KR20180031820A - Conductive paste for laser etching, conductive thin film, and conductive laminate - Google Patents

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Abstract

(과제) 종래의 스크린 인쇄법으로는 대응이 곤란한 L/S가 50/50 ㎛ 이하인 고밀도 전극 회로 배선을, 저비용 또한 낮은 환경 부하로 제조할 수 있는 레이저 에칭 가공에 적합한 레이저 에칭 가공용 도전성 페이스트를 제공한다.
(해결 수단) 열가소성 수지를 포함하는 바인더 수지(A), 금속 가루(B) 및 유기 용제(C)를 함유하는 레이저 에칭 가공용 도전성 페이스트, 상기 도전성 페이스트를 이용하여 형성된 도전성 박막, 도전성 적층체, 전기 회로 및 터치 패널.
[PROBLEMS] To provide a conductive paste for laser etching which is suitable for laser etching processing capable of producing a high-density electrode circuit wiring having a L / S of 50/50 μm or less, which is difficult to cope with the conventional screen printing method, at a low cost and a low environmental load do.
A conductive paste for laser etching comprising a binder resin (A) containing a thermoplastic resin, a metal powder (B) and an organic solvent (C), a conductive thin film formed by using the conductive paste, a conductive laminate, Circuits and touch panels.

Description

레이저 에칭 가공용 도전성 페이스트, 도전성 박막 및 도전성 적층체{CONDUCTIVE PASTE FOR LASER ETCHING, CONDUCTIVE THIN FILM, AND CONDUCTIVE LAMINATE}BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention [0001] The present invention relates to a conductive paste for laser etching, an electroconductive thin film and an electroconductive laminate,

본 발명은, 평면 방향의 배치 밀도가 높은 도전성 패턴을 제조할 수 있는 도전성 패턴의 제조방법 및 이 제조방법에 적합하게 이용할 수 있는 도전성 페이스트에 관한 것이다. 본 발명의 도전성 패턴은, 전형적으로는 투명 터치 패널의 전극 회로 배선에 이용할 수 있다.The present invention relates to a method of producing a conductive pattern capable of producing a conductive pattern having a high arrangement density in the planar direction and a conductive paste suitably applicable to the method. The conductive pattern of the present invention can be typically used for an electrode circuit wiring of a transparent touch panel.

최근, 휴대 전화나, 노트북, 전자 서적 등으로 대표되는 투명 터치 패널을 탑재하는 전자 기기의 고성능화와 소형화가 급격히 진행되고 있다. 이들 전자 기기의 고성능화와 소형화에는, 탑재되는 전자 부품의 소형화, 고성능화, 집적도의 향상에 덧붙여, 이들 전자 부품 상호간을 접합하는 전극 회로 배선의 고밀도화가 요구되고 있다. 투명 터치 패널의 방식으로서 전극 회로 배선의 수가 적은 저항막 방식에 덧붙여, 전극 회로 배선의 수가 비약적으로 많은 정전 용량 방식의 보급이 최근 급속히 진행되고 있고, 이러한 관점에서 전극 회로 배선의 고밀도화가 강하게 요구되고 있다. 또한, 디스플레이 화면을 보다 크게 하기 위해, 또한 상품 디자인상의 요구에 의해, 전극 회로 배선이 배치되는 프레임부를 보다 좁게 하고자 하는 요구가 있고, 이러한 관점에서도 전극 회로 배선의 고밀도화가 요구되고 있다. 이상과 같은 요구를 만족시키기 위해, 종래 이상의 전극 회로 배선의 고밀도 배치를 행할 수 있는 기술이 요구되고 있다.2. Description of the Related Art In recent years, electronic devices equipped with transparent touch panels represented by cellular phones, notebooks, electronic books, and the like have been rapidly advanced and miniaturized. In order to achieve high performance and miniaturization of these electronic devices, it is required to increase the density of the electrode circuit wirings for bonding these electronic components to each other in addition to the miniaturization, high performance, and integration of the electronic components to be mounted. In addition to a resistive film type in which the number of electrode circuit wirings is reduced as a method of a transparent touch panel, the spread of a capacitance type in which the number of electrode circuit wirings is remarkably large has recently progressed rapidly, and from this point of view, have. Further, in order to make the display screen larger, and in the product design, there is a need to make the frame portion where the electrode circuit wiring is arranged to be narrower, and from this point of view also, high density of the electrode circuit wiring is required. In order to satisfy the above-mentioned demand, there is a demand for a technique capable of high density arrangement of the electrode circuit wiring of the prior art.

저항막 방식의 투명 터치 패널의 프레임 부분의 전극 회로 배선의 배치 밀도는, 평면 방향의 라인과 스페이스의 폭이 각각 200 ㎛(이하, L/S=200/200 ㎛라는 식으로 약기함) 이상 정도이고, 이것을 도전성 페이스트의 스크린 인쇄에 의해 형성하는 것이 종래부터 행해지고 있다. 정전 용량 방식의 터치 패널에서는, L/S의 요구는 100/100 ㎛ 정도 이하가 되었고, 게다가 L/S가 50/50 ㎛ 이하로 요구되는 경우도 있어, 스크린 인쇄에 의한 전극 회로 배선 형성 기술로는 대응하기 곤란한 상황이 되고 있다.The arrangement density of the electrode circuit wiring of the frame portion of the resistive film type transparent touch panel is preferably not less than about 200 占 퐉 (hereinafter referred to as "L / S = 200/200 占 퐉" And it has been conventionally done to form the conductive paste by screen printing. In the capacitive touch panel, the requirement for L / S is about 100/100 μm or less, and furthermore, the L / S ratio is required to be 50/50 μm or less. The situation becomes difficult to cope with.

스크린 인쇄를 대신할 전극 회로 배선 형성 기술의 후보의 일례로서, 포토리소그래피법을 들 수 있다. 포토리소그래피법을 이용하면, L/S가 50/50 ㎛ 이하인 세선을 형성하는 것도 충분히 가능하다. 그러나 포토리소그래피법에도 과제가 있다. 포토리소그래피법의 가장 전형적인 사례는 감광성 레지스트를 이용하는 수법으로, 일반적으로는, 동박층을 형성한 표면 기판의 동박 부위에 감광성 레지스트를 도포하고, 포토마스크 혹은 레이저광의 직접 묘화 등의 방법에 의해 원하는 패턴을 노광하고, 감광성 레지스트의 현상을 행하고, 그 후, 원하는 패턴 이외의 동박 부위를 약품으로 용해·제거함으로써, 동박의 세선 패턴을 형성시킨다. 이 때문에, 폐액 처리에 의한 환경 부하가 크고, 게다가 공정이 번거로워, 생산 효율의 관점, 용적 관점을 포함하여 많은 과제를 안고 있다.As an example of a candidate electrode circuit wiring forming technique for screen printing, a photolithography method can be used. By using the photolithography method, it is also possible to form a thin line having an L / S of 50/50 μm or less. However, the photolithography method has a problem. The most typical example of the photolithography method is a method using a photosensitive resist. In general, a photosensitive resist is applied to a copper foil portion of a surface substrate having a copper foil layer formed thereon, and a desired pattern And developing the photosensitive resist. Thereafter, the copper foil portions other than the desired pattern are dissolved and removed with a chemical to form a thin line pattern of the copper foil. For this reason, the environmental load due to the waste liquid treatment is large, and furthermore, the process is troublesome, and there are many problems including the viewpoints of production efficiency and capacity.

<<선행기술문헌>><< Prior art literature >>

(특허문헌 1) 특허문헌 1 : 일본 특허 공개 제2010-237573호 공보(Patent Document 1) Patent Document 1: Japanese Patent Application Laid-Open No. 2010-237573

(특허문헌 2) 특허문헌 2 : 일본 특허 공개 제2011-181338호 공보(Patent Document 2) Patent Document 2: Japanese Patent Application Laid-Open No. 2011-181338

본 발명의 목적은, 스크린 인쇄법으로는 대응이 곤란한 L/S가 50/50 ㎛ 이하인 고밀도 전극 회로 배선을, 저비용 또한 낮은 환경 부하로 제조할 수 있는 제조방법을 제공하는 것에 있다. 또한, 이러한 제조방법에 적합하게 이용할 수 있는 도전성 페이스트를 제공하는 것에 있다.It is an object of the present invention to provide a manufacturing method capable of producing a high-density electrode circuit wiring having an L / S of 50/50 μm or less, which is difficult to cope with by screen printing, at low cost and low environmental load. Another object of the present invention is to provide a conductive paste which can be suitably used in such a production method.

본 발명자들은 평면 방향으로 고밀도로 전극 회로 배선을 배치하는 제조방법에 관해 예의 검토한 결과, 바인더 수지와 도전 분체를 포함하는 층을 절연성 기재 상에 형성하고, 그 일부를 레이저광 조사에 의해 절연성 기재 상에서 제거함으로써, 스크린 인쇄법으로는 실현이 곤란한 L/S가 50/50 ㎛ 이하인 고밀도 전극 회로 배선을 제조할 수 있는 것을 알아냈다. 또한, 이러한 제조방법에 적합한 바인더 수지와 도전 분체를 포함하는 층을 형성하기에 적합한 도전성 페이스트를 알아냈다. 즉, 본원 발명은 이하의 구성을 포함하는 것이다.The present inventors have made intensive investigations on a manufacturing method of disposing the electrode circuit wiring in a high density in the plane direction. As a result, they have found that a layer containing a binder resin and a conductive powder is formed on an insulating substrate, It is possible to produce a high-density electrode circuit wiring having an L / S of 50/50 μm or less, which is difficult to realize by a screen printing method. In addition, a conductive paste suitable for forming a layer containing a binder resin and a conductive powder suitable for such a manufacturing method has been found. That is, the present invention includes the following configurations.

(1) 열가소성 수지를 포함하는 바인더 수지(A), 금속 가루(B) 및 유기 용제(C)를 함유하는 레이저 에칭 가공용 도전성 페이스트.(1) A conductive paste for laser etching processing containing a binder resin (A) containing a thermoplastic resin, a metal powder (B), and an organic solvent (C).

(2) 상기 바인더 수지(A)가, 수평균 분자량이 5,000∼60,000이며, 또한, 유리 전이 온도가 60∼100℃인 열가소성 수지인 것을 특징으로 하는, (1)에 기재된 레이저 에칭 가공용 도전성 페이스트.(2) The conductive paste for laser etching according to (1), wherein the binder resin (A) is a thermoplastic resin having a number average molecular weight of 5,000 to 60,000 and a glass transition temperature of 60 to 100 占 폚.

(3) 상기 바인더 수지(A)가, 폴리에스테르 수지, 폴리우레탄 수지, 에폭시 수지, 염화비닐 수지, 섬유소 유도체 수지로 이루어지는 군으로부터 선택되는 1종 또는 2종 이상의 혼합물인 것을 특징으로 하는 (1) 또는 (2)에 기재된 레이저 에칭 가공용 도전성 페이스트.(3) The binder resin composition according to (1), wherein the binder resin (A) is at least one selected from the group consisting of a polyester resin, a polyurethane resin, an epoxy resin, a vinyl chloride resin, Or the conductive paste for laser etching according to (2).

(4) 상기 바인더 수지(A)가, 산가 50∼300 당량/106 g인 폴리에스테르 수지 및 산가 50∼300 당량/106 g인 폴리우레탄 수지로 이루어지는 군으로부터 선택되는 1종 또는 2종 이상의 혼합물인 것을 특징으로 하는 (1) 또는 (2)에 기재된 레이저 에칭 가공용 도전성 페이스트.(4) The binder resin (A), an acid value of 50 to 300 equivalents / 10 6 g of polyester resin, and an acid value of 50 to 300 equivalents / 10 6 g of polyester of one or more selected from the group consisting of urethane resin The conductive paste for laser etching according to (1) or (2), which is a mixture.

(5) 레이저광 흡수제(D)를 더 함유하는 것을 특징으로 하는 (1)∼(4) 중 어느 하나에 기재된 레이저 에칭 가공용 도전성 페이스트.(5) The conductive paste for laser etching according to any one of (1) to (4), further comprising a laser ray absorbent (D).

(6) (1)∼(5) 중 어느 하나에 기재된 레이저 에칭 가공용 도전성 페이스트로부터 형성된 도전성 박막.(6) An electroconductive thin film formed from the electroconductive paste for laser etching according to any one of (1) to (5).

(7) (6)에 기재된 도전성 박막과 기재가 적층되어 있는 도전성 적층체.(7) The conductive laminate according to (6), wherein the conductive thin film and the substrate are laminated.

(8) 상기 기재가 투명 도전성층을 갖는 것을 특징으로 하는 (7)에 기재된 도전성 적층체.(8) The conductive laminate according to (7), wherein the substrate has a transparent conductive layer.

(9) (6)에 기재된 도전성 박막, 또는, (7) 또는 (8)에 기재된 도전성 적층체를 이용하여 이루어지는 전기 회로.(9) An electric circuit using the conductive thin film according to (6), or the conductive laminate according to (7) or (8).

(10) (6)에 기재된 도전성 박막의 일부에, 탄산 가스 레이저, YAG 레이저, 파이버 레이저 및 반도체 레이저로부터 선택되는 레이저광을 조사하여, 상기 도전성 박막의 일부를 제거함으로써 형성된 배선 부위를 갖는 전기 회로.(10) An electric circuit having a wiring portion formed by irradiating a part of the conductive thin film described in (6) with a laser beam selected from a carbonic acid gas laser, a YAG laser, a fiber laser and a semiconductor laser, .

(11) 상기 도전성 박막이 투명 도전성층 상에 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 (9)에 기재된 전기 회로.(11) The electric circuit according to (9), wherein the conductive thin film is formed on the transparent conductive layer.

(12) (9)∼(11) 중 어느 하나에 기재된 전기 회로를 구성 부재로서 포함하는 터치 패널. (12) A touch panel comprising the electric circuit according to any one of (9) to (11) as a constituent member.

본 발명의 도전성 페이스트는, 열가소성 수지를 포함하는 바인더 수지(A), 금속 가루(B) 및 유기 용제(C)를 함유하는 도전성 페이스트이고, 이러한 구성을 취함으로써, 레이저 에칭 가공 적성이 우수하며, 또한 레이저 에칭 가공 후에 있어서도 기재에 대한 초기 및 습열 환경 부하 후의 밀착성이 우수한 도전성 박막을 형성할 수 있다. 또 여기서, 레이저 에칭 가공 적성이 우수하다란, 레이저 에칭 가공에 의해 도전성 박막의 적어도 일부를 기재로부터 박리시켜, L/S=30/30 ㎛ 정도의 세선을 형성시켰을 때에, 1) 세선 양끝 사이의 도통이 확보될 것, 2) 인접 세선 사이의 절연이 확보될 것, 3) 세선 형상이 양호할 것의 3조건을 만족하는 것을 가리킨다. 또한, 본 발명의 실시양태인 레이저광 흡수제(D)를 함유하는 도전성 페이스트는, 레이저광 흡수제(D)를 함유하지 않는 도전성 페이스트보다 레이저광 조사에 대한 감도가 높아지기 때문에, 레이저 주사 속도의 향상, 레이저 출력의 저감 등이 가능해진다는 더욱 우수한 효과도 발휘한다.The conductive paste of the present invention is a conductive paste containing a binder resin (A) containing a thermoplastic resin, a metal powder (B) and an organic solvent (C). By adopting such a constitution, In addition, even after the laser etching process, it is possible to form an electroconductive thin film excellent in adhesion to the substrate after initial and moist heat load. Here, excellent suitability for laser etching processing means that at least a part of the conductive thin film is peeled off from the substrate by laser etching to form thin lines of L / S = 30/30 占 퐉. 1) 2) ensuring insulation between adjacent fine wires, and 3) good fine wire shape. Further, the conductive paste containing the laser ray absorbent (D), which is an embodiment of the present invention, has higher sensitivity to laser light irradiation than a conductive paste not containing the laser ray absorbent (D) The laser output can be reduced, and the like.

도 1은, 본 발명의 실시예, 비교예에서 이용한 레이저 에칭 가공 적성 평가 시험편에 레이저광을 조사하는 패턴을 나타내는 모식도이다. 백색 부위에 레이저광이 조사되어, 기재 상에 형성된 도전성 박막이 제거된다. 망점 부위에는 레이저광이 조사되지 않는다. 도면 중의 치수 표시의 단위는 mm이다.Fig. 1 is a schematic diagram showing a pattern for irradiating a laser beam to a test piece for evaluating the laser-etching-machining suitability used in Examples and Comparative Examples of the present invention. Fig. The white portion is irradiated with laser light to remove the conductive thin film formed on the substrate. No laser light is irradiated to the halftone dot area. The unit of the dimension display in the drawing is mm.

<<본 발명의 도전성 페이스트를 구성하는 성분>> &Lt; Components constituting the conductive paste of the present invention &gt;

본 발명에서의 레이저 에칭 가공용 도전성 페이스트는, 열가소성 수지를 포함하는 바인더 수지(A), 금속 가루(B) 및 유기 용제(C)를 필수 성분으로서 함유한다.The conductive paste for laser etching in the present invention contains a binder resin (A) containing a thermoplastic resin, a metal powder (B) and an organic solvent (C) as essential components.

<바인더 수지(A)> &Lt; Binder Resin (A) >

바인더 수지(A)의 종류는 열가소성 수지이면 특별히 한정되지 않지만, 폴리에스테르 수지, 에폭시 수지, 페녹시 수지, 폴리아미드 수지, 폴리아미드이미드 수지, 폴리카보네이트 수지, 폴리우레탄 수지, 페놀 수지, 아크릴 수지, 폴리스티렌, 스티렌-아크릴 수지, 스티렌-부타디엔 공중합체, 페놀 수지, 폴리에틸렌계 수지, 폴리카보네이트계 수지, 페놀 수지, 알키드 수지, 스티렌-아크릴 수지, 스티렌-부타디엔 공중합 수지, 폴리술폰 수지, 폴리에테르술폰 수지, 염화비닐-초산비닐 공중합 수지, 에틸렌-초산비닐 공중합, 폴리스티렌, 실리콘 수지, 불소계 수지 등을 들 수 있고, 이들 수지는 단독으로 혹은 2종 이상의 혼합물로서 사용할 수 있다. 폴리에스테르 수지, 폴리우레탄 수지, 에폭시 수지, 염화비닐 수지, 섬유소 유도체 수지로 이루어지는 군으로부터 선택되는 1종 또는 2종 이상의 혼합물인 것이 바람직하다. 또한, 이들 수지 중에서도, 폴리에스테르 수지 및/또는 폴리에스테르 성분을 공중합 성분으로서 함유하는 폴리우레탄 수지(이하 폴리에스테르폴리우레탄 수지라고 하는 경우가 있음)가, 바인더 수지(A)로서 바람직하다.The kind of the binder resin (A) is not particularly limited as long as it is a thermoplastic resin, and examples thereof include a polyester resin, an epoxy resin, a phenoxy resin, a polyamide resin, a polyamideimide resin, a polycarbonate resin, a polyurethane resin, A styrene-butadiene copolymer, a polystyrene, a styrene-acrylic resin, a styrene-butadiene copolymer, a phenol resin, a polyethylene resin, a polycarbonate resin, a phenol resin, an alkyd resin, , Vinyl chloride-vinyl acetate copolymer resin, ethylene-vinyl acetate copolymer, polystyrene, silicone resin, and fluorine resin. These resins can be used alone or as a mixture of two or more kinds. A polyester resin, a polyurethane resin, an epoxy resin, a vinyl chloride resin, a fibrin derivative resin, or a mixture of two or more thereof. Among these resins, a polyurethane resin containing a polyester resin and / or a polyester component as a copolymerization component (hereinafter sometimes referred to as a polyester polyurethane resin) is preferable as the binder resin (A).

본 발명에서의 바인더 수지(A)로서 폴리에스테르 수지를 이용하는 것의 이점 중 하나로서, 분자 설계의 자유도가 높다는 점이 있다. 폴리에스테르 수지를 구성하는 디카르복실산 및 글리콜 성분을 선정하여, 공중합 성분을 자유롭게 변화시킬 수 있고, 또한, 분자쇄 중, 혹은 분자 말단에 대한 작용기의 부여도 용이하다. 이 때문에, 얻어지는 폴리에스테르 수지의 유리 전이 온도나 기재 및 도전성 페이스트에 배합되는 다른 성분과의 친화성 등의 수지의 특성을 적절히 조정할 수 있다.One of the advantages of using a polyester resin as the binder resin (A) in the present invention is high degree of freedom in molecular design. The dicarboxylic acid and the glycol component constituting the polyester resin can be selected to freely change the copolymerization component and the functional group to the molecular chain or to the molecular terminal can be easily given. Therefore, the properties of the resin such as the glass transition temperature of the obtained polyester resin and the affinity with the base material and other components to be mixed in the conductive paste can be appropriately adjusted.

본 발명에서의 바인더 수지(A)로서 이용되는 폴리에스테르 수지의 공중합 성분으로서 사용할 수 있는 디카르복실산의 예로는, 테레프탈산, 이소프탈산, 오르토프탈산, 2,6-나프탈렌디카르복실산 등의 방향족 디카르복실산, 호박산, 글루타르산, 아디프산, 세바스산, 도데칸디카르복실산, 아젤라산 등의 지방족 디카르복실산, 다이머산 등의 탄소수 12∼28의 이염기산, 1,4-시클로헥산디카르복실산, 1,3-시클로헥산디카르복실산, 1,2-시클로헥산디카르복실산, 4-메틸헥사히드로무수프탈산, 3-메틸헥사히드로무수프탈산, 2-메틸헥사히드로무수프탈산, 디카르복시 수소첨가 비스페놀 A, 디카르복시 수소첨가 비스페놀 S, 다이머산, 수소첨가 다이머산, 수소첨가 나프탈렌디카르복실산, 트리시클로데칸디카르복실산 등의 지환족 디카르복실산, 히드록시벤조산, 젖산 등의 히드록시카르복실산을 들 수 있다. 또한, 발명의 효과를 저해하지 않는 범위에서, 무수트리멜리트산, 무수피로멜리트산 등의 3가 이상의 카르복실산, 푸마르산 등의 불포화 디카르복실산, 및/또는, 5-술포이소프탈산나트륨염 등의 술폰산 금속염기 함유 디카르복실산을 공중합 성분으로서 병용해도 좋다.Examples of the dicarboxylic acid which can be used as the copolymerization component of the polyester resin used as the binder resin (A) in the present invention include aromatic dicarboxylic acids such as terephthalic acid, isophthalic acid, orthophthalic acid and 2,6- Aliphatic dicarboxylic acids such as dicarboxylic acid, succinic acid, glutaric acid, adipic acid, sebacic acid, dodecanedicarboxylic acid and azelaic acid; dibasic acids having 12 to 28 carbon atoms such as dimeric acid; 1,2-cyclohexanedicarboxylic acid, 4-methylhexahydrophthalic anhydride, 3-methylhexahydrophthalic anhydride, 2-methylhexahydrophthalic acid, 2-methylhexanedicarboxylic acid, Alicyclic dicarboxylic acids such as phthalic anhydride, dicarboxy hydrogenated bisphenol A, dicarboxy hydrogenated bisphenol S, dimer acid, hydrogenated dimer acid, hydrogenated naphthalene dicarboxylic acid and tricyclodecanedicarboxylic acid, Roxy benzoic acid, Milk And hydroxycarboxylic acids such as an acid. In addition, within the scope of not impairing the effect of the invention, unsaturated dicarboxylic acids such as carboxylic acids with more than trivalent anhydride such as trimellitic anhydride and pyromellitic anhydride, unsaturated dicarboxylic acids such as fumaric acid and / or sodium 5-sulfoisophthalate A sulfonic acid metal base-containing dicarboxylic acid such as a salt may be used as a copolymerization component.

본 발명에서의 바인더 수지(A)로서 이용되는 폴리에스테르 수지의 공중합 성분으로서 사용할 수 있는 폴리올의 예로는, 에틸렌글리콜, 프로필렌글리콜, 1,3-프로판디올, 1,4-부탄디올, 1,5-펜탄디올, 네오펜틸글리콜, 1,6-헥산디올, 3-메틸-1,5-펜탄디올, 2-메틸-1,5-펜탄디올, 2-메틸-1,3-프로판디올, 2,2-디에틸-1,3-프로판디올, 2-부틸-2-에틸-1,3-프로판디올, 1,9-노난디올, 1,10-데칸디올 등의 지방족 디올, 1,4-시클로헥산디메탄올, 1,3-시클로헥산디메탄올, 1,2-시클로헥산디메탄올, 다이머디올 등의 지환족 디올을 들 수 있다. 또한, 발명의 효과를 저해하지 않는 범위에서 트리메틸올에탄, 트리메틸올프로판, 글리세린, 펜타에리스리톨, 폴리글리세린 등의 3가 이상의 폴리올을 공중합 성분으로서 병용해도 좋다.Examples of the polyol which can be used as the copolymerization component of the polyester resin used as the binder resin (A) in the present invention include ethylene glycol, propylene glycol, 1,3-propanediol, 1,4-butanediol, 1,5- Pentanediol, neopentyl glycol, 1,6-hexanediol, 3-methyl-1,5-pentanediol, 2-methyl-1,5-pentanediol, 1,3-propanediol, 1,8-nonanediol, 1,10-decanediol, and other aliphatic diols, 1,4-cyclohexane And alicyclic diols such as dimethanol, 1,3-cyclohexanedimethanol, 1,2-cyclohexanedimethanol and dimer diol. In addition, a tri- or higher-valent polyol such as trimethylolethane, trimethylolpropane, glycerin, pentaerythritol, or polyglycerin may be used in combination as a copolymerization component within the range not hindering the effect of the invention.

본 발명에서의 바인더 수지(A)로서 이용되는 폴리에스테르 수지는, 강도나 내열성, 내습성, 및 내열충격성 등의 내구성 등의 관점에서, 상기 폴리에스테르 수지를 구성하는 전산 성분 중 방향족 디카르복실산이 60 몰% 이상 공중합되어 있는 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 80 몰% 이상, 더욱 바람직하게는 90 몰% 이상, 특히 바람직하게는 98 몰% 이상이다. 전산 성분이 방향족 디카르복실산을 포함하는 것은 바람직한 실시양태이다. 방향족 디카르복실산 성분의 공중합 비율이 지나치게 낮으면, 얻어지는 폴리에스테르 수지의 유리 전이 온도가 60℃보다 낮아져, 얻어지는 도전성 박막의 내습열성, 내구성이 저하되는 경향이 있다.From the viewpoints of durability such as strength, heat resistance, moisture resistance, and thermal shock resistance, the polyester resin used as the binder resin (A) in the present invention is preferably an aromatic dicarboxylic acid More preferably 80 mol% or more, still more preferably 90 mol% or more, and particularly preferably 98 mol% or more. It is a preferred embodiment that the computational component comprises an aromatic dicarboxylic acid. If the copolymerization ratio of the aromatic dicarboxylic acid component is too low, the obtained polyester resin tends to have a lower glass transition temperature than 60 ° C, and the resulting conductive thin film tends to have poor wettability and durability.

본 발명에서의 바인더 수지(A)로서 이용되는 폴리에스테르 수지는, 강도나 내열성, 내습성, 및 내열충격성 등의 내구성 등의 관점에서, 상기 폴리에스테르 수지를 구성하는 전폴리올 중 주쇄의 탄소수가 4 이하인 글리콜이 60 몰% 이상인 것이 바람직하고, 80 몰% 이상인 것이 보다 바람직하고, 95 몰% 이상인 것이 더욱 바람직하다. 전폴리올 성분 중, 주쇄의 탄소수가 4 이하인 글리콜의 공중합 비율이 지나치게 낮으면 얻어지는 폴리우레탄 수지의 유리 전이 온도가 60℃보다 낮아져, 얻어지는 도전성 박막의 내습열성, 내구성이 저하되는 경향이 있다.From the viewpoints of durability such as strength, heat resistance, moisture resistance and thermal shock resistance, the polyester resin used as the binder resin (A) in the present invention is preferably a polyester resin having a carbon number of 4 Or less, more preferably 80 mol% or more, and still more preferably 95 mol% or more. If the copolymerization ratio of the glycol having 4 or less carbon atoms in the main chain is too low, the glass transition temperature of the resulting polyurethane resin becomes lower than 60 占 폚, and the resulting electroconductive thin film tends to have poor wettability and durability.

본 발명에서의 바인더 수지(A)로서 폴리우레탄 수지를 이용하는 것도 바람직한 실시양태이다. 폴리에스테르 수지의 경우와 마찬가지로, 폴리우레탄 수지에 관해서도, 폴리우레탄 수지를 구성하는 공중합 성분으로서 적절한 성분을 선정하고, 또한, 분자쇄 중, 혹은 분자 말단에 대한 작용기의 부여를 행함으로써, 유리 전이 온도나 기재 및 도전성 페이스트에 배합되는 다른 성분과의 친화성 등의 수지의 특성을 적절히 조정할 수 있다.It is also a preferred embodiment to use a polyurethane resin as the binder resin (A) in the present invention. As in the case of the polyester resin, as for the polyurethane resin, appropriate components are selected as the copolymerizable component constituting the polyurethane resin, and functional groups are added to the molecular chain or to the molecular ends, The affinity between the substrate and other components to be mixed with the conductive paste can be suitably adjusted.

폴리우레탄 수지의 공중합 성분에 관해서도 특별히 한정은 되지 않지만, 설계의 자유도나 내습열성, 내구성의 유지라는 관점에서, 폴리에스테르폴리올을 공중합 성분으로서 이용하는 폴리에스테르폴리우레탄 수지인 것이 바람직하다. 상기 폴리에스테르폴리올의 적합한 예로는, 상술한 본 발명에서의 바인더 수지(A)로서 이용할 수 있는 폴리에스테르 수지 중 폴리올인 것을 들 수 있다.The copolymer component of the polyurethane resin is not particularly limited, but is preferably a polyester polyurethane resin using a polyester polyol as a copolymerization component from the viewpoints of freedom in design, resistance to humidity and heat, and durability. Suitable examples of the polyester polyol include polyols in polyester resins usable as the binder resin (A) in the present invention.

본 발명에서의 바인더 수지(A)로서 이용되는 폴리우레탄 수지는, 예컨대 폴리올과 폴리이소시아네이트의 반응에 의해 얻을 수 있다. 상기 폴리우레탄 수지의 공중합 성분으로서 이용할 수 있는 폴리이소시아네이트로는, 2,4-톨릴렌디이소시아네이트, 2,6-톨릴렌디이소시아네이트, p-페닐렌디이소시아네이트, 4,4'-디페닐메탄디이소시아네이트, m-페닐렌디이소시아네이트, 3,3'-디메톡시-4,4'-비페닐렌디이소시아네이트, 2,6-나프탈렌디이소시아네이트, 3,3'-디메틸-4,4'-비페닐렌디이소시아네이트, 4,4'-디페닐렌디이소시아네이트, 4,4'-디이소시아네이트디페닐에테르, 1,5-나프탈렌디이소시아네이트, m-크실렌디이소시아네이트, 이소포론디이소시아네이트, 테트라메틸렌디이소시아네이트, 헥사메틸렌디이소시아네이트, 톨루엔디이소시아네이트 등을 들 수 있고, 방향족 디이소시아네이트, 지방족 디이소시아네이트 및 지환족 디이소시아네이트 중 어느것이어도 좋다. 또한, 본 발명의 효과를 저해하지 않는 범위에서, 3가 이상의 이소시아네이트 화합물을 공중합 성분으로서 병용해도 좋다.The polyurethane resin used as the binder resin (A) in the present invention can be obtained, for example, by the reaction of a polyol and a polyisocyanate. Examples of the polyisocyanate that can be used as the copolymerization component of the polyurethane resin include 2,4-tolylene diisocyanate, 2,6-tolylene diisocyanate, p-phenylenediisocyanate, 4,4'-diphenylmethane diisocyanate, m 4,3'-dimethoxy-4,4'-biphenylene diisocyanate, 2,6-naphthalene diisocyanate, 3,3'-dimethyl-4,4'-biphenylene diisocyanate, 4,4'-diisocyanate diphenyl ether, 1,5-naphthalene diisocyanate, m-xylene diisocyanate, isophorone diisocyanate, tetramethylene diisocyanate, hexamethylene diisocyanate, toluene di Isocyanate and the like, and may be any of aromatic diisocyanate, aliphatic diisocyanate and alicyclic diisocyanate. In addition, as long as the effect of the present invention is not impaired, a trivalent or more isocyanate compound may be used as a copolymerization component.

본 발명에서의 바인더 수지(A)로서 이용되는 폴리우레탄 수지에는, 이소시아네이트와 반응할 수 있는 작용기를 갖는 화합물을 필요에 따라 공중합할 수 있다. 이소시아네이트와 반응할 수 있는 작용기로는, 수산기 및 아미노기가 바람직하고, 어느 한쪽을 갖는 것이어도 좋고 양쪽을 갖는 것이어도 좋다. 그 구체적인 예로는, 디메틸올부탄산, 디메틸올프로피온산, 1,2-프로필렌글리콜, 1,2-부틸렌글리콜, 1,3-부틸렌글리콜, 2,3-부틸렌글리콜, 2,2-디메틸-1,3-프로판디올, 3-메틸-1,5-펜탄디올, 2,2,4-트리메틸-1,3-펜탄디올, 2-에틸-1,3-헥산디올, 2,2-디메틸-3-히드록시프로필-2',2'-디메틸-3'-히드록시프로파네이트, 2-노르말부틸-2-에틸-1,3-프로판디올, 3-에틸-1,5-펜탄디올, 3-프로필-1,5-펜탄디올, 2,2-디에틸-1,3-프로판디올, 3-옥틸-1,5-펜탄디올, 3-페닐-1,5-펜탄디올, 2,5-디메틸-3-나트륨술포-2,5-헥산디올, 다이머디올(예컨대, 유니케마·인터내셔널사 제조의 PRIPOOL-2033) 등의 1분자 중에 2개의 수산기를 갖는 화합물, 트리메틸올에탄, 트리메틸올프로판, 글리세린, 펜타에리스리톨, 폴리글리세린 등의 1분자 중에 3개 이상의 수산기를 갖는 알콜, 모노에탄올아민, 디에탄올아민, 트리에탄올아민 등의 1분자에 1개 이상의 수산기와 아미노기를 갖는 아미노알콜, 에틸렌디아민, 1,6-헥산디아민, 1,8-옥탄디아민, 1,9-노난디아민, 1,10-데칸디아민, 1,11-운데칸디아민, 1,12-도데칸디아민 등의 지방족 디아민이나 메타크실렌디아민, 4,4'-디아미노디페닐메탄, 3,4'-디아미노디페닐에테르, 4,4'-디아미노디페닐에테르 등의 방향족 디아민 등의 1분자 중에 2개의 아미노기를 갖는 화합물을 들 수 있다. 상기한 수평균 분자량 1,000 미만의 1분자에 2개 이상의 이소시아네이트와 반응할 수 있는 작용기를 갖는 화합물은 단독으로 이용해도 좋고 복수를 병용해도 전혀 문제는 없다.The polyurethane resin used as the binder resin (A) in the present invention may be copolymerized with a compound having a functional group capable of reacting with isocyanate, if necessary. As the functional group capable of reacting with the isocyanate, a hydroxyl group and an amino group are preferable, and either one of them may be used, or both of them may be used. Specific examples thereof include dimethylolbutanoic acid, dimethylolpropionic acid, 1,2-propylene glycol, 1,2-butylene glycol, 1,3-butylene glycol, 2,3-butylene glycol, 2,2- Propanediol, 3-methyl-1,5-pentanediol, 2,2,4-trimethyl-1,3-pentanediol, 2-ethyl-1,3-hexanediol, 2,2- 3-hydroxypropyl-2 ', 2'-dimethyl-3'-hydroxypropanate, 2-n-butyl- 1,3-propanediol, 3-pentyl-1,5-pentanediol, 3-phenyl-1,5-pentanediol, 2,5 -Dimethyl-3-sodium sulfo-2,5-hexanediol, dimer diol (for example, PRIPOOL-2033 manufactured by Uniqema International Co., Ltd.), a compound having two hydroxyl groups in one molecule, trimethylolethane, , Alcohols having three or more hydroxyl groups in one molecule such as glycerin, pentaerythritol and polyglycerin, monoethanolamine, diethanolamine, Amino alcohols having at least one hydroxyl group and an amino group in one molecule such as ethanolamine, ethylenediamine, 1,6-hexanediamine, 1,8-octanediamine, 1,9-nonanediamine, , 11-undecanediamine, and 1,12-dodecanediamine; alicyclic diamines such as 4,4'-diaminodiphenylmethane, 3,4'-diaminodiphenyl ether, 4,4'- And aromatic diamines such as diaminodiphenyl ether, and the like. The compound having a functional group capable of reacting with two or more isocyanates in one molecule having a number average molecular weight of less than 1,000 may be used alone or in combination with plural compounds.

본 발명에서의 바인더 수지(A)의 수평균 분자량은 특별히 한정은 되지 않지만, 수평균 분자량이 5,000∼60,000인 것이 바람직하다. 수평균 분자량이 지나치게 낮으면, 형성된 도전성 박막의 내구성, 내습열성의 면에서 바람직하지 않다. 한편, 수평균 분자량이 지나치게 높으면, 수지의 응집력이 증가하고, 도전성 박막으로서의 내구성 등은 향상되지만, 레이저 에칭 가공 적성이 현저히 악화된다.The number average molecular weight of the binder resin (A) in the present invention is not particularly limited, but it is preferable that the number average molecular weight is 5,000 to 60,000. If the number average molecular weight is too low, it is not preferable from the viewpoints of the durability and moisture resistance of the formed conductive thin film. On the other hand, if the number average molecular weight is too high, the cohesive force of the resin increases and the durability as the conductive thin film improves, but the suitability for laser etching is remarkably deteriorated.

본 발명에서의 바인더 수지(A)의 유리 전이 온도는 60℃ 이상인 것이 바람직하고, 65℃ 이상인 것이 보다 바람직하다. 유리 전이 온도가 낮으면, 레이저 에칭 가공 적성이 향상되는 경우가 있지만, 도전성 박막으로서의 습열 환경 신뢰성이 저하될 우려가 있고, 또한, 표면 경도의 저하를 유발하고 점착성에 의해 제조 공정 및/또는 사용시에 접촉 상대측으로의 페이스트 함유 성분의 이행이 발생하여 도전성 박막 신뢰성이 저하될 우려가 있다. 한편, 본 발명에 이용하는 바인더 수지(A)의 유리 전이 온도는, 인쇄성, 밀착성, 용해성, 페이스트 점도, 및 레이저 에칭 가공 적성 등을 고려하면, 150℃ 이하가 바람직하고, 120℃ 이하가 보다 바람직하고, 100℃ 이하가 더욱 바람직하다.The glass transition temperature of the binder resin (A) in the present invention is preferably 60 占 폚 or higher, and more preferably 65 占 폚 or higher. When the glass transition temperature is low, the suitability for laser etching processing may be improved. However, there is a fear that the reliability of the wet heat environment as the conductive thin film is lowered, and furthermore, the surface hardness is lowered, There is a fear that the paste-containing component migrates to the contact side and the reliability of the conductive thin film is lowered. On the other hand, the glass transition temperature of the binder resin (A) used in the present invention is preferably 150 占 폚 or lower, more preferably 120 占 폚 or lower in consideration of printability, adhesion, solubility, paste viscosity, And more preferably 100 DEG C or less.

본 발명에서의 바인더 수지(A)의 산가는 특별히 한정되지 않지만, 특정한 범위의 산가를 갖고 있음으로써, 기재에 대한 밀착성을 현저히 향상시킬 수 있는 경우가 있다. 도전성 박막의 레이저 에칭 가공시에 있어서, 레이저 조사 부위 주변의 온도가 상승하여 도전성 박막과 기재의 밀착성이 저하되는 경우가 있지만, 바인더 수지(A)로서, 특정 범위의 산가를 갖는 바인더 수지를 이용함으로써, 밀착성의 저하를 억제할 수 있는 경우가 있다. 바인더 수지(A)의 산가는, 50∼350 eq/ton인 것이 바람직하고, 100∼250 eq/ton인 것이 보다 바람직하다. 산가가 지나치게 낮으면, 형성되는 도전성 박막과 기재의 밀착성이 낮아지는 경향이 있다. 한편, 산가가 지나치게 높으면, 형성되는 도전성 박막의 흡수성이 높아지는 데다가, 카르복실기에 의한 촉매 작용에 의해 바인더 수지의 가수분해가 촉진될 가능성이 있어, 도전성 박막의 신뢰성의 저하로 이어지는 경향이 있다.Although the acid value of the binder resin (A) in the present invention is not particularly limited, the acid value of the binder resin (A) in a specific range may significantly improve the adhesion to the base material. In the case of laser etching of the conductive thin film, the temperature around the laser irradiation site rises and the adhesiveness between the conductive thin film and the substrate may be lowered. However, by using a binder resin having an acid value within a specific range as the binder resin (A) , Deterioration of the adhesion can be suppressed in some cases. The acid value of the binder resin (A) is preferably 50 to 350 eq / ton, more preferably 100 to 250 eq / ton. When the acid value is too low, the adhesion between the conductive thin film to be formed and the substrate tends to be lowered. On the other hand, if the acid value is too high, the conductivity of the formed conductive thin film becomes high, and the hydrolysis of the binder resin may be accelerated by the catalytic action of the carboxyl group, leading to a decrease in the reliability of the conductive thin film.

<금속 가루(B)> &Lt; Metal Powder (B) >

본 발명에 이용되는 금속 가루(B)로는, 은가루, 금가루, 백금 가루, 팔라듐 가루 등의 귀금속 가루, 구리 가루, 니켈 가루, 알루미늄 가루, 놋쇠 가루 등의 비(卑)금속 가루, 은 등의 귀금속으로 도금 또는 합금화한 비금속 가루 등을 들 수 있다. 이들 금속 가루는, 단독으로 이용해도 좋고, 또한 병용해도 좋다. 이들 중에서도 도전성, 안정성, 비용 등을 고려하면 은가루 단독 또는 은가루를 주체로 하는 것이 바람직하다.Examples of the metal powder (B) used in the present invention include noble metal powders such as silver powder, gold powder, platinum powder and palladium powder, noble metal powders such as copper powder, nickel powder, aluminum powder and brass powder, And non-metallic powders obtained by plating or alloying. These metal powders may be used alone or in combination. Among them, in consideration of conductivity, stability, cost, etc., it is preferable to mainly use silver powder or silver powder.

본 발명에 이용되는 금속 가루(B)의 형상은 특별히 한정되지 않는다. 종래부터 알려져 있는 금속 가루의 형상의 예로는, 플레이크형(인편형), 구형, 나뭇가지형(덴드라이트형), 일본 특허 공개 평9-306240호 공보에 기재되어 있는 구형의 1차 입자가 3차원형으로 응집한 형상(응집형) 등이 있고, 이들 중에서, 구형, 응집형 및 플레이크형의 금속 가루를 이용하는 것이 바람직하다.The shape of the metal powder (B) used in the present invention is not particularly limited. Examples of conventionally known shapes of the metal powder include flake-shaped (scaly), spherical, twig-shaped (dendrite-shaped), and spherical primary particles described in JP-A-9-306240 (Coagulation type), and the like. Of these, spherical, coagulated and flaky metal powders are preferably used.

본 발명에 이용되는 금속 가루(B)의 중심 직경(D50)은 4 ㎛ 이하인 것이 바람직하다. 중심 직경이 4 ㎛ 이하인 금속 가루(B)를 이용함으로써, 레이저 에칭 가공 부위의 세선 형상이 양호해지는 경향이 있다. 중심 직경이 4 ㎛보다 큰 금속 가루를 이용한 경우에는, 레이저 에칭 가공 후의 세선 형상이 나빠지고, 결과적으로 세선끼리가 접촉을 일으키고, 단락을 초래할 가능성이 있다. 게다가, 레이저 에칭 가공에서, 일단 박리·제거한 도전성 박막이 재차 가공 부위에 부착될 가능성이 있다. 금속 가루(B)의 중심 직경의 하한은 특별히 한정되지 않지만, 비용적 관점 및, 입경이 미세해지면 응집되기 쉽고, 결과적으로 분산이 곤란해지기 때문에 중심 직경은 80 nm 이상인 것이 바람직하다. 중심 직경이 80 nm보다 작아지면, 금속 가루의 응집력이 증가하고, 레이저 에칭 가공 적정이 악화되는 것 외에, 비용적 관점에서도 바람직하지 않다.The center diameter (D50) of the metal powder (B) used in the present invention is preferably 4 mu m or less. By using the metal powder (B) having a center diameter of 4 탆 or less, the fine line shape of the laser-etched portion tends to be good. In the case of using a metal powder having a center diameter larger than 4 탆, the fine line shape after the laser etching process is deteriorated, and as a result, fine lines may contact each other and short-circuit may occur. Further, in the laser etching process, there is a possibility that the conductive thin film, once peeled off and removed, is attached again to the processed portion. Although the lower limit of the central diameter of the metal powder (B) is not particularly limited, it is preferable that the central diameter is 80 nm or more because the metal powder (B) tends to aggregate when the particle diameter becomes finer and consequently becomes difficult to disperse. When the center diameter is smaller than 80 nm, the cohesive force of the metal powder is increased and the laser etching processing becomes worse, and it is not preferable from the viewpoint of cost.

또, 중심 직경(D50)이란, 어떠한 측정 방법에 의해 얻어진 누적 분포 곡선(체적)에 있어서, 그 누적치가 50%가 되는 입경(㎛)을 말한다. 본 발명에 있어서는, 누적 분포 곡선을 레이저 회절 산란식 입도 분포 측정 장치(니키소(주) 제조, MICROTRAC HRA)를 이용하여 전반사 모드로 측정하기로 한다.The center diameter (D50) is the particle diameter (mu m) at which the accumulated value becomes 50% in the cumulative distribution curve (volume) obtained by a certain measuring method. In the present invention, the cumulative distribution curve is measured in the total reflection mode using a laser diffraction scattering type particle size distribution measuring apparatus (MICROTRAC HRA, manufactured by Nikkiso Co., Ltd.).

금속 가루(B)의 함유량은, 형성된 도전성 박막의 도전성이 양호하다는 관점에서, 열가소성 수지(A) 100 질량부에 대하여, 400 질량부 이상이 바람직하고, 560 질량부 이상이 보다 바람직하다. 또한, (B) 성분의 함유량은, 기재와의 밀착성에 있어서 양호하다는 관점에서, 열가소성 수지(A) 100 질량부에 대하여, 1,900 질량부 이하가 바람직하고, 1,230 질량부 이하가 보다 바람직하다.The content of the metal powder (B) is preferably 400 parts by mass or more, and more preferably 560 parts by mass or more, per 100 parts by mass of the thermoplastic resin (A) from the viewpoint of good conductivity of the conductive thin film formed. The content of the component (B) is preferably 1,900 parts by mass or less, more preferably 1,230 parts by mass or less, based on 100 parts by mass of the thermoplastic resin (A) from the viewpoint of good adhesion with the substrate.

<유기 용제(C)> &Lt; Organic solvent (C) >

본 발명에 이용할 수 있는 유기 용제(C)는, 특별히 한정되지 않지만, 유기 용제의 휘발 속도를 적절한 범위로 유지하는 관점에서, 비점이 100℃ 이상, 300℃ 미만인 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 비점이 150℃ 이상, 280℃ 미만이다. 본 발명의 도전성 페이스트는, 전형적으로는 열가소성 수지(A), 금속 가루(B), 유기 용제(C) 및 필요에 따라 그 밖의 성분을 3본 롤밀 등으로 분산시켜 제작하는데, 그 때에 유기 용제의 비점이 지나치게 낮으면, 분산중에 용제가 휘발하여, 도전성 페이스트를 구성하는 성분비가 변화될 우려가 있다. 한편, 유기 용제의 비점이 지나치게 높으면, 건조 조건에 따라서는 용제가 도포막 중에 다량으로 잔존할 가능성이 있어, 도포막의 신뢰성 저하를 야기할 우려가 있다.The organic solvent (C) usable in the present invention is not particularly limited, but from the viewpoint of keeping the volatilization rate of the organic solvent within an appropriate range, the organic solvent preferably has a boiling point of 100 占 폚 or more and less than 300 占 폚, Is higher than 150 deg. C and lower than 280 deg. The conductive paste of the present invention is typically produced by dispersing a thermoplastic resin (A), a metal powder (B), an organic solvent (C), and other components as necessary with a three roll mill or the like. If the boiling point is too low, the solvent may volatilize during dispersion and the composition ratio of the conductive paste may change. On the other hand, if the boiling point of the organic solvent is too high, a large amount of the solvent may remain in the coating film depending on the drying conditions, which may cause the reliability of the coating film to deteriorate.

또한, 본 발명에 이용할 수 있는 유기 용제(C)로는, 열가소성 수지(A)가 가용이며, 또한, 금속 가루(B)를 양호하게 분산시킬 수 있는 것이 바람직하다. 구체예로는, 에틸디글리콜아세테이트(EDGAC), 부틸글리콜아세테이트(BMGAC), 부틸디글리콜아세테이트(BDGAC), 시클로헥사논, 톨루엔, 이소포론, γ-부티로락톤, 벤질알콜, 엑손 화학 제조의 솔벳소 100, 150, 200, 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트, 아디프산, 호박산 및 글루타르산의 디메틸에스테르의 혼합물(예컨대, 듀퐁(주)사 제조의 DBE), 타피오넬 등을 들 수 있지만, 이들 중에서, 열가소성 수지(A)의 배합 성분의 용해성이 우수하고, 연속 인쇄시의 용제 휘발성이 적당하여 스크린 인쇄법 등에 의한 인쇄에 대한 적성이 양호하다는 관점에서, EDGAC, BMGAC, BDGAC 및 이들의 혼합 용제가 바람직하다.In addition, as the organic solvent (C) usable in the present invention, it is preferable that the thermoplastic resin (A) is soluble and the metal powder (B) can be well dispersed. Specific examples include ethyleneglycol acetate (EDGAC), butylglycol acetate (BMGAC), butyldiglycol acetate (BDGAC), cyclohexanone, toluene, isophorone,? -Butyrolactone, benzyl alcohol, (E.g. DBE manufactured by DuPont), tapiron, and the like can be given as a mixture of propylene glycol monomethyl ether acetate, Solvesso 100, 150, 200, a mixture of dimethyl esters of adipic acid, succinic acid and glutaric acid, Of these, EDGAC, BMGAC, BDGAC, and mixtures thereof are preferable from the viewpoints of excellent solubility of the blending components of the thermoplastic resin (A), solvent volatility at the time of continuous printing, and good suitability for printing by a screen printing method or the like. Solvents are preferred.

유기 용제(C)의 함유량으로는, 페이스트 전중량 100 중량부에 대하여 5 중량부 이상, 40 중량부 이하인 것이 바람직하고, 10 중량부 이상, 35 중량부 이하인 것이 더욱 바람직하다. 유기 용제(C)의 함유량이 지나치게 높으면 페이스트 점도가 지나치게 낮아져, 세선 인쇄시에 늘어짐을 발생시키기 쉬워지는 경향이 있다. 한편으로 유기 용제(C)의 함유량이 지나치게 낮으면, 페이스트로서의 점도가 매우 높아져, 도전성 박막을 형성시킬 때의 예컨대 스크린 인쇄성이 현저히 저하되는 것 외에, 형성된 도전성 박막의 막두께가 두꺼워지고, 레이저 에칭 가공성이 저하되는 경우가 있다.The content of the organic solvent (C) is preferably 5 parts by weight or more and 40 parts by weight or less, more preferably 10 parts by weight or more and 35 parts by weight or less, based on 100 parts by weight of the paste. If the content of the organic solvent (C) is too high, the viscosity of the paste becomes too low and it tends to cause sagging during thin line printing. On the other hand, if the content of the organic solvent (C) is too low, the viscosity as a paste becomes extremely high, so that, for example, the screen printing property at the time of forming the conductive thin film is remarkably lowered, The etching processability may be lowered.

<레이저광 흡수제(D)> &Lt; Laser light absorbing agent (D) >

본 발명의 도전 페이스트에는, 레이저광 흡수제(D)를 배합해도 좋다. 여기서 레이저광 흡수제(D)란, 레이저광의 파장에 강한 흡수를 갖는 첨가제를 말하며, 레이저광 흡수제(D) 자신은 도전성이어도 좋고 비도전성이어도 좋다. 예컨대, 기본파의 파장이 1064 nm인 YAG 레이저를 광원으로서 이용하는 경우에는, 파장 1064 nm에 강한 흡수를 갖는 염료 및/또는 안료를, 레이저광 흡수제(D)로서 이용할 수 있다. 레이저광 흡수제(D)를 배합함으로써, 본 발명의 도전성 박막은 레이저광을 고효율로 흡수하여, 발열에 의한 바인더 수지(A)의 휘산이나 열분해가 촉진되고, 그 결과 레이저 에칭 가공 적성이 향상된다.The conductive paste of the present invention may be blended with the laser ray absorbent (D). Here, the laser light absorber (D) refers to an additive having strong absorption at the wavelength of the laser light, and the laser light absorber (D) itself may be electrically conductive or nonconductive. For example, when a YAG laser having a fundamental wave wavelength of 1064 nm is used as a light source, a dye and / or pigment having strong absorption at a wavelength of 1064 nm can be used as the laser light absorbent (D). By blending the laser ray absorbent (D), the conductive thin film of the present invention absorbs the laser light with high efficiency, thereby facilitating the volatilization and thermal decomposition of the binder resin (A) due to heat generation, and as a result, the suitability for laser etching is improved.

본 발명에 이용할 수 있는 레이저광 흡수제(D) 중, 도전성을 갖는 것의 예로는, 카본 블랙, 그래파이트 가루 등의 탄소계의 필러를 들 수 있다. 탄소계의 필러의 배합은, 본 발명의 도전성 박막의 도전성을 높이는 효과도 있지만, 예컨대 카본 블랙은 1060 nm 근방에 흡수 파장을 갖고 있기 때문에, YAG 레이저, 파이버 레이저 등의 1064 nm의 파장의 레이저광을 조사하면 도전성 박막이 레이저광을 고효율로 흡수하기 때문에 레이저광 조사에 대한 감도가 높아져, 레이저 조사의 주사 속도를 높인 경우 및/또는 레이저 광원이 저출력인 경우에 있어서도 양호한 레이저 에칭 가공 적성이 얻어진다는 효과를 기대할 수 있다. 상기 탄소계 필러의 함유량으로는 금속 가루(B) 100 중량부에 대하여, 0.1∼5 중량부인 것이 바람직하고, 0.3∼2 중량부인 것이 보다 바람직하다. 탄소계 필러의 배합 비율이 지나치게 낮은 경우에는, 도전성을 높이는 효과 및 레이저광 조사에 대한 감도를 높이는 효과가 작다. 한편으로 탄소계 필러의 배합 비율이 지나치게 높은 경우에는, 도전성 박막의 도전성이 저하되는 경향이 있고, 또한, 카본의 공극 부위에 수지가 흡착되고, 기재와의 밀착성이 저하된다는 문제점이 생기는 경우도 있다.Among the laser ray absorbent (D) usable in the present invention, carbon-based fillers such as carbon black and graphite powder are examples of those having conductivity. The carbon-based filler has an effect of enhancing the conductivity of the conductive thin film of the present invention. For example, carbon black has an absorption wavelength in the vicinity of 1060 nm. Therefore, a laser beam having a wavelength of 1064 nm such as a YAG laser or a fiber laser The sensitivity of the laser light irradiation is increased because the conductive thin film absorbs the laser light with high efficiency. Thus, good laser etching processing suitability is obtained even when the scanning speed of laser irradiation is increased and / or when the laser light source is low output power Effect can be expected. The content of the carbon-based filler is preferably 0.1 to 5 parts by weight, more preferably 0.3 to 2 parts by weight, based on 100 parts by weight of the metal powder (B). When the compounding ratio of the carbon-based filler is too low, the effect of increasing the conductivity and the effect of raising the sensitivity to laser light irradiation are small. On the other hand, when the compounding ratio of the carbon-based filler is too high, the conductivity of the conductive thin film tends to deteriorate, and the resin may be adsorbed to the void portion of the carbon and the adhesion with the substrate may be deteriorated .

본 발명에 이용할 수 있는 레이저광 흡수제(D) 중, 비도전성인 것의 예로는, 종래 공지된 염료, 안료 및 적외선 흡수제를 들 수 있다. 보다 구체적으로는, 아조 염료, 금속 착염 아조 염료, 피라졸론 아조 염료, 나프토퀴논 염료, 안트라퀴논 염료, 프탈로시아닌 염료, 카르보늄 염료, 퀴논이민 염료, 메틴 염료, 시아닌 염료, 스쿠아릴륨 색소, 피릴륨염, 금속 티오레이트 착체 등의 염료, 안료로는, 흑색 안료, 황색 안료, 오렌지색 안료, 갈색 안료, 적색 안료, 보라색 안료, 청색 안료, 녹색 안료, 형광 안료, 금속 가루 안료, 기타, 폴리머 결합 색소를 들 수 있다. 구체적으로는, 불용성 아조 안료, 아조 레이크 안료, 축합 아조 안료, 킬레이트 아조안료, 프탈로시아닌계 안료, 안트라퀴논계 안료, 페릴렌 및 페리논계 안료, 티오인디고계 안료, 퀴나크리돈계 안료, 디옥사진계 안료, 이소인돌리논계 안료, 퀴노프탈론계 안료, 염색 레이크 안료, 아진 안료, 니트로소 안료, 니트로 안료, 천연 안료, 형광 안료, 무기 안료를 사용할 수 있다. 적외선 흡수제의 예로는 디이모늄염 타입의 적외선 흡수제인 NIR-IM1, 아미늄염 타입의 NIR-AM1(모두 나가세 켐텍스사 제조)을 들 수 있다. 이들 비도전성의 레이저광 흡수제(D)는 0.01∼5 중량부, 바람직하게는 0.1∼2 중량부 포함하는 것이 바람직하다. 비도전성의 레이저광 흡수제(D)의 배합 비율이 지나치게 낮은 경우에는, 레이저광 조사에 대한 감도를 높이는 효과가 작다. 비도전성의 레이저광 흡수제(D)의 배합 비율이 지나치게 높은 경우에는, 도전성 박막의 도전성이 저하될 우려가 있고, 또한 레이저광 흡수제의 색조가 현저해져, 용도에 따라서는 바람직하지 않은 경우가 있다.Among the laser ray absorbent (D) usable in the present invention, examples that are nonconductive include conventionally known dyes, pigments and infrared absorbents. More specifically, examples of the azo dye include azo dyes, metal complex azo dyes, pyrazolone azo dyes, naphthoquinone dyes, anthraquinone dyes, phthalocyanine dyes, carbonium dyes, quinoneimine dyes, methine dyes, cyanine dyes, squarylium dyes, Pigments such as a black pigment, a yellow pigment, an orange pigment, a brown pigment, a red pigment, a purple pigment, a blue pigment, a green pigment, a fluorescent pigment, a metal powder pigment, etc., . Specific examples of the pigments include azo pigments, azo lake pigments, condensed azo pigments, chelate azo pigments, phthalocyanine pigments, anthraquinone pigments, perylene and perinone pigments, thioindigo pigments, quinacridone pigments, Quinophthalone pigments, dye lake pigments, azine pigments, nitroso pigments, nitro pigments, natural pigments, fluorescent pigments and inorganic pigments can be used. Examples of the infrared absorber include NIR-IM1, an infrared absorber of the diimonium salt type, and NIR-AM1 (all available from Nagase Chemtech), of the aminium salt type. The non-conductive laser ray absorbent (D) is preferably contained in an amount of 0.01 to 5 parts by weight, preferably 0.1 to 2 parts by weight. When the blending ratio of the non-conductive laser-absorbent (D) is too low, the effect of increasing the sensitivity to laser light irradiation is small. When the blending ratio of the nonconductive laser ray absorbent (D) is too high, the conductivity of the conductive thin film may be lowered, and the color tone of the laser ray absorbent becomes remarkable, which is not preferable depending on the use.

본 발명의 도전성 페이스트에는, 하기의 무기물을 첨가할 수 있다. 무기물로는, 탄화규소, 탄화붕소, 탄화티탄, 탄화지르코늄, 탄화하프늄, 탄화바나듐, 탄화탄탈, 탄화니오븀, 탄화텅스텐, 탄화크롬, 탄화몰리부덴, 탄화칼슘, 다이아몬드 카본 락탐 등의 각종 탄화물 ; 질화붕소, 질화티탄, 질화지르코늄 등의 각종 질화물, 붕화지르코늄 등의 각종 붕화물 ; 산화티탄(티타니아), 산화칼슘, 산화마그네슘, 산화아연, 산화구리, 산화알루미늄, 실리카, 콜로이달 실리카 등의 각종 산화물 ; 티탄산칼슘, 티탄산마그네슘, 티탄산스트론튬 등의 각종 티탄산 화합물 ; 이황화몰리브덴 등의 황화물 ; 불화마그네슘, 불화탄소 등의 각종 불화물 ; 스테아르산알루미늄, 스테아르산칼슘, 스테아르산아연, 스테아르산마그네슘 등의 각종 금속 비누 ; 기타, 활석, 벤토나이트, 탈크, 탄산칼슘, 카올린, 유리 섬유, 운모 등을 이용할 수 있다. 이들 무기물을 첨가함으로써, 인쇄성이나 내열성, 나아가 기계적 특성이나 장기 내구성을 향상시키는 것이 가능해지는 경우가 있다. 그 중에서도, 본 발명의 도전성 페이스트에 있어서는, 내구성, 인쇄 적성, 특히 스크린 인쇄 적성을 부여한다는 관점에서 실리카가 바람직하다.To the conductive paste of the present invention, the following inorganic materials may be added. Examples of the inorganic substance include various carbides such as silicon carbide, boron carbide, titanium carbide, zirconium carbide, hafnium carbide, vanadium carbide, tantalum carbide, niobium carbide, tungsten carbide, chromium carbide, molybdenum carbide, calcium carbide and diamond carbon lactam; Various nitrides such as boron nitride, titanium nitride, and zirconium nitride, and various borides such as zirconium boride; Various oxides such as titanium oxide (titania), calcium oxide, magnesium oxide, zinc oxide, copper oxide, aluminum oxide, silica, and colloidal silica; Various titanic acid compounds such as calcium titanate, magnesium titanate, and strontium titanate; Sulfides such as molybdenum disulfide; Various fluorides such as magnesium fluoride and carbon fluoride; Various metal soaps such as aluminum stearate, calcium stearate, zinc stearate, and magnesium stearate; Other, talc, bentonite, talc, calcium carbonate, kaolin, glass fiber, mica and the like can be used. By adding these inorganic materials, it may be possible to improve the printability, heat resistance, mechanical properties and long-term durability. Among them, in the conductive paste of the present invention, silica is preferable from the viewpoint of imparting durability and printability, particularly screen printing suitability.

또한, 본 발명의 도전성 페이스트에는, 틱소성 부여제, 소포제, 난연제, 점착 부여제, 가수분해 방지제, 레벨링제, 가소제, 산화 방지제, 자외선 흡수제, 난연제, 안료, 염료를 배합할 수 있다. 또한 수지 분해 억제제로서 카르보디이미드, 에폭시 등을 적절히 배합할 수도 있다. 이들은 단독으로 혹은 병용하여 이용할 수 있다.The conductive paste of the present invention may further contain a tack plasticizer, a defoaming agent, a flame retardant, a tackifier, a hydrolysis inhibitor, a leveling agent, a plasticizer, an antioxidant, an ultraviolet absorber, a flame retardant, a pigment and a dye. As the resin decomposition inhibitor, carbodiimide, epoxy and the like may be appropriately added. These can be used alone or in combination.

<경화제(E)> &Lt; Curing agent (E) >

본 발명의 도전성 페이스트에는, 바인더 수지(A)와 반응할 수 있는 경화제를, 본 발명의 효과를 저해하지 않는 정도로 배합해도 좋다. 경화제를 배합함으로써, 경화 온도가 높아지고, 생산 공정의 부하가 증가할 가능성은 있지만, 도포막 건조시 혹은 레이저 에칭시에 발생하는 열에 의한 가교로 도포막의 내습열성의 향상을 기대할 수 있다.In the conductive paste of the present invention, a curing agent capable of reacting with the binder resin (A) may be compounded to such an extent that the effect of the present invention is not impaired. By blending a curing agent, there is a possibility that the curing temperature is high and the load of the production process is increased. However, it is expected that the heat and humidity resistance of the coating film can be improved by the cross-linking caused by heat generated at the time of drying the coating film or during laser etching.

본 발명의 바인더 수지(A)에 반응할 수 있는 경화제는, 종류는 한정되지 않지만, 밀착성, 내굴곡성, 경화성 등으로부터 이소시아네이트 화합물이 특히 바람직하다. 또한, 이들 이소시아네이트 화합물로서, 이소시아네이트기를 블록화한 것을 사용하면, 저장 안정성이 향상되어 바람직하다. 이소시아네이트 화합물 이외의 경화제로는, 메틸화멜라민, 부틸화멜라민, 벤조구아나민, 요소 수지 등의 아미노 수지, 산무수물, 이미다졸류, 에폭시 수지, 페놀 수지 등의 공지된 화합물을 들 수 있다. 이들 경화제에는, 그 종류에 따라 선택된 공지된 촉매 혹은 촉진제를 병용할 수도 있다. 경화제의 배합량으로는, 본 발명의 효과를 저해하지 않는 정도로 배합되는 것으로, 특별히 제한되는 것은 아니지만, 바인더 수지(A) 100 질량부에 대하여, 0.5∼50 질량부가 바람직하고, 1∼30 질량부가 보다 바람직하고, 2∼20 질량부가 더욱 바람직하다.The type of curing agent capable of reacting with the binder resin (A) of the present invention is not particularly limited, but an isocyanate compound is particularly preferable from the viewpoint of adhesion, flex resistance, curability and the like. As the isocyanate compound, it is preferable to use an isocyanate group-blocked isocyanate compound because the storage stability is improved. Examples of the curing agent other than the isocyanate compound include known compounds such as amino resins such as methylated melamine, butylated melamine, benzoguanamine and urea resin, acid anhydrides, imidazoles, epoxy resins and phenol resins. These curing agents may be used in combination with known catalysts or accelerators selected depending on the kind thereof. The blending amount of the curing agent is not particularly limited, but is preferably 0.5 to 50 parts by mass, more preferably 1 to 30 parts by mass relative to 100 parts by mass of the binder resin (A) More preferably 2 to 20 parts by mass.

본 발명의 도전성 페이스트에 배합할 수 있는 이소시아네이트 화합물의 예로는, 방향족 또는 지방족의 디이소시아네이트, 3가 이상의 폴리이소시아네이트 등이 있고, 저분자 화합물, 고분자 화합물의 어느 것이어도 좋다. 예컨대, 테트라메틸렌디이소시아네이트, 헥사메틸렌디이소시아네이트 등의 지방족 디이소시아네이트, 톨루엔디이소시아네이트, 디페닐메탄디이소시아네이트, 크실릴렌디이소시아네이트 등의 방향족 디이소시아네이트, 수소화디페닐메탄디이소시아네이트, 수소화크실릴렌디이소시아네이트, 다이머산디이소시아네이트, 이소포론디이소시아네이트 등의 지환족 디이소시아네이트, 혹은 이들 이소시아네이트 화합물의 3량체, 및 이들 이소시아네이트 화합물의 과잉량과 예컨대 에틸렌글리콜, 프로필렌글리콜, 트리메틸올프로판, 글리세린, 소르비톨, 에틸렌디아민, 모노에탄올아민, 디에탄올아민, 트리에탄올아민 등의 저분자 활성수소 화합물 또는 각종 폴리에스테르폴리올류, 폴리에테르폴리올류, 폴리아미드류의 고분자 활성수소 화합물 등과 반응시켜 얻어지는 말단 이소시아네이트기 함유 화합물을 들 수 있다. 또한, 이소시아네이트기의 블록화제로는, 예컨대 페놀, 티오페놀, 메틸티오페놀, 에틸티오페놀, 크레졸, 크실레놀, 레조르시놀, 니트로페놀, 클로로페놀 등의 페놀류 ; 아세톡심, 메틸에틸케토옥심, 시클로헥사논옥심 등의 옥심류 ; 메탄올, 에탄올, 프로판올, 부탄올 등의 알콜류 ; 에틸렌클로르히드린, 1,3-디클로로-2-프로판올 등의 할로겐 치환 알콜류 ; t-부탄올, t-펜탄올 등의 제3급 알콜류 ; ε-카프로락탐, δ-발레로락탐, γ-부티로락탐, β-프로피오락탐 등의 락탐류를 들 수 있고, 그 외에도 방향족 아민류, 이미드류, 아세틸아세톤, 아세트초산에스테르, 말론산에틸에스테르 등의 활성 메틸렌 화합물, 메르캅탄류, 이민류, 이미다졸류, 요소류, 디아릴 화합물류, 중아황산소다 등도 들 수 있다. 이 중, 경화성 면에서 옥심류, 이미다졸류, 아민류가 특히 바람직하다.Examples of the isocyanate compound that can be compounded in the conductive paste of the present invention include aromatic or aliphatic diisocyanates, trivalent or higher polyisocyanates, and the like, and may be any of a low-molecular compound and a high-molecular compound. Examples thereof include aliphatic diisocyanates such as tetramethylene diisocyanate and hexamethylene diisocyanate, aromatic diisocyanates such as toluene diisocyanate, diphenylmethane diisocyanate and xylylene diisocyanate, hydrogenated diphenylmethane diisocyanate, hydrogenated xylylene diisocyanate, Alicyclic diisocyanates such as dimer acid diisocyanate and isophorone diisocyanate, or trimers of these isocyanate compounds, and an excess amount of these isocyanate compounds, such as ethylene glycol, propylene glycol, trimethylol propane, glycerin, sorbitol, ethylenediamine, mono Low molecular active hydrogen compounds such as ethanolamine, diethanolamine and triethanolamine, or various polyester polyols, polyether polyols, polymeric active hydrogen compounds of polyamides, It can be obtained by a terminal isocyanate group-containing compound. Examples of the blocking agent for the isocyanate group include phenols such as phenol, thiophenol, methylthiophenol, ethylthiophenol, cresol, xylenol, resorcinol, nitrophenol and chlorophenol; Oximes such as acetoxime, methyl ethyl ketoxime, and cyclohexanone oxime; Alcohols such as methanol, ethanol, propanol and butanol; Halogen-substituted alcohols such as ethylene chlorohydrin and 1,3-dichloro-2-propanol; tertiary alcohols such as t-butanol and t-pentanol; and lactames such as? -caprolactam,? -valerolactam,? -butyrolactam and? -propiolactam, and aromatic amines, imides, acetylacetone, acetic acid esters, malonic acid ethyl esters , Mercaptans, imines, imidazoles, ureas, diaryl compounds, sodium bisulfite, and the like. Among them, oxides, imidazoles and amines are particularly preferable from the viewpoint of curability.

<<본 발명의 도전성 페이스트에 요구되는 물성>><< Physical properties required for the conductive paste of the present invention >>

본 발명의 도전성 페이스트는, F치가 60∼95%인 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 75∼95%이다. F치란 페이스트 중에 포함되는 전고형분 100 질량부에 대한 필러 질량부를 나타내는 수치로, F치=(필러 질량부/고형분 질량부)×100으로 표시된다. 여기서 말하는 필러 질량부란 도전성 분말의 질량부, 고형분 질량부란 용제 이외의 성분의 질량부로, 도전성 분말, 바인더 수지, 그 밖의 경화제나 첨가제를 전부 포함한다. F치가 지나치게 낮으면 양호한 도전성을 나타내는 도전성 박막이 얻어지지 않고, F치가 지나치게 높으면 도전성 박막과 기재의 밀착성 및/또는 도전성 박막의 표면 경도가 저하되는 경향이 있고, 인쇄성의 저하도 피할 수 없다. 또한, 여기서 도전성 분말이란, 금속 가루(B) 및 비(非)금속을 포함하는 도전성 분말의 양쪽을 가리킨다.The conductive paste of the present invention preferably has an F value of 60 to 95%, more preferably 75 to 95%. F value is a numerical value showing the filler mass portion with respect to 100 parts by mass of the total solid content contained in the paste, and is represented by F value = (pillar mass portion / solid portion mass portion) x 100. The term "filler mass" as used herein includes the conductive powder, the binder resin, other curing agents, and additives in a mass part of the conductive powder and a mass of the solid component in the mass parts of the components other than the solvent. If the F value is too low, a conductive thin film exhibiting good conductivity can not be obtained. If the F value is too high, the adhesion between the conductive thin film and the substrate and / or the surface hardness of the conductive thin film tend to be lowered. Here, the conductive powder refers to both of the metal powder (B) and the conductive powder containing a non-metal.

<<본 발명의 도전성 페이스트의 제조방법>> << Manufacturing Method of Conductive Paste of the Present Invention >>

본 발명의 도전성 페이스트는 상술한 바와 같이 열가소성 수지(A), 금속 가루(B), 유기 용제(C) 및 필요에 따라 그 밖의 성분을 3본 롤 등으로 분산시켜 제작할 수 있다. 여기서, 보다 구체적인 제작 순서의 예를 나타낸다. 열가소성 수지(A)를 우선은 유기 용제(C)에 용해시킨다. 그 후, 금속 가루(B) 및, 필요에 따라 첨가제를 첨가하고, 더블 플래니터리나 디졸버, 유성식의 교반기 등으로 예비 분산을 실시한다. 그 후, 3본 롤밀로 분산시켜, 도전성 페이스트를 얻는다. 이와 같이 하여 얻어진 도전성 페이스트는 필요에 따라 여과할 수 있다. 그 밖의 분산기, 예컨대 비드 밀, 니더, 익스트루더 등을 이용하여 분산시켜도 전혀 문제는 없다.The conductive paste of the present invention can be produced by dispersing the thermoplastic resin (A), the metal powder (B), the organic solvent (C), and other components as required, in three rolls or the like as described above. Here, an example of a more detailed production procedure is shown. The thermoplastic resin (A) is first dissolved in the organic solvent (C). Thereafter, the metal powder (B) and, if necessary, an additive are added, and preliminary dispersion is carried out by using a double planarizer, a dissolver or a planetary mixer. Thereafter, the mixture is dispersed with a three-roll mill to obtain a conductive paste. The conductive paste thus obtained can be filtered if necessary. It may be dispersed by using other dispersing apparatuses such as a bead mill, a kneader and an extruder.

<<본 발명의 도전성 박막, 도전성 적층체 및 이들의 제조방법>> << Conductive Thin Film of the Present Invention, Conductive Laminate and Method for Producing the Same >>

본 발명의 도전성 페이스트를 기재 상에 도포 또는 인쇄하여 도포막을 형성하고, 계속해서 도포막에 포함되는 유기 용제(C)를 휘산시키고 도포막을 건조시킴으로써, 본 발명의 도전성 박막을 형성할 수 있다. 도전성 페이스트를 기재 상에 도포 또는 인쇄하는 방법은 특별히 한정되지 않지만, 스크린 인쇄법에 의해 인쇄하는 것이 공정의 간편함 및 도전성 페이스트를 이용하여 전기 회로를 형성하는 업계에서 보급하고 있는 기술인 점에서 바람직하다. 또한, 도전성 페이스트는, 최종적으로 전기 회로로서 필요한 도전성 박막 부위보다 얼마쯤 넓은 부위에 도포 또는 인쇄하는 것이, 레이저 에칭 공정의 부하를 낮추고 효율적으로 본 발명의 전기 회로를 형성한다는 관점에서 바람직하다.The conductive thin film of the present invention can be formed by coating or printing a conductive paste of the present invention on a substrate to form a coating film, subsequently volatilizing the organic solvent (C) contained in the coating film, and drying the coating film. The method of applying or printing the conductive paste onto the substrate is not particularly limited, but printing by the screen printing method is preferable in view of the process being simple and the technique spreading in the industry for forming the electric circuit by using the conductive paste. It is preferable that the conductive paste is applied or printed at a position somewhat larger than the area of the conductive thin film finally required as the electric circuit from the viewpoint of reducing the load of the laser etching process and efficiently forming the electric circuit of the present invention.

본 발명의 도전성 페이스트를 도포하는 기재로는, 치수 안정성이 우수한 재료가 바람직하게 이용된다. 예컨대 폴리에틸렌테레프탈레이트, 폴리에틸렌나프탈레이트, 폴리부틸렌테레프탈레이트 혹은 폴리카보네이트 등의 가요성이 우수한 재료를 포함하는 필름을 들 수 있다. 또한, 유리 등의 무기 재료도 기재로서 사용할 수 있다. 기재의 두께는 특별히 한정되지 않지만, 50∼350 ㎛인 것이 바람직하고, 100∼250 ㎛가 패턴 형성 재료의 기계적 특성, 형상 안정성 혹은 취급성 등으로부터 더욱 바람직하다.As the substrate to which the conductive paste of the present invention is applied, a material having excellent dimensional stability is preferably used. For example, a film containing a material having excellent flexibility such as polyethylene terephthalate, polyethylene naphthalate, polybutylene terephthalate or polycarbonate. Inorganic materials such as glass can also be used as a substrate. Thickness of the base material is not particularly limited, but is preferably 50 to 350 占 퐉, and 100 to 250 占 퐉 is more preferable from the viewpoints of mechanical properties, shape stability, and handleability of the pattern forming material.

또한, 본 발명의 도전성 페이스트를 도포하는 기재의 표면에 물리적 처리 및/또는 화학적 처리를 행함으로써, 도전성 박막과 기재의 밀착성을 향상시킬 수 있다. 물리적 처리 방법의 예로는, 샌드 블라스트법, 미립자를 함유한 액체를 분사하는 웨트 블라스트법, 코로나 방전 처리법, 플라즈마 처리법, 자외선 혹은 진공 자외선 조사 처리법 등을 들 수 있다. 또한, 화학적 처리 방법의 예로는, 강산 처리법, 강알칼리 처리법, 산화제 처리법, 커플링제 처리법 등을 들 수 있다.Further, by performing physical treatment and / or chemical treatment on the surface of the base material to which the conductive paste of the present invention is applied, the adhesion between the conductive thin film and the base material can be improved. Examples of the physical treatment method include a sand blast method, a wet blast method of spraying a liquid containing fine particles, a corona discharge treatment method, a plasma treatment method, and an ultraviolet ray or vacuum ultraviolet ray irradiation treatment method. Examples of the chemical treatment method include a strong acid treatment method, a strong alkali treatment method, an oxidant treatment method, and a coupling agent treatment method.

또한, 상기 기재는 투명 도전성층을 갖는 것이어도 좋다. 본 발명의 도전성 박막을 투명 도전성층 상에 적층할 수 있다. 상기 투명 도전성층의 소재는 특별히 한정되지 않고, 예컨대, 산화인듐·주석을 주성분으로 하여 이루어지는 ITO 막을 들 수 있다. 또한, 투명 도전성층은 기재 전면에 형성된 것뿐만 아니라, 에칭 등에 의해 투명 도전성층의 일부가 제거된 것을 사용할 수도 있다.The substrate may have a transparent conductive layer. The conductive thin film of the present invention can be laminated on the transparent conductive layer. The material of the transparent conductive layer is not particularly limited, and for example, an ITO film composed mainly of indium oxide and tin may be used. The transparent conductive layer may be formed not only on the entire surface of the substrate but also partially removed by etching or the like.

유기 용제(C)를 휘산시키는 공정은, 상온하 및/또는 가열하에서 행하는 것이 바람직하다. 가열하는 경우, 건조 후의 도전성 박막의 도전성이나 밀착성, 표면 경도가 양호해지는 점에서, 가열 온도는 80℃ 이상이 바람직하고, 100℃ 이상이 보다 바람직하고, 110℃ 이상이 더욱 바람직하다. 또한, 기초인 투명 도전성층의 내열성, 및 생산 공정에서의 에너지 절약의 관점에서, 가열 온도는 150℃ 이하가 바람직하고, 135℃ 이하가 보다 바람직하고, 130℃ 이하가 더욱 바람직하다. 본 발명의 도전성 페이스트에 경화제가 배합되어 있는 경우에는, 유기 용제(C)를 휘산시키는 공정을 가열하에서 행하면, 경화 반응이 진행된다.The step of volatilizing the organic solvent (C) is preferably carried out at normal temperature and / or under heating. In the case of heating, the heating temperature is preferably 80 占 폚 or higher, more preferably 100 占 폚 or higher, and even more preferably 110 占 폚 or higher, since conductivity, adhesion, and surface hardness of the conductive thin film after drying become satisfactory. The heating temperature is preferably 150 占 폚 or lower, more preferably 135 占 폚 or lower, and even more preferably 130 占 폚 or lower, from the viewpoints of heat resistance of the transparent conductive layer as a base and energy saving in the production process. When the conductive paste of the present invention contains the curing agent, the curing reaction proceeds when the step of volatilizing the organic solvent (C) is carried out under heating.

본 발명의 도전성 박막의 두께는, 이용되는 용도에 따라 적절한 두께로 설정하면 된다. 다만, 건조 후의 도전성 박막의 도전성이 양호하다는 관점과, 레이저 에칭 가공 적성이 양호하다는 관점에서, 도전성 박막의 막두께는 3 ㎛ 이상, 30 ㎛ 이하가 바람직하고, 보다 바람직하게는 5 ㎛ 이상, 20 ㎛ 이하이다. 도전성 박막의 막두께가 지나치게 얇으면, 회로로서의 원하는 도전성이 얻어지지 않을 가능성이 있다. 막두께가 지나치게 두꺼우면, 레이저 에칭 가공에 요하는 조사량이 과대하게 필요해져, 기재에 손상을 주는 경우가 있다. 또한, 막두께의 변동이 크면, 도전성 박막의 에칭 용이성에 변동이 생겨, 에칭 부족에 의한 선 사이의 단락이나 에칭 과잉에 의한 단선이 생기기 쉬워지는 경향이 있다. 이 때문에, 막두께의 변동은 작은 것이 좋다.The thickness of the conductive thin film of the present invention may be set to an appropriate thickness depending on the intended use. The thickness of the conductive thin film is preferably 3 占 퐉 or more and 30 占 퐉 or less, more preferably 5 占 퐉 or more and 20 占 퐉 or less, more preferably 5 占 퐉 or more and 20 占 퐉 or less, Mu m or less. If the thickness of the conductive thin film is too thin, there is a possibility that desired conductivity as a circuit may not be obtained. If the film thickness is excessively large, the irradiation amount required for laser etching processing is excessively required, and the substrate may be damaged. In addition, if the variation of the film thickness is large, the easiness of etching of the conductive thin film is changed, and there is a tendency that a short between the lines due to insufficient etching or a disconnection due to excessive etching tends to occur. Therefore, the fluctuation of the film thickness is preferably small.

<<본 발명의 전기 회로 및 그 제조방법>><< Electric Circuit of the Present Invention and Method of Manufacturing the Same >>

레이저광이 조사되어 흡수된 부위에 있어서는, 레이저광의 에너지가 열로 변환되고, 온도 상승에 의해 열분해 및/또는 휘산이 생겨, 조사 부위가 박리·제거된다. 본 발명의 도전성 박막의 레이저광이 조사된 부위가 효율적으로 기재로부터 제거되기 위해서는, 본 발명의 도전성 박막이 조사 레이저광의 파장에 강한 흡수를 갖는 것이 바람직하다. 따라서, 레이저종으로는, 본 발명의 도전성 박막을 구성하는 어느 성분이 강한 흡수를 갖는 파장 영역에 에너지를 갖는 레이저종을 선택하는 것이 바람직하다.At the site where the laser beam is irradiated and absorbed, the energy of the laser beam is converted into heat, and thermal decomposition and / or volatilization occurs due to the temperature rise, and the irradiated portion is peeled and removed. In order for the portion of the conductive thin film of the present invention irradiated with laser light to be efficiently removed from the substrate, it is preferable that the conductive thin film of the present invention has strong absorption at the wavelength of the irradiated laser light. Therefore, as the laser species, it is preferable to select a laser species having energy in a wavelength region in which certain components constituting the conductive thin film of the present invention have strong absorption.

일반적인 레이저종으로는, 엑시머 레이저(기본파의 파장이 193∼308 nm), YAG 레이저(기본파의 파장이 1064 nm), 파이버 레이저(기본파의 파장이 1060 nm), CO2 레이저(기본파의 파장이 10600 nm), 반도체 레이저 등을 들 수 있고, 기본적으로는 어떠한 방식, 어떠한 파장의 레이저종을 이용해도 전혀 문제는 없다. 도전성 박막 중 어느 구성 성분의 흡수 파장 영역과 일치하며, 또한 기재가 강한 흡수를 갖지 않는 파장을 조사할 수 있는 레이저종을 선택함으로써, 레이저광 조사 부위의 도전성 박막의 제거를 효율적으로 행하며, 또한 기재의 손상을 피할 수 있다. 이러한 관점에서, 조사하는 레이저종으로는, 기본파의 파장이 532∼10700 nm의 범위가 바람직하다. 예컨대, 폴리에스테르 필름, 폴리에스테르 필름 상에 ITO 층을 형성한 투명 도전성 적층체, 또는, 폴리에스테르 필름 상에 ITO 층을 형성하고 그 일부가 에칭에 의해 제거된 적층체를 기재로서 이용하는 경우에는, YAG 레이저 또는 파이버 레이저를 사용하는 것이, 기본파의 파장에 기재가 흡수를 갖지 않기 때문에 기재에 손상을 잘 주지 않는 점에서 특히 바람직하다.Typical types of laser include excimer laser (wavelength of fundamental wave of 193-308 nm), YAG laser (fundamental wave of 1064 nm), fiber laser (fundamental wave of 1060 nm), CO2 laser A wavelength of 10600 nm), a semiconductor laser, etc. Basically, there is no problem even if a laser species of any wavelength or any wavelength is used. It is possible to efficiently remove the conductive thin film at the laser beam irradiation site by selecting a laser species that matches the absorption wavelength region of any one of the constituent components of the conductive thin film and can irradiate a wavelength at which the substrate does not have strong absorption, Can be avoided. From this point of view, it is preferable that the wavelength of the fundamental wave is in the range of 532 to 10700 nm for the laser species to be irradiated. For example, when a transparent conductive laminate in which an ITO layer is formed on a polyester film or a polyester film, or a laminate in which an ITO layer is formed on a polyester film and a part of which is removed by etching is used as a substrate, The use of a YAG laser or a fiber laser is particularly preferable because it does not cause damage to the base material because the base material does not absorb at the wavelength of the fundamental wave.

레이저 출력, Q 변조 주파수는 특별히 한정되지 않지만, 레이저광 조사 부위의 도전성 박막을 제거할 수 있으며, 또한 기초의 기재가 손상되지 않도록 조절한다. 일반적으로는, 레이저 출력은, 0.5∼100 W, Q 변조 주파수 10∼400 kHz의 범위에서 적절히 조절하는 것이 바람직하다. 레이저 출력이 지나치게 낮으면, 도전성 박막의 제거가 불충분해지는 경향이 있지만, 레이저의 주사 속도를 낮게 하거나 주사 횟수를 늘리거나 함으로써 그와 같은 경향은 어느 정도 회피할 수 있다. 레이저 출력이 지나치게 높으면, 조사 부분으로부터의 열의 확산에 의해 도전성 박막이 박리되는 부위가 레이저빔 직경보다 극단적으로 커져, 선폭이 지나치게 가늘어지거나 단선되거나 할 가능성이 있다.The laser output and the Q modulation frequency are not particularly limited, but the conductive thin film at the laser irradiation site can be removed and the substrate of the base is not damaged. In general, it is preferable to appropriately adjust the laser output in the range of 0.5 to 100 W and the Q modulation frequency in the range of 10 to 400 kHz. If the laser output is too low, the removal of the conductive thin film tends to be insufficient. However, such a tendency can be avoided to some extent by lowering the scanning speed of the laser or increasing the number of times of scanning. If the laser output is excessively high, the portion where the conductive thin film is peeled off due to the diffusion of heat from the irradiated portion becomes extremely larger than the diameter of the laser beam, and the line width may become excessively thin or broken.

레이저광의 주사 속도는, 택트 타임의 감소에 의한 생산 효율 향상의 관점에서는 높을수록 좋고, 구체적으로는, 1000 mm/s 이상이 바람직하고, 1500 mm/s 이상이 보다 바람직하고, 더욱 바람직하게는 2000 mm/s 이상이다. 주사 속도가 지나치게 느리면, 생산 효율이 저하될 뿐만 아니라, 도전성 박막 및 기재가 열이력에 의해 손상을 받을 우려가 있다. 가공 속도의 상한은 특별히 정하지 않지만, 주사 속도가 지나치게 높으면, 레이저광 조사 부위의 도전성 박막의 제거가 불완전해져 회로가 단락될 가능성이 있다. 또한, 주사 속도가 지나치게 빠르면, 형성하는 패턴의 코너 부위에 있어서, 직선 부위와 비교하여 주사 속도를 감속시키는 것을 피할 수 없게 되기 때문에, 코너 부위의 열이력이 직선 부위에 비해 높아져, 코너 부위의 레이저 에칭 가공 부위 주변의 도전성 박막의 물성이 현저히 저하될 우려가 있다.More specifically, the scanning speed of the laser beam is preferably not less than 1000 mm / s, more preferably not less than 1500 mm / s, more preferably not more than 2000 mm / s. If the scanning speed is too slow, not only the production efficiency is lowered but also the conductive thin film and the substrate may be damaged by thermal history. Although the upper limit of the processing speed is not particularly defined, if the scanning speed is excessively high, the removal of the conductive thin film at the laser light irradiation site may be incomplete and the circuit may be short-circuited. If the scanning speed is too high, it is inevitable to slow down the scanning speed in comparison with the linear portion at the corner portion of the pattern to be formed. Therefore, the thermal history at the corner portion becomes higher than that at the straight portion, There is a possibility that the physical properties of the conductive thin film in the vicinity of the etched portion are significantly lowered.

레이저광의 주사는, 레이저광의 발사체를 움직이거나, 레이저광이 조사되는 피조사체를 움직이거나, 혹은 양쪽을 조합하는 것의 어느 것이어도 좋고, 예컨대 XY 스테이지를 이용함으로써 실현할 수 있다. 또한, 갈바노 미러 등을 이용하여 레이저광의 조사 방향을 변경함으로써 레이저광을 주사할 수도 있다.The scanning of the laser beam may be performed by moving the projectile of the laser beam, moving the object to be irradiated with the laser beam, or combining both, for example, by using the XY stage. It is also possible to scan the laser beam by changing the irradiation direction of the laser beam using a galvanometer mirror or the like.

레이저광의 조사시에, 집광 렌즈(애크로매틱 렌즈 등)를 사용함으로써, 단위 면적당의 에너지 밀도를 높일 수 있다. 이 방법의 이점으로는, 마스크를 사용하는 경우와 비교하여, 단위 면적당의 에너지 밀도를 크게 할 수 있기 때문에, 작은 출력의 레이저 발진기라도 높은 주사 속도로 레이저 에칭 가공을 행할 수 있게 되는 점을 들 수 있다. 집광한 레이저광을 도전성 박막에 조사하는 경우, 초점 거리를 조절할 필요가 있다. 초점 거리의 조절은, 특히 기재에 도포되어 있는 막두께에 따라 조절할 필요가 있지만, 기재에 손상을 주지 않으며, 또한 소정의 도전성 박막 패턴을 박리·제거할 수 있도록 조절하는 것이 바람직하다.By using a condensing lens (achromatic lens or the like) at the time of irradiating laser light, the energy density per unit area can be increased. The advantage of this method is that it is possible to increase the energy density per unit area as compared with the case of using a mask so that even a small output laser oscillator can perform laser etching processing at a high scanning speed have. When the condensed laser light is irradiated to the conductive thin film, it is necessary to adjust the focal distance. The adjustment of the focal distance is required to be adjusted according to the film thickness applied to the substrate, but it is preferable to adjust the focal distance so as not to damage the substrate, and to peel and remove a predetermined conductive thin film pattern.

레이저광의 주사를 복수회 동일 패턴으로 반복 행하는 것은, 바람직한 실시양태의 하나이다. 1회째의 주사에 있어서 제거가 불완전한 도전성 박막 부위가 있었던 경우, 혹은 제거한 도전성 박막을 구성하는 성분이 재차 기재에 부착된 경우라도, 복수회의 주사로 레이저광 조사 부위의 도전성 박막을 완전히 제거하는 것이 가능해진다. 주사 횟수의 상한은 특별히 한정되지 않지만, 가공 부위 주변이 열이력을 복수회 받음으로써, 손상을 받아, 변색되거나, 도포막 물성이 저하될 가능성이 있기 때문에, 주의가 필요하다. 또한, 생산 효율의 면에서는, 주사 횟수는 적을수록 좋은 것은 당연하다.Repeatedly scanning the laser light in the same pattern a plurality of times is one of the preferred embodiments. It is possible to completely remove the conductive thin film at the laser light irradiating site by a plurality of scans even when the conductive thin film portion in which the removal is incomplete in the first scanning or the component constituting the removed conductive thin film is again attached to the substrate It becomes. The upper limit of the number of times of scanning is not particularly limited, but care must be taken because there is a possibility that the periphery of the processed portion receives thermal history a plurality of times to be damaged, discolored, or deteriorated in physical properties of the coated film. In terms of production efficiency, it is natural that the smaller the number of scanning, the better.

레이저광의 주사를 복수회 동일 패턴으로 반복 행하지 않는 것도, 바람직한 실시양태의 하나이다. 얻어지는 도전성 박막, 도전성 적층체 및 전기 회로의 특성에 악영향을 미치지 않는 한, 주사 횟수는 적을수록 생산 효율적으로 우수한 것은 당연하다.It is also one of the preferred embodiments that the scanning of the laser light is not repeated in the same pattern a plurality of times. It is a matter of course that the less the number of times of injection, the better the production efficiency, unless adversely affecting the characteristics of the obtained conductive thin film, the conductive laminate and the electric circuit.

<<본 발명의 터치 패널>><< Touch panel of the present invention >>

본 발명의 도전성 박막, 도전성 적층체 및/또는 전기 회로는 터치 패널의 구성 부재로서 이용할 수 있다. 상기 터치 패널은, 저항막 방식이어도 좋고 정전 용량 방식이어도 좋다. 어느 터치 패널에도 적용이 가능하지만, 본 페이스트는, 세선 형성에 적합하기 때문에, 정전 용량 방식의 터치 패널의 전극 배선용에 특히 적합하게 이용할 수 있다. 또한, 상기 터치 패널을 구성하는 기재로는, ITO 막 등의 투명 도전성층을 갖고 있는 기재, 혹은 이들이 에칭에 의해 일부 제거된 기재를 이용하는 것이 바람직하다.The conductive thin film, the conductive laminate and / or the electric circuit of the present invention can be used as constituent members of the touch panel. The touch panel may be a resistive film type or a capacitive type. The present paste can be applied to any touch panel, but the paste is suitable for formation of fine lines, and thus can be suitably used for electrode wiring of a capacitive touch panel. As the substrate constituting the touch panel, it is preferable to use a substrate having a transparent conductive layer such as an ITO film or a substrate partially removed by etching.

실시예Example

본 발명을 더욱 상세히 설명하기 위해 이하에 실시예, 비교예를 들지만, 본 발명은 실시예에 의해 전혀 한정되는 것은 아니다. 또한, 실시예, 비교예에 기재된 각 측정치는 다음 방법에 의해 측정한 것이다.The following examples and comparative examples are provided to further illustrate the present invention, but the present invention is not limited at all by the examples. Each measurement value described in Examples and Comparative Examples was measured by the following method.

1. 수평균 분자량1. Number average molecular weight

시료 수지를, 수지 농도가 0.5 중량% 정도가 되도록 테트라히드로푸란에 용해시키고, 구멍 직경 0.5 ㎛의 폴리4불화에틸렌제의 멤브레인 필터로 여과하여, GPC 측정 시료로 했다. 테트라히드로푸란을 이동상으로 하고, 시마즈 제작소사 제조의 겔 침투 크로마토그래프(GPC) Prominence를 이용하고, 시차 굴절계(RI 계)를 검출기로 하여, 컬럼 온도 30℃, 유량 1 ml/분으로 수지 시료의 GPC 측정을 행했다. 또한, 수평균 분자량은 표준 폴리스티렌 환산치로 하고, 분자량 1000 미만에 상당하는 부분을 생략하여 산출했다. GPC 컬럼은 쇼와 덴꼬(주) 제조의 shodex KF-802, 804L, 806L을 이용했다.The sample resin was dissolved in tetrahydrofuran so that the resin concentration was about 0.5 wt%, and the solution was filtered through a membrane filter made of poly (tetrafluoroethylene) having a pore diameter of 0.5 mu m to give a GPC measurement sample. (GPC) Prominence manufactured by Shimadzu Corporation and using a differential refractometer (RI system) as a detector. The column was subjected to column chromatography at a column temperature of 30 ° C and a flow rate of 1 ml / min to obtain a resin sample GPC measurement was performed. The number average molecular weight was calculated in terms of standard polystyrene, and the portion corresponding to a molecular weight of less than 1000 was omitted. GPC columns were shodex KF-802, 804L and 806L manufactured by Showa Denko K.K.

2. 유리 전이 온도(Tg)2. Glass transition temperature (Tg)

시료 수지 5 mg을 알루미늄제 샘플 팬에 넣어 밀봉하고, 세이코 인스트루먼트(주) 제조의 시차 주사 열량 분석계(DSC) DSC-220을 이용하여, 200℃까지, 승온 속도 20℃/분으로 측정하여, 유리 전이 온도 이하의 베이스라인의 연장선과 천이부에서의 최대 경사를 나타내는 접선과의 교점의 온도로 구했다.5 mg of the sample resin was sealed in an aluminum sample pan and measured at a temperature raising rate of 20 캜 / min up to 200 캜 using a differential scanning calorimeter (DSC) DSC-220 manufactured by Seiko Instruments Inc., And the temperature at the intersection of the extension line of the baseline below the transition temperature and the tangent line indicating the maximum inclination at the transition portion.

3. 산가3. Acid value

시료 수지 0.2 g을 정밀 칭량하여 20 ml의 클로로포름에 용해시켰다. 이어서, 지시약에 페놀프탈레인 용액을 이용하고, 0.01 N의 수산화칼륨(에탄올 용액)으로 적정을 행했다. 산가의 단위는 eq/ton, 즉 시료 1톤당의 당량으로 했다.0.2 g of the sample resin was precisely weighed and dissolved in 20 ml of chloroform. Subsequently, the phenolphthalein solution was used for the indicator and titration was performed with 0.01 N potassium hydroxide (ethanol solution). The unit of acid value was eq / ton, that is, the equivalent per 1 ton of sample.

4. 수지 조성4. Resin composition

클로로포름-d에 시료 수지를 용해시키고, VARIAN 제조의 400 MHz-NMR 장치를 이용하여, 1H-NMR 분석에 의해 수지 조성을 구했다.The sample resin was dissolved in chloroform-d and the resin composition was determined by 1 H-NMR analysis using a 400 MHz-NMR apparatus manufactured by Varian Corporation.

5. 페이스트 점도5. Paste viscosity

점도의 측정은 샘플 온도 25℃에 있어서, BH형 점도계(도키 산업사 제조)를 이용하여, 20 rpm으로 측정을 실시했다.The viscosity was measured at 20 rpm using a BH-type viscometer (manufactured by Toki Industries Co., Ltd.) at a sample temperature of 25 占 폚.

6. 도전성 페이스트의 저장 안정성6. Storage stability of conductive paste

도전성 페이스트를 폴리 용기에 넣고, 밀봉한 것을 40℃에서 1개월 저장했다. 저장 후에 점도 측정 및 상기 5. 도전성 적층체 테스트 피스에 의해 제작한 테스트 피스의 평가를 행했다.The conductive paste was put in a poly container and sealed, and stored at 40 占 폚 for one month. After storage, the viscosity was measured and the test piece produced by the above 5. conductive laminate test piece was evaluated.

○ : 현저한 점도 변화는 없고, 초기의 비저항, 연필 경도 및 밀착성을 유지하고 있다.?: No significant change in viscosity, and initial resistivity, pencil hardness and adhesion were maintained.

× : 현저한 점도 상승(초기 점도의 2배 이상) 또는 현저한 점도 저하(초기 점도의 1/2 이하), 및/또는, 비저항, 연필 경도 및/또는 밀착성의 저하, 중 어느 것이 확인된다.X: It is confirmed whether the remarkable increase in viscosity (at least twice the initial viscosity) or the decrease in the viscosity (1/2 or less of the initial viscosity) and / or the decrease in the resistivity, pencil hardness and / or adhesion property are observed.

7. 도전성 적층체 테스트 피스의 작성7. Preparation of conductive laminate test piece

두께 100 ㎛의 어닐링 처리를 한 PET 필름(도레사 제조의 루미라 S) 및 ITO 막(오이케 공업(주) 제조, KH300)의 각각에, 200 메시의 폴리에스테르 스크린을 이용하여 스크린 인쇄법에 의해 도전성 페이스트를 인쇄하여, 폭 25 mm, 길이 450 mm의 솔리드 코팅 패턴을 형성하고, 계속해서 열풍 순환식 건조로에서 120℃에서 30분 가열한 것을 도전성 적층체 테스트 피스로 했다. 또, 건조막 두께가 6∼10 ㎛가 되도록 인쇄시의 도포 두께를 조정했다.A 200 mesh polyester screen was used for each of the PET film (Lumirra S manufactured by Toray Industries, Inc.) and the ITO film (KH300 manufactured by OIKE INDUSTRY CO., LTD.) Which had been subjected to the annealing treatment to a thickness of 100 mu m A conductive paste was printed to form a solid coating pattern having a width of 25 mm and a length of 450 mm and subsequently heated in a hot air circulation type drying furnace at 120 DEG C for 30 minutes to obtain a conductive laminated test piece. The coating thickness at the time of printing was adjusted so that the dry film thickness was 6 to 10 mu m.

8. 밀착성 8. Adhesiveness

상기 도전성 적층체 테스트 피스를 이용하여 JIS K-5400-5-6 : 1990에 따라, 셀로 테이프(등록 상표)(니치반(주) 제조)를 이용하여, 박리 시험에 의해 평가했다. 다만, 격자 패턴의 각 방향의 커트수는 11개, 커트 간격은 1 mm로 했다. 100/100은 박리가 없이 밀착성이 양호한 것을 나타내고, 0/100은 전부 박리되어 버린 것을 나타낸다.The conductive laminate test piece was evaluated by a peeling test using Cellotape (registered trademark) (manufactured by Nichiban Co., Ltd.) according to JIS K-5400-5-6: 1990. However, the number of cuts in each direction of the lattice pattern was 11, and the cut interval was 1 mm. 100/100 indicates good adhesion without peeling, and 0/100 indicates peeling off.

9. 비저항9. Resistivity

상기 도전성 적층체 테스트 피스의 시트 저항과 막두께를 측정하고, 비저항을 산출했다. 막두께는 게이지 스탠드 ST-022(오노소키사 제조)를 이용하고, PET 필름의 두께를 제로점으로 하여 경화 도포막의 두께를 5점 측정하고, 그 평균치를 이용했다. 시트 저항은 MILLIOHMMETER4338B(HEWLETT PACKARD사 제조)를 이용하여 테스트 피스 4장에 관해 측정하고, 그 평균치를 이용했다. 또한, 본 밀리옴미터로 검출할 수 있는 범위는 1×10-2 이하(Ω·cm)이고, 1×10-2(Ω·cm) 이상의 비저항은 측정 한계 밖이 된다.The sheet resistance and film thickness of the conductive laminate test piece were measured, and the specific resistance was calculated. The thickness of the cured coating film was measured at five points using a gauge stand ST-022 (manufactured by Onoso K.K.) with the thickness of the PET film as zero point, and the average value was used. The sheet resistance was measured with respect to four test pieces by using MILLIOHMMETER 4333B (manufactured by HEWLETT PACKARD), and the average value was used. In addition, the range that can be detected by the present milliohmmeter is 1 x 10 -2 or less (Ω · cm), and the resistivity of 1 × 10 -2 (Ω · cm) or more is outside the measurement limit.

10. 연필 경도10. Pencil Hardness

도전성 적층체 테스트 피스를 두께 2 mm의 SUS304판 상에 놓고, JIS K 5600-5-4 : 1999에 따라 연필 경도를 측정했다.The conductive laminate test piece was placed on a SUS304 board having a thickness of 2 mm, and pencil hardness was measured according to JIS K 5600-5-4: 1999.

11. 내습열성 시험 11. Humidity resistance test

도전성 적층체 테스트 피스를, 80℃에서 300시간 가열하고, 계속해서 85℃, 85% RH(상대 습도)로 300시간 가열하고, 그 후 24시간 상온에서 방치한 후, 각종 평가를 행했다.The conductive laminate test piece was heated at 80 占 폚 for 300 hours, then heated at 85 占 폚 and 85% RH (relative humidity) for 300 hours, and then left at room temperature for 24 hours, followed by various evaluations.

12. 레이저 에칭 가공 적성의 평가12. Evaluation of laser etching processing suitability

스크린 인쇄법에 의해, 폴리에스테르 기재(도레사 제조의 루미라 S(두께 100 ㎛)) 상에, 도전성 페이스트를 2.5×10 cm의 직사각형으로 인쇄 도포했다. 스크린판으로서 T400 스테인리스 메시(유제 두께 10 ㎛, 선직경 23 ㎛(도쿄 프로세스 서비스사 제조))를 이용하여, 스퀴지 속도 150 mm/s로 인쇄했다. 인쇄 도포 후, 열풍 순환식 건조로에서 120℃에서 30분간의 건조를 행하여 도전성 박막을 얻었다. 또한, 막두께는 5∼12 ㎛가 되도록 페이스트를 희석 조정했다. 계속해서, 상기 방법으로 작성한 도전성 박막에 레이저 에칭 가공을 행하여, 도 1에 도시한 길이 50 mm의 4개의 직선 부분을 갖는 패턴을 제작하여, 레이저 에칭 가공 적성 평가 시험편으로 했다. 상기 직선 부분의 선 사이의 레이저 에칭 가공은, 빔 직경 30 ㎛의 레이저광을 60 ㎛ 피치로 각 2회 주사함으로써 행했다. 레이저 광원에는 파이버 레이저를 이용하고, Q 변조 주파수 200 kHz, 출력 10 W, 주사 속도 2700 mm/s로 했다.A conductive paste was printed and printed in a rectangular shape of 2.5 x 10 cm on a polyester base material (Lumiras S (thickness: 100 mu m) manufactured by Dora Manufacturing Co., Ltd.) by screen printing. The screen plate was printed at a squeegee speed of 150 mm / s using a T400 stainless steel mesh (emulsion thickness 10 占 퐉, line diameter 23 占 퐉 (manufactured by Tokyo Process Service Co., Ltd.)). After printing application, drying was carried out in a hot air circulation type drying oven at 120 DEG C for 30 minutes to obtain a conductive thin film. Further, the paste was diluted so as to have a film thickness of 5 to 12 占 퐉. Subsequently, the conductive thin film prepared by the above method was subjected to laser etching to produce a pattern having four linear portions each having a length of 50 mm shown in Fig. 1, and used as a test piece for evaluation of laser etching process suitability. The laser etching between the lines of the linear portions was performed by scanning the laser beam having a beam diameter of 30 탆 at a pitch of 60 탆 twice each time. A fiber laser was used as the laser light source, and the Q modulation frequency was 200 kHz, the output was 10 W, and the scanning speed was 2700 mm / s.

평가 항목, 측정 조건은 이하와 같다.The evaluation items and measurement conditions are as follows.

(레이저 에칭 가공폭 평가)(Laser etching processing width evaluation)

상기 레이저 에칭 가공 적성 평가 시험편에 있어서, 도전성 박막이 제거된 부위의 선폭을 측정했다. 측정은, 레이저 현미경(키엔스 VHX-1000)을 이용하여 행하고, 하기 평가 판단 기준으로 판정했다.The linewidth of the portion where the conductive thin film was removed was measured in the above-mentioned laser etching processability evaluation test piece. The measurement was carried out using a laser microscope (Keynes VHX-1000), and it was judged based on evaluation criteria below.

○ ; 도전성 박막이 제거된 부위의 라인폭이 28∼32 ㎛○; The line width of the portion from which the conductive thin film is removed is 28 to 32 mu m

△ ; 도전성 박막이 제거된 부위의 라인폭이 24∼27 ㎛ 혹은 33∼36 ㎛?; The line width of the portion where the conductive thin film is removed is 24 to 27 mu m or 33 to 36 mu m

× ; 도전성 박막이 제거된 부위의 라인폭이 23 ㎛ 이하, 혹은 37 ㎛ 이상×; The line width of the portion where the conductive thin film is removed is not more than 23 占 퐉, or not less than 37 占 퐉

(레이저 에칭 가공 적성 평가(1) 세선 양끝 사이 도통성)(Evaluation of laser etching processing suitability (1) Conductivity between both ends of thin wire)

상기 레이저 에칭 가공 적성 평가 시험편에 있어서, 세선 1b, 2b, 3b, 4b의 양끝 사이의 도통이 확보되어 있는가에 의해 평가했다. 구체적으로는, 단자 1a-단자 1c 사이, 단자 2a-단자 2c 사이, 단자 3a-단자 3c 사이, 단자 4a-단자 4c 사이의 각각에 관해 테스터를 대어 도통의 유무를 확인하고, 하기 평가 기준에 의해 판정했다.Evaluation was made as to whether or not conduction between the both ends of the fine lines 1b, 2b, 3b, and 4b was ensured in the above laser etching processability evaluation test piece. More specifically, the presence or absence of conduction was checked between the terminals 1 a and 1 c, between the terminals 2 a and 2 c, between the terminals 3 a and 3 c, and between the terminals 4 a and 4 c, "

○ ; 4개 세선의 전부에 관해 세선의 양끝 사이에 도통이 있음○; There is continuity between both ends of thin wire with respect to all four wires.

△ ; 4개 세선 중, 1∼3개에 관해 세선의 양끝 사이에 도통이 없음?; There is no continuity between the two ends of the fine wire in relation to one to three of the four fine wires.

× ; 4개 세선의 전부에 관해 세선의 양끝 사이에 도통이 없음×; There is no continuity between the two ends of the fine wire with respect to all four fine wires.

(레이저 에칭 가공 적성 평가(2) 인접 세선 사이 절연성)(Evaluation of laser etching processing suitability (2) Insulation between adjacent fine wires)

상기 레이저 에칭 가공 적성 평가 시험편에 있어서, 인접하는 세선 사이의 절연이 확보되어 있는가에 의해 평가했다. 구체적으로는, 단자 1a-단자 2a 사이, 단자 2a-단자 3a 사이, 단자 3a-단자 4a 사이의 각각에 관해 테스터를 대어 도통의 유무를 확인하고, 하기 평가 기준으로 판정했다.Evaluation was made as to whether or not the insulation between the adjacent fine lines in the test piece for evaluating suitability for laser etching was secured. More specifically, the presence or absence of conduction was checked between the terminals 1a and 2a, between the terminals 2a and 3a, and between the terminal 3a and the terminal 4a, and a test was conducted.

○ ; 모든 인접 세선 사이가 절연되어 있음○; All adjacent wires are insulated

△ ; 일부의 인접 세선 사이가 절연되어 있음?; Some of the adjacent wires are insulated.

× ; 모든 인접 세선 사이가 절연되어 있지 않음×; No insulation between all adjacent wires

(도전성 박막이 제거된 부위의 잔사의 평가)(Evaluation of residue of the portion from which the conductive thin film was removed)

상기 레이저 에칭 가공 적성 평가 시험편에 있어서, 도전성 박막이 제거된 부위를 레이저 현미경으로 관찰하고, 잔사의 부착 유무를 하기 평가 기준에 의해 판정했다.In the above laser etching processability evaluation test piece, a portion where the conductive thin film was removed was observed with a laser microscope, and whether or not the residue was attached was judged according to the following evaluation criteria.

○ : 도전성 박막이 제거된 부위에 잔사가 없음.○: No residue was found in the area where the conductive thin film was removed.

△ : 도전성 박막이 제거된 부위에 잔사가 다소 있음.[Delta]: There is a small amount of residue on the area where the conductive thin film is removed.

× : 도전성 박막이 제거된 부위에 잔사가 많이 보임.X: The residue of the conductive thin film was removed.

(레이저 에칭 후의 도전성 박막과 기재의 밀착성의 평가)(Evaluation of adhesion between conductive thin film and substrate after laser etching)

상기 레이저 에칭 가공 적성 평가 시험편에서의 도전성 박막이 제거된 부위에 끼워져 있는 도전성 박막이 잔존하고 있는 부위의, 기재에 대한 밀착성을, 셀로 테이프(등록 상표)(니치반(주) 제조)를 이용한 테이프 박리 테스트에 의해 평가했다. 이 평가는, 시험편 작성의 24시간 후 직후(초기)와 그 후 더욱 85℃, 85% RH(상대 습도)의 습열 환경하에서 120시간 정치하고 더욱 24시간 상온에서 정치한 후(내습열 시험 후)에 행했다.The adhesion to the base material of the portion where the conductive thin film remaining in the portion where the conductive thin film was removed in the above-mentioned laser etching processability evaluation test piece was measured with a tape using Cellotape (registered trademark) (manufactured by Nichiban Co., Ltd.) And evaluated by a peel test. This evaluation was carried out after standing for 24 hours at room temperature (after moisture resistance test) for 24 hours immediately after the test piece was prepared (initial) and after that for 120 hours under a humid environment of 85% RH and 85% RH (relative humidity) .

○ : 박리가 없음. △ : 일부 박리됨. × : 전부 박리됨.○: No peeling. ?: Partially peeled off. X: All peeled off.

수지의 제조예 Production Example of Resin

폴리에스테르 수지 P-1의 제조예Production Example of Polyester Resin P-1

교반기, 컨덴서, 및 온도계를 구비한 반응 용기에 테레프탈산 700부, 이소프탈산 700부, 무수트리멜리트산 16.9부, 에틸렌글리콜 983부, 2-메틸-1,3-프로판디올 154부를 주입하고, 질소 분위기 2기압 가압하에, 160℃로부터 230℃까지 3시간에 걸쳐 승온시키고, 에스테르화 반응을 행했다. 방압 후, 테트라부틸티타네이트 0.92부를 주입하고, 계속해서 계 내를 서서히 감압해 나가, 20분에 걸쳐 5 mmHg까지 감압하고, 또한 0.3 mmHg 이하의 진공하에, 260℃에서 40분간 중축합 반응을 행했다. 계속해서, 질소 기류하에, 220℃까지 냉각시키고, 무수트리멜리트산을 50.6부 투입하고, 30분간 반응을 행하여 폴리에스테르 수지를 얻었다. 얻어진 공중합 폴리에스테르 수지 P-1의 조성 및 물성을 표 1에 나타냈다.700 parts of terephthalic acid, 700 parts of isophthalic acid, 16.9 parts of anhydrous trimellitic acid, 983 parts of ethylene glycol and 154 parts of 2-methyl-1,3-propanediol were fed into a reaction vessel equipped with a stirrer, a condenser and a thermometer, And the temperature was raised from 160 ° C to 230 ° C over 3 hours under a pressure of 2 atm to carry out an esterification reaction. After depressurization, 0.92 part of tetrabutyl titanate was poured, the pressure in the system was gradually reduced, the pressure was reduced to 5 mmHg over 20 minutes, and the polycondensation reaction was carried out at 260 DEG C for 40 minutes under a vacuum of 0.3 mmHg or less . Subsequently, the mixture was cooled to 220 DEG C under a nitrogen stream, 50.6 parts of trimellitic anhydride was added, and the reaction was carried out for 30 minutes to obtain a polyester resin. Table 1 shows the composition and physical properties of the obtained copolymer polyester resin P-1.

폴리에스테르 수지 P-2∼P-11의 제조예 Production Example of Polyester Resins P-2 to P-11

폴리에스테르 수지 P-1의 제조예에 있어서 모노머의 종류와 배합 비율을 변경하여, 폴리에스테르 수지 P-2∼P-11을 제조했다. 얻어진 공중합 폴리에스테르 수지의 조성 및 수지 물성을 표 1∼2에 나타냈다.Polyester resins P-2 to P-11 were prepared by changing the type and blending ratio of the monomers in the production example of the polyester resin P-1. The composition and the resin properties of the obtained copolymer polyester resin are shown in Tables 1 and 2.

Figure pat00001
Figure pat00001

Figure pat00002
Figure pat00002

BPE-20F : 비스페놀 A의 에틸렌옥사이드 부가물(산요 카세이 공업사 제조)BPE-20F: ethylene oxide adduct of bisphenol A (manufactured by Sanyo Chemical Industries, Ltd.)

BPX-11 : 비스페놀 A의 프로필렌옥사이드 부가물(아사히 덴카사 제조)BPX-11: Propylene oxide adduct of bisphenol A (manufactured by Asahi Denka Co., Ltd.)

폴리우레탄 수지 U-1의 제조예Production Example of Polyurethane Resin U-1

교반기, 컨덴서, 온도계를 구비한 반응 용기에 폴리에스테르 수지 P-7을 1000부, 네오펜틸글리콜(NPG)을 80부, 디메틸올부탄산(DMBA)을 90부 투입한 후, 에틸디글리콜아세테이트(EDGAC) 1087부 주입하고, 85℃에서 용해시켰다. 그 후, 4,4'-디페닐메탄디이소시아네이트(MDI)를 460부 첨가하고, 85℃, 2시간 반응을 행한 후, 촉매로서 디부틸틴디라우레이트를 0.5부 첨가하고, 85℃에서 더욱 4시간 반응시켰다. 이어서, EDGAC 1940부로 용액을 희석하여, 폴리우레탄 수지 U-1의 용액을 얻었다. 얻어진 폴리우레탄 수지 용액의 고형분 농도는 35 질량%였다. 이와 같이 하여 얻은 수지 용액을 폴리프로필렌 필름 상에 적하하고, 스테인리스강제의 애플리케이터를 이용하여 연신하여, 수지 용액의 박막을 얻었다. 이것을 120℃로 조정한 열풍 건조기 내에 3시간 정치하여 용제를 휘산시키고, 계속해서 폴리프로필렌 필름으로부터 수지 박막을 박리하여, 필름형의 건조 수지 박막을 얻었다. 건조 수지 박막의 두께는 약 30 ㎛였다. 상기 건조 수지 박막을 폴리우레탄 수지 U-1의 시료 수지로 하여, 각종 수지 물성의 평가 결과를 표 3에 나타냈다.1000 parts of polyester resin P-7, 80 parts of neopentyl glycol (NPG) and 90 parts of dimethylolbutanoic acid (DMBA) were put in a reaction vessel equipped with a stirrer, a condenser and a thermometer, and ethyldiglycol acetate (EDGAC ), And dissolved at 85 캜. Thereafter, 460 parts of 4,4'-diphenylmethane diisocyanate (MDI) was added and reacted at 85 DEG C for 2 hours. Then, 0.5 part of dibutyltin dilaurate was added as a catalyst, Lt; / RTI &gt; The solution was then diluted with 1940 parts of EDGAC to obtain a solution of polyurethane resin U-1. The solid content concentration of the obtained polyurethane resin solution was 35 mass%. The thus obtained resin solution was dropped on a polypropylene film and stretched using an applicator made of stainless steel to obtain a thin film of the resin solution. This was allowed to stand in a hot-air drier adjusted to 120 DEG C for 3 hours to volatilize the solvent. Subsequently, the resin thin film was peeled off from the polypropylene film to obtain a film-like dry resin thin film. The thickness of the dried resin thin film was about 30 탆. The dried resin thin film was used as a sample resin of the polyurethane resin U-1, and the evaluation results of various resin properties are shown in Table 3.

폴리우레탄 수지 U-2∼U-8의 제조예Production Example of Polyurethane Resins U-2 to U-8

폴리우레탄 수지 U-2∼U-8은, 폴리에스테르폴리올, 이소시아네이트와 반응하는 기를 갖는 화합물 및 폴리이소시아네이트를 표 3에 나타내는 것으로 대신한 것 이외에는, 폴리우레탄 수지 U-1의 제조예와 동일한 방법으로 제조했다. 폴리우레탄 수지 U-2∼U-8의 수지 물성의 평가 결과를 표 3에 나타냈다.Polyurethane resins U-2 to U-8 were synthesized in the same manner as in the production example of polyurethane resin U-1 except that polyester polyol, a compound having a group reacting with isocyanate and polyisocyanate were used instead of those shown in Table 3 . The evaluation results of the resin properties of the polyurethane resins U-2 to U-8 are shown in Table 3.

Figure pat00003
Figure pat00003

DMBA : 디메틸올부탄산 DMBA: dimethylolbutanoic acid

NPG : 네오펜틸글리콜 NPG: neopentyl glycol

DMH : 2-부틸-2-에틸-1,3-프로판디올 DMH: 2-butyl-2-ethyl-1,3-propanediol

MDI : 4,4'-디페닐메탄디이소시아네이트MDI: 4,4'-diphenylmethane diisocyanate

IPDI : 이소포론디이소시아네이트IPDI: isophorone diisocyanate

실시예 1 Example 1

폴리에스테르 수지 P-1을 고형분 농도가 35 질량%가 되도록 EDGAC에 용해시킨 용액 2860부(고형부 환산 1000부), 플레이크형 은가루 1을 7,888부, 레벨링제로서 교에이샤 화학(주) 제조의 MK 콩크를 71부, 분산제로서 빅케미·재팬(주) 제조의 Disperbyk130을 30부, 용제로서 EDGAC를 300부 배합하고, 칠드 3본 롤 혼련기에 3회 통과시켜 분산시켰다. 그 후, 얻어진 도전성 페이스트를 소정의 패턴으로 인쇄 후, 120℃×30분간 건조시켜, 도전성 박막을 얻었다. 본 도전성 박막을 이용하여 기본 물성을 측정하고, 계속해서, 레이저 에칭 가공의 검토를 행했다. 페이스트 및 페이스트 도포막, 레이저 에칭 가공성의 평가 결과를 표 4에 나타냈다.2860 parts (1000 parts in terms of solid part) of a solution obtained by dissolving polyester resin P-1 in EDGAC at a solid content concentration of 35% by mass, 7,888 parts of flake type silver powder 1, 71 parts of MK-CONK, 30 parts of Disperbyk 130 manufactured by Big Chem Japan Co., Ltd., and 300 parts of EDGAC as a dispersant were mixed and dispersed three times in a chilled three-roll kneader. Thereafter, the obtained conductive paste was printed in a predetermined pattern and then dried at 120 ° C for 30 minutes to obtain a conductive thin film. Basic conductive properties were measured using this conductive thin film, and then laser etching processing was examined. The evaluation results of the paste and paste coating film and the laser etching workability are shown in Table 4.

실시예 2∼13Examples 2 to 13

도전성 페이스트의 수지 및 배합을 바꾸어 실시예 2∼17을 실시했다. 도전성 페이스트의 배합 및 평가 결과를 표 4∼표 6에 나타냈다. 실시예에 있어서는 오븐 120℃×30분이라는 비교적 저온 또한 단시간의 가열에 의해 양호한 도포막 물성을 얻을 수 있었다. 또한 ITO 막에 대한 밀착성, 습열 환경 시험 후의 밀착성도 양호했다.Examples 2 to 17 were carried out by changing the resin and the composition of the conductive paste. The results of mixing and evaluation of the conductive paste are shown in Tables 4 to 6. Good physical properties of the coating film could be obtained by heating in an oven at 120 DEG C for 30 minutes at a relatively low temperature and for a short period of time. Adhesion to the ITO film and adhesion after the wet heat environment test were also good.

또, 표 4∼표 7에 있어서, 바인더 수지, 도전 분말, 첨가제 및 용제는 이하의 것을 이용했다.In Tables 4 to 7, the following resins were used as the binder resin, conductive powder, additive and solvent.

바인더 수지 PH-1 : InChem 제조 PKKH(페녹시 수지, 수평균 분자량 14000, Tg=71℃)Binder resin PH-1: manufactured by InChem PKKH (phenoxy resin, number average molecular weight 14000, Tg = 71 캜)

은가루 1 : 플레이크형 은가루(D50 : 2 ㎛)Silver powder 1: Flake type silver powder (D50: 2 占 퐉)

은가루 2 : 구형 은가루(D50 : 1 ㎛)Silver powder 2: spherical silver powder (D50: 1 占 퐉)

카본 블랙 : 도카이 카본(주) 제조의 #4400Carbon black: # 4400 (manufactured by Tokai Carbon Co., Ltd.)

케첸 블랙 : 라이온(주) 제조의 케첸 ECP600JD Ketchen Black: Ketchen ECP600JD manufactured by Lion Corporation

그래파이트 가루 : (주)츄에츠 흑연 공업소 제조의 그래파이트 BF Graphite powder: Graphite BF manufactured by Chuetsu Graphite Industry Co., Ltd.

경화제 : 아사히카세이 케미컬즈(주) 제조의 MF-K60X Hardener: MF-K60X manufactured by Asahi Kasei Chemicals Co., Ltd.

경화 촉매 : 교도 약품(주) 제조의 KS1260Curing catalyst: KS1260 (manufactured by Kyodo Yakuhin Co., Ltd.)

레벨링제 : 교에이샤 화학(주) 제조의 MK 콩크Leveling agent: MK &lt; RTI ID = 0.0 &gt;

분산제 1 : 빅케미·재팬(주)사 제조의 Disperbyk130Dispersant 1: Disperbyk 130 (trade name, manufactured by Big Chem Japan Co., Ltd.)

분산제 2 : 빅케미·재팬(주)사 제조의 Disperbyk2155Dispersing agent 2: Disperbyk 2155 manufactured by Big Chem Japan Co., Ltd.

분산제 3 : 빅케미·재팬(주)사 제조의 Disperbyk180Dispersant 3: Disperbyk 180 (trade name, manufactured by Big Chem Japan Co., Ltd.)

첨가제 1 : 닛폰 아에로질(주) 제조의 실리카 R972Additive 1: Silica R972 (manufactured by Nippon Aerosil Co., Ltd.)

첨가제 2 : 나가세 켐텍스(주) 제조의 NIR-AM1Additive 2: NIR-AM1 manufactured by Nagase Chemtex Co., Ltd.

첨가제 3 : 교에이샤 화학(주) 제조의 라이트아크릴레이트 PE-3A(펜타에리스리톨트리아크릴레이트) Additive 3: Light Acrylate PE-3A (pentaerythritol triacrylate) manufactured by Kyoeisha Chemical Co.,

EDGAC : (주)다이셀 제조의 에틸디글리콜아세테이트 EDGAC: Ethyldiglycol acetate (manufactured by Daicel Co., Ltd.)

BMGAC : (주)다이셀 제조의 부틸글리콜아세테이트 BMGAC: butyl glycol acetate (manufactured by Daicel Co., Ltd.)

BDGAC : (주)다이셀 제조의 부틸디글리콜아세테이트 BDGAC: butyl diglycol acetate manufactured by Daicel Co.

TPOL : 닛폰 테르펜 화학(주) 제조의 타피네올TPOL: Tapinol manufactured by Nippon Terpene Chemical Co., Ltd.

Figure pat00004
Figure pat00004

Figure pat00005
Figure pat00005

Figure pat00006
Figure pat00006

비교예 1Comparative Example 1

라우릴카르복실산은(1000 g)과 부틸아민(480 g)을 톨루엔(10 L)에 용해시켰다. 계속해서, 포름산(150 g)을 적하하고, 그대로 실온에서 1.5시간 교반했다. 대량의 메탄올을 첨가하면 은 나노입자의 응집물이 침전하기 때문에 이것을 데칸테이션했다. 데칸테이션을 3회 반복한 후, 침전물을 감압하에서 건조시켰다. 계속해서, 얻어진 침전물 1000 g(이 중 920 g 은, 카르복실산은아민 착체 80 g)을 타피네올 1860 g 중에 재분산시켜, 은 나노입자(은가루 3)를 포함한 도전성 페이스트를 얻었다. 얻어진 은가루 3은 투과형 전자 현미경 사진으로부터 입자경이 약 10 nm였다. 도전성 페이스트의 고형분 농도는 35 질량%였다. 얻어진 도전성 페이스트를 이용하여 실시예와 동일하게 도전성 적층체 테스트 피스 및 레이저 에칭 가공 적성 평가 시험편을 작성하고, 실시예와 동일하게 평가를 행했다. 평가 결과를 표 7에 나타냈다. 본 도전성 은페이스트 조성물은 초기 도포막 물성이 현저히 뒤떨어지고, 특히 밀착성이 부족하여, 실용에는 견디지 못하는 것이었다.Laurylcarboxylic acid (1000 g) and butylamine (480 g) were dissolved in toluene (10 L). Subsequently, formic acid (150 g) was added dropwise, and the mixture was stirred at room temperature for 1.5 hours. When a large amount of methanol was added, the agglomerates of the silver nanoparticles precipitated and decanted. The decantation was repeated three times, and the precipitate was dried under reduced pressure. Subsequently, 1,000 g of the obtained precipitate (920 g of which was carboxylic acid amine complex 80 g) was redispersed in 1860 g of tapineol to obtain a conductive paste containing silver nanoparticles (silver sulfate 3). The obtained silver powder 3 had a particle diameter of about 10 nm from a transmission electron micrograph. The solid content concentration of the conductive paste was 35 mass%. Using the obtained conductive paste, a conductive laminate test piece and a laser etching processability evaluation test piece were prepared in the same manner as in Example, and evaluated in the same manner as in Example. The evaluation results are shown in Table 7. The conductivity of the present paste was such that the paste composition was significantly inferior in physical properties of the initial coating film, and in particular, lacked in adhesion, so that it could not withstand practical use.

비교예 2Comparative Example 2

타피네올에 도데실아민을 용해시켜, 고형분 농도 12 중량%의 용액으로 했다. 이 용액 1000부(고형 120 중량부)에, 은가루 4(구형 은가루(D50=1 ㎛)를 8083부, 또한 평균 입경 1.5 ㎛가 되도록 비드 밀로 분쇄한 유리 프릿((산화비스무트(Bi2O3)를 주성분으로 하는 유리 분말(산화비스무트 함유량 80.0∼99.9%)을 250부 첨가하여 혼합을 계속하고, 균일해지고 나서, 이 용액을 3본 롤밀로 분산시켜, 유리 프릿 함유 도전성 페이스트를 제작했다. 얻어진 도전성 페이스트를 이용하여 실시예와 동일하게 도전성 적층체 테스트 피스 및 레이저 에칭 가공 적성 평가 시험편을 작성하고, 실시예와 동일하게 평가를 행했다. 평가 결과를 표 7에 나타냈다. 본 도전성 은페이스트 조성물은 초기 도포막 물성이 현저히 뒤떨어지고, 특히 밀착성이 부족하여, 실용에는 견디지 못하는 것이었다. 또한, 레이저 에칭 가공성이 현저히 뒤떨어지고, 조사 부위보다 넓은 범위로 조사한 레이저빔의 폭보다 대폭 넓은 폭의 도포막이 박리되어 버려, 소정의 선폭을 가공할 수는 없었다. 또한, 레이저 에칭 가공 후의 세선 부분의 밀착성 및 내습열성도 부족했다.Dodecylamine was dissolved in tapainol to prepare a solution having a solid content concentration of 12% by weight. This solution was 1,000 parts, silver powder 4 (solid 120 parts by weight) (spherical silver powder (D50 = 1 ㎛) the 8083 portion, and a bead mill, a glass frit pulverized to an average particle size of 1.5 ㎛ ((bismuth oxide (Bi 2 O 3) (Bismuth oxide content: 80.0 to 99.9%) as a main component was added, and the mixing was continued. After homogenizing, the solution was dispersed with a three-roll mill to prepare a glass frit-containing conductive paste. The evaluation results are shown in Table 7. The conductive silver paste of the present invention was prepared in the same manner as in Example 1 except that the paste composition was used for the initial application The film properties were remarkably inferior, particularly the adhesiveness was insufficient, and it was not able to withstand practical use. Further, the laser etching workability was significantly poor, The width of the coating film having a much wider width than that of the laser beam irradiated in the range of &quot; a &quot;,&quot; a &quot;

Figure pat00007
Figure pat00007

산업상 이용 가능성Industrial availability

본 발명의 레이저 에칭 가공용 도전성 페이스트는, 레이저 에칭 가공 적성을 유지하면서, 습열 환경 신뢰성이 우수하고, 도전성 박막으로서의 도포막 내구성을 유지할 수 있는 도전성 박막을 제공할 수 있어, 예컨대, 휴대 전화, 노트북, 전자 서적 등에 탑재되는 터치 패널에 이용되는 도전성 페이스트로서 유용하다.INDUSTRIAL APPLICABILITY The conductive paste for laser etching of the present invention can provide an electroconductive thin film excellent in reliability in wet heat and environment and capable of maintaining the durability of the coating film as the conductive thin film while maintaining suitability for laser etching processing, And is useful as a conductive paste for use in a touch panel mounted on an electronic book or the like.

1a, 2a, 3a, 4a : 단자 1a, 2a, 3a, 4a
1b, 2b, 3b, 4b : 세선 1b, 2b, 3b, 4b
1c, 2c, 3c, 4c : 단자 1c, 2c, 3c, 4c
5 : 레이저 에칭 가공 적성 평가 시험편 상에 형성되는 패턴
1a, 2a, 3a, 4a: terminals 1a, 2a, 3a, 4a
1b, 2b, 3b, 4b: thin lines 1b, 2b, 3b, 4b
1c, 2c, 3c, 4c: terminals 1c, 2c, 3c, 4c
5: Evaluation of suitability for laser etching processing A pattern

Claims (12)

열가소성 수지를 포함하는 바인더 수지(A), 금속 가루(B) 및 유기 용제(C)를 함유하는 레이저 에칭 가공용 도전성 페이스트.1. A conductive paste for laser etching comprising a binder resin (A), a metal powder (B), and an organic solvent (C) containing a thermoplastic resin. 제1항에 있어서, 상기 바인더 수지(A)가, 수평균 분자량이 5,000∼60,000이며, 또한, 유리 전이 온도가 60∼100℃인 열가소성 수지인 것을 특징으로 하는 레이저 에칭 가공용 도전성 페이스트.The conductive paste for laser etching according to claim 1, wherein the binder resin (A) is a thermoplastic resin having a number average molecular weight of 5,000 to 60,000 and a glass transition temperature of 60 to 100 占 폚. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 바인더 수지(A)가, 폴리에스테르 수지, 폴리우레탄 수지, 에폭시 수지, 염화비닐 수지, 섬유소 유도체 수지로 이루어지는 군으로부터 선택되는 1종 또는 2종 이상의 혼합물인 것을 특징으로 하는 레이저 에칭 가공용 도전성 페이스트.The positive resist composition according to claim 1 or 2, wherein the binder resin (A) is a mixture of one or more kinds selected from the group consisting of a polyester resin, a polyurethane resin, an epoxy resin, a vinyl chloride resin, Wherein the conductive paste is a conductive paste for laser etching. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 바인더 수지(A)가, 산가 50∼300 당량/106 g인 폴리에스테르 수지 및 산가 50∼300 당량/106 g인 폴리우레탄 수지로 이루어지는 군으로부터 선택되는 1종 또는 2종 이상의 혼합물인 것을 특징으로 하는 레이저 에칭 가공용 도전성 페이스트.3. A method according to claim 1 or 2, wherein the binder resin (A), an acid value of 50 to 300 equivalents / 10 6 g of polyester resin, and an acid value of 50 to 300 equivalents / 10 6 g of polyester selected from the group consisting of a urethane resin Wherein the conductive paste is a mixture of two or more of the conductive paste. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서, 레이저광 흡수제(D)를 더 함유하는 것을 특징으로 하는 레이저 에칭 가공용 도전성 페이스트.The conductive paste for laser etching according to any one of claims 1 to 4, further comprising a laser ray absorbent (D). 제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 기재된 레이저 에칭 가공용 도전성 페이스트로부터 형성된 도전성 박막.An electroconductive thin film formed from the electroconductive paste for laser etching according to any one of claims 1 to 5. 제6항에 기재된 도전성 박막과 기재가 적층되어 있는 도전성 적층체.The conductive laminate according to claim 6, wherein the conductive thin film and the substrate are laminated. 제7항에 있어서, 상기 기재가 투명 도전성층을 갖는 것을 특징으로 하는 도전성 적층체.The conductive laminate according to claim 7, wherein the substrate has a transparent conductive layer. 제6항에 기재된 도전성 박막, 또는, 제7항 또는 제8항에 기재된 도전성 적층체를 이용하여 이루어지는 전기 회로.An electric circuit using the conductive thin film according to claim 6 or the conductive laminate according to claim 7 or 8. 제6항에 기재된 도전성 박막의 일부에, 탄산 가스 레이저, YAG 레이저, 파이버 레이저 및 반도체 레이저로부터 선택되는 레이저광을 조사하여, 상기 도전성 박막의 일부를 제거함으로써 형성된 배선 부위를 갖는 전기 회로.An electric circuit having a wiring portion formed by irradiating a part of the conductive thin film according to claim 6 with a laser beam selected from a carbonic acid gas laser, a YAG laser, a fiber laser and a semiconductor laser to remove a part of the conductive thin film. 제9항에 있어서, 상기 도전성 박막이 투명 도전성층 상에 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 전기 회로.The electric circuit according to claim 9, wherein the conductive thin film is formed on the transparent conductive layer. 제9항 내지 제11항 중 어느 한 항에 기재된 전기 회로를 구성 부재로서 포함하는 터치 패널.A touch panel comprising the electric circuit according to any one of claims 9 to 11 as a constituent member.
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