KR20170136972A - 디스플레이 장치 및 그 제조방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은, 기판, 상기 기판 상에 배치되고, 복수 개의 디스플레이소자들을 구비하는 디스플레이부 및 상기 디스플레이부 상에 배치되고, 상기 디스플레이부를 밀봉하는 봉지부를 구비하고, 상기 봉지부는 적어도 하나의 무기막과, 적어도 하나의 유기막을 포함하며, 상기 적어도 하나의 유기막은, 매트릭스 및 상기 매트릭스 내에 분산된 복수의 자외선 흡수제들을 포함하는, 디스플레이 장치를 제공한다.

Description

디스플레이 장치 및 그 제조방법{Display apparatus and manufacturing method thereof}
본 발명의 실시예들은 디스플레이 장치 및 그 제조방법에 관한 것으로서, 더 상세하게는 디스플레이 장치 내부로의 자외선 투과량을 줄일 수 있는 디스플레이 장치 및 그 제조방법에 관한 것이다.
정보화 기술이 발달함에 따라 사용자와 정보간의 연결 매체인 디스플레이 장치의 시장이 커지고 있다. 이러한 디스플레이 장치는 다양한 형태로 개발되고 있는데, 그 중에서도 박형화, 경량화, 저소비전력화의 우수한 성능을 지닌 디스플레이 장치로서 유기발광 디스플레이 장치가 주목 받고 있다.
한편, 정보화 기기의 실외 사용이 늘어남에 따라, 디스플레이 장치가 태양광에 노출되는 시간은 점점 증가하고 있다. 또한, 디스플레이 장치를 제조하는 과정에서 자외선을 조사하는 작업이 요구되는 경우도 많이 있다. 이와 같이 외부의 자외선이 디스플레이 장치 내부까지 자유롭게 투과하면, 특히 유기물을 포함하는 발광층, 절연막 등은 심각한 손상을 입을 수 있다.
본 발명은 상기와 같은 문제점을 포함하여 여러 문제점들을 해결하기 위한 것으로서, 디스플레이 장치 내부로의 자외선 투과량을 줄일 수 있는 디스플레이 장치 및 그 제조방법을 제공하는 것을 목적으로 한다. 그러나, 이러한 과제는 예시적인 것으로, 이에 의해 본 발명의 범위가 한정되는 것은 아니다.
본 발명의 일 측면에 따르면, 기판, 상기 기판 상에 배치되고, 복수 개의 디스플레이소자들을 구비하는 디스플레이부 및 상기 디스플레이부 상에 배치되고, 상기 디스플레이부를 밀봉하는 봉지부를 구비하고, 상기 봉지부는 적어도 하나의 무기막과, 적어도 하나의 유기막을 포함하며, 상기 적어도 하나의 유기막은, 매트릭스 및 상기 매트릭스 내에 분산된 복수의 자외선 흡수제들을 포함하는, 디스플레이 장치가 제공된다.
상기 복수의 자외선 흡수제들은 하이드록실기(hydroxyl group)를 가질 수 있다.
상기 복수의 자외선 흡수제들은, 벤조페논(benzophenone)계 화합물, 벤조트리아졸(benzotriazole)계 화합물, 벤조에이트(benzoate)계 화합물, 시아노아크릴레이트(cyanoacrylate)계 화합물, 트리아진(triazine)계 화합물, 옥사닐라이드(oxanilide)계 화합물 및 살리실레이트(salicylate)계 화합물 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
상기 복수의 자외선 흡수제들은 상기 매트릭스와 가교결합될 수 있다.
상기 복수의 자외선 흡수제들은, 아크릴레이트기(acrylate group), 메타크릴레이트기(methacrylate group) 및 에폭시기(epoxy group) 중 적어도 하나를 가질 수 있다.
상기 적어도 하나의 유기막은 제1유기막 및 제2유기막을 포함하고, 상기 제1유기막은 복수의 제1자외선 흡수제들을, 상기 제2유기막은 복수의 제2자외선 흡수제들을 각각 포함하며, 상기 복수의 제1자외선 흡수제들이 흡수하는 광의 파장대와 상기 복수의 제2자외선 흡수제들이 흡수하는 광의 파장대는 상이할 수 있다.
상기 적어도 하나의 유기막은, 430nm 이상의 파장을 갖는 광에 대하여 80% 이상의 투과율을 가질 수 있다.
상기 적어도 하나의 유기막은, 405nm 이하 파장을 갖는 광에 대하여 10% 이하의 투과율을 가질 수 있다.
상기 봉지부는 상기 적어도 하나의 무기막과, 상기 적어도 하나의 유기막이 교번하여 적층된 구조를 가질 수 있다.
상기 디스플레이소자는 적어도 상기 봉지부를 향하는 방향으로 발광할 수 있다.
본 발명의 다른 측면에 따르면, 기판 상에 복수 개의 디스플레이소자들을 구비하는 디스플레이부를 형성하는 단계 및 상기 디스플레이부 상에 상기 디스플레이부를 밀봉하는 봉지부를 형성하는 단계를 포함하고, 상기 봉지부를 형성하는 단계는 적어도 하나의 무기막을 형성하는 단계 및 적어도 하나의 유기막을 형성하는 단계를 포함하고, 상기 적어도 하나의 유기막은 매트릭스와 상기 매트릭스 내에 분산된 복수의 자외선 흡수제들을 포함하도록 형성되는 디스플레이 장치의 제조방법이 제공된다.
상기 복수의 자외선 흡수제들은, 벤조페논(benzophenone)계 화합물, 벤조트리아졸(benzotriazole)계 화합물, 벤조에이트(benzoate)계 화합물, 시아노아크릴레이트(cyanoacrylate)계 화합물, 트리아진(triazine)계 화합물, 옥사닐라이드(oxanilide)계 화합물 및 살리실레이트(salicylate)계 화합물 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
상기 적어도 하나의 유기막을 형성하는 단계는, 상기 매트릭스를 형성하는 제1모노머와, 상기 복수의 자외선 흡수제들을 포함하는 제2모노머가 혼합된 유기막용 형성층을 기판 상에 형성하는 단계일 수 있다.
상기 유기막용 형성층은 상기 제1모노머와 상기 제2모노머가 가교결합될 수 있다.
상기 제2모노머는 아크릴레이트기(acrylate group), 메타크릴레이트기(methacrylate group) 및 에폭시기(epoxy group) 중 적어도 하나를 가질 수 있다.
상기 적어도 하나의 유기막을 형성하는 단계는, 복수의 제1자외선 흡수제들을 포함하는 제1유기막을 형성하는 단계 및 복수의 제2자외선 흡수제들을 포함하는 제2유기막을 형성하는 단계를 포함하고, 상기 복수의 제1자외선 흡수제들이 흡수하는 광의 파장대와 상기 복수의 제2자외선 흡수제들이 흡수하는 광의 파장대는 상이할 수 있다.
상술한 바와 같이 이루어진 본 발명의 일 실시예에 따르면, 자외선에 의해 유기물을 포함하는 발광층, 절연막 등이 손상되는 것을 방지할 수 있다.
또한, 별도의 자외선 차단용 필름을 부착할 필요가 없으므로, 디스플레이 장치의 두께를 줄여 플렉서블 특성 등을 향상시킬 수 있다.
또한, 디스플레이 장치를 제조하는 과정에서 이용되는 자외선의 조사량을 적절히 제한함으로써, 디스플레이 장치의 품질을 향상시킬 수 있다.
그러나, 이러한 효과에 의해 본 발명의 범위가 한정되는 것은 아니다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 디스플레이 장치에 자외선이 조사되는 모습을 개략적으로 도시한 단면도이다.
도 2는 도 1의 디스플레이 장치의 일부를 개략적으로 도시한 단면도이다.
도 3은 도 2의 A 부분을 확대한 단면도이다.
도 4는 본 발명의 다른 실시예에 따른 디스플레이 장치를 개략적으로 도시한 단면도이다.
도 5a는 본 발명의 일 실시예에 따른 디스플레이 장치에 있어서, 입사되는 광의 파장에 따른 투과율 변화 및 방출되는 광의 파장에 따른 강도 변화를 함께 나타낸 그래프이다.
도 5b는 비교예에 따른 디스플레이 장치에 있어서, 입사되는 광의 파장에 따른 투과율 변화 및 방출되는 광의 파장에 따른 강도 변화를 함께 나타낸 그래프이다.
도 6은 본 발명의 일 실시예 및 비교예에 따른 디스플레이 장치의 손상 정도를 비교한 사진이다.
도 7은 본 발명의 일 실시예에 따른 디스플레이 장치에 입사되는 광의 파장에 따른 투과율 변화를 나타낸 그래프이다.
도 8은 본 발명의 일 실시예에 따른 디스플레이 장치의 제조방법을 개략적으로 도시한 개념도이다.
본 발명은 다양한 변환을 가할 수 있고 여러 가지 실시예를 가질 수 있는 바, 특정 실시예들을 도면에 예시하고, 상세한 설명에 상세하게 설명하고자 한다. 그러나, 이는 본 발명을 특정한 실시 형태에 대해 한정하려는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 변환, 균등물 내지 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다. 본 발명을 설명함에 있어서 관련된 공지 기술에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 흐릴 수 있다고 판단되는 경우 그 상세한 설명을 생략한다.
본 명세서에서 사용되는 제1, 제2 등의 용어는 다양한 구성요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 구성요소들은 용어들에 의해 한정되어서는 안 된다. 용어들은 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하는 목적으로만 사용된다.
본 명세서에서 층, 막, 영역, 판 등의 부분이 다른 부분"위에" 또는 "상에" 있다고 할 때, 이는 다른 부분 "바로 위에" 있는 경우뿐 아니라 그 중간에 또 다른 부분이 있는 경우도 포함한다.
본 명세서에서 사용되는 x축, y축 및 z축은 직교 좌표계 상의 세 축으로 한정되지 않고, 이를 포함하는 넓은 의미로 해석될 수 있다. 예를 들어, x축, y축 및 z축은 서로 직교할 수도 있지만, 서로 직교하지 않는 서로 다른 방향을 지칭할 수도 있다.
이하, 본 발명에 따른 실시예들을 도면을 참조하여 상세히 설명하기로 하며, 도면을 참조하여 설명함에 있어 실질적으로 동일하거나 대응하는 구성 요소는 동일한 도면번호를 부여하고 이에 대한 중복되는 설명은 생략하기로 한다. 도면에서 여러 층 및 영역을 명확하게 표현하기 위하여 두께를 확대하여 나타내었다. 그리고 도면에서, 설명의 편의를 위해 일부 층 및 영역의 두께를 과장되게 나타내었다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 디스플레이 장치에 자외선이 조사되는 모습을 개략적으로 도시한 단면도이고, 도 2는 도 1의 디스플레이 장치의 일부를 개략적으로 도시한 단면도이다. 특히 도 2는 디스플레이소자로서 유기발광소자를 갖는 유기발광 디스플레이 장치를 개략적으로 도시하는 단면도이다. 물론 본 발명이 유기발광 디스플레이 장치 제조방법에 국한되는 것은 아니며, 다른 디스플레이소자를 갖는 디스플레이 장치 제조방법에도 적용될 수 있다.
도 1 및 도 2를 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 디스플레이 장치(10)는 기판(100), 디스플레이부(200) 및 봉지부(300)를 구비한다.
먼저 도 1을 참조하면, 디스플레이 장치(10)는 봉지부(300) 상부로 조사되는 자외선(UV)에 노출되어 있다. 여기서의 자외선(UV)은 사용자가 디스플레이 장치(10)를 실외에서 사용하는 경우 조사되는 자외선일 수도 있고, 디스플레이 장치(10)를 제조하는 과정에서 조사되는 자외선일 수도 있다. 예컨대, 디스플레이 장치(10)의 제조과정에서 조사되는 자외선은 봉지부(300)의 유기막을 경화시키기 위한 자외선이거나, 원장기판을 컷팅하기 위한 자외선일 수 있다. 이하 도 2를 참조하여, 디스플레이 장치(10)의 구조에 대해 좀 더 구체적으로 설명한다.
도 2를 참조하면, 맨 먼저 백플레인을 형성한다. 여기서 백플레인이라 함은 적어도 기판(100)과, 기판(100) 상에 형성된 복수개의 제1전극들(210R, 210G, 210B)과, 복수개의 제1전극들(210R, 210G, 210B) 각각의 중앙부를 포함한 적어도 일부를 노출시키도록 형성된 화소정의막(180)을 포함하는 것으로 이해할 수 있다. 이때 화소정의막(180)은 기판(100)을 중심으로 할 시 복수개의 제1전극들(210R, 210G, 210B)보다 (+z 방향으로) 돌출된 형상을 가질 수 있다.
기판(100)은 글라스재, 금속재, 또는 PET(Polyethylene terephthalate), PEN(Polyethylene naphthalate), 폴리이미드(Polyimide) 등과 같은 플라스틱재 등, 다양한 재료로 형성된 것일 수 있다.
복수개의 제1전극들(210R, 210G, 210B)은 화소전극들로 이해할 수 있다. 화소전극들 중 화소전극(210B)은 제1화소전극으로, 화소전극(210R)은 제2화소전극으로, 화소전극(210G)은 제3화소전극으로 이해할 수 있다. 제1화소전극 내지 제3화소전극 상에 형성되는 중간층이 상이할 수 있기 때문이다. 이하에서는 편의상 제1전극, 제1화소전극, 제2화소전극 및 제3화소전극이 아닌, 화소전극(210R), 화소전극(210G) 및 화소전극(210B)이라는 용어를 사용한다.
화소전극들(210R, 210G, 210B)은 (반)투명전극 또는 반사전극일 수 있다. (반)투명전극일 경우, 화소전극들(210R, 210G, 210B)은 예컨대 인듐틴옥사이드(ITO; indium tin oxide), 인듐징크옥사이드(IZO; indium zinc oxide), 징크옥사이드(ZnO; zinc oxide), 인듐옥사이드(In2O3 indium oxide), 인듐갈륨옥사이드(IGO; indium gallium oxide) 또는 알루미늄징크옥사이드(AZO; aluminium zinc oxide)를 포함할 수 있다. 화소전극들(210R, 210G, 210B)이 반사전극일 경우에는 Ag, Mg, Al, Pt, Pd, Au, Ni, Nd, Ir, Cr 또는 이들의 화합물 등을 포함하는 반사막과, ITO, IZO, ZnO 또는 In2O3로 형성된 막을 포함할 수 있다. 물론 화소전극들(210R, 210G, 210B)의 구성 및 재료가 이에 한정되는 것은 아니며 다양한 변형이 가능하다.
이러한 화소전극들(210R, 210G, 210B)은 기판(100)의 디스플레이영역 내에 위치할 수 있다.
화소정의막(180)은 각 부화소들에 대응하는 개구, 즉 화소전극들(210R, 210G, 210B) 각각의 중앙부 또는 화소전극들(210R, 210G, 210B) 전체가 노출되도록 하는 개구를 가짐으로써 화소를 정의하는 역할을 할 수 있다. 또한, 화소정의막(180)은 화소전극들(210R, 210G, 210B)의 단부와 화소전극들(210R, 210G, 210B) 상부의 대향전극(미도시) 사이의 거리를 증가시킴으로써 화소전극들(210R, 210G, 210B)의 단부에서 아크 등이 발생하는 것을 방지하는 역할을 할 수 있다.
물론 백플레인은 필요에 따라 그 외의 다양한 구성요소를 더 포함할 수 있다. 예컨대 도 1에 도시된 것과 같이 기판(100) 상에 박막트랜지스터(TFT)나 커패시터(Cap)가 형성될 수 있다. 그리고 불순물이 박막트랜지스터(TFT)의 반도체층으로 침투하는 것을 방지하기 위해 형성된 버퍼층(110), 박막트랜지스터(TFT)의 반도체층과 게이트전극을 절연시키기 위한 게이트절연막(130), 박막트랜지스터(TFT)의 소스전극/드레인전극과 게이트전극을 절연시키기 위한 층간절연막(150) 및 박막트랜지스터(TFT)를 덮으며 상면이 대략 평평한 평탄화막(170) 등이나 다른 구성요소들을 구비할 수 있다.
이와 같이 백플레인을 형성한 후, 중간층들(220R, 220G, 220B)을 형성한다. 중간층들(220R, 220G, 220B)은 발광층을 포함하는 다층 구조일 수 있는데, 이 경우 중간층들(220R, 220G, 220B)은 도시된 것과 달리 일부 층은 기판(100)의 전면(全面)에 대략 대응하는 공통층일 수 있고, 다른 일부 층은 화소전극들(210R, 210G, 210B)에 대응하도록 패터닝된 패턴층일 수 있다. 중간층들(220R, 220G, 220B)은 저분자물질 또는 고분자물질로 형성될 수 있으며, 정공주입층, 정공수송층, 발광층, 전자수송층 및/또는 전자주입층 등을 포함할 수 있다. 형성방법은 증착법, 스핀코팅법, 잉크젯프린팅법 및/또는 레이저열전사법 등의 다양한 방법을 이용할 수 있다.
중간층들(220R, 220G, 220B)을 형성한 후, 중간층들(220R, 220G, 220B) 상에 대향전극(230)을 형성한다. 대향전극(230)은 (반)투명 전극 또는 반사형 전극일 수 있다. 대향전극(230)이 (반)투명 전극일 때에는 일함수가 작은 금속 즉, Li, Ca, LiF/Ca, LiF/Al, Al, Ag, Mg 및 이들의 화합물로 형성된 층과 ITO, IZO, ZnO 또는 In2O3 등의 (반)투명 도전층을 가질 수 있다. 대향전극(230)이 반사형 전극일 때에는 Li, Ca, LiF/Ca, LiF/Al, Al, Ag, Mg 및 이들의 화합물로 형성된 층을 가질 수 있다. 물론 대향전극(230)의 구성 및 재료가 이에 한정되는 것은 아니며 다양한 변형이 가능함은 물론이다.
대향전극(230)을 형성한 후, 화소전극들(210R, 210G, 210B), 중간층들(220R, 220G, 220B) 및 대향전극(230)을 포함하는 디스플레이소자들을 외부의 산소나 수분 등과 같은 불순물로부터 보호하기 위한 봉지부(300)를 형성한다.
봉지부(300)는 디스플레이부(200)의 상면뿐 아니라 측면까지 덮도록 연장되어 기판(100)의 일부와 접하도록 형성될 수 있다. 이로써 외부의 산소 및 수분이 디스플레이부(200)로 침투하는 것을 방지할 수 있다.
봉지부(300)는 적어도 하나의 무기막(311, 312, 313)과 적어도 하나의 유기막(321, 322)을 포함할 수 있다. 이때 봉지부(300)는 적어도 하나의 무기막(311, 312, 313)과 적어도 하나의 유기막(321, 322)이 교번하여 반복적으로 적층된 구조를 가질 수 있다.
예컨대, 봉지부(300)는 +Z방향으로 적층되는 순서에 따라 제1무기막(311), 제2무기막(312), 제3무기막(313)을 포함할 수 있다. 이때 제1무기막(311)과 제2무기막(312) 사이에는 제1유기막(321)이 개재될 수 있고, 제2무기막(312)과 제3무기막(313) 사이에는 제2유기막(322)이 개재될 수 있다. 그러나, 봉지부(300)의 구조가 반드시 이에 한정되는 것은 아니며, 무기막 및 유기막의 개수는 물론이고, 무기막 및 유기막의 적층 순서 또한 설계에 따라 적절하게 변형될 수 있다. 즉, 봉지부(300)는 적어도 2개의 무기막 사이에 적어도 하나의 유기막이 개재된 샌드위치 구조를 적어도 하나 포함할 수 있다. 다른 예로서, 봉지부(300)는 적어도 2개의 유기막 사이에 적어도 하나의 무기막이 개재된 샌드위치 구조를 적어도 하나 포함할 수 있다. 또 다른 예로서, 봉지부(300)는 적어도 2개의 무기막 사이에 적어도 하나의 유기막이 개재된 샌드위치 구조 및 적어도 2개의 유기막 사이에 적어도 하나의 무기막이 개재된 샌드위치 구조를 포함할 수도 있다. 이하 설명의 편의를 위해, 봉지부(300)의 최하층에 제1무기막(311)이 배치되고, 제1무기막(311)과 제2무기막(312) 사이에 제1유기막(321)이 개재되며, 제2무기막(312)과 제3무기막(313) 사이에는 제2유기막(322)이 개재된 것을 중심으로, 봉지부(300)의 구조에 대해 구체적으로 설명한다.
도 3은 도 2의 A 부분을 확대한 단면도이다.
도 3을 참조하면, 봉지부(300)의 최하층에는 제1무기막(311)을 형성한다. 제1무기막(311)은 금속 산화물 또는 금속 질화물을 포함하는 단일막 또는 적층막일 수 있다. 예컨대, 제1무기막(311)은 실리콘 산화물, 실리콘 질화물, 실리콘 산화 질화물, 알루미늄 산화물, 알루미늄 질화물, 알루미늄 산화질화물, 티타늄 산화물, 티타늄 질화물, 탄탈륨 산화물, 탄탈륨 질화물, 하프늄 산화물, 하프늄 질화물, 지르코늄 산화물, 지르코늄 질화물, 세륨 산화물, 세륨 질화물, 주석 산화물, 주석 질화물 및 마그네슘 산화물 중 어느 하나로 형성할 수 있다. 이와 같이 형성된 무기막은 두께가 얇지만 밀도가 치밀하여 수분 및 산소의 침투를 차단하는 장벽 특성을 갖는다.
제1무기막(311)은 화학기상증착법(CVD), 플라즈마화학기상증착법(PECVD), 스퍼터링(sputtering), 원자층증착법(ALD), 열증착법(thermal evaporation) 등의 방법으로 형성할 수 있다. 이때 제1무기막(311)은 생산성이나 소자 특성 등을 감안하여 적절한 두께로 형성될 수 있다.
한편, 상술한 바와 같은 제1무기막(311)의 재질, 기능, 제조방법 등은 제2무기막(312), 제3무기막(313)에 있어서도 마찬가지이다. 그러므로, 후술하는 제2무기막(312) 및 제3무기막(313)에 대해서는, 제1무기막(311)과의 차이점을 중심으로 설명하기로 한다.
제1무기막(311) 상에는 제1유기막(321)을 형성한다. 제1유기막(321)은 유기물을 포함하며 모체의 역할을 하는 제1매트릭스(321a)와, 제1매트릭스(321a) 내에 분산된 복수의 제1자외선 흡수제(321b)들을 포함한다.
복수의 제1자외선 흡수제(321b)들은, 가령 200 내지 400nm 파장의 자외선을 흡수하는 물질을 포함할 수 있다. 이러한 물질로는 벤조페논(benzophenone)계 화합물, 벤조트리아졸(benzotriazole)계 화합물, 벤조에이트(benzoate)계 화합물, 시아노아크릴레이트(cyanoacrylate)계 화합물, 트리아진(triazine)계 화합물, 옥사닐라이드(oxanilide)계 화합물 및 살리실에이트(salicyate)계 화합물 중 적어도 하나일 수 있다. 즉, 상기 물질들 중 어느 하나를 제1유기막(321)에 포함시킬 수도 있고, 상기 물질들 중 2종 이상을 제1유기막(321)에 포함시킬 수도 있다.
상기 벤조페논계 화합물에는 2, 4-디하이드록시벤조페논, 2-하이드록시-4-메톡시벤조페논, 2-하이드록시-4-옥틸벤조페논, 4-도데실옥시-2-하이드록시벤조페논, 4-벤질옥시-2-하이드록시벤조페논, 2, 2′, 4, 4′-테트라하이드록시벤조페논, 2, 2′-디하이드록시4, 4′-디메톡시벤조페논 등이 포함될 수 있다.
상기 벤조트리아졸계 화합물에는 2-(5-메틸-2-하이드록시페닐)벤조트리아졸, 2-[2-하이드록시-3, 5-비스(α, α-디메틸벤질)페닐]-2H-벤조트리아졸, 2-(3, 5-디-t-부틸-2-하이드록시페닐)벤조트리아졸, 2-(3-t-부틸-5-메틸-2-하이드록시페닐)-5-클로로벤조트리아졸, 2-(3, 5-디-t-부틸-2-하이드록시페닐)-5-클로로벤조트리아졸, 2-(3, 5-디-t-아실-2-하이드록시페닐)벤조트리아졸, 2-(2′-하이드록시5′-t-옥틸페닐)벤조트리아졸 등이 포함될 수 있다.
상기 벤조에이트계 화합물에는 2, 4-디-t-부틸페닐-3′, 5′-디-t-부틸-4-하이드록시벤조에이트 등이 포함될 수 있다.
상기 트리아진계 화합물에는 2-[4-[(2-하이드록시-3-도데실옥시프로필)옥시]-2-하이드록시페닐]-4, 6-비스(2, 4-디메틸페닐)1, 3, 5-트리아진 등이 포함될 수 있다.
상기 살리실에이트계 화합물에는 페닐사리시레이트, 4-t-부틸페닐사리시레이트 등이 포함될 수 있다.
상술한 자외선 흡수제용 물질들 중 벤조페논계 화합물 및 벤조트리아졸계 화합물의 화학식은 다음과 같다.
<화학식1>
Figure pat00001
상기 화학식 1에서, R1은 수소(H), 알킬기(alkyl group), 하이드록실기(hydroxyl group)를 나타내고, R2는 수소(H), 알킬기(alkyl group), 페닐기(phenyl group)를 나타내고, R3는 수소(H), 알킬기(alkyl group)를 나타내며, R4는 수소(H), 알콕시기(alkoxy group)를 나타낸다.
<화학식2>
Figure pat00002
상기 화학식 2에서, R5는 수소(H), 알킬기(alkyl group)를 나타낸다.
화학식 1 및 2에서 보는 바와 같이, 벤조페논계 화합물 및 벤조트리아졸계 화합물은 하이드록실기(-OH)를 갖는다. 이는 벤조페논계 화합물 및 벤조트리아졸계 화합물에 한정되는 것은 아니며, 상술한 자외선 흡수제용 물질들 또한 하이드록실기를 갖는다. 이와 같이 복수의 제1자외선 흡수제(321b)들은 수소결합이 가능한 작용기인 하이드록실기(-OH)를 갖는 단분자 물질로 형성됨으로써, 여기상태 분자 내 양성자 전이(excited-state intramolecular proton transfer, ESIPT) 현상을 통해 외부로부터 입사된 자외선을 흡수하게 된다. 구체적으로, 복수의 제1자외선 흡수제(321b)들은 분자 내의 하이드록실기(-OH)에 인접하게 산소(O) 원자나 질소(N) 원자와 같은 비공유 전자쌍을 갖는 원자가 존재하고, 하이드록실기(-OH)와 상기 비공유 전자쌍을 갖는 원자 사이에서 수소결합이 형성될 수 있다. 이때 자외선을 흡수하여 여기상태에 놓인 복수의 자외선 흡수제(321b)들은 여기된 분자 내에서 양성자가 이동하는 광이성질체화 반응(phototautomerization)을 거치게 되고, 이에 따라 하이드록실기(-OH)로부터 수소(H)가 빠져 나가게 되어 안정적인 상태의 케토형(keto form) 분자가 되면서 열방출이 발생한다. 이로써 복수의 제1자외선 흡수제(321b)들에 입사된 자외선은 열에너지 형태로 변환하여 외부로 방출됨으로써, 자외선이 디스플레이부 내부로 투과되는 것을 차단할 수 있다. 아울러 제1유기막(321)의 제1매트릭스(321a)에도 자외선이 과도하게 조사되는 것을 방지하게 되어, 제1매트릭스(321a)에 포함된 유기물의 손상 또한 최소화할 수 있다.
제1매트릭스(321a) 내에 제1자외선 흡수제(321b)를 분산시키는 비율은 제1유기막(321)의 두께, 제1자외선 흡수제(321b)의 흡수 파장대 등에 따라 달라질 수 있는데, 가령 0.1 내지 20wt%의 제1자외선 흡수제(321b)를 첨가할 수 있다.
제1매트릭스(321a)는 제1유기막(321)의 막특성을 결정하는 유기물을 포함하는 층으로, 가령 아크릴계 수지, 메타크릴계 수지, 이소프렌계 수지, 비닐계 수지, 에폭시계 수지, 우레탄계 수지, 셀룰로오스계 수지, 페릴렌계 수지 및 이미드계 수지 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 이러한 제1매트릭스(321a)를 모체로 형성된 제1유기막(321)은 생산성 및 소자 특성은 물론이고, 무기막의 두께 등을 감안하여 적절한 두께로 형성될 수 있다. 제1유기막(321)은 제1무기막(311) 및/또는 제2무기막(312)의 스트레스를 완화시키고, 평탄화시키는 역할을 할 수 있다.
제1유기막(321)을 형성하는 방법에는 여러가지가 있을 수 있는데, 증착법(evaporation), 잉크젯 프린팅법(inkjet printing), 스크린 프린팅법(screen printing), 스핀 코팅법(spin coating) 등을 이용하여 상술한 제1매트릭스(321a) 형성용 유기물을 포함하는 제1모노머(monomer)와 복수의 제1자외선 흡수제(321b)들을 포함하는 제2모노머가 혼합된 유기막용 형성층을 제1무기막(311) 상에 안착시킬 수 있다. 한편, 봉지부(300)의 유기막을 형성하는 구체적인 방법에 대해서는, 도 8을 참조하여 후술한다.
한편, 상술한 바와 같은 제1유기막(321)의 구조, 재질, 기능, 제조방법 등은 제2유기막(322)에 있어서도 마찬가지이다. 그러므로, 후술하는 제2유기막(322)에 대해서는, 제1유기막(321)과의 차이점을 중심으로 설명하기로 한다.
제1유기막(321) 상에는 제2무기막(312)을 형성한다. 제2무기막(312)은 제1무기막(311)과 마찬가지로, 금속 산화물 또는 금속 질화물을 포함하는 단일막 또는 적층막일 수 있다. 제2무기막(312)은 제1무기막(311)과 상이한 재질을 가질 수도 있는데, 제1무기막(311)의 하부층 재질, 무기막들(311, 312) 각각의 두께 등을 감안하여 적절한 재질로 형성될 수 있다.
제2무기막(312) 상에는 제2유기막(322)을 형성한다. 제2유기막(322)은 제2매트릭스(322a)와, 제2매트릭스(322a) 내에 분산된 복수의 제2자외선 흡수제(322b)들을 포함한다. 복수의 제2자외선 흡수제(322b)들은 제1유기막(321)의 복수의 제1자외선 흡수제(321b)들과 마찬가지로, 벤조페논(benzophenone)계 화합물, 벤조트리아졸(benzotriazole)계 화합물, 벤조에이트(benzoate)계 화합물, 시아노아크릴레이트(cyanoacrylate)계 화합물, 트리아진(triazine)계 화합물, 옥사닐라이드(oxanilide)계 화합물 및 살리실에이트(salicyate)계 화합물 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 이때 상기 물질들 각각은 흡수하는 자외선의 파장대가 다를 수 있다.
따라서, 복수의 제2자외선 흡수제(322b)들과 복수의 제1자외선 흡수제(321b)들을 서로 다른 물질로 형성함으로써, 제2유기막(322)에서 미처 흡수되지 않은 파장대의 자외선을 제1유기막(321)에서 흡수하도록 할 수 있다. 즉, 상부층인 제2유기막(322)보다 하부층인 제1유기막(321)에 흡수 가능한 파장이 더 긴 물질을 사용함으로써, 비교적 넓은 파장 범위의 자외선을 차단할 수 있다.
제2유기막(322) 상에는 제3무기막(313)을 형성한다. 본 실시예의 경우 제3무기막(313)이 봉지부(300)의 최상층에 위치하게 되는데, 이와 같이 외부로 노출된 봉지부(300)의 최상층을 무기막으로 형성함으로써 디스플레이부 내로의 투습, 투산소 등을 효과적으로 방지할 수 있다.
도 4는 본 발명의 다른 실시예에 따른 디스플레이 장치를 개략적으로 도시한 단면도이다.
도 4에 도시된 본 실시예의 경우, 도 3에 도시된 것과 달리, 유기막에 포함된 복수의 자외선 흡수제들이 유기막을 구성하는 매트릭스와 가교결합된 구조를 갖는다. 그러므로, 이하에서는 이전 실시예들과의 차이점을 중심으로, 본 실시예에 대해서 구체적으로 설명한다.
봉지부(300)의 최하층에는 금속 산화물 또는 금속 질화물을 포함하는 제1무기막(311)을 형성하고, 제1무기막(311) 상에는 제1유기막(321)을 형성한다. 제1유기막(321)은 유기물을 포함하며 모체의 역할을 하는 제1매트릭스(321a)와, 제1매트릭스(321a) 내에 분산된 복수의 제1자외선 흡수제(321c)들을 포함한다.
복수의 제1자외선 흡수제(321c)들은, 가령 벤조페논(benzophenone)계 화합물, 벤조트리아졸(benzotriazole)계 화합물, 벤조에이트(benzoate)계 화합물, 시아노아크릴레이트(cyanoacrylate)계 화합물, 트리아진(triazine)계 화합물, 옥사닐라이드(oxanilide)계 화합물 및 살리실에이트(salicyate)계 화합물 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
복수의 제1자외선 흡수제(321c)들은 상술한 물질들에 더하여, 아크릴레이트기(acrylate group), 메타크릴레이트기(methacrylate group) 및 에폭시기(epoxy group) 중 적어도 하나를 가질 수 있다. 즉, 복수의 제1자외선 흡수제(321c)들은 상술한 물질들이 아크릴레이트기(acrylate group), 메타크릴레이트기(methacrylate group) 및 에폭시기(epoxy group) 중 적어도 하나의 작용기(321d)와 결합된 구조를 가질 수 있다. 이러한 작용기(321d)는 후술하는 제1매트릭스(321a)에 가교결합되어, 제1유기막(321)에 좀 더 치밀한 막특성을 부여하게 된다.
제1매트릭스(321a)는 제1유기막(321)의 기본적인 막특성을 결정하는 유기물을 포함하는 층으로, 가령 아크릴계 수지, 메타크릴계 수지, 이소프렌계 수지, 비닐계 수지, 에폭시계 수지, 우레탄계 수지, 셀룰로오스계 수지, 페릴렌계 수지 및 이미드계 수지 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
이러한 제1매트릭스(321a) 내에는 복수의 제1자외선 흡수제(321c)들이 분산되어 있다. 그러나, 본 실시예의 경우 복수의 자외선 흡수제들이 단순히 매트릭스 내에 혼합되어 있는 것이 아니라, 복수의 제1자외선 흡수제(321c)들과 제1매트릭스(321a)가 전술한 작용기(321d)에 의해 가교결합되어 있다. 이로써 복수의 제1자외선 흡수제(321c)들이 제1매트릭스(321a)에 더욱 견고하게 결합됨으로써, 복수의 제1자외선 흡수제(321c)들이 제1유기막(321)으로부터 쉽게 이탈하지 않도록 할 수 있다.
제1유기막(321)은 제1매트릭스(321a) 형성용 유기물을 포함하는 제1모노머와 복수의 제1자외선 흡수제(321c)들을 포함하는 제2모노머가 혼합된 유기막용 형성층을 제1무기막(311) 상에 안착시켜 형성할 수 있다. 이때 상기 유기막용 형성층 단계에서부터, 상기 제1모노머와 상기 제2모노머는 복수의 제1자외선 흡수제(321c)들에 포함된 작용기(321d)에 의해 가교결합된 상태일 수 있다.
제1유기막(321) 상에는 제2무기막(312)을 형성하고, 제2무기막(312) 상에는 제2유기막(322)을 형성한다. 이때 제2유기막(322)은 제1유기막(321)과 다른 재질의 자외선 흡수제들을 포함할 수도 있는데, 이로써 제2유기막(322)과 제1유기막(321)이 서로 다른 파장대의 자외선을 흡수하게 되어, 봉지부(300)에 의해 차단되는 자외선의 파장대가 더욱 넓어질 수 있다.
제2유기막(322) 상에는 제3무기막(313)을 형성한다. 이와 같이 외부로 노출된 봉지부(300)의 최상층을 무기막으로 형성함으로써 디스플레이부 내로의 투습, 투산소 등을 효과적으로 방지할 수 있다.
도 5a는 본 발명의 일 실시예에 따른 디스플레이 장치에 있어서, 입사되는 광의 파장에 따른 투과율 변화 및 방출되는 광의 파장에 따른 강도 변화를 함께 나타낸 그래프이다. 또한, 도 5b는 비교예에 따른 디스플레이 장치에 있어서, 입사되는 광의 파장에 따른 투과율 변화 및 방출되는 광의 파장에 따른 강도 변화를 함께 나타낸 그래프이다.
도 5a 및 도 5b에 있어서, 그래프의 가로축은 광의 파장(wavelength)을 나타내고, 그래프의 좌측에 위치한 세로축은 광의 강도(intensity)를 나타내며, 그래프의 우측에 위치한 세로축은 광의 투과율(transmittance)을 나타낸다. 또한, 도 5a 및 도 5b에 도시된 그래프들은 편광판을 구비하지 않은 디스플레이 장치를 대상으로 측정한 결과이다.
도 5a의 그래프 선도 (a)는 본 발명의 일 실시예에 따른 디스플레이 장치에 입사되는 광의 파장에 따른 투과율 변화를 나타낸 것이다. 그래프 선도 (a)에 도시된 바와 같이, 본 발명의 일 실시예에 따른 디스플레이 장치는 430nm 이상의 파장을 갖는 외부광에 대한 투과율이 80% 이상일 수 있다. 이러한 외부광에 대한 투과율은 자외선 흡수제의 종류, 조합 및 농도와, 자외선 흡수제가 분산된 유기막의 두께 등에 따라 다양한 값으로 조절될 수 있다.
도 5a의 그래프 선도 (b-1)은 일반적으로 디스플레이 장치에서 방출되는 청색광의 파장에 따른 강도 변화를 나타낸 것이고, 도 5a의 그래프 선도 (b-2)는 본 발명의 일 실시예에 따른 디스플레이 장치에서 방출되는 청색광의 파장에 따른 강도 변화를 나타낸 것이다.
예컨대, 디스플레이 장치에서 방출되는 광이 청색광, 녹색광 및 적색광인 경우, 자외선 파장대에 가장 가까운 파장대를 갖는 청색광은 디스플레이 장치가 자외선을 흡수하는 정도에 큰 영향을 받게 된다. 즉, 디스플레이 장치가 자외선 파장대의 광을 흡수하는 과정에서 가시광선 파장대와 자외선 파장대 사이의 광에 대한 투과율 또한 낮아질 수 있고, 이에 따라 디스플레이 장치에서 방출되는 청색광의 발광 효율마저 저하되는 문제가 발생할 수 있다.
따라서, 도 5a의 그래프 선도 (b-1) 및 (b-2)를 참조하면, 그래프 선도 (a)에서와 같이 청색광 파장대의 최저치에 해당하는 430nm 및 그 이상의 광에 대한 투과율이 80% 이상인 경우, 일반적인 디스플레이 장치의 청색광의 강도와 (자외선 흡수능을 가진) 본 발명의 일 실시예에 따른 디스플레이 장치의 청색광의 강도에 거의 차이가 없게 된다. 구체적으로, 430nm 이상의 파장을 갖는 외부광에 대한 투과율이 대략 80%인 경우, 청색광 발광 효율의 감소폭이 대략 2% 이내일 수 있다.
한편, 상술한 효과를 좀 더 명확히 보여주는 비교예가 도 5b에 도시되어 있다. 도 5b의 그래프 선도 (a)는 비교예에 따른 디스플레이 장치에 입사된는 광의 파장에 따른 투과율 변화를 나타낸 것이다. 비교예에 따른 디스플레이 장치는 430nm 이상의 파장을 갖는 외부광에 대한 투과율이 80% 미만이다.
도 5b의 그래프 선도 (b-1)은 일반적으로 디스플레이 장치에서 방출되는 청색광의 파장에 따른 강도 변화를 나타낸 것이고, 도 5b의 그래프 선도 (b-2)는 비교예에 따른 디스플레이 장치에서 방출되는 청색광의 파장에 따른 강도 변화를 나타낸 것이다.
도 5b의 그래프 선도 (b-1) 및 (b-2)를 참조하면, 그래프 선도 (a)에서와 같이 청색광 파장대의 대략적인 최저치에 해당하는 430nm 및 그 이상의 광에 대한 투과율이 80% 미만인 경우, 일반적인 디스플레이 장치의 청색광의 강도보다 (자외선 흡수능을 가진) 본 발명의 일 실시예에 따른 디스플레이 장치의 청색광의 강도가 현저히 감소함을 확인할 수 있다. 구체적으로, 430nm 이상의 파장을 갖는 외부광에 대한 투과율이 대략 70%인 경우, 청색광 발광 효율이 대략 10% 정도 감소할 수 있다.
따라서 본 발명의 일 실시예에 따른 디스플레이 장치의 경우, 자외선 흡수제의 종류, 조합 및 농도와, 자외선 흡수제가 분산된 유기막의 두께 등을 적절히 조절하여, 430nm 이상의 파장을 갖는 광에 대한 투과율이 80% 이상이 되도록 할 필요가 있다.
도 6은 본 발명의 일 실시예 및 비교예에 따른 디스플레이 장치의 손상 정도를 비교한 사진이다.
도 6의 디스플레이 패널에 있어서, 화살표 (i)가 가리키는 영역은 본 발명의 일 실시예에 따른 디스플레이 장치의 일부에 405nm의 파장을 갖는 외부광을 입사시킨 영역이고, 화살표 (ii)가 가리키는 영역은 비교예에 따른 디스플레이 장치의 일부에 405nm의 파장을 갖는 외부광을 입사시킨 영역이다. 또한, 도 6에 도시된 그래프는 편광판을 구비하지 않은 디스플레이 장치를 대상으로 측정한 결과이다.
구체적으로, 화살표 (i)가 가리키는 영역에 형성된 본 발명의 일 실시예에 따른 디스플레이 장치는 405nm 이하의 파장을 갖는 외부광에 대한 투과율이 10% 이하일 수 있다. 반면에, 화살표 (ii)가 가리키는 영역에 형성된 비교예에 따른 디스플레이 장치는 405nm 이하의 파장을 갖는 외부광에 대한 투과율이 10% 초과일 수 있다.
도 6의 좌측 확대도를 참조하면, 화살표 (i)가 가리키는 영역과 같이 자외선 파장대의 대략적인 최고치에 해당하는 405nm 및 그 이하의 광에 대한 투과율이 10% 이하인 경우, 405nm의 광에 노출되어도 상기 영역에 특별한 이상이 관찰되지 않는다.
이에 반하여, 도 6의 우측 확대도를 참조하면, 화살표 (ii)가 가리키는 영역과 같이 자외선 파장대의 대략적인 최고치에 해당하는 405nm 및 그 이하의 광에 대한 투과율이 10% 초과인 경우, 405nm의 광에 노출될 시 상기 영역의 본래의 색이 변한 것을 확인할 수 있다. 이는 발광층 등에 손상(damage)이 발생하여 휘도 감소 등의 불량이 발생한 데 기인한 것이다.
따라서 본 발명의 일 실시예에 따른 디스플레이 장치의 경우, 자외선 흡수제의 종류, 조합 및 농도와, 자외선 흡수제가 분산된 유기막의 두께 등을 적절히 조절하여, 405nm 이하의 파장을 갖는 광에 대한 투과율이 10% 이하가 되도록 할 필요가 있다.
도 7은 본 발명의 일 실시예에 따른 디스플레이 장치에 입사되는 광의 파장에 따른 투과율 변화를 나타낸 그래프이다.
도 7에 있어서, 그래프의 가로축은 광의 파장(wavelength)을 나타내고, 그래프의 세로축은 광의 투과율(transmittance)을 나타낸다.
도 7의 그래프 선도 (a-1)은 비교예에 따른 디스플레이 장치에 입사되는 광의 파장에 따른 투과율 변화를 나타낸 것이다. 여기서의 비교예는, 자외선 흡수제를 사용하지 않고 편광판만 구비한 디스플레이 장치를 의미한다. 반면에, 도 7의 그래프 선도 (a-2)는 본 발명의 일 실시예에 따른 디스플레이 장치에 입사되는 광의 파장에 따른 투과율 변화를 나타낸 것으로, 본 발명의 일 실시예는 전술한 바와 같이 자외선 흡수제가 분산된 봉지부를 편광판과 함께 구비하는 디스플레이 장치일 수 있다.
도 7을 참조하면, 그래프 선도 (a-1)에 도시된 비교예에서도 편광판에 의해 대략 50% 이상의 외부광을 차단하는 효과가 발생하나, 자외선 파장대의 대략적인 최고치에 해당하는 405nm 파장의 광에 대한 투과율이 30%를 넘는다. 즉, 가시광선 파장대와 자외선 파장대 사이의 파장을 갖는 외부광에 대한 투과율이 비교적 커서 발광층, 유기 절연막 등의 손상을 방지하는 데 한계가 있다.
반면에, 그래프 선도 (a-2)에 도시된 본 발명의 일 실시예의 경우, 편광판에 의해 대략 50% 이상의 외부광을 차단하는 효과가 발생할 뿐 아니라, 자외선 파장대의 대략적인 최고치에 해당하는 405nm 파장의 광에 대한 투과율이 10% 이하로 낮아져 발광층, 유기 절연막 등의 손상을 충분히 막을 수 있다.
도 8은 본 발명의 일 실시예에 따른 디스플레이 장치의 제조방법을 개략적으로 도시한 개념도이다.
도 8에 도시된 바와 같이, 유기막용 형성층(321')은 잉크젯 프린팅법을 이용하여 형성될 수 있다. 유기막용 형성층(321')은 매트릭스 형성용 유기물을 포함하는 제1모노머(321a')와 복수의 자외선 흡수제들을 포함하는 제2모노머(321b')가 혼합된 혼합물을 하부층인 무기막(311) 상에 안착시킴으로써 형성된다. 즉, 헤드(H)가 제1모노머(321a') 및 제2모노머(321b')의 혼합물을 지속적으로 분사하면서 기판(100) 상부를 +Y방향으로 스캔함으로써, 기판(100) 상에는 복수의 자외선 흡수제들이 포함된 유기막용 형성층(321')이 형성되게 된다. 한편, 모노머들(321a', 321b')의 혼합물을 효과적으로 분사하기 위해, 헤드(H)의 내부에는 복수의 노즐(미도시)들이 구비될 수 있다.
이와 같이 잉크젯 프린팅법을 이용하여 유기막용 형성층(321')을 형성함에 따라, 디스플레이부(200) 상의 타겟(target) 영역인 제1무기막(311) 영역의 외측으로 유기막용 형성층(321')이 퍼지는 것을 방지할 수 있다. 또한, 대략 액상인 상태로 유기막용 형성층(321')이 기판(100) 상에 도포되므로, 증착법(evaporation)에서의 기화열에 의해 복수의 자외선 흡수제들의 분자량, 사슬구조 등이 변하는 것을 방지할 수 있다. 그러나, 유기막용 형성층(321')의 형성방법이 반드시 잉크젯 프린팅법으로 한정되는 것은 아니며, 스크린 프린팅법, 스핀 코팅법 등이 이용될 수도 있다.
도 8에 도시되지는 않았으나, 이후 유기막용 형성층(321')의 상부에 자외선을 조사하여 유기막용 형성층(321')을 경화시킴으로써, 매트릭스 형성용 제1모노머(321a')는 유기물 중합체로 변하면서 기판(100) 상에 고정되게 된다. 이로써 상기 유기물 중합체 내에 복수의 자외선 흡수제들이 단순혼합되거나 가교결합된 구조를 갖는 유기 봉지막이 형성된다.
이상에서 설명한 바와 같이, 본 발명의 일 실시예에 따른 디스플레이 장치 및 그 제조방법에 따르면, 자외선에 의해 유기물을 포함하는 발광층, 절연막 등이 손상되는 것을 방지할 수 있다. 또한, 별도의 자외선 차단용 필름을 부착할 필요가 없으므로, 디스플레이 장치의 두께를 줄여 플렉서블 특성 등을 향상시킬 수 있다. 또한, 디스플레이 장치를 제조하는 과정에서 이용되는 자외선의 조사량을 적절히 제한함으로써, 디스플레이 장치의 품질을 향상시킬 수 있다.
이와 같이 본 발명은 도면에 도시된 일 실시예를 참고로 하여 설명하였으나 이는 예시적인 것에 불과하며 당해 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 실시예의 변형이 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서, 본 발명의 진정한 기술적 보호 범위는 첨부된 특허청구범위의 기술적 사상에 의하여 정해져야 할 것이다.
100: 기판 200: 디스플레이부
300: 봉지부 311: 제1무기막
312: 제2무기막 313: 제3무기막
321: 제1유기막 321a: 제1매트릭스
321b, 321c: 제1자외선 흡수제 321d: 작용기
322: 제2유기막 322a: 제2매트릭스
322b, 322c: 제2자외선 흡수제 321': 유기막용 형성층

Claims (16)

  1. 기판;
    상기 기판 상에 배치되고, 복수 개의 디스플레이소자들을 구비하는 디스플레이부; 및
    상기 디스플레이부 상에 배치되고, 상기 디스플레이부를 밀봉하는 봉지부;를 구비하고,
    상기 봉지부는 적어도 하나의 무기막과, 적어도 하나의 유기막을 포함하며,
    상기 적어도 하나의 유기막은, 매트릭스 및 상기 매트릭스 내에 분산된 복수의 자외선 흡수제들을 포함하는, 디스플레이 장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 복수의 자외선 흡수제들은 하이드록실기(hydroxyl group)를 갖는, 디스플레이 장치.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 복수의 자외선 흡수제들은, 벤조페논(benzophenone)계 화합물, 벤조트리아졸(benzotriazole)계 화합물, 벤조에이트(benzoate)계 화합물, 시아노아크릴레이트(cyanoacrylate)계 화합물, 트리아진(triazine)계 화합물, 옥사닐라이드(oxanilide)계 화합물 및 살리실레이트(salicylate)계 화합물 중 적어도 하나를 포함하는, 디스플레이 장치.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 복수의 자외선 흡수제들은 상기 매트릭스와 가교결합된, 디스플레이 장치.
  5. 제 4 항에 있어서,
    상기 복수의 자외선 흡수제들은, 아크릴레이트기(acrylate group), 메타크릴레이트기(methacrylate group) 및 에폭시기(epoxy group) 중 적어도 하나를 갖는, 디스플레이 장치.
  6. 제 1 항에 있어서,
    상기 적어도 하나의 유기막은 제1유기막 및 제2유기막을 포함하고,
    상기 제1유기막은 복수의 제1자외선 흡수제들을, 상기 제2유기막은 복수의 제2자외선 흡수제들을 각각 포함하며,
    상기 복수의 제1자외선 흡수제들이 흡수하는 광의 파장대와 상기 복수의 제2자외선 흡수제들이 흡수하는 광의 파장대는 상이한, 디스플레이 장치.
  7. 제 1 항에 있어서,
    상기 적어도 하나의 유기막은, 430nm 이상의 파장을 갖는 광에 대하여 80% 이상의 투과율을 갖는, 디스플레이 장치.
  8. 제 1 항에 있어서,
    상기 적어도 하나의 유기막은, 405nm 이하 파장을 갖는 광에 대하여 10% 이하의 투과율을 갖는, 디스플레이 장치.
  9. 제 1 항에 있어서,
    상기 봉지부는 상기 적어도 하나의 무기막과, 상기 적어도 하나의 유기막이 교번하여 적층된 구조를 갖는, 디스플레이 장치.
  10. 제 1 항에 있어서,
    상기 디스플레이소자는 적어도 상기 봉지부를 향하는 방향으로 발광하는, 디스플레이 장치.
  11. 기판 상에 복수 개의 디스플레이소자들을 구비하는 디스플레이부를 형성하는 단계; 및
    상기 디스플레이부 상에 상기 디스플레이부를 밀봉하는 봉지부를 형성하는 단계;를 포함하고,
    상기 봉지부를 형성하는 단계는 적어도 하나의 무기막을 형성하는 단계 및 적어도 하나의 유기막을 형성하는 단계를 포함하고,
    상기 적어도 하나의 유기막은 매트릭스와 상기 매트릭스 내에 분산된 복수의 자외선 흡수제들을 포함하도록 형성되는 디스플레이 장치의 제조방법.
  12. 제 11 항에 있어서,
    상기 복수의 자외선 흡수제들은, 벤조페논(benzophenone)계 화합물, 벤조트리아졸(benzotriazole)계 화합물, 벤조에이트(benzoate)계 화합물, 시아노아크릴레이트(cyanoacrylate)계 화합물, 트리아진(triazine)계 화합물, 옥사닐라이드(oxanilide)계 화합물 및 살리실레이트(salicylate)계 화합물 중 적어도 하나를 포함하는, 디스플레이 장치의 제조방법.
  13. 제 11 항에 있어서,
    상기 적어도 하나의 유기막을 형성하는 단계는, 상기 매트릭스를 형성하는 제1모노머와, 상기 복수의 자외선 흡수제들을 포함하는 제2모노머가 혼합된 유기막용 형성층을 기판 상에 형성하는 단계인, 디스플레이 장치의 제조방법.
  14. 제 13 항에 있어서,
    상기 유기막용 형성층은 상기 제1모노머와 상기 제2모노머가 가교결합된, 디스플레이 장치의 제조방법.
  15. 제 14 항에 있어서,
    상기 제2모노머는 아크릴레이트기(acrylate group), 메타크릴레이트기(methacrylate group) 및 에폭시기(epoxy group) 중 적어도 하나를 갖는, 디스플레이 장치의 제조방법.
  16. 제 11 항에 있어서,
    상기 적어도 하나의 유기막을 형성하는 단계는, 복수의 제1자외선 흡수제들을 포함하는 제1유기막을 형성하는 단계 및 복수의 제2자외선 흡수제들을 포함하는 제2유기막을 형성하는 단계를 포함하고,
    상기 복수의 제1자외선 흡수제들이 흡수하는 광의 파장대와 상기 복수의 제2자외선 흡수제들이 흡수하는 광의 파장대는 상이한, 디스플레이 장치의 제조방법.
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