JP2011035075A - Method of manufacturing film for semiconductor and the film for semiconductor - Google Patents

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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method of efficiently manufacturing a film for semiconductors that has excellent dicing properties and pickup properties to manufacture a semiconductor device with a high yield, while preventing a failure from occurring in a semiconductor element, and also to provide a film for semiconductors manufactured thereby. <P>SOLUTION: The film 10 for semiconductors is composed such that a semiconductor wafer is stacked onto an adhesive layer 3, the semiconductor wafer is supported for dividing into individual pieces in dicing, and a first adhesive layer 1 is separated from the adhesive layer 3 in pickup of the obtained individual pieces. In the film 10 for semiconductors, a support film 4, a second adhesive layer 2, the first adhesive layer 1, and the adhesive layer 3 are stacked in this order. When the first adhesive layer 1 and adhesive layer 3 are stacked, they are heated such that the product of heating temperature and heating time becomes 10-300(°C×s). <P>COPYRIGHT: (C)2011,JPO&INPIT

Description

本発明は、半導体用フィルムの製造方法および半導体用フィルムに関するものである。   The present invention relates to a method for producing a semiconductor film and a semiconductor film.

近年の電子機器の高機能化とモバイル用途への拡大に対応して半導体装置の高密度化、高集積化の要求が強まり、ＩＣパッケージの大容量高密度化が進んでいる。   In response to the recent increase in functionality of electronic devices and expansion to mobile applications, there is an increasing demand for higher density and higher integration of semiconductor devices, and IC packages are increasing in capacity and density.

これらの半導体装置の製造方法においては、まず、ケイ素、ガリウム、ヒ素などからなる半導体ウエハーに接着シートを貼付し、半導体ウエハーの周囲をウエハーリングで固定しながらダイシング工程で前記半導体ウエハーを個々の半導体素子に切断分離（個片化）する。次いで、個片化した個々の半導体素子同士を引き離すエキスパンディング工程と、個片化した半導体素子をピックアップするピックアップ工程とを行う。その後、ピックアップした半導体素子を金属リードフレームまたは基板（例えばテープ基板、有機硬質基板等）に搭載するためのダイボンディング工程へ移送する。これにより、半導体装置が得られる。   In these semiconductor device manufacturing methods, first, an adhesive sheet is attached to a semiconductor wafer made of silicon, gallium, arsenic, etc., and the semiconductor wafer is separated into individual semiconductors by a dicing process while fixing the periphery of the semiconductor wafer with a wafer ring. The device is cut and separated (divided into individual pieces). Next, an expanding process for separating the individual semiconductor elements separated from each other and a pickup process for picking up the separated semiconductor elements are performed. Thereafter, the picked-up semiconductor element is transferred to a die bonding process for mounting on a metal lead frame or a substrate (for example, a tape substrate, an organic hard substrate, etc.). Thereby, a semiconductor device is obtained.

また、ダイボンディング工程では、ピックアップした半導体素子を、他の半導体素子上に積層することにより、１つのパッケージ内に複数の半導体素子を搭載したチップスタック型の半導体装置を得ることもできる。   In the die bonding process, the picked-up semiconductor element is stacked on another semiconductor element, whereby a chip stack type semiconductor device in which a plurality of semiconductor elements are mounted in one package can be obtained.

このような半導体装置の製造方法において用いられる接着シートとしては、基材フィルム上に第１の粘接着剤層と第２の粘接着剤層とをこの順で積層してなるものが知られている（例えば、特許文献１参照）。   As an adhesive sheet used in such a method for manufacturing a semiconductor device, one obtained by laminating a first adhesive layer and a second adhesive layer in this order on a base film is known. (For example, refer to Patent Document 1).

この接着シートは、半導体ウエハーに貼り付けられた状態で前述したダイシング工程に供される。ダイシング工程では、ダイシングブレードの先端が基材フィルムに到達するように切り込みを設けることで、半導体ウエハーと２層の粘接着剤層とが複数の部分に個片化される。そして、ピックアップ工程では、基材フィルムと２層の粘接着剤層との界面で剥離が生じ、個片化された半導体素子が、個片化された２層の粘接着剤層とともにピックアップされる。ピックアップされた２層の粘接着剤層は、ダイボンディング工程において、個片化された半導体素子と金属リードフレーム（または基板）との間の接着を担うこととなる。   This adhesive sheet is subjected to the dicing process described above in a state of being attached to a semiconductor wafer. In the dicing step, the semiconductor wafer and the two adhesive layers are separated into a plurality of parts by providing a cut so that the tip of the dicing blade reaches the base film. In the pickup process, peeling occurs at the interface between the base film and the two adhesive layers, and the separated semiconductor element is picked up together with the separated two adhesive layers. Is done. The two adhesive layers picked up are responsible for adhesion between the separated semiconductor element and the metal lead frame (or substrate) in the die bonding step.

しかしながら、半導体装置の製造にあたっては、優れたピックアップ性、すなわちピックアップ工程において半導体素子に割れや欠け等の不具合を発生させることなく、剥離すべき界面（特許文献１の場合、基材フィルムと２層の粘接着剤層との界面）で容易かつ確実に剥離を生じさせる特性が求められるが、従来の方法ではそれが十分ではないという問題があった。   However, when manufacturing a semiconductor device, excellent pick-up property, that is, an interface to be peeled without causing defects such as cracks and chips in a semiconductor element in the pick-up process (in the case of Patent Document 1, two layers of a base film and two layers) However, the conventional method has a problem that it is not sufficient.

特開２００４−４３７６１号公報JP 2004-43761 A

本発明の目的は、ダイシング性およびピックアップ性に優れ、半導体素子に対する不具合の発生を防止しつつ、高い歩留まりで半導体装置を製造し得る半導体用フィルムを効率よく製造することができる半導体用フィルムの製造方法、およびかかる半導体用フィルムの製造方法により製造された半導体用フィルムを提供することにある。   An object of the present invention is to produce a semiconductor film capable of efficiently producing a semiconductor film capable of producing a semiconductor device with a high yield while being excellent in dicing property and pick-up property and preventing occurrence of defects in a semiconductor element. It is providing the film for semiconductors manufactured by the method and the manufacturing method of this film for semiconductors.

このような目的は、下記（１）〜（１１）の本発明により達成される。
（１） 接着層と少なくとも１層の粘着層と支持フィルムとがこの順で積層されてなり、前記接着層の前記粘着層と反対側の面に半導体ウエハーを積層させ、この状態で該半導体ウエハーおよび前記接着層を切断してそれぞれ個片化し、得られた個片を前記支持フィルムからピックアップする際に用いる半導体用フィルムを製造する方法であって、
前記接着層と前記粘着層との積層は、これらを加熱しつつ重ね合わせることで行われ、
前記加熱における加熱温度と加熱時間の積は、１０〜３００（℃・ｓ）であることを特徴とする半導体用フィルムの製造方法。 Such an object is achieved by the present inventions (1) to (11) below.
(1) An adhesive layer, at least one adhesive layer, and a support film are laminated in this order, and a semiconductor wafer is laminated on the surface of the adhesive layer opposite to the adhesive layer, and in this state, the semiconductor wafer And cutting the adhesive layer into individual pieces, and a method for producing a semiconductor film used when picking up the obtained individual pieces from the support film,
Lamination of the adhesive layer and the adhesive layer is performed by superimposing them while heating,
The product of the heating temperature and the heating time in the heating is 10 to 300 (° C. · s).

（２） 前記接着層を構成する樹脂組成物に含まれる最もガラス転移温度が低い熱可塑性樹脂のガラス転移温度は、−２５〜１００℃である上記（１）に記載の半導体用フィルムの製造方法。   (2) The method for producing a film for a semiconductor according to (1) above, wherein the glass transition temperature of the thermoplastic resin having the lowest glass transition temperature contained in the resin composition constituting the adhesive layer is −25 to 100 ° C. .

（３） 前記加熱温度は、前記接着層を構成する樹脂組成物に含まれる最もガラス転移温度が高い熱可塑性樹脂のガラス転移温度をＴｇとしたとき、０．５Ｔｇ〜１．５Ｔｇであり、かつ常温以上である上記（１）または（２）に記載の半導体用フィルムの製造方法。   (3) The heating temperature is 0.5 Tg to 1.5 Tg, where Tg is the glass transition temperature of the thermoplastic resin having the highest glass transition temperature contained in the resin composition constituting the adhesive layer, and The manufacturing method of the film for semiconductors as described in said (1) or (2) which is normal temperature or more.

（４） 前記熱可塑性樹脂は、アクリル系樹脂である上記（１）ないし（３）のいずれかに記載の半導体用フィルムの製造方法。   (4) The method for producing a film for a semiconductor according to any one of (1) to (3), wherein the thermoplastic resin is an acrylic resin.

（５） 前記接着層と前記粘着層との積層は、これらを加熱しつつ厚さ方向に加圧することにより行われ、
前記加圧の際の圧力は、０．０１〜１ＭＰａである上記（１）ないし（４）のいずれかに記載の半導体用フィルムの製造方法。 (5) Lamination of the adhesive layer and the adhesive layer is performed by pressing in the thickness direction while heating them,
The method for producing a film for a semiconductor according to any one of the above (1) to (4), wherein the pressure during the pressurization is 0.01 to 1 MPa.

（６） 前記接着層の構成材料の８０℃における溶融粘度は、５×１０２〜１×１０５Ｐａ・ｓである上記（１）ないし（５）のいずれかに記載の半導体用フィルムの製造方法。 (6) Manufacture of the film for semiconductors in any one of said (1) thru | or (5) whose melt viscosity in 80 degreeC of the constituent material of the said contact bonding layer is 5 * 10 < 2 > -1 * 10 < 5 > Pa * s. Method.

（７） 前記粘着層は、複数の層で構成されており、
該複数の層は、前記半導体ウエハー側に位置する第１粘着層と、この第１粘着層の前記支持フィルム側に隣接し、前記第１粘着層よりも粘着性の大きい第２粘着層とを含んでいる上記（１）ないし（６）のいずれかに記載の半導体用フィルムの製造方法。 (7) The adhesive layer is composed of a plurality of layers,
The plurality of layers include a first adhesive layer located on the semiconductor wafer side, and a second adhesive layer adjacent to the support film side of the first adhesive layer and having higher adhesiveness than the first adhesive layer. The manufacturing method of the film for semiconductors in any one of said (1) thru | or (6) which contains.

（８） 前記第１粘着層のショアＤ硬度は、２０〜６０である上記（７）に記載の半導体用フィルムの製造方法。   (8) The manufacturing method of the film for a semiconductor according to (7), wherein the Shore D hardness of the first adhesive layer is 20 to 60.

（９） 前記支持フィルム上に前記粘着層を成膜する粘着層形成工程と、
基材上に前記接着層を成膜する接着層形成工程と、
前記接着層と前記粘着層とが接するように、前記基材と前記支持フィルムとを重ね合わせる積層工程とを有する上記（１）ないし（８）のいずれかに記載の半導体用フィルムの製造方法。 (9) an adhesive layer forming step of forming the adhesive layer on the support film;
An adhesive layer forming step of forming the adhesive layer on a substrate;
The manufacturing method of the film for semiconductors in any one of said (1) thru | or (8) which has a lamination process which piles up the said base material and the said support film so that the said contact bonding layer and the said adhesion layer may contact | connect.

（１０） 上記（１）ないし（９）のいずれかに記載の半導体用フィルムの製造方法により製造された半導体用フィルムであって、
前記個片を前記粘着層から剥離させる際に測定される密着力は、０．０５〜０．５（Ｎ／ｃｍ）の範囲内にあることを特徴とする半導体用フィルム。 (10) A semiconductor film produced by the method for producing a semiconductor film according to any one of (1) to (9) above,
The film for a semiconductor, wherein an adhesion force measured when the pieces are peeled from the adhesive layer is in a range of 0.05 to 0.5 (N / cm).

（１１） 前記接着層と前記粘着層との間に、平面視における外径が１０μｍ以上の空隙を含まない上記（１０）に記載の半導体用フィルム。   (11) The film for a semiconductor according to the above (10), which does not include a gap having an outer diameter of 10 μm or more in a plan view between the adhesive layer and the adhesive layer.

本発明によれば、半導体用フィルムの製造過程において、接着層と粘着層とを貼り合わせる際に、これらの温度を所定の範囲内に制御することにより、ダイシング性およびピックアップ性に優れ、半導体素子の不具合の発生を防止しつつ、高い歩留まりで半導体装置を製造することが可能な半導体用フィルムを効率よく製造することができる。   According to the present invention, when the adhesive layer and the pressure-sensitive adhesive layer are bonded together in the production process of a semiconductor film, the temperature is controlled within a predetermined range, thereby providing excellent dicing properties and pickup properties. Thus, it is possible to efficiently produce a film for a semiconductor capable of producing a semiconductor device with a high yield while preventing the occurrence of this problem.

本発明の半導体用フィルムの第１実施形態およびこれを用いて半導体装置を製造する方法を説明するための縦断面図である。It is a longitudinal cross-sectional view for demonstrating 1st Embodiment of the film for semiconductors of this invention, and the method of manufacturing a semiconductor device using the same. 本発明の半導体用フィルムの第１実施形態およびこれを用いて半導体装置を製造する方法を説明するための縦断面図である。It is a longitudinal cross-sectional view for demonstrating 1st Embodiment of the film for semiconductors of this invention, and the method of manufacturing a semiconductor device using the same. 図１に示す半導体用フィルムを製造する方法（本発明の半導体用フィルムの製造方法）を説明するための図である。It is a figure for demonstrating the method (the manufacturing method of the film for semiconductors of this invention) which manufactures the film for semiconductors shown in FIG. 本発明の半導体用フィルムの第２実施形態およびこれを用いて半導体装置を製造する方法を説明するための縦断面図である。It is a longitudinal cross-sectional view for demonstrating 2nd Embodiment of the film for semiconductors of this invention, and the method of manufacturing a semiconductor device using the same.

以下、本発明の半導体用フィルムの製造方法および半導体用フィルムについて添付図面に示す好適実施形態に基づいて詳細に説明する。   Hereinafter, the manufacturing method of the film for semiconductors of this invention and the film for semiconductors are demonstrated in detail based on suitable embodiment shown to an accompanying drawing.

＜第１実施形態＞
まず、本発明の半導体用フィルムの第１実施形態およびその製造方法について説明する。 <First Embodiment>
First, 1st Embodiment of the film for semiconductors of this invention and its manufacturing method are described.

図１および図２は、本発明の半導体用フィルムの第１実施形態およびこれを用いて半導体装置を製造する方法を説明するための縦断面図、図３は、図１に示す半導体用フィルムを製造する方法（本発明の半導体用フィルムの製造方法）を説明するための図である。なお、以下の説明では、図１ないし図３中の上側を「上」、下側を「下」という。   FIG. 1 and FIG. 2 are longitudinal sectional views for explaining a first embodiment of a semiconductor film of the present invention and a method of manufacturing a semiconductor device using the same, and FIG. 3 shows the semiconductor film shown in FIG. It is a figure for demonstrating the method to manufacture (the manufacturing method of the film for semiconductors of this invention). In the following description, the upper side in FIGS. 1 to 3 is referred to as “upper” and the lower side is referred to as “lower”.

［半導体用フィルム］
図１に示す半導体用フィルム１０は、支持フィルム４と、第１粘着層１と、第２粘着層２と、接着層３とを有している。より詳しくは、半導体用フィルム１０は、支持フィルム４上に、第２粘着層２と、第１粘着層１と、接着層３とをこの順で積層してなるものである。 [Semiconductor film]
A semiconductor film 10 shown in FIG. 1 has a support film 4, a first adhesive layer 1, a second adhesive layer 2, and an adhesive layer 3. More specifically, the semiconductor film 10 is obtained by laminating the second adhesive layer 2, the first adhesive layer 1, and the adhesive layer 3 on the support film 4 in this order.

このような半導体用フィルム１０は、図１（ａ）に示すように、接着層３の上面に半導体ウエハー７を積層させ、半導体ウエハー７をダイシングにより個片化する際に半導体ウエハー７を支持するとともに、個片化された半導体ウエハー７（半導体素子７１）をピックアップする際に、第１粘着層１と接着層３との間が選択的に剥離することにより、ピックアップした半導体素子７１を絶縁基板５上に接着するための接着層３１を提供する機能を有するものである。すなわち、半導体ウエハー７および接着層３をそれぞれ個片化し、半導体素子７１と接着層３１とを積層してなる個片８３をピックアップするのに半導体用フィルム１０が用いられる。   As shown in FIG. 1A, such a semiconductor film 10 supports a semiconductor wafer 7 when the semiconductor wafer 7 is laminated on the upper surface of the adhesive layer 3 and the semiconductor wafer 7 is separated into individual pieces by dicing. At the same time, when the separated semiconductor wafer 7 (semiconductor element 71) is picked up, the first adhesive layer 1 and the adhesive layer 3 are selectively peeled off, so that the picked-up semiconductor element 71 is insulated from the insulating substrate. 5 has a function of providing an adhesive layer 31 for adhering onto the substrate 5. That is, the semiconductor film 10 and the adhesive layer 3 are separated into individual pieces, and the semiconductor film 10 is used to pick up the individual pieces 83 formed by laminating the semiconductor element 71 and the adhesive layer 31.

また、支持フィルム４の外周部４１および第２粘着層２の外周部２１は、それぞれ第１粘着層１の外周縁１１を越えて外側に存在している。   Further, the outer peripheral portion 41 of the support film 4 and the outer peripheral portion 21 of the second adhesive layer 2 exist outside the outer peripheral edge 11 of the first adhesive layer 1, respectively.

このうち、外周部２１には、ウエハーリング９が貼り付けられる。これにより、半導体ウエハー７が確実に支持されることとなる。   Among these, the wafer ring 9 is attached to the outer peripheral portion 21. Thereby, the semiconductor wafer 7 is reliably supported.

以下、半導体用フィルム１０の各部の構成について順次詳述する。
（第１粘着層）
第１粘着層１は、一般的な粘着剤で構成されている。具体的には、第１粘着層１は、アクリル系粘着剤、ゴム系粘着剤等を含む第１樹脂組成物で構成されている。 Hereinafter, the configuration of each part of the semiconductor film 10 will be described in detail.
(First adhesive layer)
The first adhesive layer 1 is composed of a general adhesive. Specifically, the 1st adhesion layer 1 is comprised by the 1st resin composition containing an acrylic adhesive, a rubber-type adhesive, etc.

アクリル系粘着剤としては、例えば（メタ）アクリル酸およびそれらのエステルで構成される樹脂、（メタ）アクリル酸およびそれらのエステルと、それらと共重合可能な不飽和単量体（例えば酢酸ビニル、スチレン、アクリルニトリル等）との共重合体等が挙げられる。また、これらの樹脂を２種類以上混合してもよい。   Examples of the acrylic pressure-sensitive adhesive include resins composed of (meth) acrylic acid and esters thereof, (meth) acrylic acid and esters thereof, and unsaturated monomers copolymerizable therewith (for example, vinyl acetate, And a copolymer with styrene, acrylonitrile, etc.). Two or more of these resins may be mixed.

また、これらの中でも（メタ）アクリル酸メチル、（メタ）アクリル酸エチルヘキシルおよび（メタ）アクリル酸ブチルからなる群から選ばれる１種以上と、（メタ）アクリル酸ヒドロキシエチルおよび酢酸ビニルの中から選ばれる１種以上との共重合体が好ましい。これにより、第１粘着層１が粘着する相手（被着体）との密着性や粘着性の制御が容易になる。   Of these, one or more selected from the group consisting of methyl (meth) acrylate, ethylhexyl (meth) acrylate and butyl (meth) acrylate, and selected from hydroxyethyl (meth) acrylate and vinyl acetate Preferred are copolymers with one or more of the above. Thereby, control of adhesiveness and adhesiveness with the other party (adherent body) which the 1st adhesion layer 1 adheres becomes easy.

また、第１樹脂組成物には、粘着性（接着性）を制御するためにウレタンアクリレート、アクリレートモノマー、多価イソシアネート化合物（例えば、２，４−トリレンジイソシアネート、２，６−トリレンジイソシアネート）等のイソシアネート化合物等のモノマーおよびオリゴマーを添加してもよい。   In addition, the first resin composition includes urethane acrylate, acrylate monomer, polyvalent isocyanate compound (for example, 2,4-tolylene diisocyanate, 2,6-tolylene diisocyanate) in order to control adhesiveness (adhesiveness). Monomers and oligomers such as isocyanate compounds may be added.

さらに、第１樹脂組成物には、第１粘着層１を紫外線等により硬化させる場合、光重合開始剤としてメトキシアセトフェノン、２，２−ジメトキシ−２−フェニルアセトフエノン、２，２−ジエトキシアセトフェノン、２−メチル−１−［４−（メチルチオ）−フェニル］−２−モルホリノプロパン−１等のアセトフェノン系化合物、ベンゾフェノン系化合物、ベンゾイン系化合物、ベンゾインイソブチルエーテル系化合物、ベンゾイン安息香酸メチル系化合物、ベンゾイン安息香酸系化合物、ベンゾインメチルエーテル系化合物、ベンジルフィニルサルファイド系化合物、ベンジル系化合物、ジベンジル系化合物、ジアセチル系化合物等を添加してもよい。   Further, in the first resin composition, when the first adhesive layer 1 is cured by ultraviolet rays or the like, methoxyacetophenone, 2,2-dimethoxy-2-phenylacetophenone, 2,2-diethoxy is used as a photopolymerization initiator. Acetophenone compounds such as acetophenone and 2-methyl-1- [4- (methylthio) -phenyl] -2-morpholinopropane-1, benzophenone compounds, benzoin compounds, benzoin isobutyl ether compounds, methyl benzoin benzoate compounds A benzoin benzoic acid compound, a benzoin methyl ether compound, a benzylfinyl sulfide compound, a benzyl compound, a dibenzyl compound, a diacetyl compound, or the like may be added.

また、接着強度およびシェア強度を高める目的で、ロジン樹脂、テルペン樹脂、クマロン樹脂、フェノール樹脂、スチレン樹脂、脂肪族系石油樹脂、芳香族系石油樹脂、脂肪族芳香族系石油樹脂等の粘着付与材等を添加してもよい。   Also, for the purpose of increasing adhesive strength and shear strength, tackifying rosin resin, terpene resin, coumarone resin, phenol resin, styrene resin, aliphatic petroleum resin, aromatic petroleum resin, aliphatic aromatic petroleum resin, etc. Materials and the like may be added.

このような第１粘着層１の平均厚さは、特に限定されないが、１〜１００μｍ程度であるのが好ましく、特に３〜５０μｍ程度であるのがより好ましい。厚さが前記下限値未満であると十分な粘着力を確保するのが難しくなる場合があり、前記上限値を超えてもあまり特性に影響が無く、利点も得られない。厚さが前記範囲内であると、特に、ダイシング時に剥離せず、ピックアップ時には引っ張り荷重に伴って比較的容易に剥離可能になることから、ダイシング性、ピックアップ性に優れた第１粘着層１が得られる。   The average thickness of the first adhesive layer 1 is not particularly limited, but is preferably about 1 to 100 μm, more preferably about 3 to 50 μm. If the thickness is less than the lower limit value, it may be difficult to ensure sufficient adhesive strength. If the thickness exceeds the upper limit value, the characteristics are not significantly affected, and no advantage is obtained. When the thickness is within the above range, the first adhesive layer 1 having excellent dicing properties and pick-up properties can be obtained because it does not peel off particularly during dicing and can be peeled off relatively easily with a tensile load during pick-up. can get.

（第２粘着層）
第２粘着層２は、前述した第１粘着層１よりも粘着性が高いものである。これにより、第１粘着層１と接着層３との間よりも、第２粘着層２とウエハーリング９との間が強固に粘着することとなり、第２の工程においては、半導体ウエハー７をダイシングして個片化する際に、第２粘着層２とウエハーリング９との間が確実に固定されることとなる。その結果、半導体ウエハー７の位置ずれが確実に防止され、半導体素子７１の寸法精度の低下を防止することができる。 (Second adhesive layer)
The second adhesive layer 2 has higher adhesiveness than the first adhesive layer 1 described above. As a result, the adhesion between the second adhesive layer 2 and the wafer ring 9 is more tightly adhered than between the first adhesive layer 1 and the adhesive layer 3, and in the second step, the semiconductor wafer 7 is diced. Thus, when separating into pieces, the space between the second adhesive layer 2 and the wafer ring 9 is securely fixed. As a result, the positional deviation of the semiconductor wafer 7 is reliably prevented, and the dimensional accuracy of the semiconductor element 71 can be prevented from being lowered.

第２粘着層２には、前述した第１粘着層１と同様のものを用いることができる。具体的には、第２粘着層２は、アクリル系粘着剤、ゴム系粘着剤等を含む第２樹脂組成物で構成されている。   As the second adhesive layer 2, the same material as the first adhesive layer 1 described above can be used. Specifically, the second adhesive layer 2 is composed of a second resin composition containing an acrylic adhesive, a rubber adhesive, and the like.

アクリル系粘着剤としては、例えば（メタ）アクリル酸およびそれらのエステルで構成される樹脂、（メタ）アクリル酸およびそれらのエステルと、それらと共重合可能な不飽和単量体（例えば酢酸ビニル、スチレン、アクリルニトリル等）との共重合体等が用いられる。また、これらの共重合体を２種類以上混合してもよい。   Examples of the acrylic pressure-sensitive adhesive include resins composed of (meth) acrylic acid and esters thereof, (meth) acrylic acid and esters thereof, and unsaturated monomers copolymerizable therewith (for example, vinyl acetate, Copolymers with styrene, acrylonitrile, etc.) are used. Two or more kinds of these copolymers may be mixed.

また、これらの中でも（メタ）アクリル酸メチル、（メタ）アクリル酸エチルヘキシルおよび（メタ）アクリル酸ブチルからなる群から選ばれる１種以上と、（メタ）アクリル酸ヒドロキシエチルおよび酢酸ビニルの中から選ばれる１種以上との共重合体が好ましい。これにより、第２粘着層２が粘着する相手（被着体）との密着性や粘着性の制御が容易になる。   Of these, one or more selected from the group consisting of methyl (meth) acrylate, ethylhexyl (meth) acrylate and butyl (meth) acrylate, and selected from hydroxyethyl (meth) acrylate and vinyl acetate Preferred are copolymers with one or more of the above. Thereby, control of adhesiveness and adhesiveness with the other party (adhered body) which the 2nd adhesion layer 2 adheres becomes easy.

また、第２樹脂組成物には、粘着性（接着性）を制御するためにウレタンアクリレート、アクリレートモノマー、多価イソシアネート化合物（例えば、２，４−トリレンジイソシアネート、２，６−トリレンジイソシアネート）等のイソシアネート化合物等のモノマーおよびオリゴマーを添加してもよい。   In addition, the second resin composition includes urethane acrylate, an acrylate monomer, and a polyvalent isocyanate compound (for example, 2,4-tolylene diisocyanate, 2,6-tolylene diisocyanate) in order to control adhesiveness (adhesiveness). Monomers and oligomers such as isocyanate compounds may be added.

さらに、第２樹脂組成物には、第１樹脂組成物と同様の光重合開始剤を添加してもよい。   Furthermore, you may add the photoinitiator similar to a 1st resin composition to a 2nd resin composition.

また、接着強度およびシェア強度を高める目的で、ロジン樹脂、テルペン樹脂、クマロン樹脂、フェノール樹脂、スチレン樹脂、脂肪族系石油樹脂、芳香族系石油樹脂、脂肪族芳香族系石油樹脂等の粘着付与材等を添加してもよい。   Also, for the purpose of increasing adhesive strength and shear strength, tackifying rosin resin, terpene resin, coumarone resin, phenol resin, styrene resin, aliphatic petroleum resin, aromatic petroleum resin, aliphatic aromatic petroleum resin, etc. Materials and the like may be added.

このような第２粘着層２の平均厚さは、特に限定されないが、１〜１００μｍ程度であるのが好ましく、特に３〜２０μｍ程度であるのがより好ましい。厚さが前記下限値未満であると十分な粘着力を確保するのが困難となる場合があり、前記上限値を超えても特に優れた効果が得られない。また、第２粘着層２は、第１粘着層１によりも柔軟性が高いため、第２粘着層２の平均厚さが前記範囲内であれば、第２粘着層２の形状追従性が確保され、半導体用フィルム１０の半導体ウエハー７に対する密着性をより高めることができる。   The average thickness of the second adhesive layer 2 is not particularly limited, but is preferably about 1 to 100 μm, and more preferably about 3 to 20 μm. If the thickness is less than the lower limit, it may be difficult to ensure sufficient adhesive force, and even if the thickness exceeds the upper limit, a particularly excellent effect cannot be obtained. In addition, since the second adhesive layer 2 is higher in flexibility than the first adhesive layer 1, the shape following property of the second adhesive layer 2 is ensured if the average thickness of the second adhesive layer 2 is within the above range. Thus, the adhesion of the semiconductor film 10 to the semiconductor wafer 7 can be further enhanced.

（接着層）
接着層３は、例えば熱可塑性樹脂と熱硬化性樹脂とを含む第３樹脂組成物で構成されている。このような樹脂組成物は、フィルム形成能、接着性および硬化後の耐熱性に優れる。 (Adhesive layer)
The adhesive layer 3 is made of a third resin composition containing, for example, a thermoplastic resin and a thermosetting resin. Such a resin composition is excellent in film forming ability, adhesiveness, and heat resistance after curing.

このうち、熱可塑性樹脂としては、例えばポリイミド樹脂、ポリエーテルイミド樹脂等のポリイミド系樹脂、ポリアミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂等のポリアミド系樹脂、アクリル系樹脂、フェノキシ樹脂等が挙げられる。これらの熱可塑性樹脂は、１種類を単独で用いても、２種類以上を併用してもよい。これらの中でもアクリル系樹脂が好ましい。アクリル系樹脂は、ガラス転移温度が低いため接着層３の初期密着性をより向上することができる。   Among these, examples of the thermoplastic resin include polyimide resins such as polyimide resins and polyetherimide resins, polyamide resins such as polyamide resins and polyamideimide resins, acrylic resins, and phenoxy resins. These thermoplastic resins may be used alone or in combination of two or more. Among these, acrylic resins are preferable. Since the acrylic resin has a low glass transition temperature, the initial adhesion of the adhesive layer 3 can be further improved.

なお、アクリル系樹脂とは、アクリル酸およびその誘導体を意味し、具体的にはアクリル酸、メタクリル酸、アクリル酸メチル、アクリル酸エチル等のアクリル酸エステル、メタクリル酸メチル、メタクリル酸エチル等のメタクリル酸エステル、アクリロニトリル、アクリルアミド等の重合体および他の単量体との共重合体等が挙げられる。   The acrylic resin means acrylic acid and its derivatives. Specifically, acrylic esters such as acrylic acid, methacrylic acid, methyl acrylate, and ethyl acrylate, and methacrylates such as methyl methacrylate and ethyl methacrylate. Examples thereof include polymers such as acid esters, acrylonitrile, and acrylamide, and copolymers with other monomers.

また、アクリル系樹脂の中でもエポキシ基、水酸基、カルボキシル基、ニトリル基等の官能基を持つ化合物（共重合モノマー成分）を有するアクリル系樹脂（特に、アクリル酸エステル共重合体）が好ましい。これにより、半導体素子７１等の被着体への密着性をより向上することができる。前記官能基を持つ化合物としては、具体的にはグリシジルエーテル基を持つグリシジルメタクリレート、水酸基を持つヒドロキシメタクリレート、カルボキシル基を持つカルボキシメタクリレート、ニトリル基を持つアクリロニトリル等が挙げられる。   Among acrylic resins, acrylic resins (particularly acrylic ester copolymers) having a compound having a functional group such as epoxy group, hydroxyl group, carboxyl group, nitrile group (copolymerization monomer component) are preferable. Thereby, the adhesiveness to adherends, such as semiconductor element 71, can be improved more. Specific examples of the compound having a functional group include glycidyl methacrylate having a glycidyl ether group, hydroxy methacrylate having a hydroxyl group, carboxy methacrylate having a carboxyl group, and acrylonitrile having a nitrile group.

また、前記官能基を持つ化合物の含有量は、特に限定されないが、アクリル系樹脂全体の０．５〜４０重量％程度であるのが好ましく、特に５〜３０重量％程度であるのがより好ましい。含有量が前記下限値未満であると密着性を向上する効果が低下する場合があり、前記上限値を超えると粘着力が強すぎて作業性を向上する効果が低下する場合がある。   Further, the content of the compound having the functional group is not particularly limited, but is preferably about 0.5 to 40% by weight, more preferably about 5 to 30% by weight of the whole acrylic resin. . When the content is less than the lower limit, the effect of improving the adhesion may be reduced, and when the content exceeds the upper limit, the adhesive force is too strong and the effect of improving the workability may be reduced.

また、熱可塑性樹脂のガラス転移温度は、特に限定されないが、半導体用フィルム１０と半導体ウエハー７とを積層する際の作業性及び低温接着性を考慮すると、最もガラス転移温度が低い熱可塑性樹脂のガラス転移温度が、−２５〜１００℃であることが好ましく、特に−２０〜６０℃であることがより好ましく、−１０〜５０℃であることがさらに好ましい。最もガラス転移温度が低い熱可塑性樹脂のガラス転移温度が前記下限値未満であると接着層３の粘着力が強くなり作業性が低下する場合があり、前記上限値を超えると低温接着性を向上する効果が低下する場合がある。   Further, the glass transition temperature of the thermoplastic resin is not particularly limited. However, in consideration of workability and low-temperature adhesiveness when the semiconductor film 10 and the semiconductor wafer 7 are laminated, the thermoplastic resin having the lowest glass transition temperature is used. The glass transition temperature is preferably −25 to 100 ° C., particularly preferably −20 to 60 ° C., and further preferably −10 to 50 ° C. When the glass transition temperature of the thermoplastic resin having the lowest glass transition temperature is less than the lower limit value, the adhesive strength of the adhesive layer 3 may be increased and workability may be reduced. When the upper limit value is exceeded, the low temperature adhesiveness is improved. Effect may be reduced.

また、熱可塑性樹脂（特にアクリル系樹脂）の重量平均分子量は、特に限定されないが、１０万以上が好ましく、特に１５万〜１００万が好ましい。重量平均分子量が前記範囲内であると、特に接着層３の成膜性を向上することができる。   Further, the weight average molecular weight of the thermoplastic resin (particularly acrylic resin) is not particularly limited, but is preferably 100,000 or more, particularly preferably 150,000 to 1,000,000. When the weight average molecular weight is within the above range, the film formability of the adhesive layer 3 can be particularly improved.

一方、熱硬化性樹脂としては、例えばフェノールノボラック樹脂、クレゾールノボラック樹脂、ビスフェノールＡノボラック樹脂等のノボラック型フェノール樹脂、レゾールフェノール樹脂等のフェノール樹脂、ビスフェノールＡエポキシ樹脂、ビスフェノールＦエポキシ樹脂等のビスフェノール型エポキシ樹脂、ノボラックエポキシ樹脂、クレゾールノボラックエポキシ樹脂等のノボラック型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、スチルベン型エポキシ樹脂、トリフェノールメタン型エポキシ樹脂、アルキル変性トリフェノールメタン型エポキシ樹脂、トリアジン核含有エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン変性フェノール型エポキシ樹脂等のエポキシ樹脂、ユリア（尿素）樹脂、メラミン樹脂等のトリアジン環を有する樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、ビスマレイミド樹脂、ポリウレタン樹脂、ジアリルフタレート樹脂、シリコーン樹脂、ベンゾオキサジン環を有する樹脂、シアネートエステル樹脂等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上の混合物を用いるようにしてもよい。また、これらの中でもエポキシ樹脂またはフェノール樹脂が好ましい。これらの樹脂によれば、接着層３の耐熱性および密着性をより向上することができる。   On the other hand, examples of thermosetting resins include phenol novolac resins, cresol novolak resins, novolac type phenol resins such as bisphenol A novolak resins, phenol resins such as resol phenol resins, bisphenol types such as bisphenol A epoxy resins and bisphenol F epoxy resins. Epoxy resin, novolac epoxy resin, cresol novolac epoxy resin, etc. novolac epoxy resin, biphenyl type epoxy resin, stilbene type epoxy resin, triphenolmethane type epoxy resin, alkyl-modified triphenolmethane type epoxy resin, triazine nucleus-containing epoxy resin, Epoxy resins such as dicyclopentadiene-modified phenolic epoxy resins, urea (urea) resins, resins having a triazine ring such as melamine resins, Examples include polyester resins, bismaleimide resins, polyurethane resins, diallyl phthalate resins, silicone resins, resins having a benzoxazine ring, cyanate ester resins, and the like, and one or a mixture of two or more of these may be used. Good. Of these, epoxy resins or phenol resins are preferred. According to these resins, the heat resistance and adhesion of the adhesive layer 3 can be further improved.

また、熱硬化性樹脂の含有量は、特に限定されないが、熱可塑性樹脂１００重量部に対して０．０５〜１００重量部程度であるのが好ましく、特に０．１〜５０重量部程度であるのがより好ましい。含有量が前記上限値を上回ると、チッピングやクラックが起こる場合や、密着性を向上する効果が低下する場合があり、含有量が前記下限値を下回ると、粘着力が強すぎ、ピックアップ不良が起こる場合や、作業性を向上する効果が低下する場合がある。   The content of the thermosetting resin is not particularly limited, but is preferably about 0.05 to 100 parts by weight, particularly about 0.1 to 50 parts by weight with respect to 100 parts by weight of the thermoplastic resin. Is more preferable. If the content exceeds the upper limit, chipping and cracking may occur, or the effect of improving the adhesion may be reduced.If the content is lower than the lower limit, the adhesive force is too strong and pickup failure is caused. This may occur or the effect of improving workability may be reduced.

また、第３樹脂組成物は、さらに硬化剤（熱硬化性樹脂がエポキシ樹脂の場合、特に、フェノール系硬化剤）を含有することが好ましい。   The third resin composition preferably further contains a curing agent (in particular, when the thermosetting resin is an epoxy resin, a phenolic curing agent).

硬化剤としては、例えばジエチレントリアミン（ＤＥＴＡ）、トリエチレンテトラミン（ＴＥＴＡ）、メタキシレリレンジアミン（ＭＸＤＡ）等の脂肪族ポリアミン、ジアミノジフェニルメタン（ＤＤＭ）、ｍ−フェニレンジアミン（ＭＰＤＡ）、ジアミノジフェニルスルホン（ＤＤＳ）等の芳香族ポリアミン、ジシアンジアミド（ＤＩＣＹ）、有機酸ジヒドララジド等を含むポリアミン化合物等のアミン系硬化剤、ヘキサヒドロ無水フタル酸（ＨＨＰＡ）、メチルテトラヒドロ無水フタル酸（ＭＴＨＰＡ）等の脂環族酸無水物（液状酸無水物）、無水トリメリット酸（ＴＭＡ）、無水ピロメリット酸（ＰＭＤＡ）、ベンゾフェノンテトラカルボン酸（ＢＴＤＡ）等の芳香族酸無水物等の酸無水物系硬化剤、フェノール樹脂等のフェノール系硬化剤が挙げられる。これらの中でもフェノール系硬化剤が好ましく、具体的にはビス（４−ヒドロキシ−３，５−ジメチルフェニル）メタン（通称テトラメチルビスフェノールＦ）、４，４’−スルホニルジフェノール、４，４’−イソプロピリデンジフェノール（通称ビスフェノールＡ）、ビス（４−ヒドロキシフェニル）メタン、ビス（２−ヒドロキシフェニル）メタン、（２−ヒドロキシフェニル）（４−ヒドロキシフェニル）メタン、およびこれらの内ビス（４−ヒドロキシフェニル）メタン、ビス（２−ヒドロキシフェニル）メタン、（２−ヒドロキシフェニル）（４−ヒドロキシフェニル）メタンの３種の混合物（例えば、本州化学工業（株）製、ビスフェノールＦ−Ｄ）等のビスフェノール類、１，２−ベンゼンジオール、１，３−ベンゼンジオール、１，４−ベンゼンジオール等のジヒドロキシベンゼン類、１，２，４−ベンゼントリオール等のトリヒドロキシベンゼン類、１，６−ジヒドロキシナフタレン等のジヒドロキシナフタレン類の各種異性体、２，２’−ビフェノール、４，４’−ビフェノール等のビフェノール類の各種異性体等の化合物が挙げられる。   Examples of the curing agent include aliphatic polyamines such as diethylenetriamine (DETA), triethylenetetramine (TETA), and metaxylylenediamine (MXDA), diaminodiphenylmethane (DDM), m-phenylenediamine (MPDA), diaminodiphenylsulfone ( DDS) and other aromatic polyamines, dicyandiamide (DICY), amine-based curing agents such as polyamine compounds containing organic acid dihydralazide, and the like, hexahydrophthalic anhydride (HHPA), and cycloaliphatic acids such as methyltetrahydrophthalic anhydride (MTHPA) Acid anhydride curing agents such as anhydrides (liquid acid anhydrides), trimellitic anhydride (TMA), pyromellitic anhydride (PMDA), and benzophenone tetracarboxylic acid (BTDA), phenolic resins Phenolic Agents, and the like. Among these, a phenolic curing agent is preferable, and specifically, bis (4-hydroxy-3,5-dimethylphenyl) methane (common name: tetramethylbisphenol F), 4,4′-sulfonyldiphenol, 4,4′- Isopropylidenediphenol (commonly called bisphenol A), bis (4-hydroxyphenyl) methane, bis (2-hydroxyphenyl) methane, (2-hydroxyphenyl) (4-hydroxyphenyl) methane, and bis (4- Hydroxyphenyl) methane, bis (2-hydroxyphenyl) methane, (2-hydroxyphenyl) (4-hydroxyphenyl) methane, a mixture of three types (for example, bisphenol FD manufactured by Honshu Chemical Industry Co., Ltd.) Bisphenols, 1,2-benzenediol, 1,3-benzenedio Dihydroxybenzenes such as 1,4-benzenediol, trihydroxybenzenes such as 1,2,4-benzenetriol, various isomers of dihydroxynaphthalenes such as 1,6-dihydroxynaphthalene, 2,2′- Examples include compounds such as various isomers of biphenols such as biphenol and 4,4′-biphenol.

また、硬化剤（特にフェノール系硬化剤）の含有量は、特に限定されないが、熱可塑性樹脂１００重量部に対して１〜９０重量部であるのが好ましく、特に３〜６０重量部であるのがより好ましい。含有量が前記下限値を下回ると、接着層３の耐熱性を向上する効果が低下する場合があり、含有量が前記上限値を上回ると、接着層３の保存性が低下する場合がある。   Further, the content of the curing agent (particularly the phenolic curing agent) is not particularly limited, but is preferably 1 to 90 parts by weight, particularly 3 to 60 parts by weight with respect to 100 parts by weight of the thermoplastic resin. Is more preferable. If the content is less than the lower limit, the effect of improving the heat resistance of the adhesive layer 3 may be reduced, and if the content exceeds the upper limit, the storage stability of the adhesive layer 3 may be reduced.

また、前述した熱硬化性樹脂がエポキシ樹脂の場合は、エポキシ当量と硬化剤の当量比を計算して決めることができ、エポキシ樹脂のエポキシ当量と硬化剤の官能基の当量（例えばフェノール樹脂であれば水酸基当量）の比が０．５〜１．５であることが好ましく、特に０．７〜１．３であることが好ましい。含有量が前記下限値未満であると保存性が低下する場合があり、前記上限値を超えると耐熱性を向上する効果が低下する場合がある。   Further, when the thermosetting resin described above is an epoxy resin, it can be determined by calculating the equivalent ratio of the epoxy equivalent and the curing agent. The epoxy equivalent of the epoxy resin and the equivalent of the functional group of the curing agent (for example, phenol resin) If present, the ratio of hydroxyl equivalent) is preferably 0.5 to 1.5, particularly preferably 0.7 to 1.3. When the content is less than the lower limit value, the storage stability may be lowered, and when the content exceeds the upper limit value, the effect of improving the heat resistance may be lowered.

また、第３樹脂組成物は、特に限定されないが、さらに硬化触媒を含むことが好ましい。これにより、接着層３の硬化性を向上することができる。   Further, the third resin composition is not particularly limited, but preferably further includes a curing catalyst. Thereby, the sclerosis | hardenability of the contact bonding layer 3 can be improved.

硬化触媒としては、例えばイミダゾール類、１，８−ジアザビシクロ（５，４，０）ウンデセン等アミン系触媒、トリフェニルホスフィン等リン系触媒等が挙げられる。これらの中でもイミダゾール類が好ましい。これにより、特に速硬化性と保存性を両立することができる。   Examples of the curing catalyst include amine catalysts such as imidazoles and 1,8-diazabicyclo (5,4,0) undecene, phosphorus catalysts such as triphenylphosphine, and the like. Of these, imidazoles are preferred. Thereby, especially quick curability and preservability can be made compatible.

イミダゾール類としては、例えば１−ベンジル−２メチルイミダゾール、１−ベンジル−２フェニルイミダゾール、１−シアノエチル−２−エチル−４−メチルイミダゾール、２−フェニル−４−メチルイミダゾール、１−シアノエチル−２−フェニルイミダゾリウムトリメリテイト、２，４−ジアミノ−６−［２’−メチルイミダゾリル−（１’）］−エチル−ｓ−トリアジン、２，４−ジアミノ−６−［２’−ウンデシルイミダゾリル−（１’）］−エチル−ｓ−トリアジン、２，４−ジアミノ−６−［２’−エチル−４’メチルイミダゾリル−（１’）］−エチル−ｓ−トリアジン、２，４−ジアミノ−６−［２’−メチルイミダゾリル−（１’）］−エチル−ｓ−トリアジンイソシアヌル酸付加物、２−フェニルイミダゾールイソシアヌル酸付加物、２−フェニル−４，５−ジヒドロキシメチルイミダゾール、２−フェニル−４−メチル−５−ヒドロキシメチルイミダゾール、２，４−ジアミノ−６−ビニル−ｓ−トリアジン、２，４−ジアミノ−６−ビニル−ｓ−トリアジンイソシアヌル酸付加物、２，４−ジアミノ−６−メタクリロイルオキシエチル−ｓ−トリアジン、２，４−ジアミノ−６−メタクリロイルオキシエチル−ｓ−トリアジンイソシアヌル酸付加物等が挙げられる。これらの中でも２−フェニル−４，５−ジヒドロキシメチルイミダゾールまたは２−フェニル−４−メチル−５−ヒドロキシメチルイミダゾールが好ましい。これにより、保存性を特に向上することができる。   Examples of imidazoles include 1-benzyl-2-methylimidazole, 1-benzyl-2-phenylimidazole, 1-cyanoethyl-2-ethyl-4-methylimidazole, 2-phenyl-4-methylimidazole, 1-cyanoethyl-2- Phenylimidazolium trimellitate, 2,4-diamino-6- [2'-methylimidazolyl- (1 ')]-ethyl-s-triazine, 2,4-diamino-6- [2'-undecylimidazolyl- (1 ′)]-Ethyl-s-triazine, 2,4-diamino-6- [2′-ethyl-4′methylimidazolyl- (1 ′)]-ethyl-s-triazine, 2,4-diamino-6 -[2'-Methylimidazolyl- (1 ')]-ethyl-s-triazine isocyanuric acid adduct, 2-phenylimidazole Null acid adduct, 2-phenyl-4,5-dihydroxymethylimidazole, 2-phenyl-4-methyl-5-hydroxymethylimidazole, 2,4-diamino-6-vinyl-s-triazine, 2,4-diamino -6-vinyl-s-triazine isocyanuric acid adduct, 2,4-diamino-6-methacryloyloxyethyl-s-triazine, 2,4-diamino-6-methacryloyloxyethyl-s-triazine isocyanuric acid adduct, etc. Can be mentioned. Among these, 2-phenyl-4,5-dihydroxymethylimidazole or 2-phenyl-4-methyl-5-hydroxymethylimidazole is preferable. Thereby, the storage stability can be particularly improved.

また、硬化触媒の含有量は、特に限定されないが、熱可塑性樹脂１００重量部に対して０．０１〜３０重量部程度であるのが好ましく、特に０．５〜１０重量部程度であるのがより好ましい。含有量が前記下限値未満であると硬化性が不十分である場合があり、前記上限値を超えると保存性が低下する場合がある。   The content of the curing catalyst is not particularly limited, but is preferably about 0.01 to 30 parts by weight, particularly about 0.5 to 10 parts by weight with respect to 100 parts by weight of the thermoplastic resin. More preferred. If the content is less than the lower limit, the curability may be insufficient, and if the content exceeds the upper limit, the storage stability may decrease.

また、硬化触媒の平均粒子径は、特に限定されないが、１０μｍ以下であることが好ましく、特に１〜５μｍであることがより好ましい。平均粒子径が前記範囲内であると、特に硬化触媒の反応性に優れる。   The average particle diameter of the curing catalyst is not particularly limited, but is preferably 10 μm or less, and more preferably 1 to 5 μm. When the average particle size is within the above range, the reactivity of the curing catalyst is particularly excellent.

また、第３樹脂組成物は、特に限定されないが、さらにカップリング剤を含むことが好ましい。これにより、樹脂と被着体および樹脂界面の密着性をより向上させることができる。   The third resin composition is not particularly limited, but preferably further includes a coupling agent. Thereby, the adhesiveness of resin, a to-be-adhered body, and a resin interface can be improved more.

前記カップリング剤としてはシラン系カップリング剤、チタン系カップリング剤、アルミニウム系カップリング剤等が挙げられる。これらの中でもシラン系カップリング剤が好ましい。これにより、耐熱性をより向上することができる。   Examples of the coupling agent include a silane coupling agent, a titanium coupling agent, and an aluminum coupling agent. Of these, silane coupling agents are preferred. Thereby, heat resistance can be improved more.

このうち、シラン系カップリング剤としては、例えばビニルトリクロロシラン、ビニルトリメトキシシラン、ビニルトリエトキシシラン、β−（３，４エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルメチルジメトキシシラン、γ−メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン、γ−メタクリロキシプロピルメチルジエトキシシラン、γ−メタクリロキシプロピルトリエトキシシラン、Ｎ−β（アミノエチル）γ−アミノプロピルメチルジメトキシシラン、Ｎ−β（アミノエチル）γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ−β（アミノエチル）γ−アミノプロピルトリエトキシシラン、γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、γ−アミノプロピルトリエトキシシラン、Ｎ−フェニル−γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、γ−クロロプロピルトリメトキシシラン、γ−メルカプトプロピルトリメトキシシラン、３−イソシアネートプロピルトリエトキシシラン、３−アクリロキシプロピルトリメトキシシラン、ビス（３−トリエトキシシリルプロピル）テトラスルファンなどが挙げられる。   Among these, as the silane coupling agent, for example, vinyltrichlorosilane, vinyltrimethoxysilane, vinyltriethoxysilane, β- (3,4-epoxycyclohexyl) ethyltrimethoxysilane, γ-glycidoxypropyltrimethoxysilane, γ-glycidoxypropylmethyldimethoxysilane, γ-methacryloxypropyltrimethoxysilane, γ-methacryloxypropylmethyldiethoxysilane, γ-methacryloxypropyltriethoxysilane, N-β (aminoethyl) γ-aminopropylmethyl Dimethoxysilane, N-β (aminoethyl) γ-aminopropyltrimethoxysilane, N-β (aminoethyl) γ-aminopropyltriethoxysilane, γ-aminopropyltrimethoxysilane, γ-aminopropyltriethoxysila N-phenyl-γ-aminopropyltrimethoxysilane, γ-chloropropyltrimethoxysilane, γ-mercaptopropyltrimethoxysilane, 3-isocyanatopropyltriethoxysilane, 3-acryloxypropyltrimethoxysilane, bis (3 -Triethoxysilylpropyl) tetrasulfane and the like.

カップリング剤の含有量は、特に限定されないが、熱可塑性樹脂１００重量部に対して０．０１〜１０重量部程度であるのが好ましく、特に０．５〜１０重量部程度であるのがより好ましい。含有量が前記下限値未満であると密着性の効果が不十分である場合があり、前記上限値を超えるとアウトガスやボイドの原因になる場合がある。   The content of the coupling agent is not particularly limited, but is preferably about 0.01 to 10 parts by weight, more preferably about 0.5 to 10 parts by weight with respect to 100 parts by weight of the thermoplastic resin. preferable. If the content is less than the lower limit, the effect of adhesion may be insufficient, and if it exceeds the upper limit, it may cause outgassing or voids.

接着層３を成膜するにあたっては、このような第３樹脂組成物を、例えばメチルエチルケトン、アセトン、トルエン、ジメチルホルムアルデヒド等の溶剤に溶解して、ワニスの状態にした後、コンマコーター、ダイコーター、グラビアコーター等を用いてキャリアフィルムに塗工し、乾燥することで接着層３を得ることができる。   In forming the adhesive layer 3, such a third resin composition is dissolved in a solvent such as methyl ethyl ketone, acetone, toluene, dimethylformaldehyde and the like to form a varnish, followed by a comma coater, a die coater, The adhesive layer 3 can be obtained by coating on a carrier film using a gravure coater or the like and drying.

接着層３の平均厚さは、特に限定されないが、３〜１００μｍ程度であるのが好ましく、特に５〜７０μｍ程度であるのがより好ましい。厚さが前記範囲内であると、特に厚さ精度の制御を容易にできる。   The average thickness of the adhesive layer 3 is not particularly limited, but is preferably about 3 to 100 μm, and more preferably about 5 to 70 μm. When the thickness is within the above range, it is particularly easy to control the thickness accuracy.

また、第３樹脂組成物は、必要に応じてフィラーを含有していてもよい。フィラーを含むことにより、接着層３の機械的特性および接着力の向上を図ることができる。   Moreover, the 3rd resin composition may contain the filler as needed. By including the filler, the mechanical properties and adhesive strength of the adhesive layer 3 can be improved.

このフィラーとしては、例えば銀、酸化チタン、シリカ、マイカ等の粒子が挙げられる。   Examples of the filler include particles of silver, titanium oxide, silica, mica, and the like.

また、フィラーの平均粒径は、０．１〜２５μｍ程度であることが好ましい。平均粒径が前記下限値未満であるとフィラー添加の効果が少なくなり、前記上限値を超えるとフィルムとしての接着力の低下をもたらす可能性がある。   Moreover, it is preferable that the average particle diameter of a filler is about 0.1-25 micrometers. If the average particle size is less than the lower limit, the effect of filler addition is reduced, and if it exceeds the upper limit, the adhesive strength as a film may be reduced.

フィラーの含有量は、特に限定されないが、熱可塑性樹脂１００重量部に対して０．１〜１００重量部程度であるのが好ましく、特に５〜９０重量部程度であるのがより好ましい。これにより、接着層３の機械的特性を高めつつ、接着力をより高めることができる。   Although content of a filler is not specifically limited, It is preferable that it is about 0.1-100 weight part with respect to 100 weight part of thermoplastic resins, and it is more preferable that it is especially about 5-90 weight part. Thereby, the adhesive force can be further increased while enhancing the mechanical properties of the adhesive layer 3.

（支持フィルム）
支持フィルム４は、以上のような第１粘着層１、第２粘着層２および接着層３を支持する支持体である。 (Support film)
The support film 4 is a support that supports the first adhesive layer 1, the second adhesive layer 2, and the adhesive layer 3 as described above.

このような支持フィルム４の構成材料としては、例えばポリエチレン、ポリプロピレン、ポリブテン、ポリブタジエン、ポリメチルペンテン、ポリ塩化ビニル、塩化ビニル共重合体、ポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンテレフタレート、ポリウレタン、エチレン酢ビ共重合体、アイオノマー、エチレン・（メタ）アクリル酸共重合体、エチレン・（メタ）アクリル酸エステル共重合体、ポリスチレン、ビニルポリイソプレン、ポリカーボネート等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上の混合物が挙げられる。   Examples of the constituent material of the support film 4 include polyethylene, polypropylene, polybutene, polybutadiene, polymethylpentene, polyvinyl chloride, vinyl chloride copolymer, polyethylene terephthalate, polybutylene terephthalate, polyurethane, and ethylene vinyl acetate copolymer. , Ionomer, ethylene / (meth) acrylic acid copolymer, ethylene / (meth) acrylic acid ester copolymer, polystyrene, vinyl polyisoprene, polycarbonate, etc., and one or a mixture of two or more of these Is mentioned.

支持フィルム４の平均厚さは、特に限定されないが、５〜２００μｍ程度であるのが好ましく、３０〜１５０μｍ程度であるのがより好ましい。これにより、支持フィルム４は、適度な剛性を有するものとなるため、第１粘着層１、第２粘着層２および接着層３を確実に支持して、半導体用フィルム１０の取扱いを容易にするとともに、半導体用フィルム１０が適度に湾曲することで、半導体ウエハー７との密着性を高めることができる。   The average thickness of the support film 4 is not particularly limited, but is preferably about 5 to 200 μm, and more preferably about 30 to 150 μm. Thereby, since the support film 4 has moderate rigidity, the first adhesive layer 1, the second adhesive layer 2, and the adhesive layer 3 are reliably supported to facilitate the handling of the semiconductor film 10. At the same time, when the semiconductor film 10 is appropriately curved, adhesion to the semiconductor wafer 7 can be enhanced.

（半導体用フィルムの特性）
第１粘着層１、第２粘着層２および接着層３は、それぞれ異なる密着力を有しているが、それらは以下のような特性を有していることが好ましい。 (Characteristics of semiconductor film)
Although the 1st adhesion layer 1, the 2nd adhesion layer 2, and the contact bonding layer 3 have mutually different adhesive force, it is preferable that they have the following characteristics.

まず、第１粘着層１の接着層３に対する密着力は、第２粘着層２のウエハーリング９に対する密着力よりも小さいことが好ましい。これにより、後述する第３の工程において、個片８３をピックアップした際に、第２粘着層２とウエハーリング９との間は剥離することなく、接着層３と第１粘着層１との間が選択的に剥離する。そして、ダイシングの際には、ウエハーリング９により積層体８を確実に支持し続けることができる。   First, the adhesive force of the first adhesive layer 1 to the adhesive layer 3 is preferably smaller than the adhesive force of the second adhesive layer 2 to the wafer ring 9. Thereby, in the 3rd process mentioned later, when picking up the piece 83, between the adhesion layer 3 and the 1st adhesion layer 1 without peeling between the 2nd adhesion layer 2 and the wafer ring 9, Peels selectively. When dicing, the laminated body 8 can be reliably supported by the wafer ring 9.

すなわち、本実施形態では、第１粘着層１および第２粘着層２の２層の粘着層を用いているため、それぞれの密着力を異ならせることで、上記のように、積層体８の確実な固定と個片８３の容易なピックアップとを両立させることが可能になる。換言すれば、ダイシング性とピックアップ性の両立を図ることができる。   That is, in this embodiment, since the two adhesive layers of the first adhesive layer 1 and the second adhesive layer 2 are used, the adhesion of the laminate 8 can be ensured as described above by making the respective adhesive forces different. Therefore, it is possible to achieve both the simple fixing and the easy pickup of the piece 83. In other words, both dicing properties and pickup properties can be achieved.

なお、第１粘着層１の接着層３に対する密着力や第２粘着層２のウエハーリング９に対する密着力は、それぞれ、前述したアクリル系樹脂等の種類（組成）、モノマー等の種類、含有量、硬度等を変化させることで調整することができる。   The adhesion force of the first adhesive layer 1 to the adhesive layer 3 and the adhesion force of the second adhesive layer 2 to the wafer ring 9 are the kind (composition) of the acrylic resin, the kind of monomer, and the content, respectively. It can be adjusted by changing the hardness or the like.

また、ダイシング前における第１粘着層１の接着層３に対する密着力は、特に限定されないが、密着界面の平均で１０〜８０ｃＮ／２５ｍｍ程度であるのが好ましく、特に３０〜６０ｃＮ／２５ｍｍ程度であるのがより好ましい。密着力が前記範囲内であると、後述するように積層体８を引き延ばしたり（エキスパンド）、積層体８をダイシングした際に、半導体素子７１が第１粘着層１から脱落する等の不具合が防止されるとともに、優れたピックアップ性が確保される。   In addition, the adhesion force of the first adhesive layer 1 to the adhesive layer 3 before dicing is not particularly limited, but is preferably about 10 to 80 cN / 25 mm on average, particularly about 30 to 60 cN / 25 mm. Is more preferable. When the adhesive force is within the above range, problems such as stretching of the laminated body 8 (expanding) as will be described later and dicing of the laminated body 8 prevent the semiconductor element 71 from dropping from the first adhesive layer 1 are prevented. In addition, excellent pick-up properties are ensured.

なお、上記密着力の単位である「ｃＮ／２５ｍｍ」は、第１粘着層１の表面に接着層３を貼り付けたサンプルを２５ｍｍ幅の短冊状にし、その後、２３℃（室温）において、この積層フィルムにおいて接着層部分を剥離角１８０°でかつ引っ張り速度１０００ｍｍ／ｍｉｎで引き剥がしたときの荷重（単位ｃＮ）を表すものである。すなわち、ここでは、第１粘着層１の接着層３に対する密着力は、１８０°ピール強度として説明する。   Note that “cN / 25 mm”, which is a unit of the above-mentioned adhesion strength, is a 25 mm wide strip-shaped sample in which the adhesive layer 3 is pasted on the surface of the first adhesive layer 1, and thereafter at 23 ° C. (room temperature). This represents the load (unit cN) when the adhesive layer portion is peeled off at a peeling angle of 180 ° and a pulling speed of 1000 mm / min in the laminated film. That is, here, the adhesion force of the first adhesive layer 1 to the adhesive layer 3 will be described as 180 ° peel strength.

上記のような特性を有する第１粘着層１の組成としては、例えば、アクリル系樹脂１００重量部に対して、アクリレートモノマー１〜５０重量部と、イソシアネート化合物０．１〜１０重量部とを配合したものが挙げられる。   As a composition of the 1st adhesion layer 1 which has the above characteristics, 1-50 weight part of acrylate monomers and 0.1-10 weight part of isocyanate compounds are mix | blended with respect to 100 weight part of acrylic resins, for example. The thing which was done is mentioned.

一方、第２粘着層２のウエハーリング９に対する密着力は、特に限定されないが、密着界面の平均で１００〜２，０００ｃＮ／２５ｍｍ程度であるのが好ましく、特に４００〜１，２００ｃＮ／２５ｍｍ程度であるのがより好ましい。密着力が前記範囲内であると、後述するように積層体８を引き延ばしたり（エキスパンド）、積層体８をダイシングした際に、第１粘着層１と第２粘着層２との界面の剥離が防止され、結果として半導体素子７１の脱落等が確実に防止される。また、ウエハーリング９により積層体８を確実に支持することができる。   On the other hand, the adhesion force of the second adhesive layer 2 to the wafer ring 9 is not particularly limited, but is preferably about 100 to 2,000 cN / 25 mm on the average of the adhesion interface, particularly about 400 to 1,200 cN / 25 mm. More preferably. When the adhesion is within the above range, when the laminate 8 is extended (expanded) as described later, or when the laminate 8 is diced, the interface between the first adhesive layer 1 and the second adhesive layer 2 is peeled off. As a result, the semiconductor element 71 is reliably prevented from falling off. Further, the laminated body 8 can be reliably supported by the wafer ring 9.

なお、上記密着力の単位である「ｃＮ／２５ｍｍ」は、ウエハーリング９の上面に２５ｍｍ幅の短冊状の粘着フィルムを２３℃（室温）で貼り付け、その後、２３℃（室温）において、この粘着フィルムを、剥離角１８０°でかつ引っ張り速度１０００ｍｍ／ｍｉｎで引き剥がしたときの荷重（単位ｃＮ）を表すものである。すなわち、ここでは、第２粘着層２のウエハーリング９に対する密着力は、１８０°ピール強度として説明する。   In addition, “cN / 25 mm”, which is the unit of adhesion, is obtained by attaching a strip-shaped adhesive film having a width of 25 mm on the upper surface of the wafer ring 9 at 23 ° C. (room temperature), and then at 23 ° C. (room temperature). It represents the load (unit cN) when the adhesive film is peeled off at a peeling angle of 180 ° and a pulling speed of 1000 mm / min. That is, here, the adhesion force of the second adhesive layer 2 to the wafer ring 9 will be described as 180 ° peel strength.

上記のような特性を有する第２粘着層２の組成としては、例えば、アクリル系樹脂１００重量部に対して、ウレタンアクリレート１〜５０重量部と、イソシアネート化合物０．５〜１０重量部とを配合したものが挙げられる。   As a composition of the 2nd adhesion layer 2 which has the above characteristics, 1-50 weight part of urethane acrylate and 0.5-10 weight part of isocyanate compounds are mix | blended with respect to 100 weight part of acrylic resins, for example. The thing which was done is mentioned.

なお、第１粘着層１の接着層３に対する密着力をＡ１とし、第２粘着層２の第１粘着層１に対する密着力をＡ２としたとき、Ａ２／Ａ１は、特に限定されないが、５〜２００程度であるのが好ましく、１０〜５０程度であるのがより好ましい。これにより、第１粘着層１、第２粘着層２および接着層３は、ダイシング性およびピックアップ性において特に優れたものとなる。 Incidentally, the adhesion to the first adhesive layer 3 of the adhesive layer 1 and A 1, when the adhesion to the first adhesive layer 1 of the second adhesive layer 2 and the A 2, A 2 / A 1 is not particularly limited However, it is preferable that it is about 5-200, and it is more preferable that it is about 10-50. Thereby, the 1st adhesion layer 1, the 2nd adhesion layer 2, and the contact bonding layer 3 become the thing especially excellent in dicing property and pick-up property.

また、第１粘着層１の接着層３に対する密着力は、接着層３の半導体ウエハー７に対する密着力よりも小さいことが好ましい。これにより、個片８３をピックアップした際に、半導体ウエハー７と接着層３との界面が不本意にも剥離してしまうのを防止することができる。すなわち、第１粘着層１と接着層３との界面で選択的に剥離を生じさせることができる。   Further, the adhesion force of the first adhesive layer 1 to the adhesive layer 3 is preferably smaller than the adhesion force of the adhesive layer 3 to the semiconductor wafer 7. Thereby, when the piece 83 is picked up, it is possible to prevent the interface between the semiconductor wafer 7 and the adhesive layer 3 from being unintentionally peeled off. That is, peeling can be selectively caused at the interface between the first adhesive layer 1 and the adhesive layer 3.

なお、接着層３の半導体ウエハー７に対する密着力は、特に限定されないが、５０〜５００ｃＮ／２５ｍｍ程度であるのが好ましく、特に８０〜２５０ｃＮ／２５ｍｍ程度であるのがより好ましい。密着力が前記範囲内であると、特にダイシング時に振動や衝撃で半導体素子７１が飛んで脱落する、いわゆる「チップ飛び」の発生を十分に防止することができる。   The adhesion strength of the adhesive layer 3 to the semiconductor wafer 7 is not particularly limited, but is preferably about 50 to 500 cN / 25 mm, and more preferably about 80 to 250 cN / 25 mm. When the adhesion force is within the above range, it is possible to sufficiently prevent the occurrence of so-called “chip jump” in which the semiconductor element 71 flies off due to vibration or impact particularly during dicing.

また、第１粘着層１の接着層３に対する密着力は、第１粘着層１の第２粘着層２に対する密着力よりも小さいことが好ましい。これにより、個片８３をピックアップした際に、第１粘着層１と第２粘着層２との界面が不本意にも剥離してしまうのを防止することができる。すなわち、第１粘着層１と接着層３との界面で選択的に剥離を生じさせることができる。   Moreover, it is preferable that the adhesive force with respect to the adhesive layer 3 of the 1st adhesive layer 1 is smaller than the adhesive force with respect to the 2nd adhesive layer 2 of the 1st adhesive layer 1. FIG. Thereby, when the piece 83 is picked up, it can prevent that the interface of the 1st adhesion layer 1 and the 2nd adhesion layer 2 peels unintentionally. That is, peeling can be selectively caused at the interface between the first adhesive layer 1 and the adhesive layer 3.

なお、第１粘着層１の第２粘着層２に対する密着力は、特に限定されないが、１００〜１，０００ｃＮ／２５ｍｍ程度であるのが好ましく、特に３００〜６００ｃＮ／２５ｍｍ程度であるのがより好ましい。密着力が前記範囲内であると、特にダイシング性やピックアップ性に優れる。   In addition, although the adhesive force with respect to the 2nd adhesion layer 2 of the 1st adhesion layer 1 is not specifically limited, It is preferable that it is about 100-1,000 cN / 25mm, and it is more preferable that it is especially about 300-600 cN / 25mm. . When the adhesion is within the above range, the dicing property and the pickup property are particularly excellent.

［半導体装置の製造方法］
次に、上述したような半導体用フィルム１０を用いて半導体装置１００を製造する方法について説明する。 [Method for Manufacturing Semiconductor Device]
Next, a method for manufacturing the semiconductor device 100 using the semiconductor film 10 as described above will be described.

図１および図２に示す半導体装置の製造方法は、半導体ウエハー７と半導体用フィルム１０とを積層し、積層体８を得る第１の工程と、半導体用フィルム１０の外周部２１をウエハーリング９に貼り付けた状態で、半導体ウエハー７側から積層体８に切り込み８１を設ける（ダイシングする）ことにより、半導体ウエハー７および接着層３を個片化し、半導体素子７１および接着層３１からなる複数の個片８３を得る第２の工程と、個片８３の少なくとも１つをピックアップする第３の工程と、ピックアップされた個片８３を絶縁基板５上に載置し、半導体装置１００を得る第４の工程とを有する。以下、各工程について順次詳述する。   The semiconductor device manufacturing method shown in FIGS. 1 and 2 includes a first step in which a semiconductor wafer 7 and a semiconductor film 10 are laminated to obtain a laminated body 8, and an outer peripheral portion 21 of the semiconductor film 10 is attached to a wafer ring 9. The semiconductor wafer 7 and the adhesive layer 3 are separated into individual pieces by providing a cut 81 in the laminated body 8 from the side of the semiconductor wafer 7 (dicing), and a plurality of semiconductor elements 71 and adhesive layers 31 are formed. A second step of obtaining the piece 83; a third step of picking up at least one of the pieces 83; and a fourth step of obtaining the semiconductor device 100 by placing the picked piece 83 on the insulating substrate 5. It has these processes. Hereinafter, each step will be described in detail.

［１］
［１−１］まず、半導体ウエハー７および半導体用フィルム１０を用意する。
半導体ウエハー７は、あらかじめ、その表面に複数個分の回路が形成されたものである。かかる半導体ウエハー７としては、シリコンウエハーの他、ガリウムヒ素、窒化ガリウムのような化合物半導体ウエハー等が挙げられる。 [1]
[1-1] First, a semiconductor wafer 7 and a semiconductor film 10 are prepared.
The semiconductor wafer 7 has a plurality of circuits formed on its surface in advance. Examples of the semiconductor wafer 7 include a silicon semiconductor, a compound semiconductor wafer such as gallium arsenide and gallium nitride.

このような半導体ウエハー７の平均厚さは、特に限定されず、好ましくは０．００５〜１ｍｍ程度、より好ましくは０．０１〜０．５ｍｍ程度とされる。本発明の半導体用フィルムを用いることにより、このような厚さの半導体ウエハー７に対して欠けや割れ等の不具合を生じさせることなく、簡単かつ確実に切断して個片化することができる。   The average thickness of the semiconductor wafer 7 is not particularly limited, and is preferably about 0.005 to 1 mm, more preferably about 0.01 to 0.5 mm. By using the semiconductor film of the present invention, the semiconductor wafer 7 having such a thickness can be cut into pieces easily and reliably without causing defects such as chipping and cracking.

［１−２］次に、図１（ａ）に示すように、上述したような半導体用フィルム１０の接着層３と、半導体ウエハー７とを密着させつつ、半導体用フィルム１０と半導体ウエハー７とを積層する（第１の工程）。なお、図１に示す半導体用フィルム１０では、接着層３の平面視における大きさおよび形状が、半導体ウエハー７の外径よりも大きく、かつ、ウエハーリング９の内径よりも小さい形状に、あらかじめ設定されている。このため、半導体ウエハー７の下面全体が接着層３の上面全体と密着し、これにより半導体ウエハー７が半導体用フィルム１０で支持されることとなる。   [1-2] Next, as shown in FIG. 1A, the semiconductor film 10 and the semiconductor wafer 7 are bonded to each other while the adhesive layer 3 of the semiconductor film 10 and the semiconductor wafer 7 are brought into close contact with each other. Are stacked (first step). Note that in the semiconductor film 10 shown in FIG. 1, the size and shape of the adhesive layer 3 in plan view are set in advance to be larger than the outer diameter of the semiconductor wafer 7 and smaller than the inner diameter of the wafer ring 9. Has been. For this reason, the entire lower surface of the semiconductor wafer 7 is in close contact with the entire upper surface of the adhesive layer 3, whereby the semiconductor wafer 7 is supported by the semiconductor film 10.

上記積層の結果、図１（ｂ）に示すように、半導体用フィルム１０と半導体ウエハー７とが積層されてなる積層体８が得られる。   As a result of the above lamination, as shown in FIG. 1B, a laminated body 8 in which the semiconductor film 10 and the semiconductor wafer 7 are laminated is obtained.

［２］
［２−１］次に、ウエハーリング９を用意する。続いて、第２粘着層２の外周部２１の上面とウエハーリング９の下面とが密着するように、積層体８とウエハーリング９とを積層する。これにより、積層体８の外周部がウエハーリング９により支持される。 [2]
[2-1] Next, a wafer ring 9 is prepared. Subsequently, the stacked body 8 and the wafer ring 9 are stacked so that the upper surface of the outer peripheral portion 21 of the second adhesive layer 2 and the lower surface of the wafer ring 9 are in close contact with each other. Thereby, the outer peripheral part of the laminated body 8 is supported by the wafer ring 9.

ウエハーリング９は、一般にステンレス鋼、アルミニウム等の各種金属材料等で構成されるため、剛性が高く、積層体８の変形を確実に防止することができる。   Since the wafer ring 9 is generally made of various metal materials such as stainless steel and aluminum, the wafer ring 9 has high rigidity and can surely prevent the laminate 8 from being deformed.

半導体用フィルム１０が上述したように粘着性の異なる２層の粘着層（第１粘着層１および第２粘着層２）を有していることにより、これらの粘着性の違いを利用して、ダイシング性とピックアップ性の両立を図ることができる。   By having two adhesive layers (first adhesive layer 1 and second adhesive layer 2) having different adhesiveness as described above, the semiconductor film 10 utilizes the difference in adhesiveness, Both dicing and pickup properties can be achieved.

［２−２］次に、図示しないダイサーテーブルを用意し、ダイサーテーブルと支持フィルム４とが接触するように、ダイサーテーブル上に積層体８を載置する。   [2-2] Next, a dicer table (not shown) is prepared, and the laminate 8 is placed on the dicer table so that the dicer table and the support film 4 are in contact with each other.

続いて、図１（ｃ）に示すように、ダイシングブレード８２を用いて積層体８に複数の切り込み８１を形成する（ダイシング）。ダイシングブレード８２は、円盤状のダイヤモンドブレード等で構成されており、これを回転させつつ積層体８の半導体ウエハー７側の面に押し当てることで切り込み８１が形成される。そして、半導体ウエハー７に形成された回路パターン同士の間隙に沿って、ダイシングブレード８２を相対的に移動させることにより、半導体ウエハー７が複数の半導体素子７１に個片化される（第２の工程）。また、接着層３も同様に、複数の接着層３１に個片化される。このようなダイシングの際には、半導体ウエハー７に振動や衝撃が加わるが、半導体ウエハー７の下面が半導体用フィルム１０で支持されているため、上記の振動や衝撃が緩和されることとなる。その結果、半導体ウエハー７における割れや欠け等の不具合の発生を確実に防止することができる。   Subsequently, as shown in FIG. 1C, a plurality of cuts 81 are formed in the laminate 8 using a dicing blade 82 (dicing). The dicing blade 82 is composed of a disk-shaped diamond blade or the like, and a cut 81 is formed by pressing the dicing blade 82 against the surface of the laminated body 8 on the semiconductor wafer 7 side. Then, the semiconductor wafer 7 is separated into a plurality of semiconductor elements 71 by relatively moving the dicing blade 82 along the gap between the circuit patterns formed on the semiconductor wafer 7 (second step). ). Similarly, the adhesive layer 3 is divided into a plurality of adhesive layers 31. During such dicing, vibration and impact are applied to the semiconductor wafer 7, but the lower surface of the semiconductor wafer 7 is supported by the semiconductor film 10, so that the vibration and impact are alleviated. As a result, the occurrence of defects such as cracks and chippings in the semiconductor wafer 7 can be reliably prevented.

切り込み８１の深さは、半導体ウエハー７と接着層３とを貫通し得る深さであれば特に限定されない。すなわち、切り込み８１の先端は、第１粘着層１、第２粘着層２および支持フィルム４のいずれかに達していればよい。これにより、半導体ウエハー７と接着層３とが確実に個片化され、それぞれ半導体素子７１と接着層３１とが形成されることとなる。   The depth of the notch 81 is not particularly limited as long as it can penetrate the semiconductor wafer 7 and the adhesive layer 3. That is, the tip of the cut 81 only needs to reach one of the first adhesive layer 1, the second adhesive layer 2, and the support film 4. Thereby, the semiconductor wafer 7 and the adhesive layer 3 are surely separated into individual pieces, and the semiconductor element 71 and the adhesive layer 31 are formed, respectively.

なお、本実施形態では、図１（ｃ）に示すように、切り込み８１の先端を第１粘着層１内に留める場合について後に説明する。   In the present embodiment, as shown in FIG. 1C, the case where the tip of the cut 81 is fastened in the first adhesive layer 1 will be described later.

［３］
［３−１］次に、複数の切り込み８１が形成された積層体８を、図示しないエキスパンド装置により、放射状に引き延ばす（エキスパンド）。これにより、図１（ｄ）に示すように、積層体８に形成された切り込み８１の幅が広がり、それに伴って個片化された半導体素子７１同士の間隔も拡大する。その結果、半導体素子７１同士が干渉し合うおそれがなくなり、個々の半導体素子７１をピックアップし易くなる。なお、エキスパンド装置は、このようなエキスパンド状態を後述する工程においても維持し得るよう構成されている。 [3]
[3-1] Next, the laminated body 8 in which the plurality of cuts 81 are formed is radially extended (expanded) by an expanding device (not shown). Thereby, as shown in FIG.1 (d), the width | variety of the notch 81 formed in the laminated body 8 spreads, and the space | interval of the semiconductor elements 71 separated into pieces is also expanded in connection with it. As a result, there is no possibility that the semiconductor elements 71 interfere with each other, and the individual semiconductor elements 71 can be easily picked up. Note that the expanding device is configured to maintain such an expanded state even in a process described later.

［３−２］次に、図示しないダイボンダにより、個片化された半導体素子７１のうちの１つを、ダイボンダのコレット（チップ吸着部）で吸着するとともに上方に引き上げる。その結果、図２（ｅ）に示すように、接着層３１と第１粘着層１との界面が選択的に剥離し、半導体素子７１と接着層３１とが積層されてなる個片８３がピックアップされる（第３の工程）。   [3-2] Next, one of the separated semiconductor elements 71 is adsorbed by a collet (chip adsorbing portion) of the die bonder and pulled upward by a die bonder (not shown). As a result, as shown in FIG. 2 (e), the interface between the adhesive layer 31 and the first adhesive layer 1 is selectively peeled off, and an individual piece 83 formed by laminating the semiconductor element 71 and the adhesive layer 31 is picked up. (Third step).

なお、接着層３１と第１粘着層１との界面が選択的に剥離する理由は、前述したように、第２粘着層２の粘着性が第１粘着層１の粘着性より高いため、支持フィルム４と第２粘着層２との界面の密着力、および、第２粘着層２の第１粘着層１との界面の粘着力は、第１粘着層１と接着層３との密着力より大きいからである。すなわち、半導体素子７１を上方にピックアップした場合、これらの３箇所のうち、最も粘着力の小さい第１粘着層１と接着層３との界面が選択的に剥離することとなる。   Note that the reason why the interface between the adhesive layer 31 and the first adhesive layer 1 is selectively peeled is that the adhesive property of the second adhesive layer 2 is higher than the adhesive property of the first adhesive layer 1 as described above. The adhesive force at the interface between the film 4 and the second adhesive layer 2 and the adhesive force at the interface between the second adhesive layer 2 and the first adhesive layer 1 are based on the adhesive force between the first adhesive layer 1 and the adhesive layer 3. Because it is big. That is, when the semiconductor element 71 is picked up, the interface between the first adhesive layer 1 and the adhesive layer 3 having the smallest adhesive strength among these three locations is selectively peeled off.

また、個片８３をピックアップする際には、半導体用フィルム１０の下方から、ピックアップすべき個片８３を選択的に突き上げるようにしてもよい。これにより、積層体８から個片８３が突き上げられるため、前述した個片８３のピックアップをより容易に行うことができるようになる。なお、個片８３の突き上げには、半導体用フィルム１０を下方から突き上げる針状体（ニードル）等が用いられる。   Further, when picking up the individual piece 83, the individual piece 83 to be picked up may be selectively pushed up from below the semiconductor film 10. Thereby, since the piece 83 is pushed up from the laminated body 8, the pickup of the piece 83 mentioned above can be performed more easily. In order to push up the individual piece 83, a needle-like body (needle) that pushes up the semiconductor film 10 from below is used.

［４］
［４−１］次に、半導体素子７１（チップ）を搭載（マウント）するための絶縁基板５を用意する。 [4]
[4-1] Next, the insulating substrate 5 for mounting (mounting) the semiconductor element 71 (chip) is prepared.

この絶縁基板５としては、半導体素子７１を搭載し、半導体素子７１と外部とを電気的に接続するための配線や端子等を備えた絶縁性を有する基板が挙げられる。   Examples of the insulating substrate 5 include an insulating substrate on which a semiconductor element 71 is mounted and wiring and terminals for electrically connecting the semiconductor element 71 and the outside are provided.

具体的には、ポリエステル銅張フィルム基板、ポリイミド銅張フィルム基板、アラミド銅張フィルム基板等の可撓性基板や、ガラス布・エポキシ銅張積層板等のガラス基材銅張積層板、ガラス不織布・エポキシ銅張積層板等のコンポジット銅張積層板、ポリエーテルイミド樹脂基板、ポリエーテルケトン樹脂基板、ポリサルフォン系樹脂基板等の耐熱・熱可塑性基板といった硬質性基板の他、アルミナ基板、窒化アルミニウム基板、炭化ケイ素基板等のセラミックス基板などが挙げられる。
なお、絶縁基板５に代えて、リードフレーム等を用いるようにしてもよい。 Specifically, flexible substrates such as polyester copper-clad film substrates, polyimide copper-clad film substrates, aramid copper-clad film substrates, glass-based copper-clad laminates such as glass cloth and epoxy copper-clad laminates, and glass nonwoven fabrics -Composite copper-clad laminates such as epoxy copper-clad laminates, heat-resistant and thermoplastic substrates such as polyetherimide resin substrates, polyetherketone resin substrates, polysulfone resin substrates, alumina substrates, aluminum nitride substrates And ceramic substrates such as silicon carbide substrates.
Instead of the insulating substrate 5, a lead frame or the like may be used.

次いで、図２（ｆ）に示すように、ピックアップされた個片８３を、絶縁基板５上に載置する。   Next, as shown in FIG. 2 (f), the picked-up pieces 83 are placed on the insulating substrate 5.

［４−２］次に、図２（ｇ）に示すように、絶縁基板５上に載置された個片８３を加熱・圧着する。これにより、接着層３１を介して半導体素子７１と絶縁基板５とが接着（ダイボンディング）される（第４の工程）。   [4-2] Next, as shown in FIG. 2G, the pieces 83 placed on the insulating substrate 5 are heated and pressure-bonded. As a result, the semiconductor element 71 and the insulating substrate 5 are bonded (die bonding) via the adhesive layer 31 (fourth step).

加熱・圧着の条件としては、例えば加熱温度は１００〜３００℃程度であるのが好ましく、１００〜２００℃程度であるのがより好ましい。また、圧着時間は１〜１０秒程度であるのが好ましく、１〜５秒程度であるのがより好ましい。   As conditions for heating and pressure bonding, for example, the heating temperature is preferably about 100 to 300 ° C, and more preferably about 100 to 200 ° C. Further, the pressure bonding time is preferably about 1 to 10 seconds, and more preferably about 1 to 5 seconds.

また、その後に加熱処理を施してもよい。この場合の加熱条件は、加熱温度が好ましくは１００〜３００℃程度、より好ましくは１５０〜２５０℃程度とされ、加熱時間が好ましくは１〜２４０分程度、より好ましくは１０〜６０分程度とされる。   Moreover, you may heat-process after that. The heating conditions in this case are such that the heating temperature is preferably about 100 to 300 ° C., more preferably about 150 to 250 ° C., and the heating time is preferably about 1 to 240 minutes, more preferably about 10 to 60 minutes. The

その後、半導体素子７１の端子（図示せず）と絶縁基板５上の端子（図示せず）とをワイヤ８４により電気的に接続する。なお、この接続には、ワイヤ８４に代えて、導電性ペースト、導電性フィルム等を用いるようにしてもよい。   Thereafter, a terminal (not shown) of the semiconductor element 71 and a terminal (not shown) on the insulating substrate 5 are electrically connected by a wire 84. For this connection, instead of the wire 84, a conductive paste, a conductive film, or the like may be used.

そして、絶縁基板５上に載置された個片８３およびワイヤ８４を樹脂材料で被覆し、モールド層８５を形成する。このモールド層８５を構成する樹脂材料としては、エポキシ系樹脂等の各種モールド樹脂が挙げられる。   Then, the individual pieces 83 and the wires 84 placed on the insulating substrate 5 are covered with a resin material to form a mold layer 85. Examples of the resin material constituting the mold layer 85 include various mold resins such as an epoxy resin.

さらに、絶縁基板５の下面に設けられた端子（図示せず）にボール状電極８６を接合することにより、半導体素子７１をパッケージ内に収納してなる図２（ｈ）に示すような半導体装置１００が得られる。   Further, a semiconductor device as shown in FIG. 2 (h) in which a semiconductor element 71 is accommodated in a package by bonding a ball electrode 86 to a terminal (not shown) provided on the lower surface of the insulating substrate 5. 100 is obtained.

以上のような方法によれば、第３の工程において、半導体素子７１に接着層３１が付着した状態、すなわち個片８３の状態でピックアップされることから、第４の工程において、この接着層３１をそのまま絶縁基板５との接着に利用することができる。このため、別途接着剤等を用意する必要がなく、半導体装置１００の製造効率をより高めることができる。   According to the method as described above, in the third step, the adhesive layer 31 is picked up in the state where the adhesive layer 31 is attached to the semiconductor element 71, that is, in the state of the piece 83. Can be used for bonding to the insulating substrate 5 as they are. For this reason, it is not necessary to separately prepare an adhesive or the like, and the manufacturing efficiency of the semiconductor device 100 can be further increased.

［半導体用フィルムの製造方法］
次に、上述したような半導体装置１００の製造に用いる半導体用フィルム１０を製造する方法（本発明の半導体用フィルムの製造方法）について説明する。 [Method of manufacturing semiconductor film]
Next, a method for manufacturing the semiconductor film 10 used for manufacturing the semiconductor device 100 as described above (a method for manufacturing a semiconductor film of the present invention) will be described.

半導体用フィルム１０は、例えば以下のような方法で製造される。
まず、図３（ａ）に示す基材４ａを用意し、この基材４ａの一方の面上に第１粘着層１を成膜する。これにより、基材４ａと第１粘着層１との積層体６１を得る（粘着層形成工程）。第１粘着層１の成膜は、前述した第１樹脂組成物を含む樹脂ワニスを各種塗布法等により塗布し、その後塗布膜を乾燥させる方法や、第１樹脂組成物からなるフィルムをラミネートする方法等により行うことができる。また、紫外線等の放射線を照射することにより、塗布膜を硬化させるようにしてもよい。 The semiconductor film 10 is manufactured, for example, by the following method.
First, the base material 4a shown in FIG. 3A is prepared, and the first adhesive layer 1 is formed on one surface of the base material 4a. Thereby, the laminated body 61 of the base material 4a and the 1st adhesion layer 1 is obtained (adhesion layer formation process). The first adhesive layer 1 is formed by applying the above-described resin varnish containing the first resin composition by various application methods and then drying the applied film, or laminating a film made of the first resin composition. It can be performed by a method or the like. Further, the coating film may be cured by irradiating radiation such as ultraviolet rays.

上記塗布法としては、例えば、ナイフコート法、ロールコート法、スプレーコート法、グラビアコート法、バーコート法、カーテンコート法等が挙げられる。   Examples of the coating method include a knife coating method, a roll coating method, a spray coating method, a gravure coating method, a bar coating method, and a curtain coating method.

また、積層体６１と同様にして、図３（ａ）に示すように、用意した基材４ｂの一方の面上に第３樹脂組成物を用いて接着層３を成膜し、これにより、基材４ｂと接着層３との積層体６２を得る（接着層形成工程）。   Further, in the same manner as the laminate 61, as shown in FIG. 3A, the adhesive layer 3 is formed on the one surface of the prepared substrate 4b using the third resin composition. A laminate 62 of the substrate 4b and the adhesive layer 3 is obtained (adhesive layer forming step).

さらに、各積層体６１、６２と同様にして、図３（ａ）に示すように、用意した支持フィルム４の一方の面上に第２樹脂組成物を用いて第２粘着層２を成膜し、これにより、支持フィルム４と第２粘着層２との積層体６３を得る。   Further, in the same manner as in each of the laminated bodies 61 and 62, as shown in FIG. 3A, the second adhesive layer 2 is formed on one surface of the prepared support film 4 using the second resin composition. Thus, a laminate 63 of the support film 4 and the second adhesive layer 2 is obtained.

次いで、図３（ｂ）に示すように、第１粘着層１と接着層３とが接するように積層体６１と積層体６２とを積層し、積層体６４を得る（積層工程）。この積層は、例えばロールラミネート法等により行うことができる。   Next, as illustrated in FIG. 3B, the laminated body 61 and the laminated body 62 are laminated so that the first adhesive layer 1 and the adhesive layer 3 are in contact with each other to obtain a laminated body 64 (lamination process). This lamination can be performed by, for example, a roll lamination method.

ここで、積層体６１と積層体６２との積層は、積層体６４（第１粘着層１および接着層３）を加熱しつつ、必要に応じて積層体６４を厚さ方向に加圧することで行われる。   Here, the lamination of the laminate 61 and the laminate 62 is performed by pressing the laminate 64 in the thickness direction as necessary while heating the laminate 64 (the first adhesive layer 1 and the adhesive layer 3). Done.

ところが、従来の半導体用フィルムの製造においては、粘着層と接着層との密着力を適度に制御することができず、このため、密着力が大き過ぎる場合には、ピックアップ性が低下する一方、密着力が小さ過ぎる場合には、ダイシング性が低下してしまうという問題が生じていた。   However, in the production of conventional films for semiconductors, the adhesive force between the adhesive layer and the adhesive layer cannot be appropriately controlled.For this reason, when the adhesive force is too large, the pick-up property is reduced, When the adhesive force is too small, there is a problem that dicing properties are deteriorated.

本発明者は、上記問題点、および接着層３や第１粘着層１に関する上記挙動を踏まえ、半導体用フィルム１０におけるピックアップ性とダイシング性とを高度に両立し得る条件について鋭意検討した。そして、接着層３は、その温度が上昇することに伴って軟化し、接着性が高くなる一方、その温度が降下することに伴って柔軟性が低下し、接着性が低くなることに着目した。そして、半導体用フィルム１０の製造過程において、第１粘着層１と接着層３とが接するように積層体６１と積層体６２とを積層し、得られた積層体６４を以下の条件で加熱することが上記問題点を解決するにあたって有効であることを見出し、本発明を完成するに至った。   Based on the above problems and the above-described behavior related to the adhesive layer 3 and the first adhesive layer 1, the inventor diligently studied the conditions under which the pick-up property and the dicing property in the semiconductor film 10 can be highly compatible. Then, the adhesive layer 3 softens as the temperature rises, and the adhesiveness increases. On the other hand, as the temperature falls, the flexibility decreases and the adhesiveness decreases. . And in the manufacture process of the film 10 for semiconductors, the laminated body 61 and the laminated body 62 are laminated | stacked so that the 1st adhesion layer 1 and the contact bonding layer 3 may contact, and the obtained laminated body 64 is heated on condition of the following. Has been found to be effective in solving the above problems, and the present invention has been completed.

すなわち、本発明の半導体用フィルムの製造方法は、加熱温度と加熱時間の積が１０〜３００（℃・ｓ）となるように積層体６４（第１粘着層１および接着層３）を加熱することにより、ピックアップ性およびダイシング性に優れた半導体用フィルム１０を効率よく製造することを可能にする。このような半導体用フィルム１０は、半導体素子における不具合の発生を防止しつつ、高い歩留まりで半導体装置１００を製造し得るものとなる。   That is, in the method for producing a semiconductor film of the present invention, the laminate 64 (the first adhesive layer 1 and the adhesive layer 3) is heated so that the product of the heating temperature and the heating time is 10 to 300 (° C. · s). This makes it possible to efficiently manufacture the film 10 for a semiconductor excellent in pick-up properties and dicing properties. Such a semiconductor film 10 can manufacture the semiconductor device 100 with a high yield while preventing the occurrence of defects in the semiconductor element.

なお、加熱温度と加熱時間の積が前記下限値を下回った場合、接着層３や第１粘着層１の軟化が不十分であり、接着層３や第１粘着層１の形状追従性が低くなる。このため、半導体用フィルム１０は界面に空隙（隙間）を含んだものとなる。特にこの場合、平面視における外径が１０μｍ以上の大きな空隙を含むことが避けられない。このような空隙ができると、接着層３と第１粘着層１との密着力が著しく低下し、ダイシング性が低下する。   When the product of the heating temperature and the heating time falls below the lower limit value, the adhesive layer 3 and the first adhesive layer 1 are not sufficiently softened, and the shape followability of the adhesive layer 3 and the first adhesive layer 1 is low. Become. For this reason, the film for semiconductor 10 includes a gap (gap) at the interface. In particular, in this case, it is inevitable that the outer diameter in a plan view includes a large gap of 10 μm or more. When such voids are formed, the adhesion between the adhesive layer 3 and the first adhesive layer 1 is remarkably reduced, and the dicing property is reduced.

一方、加熱温度と加熱時間の積が前記上限値を上回った場合、接着層３や第１粘着層１の軟化が進行し過ぎて、接着層３と第１粘着層１との密着力が極めて大きくなる。その結果、個片８３をピックアップする際に、接着層３と第１粘着層１との界面が円滑に剥離せず、半導体素子７１に割れや欠け等の不具合が生じることとなる。   On the other hand, when the product of the heating temperature and the heating time exceeds the upper limit value, the adhesive layer 3 and the first adhesive layer 1 are too soft, and the adhesive force between the adhesive layer 3 and the first adhesive layer 1 is extremely high. growing. As a result, when the piece 83 is picked up, the interface between the adhesive layer 3 and the first adhesive layer 1 is not smoothly peeled off, and the semiconductor element 71 has problems such as cracking and chipping.

したがって、加熱温度と加熱時間の積を前記範囲内に制御することは、半導体ウエハー７のダイシング性と個片８３のピックアップ性とを高度に両立するのに極めて有効である。そして、得られた半導体用フィルム１０は、接着層３と第１粘着層１との間に、平面視における外径が１０μｍ以上の大きな空隙を含まないものとなるため、ダイシング性に優れるばかりでなく、大きな空隙に起因したピール強度の著しい増大を防止して、ピックアップ性にも優れたものとなる。   Therefore, controlling the product of the heating temperature and the heating time within the above range is extremely effective in achieving both the dicing property of the semiconductor wafer 7 and the pickup property of the individual piece 83 at a high level. And since the obtained film 10 for semiconductors does not contain a large space | gap whose outer diameter in a planar view is 10 micrometers or more between the adhesive layer 3 and the 1st adhesion layer 1, it is not only excellent in dicing property. In addition, a significant increase in peel strength due to the large gap is prevented, and the pickup property is excellent.

なお、加熱温度と加熱時間の積は、前述したように１０〜３００（℃・ｓ）とされるが、好ましくは１５〜２００（℃・ｓ）とされ、より好ましくは２０〜１００（℃・ｓ）とされる。   As described above, the product of the heating temperature and the heating time is 10 to 300 (° C. · s), preferably 15 to 200 (° C. · s), more preferably 20 to 100 (° C. · s). s).

また、積層体６１と積層体６２とを積層して積層体６４を得る際の作業性および貼付性を考慮すると、接着層３に含まれる最もガラス転移温度が高い熱可塑性樹脂のガラス転移温度をＴｇとしたとき、積層体６４の加熱温度は０．５Ｔｇ〜１．５Ｔｇであり、かつ常温以上であるのが好ましく、０．７Ｔｇ〜１．３Ｔｇであり、かつ常温以上であるのがより好ましい。これにより、積層体６４の加熱温度は、接着層３を構成する第３樹脂組成物に含まれる最もガラス転移温度が高い熱可塑性樹脂のガラス転移温度を基準にした一定の温度範囲に制御されることとなる。ガラス転移温度とは、樹脂材料がとり得る、ガラス状態（固体状態）とゴム状態（液体状態）との転移点に相当する温度であるため、その近傍では樹脂材料が、固体状態と液体状態との間の中間状態となる。したがって、この中間状態にある樹脂材料の柔軟性は、硬過ぎず、柔らか過ぎない状態となるため、接着層３は、ピックアップ性とダイシング性とを高度に両立し得るために最適な密着力を有するものとなる。   Further, in consideration of workability and stickability when the laminate 61 and the laminate 62 are laminated to obtain the laminate 64, the glass transition temperature of the thermoplastic resin having the highest glass transition temperature contained in the adhesive layer 3 is set. When Tg is set, the heating temperature of the laminate 64 is 0.5 Tg to 1.5 Tg, and is preferably normal temperature or higher, more preferably 0.7 Tg to 1.3 Tg, and more preferably normal temperature or higher. . Thereby, the heating temperature of the laminate 64 is controlled within a certain temperature range based on the glass transition temperature of the thermoplastic resin having the highest glass transition temperature contained in the third resin composition constituting the adhesive layer 3. It will be. The glass transition temperature is a temperature corresponding to the transition point between the glass state (solid state) and the rubber state (liquid state) that can be taken by the resin material. An intermediate state between. Therefore, since the flexibility of the resin material in this intermediate state is not too hard and not too soft, the adhesive layer 3 has an optimum adhesion force so that both pickup property and dicing property can be highly compatible. It will have.

なお、接着層３を構成する第３樹脂組成物が、ガラス転移温度の異なる２種類の熱可塑性樹脂を含む場合、前記Ｔｇは、２つのガラス転移温度のうち、高い方のガラス転移温度を意味する。これにより、双方の熱可塑性樹脂がゴム状態となって、接着層３の柔軟性が最適なものとなる。   In addition, when the 3rd resin composition which comprises the contact bonding layer 3 contains two types of thermoplastic resins from which glass transition temperature differs, said Tg means the glass transition temperature of the higher one of two glass transition temperatures. To do. Thereby, both thermoplastic resins become a rubber state, and the flexibility of the adhesive layer 3 is optimized.

また、積層体６４の加熱温度は、上記のような範囲であることが好ましいが、具体的には４０〜１５０℃程度であるのが好ましく、８０〜１３０℃程度であるのがより好ましい。これにより、積層体６４の変質・劣化を防止しつつ、接着層３と第１粘着層１との密着力をより最適化することができる。   The heating temperature of the laminate 64 is preferably in the above range, but specifically, it is preferably about 40 to 150 ° C, more preferably about 80 to 130 ° C. Thereby, it is possible to further optimize the adhesion between the adhesive layer 3 and the first adhesive layer 1 while preventing deterioration and deterioration of the laminate 64.

一方、積層体６４の加熱時間は、前述した加熱温度、および、加熱温度と加熱時間との積から算出される範囲であるのが好ましいが、好ましくは０．０５〜２秒程度とされ、より好ましくは０．１〜１秒程度とされる。これにより、半導体用フィルム１０のピックアップ性およびダイシング性のさらなる両立が図られる。   On the other hand, the heating time of the laminate 64 is preferably in the range calculated from the heating temperature described above and the product of the heating temperature and the heating time, preferably about 0.05 to 2 seconds, and more Preferably, it is about 0.1 to 1 second. Thereby, the pickup film and the dicing performance of the semiconductor film 10 can be further balanced.

また、この熱可塑性樹脂は、前述したようにアクリル系樹脂であるのが好ましい。アクリル系樹脂は、ガラス転移温度が比較的低いため接着層３の初期密着性をより向上することができるだけでなく、加熱温度や加熱時間の制御によって、接着層３の柔軟性を容易かつ確実に調整することを可能にする。このため、アクリル系樹脂で構成された接着層３によれば、高い歩留まりで半導体装置１００を製造し得る半導体用フィルム１０が得られる。   Further, the thermoplastic resin is preferably an acrylic resin as described above. Since the acrylic resin has a relatively low glass transition temperature, not only can the initial adhesion of the adhesive layer 3 be improved, but also the flexibility of the adhesive layer 3 can be easily and reliably controlled by controlling the heating temperature and the heating time. Makes it possible to adjust. For this reason, according to the contact bonding layer 3 comprised with acrylic resin, the film 10 for semiconductors which can manufacture the semiconductor device 100 with a high yield is obtained.

なお、積層体６４を加熱する際には、単に積層体６４に熱を加えるのみでもよいが、厚さ方向に積層体６４を加圧しつつ加熱するのが好ましい。これにより、仮に接着層３と第１粘着層１との間に空隙が含まれたとしても、加圧によってこの空隙が積層体６４の外部の押し出されることとなり、最終的にこの空隙を確実に除去することができる。その結果、空隙に伴う密着力の意図しない低下が防止され、接着層３と第１粘着層１との間の密着力を本来の値に近づけることができる。換言すれば、空隙の影響がなくなるので、複数の個片８３において、ピックアップ性のバラツキを抑えることができる。   In addition, when heating the laminated body 64, it is possible to simply apply heat to the laminated body 64, but it is preferable to heat the laminated body 64 while pressing the laminated body 64 in the thickness direction. As a result, even if a gap is included between the adhesive layer 3 and the first adhesive layer 1, the gap is pushed out of the laminate 64 by pressurization. Can be removed. As a result, an unintended decrease in the adhesion force associated with the gap is prevented, and the adhesion force between the adhesive layer 3 and the first adhesive layer 1 can be brought close to the original value. In other words, since there is no influence of the air gap, it is possible to suppress variations in pick-up property among the plurality of pieces 83.

この場合、積層体６４を加圧する際の圧力は、０．０１〜１ＭＰａ程度であるのが好ましく、０．１〜０．６ＭＰａ程度であるのがより好ましい。これにより、積層体６４の変形等を伴うことなく、積層体６４を適度に加圧して、接着層３と第１粘着層１との間に含まれる空隙を効率よく除去することができる。   In this case, the pressure when the laminate 64 is pressed is preferably about 0.01 to 1 MPa, and more preferably about 0.1 to 0.6 MPa. Thereby, without accompanying the deformation | transformation of the laminated body 64, the laminated body 64 can be pressurized moderately, and the space | gap contained between the contact bonding layer 3 and the 1st adhesion layer 1 can be removed efficiently.

また、接着層３の構成材料としては、８０℃における溶融粘度が、５×１０２〜１×１０５Ｐａ・ｓである材料が好ましく用いられる。接着層３の構成材料の８０℃における溶融粘度が前記範囲内であれば、積層体６４を加熱した際に、接着層３と第１粘着層１との間の密着力が最適化されることとなる。また、接着層３が仮に溶融したとしても、溶融物は比較的高い粘性を示すものとなるため、高温時に接着層３の接着性が著しく上昇してしまうのを防止することができる。
以上のような積層工程を経て、積層体６４が得られる。 Moreover, as a constituent material of the adhesive layer 3, a material having a melt viscosity at 80 ° C. of 5 × 10 2 to 1 × 10 5 Pa · s is preferably used. If the melt viscosity at 80 ° C. of the constituent material of the adhesive layer 3 is within the above range, the adhesion between the adhesive layer 3 and the first adhesive layer 1 is optimized when the laminate 64 is heated. It becomes. Further, even if the adhesive layer 3 is melted, the melt has a relatively high viscosity, so that the adhesiveness of the adhesive layer 3 can be prevented from significantly increasing at high temperatures.
The laminated body 64 is obtained through the above lamination processes.

次いで、図３（ｃ）に示すように、積層体６４から基材４ａを剥離する。そして、図３（ｄ）に示すように、前記基材４ａを剥離した積層体６４に対して、基材４ｂを残して、前記接着層３および前記第１粘着層１の有効領域の外側部分をリング状に除去する。ここで、有効領域とは、その外周が、半導体ウエハー７の外径よりも大きく、かつ、ウエハーリング９の内径よりも小さい領域を指す。   Next, as shown in FIG. 3 (c), the base material 4 a is peeled from the laminate 64. And as shown in FIG.3 (d), the outer side part of the effective area | region of the said contact bonding layer 3 and the said 1st adhesion layer 1 leaves the base material 4b with respect to the laminated body 64 which peeled the said base material 4a. Is removed in a ring shape. Here, the effective area refers to an area whose outer periphery is larger than the outer diameter of the semiconductor wafer 7 and smaller than the inner diameter of the wafer ring 9.

次いで、図３（ｅ）に示すように、第１粘着層１の露出面に第２粘着層２が接するように、基材４ａを剥離し有効領域の外側部分をリング状に除去した積層体６４と積層体６３を積層する。その後、基材４ｂを剥離することにより、図３（ｆ）に示す半導体用フィルム１０が得られる。   Next, as shown in FIG. 3 (e), a laminate in which the substrate 4 a is peeled off and the outer portion of the effective area is removed in a ring shape so that the second adhesive layer 2 is in contact with the exposed surface of the first adhesive layer 1. 64 and the laminated body 63 are laminated. Then, the film 10 for semiconductors shown in FIG.3 (f) is obtained by peeling the base material 4b.

［半導体装置の製造方法］
以上、本発明の半導体用フィルムとその製造方法について説明したが、かかる半導体用フィルムを用いて半導体装置１００を製造する場合、以下のようにするのが好ましい。 [Method for Manufacturing Semiconductor Device]
As mentioned above, although the film for semiconductors of this invention and its manufacturing method were demonstrated, when manufacturing the semiconductor device 100 using this film for semiconductors, it is preferable to do as follows.

まず、ダイシング工程について説明する。
従来のダイシング工程は、ダイシングブレードの先端が半導体ウエハー、接着層および各粘着層をそれぞれ貫通し、支持フィルムに到達するように行われていた。 First, the dicing process will be described.
The conventional dicing process is performed such that the tip of the dicing blade penetrates the semiconductor wafer, the adhesive layer, and each adhesive layer, and reaches the support film.

ところが、ダイシングブレードの先端が支持フィルムに到達した結果、支持フィルムが削られることとなり、その削り屑が発生する。そして、この削り屑は、支持フィルム周辺に留まることなく、各粘着層の周辺、接着層の周辺および半導体ウエハーの周辺に移動して、種々の不具合をもたらすこととなる。具体的には、半導体素子のピックアップの際に引っ掛かりを生じたり、後述する第４の工程において絶縁基板と半導体素子との間に削り屑が侵入したり、半導体ウエハーに形成された回路に削り屑が付着し、ワイヤボンディングに支障を来す等の不具合が挙げられる。   However, as a result of the tip of the dicing blade reaching the support film, the support film is scraped, and shavings are generated. And this shavings will move to the periphery of each adhesion layer, the periphery of an adhesive layer, and the periphery of a semiconductor wafer, without staying around a support film, and will bring about various malfunctions. Specifically, when picking up a semiconductor element, the chip is caught, or in the fourth process described later, shavings enter between the insulating substrate and the semiconductor element, or the chips formed on the semiconductor wafer are scraped. May cause problems such as sticking and hindering wire bonding.

これに対し、本発明の半導体用フィルムを用いて半導体装置を製造する際には、第２の工程において、ダイシングブレード８２の先端が粘着層内に留まるように、削り深さを設定するのが好ましい。換言すれば、切り込み８１の先端が支持フィルム４に到達することなく、第１粘着層１内または第２粘着層２内のいずれかに留まるようにダイシングを行うのが好ましい。このようにすれば、支持フィルム４の削り屑は発生し得ないため、上述したような削り屑に伴う問題が確実に解消されることとなる。すなわち、半導体素子７１をピックアップする際には、引っ掛かり等の発生が防止され、ピックアップした半導体素子７１を絶縁基板５にマウントする際には、異物の侵入およびワイヤボンディング不良の発生が防止される。その結果、半導体装置１００の製造歩留まりが向上するとともに、信頼性の高い半導体装置１００を得ることができる。   On the other hand, when manufacturing a semiconductor device using the semiconductor film of the present invention, in the second step, the cutting depth is set so that the tip of the dicing blade 82 remains in the adhesive layer. preferable. In other words, it is preferable to perform dicing so that the tip of the notch 81 does not reach the support film 4 and remains in either the first adhesive layer 1 or the second adhesive layer 2. If it does in this way, since the shavings of the support film 4 cannot generate | occur | produce, the problem accompanying the shavings as mentioned above will be eliminated reliably. That is, when the semiconductor element 71 is picked up, the occurrence of catching or the like is prevented, and when the picked-up semiconductor element 71 is mounted on the insulating substrate 5, the entry of foreign matters and the occurrence of defective wire bonding are prevented. As a result, the manufacturing yield of the semiconductor device 100 can be improved, and the highly reliable semiconductor device 100 can be obtained.

また、図１（ｃ）は、切り込み８１の先端が、特に第１粘着層１内に位置するようにダイシングを行った場合を示すものである。このような場合、第２粘着層２の成分が切り込み８１を介して、接着層３の周辺や半導体ウエハー７の周辺に染み出すことが防止される。その結果、染み出した物質が不本意にも接着層３と第１粘着層１との間の密着力を高めてしまうのを防止して、個片８３のピックアップを阻害する不具合を防止することができる。さらには、染み出した物質が半導体素子７１の変質・劣化を引き起こすのを防止することができる。   FIG. 1 (c) shows a case where dicing is performed so that the tip of the notch 81 is particularly located in the first adhesive layer 1. In such a case, the components of the second adhesive layer 2 are prevented from oozing out around the adhesive layer 3 and the semiconductor wafer 7 through the notches 81. As a result, it is possible to prevent the exuded substance from unintentionally increasing the adhesion between the adhesive layer 3 and the first adhesive layer 1 and to prevent a problem that hinders the pickup of the piece 83. Can do. Furthermore, it is possible to prevent the exuded substance from causing deterioration or deterioration of the semiconductor element 71.

このような成分の染み出しは、第２粘着層２の粘着性が第１粘着層１の粘着性よりも強いことから、必然的に、第２粘着層２は第１粘着層１よりも柔軟性が高いと考えられ、したがって第２粘着層２に含まれる物質は流動性や流出性が第１粘着層１よりも高いということに起因する現象であると考えられる。すなわち、本実施形態のように、粘着層が複数層で構成されており、接着層３側の粘着層（図１では第１粘着層１）よりも支持フィルム４側の粘着層（図１では第２粘着層２）の粘着性が強い場合には、図１（ｃ）に示すように切り込み８１の先端を第１粘着層１内に留めることが、上記不具合を防止するにあたって特に有効である。   Such exudation of the component inevitably causes the second adhesive layer 2 to be more flexible than the first adhesive layer 1 because the adhesiveness of the second adhesive layer 2 is stronger than the adhesiveness of the first adhesive layer 1. Therefore, the substance contained in the second adhesive layer 2 is considered to be a phenomenon caused by the fact that the fluidity and the outflow property are higher than those of the first adhesive layer 1. That is, as in this embodiment, the adhesive layer is composed of a plurality of layers, and the adhesive layer on the support film 4 side (in FIG. 1, the first adhesive layer 1 in FIG. 1) (the adhesive layer 3 side in FIG. 1). When the adhesiveness of the second adhesive layer 2) is strong, as shown in FIG. 1C, it is particularly effective to prevent the above-mentioned problems to keep the tip of the notch 81 in the first adhesive layer 1. .

なお、上記の観点から、第２粘着層２の硬度は、第１粘着層１の硬度より小さいのが好ましい。これにより、第２粘着層２は、第１粘着層１に比べて確実に粘着性が高いものとなる一方、第１粘着層１は、ピックアップ性に優れたものとなる。   From the above viewpoint, the hardness of the second adhesive layer 2 is preferably smaller than the hardness of the first adhesive layer 1. Thereby, the second adhesive layer 2 is surely higher in adhesiveness than the first adhesive layer 1, while the first adhesive layer 1 is excellent in pick-up property.

また、第１粘着層１のショアＤ硬度は、２０〜６０程度であるのが好ましく、３０〜５０程度であるのがより好ましい。このような硬度の第１粘着層１は、粘着性が適度に抑えられる一方、成分の流動性や流出性を比較的抑えられることから、この第１粘着層１に切り込み８１が形成されたとしても、ピックアップ性の向上と、第１粘着層１からの物質の染み出しによる不具合の防止とを両立させることができる。   Moreover, it is preferable that the Shore D hardness of the 1st adhesion layer 1 is about 20-60, and it is more preferable that it is about 30-50. The first pressure-sensitive adhesive layer 1 having such hardness is moderately suppressed in adhesiveness, but relatively low in fluidity and flowability of components, so that the notch 81 is formed in the first pressure-sensitive adhesive layer 1. In addition, it is possible to achieve both improvement in pick-up property and prevention of troubles due to leaching of the substance from the first adhesive layer 1.

また、第２粘着層２のショアＡ硬度は、２０〜９０程度であるのが好ましく、３０〜８０程度であるのがより好ましい。このような硬度の第２粘着層２は、十分な粘着性を有する一方、成分の流動性や流出性を比較的抑えられることから、ダイシング性（ダイシングにおける積層体８とウエハーリング９との固定性）の向上と、物質の染み出しによる不具合の防止とを両立させることができる。   Moreover, it is preferable that the Shore A hardness of the 2nd adhesion layer 2 is about 20-90, and it is more preferable that it is about 30-80. Since the second adhesive layer 2 having such hardness has sufficient adhesiveness, the fluidity and flowability of the components can be relatively suppressed, so that the dicing property (fixing of the laminate 8 and the wafer ring 9 in dicing) Property) and prevention of defects due to the exudation of substances.

また、上記のような観点から、１本の切り込み８１のうち、接着層３と第１粘着層１との界面より先端側の部分の横断面積は、ダイシングブレード８２の厚さや各粘着層１、２の厚さに応じて異なるものの、５〜３００（×１０−５ｍｍ２）程度であるのが好ましく、１０〜２００（×１０−５ｍｍ２）程度であるのがより好ましい。切り込み８１のうち、接着層３と第１粘着層１との界面より先端側の部分の横断面積を前記範囲内に設定することにより、接着層３を確実に個片化するとともに、第１粘着層１に対する切り込み部分の横断面積を最小限に抑えることができる。その結果、個片８３の確実なピックアップと、第１粘着層１からの成分の染み出しの抑制とを高度に両立することができる。 From the above viewpoint, the cross-sectional area of the portion of the notch 81 on the tip side from the interface between the adhesive layer 3 and the first adhesive layer 1 is the thickness of the dicing blade 82, the adhesive layers 1, Although it differs depending on the thickness of 2, it is preferably about 5 to 300 (× 10 −5 mm 2 ), more preferably about 10 to 200 (× 10 −5 mm 2 ). Of the cuts 81, by setting the cross-sectional area of the portion on the tip side from the interface between the adhesive layer 3 and the first adhesive layer 1 within the above range, the adhesive layer 3 is surely separated into pieces and the first adhesive The cross-sectional area of the cut portion with respect to the layer 1 can be minimized. As a result, it is possible to achieve both a reliable pickup of the individual pieces 83 and a suppression of the exudation of components from the first adhesive layer 1 at a high level.

また、第１粘着層１の膜厚をｔとしたとき、切り込み８１のうちの第１粘着層１内に位置する部分の深さは、０．２ｔ〜０．８ｔであるのが好ましく、０．３ｔ〜０．７ｔであるのがより好ましい。これにより、個片８３の確実なピックアップと、第１粘着層１からの成分の染み出しの抑制とを、より高度に両立させることができる。   Moreover, when the film thickness of the 1st adhesion layer 1 is set to t, it is preferable that the depth of the part located in the 1st adhesion layer 1 among the notches 81 is 0.2t-0.8t, 0 More preferably, it is 3 to 0.7 t. Thereby, reliable pick-up of the piece 83 and suppression of the exudation of the component from the 1st adhesion layer 1 can be made to make compatible both more highly.

以上のように、切り込み８１の先端を第１粘着層１内に留めたり、そうでなくても切り込み８１のうちの接着層３と第１粘着層１との界面より先端側の部分の横断面積を前記範囲内としたりした場合には、第１粘着層１や第２粘着層２からの成分の染み出しが最小限に抑えられることから、この成分の染み出しが第１粘着層１と接着層３との密着力に及ぼす影響も最小限に抑えられることとなる。その結果、この密着力が意図せず高まってしまい、個片８３のピックアップ性が阻害されるのを防止することができる。   As described above, the front end of the notch 81 is retained in the first adhesive layer 1, or even if not, the cross-sectional area of the front end side portion of the notch 81 from the interface between the adhesive layer 3 and the first adhesive layer 1 In the above range, the exudation of the component from the first adhesive layer 1 and the second adhesive layer 2 can be minimized, so that the exudation of this component adheres to the first adhesive layer 1. The influence on the adhesion with the layer 3 is also minimized. As a result, it is possible to prevent the close contact force from increasing unintentionally and hindering the pick-up property of the piece 83.

具体的には、第２の工程において積層体８に切り込み８１を設けた後、第３の工程を行う前の積層体８においては、第１粘着層１と接着層３との密着力は、０．０５〜０．５Ｎ／ｃｍ程度であるのが好ましく、０．１〜０．４Ｎ／ｃｍ程度であるのがより好ましい。前記密着力を前記範囲内とすることにより、個片８３のピックアップ性が特に向上し、ピックアップの際に半導体素子７１に割れや欠け、バリ等の不具合が発生するのを防止することができる。その結果、最終的に、信頼性の高い半導体装置１００を高い歩留まりで製造することができる。   Specifically, in the laminate 8 after the cut 81 is provided in the laminate 8 in the second step and before the third step, the adhesion between the first adhesive layer 1 and the adhesive layer 3 is It is preferably about 0.05 to 0.5 N / cm, and more preferably about 0.1 to 0.4 N / cm. By making the adhesion within the above range, the pick-up property of the individual piece 83 is particularly improved, and it is possible to prevent the semiconductor element 71 from being broken, chipped, burr or the like during pick-up. As a result, the highly reliable semiconductor device 100 can be finally manufactured with a high yield.

特に、半導体ウエハー７の厚さが薄い（例えば２００μｍ以下）の場合には、第１粘着層１と接着層３との密着力を前記範囲内とすることで、半導体素子７１に生じる上記のような不具合の防止効果が顕著になる。   In particular, when the thickness of the semiconductor wafer 7 is thin (for example, 200 μm or less), the adhesive force between the first adhesive layer 1 and the adhesive layer 3 is within the above range, so that the semiconductor element 71 has the above-described state. The effect of preventing various problems becomes remarkable.

なお、上記密着力の単位である「Ｎ／ｃｍ」は、第２の工程において積層体８に１０ｍｍ×１０ｍｍ角の切り込みを設けた後、積層体８の上面に１ｃｍ幅の短冊状の粘着フィルムを２３℃（室温）で貼り付け、その後、２３℃（室温）において、積層体８から第１粘着層１、第２粘着層２、支持フィルム４を剥離角９０°でかつ引っ張り速度５０ｍｍ／ｍｉｎで引き剥がしたときの荷重（単位Ｎ）を表すものである。すなわち、第１粘着層１と接着層３との密着力は、９０°ピール強度である。   Note that “N / cm”, which is the unit of adhesion, is a strip-shaped adhesive film having a width of 1 cm on the upper surface of the laminate 8 after a cut of 10 mm × 10 mm square is provided in the laminate 8 in the second step. Is attached at 23 ° C. (room temperature), and then, at 23 ° C. (room temperature), the first adhesive layer 1, the second adhesive layer 2, and the support film 4 are peeled from the laminate 8 at a peeling angle of 90 ° and a pulling speed of 50 mm / min. Represents the load (unit N) when peeled off. That is, the adhesion between the first adhesive layer 1 and the adhesive layer 3 is 90 ° peel strength.

また、第１粘着層１と接着層３との密着力は、個々の個片８３の中央部と縁部（エッジ部）とで異なる場合が多い。これは、縁部では、個片８３の端面に第１粘着層１中の成分が這い上がる等して、中央部に比べて密着力が大きくなり易いことに起因するものである。このため、個片８３をピックアップする際には、中央部と縁部とで密着力が大きく異なり、それによって半導体素子７１の割れや欠け等を招くおそれがある。   In addition, the adhesion between the first adhesive layer 1 and the adhesive layer 3 is often different between the central portion and the edge portion (edge portion) of each individual piece 83. This is due to the fact that, at the edge, the component in the first adhesive layer 1 crawls up on the end face of the piece 83 and the adhesive force tends to increase compared to the central portion. For this reason, when picking up the individual piece 83, the adhesive force is greatly different between the center portion and the edge portion, which may cause cracking or chipping of the semiconductor element 71.

かかる観点から半導体用フィルム１０については、個片８３を引き剥がす際に、個片８３の縁部にかかる荷重（縁部の密着力）をａとし、個片８３の中央部にかかる荷重（中央部の密着力）をｂとしたとき、ａ／ｂは、４以下であるのが好ましく、１〜３程度であるのがより好ましく、１〜２程度であるのがさらに好ましい。これにより、半導体素子７１の部分ごとの荷重のバラつきが比較的狭い範囲に抑制されることになるため、ピックアップの際に半導体素子７１の割れや欠け等の不具合が発生するのを確実に抑制することができる。そして、このような半導体用フィルム１０を用いることにより、半導体装置１００の製造歩留まりが向上するとともに、最終的に信頼性の高い半導体装置１００を得ることができる。   From this point of view, for the semiconductor film 10, when the piece 83 is peeled off, the load applied to the edge of the piece 83 (the adhesion force of the edge) is a, and the load applied to the center of the piece 83 (center A / b is preferably 4 or less, more preferably about 1 to 3, and further preferably about 1 to 2, where b is the adhesive strength of the part). As a result, the variation in load for each portion of the semiconductor element 71 is suppressed to a relatively narrow range, so that occurrence of defects such as cracks and chipping of the semiconductor element 71 during pickup is reliably suppressed. be able to. By using the semiconductor film 10 as described above, the manufacturing yield of the semiconductor device 100 can be improved, and the highly reliable semiconductor device 100 can be finally obtained.

なお、密着力ａおよび密着力ｂは、それぞれ詳しくは次のようにして測定される。
まず、半導体用フィルム１０と半導体ウエハー７とを積層して積層体８を得た後、半導体ウエハー７を１０ｍｍ×１０ｍｍ角に個片化した後の状態で、第３の工程を行う前の積層体８の上面に、１ｃｍ幅の短冊状の粘着フィルムを２３℃（室温）で貼り付ける。 The adhesion force a and the adhesion force b are measured in detail as follows.
First, after laminating the semiconductor film 10 and the semiconductor wafer 7 to obtain the laminated body 8, the lamination before performing the third step in a state after the semiconductor wafer 7 is separated into 10 mm × 10 mm squares. A strip-shaped adhesive film having a width of 1 cm is attached to the upper surface of the body 8 at 23 ° C. (room temperature).

次いで、２３℃（室温）において、積層体８から第１粘着層１、第２粘着層２および支持フィルム４を剥離角９０°でかつ引っ張り速度５０ｍｍ／ｍｉｎで引き剥がす。この際、第１粘着層１、第２粘着層２および支持フィルム４を引き剥がしつつ、第１粘着層１、第２粘着層２および支持フィルム４にかかる引っ張り荷重（単位Ｎ）の大きさを測定する。そして、個片８３の縁部が第１粘着層１から離れる際に第１粘着層１、第２粘着層２および支持フィルム４にかかる引っ張り荷重の平均値が「密着力ａ」に相当し、個片８３の中央部（縁部以外の部分）が第１粘着層１から離れる際に第１粘着層１、第２粘着層２および支持フィルム４にかかる引っ張り荷重の平均値が「密着力ｂ」に相当する。   Next, at 23 ° C. (room temperature), the first adhesive layer 1, the second adhesive layer 2 and the support film 4 are peeled from the laminate 8 at a peeling angle of 90 ° and a pulling speed of 50 mm / min. At this time, the magnitude of the tensile load (unit N) applied to the first adhesive layer 1, the second adhesive layer 2 and the support film 4 while peeling off the first adhesive layer 1, the second adhesive layer 2 and the support film 4 is set. taking measurement. And the average value of the tensile load applied to the first adhesive layer 1, the second adhesive layer 2 and the support film 4 when the edge of the piece 83 separates from the first adhesive layer 1 corresponds to "adhesion force a" The average value of the tensile load applied to the first adhesive layer 1, the second adhesive layer 2 and the support film 4 when the central portion (portion other than the edge portion) of the piece 83 is separated from the first adhesive layer 1 is “adhesion strength b”. Is equivalent to.

すなわち、半導体用フィルム１０によれば、個片８３の縁部が第１粘着層１から離れようとするとき、および、個片８３の中央部が第１粘着層１から離れようとするとき、第１粘着層１、第２粘着層２および支持フィルム４にかかる引っ張り荷重の大きさの差が比較的小さく抑えられるため、仮にピックアップの際に半導体素子７１に反りが生じた場合でも、その反りの程度が最小限に抑えられることとなる。その結果、半導体素子７１の割れや欠け等の不具合が最小限に抑えられることとなる。   That is, according to the semiconductor film 10, when the edge of the piece 83 is about to be separated from the first adhesive layer 1, and when the center portion of the piece 83 is about to be separated from the first adhesive layer 1, Since the difference in the magnitude of the tensile load applied to the first adhesive layer 1, the second adhesive layer 2 and the support film 4 is relatively small, even if the semiconductor element 71 is warped during pick-up, the warp Will be minimized. As a result, problems such as cracks and chipping of the semiconductor element 71 can be minimized.

また、個片８３の中央部（縁部以外の部分）の密着力ｂは、前述した第１粘着層１と接着層３との密着力の範囲にあることが好ましい。   Moreover, it is preferable that the adhesive force b of the center part (parts other than an edge part) of the piece 83 exists in the range of the adhesive force of the 1st adhesion layer 1 and the contact bonding layer 3 mentioned above.

特に、半導体ウエハー７の厚さが薄い（例えば２００μｍ以下）の場合には、密着力ｂを前記範囲内とすることで、半導体素子７１に生じる上記のような不具合の防止効果が顕著になる。   In particular, when the thickness of the semiconductor wafer 7 is thin (for example, 200 μm or less), the effect of preventing the above-described problems occurring in the semiconductor element 71 becomes remarkable by setting the adhesion force b within the above range.

なお、個片８３の縁部とは、半導体素子７１の外縁から、半導体素子７１の幅の１０％以下の領域を指すものとする。一方、個片８３の中央部とは、前記縁部以外の領域を指すものとする。すなわち、半導体素子７１の形状が、例えば平面視において１０ｍｍ角の正方形である場合、外縁から１ｍｍ幅の領域が縁部であり、残りの領域が中央部となる。   The edge of the piece 83 refers to a region that is 10% or less of the width of the semiconductor element 71 from the outer edge of the semiconductor element 71. On the other hand, the central portion of the piece 83 refers to a region other than the edge portion. That is, when the shape of the semiconductor element 71 is, for example, a 10 mm square in a plan view, a region 1 mm wide from the outer edge is an edge, and the remaining region is a center.

また、本実施形態では、切り込み８１の先端を第１粘着層１内に留めることにより、半導体ウエハー７および接着層３は確実に個片化される一方、第１粘着層１および第２粘着層２は個片化されない。したがって、第３の工程において、個片８３をピックアップする際に、第１粘着層１や第２粘着層２が支持フィルム４側に残すべきところ、不本意にも個片８３側に貼り付いた状態でピックアップされてしまうのを防止することができる。これは、第１粘着層１および第２粘着層２を個片化しなかったことで、これらの面方向の繋がりが維持されるため、第１粘着層１と第２粘着層２との密着力、および、第２粘着層２と支持フィルム４との密着力の低下が防止されるためである。すなわち、第１粘着層１と第２粘着層２との密着力、および、第２粘着層２と支持フィルム４との密着力が、ピックアップにおける上方への引っ張り力に対して十分な抗力を有するためである。   Further, in the present embodiment, the semiconductor wafer 7 and the adhesive layer 3 are surely separated into pieces by retaining the tip of the cut 81 in the first adhesive layer 1, while the first adhesive layer 1 and the second adhesive layer 2 is not singulated. Therefore, when picking up the piece 83 in the third step, the first adhesive layer 1 and the second adhesive layer 2 should be left on the support film 4 side, but unintentionally stuck to the piece 83 side. Picking up in a state can be prevented. This is because, since the first adhesive layer 1 and the second adhesive layer 2 are not separated into individual pieces, the connection in the surface direction is maintained, so that the adhesion between the first adhesive layer 1 and the second adhesive layer 2 is maintained. This is because a decrease in the adhesion between the second adhesive layer 2 and the support film 4 is prevented. That is, the adhesive force between the first adhesive layer 1 and the second adhesive layer 2 and the adhesive force between the second adhesive layer 2 and the support film 4 have sufficient resistance against the upward pulling force in the pickup. Because.

また、上述したように、第１粘着層１と第２粘着層２との密着力、および、第２粘着層２と支持フィルム４との密着力の低下が防止されることから、第１粘着層１と接着層３との密着力をより大きくしたとしても、ピックアップ性の低下が抑制される。すなわち、第１粘着層１と接着層３との密着力において、良好なピックアップを可能にする許容範囲をより拡大することができるため、半導体用フィルム１０の製造容易性およびマウント後の半導体素子７１と絶縁基板５との接着性が向上するという利点もある。   Moreover, as above-mentioned, since the fall of the adhesive force of the 1st adhesion layer 1 and the 2nd adhesion layer 2 and the adhesion force of the 2nd adhesion layer 2 and the support film 4 is prevented, it is the 1st adhesion. Even if the adhesion force between the layer 1 and the adhesive layer 3 is increased, the deterioration of the pickup property is suppressed. That is, in the adhesive force between the first adhesive layer 1 and the adhesive layer 3, the allowable range that enables good pickup can be further expanded, and thus the ease of manufacturing the semiconductor film 10 and the semiconductor element 71 after mounting. There is also an advantage that adhesion between the insulating substrate 5 and the insulating substrate 5 is improved.

＜第２実施形態＞
次に、本発明の半導体用フィルムの第２実施形態およびその製造方法について説明する。 Second Embodiment
Next, 2nd Embodiment of the film for semiconductors of this invention and its manufacturing method are demonstrated.

図４は、本発明の半導体用フィルムの第２実施形態およびこれを用いて半導体装置を製造する方法を説明するための縦断面図である。なお、以下の説明では、図４中の上側を「上」、下側を「下」という。   FIG. 4 is a longitudinal sectional view for explaining a second embodiment of a film for semiconductor of the present invention and a method for producing a semiconductor device using the same. In the following description, the upper side in FIG. 4 is referred to as “upper” and the lower side is referred to as “lower”.

以下、第２実施形態について説明するが、前記第１実施形態との相違点を中心に説明し、同様の事項については、その説明を省略する。なお、図４において、第１実施形態と同様の構成部分については、先に説明した図１と同様の符号を付している。   Hereinafter, although the second embodiment will be described, the description will focus on the differences from the first embodiment, and the description of the same matters will be omitted. In FIG. 4, the same components as those in the first embodiment are denoted by the same reference numerals as those in FIG.

本実施形態にかかる半導体用フィルム１０’は、粘着層の層構成が異なる以外は、前記第１実施形態と同様である。   The semiconductor film 10 ′ according to this embodiment is the same as that of the first embodiment except that the layer configuration of the adhesive layer is different.

すなわち、図４に示す半導体用フィルム１０’では、第１粘着層１が省略され、第２粘着層２の１層のみが設けられている。   That is, in the semiconductor film 10 ′ shown in FIG. 4, the first adhesive layer 1 is omitted and only one layer of the second adhesive layer 2 is provided.

そして、このような半導体用フィルム１０’を製造するにあたっては、第２粘着層２の上面のうち、接着層３と接する領域にあらかじめ紫外線を照射しておく。これにより、この領域の粘着性が失活し、結果として第２粘着層２と接着層３との密着力が低下する。その結果、第３の工程において個片８３をピックアップする際に、大きな荷重をかけなくても個片８３をピックアップすることが可能になることから、ピックアップ性の向上を図ることができる。   In manufacturing such a semiconductor film 10 ′, an ultraviolet ray is irradiated in advance on a region of the upper surface of the second adhesive layer 2 that is in contact with the adhesive layer 3. Thereby, the adhesiveness of this area | region is deactivated, As a result, the adhesive force of the 2nd adhesion layer 2 and the contact bonding layer 3 falls. As a result, when picking up the individual piece 83 in the third step, the individual piece 83 can be picked up without applying a large load, so that the pickup performance can be improved.

一方、第２粘着層２の上面のうち、接着層３と接しない領域には紫外線が照射されないため、この領域では第２粘着層２の本来の粘着力が維持されることとなる。このため、第２粘着層２とウエハーリング９との密着力も維持され、ダイシング性の低下は防止されることとなる。   On the other hand, in the upper surface of the second pressure-sensitive adhesive layer 2, the region not in contact with the adhesive layer 3 is not irradiated with ultraviolet rays, so that the original pressure-sensitive adhesive force of the second pressure-sensitive adhesive layer 2 is maintained in this region. For this reason, the adhesive force between the second adhesive layer 2 and the wafer ring 9 is also maintained, and the dicing performance is prevented from being lowered.

換言すれば、第１実施形態では、粘着性の異なる２層の粘着層を用いることで、ダイシング性とピックアップ性の両立が図られているが、本実施形態では、第２粘着層２の一部領域のみ粘着性を低下させることで、１層の粘着層であっても、ダイシング性とピックアップ性を両立している。   In other words, in the first embodiment, by using two adhesive layers having different adhesive properties, both dicing properties and pickup properties are achieved. In the present embodiment, one of the second adhesive layers 2 is used. By reducing the adhesiveness only in the partial region, both the dicing property and the pickup property are compatible even with a single adhesive layer.

このような半導体用フィルム１０’を、図４（ａ）に示すように、半導体ウエハー７と積層して、積層体８を得る。   Such a semiconductor film 10 ′ is laminated with a semiconductor wafer 7 as shown in FIG. 4A to obtain a laminated body 8.

次いで、図４（ｂ）に示すように、ダイシングブレード８２を用いて積層体８に複数の切り込み８１を形成する（ダイシング）。この際、図４（ｂ）に示すように、切り込み８１の先端が第２粘着層２内に留まるようにダイシングを行うことで、支持フィルム４の削り屑が発生し得ないことから、前記第１実施形態と同様の作用・効果が得られる。   Next, as shown in FIG. 4B, a plurality of cuts 81 are formed in the laminate 8 using a dicing blade 82 (dicing). At this time, as shown in FIG. 4B, by performing dicing so that the tip of the notch 81 stays in the second adhesive layer 2, shavings of the support film 4 cannot be generated. The same operations and effects as those of the first embodiment can be obtained.

その後、第３の工程および第４の工程を行うことにより、半導体装置が得られる。
なお、第２粘着層２に照射する紫外線としては、好ましくは波長１００〜４００ｎｍ程度のもの、より好ましくは波長２００〜３８０ｎｍ程度のものが用いられる。また、紫外線の照射時間としては、波長やパワーにもよるが、好ましくは１０秒〜１時間程度、より好ましくは３０秒〜３０分程度とされる。このような紫外線によれば、第２粘着層２中の化学構造を変化させ、効率よく粘着性を失活させるとともに、第２粘着層２の粘着性が必要以上に低下してしまうのを防止することができる。 Then, a semiconductor device is obtained by performing a 3rd process and a 4th process.
In addition, as an ultraviolet-ray irradiated to the 2nd adhesion layer 2, Preferably a thing with a wavelength of about 100-400 nm is used, More preferably, a thing with a wavelength of about 200-380 nm is used. Further, the irradiation time of ultraviolet rays is preferably about 10 seconds to 1 hour, more preferably about 30 seconds to 30 minutes, although it depends on the wavelength and power. According to such ultraviolet rays, the chemical structure in the second adhesive layer 2 is changed, the adhesiveness is efficiently deactivated, and the adhesiveness of the second adhesive layer 2 is prevented from being lowered more than necessary. can do.

また、第２粘着層２に照射するのは、紫外線に限られず、電子線、Ｘ線等の各種放射線であってもよい。   Moreover, what irradiates the 2nd adhesion layer 2 is not restricted to an ultraviolet-ray, Various radiations, such as an electron beam and an X-ray, may be sufficient.

なお、紫外線の照射は、本実施形態のように、第２粘着層２の上面のうち、接着層３と接する領域に対してあらかじめ照射する場合に限らない。例えば、第２粘着層２の構成材料が紫外線に感応して硬化するような材料である場合には、第２粘着層２と接着層３とを積層した後、第２粘着層２と接着層３と半導体ウエハー７とを積層した後、または、第２粘着層２と接着層３と半導体ウエハー７とを積層し、半導体ウエハー７をダイシングした後のいずれかにおいて紫外線を照射するようにしてもよい。このような場合、紫外線の照射に伴って第２粘着層２が硬化するため、照射領域に位置する第２粘着層２の粘着力が低下する。その結果、このような場合であっても、個片８３のピックアップ性の向上を図ることができる。   In addition, irradiation of an ultraviolet-ray is not restricted to the case where it irradiates with respect to the area | region which contact | connects the contact bonding layer 3 among the upper surfaces of the 2nd adhesion layer 2 like this embodiment. For example, when the constituent material of the second adhesive layer 2 is a material that cures in response to ultraviolet rays, the second adhesive layer 2 and the adhesive layer are laminated after the second adhesive layer 2 and the adhesive layer 3 are laminated. 3 and the semiconductor wafer 7 are laminated, or the second adhesive layer 2, the adhesive layer 3 and the semiconductor wafer 7 are laminated and the semiconductor wafer 7 is diced. Good. In such a case, since the 2nd adhesion layer 2 hardens | cures with irradiation of an ultraviolet-ray, the adhesive force of the 2nd adhesion layer 2 located in an irradiation area | region falls. As a result, even in such a case, the pickup performance of the individual piece 83 can be improved.

以上、本発明の半導体用フィルムの製造方法および半導体フィルムを、図示の実施形態に基づいて説明したが、本発明はこれらに限定されるものではない。   As mentioned above, although the manufacturing method and semiconductor film of the film for semiconductors of this invention were demonstrated based on embodiment of illustration, this invention is not limited to these.

例えば、パッケージの形態は、ＢＧＡ（Ball Grid Array）、ＬＧＡ（Land Grid Array）等のＣＳＰ（Chip Size Package）、ＴＣＰ（Tape Carrier Package）のような表面実装型のパッケージ、ＤＩＰ（Dual Inline Package）、ＰＧＡ（Pin Grid Array）のような挿入型のパッケージ等であってもよく、特に限定されない。   For example, the package form is a CSP (Chip Size Package) such as BGA (Ball Grid Array) or LGA (Land Grid Array), a surface mount type package such as TCP (Tape Carrier Package), or DIP (Dual Inline Package). Further, it may be an insertion type package such as PGA (Pin Grid Array), and is not particularly limited.

また、前記各実施形態では、絶縁基板５上に個片８３をマウントする場合について説明したが、この個片８３は、別の半導体素子上にマウントするようにしてもよい。すなわち、本発明の半導体用フィルムは、複数の半導体素子を積層してなるチップスタック型の半導体装置を製造する場合にも用いることができる。これにより、信頼性の高いチップスタック型の半導体装置を高い製造歩留まりで製造することができる。   In each of the above embodiments, the case where the piece 83 is mounted on the insulating substrate 5 has been described. However, the piece 83 may be mounted on another semiconductor element. That is, the semiconductor film of the present invention can also be used when manufacturing a chip stack type semiconductor device in which a plurality of semiconductor elements are laminated. Thereby, a highly reliable chip stack type semiconductor device can be manufactured with a high manufacturing yield.

また、本発明の半導体用フィルムの製造方法では、必要に応じて、任意の工程を追加することもできる。   Moreover, in the manufacturing method of the film for semiconductors of this invention, arbitrary processes can also be added as needed.

以下、本発明の具体的実施例について説明する。
１．半導体用フィルムおよび半導体装置の製造
（実施例１）
＜１＞第１粘着層の形成
アクリル酸２−エチルヘキシル３０重量％と酢酸ビニル７０重量％とを共重合して得られた重量平均分子量３００，０００の共重合体１００重量部と、分子量が７００の５官能アクリレートモノマー４５重量部と、２，２−ジメトキシ−２−フェニルアセトフェノン５重量部と、トリレンジイソシアネート（コロネートＴ−１００、日本ポリウレタン工業（株）製）３重量部と、を剥離処理した厚さ３８μｍのポリエステルフィルムに対して、乾燥後の厚さが１０μｍになるように塗布し、その後、８０℃で５分間乾燥した。そして、得られた塗布膜に対して紫外線５００ｍＪ／ｃｍ２を照射し、ポリエステルフィルム上に第１粘着層を成膜した。
なお、得られた第１粘着層のショアＤ硬度は、４０であった。 Hereinafter, specific examples of the present invention will be described.
1. Production of Semiconductor Film and Semiconductor Device (Example 1)
<1> Formation of First Adhesive Layer 100 parts by weight of a copolymer having a weight average molecular weight of 300,000 obtained by copolymerizing 30% by weight of 2-ethylhexyl acrylate and 70% by weight of vinyl acetate, and a molecular weight of 700 5 parts by weight of pentafunctional acrylate monomer, 5 parts by weight of 2,2-dimethoxy-2-phenylacetophenone, and 3 parts by weight of tolylene diisocyanate (Coronate T-100, manufactured by Nippon Polyurethane Industry Co., Ltd.) It apply | coated so that the thickness after drying might be set to 10 micrometers with respect to the obtained 38-micrometer-thick polyester film, Then, it dried for 5 minutes at 80 degreeC. And the ultraviolet-ray 500mJ / cm < 2 > was irradiated with respect to the obtained coating film, and the 1st adhesion layer was formed into a film on the polyester film.
In addition, the Shore D hardness of the obtained 1st adhesion layer was 40.

＜２＞第２粘着層の形成
アクリル酸ブチル７０重量％とアクリル酸２−エチルヘキシル３０重量％とを共重合して得られた重量平均分子量５００，０００の共重合体１００重量部と、トリレンジイソシアネート（コロネートＴ−１００、日本ポリウレタン工業（株）製）３重量部と、を剥離処理した厚さ３８μｍのポリエステルフィルムに対して、乾燥後の厚さが１０μｍになるように塗布し、その後、８０℃で５分間乾燥した。そして、ポリエステルフィルム上に第２粘着層を成膜した。その後、支持フィルムとして厚さ１００μｍのポリエチレンシートをラミネートした。
なお、得られた第２粘着層のショアＡ硬度は、８０であった。 <2> Formation of Second Adhesive Layer 100 parts by weight of a copolymer having a weight average molecular weight of 500,000 obtained by copolymerizing 70% by weight of butyl acrylate and 30% by weight of 2-ethylhexyl acrylate, and tolylene 3 parts by weight of isocyanate (Coronate T-100, manufactured by Nippon Polyurethane Industry Co., Ltd.) was applied to a 38 μm thick polyester film which had been subjected to a release treatment so that the thickness after drying would be 10 μm. Dry at 80 ° C. for 5 minutes. And the 2nd adhesion layer was formed into a film on the polyester film. Thereafter, a polyethylene sheet having a thickness of 100 μm was laminated as a support film.
In addition, the Shore A hardness of the obtained 2nd adhesion layer was 80.

＜３＞接着層の形成
アクリル酸エステル共重合体（エチルアクリレート−ブチルアクリレート−アクリロニトリル−アクリル酸−ヒドロキシエチルメタクリレート共重合体のメチルエチルケトン（ＭＥＫ）溶解品、ナガセケムテックス（株）製、ＳＧ−７０８−６、Ｔｇ：６℃、重量平均分子量：５００，０００）の固形成分で１００重量部と、フェノキシ樹脂（ＪＥＲ１２５６、Ｔｇ：１００℃、重量平均分子量：５０，０００、ジャパンエポキシレジン（株）製）９．８重量部と、フィラーとして添加される球状シリカ（ＳＣ１０５０、平均粒径：０．３μｍ、（株）アドマテックス製）９０．８重量部と、カップリング剤として添加されるγ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン（ＫＢＭ４０３Ｅ、信越化学工業（株）製）１．１重量部と、フェノール樹脂（ＰＲ−５３６４７、水酸基当量１０４ｇ／ＯＨ基、住友ベークライト（株）製）０．１重量部とを、メチルエチルケトンに溶解して、樹脂固形分２０重量％の樹脂ワニスを得た。 <3> Formation of Adhesive Layer Acrylate ester copolymer (ethyl acrylate-butyl acrylate-acrylonitrile-acrylic acid-hydroxyethyl methacrylate copolymer methyl ethyl ketone (MEK) dissolved product, manufactured by Nagase ChemteX Corporation, SG-708 -6, Tg: 6 ° C., weight average molecular weight: 500,000) 100 parts by weight and phenoxy resin (JER1256, Tg: 100 ° C., weight average molecular weight: 50,000, manufactured by Japan Epoxy Resins Co., Ltd.) 9.8 parts by weight, 90.8 parts by weight of spherical silica (SC1050, average particle size: 0.3 μm, manufactured by Admatechs) added as a filler, and γ-glyce added as a coupling agent Sidoxypropyltrimethoxysilane (KBM403E, manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.) Part by weight and 0.1 part by weight of phenol resin (PR-53647, hydroxyl group equivalent 104 g / OH group, manufactured by Sumitomo Bakelite Co., Ltd.) are dissolved in methyl ethyl ketone to obtain a resin varnish having a resin solid content of 20% by weight. It was.

次に、得られた樹脂ワニスを、コンマコーターによりポリエチレンテレフタレートフィルム（帝人デュポンフィルム（株）製、品番ピューレックスＡ４３、厚さ３８μｍ）に塗布した後、温度１５０℃で３分間乾燥して、ポリエチレンテレフタレートフィルム上に厚さ２５μｍの接着層を成膜した。   Next, the obtained resin varnish was applied to a polyethylene terephthalate film (manufactured by Teijin DuPont Films Co., Ltd., product number Purex A43, thickness 38 μm) with a comma coater, and then dried at a temperature of 150 ° C. for 3 minutes. An adhesive layer having a thickness of 25 μm was formed on the terephthalate film.

なお、得られた樹脂ワニスの８０℃における溶融粘度は、４×１０３Ｐａ・ｓであった。 In addition, the melt viscosity in 80 degreeC of the obtained resin varnish was 4 * 10 < 3 > Pa * s.

＜４＞半導体用フィルムの製造
第１粘着層を成膜したフィルムと、接着層を成膜したフィルムとを、第１粘着層と接着層とが接するようにラミネート（積層）し、積層体を得た。 <4> Manufacture of a film for semiconductor A film in which a first adhesive layer is formed and a film in which an adhesive layer is formed are laminated (laminated) so that the first adhesive layer and the adhesive layer are in contact with each other. Obtained.

ここで、ラミネートの際には、第１粘着層と接着層とが接するようにフィルム同士を積層した後、以下に示す条件で、得られた積層体を厚さ方向に加圧（圧縮）しつつ、加熱した。   Here, in laminating, after laminating the films so that the first adhesive layer and the adhesive layer are in contact with each other, the obtained laminate is pressed (compressed) in the thickness direction under the following conditions. While heating.

＜加圧・加熱条件＞
・加熱温度 ：１００℃（１．００Ｔｇ）
・加熱時間 ：０．３秒（１００℃で維持される時間）
・温度×時間 ：３０（℃・ｓ）
・加圧力 ：０．３ＭＰａ <Pressurizing and heating conditions>
Heating temperature: 100 ° C. (1.00 Tg)
Heating time: 0.3 seconds (time maintained at 100 ° C.)
・ Temperature x time: 30 (℃ ・ s)
・ Pressure: 0.3 MPa

なお、積層体は複数個製造し、このうちの１つの縦断面を観察したところ、長さ１０μｍ以上の空隙は認められなかった。   A plurality of laminates were produced, and when one vertical cross-section was observed, no void having a length of 10 μm or more was observed.

次に、得られた積層体から第１粘着層側にあるポリエステルフィルムを剥離し、次に、ロール状の金型を用いて、第１粘着層と接着層を半導体ウエハーの外径よりも大きく、かつウエハーリングの内径よりも小さく打ち抜き、その後不要部分を除去して、第２積層体を得た。   Next, the polyester film on the first pressure-sensitive adhesive layer side is peeled from the obtained laminate, and then the first pressure-sensitive adhesive layer and the adhesive layer are made larger than the outer diameter of the semiconductor wafer by using a roll-shaped mold. And it punched out smaller than the internal diameter of a wafer ring, the unnecessary part was removed after that, and the 2nd laminated body was obtained.

さらに、第２粘着層の一方の面側にあるポリエステルフィルムを剥離した。そして、前記第２積層体の第１粘着層と第２粘着層とが接するように、これらを積層した。これにより、ポリエチレンシート（支持フィルム）、第２粘着層、第１粘着層、接着層およびポリエステルフィルムの５層がこの順で積層してなる半導体用フィルムを得た。   Further, the polyester film on the one surface side of the second adhesive layer was peeled off. And these were laminated | stacked so that the 1st adhesion layer and 2nd adhesion layer of a said 2nd laminated body might contact | connect. Thereby, the film for semiconductors formed by laminating the polyethylene sheet (support film), the second adhesive layer, the first adhesive layer, the adhesive layer, and the polyester film in this order was obtained.

＜５＞半導体装置の製造
次に、厚さ１００μｍ、８インチのシリコンウエハーを用意した。 <5> Manufacturing of Semiconductor Device Next, a silicon wafer having a thickness of 100 μm and 8 inches was prepared.

そして、半導体用フィルムからポリエステルフィルムを剥離し、その剥離面にシリコンウエハーを６０℃で積層した。これにより、ポリエチレンシート（支持フィルム）、第２粘着層、第１粘着層、接着層およびシリコンウエハーの５層がこの順で積層してなる積層体を得た。   And the polyester film was peeled from the film for semiconductors, and the silicon wafer was laminated | stacked on the peeling surface at 60 degreeC. Thereby, the laminated body formed by laminating | stacking 5 layers of a polyethylene sheet (support film), a 2nd adhesion layer, a 1st adhesion layer, an adhesion layer, and a silicon wafer in this order was obtained.

次いで、この積層体をシリコンウエハー側から、ダイシングソー（ＤＦＤ６３６０、（株）ディスコ製）を用いて以下の条件でダイシング（切断）した。これにより、シリコンウエハーが個片化され、以下のダイシングサイズの半導体素子を得た。   Next, the laminate was diced (cut) from the silicon wafer side using a dicing saw (DFD6360, manufactured by DISCO Corporation) under the following conditions. As a result, the silicon wafer was singulated, and a semiconductor element having the following dicing size was obtained.

＜ダイシング条件＞
・ダイシングサイズ ：１０ｍｍ×１０ｍｍ角
・ダイシング速度 ：５０ｍｍ／ｓｅｃ
・スピンドル回転数 ：４０，０００ｒｐｍ
・ダイシング最大深さ ：０．１３０ｍｍ（シリコンウエハーの表面からの切り込み量）
・ダイシングブレードの厚さ：１５μｍ
・切り込みの横断面積 ：７．５×１０−５ｍｍ２（接着層と第１粘着層との界面より先端側の部分の横断面積） <Dicing conditions>
・ Dicing size: 10 mm × 10 mm square ・ Dicing speed: 50 mm / sec
・ Spindle speed: 40,000 rpm
・ Maximum depth of dicing: 0.130 mm (the amount of cut from the surface of the silicon wafer)
・ Dicing blade thickness: 15μm
・ Cross sectional area: 7.5 × 10 −5 mm 2 (cross sectional area at the tip side from the interface between the adhesive layer and the first adhesive layer)

なお、このダイシングにより形成された切り込みは、その先端が第１粘着層内に達していた。   In addition, the notch formed by this dicing had the front-end | tip reached in the 1st adhesion layer.

次いで、半導体素子の１つを半導体用フィルムの裏面からニードルで突き上げ、突き上げた半導体素子の表面をダイボンダのコレットで吸着しつつ上方に引き上げた。これにより、半導体素子と接着層の個片をピックアップした。   Next, one of the semiconductor elements was pushed up with a needle from the back surface of the semiconductor film, and the pushed up surface of the semiconductor element was pulled up while being adsorbed by a collet of a die bonder. As a result, individual pieces of the semiconductor element and the adhesive layer were picked up.

次に、ピックアップした個片を、ソルダーレジスト（太陽インキ製造（株）製、商品名：ＡＵＳ３０８）をコーティングしたビスマレイミド−トリアジン樹脂基板（回路段差５〜１０μｍ）に、温度１３０℃、荷重５Ｎで、１．０秒間圧着して、ダイボンディングした。
次いで、半導体素子と樹脂基板とをワイヤボンディングにより電気的に接続した。 Next, the picked-up piece is applied to a bismaleimide-triazine resin substrate (circuit level difference: 5 to 10 μm) coated with a solder resist (manufactured by Taiyo Ink Manufacturing Co., Ltd., trade name: AUS308) at a temperature of 130 ° C. and a load of 5 N. For 1.0 second and die bonded.
Next, the semiconductor element and the resin substrate were electrically connected by wire bonding.

そして、樹脂基板上の半導体素子およびボンディングワイヤを、封止樹脂ＥＭＥ−Ｇ７６０で封止し、温度１７５℃で２時間の熱処理に供した。これにより、封止樹脂を硬化させて半導体装置を得た。なお、本実施例では、かかる半導体装置を１００個作製した。   Then, the semiconductor element and the bonding wire on the resin substrate were sealed with a sealing resin EME-G760 and subjected to a heat treatment at a temperature of 175 ° C. for 2 hours. Thereby, the sealing resin was cured to obtain a semiconductor device. Note that 100 semiconductor devices were manufactured in this example.

（実施例２〜９、比較例１、２）
半導体用フィルムの製造において、第１粘着層と接着層とが接するようにフィルム同士をラミネートする際の条件を、それぞれ表１に示す条件に変更した以外は、前記実施例１と同様にして半導体用フィルムを製造し、これを用いて半導体装置を製造した。 (Examples 2 to 9, Comparative Examples 1 and 2)
In the production of a film for semiconductor, the semiconductor was prepared in the same manner as in Example 1 except that the conditions for laminating the films so that the first adhesive layer and the adhesive layer were in contact with each other were changed to the conditions shown in Table 1, respectively. A film was manufactured, and a semiconductor device was manufactured using the film.

（実施例１０、１１、比較例３）
接着層の形成において、フェノキシ樹脂（ＪＥＲ１２５６、Ｔｇ：１００℃、重量平均分子量：５０，０００、ジャパンエポキシレジン（株）製）の代わりにフェノキシ樹脂（ＪＥＲ４２５６Ｈ４０、Ｔｇ：６５℃、重量平均分子量：６２，０００、ジャパンエポキシレジン（株）製）を用い、半導体用フィルムの製造において、第１粘着層と接着層とが接するようにフィルム同士をラミネートする際の条件を、それぞれ表１に示す条件に変更した以外は、前記実施例１と同様にして半導体用フィルムを製造し、これを用いて半導体装置を製造した。 (Examples 10 and 11, Comparative Example 3)
In the formation of the adhesive layer, phenoxy resin (JER4256H40, Tg: 65 ° C., weight average molecular weight: 62) instead of phenoxy resin (JER1256, Tg: 100 ° C., weight average molecular weight: 50,000, manufactured by Japan Epoxy Resins Co., Ltd.) , 000, manufactured by Japan Epoxy Resin Co., Ltd.), in the production of a film for a semiconductor, the conditions for laminating the films so that the first adhesive layer and the adhesive layer are in contact with each other are the conditions shown in Table 1, respectively. A semiconductor film was manufactured in the same manner as in Example 1 except that the semiconductor device was changed, and a semiconductor device was manufactured using this.

（実施例１２、１３、比較例４）
接着層の形成において、フェノキシ樹脂（ＪＥＲ１２５６、Ｔｇ：１００℃、重量平均分子量：５０，０００、ジャパンエポキシレジン（株）製）の代わりにフェノキシ樹脂（ＪＥＲ４２５０、Ｔｇ：７８℃、重量平均分子量：５９，０００、ジャパンエポキシレジン（株）製）を用い、半導体用フィルムの製造において、第１粘着層と接着層とが接するようにフィルム同士をラミネートする際の条件を、それぞれ表１に示す条件に変更した以外は、前記実施例１と同様にして半導体用フィルムを製造し、これを用いて半導体装置を製造した。 (Examples 12 and 13, Comparative Example 4)
In the formation of the adhesive layer, phenoxy resin (JER4250, Tg: 78 ° C., weight average molecular weight: 59) instead of phenoxy resin (JER1256, Tg: 100 ° C., weight average molecular weight: 50,000, manufactured by Japan Epoxy Resins Co., Ltd.) , 000, manufactured by Japan Epoxy Resin Co., Ltd.), in the production of a film for a semiconductor, the conditions for laminating the films so that the first adhesive layer and the adhesive layer are in contact with each other are the conditions shown in Table 1, respectively. A semiconductor film was manufactured in the same manner as in Example 1 except that the semiconductor device was changed, and a semiconductor device was manufactured using this.

（実施例１４、１５、比較例５）
接着層の形成において、フェノキシ樹脂（ＪＥＲ１２５６、Ｔｇ：１００℃、重量平均分子量：５０，０００、ジャパンエポキシレジン（株）製）の代わりにフェノキシ樹脂（ＪＥＲ５５８０ＢＰＸ４０、Ｔｇ：１１０℃、重量平均分子量：３１，０００、ジャパンエポキシレジン（株）製）を用い、半導体用フィルムの製造において、第１粘着層と接着層とが接するようにフィルム同士をラミネートする際の条件を、それぞれ表１に示す条件に変更した以外は、前記実施例１と同様にして半導体用フィルムを製造し、これを用いて半導体装置を製造した。 (Examples 14 and 15, Comparative Example 5)
In the formation of the adhesive layer, phenoxy resin (JER5580BPX40, Tg: 110 ° C., weight average molecular weight: 31) instead of phenoxy resin (JER1256, Tg: 100 ° C., weight average molecular weight: 50,000, manufactured by Japan Epoxy Resins Co., Ltd.) , 000, manufactured by Japan Epoxy Resin Co., Ltd.), in the production of a film for a semiconductor, the conditions for laminating the films so that the first adhesive layer and the adhesive layer are in contact with each other are the conditions shown in Table 1, respectively. A semiconductor film was manufactured in the same manner as in Example 1 except that the semiconductor device was changed, and a semiconductor device was manufactured using this.

２．ダイシング性およびピックアップ性の評価
２．１ ダイシング性
まず、各実施例および各比較例におけるダイシング性を評価した。具体的には、各実施例および各比較例において、半導体ウエハーを個片化して１００個の半導体素子を製造する際に、個片の脱離の有無を以下の評価基準に従って評価した。 2. 2. Evaluation of Dicing Property and Pickup Property 2.1 Dicing Property First, the dicing property in each example and each comparative example was evaluated. Specifically, in each Example and each Comparative Example, when manufacturing 100 semiconductor elements by dividing a semiconductor wafer into pieces, the presence or absence of the pieces was evaluated according to the following evaluation criteria.

＜ダイシング性の評価基準＞
◎：脱離した半導体素子の個数が０個
○：脱離した半導体素子の個数が１個以上３個未満
△：脱離した半導体素子の個数が３個以上５個未満
×：脱離した半導体素子の個数が５個以上 <Evaluation criteria for dicing properties>
◎: The number of detached semiconductor elements is 0. ○: The number of detached semiconductor elements is 1 or more and less than 3. Δ: The number of detached semiconductor elements is 3 or more and less than 5. 5 or more elements

２．２ ピックアップ性
次いで、個片化した半導体素子のピックアップ性を評価するため、半導体素子の９０°ピール強度を測定した。このピール強度は、半導体素子の上面に１ｃｍ幅の短冊状の粘着フィルムを２３℃（室温）で貼り付け、その後、２３℃（室温）において、この支持フィルムの側より剥離角９０°でかつ引っ張り速度５０ｍｍ／ｍｉｎで引き剥がしたときの荷重とした。 2.2 Pickup property Next, in order to evaluate the pickup property of the separated semiconductor element, the 90 ° peel strength of the semiconductor element was measured. The peel strength is obtained by sticking a 1 cm wide strip-shaped adhesive film to the upper surface of the semiconductor element at 23 ° C. (room temperature), and then pulling at a peel angle of 90 ° from the support film side at 23 ° C. (room temperature). It was set as the load at the time of peeling at a speed of 50 mm / min.

そして、測定した荷重を、ピール強度の基準範囲０．１〜０．４Ｎ／ｃｍを用いた以下の評価基準に従って評価した。   And the measured load was evaluated in accordance with the following evaluation criteria using a peel strength reference range of 0.1 to 0.4 N / cm.

＜ピックアップ性の評価基準＞
◎：基準範囲から逸脱する半導体素子の個数が０個
○：基準範囲から逸脱する半導体素子の個数が１個以上５個未満
△：基準範囲から逸脱する半導体素子の個数が５個以上１０個未満
×：基準範囲から逸脱する半導体素子の個数が１０個以上
以上２．１、２．２の評価結果を表１に示す。 <Evaluation criteria for pickup properties>
A: The number of semiconductor elements deviating from the reference range is 0. O: The number of semiconductor elements deviating from the reference range is 1 or more and less than 5. Δ: The number of semiconductor elements deviating from the reference range is 5 or more and less than 10. X: The number of semiconductor elements deviating from the reference range is 10 or more. Table 1 shows the evaluation results of 2.1 and 2.2.

Figure 2011035075
Figure 2011035075

各実施例におけるダイシング性は、比較的良好であった。また、半導体用フィルムの製造過程において、接着層と第１粘着層とが接するようにラミネートしつつ加熱する際に、その加熱温度を、接着層を構成する樹脂組成物に含まれる最もガラス転移温度が高い熱可塑性樹脂のガラス転移温度Ｔｇに対して所定の温度範囲内に維持することにより、特にダイシング性が良好であった。   The dicing property in each example was relatively good. Moreover, in the process of manufacturing a film for a semiconductor, when heating while laminating so that the adhesive layer and the first adhesive layer are in contact with each other, the heating temperature is the most glass transition temperature contained in the resin composition constituting the adhesive layer. The dicing property was particularly good by maintaining the temperature within a predetermined temperature range with respect to the glass transition temperature Tg of the thermoplastic resin having a high value.

また、各比較例におけるダイシング性は、比較例１、３、４において多くの不良が認められた。これは、加熱時の熱量（加熱温度と加熱時間の積）が小さかったため、接着層と第１粘着層との密着力が小さ過ぎたことに起因するものと思われる。   In addition, as for the dicing property in each comparative example, many defects were recognized in comparative examples 1, 3, and 4. This is probably because the amount of heat at the time of heating (the product of the heating temperature and the heating time) was small, and the adhesion between the adhesive layer and the first adhesive layer was too small.

一方、各実施例におけるピックアップ性も、比較的良好であった。また、加熱温度と加熱時間の積、および、加熱温度のＴｇに対する値とが、所定の範囲内に収まるよう制御することにより、特にピックアップ性が良好となった。   On the other hand, the pickup property in each example was also relatively good. In addition, the pickup property was particularly improved by controlling the product of the heating temperature and the heating time and the value of the heating temperature with respect to Tg to be within a predetermined range.

また、各比較例におけるピックアップ性には、いずれも問題があった。その理由としては、半導体用フィルムを製造する際に、ダイシング性における問題が、そのままピックアップ性の低下にも繋がっていることが挙げられる。また、接着層と第１粘着層との密着力が大き過ぎたために、ピックアップの際の円滑な剥離が妨げられることも挙げられる。   Further, there was a problem with the pickup property in each comparative example. The reason is that when manufacturing a film for a semiconductor, a problem in dicing properties directly leads to a decrease in pickup properties. Moreover, since the adhesive force between the adhesive layer and the first adhesive layer is too large, smooth peeling at the time of picking up is prevented.

また、個片化した半導体素子のピックアップ性を評価するため、半導体素子の９０°ピール強度を測定した。このピール強度は、半導体素子の上面に１ｃｍ幅の短冊状の粘着フィルムを２３℃（室温）で貼り付け、その後、２３℃（室温）において、この支持フィルムの側より剥離角９０°でかつ引っ張り速度５０ｍｍ／ｍｉｎで引き剥がしたときの荷重とした。   Moreover, in order to evaluate the pick-up property of the separated semiconductor element, the 90 ° peel strength of the semiconductor element was measured. The peel strength is obtained by sticking a 1 cm wide strip-shaped adhesive film to the upper surface of the semiconductor element at 23 ° C. (room temperature), and then pulling at a peel angle of 90 ° from the support film side at 23 ° C. (room temperature). It was set as the load at the time of peeling at a speed of 50 mm / min.

この測定の結果、各実施例では、いずれも、ピール強度が０．１〜０．４Ｎ／ｃｍの比較的狭い範囲に収まっていた。すなわち、半導体素子を前記範囲の荷重で引っ張りさえすれば、安定的にピックアップを行うことができることがわかった。このため、各実施例では、局所的に大きな荷重がかかることによる半導体素子の割れや欠け等の不具合を確実に抑制し得ることが明らかとなった。また、各実施例においてピックアップ後の半導体素子の縁部を観察したところ、バリや削り屑等の異物の付着は認められなかった。   As a result of this measurement, in each Example, the peel strength was within a relatively narrow range of 0.1 to 0.4 N / cm. That is, it was found that the pickup can be stably performed as long as the semiconductor element is pulled with the load within the above range. For this reason, in each Example, it became clear that problems, such as a crack and a chip | tip of a semiconductor element by a large load being locally applied, can be suppressed reliably. Moreover, when the edge part of the semiconductor element after pick-up was observed in each Example, adhesion of foreign materials, such as a burr | flash and shavings, was not recognized.

一方、各比較例においても、各実施例と同様にしてピール強度を測定したところ、０．１〜０．７Ｎ／ｃｍの範囲でバラつきが認められた。このように、半導体素子にかかる荷重の大きさが部分ごとに異なっている場合、半導体素子の厚さによっては、割れや欠け等の不具合を誘発するおそれがある。実際に、各比較例においてピックアップ後の半導体素子には、欠けの発生が認められた。   On the other hand, in each comparative example, when peel strength was measured in the same manner as in each example, variation was found in the range of 0.1 to 0.7 N / cm. Thus, when the magnitude | size of the load concerning a semiconductor element differs for every part, there exists a possibility of inducing defects, such as a crack and a chip, depending on the thickness of a semiconductor element. Actually, in each comparative example, occurrence of chipping was observed in the semiconductor element after pickup.

１ 第１粘着層
１１ 外周縁
２ 第２粘着層
２１ 外周部
３、３１ 接着層
４ 支持フィルム
４１ 外周部
４ａ、４ｂ 基材
５ 絶縁基板
６１〜６４ 積層体
７ 半導体ウエハー
７１ 半導体素子
８ 積層体
８１ 切り込み
８２ ダイシングブレード
８３ 個片
８４ ワイヤ
８５ モールド層
８６ ボール状電極
９ ウエハーリング
１０、１０’ 半導体用フィルム
１００ 半導体装置 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 1st adhesion layer 11 Outer periphery 2 2nd adhesion layer 21 Outer peripheral part 3, 31 Adhesive layer 4 Support film 41 Outer peripheral part 4a, 4b Base material 5 Insulating substrate 61-64 Laminated body 7 Semiconductor wafer 71 Semiconductor element 8 Laminated body 81 Cut 82 Dicing blade 83 Piece 84 Wire 85 Mold layer 86 Ball-shaped electrode 9 Wafer ring 10, 10 'Semiconductor film 100 Semiconductor device

Claims (11)

接着層と少なくとも１層の粘着層と支持フィルムとがこの順で積層されてなり、前記接着層の前記粘着層と反対側の面に半導体ウエハーを積層させ、この状態で該半導体ウエハーおよび前記接着層を切断してそれぞれ個片化し、得られた個片を前記支持フィルムからピックアップする際に用いる半導体用フィルムを製造する方法であって、
前記接着層と前記粘着層との積層は、これらを加熱しつつ重ね合わせることで行われ、
前記加熱における加熱温度と加熱時間の積は、１０〜３００（℃・ｓ）であることを特徴とする半導体用フィルムの製造方法。 An adhesive layer, at least one adhesive layer and a support film are laminated in this order, and a semiconductor wafer is laminated on the surface of the adhesive layer opposite to the adhesive layer, and in this state, the semiconductor wafer and the adhesive film are laminated. A method for producing a film for semiconductor used when cutting a layer into individual pieces, and picking up the obtained individual pieces from the support film,
Lamination of the adhesive layer and the adhesive layer is performed by superimposing them while heating,
The product of the heating temperature and the heating time in the heating is 10 to 300 (° C. · s). 前記接着層を構成する樹脂組成物に含まれる最もガラス転移温度が低い熱可塑性樹脂のガラス転移温度は、−２５〜１００℃である請求項１に記載の半導体用フィルムの製造方法。   2. The method for producing a film for a semiconductor according to claim 1, wherein the thermoplastic resin having the lowest glass transition temperature contained in the resin composition constituting the adhesive layer has a glass transition temperature of −25 to 100 ° C. 3. 前記加熱温度は、前記接着層を構成する樹脂組成物に含まれる最もガラス転移温度が高い熱可塑性樹脂のガラス転移温度をＴｇとしたとき、０．５Ｔｇ〜１．５Ｔｇであり、かつ常温以上である請求項１または２に記載の半導体用フィルムの製造方法。   The heating temperature is 0.5 Tg to 1.5 Tg, where Tg is the glass transition temperature of the thermoplastic resin having the highest glass transition temperature contained in the resin composition constituting the adhesive layer, and above room temperature. The manufacturing method of the film for semiconductors of Claim 1 or 2. 前記熱可塑性樹脂は、アクリル系樹脂である請求項１ないし３のいずれかに記載の半導体用フィルムの製造方法。   The method for producing a film for a semiconductor according to any one of claims 1 to 3, wherein the thermoplastic resin is an acrylic resin. 前記接着層と前記粘着層との積層は、これらを加熱しつつ厚さ方向に加圧することにより行われ、
前記加圧の際の圧力は、０．０１〜１ＭＰａである請求項１ないし４のいずれかに記載の半導体用フィルムの製造方法。 Lamination of the adhesive layer and the adhesive layer is performed by pressing in the thickness direction while heating them,
The method for producing a film for semiconductor according to any one of claims 1 to 4, wherein a pressure during the pressurization is 0.01 to 1 MPa. 前記接着層の構成材料の８０℃における溶融粘度は、５×１０２〜１×１０５Ｐａ・ｓである請求項１ないし５のいずれかに記載の半導体用フィルムの製造方法。 The method for producing a semiconductor film according to claim 1, wherein the constituent material of the adhesive layer has a melt viscosity at 80 ° C. of 5 × 10 2 to 1 × 10 5 Pa · s. 前記粘着層は、複数の層で構成されており、
該複数の層は、前記半導体ウエハー側に位置する第１粘着層と、この第１粘着層の前記支持フィルム側に隣接し、前記第１粘着層よりも粘着性の大きい第２粘着層とを含んでいる請求項１ないし６のいずれかに記載の半導体用フィルムの製造方法。 The adhesive layer is composed of a plurality of layers,
The plurality of layers include a first adhesive layer located on the semiconductor wafer side, and a second adhesive layer adjacent to the support film side of the first adhesive layer and having higher adhesiveness than the first adhesive layer. The manufacturing method of the film for semiconductors in any one of Claim 1 thru | or 6 included. 前記第１粘着層のショアＤ硬度は、２０〜６０である請求項７に記載の半導体用フィルムの製造方法。   The method for producing a semiconductor film according to claim 7, wherein the Shore D hardness of the first adhesive layer is 20 to 60. 前記支持フィルム上に前記粘着層を成膜する粘着層形成工程と、
基材上に前記接着層を成膜する接着層形成工程と、
前記接着層と前記粘着層とが接するように、前記基材と前記支持フィルムとを重ね合わせる積層工程とを有する請求項１ないし８のいずれかに記載の半導体用フィルムの製造方法。 An adhesive layer forming step of forming the adhesive layer on the support film;
An adhesive layer forming step of forming the adhesive layer on a substrate;
The manufacturing method of the film for semiconductors in any one of Claim 1 thru | or 8 which has a lamination process which piles up the said base material and the said support film so that the said contact bonding layer and the said adhesion layer may contact | connect. 請求項１ないし９のいずれかに記載の半導体用フィルムの製造方法により製造された半導体用フィルムであって、
前記個片を前記粘着層から剥離させる際に測定される密着力は、０．０５〜０．５（Ｎ／ｃｍ）の範囲内にあることを特徴とする半導体用フィルム。 A semiconductor film manufactured by the method for manufacturing a semiconductor film according to claim 1,
The film for a semiconductor, wherein an adhesion force measured when the pieces are peeled from the adhesive layer is in a range of 0.05 to 0.5 (N / cm). 前記接着層と前記粘着層との間に、平面視における外径が１０μｍ以上の空隙を含まない請求項１０に記載の半導体用フィルム。   The film for semiconductors of Claim 10 which does not contain the space | gap whose outer diameter in planar view is 10 micrometers or more between the said contact bonding layers and the said adhesion layer.
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