KR20180095545A - 높은 유전 상수를 갖는 광-이미지 형성 가능한 박막 - Google Patents

높은 유전 상수를 갖는 광-이미지 형성 가능한 박막 Download PDF

Info

Publication number
KR20180095545A
KR20180095545A KR1020187018079A KR20187018079A KR20180095545A KR 20180095545 A KR20180095545 A KR 20180095545A KR 1020187018079 A KR1020187018079 A KR 1020187018079A KR 20187018079 A KR20187018079 A KR 20187018079A KR 20180095545 A KR20180095545 A KR 20180095545A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
formulation
photo
nanoparticles
thin film
group
Prior art date
Application number
KR1020187018079A
Other languages
English (en)
Inventor
캐롤라인 월플-굽타
유안키아오 라오
한석
윌리엄 에이치. 에이치. 우드워드
Original Assignee
다우 글로벌 테크놀로지스 엘엘씨
롬엔드하스전자재료코리아유한회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 다우 글로벌 테크놀로지스 엘엘씨, 롬엔드하스전자재료코리아유한회사 filed Critical 다우 글로벌 테크놀로지스 엘엘씨
Publication of KR20180095545A publication Critical patent/KR20180095545A/ko

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004Photosensitive materials
    • G03F7/039Macromolecular compounds which are photodegradable, e.g. positive electron resists
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004Photosensitive materials
    • G03F7/0047Photosensitive materials characterised by additives for obtaining a metallic or ceramic pattern, e.g. by firing
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004Photosensitive materials
    • G03F7/022Quinonediazides
    • G03F7/023Macromolecular quinonediazides; Macromolecular additives, e.g. binders
    • G03F7/0233Macromolecular quinonediazides; Macromolecular additives, e.g. binders characterised by the polymeric binders or the macromolecular additives other than the macromolecular quinonediazides
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004Photosensitive materials
    • G03F7/075Silicon-containing compounds
    • G03F7/0757Macromolecular compounds containing Si-O, Si-C or Si-N bonds

Abstract

광-이미지 형성 가능한 막을 제조하기 위한 제형은 (a) 폴리실록산 바인더 및 광-활성 종을 포함하는 포지티브형 포토레지스트; 및 (b) 작용화된 산화지르코늄 나노입자를 포함한다.

Description

높은 유전 상수를 갖는 광-이미지 형성 가능한 박막
본 발명은 높은 유전 상수를 갖는 광-이미지성 박막 (photo-imageable thin film)에 관한 것이다.
높은 유전 상수 박막은 마이크로전자 부품을 더 소형화하기 위해 내장 커패시터, TFT 패시베이션 층 및 게이트 유전체와 같은 응용분야에 높은 관심을 보인다. 광-이미지성 높은 유전 상수 박막을 얻기 위한 한가지 접근법은 높은 유전 상수 나노입자를 포토레지스트에 혼입하는 것이다. US7630043에는 카복실산과 같은 알칼리 가용성 단위를 갖는 아크릴 폴리머 및 4 보다 큰 유전 상수를 갖는 미립자를 함유하는 포지티브형 포토레지스트 기반 복합 박막이 개시되어 있다. 그러나, 이 참조문헌은 폴리실록산 바인더를 함유하는 포지티브형 포토레지스트의 사용을 개시하지 않는다. 본 발명에서 사용된 바인더가 개시되어 있지 않다. 상이한 포토레지스트 바인더는 주어진 포토레지스트 제형에 대해 상이한 패턴닝 특성과 용매 저항성을 제공할 수 있다.
본 발명은, 광-이미지성 막을 제조하기 위한 제형으로서, 상기 제형은 (a) 폴리실록산 바인더 및 광-활성 종을 포함하는, 포지티브형 포토레지스트; 및 (b) 작용화된 산화지르코늄 나노입자를 포함하는, 제형을 제공한다.
달리 명시되지 않는 한, 백분율은 중량 퍼센트 (wt%)이며 온도는 ℃이다. 달리 명시되지 않는 한, 작업은 실온 (20-25 ℃)에서 수행되었다. 용어 "나노입자"는 1 내지 100 nm의 직경을 갖는 입자를 언급하며; 즉 입자의 적어도 90 %는 지시 된 크기 범위에 있고, 입자 크기 분포의 최대 피크 높이는 그 범위 내에 있다. 바람직하게는, 나노입자는 평균 직경이 75 nm 이하; 바람직하게는 50 nm 이하; 바람직하게는 25 nm 이하; 바람직하게는 10 nm 이하; 바람직하게는 7 nm 이하이다. 바람직하게는, 나노입자의 평균 직경은 0.3 nm 이상; 바람직하게는 1 nm 이상이다. 입자 크기는 동적 광 산란 (DLS: Dynamic Light Scattering)에 의해 결정된다. 바람직하게는, 폭 파라미터 BP = (N75 - N25)에 의해 특징지워지는 지르코니아 입자 직경의 분포의 폭은 4 nm 이하; 바람직하게는 3 nm 이하; 바람직하게는 2 nm 이하이다. 바람직하게는, BP = (N75 - N25)에 의해 특징지워지는 지르코니아 입자 직경의 분포의 폭은 0.01 이상이다. 몫 W를 다음과 같이 고려하는 것이 유용하다:
W = (N75 - N25) / Dm
여기서, Dm은 수-평균 직경이다. 바람직하게는, W는 1.0 이하; 보다 바람직하게는 0.8 이하; 보다 바람직하게는 0.6 이하; 보다 바람직하게는 0.5 이하; 보다 바람직하게는 0.4 이하이다. 바람직하게는, W는 0.05 이상이다.
바람직하게는, 작용화된 나노입자는 산화지르코늄 및 1종 이상의 리간드, 바람직하게는 극성 작용기를 갖는 알킬, 헤테로알킬 (예를 들어, 폴리(에틸렌 옥사이드)) 또는 아릴 기; 바람직하게는 카복실산, 알코올, 트리클로로실란, 트리알콕시실란 또는 혼합된 클로로/알콕시 실란; 바람직하게는 카복실산을 갖는 리간드를 포함한다. 극성 작용기가 나노입자의 표면에 결합하는 것으로 여겨진다. 바람직하게는, 리간드는 1 내지 25개, 바람직하게는 1 내지 20개, 바람직하게는 3 내지 12개 비-수소 원자를 갖는다. 바람직하게는, 리간드는 탄소, 수소, 및 산소, 황, 질소 및 규소로 이루어진 군으로부터 선택된 추가의 원소를 포함한다. 바람직하게는, 알킬 기는 C1-C18, 바람직하게는 C2-C12, 바람직하게는 C3-C8이다. 바람직하게는, 아릴 기는 C6-C12이다. 알킬 또는 아릴 기는 이소시아네이트, 머캅토, 글리시독시 또는 (메트)아크릴로일옥시 기로 추가로 작용화될 수 있다. 바람직하게는, 알콕시 기는 C1-C4, 바람직하게는 메틸 또는 에틸이다. 오가노실란 중에서, 일부 적합한 화합물은 알킬트리알콕시실란, 알콕시(폴리알킬렌옥시)알킬트리알콕시실란, 치환된-알킬트리알콕시실란, 페닐트리알콕시실란, 및 이들의 혼합물이다. 예를 들어, 일부 적합한 오가노실란은 n-프로필트리메톡시실란, n-프로필트리에톡시실란, n-옥틸트리메톡시실란, n-옥틸트리에톡시실란, 페닐트리메톡시실란, 2-[메톡시(폴리에틸렌옥시)프로필]-트리메톡시실란, 메톡시(트리에틸렌옥시)프로필트리메톡시실란, 3-아미노프로필트리메톡시실란, 3-머캅토프로필트리메톡시실란, 3-(메타크릴로일옥시)프로필 트리메톡시실란, 3-이소시아네이토프로필트리에톡시실란, 3-이소시아네이토프로필트리메톡시실란, 글리시독시프로필트리메톡시실란, 및 이들의 혼합물이다. 오가노알코올 중에서, R10이 지방족 기, 방향족-치환된 알킬 기, 방향족 기, 또는 알킬알콕시 기인 화학식 R10OH의 알코올 또는 이 알코올의 혼합물이 바람직하다. 보다 바람직한 오가노알코올은 에탄올, 프로판올, 부탄올, 헥산올, 헵탄올, 옥탄올, 도데실 알코올, 옥타데칸올, 벤질 알코올, 페놀, 올레일 알코올, 트리에틸렌 글리콜 모노메틸 에테르, 및 이들의 혼합물이다. 오가노카복실산 중에서, R11이 지방족 기, 방향족 기, 폴리알콕시 기, 또는 이들의 혼합물인 화학식 R11COOH의 카복실산이 바람직하다. R11이 지방족 기인 오가노카복실산 중에서, 바람직한 지방족 기는 메틸, 프로필, 옥틸, 올레일, 및 이들의 혼합물이다. R11이 방향족 기인 오가노카복실산 중에서, 바람직한 방향족 기는 C6H5이다. 바람직하게는, R11은 폴리알콕시 기이다. R11이 폴리알콕시 기인 경우, R11은 알콕시 단위의 선형 스트링이며, 여기서, 각 단위에서 알킬 기는 다른 단위에서 알킬 기와 동일하거나 상이할 수 있다. R11이 폴리알콕시 기인 오가노카복실산 중에서, 바람직한 알콕시 단위는 메톡시, 에톡시, 및 이들의 조합물이다. 작용화된 나노입자는, 예를 들어, US2013/0221279에 기재되어 있다.
바람직하게는, 제형 내의 작용화된 나노입자의 양(전체 제형에 대해 고체를 기준으로 계산됨)은 50 내지 95 wt%; 바람직하게는 적어도 60 wt%, 바람직하게는 적어도 70 wt%, 바람직하게는 적어도 80 wt%, 바람직하게는 적어도 90 wt%; 바람직하게는 90wt% 이하이다.
바람직하게는, 광학 활성 종(photo active specie)은 광산(photo acid) 화합물(PAC)을 포함하였다. PAC는 자외선에 민감성을 제공한다. 자외선에 노출된 후, 광산 화합물은 Wolff-재배열에 의해 인텐 카르복실산 종의 제형을 통해 불용성 상태에서 가용성 상태로 변화된다. 광-산 화합물의 예는 상이한 전위 안정기, 예컨대 예를 들면 4'-[1-[4-[1-(4-하이드록시페닐)-1-메틸에틸]페닐]에틸리덴]비스[페놀]를 갖는 (2-디아조-1-나프톤-5-설포닐 클로라이드 에스테르 또는 (2-디아조-1-나프톤-4-설포닐 클로라이드 에스테르를 포함할 수 있다.
실시예 PAC의 제형
Figure pct00001
일반적인 광 산 화합물의 광-반응:
Figure pct00002
바람직하게는, 폴리실록산은 3,000 내지 12,000 g/몰, 바람직하게는 적어도 4,500 g/몰, 바람직하게는 적어도 6,500 g/몰; 바람직하게는 8,500 이하, 바람직하게는 10,000 이하의 중량 평균 분자량 (Mw)을 가지며; 모두는 폴리스티렌 등가 분자량을 기준으로 한다. 바람직하게는, 폴리실록산은 C1-C18 알킬기, 페닐기, (메트)아크릴로일기, 비닐기 및 에폭시기; 바람직하게는 C1-C4 알킬기 및 페닐기 중 적어도 하나를 포함한다.
바람직하게는, 막 두께는 적어도 50 nm, 바람직하게는 적어도 100 nm, 바람직하게는 적어도 500 nm, 바람직하게는 적어도 1000 nm; 바람직하게는 3000 nm 이하, 바람직하게는 2000 nm 이하, 바람직하게는 1500 nm 이하이다. 바람직하게는, 제형은 표준 실리콘 웨이퍼 또는 인듐-주석 산화물 (ITO) 코팅된 유리 슬라이드 상에 코팅된다.
실시예
재료
2 내지 13 nm 범위의 입자 크기 분포를 갖는 Pixelligent 산화지르코늄 (ZrO2) 작용화된 나노입자는 Pixelligent Inc.로부터 구입하였다. 이들 나노입자는 지르코늄 알콕사이드 기반 전구체와 함께 용매열(solvo-thermal) 합성을 통해 합성되었다. 사용된 잠재적 지르코늄 알콕사이드 기반 전구체는 지르코늄 (IV) 이소프로폭사이드 이소프로판올, 지르코늄 (IV) 에톡사이드, 지르코늄 (IV) n-프로폭사이드, 및 지르코늄 (IV) n-부톡사이드를 포함할 수 있다. 본 발명의 본문에 기술된 상이한 잠재적 캡핑제는 캡 교환 공정을 통해 나노입자에 첨가될 수 있다. 현상액 MF-26A (2.38 wt% 테트라메틸 암모늄 하이드록사이드)는 Dow Electronic Materials 그룹에 의해 제공되었다. SOPX-LP1 광대역 g-라인 및 i-라인 포지티브형 포토레지스트는 Dow Electronics Materials 그룹에 의해 제공되었다. SOPX-LP1의 조성물은 표 1에 상술되어 있다.
표 1. 포지티브형 포토레지스트 SOPX -LP1의 조성물.
Figure pct00003
박막 제조
포지티브형 포토레지스트 SOPX-LP1과 혼합된 상이한 비의 Pixelligent PN (Pix-PN) 유형 나노입자를 함유하는 용액을 제조하였다. 사용된 각각의 박막 조성물에 대해 스핀 곡선을 발생시켰고, 그에 따라 스핀 속도를 조정하여 각 조성물에 대해 목표 박막 두께 1000 nm를 얻었다.
유전 상수 특성분석
각 나노입자-포토레지스트 박막 위에 직경 3 mm의 4개의 50 nm 두께의 금 전극을 증착시켰다. ITO는 악어입 클립과 접촉시키고 금 전극은 금 와이어와 접촉시켜 샘플에 주파수 스윕을 적용할 수 있도록 하였다. 커패시턴스는 각 샘플에 대해 측정되었고, 유전 상수는 식 1을 통해 결정되었는데, 이 때 C는 커패시턴스이고 εr은 유전 상수이고 ε0은 진공 유전율이고 A는 전극의 면적이고 d는 막의 두께이다.
C=εr ε0.A/d (식 1)
광- 이미지화성 (photo- imageability ) ( 플러드 노광(flood exposure))
SOPX-LP1 기반 박막은 100 ℃에서 90초 동안 소프트 베이킹을 거쳤다. 막은 350 내지 450의 주 스펙트럼 범위에 걸쳐 높은 반사율과 편광 무감각도를 위해 설계된 이색 빔 회전형 미러가 장착된 1000W 수은 램프를 수용하는 Oriel Research 아크 램프 공급원을 사용하여 UV 방사선에 노출시켰다. UV 방사선의 에너지 밀도는 60mJ/cm2이었다. 포스트 베이킹 후에, 코팅된 웨이퍼를 MF-26A 함유 페트리 접시에 80초 동안 침지시켰다. 각 침지 시간 후, 막의 두께를 M-2000 Woollam 분광 엘립소미터를 통해 측정하였다.
막(film) 내의 나노입자 분산액
Kapton 기판에 스핀-코팅된 나노입자-포토레지스트 박막 샘플은 각각 대략 2.5 cm2가 사용되어 있다. 1 mm×2 mm의 막 조각은 면도날로 스핀-코팅된 막의 모서리에서 추출하였다. 이 조각은 척 (chuck)에 장착되어 Kapton 기판을 포함하지 않고도 층의 두꺼운 부분 (모서리에서의 드립)이 절단될 수 있다. Leica UC6 초미세절단기는 실온에서 작동시켰다. 절단 두께는 0.6 컷/초의 절삭율에서 45 nm로 설정되었다. 다이아몬드 습식 나이프는 모든 절단에 사용되었다. 섹션을 수면에 띄우고 150 메쉬 포름바르 (formvar)-코팅된 구리 격자 상에서 수집하고 주위 온도에서 개방 대기에서 건조시켰다. JEOL 투과 전자 현미경은 스팟 크기가 3인 100 kV의 가속 전압에서 작동시켰다. 콘덴서와 대물 개구 둘 다가 크게 설정되었다. 현미경은 Gatan 디지털 마이크로그래프 v3.10 소프트웨어에 의해 제어되었다. 이미지 데이터는 Gatan Multiscan 794 CCD 카메라를 사용하여 수집되었다. Adobe 포토샵 v9.0을 사용하여 모든 이미지를 공정 후 처리하였다.
박막 두께 측정
유리 슬라이드 상의 코팅을 긁어서 코팅 두께를 측정하기 위해 유리 표면을 노출시켰다. 측정의 정확성을 확인하고 유리 기판이 스타일러스에 의해 손상되지 않았음을 보장하기 위해, 코팅 없이 유리 상에 긁힘이 또한 가해졌으며 유사한 힘이 가해졌을 때 어떠한 손상도 발생하지 않았음을 관찰하였다. 표면 프로필은 Dektak 150 스타일러스 프로파일 측정기로 얻었다. 두께는 표면과 스크래치의 평평한 바닥 사이의 높이로서 측정되었다. 각 샘플에 대해 두군데 상이한 스크래치에서 적어도 8회 측정을 수행하였다.
유전 상수 결과
표 2는 포토레지스트에 혼입된 나노입자의 중량%의 함수로서, SOPX-LP1 포지티브형 포토레지스트와 혼합된 상이한 양의 Pixelligent PN 나노입자로 제조된 여러 박막의 1.15 MHz에서 측정된 유전율을 나열한 것이다. 수득된 유전율은 상응하는 박막에 존재하는 93.93 wt%의 나노입자를 함유하는 박막의 경우 11.98로 높았다. 유전율은 67.59 wt%의 나노입자를 함유하는 박막의 경우 Dow 고객 CTQ 6.5 보다 여전히 더 높았다.
표 2. 포토레지스트에 혼입된 나노입자의 중량퍼센트와 1000nm의 목표 막 두께의 함수로서 SOPX-LP1-나노입자 박막의 1.15MHz에서 측정된 유전율.
Figure pct00004
복합 박막의 광이미지화성
표 3은 100 ℃에서 90초 동안 소프트 베이킹, 60mJ/cm2 에너지 밀도에서의 UV 노출, 및 MF-26A (2.38 wt% TMAH) 중에서 80초의 침지 전후의 SOPX-LP1 기반 박막의 두께를 보여준다. 막에 존재하는 나노입자의 양과 상관없이 모든 박막을 현상액 중에서 80초 후에 제거하였다.
표 3. 1000nm의 초기 목표 막 두께에 대한 현상 조건을 경험하기 전과 후의 SOPX-LP1 나노입자 박막의 두께.
Figure pct00005
투과율
67.6 wt%의 나노입자를 함유하는 포지티브형 포토레지스트 SOPX-LP1 박막에서 ZrO2 작용화된 나노입자의 분산액의 현미경사진은 나노입자 응집이 나타나는 징후 없이 포토레지스트에 나노입자가 매우 잘 분산되어 있음을 보여주었다. 92.8 wt%의 Pix-PN 나노입자를 함유한 PNLK-0531 박막의 투과율은 400 nm에서 대략 91 %였으며 고객이 요구하는 90 % CTQ보다 높다. 투과율은 거의 모든 가시 영역 전체에 걸쳐 90 % 초과이었다.

Claims (7)

  1. 광-이미지 형성 가능한 막(photo-imageable film)을 제조하기 위한 제형으로서, (a) 폴리실록산 바인더 및 광-활성 종을 포함하는 포지티브형 포토레지스트; 및 (b) 작용화된 산화지르코늄 나노입자를 포함하는, 광-이미지성 막을 제조하기 위한 제형.
  2. 청구항 1에 있어서, 상기 폴리실록산은 C1-C4 알킬기 및 페닐기 중 적어도 하나를 포함하는, 광-이미지 형성 가능한 막을 제조하기 위한 제형.
  3. 청구항 2에 있어서, 상기 작용화된 산화지르코늄 나노입자는 0.3 nm 내지 50 nm의 평균 직경을 갖는, 광-이미지 형성 가능한 막을 제조하기 위한 제형.
  4. 청구항 3에 있어서, 상기 작용화된 산화지르코늄 나노입자는 카복실산, 알코올, 트리클로로실란, 트리알콕시실란 또는 혼합된 클로로/알콕시 실란 작용기를 갖는 리간드를 포함하는, 광-이미지 형성 가능한 막을 제조하기 위한 제형.
  5. 청구항 4에 있어서, 상기 리간드는 1 내지 20개의 비-수소 원자를 갖는, 광-이미지 형성 가능한 막을 제조하기 위한 제형.
  6. 청구항 5에 있어서, 전체 제형에 대한 고체 기준으로 계산된, 상기 제형 중의 작용화된 나노입자의 양은 50 내지 95 wt%인, 광-이미지 형성 가능한 막을 제조하기 위한 제형.
  7. 청구항 6에 있어서, 상기 폴리실록산은 3,000 내지 12,000의 중량 평균 분자량을 갖는, 광-이미지 형성 가능한 막을 제조하기 위한 제형.
KR1020187018079A 2015-12-17 2016-12-06 높은 유전 상수를 갖는 광-이미지 형성 가능한 박막 KR20180095545A (ko)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US201562268538P 2015-12-17 2015-12-17
US62/268,538 2015-12-17
PCT/US2016/065078 WO2017105914A1 (en) 2015-12-17 2016-12-06 Photo-imageable thin films with high dielectric constants

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20180095545A true KR20180095545A (ko) 2018-08-27

Family

ID=57589245

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020187018079A KR20180095545A (ko) 2015-12-17 2016-12-06 높은 유전 상수를 갖는 광-이미지 형성 가능한 박막

Country Status (7)

Country Link
US (1) US20180356724A1 (ko)
EP (1) EP3391145A1 (ko)
JP (1) JP2019500643A (ko)
KR (1) KR20180095545A (ko)
CN (1) CN108369375A (ko)
TW (1) TW201800860A (ko)
WO (1) WO2017105914A1 (ko)

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2002046841A1 (fr) * 2000-12-05 2002-06-13 Kansai Research Institute. Inc. Constituants actifs et compositions de resine photosensible les contenant
US20080193718A1 (en) * 2004-03-12 2008-08-14 Toray Industries, Inc. Positive Photosensitive Resin Compositions, and Relief Patterns and Solid-State Image Sensors Made Thereof
JP5418617B2 (ja) * 2005-10-03 2014-02-19 東レ株式会社 シロキサン系樹脂組成物、硬化膜および光学物品
JP4818839B2 (ja) * 2006-07-19 2011-11-16 株式会社 日立ディスプレイズ 液晶表示装置及びその製造方法
JP4960330B2 (ja) * 2008-10-21 2012-06-27 株式会社Adeka ポジ型感光性組成物及び永久レジスト
US8512464B2 (en) * 2009-12-02 2013-08-20 3M Innovative Properties Company Functionalized zirconia nanoparticles and high index films made therefrom
JP5622564B2 (ja) * 2010-06-30 2014-11-12 富士フイルム株式会社 感光性組成物、パターン形成材料、並びに、これを用いた感光性膜、パターン形成方法、パターン膜、低屈折率膜、光学デバイス、及び、固体撮像素子
JP2014503446A (ja) * 2010-10-27 2014-02-13 ピクセリジェント・テクノロジーズ,エルエルシー ナノ結晶の合成、キャップ形成および分散
WO2014029814A1 (en) * 2012-08-23 2014-02-27 General Electric Company Nanoparticulate compositions for diagnostic imaging
KR102115811B1 (ko) * 2013-03-12 2020-05-27 제이에스알 가부시끼가이샤 게이트 절연막, 조성물, 경화막, 반도체 소자, 반도체 소자의 제조 방법 및 표시 장치
JP6233081B2 (ja) * 2013-03-12 2017-11-22 Jsr株式会社 ゲート絶縁膜、組成物、硬化膜、半導体素子、半導体素子の製造方法および表示装置
JP6569211B2 (ja) * 2013-11-29 2019-09-04 東レ株式会社 感光性樹脂組成物、それを硬化させてなる硬化膜ならびにそれを具備する発光素子および固体撮像素子
CN106133876A (zh) * 2014-03-26 2016-11-16 东丽株式会社 半导体器件的制造方法及半导体器件
CN105086448A (zh) * 2015-08-31 2015-11-25 苏州凯欧曼新材料科技有限公司 一种高介电常数复合材料

Also Published As

Publication number Publication date
TW201800860A (zh) 2018-01-01
JP2019500643A (ja) 2019-01-10
US20180356724A1 (en) 2018-12-13
CN108369375A (zh) 2018-08-03
WO2017105914A1 (en) 2017-06-22
EP3391145A1 (en) 2018-10-24

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP3681961B1 (en) Application of polyfunctional ligands for improving performance and stability of quantum dot inks
TWI337616B (ko)
US20110311788A1 (en) Silphenylene-containing photocurable composition, pattern formation method using same, and optical semiconductor element obtained using the method
CN105829100B (zh) 负型感光性树脂组合物、树脂固化膜、分隔壁和光学元件
Plassmeyer et al. Impact of relative humidity during spin-deposition of metal oxide thin films from aqueous solution precursors
KR102266587B1 (ko) 수지 조성물, 그 경화막과 그 제조방법, 및 고체촬상소자
JP2008248239A (ja) シロキサン樹脂組成物、それを用いた硬化膜および光学デバイス
TW201302920A (zh) 光學元件封裝用含氟樹脂組成物、及硬化物
JP2011173738A (ja) 透明焼成体
JP2012219219A (ja) シロキサン樹脂含有塗布組成物
JP2010026360A (ja) ネガ型感光性シロキサン樹脂組成物
JP5198824B2 (ja) 既設コンクリートの表面保護工法
JP2006137932A (ja) コーティング用組成物およびそれを用いた表示装置
KR20180095545A (ko) 높은 유전 상수를 갖는 광-이미지 형성 가능한 박막
CN106462071A (zh) 用于遮光的光敏性树脂组合物及由其形成的遮光层
TWI785051B (zh) 透明樹脂組成物、透明被膜及被覆透明樹脂之玻璃基板
KR20180125986A (ko) 고 유전 상수를 갖는 감광성 박막
KR20180095544A (ko) 높은 유전 상수를 갖는 광-이미지형성가능 박막
US20180356726A1 (en) Photo-imageable thin films with high dielectric constants
JP2019516120A (ja) 高誘電強度を有する光画像化可能な薄フィルム
KR102628403B1 (ko) 패시베이션 층 제조용 조성물 및 이를 통해 형성된 패시베이션 층
TW201124489A (en) Composition for forming a layer for protecting an organic surface
TW201938656A (zh) 有機改質之金屬氧化物或類金屬氧化物聚合物膜
TW201542712A (zh) 塗覆組成物,其製造方法及其用途