JP2012195414A - Dicing tape integrated adhesive sheet, multilayer circuit board, electronic component and semiconductor device - Google Patents

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JP2012195414A JP2011057813A JP2011057813A JP2012195414A JP 2012195414 A JP2012195414 A JP 2012195414A JP 2011057813 A JP2011057813 A JP 2011057813A JP 2011057813 A JP2011057813 A JP 2011057813A JP 2012195414 A JP2012195414 A JP 2012195414A
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Kenzo Maejima
研三 前島
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a dicing tape integrated adhesive sheet exhibiting excellent workability which can connect terminals of members facing each other and seal a gap between the members simultaneously, can connect terminals of members facing each other reliably, and has an adhesive film less prone to generate out gas and bubbles.SOLUTION: A dicing tape integrated adhesive sheet 10 has a laminate structure consisting of an adhesive film 3 which bonds a support and a bonded body by connecting a first terminal of the support and a second terminal of the bonded body electrically by using solder, and a dicing tape 2. The minimum melting viscosity of the adhesive film 3 is 0.01-100,000 Pa s or lower, and when the exothermic peak temperature of the adhesive film 3 is defined as (a), and the 5% weight loss on heating temperature of the adhesive film 3 is defined as (b), the problems can be solved by a dicing tape integrated adhesive sheet 10 satisfying the following formula (1): (b)-(a)≥100°C...(1).

Description

本発明は、ダイシングテープ一体型接着シート、多層回路基板、電子部品及び半導体装置に関するものである。   The present invention relates to a dicing tape-integrated adhesive sheet, a multilayer circuit board, an electronic component, and a semiconductor device.

近年の電子機器の高機能化及び軽薄短小化の要求に伴い、半導体パッケージ等の電子部品の高密度集積化、高密度実装化が進んでおり、これら電子部品の小型化、多ピン化が進んでいる。これら電子部品の電気的な接続を得るためには、半田接合が用いられている。
この半田接合としては、例えば半導体チップ同士の導通接合部、フリップチップで搭載したパッケージのような半導体チップと回路基板間との導通接合部、回路基板同士の導通接合部等が挙げられる。この半田接合部には、電気的な接続強度及び機械的な接続強度を確保するために、一般的にアンダーフィル材と呼ばれる封止樹脂が注入されている(アンダーフィル封止)。
In recent years, electronic devices such as semiconductor packages have been integrated with high density and high density packaging in response to the demands for higher functionality and lighter, thinner and shorter electronic devices. These electronic components have become smaller and more pins. It is out. In order to obtain an electrical connection between these electronic components, solder bonding is used.
Examples of the solder bonding include a conductive bonding portion between semiconductor chips, a conductive bonding portion between a semiconductor chip such as a package mounted in a flip chip and a circuit board, a conductive bonding portion between circuit boards, and the like. In order to ensure electrical connection strength and mechanical connection strength, a sealing resin generally called an underfill material is injected into the solder joint portion (underfill sealing).

この半田接合部よって生じた空隙(ギャップ)を液状封止樹脂(アンダーフィル材)で補強する場合、半田接合後に液状封止樹脂(アンダーフィル材)を供給し、これを硬化することによって半田接合部を補強している。しかしながら、電子部品の薄化、小型化に伴い、半田接合部は狭ピッチ化/狭ギャップ化しているため、半田接合後に液状封止樹脂(アンダーフィル材)を供給してもギャップ間に液状封止樹脂(アンダーフィル材)が行き渡らなく、完全に充填することが困難になるという問題が生じている。   When the gap (gap) generated by this solder joint is reinforced with a liquid sealing resin (underfill material), the liquid sealing resin (underfill material) is supplied after the solder joint, and the solder is bonded by curing it. The part is reinforced. However, as the electronic components become thinner and smaller, the solder joints are narrowed in pitch / narrow gap. Therefore, even if liquid sealing resin (underfill material) is supplied after soldering, the liquid sealing between the gaps There is a problem that the stop resin (underfill material) does not spread and it becomes difficult to completely fill the resin.

このような問題に対して、異方導電フィルムを介して端子間の電気的接続と接着とを一括で行う方法が知られている。例えば半田粒子を含む接着フィルムを、部材間に介在させて熱圧着させることにより、両部材の端子間に半田粒子を介在させ、他部に樹脂成分を充填させる方法や、金属粒子を接触させることによって電気的接続をとる方法が記載されている(例えば、特許文献1、2)。   In order to solve such a problem, a method is known in which electrical connection and adhesion between terminals are collectively performed through an anisotropic conductive film. For example, an adhesive film containing solder particles is interposed between members and thermocompression bonded so that the solder particles are interposed between the terminals of both members and the resin component is filled in the other part, or metal particles are brought into contact with each other. Describes a method of establishing an electrical connection (for example, Patent Documents 1 and 2).

しかしこの方法では、隣接する端子間に導電性粒子が存在するため、隣接する端子間の絶縁性を確保することや隣接する端子間に気泡が存在するため、電子部品や半導体装置の信頼性を確保することは困難であった。   However, in this method, since conductive particles exist between adjacent terminals, insulation between adjacent terminals is ensured and bubbles exist between adjacent terminals, so that reliability of electronic components and semiconductor devices is improved. It was difficult to secure.

特開昭61−276873号公報JP-A 61-276873 特開平9−31419号公報JP-A-9-31419

本発明の目的は、対向する部材の端子間の接続および部材間の空隙の封止を同時に行うことができ、また、対向する部材の端子間を確実に接続することができ、さらに、アウトガスが少なく気泡の発生が少ないダイシングテープ一体型接着シートを提供することにある。また、別の目的は、電気的接続信頼性が高く、さらに、気泡の少ない多層回路基板、電子部品および半導体装置を提供することにある。   The object of the present invention is to simultaneously connect the terminals of the opposing members and seal the gaps between the members, to reliably connect the terminals of the opposing members, and to further reduce the outgas An object of the present invention is to provide a dicing tape-integrated adhesive sheet that generates less bubbles. Another object is to provide a multilayer circuit board, an electronic component, and a semiconductor device having high electrical connection reliability and less bubbles.

このような目的は、下記(1)〜(14)により達成される。
(1) 支持体の第一の端子と、被着体の第二の端子を、半田を用いて電気的に接続し、該支持体と該被着体とを接着する接着フィルムと、ダイシングテープとから構成される積層構造を有するダイシングテープ一体型接着シートであって、
該接着フィルムの最低溶融粘度が0.01〜100,000Pa・s以下であり、かつ、該接着フィルムの発熱ピーク温度を(a)、該接着フィルムの5%重量加熱減量温度を(b)と定義した時、下記の式(1)を満たすことを特徴とするダイシングテープ一体型接着シート。
(b)−(a)≧100℃ (1)
(2) (A)熱硬化性樹脂と、(B)硬化剤と、(C)フラックス機能を有する化合物と、(D)成膜性樹脂と、を含む上記(1)に記載の接着フィルム。
(3) 前記(A)熱硬化性樹脂と、前記(C)フラックス機能を有する化合物の配合比((A)/(C))が、0.5〜20.0である、上記(2)に記載のダイシングテープ一体型接着シート。
(4) 前記(A)熱硬化性樹脂の含有量が5〜80重量%である、上記(2)または(3)に記載のダイシングテープ一体型接着シート。
(5) 前記(A)熱硬化性樹脂がエポキシ樹脂である、上記(2)ないし(4)のいずれかに記載のダイシングテープ一体型接着シート。
(6) 前記(C)フラックス機能を有する化合物が、カルボキシル基および/またはフェノール性水酸基を有するフラックス機能を有する化合物である、上記(2)ないし(5)のいずれかに記載のダイシングテープ一体型接着シート。
(7) 前記(C)フラックス機能を有する化合物が、1分子中に2個のフェノール性水酸基と、少なくとも1個の芳香族に直接結合したカルボキシル基とを有するフラックス機能を有する化合物である、上記(2)ないし(6)のいずれかに記載のダイシングテープ一体型接着シート。
(8) 前記(C)フラックス機能を有する化合物が、下記一般式(2)で示される化合物を含む、上記(2)ないし(7)に記載のダイシングテープ一体型接着シート。
HOOC−(CH)n−COOH (2)
(式(2)中、nは、1〜20の整数である。)
(9) 前記(C)フラックス機能を有する化合物が、下記一般式(3)及び/又は(4)で示される化合物を含む、上記(2)ないし(8)のいずれかに記載のダイシングテープ一体型接着シート。
Such an object is achieved by the following (1) to (14).
(1) An adhesive film for electrically connecting the first terminal of the support and the second terminal of the adherend using solder, and bonding the support and the adherend, and a dicing tape A dicing tape-integrated adhesive sheet having a laminated structure comprising:
The minimum melt viscosity of the adhesive film is 0.01 to 100,000 Pa · s or less, the exothermic peak temperature of the adhesive film is (a), and the 5% weight loss on heating weight of the adhesive film is (b). A dicing tape integrated adhesive sheet characterized by satisfying the following formula (1) when defined:
(B)-(a) ≧ 100 ° C. (1)
(2) The adhesive film according to (1), comprising (A) a thermosetting resin, (B) a curing agent, (C) a compound having a flux function, and (D) a film-forming resin.
(3) Said (2) whose compounding ratio ((A) / (C)) of said (A) thermosetting resin and said (C) compound which has a flux function is 0.5-20.0. The dicing tape-integrated adhesive sheet as described in 1.
(4) The dicing tape-integrated adhesive sheet according to (2) or (3), wherein the content of the (A) thermosetting resin is 5 to 80% by weight.
(5) The dicing tape-integrated adhesive sheet according to any one of (2) to (4), wherein the (A) thermosetting resin is an epoxy resin.
(6) The dicing tape integrated type according to any one of (2) to (5), wherein the compound having the flux function (C) is a compound having a flux function having a carboxyl group and / or a phenolic hydroxyl group. Adhesive sheet.
(7) The compound (C) having a flux function is a compound having a flux function having two phenolic hydroxyl groups in one molecule and a carboxyl group directly bonded to at least one aromatic group. The dicing tape-integrated adhesive sheet according to any one of (2) to (6).
(8) The dicing tape-integrated adhesive sheet according to (2) to (7), wherein the compound having the (C) flux function includes a compound represented by the following general formula (2).
HOOC- (CH 2) n-COOH (2)
(In Formula (2), n is an integer of 1-20.)
(9) The dicing tape according to any one of (2) to (8), wherein the compound having the (C) flux function includes a compound represented by the following general formula (3) and / or (4): Body adhesive sheet.

Figure 2012195414

[式中、R〜Rは、それぞれ独立して、1価の有機基であり、R〜Rの少なくとも一つは水酸基である。]
Figure 2012195414

[Wherein, R 1 to R 5 are each independently a monovalent organic group, and at least one of R 1 to R 5 is a hydroxyl group. ]

Figure 2012195414

[式中、R〜R20は、それぞれ独立して、1価の有機基であり、R〜R20の少なくとも一つは水酸基又はカルボキシル基である。]
(10) 前記接着フィルムが、さらに充填材を含む上記(1)ないし(9)のいずれかに記載のダイシングテープ一体型接着シート。
(11) 前記充填材の含有量が、0.1重量%以上80重量%未満である上記(10)に記載のダイシングテープ一体型接着シート。
(12) 上記(1)ないし(11)のいずれかに記載の接着フィルムの硬化物を有することを特徴とする多層回路基板。
(13) 上記(1)ないし(11)のいずれかに記載の接着フィルムの硬化物を有することを特徴とする電子部品。
(14) 上記(1)ないし(11)のいずれかに記載の接着フィルムの硬化物を有することを特徴とする半導体装置。
Figure 2012195414

[Wherein, R 6 to R 20 are each independently a monovalent organic group, and at least one of R 6 to R 20 is a hydroxyl group or a carboxyl group. ]
(10) The dicing tape-integrated adhesive sheet according to any one of (1) to (9), wherein the adhesive film further includes a filler.
(11) The dicing tape-integrated adhesive sheet according to (10), wherein the content of the filler is 0.1 wt% or more and less than 80 wt%.
(12) A multilayer circuit board comprising a cured product of the adhesive film according to any one of (1) to (11).
(13) An electronic component comprising a cured product of the adhesive film according to any one of (1) to (11).
(14) A semiconductor device comprising a cured product of the adhesive film according to any one of (1) to (11).

本発明によれば、対向する部材の端子間の接続および部材間の空隙の封止を同時に行うことができ、また、対向する部材の端子間を確実に接続することができ、さらに、アウトガスが少なく気泡の発生が少ないダイシングテープ一体型接着シートを提供することができる。また、本発明によれば、電気的接続信頼性が高く、さらに、気泡の少ない多層回路基板、電子部品および半導体装置を提供することができる。   According to the present invention, the connection between the terminals of the opposing members and the sealing of the gap between the members can be performed simultaneously, the terminals of the opposing members can be reliably connected, and the outgas is further reduced. A dicing tape-integrated adhesive sheet with less generation of bubbles can be provided. In addition, according to the present invention, it is possible to provide a multilayer circuit board, an electronic component, and a semiconductor device having high electrical connection reliability and few bubbles.

図1は、本発明のダイシングテープ一体型接着シートを用いた半導体装置の製造方法の一例を模式的に示す断面図である。FIG. 1 is a cross-sectional view schematically showing an example of a semiconductor device manufacturing method using the dicing tape-integrated adhesive sheet of the present invention. 図2は、本発明のダイシングテープ一体型接着シートを用いた半導体装置の製造方法の一例を模式的に示す断面図である。FIG. 2 is a cross-sectional view schematically showing an example of a method for manufacturing a semiconductor device using the dicing tape-integrated adhesive sheet of the present invention. 図3は、本発明のダイシングテープ一体型接着シートの製造方法の一例を模式的に示す断面図である。FIG. 3 is a cross-sectional view schematically showing an example of a manufacturing method of the dicing tape-integrated adhesive sheet of the present invention.

以下、本発明のダイシングテープ一体型接着シート、多層回路基板、電子部品及び半導体装置に関して説明する。
本発明のダイシングテープ一体型接着シートは、支持体の第一の端子と、被着体の第二の端子を、半田を用いて電気的に接続し、該支持体と該被着体とを接着する接着フィルムと、ダイシングテープとから構成される積層構造を有するダイシングテープ一体型接着シートであって、
該接着フィルムの最低溶融粘度が0.01〜100,000Pa・s以下であり、かつ、該接着フィルムの発熱ピーク温度を(a)、該接着フィルムの5%重量加熱減量温度を(b)と定義した時、下記の式(1)を満たすことを特徴とする。
(b)−(a)≧100℃ (1)
また、本発明の多層回路基板、電子部品及び半導体装置は、第一の端子を有する支持体と、第二の端子を有する被着体とを、上記接着フィルムを用いて、電気的に接続し、該支持体と該被着体とを接着したものである。
Hereinafter, the dicing tape integrated adhesive sheet, multilayer circuit board, electronic component, and semiconductor device of the present invention will be described.
The dicing tape-integrated adhesive sheet of the present invention is formed by electrically connecting the first terminal of the support and the second terminal of the adherend using solder, and connecting the support and the adherend. A dicing tape integrated adhesive sheet having a laminated structure composed of an adhesive film to be bonded and a dicing tape,
The minimum melt viscosity of the adhesive film is 0.01 to 100,000 Pa · s or less, the exothermic peak temperature of the adhesive film is (a), and the 5% weight loss on heating weight of the adhesive film is (b). When defined, the following formula (1) is satisfied.
(B)-(a) ≧ 100 ° C. (1)
The multilayer circuit board, the electronic component, and the semiconductor device of the present invention electrically connect the support having the first terminal and the adherend having the second terminal using the adhesive film. The support and the adherend are bonded together.

以下、本発明のダイシングテープ一体型接着シート、多層回路基板、電子部品及び半導体装置について詳細に説明する。   Hereinafter, the dicing tape integrated adhesive sheet, multilayer circuit board, electronic component, and semiconductor device of the present invention will be described in detail.

本発明のダイシングテープ一体型接着シートは、支持体の第一の端子と、被着体の第二の端子を、半田を用いて電気的に接続し、該支持体と該被着体とを接着する接着フィルムと、ダイシングテープとを必須の構成要素とするものである。また、この他に、後述する介在層や外層を設けてもよい。ダイシングテープ一体型接着シートの各部の構成について、順次詳述する。   The dicing tape-integrated adhesive sheet of the present invention is formed by electrically connecting the first terminal of the support and the second terminal of the adherend using solder, and connecting the support and the adherend. An adhesive film to be bonded and a dicing tape are essential components. In addition, an intervening layer and an outer layer described later may be provided. The configuration of each part of the dicing tape integrated adhesive sheet will be described in detail sequentially.

(ダイシングテープ)
ダイシングテープは、一般的に用いられるどのようなダイシングテープでも用いることが出来る。
具体的には、ダイシングテープとして、アクリル系粘着剤、ゴム系粘着剤等を含む第一樹脂組成物で構成されているものを用いることが出来る。
(Dicing tape)
As the dicing tape, any dicing tape generally used can be used.
Specifically, what is comprised with the 1st resin composition containing an acrylic adhesive, a rubber adhesive, etc. can be used as a dicing tape.

アクリル系粘着剤としては、例えば(メタ)アクリル酸およびそれらのエステルで構成される樹脂、(メタ)アクリル酸およびそれらのエステルと、それらと共重合可能な不飽和単量体(例えば酢酸ビニル、スチレン、アクリロニトリル等)との共重合体等が用いられる。また、これらの共重合体を2種類以上混合してもよい。   Examples of the acrylic pressure-sensitive adhesive include resins composed of (meth) acrylic acid and esters thereof, (meth) acrylic acid and esters thereof, and unsaturated monomers copolymerizable therewith (for example, vinyl acetate, Copolymers with styrene, acrylonitrile, etc.) are used. Two or more kinds of these copolymers may be mixed.

また、これらの中でも(メタ)アクリル酸メチル、(メタ)アクリル酸エチルヘキシルおよび(メタ)アクリル酸ブチルからなる群から選ばれる1種以上と、(メタ)アクリル酸ヒドロキシエチルおよび酢酸ビニルの中から選ばれる1種以上との共重合体が好ましい。これにより、ダイシングテープ2が粘着する相手(被着体)との密着性や粘着性の制御が容易になる。   Of these, one or more selected from the group consisting of methyl (meth) acrylate, ethylhexyl (meth) acrylate and butyl (meth) acrylate, and selected from hydroxyethyl (meth) acrylate and vinyl acetate Preferred are copolymers with one or more of the above. Thereby, the adhesiveness and adhesiveness control with the other party (adhered body) to which the dicing tape 2 adheres can be easily controlled.

また、第一樹脂組成物には、粘着性(接着性)を制御するためにウレタンアクリレート、アクリレートモノマー、多価イソシアネート化合物(例えば、2,4−トリレンジイソシアネート、2,6−トリレンジイソシアネート)等のイソシアネート化合物等のモノマーおよびオリゴマーを添加してもよい。   In addition, the first resin composition includes urethane acrylate, acrylate monomer, polyvalent isocyanate compound (for example, 2,4-tolylene diisocyanate, 2,6-tolylene diisocyanate) in order to control adhesiveness (adhesiveness). Monomers and oligomers such as isocyanate compounds may be added.

さらに、第一樹脂組成物には、後述する第二樹脂組成物と同様の光重合開始剤を添加してもよい。   Furthermore, you may add the photoinitiator similar to the 2nd resin composition mentioned later to a 1st resin composition.

また、接着強度およびシェア強度を高める目的で、ロジン樹脂、テルペン樹脂、クマロン樹脂、フェノール樹脂、スチレン樹脂、脂肪族系石油樹脂、芳香族系石油樹脂、脂肪族芳香族系石油樹脂等の粘着付与剤等を添加してもよい。   Also, for the purpose of increasing adhesive strength and shear strength, tackifying rosin resin, terpene resin, coumarone resin, phenol resin, styrene resin, aliphatic petroleum resin, aromatic petroleum resin, aliphatic aromatic petroleum resin, etc. An agent or the like may be added.

このようなダイシングテープの平均厚さは、特に限定されないが、1〜100μm程度であるのが好ましく、特に3〜20μm程度であるのがより好ましい。ダイシングテープの平均厚さが前記範囲内であれば、ダイシングテープの形状追従性が確保され、接着フィルムの半導体ウエハーに対する密着性をより高めることができる。   The average thickness of such a dicing tape is not particularly limited, but is preferably about 1 to 100 μm, and more preferably about 3 to 20 μm. When the average thickness of the dicing tape is within the above range, the shape following property of the dicing tape is ensured, and the adhesion of the adhesive film to the semiconductor wafer can be further enhanced.

介在層について後述するが、ダイシングテープ一体型接着シートにおいて、ダイシングテープと接着フィルムの間に介在層を有する場合、ダイシングテープは、介在層よりも粘着性が高いものが好ましい。これにより、接着フィルムに対する介在層の密着力よりも、介在層および支持フィルムに対するダイシングテープの密着力が大きくなる。そのため、後述する半導体装置の製造におけるピックアップ工程において、剥離を生じさせるべき所望の界面(すなわち介在層と接着フィルムとの界面)で剥離を生じさせることができる。   Although the intervening layer will be described later, in the dicing tape-integrated adhesive sheet, when the intervening layer is provided between the dicing tape and the adhesive film, the dicing tape preferably has higher adhesiveness than the intervening layer. Thereby, the adhesive force of the dicing tape with respect to an intervening layer and a support film becomes larger than the adhesive force of the intervening layer with respect to an adhesive film. Therefore, in a pickup process in manufacturing a semiconductor device described later, it is possible to cause peeling at a desired interface (that is, an interface between the intervening layer and the adhesive film) where peeling should occur.

また、ダイシングテープの粘着性を高めることにより、後述する半導体装置の製造の第2の工程においては、半導体ウエハーをダイシングして個片化する際に、ダイシングテープとウエハーリングとの間が確実に固定されることとなる。その結果、半導体ウエハーの位置ずれが確実に防止され、半導体素子の寸法精度を高めることができる。   In addition, by increasing the adhesiveness of the dicing tape, in the second step of manufacturing the semiconductor device described later, when the semiconductor wafer is diced into individual pieces, the gap between the dicing tape and the wafer ring is ensured. It will be fixed. As a result, the positional deviation of the semiconductor wafer is reliably prevented, and the dimensional accuracy of the semiconductor element can be increased.

(接着フィルム)
本発明の接着フィルムは、該接着フィルムの最低溶融粘度が0.01〜100,000Pa・sであり、かつ、該接着フィルムの発熱ピーク温度を(a)、該接着フィルムの5%重量加熱減量温度を(b)と定義した時、下記の式(1)を満たすことを特徴とする。
(b)−(a)≧100℃ (1)
(Adhesive film)
In the adhesive film of the present invention, the minimum melt viscosity of the adhesive film is 0.01 to 100,000 Pa · s, and the exothermic peak temperature of the adhesive film is (a). When the temperature is defined as (b), the following formula (1) is satisfied.
(B)-(a) ≧ 100 ° C. (1)

前記接着フィルムの最低溶融粘度を0.01〜100,000Pa・sとすることで、対向する支持体の第一の端子と被着体の第二の端子の間に接着フィルムを介し、前記接着フィルムを加熱溶融させて、支持体および被着体を電気的に接続して、さらに、接着する際に良好な接続信頼性を確保することが可能となる。   By setting the minimum melt viscosity of the adhesive film to 0.01 to 100,000 Pa · s, the adhesive film is interposed between the first terminal of the opposite support and the second terminal of the adherend. It is possible to ensure good connection reliability when the film is heated and melted to electrically connect the support and the adherend and further adhere.

前記最低溶融粘度を0.01Pa・s以上とすることで、溶融した接着フィルムが支持体または被着体に這い上がり汚染してしまうことを防止することができる。また、前記溶融粘度を100,000Pa・s以下とすることで、対向する端子間に溶融した接着フィルムが噛みこんでしまい導通不良が発生することを防止することができる。   By setting the minimum melt viscosity to 0.01 Pa · s or more, it is possible to prevent the molten adhesive film from creeping up and contaminating the support or the adherend. In addition, by setting the melt viscosity to 100,000 Pa · s or less, it is possible to prevent a poor conduction due to the adhesive film melted between the terminals facing each other.

前記最低溶融粘度は、好ましくは、0.02Pa・s以上、特に0.05Pa・s以上とすることが好ましい。これにより、溶融した接着フィルムが支持体または被着体に這い上がり汚染してしまうことを、より効果的に防止することができる。また、前記最低溶融粘度は、好ましくは、70,000Pa・s以下、特に30,000Pa・s以下とすることが好ましい。これにより、対向する端子間に溶融した接着フィルムが噛みこんでしまい導通不良が発生することを、より効果的に防止することができる。   The minimum melt viscosity is preferably 0.02 Pa · s or more, particularly 0.05 Pa · s or more. Thereby, it can prevent more effectively that the fuse | melted adhesive film crawls and contaminates a support body or a to-be-adhered body. The minimum melt viscosity is preferably 70,000 Pa · s or less, particularly preferably 30,000 Pa · s or less. Thereby, it can prevent more effectively that the adhesive film which fuse | melted between the terminals which oppose is bitten, and electrical conduction failure generate | occur | produces.

ここで、前記接着フィルムの最低溶融粘度は、粘弾性測定装置(HAAKE社製「RheoStress RS150」)を用いて、パラレルプレート20mmφ、ギャップ0.05mm、周波数0.1Hz、昇温速度は、10℃/分の条件で測定することができる。   Here, the minimum melt viscosity of the adhesive film was measured using a viscoelasticity measuring device ("RheoStress RS150" manufactured by HAAKE), a parallel plate of 20 mmφ, a gap of 0.05 mm, a frequency of 0.1 Hz, and a heating rate of 10 ° C. It can be measured under the conditions of / min.

また、接着フィルムの発熱ピーク温度を(a)、該接着フィルムの5%重量加熱減量温度を(b)と定義した時、下記の式(1)を満たすことにより、対向する支持体の第一の端子と被着体の第二の端子の間に接着フィルムを介し、前記接着フィルムを加熱溶融させて、支持体および被着体を電気的に接続して、さらに、接着する際に気泡が発生することを防止することができるため、作製した多層回路基板、電子部品、半導体装置の信頼性を向上することができる。
(b)−(a)≧100℃ (1)
Further, when the exothermic peak temperature of the adhesive film is defined as (a) and the 5% weight loss on heating temperature of the adhesive film is defined as (b), by satisfying the following formula (1), When the adhesive film is heated and melted between the second terminal of the adherend and the second terminal of the adherend, the support film and the adherend are electrically connected, and further, bubbles are generated when the adhesive is adhered. Since generation | occurrence | production can be prevented, the reliability of the produced multilayer circuit board, an electronic component, and a semiconductor device can be improved.
(B)-(a) ≧ 100 ° C. (1)

前記接着フィルムの5%重量加熱減量温度(b)と発熱ピーク温度(a)の差が大きいほど、接着フィルムを加熱することによりアウトガスが発生し難いため、電気的接続および接着後の気泡の発生を防止することができる。さらに、アウトガスが発生した場合においても、接着フィルムの硬化反応よりも遅れてアウトガスが発生し、三次元化した接着フィルム中をアウトガスが移動しにくいため、電気的接続および接着後の気泡の発生を防止することができる。   The larger the difference between the 5% weight loss on heating (b) and the exothermic peak temperature (a) of the adhesive film, the more difficult it is to generate outgas by heating the adhesive film. Can be prevented. Furthermore, even when outgas is generated, outgas is generated behind the curing reaction of the adhesive film, and it is difficult for the outgas to move through the three-dimensional adhesive film. Can be prevented.

前記接着フィルムの5%重量加熱減量温度(b)と発熱ピーク温度(a)の差は、好ましくは120℃以上、特に150℃以上とすることが好ましい。これにより、接着フィルムのアウトガスの発生をより効果的に防止することができる。また、仮にアウトガスが発生した場合でも、接着フィルム中をアウトガスが移動し難いため、電気的接続および接着後の気泡の発生をより効果的に防止することができる。   The difference between the 5% weight loss on heating (b) and the exothermic peak temperature (a) of the adhesive film is preferably 120 ° C. or higher, particularly 150 ° C. or higher. Thereby, generation | occurrence | production of the outgas of an adhesive film can be prevented more effectively. Further, even if outgas is generated, it is difficult for the outgas to move in the adhesive film, so that the generation of bubbles after electrical connection and bonding can be more effectively prevented.

ここで、前記接着フィルムの発熱ピーク温度(b)は、示差走査熱量計(セイコーインスツルメンツ(株)製、DSC−6200)を用いて、昇温速度10℃/分で測定することができる。   Here, the exothermic peak temperature (b) of the adhesive film can be measured with a differential scanning calorimeter (DSC-6200, manufactured by Seiko Instruments Inc.) at a heating rate of 10 ° C./min.

また、前記接着フィルムの5%重量加熱減量温度(a)は、熱重量/示差熱同時測定装置(セイコーインスツルメンツ(株)製、TG/DTA6200)を用いて、昇温速度10℃/分で測定することができる。   The 5% weight loss on heating (a) of the adhesive film was measured at a heating rate of 10 ° C./min using a thermogravimetric / differential heat simultaneous measurement apparatus (TG / DTA6200, manufactured by Seiko Instruments Inc.). can do.

前記接着フィルムの5%重量加熱減量温度(b)と発熱ピーク温度(a)の差を上記範囲とする方法としては、特に限定されるわけではないが、(A)熱硬化性樹脂、(B)硬化剤、(C)フラックス機能を有する化合物中の軟化点や含有量、さらに、低分子成分の含有量を適宜調整することにより行うことができる。   The method of setting the difference between the 5% weight loss on heating (b) and the exothermic peak temperature (a) of the adhesive film in the above range is not particularly limited, but (A) a thermosetting resin, (B It can be carried out by appropriately adjusting the softening point and content of the curing agent and (C) the compound having a flux function, and further the content of the low molecular component.

前記接着フィルムは、(A)熱硬化性樹脂、(B)硬化剤、(C)フラックス機能を有する化合物、(D)成膜性樹脂を含むことが好ましい。(A)熱硬化性樹脂、(B)硬化剤、(D)成膜性樹脂を含むことにより、前記接着フィルムの溶融粘度を上記範囲とすることが容易となる。(A)熱硬化性樹脂、(B)硬化剤、D)成膜性樹脂の軟化点、配合量を適宜選択することにより、最適な溶融粘度に調整することが出来る。   The adhesive film preferably contains (A) a thermosetting resin, (B) a curing agent, (C) a compound having a flux function, and (D) a film-forming resin. By including (A) a thermosetting resin, (B) a curing agent, and (D) a film-forming resin, the melt viscosity of the adhesive film can be easily adjusted to the above range. By appropriately selecting the softening point and blending amount of (A) thermosetting resin, (B) curing agent, and D) film-forming resin, the optimum melt viscosity can be adjusted.

(A)熱硬化性樹脂
本発明に係る(A)熱硬化性樹脂は、特に限定されるわけではなく、例えば、エポキシ樹脂、フェノキシ樹脂、シリコーン樹脂、オキセタン樹脂、フェノール樹脂、(メタ)アクリレート樹脂、ポリエステル樹脂(不飽和ポリエステル樹脂)、ジアリルフタレート樹脂、マレイミド樹脂、ポリイミド樹脂(ポリイミド前駆体樹脂)、ビスマレイミド−トリアジン樹脂などが挙げられる。特に、エポキシ樹脂、(メタ)アクリレート樹脂、フェノキシ樹脂、ポリエステル樹脂、ポリイミド樹脂、シリコーン樹脂、マレイミド樹脂、ビスマレイミド−トリアジン樹脂からなる群より選ばれる少なくとも1種を含む熱硬化性樹脂を用いることが好ましい。中でも、硬化性と保存性、硬化物の耐熱性、耐湿性、耐薬品性に優れるという観点からエポキシ樹脂が好ましい。また、これらの熱硬化性樹脂は1種単独で用いても、2種以上を併用してもよい。
(A) Thermosetting resin The (A) thermosetting resin according to the present invention is not particularly limited. For example, epoxy resin, phenoxy resin, silicone resin, oxetane resin, phenol resin, (meth) acrylate resin , Polyester resin (unsaturated polyester resin), diallyl phthalate resin, maleimide resin, polyimide resin (polyimide precursor resin), bismaleimide-triazine resin, and the like. In particular, the use of a thermosetting resin containing at least one selected from the group consisting of epoxy resins, (meth) acrylate resins, phenoxy resins, polyester resins, polyimide resins, silicone resins, maleimide resins, and bismaleimide-triazine resins. preferable. Among these, an epoxy resin is preferable from the viewpoint of excellent curability and storage stability, heat resistance of the cured product, moisture resistance, and chemical resistance. Moreover, these thermosetting resins may be used individually by 1 type, or may use 2 or more types together.

前記(A)熱硬化性樹脂の含有量は、特に限定されるわけではないが、5〜80重量%が好ましく、8〜75重量%が好ましく、10〜55重量%が特に好ましい。(A)熱硬化性樹脂の含有量を上記下限値以上とすることで、硬化後の接着フィルムの耐熱性が向上するため、多層回路基板、電子部品及び半導体装置の信頼性を向上することができる。
また、上記上限値以下とすることで、硬化後の接着フィルムの弾性率が高くなりすぎることを防止することができるため、支持体と被着体との接着性を向上することができる。
Although content of the said (A) thermosetting resin is not necessarily limited, 5 to 80 weight% is preferable, 8-75 weight% is preferable and 10 to 55 weight% is especially preferable. (A) By making content of thermosetting resin more than the said lower limit, since the heat resistance of the adhesive film after hardening improves, it can improve the reliability of a multilayer circuit board, an electronic component, and a semiconductor device. it can.
Moreover, since it can prevent that the elasticity modulus of the adhesive film after hardening becomes high too much by setting it as the said upper limit or less, the adhesiveness of a support body and a to-be-adhered body can be improved.

前記エポキシ樹脂としては、特に制限されるわけではないが、例えば、ビスフェノールA型エポキシ樹脂、ビスフェノールF型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、グリシジルアミン型エポキシ樹脂、グリシジルエステル型エポキシ樹脂、3官能エポキシ樹脂、4官能エポキシ樹脂等が挙げられる。   The epoxy resin is not particularly limited. For example, bisphenol A type epoxy resin, bisphenol F type epoxy resin, phenol novolac type epoxy resin, cresol novolac type epoxy resin, glycidylamine type epoxy resin, glycidyl ester type An epoxy resin, a trifunctional epoxy resin, a tetrafunctional epoxy resin, etc. are mentioned.

また、前記エポキシ樹脂としては、より好ましくは、25℃における粘度が、500〜50,000mPa・sであるもの、さらに、800〜40,000mPa・sであるものが好ましく、25℃における粘度を上記下限値以上とすることで、接着フィルムの柔軟性と屈曲性を確保することができる。また、25℃における粘度を上記上限値以下とすることで接着フィルムのタック性が強くなり、ハンドリング性が低下することを防止することができる。   More preferably, the epoxy resin has a viscosity at 25 ° C. of 500 to 50,000 mPa · s, more preferably 800 to 40,000 mPa · s, and the viscosity at 25 ° C. By setting it to the lower limit value or more, the flexibility and flexibility of the adhesive film can be ensured. Moreover, the tack property of an adhesive film becomes strong by making the viscosity in 25 degreeC below the said upper limit, and it can prevent that handling property falls.

また、前記エポキシ樹脂の含有量は、特に限定されるものではないが、10〜80重量%が好ましく、8〜75重量%が特に好ましい。上記下限値以上とすることで、接着フィルムの柔軟性と屈曲性をより効果的に発現させることができる。また、上記上限値以下とすることで、接着フィルムのタック性が強くなり、ハンドリング性が低下することをより効果的に防止することができる。   Moreover, although content of the said epoxy resin is not specifically limited, 10 to 80 weight% is preferable and 8 to 75 weight% is especially preferable. By setting it as the said lower limit or more, the softness | flexibility and flexibility of an adhesive film can be expressed more effectively. Moreover, by setting it as the said upper limit or less, the tack property of an adhesive film becomes strong and it can prevent more effectively that handling property falls.

前記エポキシ樹脂の中でも、接着フィルムの溶融粘度を0.01〜100,000Pa・sの範囲に調整することと接着フィルムの作業性(タック性、屈曲性)を両立することが容易である、液状のビスフェノールA型エポキシ樹脂、液状のビスフェノールF型エポキシ樹脂が好ましい。   Among the epoxy resins, it is easy to adjust both the melt viscosity of the adhesive film in the range of 0.01 to 100,000 Pa · s and the workability (tackiness and flexibility) of the adhesive film. The bisphenol A type epoxy resin and the liquid bisphenol F type epoxy resin are preferred.

(B)硬化剤
本発明に係る(B)硬化剤は、特に限定されるわけではなく、使用する(A)熱硬化性樹脂の種類により、適宜選択することができる。前記硬化剤(B)としては、例えば、フェノール類、アミン類、チオール類、酸無水物類、イソシアナート類、有機過酸化物、アゾ化合物等が挙げられ1種単独で用いても、2種以上を併用してもよい。
(B) Curing Agent The (B) curing agent according to the present invention is not particularly limited, and can be appropriately selected depending on the type of the (A) thermosetting resin to be used. Examples of the curing agent (B) include phenols, amines, thiols, acid anhydrides, isocyanates, organic peroxides, azo compounds, and the like. You may use the above together.

前記(A)熱硬化性樹脂としてエポキシ樹脂を使用する場合、前記(B)硬化剤としてはフェノール類が好ましい。(B)硬化剤としてフェノール類を使用することにより、硬化後の接着フィルムの耐熱性を高く、さらに、吸水率を低くすることができるため、多層回路基板、電子部品及び半導体装置の信頼性を向上することができる。   When an epoxy resin is used as the (A) thermosetting resin, the (B) curing agent is preferably a phenol. (B) By using phenols as the curing agent, the heat resistance of the adhesive film after curing can be increased and the water absorption rate can be decreased, so that the reliability of multilayer circuit boards, electronic components and semiconductor devices can be improved. Can be improved.

前記フェノール類としては、特に限定されるわけではないが、フェノールノボラック樹脂、クレゾールノボラック樹脂、ビスフェノールA型ノボラック樹脂、ビスフェノールF型ノボラック樹脂、ビスフェノールAF型ノボラック樹脂等が挙げられるが、接着フィルムの硬化物のガラス転移温度を効果的に高めることができ、また、アウトガスとなる成分を低減することができる、フェノールノボラック樹脂、クレゾールノボラック樹脂が好ましい。   Examples of the phenols include, but are not limited to, phenol novolak resins, cresol novolak resins, bisphenol A type novolak resins, bisphenol F type novolak resins, bisphenol AF type novolak resins, and the like. Phenol novolak resins and cresol novolak resins that can effectively increase the glass transition temperature of the product and can reduce components that cause outgassing are preferable.

前記フェノールノボラック樹脂またはクレゾールノボラック樹脂は、1核体から3核体の合計の含有量が、30〜70%であることが好ましい。これにより、接着フィルムの硬化物のガラス転移温度を高めること、および、アウトガスとなるフェノール系ノボラック樹脂の量を低減することができ、耐イオンマイグレーション性を向上させることが可能となる。また、接着フィルムに適度な柔軟性を付与することができるため、接着フィルムの脆性を改善することが可能となる。さらに、接着フィルムに適度なタック性を付与することができるため、作業性に優れた接着フィルムを得ることができる。   The phenol novolac resin or the cresol novolak resin preferably has a total content of 1 to 3 nuclei of 30 to 70%. Thereby, the glass transition temperature of the hardened | cured material of an adhesive film can be raised, the quantity of the phenol-type novolak resin used as outgas can be reduced, and it becomes possible to improve ion migration resistance. Moreover, since moderate softness | flexibility can be provided to an adhesive film, it becomes possible to improve the brittleness of an adhesive film. Furthermore, since an appropriate tackiness can be imparted to the adhesive film, an adhesive film excellent in workability can be obtained.

前記1核体から3核体の合計の含有量が30%より小さい(4核体以上の合計の含有量が70%以上)場合、前記エポキシ樹脂との反応性が低下し、接着フィルムの硬化物中に未反応のフェノール系ノボラック樹脂が残留するため、耐マイグレーション性が低下、また、接着フィルムが脆くなり作業性が低下する可能性がある。また、前記1核体から3核体の合計の含有量が70%より大きい(4核体以上の合計の含有量が30%以下)場合、接着フィルムを硬化させる際のアウトガス量が増大し、支持体または被着体の表面を汚染してしまったり、耐マイグレーション性が低下してしまったり、さらに、接着フィルムのタック性が大きくなり、接着フィルムの作業性が低下する可能性がある。   When the total content of the mononuclear body to the trinuclear body is smaller than 30% (the total content of the 4-nuclear body or more is 70% or more), the reactivity with the epoxy resin is lowered, and the adhesive film is cured. Since unreacted phenolic novolak resin remains in the product, the migration resistance is lowered, and the adhesive film becomes brittle and the workability may be lowered. In addition, when the total content of the mononuclear to trinuclear is greater than 70% (the total content of four or more nuclei is 30% or less), the amount of outgas when curing the adhesive film increases, There is a possibility that the surface of the support or the adherend is contaminated, migration resistance is lowered, tackiness of the adhesive film is increased, and workability of the adhesive film is lowered.

前記フェノールノボラック樹脂またはクレゾールノボラック樹脂中の2核体と3核体の合計の含有量は、特に限定されるわけではないが、30〜70%であることが好ましい。
上記下限値以上とすることで、接着フィルムを硬化させる際のアウトガス量が増大し、支持体または被着体の表面を汚染してしまうことをより効果的に防止することができる。また、上記上限値以下とすることで、接着フィルムの柔軟性と屈曲性をより効果的に確保することができる。
The total content of the binuclear body and the trinuclear body in the phenol novolac resin or cresol novolac resin is not particularly limited, but is preferably 30 to 70%.
By setting it to the above lower limit value or more, it is possible to more effectively prevent the amount of outgas when the adhesive film is cured and contaminate the surface of the support or adherend. Moreover, the softness | flexibility and flexibility of an adhesive film can be more effectively ensured by setting it as the said upper limit or less.

前記フェノールノボラック樹脂またはクレゾールノボラック樹脂中の1核体の含有量は、特に限定されるわけではないが、接着フィルム中に1%以下であることが好ましく、0.8%以下であることが特に好ましい。前記1核体の含有量を、上記範囲とすることで、接着フィルムを硬化する際のアウトガス量を低減することができ、支持体または被着体の汚染を抑制することができ、さらに、耐マイグレーション性を向上することができる。   The content of the mononuclear body in the phenol novolac resin or the cresol novolac resin is not particularly limited, but is preferably 1% or less in the adhesive film, and particularly preferably 0.8% or less. preferable. By setting the content of the mononuclear body within the above range, the amount of outgas when curing the adhesive film can be reduced, contamination of the support or adherend can be suppressed, and further, Migration can be improved.

前記フェノールノボラック樹脂またはクレゾールノボラック樹脂の重量平均分子量は、特に限定されるわけではないが、300〜1,500であることが好ましく、400〜1,400であることが特に好ましい。上記下限値以上とすることで、接着フィルムを硬化させる際のアウトガス量が増大し、支持体または被着体の表面を汚染してしまうことをより効果的に防止することができる。また。上記上限値以下とすることで、接着フィルムの柔軟性と屈曲性をより効果的に確保することができる。   The weight average molecular weight of the phenol novolak resin or cresol novolak resin is not particularly limited, but is preferably 300 to 1,500, and particularly preferably 400 to 1,400. By setting it to the above lower limit value or more, it is possible to more effectively prevent the amount of outgas when the adhesive film is cured and contaminate the surface of the support or adherend. Also. By setting it as the upper limit value or less, the flexibility and flexibility of the adhesive film can be more effectively ensured.

本発明の接着フィルムは、(C)フラックス機能を有する化合物を含む。これにより、支持体の第一の端子および被着体の第二の端子の少なくとも一方の半田表面の酸化膜を除去すること、また、場合によっては、支持体の第一の端子または被着体の第二の端子表面の酸化膜を除去することができ、確実に前記第一の端子と前記第二の端子を半田接合することができるため、接続信頼性の高い多層回路基板、電子部品、半導体装置等を得ることができる。   The adhesive film of the present invention contains (C) a compound having a flux function. Thereby, the oxide film on the solder surface of at least one of the first terminal of the support and the second terminal of the adherend is removed, and in some cases, the first terminal of the support or the adherend Since the oxide film on the surface of the second terminal can be removed and the first terminal and the second terminal can be surely soldered, a multilayer circuit board with high connection reliability, an electronic component, A semiconductor device or the like can be obtained.

前記(C)フラックス機能を有する化合物としては、半田表面の酸化膜を除去する働きがあれば、特に限定されるものではないが、カルボキシル基又はフェノール性水酸基のいずれか、あるいは、カルボキシル基及びフェノール水酸基の両方を備える化合物が好ましい。   The compound having the flux function (C) is not particularly limited as long as it has a function of removing an oxide film on the solder surface, but is either a carboxyl group or a phenolic hydroxyl group, or a carboxyl group and phenol. Compounds having both hydroxyl groups are preferred.

前記(C)フラックス機能を有する化合物の配合量は、1〜30重量%が好ましく、3〜20重量%が特に好ましい。(C)フラックス機能を有する化合物の配合量が、上記範囲であることにより、フラックス活性を向上させることができるとともに、接着フィルムを硬化した際に、未反応の(A)熱硬化性樹脂、(C)フラックス機能を有する化合物が残存し、接着フィルムを熱硬化させる際にアウトガスになることを防止することができ、耐マイグレーション性を向上することができる。   The compounding amount of the compound having the (C) flux function is preferably 1 to 30% by weight, particularly preferably 3 to 20% by weight. (C) When the compounding quantity of the compound which has a flux function is the said range, while being able to improve a flux activity, when an adhesive film is hardened, (A) thermosetting resin which is unreacted, ( C) A compound having a flux function remains, and it is possible to prevent outgassing when the adhesive film is thermally cured, and migration resistance can be improved.

また、エポキシ樹脂の硬化剤として作用する化合物の中には、(C)フラックス機能を有する化合物が存在する(以下、このような化合物を、フラックス活性硬化剤とも記載する。)。
例えば、エポキシ樹脂の硬化剤として作用する、脂肪族ジカルボン酸、芳香族ジカルボン酸等は、フラックス作用も有している。本発明では、このような、フラックスとしても作用し、エポキシ樹脂の硬化剤としても作用するようなフラックス活性硬化剤を、好適に用いることができる。
In addition, among the compounds that act as curing agents for epoxy resins, there are (C) compounds having a flux function (hereinafter, such compounds are also referred to as flux active curing agents).
For example, aliphatic dicarboxylic acids, aromatic dicarboxylic acids and the like that act as curing agents for epoxy resins also have a flux action. In the present invention, such a flux active curing agent that acts as a flux and also acts as a curing agent for an epoxy resin can be suitably used.

なお、カルボキシル基を備える(C)フラックス機能を有する化合物とは、分子中にカルボキシル基が1つ以上存在するものをいい、液状であっても固体であってもよい。また、フェノール性水酸基を備える(C)フラックス機能を有する化合物とは、分子中にフェノール性水酸基が1つ以上存在するものをいい、液状であっても固体であってもよい。また、カルボキシル基及びフェノール性水酸基を備える(C)フラックス機能を有する化合物とは、分子中にカルボキシル基及びフェノール性水酸基がそれぞれ1つ以上存在するものをいい、液状であっても固体であってもよい。   The compound having a carboxyl group (C) having a flux function means a compound having one or more carboxyl groups in the molecule, and may be liquid or solid. In addition, the compound having a phenolic hydroxyl group (C) having a flux function means a compound having one or more phenolic hydroxyl groups in the molecule, and may be liquid or solid. Moreover, the compound having a carboxyl function and a phenolic hydroxyl group (C) having a flux function means a compound in which one or more carboxyl groups and phenolic hydroxyl groups are present in the molecule. Also good.

これらのうち、カルボキシル基を備える(C)フラックス機能を有する化合物としては、脂肪族酸無水物、脂環式酸無水物、芳香族酸無水物、脂肪族カルボン酸、芳香族カルボン酸等が挙げられる。   Of these, (C) the compound having a flux function having a carboxyl group includes aliphatic acid anhydrides, alicyclic acid anhydrides, aromatic acid anhydrides, aliphatic carboxylic acids, aromatic carboxylic acids, and the like. It is done.

前記カルボキシル基を備える(C)フラックス機能を有する化合物に係る脂肪族酸無水物としては、無水コハク酸、ポリアジピン酸無水物、ポリアゼライン酸無水物、ポリセバシン酸無水物等が挙げられる。   Examples of the aliphatic acid anhydride according to the compound having a carboxyl group (C) having a flux function include succinic anhydride, polyadipic acid anhydride, polyazeline acid anhydride, and polysebacic acid anhydride.

前記カルボキシル基を備える(C)フラックス機能を有する化合物に係る脂環式酸無水物としては、メチルテトラヒドロ無水フタル酸、メチルヘキサヒドロ無水フタル酸、無水メチルハイミック酸、ヘキサヒドロ無水フタル酸、テトラヒドロ無水フタル酸、トリアルキルテトラヒドロ無水フタル酸、メチルシクロヘキセンジカルボン酸無水物等が挙げられる。   Examples of the alicyclic acid anhydride relating to the compound having the carboxyl group (C) having a flux function include methyltetrahydrophthalic anhydride, methylhexahydrophthalic anhydride, methylhymic anhydride, hexahydrophthalic anhydride, tetrahydroanhydride Examples include phthalic acid, trialkyltetrahydrophthalic anhydride, and methylcyclohexene dicarboxylic acid anhydride.

前記カルボキシル基を備える(C)フラックス機能を有する化合物に係る芳香族酸無水物としては、無水フタル酸、無水トリメリット酸、無水ピロメリット酸、ベンゾフェノンテトラカルボン酸無水物、エチレングリコールビストリメリテート、グリセロールトリストリメリテート等が挙げられる。   The aromatic acid anhydride relating to the compound having the carboxyl group (C) having a flux function includes phthalic anhydride, trimellitic anhydride, pyromellitic anhydride, benzophenone tetracarboxylic anhydride, ethylene glycol bistrimellitate, Examples thereof include glycerol tristrimate.

前記カルボキシル基を備える(C)フラックス機能を有する化合物に係る脂肪族カルボン酸としては、下記一般式(1)で示される化合物や、蟻酸、酢酸、プロピオン酸、酪酸、吉草酸、ピバル酸カプロン酸、カプリル酸、ラウリン酸、ミリスチン酸、パルミチン酸、ステアリン酸、アクリル酸、メタクリル酸、クロトン酸、オレイン酸、フマル酸、マレイン酸、シュウ酸、マロン酸、琥珀酸等が挙げられる。
HOOC−(CH−COOH (1)
(式(1)中、nは、1以上20以下の整数を表す。)
Examples of the aliphatic carboxylic acid related to the compound having the carboxyl group (C) having a flux function include compounds represented by the following general formula (1), formic acid, acetic acid, propionic acid, butyric acid, valeric acid, and caproic acid pivalate. , Caprylic acid, lauric acid, myristic acid, palmitic acid, stearic acid, acrylic acid, methacrylic acid, crotonic acid, oleic acid, fumaric acid, maleic acid, oxalic acid, malonic acid, oxalic acid and the like.
HOOC- (CH 2) n -COOH ( 1)
(In formula (1), n represents an integer of 1 or more and 20 or less.)

前記脂肪族カルボン酸のうち、(C)フラックス機能を有する化合物が有する活性度、接着フィルムの硬化時におけるアウトガスの発生量、及び硬化後の接着フィルムの弾性率やガラス転移温度等のバランスが良い点で、前記一般式(1)で示される化合物が好ましい。そして、前記一般式(1)で示される化合物のうち、式(1)中のnが3〜10である化合物が、硬化後の接着フィルムにおける弾性率が増加するのを抑制することができるとともに、支持体と被着体の接着性を向上させることができる点で、特に好ましい。   Among the aliphatic carboxylic acids, (C) the activity of the compound having a flux function, the amount of outgas generated when the adhesive film is cured, the elastic modulus of the adhesive film after curing, the glass transition temperature, and the like are well balanced. In this respect, the compound represented by the general formula (1) is preferable. And among the compounds shown by said general formula (1), while the compound whose n in Formula (1) is 3-10 can suppress that the elasticity modulus in the adhesive film after hardening increases. It is particularly preferable in that the adhesion between the support and the adherend can be improved.

前記一般式(1)で示される化合物のうち、式(1)中のnが3〜10である化合物としては、例えば、n=3のグルタル酸(HOOC−(CH−COOH)、n=4のアジピン酸(HOOC−(CH−COOH)、n=5のピメリン酸(HOOC−(CH−COOH)、n=8のセバシン酸(HOOC−(CH−COOH)及びn=10のHOOC−(CH10−COOH−等が挙げられる。 Among the compounds represented by the general formula (1), as the compound in which n in the formula (1) is 3 to 10, for example, n = 3 glutaric acid (HOOC— (CH 2 ) 3 —COOH), n = 4 adipic acid (HOOC— (CH 2 ) 4 —COOH), n = 5 pimelic acid (HOOC— (CH 2 ) 5 —COOH), n = 8 sebacic acid (HOOC— (CH 2 ) 8 -COOH) and of n = 10 HOOC- (CH 2) 10 -COOH- , and the like.

前記カルボキシル基を備える(C)フラックス機能を有する化合物に係る芳香族カルボン酸としては、例えば、下記一般式(3)または(4)で表される(C)フラックス機能を有する化合物が挙げられる。   Examples of the aromatic carboxylic acid related to the compound having a carboxyl group (C) having a flux function include (C) a compound having a flux function represented by the following general formula (3) or (4).

Figure 2012195414

[式中、R〜Rは、それぞれ独立して、1価の有機基であり、R〜Rの少なくとも一つは水酸基である。]
Figure 2012195414

[Wherein, R 1 to R 5 are each independently a monovalent organic group, and at least one of R 1 to R 5 is a hydroxyl group. ]

Figure 2012195414

[式中、R〜R20は、それぞれ独立して、1価の有機基であり、R〜R20の少なくとも一つは水酸基又はカルボキシル基である。]
Figure 2012195414

[Wherein, R 6 to R 20 are each independently a monovalent organic group, and at least one of R 6 to R 20 is a hydroxyl group or a carboxyl group. ]

前記芳香族カルボン酸としては、例えば、安息香酸、フタル酸、イソフタル酸、テレフタル酸、ヘミメリット酸、トリメリット酸、トリメシン酸、メロファン酸、プレーニト酸、ピロメリット酸、メリット酸、トリイル酸、キシリル酸、ヘメリト酸、メシチレン酸、プレーニチル酸、トルイル酸、ケイ皮酸、サリチル酸、2,3−ジヒドロキシ安息香酸、2,4−ジヒドロキシ安息香酸、ゲンチジン酸(2,5−ジヒドロキシ安息香酸)、2,6−ジヒドロキシ安息香酸、3,5−ジヒドロキシ安息香酸、浸食子酸(3,4,5−トリヒドロキシ安息香酸)、1,4−ジヒドロキシ−2−ナフトエ酸、3,5−ジヒドロキ
シ−2−ナフトエ酸等のナフトエ酸誘導体、フェノールフタリン、ジフェノール酸等が挙げられる。
Examples of the aromatic carboxylic acid include benzoic acid, phthalic acid, isophthalic acid, terephthalic acid, hemimellitic acid, trimellitic acid, trimesic acid, merophanic acid, planitic acid, pyromellitic acid, merit acid, triylic acid, and xylyl. Acid, hemelic acid, mesitylene acid, prenylic acid, toluic acid, cinnamic acid, salicylic acid, 2,3-dihydroxybenzoic acid, 2,4-dihydroxybenzoic acid, gentisic acid (2,5-dihydroxybenzoic acid), 2, 6-dihydroxybenzoic acid, 3,5-dihydroxybenzoic acid, gallic acid (3,4,5-trihydroxybenzoic acid), 1,4-dihydroxy-2-naphthoic acid, 3,5-dihydroxy-2-naphthoic acid Examples thereof include naphthoic acid derivatives such as acid, phenolphthaline, and diphenolic acid.

前記一般式(3)または(4)で表される(C)フラックス機能を有する化合物の中でも、硬化後のエポキシ樹脂の三次元的なネットワークの形成を向上させるという観点からは、1分子中に、エポキシ樹脂に付加することができる2つ以上のフェノール性水酸基と、フラックス作用(還元作用)を示す芳香族に直接結合した1つ以上のカルボキシル基とを備える化合物が好ましい。このようなフラックス活性硬化剤としては、2,3−ジヒドロキシ安息香酸、2,4−ジヒドロキシ安息香酸、ゲンチジン酸(2,5−ジヒドロキシ安息香酸)、2,6−ジヒドロキシ安息香酸、3,4−ジヒドロキシ安息香酸、没食子酸(3,4,5−トリヒドロキシ安息香酸)等の安息香酸誘導体;1,4−ジヒドロキシ−2−ナフトエ酸、3,5−ジヒドロキシ−2−ナフトエ酸、3,7−ジヒドロキシ−2−ナフトエ酸等のナフトエ酸誘導体;フェノールフタリン;及びジフェノール酸等が挙げられ、これらは1種単独又は2種以上を組み合わせでもよい。これらの中でも、半田表面の酸化膜を除去する効果とエポキシ樹脂との反応性に優れる、2,3−ジヒドロキシ安息香酸、ゲンチジン酸、フェノールフタリンが好ましい。   Among the compounds having the (C) flux function represented by the general formula (3) or (4), from the viewpoint of improving the formation of a three-dimensional network of the epoxy resin after curing, in one molecule. A compound having two or more phenolic hydroxyl groups that can be added to an epoxy resin and one or more carboxyl groups directly bonded to an aromatic group exhibiting a flux action (reduction action) is preferable. Such flux active curing agents include 2,3-dihydroxybenzoic acid, 2,4-dihydroxybenzoic acid, gentisic acid (2,5-dihydroxybenzoic acid), 2,6-dihydroxybenzoic acid, 3,4- Benzoic acid derivatives such as dihydroxybenzoic acid and gallic acid (3,4,5-trihydroxybenzoic acid); 1,4-dihydroxy-2-naphthoic acid, 3,5-dihydroxy-2-naphthoic acid, 3,7- Examples thereof include naphthoic acid derivatives such as dihydroxy-2-naphthoic acid; phenolphthaline; and diphenolic acid. These may be used alone or in combination of two or more. Among these, 2,3-dihydroxybenzoic acid, gentisic acid, and phenolphthaline, which are excellent in the effect of removing the oxide film on the solder surface and the reactivity with the epoxy resin, are preferable.

前記フェノール性水酸基を備える(C)フラックス機能を有する化合物としては、フェノール類が挙げられ、具体的には、例えば、フェノール、o−クレゾール、2,6−キシレノール、p−クレゾール、m−クレゾール、o−エチルフェノール、2,4−キシレノール、2,5キシレノール、m−エチルフェノール、2,3−キシレノール、メジトール、3,5−キシレノール、p−ターシャリブチルフェノール、カテコール、p−ターシャリアミルフェノール、レゾルシノール、p−オクチルフェノール、p−フェニルフェノール、ビスフェノールA、ビスフェノールF、ビスフェノールAF、ビフェノール、ジアリルビスフェノールF、ジアリルビスフェノールA、トリスフェノール、テトラキスフェノール等のフェノール性水酸基を含有するモノマー類等が挙げられる。   Examples of the compound having a phenolic hydroxyl group (C) having a flux function include phenols, and specifically, for example, phenol, o-cresol, 2,6-xylenol, p-cresol, m-cresol, o-ethylphenol, 2,4-xylenol, 2,5 xylenol, m-ethylphenol, 2,3-xylenol, meditol, 3,5-xylenol, p-tertiarybutylphenol, catechol, p-tertiaryamylphenol, Phenolic hydroxyl groups such as resorcinol, p-octylphenol, p-phenylphenol, bisphenol A, bisphenol F, bisphenol AF, biphenol, diallyl bisphenol F, diallyl bisphenol A, trisphenol, tetrakisphenol Monomers or the like having the like.

また、接着フィルム中、フラックス活性硬化剤の配合量は、1〜30重量%が好ましく、3〜20重量%が特に好ましい。接着フィルム中のフラックス活性硬化剤の配合量が、上記範囲であることにより、接着フィルムのフラックス活性を向上させることができるとともに、接着フィルム中に、エポキシ樹脂と未反応のフラックス活性硬化剤が残存するのが防止される。なお、未反応のフラックス活性硬化剤が残存すると、マイグレーションが発生する。   Moreover, 1-30 weight% is preferable and, as for the compounding quantity of a flux active hardening | curing agent in an adhesive film, 3-20 weight% is especially preferable. When the blending amount of the flux active curing agent in the adhesive film is within the above range, the flux activity of the adhesive film can be improved and the epoxy resin and the unreacted flux active curing agent remain in the adhesive film. Is prevented. If unreacted flux active curing agent remains, migration occurs.

前記(A)熱硬化性樹脂と(C)フラックス機能を有する化合物の配合比は、特に限定されるわけではないが、((A)/(C))が0.5〜20.0であることが好ましく、1〜18であることが特に好ましく、2〜15であることがさらに好ましい。((A)/(C))を上記下限値以上とすることで、接着フィルムを硬化させる際に、アウトガスとなる(C)フラックス化合物を低減することができるため、接着フィルム中のボイドを低減することができる。また、((A)/(C))を上記上限値以下とすることで、被着体、支持体の端子表面や半田表面の酸化膜を効果的に除去することができる。   The blending ratio of the (A) thermosetting resin and the compound (C) having a flux function is not particularly limited, but ((A) / (C)) is 0.5 to 20.0. It is particularly preferably 1 to 18, and more preferably 2 to 15. By setting ((A) / (C)) to the above lower limit value or more, when curing the adhesive film, the outgassing (C) flux compound can be reduced, so voids in the adhesive film are reduced. can do. Further, by setting ((A) / (C)) to the upper limit value or less, it is possible to effectively remove the oxide film on the adherend and the terminal surface of the support and the solder surface.

本発明の接着フィルムは、接着フィルムの成膜性を向上する(D)成膜性樹脂を含む。
これにより、フィルム状態にするのが容易となる。また、接着フィルムの機械的特性にも優れる。
The adhesive film of the present invention includes (D) a film-forming resin that improves the film-forming property of the adhesive film.
Thereby, it becomes easy to make a film state. Moreover, it is excellent also in the mechanical characteristic of an adhesive film.

前記(D)成膜性樹脂としては、特に限定されるわけではないが、例えば、(メタ)アクリル系樹脂、フェノキシ樹脂、ポリエステル樹脂、ポリウレタン樹脂、ポリイミド樹脂、シロキサン変性ポリイミド樹脂、ポリブタジエン、ポリプロピレン、スチレン−ブタジエン−スチレン共重合体、スチレン−エチレン−ブチレン−スチレン共重合体、ポリアセタール樹脂、ポリビニルブチラール樹脂、ポリビニルアセタール樹脂、ブチルゴム、クロロプレンゴム、ポリアミド樹脂、アクリロニトリル−ブタジエン共重合体、アクリロニトリル−ブタジエン−アクリル酸共重合体、アクリロニトリル−ブタジエン−スチレン共重合体、ポリ酢酸ビニル、ナイロン等を挙げることができる。これらは、1種で用いても、2種以上を併用してもよい。中でも、(メタ)アクリル系樹脂、フェノキシ樹脂及びポリイミド樹脂からなる群から選択される少なくとも1種であることが好ましい。   The (D) film-forming resin is not particularly limited. For example, (meth) acrylic resin, phenoxy resin, polyester resin, polyurethane resin, polyimide resin, siloxane-modified polyimide resin, polybutadiene, polypropylene, Styrene-butadiene-styrene copolymer, styrene-ethylene-butylene-styrene copolymer, polyacetal resin, polyvinyl butyral resin, polyvinyl acetal resin, butyl rubber, chloroprene rubber, polyamide resin, acrylonitrile-butadiene copolymer, acrylonitrile-butadiene- Acrylic acid copolymer, acrylonitrile-butadiene-styrene copolymer, polyvinyl acetate, nylon and the like can be mentioned. These may be used alone or in combination of two or more. Among these, at least one selected from the group consisting of (meth) acrylic resins, phenoxy resins, and polyimide resins is preferable.

前記(D)成膜性樹脂の重量平均分子量は、特に限定されるわけではないが、1万以上が好ましく、より好ましくは2万〜100万、更に好ましくは3万〜90万である。重量平均分子量が前記範囲であると、接着フィルムの成膜性をより向上させることができる。
前記(D)成膜性樹脂の含有量は、特に限定されないが、前記接着フィルム中の5〜70重量%が好ましく、10〜60重量%がより好ましく、特に15〜55重量%が好ましい。含有量が前記範囲内であると、接着フィルムの流動性を抑制することができ、接着フィルムの取り扱いが容易になる。
The weight average molecular weight of the film-forming resin (D) is not particularly limited, but is preferably 10,000 or more, more preferably 20,000 to 1,000,000, still more preferably 30,000 to 900,000. When the weight average molecular weight is in the above range, the film formability of the adhesive film can be further improved.
Although content of said (D) film-forming resin is not specifically limited, 5-70 weight% in the said adhesive film is preferable, 10-60 weight% is more preferable, Especially 15-55 weight% is preferable. When the content is within the above range, the fluidity of the adhesive film can be suppressed, and the handling of the adhesive film becomes easy.

また、前記接着フィルムは、(E)硬化促進剤を更に含んでもよい。(E)硬化促進剤は硬化性樹脂の種類等に応じて適宜選択することができる。(E)硬化促進剤としては、例えば、トリ置換ホスホニオフェノラートまたはその塩、融点が150℃以上のイミダゾール化合物等を挙げることができるが、添加量が少ない状態で接着フィルムの硬化性を効果的に向上させることができるが、融点が150℃以上のイミダゾール化合物が好ましい。前記イミダゾール化合物の融点が150℃以上であると、接着フィルムの硬化が完了する前に、被着体の端子と支持体の端子を接合することができる。融点が150℃以上のイミダゾール化合物としては、2−フェニルヒドロキシイミダゾール、2−フェニル−4−メチルヒドロキシイミダゾール等が挙げられる。   The adhesive film may further contain (E) a curing accelerator. (E) A hardening accelerator can be suitably selected according to the kind etc. of curable resin. (E) Examples of the curing accelerator include tri-substituted phosphoniophenolate or a salt thereof, an imidazole compound having a melting point of 150 ° C. or higher, and the like. Although an imidazole compound having a melting point of 150 ° C. or higher is preferable. When the melting point of the imidazole compound is 150 ° C. or higher, the terminal of the adherend and the terminal of the support can be joined before the curing of the adhesive film is completed. Examples of the imidazole compound having a melting point of 150 ° C. or higher include 2-phenylhydroxyimidazole and 2-phenyl-4-methylhydroxyimidazole.

前記(E)硬化促進剤の含有量は、特に限定されるわけではないが、接着フィルム中0.005〜10重量%であることが好ましく、より好ましくは0.01〜5重量%である。イミダゾール化合物の配合量を前記下限値以上とすることにより、(E)硬化促進剤としての機能を更に効果的に発揮させて、接着フィルムの硬化性を向上させることができる。また、イミダゾールの配合量を前記上限値以下とすることにより、接着フィルムが硬化する前に被着体の端子と支持体の端子を確実に接合することができ、さらに、接着フィルムの保存性の低下を防止することができる。これらの(E)硬化促進剤は、1種で用いて
もよいし、2種以上を併用してもよい。
Although content of the said (E) hardening accelerator is not necessarily limited, It is preferable that it is 0.005 to 10 weight% in an adhesive film, More preferably, it is 0.01 to 5 weight%. By making the compounding quantity of an imidazole compound more than the said lower limit, the function as (E) hardening accelerator can be exhibited more effectively and the sclerosis | hardenability of an adhesive film can be improved. Moreover, by setting the blending amount of imidazole to the upper limit value or less, it is possible to reliably bond the terminal of the adherend and the terminal of the support before the adhesive film is cured, and further, the storability of the adhesive film A decrease can be prevented. These (E) curing accelerators may be used alone or in combination of two or more.

また、前記接着フィルムは、(F)シランカップリング剤を更に含んでもよい。(F)シランカップリング剤を含むことにより、半導体チップ、基板等の支持体または被着体に対する接着フィルムの密着性を高めることができる。(F)シランカップリング剤としては、例えば、エポキシシランカップリング剤、芳香族含有アミノシランカップリング剤等が使用できる。これらは1種で用いてもよいし、2種以上を併用してもよい。(F)シランカップリング剤の配合量は、適宜選択すればよいが、前記樹脂組成物全体に対して、好ましくは0.01〜10重量%であり、より好ましくは0.05〜5重量%であり、更に好ましくは0.1〜2重量%である。   The adhesive film may further include (F) a silane coupling agent. (F) By including a silane coupling agent, the adhesiveness of the adhesive film to a support such as a semiconductor chip or a substrate or an adherend can be enhanced. (F) As a silane coupling agent, an epoxy silane coupling agent, an aromatic-containing aminosilane coupling agent, etc. can be used, for example. These may be used alone or in combination of two or more. (F) Although the compounding quantity of a silane coupling agent should just be selected suitably, Preferably it is 0.01 to 10 weight% with respect to the said whole resin composition, More preferably, it is 0.05 to 5 weight% More preferably, it is 0.1 to 2% by weight.

前記接着フィルムは、(G)充填材を更に含んでも良い。これにより、接着フィルムの線膨張係数を低下すること、また、接着フィルムの最低溶融粘度を0.01〜100,000Pa・sの範囲に調整することできる。   The adhesive film may further include (G) a filler. Thereby, the linear expansion coefficient of an adhesive film can be reduced, and the minimum melt viscosity of an adhesive film can be adjusted to a range of 0.01 to 100,000 Pa · s.

前記(G)充填材としては、例えば、銀、酸化チタン、シリカ、マイカ等を挙げることができるが、これらの中でもシリカが好ましい。また、シリカフィラーの形状としては、破砕シリカと球状シリカ等があるが、球状シリカが好ましい。   Examples of the filler (G) include silver, titanium oxide, silica, mica and the like. Among these, silica is preferable. Moreover, as a shape of a silica filler, although there exists crushing silica, spherical silica, etc., spherical silica is preferable.

前記(G)充填材の平均粒径は、特に限定されないが、0.01μm以上、20μm以下が好ましく、0.1μm以上、5μm以下が特に好ましい。上記範囲とすることで、接着フィルム内で(G)充填材の凝集を抑制し、外観を向上させることができる。   The average particle diameter of the filler (G) is not particularly limited, but is preferably 0.01 μm or more and 20 μm or less, and particularly preferably 0.1 μm or more and 5 μm or less. By setting it as the said range, aggregation of (G) filler can be suppressed in an adhesive film, and an external appearance can be improved.

前記(G)充填材の含有量は、特に限定されないが、前記接着フィルム中3〜70重量%が好ましく、特に5〜60重量%が好ましく、8〜55重量%が特に好ましい。充填材の含有量を上記下限値以上とするで、硬化後の接着フィルムと被接着物との間の線膨張係数差が小さくなり、熱衝撃の際に発生する応力を低減させることができるため、被接着物の剥離をさらに確実に抑制することができる。また、充填材の含有量を上記上限値以下とすることで、硬化後の接着フィルムの弾性率が高くなりすぎるのを抑制することができるため、半導体装置の信頼性が向上する。また、充填材の含有量を上記範囲とすることにより、接着フィルムの最低溶融粘度を0.01〜100,000Pa・sに調整するのが容易となる。   Although content of the said (G) filler is not specifically limited, 3-70 weight% is preferable in the said adhesive film, 5-60 weight% is especially preferable, and 8-55 weight% is especially preferable. By setting the filler content to the above lower limit or more, the difference in linear expansion coefficient between the cured adhesive film and the adherend becomes small, and the stress generated during thermal shock can be reduced. Further, peeling of the adherend can be more reliably suppressed. Moreover, since it can suppress that the elasticity modulus of the adhesive film after hardening becomes high by making content of a filler into the said upper limit or less, the reliability of a semiconductor device improves. Moreover, it becomes easy to adjust the minimum melt viscosity of an adhesive film to 0.01-100,000 Pa.s by making content of a filler into the said range.

上述したような各樹脂成分を、溶媒中に混合して得られたワニスをポリエステルシート等の剥離処理を施した基材上に塗布し、所定の温度で、実質的に溶媒を含まない程度にまで乾燥させることにより、接着フィルムを得ることができる。ここで用いられる溶媒は、使用される成分に対し不活性なものであれば特に限定されないが、アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、DIBK (ジイソブチルケトン)、シクロヘキサノン、DAA(ジアセトンアルコール)等のケトン類、ベンゼン、キシレン、トルエン等の芳香族炭化水素類、メチルアルコール、エチルアルコール、イソプロピルアルコール、n−ブチルアルコール等のアルコール類、メチルセロソルブ、エチルセロソルブ、ブチルセロソルブ、メチルセロソルブアセテート、エチルセロソルブアセテート等のセロソルブ系、NMP(N−メチル−2−ピロリドン)、THF(テトラヒドロフラン)、DMF(ジメチルホルムアミド)、DBE(ニ塩基酸エステル)、EEP(3−エトキシプロピオン酸エチル)、DMC(ジメチルカーボネート)等が好適に用いられる。溶媒の使用量は、溶媒に混合した成分の固形分が10〜60重量%となる範囲であることが好ましい。   Apply the varnish obtained by mixing each resin component as described above in a solvent onto a base material that has been subjected to a release treatment such as a polyester sheet, and at a predetermined temperature, substantially free of solvent. The adhesive film can be obtained by drying the film. The solvent used here is not particularly limited as long as it is inert to the components used, but ketones such as acetone, methyl ethyl ketone, methyl isobutyl ketone, DIBK (diisobutyl ketone), cyclohexanone, DAA (diacetone alcohol), etc. , Aromatic hydrocarbons such as benzene, xylene, toluene, alcohols such as methyl alcohol, ethyl alcohol, isopropyl alcohol, n-butyl alcohol, methyl cellosolve, ethyl cellosolve, butyl cellosolve, methyl cellosolve acetate, ethyl cellosolve acetate, etc. Cellosolve, NMP (N-methyl-2-pyrrolidone), THF (tetrahydrofuran), DMF (dimethylformamide), DBE (dibasic acid ester), EEP (3-ethoxypropionic acid ester) Le), DMC (dimethyl carbonate), etc. is preferably used. The amount of the solvent used is preferably in the range where the solid content of the components mixed in the solvent is 10 to 60% by weight.

得られた接着フィルムの厚さは、特に限定されないが、1〜300μmであることが好ましく、特に5〜200μmであることが好ましい。厚さが前記範囲内であると、接合部の間隙に樹脂成分を十分に充填することができ、樹脂成分の硬化後の機械的接着強度を確保することができる。   Although the thickness of the obtained adhesive film is not specifically limited, It is preferable that it is 1-300 micrometers, and it is especially preferable that it is 5-200 micrometers. When the thickness is within the above range, the resin component can be sufficiently filled in the gap between the joint portions, and the mechanical adhesive strength after curing of the resin component can be ensured.

このようにして得られた接着フィルムは、フラックス活性を有しているものである。したがって、本発明のダイシングテープ一体型接着シートは、半導体チップと基板、基板と基板、半導体チップと半導体チップ、半導体チップと半導体ウエハ、半導体ウエハと半導体ウエハ等の半田接続を必要とされる部材の接続において好適に用いることができるものである。   The adhesive film thus obtained has a flux activity. Therefore, the dicing tape-integrated adhesive sheet of the present invention includes a semiconductor chip and a substrate, a substrate and a substrate, a semiconductor chip and a semiconductor chip, a semiconductor chip and a semiconductor wafer, a semiconductor wafer and a semiconductor wafer, and other members that require solder connection. It can be suitably used for connection.

また、本発明のダイシングテープ一体型接着シートは、上述した接着フィルム、ダイシングテープの他に、1つ以上の介在層を設けていてもよい。また、ダイシングテープ一体型接着シートの一方の面又は両面に1つ以上の外層を設けてもよい。介在層や外層としては、以下のような支持フィルムや粘着層等の基材が挙げられる。   Moreover, the dicing tape-integrated adhesive sheet of the present invention may be provided with one or more intervening layers in addition to the above-described adhesive film and dicing tape. Further, one or more outer layers may be provided on one side or both sides of the dicing tape integrated adhesive sheet. Examples of the intervening layer and the outer layer include base materials such as the following support film and adhesive layer.

(支持フィルム)
支持フィルムとは、以上のようなダイシングテープおよび接着フィルムを支持する機能を有する支持体である。また、ダイシングテープ一体型接着シートの外層として設ける場合、汚染や衝撃から保護する保護フィルムとしての機能も有する。
(Support film)
The support film is a support having a function of supporting the dicing tape and the adhesive film as described above. Moreover, when providing as an outer layer of a dicing tape integrated adhesive sheet, it also has a function as a protective film for protecting from contamination and impact.

このような支持フィルムの構成材料としては、例えばポリエチレン、ポリプロピレン、ポリブテン、ポリブタジエン、ポリメチルペンテン、ポリ塩化ビニル、塩化ビニル共重合体、ポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンテレフタレート、ポリウレタン、エチレン酢ビ共重合体、アイオノマー、エチレン・(メタ)アクリル酸共重合体、エチレン・(メタ)アクリル酸エステル共重合体、ポリスチレン、ビニルポリイソプレン、ポリカーボネート等が挙げられ、これらのうちの1種または2種以上の混合物が挙げられる。   As a constituent material of such a support film, for example, polyethylene, polypropylene, polybutene, polybutadiene, polymethylpentene, polyvinyl chloride, vinyl chloride copolymer, polyethylene terephthalate, polybutylene terephthalate, polyurethane, ethylene vinyl acetate copolymer, Examples include ionomers, ethylene / (meth) acrylic acid copolymers, ethylene / (meth) acrylic acid ester copolymers, polystyrene, vinyl polyisoprene, polycarbonate, etc., and one or a mixture of two or more of these may be used. Can be mentioned.

支持フィルムの平均厚さは、特に限定されないが、5〜200μm程度であるのが好ましく、30〜150μm程度であるのがより好ましい。これにより、支持フィルムは、適度な剛性を有するものとなるため、ダイシングテープおよび接着フィルムを確実に支持して、ダイシングテープ一体型接着シートの取扱いを容易にするとともに、ダイシングテープ一体型接着シートが適度に湾曲することで、第一の端子を有する支持体との密着性を高めることができる。   Although the average thickness of a support film is not specifically limited, It is preferable that it is about 5-200 micrometers, and it is more preferable that it is about 30-150 micrometers. As a result, since the support film has moderate rigidity, the dicing tape and the adhesive film are reliably supported, and the handling of the dicing tape integrated adhesive sheet is facilitated. Adhesiveness with the support body which has a 1st terminal can be improved by curving moderately.

(粘着層)
粘着層は、一般的な粘着剤で構成されており、具体的には、アクリル系粘着剤、ゴム系粘着剤等を含む第二樹脂組成物で構成されている。
アクリル系粘着剤としては、例えば(メタ)アクリル酸およびそれらのエステルで構成される樹脂、(メタ)アクリル酸およびそれらのエステルと、それらと共重合可能な不飽和単量体(例えば酢酸ビニル、スチレン、アクリロニトリル等)との共重合体等が挙げられる。また、これらの樹脂を2種類以上混合してもよい。
(Adhesive layer)
The pressure-sensitive adhesive layer is composed of a general pressure-sensitive adhesive, specifically, a second resin composition containing an acrylic pressure-sensitive adhesive, a rubber-based pressure-sensitive adhesive, and the like.
Examples of the acrylic pressure-sensitive adhesive include resins composed of (meth) acrylic acid and esters thereof, (meth) acrylic acid and esters thereof, and unsaturated monomers copolymerizable therewith (for example, vinyl acetate, And copolymers with styrene, acrylonitrile, etc.). Two or more of these resins may be mixed.

また、これらの中でも、(メタ)アクリル酸メチル、(メタ)アクリル酸エチルヘキシルおよび(メタ)アクリル酸ブチルからなる群から選ばれる1種以上と、(メタ)アクリル酸ヒドロキシエチルおよび酢酸ビニルの中から選ばれる1種以上との共重合体が好ましい。これにより、粘着層が粘着する相手(被着体)との密着性や粘着性の制御が容易になる。   Among these, one or more selected from the group consisting of methyl (meth) acrylate, ethylhexyl (meth) acrylate and butyl (meth) acrylate, and hydroxyethyl (meth) acrylate and vinyl acetate A copolymer with one or more selected is preferred. This facilitates control of adhesion and adhesiveness with the counterpart (adherent) to which the adhesive layer adheres.

また、第二樹脂組成物には、粘着性(接着性)を制御するためにウレタンアクリレート、アクリレートモノマー、多価イソシアネート化合物(例えば、2,4−トリレンジイソシアネート、2,6−トリレンジイソシアネート)等のイソシアネート化合物等のモノマーおよびオリゴマーを添加してもよい。   In addition, the second resin composition includes urethane acrylate, acrylate monomer, polyvalent isocyanate compound (for example, 2,4-tolylene diisocyanate, 2,6-tolylene diisocyanate) in order to control tackiness (adhesiveness). Monomers and oligomers such as isocyanate compounds may be added.

さらに、第二樹脂組成物には、粘着層を紫外線等により硬化させる場合、光重合開始剤としてメトキシアセトフェノン、2,2−ジメトキシ−2−フェニルアセトフェノン、2,2−ジエトキシアセトフェノン、2−メチル−1−[4−(メチルチオ)−フェニル]−2−モルホリノプロパン−1等のアセトフェノン系化合物、ベンゾフェノン系化合物、ベンゾイン系化合物、ベンゾインイソブチルエーテル系化合物、ベンゾイン安息香酸メチル系化合物、ベンゾイン安息香酸系化合物、ベンゾインメチルエーテル系化合物、ベンジルフィニルサルファイド系化合物、ベンジル系化合物、ジベンジル系化合物、ジアセチル系化合物等を添加してもよい。   Further, the second resin composition includes methoxyacetophenone, 2,2-dimethoxy-2-phenylacetophenone, 2,2-diethoxyacetophenone, 2-methyl as a photopolymerization initiator when the adhesive layer is cured by ultraviolet rays or the like. Acetophenone compounds such as -1- [4- (methylthio) -phenyl] -2-morpholinopropane-1, benzophenone compounds, benzoin compounds, benzoin isobutyl ether compounds, benzoin benzoic acid methyl compounds, benzoin benzoic acid compounds A compound, a benzoin methyl ether compound, a benzylfinyl sulfide compound, a benzyl compound, a dibenzyl compound, a diacetyl compound, or the like may be added.

また、第二樹脂組成物には、接着強度およびシェア強度を高める目的で、ロジン樹脂、テルペン樹脂、クマロン樹脂、フェノール樹脂、スチレン樹脂、脂肪族系石油樹脂、芳香族系石油樹脂、脂肪族芳香族系石油樹脂等の粘着付与剤等を添加してもよい。   The second resin composition also includes a rosin resin, a terpene resin, a coumarone resin, a phenol resin, a styrene resin, an aliphatic petroleum resin, an aromatic petroleum resin, an aliphatic aroma for the purpose of increasing adhesive strength and shear strength. You may add tackifiers, such as a group petroleum resin.

このような粘着層の平均厚さは、特に限定されないが、1〜100μm程度であるのが好ましく、特に3〜50μm程度であるのがより好ましい。かかる厚さが前記範囲内であると、特に、ダイシング時に剥離せず、ピックアップ時には引っ張り荷重に伴って比較的容易に剥離可能であり、さらに、ダイシング時やピックアップ時に変形を生じにくいため、ダイシング性、ピックアップ性に優れた層が得られる。   The average thickness of such an adhesive layer is not particularly limited, but is preferably about 1 to 100 μm, more preferably about 3 to 50 μm. When the thickness is within the above range, it is not peeled off especially during dicing, it can be peeled off relatively easily with a tensile load during picking up, and it is difficult to be deformed during dicing or picking up. Thus, a layer excellent in pick-up property can be obtained.

(ダイシングテープ一体型接着シートの製造方法)
以上説明したようなダイシングテープ一体型接着シート10は、例えば以下のような方法で製造される。
(Manufacturing method of dicing tape integrated adhesive sheet)
The dicing tape-integrated adhesive sheet 10 as described above is manufactured, for example, by the following method.

まず、図3(a)に示す基材4aを用意し、この基材4aの一方の面上に介在層1を成膜する。これにより、基材4aと介在層1との積層体61を得る。介在層1の成膜は、前述した第二樹脂組成物を含む樹脂ワニスを各種塗布法等により塗布し、その後塗布膜を乾燥させる方法や、第二樹脂組成物からなるフィルムをラミネートする方法等により行うことができる。また、紫外線等の放射線を照射することにより、塗布膜を硬化させるようにしてもよい。   First, the base material 4a shown in FIG. 3A is prepared, and the intervening layer 1 is formed on one surface of the base material 4a. Thereby, the laminated body 61 of the base material 4a and the intervening layer 1 is obtained. The intervening layer 1 is formed by, for example, applying the resin varnish containing the second resin composition described above by various application methods and then drying the applied film, or laminating a film made of the second resin composition, etc. Can be performed. Further, the coating film may be cured by irradiating radiation such as ultraviolet rays.

上記塗布法としては、例えば、ナイフコート法、ロールコート法、スプレーコート法、グラビアコート法、バーコート法、カーテンコート法等が挙げられる。   Examples of the coating method include a knife coating method, a roll coating method, a spray coating method, a gravure coating method, a bar coating method, and a curtain coating method.

また、積層体61と同様にして、図3(a)に示すように、用意した基材4bの一方の面上に接着フィルム3を成膜し、これにより、基材4bと接着フィルム3との積層体62を得る。   Further, similarly to the laminate 61, as shown in FIG. 3A, the adhesive film 3 is formed on one surface of the prepared base material 4b, whereby the base material 4b and the adhesive film 3 are formed. The laminate 62 is obtained.

さらに、各積層体61、62と同様にして、図3(a)に示すように、用意した支持フィルム4の一方の面上にダイシングテープ2を成膜し、これにより、支持フィルム4とダイシングテープ2との積層体63を得る。   Further, as shown in FIG. 3A, the dicing tape 2 is formed on one surface of the prepared support film 4 in the same manner as each of the laminates 61 and 62, whereby the support film 4 and the dicing are formed. A laminate 63 with the tape 2 is obtained.

次いで、図3(b)に示すように、介在層1と接着フィルム3とが接するように積層体61と積層体62とを積層し、積層体64を得る。この積層は、例えばロールラミネート法等により行うことができる。   Next, as illustrated in FIG. 3B, the stacked body 61 and the stacked body 62 are stacked so that the intervening layer 1 and the adhesive film 3 are in contact with each other to obtain a stacked body 64. This lamination can be performed by, for example, a roll lamination method.

次いで、図3(c)に示すように、積層体64から基材4aを剥離する。そして、図3(d)に示すように、前記基材4aを剥離した積層体64に対して、基材4bを残して、前記接着フィルム3および前記介在層1の有効領域の外側部分を除去する。ここで、有効領域とは、その外周が、半導体ウエハー7の外径よりも大きく、かつ、ウエハーリング9の内径よりも小さい領域を指す。   Next, as shown in FIG. 3 (c), the base material 4 a is peeled from the laminate 64. And as shown in FIG.3 (d), the outer side part of the effective area | region of the said adhesive film 3 and the said intervening layer 1 is removed, leaving the base material 4b with respect to the laminated body 64 which peeled the said base material 4a. To do. Here, the effective area refers to an area whose outer periphery is larger than the outer diameter of the semiconductor wafer 7 and smaller than the inner diameter of the wafer ring 9.

次いで、図3(e)に示すように、介在層1の露出面にダイシングテープ2が接するように、基材4aを剥離し有効領域の外側部分をリング状に除去した積層体64と積層体63を積層する。その後、基材4bを剥離することにより、図3(f)に示すダイシングテープ一体型接着シート10が得られる。   Next, as shown in FIG. 3 (e), a laminate 64 and a laminate in which the substrate 4a is peeled and the outer portion of the effective area is removed in a ring shape so that the dicing tape 2 is in contact with the exposed surface of the intervening layer 1. 63 is laminated. Then, the base material 4b is peeled to obtain the dicing tape integrated adhesive sheet 10 shown in FIG.

支持フィルムに直接ダイシングテープ2を成膜する方法について上述したが、ダイシングテープを、介在層1、接着フィルム3と同様に、基材上に成膜して、それを接着フィルム3、介在層1と積層してダイシングテープ一体型接着シートを作製してもよい。   Although the method for forming the dicing tape 2 directly on the support film has been described above, the dicing tape is formed on the substrate in the same manner as the intervening layer 1 and the adhesive film 3, and is then formed on the adhesive film 3 and the interposing layer 1. And a dicing tape integrated adhesive sheet may be produced.

なお、介在層1、ダイシングテープ2および接着フィルム3は、それぞれ異なる密着力を有しているが、それらは以下のような特性を有していることが好ましい。   In addition, although the intervening layer 1, the dicing tape 2, and the adhesive film 3 have mutually different adhesive forces, it is preferable that they have the following characteristics.

まず、介在層1の接着フィルム3に対する密着力は、ダイシングテープ2の支持フィルム4に対する密着力よりも小さいことが好ましい。これにより、後述する第3の工程において、個片83をピックアップした際に、ダイシングテープ2との支持フィルム4との間は剥離することなく、接着フィルム3と介在層1との間が選択的に剥離する。そして、ダイシングの際には、ウエハーリング9により積層体8を確実に支持し続けることができる。   First, the adhesion force of the intervening layer 1 to the adhesive film 3 is preferably smaller than the adhesion force of the dicing tape 2 to the support film 4. Thereby, in the 3rd process mentioned later, when picking up the piece 83, between the support film 4 and the dicing tape 2 does not peel, but between the adhesive film 3 and the intervening layer 1 is selective. Peel off. When dicing, the laminated body 8 can be reliably supported by the wafer ring 9.

次に、上述したダイシングテープ一体型接着シートを用いた電子部品および半導体装置について説明する。
[1] 図1(a)に示すように、上述したようなダイシングテープ一体型接着シート10の接着フィルム3と、半導体ウエハー7とを密着させつつ、ダイシングテープ一体型接着シート10と半導体ウエハー(支持体)7とを積層する(第1の工程)。ここで、半導体ウエハー(支持体)7において、接着フィルム3と接着する面は、第一の端子(図示せず)を有するものである。なお、図1に示すダイシングテープ一体型接着シート10では、接着フィルム3の平面視における大きさおよび形状が、半導体ウエハー7の外径よりも大きく、かつ、ウエハーリング9の内径よりも小さい形状に、あらかじめ設定されている。このため、半導体ウエハー7の下面全体が接着フィルム3の上面全体と密着し、これにより半導体ウエハー7がダイシングテープ一体型接着シート10で支持されることとなる。 この半導体ウエハー7の第1の端子を接着フィルム3で覆うように、ダイシングテープ一体型接着シート10をラミネートする(図1(b))。
Next, an electronic component and a semiconductor device using the above-described dicing tape integrated adhesive sheet will be described.
[1] As shown in FIG. 1A, the adhesive film 3 of the dicing tape-integrated adhesive sheet 10 as described above and the semiconductor wafer 7 are brought into close contact with each other, and the dicing tape-integrated adhesive sheet 10 and the semiconductor wafer ( (Support 1) is laminated (first step). Here, in the semiconductor wafer (support) 7, the surface bonded to the adhesive film 3 has a first terminal (not shown). In the dicing tape-integrated adhesive sheet 10 shown in FIG. 1, the size and shape of the adhesive film 3 in plan view are larger than the outer diameter of the semiconductor wafer 7 and smaller than the inner diameter of the wafer ring 9. , Have been set in advance. For this reason, the entire lower surface of the semiconductor wafer 7 is in close contact with the entire upper surface of the adhesive film 3, whereby the semiconductor wafer 7 is supported by the dicing tape-integrated adhesive sheet 10. A dicing tape-integrated adhesive sheet 10 is laminated so that the first terminals of the semiconductor wafer 7 are covered with the adhesive film 3 (FIG. 1B).

ダイシングテープ一体型接着シート10を半導体ウエハー7に積層する方法としては、例えばロールラミネーター、平板プレス、ウエハーラミネーター等が挙げられる。
これらの中でもラミネート時に空気を巻き込まないようにするため、真空下でラミネートする方法(真空ラミネーター)が好ましい。
Examples of the method of laminating the dicing tape integrated adhesive sheet 10 on the semiconductor wafer 7 include a roll laminator, a flat plate press, a wafer laminator and the like.
Among these, a method of laminating under vacuum (vacuum laminator) is preferable in order to prevent air from being involved during lamination.

また、ラミネートする条件としては、特に限定されず、ボイドなくラミネートできればよいが、具体的には60〜150℃で1秒〜120秒間加熱する条件が好ましく、特に80〜120℃で5〜60秒間加熱する条件が好ましい。ラミネート条件が前記範囲内であると、貼着性と、樹脂のはみ出しの抑制効果と、樹脂の硬化度とのバランスに優れる。
また、加圧条件も特に限定されないが、0.2〜2.0MPaが好ましく、特に0.5〜1.5MPaが好ましい。
In addition, the conditions for laminating are not particularly limited, and it is only necessary to be able to laminate without voids. Specifically, the conditions of heating at 60 to 150 ° C. for 1 second to 120 seconds are preferable, and particularly at 80 to 120 ° C. for 5 to 60 seconds. Heating conditions are preferred. When the laminating conditions are within the above range, the balance between the sticking property, the effect of suppressing the protrusion of the resin, and the degree of curing of the resin is excellent.
Moreover, although pressurization conditions are not specifically limited, 0.2-2.0 MPa is preferable and 0.5-1.5 MPa is especially preferable.

上記積層の結果、図1(b)に示すように、ダイシングテープ一体型接着シート10と半導体ウエハー7とが積層されてなる積層体8が得られる。   As a result of the above lamination, as shown in FIG. 1B, a laminated body 8 in which a dicing tape-integrated adhesive sheet 10 and a semiconductor wafer 7 are laminated is obtained.

[2]
[2−1]次に、ウエハーリング9を用意する。続いて、ダイシングテープ2の外周部21の上面とウエハーリング9の下面とが密着するように、積層体8とウエハーリング9とを積層する。これにより、積層体8の外周部がウエハーリング9により支持される。
[2]
[2-1] Next, a wafer ring 9 is prepared. Subsequently, the laminate 8 and the wafer ring 9 are laminated so that the upper surface of the outer peripheral portion 21 of the dicing tape 2 and the lower surface of the wafer ring 9 are in close contact with each other. Thereby, the outer peripheral part of the laminated body 8 is supported by the wafer ring 9.

ウエハーリング9は、一般にステンレス鋼、アルミニウム等の各種金属材料等で構成されるため、剛性が高く、積層体8の変形を確実に防止することができる。   Since the wafer ring 9 is generally made of various metal materials such as stainless steel and aluminum, the wafer ring 9 has high rigidity and can surely prevent the laminate 8 from being deformed.

[2−2]次に、図示しないダイサーテーブルを用意し、ダイサーテーブルと支持フィルム4とが接触するように、ダイサーテーブル上に積層体8を載置する。   [2-2] Next, a dicer table (not shown) is prepared, and the laminate 8 is placed on the dicer table so that the dicer table and the support film 4 are in contact with each other.

続いて、図1(c)に示すように、ダイシングブレード82を用いて積層体8に複数の切り込み81を形成する(ダイシング)。ダイシングブレード82は、円盤状のダイヤモンドブレード等で構成されており、これを回転させつつ積層体8の半導体ウエハー7側の面に押し当てることで切り込み81が形成される。そして、半導体ウエハー7に形成された回路パターン同士の間隙に沿って、ダイシングブレード82を相対的に移動させることにより、半導体ウエハー7が複数の半導体素子71に個片化される(第2の工程)。また、接着フィルム3も同様に、複数の接着フィルム31に個片化される。このようなダイシングの際には、半導体ウエハー7に振動や衝撃が加わるが、半導体ウエハー7の下面がダイシングテープ一体型接着シート10で支持されているため、上記の振動や衝撃が緩和されることとなる。その結果、半導体ウエハー7における割れや欠け等の不具合の発生を確実に防止することができる。   Subsequently, as shown in FIG. 1C, a plurality of cuts 81 are formed in the laminate 8 using a dicing blade 82 (dicing). The dicing blade 82 is composed of a disk-shaped diamond blade or the like, and a cut 81 is formed by pressing the dicing blade 82 against the surface of the laminated body 8 on the semiconductor wafer 7 side. Then, the semiconductor wafer 7 is separated into a plurality of semiconductor elements 71 by relatively moving the dicing blade 82 along the gap between the circuit patterns formed on the semiconductor wafer 7 (second step). ). Similarly, the adhesive film 3 is separated into a plurality of adhesive films 31. In such dicing, vibration and impact are applied to the semiconductor wafer 7, but the lower surface of the semiconductor wafer 7 is supported by the dicing tape-integrated adhesive sheet 10, so that the vibration and impact are alleviated. It becomes. As a result, the occurrence of defects such as cracks and chippings in the semiconductor wafer 7 can be reliably prevented.

第2の工程において、ダイシングブレード82の先端が粘着層内に留まるように、削り深さを設定してもよい。換言すれば、切り込み81の先端が支持フィルム4に到達することなく、介在層1内またはダイシングテープ2内のいずれかに留まるようにダイシングを行う。このようにすれば、支持フィルム4の削り屑は発生し得ないため、削り屑の発生に伴う問題が確実に解消されることとなる。すなわち、半導体素子71をピックアップする際には、引っ掛かり等の発生が防止され、ピックアップした半導体素子71を被着体5にマウントする際には、異物の侵入および半田接合の不良が防止される。その結果、半導体装置100の製造歩留まりが向上するとともに、信頼性の高い半導体装置100を得ることができる。   In the second step, the cutting depth may be set so that the tip of the dicing blade 82 remains in the adhesive layer. In other words, dicing is performed so that the front end of the cut 81 does not reach the support film 4 and remains in either the intervening layer 1 or the dicing tape 2. In this way, since the shavings of the support film 4 cannot be generated, the problems associated with the generation of the shavings are surely solved. That is, when picking up the semiconductor element 71, the occurrence of catching or the like is prevented, and when the picked-up semiconductor element 71 is mounted on the adherend 5, entry of foreign matter and defective soldering are prevented. As a result, the manufacturing yield of the semiconductor device 100 can be improved, and the highly reliable semiconductor device 100 can be obtained.

[3]
[3−1]次に、複数の切り込み81が形成された積層体8を、図示しないエキスパンド装置により、放射状に引き延ばす(エキスパンド)。これにより、図1(d)に示すように、積層体8に形成された切り込み81の幅が広がり、それに伴って個片化された半導体素子71同士の間隔も拡大する。その結果、半導体素子71同士が干渉し合うおそれがなくなり、個々の半導体素子71をピックアップし易くなる。なお、エキスパンド装置は、このようなエキスパンド状態を後述する工程においても維持し得るよう構成されている。
[3]
[3-1] Next, the laminated body 8 in which the plurality of cuts 81 are formed is radially extended (expanded) by an expanding device (not shown). Thereby, as shown in FIG.1 (d), the width | variety of the notch 81 formed in the laminated body 8 spreads, and the space | interval of the semiconductor elements 71 separated into pieces is also expanded in connection with it. As a result, there is no possibility that the semiconductor elements 71 interfere with each other, and the individual semiconductor elements 71 can be easily picked up. Note that the expanding device is configured to maintain such an expanded state even in a process described later.

[3−2]次に、ダイボンダー250により、個片化された半導体素子71のうちの1つを、ダイボンダーのコレット(チップ吸着部)260で吸着するとともに上方に引き上げる。その結果、図2(e)に示すように、接着フィルム31と介在層1との界面が選択的に剥離し、半導体素子71と接着フィルム31とが積層されてなる個片83がピックアップされる(第3の工程)。   [3-2] Next, the die bonder 250 attracts one of the separated semiconductor elements 71 by the die bonder collet (chip suction part) 260 and pulls it upward. As a result, as shown in FIG. 2E, the interface between the adhesive film 31 and the intervening layer 1 is selectively peeled off, and a piece 83 formed by laminating the semiconductor element 71 and the adhesive film 31 is picked up. (Third step).

なお、接着フィルム31と介在層1との界面が選択的に剥離する理由は、前述したように、ダイシングテープ2の粘着性が介在層1の粘着性より高いため、支持フィルム4とダイシングテープ2との界面の密着力、および、ダイシングテープ2の介在層1との界面の粘着力は、介在層1と接着フィルム3との密着力より大きいからである。すなわち、半導体素子71を上方にピックアップした場合、これらの3箇所のうち、最も粘着力の小さい介在層1と接着フィルム3との界面が選択的に剥離することとなる。   The reason why the interface between the adhesive film 31 and the intervening layer 1 is selectively peeled is that the adhesiveness of the dicing tape 2 is higher than the adhesiveness of the intervening layer 1 as described above. This is because the adhesive force at the interface between the intermediate layer 1 and the adhesive force at the interface with the intervening layer 1 of the dicing tape 2 are larger than the adhesive force between the intervening layer 1 and the adhesive film 3. That is, when the semiconductor element 71 is picked up, the interface between the intervening layer 1 having the smallest adhesive force and the adhesive film 3 among these three locations is selectively peeled off.

また、個片83をピックアップする際には、ダイシングテープ一体型接着シート10の下方から、突き上げ装置400により、ピックアップすべき個片83を選択的に突き上げるようにしてもよい。これにより、積層体8から個片83が突き上げられるため、前述した個片83のピックアップをより容易に行うことができるようになる。なお、個片83の突き上げには、ダイシングテープ一体型接着シート10を下方から突き上げる針状体(ニードル)等が用いられる(図示せず)。   Further, when picking up the individual piece 83, the individual piece 83 to be picked up may be selectively pushed up from below the dicing tape-integrated adhesive sheet 10 by the push-up device 400. Thereby, since the piece 83 is pushed up from the laminated body 8, the pickup of the piece 83 mentioned above can be performed more easily. In order to push up the individual piece 83, a needle-like body (needle) or the like that pushes up the dicing tape-integrated adhesive sheet 10 from below is used (not shown).

[4]
[4−1]次に、半導体素子(チップ)71を搭載(マウント)するための被着体5を用意する。
[4]
[4-1] Next, the adherend 5 for mounting (mounting) the semiconductor element (chip) 71 is prepared.

この被着体5は、前記接着フィルム3と接着する面に第2の端子(図示せず)を有するものである。この被着体5としては、半導体素子71を搭載し、半導体素子71と外部とを電気的に接続するための配線を有する基板や半導体素子等が挙げられる。   The adherend 5 has a second terminal (not shown) on the surface to be bonded to the adhesive film 3. Examples of the adherend 5 include a substrate on which a semiconductor element 71 is mounted and a wiring for electrically connecting the semiconductor element 71 and the outside, a semiconductor element, and the like.

なお、第一の端子と第二の端子としては、例えばパッド部、半田バンプ等が挙げられる。また、第一の端子、第二の端子の少なくとも一方に半田が存在することが好ましい。   In addition, as a 1st terminal and a 2nd terminal, a pad part, a solder bump, etc. are mentioned, for example. Moreover, it is preferable that solder exists in at least one of the first terminal and the second terminal.

次いで、図2(f)に示すように、ピックアップされた個片83を、被着体5上に載置する。この際、半導体ウエハー(支持体)7の第一の端子と、被着体5の第二の端子とを位置合わせしながら、接着フィルム3を介して仮圧着する。   Next, as shown in FIG. 2 (f), the picked-up piece 83 is placed on the adherend 5. At this time, the first terminal of the semiconductor wafer (support) 7 and the second terminal of the adherend 5 are temporarily bonded via the adhesive film 3 while being aligned.

[4−2]次に、被着体5と半導体素子71を半田接合する(第4の工程)。 半田接続する条件は、使用する半田の種類にもよるが、例えばSn−Agの場合、220〜260℃で5〜500秒間加熱して半田接続することが好ましく、特に230〜240℃で10〜100秒間加熱することが好ましい。
この半田接合は、半田が融解した後に、接着フィルム3が硬化するような条件で行うことが好ましい。すなわち、半田接合は、半田を融解させるが、接着フィルム3の硬化反応があまり進行させないような条件で実施することが好ましい。これにより、半田接続する際の半田接続部の形状を接続信頼性に優れるような安定した形状とすることができる。
[4-2] Next, the adherend 5 and the semiconductor element 71 are soldered (fourth step). The condition for solder connection depends on the type of solder to be used. For example, in the case of Sn-Ag, the solder connection is preferably performed by heating at 220 to 260 ° C. for 5 to 500 seconds, and particularly at 230 to 240 ° C. It is preferable to heat for 100 seconds.
This solder bonding is preferably performed under the condition that the adhesive film 3 is cured after the solder is melted. That is, the solder bonding is preferably performed under the condition that the solder is melted but the curing reaction of the adhesive film 3 does not proceed so much. Thereby, the shape of the solder connection part at the time of soldering can be made into the stable shape which is excellent in connection reliability.

次に、接着フィルム3を加熱して硬化させる(第5の工程)。硬化させる条件は、特に限定されないが、130〜220℃で30〜500分間加熱する条件が好ましく、特に150〜200℃で60〜180分間加熱する条件が好ましい。   Next, the adhesive film 3 is heated and cured (fifth step). Conditions for curing are not particularly limited, but conditions for heating at 130 to 220 ° C. for 30 to 500 minutes are preferable, and conditions for heating at 150 to 200 ° C. for 60 to 180 minutes are particularly preferable.

以上のような方法によれば、第3の工程において、半導体素子71に接着フィルム31が付着した状態、すなわち個片83の状態でピックアップされることから、第4の工程において、この接着フィルム31をそのまま被着体5との接着に利用することができる。このため、本発明のダイシングテープ一体型接着シートを用いることにより、別途アンダーフィル等を用意する必要がなく、半導体素子(支持体)71と被着体5を半田を用いて電気的に接続した半導体装置100の製造効率をより高めることができる。   According to the method as described above, in the third step, the adhesive film 31 is picked up in a state where the adhesive film 31 is attached to the semiconductor element 71, that is, in the state of the piece 83. Therefore, in the fourth step, the adhesive film 31 is picked up. Can be used for adhesion to the adherend 5 as it is. Therefore, by using the dicing tape-integrated adhesive sheet of the present invention, it is not necessary to separately prepare an underfill or the like, and the semiconductor element (support) 71 and the adherend 5 are electrically connected using solder. The manufacturing efficiency of the semiconductor device 100 can be further increased.

なお、支持体7および被着体5としては、たとえば、チップ、基板(回路基板)、ウエハー等が挙げられる。支持体7および被着体5としてそれぞれ回路基板を用いる場合、接着フィルム2の硬化物で接合した多層回路基板を得ることができる。また、支持体7および被着体5としてそれぞれ半導体チップを用いる場合、接着フィルム2の硬化物で接着されている電子部品を得ることができる。   In addition, as the support body 7 and the to-be-adhered body 5, a chip | tip, a board | substrate (circuit board | substrate), a wafer etc. are mentioned, for example. When circuit boards are used as the support 7 and the adherend 5, respectively, a multilayer circuit board bonded with a cured product of the adhesive film 2 can be obtained. Moreover, when using a semiconductor chip as the support body 7 and the adherend 5 respectively, an electronic component bonded with a cured product of the adhesive film 2 can be obtained.

以下、本発明を実施例および比較例に基づいて詳細に説明するが、本発明はこれに限定されるものではない。   EXAMPLES Hereinafter, although this invention is demonstrated in detail based on an Example and a comparative example, this invention is not limited to this.

(実施例1)
<粘着層の形成>
アクリル酸2−エチルヘキシル30重量%と酢酸ビニル70重量%とを共重合して得られた重量平均分子量300,000の共重合体100重量部と、分子量が700の5官能アクリレートモノマー45重量部と、2,2−ジメトキシ−2−フェニルアセトフェノン5重量部と、トリレンジイソシアネート(コロネートT−100、日本ポリウレタン工業(株)製)3重量部と、を剥離処理した厚さ38μmのポリエステルフィルムに対して、乾燥後の厚さが10μmになるように塗布し、その後、80℃で5分間乾燥した。そして、得られた塗布膜に対して紫外線500mJ/cmを照射し、ポリエステルフィルム上に粘着層を成膜した。
Example 1
<Formation of adhesive layer>
100 parts by weight of a copolymer having a weight average molecular weight of 300,000 obtained by copolymerizing 30% by weight of 2-ethylhexyl acrylate and 70% by weight of vinyl acetate, and 45 parts by weight of a pentafunctional acrylate monomer having a molecular weight of 700 2 parts by weight of 2,2-dimethoxy-2-phenylacetophenone and 3 parts by weight of tolylene diisocyanate (Coronate T-100, manufactured by Nippon Polyurethane Industry Co., Ltd.) with respect to a 38 μm thick polyester film The film was applied so that the thickness after drying was 10 μm, and then dried at 80 ° C. for 5 minutes. And the ultraviolet-ray 500mJ / cm < 2 > was irradiated with respect to the obtained coating film, and the adhesion layer was formed into a film on the polyester film.

<ダイシングテープの形成>
アクリル酸ブチル70重量%とアクリル酸2−エチルヘキシル30重量%とを共重合して得られた重量平均分子量500,000の共重合体100重量部と、トリレンジイソシアネート(コロネートT−100、日本ポリウレタン工業(株)製)3重量部と、を剥離処理した厚さ38μmのポリエステルフィルムに対して、乾燥後の厚さが10μmになるように塗布し、その後、80℃で5分間乾燥した。そして、ポリエステルフィルム上にダイシングテープを成膜した。その後、支持フィルムとして厚さ100μmのポリエチレンシートをラミネートした。
<Formation of dicing tape>
100 parts by weight of a copolymer having a weight average molecular weight of 500,000 obtained by copolymerizing 70% by weight of butyl acrylate and 30% by weight of 2-ethylhexyl acrylate, and tolylene diisocyanate (Coronate T-100, Nippon Polyurethane 3 parts by weight of Kogyo Co., Ltd.) was applied to a 38 μm-thick polyester film having been subjected to a release treatment so that the thickness after drying was 10 μm, and then dried at 80 ° C. for 5 minutes. Then, a dicing tape was formed on the polyester film. Thereafter, a polyethylene sheet having a thickness of 100 μm was laminated as a support film.

<接着フィルム用ワニスの調製>
(A)熱硬化性樹脂としてビスフェノールF型エポキシ樹脂(大日本インキ化学工業社製、EPICLON−830LVP)55.0重量部と、(B)硬化剤としてフェノールノボラック樹脂(三井化学社製、VR−9305)30.8重量部と、(C)フラックス機能を有する化合物としてセバシン酸(東京化成工業社製)3.0重量部と、(D)成膜性樹脂としてビスフェノールF型フェノキシ樹脂(東都化成社製、YP−70)10.0重量部と、(E)硬化促進剤として2―フェニルー4−メチルイミダゾール(四国化成工業社製、2P4MZ)0.2重量部と、(F)シランカップリング剤としてβ−(3,4エポキシシクロヘキシル)エチルトリメトキシシラン(信越化学工業社製、KBM−303)1.0重量部とを、メチルエチルケトンに溶解し、樹脂濃度50%の樹脂ワニスを調製した。
<Preparation of varnish for adhesive film>
(A) 55.0 parts by weight of a bisphenol F type epoxy resin (manufactured by Dainippon Ink and Chemicals, EPICLON-830LVP) as a thermosetting resin, and (B) a phenol novolak resin (manufactured by Mitsui Chemicals, VR- 9305) 30.8 parts by weight, (C) 3.0 parts by weight of sebacic acid (manufactured by Tokyo Chemical Industry Co., Ltd.) as a compound having a flux function, and (D) bisphenol F-type phenoxy resin (Toto Kasei) as a film-forming resin YP-70) 10.0 parts by weight, (E) 0.2 parts by weight of 2-phenyl-4-methylimidazole (manufactured by Shikoku Kasei Kogyo Co., Ltd., 2P4MZ) as a curing accelerator, and (F) silane coupling Β- (3,4 epoxycyclohexyl) ethyltrimethoxysilane (Shin-Etsu Chemical Co., Ltd., KBM-303) 1.0 part by weight as an agent, It was dissolved in ethyl ketone, to prepare a resin concentration of 50% resin varnish.

<接着フィルムの製造>
得られた樹脂ワニスを、基材ポリエステルフィルム(東レ株式会社製、ルミラー)に厚さ50μmとなるように塗布して、100℃、5分間乾燥して、厚さ25μmの接着フィルムを得た。
<Manufacture of adhesive film>
The obtained resin varnish was applied to a base polyester film (manufactured by Toray Industries, Inc., Lumirror) to a thickness of 50 μm and dried at 100 ° C. for 5 minutes to obtain an adhesive film having a thickness of 25 μm.

<ダイシングテープ一体型接着シートの製造>
粘着側のポリエステルフィルムを剥離して、粘着層を成膜したフィルムと、接着フィルムを成膜したフィルムとを、粘着層と接着フィルムとが接するようにラミネート(積層)し、積層体を得た。
<Manufacture of dicing tape integrated adhesive sheet>
The polyester film on the adhesive side was peeled off, and the film on which the adhesive layer was formed and the film on which the adhesive film was formed were laminated (laminated) so that the adhesive layer and the adhesive film were in contact with each other to obtain a laminate. .

次に、ロール状の金型を用いて、粘着層と接着フィルムを半導体ウエハーの外径よりも大きく、かつウエハーリングの内径よりも小さく打ち抜き、その後不要部分を除去して、第2積層体を得た。   Next, using a roll-shaped mold, the pressure-sensitive adhesive layer and the adhesive film are punched larger than the outer diameter of the semiconductor wafer and smaller than the inner diameter of the wafer ring, and then unnecessary portions are removed, and the second laminate is formed. Obtained.

さらに、ダイシングテープの一方の面側にあるポリエステルフィルムを剥離した。そして、前記第2積層体の粘着層とダイシングテープとが接するように、これらを積層した。これにより、ポリエチレンシート(支持フィルム)、ダイシングテープ、粘着層(介在層)、接着フィルムおよびポリエステルフィルムの5層がこの順で積層してなるダイシングテープ一体型接着シートを得た。   Further, the polyester film on one surface side of the dicing tape was peeled off. And these were laminated | stacked so that the adhesion layer and dicing tape of a said 2nd laminated body might contact | connect. As a result, a dicing tape integrated adhesive sheet in which five layers of a polyethylene sheet (support film), a dicing tape, an adhesive layer (intervening layer), an adhesive film and a polyester film were laminated in this order was obtained.

<半導体装置の製造>
半田バンプを有するシリコンウエハー(直径8インチ、厚さ100μm)を用意した。ダイシングテープ一体型接着シートからポリエステルフィルムを剥離し、その剥離面と、シリコンウエハーの半田バンプを有する面が接するように、ダイシングテープ一体型接着シートとシリコンウエハーを積層した。これを真空ロールラミネーターで、100℃でラミネートして、ダイシングテープ一体型接着シート付きのシリコンウエハーを得た。
<Manufacture of semiconductor devices>
A silicon wafer (diameter 8 inches, thickness 100 μm) having solder bumps was prepared. The polyester film was peeled from the dicing tape-integrated adhesive sheet, and the dicing tape-integrated adhesive sheet and the silicon wafer were laminated so that the peeled surface was in contact with the surface having the solder bumps of the silicon wafer. This was laminated at 100 ° C. with a vacuum roll laminator to obtain a silicon wafer with a dicing tape integrated adhesive sheet.

次いで、このダイシングテープ一体型接着シート付きのシリコンウエハーをシリコンウエハー側から、ダイシングソー(DFD6360、(株)ディスコ製)を用いて以下の条件でダイシング(切断)した。これにより、シリコンウエハーが個片化され、以下のダイシングサイズの半導体素子を得た。   Next, the silicon wafer with the dicing tape integrated adhesive sheet was diced (cut) from the silicon wafer side using a dicing saw (DFD6360, manufactured by DISCO Corporation) under the following conditions. As a result, the silicon wafer was singulated, and a semiconductor element having the following dicing size was obtained.

<ダイシング条件>
ダイシングサイズ :10mm×10mm角
ダイシング速度 :50mm/sec
スピンドル回転数 :40,000rpm
ダイシング最大深さ :0.130mm(シリコンウエハーの表面からの切り込み量)
ダイシングブレードの厚さ:15μm
切り込みの横断面積 :7.5×10−5mm(接着フィルムと介在層との界面より先端側の部分の横断面積)
<Dicing conditions>
Dicing size: 10 mm x 10 mm square Dicing speed: 50 mm / sec
Spindle speed: 40,000 rpm
Dicing maximum depth: 0.130 mm (cutting amount from the surface of the silicon wafer)
Dicing blade thickness: 15 μm
Cut cross-sectional area: 7.5 × 10 −5 mm 2 (cross-sectional area at the tip side from the interface between the adhesive film and the intervening layer)

なお、このダイシングにより形成された切り込みは、その先端が介在層内に達していた。   In addition, the notch formed by this dicing had the front-end | tip reached in the intervening layer.

次いで、半導体素子の1つを半導体用フィルムの裏面からニードルで突き上げ、突き上げた半導体素子の表面をダイボンダーのコレットで吸着しつつ上方に引き上げた。これにより、接着フィルム付き半導体素子をピックアップした。   Next, one of the semiconductor elements was pushed up with a needle from the back surface of the semiconductor film, and the pushed-up surface of the semiconductor element was pulled upward while being adsorbed by a collet of a die bonder. This picked up the semiconductor element with an adhesive film.

次に、パッドを有する回路基板のパッドと、半田バンプとが当接するように位置あわせを行いながら回路基板に半導体素子を100℃、30秒間で仮圧着した。
次に、235℃、30秒間加熱して、半田バンプを溶融させて半田接続を行った。
そして、180℃、60分間加熱して、接着フィルムを硬化させて、半導体素子と、回路基板とが接着フィルムの硬化物で接着された半導体装置を得た。
Next, the semiconductor element was temporarily pressure-bonded to the circuit board at 100 ° C. for 30 seconds while being aligned so that the pads of the circuit board having the pads and the solder bumps were in contact with each other.
Next, the solder bumps were melted by heating at 235 ° C. for 30 seconds to perform solder connection.
And it heated at 180 degreeC for 60 minute (s), the adhesive film was hardened, and the semiconductor device with which the semiconductor element and the circuit board were adhere | attached with the hardened | cured material of the adhesive film was obtained.

(実施例2)
接着フィルム用ワニスおよび接着フィルムを下記のとおり製造した点以外は実施例1と同様にしてダイシングテープ一体型接着シートおよび半導体装置の製造を行った。
<接着フィルム用ワニスの調製>
(A)熱硬化性樹脂としてビスフェノールA型エポキシ樹脂(大日本インキ化学工業社製、EPICLON−840S)50.0重量部と、(B)硬化剤としてフェノールノボラック樹脂(三井化学社製、VR−9305)25.5重量部と、(C)フラックス機能を有する化合物としてセバシン酸(東京化成工業社製)3.0重量部と、(D)成膜性樹脂としてビスフェノールF型フェノキシ樹脂(東都化成社製、YP−70)20.0重量部と、(E)硬化促進剤として2―フェニルー4−メチルイミダゾール(四国化成工業社製、2P4MZ)0.5重量部と、(F)シランカップリング剤としてβ−(3,4エポキシシクロヘキシル)エチルトリメトキシシラン(信越化学工業社製、KBM−303)1.0重量部とを、メチルエチルケトンに溶解し、樹脂濃度50%の樹脂ワニスを調製した以外は、実施例1と同様に接着フィルムの製造を行った。
(Example 2)
A dicing tape-integrated adhesive sheet and a semiconductor device were produced in the same manner as in Example 1 except that the varnish for adhesive film and the adhesive film were produced as follows.
<Preparation of varnish for adhesive film>
(A) 50.0 parts by weight of a bisphenol A type epoxy resin (manufactured by Dainippon Ink and Chemicals, EPICLON-840S) as a thermosetting resin, and (B) a phenol novolac resin (manufactured by Mitsui Chemicals, VR- 9305) 25.5 parts by weight, (C) 3.0 parts by weight of sebacic acid (manufactured by Tokyo Chemical Industry Co., Ltd.) as a compound having a flux function, and (D) bisphenol F-type phenoxy resin (Toto Kasei) as a film-forming resin. YP-70) 20.0 parts by weight, (E) 0.5 parts by weight of 2-phenyl-4-methylimidazole (manufactured by Shikoku Kasei Kogyo Co., Ltd., 2P4MZ) as a curing accelerator, and (F) silane coupling Β- (3,4-epoxycyclohexyl) ethyltrimethoxysilane (Shin-Etsu Chemical Co., Ltd., KBM-303) 1.0 part by weight as an agent, methyl ethyl It was dissolved in a ketone, except that to prepare a resin concentration of 50% of the resin varnish was produced similarly adhesive film as in Example 1.

(実施例3)
接着フィルム用ワニスおよび接着フィルムを下記のとおり製造した点以外は実施例1と同様にしてダイシングテープ一体型接着シートおよび半導体装置の製造を行った。
<接着フィルム用ワニスの調製>
(A)熱硬化性樹脂としてクレゾールノボラック型エポキシ樹脂(日本化薬社製、EOCN−1020−70)20.0重量部と、(B)硬化剤としてフェノールノボラック樹脂(住友ベークライト社製、PR55617)15.0重量部と、(C)フラックス機能を有する化合物としてセバシン酸(東京化成工業社製)3.0重量部と、(D)成膜性樹脂としてビスフェノールA型フェノキシ樹脂(東都化成社製、YP−50)60.0重量部と、(E)硬化促進剤として2―フェニルー4−メチルイミダゾール(四国化成工業社製、2P4MZ)1.0重量部と、(F)シランカップリング剤としてβ−(3,4エポキシシクロヘキシル)エチルトリメトキシシラン(信越化学工業社製、KBM−303)1.0重量部とを、メチルエチルケトンに溶解し、樹脂濃度50%の樹脂ワニスを調製した以外は、実施例1と同様に接着フィルムの製造の製造を行った。
(Example 3)
A dicing tape-integrated adhesive sheet and a semiconductor device were produced in the same manner as in Example 1 except that the varnish for adhesive film and the adhesive film were produced as follows.
<Preparation of varnish for adhesive film>
(A) 20.0 parts by weight of a cresol novolac epoxy resin (manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd., EOCN-1020-70) as a thermosetting resin, and (B) a phenol novolac resin (manufactured by Sumitomo Bakelite, PR55617) as a curing agent 15.0 parts by weight, (C) 3.0 parts by weight of sebacic acid (manufactured by Tokyo Chemical Industry Co., Ltd.) as a compound having a flux function, and (D) bisphenol A type phenoxy resin (manufactured by Toto Kasei Co., Ltd.) as a film-forming resin , YP-50) 60.0 parts by weight, (E) 1.0 part by weight of 2-phenyl-4-methylimidazole (manufactured by Shikoku Kasei Kogyo Co., Ltd., 2P4MZ) as a curing accelerator, and (F) as a silane coupling agent β- (3,4-epoxycyclohexyl) ethyltrimethoxysilane (manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd., KBM-303) in an amount of 1.0 parts by weight It was dissolved in a ketone, except that to prepare a resin concentration of 50% of the resin varnish was produced in the production of similarly adhesive film as in Example 1.

(実施例4)
接着フィルム用ワニスおよび接着フィルムを下記のとおり製造した点以外は実施例1と同様にしてダイシングテープ一体型接着シートおよび半導体装置の製造を行った。
<接着フィルム用ワニスの調製>
(A)熱硬化性樹脂としてクレゾールノボラック型エポキシ樹脂(日本化薬社製、EOCN−1020−70)15.0重量部と、(B)硬化剤としてフェノールノボラック樹脂(住友ベークライト社製、PR55617)8.0重量部と、(C)フラックス機能を有する化合物としてフェノールフタリン(東京化成工業社製)6.0重量部と、(D)成膜性樹脂としてビスフェノールA型フェノキシ樹脂(東都化成社製、YP−50)46.0重量部と、(G)充填材として球状シリカフィラー(アドマテックス社製、SC1050−LC、平均粒径0.25μm)23.0重量部と、(E)硬化促進剤として2―フェニルー4−メチルイミダゾール(四国化成工業社製、2P4MZ)1.0重量部と、(F)シランカップリング剤としてβ−(3,4エポキシシクロヘキシル)エチルトリメトキシシラン(信越化学工業社製、KBM−303)1.0重量部とを、メチルエチルケトンに溶解し、固形分濃度40%の樹脂ワニスを調製した以外は、実施例1と同様に接着フィルムの製造を行った。
Example 4
A dicing tape-integrated adhesive sheet and a semiconductor device were produced in the same manner as in Example 1 except that the varnish for adhesive film and the adhesive film were produced as follows.
<Preparation of varnish for adhesive film>
(A) 15.0 parts by weight of a cresol novolac epoxy resin (manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd., EOCN-1020-70) as a thermosetting resin, and a phenol novolak resin (manufactured by Sumitomo Bakelite, PR55617) as a curing agent 8.0 parts by weight, (C) 6.0 parts by weight of phenolphthalin (manufactured by Tokyo Chemical Industry Co., Ltd.) as a compound having a flux function, and (D) bisphenol A type phenoxy resin (Toto Kasei Co., Ltd.) as a film-forming resin Made by YP-50) 46.0 parts by weight, (G) 23.0 parts by weight of spherical silica filler (manufactured by Admatechs, SC1050-LC, average particle size 0.25 μm), and (E) curing 1.0 part by weight of 2-phenyl-4-methylimidazole (manufactured by Shikoku Kasei Kogyo Co., Ltd., 2P4MZ) as an accelerator and (F) β as a silane coupling agent Except that 1.0 part by weight of (3,4 epoxy cyclohexyl) ethyltrimethoxysilane (Shin-Etsu Chemical Co., Ltd., KBM-303) was dissolved in methyl ethyl ketone to prepare a resin varnish having a solid content of 40%, An adhesive film was produced in the same manner as in Example 1.

(実施例5)
接着フィルム用ワニスおよび接着フィルムを下記のとおり製造した点以外は実施例1と同様にしてダイシングテープ一体型接着シートおよび半導体装置の製造を行った。
<接着フィルム用ワニスの調製>
(A)熱硬化性樹脂としてクレゾールノボラック型エポキシ樹脂(日本化薬社製、EOCN−1020−70)13.0重量部と、(B)硬化剤としてフェノールノボラック樹脂(住友ベークライト社製、PR55617)6.0重量部と、(C)フラックス機能を有する化合物としてフェノールフタリン(東京化成工業社製)5.0重量部と、(D)成膜性樹脂としてビスフェノールA型フェノキシ樹脂(東都化成社製、YP−50)39.0重量部と、(G)充填材として球状シリカフィラー(アドマテックス社製、SC1050−LC、平均粒径0.25μm)36.0重量部と、(E)硬化促進剤として2―フェニルー4−メチルイミダゾール(四国化成工業社製、2P4MZ)0.5重量部と、(F)シランカップリング剤としてβ−(3,4エポキシシクロヘキシル)エチルトリメトキシシラン(信越化学工業社製、KBM−303)0.5重量部とを、メチルエチルケトンに溶解し、固形分濃度30%の樹脂ワニスを調製した以外は、実施例1と同様に接着フィルムの製造を行った。
(Example 5)
A dicing tape-integrated adhesive sheet and a semiconductor device were produced in the same manner as in Example 1 except that the varnish for adhesive film and the adhesive film were produced as follows.
<Preparation of varnish for adhesive film>
(A) 13.0 parts by weight of a cresol novolak type epoxy resin (manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd., EOCN-1020-70) as a thermosetting resin, and (B) a phenol novolak resin (manufactured by Sumitomo Bakelite, PR55617) as a curing agent 6.0 parts by weight, (C) 5.0 parts by weight of phenolphthalin (manufactured by Tokyo Chemical Industry Co., Ltd.) as a compound having a flux function, and (D) bisphenol A type phenoxy resin (Toto Kasei Co., Ltd.) as a film-forming resin YP-50) 39.0 parts by weight, (G) spherical silica filler (manufactured by Admatechs, SC1050-LC, average particle size 0.25 μm) 36.0 parts by weight, and (E) curing 0.5 parts by weight of 2-phenyl-4-methylimidazole (manufactured by Shikoku Kasei Kogyo Co., Ltd., 2P4MZ) as an accelerator and (F) β as a silane coupling agent Except that 0.5 parts by weight of (3,4 epoxy cyclohexyl) ethyltrimethoxysilane (Shin-Etsu Chemical Co., Ltd., KBM-303) was dissolved in methyl ethyl ketone to prepare a resin varnish having a solid content concentration of 30%, An adhesive film was produced in the same manner as in Example 1.

(実施例6)
接着フィルム用ワニスおよび接着フィルムを下記のとおり製造した点以外は実施例1と同様にしてダイシングテープ一体型接着シートおよび半導体装置の製造を行った。
<接着フィルム用ワニスの調製>
(A)熱硬化性樹脂としてクレゾールノボラック型エポキシ樹脂(日本化薬社製、EOCN−1020−70)9.0重量部と、(B)硬化剤としてフェノールノボラック樹脂(住友ベークライト社製、PR55617)4.0重量部と、(C)フラックス機能を有する化合物としてフェノールフタリン(東京化成工業社製)4.0重量部と、(D)成膜性樹脂としてアクリル酸エステル共重合樹脂(ナガセケムテックス社製、SG−P3)27.0重量部と、(G)充填材として球状シリカフィラー(アドマテックス社製、SC1050−LC、平均粒径0.25μm)55.0重量部と、(E)硬化促進剤として2―フェニルー4−メチルイミダゾール(四国化成工業社製、2P4MZ)0.5重量部と、(F)シランカップリング剤としてβ−(3,4エポキシシクロヘキシル)エチルトリメトキシシラン(信越化学工業社製、KBM−303)0.5重量部とを、メチルエチルケトンに溶解し、固形分濃度20%の樹脂ワニスを調製した以外は、実施例1と同様に接着フィルムの製造を行った。
(Example 6)
A dicing tape-integrated adhesive sheet and a semiconductor device were produced in the same manner as in Example 1 except that the varnish for adhesive film and the adhesive film were produced as follows.
<Preparation of varnish for adhesive film>
(A) 9.0 parts by weight of a cresol novolak type epoxy resin (manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd., EOCN-1020-70) as a thermosetting resin, and (B) a phenol novolak resin (manufactured by Sumitomo Bakelite, PR55617) as a curing agent 4.0 parts by weight, (C) 4.0 parts by weight of phenolphthalin (manufactured by Tokyo Chemical Industry Co., Ltd.) as a compound having a flux function, and (D) an acrylate copolymer resin (Nagase Chem) as a film-forming resin Tex, SG-P3) 27.0 parts by weight, (G) spherical silica filler (manufactured by Admatechs, SC1050-LC, average particle size 0.25 μm) 55.0 parts by weight, (E ) 0.5 parts by weight of 2-phenyl-4-methylimidazole (manufactured by Shikoku Kasei Kogyo Co., Ltd., 2P4MZ) as a curing accelerator, and (F) a silane coupling agent Except that 0.5 parts by weight of β- (3,4 epoxy cyclohexyl) ethyltrimethoxysilane (Shin-Etsu Chemical Co., Ltd., KBM-303) was dissolved in methyl ethyl ketone to prepare a resin varnish having a solid content of 20%. Produced an adhesive film in the same manner as in Example 1.

(実施例7)
接着フィルム用ワニスおよび接着フィルムを下記のとおり製造した点以外は実施例1と同様にしてダイシングテープ一体型接着シートおよび半導体装置の製造を行った。
<接着フィルム用ワニスの調製>
(A)熱硬化性樹脂としてビスフェノールF型エポキシ樹脂(大日本インキ化学工業社製、EPICLON−830LVP)55.0重量部と、(B)硬化剤としてフェノールノボラック樹脂(三井化学社製、VR−9305)31.8重量部と、(C)フラックス機能を有する化合物としてセバシン酸(東京化成工業社製)2.0重量部と、(D)成膜性樹脂としてビスフェノールF型フェノキシ樹脂(東都化成社製、YP−70)10.0重量部と、(E)硬化促進剤として2―フェニルー4−メチルイミダゾール(四国化成工業社製、2P4MZ)0.2重量部と、(F)シランカップリング剤としてβ−(3,4エポキシシクロヘキシル)エチルトリメトキシシラン(信越化学工業社製、KBM−303)1.0重量部とを、メチルエチルケトンに溶解し、樹脂濃度50%の樹脂ワニスを調製した以外は、実施例1と同様に接着フィルムの製造を行った。
(Example 7)
A dicing tape-integrated adhesive sheet and a semiconductor device were produced in the same manner as in Example 1 except that the varnish for adhesive film and the adhesive film were produced as follows.
<Preparation of varnish for adhesive film>
(A) 55.0 parts by weight of a bisphenol F type epoxy resin (manufactured by Dainippon Ink and Chemicals, EPICLON-830LVP) as a thermosetting resin, and (B) a phenol novolak resin (manufactured by Mitsui Chemicals, VR- 9305) 31.8 parts by weight, (C) 2.0 parts by weight of sebacic acid (manufactured by Tokyo Chemical Industry Co., Ltd.) as a compound having a flux function, and (D) bisphenol F-type phenoxy resin (Toto Kasei) as a film-forming resin. YP-70) 10.0 parts by weight, (E) 0.2 parts by weight of 2-phenyl-4-methylimidazole (manufactured by Shikoku Kasei Kogyo Co., Ltd., 2P4MZ) as a curing accelerator, and (F) silane coupling Β- (3,4 epoxycyclohexyl) ethyltrimethoxysilane (Shin-Etsu Chemical Co., Ltd., KBM-303) 1.0 part by weight as an agent, It was dissolved in ethyl ketone, except that to prepare a resin concentration of 50% of the resin varnish was produced similarly adhesive film as in Example 1.

(実施例8)
接着フィルム用ワニスおよび接着フィルムを下記のとおり製造した点以外は実施例1と同様にしてダイシングテープ一体型接着シートおよび半導体装置の製造を行った。
<接着フィルム用ワニスの調製>
(A)熱硬化性樹脂としてクレゾールノボラック型エポキシ樹脂(日本化薬社製、EOCN−1020−70)15.0重量部と、(B)硬化剤としてフェノールノボラック樹脂(三井化学社製、VR−9305)5.0重量部と、(C)フラックス機能を有する化合物としてセバシン酸(東京化成工業社製)60.0重量部と、(D)成膜性樹脂としてビスフェノールA型フェノキシ樹脂(東都化成社製、YP−50)18.0重量部と、(E)硬化促進剤である2―フェニルー4−メチルイミダゾール(四国化成工業社製、2P4MZ)1.0重量部と、(F)シランカップリング剤としてβ−(3,4エポキシシクロヘキシル)エチルトリメトキシシラン(信越化学工業社製、KBM−303)1.0重量部とを、メチルエチルケトンに溶解し、樹脂濃度50%の樹脂ワニスを調製した以外は、実施例1と同様に接着フィルムの製造を行った。
(Example 8)
A dicing tape-integrated adhesive sheet and a semiconductor device were produced in the same manner as in Example 1 except that the varnish for adhesive film and the adhesive film were produced as follows.
<Preparation of varnish for adhesive film>
(A) 15.0 parts by weight of a cresol novolac type epoxy resin (manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd., EOCN-1020-70) as a thermosetting resin, and (B) a phenol novolac resin (manufactured by Mitsui Chemicals, VR- 9305) 5.0 parts by weight, (C) 60.0 parts by weight of sebacic acid (manufactured by Tokyo Chemical Industry Co., Ltd.) as a compound having a flux function, and (D) bisphenol A type phenoxy resin (Toto Kasei) as a film-forming resin YP-50) 18.0 parts by weight, (E) 1.0 part by weight of 2-phenyl-4-methylimidazole (manufactured by Shikoku Kasei Kogyo Co., Ltd., 2P4MZ) as a curing accelerator, and (F) silane cup As a ring agent, 1.0 part by weight of β- (3,4-epoxycyclohexyl) ethyltrimethoxysilane (manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd., KBM-303), methyl ethyl ketone Dissolved, except that to prepare a resin concentration of 50% of the resin varnish was produced similarly adhesive film as in Example 1.

(実施例9)
接着フィルム用ワニスおよび接着フィルムを下記のとおり製造した点以外は実施例1と同様にしてダイシングテープ一体型接着シートおよび半導体装置の製造を行った。
<接着フィルム用ワニスの調製>
(A)熱硬化性樹脂としてビスフェノールA型エポキシ樹脂(大日本インキ化学工業社製、EPICLON−840S)22.0重量部と、(B)硬化剤として4−メチルヘキサヒドロ無水フタル酸(新日本理化社製、リカシットMH)12.5重量部と、(C)フラックス機能を有する化合物としてフェノールフタリン(東京化成工業社製)6.0重量部と、(D)成膜性樹脂としてビスフェノールF型フェノキシ樹脂(東都化成社製、YP−70)9.0重量部と、(E)硬化促進剤である2―フェニルー4−メチルイミダゾール(四国化成工業社製、2P4MZ)0.1重量部と、(F)シランカップリング剤としてβ−(3,4エポキシシクロヘキシル)エチルトリメトキシシラン(信越化学工業社製、KBM−303)0.4重量部と、(G)充填材として球状シリカフィラー(アドマテックス社製、SC1050−LC、平均粒径0.25μm)50.0重量部とを、メチルエチルケトンに溶解し、樹脂濃度50%の樹脂ワニスを調製した以外は、実施例1と同様に接着フィルムの製造を行った。
Example 9
A dicing tape-integrated adhesive sheet and a semiconductor device were produced in the same manner as in Example 1 except that the varnish for adhesive film and the adhesive film were produced as follows.
<Preparation of varnish for adhesive film>
(A) 22.0 parts by weight of a bisphenol A type epoxy resin (Dainippon Ink and Chemicals, EPICLON-840S) as a thermosetting resin, and (B) 4-methylhexahydrophthalic anhydride (Shin Nippon) 12.5 parts by weight, manufactured by Rika Co., Ltd., Rikasit MH), (C) 6.0 parts by weight of phenolphthalin (manufactured by Tokyo Chemical Industry Co., Ltd.) as a compound having a flux function, and (D) bisphenol F as a film-forming resin Type phenoxy resin (Toto Kasei Co., Ltd., YP-70) 9.0 parts by weight, and (E) 2-phenyl-4-methylimidazole (Shikoku Kasei Kogyo Co., Ltd., 2P4MZ) 0.1 part by weight as a curing accelerator; (F) β- (3,4-epoxycyclohexyl) ethyltrimethoxysilane (manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd., KBM-303) 0.4 weight as a silane coupling agent (G) 50.0 parts by weight of a spherical silica filler (manufactured by Admatechs, SC1050-LC, average particle size of 0.25 μm) as a filler is dissolved in methyl ethyl ketone to prepare a resin varnish having a resin concentration of 50%. An adhesive film was produced in the same manner as in Example 1 except that.

(実施例10)
接着フィルム用ワニスおよび接着フィルムを下記のとおり製造した点以外は実施例1と同様にしてダイシングテープ一体型接着シートおよび半導体装置の製造を行った。
<接着フィルム用ワニスの調製>
(A)熱硬化性樹脂としてイソシアヌル酸エチレングリコール変性トリアクレート(東亜合成社製、M−315)16.5重量部と、(B)硬化剤としてt−ブチルパーオキシペンゾエート(日油社製、パーチブルZ)0.5重量部と、(C)フラックス機能を有する化合物としてフェノールフタリン(東京化成工業社製)2.0重量部と、(D)成膜性樹脂としてポリビニルブチラール樹脂(積水化学工業社製、BX−1)5.5重量部と、(F)シランカップリング剤としてβ−(3,4エポキシシクロヘキシル)エチルトリメトキシシラン(信越化学工業社製、KBM−303)0.5重量部と、(G)充填材として球状シリカフィラー((アドマテックス社製、SC1050−LC、平均粒径0.25μm)75.0重量部とを、メチルエチルケトンに溶解し、樹脂濃度20%の樹脂ワニスを調製した以外は、実施例1と同様に接着フィルムの製造を行った。
(Example 10)
A dicing tape-integrated adhesive sheet and a semiconductor device were produced in the same manner as in Example 1 except that the varnish for adhesive film and the adhesive film were produced as follows.
<Preparation of varnish for adhesive film>
(A) 16.5 parts by weight of isocyanuric acid ethylene glycol-modified triacrylate (manufactured by Toagosei Co., Ltd., M-315) as a thermosetting resin, and (B) t-butyl peroxypenzoate (NOF Corporation) as a curing agent Manufactured by Perchable Z), 0.5 parts by weight, (C) 2.0 parts by weight of phenolphthalin (manufactured by Tokyo Chemical Industry Co., Ltd.) as a compound having a flux function, and (D) polyvinyl butyral resin ( Sekisui Chemical Co., Ltd., BX-1) 5.5 parts by weight, and (F) β- (3,4 epoxycyclohexyl) ethyltrimethoxysilane (Shin-Etsu Chemical Co., Ltd., KBM-303) 0 as a silane coupling agent 5 parts by weight and (G) 75.0 parts by weight of spherical silica filler (manufactured by Admatechs, SC1050-LC, average particle size 0.25 μm) as a filler An adhesive film was produced in the same manner as in Example 1 except that it was dissolved in ruethyl ketone and a resin varnish having a resin concentration of 20% was prepared.

(比較例1)
接着フィルム用ワニスおよび接着フィルムを下記のとおり製造した点以外は実施例1と同様にしてダイシングテープ一体型接着シートおよび半導体装置の製造を行った。
<接着フィルム用ワニスの調製>
(A)熱硬化性樹脂としてビスフェノールF型エポキシ樹脂(大日本インキ化学工業社製、EPICLON−830LVP)59.0重量部と、(B)硬化剤としてフェノールノボラック樹脂(三井化学社製、VR−9305)34.9重量部と、(C)フラックス機能を有する化合物としてセバシン酸(東京化成工業社製)3.0重量部と、(D)成膜性樹脂としてビスフェノールF型フェノキシ樹脂(東都化成社製、YP−70)2.0重量部と、(E)硬化促進剤である2―フェニルー4−メチルイミダゾール(四国化成工業社製、2P4MZ)0.1重量部と、(F)シランカップリング剤としてβ−(3,4エポキシシクロヘキシル)エチルトリメトキシシラン(信越化学工業社製、KBM−303)1.0重量部とを、メチルエチルケトンに溶解し、樹脂濃度50%の樹脂ワニスを調製した以外は、実施例1と同様に接着フィルムの製造を行った。
(Comparative Example 1)
A dicing tape-integrated adhesive sheet and a semiconductor device were produced in the same manner as in Example 1 except that the varnish for adhesive film and the adhesive film were produced as follows.
<Preparation of varnish for adhesive film>
(A) 59.0 parts by weight of a bisphenol F type epoxy resin (Dainippon Ink and Chemicals, EPICLON-830LVP) as a thermosetting resin, and (B) a phenol novolac resin (Mitsui Chemicals, VR- 9305) 34.9 parts by weight, (C) 3.0 parts by weight of sebacic acid (manufactured by Tokyo Chemical Industry Co., Ltd.) as a compound having a flux function, and (D) bisphenol F type phenoxy resin (Toto Kasei) as a film-forming resin. YP-70) 2.0 parts by weight, (E) 2-phenyl-4-methylimidazole (Shikoku Kasei Kogyo Co., Ltd., 2P4MZ) 0.1 parts by weight, and (F) silane cup As a ring agent, 1.0 part by weight of β- (3,4 epoxycyclohexyl) ethyltrimethoxysilane (manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd., KBM-303) It was dissolved in ketone, except that to prepare a resin concentration of 50% of the resin varnish was produced similarly adhesive film as in Example 1.

(比較例2)
接着フィルム用ワニスおよび接着フィルムを下記のとおり製造した点以外は実施例1と同様にしてダイシングテープ一体型接着シートおよび半導体装置の製造を行った。
<接着フィルム用ワニスの調製>
(A)熱硬化性樹脂としてクレゾールノボラック型エポキシ樹脂(日本化薬社製、EOCN−1020−70)20.0重量部と、(B)硬化剤としてフェノールノボラック樹脂(住友ベークライト社製、PR55167)10.0重量部と、(C)フラックス機能を有する化合物としてフェノールフタリン(東京化成工業社製)8.0重量部と、(D)成膜性樹脂としてアクリル酸エステル共重合樹脂(ナガセケムテックス社製、SG−P3)60.0重量部と、(E)硬化促進剤である2―フェニルー4−メチルイミダゾール(四国化成工業社製、2P4MZ)1.0重量部と、(F)シランカップリング剤としてβ−(3,4エポキシシクロヘキシル)エチルトリメトキシシラン(信越化学工業社製、KBM−303)1.0重量部とを、メチルエチルケトンに溶解し、樹脂濃度50%の樹脂ワニスを調製した以外は、実施例1と同様に接着フィルムの製造を行った。
(Comparative Example 2)
A dicing tape-integrated adhesive sheet and a semiconductor device were produced in the same manner as in Example 1 except that the varnish for adhesive film and the adhesive film were produced as follows.
<Preparation of varnish for adhesive film>
(A) 20.0 parts by weight of a cresol novolak type epoxy resin (manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd., EOCN-1020-70) as a thermosetting resin, and (B) a phenol novolac resin (manufactured by Sumitomo Bakelite Co., PR55167) as a curing agent 10.0 parts by weight, (C) 8.0 parts by weight of phenolphthalin (manufactured by Tokyo Chemical Industry Co., Ltd.) as a compound having a flux function, and (D) an acrylate copolymer resin (Nagase Chem) as a film-forming resin Tex, SG-P3) 60.0 parts by weight, (E) 1.0 part by weight of 2-phenyl-4-methylimidazole (manufactured by Shikoku Kasei Kogyo Co., Ltd., 2P4MZ) as a curing accelerator, and (F) silane 1.0 part by weight of β- (3,4 epoxycyclohexyl) ethyltrimethoxysilane (manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd., KBM-303) as a coupling agent; , Methyl ethyl ketone, except that to prepare a resin concentration of 50% of the resin varnish was produced similarly adhesive film as in Example 1.

(比較例3)
接着フィルム用ワニスおよび接着フィルムを下記のとおり製造した点以外は実施例1と同様にしてダイシングテープ一体型接着シートおよび半導体装置の製造を行った。
<接着フィルム用ワニスの調製>
(A)熱硬化性樹脂としてビスフェノールF型エポキシ樹脂(大日本インキ化学工業社製、EPICLON−830LVP)42.0重量部と、(B)硬化剤としてフェノールノボラック樹脂(三井化学社製、VR−9305)30.0重量部と、(C)フラックス機能を有する化合物としてセバシン酸(東京化成工業社製)3.0重量部と、(D)成膜性樹脂としてアクリル酸エステル共重合樹脂(東都化成社製、SG−P3)15.0重量部と、(E)硬化促進剤である2―フェニルー4−メチルイミダゾール(四国化成工業社製、2P4MZ)0.01重量部と、(F)シランカップリング剤としてβ−(3,4エポキシシクロヘキシル)エチルトリメトキシシラン(信越化学工業社製、KBM−303)10.0重量部とを、メチルエチルケトンに溶解し、樹脂濃度50%の樹脂ワニスを調製した以外は、実施例1と同様に接着フィルムの製造を行った。
(Comparative Example 3)
A dicing tape-integrated adhesive sheet and a semiconductor device were produced in the same manner as in Example 1 except that the varnish for adhesive film and the adhesive film were produced as follows.
<Preparation of varnish for adhesive film>
(A) 42.0 parts by weight of a bisphenol F-type epoxy resin (manufactured by Dainippon Ink and Chemicals, EPICLON-830LVP) as a thermosetting resin, and (B) a phenol novolak resin (manufactured by Mitsui Chemicals, VR- 9305) 30.0 parts by weight, (C) 3.0 parts by weight of sebacic acid (manufactured by Tokyo Chemical Industry Co., Ltd.) as a compound having a flux function, and (D) an acrylate copolymer resin (Toto) as a film-forming resin. SG-P3) 15.0 parts by weight, (E) 2-phenyl-4-methylimidazole (Shikoku Kasei Kogyo Co., Ltd., 2P4MZ) 0.01 parts by weight, and (F) silane As coupling agent, 10.0 parts by weight of β- (3,4 epoxycyclohexyl) ethyltrimethoxysilane (manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd., KBM-303) and methyl It was dissolved in ethyl ketone, except that to prepare a resin concentration of 50% of the resin varnish was produced similarly adhesive film as in Example 1.

また、各実施例および比較例で得られた接着フィルム、半導体装置について、以下の評価を行った。評価項目を内容と共に示す。得られた結果を表1に示す。   Moreover, the following evaluation was performed about the adhesive film and semiconductor device which were obtained by each Example and the comparative example. The evaluation items are shown together with the contents. The obtained results are shown in Table 1.

1.接着フィルムの最低溶融粘度
各実施例および比較例で得られた接着フィルムを、粘弾性測定装置(HAAKE社製「RheoStress RS150」)を用いて、パラレルプレート20mmφ、ギャップ0.05mm、周波数0.1Hz、昇温速度は、10℃/分の条件で溶融粘度を測定し、最低となる溶融粘度を測定値とした。
1. Minimum Melt Viscosity of Adhesive Film Using the viscoelasticity measuring device (“RheoStress RS150” manufactured by HAAKE, Inc.), the adhesive film obtained in each example and comparative example was parallel plate 20 mmφ, gap 0.05 mm, frequency 0.1 Hz. The temperature increase rate was determined by measuring the melt viscosity under conditions of 10 ° C./min, and taking the lowest melt viscosity as the measured value.

2.接着フィルムの5%重量加熱減量温度(b)−発熱ピーク温度(a)
各実施例および比較例で得られた接着フィルムの発熱ピーク温度(a)を、示差走査熱量計(セイコーインスツルメンツ(株)製、DSC−6200)を用い、昇温速度10℃/分で硬化発熱量を測定し、ピーク温度を測定値とした。
次いで、各実施例および比較例で得られた接着フィルムの5%重量加熱減量温度(b)を、熱重量/示差熱同時測定装置(セイコーインスツルメンツ(株)製、TG/DTA6200)を用い、昇温速度10℃/分で加熱減量を測定し、5%重量減少する温度を測定値とした。
得られた(a)および(b)から、(b)−(a)を算出した。
2. 5% weight loss on heating temperature of adhesive film (b)-exothermic peak temperature (a)
The exothermic peak temperature (a) of the adhesive film obtained in each example and comparative example was cured using a differential scanning calorimeter (DSC-6200, manufactured by Seiko Instruments Inc.) at a heating rate of 10 ° C./min. The amount was measured and the peak temperature was taken as the measured value.
Next, the 5% weight loss on heating (b) of the adhesive film obtained in each Example and Comparative Example was increased using a thermogravimetric / differential heat simultaneous measurement apparatus (TG / DTA6200, manufactured by Seiko Instruments Inc.). Heat loss was measured at a temperature rate of 10 ° C./min, and the temperature at which 5% weight loss was measured was taken as the measured value.
From the obtained (a) and (b), (b)-(a) was calculated.

3.半導体装置の空洞及びボイド
各実施例および比較例で得られた半導体装置それぞれ20個ずつについて、半導体チップの半田バンプと回路基板のパッド部の断面観察をSEM(走査型電子顕微鏡)により行い、空洞及びボイド(気泡)の評価を実施した。各符号は、以下の通りである。
○:5μm以上の空洞及びボイドが全く観察されなかった。
×:5μm以上の空洞及びボイドが観察された。
3. Cavity and Void of Semiconductor Device For each of the 20 semiconductor devices obtained in each of the examples and comparative examples, cross-sectional observation of the solder bumps of the semiconductor chip and the pad portion of the circuit board was performed using a scanning electron microscope (SEM). And evaluation of voids (bubbles). Each code is as follows.
○: Cavities and voids of 5 μm or more were not observed at all.
X: Cavities and voids of 5 μm or more were observed.

4.半導体装置の導通接続性
各実施例および比較例で得られた半導体装置それぞれ20個ずつについて、半導体チップと回路基板間の接続抵抗値をそれぞれデジタルマルチメーターで10点測定し、接続信頼性を評価した。各符号は、以下の通りである。
○:20個すべての(測定点:20×10=200)半導体装置の接続抵抗値が3Ω以下であった。
△:導通しない点は無いが、10〜20点の接続抵抗値が3Ω以上であった(実用上は問題なし)。
×:20点以上の接続抵抗値が3Ω以上、または、オープン不良が1点以上あった(実用上問題あり)。
4). Conductivity connectivity of semiconductor devices For 20 semiconductor devices obtained in each of the examples and comparative examples, the connection resistance value between the semiconductor chip and the circuit board was measured at 10 points with a digital multimeter, and the connection reliability was evaluated. did. Each code is as follows.
○: The connection resistance values of all 20 (measurement points: 20 × 10 = 200) semiconductor devices were 3Ω or less.
Δ: There is no point that does not conduct, but the connection resistance value at 10 to 20 points was 3Ω or more (no problem in practical use).
X: The connection resistance value of 20 points or more was 3Ω or more, or there were 1 or more open defects (problem in practical use).

5.半導体装置の絶縁信頼性
各実施例および比較例で得られた半導体装置それぞれ20個について、130℃、85%RHの環境下で3Vの電圧を印加しながら、隣接バンプ間の絶縁抵抗値をそれぞれ3点連続測定(200hr)し、イオンマイグレーションを評価した。各符号は、以下の通りである。
○:すべての測定点(20×3=60)において、絶縁破壊が発生しなかった。
△:絶縁破壊が発生した点が3点未満であった。
×:絶縁破壊が発生した点が3点以上であった。
5. Insulation Reliability of Semiconductor Device For each of the 20 semiconductor devices obtained in each of the examples and comparative examples, the insulation resistance value between adjacent bumps was determined while applying a voltage of 3 V in an environment of 130 ° C. and 85% RH. Three-point continuous measurement (200 hr) was performed to evaluate ion migration. Each code is as follows.
○: Dielectric breakdown did not occur at all measurement points (20 × 3 = 60).
Δ: Dielectric breakdown occurred at less than 3 points.
X: There were 3 or more points where dielectric breakdown occurred.

Figure 2012195414
Figure 2012195414

実施例1で得られたダイシングテープ一体型接着シートに用いた接着フィルムは、最低溶融粘度が0.02Pa・sであり、また、5%重量加熱減量温度(b)と発熱ピーク温度(a)の差が168℃であった。実施例1で得られた接着フィルムで半導体装置を製造し評価を行ったところ、空洞及びボイド、導通接続性、絶縁信頼性のいずれも表1の通り良好であった。   The adhesive film used for the dicing tape-integrated adhesive sheet obtained in Example 1 has a minimum melt viscosity of 0.02 Pa · s, a 5% weight loss on heating (b), and an exothermic peak temperature (a). The difference was 168 ° C. When a semiconductor device was manufactured with the adhesive film obtained in Example 1 and evaluated, all of cavities and voids, conductive connectivity, and insulation reliability were good as shown in Table 1.

また、各実施例2〜10で得られた接着フィルムおよび半導体装置とも実施例1とほぼ同様の挙動を示した。   In addition, the adhesive films and semiconductor devices obtained in Examples 2 to 10 showed almost the same behavior as Example 1.

1 介在層
11 外周縁
2 ダイシングテープ
21 外周部
3、31 接着フィルム
4 支持フィルム
41 外周部
4a、4b 基材
5 被着体
61〜64 積層体
7 半導体ウエハー(支持体)
71 半導体素子
8 積層体
81 切り込み
82 ダイシングブレード
83 個片
9 ウエハーリング
10、10’ ダイシングテープ一体型接着シート
250 ダイボンダー
260 コレット
270 台(ヒーター)
280 装置本体
400 台(突き上げ装置)
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Intervening layer 11 Outer periphery 2 Dicing tape 21 Outer peripheral part 3, 31 Adhesive film
DESCRIPTION OF SYMBOLS 4 Support film 41 Outer peripheral part 4a, 4b Base material 5 Adhered body 61-64 Laminated body 7 Semiconductor wafer (support body)
71 Semiconductor element 8 Laminate 81 Notch 82 Dicing blade 83 Piece 9 Wafer ring 10, 10 'Dicing tape integrated adhesive sheet 250 Die bonder 260 Collet 270 units (heater)
280 400 units (push-up device)

Claims (14)

支持体の第一の端子と、被着体の第二の端子を、半田を用いて電気的に接続し、該支持体と該被着体とを接着する接着フィルムと、ダイシングテープとから構成される積層構造を有するダイシングテープ一体型接着シートであって、
該接着フィルムの最低溶融粘度が0.01〜100,000Pa・s以下であり、かつ、該接着フィルムの発熱ピーク温度を(a)、該接着フィルムの5%重量加熱減量温度を(b)と定義した時、下記の式(1)を満たすことを特徴とするダイシングテープ一体型接着シート。
(b)−(a)≧100℃ (1)
The first terminal of the support and the second terminal of the adherend are electrically connected using solder, and are composed of an adhesive film that bonds the support and the adherend, and a dicing tape. A dicing tape integrated adhesive sheet having a laminated structure,
The minimum melt viscosity of the adhesive film is 0.01 to 100,000 Pa · s or less, the exothermic peak temperature of the adhesive film is (a), and the 5% weight loss on heating weight of the adhesive film is (b). A dicing tape integrated adhesive sheet characterized by satisfying the following formula (1) when defined:
(B)-(a) ≧ 100 ° C. (1)
(A)熱硬化性樹脂と、(B)硬化剤と、(C)フラックス機能を有する化合物と、
(D)成膜性樹脂と、を含む請求項1に記載の接着フィルム。
(A) a thermosetting resin, (B) a curing agent, (C) a compound having a flux function,
The adhesive film according to claim 1, comprising (D) a film-forming resin.
前記(A)熱硬化性樹脂と、前記(C)フラックス機能を有する化合物の配合比((A)/(C))が、0.5〜20.0である、請求項2に記載のダイシングテープ一体型接着シート。   The dicing according to claim 2, wherein a blending ratio ((A) / (C)) of the (A) thermosetting resin and the (C) compound having a flux function is 0.5 to 20.0. Tape-integrated adhesive sheet. 前記(A)熱硬化性樹脂の含有量が5〜80重量%である、請求項2または3に記載のダイシングテープ一体型接着シート。   The dicing tape-integrated adhesive sheet according to claim 2 or 3, wherein the content of the (A) thermosetting resin is 5 to 80% by weight. 前記(A)熱硬化性樹脂がエポキシ樹脂である、請求項2ないし4のいずれかに記載のダイシングテープ一体型接着シート。   The dicing tape-integrated adhesive sheet according to any one of claims 2 to 4, wherein the (A) thermosetting resin is an epoxy resin. 前記(C)フラックス機能を有する化合物が、カルボキシル基および/またはフェノール性水酸基を有するフラックス機能を有する化合物である、請求項2ないし5のいずれかに記載のダイシングテープ一体型接着シート。   The dicing tape-integrated adhesive sheet according to any one of claims 2 to 5, wherein the compound (C) having a flux function is a compound having a flux function having a carboxyl group and / or a phenolic hydroxyl group. 前記(C)フラックス機能を有する化合物が、1分子中に2個のフェノール性水酸基と、少なくとも1個の芳香族に直接結合したカルボキシル基とを有するフラックス機能を有する化合物である、請求項2ないし6のいずれかに記載のダイシングテープ一体型接着シート。   The compound (C) having a flux function is a compound having a flux function having two phenolic hydroxyl groups in one molecule and a carboxyl group directly bonded to at least one aromatic group. The dicing tape-integrated adhesive sheet according to any one of 6. 前記(C)フラックス機能を有する化合物が、下記一般式(2)で示される化合物を含む、請求項2ないし7に記載のダイシングテープ一体型接着シート。
HOOC−(CH)n−COOH (2)
(式(2)中、nは、1〜20の整数である。)
The dicing tape-integrated adhesive sheet according to claim 2, wherein the compound having the (C) flux function includes a compound represented by the following general formula (2).
HOOC- (CH 2) n-COOH (2)
(In Formula (2), n is an integer of 1-20.)
前記(C)フラックス機能を有する化合物が、下記一般式(3)及び/又は(4)で示される化合物を含む、請求項2ないし8のいずれかに記載のダイシングテープ一体型接着シート。
Figure 2012195414

[式中、R〜Rは、それぞれ独立して、1価の有機基であり、R〜Rの少なくとも一つは水酸基である。]
Figure 2012195414

[式中、R〜R20は、それぞれ独立して、1価の有機基であり、R〜R20の少なくとも一つは水酸基又はカルボキシル基である。]
The dicing tape-integrated adhesive sheet according to any one of claims 2 to 8, wherein the compound (C) having a flux function includes a compound represented by the following general formula (3) and / or (4).
Figure 2012195414

[Wherein, R 1 to R 5 are each independently a monovalent organic group, and at least one of R 1 to R 5 is a hydroxyl group. ]
Figure 2012195414

[Wherein, R 6 to R 20 are each independently a monovalent organic group, and at least one of R 6 to R 20 is a hydroxyl group or a carboxyl group. ]
前記接着フィルムが、さらに充填材を含む請求項1ないし9のいずれかに記載のダイシングテープ一体型接着シート。   The dicing tape-integrated adhesive sheet according to any one of claims 1 to 9, wherein the adhesive film further contains a filler. 前記充填材の含有量が、0.1重量%以上80重量%未満である請求項10に記載のダイシングテープ一体型接着シート。   The dicing tape-integrated adhesive sheet according to claim 10, wherein the content of the filler is 0.1 wt% or more and less than 80 wt%. 請求項1ないし11のいずれかに記載の接着フィルムの硬化物を有することを特徴とする多層回路基板。   A multilayer circuit board comprising a cured product of the adhesive film according to claim 1. 請求項1ないし11のいずれかに記載の接着フィルムの硬化物を有することを特徴とする電子部品。   An electronic component comprising the cured product of the adhesive film according to claim 1. 請求項1ないし11のいずれかに記載の接着フィルムの硬化物を有することを特徴とする半導体装置。   A semiconductor device comprising a cured product of the adhesive film according to claim 1.
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