KR20180099783A - 적층 구조의 보우를 감소시키기 위한 비대칭 처리 방법 - Google Patents

적층 구조의 보우를 감소시키기 위한 비대칭 처리 방법 Download PDF

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마이클 아론 맥도날드
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Abstract

본원에 개시된 발명은 비대칭 적층 구조를 제조하는 방법과 비대칭 적층 구조의 보우를 줄이기 위한 방법에 대한 것이며 상기 방법은 적층 중 적층 구조를 차이가 나게 가열하는 단계 또는 적층 후 적층 구조를 차이가 나게 냉각하는 단계를 포함한다. 또한 본원에 개시된 발명은 비대칭 적층 구조의 보우를 줄이는 방법에 대한 것이며, 상기 방법은 적층 구조의 적어도 하나의 기판을 적층 전 비대칭 템퍼링 또는 어닐링하는 단계를 포함한다. 또한, 본원 발명은 이러한 방법에 따라 제조된 적층 구조에 대한 것이다.

Description

적층 구조의 보우를 감소시키기 위한 비대칭 처리 방법
본 출원은 2015년 12월 29일에 제출된 미국 가출원 번호 제62/272,266호의 우선권을 주장하며, 그 내용 전체가 본원에 참조로 포함된다.
본 발명은 적층 구조(laminate structures) 및 적층 구조 제조 방법에 대한 것으로서, 더욱 구체적으로는, 비대칭 유리 적층 구조의 보우(bow)를 감소시키기 위한 방법에 대한 것이다.
적층 구조는 다양한 산업에서 광범위한 용도에 대해 사용될 수 있다. 예를 들어, 적층 구조는 사이딩(siding), 장식 패널, 캐비닛 설치(cabinet installation), 벽지 등과 같은 건축 용도로 사용될 수 있다. 적층 구조는 또한 가구 아이템 및/또는 가정용품에 사용될 수 있다. 예를 들면, 적층 구조는 캐비닛, 가구 아이템, 및/또는 가정용품에 대한 외부 패널로서 포함될 수 있다. 적층 구조는 예컨대, 창문, 선루프, 거울, 및 외부 또는 내부 패널과 같은, 자동차의 기능성 또는 장식 부품으로서 역할을 할 수 있다.
자동차, 운송, 항공, 및 건축용 창은 종종 유사한 두께와 조성의 두 개의 유리 시트를 포함하는 적층 구조로 만들어진다. 그러나, 다양한 용도에 대해, 예컨대, 상이한 조성 및/또는 두께의 기판과 같은, 유사하지 않은 기판을 포함하는 적층 구조를 제공하는 것이 바람직할 수 있다. 예를 들면, 금속-유리 적층, 플라스틱-유리 적층, 유리-세라믹 적층, 및 다른 유사한 적층이 미관적인 또는 구조적인 품질을 위해 바람직할 수 있다.
부가적으로, 유사하지 않은 유리 기판을 포함하는 유리-유리 적층은 다양한 용도에 대해, 예를 들어, 상이한 조성, 두께, 및/또는 열팽창계수(CTE)와 같은 다른 특성을 가진 유리를 포함하는 적층에 대해 또한 바람직할 수 있다. 비-제한적인 예시를 통해, 얇은 시트의 이온-교환 유리는 더 두꺼운 소다 석회 유리 시트에 적층되어 향상된 내손상성을 제공할 수 있다. 일렉트로크로믹(Electrochromic) 창 및 거울은 향상된 구조적 강성을 위해 더 두꺼운 소다 석회 유리 기판으로 적층될 수 있는, 전기적으로 활성화된 얇은 필름이 증착된, 얇은 무-알칼리 유리 기판을 포함할 수 있다.
유사하지 않은 기판을 포함하는 적층 구조는 본원에서 "비대칭" 적층으로 나타낸다. 비대칭 적층이 대칭 적층에 비해 하나 이상의 이점이 존재할 수 있지만, 이러한 적층은 또한 다양한 도전이 존재할 수 있다. 예를 들어, 비대칭 적층은 상이한 CTE를 가진 둘 이상의 기판을 포함할 수 있다. 적층 처리 중, 기판은 적층 온도로 가열되고 이후 예컨대 실온으로 냉각될 수 있다. 적층 구조가 냉각될 때, 기판들 간의 CTE 불일치는 면외 편향(out-of-plane deflection)(보통, "보우"로 나타냄)을 야기할 수 있다. 적층 구조의 보우는 필름 증착과 같은 추후 처리 단계를 방해할 수 있으며, 이는 최종 제품에 원치않는 광학적 뒤틀림을 야기할 수 있고, 및/또는 의도된 적용에 대해 적합하지 않은 및/또는 바람직한 목적 형상에 맞지 않은 제품을 야기할 수 있다.
따라서, 냉각 후 구조에서 보우를 줄이거나 제거할 수 있는 적층 구조를 제조하는 방법을 제공하는 것이 바람직하다. 면외 편향 또는 보우가 없거나 거의 없는 비대칭 적층 구조를 제공하는 것 또한 바람직하다. 본 발명의 이들 및 다른 관점은 본원에서 더욱 자세하게 설명된다
다양한 실시예에서, 본 발명은 적층 구조를 제조하는 방법에 대한 것으로서, 상기 방법은 스택(stack)을 형성하기 위해 제1 기판과 제2 기판 사이에 중간층을 위치시키는 단계, 및 적층 구조를 형성하기 위해 상기 스택을 적층 온도로 가열하는 단계를 포함하며, 여기서, 상기 제2 기판은 제1 표면과 제2 표면을 포함하는 비대칭으로 어닐링되거나 또는 템퍼링된 유리 기판이고, 상기 제1 표면은 제2 표면의 제2 압축 응력보다 더 작은 제1 압축 응력을 가지며; 상기 적층 구조의 최소 곡률 반경은 약 -20 ℃ 내지 약 90 ℃ 범위의 온도에서 상기 적층 구조의 최대 치수보다 적어도 약 40 배 더 크다.
또한, 본원에 개시된 발명은 제1 기판, 제2 기판, 및 상기 제1 및 제2 기판을 부착하는 중간층을 포함하는 적층 구조에 대한 것으로서, 상기 제2 기판은 제1 표면 및 제2 표면을 포함하는 비대칭으로 어닐링 또는 템퍼링된 유리 기판이며, 상기 제1 표면은 제2 표면의 압축 응력보다 더 작은 압축 응력을 갖고; 상기 제1 기판의 CTE는 제2 기판의 CTE와 다르며; 및 상기 적층 구조의 최소 곡률 반경은 약 -20 ℃ 내지 약 90 ℃ 범위의 온도에서 상기 적층 구조의 최대 치수보다 적어도 약 40 배 더 크다.
특정 실시예에서, 제2 기판의 CTE는 제1 기판의 CTE보다 더 클 수 있으며, 제2 기판의 제1 표면은 중간층과 접촉할 수 있다. 다른 실시예에서, 제2 기판의 CTE는 제1 기판의 CTE보다 작을 수 있고, 제2 기판의 제2 표면은 중간층과 접촉할 수 있다. 또 다른 실시예에서, 제1 및 제2 기판은 모두 비대칭으로 어닐링되거나 템퍼링된 유리 기판일 수 있다.
본원에 개시된 다른 발명은 적층 구조를 제조하는 방법에 대한 것으로서, 상기 방법은 스택을 형성하기 위해 제1 기판과 제2 기판 사이에 중간층을 위치시키는 단계, 적층 구조를 형성하기 위해 상기 스택을 제1 평균 적층 온도로 가열하는 단계, 및 상기 적층 구조를 제2 평균 온도로 냉각하는 단계를 포함하며; 여기서, 상기 제2 기판의 CTE는 제1 기판의 CTE보다 더 크며; 및 상기 스택을 가열하는 단계는 제1 기판을 제2 기판의 제2 가열 속도보다 더 빠른 제1 가열 속도로 차이가 나게 가열하는 단계를 포함하거나, 또는 상기 적층 구조를 냉각하는 단계는 제1 기판을 제2 기판의 제2 냉각 속도보다 더 느린 제1 냉각 속도로 차이가 나게 냉각하는 단계를 포함한다.
본원에 개시된 또 다른 발명은 제1 유리 기판, 제2 유리 기판, 및 상기 제1 및 제2 유리 기판을 부착하는 중간층을 포함하는 적층 구조에 대한 것으로서, 상기 제2 유리 기판의 CTE는 제1 유리 기판의 CTE보다 적어도 약 30 % 더 크고, 및 상기 적층 구조의 면외 편향은 적층 구조의 두께의 두 배보다 작다.
부가적인 특징 및 이점들은 하기의 상세한 설명에서 제시될 것이며, 일부는 그 설명으로부터 당업자에게 명백할 것이고 또는 하기의 상세한 설명, 청구범위, 및 첨부된 도면들을 포함하는 본원에 설명된 방법을 실시함으로써 이해될 것이다.
전술한 배경 기술 및 하기 상세한 설명 모두는 본 발명의 다양한 실시예를 제시하고, 청구범위의 본질 및 특성을 이해하기 위한 개요 또는 프레임워크를 제공하도록 의도된 것으로 이해되어야 한다. 첨부된 도면은 더욱 이해를 제공하기 위해 포함되며, 본 명세서의 일부를 구성하고 본 명세서의 일부로 포함된다. 도면들은 다양한 비-제한적인 실시예들을 예시하고, 상세한 설명과 함께 본 발명의 원리들 및 작동들을 설명하는 역할을 한다.
본 발명의 다양한 특색, 관점 및 장점은, 첨부된 도면을 참조하여 하기 상세한 설명이 더 잘 이해될 수 있으며, 유사한 구조는 가능한 한 동일한 참조 번호로 표시된다:
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 예시의 적층 구조를 나타내는 단면도이다.
도 2는 비대칭 적층 구조를 제조하는 예시의 방법을 나타낸다.
도 3a-3b는 본 발명의 실시예에 따른 비대칭 적층 구조를 제조하는 방법을 나타낸다.
도 4는 종래의 적층 방법을 이용하여 제조된 적층 구조에 대한 면외 편향을 나타낸다.
적층 구조
도 1은 본 발명의 다양한 실시예에 따른 적층 구조(100)의 단면도를 나타낸다. 적층 구조는 제1 기판(101), 제2 기판(107), 그리고 제1 및 제2 기판을 부착하는 중간층(113)을 포함할 수 있다. 상기 제1 기판(101)은 제1 표면(103) 및 대향하는 제2 표면(105)을 가지며, 두 표면 사이에 두께 (T1)을 가질 수 있다. 유사하게, 제2 기판은 제1 표면(109) 및 대향하는 제2 표면(111)을 가질 수 있으며, 두 표면 사이에 두께 (T2)를 갖는다. 중간층(113)은 또한 두께 (T3)를 가질 수 있다.
제1 및 제2 기판(101, 107)은, 이에 한정되지 않지만, 유리, 유리-세라믹, 세라믹, 플라스틱, 및 금속을 포함하는, 광범위한 재료를 포함할 수 있다. 하나의 비-제한적인 실시예에 따르면, 제1 및 제2 기판 중 적어도 하나는 유리 기판이다. 부가적인 실시예에서, 제1 및 제2 기판 모두는 유리를 포함한다. 적합한 유리 기판은, 예를 들어, 소다 석회, 알루미노실리케이트(aluminosilicate), 알칼리-알루미노실리케이트(alkali-aluminosilicate), 보로실리케이트(borosilicate), 알칼리-보로실리케이트(alkali-borosilicate), 알루미노보로실리케이트(aluminoborosilicate), 및 알칼리-알루미노보로실리케이트(alkali-aluminoborosilicate) 유리, 또는 다른 적절한 유리 재료를 포함할 수 있다. 몇몇 실시예에서, 유리 기판은 유리의 강도 및/또는 파괴 및/또는 스크래치에 대한 그의 저항성을 증가시키기 위해, 예컨대, 어닐링되거나 또는 화학적으로 또는 열적으로 템퍼링될 수 있다. 하나의 실시예에서, 유리 시트 기판은, 코닝사(Corning Incorporated)의 Corning® Gorilla®glass 와 같은 화학적으로 강화된 유리를 포함할 수 있다. 이러한 화학적으로 강화된 유리는, 예를 들어, 미국 특허 제7,666,511호, 제4,483,700호 및/또는 제5,674,790호에 따라 제공될 수 있으며, 이의 전체적인 내용은 참조로서 여기에 포함된다. 코닝사의 Corning® Willow® glass, Corning® Lotus™ glass, Corning® EAGLE XG®, 및 Corning IrisTM glass 또한, 다양한 실시예에서, 유리 기판으로 사용하는데 적합할 수 있다.
또 다른 관점에 따르면, 제1 또는 제2 유리 기판은, 약 100 MPa보다 더 큰 압축 응력(CS)과 약 10 microns보다 큰 압축 응력의 층의 깊이(DOL), 예를 들어, 약 500 MPa보다 큰 압축 응력과 약 20 microns보다 큰 DOL, 또는 약 700 MPa보다 큰 압축 응력과 약 40 microns보다 큰 DOL을 가질 수 있다. 예를 들어, Corning® Gorilla®glass를 제조하기 위한 화학적 강화 처리는, 상대적으로 깊은 DOL (예컨대, 40 microns, 또는 심지어 약 100 microns 이상)에서 상대적으로 큰 압축 응력(CS) (예컨대, 약 700 MPa 내지 약 730 MPa 또는 심지어 약 800MPa 이상)을 부여할 수 있다.
또 다른 실시예에 따르면, 제1 또는 제2 유리 기판은 산-에칭되어(acid-etched) 유리 기판을 더욱 강화시킬 수 있다. 유리의 산 에칭은 구조적 무결성 또는 충격 성능의 저하 없이 본 발명의 적층 구조에서 더 얇은 기판의 사용도 가능하게 할 수 있다. 산-에칭 단계는, 몇몇 예시에서, 유리 기판의 표면 중 하나 이상으로부터 얇은 층을 제거할 수 있다. 전술된 표면층을 제거함으로써, 산 에칭이 1 micron 이하의 표면 흠집(flaws)의 대부분을 제거할 수 있고 및/또는 응력 집중 계수(stress concentration factor)에 부정적인 영향을 미치는 더 큰 흠의 선단을 둥글게 할 수 있는 것으로 여겨진다. 산 에칭(예컨대, 작은 표면 흠의 제거 및 큰 흠집의 선단을 둥글게 함)에 의한 유리 표면의 개선은, 내충격성과 같은, 유리 강도를 개선할 수 있다. 더욱이, 유리가, 예컨대, 표면으로부터 약 40 microns, 또는 몇몇 예시에서, 심지어 약 100 microns보다 더 큰, 상당히 깊은 깊이에서 비교적 높은 CS를 가질 수 있기 때문에, 비교적 작은 깊이의 유리만이 제거될 수 있어서, 유리 시트에서 상당한 CS 저하가 발생하지 않을 수 있다.
제1 및 제2 기판(101, 107)은, 약 10 mm 이하, 예컨대 약 8 mm 이하, 약 6 mm 이하, 또는 약 3 mm 이하의, 제1 표면 및 대향하는 제2 표면 사이에서 연장하는 두께 (T1, T2)를 가질 수 있다. 예를 들어, 유리 두께는 약 0.1 mm 내지 약 3 mm, 예컨대 약 0.3 mm 내지 2 mm, 약 0.5 mm 내지 약 1.5 mmm, 또는 약 0.7 mm 내지 약 1 mm 범위에 있을 수 있으며, 이들 범위 및 이들 사이의 하위 범위를 포함할 수 있다. 하나의 비-제한적인 실시예에서, 유리 기판은 약 3 mm 내지 약 10 mm, 예컨대 약 4 mm 내지 약 9 mm, 약 5 mm 내지 약 8 mm, 또는 약 6 mm 내지 약 7 mm 범위의 두께를 가질 수 있으며, 이들 범위 및 이들 사이의 하위 범위 모두를 포함할 수 있다.
몇몇 실시예에서, 제1 및 제2 기판(101, 107)은, 예를 들어, 약 0.5 x 10-6/℃ 내지 약 15 x 10-6/℃의 범위, 예컨대, 약 1 x 10-6/℃ 내지 약 14 x 10-6/℃, 약 2 x 10-6/℃ 내지 약 13 x 10-6/℃, 약 3 x 10-6/℃ 내지 약 12 x 10-6/℃, 약 4 x 10-6/℃ 내지 약 11 x 10-6/℃, 약 5 x 10-6/℃ 내지 약 10 x 10-6/℃, 약 6 x 10-6/℃ 내지 약 9 x 10-6/℃, 또는 약 7 x 10-6/℃ 내지 약 8 x 10-6/℃ 범위의 열팽창계수(CTE)를 가지며, 이들 범위 및 이들 사이의 하위 범위 모두를 포함할 수 있는 유리 기판일 수 있다. 특정 실시예에서, 유리 기판은 약 8 x 10-6/℃ 내지 약 10 x 10-6/℃의 범위, 예를 들어 약 8.5 x 10-6/℃ 내지 약 9.5 x 10-6/℃ 범위의 CTE를 가질 수 있다. 다른 실시예에서, 유리 기판은 약 3 x 10-6/℃ 내지 약 5 x 10-6/℃의 범위, 예를 들어, 약 3.5 x 10-6/℃ 내지 약 4.5 x 10-6/℃ 범위의 CTE를 가질 수 있다. 비-제한적인 실시예에 따르면, 유리 기판은, 약 7.5 내지 약 8.5 x 10-6/℃ 범위의 CTE를 갖는 Corning® Gorilla®glass, 약 3 내지 약 4 x 10-6/℃ 범위의 CTE를 갖는 Corning® EAGLE XG®glass, 약 3 내지 약 4 x 10-6/℃ 범위의 CTE를 갖는 Corning®Lotus™ glass, 또는 약 3 내지 약 4 x 10-6/℃ 범위의 CTE를 갖는 Corning® Willow®glass일 수 있다. 부가적인 실시예에서, 유리 기판은 약 8 내지 약 10 x 10-6/℃ 범위의 CTE를 갖는 소다 석회 유리일 수 있다.
제1 및 제2 기판(101, 107)은, 예컨대, 냉간 압연 강, 아연 도금 강, 및 스테인리스 강과 같은 강철, 알루미늄, 또는 임의의 다른 적합한 금속과 같은 금속 및 금속 합금으로부터 선택될 수 있다. 상업적으로 이용 가능한 스테인리스 강은, 몇 가지 예를 들면, 201#, 201#, 220#, 230#, 301#, 304#, 305#, 312#, 316#, 321#, 409#, 410#, 416#, 430#, 440#, 및 446# 스테인리스 강과 같은, 예를 들어, 200 시리즈, 300 시리즈, 및 400 시리즈 스테인리스 강을 포함할 수 있다. 금속 기판은, 다양한 실시예에서, 약 5 x 10-6/℃ 내지 약 20 x 10-6/℃의 범위, 예컨대 약 7 x 10-6/℃ 내지 약 17 x 10-6/℃, 약 8 x 10-6/℃ 내지 약 15 x 10-6/℃, 약 9 x 10-6/℃ 내지 약 12 x 10-6/℃, 또는 약 10 x 10-6/℃ 내지 약 11 x 10-6/℃ 범위의 CTE를 가질 수 있고, 이들 범위 및 이들 사이의 하위 범위 모두를 포함할 수 있다.
금속 기판의 두께는 특정 적용에 따라 변할 수 있다. 상대적으로 얇은 금속 시트는, 다양한 분야에서, 예를 들어, 변형에 대한 충분한 저항성을 제공하면서도 적층된 구조의 재료 비용 및/또는 무게를 줄이는데 사용될 수 있다. 다른 실시예에서, 상대적으로 두꺼운 금속 시트는, 다양한 분야에서, 예를 들어, 적층된 구조의 기계적 무결성을 유지하기 위해 더욱 지지가 요구되는 곳에 사용될 수 있다. 몇몇 실시예에서, 두께는 30 게이지 금속 시트(Gauge metal sheet)에서 10 게이지 금속 시트까지의 범위일 수 있다. 또 다른 실시예에서, 두께는 25 게이지 금속 시트에서 15 게이지 금속 시트까지의 범위에 있을 수 있다. 다른 비-제한적인 실시예에 따라서, 비록 다른 두께가 특정 적용에 따라 제공될 수 있을지라도, 약 0.1 mm 내지 약 5 mm 의 범위의 두께, 예를 들어, 약 0.3 mm 내지 약 3 mm, 약 0.5 mm 내지 약 2 mm, 또는 약 1mm 내지 약 1.5 mm의 범위의 두께를 갖는 금속 시트가 사용될 수 있고, 이들 범위 및 이들 사이의 하위 범위 모두를 포함할 수 있다.
또한, 예를 들어, 금형 및 압출 가공된 플라스틱과 같은 플라스틱 기판이 적합한 적층 재료로서 포함될 수 있다. 플라스틱 기판은, 특정 실시예에서, 약 0.1 mm 내지 약 12 mm 범위의 두께, 예컨대, 약 0.3 mm 내지 약 10 mm, 약 0.5 mm 내지 약 8 mm, 약 1 mm 내지 약 5 mm, 약 1.5 mm 내지 약 4 mm, 또는 약 2 mm 내지 약 3 mm의 두께 범위를 가질 수 있으며, 이들 범위 및 이들 사이의 하위 범위 모두를 포함할 수 있다. 플라스틱 기판은, 다양한 실시예에서, 약 5 x 10-6/℃ 내지 약 130 x 10-6/℃의 범위, 예컨대 약 10 x 10-6/℃ 내지 약 120 x 10-6/℃, 약 15 x 10-6/℃ 내지 약 110 x 10-6/℃, 약 20 x 10-6/℃ 내지 약 100 x 10-6/℃, 약 25 x 10-6/℃ 내지 약 90 x 10-6/℃, 약 30 x 10-6/℃ 내지 약 80 x 10-6/℃, 약 35 x 10-6/℃ 내지 약 70 x 10-6/℃, 약 40 x 10-6/℃ 내지 약 60 x 10-6/℃, 또는 약 45 x 10-6/℃ 내지 약 50 x 10-6/℃ 범위의 CTE를 가질 수 있고, 이들 범위 및 이들 사이의 하위 범위 모두를 포함할 수 있다.
제1 및 제2 기판(101, 107)은 또한 유리-세라믹 및 세라믹 기판으로부터 선택될 수 있다. 적합한 유리-세라믹 기판은, 몇 가지 예를 들면, 리튬 디실리케이트(lithium disilicate), 네펠린(nepheline), 베타-스포듀민(beta-spodumene), 및 베타-쿼츠(beta-quartz) 유리-세라믹을 포함할 수 있다. 상업적으로 이용 가능한 유리-세라믹의 비-제한적인 예시는 코닝사의 Macor® 및 Pyroceram®을 포함한다. 세라믹 또는 유리-세라믹 기판은 약 0.5 mm 내지 약 5 mm의 두께 범위, 예컨대, 약 1 mm 내지 약 4 mm, 약 1.5 mm 내지 약 3 mm, 또는 약 2 mm 내지 약 2.5 mm의 두께 범위를 가질 수 있으며, 이들 범위 및 이들 사이의 하위 범위 모두를 포함할 수 있다. 세라믹 또는 유리-세라믹 기판의 CTE는 예를 들면, 약 3 x 10-6/℃ 내지 약 20 x 10-6/℃, 예컨대, 약 5 x 10-6/℃ 내지 약 18 x 10-6/℃, 약 8 x 10-6/℃ 내지 약 15 x 10-6/℃, 또는 약 10 x 10-6/℃ 내지 약 12 x 10-6/℃의 범위에 있을 수 있으며, 이들 범위 및 이들 사이의 하위 범위 모두를 포함할 수 있다.
본원에 개시된 모든 CTE 값들은 약 0 ℃ 내지 약 300 ℃ 범위의 온도에 걸쳐 측정된 CTE로 표현된 것을 이해해야 한다. 제1 및 제2 기판의 CTE는, 본원에 제공된 것처럼, 독립적으로, 비-제한적인 예시를 통해, 약 0.5 x 10-6/℃ 내지 약 130 x 10-6/℃의 범위, 예컨대, 약 1 x 10-6/℃ 내지 약 100 x 10-6/℃, 약 3 x 10-6/℃ 내지 약 80 x 10-6/℃, 약 5 x 10-6/℃ 내지 약 60 x 10-6/℃, 약 10 x 10-6/℃ 내지 약 50 x 10-6/℃, 또는 약 20 x 10-6/℃ 내지 약 30 x 10-6/℃의 범위에 있을 수 있으며, 이들 범위 및 이들 사이의 하위 범위 모두를 포함할 수 있다. 다양한 실시예에 따라, 제1 및 제2 기판의 CTE는 일치되지 않을 수 있으며, 예컨대, 적어도 약 0.1 %, 예컨대 적어도 약 1 %, 적어도 약 5 %, 적어도 약 10 %, 적어도 약 15 %, 적어도 약 20 %, 적어도 약 25 %, 적어도 약 30 %, 적어도 약 40 %, 적어도 약 50 %, 및 그 이상만큼 상이한 값을 가질 수 있다. 예컨대, 약 1000 mm x 1000 mm 이상의, 더 큰 부품에 대해서는, 예를 들어, 더 낮은 정도의 CTE 불일치가 적어도 약 0.1 %, 1 %, 2 %, 3 %, 4 %, 또는 5 % 같이, CTE의 0.1 % 차이만큼 낮은 뚜렷한 보우를 유발할 수 있다. 유사하게, CTE 불일치는 예컨대, CTE 불일치가 약 10 %를 초과하는 경우, 더 작은 부품에서 보우를 유발할 수 있다. 비-제한적인 예시를 통해, 제2 기판의 CTE는 제1 기판의 CTE보다 10배, 예컨대, 약 9, 8, 7, 6, 5, 4, 3, 또는 2배일 수 있으며, 그 반대일 수 있다. 다른 비-제한적인 실시예에서, 제1 및 제2 CTE 간의 차이는(예컨대, CTE2-CTE1 또는 CTE1-CTE2), 예를 들면, 약 1 x 10-6/℃ 내지 약 130 x 10-6/℃의 범위, 예컨대, 약 2 x 10-6/℃ 내지 약 120 x 10-6/℃, 약 3 x 10-6/℃ 내지 약 110 x 10-6/℃, 약 4 x 10-6/℃ 내지 약 100 x 10-6/℃, 약 5 x 10-6/℃ 내지 약 90 x 10-6/℃, 약 6 x 10-6/℃ 내지 약 80 x 10-6/℃, 약 7 x 10-6/℃ 내지 약 70 x 10-6/℃, 약 8 x 10-6/℃ 내지 약 60 x 10-6/℃, 약 9 x 10-6/℃ 내지 약 50 x 10-6/℃, 약 10 x 10-6/℃ 내지 약 40 x 10-6/℃, 또는 약 20 x 10-6/℃ 내지 약 30 x 10-6/℃의 범위일 수 있고, 이들 범위 및 이들 사이의 하위 범위 모두를 포함할 수 있다.
도 1에 예시된 바와 같이, 적층 구조는 제2 기판(107)에 제1 기판(101)을 부착하는 중간층(113)을 더욱 포함할 수 있다. 상기 중간층(113)은 예컨대 기판의 적용 및 특성에 따라 광범위한 재료를 포함할 수 있다. 중간층은 예컨대 에틸렌 비닐 아세테이트(ethylene vinyl acetate, EVA), 열가소성 폴리우레탄(thermoplastic polyurethane, TPU), 폴리비닐 부티랄(polyvinyl butyral, PVB), 및 예컨대 쿠라레이사(Kuraray Co., Ltd.)의 SentryGlas®ionomer와 같은 이오노머(ionomer), 또는 다른 적합한 중간층 재료와 같은 다양한 재료를 포함할 수 있다. 특정 실시예에서, 상기 중간층은 EVA 및 PVB에서 선택될 수 있다.
비-제한적인 실시예에 따르면, 중간층(113)은 15 MPa 이상, 예컨대 약 30 MPa 이상, 약 50 MPa 이상, 약 100 MPa 이상, 약 150 MPa 이상, 약 200 MPa 이상, 약 250 MPa 이상, 약 300 MPa 이상, 약 350 MPa 이상 또는 약 400 MPa 이상의 영률(Young's modulus)을 갖는 것들로부터 선택될 수 있으며, 이들 범위 및 이들 사이의 하위 범위 모두를 포함할 수 있다. PVB는, 예를 들어, 약 15 MPa 이상의 영률을 가질 수 있고, EVA는 약 50 MPa 이상의 영률을 가질 수 있으며, 및 SentryGlas®ionomer는 약 275 MPa 이상의 영률을 가질 수 있다. 특정 실시예예에서, 중간층(113)은, 약 0.1 ㎜ 내지 약 2 ㎜, 예를 들어, 약 0.3 ㎜ 내지 약 1.5 ㎜, 약 0.5 ㎜ 내지 약 1.2 ㎜, 약 0.75 ㎜ 내지 약 1.1 ㎜, 또는 약 0.9 ㎜ 내지 약 1 ㎜의 범위의 두께 (T3)를 가질 수 있으며, 이들 범위 및 이들 사이의 하위 범위 모두를 포함할 수 있다.
상기 중간층(113)은 적층된 구조의 강도를 개선하기 위해 선택될 수 있으며 적층이 파괴되거나 또는 부서지는 경우에, 예컨대, 유리 기판과 같은, 기판으로부터 조각을 보유하는 것을 더욱 도울 수 있다. 특정 실시예에 따라서, 광학적으로 깨끗한 중간층은, 비록 불투명하고 어쩌면 컬러를 가진 중간층이 다른 예시에서 제공될 수 있지만, 실질적으로 투명한 것으로 제공될 수 있다. 다른 실시예에서, 바람직한 이미지가, 예를 들어, 스크린 프린팅 또는 디지털 스캐닝 프린터에 의해, 미관상 및/또는 기능적 목적을 위해 중간층에 프린팅될 수 있다. 이러한 프린팅된 이미지는 중간층에 배치될 수 있으며(예컨대, 광학적으로 깨끗한 기판의 중간층 및/또는 내부 표면에), 이들은 제품 수명 동안 스크래치 손상으로부터 잘 보존될 수 있다.
다양한 실시예에 따르면, 본원에 개시된 방법에 따라 처리된 경우, 면외 편향(또는 보우)이 없거나 거의 없는 적층 구조가 제조될 수 있다. 면외 편향은 적층의 중앙 영역의 가장 높은 지점에 대해 적층의 가장자리의 가장 낮은 지점, 또는 그 반대, 사이의 거리로서 측정될 수 있다. 다시 말해서, 면외 편향은 예컨대, 정상 대 골짜기 보우(도 4 참조)와 같이, 적층의 가장 낮은 지점(골짜기)과 적층의 가장 높은 지점(정상) 사이의 가장 먼 거리이다. 몇몇 실시예에서, 적층 구조의 면외 편향은 적층의 전체 두께에 약 3 배 미만, 예컨대, 약 2.5 배보다 작고, 약 2 배보다 작고, 또는 전체 두께에 1.5 배보다 작을 수 있으며, 이들 범위 및 이들 사이의 하위 범위 모두를 포함할 수 있다. 또 다른 실시예에 따라서, 적층 구조의 면외 편향은 적층 구조의 전체 두께보다 작거나 같을 수 있으며, 예컨대 전체 두께에 약 절반(0.5 배)보다 작거나, 전체 두께에 1/4(0.25) 배보다 작거나, 또는 전체 두께에 약 0.1 배보다 작을 수 있으며, 이들 범위 및 이들 사이의 하위 범위 모두를 포함할 수 있다. 비-제한적인 예시를 통해, 면외 편향은 약 20 mm 미만, 예컨대 약 15 mm 미만, 약 12 mm 미만, 약 10 mm 미만, 약 8 mm 미만, 약 5 mm 미만, 약 3 mm 미만, 약 2 mm 미만, 약 1 mm 미만, 또는 약 0.5 mm 미만일 수 있으며, 이들 범위 및 이들 사이의 하위 범위 모두를 포함할 수 있다.
특정 비-제한적인 실시예에서, 적층 구조는 제1 및 제2 유리 기판과 기판들 사이에 배치된 중간층을 포함할 수 있으며, 약 -20 ℃ 내지 약 90 ℃ 범위의 온도에서 상기 적층 구조의 최소 곡률 반경은 적층 구조의 최대 치수보다 적어도 약 40 배 더 크며, 제2 유리 기판의 CTE는 제1 유리 기판의 CTE보다 적어도 약 30 % 더 크다. 예를 들어, 제1 및 제2 유리 기판들 사이의 CTE 불일치는 약 40 %, 50 %, 60 %, 70 %, 80 %, 90 %, 100 %, 200 %, 300 %, 또는 500 % 보다 더 클 수 있으며, 이들 범위 및 이들 사이의 하위 범위 모두를 포함할 수 있다. 다른 실시예에서, 제1 및 제2 유리 기판 사이의 CTE의 차이(CTE2-CTE1 또는 CTE1-CTE2)는 약 1 x 10-6/℃ 내지 약 10 x 10-6/℃, 예컨대 약 2 x 10-6/℃ 내지 약 9 x 10-6/℃, 약 3 x 10-6/℃ 내지 약 8 x 10-6/℃, 약 4 x 10-6/℃ 내지 약 7 x 10-6/℃, 약 5 x 10-6/℃ 내지 약 6 x 10-6/℃ 범위에 있을 수 있으며, 이들 범위 및 이들 사이의 하위 범위 모두를 포함할 수 있다.
상기 적층 구조는 예컨대, 다른 치수와 비교하여, 가장 큰 크기를 가진 기판의 치수를 나타내기 위해 본원에서 사용되는, 예컨대, 길이, 폭, 지름, 등과 같은 최대 치수를 더욱 포함할 수 있다. 예를 들면, 두 개의 짧은 변과 두 개의 긴 변을 포함하는 직사각형 시트에 대해, 최대 치수는 긴 변의 길이에 상응할 수 있다. 예컨대, 4개 변을 가진 비-사각형 유리 시트는 가장 긴 변의 길이에 상응하는 최대 치수를 유사하게 포함할 수 있다. 마찬가지로, 최대 치수는 예컨대, 다각형, 삼각형, 및 원과 같은 4개의 변보다 많거나 적은 변을 가진 기판에 대해 결정될 수 있다.
곡률 반경은 곡률의 역이다. 평평한 기판은 더 높은 곡률 반경으로 정의되고 완전하게 평평한 기판은 무한한 곡률 반경을 갖는다. 특정 실시예에서, 적층 구조의 곡률 반경은 적층 구조의 최대 치수보다 더 클 수 있다. 예를 들어, 곡률 반경은 적층 구조의 최대 치수의 두 배, 약 5 배, 약 10 배, 약 15 배, 약 20 배, 약 30 배, 또는 35 배일 수 있다. 다양한 실시예에 따라서, 적층 구조의 최소 곡률 반경은 적층 구조의 최대 치수보다 적어도 약 40 배, 적어도 약 50 배, 적어도 약 60 배, 적어도 약 70 배, 적어도 약 80 배, 적어도 약 90 배, 또는 적어도 약 100 배 더 클 수 있으며, 이들 범위 및 이들 사이의 하위 범위 모두를 포함할 수 있다. 또 다른 실시예에서, 곡률 반경은 약 0 ℃ 내지 약 75 ℃, 예컨대, 약 10 ℃ 내지 약 50 ℃, 약 20 ℃ 내지 약 40 ℃, 또는 약 25 ℃ 내지 약 35 ℃ 범위의 온도와, 이들 범위 및 이들 사이의 하위 범위 모두를 포함하는 온도에서 측정될 수 있다.
다양한 실시예에서, 적층 구조는 약 0.2 mm 내지 약 10 mm 범위의, 예컨대, 약 0.5 mm 내지 약 8 mm, 약 1 mm 내지 약 6 mm, 약 2 mm 내지 약 5 mm, 약 3 mm 내지 약 4 mm 범위이며, 이들 범위 및 이들 사이의 하위 범위 모두를 포함하는 범위의 전체 두께를 가질 수 있다. 예시의 적층 구조는 약 100 mm 내지 약 1000 mm 또는 그 이상의 범위의, 예컨대, 약 200 mm 내지 약 900 mm, 약 300 mm 내지 약 800 mm, 약 400 mm 내지 약 700 mm, 또는 약 500 mm 내지 약 600 mm의 범위의 적어도 하나의 다른 치수(예컨대, 길이, 폭, 지름)를 가질 수 있으며, 이들 범위 및 이들 사이의 하위 범위 모두를 포함하는 범위의 치수를 가질 수 있다. 이러한 치수는, 물론, 단지 예시이며, 적층 두께, 길이, 폭, 지름 등의 다른 치수가 특정 적용에 따라 사용될 수 있다.
적층 구조는, 다양한 실시예에서, 얇은 유리 시트와 두꺼운 유리 시트를 포함할 수 있다. 예를 들면, 제1 유리 기판은 약 0.3 mm 내지 약 2 mm의 범위의 두께를 가질 수 있으며 제2 유리 기판은 약 3 mm 내지 약 10 mm의 범위의 두께를 가질 수 있으며, 또는 그 반대일 수도 있다. 제1 유리 기판의 CTE는 예를 들어, 약 3 x 10-6/℃ 내지 약 4 x 10-6/℃의 범위에 있을 수 있고, 제2 유리 기판의 CTE는 약 8 x 10-6/℃ 내지 10 x 10-6/℃의 범위에 있을 수 있으며, 또는 그 반대일 수도 있다.
본 발명에 따른 적층 구조는 두 개의 기판 및/또는 단일 중간층을 포함하는 구조에 한정되지 않는다는 것을 이해해야 한다. 예를 들어, 적층 구조는 예컨대, 적층에 대해 제3 기판을 부착하는 제2 중간층과 같은, 추가적인 기판 및/또는 중간층을 포함할 수 있다. 특정 실시예에서, 적층 구조는 플라스틱 기판의 대향하는 표면에 적층된 두 개의 유리 기판을 포함할 수 있다. 본 발명의 다른 관점에 따라서, 적층 구조는, 폴리머 필름, 추가 유리 층, 반사 층, 포토크로믹(photochromic) 층, 일렉트로크로믹 층, 전해질 층, 광기전 층(photovoltaic layers), 센서, 인디케이터(indicator), 또는 능동 소자(active device)과 같은, 하나 이상의 추가 기판 또는 층을 포함할 수 있다. 예를 들어, 일렉트로크로믹 층은 기판의 하나 이상의 표면 상에 배치된 하나 이상의 전기적으로 활성화된 얇은 필름을 포함할 수 있다. 적합한 일렉트로크로믹 층은, 이에 한정하지 않지만, 3산화 텅스텐(WO3)을 포함하는 무기물 층을 포함할 수 있다. 물론, 층들의 다른 조합들 및 그들의 각각의 특색들은 본 발명의 범위 내에 속하는 것으로 의도된 광범위한 구성의 배열을 제공하는데 사용될 수 있다.
방법
적층 구조를 제조하고, 적층 구조에서 보우를 감소시키는 방법이 또한 본원에 개시된다. 다양한 실시예에 따르면, 본원에 개시된 방법은, 예컨대, 도 1에 예시된 3-층 적층 구조를 제조하기 위해, 중간층으로 제1 기판을 제2 기판에 부착하는 단계를 포함할 수 있다. 이렇게 생성된 스택은 당업계에 공지된 어떤 적절한 방법 또는 장치를 사용하여 적층 온도로 가열될 수 있다. 비-제한적인 예시로서, 스택은 진공 또는 적층 백(lamination bag)과 같은, 진공 챔버(chamber)에 놓일 수 있다. 스택은 감싸지거나 그렇지 않으면 고정되어 스택의 움직임을 방지할 수 있다. 예를 들어, 스택은, 폴리에스테르 테이프와 같은, 고온 테이프를 사용하여 고정될 수 있다. 얇은 브리더 천(breather cloth)은 다양한 실시예에 따라 스택 주위에 감싸질 수 있다.
스택은, 챔버 내에서 단일 층으로, 또는 다중 층의 스택으로, 원하는 처리량에 따라 한번에 하나씩 처리될 수 있다. 적층 백은 가열 밀봉될 수 있고 진공 포트가 거기에 부착될 수 있다. 진공 챔버는 적어도 부분적으로 진공 처리될 수 있고 상기 스택은 미리 정해진 온도 및 압력 프로파일을 이용하여 가열될 수 있다. 몇몇 예시에서, 스택은 두 개의 플레이트 사이에 놓일 수 있으며, 상기 두 개의 플레이트는 스택에 압력을 가하거나 및/또는 스택 각각의 층을 가열 및/또는 냉각시키는데 사용될 수 있다. 예를 들어, 적층 단계는 적층된 구조의 원하는 접착(본딩(bonding)) 품질을 얻는데 사용된 특정 온도 및 압력 프로파일로 수행될 수 있다. 물론 적층 온도 및/또는 압력을 얻기 위해 다른 장치 및 방법이 사용될 수 있고 본 발명의 범주 내에 있는 것으로 계획된다.
평균 적층 온도는, 몇몇 실시예에서, 약 120 ℃ 내지 약 160 ℃ 범위, 예컨대 약 125 ℃ 내지 약 150 ℃, 약 130 ℃ 내지 약 145 ℃, 또는 약 135 ℃ 내지 약 140 ℃ 범위일 수 있고, 이들 범위 및 이들 사이의 하위 범위 모두를 포함할 수 있다. 예를 들어, 적층 단계는, 약 1 ℃/min 내지 약 10 ℃/min 범위, 예컨대 약 2 ℃/min 내지 약 9 ℃/min, 약 3 ℃/min 내지 약 8 ℃/min, 약 4 ℃/min 내지 약 7 ℃/min, 또는 약 5 ℃/min 내지 약 6 ℃/min 범위의 램프 속도(ramp rate)에서 적층 온도까지 램핑(ramping)하는 단계를 포함할 수 있다. 부가적인 실시예에 따르면, 적층 압력은, 약 0.1 MPa 내지 약 1.5 MPa, 예컨대 약 0.2 MPa 내지 약 1.4 MPa, 약 0.3 MPa 내지 약 1.3 MPa, 약 0.4 MPa 내지 약 1.2 MPa, 약 0.5 MPa 내지 1.1 MPa, 0.6 MPa 내지 1 MPa, 또는 0.8 MPa 내지 0.9 MPa의 범위일 수 있고, 이들 사이의 모든 범위 및 하위 범위를 포함할 수 있다. 압력은, 적용되는 경우, 온도 램핑 동안 또는 적층 온도에 도달시 점진적으로 적용될 수 있다. 압력은, 예를 들어, 약 30 Pa/min 내지 약 80 Pa/min, 약 40 Pa/min 내지 약 70 Pa/min, 또는 약 50 Pa/min 내지 약 60 Pa/min과 같은, 약 20 Pa/min 내지 약 100 Pa/min 범위의 램프 속도에서 점진적으로 적용될 수 있고, 이들 범위 및 이들 사이의 하위 범위 모두를 포함할 수 있다. 적층 구조는 약 10분 내지 약 120분, 예컨대 약 20분 내지 약 100분, 약 30분 내지 약 80분, 또는 약 40분 내지 약 60분 범위의 체류시간 동안 적층 온도 및 압력에서 유지될 수 있고, 이들 범위 및 이들 사이의 하위 범위 모두를 포함할 수 있다.
원하는 체류시간 후, 온도는, 예컨대, 약 2 ℃/min 내지 약 9 ℃/min, 약 3 ℃/min 내지 약 8 ℃/min, 약 4 ℃/min 내지 약 7 ℃/min, 또는 약 5 ℃/min 내지 약 6 ℃/min과 같은, 약 1 ℃/min 내지 약 10 ℃/min 범위의 속도로 실온까지 램프 다운될 수 있고, 이들 범위 및 이들 사이의 하위 범위 모두를 포함할 수 있다. 다양한 실시예에 따르면, 특정 실시예에서, 중간층에서 기포의 형성을 감소시킬 수 있는, 적층 압력을 유지하면서 온도는 램프 다운될 수 있다. 선택적으로, 압력은 온도 램핑 전 또는 도중에 감소될 수 있다. 점진적 압력 감소는, 몇몇 실시예에서, 예를 들면, 약 30 Pa/min 내지 약 80 Pa/min, 40 Pa/min 내지 70 Pa/min, 또는 50 Pa/min 내지 60 Pa/min과 같은, 약 20 Pa/min 내지 약 100 Pa/min 범위의 램프 속도로 사용될 수 있고, 이들 범위 및 이들 사이의 하위 범위 모두를 포함할 수 있다.
또 다른 실시예에 따라, 중간층은 적층 전에, 예를 들어, 중간층의 수분 함량을 제어하거나, 중간층을 연화시키거나, 및/또는 중간층과 기판 사이의 어떤 잔류 공기를 제거하도록 조절될 수 있다. 하나의 예시에서, 상기 조절 단계는 중간층의 수분 함량을 약 1 % 미만으로, 예컨대 약 0.8 % 이하로, 예컨대 약 0.5 % 이하로, 약 0.3 % 이하로, 또는 약 0.2 % 이하로 조절할 수 있으며, 이들 범위 및 이들 사이의 하위 범위 모두를 포함할 수 있다. 중간층의 수분 함량을 제어하는 단계는 적층 처리 도중 중간층의 접착 품질을 향상시키는데 이로울 수 있다. 다양한 실시예에 따라, 제어 단계는 적층 전 PVB 중간층을 연화시키는데 사용될 수 있다.
제어 단계는 당업계에 알려진 임의의 방법에 따라 수행될 수 있다. 예를 들어, 중간층은 온도 및/또는 습도가 조정되어 원하는 중간층의 수분 함량을 얻을 수 있는 제어된 환경에 놓일 수 있다. 제어 단계는 중간층이 두 개의 기판 사이에 위치되기 전에 및/또는 스택이 형성된 후에 수행될 수 있다. 예를 들면, 적층 전, 스택은 약 75 ℃ 내지 약 100 ℃ 범위의 조절 온도, 예컨대, 약 80 ℃ 내지 약 95 ℃, 또는 약 85 ℃ 내지 약 90 ℃ 범위의 조절 온도로 사전 가열될 수 있으며, 이들 범위 및 이들 사이의 하위 범위 모두를 포함할 수 있다.
적층 전 및/또는 후, 본원에 개시된 방법은 적층 구조에 부가적인 유리한 특성을 제공할 수 있는 선택적인 처리 단계를 더욱 포함할 수 있다. 예를 들면, 예시의 유리 기판을 위한 부가적인 처리 단계는 화학적 강화(예, 이온 교환), 열적 템퍼링, 산 에칭, 안티-글레어(anti-glare) 처리, 기계적 러프닝(roughening), 졸-겔(sol-gel) 처리, 필름 증착, 항균 코팅(anti-microbial coating), 등을 포함할 수 있다.
다양한 실시예에 따라, 기판들 중 적어도 하나는 비대칭으로 어닐링되거나 또는 템퍼링된 유리 기판일 수 있다. 예를 들어, 적층 구조의 하나 이상의 유리 기판은 화학적으로 템퍼링되거나, 열적으로 템퍼링되거나, 및/또는 어닐링되어 내구성 및/또는 안전성을 부가할 수 있다. 화학적으로 템퍼링은, 예를 들어, 유리 기판 내의 금속 이온이 표면 또는 표면 근처에서 더 큰 금속 이온과 교환될 수 있는 이온 교환 처리를 포함할 수 있다. 유리 내에 더 큰 이온이 포함되는 것은 표면 근처 영역에 압축 응력을 생성하고 유리 시트의 중앙 영역 내에 상응하는 인장 응력을 유도하여 압축 응력의 균형을 이루게 할 수 있다. 따라서, 표면 압축의 정도는 화학적 템퍼링에 대한 이온 교환의 정도와 관련이 있을 수 있다. 열적 템퍼링은 유리의 전이 온도(Tg) 이상으로 유리를 가열하고 유리 표면을, 예컨대, 강제 공기 대류을 통해 빠르게 퀀칭(quenching)하여, 얻어질 수 있다. 어닐링은 어닐링 온도(또는 응력-완화 점)로 유리를 가열하고 유리를 그의 스트레인 점 이하로 천천히 냉각함으로써 수행될 수 있다. 열적 템퍼링과 어닐링 모두에 대해, 표면 압축의 정도는 냉각 속도와 관련될 수 있다.
이러한 템퍼링 및 어닐링 처리는 유리 시트의 모든 주 표면이 균일하게 이온 교환되거나 및/또는 동일한 온도 및/또는 속도로 가열되거나 냉각되도록, 보통 대칭으로 수행된다. 대칭으로 템퍼링된 유리 기판을 이용하는 적층 구조를 제조하는 방법은 도 2에 도시된다. 제2 기판(207)은 대칭 처리(TS)에 의해 템퍼링(또는 어닐링)되어 대칭 기판(207s)을 생성할 수 있다. 이러한 대칭 기판은 단계 (A)에서 제1 기판(201) 및 중간층(도시되지 않음)으로 배열되어 스택(215)을 생성할 수 있다. 대칭 또는 등온 적층 처리(L1)는 이후 적층(200)을 생성하는데 사용될 수 있다. 현저하게, 제2 기판(207)의 CTE가 제1 기판(201)의 CTE와 다를 때(도시된 바와 같이), 결과적인 적층(200)은 적층 구조가 CTE 불일치로 인해 냉각되면서 바람직하지 않게 보우를 형성할 수 있다.
그러나, 대칭 템퍼링 및/또는 적층 단계(TS 또는 LI) 중 하나 이상을 도 3a-b에 도시된 바와 같이 비대칭 처리(TA 또는 LD)로 교체함으로써, 결과적인 적층에서의 면외 편향을 줄이거나 또는 제거할 수 있다. 예를 들어, 몇몇 실시예에서, 하나의 기판이 다른 기판보다 더 큰 CS를 갖도록 기판 중 하나 또는 모두를 열적으로 템퍼링하거나 어닐링하는 것이 바람직할 수 있다. 불균형된 내부 응력으로 인해, 결과적인 비대칭 기판은 보우가 형성될 수 있다. 도 3a에 도시된 바와 같이, 제2 기판(307)은 비대칭 처리(TA)로 템퍼링(또는 어닐링)되어 다른 CS를 가진 제1 표면(309)과 제2 표면(311)을 가진 비대칭 기판(307)을 생성할 수 있다. 이러한 비대칭 기판은 이후 단계(A)에서 제1 기판(301) 및 중간층(도시되지 않음)으로 배열되어 스택(315)을 생성할 수 있다. 등온(대칭) 적층 처리(LI)가 이후 적층(300)을 생성하는데 사용될 수 있다. 대안으로서, 차등(비대칭) 적층 처리(도시되지 않음)가 사용될 수 있다. 이론에 구애되지 않고, 비대칭 기판(307a)의 보우는 예컨대 대칭으로 템퍼링(또는 어닐링)된 평평한 기판(도 2 참고)을 적층할 때 일어나게 되는 보우를 상쇄할 수 있다고 여겨진다. 다시 말해서, CTE 불일치로 인한 열적 응력은 비대칭 기판의 내부 응력에 의해 균형이 잡힐 수 있으며, 이로써 결과적인 적층의 면외 보우를 줄이거나 또는 제거할 수 있다.
비대칭 화학적 템퍼링은, 예를 들면, 한쪽 표면에 코팅을 적용하여 이온 교환을 막고 반면 반대쪽 표면은 노출되게 두거나 및/또는 템퍼링 단계 중 전기장을 적용함으로써 수행될 수 있다. 비대칭 열적 템퍼링 및/또는 어닐링은 기판의 한쪽 표면을 반대쪽 표면과 다른 속도(예컨대, 더 빠르거나 더 느린)로 냉각시킴으로써 수행될 수 있다. 이러한 비대칭 처리를 이용하여, 예컨대 실질적으로 구 형태의 평면 외로 보우가 형성된 유리 기판을 생성하는 것이 가능할 수 있다. 비-제한적인 예시를 통해, 비대칭 유리 기판의 보우의 형태 및/또는 크기는 대칭 처리에 의해 생성된 적층(도 2의 적층(200) 참고)에 존재하는 보우와 비교될 수 있다.
비대칭 기판(307a)은 기판의 보우가 적층의 잠재적 보우와 균형을 이루도록 스택(315)에서 지향될 수 있다. 예를 들어, 도 3a에 도시된 바와 같이, 비대칭 기판(307)은 제2 표면(311)의 CS보다 작은 CS를 가진 제1 표면(309)을 가질 수 있다. 대안으로서, 비대칭 기판(307a)은 제2 표면(311)의 CS보다 더 큰 CS를 가진 제1 표면(309)을 가질 수 있다(도시되지 않음). 다양한 실시예에 따라서, 제1 및 제2 표면의 CS는 적어도 약 1 %, 예컨대 적어도 5 %, 적어도 약 10 %, 적어도 약 15 %, 적어도 약 20 %, 적어도 약 25 %, 적어도 약 30 %, 적어도 약 40 %, 적어도 약 50 % 만큼, 및 더 큰 다른 값을 가질 수 있으며, 이들 범위 및 이들 사이의 하위 범위 모두를 포함할 수 있다. 예를 들면, 제1 및 제2 표면의 CS 사이의 차이(CS1-CS2 또는 CS2-CS1)는 약 1 MPa보다 클 수 있으며, 예컨대 약 5 MPa 초과, 약 10 MPa 초과, 약 50 MPa 초과, 약 100 MPa 초과, 약 200 MPa 초과, 약 300 MPa 초과, 약 400 MPa 초과, 약 500 MPa 초과, 또는 더 클 수 있고, 이들 범위 및 이들 사이의 하위 범위 모두를 포함할 수 있다.
몇몇 실시예에서, 제2 기판(307)의 CTE는 제1 기판(301)의 것보다 더 클 수 있고 비대칭 기판의 제1 표면(309)(더 낮은 CS)은 스택(315)에서 제1 기판(301)을 향해 지향되며, 예컨대, 제1 표면은 중간층과 접촉될 수 있다. (도시되지 않은)다른 실시예에서, 제2 기판(307)의 CTE는 제1 기판(301)의 것보다 더 낮을 수 있으며 비대칭 기판의 제2 표면(311)(더 높은 CS)은 스택(315)의 제1 기판(301)을 향해 지향될 수 있으며, 예컨대, 제2 표면은 중간층과 접촉될 수 있다. 부가적인 실시예에 따라서, 제1 및 제2 기판 모두는 비대칭으로 템퍼링되거나 또는 어닐링될 수 있다. 물론, 기판의 임의 다른 배열 및/또는 지향이 가능하며 이는 본 발명의 범주 내에 있는 것으로 간주된다.
도 3b에 도시된 것처럼, 제2 기판(307)은 대칭 처리(Ts)에 의해 템퍼링되어(또는 어닐링되어) 실질적으로 동일한 CS를 가진 제1 표면(309) 및 제2 표면(311)을 가진 대칭 기판(307s)을 생성할 수 있다. 대안으로서, 비대칭 템퍼링 처리(도시되지 않음)가 사용될 수 있다. 상기 대칭 기판(307s)은 이후 단계 (A)에서 제1 기판(301) 및 중간층(도시되지 않음)과 배열되어 스택(315)을 생성할 수 있다. 차등(비대칭) 적층 처리(LD)는 이후 적층(300)을 생성하는데 사용될 수 있다. 이론에 구애받지 않고, CTE 불일치로 인한 열 응력은 적층 중 기판을 비대칭으로 또는 차이가 나게 가열 및/또는 냉각함으로써 줄여질 수 있고, 따라서 결과적인 적층의 면외 보우를 줄이거나 제거하는 것으로 여겨진다.
예를 들어, 제1 기판의 것보다 더 높은 CTE를 가진 제2 기판을 포함하는 적층에 있어서, 적층의 면외 편향은 제1 기판이 더 빠른 속도로 가열되도록 적층 중 스택을 차이가 나게 가열하거나 및/또는 제1 기판이 제2 기판보다 더 느린 속도로 냉각되도록 적층 이후 적층을 차이가 나게 냉각함으로써 감소될 수 있다. 유사하게, 제2 기판의 것보다 더 높은 CTE를 가진 제1 기판을 포함하는 적층에 있어서, 스택은 제1 기판이 더 느린 속도로 가열되도록 적층 중 차이가 나게 가열될 수 있으며 및/또는 적층은 제1 기판이 제2 기판보다 더 빠른 속도로 냉각되도록 적층 이후 차이가 나게 냉각될 수 있다. 예를 들면, 제1 및 제2 표면의 가열 및/또는 냉각 속도는 다를 수 있으며, 예컨대, 적어도 약 1 %의 차이의 값, 예컨대 적어도 약 5 %, 적어도 약 10 %, 적어도 약 15 %, 적어도 약 20 %, 적어도 약 25 %, 적어도 약 30 %, 적어도 약 35 %, 적어도 약 40 %, 적어도 약 50 %, 및 그 이상의 차이의 값과, 이들 범위 및 이들 사이의 하위 범위 모두를 포함하는 차이 값을 가질 수 있다. 몇몇 실시예에서, 제1 및 제2 표면의 가열 및/또는 냉각 속도는 약 1 ℃/min보다 크거나, 예컨대, 약 2 ℃/min보다 크거나, 약 3 ℃/min보다 크거나, 약 4 ℃/min보다 크거나, 약 5 ℃/min보다 크거나, 약 6 ℃/min보다 크거나, 약 7 ℃/min보다 크거나, 약 8 ℃/min보다 크거나, 약 9 ℃/min보다 크거나, 약 10 ℃/min보다 크거나, 또는 더욱 클 수 있으며, 이들 범위 및 이들 사이의 하위 범위 모두를 포함할 수 있다.
차등 가열의 경우, 적층은 전술한 바와 같은 평균 적층 온도에서 수행될 수 있다. 따라서, 상기 평균 적층 온도는, 몇몇 실시예에서, 약 120 ℃ 내지 약 160 ℃의 범위, 예컨대, 약 125 ℃ 내지 약 150 ℃, 약 130 ℃ 내지 약 145 ℃, 또는, 약 135 ℃ 내지 약 140 ℃의 범위에 있을 수 있으며, 이들 범위 및 이들 사이의 하위 범위 모두를 포함할 수 있다. 다양한 실시예에 따라, 차등 가열 프로파일은 더 높은(또는 더 낮은) 적층 온도에서 하나의 기판을 보유하는 단계를 포함할 수 있다. 예를 들어, 제1 기판은 제2 기판이 보유되는 제2 적층 온도보다 적어도 20 ℃ 더 높은 제1 적층 온도에서 보유될 수 있으며, 또는 그 반대일 수 있다. 적합한 보유(또는, 체류) 시간은 전술된 바와 같다. 몇몇 실시예에서, 제1 및 제2 적층 온도 사이의 차이(TL1-TL2 또는 TL2-TL1)는 약 20 ℃ 내지 약 50 ℃, 약 25 ℃ 내지 약 40 ℃, 또는 약 30 ℃ 내지 약 35 ℃ 범위에 있을 수 있고, 이들 범위 및 이들 사이의 하위 범위 모두를 포함할 수 있다.
본원에 개시된 다양한 비대칭 처리 방법은 원하는 정도의 면외 편향을 가진 실질적으로 평평한 적층을 생성하기 위한 임의의 원하는 배열로 서로 결합될 수 있다는 것을 이해해야 한다. 몇몇 실시예에서, 제1 및 제2 기판은 비대칭으로 템퍼링되거나 어닐링될 수 있으며 결과적인 스택은 적층 중 등온 가열되거나 및/또는 적층 후 등온 냉각될 수 있다. 다른 실시예에서, 제2 기판은 비대칭으로 템퍼링되거나 어닐링될 수 있으며, 결과적인 스택은 적층 중 차이가 나게 가열되거나 및/또는 적층 후 차이가 나게 냉각될 수 있다. 또 다른 실시예에서, 제1 기판은 비대칭으로 템퍼링되거나 어닐링될 수 있으며 결과적인 스택은 적층 중 차이가 나게 가열되거나 및/또는 적층 후 차이가 나게 냉각될 수 있다. 따라서, 본원에 개시된 방법은 하나 이상의 비대칭 처리 단계를 포함할 수 있으며, 이러한 비대칭 처리 방법은, 몇몇 실시예에서, 대칭 처리 단계를 이용하여 대칭 기판을 적층하는 것으로 야기될 수 있는 보우를 상쇄할 수 있다.
본원에 개시된 방법은, 종래의 적층 방법과 비교하여 하나 이상의 이점을 갖는 비대칭 적층 구조를 제조하는데 사용될 수 있다. 예를 들어, 적층 편향(또는 보우)에 대한 CTE 불일치의 영향을 감소시키는 능력은, 기판 재료, 중간층, 및/또는 적층의 기하학적 형상의 더 넓은 선택을 가능하게 할 수 있다. 더욱이, 본 방법은, 기판의 비전통적인 조합을 포함하는 적층 구조 및/또는 더 큰 적층 구조와 같이, 편향-없는 적층에 대한 더 넓은 선택을 제공할 수 있다. 본 방법에 따라 제조된 적층 구조가 편향이 거의 없거나 또는 전혀 없기 때문에, 예를 들어, 이러한 적층의 광학 성능은 또한 개선될 수 있다. 마지막으로, 본원에 개시된 방법은, 압력하에 적층하는 것 및/또는 비대칭 가열을 사용하는 것과 같은, 비대칭 적층을 제조하기 위한 다른 방법보다 덜 복잡 할 수 있다. 물론, 본원에 개시된 적층 구조 및 방법이 상기 이점 중 하나 이상을 가지지 않을 수 있지만, 첨부된 청구범위의 범주 내에 속하는 것으로 이해되어야 한다.
개시된 다양한 실시예는 그 특정 실시예와 관련하여 기재된 특정 특색, 요소 또는 단계를 포함할 수 있는 것으로 인식될 것이다. 하나의 특정 실시예와 관련하여 기재되더라도, 특정 특색, 요소 또는 단계들은, 다양한 비-예시된 조합 또는 순열에서 선택적 실시예와 상호 교환되거나 또는 조합될 수 있는 것으로 또한 인식될 것이다.
또한, 본원에 사용된 바와 같은, "그", "한", 또는 "하나"와 같은 단수 형태의 용어들은, 반대되는 경우를 명시적으로 나타내는 것을 제외하고는, "적어도 하나"를 의미하고, "오직 하나"로 제한되지 않는 것으로 이해되어야 한다. 따라서, 예를 들어, "유리 기판"에 대한 언급은, 문맥에서 달리 명시하지 않는 한, 둘 이상의 유리 기판들을 갖는 예시들을 포함한다.
범위는 "약" 하나의 특정 값으로부터, 및/또는 "약" 다른 특정 값으로서 본원에서 표현될 수 있다. 이러한 범위가 표현된 경우, 예시들은 하나의 특정 값으로부터 및/또는 다른 특정 값까지를 포함한다. 유사하게, 선행사 "약"의 사용에 의해, 값이 대략으로 표현된 경우, 특정 값이 또 다른 관점을 형성하는 것으로 이해되어야 한다. 상기 범위의 각 말단 점은 다른 말단 점과 관련하여, 그리고 상기 다른 말단 점에 독립적으로 모두 의미 있는 것으로 더욱 이해되어야 한다.
다른 언급이 없는 한, 본원에서 제시된 임의의 방법은 그것의 단계들이 특정한 순서로 수행되는 것을 요구하는 것으로 해석되는 것을 의도하지 않는다. 따라서, 방법 청구항은 그것의 단계를 수반하는 순서를 사실상 열거하지 않거나, 또는 상기 단계가 특정한 순서로 제한되는 것으로 청구항 또는 상세한 설명에서 구체적으로 언급되지 않는 경우, 어떤 특정 순서로 추정되는 것으로 의도되지 않는다.
특정 실시예의 다양한 특색, 요소 또는 단계들이 연결구 "포함하는"을 사용하여 개시된 경우, 연결구 "이루어지는" 또는 "필수적으로 이루어지는"을 사용하여 기재될 수 있는 것들을 포함하는 대체 가능한 실시예가 함축된 것으로 이해되어야 한다. 따라서, 예를 들어, A+B+C를 포함하는 구조에 대하여 암시된 선택적인 실시예는 A+B+C로 이루어진 구조인 경우의 실시예 및 A+B+C로 필수적으로 이루어진 구조인 경우의 실시예를 포함한다.
다양한 변형 및 변화가 본 발명의 사상 및 범주를 벗어나지 않고 본 발명에 대해 만들어질 수 있음은 당업자에게 명백할 것이다. 본 발명의 사상 및 물질을 포함하는 개시된 실시예의 변형, 조합, 하위-조합 및 변화가 당업자에게 발생할 수 있기 때문에, 본 발명은 첨부된 청구항 및 이들의 균등물의 범주 내의 모든 것을 포함하는 것으로 해석되어야 한다.
하기 예시들은 청구항에 의해 오직 정의된 본 발명의 범주만을 예시하는 것이지, 이를 한정하는 것으로 의도되지 않는다.
예시
비교 예시 1
66 cm x 76.2 cm (26" x 30")의 치수를 가진 비대칭 적층 구조는 0.7 mm 두께의 Corning®EAGLE XG®glass, 6 mm 두께의 소다 석회 유리(SLG), 및 0.76 mm 두께의 EVA 중간층을 이용하여 준비되었다. Corning®EAGLE XG®기판은 거의 3.2 x 10-6/℃의 CTE를 가지며, 반면 소다 석회 유리는 거의 8.5 - 9.5 x 10-6/℃의 CTE를 갖는다. 3개 층은 실온에서 서로 접촉된 채로 놓여 있고, 약 1 MPa(140 psi)의 압력에서 140 - 150 ℃의 적층 온도로 가열되며, 이후 실온으로 다시 냉각되었다.
유리 기판은 적층 온도에서 실온으로 냉각될 때 자연스럽게 수축된다. CTE 차이로 인해, 두 개의 기판은 다른 정도로 수축되며, 균일한 2축 응력을 야기하고 이에 따라 도 4에 도시된 구형의 면외 보우를 야기한다. 이러한 부분에 대한 면외 보우(중심-대-코너 또는 정상-대-골짜기)는 1.4 mm(0.5 mm - (-0.9 mm))이다.
예시 2
91.44 cm x 152.4 cm (3' x 5')의 치수를 가진 3개의 비대칭 적층 구조는 0.7 mm 두께의 Corning®EAGLE XG®glass, 6 mm 두께의 소다 석회 유리, 및 0.76 mm의 PVB 중간층을 이용하여 준비되었다. 유리 기판들 모두의 가열 또는 냉각 속도는 적층 중 절연 블랭킷(insulating blankets)을 사용하는 것에 따라 달라진다. 예시 2A에서, 소다 석회 유리는 EAGLE XG®glass보다 더 빨리 냉각되었다; 예시 2B에서, 소다 석회 유리는 EAGLE XG®glass보다 더 빨리 가열되었다; 예시 2C에서, 소다 석회 유리는 EAGLE XG®glass보다 더 느리게 냉각되었다. 각 적층에 대한 결과적인 면외 보우(mm)는 하기 표 1에 도시된다.
: 적층 구조에 대한 면외 보우

예시
 차등 온도 프로파일 등온 처리 차등 온도 처리

2A
 더 빠르게 냉각된 SLG 7.1 5.9

2B
 더 빠르게 가열된 SLG 5.75 6.4

2C
 더 느리게 냉각된 SLG 7.1 13.6
표 1에서 보여주는 것처럼, 더 큰 CTE를 가진 기판(소다 석회)을 더 느리게 가열하거나 및/또는 더 낮은 CTE를 가진 기판(EAGLE XG®)을 더 빠르게 냉각함으로써, 두 기판의 절대 팽창의 차이는 감소될 수 있으며, 이로써 적층에 유도된 응력을 감소시키고 결과적으로 면외 보우를 감소시킬 수 있다. 예를 들면, 예시 2A에서, 소다 석회 유리(SLG)가 EAGLE XG®glass보다 더 빨리 냉각되면, 17 % 적은 보우의 개선이 관찰되었다(등온 처리에 비해). 반대로, 더 큰 CTE를 가진 기판(소다 석회)이 더 낮은 CTE를 가진 기판(EAGLE XG®)보다 더 빠르게 가열되거나 및/또는 더 느리게 냉각되는 경우, 결과적인 적층의 면외 보우는 등온 처리된 적층(예시 2B-2C)의 것보다 더 안 좋다.

Claims (25)

  1. 적층 구조를 제조하는 방법으로서,
    스택을 형성하기 위해 제1 기판과 제2 기판 사이에 중간층을 위치시키는 단계; 및
    적층 구조를 형성하기 위해 상기 스택을 적층 온도로 가열하는 단계;를 포함하며,
    상기 제2 기판은 제1 표면 및 제2 표면을 포함하는 비대칭으로 어닐링 또는 템퍼링된 유리 기판이고, 상기 제1 표면은 상기 제2 표면의 제2 압축 응력보다 더 작은 제1 압축 응력을 가지며;
    상기 적층 구조의 최소 곡률 반경은 약 -20 ℃ 내지 약 90 ℃ 범위의 온도에서 상기 적층 구조의 최대 치수보다 적어도 약 40 배 더 큰, 방법.
  2. 청구항 1에 있어서,
    상기 제1 기판의 열팽창계수는 제2 기판의 열팽창계수와 다른, 방법.
  3. 청구항 2에 있어서,
    상기 제2 기판의 열팽창계수는 제1 기판의 열팽창계수보다 적어도 30 % 더 큰, 방법.
  4. 청구항 1에 있어서,
    상기 제2 기판은 열적으로 템퍼링되거나 또는 화학적으로 템퍼링된 유리 시트인, 방법.
  5. 청구항 1에 있어서,
    상기 제1 기판은 유리, 유리-세라믹, 세라믹, 폴리머, 및 금속 기판으로부터 선택되는, 방법.
  6. 청구항 1에 있어서,
    상기 제1 기판은 대칭으로 또는 비대칭으로 어닐링되거나 또는 템퍼링된 유리 기판인, 방법.
  7. 청구항 1에 있어서,
    상기 적층 구조는 폴리머 층, 추가 유리 층, 반사 층, 전도 층, 일렉트로크로믹 층, 포토크로믹 층, 및 광기전 층으로부터 선택된 적어도 하나의 추가 층을 더욱 포함하는, 방법.
  8. 청구항 1에 있어서,
    상기 중간층은 상기 제2 기판의 제1 표면과 접촉하게 위치되고, 상기 제2 기판의 열팽창계수는 상기 제1 기판의 열팽창계수보다 더 큰, 방법.
  9. 청구항 1에 있어서,
    상기 중간층은 상기 제2 기판의 제2 표면과 접촉하게 위치되고, 상기 제2 기판의 열팽창계수는 상기 제1 기판의 열팽창계수보다 더 작은, 방법.
  10. 청구항 1에 있어서,
    상기 적층 구조의 면외 편향은 적층 구조의 두께의 두 배보다 작은, 방법.
  11. 제1 기판, 제2 기판, 및 상기 제1 및 제2 기판을 부착하는 중간층을 포함하는 적층 구조로서,
    상기 제2 기판은 제1 표면 및 제2 표면을 포함하는 비대칭으로 어닐링 또는 템퍼링된 유리 기판이며, 상기 제1 표면은 제2 표면의 압축 응력보다 더 작은 압축 응력을 갖고;
    상기 제1 기판의 열팽창계수는 제2 기판의 열팽창계수와 다르며;
    상기 적층 구조의 최소 곡률 반경은 약 -20 ℃ 내지 약 90 ℃ 범위의 온도에서 상기 적층 구조의 최대 치수보다 적어도 약 40 배 더 큰, 적층 구조.
  12. 청구항 11에 있어서,
    상기 제1 기판은 약 0.3 mm 내지 약 2 mm 범위의 두께를 가지며, 상기 제2 기판은 약 3 mm 내지 약 10 mm 범위의 두께를 갖는, 적층 구조.
  13. 청구항 11에 있어서,
    상기 제1 기판의 열팽창계수와 제2 기판의 열팽창계수 사이의 차이는 약 1 x 10-6/℃ 내지 약 10 x 10-6/℃ 범위에 있는, 적층 구조.
  14. 청구항 11에 있어서,
    상기 스택은 폴리머 층, 추가 유리 층, 반사 층, 전도 층, 일렉트로크로믹 층, 포토크로믹 층, 및 광기전 층에서 선택된 적어도 하나의 추가 층을 더욱 포함하는, 적층 구조.
  15. 청구항 11에 있어서,
    상기 중간층은 상기 제2 기판의 제1 표면과 접촉하게 위치되고, 상기 제2 기판의 열팽창계수는 상기 제1 기판의 열팽창계수보다 더 큰, 적층 구조.
  16. 청구항 11에 있어서,
    상기 중간층은 상기 제2 기판의 제2 표면과 접촉하게 위치되고, 상기 제2 기판의 열팽창계수는 상기 제1 기판의 열팽창계수보다 더 작은, 적층 구조.
  17. 청구항 11에 있어서,
    상기 적층 구조의 면외 편향은 적층 구조의 두께의 두 배보다 작은, 적층 구조.
  18. 적층 구조를 제조하는 방법으로서,
    스택을 형성하기 위해 제1 기판과 제2 기판 사이에 중간층을 위치시키는 단계;
    적층 구조를 형성하기 위해 상기 스택을 제1 평균 적층 온도로 가열하는 단계; 및
    상기 적층 구조를 제2 평균 온도로 냉각하는 단계;를 포함하고,
    상기 제2 기판의 열팽창계수는 상기 제1 기판의 열팽창계수보다 더 크며;
    상기 스택을 가열하는 단계는 제1 기판을 제2 기판의 제2 가열 속도보다 더 빠른 제1 가열 속도로 차이가 나게 가열하는 단계를 포함하거나, 또는,
    상기 적층 구조를 냉각하는 단계는 제1 기판을 제2 기판의 제2 냉각 속도보다 더 느린 제1 냉각 속도로 차이가 나게 냉각하는 단계를 포함하는, 방법.
  19. 청구항 18에 있어서,
    상기 스택을 가열하는 단계는 제1 적층 온도에서 제1 기판을 보유하는 단계와 제2 적층 온도로 제2 기판을 보유하는 단계를 더욱 포함하고, 상기 제2 적층 온도는 상기 제1 적층 온도보다 더 낮은, 방법.
  20. 청구항 19에 있어서,
    상기 제1 적층 온도는 제2 적층 온도보다 적어도 20 ℃ 더 큰, 방법.
  21. 청구항 18에 있어서,
    상기 제1 가열 속도는 제2 가열 속도보다 적어도 약 30 % 더 크거나 또는 제2 냉각 속도는 제1 냉각 속도보다 적어도 약 30 % 더 큰, 방법.
  22. 청구항 18에 있어서,
    상기 제2 기판의 열팽창계수는 제1 기판의 열팽창계수보다 적어도 30 % 더 큰, 방법.
  23. 청구항 18에 있어서,
    상기 적층 구조의 최소 곡률 반경은 약 -20 ℃ 내지 약 90 ℃ 범위의 온도에서 상기 적층 구조의 최대 치수보다 적어도 약 40 배 더 큰, 방법.
  24. 청구항 18에 있어서,
    상기 적층 구조의 면외 편향은 적층 구조의 두께의 두 배보다 작은, 방법.
  25. 제1 유리 기판, 제2 유리 기판, 및 상기 제1 및 제2 유리 기판을 부착하는 중간층을 포함하는 적층 구조로서,
    상기 제2 유리 기판의 열팽창계수는 제1 유리 기판의 열팽창계수보다 적어도 약 30 % 더 크고; 및
    상기 적층 구조의 면외 편향은 적층 구조의 두께의 두 배보다 작은, 적층 구조.
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