元呈水平设备，使其砂粒呈水平状喷出的，去除装置内部下段设有一抽风单元，该抽风单元可将喷砂单元喷出的砂粒向下吸动，使砂粒改变喷射方向；

一输送装置，其设于去除装置内，供将晶圆加载与移出去除装置内部，且输送装置穿设于去除装置的喷砂单元与抽风单元之间；

一入料装置，其设于输送装置的入料端；

一出料装置，其设于输送装置的出料端。

该去除设备组装于可移式载具上。

该去除装置上设有一用以吸除去除装置内砂尘的集尘单元。

另外，本实用新型结构也可以这样实现，为破坏晶圆表面电路的去除设备，包含有：一去除装置，其于内部上段设有复数喷砂单元，且各喷砂单元系呈水平设备，使其砂粒系呈水平状喷出，又去除装置内部下段设有一抽风单元，该抽风单元可将喷砂单元喷出的砂粒向下吸动，使砂粒改变喷射方向，而晶圆可承载于喷砂单元与抽风单元间。

该去除装置上设有一用以吸除去除装置内砂尘的集尘单元。

本实用新型前述技术手段的具体展现，让本实用新型可利用间接喷砂之特殊设计，使其可直接于晶圆厂进行破坏晶圆表面电路布局的工作，以防止晶圆电路布局外泄，同时可避免伤及硅基板，让晶圆硅基板可再生做为量测晶圆或太阳能板之硅基板，而能增加其附加价值，进而提升其回收的经济效益。

【附图说明】

图1是本实用新型去除设备之示意图。

图2是本实用新型去除设备之去除单元示意图。

图3是本实用新型去除晶圆表面电路之动作示意图。

图4是本实用新型去除晶圆表面电路后之示意图。

主要组件符号说明：

10去除装置    11喷砂单元

12抽风单元    15集尘单元

20输送装置    30入料装置

40出料装置    50晶圆

51硅基板      52薄膜

55金属电路    56去电路层

【具体实施方式】

本实用新型系一种为破坏晶圆表面电路的去除设备，请参看图1所揭示，其系本实用新型之结构图，本实用新型系可供组装于可移式载具上，如一般货柜车或推车等，供于各半导体厂间移动回收晶圆，而本实用新型去除设备主要包含有一去除装置10、一输送装置20、一入料装置30及一出料装置40；其中：

如图2所示，该去除装置10内部上段设有复数喷砂单元11，且各喷砂单元11系呈水平设备，使其砂粒系呈水平状喷出，以避免直接喷在晶圆50表面，又去除装置10内部下段设有一抽风单元12，该抽风单元12可将喷砂单元11喷出之砂粒向下吸动，使砂粒改变喷射方向，再者去除装置10上设有一集尘单元15，其用以吸除去除装置10内的砂尘，以避免破坏环境；

又输送装置20系设于去除装置10内，供将晶圆50加载与移出去除装置10内部，且输送装置20系穿设于去除装置10的喷砂单元11与抽风单元12之间，使喷砂单元11位于晶圆50上方，而抽风单元1

2位于晶圆50下方；

再者入料装置30系设于输送装置20之入料端，用以将晶圆11移至输送装置20上，以达自动化操作之便；

另出料装置40系设于输送装置20之出料端，用以将晶圆11移出输送装置20，并装填于容置盒内，供自动化操作；

藉此，组构成一种为破坏晶圆表面电路的去除设备。

而关于本实用新型之实际使用状态，则仍请同时参看图1至图5所示，不良之晶圆50在离开无尘室后，利用入料装置30将晶圆50载送至输送装置20上，并由输送装置20送入去除装置10内部，于定位后，同时启动喷砂单元11与抽风单元12，如图2所示，当喷砂单元11之砂粒水平喷出后，可避免冲击力极大的砂粒直接喷击于下方的晶圆50金属层55表面，而藉由抽风单元12之抽动，使喷砂单元11水平喷出之砂粒可改变冲击方向，而向下击打于晶圆50之金属层55表面，由于其系属非直接喷击，故可减缓砂粒喷击的力道，而能避免砂粒伤及晶圆50内部的薄膜52与硅基板51，如此可有效的去除金属层55表面之电路，而形成去电路层56，达到防止泄露晶圆50表面电路的目的。

经由上述的说明，可以进一步理解到，本实用新型可以装在车体上进入晶圆厂服务，以消除客户对电路外流的顾虑，且利用对晶圆50进行表面特殊处理，达到消除电路的目的，而其只会处理掉金属层52，而不会伤害到薄膜52或硅基板51，故可保持硅基板51的完整性，而能提高出售回收的价格，且减少后续的再生制程，大幅提高其经济效益，再者晶圆在电路被破坏之后，其厚度在未少于680um前，该回收晶圆50可被拿来加工重制，并生产出测试级晶圆片，其约可供做三～四次的测试级晶圆片，而当其厚度低于680um时，则可用于当做大阳能板之基板，使晶圆可被充分的利用。

以上列举一较佳实施例，并配合图式及图号，对本实用新型的目的及效能作进一步的说明，能使对本实用新型有更详细的了解，并使熟悉该项技术者能据以实施，以上所述者仅在于解释较佳实施例，而非在于限制本实用新型之范围，故凡有以本实用新型之创作精神为基础，而为本实用新型任何形式的变更或修饰，皆仍属于本实用新型意图保护之范畴。

Claims (5)

1.为破坏晶圆表面电路的去除设备，其特征在于包含有：

一去除装置，其系于内部上段设有复数喷砂单元，且各喷砂单元呈水平设备，使其砂粒呈水平状喷出的，去除装置内部下段设有一抽风单元，该抽风单元可将喷砂单元喷出的砂粒向下吸动，使砂粒改变喷射方向；

一输送装置，其设于去除装置内，供将晶圆加载与移出去除装置内部，且输送装置穿设于去除装置的喷砂单元与抽风单元之间；

一入料装置，其设于输送装置的入料端；

一出料装置，其设于输送装置的出料端。

2.如权利要求1所述的为破坏晶圆表面电路的去除设备，其特征在于：该去除设备组装于可移式载具上。

3.如权利要求1所述的为破坏晶圆表面电路的去除设备，其特征在于：去除装置上设有一用以吸除去除装置内砂尘的集尘单元。

4.为破坏晶圆表面电路的去除设备，其特征在于包含有：

一去除装置，其于内部上段设有复数喷砂单元，且各喷砂单元系呈水平设备，使其砂粒系呈水平状喷出，又去除装置内部下段设有一抽风单元，该抽风单元可将喷砂单元喷出的砂粒向下吸动，使砂粒改变喷射方向，而晶圆可承载于喷砂单元与抽风单元间。

5.如权利要求4所述的为破坏晶圆表面电路的去除设备，其特征在于：去除装置上设有一用以吸除去除装置内砂尘的集尘单元。

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