KR20180105162A

KR20180105162A - 발광 장치

Info

Publication number: KR20180105162A
Application number: KR1020187022803A
Authority: KR
Inventors: 쇼지 미마
Original assignee: 스미또모 가가꾸 가부시키가이샤
Priority date: 2016-01-26
Filing date: 2016-12-16
Publication date: 2018-09-27
Also published as: JP2017134942A; CN108605392A; JP6655403B2; EP3410823A1; US20190036079A1; WO2017130600A1; EP3410823A4

Abstract

발광 장치(1)는, 지지 기판(3)과, 당해 지지 기판(3) 상에 배치된 유기 EL 소자(10)와, 유기 EL 소자(10)를 밀봉함과 함께, 유기 EL 소자(10)를 수용하는 공간(S)을 갖는 밀봉 부재(11)를 구비하고, 공간(S)에 불활성 가스가 봉입되어 있으며, 유기 EL 소자(10)는, 지지 기판(3) 상에 제1 전극층(5), 유기 기능층(7) 및 제2 전극층(9)이 이 순서로 적층되어 형성되어 있고, 밀봉 부재(11)에는, 제2 전극층(9)과 대향하는 위치에 건조제(15)가 설치되어 있고, 제2 전극층(9)은, 적어도 3층의 금속층을 포함하여 구성되어 있고, 복수의 금속층 중 1층의 금속층은 알루미늄으로 이루어지고, 최상층의 금속층은 은으로 이루어진다.

Description

발광 장치

본 발명은, 발광 장치에 관한 것이다.

종래의 발광 장치로서, 예를 들어 특허문헌 1에 기재된 장치가 알려져 있다. 특허문헌 1에 기재된 발광 장치는, 지지 기판과, 지지 기판 상에 형성되는 제1 전극, 제1 전극과 겹치는 제2 전극, 및 제1 전극과 제2 전극 사이에 위치하는 유기층을 갖는 발광부와, 발광부를 밀봉하는 밀봉 부재를 구비하고 있다. 이 발광 장치에서는, 밀봉 부재에 있어서 발광부의 제2 전극과 대향하는 위치에 건조제(흡습재)가 설치되어 있다.

일본 특허 공개 제2015-162444호 공보

상기 발광 장치와 같이, 제2 전극과 대향하는 위치에 건조제가 설치되어 있는 구성에서는, 평면 시에 발광부와 건조제가 겹치는 부위에 국소적인 발광 불균일이 발생하는 경우가 있다. 본원 발명자는, 이 불균일에 대하여 검토한 결과, 건조제에서 발생하는 탈가스 성분과 제2 전극을 형성하는 금속이 반응하여 발생하고 있는 것을 발견하였다. 불균일은, 발광부의 발광 품위를 저하시킨다.

본 발명의 일측면은, 발광 품위의 향상이 도모되는 발광 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.

본 발명의 일측면에 관한 발광 장치는, 지지 기판과, 당해 지지 기판 상에 배치된 유기 EL 소자와, 유기 EL 소자를 밀봉함과 함께, 유기 EL 소자를 수용하는 공간을 갖는 밀봉 부재를 구비하고, 공간에 불활성 가스가 봉입된 발광 장치이며, 유기 EL 소자는, 지지 기판 상에 제1 전극층, 유기 기능층 및 제2 전극층이 이 순서로 적층되어 형성되어 있고, 밀봉 부재에는, 제2 전극층과 대향하는 위치에 건조제가 설치되어 있고, 제2 전극층은, 적어도 3층의 금속층을 포함하여 구성되어 있고, 복수의 금속층 중 적어도 1층의 금속층은 알루미늄으로 이루어지고, 최상층의 금속층은 은으로 이루어진다.

본 발명의 일측면에 관한 발광 장치에서는, 밀봉 부재에는, 제2 전극층과 대향하는 위치에 건조제가 설치되어 있다. 이 구성에 있어서, 제2 전극층의 최상층은 은을 포함한다. 본원 발명자는 예의 연구를 거듭한 결과, 건조제와 대향하는 위치에 배치되는 제2 전극층을 복수의 금속층에 의해 구성하고, 제2 전극층의 최상층을 은으로 함으로써, 건조제에서 발생하는 탈가스 성분과의 반응을 억제할 수 있다는 것을 알아내었다. 이에 의해, 발광 장치에서는 발광부에 불균일이 발생하는 것을 억제할 수 있다. 그 결과, 발광 장치에서는 발광 품위의 향상이 도모된다.

일 실시 형태에 있어서는, 제2 전극층은, 유기 기능층 상에 알루미늄으로 이루어지는 제1 금속층과, 은으로 이루어지는 제2 금속층과, 알루미늄으로 이루어지는 제3 금속층과, 은으로 이루어지는 제4 금속층이 이 순서로 적층되어 있어도 된다. 이 구성에 의하면, 발광부의 불균일의 발생을 한층 더 억제할 수 있다.

일 실시 형태에 있어서는, 건조제는 폴리테트라플루오로에틸렌, 산화칼슘 및 카본으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1개를 포함하고 있어도 된다. 이 건조제를 사용하는 경우에는, 상기 구성을 갖는 제2 전극층의 구성이 발광부의 불균일 발생의 억제에 특히 유효하다.

일 실시 형태에 있어서는, 건조제는 점접착부에 의해 밀봉 부재에 설치되어 있으며, 점접착부는 아크릴산에스테르 공중합체를 포함하고 있어도 된다. 점접착부로부터는, 시간 경과에 따라 탈가스 성분이 발생할 우려가 있다. 음극층은, 최상층을 은으로 구성하고 있기 때문에, 아크릴산에스테르 공중합체를 포함하는 점접착부에서 발생하는 탈가스 성분과의 반응을 억제할 수 있다. 따라서, 점접착부의 탈가스 성분에 의한 불균일의 발생을 억제할 수 있다.

본 발명의 일측면에 의하면, 발광 품위의 향상이 도모된다.

도 1은, 일 실시 형태에 관한 발광 장치의 단면도이다.
도 2는, 음극층을 도시하는 단면도이다.

이하, 첨부 도면을 참조하여, 본 발명의 적합한 실시 형태에 대하여 상세하게 설명한다. 또한, 도면의 설명에서 동일 또는 상당 요소에는 동일 부호를 붙이고, 중복된 설명은 생략한다.

도 1에 도시된 바와 같이, 발광 장치(1)는, 지지 기판(3)과, 유기 EL 소자(10)와, 밀봉 부재(11)를 구비하고 있다. 유기 EL 소자(10)는, 양극층(제1 전극층)(5)과, 유기 기능층(7)과, 음극층(제2 전극층)(9)을 갖고 있다.

[지지 기판]

지지 기판(3)은, 가시광(파장 400nm 내지 800nm의 광)에 대하여 투광성을 갖는 유리, 혹은 수지로 구성되어 있다. 지지 기판(3)을 수지의 재료로부터 선택하는 경우에는, 예를 들어 폴리에테르술폰(PES); 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET), 폴리에틸렌나프탈레이트(PEN) 등의 폴리에스테르 수지; 폴리에틸렌(PE), 폴리프로필렌(PP), 환상 폴리올레핀 등의 폴리올레핀 수지; 폴리아미드 수지; 폴리카르보네이트 수지; 폴리스티렌 수지; 폴리비닐알코올 수지; 에틸렌-아세트산비닐 공중합체의 비누화물; 폴리아크릴로니트릴 수지; 아세탈 수지; 폴리이미드 수지; 에폭시 수지를 사용할 수 있다.

지지 기판(3)의 재료는 상기 수지 중에서도 내열성이 높고, 선팽창률이 낮고, 또한 제조 비용이 낮기 때문에, 폴리에스테르 수지, 폴리올레핀 수지가 바람직하고, 폴리에틸렌테레프탈레이트, 폴리에틸렌나프탈레이트가 특히 바람직하다. 또한, 이들 수지는 1종을 단독으로 사용해도 되고, 2종 이상을 조합하여 사용해도 된다.

지지 기판(3)의 한쪽의 주면(3a) 상에는, 수분 배리어층(배리어층)이 배치되어 있어도 된다. 지지 기판(3)의 다른쪽의 주면(3b)은, 발광면이다.

[양극층]

양극층(5)은, 지지 기판(3)의 한쪽의 주면(3a) 상에 배치되어 있다. 양극층(5)에는, 광투과성을 나타내는 전극층이 사용된다. 광투과성을 나타내는 전극(층)으로서는, 전기 전도도가 높은 금속 산화물, 금속 황화물 및 금속 등의 박막을 사용할 수 있으며, 광투과율이 높은 박막이 적합하게 사용된다. 예를 들어 산화인듐, 산화아연, 산화주석, 인듐 주석 산화물(Indium Tin Oxide: 약칭 ITO), 인듐 아연 산화물(Indium Zinc Oxide: 약칭 IZO), 금, 백금, 은 및 구리 등으로 이루어지는 박막이 사용되며, 이들 중에서도 ITO, IZO, 또는 산화주석으로 이루어지는 박막이 적합하게 사용된다.

양극층(5)으로서, 폴리아닐린 및 그의 유도체, 폴리티오펜 및 그의 유도체 등의 유기물의 투명 도전막을 사용해도 된다. 또한, 양극층(5)으로서, 금속 또는 금속 합금 등을 메쉬상으로 패터닝한 전극, 혹은 은으로 이루어지는 나노와이어가 네트워크상으로 형성되어 있는 전극을 사용해도 된다.

양극층(5)의 두께는, 광의 투과성, 전기 전도도 등을 고려하여 결정할 수 있다. 양극층(5)의 두께는 통상 10nm 내지 10㎛이고, 바람직하게는 20nm 내지 1㎛이고, 더욱 바람직하게는 50nm 내지 500nm이다.

양극층(5)의 형성 방법으로서는, 진공 증착법, 스퍼터링법, 이온 플레이팅법, 도금법 및 도포법 등을 들 수 있다.

[유기 기능층]

유기 기능층(7)은, 양극층(5) 상에 배치되어 있다. 유기 기능층(7)은, 발광층을 포함하고 있다. 유기 기능층(7)은, 통상 주로 형광 및/또는 인광을 발광하는 유기물, 혹은 해당 유기물과 이것을 보조하는 발광층용 도펀트 재료를 포함한다. 발광층용 도펀트 재료는, 예를 들어 발광 효율을 향상시키거나, 발광 파장을 변화시키거나 하기 위해 가해진다. 또한, 유기물은 저분자 화합물이어도 되고, 고분자 화합물이어도 된다. 유기 기능층(7)을 구성하는 발광 재료로서는, 예를 들어 하기의 색소 재료, 금속 착체 재료, 고분자 재료, 발광층용 도펀트 재료를 들 수 있다.

(색소 재료)

색소 재료로서는, 예를 들어 시클로펜다민 및 그의 유도체, 테트라페닐부타디엔 및 그의 유도체, 트리페닐아민 및 그의 유도체, 옥사디아졸 및 그의 유도체, 피라졸로퀴놀린 및 그의 유도체, 디스티릴벤젠 및 그의 유도체, 디스티릴아릴렌 및 그의 유도체, 피롤 및 그의 유도체, 티오펜 화합물, 피리딘 화합물, 페리논 및 그의 유도체, 페릴렌 및 그의 유도체, 올리고티오펜 및 그의 유도체, 옥사디아졸 이량체 및 그의 유도체, 피라졸린 이량체 및 그의 유도체, 퀴나크리돈 및 그의 유도체, 쿠마린 및 그의 유도체 등을 들 수 있다.

(금속 착체 재료)

금속 착체 재료로서는, 예를 들어 Tb, Eu, Dy 등의 희토류 금속, 또는 Al, Zn, Be, Pt, Ir 등을 중심 금속에 갖고, 옥사디아졸, 티아디아졸, 페닐피리딘, 페닐벤조이미다졸, 퀴놀린 구조 등을 배위자에 갖는 금속 착체를 들 수 있다. 금속 착체로서는, 예를 들어 이리듐 착체, 백금 착체 등의 삼중항 여기 상태로부터의 발광을 갖는 금속 착체, 알루미늄퀴놀리놀 착체, 벤조퀴놀리놀베릴륨 착체, 벤조옥사졸릴아연 착체, 벤조티아졸아연 착체, 아조메틸아연 착체, 포르피린아연 착체, 페난트롤린유로퓸 착체 등을 들 수 있다.

(고분자 재료)

고분자 재료로서는, 예를 들어 폴리파라페닐렌비닐렌 및 그의 유도체, 폴리티오펜 및 그의 유도체, 폴리파라페닐렌 및 그의 유도체, 폴리실란 및 그의 유도체, 폴리아세틸렌 및 그의 유도체, 폴리플루오렌 및 그의 유도체, 폴리비닐카르바졸 및 그의 유도체, 상기 색소 재료, 금속 착체 재료를 고분자화한 재료 등을 들 수 있다.

(발광층용 도펀트 재료)

발광층용 도펀트 재료로서는, 예를 들어 페릴렌 및 그의 유도체, 쿠마린 및 그의 유도체, 루브렌 및 그의 유도체, 퀴나크리돈 및 그의 유도체, 스쿠아릴륨 및 그의 유도체, 포르피린 및 그의 유도체, 스티릴 색소, 테트라센 및 그의 유도체, 피라졸론 및 그의 유도체, 데카시클렌 및 그의 유도체, 페녹사존 및 그의 유도체 등을 들 수 있다.

유기 기능층(7)의 두께는, 통상 약 2nm 내지 200nm이다. 유기 기능층(7)은, 예를 들어 상기와 같은 발광 재료를 포함하는 도포액(예를 들어 잉크)을 사용하는 도포법에 의해 형성된다. 발광 재료를 포함하는 도포액의 용매로서는, 발광 재료를 용해하는 것이면 한정되지 않는다.

[음극층]

음극층(9)은, 유기 기능층(7) 상에 배치되어 있다. 도 2에 도시된 바와 같이, 음극층(9)은 제1 음극층(제1 금속층)(9a)과, 제2 음극층(제2 금속층)(9b)과, 제3 음극층(제3 금속층)(9c)과, 제4 음극층(제4 금속층)(9d)을 갖고 있다. 제1 음극층(9a)은, 알루미늄이다. 제2 음극층(9b)은, 은이다. 제3 음극층(9c)은, 알루미늄이다. 제4 음극층(9d)은, 은이다.

음극층(9)의 두께는 통상 10nm 내지 10㎛이고, 바람직하게는 100nm 내지 1㎛이다. 본 실시 형태에서는, 음극층(9)의 두께는 700nm이다. 구체적으로는, 제1 음극층(9a)의 두께는 예를 들어 200nm이다. 제2 음극층(9b)의 두께는, 예를 들어 100nm이다. 제3 음극층(9c)의 두께는, 예를 들어 300nm이다. 제4 음극층(9d)은, 은이다. 제4 음극층(9d)의 두께는, 예를 들어 100nm이다.

음극층(9)은, 제1 음극층(9a), 제2 음극층(9b), 제3 음극층(9c) 및 제4 음극층(9d)이 이 순서로 적층되어 있다. 제1 음극층(9a)은, 음극층(9)의 최하층이다. 즉, 제1 음극층(9a)은 유기 기능층(7) 상에 배치된다. 제4 음극층(9d)은, 음극층(9)의 최상층이다. 즉, 제4 음극층(9d)은 밀봉 부재(11)와 대향한다.

음극층(9)의 형성 방법으로서는, 예를 들어 진공 증착법, 스퍼터링법, 또한 금속 박막을 열 압착하는 라미네이트법 및 도포법 등을 들 수 있다.

[밀봉 부재]

밀봉 부재(11)는, 유기 EL 소자(10)를 밀봉한다. 밀봉 부재(11)는, 상자형의 부재이다. 밀봉 부재(11)의 재료는, 예를 들어 유리, 혹은 알루미늄, 구리, 철로부터 선택되는 금속, 또는 이들 금속 중 적어도 하나를 포함하는 합금을 사용할 수 있다. 밀봉 부재(11)는, 지지 기판(3)에 배치된 유기 EL 소자(10)를 덮도록 배치되어 있다. 밀봉 부재(11)는 지지 기판(3) 상에 배치되고, 유기 EL 소자(10)를 수용하는 공간(S)을 형성한다. 공간(S)에는, 불활성 가스가 봉입되어 있다. 불활성 가스는, 예를 들어 질소이다.

밀봉 부재(11)는, 점접착부(13)에 의해 지지 기판(3)에 접착되어 있다. 점접착부(13)는 프레임상으로 배치되며, 지지 기판(3)과 밀봉 부재(11)를 접착한다. 이에 의해 유기 EL 소자(10)는 밀봉되어, 대기 중의 산소 및 수분으로부터 보호된다. 점접착부(13)는, 예를 들어 에폭시 수지 혹은 그 밖의 수지를 포함하는 자외선 경화 수지, 열경화 수지, 자외선 지연 경화 수지, 2액 혼합 경화 수지 등의 투명 재료를 포함한다.

밀봉 부재(11)의 내측에는, 건조제(15)가 설치되어 있다. 구체적으로는, 건조제(15)는 음극층(9)과 대향하는 밀봉 부재(11)의 내면(천장면)에 배치되어 있다. 본 실시 형태에서는, 건조제(15)는 시트상이다. 본 실시 형태에서는, 건조제(15)는 폴리테트라플루오로에틸렌, 산화칼슘 및 카본을 포함한다. 건조제(15)는, 밀봉 부재(11)에 복수 설치되어 있어도 된다. 건조제(15)는, 점접착층(점접착부)(17)에 의해 밀봉 부재(11)에 설치되어 있다. 점접착층(17)은, 아크릴산에스테르 공중합체를 포함하고 있다.

이상 설명한 바와 같이, 본 실시 형태에 관한 발광 장치(1)에서는, 밀봉 부재(11)에는 음극층(9)과 대향하는 위치에 건조제(15)가 설치되어 있다. 이 구성에 있어서, 음극층(9)의 최상층인 제4 음극층(9d)은 은을 포함한다. 이에 의해, 발광 장치(1)에서는 건조제(15)의 탈가스 성분과 음극층(9)이 반응하는 것을 억제할 수 있다. 따라서, 발광 장치(1)에서는 발광부(음극층(9))에 불균일이 발생하는 것을 억제할 수 있다. 그 결과, 발광 장치(1)에서는 발광 품위의 향상이 도모된다.

본 실시 형태에서는, 음극층(9)은 유기 기능층(7) 상에 알루미늄으로 이루어지는 제1 음극층(9a)과, 은으로 이루어지는 제2 음극층(9b)과, 알루미늄으로 이루어지는 제3 음극층(9c)과, 은으로 이루어지는 제4 음극층(9d)이 이 순서로 적층되어 있다. 이 구성에 의하면, 발광부의 발생을 한층 더 억제할 수 있다.

여기서, 음극층(9)의 결함 부분에 다크 스폿(비발광점)이 발생하고, 복수의 미소한 다크 스폿이 집합한 불균일(이하, 「헤이즈 불균일」이라 칭함)이 발생하는 경우가 있다. 본 실시 형태에서는, 음극층(9)의 두께의 합계는 700nm이다. 또한, 음극층(9)은, 알루미늄으로 이루어지는 제1 음극층(9a) 및 제3 음극층(9c)과, 은으로 이루어지는 제2 음극층(9b) 및 제4 음극층(9d)이 교대로 형성되어 있다. 이와 같이, 재료가 상이한 금속층을 교대로 형성함으로써, 예를 들어 음극층(9)을 증착법으로 형성하는 경우에 각 층의 질서가 상이하기 때문에, 음극층(9)의 강성을 확보할 수 있다. 그 때문에, 이물에 의해 음극층(9)에 크랙(파손)이 발생하고, 음극층(9)에 구조 결함이 발생하는 것을 억제할 수 있다. 그 결과, 다크 스폿의 발생을 억제할 수 있기 때문에, 헤이즈 불균일의 발생을 억제할 수 있다. 특히, 음극층(9)의 두께의 합계를 500nm 이상으로 함으로써, 음극층(9)에 있어서의 다크 스폿의 발생을 효과적으로 억제할 수 있다.

본 실시 형태에서는, 건조제(15)는 폴리테트라플루오로에틸렌, 산화칼슘 및 카본을 포함하고 있다. 이 건조제(15)를 사용하는 경우에는, 상기 구성을 갖는 음극층(9)의 구성이 발광부의 불균일 발생의 억제에 특히 유효하다.

본 실시 형태에서는, 건조제(15)는 점접착층(17)에 의해 밀봉 부재(11)에 설치되어 있다. 본 실시 형태에서는, 점접착층(17)은 아크릴산에스테르 공중합체를 포함하고 있다. 점접착층(17)으로부터는, 시간 경과에 따라 탈가스 성분이 발생할 우려가 있다. 음극층(9)은 최상층의 제4 음극층(9d)으로서 있기 때문에, 아크릴산에스테르 공중합체를 포함하는 점접착층(17)에서 발생하는 탈가스 성분과의 반응을 억제할 수 있다. 따라서, 건조제(15)의 탈가스 성분에 의한 불균일의 발생을 억제할 수 있다.

실시예

이하, 실시예 및 비교예에 기초하여 본 발명을 더욱 구체적으로 설명하지만, 본 발명은 이하의 실시예로 한정되는 것은 아니다.

[실시예 1]

실시예 1로서, 지지 기판 상에 양극층, 유기 기능층, 음극층 및 밀봉층이 이 순서로 적층된 유기 EL 소자를 갖는 발광 장치를 제조하였다.

지지 기판으로서, 두께 0.5mm의 무알칼리 유리를 준비하였다. 지지 기판 상에 양극층 및 유기 기능층을 형성하였다. 유기 기능층으로서는, 정공 주입층, 정공 수송층, 발광층 및 전자 주입층을 형성하였다.

음극층으로서는, 진공 증착법에 의해 알루미늄/은/알루미늄/은의 4층을 형성하였다. 음극층의 두께는 700nm로 하였다. 상세하게는, 1층째(최하층)의 알루미늄의 층의 두께는 200nm로 하였다. 2층째의 은의 층의 두께는, 100nm로 하였다. 3층째의 알루미늄의 층의 두께는, 300nm로 하였다. 4층째(최상층)의 은의 층의 두께는, 100nm로 하였다.

음극층을 형성한 후, 밀봉 부재에 의해 유기 EL 소자를 밀봉하고, 밀봉 부재의 천장면에 건조제를 설치하였다. 건조제로서는, 폴리테트라플루오로에틸렌, 산화칼슘 및 카본을 포함하는 것으로 하였다. 건조제는, 점접착층에 의해 밀봉 부재에 설치하였다. 점접착층으로서는, 아크릴산에스테르 공중합체를 포함하는 것으로 하였다. 이상에 의해, 실시예 1의 발광 장치를 얻었다.

실시예 1의 발광 장치에 대하여, 온도 85℃, 습도 90％RH의 환경하에서 보관을 행하고, 4일 경과 후의 헤이즈 불균일의 발생의 유무, 및 발광 초기에서의 건조제에 의한 불균일의 발생의 유무를 확인하였다(초기). 확인 결과를 표 1에 나타낸다. 표 1에서는 불균일이 발생한 경우를 「×」, 불균일이 발생하지 않은 경우를 「○」로 나타내고 있다. 또한, 불균일이 발생했다는 것은, 발광 품위에 영향을 줄 정도로 불균일이 발생한 경우를 의미하고 있다.

표 1에 나타낸 바와 같이, 실시예 1의 발광 장치에서는 헤이즈 불균일 및 건조제에 의한 불균일의 발생은 확인되지 않았다. 헤이즈 불균일에 대해서는, 10일 경과 후에 있어서도 확인되지 않았다.

[비교예 1]

비교예 1에서는, 음극층을 알루미늄/은의 2층을 형성한 것 이외는, 실시예 1과 마찬가지의 제조 방법으로 발광 장치를 얻었다. 음극층의 두께는, 300nm로 하였다. 상세하게는, 1층째(최하층)의 알루미늄의 층의 두께는 200nm로 하였다. 2층째(최상층)의 은의 층의 두께는, 100nm로 하였다. 비교예 1의 발광 장치에서는, 음극층의 최상층을 은으로 형성하고 있기 때문에, 발광 초기에서 건조제에 의한 불균일의 발생은 확인되지 않았다. 헤이즈 불균일에 대해서는, 4일 경과 후에 있어서 확인되었다.

[비교예 2]

비교예 2에서는, 음극층을 알루미늄/은/알루미늄의 3층을 형성한 것 이외는, 실시예 1과 마찬가지의 제조 방법으로 발광 장치를 얻었다. 음극층의 두께는, 600nm로 하였다. 상세하게는, 1층째(최하층)의 알루미늄의 층의 두께는 200nm로 하였다. 2층째의 은의 층의 두께는, 100nm로 하였다. 3층째(최상층)의 알루미늄의 층의 두께는, 300nm로 하였다. 비교예 2의 발광 장치에서는, 음극층의 최상층을 알루미늄으로 형성하였기 때문에, 발광 초기보다 건조제에 의한 불균일이 확인되었다. 헤이즈 불균일에 대해서는, 음극층의 두께를 비교적 두껍게 형성하였기 때문에, 4일 경과 후에 있어서도 확인되지 않았다.

또한, 본 발명은 상기한 본 실시 형태로 한정되지 않으며 다양한 변형이 가능하다. 예를 들어, 상기 실시 형태에서는, 양극층(5)과 음극층(9) 사이에 발광층을 포함하는 유기 기능층(7)이 배치된 유기 EL 소자(10)를 나타내었다. 그러나, 유기 기능층(7)의 구성은 이것으로 한정되지 않는다. 유기 기능층(7)은, 이하의 구성을 갖고 있어도 된다.

(a) (양극층)/발광층/(음극층)

(b) (양극층)/정공 주입층/발광층/(음극층)

(c) (양극층)/정공 주입층/발광층/전자 주입층/(음극층)

(d) (양극층)/정공 주입층/발광층/전자 수송층/전자 주입층/(음극층)

(e) (양극층)/정공 주입층/정공 수송층/발광층/(음극층)

(f) (양극층)/정공 주입층/정공 수송층/발광층/전자 주입층/(음극층)

(g) (양극층)/정공 주입층/정공 수송층/발광층/전자 수송층/전자 주입층/(음극층)

(h) (양극층)/발광층/전자 주입층/(음극층)

(i) (양극층)/발광층/전자 수송층/전자 주입층/(음극층)

여기서, 기호 「/」는, 기호 「/」를 사이에 두는 각 층이 인접하여 적층되어 있는 것을 나타낸다. 상기 (a)에 나타내는 구성은, 상기 실시 형태에 있어서의 유기 EL 소자(10)의 구성을 나타내고 있다.

정공 주입층, 정공 수송층, 전자 수송층 및 전자 주입층 각각의 재료는, 공지된 재료를 사용할 수 있다. 정공 주입층, 정공 수송층, 전자 수송층 및 전자 주입층 각각은, 예를 들어 유기 기능층(7)과 마찬가지로 도포법에 의해 형성할 수 있다.

유기 EL 소자(10)는 단층의 유기 기능층(7)을 갖고 있어도 되고, 2층 이상의 유기 기능층(7)을 갖고 있어도 된다. 상기 (a) 내지 (i)의 층 구성 중 어느 1개에 있어서, 양극층(5)과 음극층(9) 사이에 배치된 적층 구조를 「구조 단위 A」라 하면, 2층의 유기 기능층(7)을 갖는 유기 EL 소자의 구성으로서, 예를 들어 하기 (j)에 나타내는 층 구성을 들 수 있다. 2개 있는 (구조 단위 A)의 층 구성은, 서로 동일해도, 상이해도 된다.

(j) 양극층/(구조 단위 A)/전하 발생층/(구조 단위 A)/음극층

여기서 전하 발생층이란, 전계를 인가함으로써 정공과 전자를 발생하는 층이다. 전하 발생층으로서는, 예를 들어 산화바나듐, ITO, 산화몰리브덴 등으로 이루어지는 박막을 들 수 있다.

또한, 「(구조 단위 A)/전하 발생층」을 「구조 단위 B」라 하면, 3층 이상의 유기 기능층(7)을 갖는 유기 EL 소자의 구성으로서, 예를 들어 이하의 (k)에 나타내는 층 구성을 들 수 있다.

(k) 양극층/(구조 단위 B)x/(구조 단위 A)/음극층

기호 「x」는 2 이상의 정수를 나타내고, 「(구조 단위 B)x」는 (구조 단위 B)가 x단 적층된 적층체를 나타낸다. 또한 복수 있는 (구조 단위 B)의 층 구성은 동일해도, 상이해도 된다.

전하 발생층을 형성하지 않고, 복수의 유기 기능층(7)을 직접적으로 적층시켜 유기 EL 소자를 구성해도 된다.

상기 실시 형태에서는, 음극층(9)이 제1 음극층(9a), 제2 음극층(9b), 제3 음극층(9c) 및 제4 음극층(9d)의 4층으로 구성되어 있는 형태를 일례로 들어 설명하였다. 그러나, 음극층(9)은, 적어도 3층의 금속층으로 구성되어 있으면 된다. 3층의 경우, 음극층은 은/알루미늄/은이 되는 구성인 것이 바람직하다.

1…발광 장치
3…지지 기판
5…양극층(제1 전극층)
7…유기 기능층
9…음극층(제2 전극층)
9a…제1 음극층(제1 금속층)
9b…제2 음극층(제2 금속층)
9c…제3 음극층(제3 금속층)
9d…제4 음극층(제4 금속층)
10…유기 EL 소자
11…밀봉 부재
15…건조제
17…점접착층(점접착부)
S…공간

Claims

지지 기판과, 당해 지지 기판 상에 배치된 유기 EL 소자와, 상기 유기 EL 소자를 밀봉함과 함께, 상기 유기 EL 소자를 수용하는 공간을 갖는 밀봉 부재를 구비하고, 상기 공간에 불활성 가스가 봉입된 발광 장치이며,
상기 유기 EL 소자는, 상기 지지 기판 상에 제1 전극층, 유기 기능층 및 제2 전극층이 이 순서로 적층되어 형성되어 있고,
상기 밀봉 부재에는, 상기 제2 전극층과 대향하는 위치에 건조제가 설치되어 있고,
상기 제2 전극층은, 적어도 3층의 금속층을 포함하여 구성되어 있고,
복수의 상기 금속층 중 적어도 1층의 상기 금속층은 알루미늄으로 이루어지고, 최상층의 상기 금속층은 은으로 이루어지는, 발광 장치.
제1항에 있어서, 상기 제2 전극층은, 상기 유기 기능층 상에 알루미늄으로 이루어지는 제1 금속층과, 은으로 이루어지는 제2 금속층과, 알루미늄으로 이루어지는 제3 금속층과, 은으로 이루어지는 제4 금속층이 이 순서로 적층되어 있는, 발광 장치.
제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 건조제는 폴리테트라플루오로에틸렌, 산화칼슘 및 카본으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1개를 포함하는, 발광 장치.
제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 건조제는 점접착부에 의해 상기 밀봉 부재에 설치되어 있으며,
상기 점접착부는 아크릴산에스테르 공중합체를 포함하는, 발광 장치.