KR20180038609A - 강화 글라스의 제조 방법, 이를 통해 제조된 강화 글라스 및 강화 글라스를 포함하는 전자 기기 - Google Patents
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Abstract
강화 글라스의 제조 방법이 제공된다. 상기 강화 글라스의 제조 방법은, 표면에 블로킹 패턴이 형성된 글라스를 준비하는 단계, 상기 블로킹 패턴에 의해 노출된 상기 글라스의 표면 상에 금속 입자층을 형성하는 단계, 상기 블로킹 패턴을 제거하는 단계, 상기 금속 입자층을 식각 마스크로 이용하여 상기 글라스의 표면을 식각하는 단계, 및 상기 식각된 글라스의 표면을 화학 강화하는 단계를 포함한다.
Description
본 발명은 강화 글라스의 제조 방법, 이를 통해 제조된 강화 글라스 및 강화 글라스를 포함하는 전자 기기에 관한 것이다.
전자 기기, 예컨대 표시 장치는 멀티미디어의 발달과 함께 그 중요성이 증대되고 있다. 표시 장치의 표시부의 표면은 투광성이 매우 높은 재료, 예를 들어 글라스로 이루어질 수 있다. 글라스의 예로는 소다라임 글라스를 들 수 있다. 소다라임 글라스는 내부에 알칼리 이온을 다량 함유하고 있어 상기 알칼리 이온이 쉽게 용출되는 문제점이 있다. 또한 소다라임 글라스는 다른 글라스 재료에 비해 강도가 상대적으로 약한 단점이 있다.
최근 표시 장치와 같은 전자 기기가 소형화, 박형화됨에 따라 휴대가 용이하게 되었고, 전자 기기의 휴대성이 높아질수록 전자 기기의 내구성을 증가시키기 위한 강화 글라스에 대한 수요가 증가하고 있다.
이에 본 발명이 해결하고자 하는 과제는 강화 효율이 개선된 강화 글라스의 제조 방법 및 이를 통해 제조되어 반사 방지 효과 또는 심미적 효과를 갖는 강화 글라스를 제공하는 것이다.
본 발명이 해결하고자 하는 다른 과제는 표시부를 통해 구현되는 영상의 표시 품질이 개선됨과 동시에 비표시부에서의 심미적 효과를 갖는 전자 기기를 제공하는 것이다.
본 발명의 과제들은 이상에서 언급한 기술적 과제로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 기술적 과제들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
상기 과제를 해결하기 위한 본 발명의 일 실시예에 따른 강화 글라스의 제조 방법은, 표면에 블로킹 패턴이 형성된 글라스를 준비하는 단계, 상기 블로킹 패턴에 의해 노출된 상기 글라스의 표면 상에 금속 입자층을 형성하는 단계, 상기 블로킹 패턴을 제거하는 단계, 상기 금속 입자층을 식각 마스크로 이용하여 상기 글라스의 표면을 식각하는 단계, 및 상기 식각된 글라스의 표면을 화학 강화하는 단계를 포함한다.
상기 블로킹 패턴이 형성된 글라스를 준비하는 단계는, 요부와 철부를 포함하는 패턴화된 일면을 갖는 스탬프로서, 상기 스탬프의 상기 철부에 블로킹 패턴 형성 물질을 제공하는 단계, 및 상기 패턴화된 일면을 갖는 스탬프를 이용하여 상기 글라스의 표면 상에 상기 블로킹 패턴 형성 물질을 전사하여 블로킹 패턴을 형성하는 단계를 포함할 수 있다.
또, 상기 스탬프의 패턴화된 일면의 상기 철부는, 제1 방향 및 상기 제1 방향과 교차하는 제2 방향으로 이격 배치되어 복수개일 수 있다.
또, 상기 블로킹 패턴은 트리클로로실란계, 트리메톡시실란계, 또는 디메틸디클로로실란계 물질을 포함할 수 있다.
또, 상기 블로킹 패턴은 상기 글라스 표면에 비해 소수성을 가질 수 있다.
또한, 상기 블로킹 패턴이 형성된 글라스를 준비하는 단계와 상기 금속 입자층을 형성하는 단계 사이에, 상기 블로킹 패턴에 의해 노출된 상기 글라스의 표면을 주석 이온 또는 불소 이온으로 처리하는 단계를 더 포함할 수 있다.
나아가, 상기 금속 입자층 내 상기 금속 입자는 은(Ag) 입자이고, 상기 금속 입자층을 형성하는 단계는, 상기 주석 이온 또는 불소 이온으로 처리된 상기 글라스의 표면 상에 은을 석출시키는 단계일 수 있다.
아울러, 상기 글라스의 표면을 식각하는 단계 후에, 상기 식각된 글라스를 질산 용액에 침지하는 단계를 더 포함할 수 있다.
상기 블로킹 패턴을 제거하는 단계는, 상기 글라스를 350℃ 내지 450℃에서 열처리하여 상기 블로킹 패턴을 제거하는 단계일 수 있다.
상기 화학 강화하는 단계는, 상기 글라스 내의 제1 알칼리 금속 이온들을, 상기 제1 알칼리 금속 이온보다 이온 반경이 큰 제2 알칼리 금속 이온들로 치환하는 단계일 수 있다.
상기 과제를 해결하기 위한 본 발명의 일 실시예에 따른 강화 글라스는, 패턴화된 표면을 갖는 강화 글라스로서, 기준면으로부터 돌출된 복수의 돌출 패턴들을 포함하고, 상기 돌출 패턴들은 제1 방향 및 상기 제1 방향과 교차하는 제2 방향으로 이격되어 규칙적으로 배치되며, 상기 돌출 패턴은 화학 강화되어 있다.
상기 복수의 돌출 패턴의 하부에 배치되어 상기 복수의 돌출 패턴들을 서로 연결하는 글라스 몸체부를 더 포함하되, 상기 글라스 몸체부와 상기 복수의 돌출 패턴들은 물리적 경계 없이 일체로 형성되고, 상기 글라스 몸체부는 화학 강화되어 있을 수 있다.
또, 상기 돌출 패턴의 측벽은 경사 구조를 가질 수 있다.
또한, 상기 돌출 패턴은 평면 시점에서 원 형상일 수 있다.
나아가, 상기 패턴화된 표면의 압축 응력은 600MPa 내지 2000MPa일 수 있다.
상기 과제를 해결하기 위한 본 발명의 일 실시예에 따른 전자 기기는, 표시부 및 비표시부가 정의된 전자 기기로서, 상기 전자 기기의 상기 표시부의 표면은 글라스로 이루어지고, 상기 표시부의 표면의 글라스는, 제1 기준면으로부터 돌출된 제1 돌출 패턴들을 포함하고, 상기 전자 기기의 상기 비표시부의 표면은 글라스로 이루어지고, 상기 비표시부의 표면의 글라스는, 제2 기준면으로부터 돌출된 제2 돌출 패턴들을 포함하며, 상기 제2 돌출 패턴의 최대 높이는 상기 제1 돌출 패턴의 최대 높이보다 크다.
상기 제2 돌출 패턴들 간의 최소 이격 거리는 상기 제1 돌출 패턴들 간의 최소 이격 거리보다 클 수 있다.
또, 상기 제1 돌출 패턴들은 제1 방향 및 상기 제1 방향과 교차하는 제2 방향으로 이격되어 규칙적으로 배치되고, 상기 제2 돌출 패턴들은 제3 방향 및 상기 제3 방향과 교차하는 제4 방향으로 이격되어 규칙적으로 배치되며, 상기 제1 돌출 패턴의 정상부와 상기 제2 돌출 패턴의 정상부는 동일 레벨에 위치할 수 있다.
또한, 상기 제1 돌출 패턴의 최대 높이는 100nm 내지 150nm이고, 상기 제2 돌출 패턴의 최대 높이는 1㎛ 내지 10㎛일 수 있다.
상기 표시부 표면의 글라스 및 상기 비표시부 표면의 글라스는 화학 강화되어 있을 수 있다.
기타 실시예의 구체적인 사항들은 상세한 설명 및 도면들에 포함되어 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 강화 글라스는 패턴화된 표면을 가짐으로써 전자 기기의 표시부에 적용하여 눈부심 방지 효과를 부여할 수 있고, 전자 기기의 비표시부에 적용하여 보는 각도에 따라 다른 색을 반사할 수 있다.
또, 본 발명의 일 실시예에 따른 강화 글라스의 제조 방법은 글라스 표면에 미세 패턴을 형성하여 표면적을 증가시킨 후 화학 강화함으로써, 글라스의 강화 효율을 개선하고 내구성을 더욱 증가시킬 수 있다.
본 발명의 실시예들에 따른 효과는 이상에서 예시된 내용에 의해 제한되지 않으며, 더욱 다양한 효과들이 본 명세서 내에 포함되어 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 강화 글라스의 사시도이다.
도 2는 도 1의 Ⅱ-Ⅱ' 선을 따라 절개한 단면도이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 전자 기기의 사시도이다.
도 4는 도 3의 Ⅳa-Ⅳa' 선 및 Ⅳb-Ⅳb' 선을 따라 절개한 단면도이다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 강화 글라스의 제조 방법을 나타낸 순서도이다.
도 6 내지 도 17은 도 5의 강화 글라스의 제조 방법을 설명하기 위한 도면들이다.
도 18은 본 발명의 제조예에 따라 제조된 글라스의 사진들이다.
도 2는 도 1의 Ⅱ-Ⅱ' 선을 따라 절개한 단면도이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 전자 기기의 사시도이다.
도 4는 도 3의 Ⅳa-Ⅳa' 선 및 Ⅳb-Ⅳb' 선을 따라 절개한 단면도이다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 강화 글라스의 제조 방법을 나타낸 순서도이다.
도 6 내지 도 17은 도 5의 강화 글라스의 제조 방법을 설명하기 위한 도면들이다.
도 18은 본 발명의 제조예에 따라 제조된 글라스의 사진들이다.
본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다.
그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다.
공간적으로 상대적인 용어인 "아래(below)", "아래(beneath)", "하부(lower)", "위(above)", "상부(upper)" 등은 도면에 도시되어 있는 바와 같이 하나의 소자 또는 구성 요소들과 다른 소자 또는 구성 요소들과의 상관관계를 용이하게 기술하기 위해 사용될 수 있다. 공간적으로 상대적인 용어는 도면에 도시되어 있는 방향에 더하여 사용시 소자의 서로 다른 방향을 포함하는 용어로 이해되어야 한다. 예를 들면, 도면에 도시되어 있는 소자를 뒤집을 경우, 다른 소자의 "아래(below 또는 beneath)"로 기술된 소자는 다른 소자의 "위(above)"에 놓여질 수 있다. 따라서, 예시적인 용어인 "아래"는 아래와 위의 방향을 모두 포함할 수 있다.
본 명세서에서, 제1 방향(X)은 평면 내의 임의의 일 방향을 의미하고, 제2 방향(Y)은 상기 평면 내에서 제1 방향(X)과 교차하는 방향을 의미하며, 제3 방향(Z)은 상기 평면과 수직한 방향을 의미한다.
이하, 첨부된 도면을 참조로 하여 본 발명의 실시예들에 대해 설명한다.
우선 본 발명의 일 실시예에 따른 강화 글라스에 대해 설명한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 강화 글라스의 사시도이다. 도 2는 도 1의 Ⅱ-Ⅱ' 선을 따라 절개한 단면도이다.
도 1 및 도 2를 참조하면, 본 실시예에 따른 강화 글라스(110)는 가상의 기준면(111)으로부터 돌출된 복수의 돌출 패턴(112)들 및 복수의 돌출 패턴(112)들의 하부에 배치되어 복수의 돌출 패턴(112)들을 서로 연결하는 글라스 몸체부(113)를 포함한다. 글라스 몸체부(113)와 복수의 돌출 패턴(112)들은 서로 물리적 경계 없이 일체로 형성되어 있을 수 있다.
강화 글라스(110)는 투과성이 높은 재료로 이루어질 수 있다. 예를 들어 SiO2, Al2O3, LiO2 및 Na2O 등을 포함할 수 있으나 본 발명이 이에 제한되는 것은 아니다. 다른 예를 들어, 강화 글라스(110)는 소다라임 글라스일 수 있다.
강화 글라스(110)의 일면(도면상 상면)은 패턴화된 표면을 포함한다. 상기 패턴화된 표면은 돌출 패턴(112)의 표면 및 노출된 글라스 몸체부(113)의 표면을 의미한다.
돌출 패턴(112)은 기준면(111)으로부터 돌출되어 글라스 몸체부(113) 상에 배치될 수 있다. 기준면(111)은 강화 글라스(110)의 패턴화된 표면의 골부가 위치하는 면일 수 있다. 즉, 기준면(111)은 글라스 몸체부(113)의 일면(도면상 상면)을 의미할 수 있다. 복수의 돌출 패턴(112)들은 제1 방향(X) 및 제2 방향(Y)으로 이격되어 규칙적으로 배치될 수 있다. 이하 돌출 패턴(112)에 대해 상세하게 설명한다.
돌출 패턴(112)의 측벽은 경사 구조를 가질 수 있다. 돌출 패턴(112)의 측벽의 경사각은 약 40도 내지 85도일 수 있다. 예를 들어, 돌출 패턴(112)이 글라스 몸체부(113)와 맞닿아 형성하는 면적은 돌출 패턴(112)의 정상부의 면적보다 클 수 있다. 도 1 등은 돌출 패턴(112)의 정상부가 소정의 면적을 갖는 경우를 도시하고 있으나, 다른 실시예에서 돌출 패턴(112)의 정상부는 뾰족한 첨단을 이룰 수도 있다. 돌출 패턴(112)의 측벽이 경사를 형성함으로써 강화 글라스(110)는 반사 방지 효과 또는 보는 각도에 따라 색이 변화하는 무지개 반사 효과를 가질 수 있다. 돌출 패턴(112)은 평면 시점에서 대략 원 형상일 수 있다. 본 명세서에서 평면 시점이라 함은 도면상 상측에서(즉, 제3 방향(Z)에서) 대상을 바라본 경우를 의미한다.
예시적인 실시예에서, 돌출 패턴(112)의 최대 높이(h1)는 약 100nm 내지 150nm일 수 있다. 돌출 패턴(112)의 높이(h1)는 기준면(111)으로부터 돌출 패턴(112)의 정상부까지의 제3 방향(Z)으로의 수직 거리를 의미한다. 또, 돌출 패턴(112)의 최대 폭(w1)은 약 100nm 내지 150nm일 수 있다. 돌출 패턴(112)의 최대 폭(w1)은 돌출 패턴(112)의 하단부, 즉 돌출 패턴(112)이 글라스 몸체부(113)와 맞닿는 부분의 폭을 의미한다. 또한 돌출 패턴(112)들 간의 제1 방향(X)으로의 최소 이격 거리(d1) 및 제2 방향(Y)으로의 최소 이격 거리는 각각 약 100nm 내지 150nm일 수 있다. 돌출 패턴(112)들 간의 제1 방향(X)으로의 최소 이격 거리(d1) 및 제2 방향(Y)으로의 최소 이격 거리는 실질적으로 동일할 수 있다. 돌출 패턴(112)의 최대 높이(h1), 최대 폭(w1), 이격 거리(d1)가 약 100nm 내지 150nm의 범위에 있도록 하여 강화 글라스(110)의 패턴화된 표면은 나노 사이즈의 초미세 구조를 가질 수 있고, 이를 통해 강화 글라스(110) 측으로 입사하는 광에 대한 반사 방지 효과를 가질 수 있다.
다른 실시예에서, 돌출 패턴(112)의 최대 높이(h1), 최대 폭(w1), 제1 방향(X) 및 제2 방향(Y)으로의 이격 거리(d1)는 각각 약 1㎛ 내지 10㎛일 수 있다. 상기 돌출 패턴(112)의 최대 높이(h1), 최대 폭(w1), 이격 거리(d1)를 상기 범위 내에 있도록 하여 강화 글라스(110)의 패턴화된 표면은 미크론 사이즈의 미세 구조를 가질 수 있고, 이를 통해 보는 각도에 따라 강화 글라스(110)에 의해 반사되는 광의 색을 변화시켜 심미적 효과를 부여할 수 있다.
다른 측면에서, 강화 글라스(110)의 상부는 화학 강화층(114)을 포함할 수 있다. 즉, 글라스 몸체부(113)에 의해 서로 연결된 복수의 돌출 패턴(112)을 포함하는 강화 글라스(110)는 화학 강화되어 있을 수 있다. 구체적으로, 글라스 몸체부(113)의 적어도 일부 및 돌출 패턴(112)은 화학 강화되어 화학 강화층(114)을 포함할 수 있다. 화학 강화층(114)은 글라스 내부의 나트륨 이온이 칼륨 이온으로 치환되어 형성된 층일 수 있다. 예를 들어, 강화 글라스(110)의 패턴화된 표면(도면상 상면)은 타면(도면상 하면)에 비해 칼륨 이온의 농도가 상대적으로 클 수 있다. 또 강화 글라스(110)의 패턴화된 표면은 타면에 비해 나트륨 이온의 농도가 상대적으로 작을 수 있다. 예시적인 실시예에서, 강화 글라스(110)의 화학 강화층(114)의 압축 응력은 약 600MPa 내지 2000MPa일 수 있다. 또 화학 강화층(114)의 두께는 약 30㎛ 내지 80㎛일 수 있다.
이어서 본 발명의 일 실시예에 따른 전자 기기에 대해 설명한다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 전자 기기의 사시도이다. 도 4는 도 3의 Ⅳa-Ⅳa' 선 및 Ⅳb-Ⅳb' 선을 따라 절개한 단면도이다.
도 3 및 도 4를 참조하면, 본 실시예에 따른 전자 기기(1000)는 표시부(DA) 및 비표시부(NA)를 포함한다. 표시부(DA)는 영상이 구현되는 부분을 의미하고 비표시부(NA)는 표시부(DA)를 제외한 전자 기기(1000)의 몸체부, 베젤부, 배면부(미도시) 등을 의미한다.
전자 기기(1000)의 표시부(DA) 및 비표시부(NA)의 최외곽 표면은 각각 강화 글라스(120,130)로 이루어질 수 있다. 표시부(DA)의 글라스(120) 및 비표시부(NA)의 글라스(130)는 모두 패턴화된 표면을 가질 수 있다.
예시적인 실시예에서, 표시부(DA)의 글라스(120) 표면은 가상의 제1 기준면(121)으로부터 돌출된 복수의 제1 돌출 패턴(122)들 및 복수의 제1 돌출 패턴(122)들 하부에 배치되어 복수의 제1 돌출 패턴(122)들을 서로 연결하는 제1 글라스 몸체부(123)를 포함하고, 비표시부(NA)의 글라스(130) 표면은 가상의 제2 기준면(131)으로부터 돌출된 복수의 제2 돌출 패턴(132)들 및 복수의 제2 돌출 패턴(132)들 하부에 배치되어 복수의 제2 돌출 패턴(132)들을 서로 연결하는 제2 글라스 몸체부(133)를 포함할 수 있다. 제1 글라스 몸체부(123)와 제1 돌출 패턴(122)들은 일체로 형성되고, 제2 글라스 몸체부(133)와 제2 돌출 패턴(132)들은 일체로 형성될 수 있다. 또한 표시부(DA)에 위치한 제1 글라스 몸체부(123)와 비표시부(NA)에 위치한 제2 글라스 몸체부(133)는 물리적 경계 없이 일체로 형성되어 있을 수 있다.
제1 돌출 패턴(122)은 제1 기준면(121)으로부터 돌출되어 제1 글라스 몸체부(123) 상에 배치될 수 있다. 복수의 제1 돌출 패턴(122)들은 제1 방향(X) 및 제2 방향(Y)으로 이격되어 규칙적으로 배치될 수 있다. 제1 돌출 패턴(122)의 측벽은 경사 구조를 가질 수 있다. 제1 돌출 패턴(122)은 평면 시점에서 대략 원 형상일 수 있다. 또, 제2 돌출 패턴(132)은 제2 기준면(131)으로부터 돌출되어 제2 글라스 몸체부(133) 상에 배치될 수 있다. 복수의 제2 돌출 패턴(132)들은 제1 방향(X) 및 제2 방향(Y)으로 이격되어 규칙적으로 배치될 수 있다. 제2 돌출 패턴(132)의 측벽은 경사 구조를 가질 수 있다. 제2 돌출 패턴(132)은 평면 시점에서 대략 원 형상일 수 있다. 또한 제1 돌출 패턴(122)의 정상부와 제2 돌출 패턴(132)의 정상부는 동일 레벨에 위치할 수 있다.
제2 돌출 패턴(132)의 최대 높이(h3)는 제1 돌출 패턴(122)의 최대 높이(h2) 보다 클 수 있다. 즉, 제1 기준면(121)은 제2 기준면(131)에 비해 높은 레벨에 위치할 수 있다. 또, 제2 돌출 패턴(132)의 최대 폭(w3)은 제1 돌출 패턴(122)의 최대 폭(w2) 보다 클 수 있다. 또한, 제2 돌출 패턴(132)들 간의 제1 방향(X) 및 제2 방향(Y)으로의 최소 이격 거리(d3)는 제1 돌출 패턴(122)들 간의 제1 방향(X) 및 제2 방향(Y)으로의 최소 이격 거리(d2) 보다 클 수 있다.
예시적인 실시예에서, 제1 돌출 패턴(122)의 최대 높이(h2), 최대 폭(w2), 제1 방향(X) 및 제2 방향(Y)으로의 최소 이격 거리(d2)는 각각 약 100nm 내지 150nm일 수 있다. 또, 제2 돌출 패턴(132)의 최대 높이(h3), 최대 폭(w3), 제1 방향(X) 및 제2 방향(Y)으로의 최소 이격 거리(d3)는 각각 약 1㎛ 내지 10㎛일 수 있다.
전자 기기(1000)의 표시부(DA)에 위치하는 제1 돌출 패턴(122)의 최대 높이(h2), 최대 폭(w2), 이격 거리(d2)가 상기 범위에서 규칙적으로 형성되어 표시부(DA)의 글라스의 패턴화된 표면은 나노 사이즈의 초미세 구조를 가질 수 있고, 이를 통해 표시부(DA)에서의 외광에 의한 반사 저감 효과를 가질 수 있다.
또, 전자 기기(1000)의 비표시부(NA)에 위치하는 제2 돌출 패턴(132)의 최대 높이(h3), 최대 폭(w3), 이격 거리(d3)가 상기 범위에서 규칙적으로 형성되어 비표시부(NA)의 글라스의 패턴화된 표면은 미크론 사이즈의 미세 구조를 가질 수 있고, 이를 통해 보는 각도에 따라 비표시부(NA)에서 반사되는 광의 색을 변화하여 심미적 효과를 부여할 수 있다.
다른 측면에서, 표시부(DA) 표면의 글라스(120)의 상부 및 비표시부(NA) 표면의 글라스(130)의 상부는 모두 화학 강화층(124,134)을 포함할 수 있다. 구체적으로, 표시부(DA) 표면의 제1 글라스 몸체부(123)의 적어도 일부 및 제1 돌출 패턴(122)은 화학 강화되어 제1 화학 강화층(124)을 포함할 수 있다. 또 비표시부(NA) 표면의 제2 글라스 몸체부(133)의 적어도 일부 및 제2 돌출 패턴(132)은 모두 화학 강화되어 제2 화학 강화층(134)을 포함할 수 있다. 예를 들어, 표시부(DA)와 비표시부(NA)의 글라스(120,130)의 외측 표면(즉, 패턴화된 표면)은 내측(도면상 하측)에 비해 칼륨 이온의 농도가 상대적으로 클 수 있다. 또, 표시부(DA)와 비표시부(NA)의 글라스(120,130)의 외측 표면은 내측에 비해 나트륨 이온의 농도가 상대적으로 작을 수 있다.
이어서 본 발명의 일 실시예에 따른 강화 글라스의 제조 방법에 대해 설명한다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 강화 글라스의 제조 방법을 설명하기 위한 도면들이다.
도 5를 참조하면, 본 실시예에 따른 강화 글라스의 제조 방법은 글라스를 패터닝하는 단계(S100) 및 패터닝된 글라스를 화학 강화하는 단계(S200)를 포함한다. 본 명세서에서, 패턴은 특정 형상을 갖는 구조체를 의미하고, 패터닝은 특정 형상의 구조체를 형성하는 것을 의미한다. 다시 말해서, 본 명세서에서 패턴은 기재 상에 형성된 구조체뿐만 아니라 기재 일부를 제거하여 잔존하는 구조체를 포함하는 의미이다.
예시적인 실시예에서, 글라스를 패터닝하는 단계(S100)는 표면에 블로킹 패턴이 형성된 글라스를 준비하는 단계(S110), 상기 블로킹 패턴에 의해 노출된 상기 글라스의 표면 상에 금속 입자층을 형성하는 단계(S130), 상기 블로킹 패턴을 제거하는 단계(S150) 및 상기 금속 입자층을 식각 마스크로 이용하여 상기 글라스의 표면을 식각하는 단계(S160)를 포함하고, 상기 블로킹 패턴에 의해 노출된 상기 글라스의 표면을 이온 처리하는 단계(S120), 글라스를 열처리하는 단계(S140) 및 식각된 글라스를 세정하는 단계(S170)를 더 포함할 수 있다. 이하 강화 글라스의 제조 방법의 각 단계를 상세하게 설명한다.
도 6 내지 도 18은 도 5의 강화 글라스의 제조 방법을 설명하기 위한 도면들이다. 구체적으로 도 6은 패턴화된 일면을 갖는 스탬프의 사시도이고, 도 7은 도 6의 Ⅶ-Ⅶ' 선을 따라 절개한 단면도이다. 도 8 내지 도 10은 표면에 블로킹 패턴이 형성된 글라스를 준비하는 단계(S110)를 나타낸 단면도들이다. 도 11은 노출된 글라스의 표면을 이온 처리하는 단계(S120)를 나타낸 단면도이다. 도 12는 노출된 글라스의 표면 상에 금속 입자층을 형성하는 단계(S130)를 나타낸 단면도이다. 도 13은 글라스를 열처리하는 단계(S140)를 나타낸 단면도이다. 도 14는 블로킹 패턴을 제거하는 단계(S150)를 나타낸 단면도이다. 도 15는 글라스의 표면을 식각하는 단계(S160)를 나타낸 단면도이다. 도 16은 식각된 글라스를 세정하는 단계(S170)를 나타낸 단면도이다. 도 17은 패터닝된 글라스를 화학 강화하는 단계(S200)를 나타낸 단면도이다.
우선 도 6 및 도 7을 참조하면, 패턴화된 일면을 갖는 스탬프(200)를 준비한다(S111). 스탬프(200)의 일면(도면상 상면)은 패턴화되어 요부(210)와 철부(220)를 포함한다. 예를 들어, 요부(210)는 스탬프(200)의 상기 일면에서 최저점을 구성하는 부분이고, 철부(220)는 요부(210)로부터 돌출된 부분일 수 있다.
철부(220)는 제1 방향(X)으로 연장된 제1 철부(221) 및 제2 방향(Y)으로 연장된 제2 철부(222)을 포함할 수 있다. 즉, 철부(220)는 평면 시점에서 대략 격자 형상일 수 있다. 철부(220)의 정상부는 평탄하여 소정의 면적을 가질 수 있다. 요부(210)는 평면 시점에서 고립된 섬 형상이며 제1 방향(X) 및 제2 방향(Y)으로 이격 배치되어 복수개일 수 있다. 예시적인 실시예에서, 철부(220)의 높이(h4)는 약 100nm 내지 150nm이고, 제1 철부(221) 및 제2 철부(222)의 폭(w4a)은 각각 약 100nm 내지 150nm일 수 있다. 제1 철부(221)의 폭과 제2 철부(222)의 폭은 실질적으로 동일할 수 있다. 또 요부(210)의 폭(w4b)은 약 100nm 내지 150nm일 수 있다. 다른 실시예에서, 철부(220)의 높이(h4), 제1 철부(221) 및 제2 철부(222)의 폭(w4a), 요부(210)의 폭(w4b)은 각각 약 1㎛ 내지 10㎛일 수 있다.
몇몇 실시예에서, 요부(210)의 폭(w4b)은 제1 철부(221) 및 제2 철부(222)의 폭(w4a) 보다 클 수 있다. 요부(210)의 폭(w4b)을 철부(220)의 폭(w4a) 보다 크게 구성하여 글라스 표면에 규칙적인 폭과 크기를 갖는 돌출 패턴을 형성하고, 상기 돌출 패턴의 측벽을 경사 구조로 형성할 수 있다. 도 6 등은 철부(220)의 측벽이 요부(210)의 기저면에 대해 수직한 경우를 예시하고 있으나, 철부(220)의 측벽은 요부(210)의 기저면에 대해 수직하지 않고 경사 구조를 가질 수도 있다.
스탬프(200)의 일면에 요부(210)와 철부(220)를 포함하는 요철 패턴을 형성하는 방법은 레이저 간섭 리소그래피(laser interference lithography), 전자빔 리소그래피(E-bean lithography) 또는 나노 임프린트 리소그래피(nano imprint lithography) 등을 예시할 수 있다. 예시적인 실시예에서, 스탬프(200)는 폴리디메틸실록산(PDMS)을 포함하는 소프트 겔 상태의 스탬프일 수 있다.
이어서 도 8을 참조하면, 스탬프(200)의 상기 패턴화된 일면 적어도 일부에 블로킹 패턴 형성 물질(300)을 제공한다(S112). 블로킹 패턴 형성 물질(300)의 제공 방법은 특별히 제한되지 않으나, 패드 프린팅, 나이프 코팅, 키스 코팅, 그라비아 코팅 등을 들 수 있다.
예시적인 실시예에서, 블로킹 패턴 형성 물질(300)은 자기 조립 물질(self assemble material)일 수 있다. 블로킹 패턴 형성 물질(300)의 예로는 표면이 소수성을 갖는 실란계 물질 또는 표면이 소수성을 갖는 인산계 물질을 예시할 수 있다. 블로킹 패턴 형성 물질(300)의 다른 예로는 트리클로로실란계, 트리메톡시실란계, 또는 디메틸디클로로실란계 물질 등을 들 수 있다. 블로킹 패턴 형성 물질(300)의 또 다른 예로는 옥타데실트리클로로실란, 옥타데실트리메톡시실란, 펜타데실트리클로로실란, 폴리에틸렌이민트리메톡시실란, 퍼플루오로옥틸트리클로로실란, 또는 퍼플루오로데실트리클로로실란 등을 들 수 있다.
이어서 도 9를 참조하면, 글라스(101)의 일면에 대향하여 패턴화된 일면을 갖는 스탬프(200)를 배치 및 압착한다(S113). 스탬프(200)를 글라스(101)의 일면에 압착하는 단계(S113)는 글라스(101)의 일면(도면상 상면) 상에 블로킹 패턴 형성 물질(301)을 전사하는 단계일 수 있다. 블로킹 패턴 형성 물질(301)이 자기 조립 물질을 포함하는 실시예의 경우, 블로킹 패턴 형성 물질(301)은 스탬프(200) 표면 또는 글라스(101) 표면과의 화학적 선택성에 의해 스탬프(200)로부터 글라스(101)의 표면 상으로 전사될 수 있다. 예를 들어, 상기 자기 조립 물질은 글라스(101) 표면에 노출된 친수성기, 예컨대 히드록실기(-OH) 등과 강한 화학적 결합력을 가지고 자기 조립된 단분자막을 형성할 수 있다.
이어서 도 10을 참조하면, 스탬프(200)를 제거하고 글라스(101)의 표면 상에 블로킹 패턴(302)을 형성한다(S114). 블로킹 패턴(302)은 전술한 블로킹 패턴 형성 물질과 동일한 물질을 포함할 수 있다. 또, 블로킹 패턴(302)의 표면은 블로킹 패턴(302)이 배치되지 않아 블로킹 패턴(302)에 의해 노출된 글라스(101)의 표면에 비해 소수성을 가질 수 있다. 즉, 블로킹 패턴(302)은 부분적으로 표면을 개질할 수 있다. 도면에 도시하지 않았으나, 스탬프(200)의 패턴화된 일면의 철부(220)에 의해 전사된 블로킹 패턴(302)은 평면 시점에서 제1 방향(X)으로 연장된 부분과 제2 방향(Y)으로 연장된 부분을 포함하여 평면상 대략 격자 형상일 수 있다.
이어서 도 11을 참조하면, 블로킹 패턴(302)이 배치되지 않아 블로킹 패턴(302)에 의해 노출된 글라스(102)의 표면을 이온 처리한다(S120). 예를 들어, 블로킹 패턴(302)에 의해 노출된 글라스(102)의 표면을 주석 이온(Sn2 +) 또는 불소 이온(F-)으로 처리하여 노출된 글라스(102)의 표면을 개질할 수 있다. 이를 통해 노출된 글라스(102)의 표면과 금속 계열 물질 간의 흡착성을 향상시킬 수 있다.
예시적인 실시예에서, 블로킹 패턴(302)에 의해 노출된 글라스(102)의 표면을 주석 이온 또는 불소 이온으로 처리하는 단계(S120)는 표면에 블로킹 패턴(302)이 형성된 글라스(102)를 주석염 용액(900) 또는 불소염 용액에 침지하는 단계일 수 있다. 노출된 글라스(102)의 표면을 주석염 용액(900) 또는 불소염 용액 내의 주석 이온(Sn2 +) 또는 불소 이온(F-)과 직접적으로 접촉시킴으로써 이온 처리할 수 있다. 주석염 용액(900) 내의 주석 이온(Sn2 +)은 블로킹 패턴(302)에 의해 노출된 글라스(102)의 표면에 선택적으로 침투할 수 있다. 주석염 용액(900) 또는 불소염 용액의 예로는 염화주석(SnCl2) 용액, 불화주석(SnF2) 용액 등을 예시할 수 있으나 본 발명이 이에 제한되는 것은 아니다.
이어서 도 12를 참조하면, 블로킹 패턴(302)이 배치되지 않아 블로킹 패턴(302)에 의해 노출되어 이온 처리된 글라스(102)의 표면에 금속 입자층(400)을 형성한다(S130). 전술한 바와 같이 노출된 글라스(102)의 표면을 주석 이온 또는 불소 이온으로 처리하여 글라스(102)와 금속 계열 물질 간의 흡착성이 향상되어 금속 입자층(400)의 형성이 용이해질 수 있다. 또한 별도의 물리적인 임프린트 방법을 이용하지 않고, 블로킹 패턴(302)에 의해 노출된 글라스(102)의 표면에 미세한 크기의 금속 입자들을 선택적으로 흡착시켜 자가 배치하고, 후술할 바와 같이 금속 입자층을 식각 마스크로 이용함으로써 고해상도의 식각이 가능하며, 상대적으로 간단한 공정만으로 수백 나노미터 이하 크기의 초미세 패턴을 형성할 수 있다.
블로킹 패턴(302)에 의해 노출된 글라스(102)의 표면에 금속 입자층(400)을 형성하는 단계(S130)는 제1 용액(901) 및 제1 용액(901)과 함께 반응하여 금속 입자가 생성되는 제2 용액(902)을 혼합하여 글라스(102)의 표면 상에 제공하는 단계일 수 있다. 예시적인 실시예에서, 블로킹 패턴(302)에 의해 노출된 글라스(102)의 표면에 금속 입자층(400)을 형성하는 단계(S130)는 블로킹 패턴(302)에 의해 노출되어 이온 처리된 글라스(102)의 표면에 금속 입자를 석출시켜 금속 입자층(400)을 형성하는 단계일 수 있다. 비제한적인 일례로, 제1 용액(901)은 Ag(NH3)2 함유 용액이고, 제2 용액(902)은 KNaC4H4O6 함유 용액이며, 상기 금속 입자는 은 입자일 수 있다.
도면에 도시하지 않았으나, 대략 격자 형상의 블로킹 패턴(302)에 의해 노출된 글라스(102)의 표면에 형성된 금속 입자층(400)들은 평면 시점에서 고립된 섬 형상이며 제1 방향(X) 및 제2 방향(Y)으로 이격 배치될 수 있다.
이어서 도 13을 참조하면, 글라스(102)를 열처리한다(S140). 글라스(102)를 열처리하는 단계(S140)는 열처리를 통해 금속 입자층(401) 내 금속 입자들을 응집시키는 단계일 수 있다. 금속 입자층(401) 내 금속 입자들을 응집시킴으로써 후술할 바와 같이 식각 마스크로 이용할 수 있을 정도로 금속 입자층(401)을 견고하게 형성할 수 있다. 또, 금속 입자층(401) 내 금속 입자들을 응집시켜 글라스(102)와 맞닿는 금속 입자층(401)의 말단부를 들뜨게 한 후 식각 마스크로 이용함으로써 글라스(102) 표면에 형성되는 돌출 패턴의 측벽을 규칙적인 경사 구조로 형성할 수 있다. 열처리하는 단계(S140)는 약 100℃ 내지 150℃, 또는 약 120℃ 내지 130℃에서 수행될 수 있다.
이어서 도 14를 참조하면, 글라스(102) 표면의 블로킹 패턴을 제거한다(S150). 예시적인 실시예에서, 블로킹 패턴을 제거하는 단계(S150)는 글라스(102)를 2차 열처리하여 상기 블로킹 패턴을 소진하고 글라스(102) 표면에 금속 입자층(401)만을 남기는 단계일 수 있다. 2차 열처리를 통해 블로킹 패턴을 제거하는 단계(S150)는 약 350℃ 내지 450℃, 또는 약 400℃ 내지 420℃에서 수행될 수 있다. 블로킹 패턴을 제거하는 단계(S150)의 열처리 온도가 약 350℃ 이상이면 블로킹 패턴을 완전하게 소진할 수 있고, 열처리 온도가 약 450℃ 이하이면 금속 입자층(401)에 손상을 주지 않을 수 있다. 몇몇 실시예에서, 글라스를 1차 열처리하는 단계(S140) 및 2차 열처리하여 블로킹 패턴을 제거하는 단계(S150)는 동일 챔버 내에서 가열 온도를 증가시키며 일체로 수행될 수 있다. 다른 실시예에서, 블로킹 패턴을 제거하는 단계(S150)는 글라스(102) 표면을 부분적으로 러빙하거나, 또는 블로킹 패턴을 용해시킬 수 있는 세척 용액을 이용하거나 또는 애싱 공정을 통해 수행될 수도 있다.
이어서 도 15를 참조하면, 금속 입자층(401)을 식각 마스크로 이용하여 글라스(103)의 표면을 식각한다(S160). 금속 입자층(402)이 배치되지 않아 금속 입자층(402)에 의해 노출된 글라스(103)의 표면만을 부분 식각함으로써 글라스(103) 표면에 패턴을 형성할 수 있다. 즉, 금속 입자층(402)이 배치된 글라스(103) 표면은 식각액 또는 식각 가스 등에 의한 식각 반응이 일어나지 않아 식각되지 않고 그대로 잔존할 수 있다.
글라스(103)의 표면을 식각하는 단계(S160)에서 식각에 사용되는 식각액, 식각 가스 및/또는 플라즈마의 종류, 식각 온도, 식각 시간 등의 공정 조건은 글라스(103)의 재질과 금속 입자의 종류 및 그에 따른 식각 선택비를 고려하여 적절하게 선택될 수 있다. 예를 들어, 글라스(103)의 표면을 식각하는 단계(S160)는 반응성 이온 식각(RIE) 또는 유도 결합 플라즈마 식각(ICP) 등으로 수행될 수 있다.
이어서 도 16을 참조하면, 식각된 글라스(103)를 세정한다(S170). 예시적인 실시예에서, 세정하는 단계(S170)는 식각된 글라스(103)를 질산 용액에 침지하는 단계일 수 있다. 이를 통해 식각 마스크로 사용되어 글라스(103) 표면에 잔존하는 금속 입자층을 완전히 제거할 수 있다.
식각된 글라스(103)는 가상의 기준면(103a)으로부터 돌출된 복수의 돌출 패턴(103b)들 및 복수의 돌출 패턴(103b)들의 하부에 배치되어 복수의 돌출 패턴(103b)들을 서로 연결하는 글라스 몸체부(103c)를 포함한다. 예시적인 실시예에서, 식각된 글라스(103)는 도 1 및 도 2의 실시예에 따른 강화 글라스와 동일한 패턴화된 표면을 가질 수 있다. 즉, 복수의 돌출 패턴(103b)들은 제1 방향(X) 및 제2 방향(Y)으로 이격되어 규칙적으로 배치될 수 있다. 돌출 패턴(103b)의 측벽은 경사 구조를 가질 수 있다. 또, 돌출 패턴(103b)의 크기는 사용한 스탬프의 철부 및 요부의 크기와 대략 비례할 수 있다. 예시적인 실시예에서, 돌출 패턴(103b)의 최대 높이, 최대 폭, 제1 방향(X) 및 제2 방향(Y)으로의 최소 이격 거리는 각각 약 100nm 내지 150nm일 수 있다. 다른 실시예에서, 돌출 패턴(103b)의 최대 높이, 최대 폭, 제1 방향(X) 및 제2 방향(Y)으로의 최소 이격 거리는 각각 약 1㎛ 내지 10㎛일 수 있다.
이어서 도 17을 참조하면, 식각된 글라스를 화학 강화한다(S200). 식각된 글라스를 화학 강화하는 단계(S200)는 글라스(110) 내부의 제1 알칼리 금속 이온을 상기 제1 알칼리 금속 이온보다 이온 반경이 더 큰 제2 알칼리 금속 이온으로 치환하는 단계일 수 있다. 예컨대 상기 제1 알칼리 금속 이온은 리튬 이온이고, 상기 제2 알칼리 금속 이온은 나트륨 이온 또는 칼륨 이온일 수 있다. 또는, 상기 제1 알칼리 금속 이온은 나트륨 이온이고, 상기 제2 알칼리 금속 이온은 칼륨 이온일 수 있다. 예시적인 실시예에서, 글라스(110)는 상기 제2 알칼리 금속 이온을 함유하는 용액에 침지되어 이온 교환을 통해 화학 강화될 수 있다. 화학 강화된 강화 글라스(110)는 도 1 및 도 2의 실시예에 따른 강화 글라스일 수 있다. 화학 강화된 강화 글라스(110)에 대한 설명은 도 1 및 도 2와 함께 설명한 바 있으므로 구체적인 설명은 생략한다.
본 실시예에 따른 강화 글라스의 제조 방법은 글라스 표면을 패터닝하는 단계(S100)를 통해 패턴화된 표면을 형성한 후 화학 강화하는 단계(S200)를 수행함으로써 이온 교환되는 표면적을 증가시킬 수 있다. 이를 통해 화학 강화 효율을 극대화할 수 있는 효과가 있다.
이하, 제조예를 통해 본 발명에 대해 더욱 상세하게 설명한다.
<제조예>
폴리디메틸실록산으로 이루어진 기재의 일면에 높이와 폭이 약 1㎛인 격자 형상의 철부를 갖는 패턴을 형성하였다. 그리고 상기 스탬프의 패턴화된 일면에 면봉을 이용하여 옥타데실트리클로로실란을 도포하였다. 그 다음 상기 스탬프를 이용하여 소다라임 글라스의 표면에 옥타데실트리클로로실란을 전사하여 블로킹 패턴을 형성하였다. 블로킹 패턴이 형성된 글라스를 SnCl2 용액에 10분 동안 침지하고 꺼낸 후 글라스의 30cm 위에서 Ag(NH3)2 용액과 KNaC4H4O6 용액을 반응시킴과 동시에 반응 용액을 글라스와 접촉시켰다. 그리고 30분 동안 상온에서 400℃까지 승온하고, 400℃를 5분 동안 유지하였다. 그 다음 글라스 표면을 식각하고, 식각된 글라스를 질산 용액에 침지한 후 꺼내었다. 그 후 식각된 글라스를 칼륨 이온 함유 용액에 침지하여 화학 강화하였다.
도 18은 제조예에 따라 제조된 글라스의 사진들이다. 구체적으로, 도 18a에서 도 18d는 각각 높은 시점에서 낮은 시점으로 변화함에 따라 시인되는 글라스의 사진들이다.
도 18을 참조하면, 글라스를 보는 각도에 따라 글라스가 반사하는 색이 변화하여 무지개 반사 기능을 갖는 것을 확인할 수 있다.
이상에서 본 발명의 실시예 및 비교예를 중심으로 본 발명을 설명하였으나 이는 단지 예시일 뿐 본 발명을 한정하는 것이 아니며, 본 발명이 속하는 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 본 발명의 실시예의 본질적인 특성을 벗어나지 않는 범위에서 이상에 예시되지 않은 여러 가지의 변형과 응용이 가능함을 알 수 있을 것이다. 예를 들어, 본 발명의 실시예에 구체적으로 나타난 각 구성 요소는 변형하여 실시할 수 있다. 그리고 이러한 변형과 응용에 관계된 차이점들은 첨부된 청구 범위에서 규정하는 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
110: 강화 글라스
112: 돌출 패턴
113: 글라스 몸체부
114: 화학 강화층
112: 돌출 패턴
113: 글라스 몸체부
114: 화학 강화층
Claims (20)
- 표면에 블로킹 패턴이 형성된 글라스를 준비하는 단계;
상기 블로킹 패턴에 의해 노출된 상기 글라스의 표면 상에 금속 입자층을 형성하는 단계;
상기 블로킹 패턴을 제거하는 단계;
상기 금속 입자층을 식각 마스크로 이용하여 상기 글라스의 표면을 식각하는 단계; 및
상기 식각된 글라스의 표면을 화학 강화하는 단계를 포함하는 강화 글라스의 제조 방법. - 제1 항에 있어서,
상기 블로킹 패턴이 형성된 글라스를 준비하는 단계는,
요부와 철부를 포함하는 패턴화된 일면을 갖는 스탬프로서, 상기 스탬프의 상기 철부에 블로킹 패턴 형성 물질을 제공하는 단계, 및
상기 패턴화된 일면을 갖는 스탬프를 이용하여 상기 글라스의 표면 상에 상기 블로킹 패턴 형성 물질을 전사하여 블로킹 패턴을 형성하는 단계를 포함하는 강화 글라스의 제조 방법. - 제2 항에 있어서,
상기 스탬프의 패턴화된 일면의 상기 철부는 제1 방향으로 연장된 제1 철부 및 상기 제1 방향과 교차하는 제2 방향으로 연장된 제2 철부를 포함하여, 평면 시점에서 격자 형상인 강화 글라스의 제조 방법. - 제2 항에 있어서,
상기 블로킹 패턴은 트리클로로실란계, 트리메톡시실란계, 또는 디메틸디클로로실란계 물질을 포함하는 강화 글라스의 제조 방법. - 제2 항에 있어서,
상기 블로킹 패턴은 상기 글라스 표면에 비해 소수성을 갖는 강화 글라스의 제조 방법. - 제5 항에 있어서,
상기 블로킹 패턴이 형성된 글라스를 준비하는 단계와 상기 금속 입자층을 형성하는 단계 사이에,
상기 블로킹 패턴에 의해 노출된 상기 글라스의 표면을 주석 이온 또는 불소 이온으로 처리하는 단계를 더 포함하는 강화 글라스의 제조 방법. - 제6 항에 있어서,
상기 금속 입자층 내 상기 금속 입자는 은(Ag) 입자이고,
상기 금속 입자층을 형성하는 단계는,
상기 주석 이온 또는 불소 이온으로 처리된 상기 글라스의 표면 상에 은을 석출시키는 단계인 강화 글라스의 제조 방법. - 제7 항에 있어서,
상기 글라스의 표면을 식각하는 단계 후에, 상기 식각된 글라스를 질산 용액에 침지하는 단계를 더 포함하는 강화 글라스의 제조 방법. - 제1 항에 있어서,
상기 블로킹 패턴을 제거하는 단계는, 상기 글라스를 350℃ 내지 450℃에서 열처리하여 상기 블로킹 패턴을 제거하는 단계인 강화 글라스의 제조 방법. - 제1 항에 있어서,
상기 화학 강화하는 단계는,
상기 글라스 내의 제1 알칼리 금속 이온들을, 상기 제1 알칼리 금속 이온보다 이온 반경이 큰 제2 알칼리 금속 이온들로 치환하는 단계인 강화 글라스의 제조 방법. - 패턴화된 표면을 갖는 강화 글라스로서, 기준면으로부터 돌출된 복수의 돌출 패턴들을 포함하고,
상기 돌출 패턴들은 제1 방향 및 상기 제1 방향과 교차하는 제2 방향으로 이격되어 규칙적으로 배치되며,
상기 돌출 패턴은 화학 강화되어 있는 강화 글라스. - 제11 항에 있어서,
상기 복수의 돌출 패턴의 하부에 배치되어 상기 복수의 돌출 패턴들을 서로 연결하는 글라스 몸체부를 더 포함하되,
상기 글라스 몸체부와 상기 복수의 돌출 패턴들은 물리적 경계 없이 일체로 형성되고,
상기 글라스 몸체부는 화학 강화되어 있는 강화 글라스. - 제12 항에 있어서,
상기 돌출 패턴의 측벽은 경사 구조를 갖는 강화 글라스. - 제13 항에 있어서,
상기 돌출 패턴은 평면 시점에서 원 형상인 강화 글라스. - 제14 항에 있어서,
상기 패턴화된 표면의 압축 응력은 600MPa 내지 2000MPa인 강화 글라스. - 표시부 및 비표시부가 정의된 전자 기기로서,
상기 전자 기기의 상기 표시부의 표면은 글라스로 이루어지고, 상기 표시부의 표면의 글라스는, 제1 기준면으로부터 돌출된 제1 돌출 패턴들을 포함하고,
상기 전자 기기의 상기 비표시부의 표면은 글라스로 이루어지고, 상기 비표시부의 표면의 글라스는, 제2 기준면으로부터 돌출된 제2 돌출 패턴들을 포함하며,
상기 제2 돌출 패턴의 최대 높이는 상기 제1 돌출 패턴의 최대 높이보다 큰 전자 기기. - 제16 항에 있어서,
상기 제2 돌출 패턴들 간의 최소 이격 거리는 상기 제1 돌출 패턴들 간의 최소 이격 거리보다 큰 전자 기기. - 제17 항에 있어서,
상기 제1 돌출 패턴들은 제1 방향 및 상기 제1 방향과 교차하는 제2 방향으로 이격되어 규칙적으로 배치되고,
상기 제2 돌출 패턴들은 상기 제1 방향 및 상기 제2 방향으로 이격되어 규칙적으로 배치되며,
상기 제1 돌출 패턴의 정상부와 상기 제2 돌출 패턴의 정상부는 동일 레벨에 위치하는 전자 기기. - 제18 항에 있어서,
상기 제1 돌출 패턴의 최대 높이는 100nm 내지 150nm이고,
상기 제2 돌출 패턴의 최대 높이는 1㎛ 내지 10㎛인 전자 기기. - 제16 항에 있어서,
상기 표시부 표면의 글라스 및 상기 비표시부 표면의 글라스는 화학 강화되어 있는 전자 기기.
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