KR20180122370A - 기판 반송 방법 및 기판 처리 시스템 - Google Patents

기판 반송 방법 및 기판 처리 시스템 Download PDF

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KR20180122370A
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Abstract

기판을 원하는 회전각으로 정확하게 적재할 수 있는 기판 반송 방법을 제공한다. 웨이퍼(W)의 반송 거리의 변화에 수반하는 진공 처리실(11)에서의 웨이퍼(W)의 회전 방향의 어긋남을 해소하도록, 로드 로크실(13)에서 웨이퍼(W)가 스테이지(20)의 중심으로부터 오프셋되어 적재되고, 반송 아암(18)이 웨이퍼(W)를 수취할 때의 포크(28)에 대한 웨이퍼(W)의 회전각이 변경된다.

Description

기판 반송 방법 및 기판 처리 시스템
본 발명은 반송 아암으로 기판을 반송하는 기판 반송 방법 및 기판 처리 시스템에 관한 것이다.
기판으로서의 반도체 웨이퍼(이하, 간단히 「웨이퍼」라고 함)에 소정의 처리, 예를 들어 고온 처리인 성막 처리나 플라스마를 사용한 에칭 처리를 실시하는 기판 처리 시스템은, 복수의 처리실과, 각 처리실에 접속된 반송실을 구비하고, 반송실 내에 배치된 반송 아암에 의해 웨이퍼를 각 처리실에 반출입한다. 각 처리실은 적재대를 갖고, 웨이퍼는 적재대에 적재된다. 또한, 이하의 설명에서는, 반송 아암에서의 관절(가곡점)과 관절의 사이에서 일체가 되어 이동하는 부분을 링크라고 칭하고, 반송 아암의 선단부를 엔드 이펙터라고 칭한다. 또한, 2 링크 형식의 반송 아암이란 2개의 링크를 갖는 반송 아암을 나타내고, 1 링크 형식의 반송 아암이란 하나의 링크만을 갖는 반송 아암을 나타낸다.
종래, 기판 처리 시스템에서는, 반송 아암으로서 2 링크 형식의 스카라형이나 프로그 레그형 반송 아암을 사용하고 있다. 이들 반송 아암은, 웨이퍼를 파지하는 엔드 이펙터로서의 포크와, 링크로서의 2개의 아암부를 갖고, 포크와 각 아암부는 별개로 구성된다.
그런데, 최근 몇년간, 웨이퍼의 처리의 고온화가 진행되어, 처리실에서 웨이퍼를 예를 들어, 700℃ 내지 800℃까지 가열하는 경우가 있다. 이 경우, 반송 아암의 포크나 아암부는 고온의 웨이퍼로부터의 전열에 의해 가열되는데, 아암부에 내장되는 베어링이나 구동 벨트가 열에 의해 파손될 우려가 있다. 그래서, 베어링이나 구동 벨트를 없애고 내열성을 높이기 위해서 포크와 아암부를 일체화한 엔드 이펙터를 갖는 1 링크 형식의 반송 아암이 본 출원인에 의해 제안되었다(예를 들어, 특허문헌 1 참조). 1 링크 형식의 반송 아암에서는, 웨이퍼를 반송할 때, 엔드 이펙터가 웨이퍼를 파지하는데, 당해 반송 아암을 신장시키면 엔드 이펙터가 회전하기 때문에, 해당 엔드 이펙터가 파지하는 웨이퍼도 회전한다. 한편, 기판 처리 시스템에서는 웨이퍼에 정확하게 소정의 처리를 실시하기 위해서, 웨이퍼를 원하는 회전각으로 적재대에 정확하게 적재할 필요가 있다.
일본 특허 출원 제2016-016863호 명세서
그러나, 기판 처리 시스템의 각 구성 요소의 열팽창에 기인하는 웨이퍼의 실질적인 반송 거리의 변화에 대응하고, 또는, 파지되는 웨이퍼의 엔드 이펙터에 대한 위치 어긋남의 수정에 수반하는 웨이퍼의 반송 거리의 변화에 대응하기 위해서, 웨이퍼의 반송량, 즉, 반송 아암의 신장량을 변경할 필요가 발생하는 경우가 있다. 이 경우, 반송 아암의 신장량의 변경에 의해, 웨이퍼가 소정의 회전각보다도 여분으로 회전하여, 웨이퍼를 원하는 회전각으로 적재대에 정확하게 적재할 수 없다는 문제가 발생한다.
본 발명의 목적은, 기판을 원하는 회전각으로 정확하게 적재할 수 있는 기판 반송 방법 및 기판 처리 시스템을 제공하는 데 있다.
상기 목적을 달성하기 위해서, 본 발명에 따르면, 기판을 반송원으로부터 수취하고 또한 반송처로 반송하는 반송계를 구비하고, 상기 반송계는 상기 기판을 파지하는 파지부를 갖고, 상기 기판을 반송하기 위해서 상기 반송계가 신장될 때 상기 반송계가 상기 파지부를 회전시키는 기판 처리 시스템에서의 기판 반송 방법이며, 상기 반송처에서의 상기 기판의 회전 방향의 어긋남을 산출하는 제1 스텝과, 상기 산출된 기판의 회전 방향의 어긋남을 해소하도록, 상기 반송원에 있어서 상기 기판을 상기 반송계가 수취할 때의 상기 파지부에 대한 상기 기판의 회전각을 변경하는 제2 스텝을 갖는 기판 반송 방법이 제공된다.
상기 목적을 달성하기 위해서, 본 발명에 따르면, 기판을 반송원으로부터 수취하고 또한 반송처로 반송하는 반송계와, 제어부를 구비하고, 상기 반송계는 상기 기판을 파지하는 파지부를 갖고, 상기 기판을 반송하기 위해서 상기 반송계가 신장될 때 상기 반송계가 상기 파지부를 회전시키는 기판 처리 시스템이며, 상기 제어부는, 상기 반송처에서의 상기 기판의 회전 방향의 어긋남을 산출하고, 또한 상기 산출된 기판의 회전 방향의 어긋남을 해소하도록, 상기 반송원에 있어서 상기 기판을 상기 반송계가 수취할 때의 상기 파지부에 대한 상기 기판의 회전각을 변경하는 기판 처리 시스템이 제공된다.
본 발명에 따르면, 반송처에서의 기판의 회전 방향의 어긋남을 해소하도록, 반송원에 있어서 기판을 반송계가 수취할 때의 파지부에 대한 기판의 회전각이 변경된다. 이에 의해, 반송처에 있어서 기판의 회전 방향의 어긋남이 발생하는 것을 방지할 수 있고, 따라서, 반송처에 있어서 기판을 원하는 회전각으로 정확하게 적재할 수 있다.
도 1은 본 발명의 실시 형태에 관한 기판 처리 시스템의 구성을 개략적으로 도시하는 평면도이다.
도 2a 내지 도 2c는 도 1에서의 반송 아암의 구성을 설명하기 위한 평면도이다.
도 3은 웨이퍼의 회전각 및 반송 아암의 신장량의 관계를 나타내는 그래프이다.
도 4는 포크에 대한 웨이퍼의 위치 어긋남의 산출 방법을 설명하기 위한 도면이다.
도 5a 내지 도 5b는 기판 처리 시스템의 각 구성 요소의 열팽창량의 산출 방법을 설명하기 위한 도면이다.
도 6a 내지 도 6b는 반송 아암이 웨이퍼를 수취할 때의 포크에 대한 웨이퍼의 회전각을 변경하는 방법을 설명하기 위한 도면이다.
도 7은 반송 아암의 변형예의 구성을 설명하기 위한 평면도이다.
이하, 본 발명의 실시 형태에 대해서, 도면을 참조하여 상세하게 설명한다.
도 1은, 본 실시 형태에 관한 기판 처리 시스템의 구성을 개략적으로 도시하는 평면도이다. 또한, 설명을 용이하게 하기 위해서, 도 1에서는 내부의 구성 요소의 일부가 투시되도록 묘화된다.
기판 처리 시스템(10)은, 고온 처리인 성막 처리나 플라스마를 사용한 에칭 처리를 실행하는 4개의 진공 처리실(11)(반송처)과, 각 진공 처리실(11)과 접속되는 진공 반송실(12)과, 해당 진공 반송실(12)에 접속되어, 내부를 대기압 및 진공 중 어느 것으로 전환 가능한 2개의 로드 로크실(13)(반송원)과, 진공 처리실(11)과의 사이에 각 로드 로크실(13)을 두고 접속되는, 내부가 대기압인 반출입실(14)과, 각 구성 요소의 동작을 제어하는 컨트롤러(15)(제어부)를 구비한다. 각 진공 처리실(11) 및 진공 반송실(12)의 사이, 및 각 로드 로크실(13) 및 진공 반송실(12)의 사이에는 게이트(16)가 배치되고, 각 로드 로크실(13) 및 반출입실(14)의 사이에는 게이트(17)가 배치된다.
진공 반송실(12)은, 각 진공 처리실(11)과 각 로드 로크실(13)의 사이에서 웨이퍼(W)를 반송하는 1 링크 형식의 반송 아암(18)(반송계)과, 각 게이트(16)의 앞에 배치된 6개의 센서 유닛(19)을 내장하다. 또한, 반송 아암(18)은 2개의(후술함) 엔드 이펙터(27)를 갖고, 2개의 엔드 이펙터(27)는 중첩해서 배치된다. 각 센서 유닛(19)은, 2개의 투과식 광학 센서(19a, 19b)를 갖고, 반송 아암(18)에 의해 각 진공 처리실(11) 및 각 로드 로크실(13)의 사이를 반송되는 웨이퍼(W)의 에지나 반송 아암(18)의 에지의 위치를 특정한다. 각 로드 로크실(13)은 스테이지(20)를 내장하고, 해당 스테이지(20)에 웨이퍼(W)를 적재시킴으로써, 진공 반송실(12) 및 반출입실(14)의 사이에서의 웨이퍼(W)의 전달을 행한다. 또한, 각 로드 로크실(13)은, 스테이지(20) 대신에 웨이퍼(W)를 보유 지지하는 버퍼 플레이트를 내장해도 된다. 반출입실(14)은, 복수의 웨이퍼(W)를 수용하는 용기(21)가 설치되는 웨이퍼(W)의 반출입구로서의 3개의 포트(22)와, 웨이퍼(W)를 회전시켜 웨이퍼(W)의 위치를 조정하는 오리엔터(23)와, 각 포트(22), 오리엔터(23) 및 각 로드 로크실(13)의 사이에서 웨이퍼(W)를 반송하는 대기 반송 아암(24)을 갖는다.
도 2a 내지 도 2c는, 도 1에서의 반송 아암의 구성을 설명하기 위한 평면도이며, 도 2a는 반송 아암의 수축 시를 나타내고, 도 2b는 반송 아암의 신장 시를 나타내고, 도 2c는 반송 아암이 도 2b에 나타내는 상태보다도 더 미소 거리만큼 신장된 경우를 나타낸다.
도 2a 내지 도 2c에서, 반송 아암(18)은, 원기둥형 받침대(25)와, 아암부(26)와, 중첩해서 배치되는 2개의 엔드 이펙터(27)를 갖는다. 또한, 도 2a 내지 도 2c 이후에서는, 반송 아암(18)에 있어서, 2개의 엔드 이펙터(27)의 한쪽이 생략되어 묘화된다. 또한, 아암부(26)는 일단(26a)이 받침대(25)에 설치되고, 내장한 구동 벨트에 의해 당해 받침대(25)의 중심축 주위로 또한 수평으로 회동된다. 엔드 이펙터(27)는 도중에 굴곡되는 긴 판형 부재로 이루어지고, 일단(27a)이 아암부(26)의 반원형 타단(26b)에 설치된다. 엔드 이펙터(27)는, 아암부(26)가 내장한 구동 벨트에 의해 아암부(26)의 타단(26b)의 중심축 주위로 또한 수평으로 회동된다. 엔드 이펙터(27)의 타단(27b)에는 두 갈래 형상의 포크(28)(파지부)가 형성되고, 해당 포크(28)는 웨이퍼(W)를 파지한다. 또한, 엔드 이펙터(27)는 메카니컬 기구를 내장하지 않는 벌크재로 이루어지며, 예를 들어 세라믹스 등의 내열재로 구성된다.
반송 아암(18)에서는 아암부(26) 및 엔드 이펙터(27)가 회전각을 조정하면서 협동함으로써, 포크(28)에 파지되는 웨이퍼(W)를 직진(도면 중 좌우 방향으로 이동)시켜서 반송한다. 그러나, 포크(28)는 엔드 이펙터(27)에 일체화되어, 웨이퍼(W)의 반송 중에 엔드 이펙터(27)는 아암부(26)의 타단(26b)의 중심축 주위로 회동되기 때문에, 포크(28)도 회전하면서 이동한다. 따라서, 반송 아암(18)이 신장될 때, 해당 반송 아암(18)은 포크(28)를 회전시킨다. 또한, 반송 아암(18)이 신장될 때, 포크(28)에 파지되는 웨이퍼(W)도 회전한다. 구체적으로는, 도 2a나 도 2b에 도시하는 바와 같이, 파선으로 나타낸 웨이퍼(W)의 직진 방향을 기준으로 하는 좌표계(이하, 「직진 방향 좌표계」라고 함)에 대하여 일점쇄선으로 나타내는 포크(28)의 중심을 기준으로 하는 좌표계(이하, 「포크 좌표계」라고 함)가 회전한다. 그 결과, 반송 아암(18)의 수축 시(도 2a)와 신장 시(도 2b)는 직진 방향 좌표계에 대한 포크 좌표계의 회전각이 상이하다.
그런데, 기판 처리 시스템(10)에서는, 각 진공 처리실(11)에서 성막 처리가 반복되면 기판 처리 시스템(10)의 각 구성 요소의 온도가 상승하여, 각 구성 요소가 열팽창해서 로드 로크실(13)로부터 진공 처리실(11)까지의 거리, 즉, 웨이퍼(W)의 반송 거리가 변화한다. 또한, 포크(28)에 대하여 웨이퍼(W)가 어긋나게 파지될 경우, 포크(28)에 대한 웨이퍼(W)의 위치 어긋남을 산출한 후, 산출된 웨이퍼(W)의 위치 어긋남을 수정하도록 웨이퍼(W)의 반송 궤도를 조정하는데, 이때도 웨이퍼(W)의 반송 거리가 변화한다. 예를 들어, 웨이퍼(W)의 반송 거리의 변화에 대응하기 위해서 반송 아암(18)의 신장량을 La(도 2b 참조)로부터 Lb(도 2c 참조)로 미소 변경했을 때, 반송 아암(18)의 신장량의 미소 변경에 따라 포크(28)가 미소 회전하고, 포크(28)에 파지되는 웨이퍼(W)도 미소 회전한다. 예를 들어, 도 3에 도시한 바와 같이, 신장량이 La(969.5mm)로부터 Lb(970.5mm)로 변경되었을 때, 웨이퍼(W)의 회전각은 10.79(deg)로부터 10.62(deg)로 변화한다. 그 결과, 진공 처리실(11)에서 웨이퍼(W)가 원하는 회전각보다도 미소 회전한 상태에서, 예를 들어 진공 처리실(11)의 스테이지(도시 생략)에 적재된다. 즉, 진공 처리실(11)에서 웨이퍼(W)의 회전 방향의 어긋남이 발생한다.
도 4는, 포크에 대한 웨이퍼의 위치 어긋남의 산출 방법을 설명하기 위한 도면이다.
기판 처리 시스템(10)에서는, 반송 아암(18)에 의해 진공 처리실(11)에 웨이퍼(W)를 반입할 때, 센서 유닛(19)이 웨이퍼(W)의 에지의 위치를 특정한다. 구체적으로는, 웨이퍼(W)의 반송 중, 먼저, 웨이퍼(W)의 에지가 광학 센서(19a)나 광학 센서(19b)의 대면을 가로지를 때의 포크(28)의 중심의 위치와, 광학 센서(19a)나 광학 센서(19b)의 위치의 상대적인 위치 관계로부터 웨이퍼(W)의 에지의 위치를 특정한다. 또한, 포크(28)의 중심의 위치는 반송 아암(18)의 인코더 값으로부터 산출된다. 그 후, 특정된 웨이퍼(W)의 에지의 위치로부터 웨이퍼(W)의 중심의 위치를 산출하고, 또한 웨이퍼(W)의 중심의 위치 및 포크(28)의 중심의 위치에 기초하여 포크(28)에 대한 웨이퍼(W)의 위치 어긋남을 산출한다.
도 5a 내지 도 5b는, 기판 처리 시스템의 각 구성 요소의 열팽창량의 산출 방법을 설명하기 위한 도면이다.
기판 처리 시스템(10)에서는, 반송 아암(18)에 의해 진공 처리실(11)에 웨이퍼(W)를 반입할 때나 진공 처리실(11)로부터 웨이퍼(W)를 반출할 때, 각 구성 요소의 열팽창량을 산출한다. 구체적으로는, 열팽창한 반송 아암(18)에 의한 웨이퍼(W)의 반송 중, 먼저, 엔드 이펙터(27)(포크(28))의 에지가 광학 센서(19b)의 대면을 가로지를 때, 포크(28)의 에지의 위치를 특정한다(도 5a). 이때, 반송 아암(18)의 인코더 값으로부터 열팽창하지 않았을 때의 포크(28)의 에지의 위치도 특정한다. 그 후, 특정된 2개의 에지의 위치의 차로부터 반송 아암(18)의 열팽창량을 산출한다. 또한, 포크(28)의 에지가 광학 센서(19a)의 대면을 가로지를 때도, 포크(28)의 에지의 위치를 특정한다(도 5b). 또한, 이때의 반송 아암(18)의 인코더 값으로부터 열팽창하지 않았을 때의 포크(28)의 에지의 위치도 특정한다. 그 후, 특정된 2개의 에지의 위치의 차로부터도 반송 아암(18)의 열팽창량을 산출한다. 이어서, 산출된 반송 아암(18)의 2개의 열팽창량으로부터 기판 처리 시스템(10)의 각 구성 요소의 열팽창량을 산출한다. 예를 들어, 산출된 반송 아암(18)의 2개의 열팽창량의 평균값을 기판 처리 시스템(10)의 각 구성 요소의 열팽창량으로서 산출한다.
본 실시 형태에서는, 산출된 포크(28)에 대한 웨이퍼(W)의 위치 어긋남의 수정에 수반하는 웨이퍼(W)의 반송 거리의 변화나 산출된 기판 처리 시스템(10)의 각 구성 요소의 열팽창량에 대응하는 웨이퍼(W)의 반송 거리의 변화에 수반하는 진공 처리실(11)에서의 웨이퍼(W)의 회전 방향의 어긋남(이하, 「반송처의 회전 방향 어긋남」이라고 함)을 해소하도록, 로드 로크실(13)에서 반송 아암(18)이 웨이퍼(W)를 수취할 때의 포크(28)에 대한 웨이퍼(W)의 회전각(이하, 「수취 시의 웨이퍼 회전각」이라고 함)을 변경한다. 또한, 반송처의 회전 방향 어긋남은, 웨이퍼(W)의 반송 거리의 변화에 기초하여, 예를 들어 도 3에 도시하는, 웨이퍼(W)의 회전각 및 반송 아암(18)의 신장량의 관계로부터 산출한다.
도 6a 내지 도 6b는, 반송 아암이 웨이퍼를 수취할 때의 포크에 대한 웨이퍼의 회전각을 변경하는 방법을 설명하기 위한 도면이다.
먼저, 기판 처리 시스템(10)의 각 구성 요소의 열팽창이 발생하지 않았을 때나 포크(28)에 대한 웨이퍼(W)의 위치 어긋남이 발생하지 않았을 때, 로드 로크실(13)에서 반송 아암(18)이 웨이퍼(W)를 수취하기 위한 반송 아암(18)의 신장량을 Lc로 한다. 이때, 로드 로크실(13)에서 웨이퍼(W)는 스테이지(20)의 중심에 적재되고, 또한 포크 좌표계와, 웨이퍼(W)의 노치(N) 및 웨이퍼(W)의 중심을 기준으로 하는 좌표계(이하, 「웨이퍼 좌표계」라고 함)가 일치한다고 가정한다(도 6a).
그 후, 반송 아암(18)에 의해 다음으로 반송되는 웨이퍼(W)를, 대기 반송 아암(24)에 의해 스테이지(20)에 적재한다. 이때, 대기 반송 아암(24)은, 웨이퍼(W)를 스테이지(20)의 중심으로부터 오프셋시켜 적재한다. 스테이지(20)의 중심으로부터 오프셋된 웨이퍼(W)를 수취하기 위한 반송 아암(18)의 신장량은 Lc와 상이한 Ld로 된다. 이 반송 아암(18)의 신장량의 변화(Lc에서 Ld로의 변화)에 수반하여, 도 6b에 도시하는 바와 같이 포크 좌표계(도면 중 일점쇄선으로 나타냄)가 웨이퍼 좌표계(도면 중 파선으로 나타냄)에 대하여 회전 방향으로 어긋난다. 이때의 회전 방향의 어긋남양은, 반송 아암(18)의 신장량의 변화와, 도 3에 도시하는, 웨이퍼(W)의 회전각 및 반송 아암(18)의 신장량의 관계에 기초하여 산출할 수 있다. 본 실시 형태에서는, 스테이지(20)의 중심으로부터 오프셋된 웨이퍼(W)를 반송 아암(18)이 수취할 때의 포크 좌표계의 웨이퍼 좌표계에 대한 회전 방향의 어긋남의 절댓값을, 반송처의 회전 방향 어긋남의 절댓값과 동일하게 하고, 또한 포크 좌표계의 웨이퍼 좌표계에 대한 회전 방향의 어긋남의 어긋남 방향을 반송처의 회전 방향 어긋남의 어긋남 방향과 동일하게 함으로써, 웨이퍼(W)를 진공 처리실(11)에 반송했을 때의 반송처의 회전 방향 어긋남을 없앨 수 있다.
본 실시 형태에 의하면, 반송처의 회전 방향 어긋남을 해소하도록, 로드 로크실(13)에서 수취 시의 웨이퍼 회전각이 변경된다. 이에 의해, 진공 처리실(11)에서 웨이퍼(W)의 회전 방향의 어긋남이 발생하는 것을 방지할 수 있고, 따라서, 진공 처리실(11)에서 웨이퍼(W)를 원하는 회전각으로 스테이지에 정확하게 적재할 수 있다.
또한, 본 실시 형태에서는, 로드 로크실(13)에서 웨이퍼(W)를 반송 아암(18)이 수취할 때의 반송 아암(18)의 신장량을 변경시켜 수취 시의 웨이퍼 회전각이 변경되므로, 웨이퍼(W)를 스테이지(20)에 적재할 때 웨이퍼(W)의 회전각을 변경할 필요가 없다. 이에 의해, 스테이지(20)나 대기 반송 아암(24)에 웨이퍼(W)의 회전 기구를 설치할 필요를 없앨 수 있고, 따라서, 기판 처리 시스템(10)의 구성이 복잡해지는 것을 방지할 수 있다.
또한, 본 실시 형태에서는, 산출된 반송처의 회전 방향 어긋남이 허용값을 초과했을 때만, 수취 시의 웨이퍼 회전각을 변경시켜도 된다. 이에 의해, 로드 로크실(13)에서의 웨이퍼(W)의 회전각의 변경이 빈번히 실행되는 것을 억제할 수 있고, 따라서, 웨이퍼(W)의 반송의 스루풋이 저하되는 것을 억제할 수 있다.
또한, 본 실시 형태에서는, 반송처의 회전 방향 어긋남을 해소하기 위해서, 웨이퍼의 회전각이 오리엔터(23)가 아니고, 로드 로크실(13)에서 변경된다. 즉, 반송 아암(18)에 의한 웨이퍼(W)의 반송의 직전에 웨이퍼의 회전각이 변경된다. 이에 의해, 예를 들어 웨이퍼(W)가 오리엔터(23)로부터 로드 로크실(13)에 반송되는 동안에 추가 공정을 도입해도, 반송처의 회전 방향 어긋남을 해소하기 위한 웨이퍼의 회전각의 변경의 정밀도가 저하되지 않는다. 그 결과, 웨이퍼(W)의 반송 공정의 설계의 자유도를 증가시킬 수 있다.
이상, 본 발명에 대해서, 실시 형태를 사용해서 설명했지만, 본 발명은 상술한 실시 형태에 한정되는 것은 아니다.
예를 들어, 포크(28)에 대한 웨이퍼(W)의 위치 어긋남이나 반송 아암(18)의 열팽창량은 센서 유닛(19)을 사용해서 산출했지만, 진공 반송실(12)의 내부에 카메라를 설치하고, 해당 카메라에 의해 반송 중의 웨이퍼(W)의 에지의 위치를 특정하고, 또는, 포크(28)의 에지의 위치를 특정함으로써, 포크(28)에 대한 웨이퍼(W)의 위치 어긋남이나 반송 아암(18)의 열팽창량을 산출해도 된다. 또한, 반송 아암(18)의 온도를 비접촉의 온도 센서를 사용해서 측정함으로써, 반송 아암(18)의 열팽창량을 산출해도 된다.
또한, 포크(28)는 웨이퍼(W)를 파지할 때, 대부분이 웨이퍼(W)에 의해 덮이기 때문에, 센서 유닛(19)로 포크(28)의 에지의 위치를 특정하는 것은 다소 어려움이 수반된다. 이에 대응하여, 도 7에 도시하는 바와 같이, 포크(28)에 웨이퍼(W)에 덮이지 않도록 돌기(28a)를 형성하여, 센서 유닛(19)에 의해 돌기(28a)의 에지를 특정함으로써, 반송 아암(18)의 열팽창량을 산출해도 된다. 이 경우, 반송 아암(18)의 열팽창량의 산출 오류의 발생을 억제할 수 있다.
또한, 상술한 실시 형태에서는, 반송 아암(18)의 신장량을 변경시켜 수취 시의 웨이퍼 회전각을 변경했지만, 스테이지(20)나 대기 반송 아암(24)이 웨이퍼(W)의 회전 기구를 구비하여, 회전 기구에 의해 웨이퍼(W)를 회전시켜 스테이지(20)에 적재함으로써, 수취 시의 웨이퍼 회전각을 변경해도 된다.
또한, 반송 아암(18)은 1 링크 형식의 반송 아암이지만, 반송 아암(18)이 2 링크 형식의 스카라형이나 프로그 레그형 반송 아암이어도, 웨이퍼(W)가 반송될 때 회전하면, 본 발명을 적용할 수 있다.
또한, 본 발명의 목적은, 상술한 실시 형태의 기능을 실현하는 소프트웨어의 프로그램 코드를 기록한 기억 매체를, 컨트롤러(15) 등이 구비하는 컴퓨터(도시 생략)에 공급하여, 컴퓨터의 CPU가 기억 매체에 저장된 프로그램 코드를 판독해서 실행함으로써도 달성된다.
이 경우, 기억 매체로부터 판독된 프로그램 코드 자체가 상술한 실시 형태의 기능을 실현하게 되고, 프로그램 코드 및 그 프로그램 코드를 기억한 기억 매체는 본 발명을 구성하게 된다.
또한, 프로그램 코드를 공급하기 위한 기억 매체로서는, 예를 들어 RAM, NV-RAM, 플로피(등록 상표) 디스크, 하드 디스크, 광자기 디스크, CD-ROM, CD-R, CD-RW, DVD(DVD-ROM, DVD-RAM, DVD-RW, DVD+RW) 등의 광 디스크, 자기 테이프, 불휘발성 메모리 카드, 다른 ROM 등의 상기 프로그램 코드를 기억할 수 있는 것이면 된다. 또는, 상기 프로그램 코드는, 인터넷, 상용 네트워크, 또는 로컬에어리어 네트워크 등에 접속되는, 도시하지 않은 다른 컴퓨터나 데이터베이스 등으로부터 다운로드함으로써 컴퓨터에 공급되어도 된다.
또한, 컴퓨터가 판독한 프로그램 코드를 실행함으로써, 상기 실시 형태의 기능이 실현될 뿐만 아니라, 그 프로그램 코드의 지시에 기초하여, CPU 상에서 가동하고 있는 OS(오퍼레이팅 시스템) 등이 실제 처리의 일부 또는 전부를 행하여, 그 처리에 의해 상술한 실시 형태의 기능이 실현되는 경우도 포함된다.
또한, 기억 매체로부터 판독된 프로그램 코드가, 컴퓨터에 삽입된 기능 확장 보드나 컴퓨터에 접속된 기능 확장 유닛에 구비되는 메모리에 기입된 후, 그 프로그램 코드의 지시에 기초하여, 그 기능 확장 보드나 기능 확장 유닛에 구비되는 CPU 등이 실제 처리의 일부 또는 전부를 행하여, 그 처리에 의해 상술한 실시 형태의 기능이 실현되는 경우도 포함된다.
상기 프로그램 코드의 형태는, 오브젝트 코드, 인터프리터에 의해 실행되는 프로그램 코드, OS에 공급되는 스크립트 데이터 등의 형태로 이루어져도 된다.
본 출원은, 2016년 3월 30일에 출원된 일본 출원 제2016-068041호에 기초하는 우선권을 주장하는 것이며, 당해 일본 출원에 기재된 전체 내용을 본 출원에 원용한다.
W : 웨이퍼 10 : 기판 처리 시스템
11 : 진공 처리실 13 : 로드 로크실
18 : 반송 아암 20 : 스테이지
27 : 엔드 이펙터 28 : 포크

Claims (7)

  1. 기판을 반송원으로부터 수취하고 또한 반송처로 반송하는 반송계를 구비하고, 상기 반송계는 상기 기판을 파지하는 파지부를 갖고, 상기 기판을 반송하기 위해서 상기 반송계가 신장될 때 상기 반송계가 상기 파지부를 회전시키는 기판 처리 시스템에서의 기판 반송 방법이며,
    상기 반송처에서의 상기 기판의 회전 방향의 어긋남을 산출하는 제1 스텝과,
    상기 산출된 기판의 회전 방향의 어긋남을 해소하도록, 상기 반송원에 있어서 상기 기판을 상기 반송계가 수취할 때의 상기 파지부에 대한 상기 기판의 회전각을 변경하는 제2 스텝을 갖는 것을 특징으로 하는 기판 반송 방법.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 산출된 기판의 회전 방향의 어긋남이 허용값을 초과했을 때, 상기 제2 스텝을 실행하는 것을 특징으로 하는 기판 반송 방법.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 제2 스텝에서는, 상기 반송원에 있어서 상기 기판을 상기 반송계가 수취할 때의 상기 반송계의 신장량을 변경시키는 것을 특징으로 하는 기판 반송 방법.
  4. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제1 스텝에서는, 상기 기판 처리 시스템의 각 구성 요소의 열팽창에 기인하는 상기 기판의 반송 거리의 변화에 대응하기 위해서 상기 반송계의 신장량을 변경했을 때, 상기 반송계의 신장량의 변경에 기인하는 상기 반송처에서의 상기 기판의 회전 방향의 어긋남을 산출하는 것을 특징으로 하는 기판 반송 방법.
  5. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제1 스텝에서는, 상기 파지부에 대한 상기 기판의 위치 어긋남의 수정에 수반하는 상기 기판의 반송 거리의 변화에 대응하기 위해서 상기 반송계의 신장량을 변경했을 때, 상기 반송계의 신장량의 변경에 기인하는 상기 반송처에서의 상기 기판의 회전 방향의 어긋남을 산출하는 것을 특징으로 하는 기판 반송 방법.
  6. 제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 반송계는 1 링크 형식의 반송 아암인 것을 특징으로 하는 기판 반송 방법.
  7. 기판을 반송원으로부터 수취하고 또한 반송처로 반송하는 반송계와, 제어부를 구비하고, 상기 반송계는 상기 기판을 파지하는 파지부를 갖고, 상기 기판을 반송하기 위해서 상기 반송계가 신장될 때 상기 반송계가 상기 파지부를 회전시키는 기판 처리 시스템이며,
    상기 제어부는, 상기 반송처에서의 상기 기판의 회전 방향의 어긋남을 산출하고, 또한 상기 산출된 기판의 회전 방향의 어긋남을 해소하도록, 상기 반송원에 있어서 상기 기판을 상기 반송계가 수취할 때의 상기 파지부에 대한 상기 기판의 회전각을 변경하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 시스템.
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