JP2007200743A - トップエミッション型有機エレクトロルミネッセンス素子 - Google Patents
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- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims abstract description 45
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 27
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims abstract description 27
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 57
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 47
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 claims description 28
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 claims description 18
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 13
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 13
- 238000005192 partition Methods 0.000 claims description 10
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 3
- 238000010030 laminating Methods 0.000 abstract description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 description 23
- 239000002585 base Substances 0.000 description 19
- 239000002346 layers by function Substances 0.000 description 13
- 239000010408 film Substances 0.000 description 10
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 8
- 239000002985 plastic film Substances 0.000 description 7
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 6
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 6
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 6
- -1 tris (8-quinolinol) aluminum Chemical compound 0.000 description 6
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 6
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 5
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 5
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 5
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 5
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 5
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 5
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 5
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 4
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 4
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 4
- 238000011161 development Methods 0.000 description 4
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 4
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 4
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 3
- 239000004840 adhesive resin Substances 0.000 description 3
- 229920006223 adhesive resin Polymers 0.000 description 3
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 3
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 3
- RHZWSUVWRRXEJF-UHFFFAOYSA-N indium tin Chemical compound [In].[Sn] RHZWSUVWRRXEJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 3
- 229920006255 plastic film Polymers 0.000 description 3
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 3
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 3
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 3
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 3
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004743 Polypropylene Substances 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001128 Sn alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910000611 Zinc aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052783 alkali metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000001340 alkali metals Chemical class 0.000 description 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 2
- HXFVOUUOTHJFPX-UHFFFAOYSA-N alumane;zinc Chemical compound [AlH3].[Zn] HXFVOUUOTHJFPX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 2
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QVQLCTNNEUAWMS-UHFFFAOYSA-N barium oxide Chemical compound [Ba]=O QVQLCTNNEUAWMS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 2
- 239000002274 desiccant Substances 0.000 description 2
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 2
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 2
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 description 2
- RBTKNAXYKSUFRK-UHFFFAOYSA-N heliogen blue Chemical compound [Cu].[N-]1C2=C(C=CC=C3)C3=C1N=C([N-]1)C3=CC=CC=C3C1=NC([N-]1)=C(C=CC=C3)C3=C1N=C([N-]1)C3=CC=CC=C3C1=N2 RBTKNAXYKSUFRK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NJWNEWQMQCGRDO-UHFFFAOYSA-N indium zinc Chemical compound [Zn].[In] NJWNEWQMQCGRDO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000007733 ion plating Methods 0.000 description 2
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002905 metal composite material Substances 0.000 description 2
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 2
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 2
- 229920001155 polypropylene Polymers 0.000 description 2
- 229920000123 polythiophene Polymers 0.000 description 2
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 2
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 description 2
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 2
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 2
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- 125000001637 1-naphthyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C2C(*)=C([H])C([H])=C([H])C2=C1[H] 0.000 description 1
- IRPGOXJVTQTAAN-UHFFFAOYSA-N 2,2,3,3,3-pentafluoropropanal Chemical compound FC(F)(F)C(F)(F)C=O IRPGOXJVTQTAAN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KLZUFWVZNOTSEM-UHFFFAOYSA-K Aluminum fluoride Inorganic materials F[Al](F)F KLZUFWVZNOTSEM-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 229910052684 Cerium Inorganic materials 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920000089 Cyclic olefin copolymer Polymers 0.000 description 1
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 1
- 229910052691 Erbium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052693 Europium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000846 In alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-M Methacrylate Chemical compound CC(=C)C([O-])=O CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 240000004050 Pentaglottis sempervirens Species 0.000 description 1
- 235000004522 Pentaglottis sempervirens Nutrition 0.000 description 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920001609 Poly(3,4-ethylenedioxythiophene) Polymers 0.000 description 1
- 239000004952 Polyamide Substances 0.000 description 1
- 239000004695 Polyether sulfone Substances 0.000 description 1
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000003848 UV Light-Curing Methods 0.000 description 1
- 229910052769 Ytterbium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000272 alkali metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052784 alkaline earth metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001860 alkaline earth metal hydroxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001342 alkaline earth metals Chemical class 0.000 description 1
- 229920000109 alkoxy-substituted poly(p-phenylene vinylene) Polymers 0.000 description 1
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011575 calcium Substances 0.000 description 1
- BRPQOXSCLDDYGP-UHFFFAOYSA-N calcium oxide Chemical compound [O-2].[Ca+2] BRPQOXSCLDDYGP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ODINCKMPIJJUCX-UHFFFAOYSA-N calcium oxide Inorganic materials [Ca]=O ODINCKMPIJJUCX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000292 calcium oxide Substances 0.000 description 1
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 238000001723 curing Methods 0.000 description 1
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 229920006332 epoxy adhesive Polymers 0.000 description 1
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 1
- 239000011888 foil Substances 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 238000007646 gravure printing Methods 0.000 description 1
- 238000013007 heat curing Methods 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011256 inorganic filler Substances 0.000 description 1
- 229910003475 inorganic filler Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052746 lanthanum Inorganic materials 0.000 description 1
- ORUIBWPALBXDOA-UHFFFAOYSA-L magnesium fluoride Chemical compound [F-].[F-].[Mg+2] ORUIBWPALBXDOA-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910001635 magnesium fluoride Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001512 metal fluoride Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000002080 perylenyl group Chemical group C1(=CC=C2C=CC=C3C4=CC=CC5=CC=CC(C1=C23)=C45)* 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920003207 poly(ethylene-2,6-naphthalate) Polymers 0.000 description 1
- 229920000172 poly(styrenesulfonic acid) Polymers 0.000 description 1
- 229920002647 polyamide Polymers 0.000 description 1
- 229920000767 polyaniline Polymers 0.000 description 1
- 229920001230 polyarylate Polymers 0.000 description 1
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 1
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920001225 polyester resin Polymers 0.000 description 1
- 239000004645 polyester resin Substances 0.000 description 1
- 229920006393 polyether sulfone Polymers 0.000 description 1
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 1
- 239000011112 polyethylene naphthalate Substances 0.000 description 1
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 1
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000002952 polymeric resin Substances 0.000 description 1
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 1
- 229940005642 polystyrene sulfonic acid Drugs 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 229910052706 scandium Inorganic materials 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000004469 siloxy group Chemical group [SiH3]O* 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052712 strontium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 229920003002 synthetic resin Polymers 0.000 description 1
- 229920001169 thermoplastic Polymers 0.000 description 1
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000004416 thermosoftening plastic Substances 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K50/842—Containers
- H10K50/8426—Peripheral sealing arrangements, e.g. adhesives, sealants
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
- H10K2102/301—Details of OLEDs
- H10K2102/302—Details of OLEDs of OLED structures
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Abstract
【課題】有機EL素子基材と、封止基材を張り合わせる接着層が有機EL素子部分に流れ込むことを抑制し、歩留まりに優れたトップエミッション型有機EL素子を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明のトップエミッション型有機エレクトロルミネッセンス素子は、封止基板上に備えられた防護壁は多重構造であるので、接着剤が発光領域に流れ込むことを防止することが出来る。このため、歩留まりに優れたトップエミッション型有機EL素子を提供することが可能となる。
【選択図】 図1
【解決手段】本発明のトップエミッション型有機エレクトロルミネッセンス素子は、封止基板上に備えられた防護壁は多重構造であるので、接着剤が発光領域に流れ込むことを防止することが出来る。このため、歩留まりに優れたトップエミッション型有機EL素子を提供することが可能となる。
【選択図】 図1
Description
本発明は、情報表示端末などのディスプレイや面発光光源として幅広い用途が期待されるトップエミッション型有機エレクトロルミネッセンス素子(以下、トップエミッション型有機EL素子と称す)に関する。
従来、携帯電話やPDA等の携帯機器やパーソナルコンピューター等の表示部に、エレクトロルミネッセンス(以下、単にELともいう)表示装置を用いたものが開発されている。
EL表示装置は、EL層(発光層)を有する発光部を基板面内に複数備えて構成され、各発光部を独立に駆動することで所望の表示を行っている。このEL表示装置は、発光層からの光の取り出し方向の違いにより、例えば素子基材側から光を取り出すボトムエミッション型と、封止基材側から光を取り出すトップエミッション型のものとに分類できるが、材料選択の自由度等の理由から、これまで主にボトムエミッション型の構造について研究されてきた。
一方、表示装置の分野では、大型化、高精細化、高輝度化に対するニーズが高く、EL表示装置についても大型化を目指した研究が盛んに行われている。
しかし、上述のボトムエミッション型のEL表示装置を大型化にした場合、電極に信号を供給する配線電極を制御するかトランジスタを太くする必要があり、これにより画素の開口率が低下するという問題があった。
また、このように開口率が低下した場合、画素の輝度を確保するために発光層に大きな電流を流す結果、製品寿命が短くなるという問題も生じる。このため、近年、画素の開口率が配線等の構造に影響されないトップエミッション型の構造が注目され、盛んに研究されている。
有機EL素子は、どちらか一方が透光性を有する2枚の電極(陽極と陰極)の間に、発光層を含む機能層を挟持した構造であり、両電極間に電流を流すことにより発光層で発光が生じる自発光型の表示素子である。
機能層は、通常機能分離された複数の層から構成され、その典型的な例としては、正孔注入層に銅フタロシアニン、正孔輸送層にN、N’−ジ(1−ナフチル)−N、N’−ジフェニル−1、1’−ビフェニル−4、4’−ジアミン、発光層にトリス(8−キノリノール)アルミニウムをそれぞれ積層した低分子型EL素子や、正孔輸送層にポリチオフェン誘導体、発光層にポリアルキルフルオレン誘導体を積層した高分子型EL素子がある。
有機EL素子は、機能層や陰極層を大気暴露させた状態で放置すると、大気中の水分や酸素により劣化することが知られている。具体的な代表例として、ダークスポットと呼ばれる非発光領域が発生し、時間の経過と共に拡大するといった現象がある。
この問題を解決する方法として、乾燥剤を内包したガラス製もしくは金属製の封止キャップを、乾燥窒素雰囲気下で、接着剤を使用して有機EL基材に貼り付けることにより、有機EL素子を被覆封止する方法が提案されている(特許文献1参照)。
しかしながら、この方法では、有機EL素子基材と封止キャップの貼り合わせの時、接着層が発光領域に流れ込むことにより、発光領域の素子部分が損傷してしまう等の問題を有している。
特開平5−36475号公報
本発明は、上記問題点に鑑み考案されたもので、接着層が素子部分に流れ込むことを抑制し、歩留まりに優れたトップエミッション型有機EL素子を提供することを目的とする。
請求項1に記載の本発明は、少なくとも支持基板と当該基板上に発光領域と隔壁とを備えた有機EL素子基材と、少なくとも封止基板と当該封止基板上に前記有機EL素子素材が備える発光領域の外周をとりかこむ防護壁とを備えた封止基材とを貼り合わせてなるトップエミッション型有機エレクトロルミネッセンス素子であって、封止基板上に備えられた防護壁は多重構造であることを特徴とするトップエミッション型有機エレクトロルミネッセンス素子である。
請求項2に記載の本発明は、請求項1に記載のトップエミッション型有機エレクトロルミネッセンス素子において、封止基板に備えられた多重構造の防護壁の最外周部に接着層を備えたことを特徴とするトップエミッション型有機エレクトロルミネッセンス素子である。
請求項3に記載の本発明は、請求項1から2のいずれかに記載のトップエミッション型有機エレクトロルミネッセンス素子において、接着層は紫外線硬化樹脂であることを特徴とするトップエミッション型有機エレクトロルミネッセンス素子。
請求項1に記載の本発明によれば、封止基板上に備えられた防護壁は多重構造であることにより、有機EL素子基材と封止基材を貼り合わせる時、余剰な接着層を、防護壁同士の間にある凹部にトラップさせることで、発光領域まで接着層が侵入しないようにすることが出来る。これにより、接着層が発光領域を侵し、発光を妨げることを防止することができ、歩留まりに優れたトップエミッション型有機EL素子を提供することが可能となる。
請求項2に記載の本発明によれば、封止基板に備えられた多重構造の防護壁の最外周部に接着層を備えたことにより、接着層が発光領域に流れ込むことを防止することが出来る。また、接着層と発光領域との位置を明確にすることが出来る。
請求項3に記載の本発明によれば、接着層として、硬化速度に優れた紫外線硬化樹脂を用いることが出来る。
本発明によれば、封止基板上に辺を囲む閉じた防護壁を多重に備えることにより、接着層が発光領域に流れ込むことを防止することが出来る。これにより、発光領域の素子部分が損傷してしまうことを防ぎ、歩留まりに優れたトップエミッション型有機EL素子を提供することが可能となる。
また、接着層と発光領域との位置が明確に区切られているため、紫外線硬化樹脂を用いても、硬化の時に必要な紫外線を接着層だけに照射でき、発光領域が紫外線により劣化することを防ぐことが出来る。このため、接着層として、硬化速度に優れた紫外線硬化樹脂を用いることが可能となる。
以下に、本発明の実施の形態を詳細に説明する。
図1は、本発明のトップエミッション型有機EL素子の一実施例を示す部分模式構成断面図である。
図1は、本発明のトップエミッション型有機EL素子の一実施例を示す部分模式構成断面図である。
本発明のトップエミッション型有機EL素子30は、
図2(b)に示す支持基板11上に第一電極12と、発光層を含む機能層13と、透明な第二電極14とからなる発光領域と、隔壁15とから形成された有機EL素子基材10と、
図2(a)に示す封止基板21上に、辺を囲む閉じた防護壁23と、接着層22とが形成された透明性かつ平面性を有する封止基材20と
を貼り合わせ、接着封止して一体構造としたものである。なお、機能層13は電圧の印加によって発光する発光層を必ず備える。さらに、発光を補助する正孔輸送層などの層を備える多層膜であってもよい。
支持基板11上に形成された第一電極12と、機能層13と、透明な第二電極14とからなる発光領域は、隔壁15にて仕切られている。
図2(b)に示す支持基板11上に第一電極12と、発光層を含む機能層13と、透明な第二電極14とからなる発光領域と、隔壁15とから形成された有機EL素子基材10と、
図2(a)に示す封止基板21上に、辺を囲む閉じた防護壁23と、接着層22とが形成された透明性かつ平面性を有する封止基材20と
を貼り合わせ、接着封止して一体構造としたものである。なお、機能層13は電圧の印加によって発光する発光層を必ず備える。さらに、発光を補助する正孔輸送層などの層を備える多層膜であってもよい。
支持基板11上に形成された第一電極12と、機能層13と、透明な第二電極14とからなる発光領域は、隔壁15にて仕切られている。
以下、有機EL素子基材10の作製法について説明する。
まず、支持基板11上に第一電極12を形成する。
まず、支持基板11上に第一電極12を形成する。
支持基板11としては、ガラスや石英、プラスチックシート等の透光性基材の他に、アルミニウムやステンレスなどの金属箔やシート、シリコン基板、前記プラスチックフィルムやシートにアルミニウム、銅、ニッケル、ステンレスなどの金属膜を積層させた非透光性基材などを用いることができる。
また、支持基板11上には必要に応じて、薄膜トランジスタ(TFT)を形成し、駆動用基板として用いても良い。該TFTの材料としては、ポリチオフェンやポリアニリン、銅フタロシアニンやペリレン誘導体等の有機TFTを用いてもよく、アモルファスシリコンやポリシリコンTFTを用いても良い。
第一電極12を陽極とする場合には、ITO(インジウムスズ複合酸化物)やインジウム亜鉛複合酸化物、亜鉛アルミニウム複合酸化物などの金属複合酸化物や、金、白金などの金属材料を用いることができる。
第一電極12の形成法としては、抵抗加熱蒸着法、電子ビーム蒸着法、反応性蒸着法、イオンプレーティング法、スパッタリング法などの乾式成膜法や、金属酸化物や金属材料の微粒子をエポキシ樹脂やアクリル樹脂などに分散した微粒子分散液をインクとして用いたグラビア印刷法、スクリーン印刷法などの湿式成膜法などが挙げられる。
次に、第一電極12が形成された支持基板11上に隔壁15を形成する。
隔壁15としては、アクリル樹脂あるいはポリイミド樹脂をベース樹脂とした感光性樹脂などを用いることができる。
また、隔壁15は、前記感光性樹脂の溶液をロールコート、スピンコート、スクリーン印刷、スプレーコート等のコーティング法を用いて、所定厚の感光層を形成し、パターン露光、現像等のパターニング処理を行って、第一電極12間の所定位置に形成される。このとき、隔壁15の高さは1μm前後である。
次に、発光物質を含む単層膜、あるいは多層膜を形成して機能層13を形成する。
機能層13を多層膜で形成する場合の構成例としては、正孔注入輸送層、電子輸送性発光層または正孔輸送性発光層、電子輸送層からなる2層構成や正孔注入輸送層、発光層、電子注入輸送層からなる3層構成、さらには、注入層と輸送層を分けたり、電子ブロック層や正孔ブロック層などを挿入することにより、さらに多層で形成することも可能である。
次に機能層13上に第二電極14を形成して、有機EL素子基材10を得る。
第二電極14を陰極とする場合には、材料としては電子注入効率の高い物質を用いる。具体的にはMg、Al、Yb等の金属単体を用いたり、機能層13と接する界面にLiや酸化Li、LiF等の化合物を1nm程度挟んで、安定性・導電性の高いAlやCuを積層して用いたりすることができる。また、電子注入効率と安定性を両立させるため、仕事関数が低いLi、Mg、Ca、Sr、La、Ce、Er、Eu、Sc、Y、Yb等の金属1種以上と、安定なAg、Al、Cu等の金属元素との合金系を用いてもよい。具体的にはMg、Ag、Al、Li、Cu等の合金が挙げられる。また、第二電極は透光性を有することが望ましい。
第二電極14の形成法としては、材料に応じて、抵抗加熱蒸着法、電子ビーム蒸着法、反応性蒸着法、イオンプレーティング法、スパッタリング法を用いることができる。このとき、第二電極14の厚さは、10nm〜1000nm程度が望ましいが、透明性電極として用いる場合には、これら金属材料を1〜10nm程度の薄膜として積層した後に、ITO(インジウムスズ複合酸化物)やインジウム亜鉛複合酸化物、亜鉛アルミニウム複合酸化物などの金属複合酸化物を10〜150nm積層し、電子注入性と透光性の両立を図ることが好ましい。
以下、封止基材20の作製法について説明する。
まず、封止基板21に防護壁23を形成する。
まず、封止基板21に防護壁23を形成する。
封止基板21としては、透明性かつ平面性を有する透光性基板を用いる必要があり、例えば、ガラスや石英、ポリプロピレン、ポリエーテルサルフォン、ポリカーボネート、シクロオレフィンポリマー、ポリアリレート、ポリアミド、ポリメチルメタクリレート、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート等のプラスチックフィルムやシート、または、これらプラスチックフィルムやシートに酸化珪素、酸化アルミニウム等の金属酸化物や、弗化アルミニウム、弗化マグネシウム等の金属弗化物、窒化珪素、窒化アルミニウムなどの金属窒化物、酸窒化珪素などの金属酸窒化物、アクリル樹脂やエポキシ樹脂、シリコーン樹脂、ポリエステル樹脂などの高分子樹脂膜を単層もしくは積層させた透光性基板を用いることができる。
また、封止基板21の表面に、ゲッター層(図示せず)を形成してもよい。ゲッター層とは酸素または水分を吸着または除去する効果を得るために設けられる層である。
ゲッター層としては、アルカリ金属、アルカリ土類金属、アルカリ金属の酸化物、アルカリ金属又はアルカリ土類金属の水酸化物から選ばれる少なくとも一つを含む化合物(錯体含む)を用いてもよい。
また、ゲッター層は使用する化合物を有機溶媒に溶かすことでインクジェット法、フレキソ印刷、反転印刷等のウエットプロセスを利用して作製することが可能である。また、ゲッター層は透光性を有する必要がある。
防護壁23としては、アクリル樹脂あるいはポリイミド樹脂をベース樹脂とした感光性樹脂を用いることができる。
また、防護壁23は、封止基板上に辺を囲むように閉じた(開口を有さない)状態で多重構造で備えられる。このとき、防護壁23の位置は貼り合わせたとき、対応する有機EL素子基材が備える発光領域を覆わないよう、外周を取り囲むように位置を定めることが望ましい。
また、防護壁23の形状は閉じていれば、特に問わない。このため、例えば、同心円状であってもよい。また、防護壁23同士の間隔としては、特に限定されるものではないが、1μm〜5000μmの範囲が望ましく、500μm〜2000μmの範囲がより好ましい。
また、防護壁23は、前記感光性樹脂の溶液をロールコート、スピンコート、スクリーン印刷、スプレーコート等のコーティング法を用いて、所定厚の感光層を形成し、パターン露光、現像等のパターニング処理を行って、形成する。このとき、防護壁23の高さは1〜100μm前後が望ましい。
次に、封止基板21に接着層22を形成して、封止基材20を得る。
接着層22として用いる接着剤としては、エポキシ系樹脂、アクリル系樹脂、シリコーン樹脂などからなる紫外線硬化樹脂、熱硬化型接着性樹脂、2液硬化型接着性樹脂や、ポリエチレン、ポリプロピレンなどの酸変性物からなる熱可塑性接着性樹脂などを単層もしくは積層して用いることができる。また、接着層23内部の含有水分を除去するために、酸化バリウムや酸化カルシウムなどの乾燥剤を混入したり、接着層の厚みをコントロールするために数%程度の無機フィラーを混入したりしても良い。
また、接着層22は封止基板21に設けた防護壁23の最外周部に形成する。
接着層22の形成方法は、封止基板21上に印刷法、ノズル塗布法、または予め別の基材上に形成させておいて転写させる転写法などを用いることが出来る。
以下、トップエミッション型有機エレクトロルミネッセンス素子30の作製法について説明する。
前記有機EL素子基材10と前記封止基材20を貼り合わせ、熱、光などで硬化を行い、有機エレクトロルミネッセンス素子30を得る。
前記有機EL素子基材10と前記封止基材20を貼り合わせ、熱、光などで硬化を行い、有機エレクトロルミネッセンス素子30を得る。
貼り合わせる時、封止基板上に辺を囲む閉じた防護壁23にはみ出した接着層22がトラップされるよう、封止基材20を下側に置いて張り合わせたほうが望ましい。
接着層22の硬化は減圧された環境で行ってもよい。また、用いた接着剤に合わせて、紫外線照射や加熱などを行なってもよく、これらを連続的もしくは同時に行ってもよい。
ガラスからなる支持基板上にインジウム・錫合金酸化物をスパッタリングして150nm厚のITO膜を成膜し、パターニング処理して第一電極を形成した。
次に、第一電極が形成された基板上にポリイミド樹脂からなる感光性樹脂溶液をスピンコーターにて塗布して感光層を形成し、パターン露光、現像等の1連のパターニング処理を行って、1μm厚の隔壁を形成した。
次に、第一電極上にポリ(3、4−エチレンジオキシチオフェン)とポリスチレンスルホン酸との混合物からなる20nmの正孔輸送層と、ポリ[2−メトキシ−5−(2’−エチルヘキシロキシ)−1、4−フェニレンビニレン](MEHPPV)からなる80nm厚の発光体層とからなる2層構成の100nm厚の機能層を形成した。
次に、インジウム・錫合金化合物をスパッタリングして60nm厚のITO膜を成膜し、パターニング処理して機能層上に第二電極を形成し、有機EL素子基材を作製した。
次に、ガラスからなる封止基板上にポリイミド樹脂からなる感光性樹脂溶液をスリットコーターにて塗布して感光層を形成し、パターン露光、現像等の1連のパターニング処理を行って、封止基板上に辺を囲む閉じた防護壁を三重に形成した。防護壁の厚さは20μm厚であった。
次に、アルミニウム金属錯体を有機溶媒に溶かしたものをインクジェット法で封止基板に塗布し、180℃で乾燥し、ゲッター層を形成した。
次に、封止基板上の三重構造となっている防護壁の最外周をとりまくように紫外線硬化型エポキシ系接着剤を塗布し、有機EL素子基材と封止基材とを貼り合わせた。この時、封止基材を下側に置いて張り合わせた。
UV硬化及び熱キュアで接着封止して、トップエミッション型有機エレクトロルミネッセンス素子を得た。
得られた、トップエミッション型有機エレクトロルミネッセンス素子は封止基材上に辺を囲む閉じた防護壁を複数設けているので、接着剤が発光領域に流れ込むことを防止することができた。
10……有機EL素子基材
11……支持基板
12……第一電極
13……機能層
14……第二電極
15……隔壁
20……封止基材
21……封止基板
22……接着層
23……防護壁
30……トップエミッション型有機エレクトロルミネッセンス素子
11……支持基板
12……第一電極
13……機能層
14……第二電極
15……隔壁
20……封止基材
21……封止基板
22……接着層
23……防護壁
30……トップエミッション型有機エレクトロルミネッセンス素子
Claims (3)
- 少なくとも支持基板と当該基板上に発光領域と隔壁とを備えた有機EL素子基材と、
少なくとも封止基板と当該封止基板上に前記有機EL素子素材が備える発光領域の外周をとりかこむ防護壁とを備えた封止基材と
を貼り合わせてなるトップエミッション型有機エレクトロルミネッセンス素子であって、
封止基板上に備えられた防護壁は多重構造であること
を特徴とするトップエミッション型有機エレクトロルミネッセンス素子。 - 請求項1に記載のトップエミッション型有機エレクトロルミネッセンス素子において、
封止基板に備えられた多重構造の防護壁の最外周部に接着層を備えたこと
を特徴とするトップエミッション型有機エレクトロルミネッセンス素子。 - 請求項1から2のいずれかに記載のトップエミッション型有機エレクトロルミネッセンス素子において、
接着層は紫外線硬化樹脂であること
を特徴とするトップエミッション型有機エレクトロルミネッセンス素子。
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JP2006018657A JP2007200743A (ja) | 2006-01-27 | 2006-01-27 | トップエミッション型有機エレクトロルミネッセンス素子 |
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