WO2020071695A1 - 표시 장치 및 표시 장치에 포함된 광 흡수제 - Google Patents

표시 장치 및 표시 장치에 포함된 광 흡수제

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WO2020071695A1
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formula
unsubstituted
carbon atoms
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한상현
김종우
정은재
김동준
윤원민
김영국
박응석
주용찬
김이수
이병덕
황석환
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Definitions

  • the present invention relates to a display device and a light absorbing agent used in the display device, and more particularly, to a light absorbing agent included in the sealing member and a display device including the same.
  • the organic electroluminescent display device is different from the liquid crystal display device and the like, and recombines holes and electrons injected from the first electrode and the second electrode in the light emitting layer, thereby emitting a light emitting material containing an organic compound in the light emitting layer to realize display. It is a so-called self-luminous display device.
  • a self-emission type light emitting element In applying a self-emission type light emitting element to a display device, low driving voltage, high light emission efficiency, and long life of the light emitting element are required, and it is necessary to secure the stability of the light emitting element so that it can be stably implemented.
  • the light emitting device has a vulnerability that is easily deteriorated by exposure to ultraviolet light during manufacturing or exposure to sunlight due to outdoor use, thereby preventing ultraviolet rays and some visible light from entering the inside of the light emitting device.
  • An object of the present invention is to provide a display device that improves reliability of a light emitting device by including a light absorbing agent in a sealing member.
  • Another object of the present invention is to provide a light absorber that efficiently absorbs a portion of visible light and ultraviolet light.
  • An exemplary embodiment includes a light emitting device including a first electrode, a second electrode facing the first electrode, and a plurality of organic layers disposed between the first electrode and the second electrode; And a sealing member disposed on the light emitting element and including a light absorber.
  • the light absorbing agent includes a hexagonal heterocycle including two or more nitrogen atoms as a ring forming atom, and first to third substituents substituted with the hexagonal heterocycle and different from each other, wherein the first substituent is at least It provides a display device which is a substituted phenyl group including one hydroxy group, and the second substituent is a condensed ring group in which three or more rings are condensed.
  • the sealing member may include at least one organic film and at least one inorganic film, and the at least one organic film may include the light absorbing agent.
  • the at least one organic film and the at least one inorganic film are alternately stacked and disposed, and the at least one organic film includes a first organic film that absorbs light in a first wavelength region; And a second organic film that absorbs light in a second wavelength region different from light in the first wavelength region. It may include.
  • the sealing member may cover the light emitting element.
  • a polarizing member disposed on the encapsulating member may be further included.
  • the sealing member may include a first inorganic film disposed adjacent to the second electrode; A second inorganic film disposed on the first inorganic film; And an organic layer disposed between the first inorganic layer and the second inorganic layer and including the light absorber. Including, the organic layer may have a transmittance of 10% or less at a wavelength of 405 nm, a transmittance of 70% or more at a wavelength of 430 nm, and a transmittance of 97% or more at a wavelength of 450 nm.
  • the plurality of organic layers may include a hole transport region disposed on the first electrode; A light emitting layer disposed on the hole transport region; And an electron transport region disposed on the light emitting layer. It may include.
  • a light blocking layer disposed on the sealing member may be further included.
  • the hexagonal heterocycle may be triazine or pyrimidine.
  • the first substituent may be represented by any of the following H1 to H5, R in the following H4 and H5 is a substituted or unsubstituted alkoxy group having 1 to 20 carbon atoms.
  • the second substituent is a substituted or unsubstituted anthracene group, a substituted or unsubstituted pyrene group, a substituted or unsubstituted chrysene group, a substituted or unsubstituted dibenzofuran derivative, a substituted or unsubstituted carbazole derivative, or a substitution Or an unsubstituted fluorene derivative, the substituent of the substituted or unsubstituted dibenzofuran derivative, the substituent of the substituted or unsubstituted carbazole derivative, and the substituent of the substituted or unsubstituted fluorene derivative are a hydrogen atom, Alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, alkenyl group having 1 to 20 carbon atoms, substituted or unsubstituted aryl group having 6 to 30 carbon atoms, or substituted or unsubstituted heteroaryl group having 2 to 30 carbon atoms. Or, adjacent groups
  • the third substituent is a substituted or unsubstituted alkoxy group having 1 to 20 carbon atoms, a substituted or unsubstituted aryloxy group having 6 to 30 carbon atoms, or a substituted or unsubstituted alkylthio group having 1 to 20 carbon atoms.
  • the light absorbing agent may be represented by the following Chemical Formula 1 or Chemical Formula 2.
  • Ar is a substituted or unsubstituted aryl group having 13 to 60 ring carbon atoms or a substituted or unsubstituted heteroaryl group having 12 to 60 ring carbon atoms
  • R 2 to R 5 Each independently represents a hydrogen atom, a deuterium atom, a halogen atom, a cyano group, a substituted or unsubstituted alkyl group having 1 to 30 carbon atoms, a substituted or unsubstituted alkoxy group having 1 to 20 carbon atoms, a substituted or unsubstituted ring Formed aryloxy group having 6 to 30 carbon atoms, substituted or unsubstituted alkyl amine group having 1 to 30 carbon atoms, forming a substituted or unsubstituted aryl amine group having 6 to 30 carbon atoms, forming a substituted or unsubstituted ring It is a heterocyclic group having 2 to 30 carbon
  • R 1 is a hydrogen atom, a substituted or unsubstituted alkyl group having 1 to 30 carbon atoms, a substituted or unsubstituted carbon group having 1 to 20 carbon atoms, An alkoxy group, a substituted or unsubstituted aryloxy group having 6 to 30 carbon atoms, a substituted or unsubstituted alkylthio group having 1 to 20 carbon atoms, a substituted or unsubstituted aryl having 6 to 30 carbon atoms It is a thio group, a substituted or unsubstituted heterocyclic group having 2 to 30 carbon atoms, or a substituted or unsubstituted aryl group having 6 to 30 carbon atoms.
  • X is O or S
  • R 6 is a substituted or unsubstituted alkyl group having 1 to 30 carbon atoms, a substituted or unsubstituted heterocyclic group having 2 to 30 carbon atoms, or substituted or unsubstituted It is an aryl group having 6 to 30 carbon atoms.
  • the Chemical Formula 1 may be represented by any one of the following Chemical Formulas 1-1 to 1-4.
  • Ar, Y 1 to Y 3, R 1 , and R 4 are the same as defined in Formula 1.
  • the Chemical Formula 2 may be represented by any one of the following Chemical Formulas 2-1 to 2-4.
  • X, Ar, R 4 , and R 6 are the same as defined in Formulas 1 and 2.
  • the Ar may be represented by any one of the following Ar-a to Ar-h.
  • Z is O, S, NR a , CR b R c , and R a to R c are each independently a hydrogen atom, a deuterium atom, a halogen atom, an alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, A substituted or unsubstituted aryl group having 6 to 30 carbon atoms or less, or a substituted or unsubstituted heteroaryl group having 2 to 30 carbon atoms or less, wherein R 11 to R 18 in Ar-a to Ar-h are Each independently, a hydrogen atom, a deuterium atom, a halogen atom, an alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, a substituted or unsubstituted aryl group having 6 to 30 carbon atoms, or a substituted or unsubstituted ring having 2 to 30 carbon atoms Is a heteroaryl group, and m1 to m8 are each independently an integer of
  • Formula 1 may be represented by any one of the following Formula 1-A to Formula 1-C.
  • Y 1 to Y 3 , Ar, and R 1 to R 5 are the same as defined in Formula 1.
  • An exemplary embodiment includes a light emitting device including a first electrode, a second electrode facing the first electrode, and a plurality of organic layers disposed between the first electrode and the second electrode; And an encapsulation member disposed on the light emitting element and including an organic film including a light absorber.
  • the organic film has a transmittance of 10% or less at a wavelength of 405 nm, a transmittance of 70% or more at a wavelength of 430 nm, a transmittance of 97% or more at a wavelength of 450 nm or more, and the light absorber has two or more N atoms It provides a display device including a hexagonal heterocyclic ring containing a ring-forming atom and the first to third substituents substituted with the hexagonal heterocycle and different from each other.
  • the hexagonal heterocycle may be triazine or pyrimidine.
  • the first substituent is a substituted phenyl group including at least one hydroxy group
  • the second substituent is a condensed cyclic group in which three or more rings are condensed
  • the third substituent is a substituted or unsubstituted oxy group, substituted or unsubstituted Thio group, or a substituted or unsubstituted phenyl group.
  • the first substituent may be represented by any one of the following H1 to H5.
  • R is a substituted or unsubstituted alkoxy group having 1 to 20 carbon atoms.
  • the second substituent may be represented by any one of the following Ar-a to Ar-h.
  • Z is O, S, NR a , CR b R c , and R a to R c are each independently a hydrogen atom, a deuterium atom, a halogen atom, an alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, A substituted or unsubstituted aryl group having 6 to 30 carbon atoms or less, or a substituted or unsubstituted heteroaryl group having 2 to 30 carbon atoms or less, wherein R 11 to R 18 in Ar-a to Ar-h are Each independently, a hydrogen atom, a deuterium atom, a halogen atom, an alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, a substituted or unsubstituted aryl group having 6 to 30 carbon atoms, or a substituted or unsubstituted ring having 2 to 30 carbon atoms Is a heteroaryl group, and m1 to m8 are each independently an integer of
  • the third substituent may be represented by any one of the following S1 to S15.
  • Another embodiment provides a light absorbing agent represented by the following Chemical Formula 1 or Chemical Formula 2.
  • Ar is a substituted or unsubstituted aryl group having 13 to 60 ring carbon atoms or a substituted or unsubstituted heteroaryl group having 12 to 60 ring carbon atoms
  • R 2 to R 5 Each independently represents a hydrogen atom, a deuterium atom, a halogen atom, a cyano group, a substituted or unsubstituted alkyl group having 1 to 30 carbon atoms, a substituted or unsubstituted alkoxy group having 1 to 20 carbon atoms, a substituted or unsubstituted ring Formed aryloxy group having 6 to 30 carbon atoms, substituted or unsubstituted alkyl amine group having 1 to 30 carbon atoms, forming a substituted or unsubstituted aryl amine group having 6 to 30 carbon atoms, forming a substituted or unsubstituted ring It is a heterocyclic group having 2 to 30 carbon
  • R 1 is a hydrogen atom, a substituted or unsubstituted alkyl group having 1 to 30 carbon atoms, a substituted or unsubstituted carbon group having 1 to 20 carbon atoms, An alkoxy group, a substituted or unsubstituted aryloxy group having 6 to 30 carbon atoms, a substituted or unsubstituted alkylthio group having 1 to 20 carbon atoms, a substituted or unsubstituted aryl having 6 to 30 carbon atoms It is a thio group, a substituted or unsubstituted heterocyclic group having 2 to 30 carbon atoms, or a substituted or unsubstituted aryl group having 6 to 30 carbon atoms.
  • X is O or S
  • R 6 is a substituted or unsubstituted alkyl group having 1 to 30 carbon atoms, a substituted or unsubstituted heterocyclic group having 2 to 30 carbon atoms, or substituted or unsubstituted It is an aryl group having 6 to 30 carbon atoms.
  • the display device of one embodiment may have improved reliability by absorbing external light from the sealing member.
  • the light absorber of one embodiment may be applied to an encapsulation member on a light emitting device to mainly absorb light in the ultraviolet wavelength range to prevent deterioration of the light emitting device and improve reliability.
  • FIG. 1 is a perspective view of a display device according to an exemplary embodiment.
  • FIG. 2A is a cross-sectional view corresponding to the line I-I 'in FIG. 1.
  • 2B is a cross-sectional view of a display device according to an exemplary embodiment.
  • FIG 3 is a cross-sectional view of a display panel according to an exemplary embodiment.
  • FIG. 4 is a plan view of a display panel according to an exemplary embodiment.
  • FIG. 5 is a cross-sectional view corresponding to line II-II 'of FIG. 4.
  • FIG. 6 is a cross-sectional view of a light emitting device according to an embodiment.
  • FIG. 7 to 9 are cross-sectional views of a display device according to an exemplary embodiment.
  • FIG. 10 is a cross-sectional view of a light emitting device according to an exemplary embodiment.
  • FIG. 11 is a cross-sectional view of a sealing member according to an embodiment.
  • FIGS. 12 and 13 are cross-sectional views of a sealing member according to an embodiment, respectively.
  • 15 is a graph showing transmittance in a display device according to an embodiment.
  • 16 is an image showing whether damage is caused by ultraviolet exposure time in Examples and Comparative Examples.
  • first and second may be used to describe various components, but the components should not be limited by the terms. The terms are used only for the purpose of distinguishing one component from other components.
  • first component may be referred to as a second component without departing from the scope of the present invention, and similarly, the second component may be referred to as a first component.
  • Singular expressions include plural expressions unless the context clearly indicates otherwise.
  • FIGS. 2A and 2B are cross-sectional views of a display device of one embodiment, respectively.
  • 2A is a cross-sectional view showing a portion corresponding to the line I-I 'of FIG. 1.
  • 3 is a cross-sectional view illustrating a display panel included in a display device according to an exemplary embodiment.
  • 4 is a plan view of a display panel included in a display device according to an exemplary embodiment, and
  • FIG. 5 is a cross-sectional view illustrating a portion corresponding to line II-II 'of FIG. 4.
  • 6 is a cross-sectional view of a light emitting device according to an embodiment.
  • 7 to 9 are cross-sectional views of a display device according to an embodiment.
  • 10 is a cross-sectional view of a light emitting device according to an embodiment.
  • the display device DS may display an image IM through the display surface IS.
  • the display surface IS is shown to be parallel to a surface defined by the first direction axis DR1 and the second direction axis DR2 intersecting the first direction axis DR1.
  • a display surface (not shown) of the display device may have a curved shape.
  • the normal direction of the display surface IS that is, the thickness direction of the display device DS is indicated by the third direction axis DR3.
  • the front (or top) and back (or bottom) of each member is divided by the third direction axis DR3.
  • the directions indicated by the first to third direction axes DR1, DR2, and DR3 are relative concepts and may be converted to other directions.
  • a portable electronic device is exemplarily illustrated as a display device DS.
  • display devices DS include small and medium electronics such as personal computers, notebook computers, personal digital terminals, car navigation units, game machines, smartphones, tablets, and cameras, as well as large electronic devices such as televisions, monitors, or external billboards. It can also be used for devices and the like. In addition, these are presented as examples only, and may be employed in other electronic devices without departing from the concept of the present invention.
  • the display surface IS includes a display area DA on which the image IM is displayed and a non-display area NDA adjacent to the display area DA.
  • the non-display area NDA is an area in which an image is not displayed.
  • an example of an image IM shows a watch window and application icons.
  • the display area DA may have a quadrangular shape.
  • the non-display area NDA may surround the display area DA.
  • the present invention is not limited thereto, and the shape of the display area DA and the shape of the non-display area NDA may be relatively designed. Also, the non-display area NDA may not exist on the front surface of the display device DS.
  • the display panels DP, DP-1, DP-2 included in the display devices DS, DS-a, DS-1, DS-1a, DS-2 of the embodiment shown in FIGS. 1 to 9 emit light. It may be a type display panel.
  • the display panels DP, DP-1, and DP-2 may be organic electroluminescence display panels or quantum dot emission display panels. However, embodiments are not limited thereto.
  • the display panel DP may include a sealing member TFE disposed on the light emitting elements OEL, OEL-1, and OEL-2.
  • the display devices DS, DS-a and the display panel DP shown in FIGS. 1 to 5 are mainly described, but embodiments are not limited thereto, and the same or similar
  • the description of the components having the reference numerals can be applied to the description of the display devices DS-1, DS-1a, and DS-2 shown in FIGS. 7 to 9.
  • the sealing member TFE may include a light absorbing agent.
  • the encapsulation member TFE may absorb a portion of light incident from the outside of the display devices DS and DS-a by including a light absorbing agent.
  • the encapsulation member TFE including the light absorber absorbs external light to block at least a portion of external light transmitted to the light emitting device OEL.
  • the sealing member (TFE) includes hexagonal heterocycles containing two or more nitrogen atoms as ring forming atoms, and first to third substituents substituted for the hexagonal heterocycles It may be to include a light absorber of one embodiment.
  • the light absorber of one embodiment may be substituted by a hexagonal heterocycle and a hexagonal heterocycle containing two or more nitrogen atoms as ring-forming atoms, and may include first to third substituents different from each other.
  • the first substituent may be a substituted phenyl group including at least one hydroxyl group
  • the second substituent may be a condensed ring group in which three or more rings are condensed.
  • the third substituent may be different from the first substituent and the second substituent.
  • the third substituent may be an alkyl group, an oxy group, a thio group, an aryl group, a heterocyclic group, or the like.
  • the third substituent is a substituted or unsubstituted oxy group, a substituted or unsubstituted thio group, or a substituted or unsubstituted phenyl group directly substituted on a hexagonal heterocycle, or a substituted or unsubstituted phenyl group directly substituted on the core portion of the hexagonal heterocycle.
  • the hexagonal heterocycle may be triazine or pyrimidine.
  • the first substituent may be a phenyl group substituted with one or more and three or fewer hydroxy groups.
  • the first substituent may be one of the following H1 to H5.
  • R in H4 and H5 may be a substituted or unsubstituted alkoxy group.
  • R in H4 and H5 may be a methoxy group, an undecyloxy group, a dodecyloxy group, a cyclopentoxy group, an ethylpentyloxy group, but is not limited thereto.
  • the second substituent is a substituted or unsubstituted anthracene group, a substituted or unsubstituted pyrene group, a substituted or unsubstituted chrysene group, a substituted or unsubstituted dibenzofuran derivative, a substituted or unsubstituted carbazole derivative, or a substituted or It may be an unsubstituted fluorene derivative.
  • the substituent of the substituted or unsubstituted dibenzofuran derivative, the substituent of the substituted or unsubstituted carbazole derivative, and the substituent of the substituted or unsubstituted fluorene derivative are a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, An alkenyl group having 1 to 20 carbon atoms, a substituted or unsubstituted aryl group having 6 to 30 carbon atoms, or a substituted or unsubstituted heteroaryl group having 2 to 30 carbon atoms, or neighboring groups It may be combined to form a ring.
  • the second substituent may be one of Ar-a to Ar-h.
  • Z is O, S, NR a , CR b R c , and R a to R c are each independently a hydrogen atom, a deuterium atom, a halogen atom, an alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, It may be a substituted or unsubstituted aryl group having 6 to 30 carbon atoms or less, or a substituted or unsubstituted heteroaryl group having 2 to 30 carbon atoms or less.
  • R 11 to R 18 in Ar-a to Ar-h are each independently a hydrogen atom, a deuterium atom, a halogen atom, an alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, or a substituted or unsubstituted ring-forming group having 6 to 30 carbon atoms.
  • An aryl group, or a substituted or unsubstituted heteroaryl group having 2 to 30 carbon atoms or less, and m1 to m8 may each independently be an integer of 0 or more and 4 or less.
  • a plurality of R 11 to R 18 may be the same or different from each other.
  • the third substituent is a hydrogen atom, a substituted or unsubstituted alkyl group having 1 to 30 carbon atoms, a substituted or unsubstituted alkoxy group having 1 to 20 carbon atoms, a substituted or unsubstituted ring-forming carbon atom 6 or more, 30 or less aryloxy group, substituted or unsubstituted C1 to 20 alkylthio group, substituted or unsubstituted ring-forming carbon number 6 to 30 arylthio group, substituted or unsubstituted ring-forming carbon number 2 to 30 It may be the following heterocyclic group, a substituted or unsubstituted aryl group having 6 to 30 ring carbon atoms.
  • the third substituent is a substituted or unsubstituted alkoxy group having 1 to 20 carbon atoms, a substituted or unsubstituted aryloxy group having 6 to 30 carbon atoms, or a substituted or unsubstituted carbon atom having 1 to 20 carbon atoms. It may be an alkylthio group, a substituted or unsubstituted arylthio group having 6 to 30 carbon atoms, or a substituted or unsubstituted phenyl group.
  • the third substituent may be one of S1 to S15.
  • substituted or unsubstituted in the present specification, deuterium atom, halogen atom, cyano group, nitro group, amino group, silyl group, oxy group, thio group, sulfinyl group, sulfonyl group, carbonyl group, boron group, phosphine It may mean substituted or unsubstituted with one or more substituents selected from the group consisting of an oxide group, a phosphine sulfide group, an alkyl group, an alkenyl group, an alkoxy group, a hydrocarbon ring group, an aryl group, and a heterocyclic group.
  • each of the exemplified substituents may be substituted or unsubstituted.
  • a biphenyl group may be interpreted as an aryl group or a phenyl group substituted with a phenyl group.
  • Hydrocarbon rings include aliphatic hydrocarbon rings and aromatic hydrocarbon rings.
  • Hetero rings include aliphatic hetero rings and aromatic hetero rings.
  • the hydrocarbon ring and hetero ring may be monocyclic or polycyclic.
  • the rings formed by bonding to each other may be connected to other rings to form a spiro structure.
  • adjacent group may mean a substituent substituted on an atom directly connected to an atom in which the substituent is substituted, another substituent substituted on an atom in which the substituent is substituted, or a substituent that is structurally closest to the substituent.
  • two methyl groups in 1,2-dimethylbenzene (1,2-dimethylbenzene) can be interpreted as “adjacent groups” to each other, and 2 in 1,1-diethylcyclopentene (1,1-diethylcyclopentene).
  • Dog ethyl groups can be interpreted as "adjacent groups" to each other.
  • examples of the halogen atom include a fluorine atom, a chlorine atom, a bromine atom or an iodine atom.
  • the alkyl group may be straight chain, branched chain, or cyclic.
  • the alkyl group has 1 to 50 carbon atoms, 1 to 30 carbon atoms, 1 to 20 carbon atoms, 1 to 10 carbon atoms, or 1 to 6 carbon atoms.
  • alkyl group examples include methyl group, ethyl group, n-propyl group, isopropyl group, n-butyl group, s-butyl group, t-butyl group, i-butyl group, 2-ethylbutyl group, 3, 3-dimethylbutyl group , n-pentyl group, i-pentyl group, neopentyl group, t-pentyl group, cyclopentyl group, 1-methylpentyl group, 3-methylpentyl group, 2-ethylpentyl group, 4-methyl-2-pentyl group , n-hexyl group, 1-methylhexyl group, 2-ethylhexyl group, 2-butylhexyl group, cyclohexyl group, 4-methylcyclohexyl group, 4-t-butylcyclohexyl group, n-heptyl group, 1 -Methyl
  • an aliphatic hydrocarbon ring group means any functional group or substituent derived from an aliphatic hydrocarbon ring.
  • the aliphatic hydrocarbon ring group may be a saturated hydrocarbon ring group having 5 to 20 ring carbon atoms.
  • an aryl group means any functional group or substituent derived from an aromatic hydrocarbon ring.
  • the aryl group may be a monocyclic aryl group or a polycyclic aryl group.
  • the ring-forming carbon number of the aryl group may be 6 or more and 30 or less, 6 or more and 20 or less, or 6 or more and 15 or less.
  • aryl group examples include a phenyl group, a naphthyl group, a fluorenyl group, anthracenyl group, a phenanthryl group, a biphenyl group, a terphenyl group, a quarterphenyl group, a quenkyphenyl group, a sexyphenyl group, a triphenylenyl group, a pyrenyl group, and a benzo fluoranthenyl group , A chrysenyl group, and the like, but are not limited to these.
  • the fluorenyl group may be substituted, and two substituents may combine with each other to form a spiro structure.
  • Examples when the fluorenyl group is substituted are as follows. However, it is not limited thereto.
  • a heterocyclic group means any functional group or substituent derived from a ring including one or more of B, O, N, P, Si and S as a hetero atom.
  • Heterocyclic groups include aliphatic heterocyclic groups and aromatic heterocyclic groups.
  • the aromatic heterocyclic group may be a heteroaryl group.
  • the aliphatic hetero ring and aromatic hetero ring can be monocyclic or polycyclic.
  • the aliphatic heterocyclic group may be one containing one or more of B, O, N, P, Si and S as a hetero atom.
  • the two or more hetero atoms may be the same as or different from each other.
  • the aliphatic heterocyclic group may have 2 to 30 carbon atoms, 2 to 20 carbon atoms, or 2 to 10 carbon atoms.
  • Examples of the aliphatic heterocyclic group include an oxirane group, a thirane group, a pyrrolidine group, a piperidine group, a tetrahydrofuran group, a tetrahydrothiophene group, a thian group, a tetrahydropyran group, a 1,4-dioxane group, etc. There are, but are not limited to these.
  • the heteroaryl group may include one or more of B, O, N, P, Si, and S as a hetero atom.
  • the heteroaryl group may be a monocyclic heterocyclic group or a polycyclic heterocyclic group.
  • the number of ring-forming carbon atoms of the heteroaryl group may be 2 or more and 30 or less, 2 or more and 20 or less, or 2 or more and 10 or less.
  • heteroaryl group examples include thiophene group, furan group, pyrrol group, imidazole group, triazole group, pyridine group, bipyridine group, pyrimidine group, triazine group, triazole group, acridil group, pyridazine group, pyrazinyl Group, quinoline group, quinazoline group, quinoxaline group, phenoxazine group, phthalazine group, pyrido pyrimidine group, pyrido pyrazine group, pyrazino pyrazine group, isoquinoline group, indole group, carbazole group, N-arylcarba Sol group, N-heteroaryl carbazole group, N-alkyl carbazole group, benzoxazole group, benzoimidazole group, benzothiazole group, benzocarbazole group, benzothiophene group, dibenzothiophene group, thienothioph
  • the number of carbon atoms of the amino group is not particularly limited, but may be 1 or more and 30 or less.
  • the amino group can include an alkyl amino group, an aryl amino group, or a heteroaryl amino group.
  • Examples of the amino group include, but are not limited to, methylamino group, dimethylamino group, phenylamino group, diphenylamino group, naphthylamino group, 9-methyl-anthracenylamino group, triphenylamino group, and the like.
  • the thio group may include an alkyl thio group and an aryl thio group.
  • the oxy group may include an alkoxy group and an aryl oxy group.
  • the alkoxy group may be straight chain, branched chain or cyclic chain.
  • the number of carbon atoms of the alkoxy group is not particularly limited, but may be, for example, 1 or more and 20 or less, or 1 or more and 10 or less.
  • Examples of oxy groups include, but are not limited to, methoxy, ethoxy, n-propoxy, isopropoxy, butoxy, pentyloxy, hexyloxy, octyloxy, nonyloxy, decyloxy, benzyloxy, etc. It is not.
  • the alkenyl group may be straight chain or branched chain.
  • the number of carbon atoms is not particularly limited, but is 2 or more and 30 or less, 2 or more and 20 or less, or 2 or more and 10 or less.
  • Examples of the alkenyl group include, but are not limited to, vinyl groups, 1-butenyl groups, 1-pentenyl groups, 1,3-butadienyl aryl groups, styrenyl groups, styryl vinyl groups, and the like.
  • the number of carbon atoms of the amine group is not particularly limited, but may be 1 or more and 30 or less.
  • the amine group may include an alkyl amine group and an aryl amine group. Examples of amine groups include, but are not limited to, methylamine groups, dimethylamine groups, phenylamine groups, diphenylamine groups, naphthylamine groups, 9-methyl-anthracenylamine groups, triphenylamine groups, and the like.
  • the alkyl group of the alkylthio group, the alkyl sulfoxy group, the alkylaryl group, the alkylamino group, the alkyl boron group, the alkyl silyl group, and the alkyl amine group is the same as the above-described alkyl group.
  • the aryl group in the aryloxy group, the arylthio group, the aryl sulfoxy group, the arylamino group, the aryl boron group, the aryl silyl group, and the aryl amine group are the same as the examples of the aryl group described above.
  • the first substituent includes at least one hydroxyl group (-OH), and may be a part that absorbs light and converts it into thermal energy. Further, the second substituent may be a portion that adjusts a wavelength region of light absorbed by the light absorber. The third substituent may be a part that controls the solubility of the light absorber of one embodiment.
  • the light absorber of one embodiment may absorb light in the ultraviolet wavelength range.
  • the light absorber of one embodiment may mainly absorb light in a wavelength region of 405 nm or less.
  • the light absorber of an embodiment may mainly absorb light in a wavelength region of 380 nm or more and 405 nm or less.
  • the light absorber of one embodiment may be represented by the following Chemical Formula 1 or Chemical Formula 2.
  • two of Y 1 to Y 3 may be N and the other may be CH.
  • Formula 1 shows the case where the core portion is pyrimidine in the light absorber of one embodiment
  • Formula 2 shows the case where the core portion is triazine in the light absorber of one embodiment.
  • Ar may be a substituted or unsubstituted aryl group having 13 to 60 ring carbon atoms or a substituted or unsubstituted heteroaryl group having 12 to 60 ring carbon atoms.
  • R 2 to R 5 are each independently a hydrogen atom, a deuterium atom, a halogen atom, a cyano group, a substituted or unsubstituted alkyl group having 1 to 30 carbon atoms, a substituted or unsubstituted carbon number 1 Alkyl group of 20 or more, substituted or unsubstituted aryloxy group having 6 to 30 carbon atoms, or substituted or unsubstituted alkyl amine group of 1 to 30 carbon atoms, substituted or unsubstituted ring group of 6 to 30 carbon atoms
  • the following may be an aryl amine group, a substituted or unsubstituted heterocyclic group having 2 to 30 carbon atoms
  • R 1 is a hydrogen atom, a substituted or unsubstituted alkyl group having 1 to 30 carbon atoms, a substituted or unsubstituted alkoxy group having 1 to 20 carbon atoms, a substituted or unsubstituted ring-forming group having 6 to 30 carbon atoms.
  • R 1 in Formula 1 may be a substituted or unsubstituted alkoxy group having 1 to 20 carbon atoms, a substituted or unsubstituted alkylthio group having 1 to 20 carbon atoms, or an unsubstituted phenyl group.
  • the light absorber represented by Formula 1 includes three different substituents, and each of the three substituents is , , Can be In addition, each of the light absorbers represented by the formula (2), , , And It may be to include three different substituents.
  • Ar in Formula 1 and Formula 2 may be represented by any one of the following Ar-a to Ar-h.
  • R 11 to R 18 are each independently a hydrogen atom, a deuterium atom, a halogen atom, an alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, a substituted or unsubstituted aryl having 6 to 30 carbon atoms.
  • Group or a substituted or unsubstituted heteroaryl group having 2 to 30 ring carbon atoms, and m1 to m8 are each independently an integer of 0 or more and 4 or less.
  • Ar-a to Ar-h may each be unsubstituted.
  • Ar may be unsubstituted anthracene, unsubstituted phenanthrene, unsubstituted pyrene, or unsubstituted chrysene.
  • Formula 1 may be represented by any one of Formula 1-1 to Formula 1-4.
  • Chemical Formula 2 may be represented by any one of Chemical Formulas 2-1 to 2-4.
  • Formulas 1-1 and 2-1 are those in which the phenyl group substituted in the hexagonal heterocycle which is the core portion contains one hydroxy group, and Formulas 1-2 and 2-2, and 1-3 and 2-3
  • the phenyl group substituted in the hexagonal heterocycle contains two hydroxy groups
  • the formulas 1-4 and 2-4 represent the phenyl group substituted in the hexagonal heterocycle containing three hydroxy groups.
  • Chemical Formulas 1-2 and Chemical Formula 2-2 show the case where both hydroxy groups are substituted at the ortho-position of the hexagonal heterocycle and ortho, which are the core parts
  • Chemical Formulas 1-3 and Chemical Formula 2-3 are two.
  • One of the hydroxy groups is substituted for the hexagonal heterocycle and the ortho position, and the other hydroxyl group is substituted for the hexagonal heterocycle and the para position.
  • Ar, Y 1 to Y 3, R 1 , and R 4 may have the same contents as those described in Formula 1 above.
  • the same contents as those described in Formulas 1 and 2 above may be applied to X, Ar, R 4 , and R 6 in Formulas 2-1 to 2-4.
  • two of the one selected from Y 1 to Y 3 in the light absorber of an embodiment represented by Formula 1 may be a nitrogen atom (N). That is, in Formula 1, two selected from Y 1 to Y 3 may be nitrogen atoms (N) and the other may be CH.
  • N nitrogen atom
  • Y 1- and Y 2 are nitrogen atoms
  • Y 3 is CH
  • Y 1- and Y 3 are nitrogen atoms
  • Y 2 is CH
  • Y 2- and Y 3 are nitrogen atoms and Y 2 is CH.
  • the light absorber of one embodiment represented by Chemical Formula 1 may be represented by any one of the following Chemical Formulas 1-A to 1-C.
  • Formula 1-A to Formula 1-C shows a light absorber of an embodiment in which the core portion is pyrimidine.
  • Formula 1-A to Formula 1-C show a case in which the positions of nitrogen atoms in the core portion of pyrimidine are different.
  • Formula 1-A is a case where Y 1- and Y 3 in Formula 1 are nitrogen atoms
  • Formula 1 -B represents a case where Y 1- and Y 2 in Formula 1 are nitrogen atoms
  • Formula 1-C represents a case where Y 2- and Y 3 in Formula 1 are nitrogen atoms.
  • Y 1 to Y 3 , Ar, and R 1 to R 5 may have the same contents as described in Formula 1 above.
  • the light absorber of an embodiment may be represented by any one of the compounds shown in Compound 1 below.
  • the light absorber represented by Formula 1 may be represented by any one of the compounds represented by the following compound group 1.
  • the light absorber of one embodiment may be represented by any one of the compounds shown in Compound 2 below.
  • the light absorber represented by Chemical Formula 2 may be represented by any one of the compounds represented by the following compound group 2.
  • the display devices DS and DS-a of one embodiment may include at least one of the compounds of Compound Group 1 or Compound Group 2 described above as a light absorber.
  • the sealing member (TFE) may include at least one of compounds of Compound Group 1 or Compound Group 2 as a light absorber.
  • the light absorber of the above-described embodiment may be included in the display device and absorb some of the light incident on the display device.
  • the light absorber of one embodiment may absorb light in the ultraviolet wavelength range.
  • the light absorber of an embodiment may absorb some of external light of the display device.
  • the light absorber of one embodiment may mainly absorb light in the 405 nm wavelength region.
  • the light absorber of an embodiment may mainly absorb light in a wavelength region of 380 nm or more and 410 nm or less.
  • the display devices DS and DS-a of one embodiment may include the light absorber of the above-described embodiment.
  • the display panel DP of the display devices DS and DS-a of one embodiment may include a sealing member TFE, and the sealing member TFE may include the light absorbing agent of the above-described embodiment.
  • the display devices DS and DS-a of one embodiment may include the light absorbing agent of the above-described embodiment in the encapsulation member TFE to prevent external light from entering the light emitting device OEL.
  • the display devices DS-1, DS-1a, and DS-2 may include the light absorbing agent of the above-described exemplary embodiment.
  • the display panels DP-1 and DP-2 of the display devices DS-1, DS-1a, and DS-2 in one embodiment include a sealing member TFE, and the sealing member TFE is one of the above-described embodiments. It may be to include an example light absorber.
  • the display devices DS-1, DS-1a, and DS-2 of one embodiment include the light absorbing agent of the above-described embodiment in the encapsulation member TFE, so that external light is transmitted to the light emitting elements OEL-1 and OEL-2. It can be prevented from entering.
  • the display device DS includes a display panel DP, an input sensing unit TP disposed on the display panel DP, and a polarizing member disposed on the display panel DP ( PP).
  • the polarization member PP may be disposed on the input sensing unit TP.
  • the display panel DP may be an organic electroluminescent display panel.
  • the display panel DP may include a base layer BL, a circuit layer CL provided on the base layer BL, and a display element layer DD.
  • the base layer BL may be a member that provides a base surface on which the display element layer DD is disposed.
  • the base layer BL may be a glass substrate, a metal substrate, or a plastic substrate.
  • the embodiment is not limited thereto, and the base layer BL may be an inorganic layer, an organic layer, or a composite material layer.
  • the circuit layer CL is disposed on the base layer BL, and the circuit layer CL may include a plurality of transistors (not shown). Transistors (not shown) may each include a control electrode, an input electrode, and an output electrode.
  • the circuit layer CL may include a switching transistor and a driving transistor for driving the light emitting device OEL.
  • the polarization member PP may block external light provided to the display panel DP from the outside.
  • the polarization member PP may block some of the external light, for example, the polarization member PP may block light having a wavelength of 380 nm or less.
  • the polarization member PP may reduce reflected light generated in the display panel DP by external light.
  • the polarization member PP may function to block reflected light when light provided from the outside of the display device DS is incident on the display panel DP and is emitted again.
  • the polarization member PP may be a circular polarizer having an antireflection function, or the polarization member PP may include a linear polarizer and a ⁇ / 4 phase retarder.
  • the input detection unit TP may recognize a user's direct touch, a user's indirect touch, a direct touch of an object, or an indirect touch of an object. Meanwhile, the input sensing unit TP may sense at least one of a location of a touch applied from the outside and a strength (pressure) of the touch.
  • the input sensing unit TP in one embodiment of the present invention may have various structures or be composed of various materials, and is not limited to any one embodiment.
  • the input sensing unit TP may be a touch sensing unit that senses a touch.
  • the display device DS may further include a window member WP.
  • the window member WP may define the front surface of the display device DS.
  • the window member WP may stably protect internal components of the display device DS from external impact.
  • the window member WP may be formed of a glass substrate or a plastic substrate.
  • the display device DS is illustrated as including the input sensing unit TP, the polarization member PP, and the window member WP, but the embodiment is not limited thereto. .
  • At least one of the input sensing unit TP, the polarizing member PP, and the window member WP may be omitted in the display device DS of an embodiment.
  • the input sensing unit TP or the window member WP may be omitted in the display device DS of one embodiment.
  • the polarization member PP or the window member WP may be omitted in the display device DS of one embodiment.
  • the display device DS of the embodiment illustrated in FIG. 2A may further include an adhesive member (not shown) for joining each member.
  • the adhesive member (not shown) may be an optically transparent adhesive layer (OCA or OCR).
  • OCA optically transparent adhesive layer
  • the adhesive member (not shown) may be disposed between the input sensing unit TP and the polarization member PP, or between the polarization member PP and the window member WP.
  • At least one member provided on the display panel DP may include a light blocking material.
  • at least one of the input sensing unit TP, the polarizing member PP, the window member WP, and the adhesive member (not shown) may include an ultraviolet light absorber as a light blocking material.
  • at least one of the input sensing unit (TP), the polarizing member (PP), the window member (WP), and the adhesive member (not shown) is a light blocking material, the light absorbing agent of the above-described embodiment or a known ultraviolet light absorbing agent It may be included.
  • the display device DS-a includes a display panel DP and a light blocking layer LBL provided on the display panel DP You can.
  • the light blocking layer LBL blocks light provided from the outside of the display panel DP, and for example, may block ultraviolet light.
  • the light blocking layer (LBL) may be provided in a film form.
  • the light blocking layer LBL may be provided on the display panel DP in the form of a film formed of a polymer.
  • the display panel DP may be an organic electroluminescent display panel.
  • the display panel DP may include a base layer BL, a circuit layer CL, and a display element layer DD.
  • FIG. 3 is a display panel DP of one embodiment
  • the display panel DP may include a base layer BL, a circuit layer CL, and a display element layer DD sequentially stacked in the third direction axis DR3.
  • the display element layer DD may include a light emitting element OEL and an encapsulation member TFE.
  • the light emitting device (OEL) may be an organic electroluminescent device.
  • the encapsulation member TFE may be disposed on the light emitting element OEL.
  • the encapsulation member TFE may cover the light emitting device OEL.
  • the light emitting element OEL may be sealed by the sealing member TFE.
  • FIG. 4 is an enlarged plan view of a portion of the display panel DP included in the display device DS according to an exemplary embodiment.
  • 5 is a cross-sectional view of the display panel DP according to an exemplary embodiment.
  • FIG. 5 is a cross-sectional view illustrating a portion corresponding to line II-II 'of FIG. 4.
  • the display panel DP may include a non-emission region NPXA and emission regions PXA-R, PXA-G, and PXA-B.
  • Each of the light emitting regions PXA-R, PXA-G, and PXA-B may be a region in which light generated by the light emitting element OEL is emitted.
  • the area of each of the emission regions PXA-R, PXA-G, and PXA-B may be different from each other, and in this case, the area may mean an area when viewed on a plane.
  • the light emitting regions PXA-R, PXA-G, and PXA-B may be divided into a plurality of groups according to the color of light generated by the light emitting element OEL.
  • three emission regions PXA-R, PXA-G, and PXA-B emitting red, green, and blue light are exemplarily illustrated.
  • the light emitting regions PXA-R, PXA-G, and PXA-B may have different areas according to colors emitted from the light emitting layer EML of the light emitting element OEL.
  • the blue light emitting area PXA-B of the light emitting device emitting blue light has the largest area
  • the green light emitting of the light emitting device generating green light The area PXA-G may have the smallest area.
  • the embodiment is not limited thereto, and the emission areas PXA-R, PXA-G, and PXA-B emit light of a color other than red light, green light, or blue light, or light emission areas PXA -R, PXA-G, PXA-B) may have the same area, or light emitting areas PXA-R, PXA-G, and PXA-B may be provided in a different area ratio than that shown in FIG. 4. .
  • Each of the emission areas PXA-R, PXA-G, and PXA-B may be an area divided by a pixel defining layer PDL.
  • the non-emission regions NPXA are regions between neighboring emission regions PXA-R, PXA-G, and PXA-B, and may be regions corresponding to the pixel defining layer PDL.
  • each of the light emitting regions PXA-R, PXA-G, and PXA-B may correspond to a pixel.
  • the pixel defining layer PDL may be formed of a polymer resin.
  • the pixel defined layer PDL may be formed of a polyacrylate-based resin or a polyimide-based resin.
  • the pixel defining layer PDL may be formed by further containing an inorganic material in addition to the polymer resin.
  • the pixel defining layer PDL may be formed of a light absorbing material or a black pigment or black dye.
  • the pixel definition layer (PDL) formed by including a black pigment or a black dye may implement a black pixel definition layer.
  • carbon black or the like may be used as a black pigment or black dye, but embodiments are not limited thereto.
  • the pixel defining layer PDL may be formed of an inorganic material.
  • the pixel defining layer PDL may be formed of silicon nitride (SiNx), silicon oxide (SiOx), silicon nitride (SiOxNy), or the like.
  • the pixel defining layer PDL may be to define light emitting regions PXA-R, PXA-G, and PXA-B.
  • the emission regions PXA-R, PXA-G, and PXA-B and the non-emission region NPXA may be divided by the pixel defining layer PDL.
  • the blue emission areas PXA-B and the red emission areas PXA-R may be alternately arranged along the first direction axis DR1 to form a first group PXG1.
  • the green emission regions PXA-G may be arranged along the first direction axis DR1 to form the second group PXG2.
  • the first group PXG1 may be arranged to be spaced apart from the second direction axis DR2 with respect to the second group PXG2.
  • Each of the first group PXG1 and the second group PXG2 may be provided in plural.
  • the first groups PXG1 and the second groups PXG2 may be alternately arranged along the second direction axis DR2.
  • One green light emitting area PXA-G may be arranged to be spaced apart from one blue light emitting area PXA-B or one red light emitting area PXA-R in the direction of the fourth direction axis DR4.
  • the fourth direction axis DR4 direction may be a direction between the first direction axis DR1 direction and the second direction axis DR2 direction.
  • the arrangement structure of the light emitting regions PXA-R, PXA-G, and PXA-B illustrated in FIG. 4 may be referred to as a pentile structure.
  • the arrangement structure of the light emitting regions PXA-R, PXA-G, and PXA-B in the display panel DP according to an embodiment is not limited to the arrangement structure illustrated in FIG. 4.
  • the emission areas PXA-R, PXA-G, and PXA-B are along the first direction axis DR1, and the red emission area PXA-R and the green emission area PXA- G), and the blue light-emitting region (PXA-B) may have a stripe structure arranged alternately in sequence.
  • the light emitting device OEL includes a plurality of organic layers disposed between the first electrode EL1 and the second electrode EL2, and the first electrode EL1 and the second electrode EL2 facing each other ( OL).
  • the organic layers OL may include a hole transport region HTR, an emission layer EML, and an electron transport region ETR.
  • the light emitting device OEL is formed on the first electrode EL1, the hole transport region HTR disposed on the first electrode EL1, the light emitting layer EML disposed on the hole transport region HTR, and the light emitting layer EML.
  • the electron transport region ETR may be disposed, and the second electrode EL2 may be disposed on the electron transport region ETR.
  • the encapsulation member TFE may be disposed on the light emitting element OEL, and the encapsulation member TFE may be disposed on the second electrode EL2.
  • the encapsulation member TFE may be directly disposed on the second electrode EL2.
  • the encapsulation member TFE may be one layer or a plurality of layers stacked.
  • the encapsulation member TFE may be a thin film encapsulation layer.
  • the sealing member TFE protects the light emitting element OEL.
  • the encapsulation member TFE may cover the upper surface of the second electrode EL2 disposed in the opening OH and fill the opening OH.
  • the encapsulation member TFE may absorb some of the light provided to the light emitting device OEL by including the light absorbing agent of the above-described embodiment.
  • the display devices DS and DS-a of one embodiment may include a sealing member TFE including the light absorbing agent of one embodiment.
  • the display devices DS and DS-a according to an exemplary embodiment may further include functional layers that absorb or block external light in addition to the sealing member TFE.
  • the input sensing unit TP, the polarization member PP, the window member WP, and the adhesive member (not shown) of the display device DS of the embodiment illustrated in FIG. 2A is external light. It can serve as a functional layer blocking some of them.
  • the display device DS-1 of the embodiment shown in FIG. 2B may be a functional layer in which a light blocking layer LBL disposed on the display panel DP blocks some of external light.
  • FIG. 6 is a cross-sectional view illustrating an embodiment of a light emitting device OEL included in a display panel DP according to an embodiment.
  • the light emitting device OEL is formed on the first electrode EL1, the hole transport region HTR disposed on the first electrode EL1, the light emitting layer EML disposed on the hole transport region HTR, and the light emitting layer EML.
  • the electron transport region ETR is disposed, and the second electrode EL2 is disposed on the electron transport region ETR, and the hole transport region HTR includes a hole injection layer HIL and a hole transport layer HTL.
  • the electron transport region ETR may include an electron injection layer EIL and an electron transport layer ETL.
  • the first electrode EL1 constituting the light emitting element OEL has conductivity.
  • the first electrode EL1 may be formed of a metal alloy or a conductive compound.
  • the first electrode EL1 may be an anode.
  • the first electrode EL1 may be a pixel electrode.
  • the first electrode EL1 may be a reflective electrode.
  • the embodiment is not limited thereto.
  • the first electrode EL1 may be a transmissive electrode or a semi-transmissive electrode.
  • the first electrode EL1 is Ag, Mg, Cu, Al, Pt, Pd, Au, Ni, Nd, Ir, Cr, Li, Ca, LiF / Ca, LiF / Al, Mo, Ti or a compound or mixture thereof (eg, a mixture of Ag and Mg).
  • the first electrode EL1 may be a multi-layer metal film or a structure in which a metal film of ITO / Ag / ITO is stacked.
  • the hole transport region HTR may have a multi-layer structure having a single layer made of a single material, a single layer made of a plurality of different materials, or a plurality of layers made of a plurality of different materials.
  • the hole transport region HTR has a structure of a single layer made of a plurality of different materials, or a hole injection layer (HIL) / hole transport layer (HTL) stacked sequentially from the first electrode EL1, Hole injection layer (HIL) / hole transport layer (HTL) / buffer layer (not shown), hole injection layer (HIL) / buffer layer (not shown), hole transport layer (HTL) / buffer layer (not shown) or hole injection layer (HIL) / Hole transport layer (HTL) / electron blocking layer (not shown) may have a structure, but is not limited thereto.
  • the hole transport region may include a hole injection layer (HIL) and a hole transport layer (HTL), and the hole injection layer (HIL) and the hole transport layer (HTL) are known hole injection materials and known materials, respectively.
  • a hole transport material of can be used.
  • the hole transport region HTR may be disposed on the first electrode EL1 in the opening OH defined in the pixel defining layer PDL and extending above the pixel defining layer PDL.
  • the embodiment is not limited thereto, and the hole transport region HTR may be patterned to be disposed inside the opening OH.
  • the emission layer EML is provided on the hole transport region HTR.
  • the light emitting layer EML may have a single layer made of a single material, a single layer made of a plurality of different materials, or a multi-layer structure having a plurality of layers made of a plurality of different materials.
  • the light emitting layer EML is not particularly limited as long as it is a commonly used material, but may be made of, for example, a material emitting red, green, and blue colors, and may include a fluorescent material or a phosphorescent material.
  • the emission layer EML may include a host and a dopant.
  • the emission layer EML may be disposed in the opening OH defined in the pixel defining layer PDL, but the embodiment is not limited thereto.
  • the light emitting layer EML may include a host and a dopant, for example, the light emitting layer EML is DPEPO (Bis [2- (diphenylphosphino) phenyl] ether as a host material.
  • DPEPO Bis [2- (diphenylphosphino) phenyl] ether
  • the light emitting layer is a dopant material, a styryl derivative (eg, 1, 4-bis [2- (3-N-ethylcarbazoryl) vinyl] benzene (BCzVB), 4- (di-p-tolylamino) -4 '-[(di-p-tolylamino) styryl] stilbene (DPAVB), N- (4-((E) -2- (6-((E) -4- (diphenylamino) styryl) naphthalen-2- yl) vinyl) phenyl) -N-phenylbenzenamine (N-BDAVBi)), perylene and its derivatives (e.g.
  • a styryl derivative eg, 1, 4-bis [2- (3-N-ethylcarbazoryl) vinyl] benzene (BCzVB), 4- (di-p-tolylamino) -4 '-[(di-p-tolylamino
  • TBP 2, 5, 8, 11-Tetra-t-butylperylene
  • pyrene and its derivatives For example, 1, 1-dipyrene, 1, 4-dipyrenylbenzene, 1, 4-Bis (N, N-Diphenylamino) pyrene).
  • the display panel DP may include a quantum dot material in the emission layer EML.
  • the core of the quantum dot can be selected from group II-VI compounds, group III-V compounds, group IV-VI compounds, group IV elements, group IV compounds, and combinations thereof.
  • Group II-VI compounds include CdSe, CdTe, ZnS, ZnSe, ZnTe, ZnO, HgS, HgSe, HgTe, MgSe, MgS, and binary elements selected from the group consisting of mixtures thereof; AgInS, CuInS, CdSeS, CdSeTe, CdSTe, ZnSeS, ZnSeTe, ZnSTe, HgSeS, HgSeTe, HgSTe, CdZnS, CdZnSe, CdZnTe, CdHgS, CdHgSe, HgZn, HgZn, HgZn, HdZ A three-element compound selected from; And HgZnTeS, CdZnSeS, CdZnSeTe, CdZnSTe, CdHgSeS, CdHgSeTe, CdHgSTe, HgZn
  • Group III-V compound is a binary element selected from the group consisting of GaN, GaP, GaAs, GaSb, AlN, AlP, AlAs, AlSb, InN, InP, InAs, InSb, and mixtures thereof; Ternary compounds selected from the group consisting of GaNP, GaNAs, GaNSb, GaPAs, GaPSb, AlNP, AlNAs, AlNSb, AlPAs, AlPSb, InGaP, InNP, InNAs, InNSb, InPAs, InPSb, GaAlNP, and mixtures thereof; And GaAlNAs, GaAlNSb, GaAlPAs, GaAlPSb, GaInNP, GaInNAs, GaInNSb, GaInPAs, GaInPSb, InAlNP, InAlNAs, InAlNSb, InAlPAs, InAlPSb, and mixtures thereof.
  • the group IV-VI compound is a binary element selected from the group consisting of SnS, SnSe, SnTe, PbS, PbSe, PbTe, and mixtures thereof; Ternary compounds selected from the group consisting of SnSeS, SnSeTe, SnSTe, PbSeS, PbSeTe, PbSTe, SnPbS, SnPbSe, SnPbTe and mixtures thereof; And SnPbSSe, SnPbSeTe, SnPbSTe, and mixtures thereof.
  • Group IV elements may be selected from the group consisting of Si, Ge and mixtures thereof.
  • the group IV compound may be a binary compound selected from the group consisting of SiC, SiGe, and mixtures thereof.
  • the binary element compound, the trielement compound, or the quaternary element compound may be present in the particles at a uniform concentration or may be present in the same particle because the concentration distribution is partially divided into different states.
  • one quantum dot may have a core / shell structure surrounding another quantum dot. The interface between the core and the shell may have a concentration gradient in which the concentration of elements present in the shell decreases toward the center.
  • the quantum dots may have a core-shell structure comprising a core comprising the nanocrystals described above and a shell surrounding the core.
  • the shell of the quantum dot may serve as a protective layer for maintaining semiconductor properties by preventing chemical denaturation of the core and / or a charging layer for imparting electrophoretic properties to quantum dots.
  • the shell may be a single layer or multiple layers.
  • the interface between the core and the shell may have a concentration gradient in which the concentration of elements present in the shell decreases toward the center. Examples of the shell of the quantum dots include metal or non-metal oxides, semiconductor compounds, or combinations thereof.
  • the oxide of the metal or non-metal is SiO 2 , Al 2 O 3 , TiO 2 , ZnO, MnO, Mn 2 O 3 , Mn 3 O 4 , CuO, FeO, Fe 2 O 3 , Fe 3 O 4 , Binary compounds such as CoO, Co 3 O 4 , NiO, or tri-element compounds such as MgAl 2 O 4 , CoFe 2 O 4 , NiFe 2 O 4 , CoMn 2 O 4 may be illustrated, but the present invention is limited thereto. It is not.
  • the semiconductor compound is CdS, CdSe, CdTe, ZnS, ZnSe, ZnTe, ZnSeS, ZnTeS, GaAs, GaP, GaSb, HgS, HgSe, HgTe, InAs, InP, InGaP, InSb, AlAs, AlP, AlSb, etc.
  • the present invention is not limited thereto.
  • the quantum dots may have a full width of half maximum (FWHM) of about 45 nm or less, preferably about 40 nm or less, more preferably about 30 nm or less, and improve color purity or color reproducibility in this range. You can. In addition, since light emitted through the quantum dots is emitted in all directions, the optical viewing angle can be improved.
  • FWHM full width of half maximum
  • the shape of the quantum dot is not particularly limited to that of a type commonly used in the art, but more specifically, spherical, pyramidal, multi-arm, or cubic nanoparticles, nanotubes, Nanowires, nanofibers, and nanoplate-like particles can be used.
  • the quantum dots can control the color of light emitted according to the particle size, and accordingly, the quantum dots can have various emission colors such as blue, red, and green.
  • the electron transport region ETR is provided on the light emitting layer EML.
  • the electron transport region ETR may include at least one of a hole blocking layer (not shown), an electron transport layer ETL, and an electron injection layer EIL, but is not limited thereto.
  • the electron injection layer EIL and the electron transport layer ETL have known electron injection materials and known electron transport materials, respectively. Can be used.
  • the second electrode EL2 is provided on the electron transport region ETR.
  • the second electrode EL2 may be a common electrode or a cathode.
  • the second electrode EL2 may be formed of a metal alloy or a conductive compound.
  • the second electrode EL2 may be a transmissive electrode, a semi-transmissive electrode, or a reflective electrode.
  • the second electrode EL2 is a transmissive electrode, the second electrode EL2 is a transparent metal oxide, for example, indium tin oxide (ITO), indium zinc oxide (IZO), zinc oxide (ZnO), indium ITZO tin zinc oxide).
  • the second electrode EL2 is a semi-transmissive electrode or a reflective electrode
  • the second electrode EL2 is Ag, Mg, Cu, Al, Pt, Pd, Au, Ni, Nd, Ir, Cr, Li, Ca, LiF / Ca, LiF / Al, Mo, Ti or a compound or mixture thereof (eg, a mixture of Ag and Mg).
  • the electron transport region ETR and the second electrode EL2 may be further extended and disposed on the pixel defining layer PDL as well as the region overlapping the first electrode EL1. Meanwhile, although not illustrated, the second electrode EL2 may be connected to the auxiliary electrode. When the second electrode EL2 is connected to the auxiliary electrode, the resistance of the second electrode EL2 can be reduced.
  • the first electrode EL1 of the first electrode EL1 and the second electrode EL2 facing each other may be a reflective electrode, and the second electrode EL2 may be a transmissive electrode.
  • the light emitting device (OEL) may be to emit the entire surface. However, the embodiment is not limited thereto.
  • the display devices DS-1 and DS-1a of the embodiment illustrated in FIGS. 7 and 8 include a base layer BL, a circuit layer CL provided on the base layer BL, and a display element layer DD-1 It includes a display panel (DP-1) including a.
  • the display panel DP-1 may be a quantum dot light emitting display panel.
  • the display panel DP-1 includes a plurality of light emitting elements OEL-11, OEL-12, and OEL-13, and the light emitting elements OEL-11, OEL-12, and OEL-13 are quantum dots QD1. , QD2, QD3) may include a light emitting layer (EML-B, EML-G, EML-R).
  • the quantum dots QD1, QD2, and QD3 included in the light emitting device OEL-1 according to an embodiment may be equally applied to quantum dots used in the above-described light emitting layer EML.
  • the display devices DS-1 and DS-1a include a non-emission area NPXA and light emission areas PXA-B, PXA-G, and PXA-R. can do.
  • Each of the light emitting regions PXA-B, PXA-G, and PXA-R may be a region in which light generated in each of the light emitting elements OEL-11, OEL-12, and OEL-13 is emitted.
  • the emission regions PXA-B, PXA-G, and PXA-R may be spaced apart from each other on a plane.
  • the plurality of light emitting devices OEL-11, OEL-12, and OEL-13 may emit light in different wavelength regions.
  • the first light emitting layer EML-B of the first light emitting device OEL-11 may include a first quantum dot QD1.
  • the first quantum dot QD1 may emit blue light that is the first color light.
  • the second light emitting layer EML-G of the second light emitting element OEL-12 and the third light emitting layer EML-R of the third light emitting element OEL-13 have a second quantum dot QD2 and a third quantum dot ( QD3).
  • the second quantum dot QD2 and the third quantum dot QD3 may emit green light as the second color light and red light as the third color light, respectively.
  • the sizes of the first to third quantum dots QD1, QD2, and QD3 may be different from each other.
  • the first quantum dot QD1 used in the first light emitting element OEL-11 emitting light in a relatively short wavelength region is the second light emitting element OEL-12 emitting light in a relatively long wavelength region.
  • the average diameter may be relatively small.
  • the embodiment is not limited thereto, and the first to third quantum dots QD1, QD2, and QD3 may have similar diameters.
  • FIG. 7 illustrates an embodiment of the display device DS-1 including the polarizing member PP disposed on the display panel DP-1, and in FIG. 8, it is disposed on the display panel DP-1.
  • An exemplary embodiment of the display device DS-1a including the color filter layer CFL is illustrated.
  • the polarization member PP and the color filter layer CFL may block external light provided to the display panel DP from outside of the display devices DS-1 and DS-1a.
  • the polarizing member PP and the color filter layer CFL may function to prevent reflection by minimizing reflection by external light.
  • the same contents as those described with reference to FIG. 2A may be applied.
  • the color filter layer CFL may include a light blocking part BM and a color filter part CF.
  • the color filter unit CF may include a plurality of filters CF-B, CF-G, and CF-R. That is, the color filter layer CFL includes a first filter CF-B that transmits the first color light, a second filter CF-G that transmits the second color light, and a third filter CF that transmits the third color light. -R).
  • the first filter CF-B may be a blue filter
  • the second filter CF-G may be a green filter
  • the third filter CF-R may be a red filter.
  • Each of the filters CF-B, CF-G, and CF-R may include a polymer photosensitive resin and a pigment or dye.
  • the first filter (CF-B) includes a blue pigment or dye
  • the second filter (CF-G) contains a green pigment or dye
  • the third filter (CF-R) contains a red pigment or dye. May be
  • the embodiment is not limited thereto, and the first filter CF-B may not include a pigment or a dye.
  • the first filter (CF-B) may include a polymer photosensitive resin and no pigment or dye.
  • the first filter CF-B may be transparent.
  • the first filter CF-B may be formed of a transparent photosensitive resin.
  • the light blocking part BM may be a black matrix.
  • the light blocking part BM may be formed of an organic light blocking material including a black pigment or a black dye or an inorganic light blocking material.
  • the light blocking unit BM may prevent light leakage, and may divide a boundary between adjacent filters CF-B, CF-G, and CF-R.
  • a color filter layer (CFL) and a buffer layer (BFL) may be further included.
  • the buffer layer BFL may be a protective layer that protects the filters CF-B, CF-G, and CF-R.
  • the buffer layer BFL may be an inorganic material layer including at least one inorganic material among silicon nitride, silicon oxide, and silicon oxynitride.
  • the buffer layer BFL may be formed of a single layer or a plurality of layers.
  • the first filter CF-B of the color filter layer CFL is shown to overlap the second filter CF-G and the third filter CF-R, but the embodiment It is not limited to this.
  • the first to third filters CF-B, CF-G, and CF-R may be divided by the light blocking part BM and non-overlapping with each other.
  • each of the first to third filters CF-B, CF-G, and CF-R includes a blue light emitting area (PXA-B), a green light emitting area (PXA-G), and a red light emitting area ( PXA-R) may be disposed corresponding to each.
  • the display device DS-1a may include a base substrate BS disposed on the color filter layer CFL.
  • the base substrate BS may be a member that provides a base surface on which the color filter layer CFL or the like is disposed.
  • the base substrate BS may be a glass substrate, a metal substrate, a plastic substrate, or the like.
  • the embodiment is not limited thereto, and the base substrate BS may be an inorganic layer, an organic layer, or a composite material layer.
  • the display device DS-2 of the embodiment illustrated in FIG. 9 includes a display panel DP including a base layer BL, a circuit layer CL provided on the base layer BL, and a light emitting device OEL-2. -2).
  • the display panel DP-2 may be an organic electroluminescent display panel.
  • the light emitting device OEL-2 included in the display panel DP-2 may be a tandem type light emitting device as illustrated in FIG. 10.
  • the light emitting device OEL-2 includes a plurality of light emitting electrodes disposed between the first electrode EL1 and the second electrode EL2 and the first electrode EL1 and the second electrode EL2 facing each other. It may be to include units (LU-1, LU-2, LU-3). The light emitting units LU-1, LU-2, and LU-3 may be stacked in the thickness direction. A charge generation layer CGL may be disposed between the light emitting units LU-1, LU-2, and LU-3.
  • Each of the light emitting units LU-1, LU-2, and LU-3 includes a hole transport region (HTR), a light emitting layer (EML-B1, EML-B2, EML-B3), and an electron transport region (ETR) You can.
  • the light emitting layers EML-B1, EML-B2, and EML-B3 included in each of the light emitting units LU-1, LU-2, and LU-3 may emit light having the same wavelength range.
  • the light emitting layers EML-B1, EML-B2, and EML-B3 may all emit blue light.
  • the embodiment is not limited thereto, and the light emitting layers EML-B1, EML-B2, and EML-B3 may emit light in different wavelength regions.
  • the display device DS-2 may include a color conversion layer CCL disposed on the display panel DP-2. Also, the display device DS-2 according to an exemplary embodiment may further include a color filter layer CFL. The color filter layer CFL may be disposed between the base substrate BS and the color conversion layer CCL.
  • the color conversion layer CCL may include a plurality of partition walls BK spaced apart from each other and color control units CCP-B, CCP-G, and CCP-R disposed between the partition walls BK.
  • the partition wall portion BK may be formed of a polymer resin and a liquid repellent additive.
  • the partition wall part BK may be formed of a light absorbing material, or may be formed of a pigment or dye (PG).
  • PG pigment or dye
  • the partition wall part BK may be formed by including a black pigment or black dye to implement a black partition wall part.
  • carbon black or the like may be used as a black pigment or a black dye, but embodiments are not limited thereto.
  • the color conversion layer includes a first color control unit (CCP-B) that transmits the first color light, a second color control unit (CCP-G) including quantum dots that convert the first color light into the second color light, and the first color control layer (CCP-G).
  • a third color control unit (CCP-R) including an anchor point for converting color light into third color light may be included.
  • the second color light may be light having a longer wavelength region than the first color light
  • the third color light may be light having a longer wavelength region than the first color light and the second color light.
  • the first color light may be blue light
  • the second color light may be green light
  • the third color light may be red light.
  • the quantum dots included in the color control units (CCP-B, CCP-G, CCP-R) the same contents as those for the quantum dots used in the light emitting layer EML may be applied.
  • the color conversion layer CCL may further include a capping layer CPL.
  • the capping layer CPL may be disposed on the color control parts CCP-B, CCP-G, and CCP-R and the partition wall part BK.
  • the capping layer CPL may serve to prevent penetration of moisture and / or oxygen (hereinafter, referred to as “moisture / oxygen”).
  • the capping layer (CPL) is disposed on the color control units (CCP-B, CCP-G, CCP-R) to prevent the color control units (CCP-B, CCP-G, CCP-R) from being exposed to moisture / oxygen. have.
  • the capping layer CPL may include at least one inorganic layer.
  • the display device DS-2 includes the color filter layer CFL disposed on the color conversion layer CCL, and the color filter layer CFL and the base substrate BS are the same as described in FIG. 8.
  • 11 to 13 are cross-sectional views showing embodiments of a sealing member according to an embodiment. 11 to 13, the sealing members TFE, TFE-1, and TFE-2 according to an embodiment may be formed by including at least one organic layer and at least one inorganic layer.
  • the encapsulation member TFE of the embodiment illustrated in FIG. 11 may include one organic film ML and inorganic films IL1 and IL2 disposed on the upper and lower surfaces of the organic film ML, respectively. . That is, the sealing member TFE of one embodiment may have a structure stacked in the order of the first inorganic film IL1, the organic film ML, and the second inorganic film IL2.
  • the organic layer ML may include the light absorber LA of one embodiment.
  • the organic layer ML may be formed of a light absorbing agent LA and a base resin OR.
  • the base resin (OR) may be formed from an acrylic monomer and a photoinitiator.
  • the base resin (OR) may be formed through a UV curing process from a plurality of different acrylic monomers and a photoinitiator, or one acrylic monomer and a photo initiator.
  • the acrylic monomer may be a methacrylate-based monomer.
  • the organic layer ML may be formed to have a thickness of 3 ⁇ m or more and 30 ⁇ m or less.
  • the light absorbing agent LA may be included in an amount of 1 wt% or more and 5 wt% or less based on the weight of the monomer forming the base resin (OR).
  • the light absorbing agent (LA) is included in an amount of less than 1 wt% based on the weight of the monomer, light absorption in the organic layer ML may be lowered, so that an external light blocking effect may not appear.
  • the light absorber (LA) is included in an amount of more than 5 wt% based on the weight of the monomer, the activation of the photoinitiator used to form the organic film (ML) may be reduced, and the organic film (ML) forming process using ultraviolet light There may be a problem that phase separation occurs afterwards.
  • the monomer used for forming the organic layer (ML) may be at least one of the following M1 to M4.
  • the photoinitiator used for forming the organic layer (ML) may be activated in a wavelength range of 360 nm or more and 400 nm or less.
  • the photoinitiator can be I1 or I2 below.
  • the organic layer ML may absorb ultraviolet light by including the light absorber of the above-described embodiment.
  • the organic layer ML may have a transmittance of 10% or less at a wavelength of 405 nm, a transmittance of 70% or more at a wavelength of 430 nm, and a transmittance of 97% or more at a wavelength of 450 nm.
  • the inorganic films IL1 and IL2 may be formed of at least one of SiON, SiN X , SiO X , SiC, Al 2 O 3 , and ZrO X.
  • the first inorganic layer IL1 and the second inorganic layer IL2 may be layers formed of the same material.
  • the first inorganic film IL1 and the second inorganic film IL2 may be formed of different materials from each other.
  • the first inorganic film IL1 and the second inorganic film IL2 may be formed to have a thickness of 0.5 ⁇ m or more and 2.0 ⁇ m or less, respectively.
  • the inorganic films IL1 and IL2 may be a single layer containing one material, or may have a plurality of layers each containing a different material.
  • FIGS. 12 and 13 are views showing embodiments of the sealing member according to an embodiment, in the description of the embodiments of the sealing member shown in FIGS. 12 and 13 to the sealing member (TFE) described in FIG. Descriptions that overlap with the description are not described again, and the differences are mainly explained.
  • the sealing member TFE-1 illustrated in FIG. 8 includes a first light absorbing agent LA-a that absorbs light in different wavelength regions to the organic layer ML-a. ) And a second light absorbing agent (LA-b). At least one of the first light absorber (LA-a) and the second light absorber (LA-b) may have a structure of the light absorber of the above-described embodiment. However, the wavelength of the absorbed light may be partially different between the first light absorber LA-a and the second light absorber LA-b. Meanwhile, FIG.
  • the organic film ML-a in the sealing member TFE-1 of one embodiment has three or more different light. Absorbents. Meanwhile, all of the different light absorbers may be the light absorbers of the above-described embodiment. In addition, unlike this, the organic layer ML-a may further include a known light absorber in addition to the light absorber of one embodiment.
  • the sealing member TFE-2 includes n inorganic films IL1, ..., and ILn and (n-1) organic films ML1, ..., and ML (n-1). It may be. Meanwhile, n may be an integer of 2 or more.
  • the first inorganic film IL1 among the n inorganic films IL1, ..., and ILn of the encapsulation member TFE-2 may be disposed in direct contact with the second electrode EL2 (FIG. 5) of the light emitting element OEL. have.
  • the (n-1) organic films ML1, ..., ML (n-1) of the encapsulation member TFE-2 may be alternately arranged with the n inorganic films IL1, ..., ILn.
  • the (n-1) organic layers ML1, ..., and ML (n-1) may have a larger thickness than the n inorganic layers IL1, ..., and ILn.
  • n inorganic films IL1, ..., ILn may include the same or different inorganic materials, and may have the same or different thicknesses.
  • (n-1) organic layers ML1,..., ML (n-1) may include the same or different organic materials, and may have the same or different thicknesses.
  • At least one of the (n-1) organic layers ML1, ..., and ML (n-1) may include the light absorber of the above-described embodiment.
  • Any one of the (n-1) organic films ML1,..., ML (n-1) in the encapsulation member TFE-2 of one embodiment may include the light absorber of one embodiment.
  • a plurality of organic films selected from (n-1) organic films ML1, ..., ML (n-1) in the sealing member TFE-2 of one embodiment may include the light absorber of one embodiment. You can.
  • all of the (n-1) organic layers ML1,..., ML (n-1) may each include the light absorber of one embodiment.
  • the light absorbers (LA1,..., LA (n-1)) of one embodiment included in each of the (n-1) organic films ML1,..., ML (n-1) are all the same or at least one It can be different.
  • the (n-1) organic layers ML1,..., ML (n-1) may further include a known light absorber in addition to the light absorber of the above-described embodiment.
  • 14 is a graph measuring light transmittance in the organic film of the encapsulation member including the light absorber of one embodiment.
  • 14 shows a transmittance according to a wavelength of a single-layer organic film manufactured to a thickness of 10 ⁇ m, and the organic film is formed by including the light absorbent of one embodiment at 3 wt% based on the total monomer content.
  • the light absorber used in the embodiment shown in FIG. 14 corresponds to compound 35 of compound group 2, but other compounds of compound group 1 or compound group 2 corresponding to the light absorber according to an embodiment of the present invention are organic films. Similar results can be obtained when incorporated as a material. Referring to the graph of FIG. 14, the organic film exhibits a transmittance of 10% or less at a wavelength of 405 nm, from which it can be seen that the light absorber of one embodiment effectively absorbs light in a wavelength region around 405 nm.
  • the organic film of the encapsulation member including the light absorber of one embodiment exhibits a transmittance of 70% or more at a wavelength of 430 nm and a transmittance of 97% or more at a wavelength of 450 nm. That is, when the organic film has a transmittance of 70% or more at 430 nm and a high transmittance of 97% or more in the visible light region of 450 nm or more, the organic film does not overlap with the wavelength region of light emitted from the light emitting device (OEL, FIG. 5), and thus the organic film contains a light absorber. Edo may not decrease the light emission efficiency of the light emitting device (OEL, FIG. 5).
  • FIG. 15 is a graph measuring light transmittance when a polarizing member is disposed on an encapsulating member and an encapsulating member according to an embodiment.
  • FIG. 15 is a measurement of transmittance according to wavelength after providing a polarizing member on an organic film manufactured under the same conditions as used in evaluating transmittance of FIG. 14. Referring to the graph of FIG. 15, when a polarizing member is included on the organic film, a transmittance of 5% or less is exhibited at a wavelength of 405 nm, from which the light absorber of one embodiment effectively absorbs light in a wavelength region around 405 nm. Can be confirmed.
  • the transmittance is 30% or less at a wavelength of 430 nm.
  • the transmittance graph of FIG. 15 compared to FIG. 14 shows a low transmittance even in a wavelength region of 400 nm or less. That is, when the polarizing member is further included on the encapsulation member as compared to FIG. 14, the transmittance in the short wavelength region of 400 nm or less can be further lowered. From this, when the polarizing member is further included on the encapsulation member, the UV wavelength region It can be seen that the light is more effectively blocked.
  • the comparative example is a case in which the organic film of the sealing member does not include a light absorber
  • the embodiment is a case in which the organic film of the sealing member includes the light absorber of one embodiment.
  • the light absorber used in the embodiment shown in FIG. 16 may be the same as the light absorber used in the embodiment shown in FIG. 14.
  • the comparative example exhibited damaged surface characteristics when the exposure time of 6 hours elapsed, and in the case of the example, no change in surface characteristics was observed even when the exposure time elapsed up to 18 hours.
  • the light absorber of one embodiment effectively absorbs light in the 405 nm wavelength region, and accordingly, the sealing member according to an embodiment can effectively block external light in the 405 nm wavelength region.
  • the display device of one embodiment includes a light absorbing agent of an embodiment including a hexagonal heterocycle including two or more nitrogen atoms as a ring forming atom and three different substituents substituted for the hexagonal heterocycle in a sealing member, and a light emitting device By effectively blocking the external light incident to the can exhibit improved reliability.
  • the at least one organic film of the encapsulation member includes a light absorbing agent of one embodiment including six different heterocycles including two or more nitrogen atoms as ring forming atoms and three different substituents substituted for the hexagonal heterocycle By including external light incident on the light emitting device, the display quality can be improved.
  • Compound 1 of the light absorber compound group 1 may be synthesized by, for example, the following scheme 1-1.
  • Compound 15 of the light absorber compound group 1 may be synthesized, for example, by the following reaction scheme 1-2.
  • Compound 25 of the light absorber compound group 1 may be synthesized by, for example, the following reaction scheme 1-3.
  • Compound 36 of the light absorber compound group 1 may be synthesized, for example, by the following reaction schemes 1-4.
  • Compound 56 of the light absorber compound group 1 according to an embodiment may be synthesized, for example, by the following reaction schemes 1-5.
  • Compound 78 of the light absorber compound group 1 may be synthesized, for example, by the following reaction schemes 1-6.
  • Compound 95 of the light absorber compound group 1 according to an embodiment may be synthesized, for example, by the following reaction schemes 1-7.
  • Compound 115 of the light absorber compound group 1 may be synthesized, for example, by the following reaction schemes 1-8.
  • Compound 148 of the light absorber compound group 1 may be synthesized, for example, by the following reaction schemes 1-9.
  • Compound 177 of the light absorber compound group 1 may be synthesized, for example, by the following reaction schemes 1-10.
  • Table 1 below shows NMR data for the example compounds of the compound group 1 synthesized by the above-described synthesis method.
  • Example compound NMR (400hz) Compound 2 of compound group 1 9.61 (brs, 1H), 9.27 (s, 1H), 9.08 (d, 1H), 8.84 (d, 1H), 8.17 (d, 1H), 7.92 (m, 2H), 7.81-7.54 (m, 6H) , 7.32 (t, 1H), 7.06 (d, 1H), 7.02-7.00 (m, 2H), 3.85 (s, 3H) Compound 15 of compound group 1 9.61 (brs, 1H), 8.52 (d, 1H), 8.31 (d, 1H), 8.16 (d, 1H), 8.08-8.04 (m, 4H), 7.92 (m, 1H), 7.7-7.55 (m, 2H), 7.32 (t, 1H), 7.06-7.00 (m, 2H), 5.24 (m, 1H), 1.35 (d, 2H) Compound 25 of compound group 1 15.30 (s, 1H), 8.73 (d, 1H), 8.31 (d, 1H), 8.21-7.88
  • Compound 1 of the light absorber compound group 2 may be synthesized, for example, by the following scheme 2-1.
  • Compound 15 of the light absorber compound group 2 may be synthesized, for example, by the following scheme 2-2.
  • Compound 20 of the light absorber compound group 2 according to an embodiment may be synthesized by, for example, the following reaction scheme 2-3.
  • Compound 24 of the light absorber compound group 2 may be synthesized, for example, by the following scheme 2-4.
  • Compound 35 of the light absorber compound group 2 according to an embodiment may be synthesized by, for example, the following scheme 2-5.
  • Compound 40 of the light absorber compound group 2 according to an embodiment may be synthesized, for example, by the following schemes 2-6.
  • the compound 35 3.6g (yield 85%) was obtained by the same method as the synthesis method of compound 2, except that 3.7g of intermediate 40-1 was used. The obtained compound was confirmed to be Compound 40 using LC-MS. (C 30 H 23 N 3 O 2 , Calculated: 457.18, Measured: 457.20)
  • Compound 75 of the light absorber compound group 2 according to an embodiment may be synthesized, for example, by the following scheme 2-7.
  • Compound 94 of the light absorber compound group 2 may be synthesized, for example, by the following schemes 2-8.
  • Compound 102 of the light absorber compound group 2 may be synthesized, for example, by the following reaction schemes 2-9.
  • Compound 154 of the light absorber compound group 2 may be synthesized, for example, by the following reaction schemes 2-10.
  • Compound 169 of the light absorber compound group 2 may be synthesized, for example, by the following scheme 2-11.
  • Compound 227 of the light absorber compound group 2 according to an embodiment may be synthesized, for example, by the following reaction schemes 2-12.
  • Compound 280 of the light absorber compound group 2 may be synthesized, for example, by the following reaction schemes 2-13.
  • Compound 295 of the light absorber compound group 2 according to an embodiment may be synthesized, for example, by the following reaction schemes 2-14.
  • Compound 299 of the light absorber compound group 2 according to an embodiment may be synthesized, for example, by the following reaction schemes 2-15.
  • Compound 320 of the light absorber compound group 2 may be synthesized, for example, by the following reaction schemes 2-16.
  • the compound 320 2.4g (yield 66%) was obtained by the same method as the synthesis method of the intermediate 24-3, except that 3.1g of the intermediate 320-1 and 0.74g of 2-ethylhexan-1-ol were used.
  • the obtained compound was confirmed to be Compound 320 using LC-MS. (C 41 H 47 N 3 O 4 , Calculated: 645.36, Measured: 645.39)
  • Table 2 below shows NMR data for example compounds synthesized by the above-described synthesis method.
  • Example compound NMR (400hz) Compound 2 of compound group 2 9.61 (brs, 1H), 9.27 (s, 1H), 9.08 (d, 1H), 8.84 (d, 1H), 8.17 (d, 1H), 7.92 (m, 2H), 7.81-7.54 (m, 6H) , 7.32 (t, 1H), 7.06 (d, 1H), 7.02-7.00 (m, 2H), 3.85 (s, 3H) Compound 15 of compound group 2 9.61 (brs, 1H), 8.52 (d, 1H), 8.31 (d, 1H), 8.16 (d, 1H), 8.08-8.04 (m, 4H), 7.92 (m, 1H), 7.7-7.55 (m, 2H), 7.32 (t, 1H), 7.06-7.00 (m, 2H), 5.24 (m, 1H), 1.35 (d, 2H) Compound 20 of compound group 2 15.30 (s, 1H), 8.73 (d, 1H), 8.31 (d, 1H), 8.21-7.88
  • the transmittance of the organic film formed with the light absorber of one embodiment was evaluated at 405 nm wavelength and 430 nm wavelength, respectively.
  • Table 3 shows light absorber compounds used in Examples and Comparative Examples.
  • Example compound Transmittance (%) (@ 405nm) Transmittance (@ 430nm) Example 1-1 Compound group 1 Compound 2 3.6 24.2
  • Example 1-2 Compound Group 1 Compound 15 3.4 33.3
  • Example 1-3 Compound Group 1 Compound 25 3.5 34.6
  • Example 1-4 Compound Group 1 Compound 36 3.0 30.0
  • Example 1-5 Compound Group 1 Compound 56 2.9 31.5
  • Example 1-6 Compound Group 1 Compound 78 2.6 27.5
  • Example 1-7 Compound Group 1 Compound 95 2.3 24.3
  • Example 1-8 Compound Group 1 Compound 115 2.2 21.2
  • Example 1-9 Compound Group 1 Compound 148 2.4 23.2
  • Example 1-10 Compound Group 1 Compound 177 2.1 28.5
  • Example 2-1 Compound group 2 Compound 2 3.6 24.2
  • Example 2-2 Compound Group 2 Compound 15 3.4 33.3
  • Example 2-3 Compound Group 2 Compound 20 3.5 34.6
  • Example 2-4 Compound Group 2 Compound 24 3.3 31.5
  • the transmittance value is higher at 430 nm than the comparative examples. That is, the transmittance value at 430 nm of the organic films included in the examples is higher because the transmittance values when the polarizing member is added on the organic film formed with the compounds of the examples and comparative examples are higher. It can be seen that the transmittance at 430 nm of the organic films included in is greater than that.
  • the embodiment shows that ultraviolet light or some visible light is effectively absorbed by the organic film from a low transmittance value at a wavelength of 405 nm, and also a blue wavelength from a relatively high transmittance value at a wavelength of 430 nm. It can be seen that the efficiency of the light emitted from the light emitting device is minimized by minimizing the absorption of light in the organic layer. That is, the embodiment may exhibit excellent display quality compared to the comparative example by lowering the absorbance of light in the blue wavelength region while having excellent reliability characteristics by making the absorption rate of ultraviolet light similar to that of the comparative example.
  • the light absorber of one embodiment may efficiently absorb a portion of visible light and ultraviolet rays by including a hexagonal heterocycle including two or more nitrogen atoms as a ring forming atom and three substituents substituted for the hexagonal heterocycle and different from each other. .
  • the light absorber of one embodiment is a pyrimidine core or a triazine core, a first substituent of a phenyl group substituted with at least one hydroxy group, a second substituent of a condensed ring fused with three or more rings, and substituted or unsubstituted
  • the light absorbing agent according to an embodiment of the present invention has excellent light absorption against ultraviolet light and a part of visible light, and the light emitting element of the display device including the encapsulating member is efficiently prevented from being deteriorated by external light, thereby achieving good efficiency and It can exhibit excellent life characteristics.
  • the present invention relates to a light absorbing agent having excellent light absorption against ultraviolet rays and some visible light, and a light emitting device having good efficiency and excellent lifespan characteristics by including it in a sealing member, and has high industrial applicability.

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Abstract

일 실시예의 표시 장치는 발광 소자와 봉지 부재를 포함하고, 봉지 부재는 2개 이상의 질소 원자를 고리 형성 원자로 포함하는 6각 헤테로고리 및 6각 헤테로고리에 치환되고 서로 상이한 제1 내지 제3 치환기들을 포함하는 광 흡수제를 포함하여 외부광을 효과적으로 차단함으로써 개선된 신뢰성을 나타낼 수 있다.

Description

표시 장치 및 표시 장치에 포함된 광 흡수제
본 발명은 표시 장치 및 표시 장치에 사용되는 광 흡수제에 대한 것으로, 보다 상세하게는 봉지 부재에 포함되는 광 흡수제 및 이를 포함하는 표시 장치에 관한 것이다.
최근, 영상 표시 장치로서, 유기 전계 발광 표시 장치(Organic Electroluminescence Display)의 개발이 왕성하게 이루어져 왔다. 유기 전계 발광 표시 장치는 액정 표시 장치 등과는 다르고, 제1 전극 및 제2 전극으로부터 주입된 정공 및 전자를 발광층에 있어서 재결합시킴으로써, 발광층에 있어서 유기 화합물을 포함하는 발광 재료를 발광시켜서 표시를 실현하는 소위 자발광형의 표시 장치이다. 자발광형의 발광 소자를 표시 장치에 응용함에 있어서는, 발광 소자의 저 구동 전압화, 고 발광 효율화 및 장수명화가 요구되고 있으며, 이를 안정적으로 구현할 수 있도록 발광 소자의 안정성을 확보하는 것이 필요하다.
특히, 발광 소자는 제조 과정에서 자외선에 노출되거나, 실외 사용으로 인한 태양광으로의 노출 등에 의해 쉽게 열화되는 취약점을 가지고 있으며, 이에 자외선 및 일부의 가시광선이 발광 소자의 내부로 유입되는 것을 차단하기 위한 기술이 지속적으로 요구되고 있다.
본 발명의 목적은 광 흡수제를 봉지 부재에 포함하여 발광 소자의 신뢰성을 개선한 표시 장치를 제공하는 것이다.
본 발명의 다른 목적은 가시광선 일부 및 자외선을 효율적으로 흡수하는 광 흡수제를 제공하는 것이다.
일 실시예는 제1 전극, 상기 제1 전극과 마주하는 제2 전극, 및 상기 제1 전극과 상기 제2 전극 사이에 배치된 복수의 유기층들을 포함하는 발광 소자; 및 상기 발광 소자 상에 배치되고 광 흡수제를 포함하는 봉지 부재; 를 포함하며, 상기 광 흡수제는 두 개 이상의 질소 원자를 고리 형성 원자로 포함하는 6각 헤테로고리 및 상기 6각 헤테로고리에 치환되고 서로 상이한 제1 내지 제3 치환기들을 포함하고, 상기 제1 치환기는 적어도 하나의 하이드록시기를 포함한 치환된 페닐기이고, 상기 제2 치환기는 3개 이상의 고리가 축합된 축합환기인 표시 장치를 제공한다.
상기 봉지 부재는 적어도 하나의 유기막 및 적어도 하나의 무기막을 포함하고, 상기 적어도 하나의 유기막은 상기 광 흡수제를 포함할 수 있다.
상기 적어도 하나의 유기막과 상기 적어도 하나의 무기막은 교대로 적층되어 배치되고, 상기 적어도 하나의 유기막은 제1 파장 영역의 광을 흡수하는 제1 유기막; 및 상기 제1 파장 영역의 광과 상이한 제2 파장 영역의 광을 흡수하는 제2 유기막; 을 포함할 수 있다.
상기 봉지 부재는 상기 발광 소자를 커버할 수 있다.
상기 봉지 부재 상에 배치된 편광 부재를 더 포함할 수 있다.
상기 봉지 부재는 상기 제2 전극과 인접하여 배치된 제1 무기막; 상기 제1 무기막 상에 배치된 제2 무기막; 및 상기 제1 무기막 및 상기 제2 무기막 사이에 배치되고 상기 광 흡수제를포함한 유기막; 을 포함하고, 상기 유기막은 405nm 파장에서 10% 이하의 투과율을 갖고, 430nm 파장에서 70% 이상의 투과율을 가지며, 450nm 파장에서 97% 이상의 투과율을 갖는 것일 수 있다.
상기 복수의 유기층들은 상기 제1 전극 상에 배치된 정공 수송 영역; 상기 정공 수송 영역상에 배치된 발광층; 및 상기 발광층 상에 배치된 전자 수송 영역; 을 포함할 수 있다.
상기 봉지 부재 상에 배치된 광차단층을 더 포함할 수 있다.
상기 6각 헤테로고리는 트리아진, 또는 피리미딘일 수 있다.
상기 제1 치환기는 하기 H1 내지 H5 중 어느 하나로 표시될 수 있으며, 하기 H4 및 H5에서 R은 치환 또는 비치환된 탄소수 1 이상 20 이하의 알콕시기이다.
Figure PCTKR2019012652-appb-img-000001
Figure PCTKR2019012652-appb-img-000002
상기 제2 치환기는 치환 또는 비치환된 안트라센기, 치환 또는 비치환된 파이렌기, 치환 또는 비치환된 크라이센기, 치환 또는 비치환된 디벤조퓨란 유도체, 치환 또는 비치환된 카바졸 유도체, 또는 치환 또는 비치환된 플루오렌 유도체이고, 상기 치환 또는 비치환된 디벤조퓨란 유도체의 치환기, 상기 치환 또는 비치환된 카바졸 유도체의 치환기, 및 상기 치환 또는 비치환된 플루오렌 유도체의 치환기는 수소 원자, 탄소수 1 이상 20 이하의 알킬기, 탄소수 1 이상 20 이하의 알케닐기, 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 6 이상 30 이하의 아릴기, 또는 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 2 이상 30 이하의 헤테로아릴기이거나, 또는 이웃하는 기들이 서로 결합하여 고리를 형성할 수 있다.
상기 제3 치환기는 치환 또는 비치환된 탄소수 1 이상 20 이하의 알콕시기, 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 6 이상 30 이하의 아릴옥시기, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 이상 20 이하의 알킬티오기, 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 6 이상 30 이하의 아릴티오기, 또는 치환 또는 비치환된 페닐기일 수 있다.
상기 광 흡수제는 하기 화학식 1 또는 화학식 2로 표시될 수 있다.
[화학식 1]
Figure PCTKR2019012652-appb-img-000003
[화학식 2]
Figure PCTKR2019012652-appb-img-000004
상기 화학식 1 및 화학식 2에서, Ar은 고리 형성 탄소수 13 이상 60 이하의 치환 또는 비치환된 아릴기, 또는 고리 형성 탄소수 12 이상 60 이하의 치환 또는 비치환된 헤테로아릴기이고, R 2 내지 R 5는 각각 독립적으로, 수소 원자, 중수소 원자, 할로겐 원자, 시아노기, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 이상 30 이하의 알킬기, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 이상 20 이하의 알콕시기, 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 6 이상 30 이하의 아릴옥시기, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 이상 30 이하의 알킬 아민기, 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 6 이상 30 이하의 아릴 아민기, 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 2 이상 30 이하의 헤테로고리기, 또는 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 6 이상 30 이하의 아릴기이이다. 상기 화학식 1에서, Y 1 내지 Y 3 중 두 개는 N이고 나머지는 CH이며, R 1은 수소 원자, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 이상 30 이하의 알킬기, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 이상 20 이하의 알콕시기, 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 6 이상 30 이하의 아릴옥시기, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 이상 20 이하의 알킬티오기, 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 6 이상 30 이하의 아릴티오기, 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 2 이상 30 이하의 헤테로고리기, 또는 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 6 이상 30 이하의 아릴기이다. 상기 화학식 2에서, X는 O 또는 S이고, R 6은 치환 또는 비치환된 탄소수 1 이상 30 이하의 알킬기, 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 2 이상 30 이하의 헤테로고리기, 또는 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 6 이상 30 이하의 아릴기이다.
상기 화학식 1은 하기 화학식 1-1 내지 화학식 1-4 중 어느 하나로 표시될 수있다. 하기 화학식 1-1 내지 화학식 1-4에서 Ar, Y 1 내지 Y 3, R 1, 및 R 4는 화학식 1에서 정의한 바와 동일하다.
[화학식 1-1]
Figure PCTKR2019012652-appb-img-000005
[화학식 1-2]
Figure PCTKR2019012652-appb-img-000006
[화학식 1-3]
Figure PCTKR2019012652-appb-img-000007
[화학식 1-4]
Figure PCTKR2019012652-appb-img-000008
상기 화학식 1-1 내지 화학식 1-4에서 Ar, Y 1 내지 Y 3, R 1, 및 R 4는 화학식 1에서 정의한 바와 동일하다.
상기 화학식 2는 하기 화학식 2-1 내지 화학식 2-4 중 어느 하나로 표시될 수있다. 하기 화학식 2-1 내지 화학식 2-4에서 X, Ar, R 4, 및 R 6은 화학식 1 및 화학식 2에서 정의한 바와 동일하다.
[화학식 2-1]
Figure PCTKR2019012652-appb-img-000009
[화학식 2-2]
Figure PCTKR2019012652-appb-img-000010
[화학식 2-3]
Figure PCTKR2019012652-appb-img-000011
[화학식 2-4]
Figure PCTKR2019012652-appb-img-000012
상기 Ar은 하기 Ar-a 내지 Ar-h 중 어느 하나로 표시되는 표시될 수 있다.
Figure PCTKR2019012652-appb-img-000013
Figure PCTKR2019012652-appb-img-000014
상기 Ar-e 내지 Ar-h에서 Z는 O, S, NR a, CR bR c이고, R a 내지 R c는 각각 독립적으로 수소 원자, 중수소 원자, 할로겐 원자, 탄소수 1 이상 20 이하의 알킬기, 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 6 이상 30 이하의 아릴기, 또는 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 2 이상 30 이하의 헤테로아릴기이고, 상기 Ar-a 내지 Ar-h에서 R 11 내지 R 18은 각각 독립적으로, 수소 원자, 중수소 원자, 할로겐 원자, 탄소수 1 이상 20 이하의 알킬기, 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 6 이상 30 이하의 아릴기, 또는 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 2 이상 30 이하의 헤테로아릴기이며, m1 내지 m8은 각각 독립적으로 0 이상 4 이하의 정수이다.
상기 화학식 1은 하기 화학식 1-A 내지 화학식 1-C 중 어느 하나로 표시될 수 있다. 하기 화학식 1-A 내지 화학식 1-C에서 Y 1 내지 Y 3, Ar, 및 R 1 내지 R 5는 화학식 1에서 정의한 바와 동일하다.
[화학식 1-A]
Figure PCTKR2019012652-appb-img-000015
[화학식 1-B]
Figure PCTKR2019012652-appb-img-000016
[화학식 1-C]
Figure PCTKR2019012652-appb-img-000017
일 실시예는 제1 전극, 상기 제1 전극과 마주하는 제2 전극, 및 상기 제1 전극과 상기 제2 전극 사이에 배치된 복수의 유기층들을 포함하는 발광 소자; 및 상기 발광 소자 상에 배치되고, 광 흡수제를 포함하는 유기막을 포함하는 봉지 부재; 를 포함하며, 상기 유기막은 405nm의 파장에서 10% 이하의 투과율을 가지며, 430nm의 파장에서는 70% 이상의 투과율을 갖고, 450nm 이상의 파장에서는 97% 이상의 투과율을 가지며, 상기 광 흡수제는 두 개 이상의 N원자를 고리 형성 원자로 포함하는 6각 헤테로고리 및 상기 6각 헤테로고리에 치환되고 서로 상이한 제1 내지 제3 치환기들을 포함하는 표시 장치를 제공한다.
상기 6각 헤테로고리는 트리아진 또는 피리미딘일 수 있다.
상기 제1 치환기는 적어도 하나의 하이드록시기를 포함한 치환된 페닐기이고, 상기 제2 치환기는 3개 이상의 고리가 축합된 축합환기이고, 상기 제3 치환기는 치환 또는 비치환된 옥시기, 치환 또는 비치환된 티오기, 또는 치환 또는 비치환된 페닐기일 수 있다.
상기 제1 치환기는 하기 H1 내지 H5 중 어느 하나로 표시될 수 있다. 하기 H4 및 H5에서 R은 치환 또는 비치환된 탄소수 1 이상 20 이하의 알콕시기이다.
Figure PCTKR2019012652-appb-img-000018
상기 제2 치환기는 하기 Ar-a 내지 Ar-h 중 어느 하나로 표시될 수 있다.
Figure PCTKR2019012652-appb-img-000019
상기 Ar-e 내지 Ar-h에서 Z는 O, S, NR a, CR bR c이고, R a 내지 R c는 각각 독립적으로 수소 원자, 중수소 원자, 할로겐 원자, 탄소수 1 이상 20 이하의 알킬기, 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 6 이상 30 이하의 아릴기, 또는 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 2 이상 30 이하의 헤테로아릴기이고, 상기 Ar-a 내지 Ar-h에서 R 11 내지 R 18은 각각 독립적으로, 수소 원자, 중수소 원자, 할로겐 원자, 탄소수 1 이상 20 이하의 알킬기, 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 6 이상 30 이하의 아릴기, 또는 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 2 이상 30 이하의 헤테로아릴기이며, m1 내지 m8은 각각 독립적으로 0 이상 4 이하의 정수이다.
상기 제3 치환기는 하기 S1 내지 S15 중 어느 하나로 표시될 수 있다.
Figure PCTKR2019012652-appb-img-000020
다른 실시예는 하기 화학식 1 또는 화학식 2로 표시되는 광 흡수제를 제공한다.
[화학식 1]
Figure PCTKR2019012652-appb-img-000021
[화학식 2]
Figure PCTKR2019012652-appb-img-000022
상기 화학식 1 및 화학식 2에서, Ar은 고리 형성 탄소수 13 이상 60 이하의 치환 또는 비치환된 아릴기, 또는 고리 형성 탄소수 12 이상 60 이하의 치환 또는 비치환된 헤테로아릴기이고, R 2 내지 R 5는 각각 독립적으로, 수소 원자, 중수소 원자, 할로겐 원자, 시아노기, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 이상 30 이하의 알킬기, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 이상 20 이하의 알콕시기, 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 6 이상 30 이하의 아릴옥시기, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 이상 30 이하의 알킬 아민기, 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 6 이상 30 이하의 아릴 아민기, 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 2 이상 30 이하의 헤테로고리기, 또는 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 6 이상 30 이하의 아릴기이다. 상기 화학식 1에서, Y 1 내지 Y 3 중 두 개는 N이고 나머지는 CH이며, R 1은 수소 원자, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 이상 30 이하의 알킬기, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 이상 20 이하의 알콕시기, 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 6 이상 30 이하의 아릴옥시기, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 이상 20 이하의 알킬티오기, 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 6 이상 30 이하의 아릴티오기, 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 2 이상 30 이하의 헤테로고리기, 또는 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 6 이상 30 이하의 아릴기이다. 상기 화학식 2에서, X는 O 또는 S이고, R 6은 치환 또는 비치환된 탄소수 1 이상 30 이하의 알킬기, 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 2 이상 30 이하의 헤테로고리기, 또는 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 6 이상 30 이하의 아릴기이다.
일 실시예의 표시 장치는 봉지 부재에서 외부광을 흡수하여 개선된 신뢰성을 가질 수 있다.
일 실시예의 광 흡수제는 발광 소자 상의 봉지 부재에 적용되어 자외선 파장 영역의 광을 주로 흡수함으로써 발광 소자의 열화를 방지하고 신뢰성을 개선할 수 있다.
도 1은 일 실시예의 표시 장치의 사시도이다.
도 2a는 도 1의 I-I'선에 대응하는 단면도이다.
도 2b는 일 실시예의 표시 장치의 단면도이다.
도 3은 일 실시예에 따른 표시 패널의 단면도이다.
도 4는 일 실시예에 따른 표시 패널의 평면도이다.
도 5는 도 4의 II-II'선에 대응하는 단면도이다.
도 6은 일 실시예에 따른 발광 소자의 단면도이다.
도 7 내지 도 9는 각각 일 실시에에 따른 표시 장치의 단면도이다.도 10은 일 실시예에 따른 발광 소자의 단면도이다.
도 11은 일 실시예에 따른 봉지 부재의 단면도이다.
도 12 및 도 13은 각각 일 실시예에 따른 봉지 부재의 단면도이다.
도 14는 일 실시예에 따른 봉지 부재의 유기막에서의 투과도를 나타낸 그래프이다.
도 15는 일 실시예의 표시 장치에서의 투과도를 나타낸 그래프이다.
도 16은 실시예와 비교예에서의 자외선 노출 시간에 따른 손상 여부를 나타낸 이미지이다.
본 발명은 다양한 변경을 가할 수 있고 여러 가지 형태를 가질 수 있는 바, 특정 실시예들을 도면에 예시하고 본문에 상세하게 설명하고자 한다. 그러나, 이는 본 발명을 특정한 개시 형태에 대해 한정하려는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 변경, 균등물 내지 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다.
본 명세서에서, 어떤 구성요소(또는 영역, 층, 부분 등)가 다른 구성요소 "상에 있다", "연결 된다", 또는 "결합된다"고 언급되는 경우에 그것은 다른 구성요소 상에 직접 배치/연결/결합될 수 있거나 또는 그들 사이에 제3의 구성요소가 배치될 수도 있다는 것을 의미한다.
동일한 도면부호는 동일한 구성요소를 지칭한다. 또한, 도면들에 있어서, 구성요소들의 두께, 비율, 및 치수는 기술적 내용의 효과적인 설명을 위해 과장된 것이다.
"및/또는"은 연관된 구성들이 정의할 수 있는 하나 이상의 조합을 모두 포함한다.
제1, 제2 등의 용어는 다양한 구성요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 상기 구성요소들은 상기 용어들에 의해 한정되어서는 안 된다. 상기 용어들은 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하는 목적으로만 사용된다. 예를 들어, 본 발명의 권리 범위를 벗어나지 않으면서 제1 구성요소는 제2 구성요소로 명명될 수 있고, 유사하게 제2 구성요소도 제1 구성요소로 명명될 수 있다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다.
또한, "아래에", "하측에", "위에", "상측에" 등의 용어는 도면에 도시된 구성들의 연관관계를 설명하기 위해 사용된다. 상기 용어들은 상대적인 개념으로, 도면에 표시된 방향을 기준으로 설명된다.
다르게 정의되지 않는 한, 본 명세서에서 사용된 모든 용어 (기술 용어 및 과학 용어 포함)는 본 발명이 속하는 기술 분야의 당업자에 의해 일반적으로 이해되는 것과 동일한 의미를 갖는다. 또한, 일반적으로 사용되는 사전에서 정의된 용어와 같은 용어는 관련 기술의 맥락에서 의미와 일치하는 의미를 갖는 것으로 해석되어야 하고, 이상적인 또는 지나치게 형식적인 의미로 해석되지 않는 한, 명시적으로 여기에서 정의됩니다.
"포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 명세서 상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.
이하, 도면들을 참조하여 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치 및 이에 포함된 일 실시예의 광 흡수제에 대하여 설명한다.
도 1은 일 실시예의 표시 장치의 사시도이고, 도 2a 및 도 2b는 각각 일 실시예의 표시 장치의 단면도이다. 도 2a는 도 1의 I-I'선에 대응하는 부분을 나타낸 단면도이다. 도 3은 일 실시예의 표시 장치에 포함된 표시 패널을 나타낸 단면도이다. 도 4는 일 실시예의 표시 장치에 포함된 표시 패널의 평면도이고, 도 5는 도 4의 II-II'선에 대응하는 부분을 나타낸 단면도이다. 도 6은 일 실시예에 따른 발광 소자의 단면도이다. 도 7 내지 도 9는 각각 일 실시예의 표시 장치에 대한 단면도이다. 도 10은 일 실시예에 따른 발광 소자의 단면도이다.
도 1을 참조하면, 표시 장치(DS)는 표시면(IS)을 통해 영상(IM)을 표시할 수 있다. 도 1에서는 표시면(IS)이 제1 방향축(DR1) 및 제1 방향축(DR1)과 교차하는 제2 방향축(DR2)이 정의하는 면과 평행한 것으로 도시하였다. 하지만, 이는 예시적인 것으로, 다른 실시예에서 표시 장치(미도시)의 표시면(미도시)은 휘어진 형상을 가질 수 있다.
표시면(IS)의 법선 방향, 즉 표시 장치(DS)의 두께 방향은 제3 방향축(DR3)이 지시한다. 각 부재들의 전면(또는 상면)과 배면(또는 하면)은 제3 방향축(DR3)에 의해 구분된다. 그러나, 제1 내지 제3 방향축들(DR1, DR2, DR3)이 지시하는 방향은 상대적인 개념으로서 다른 방향으로 변환될 수 있다.
도 1에서 표시 장치(DS)로 휴대용 전자 기기를 예시적으로 도시하였다. 하지만, 표시 장치(DS)는 텔레비전, 모니터, 또는 외부 광고판과 같은 대형 전자장치를 비롯하여, 퍼스널 컴퓨터, 노트북 컴퓨터, 개인 디지털 단말기, 자동차 네비게이션 유닛, 게임기, 스마트폰, 태블릿, 및 카메라와 같은 중소형 전자 장치 등에 사용될 수도 있다. 또한, 이것들은 단지 실시예로서 제시된 것들로서, 본 발명의 개념에서 벗어나지 않은 이상 다른 전자 기기에도 채용될 수 있다.
표시면(IS)은 영상(IM)이 표시되는 표시 영역(DA) 및 표시 영역(DA)에 인접한 비표시 영역(NDA)을 포함한다. 비표시 영역(NDA)은 영상이 표시되지 않는 영역이다. 도 1에는 영상(IM)의 일 예로 시계 창 및 어플리케이션 아이콘들을 도시하였다.
표시 영역(DA)은 사각 형상일 수 있다. 비표시 영역(NDA)은 표시 영역(DA)을 에워쌀 수 있다. 다만, 이에 제한되지 않고, 표시 영역(DA)의 형상과 비표시 영역(NDA)의 형상은 상대적으로 디자인될 수 있다. 또한, 표시 장치(DS)의 전면에 비표시 영역(NDA)이 존재하지 않을 수도 있다.
도 1 내지 도 9에서 도시된 일 실시예의 표시 장치(DS, DS-a, DS-1, DS-1a, DS-2)에 포함된 표시 패널(DP, DP-1, DP-2)은 발광형 표시 패널일 수 있다. 예를 들어, 표시 패널(DP, DP-1, DP-2)은 유기 전계 발광(Organic Electroluminescence) 표시 패널, 또는 양자점(Quantum dot) 발광 표시 패널일 수 있다. 하지만, 실시예가 이에 제한되는 것은 아니다.
일 실시예에 따른 표시 패널(DP)은 발광 소자(OEL, OEL-1, OEL-2) 상에 배치된 봉지 부재(TFE)를 포함하는 것일 수 있다.
이하 일 실시예의 표시 장치 및 표시 패널의 설명에서는 도 1 내지 도 5에서 도시된 표시 장치(DS, DS-a) 및 표시 패널(DP)을 위주로 설명하나 실시예가 이에 한정되는 것은 아니며, 동일하거나 유사한 도면 부호를 갖는 구성에 대한 설명은 도 7 내지 도 9에서 도시된 표시 장치(DS-1, DS-1a, DS-2)의 설명에도 동일하게 적용될 수 있다.
표시 장치(DS, DS-a)에서 봉지 부재(TFE)는 광 흡수제를 포함하는 것일 수 있다. 일 실시예에서 봉지 부재(TFE)는 광 흡수제를 포함하여 표시 장치(DS, DS-a)의 외부로부터 입사되는 광 중 일부를 흡수할 수 있다. 광 흡수제를 포함한 봉지 부재(TFE)는 외부광을 흡수하여 발광 소자(OEL)로 전달되는 외부광 중 적어도 일부를 차단할 수 있다.
일 실시예의 표시 장치(DS, DS-a)에서 봉지 부재(TFE)는 두 개 이상의 질소 원자를 고리 형성 원자로 포함하는 6각 헤테로고리 및 6각 헤테로고리에 치환된 제1 내지 제3 치환기들을 포함하는 일 실시예의 광 흡수제를 포함하는 것일 수 있다.
일 실시예의 광 흡수제는 두 개 이상의 질소 원자를 고리 형성 원자로 포함하는 6각 헤테로고리 및 6각 헤테로고리에 치환되고 서로 상이한 제1 내지 제3 치환기들을 포함하는 것일 수 있다. 일 실시예의 광 흡수제에서 제1 치환기는 적어도 하나의 하이드록시기를 포함한 치환된 페닐기이고, 제2 치환기는 3개 이상의 고리가 축합된 축합환기일 수 있다.
제3 치환기는 제1 치환기 및 제2 치환기와 상이한 것일 수 있다. 제3 치환기는 알킬기, 옥시기, 티오기, 아릴기, 헤테로고리기 등일 수 있다. 예를 들어 제3 치환기는 6각 헤테로고리인 코어부에 직접 치환된 치환 또는 비치환된 옥시기, 치환 또는 비치환된 티오기이거나, 또는 6각 헤테로고리에 직접 치환된 치환 또는 비치환된 페닐기일 수 있다.
일 실시예의 광 흡수제에서 6각 헤테로고리는 트리아진 또는 피리미딘일 수 있다.
일 실시예의 광 흡수제에서 제1 치환기는 하나 이상 세 개 이하의 하이드록시가 치환된 페닐기일 수 있다. 제1 치환기는 하기 H1 내지 H5 중 어느 하나로 표시되는 것일 수 있다.
Figure PCTKR2019012652-appb-img-000023
한편, H4 및 H5에서 R은 치환 또는 비치환된 알콕시기일 수 있다. 예를 들어, H4 및 H5에서 R은 메톡시기, 운데실옥시기, 도데실옥시기, 사이클로펜톡시기, 에틸펜틸옥시기 등일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
제2 치환기는 치환 또는 비치환된 안트라센기, 치환 또는 비치환된 파이렌기, 치환 또는 비치환된 크라이센기, 치환 또는 비치환된 디벤조퓨란 유도체, 치환 또는 비치환된 카바졸 유도체, 또는 치환 또는 비치환된 플루오렌 유도체일 수 있다. 한편, 치환 또는 비치환된 디벤조퓨란 유도체의 치환기, 상기 치환 또는 비치환된 카바졸 유도체의 치환기, 및 상기 치환 또는 비치환된 플루오렌 유도체의 치환기는 수소 원자, 탄소수 1 이상 20 이하의 알킬기, 탄소수 1 이상 20 이하의 알케닐기, 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 6 이상 30 이하의 아릴기, 또는 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 2 이상 30 이하의 헤테로아릴기이거나, 또는 이웃하는 기들이 서로 결합하여 고리를 형성하는 것일 수 있다.
제2 치환기는 Ar-a 내지 Ar-h 중 어느 하나로 표시되는 것일 수 있다.
Figure PCTKR2019012652-appb-img-000024
상기 Ar-e 내지 Ar-h에서 Z는 O, S, NR a, CR bR c이고, R a 내지 R c는 각각 독립적으로 수소 원자, 중수소 원자, 할로겐 원자, 탄소수 1 이상 20 이하의 알킬기, 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 6 이상 30 이하의 아릴기, 또는 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 2 이상 30 이하의 헤테로아릴기일 수 있다.
또한, Ar-a 내지 Ar-h에서 R 11 내지 R 18은 각각 독립적으로, 수소 원자, 중수소 원자, 할로겐 원자, 탄소수 1 이상 20 이하의 알킬기, 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 6 이상 30 이하의 아릴기, 또는 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 2 이상 30 이하의 헤테로아릴기이며, m1 내지 m8은 각각 독립적으로 0 이상 4 이하의 정수일 수 있다.
m1 내지 m8이 2 이상의 정수인 경우 복수의 R 11 내지 R 18은 동일하거나 서로 상이한 것일 수 있다.
일 실시예의 광 흡수제에서 제3 치환기는 수소 원자, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 이상 30 이하의 알킬기, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 이상 20 이하의 알콕시기, 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 6 이상 30 이하의 아릴옥시기, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 이상 20 이하의 알킬티오기, 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 6 이상 30 이하의 아릴티오기, 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 2 이상 30 이하의 헤테로고리기, 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 6 이상 30 이하의 아릴기일 수 있다. 예를 들어, 제3 치환기는 치환 또는 비치환된 탄소수 1 이상 20 이하의 알콕시기, 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 6 이상 30 이하의 아릴옥시기, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 이상 20 이하의 알킬티오기, 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 6 이상 30 이하의 아릴티오기, 또는 치환 또는 비치환된 페닐기일 수 있다.
제3 치환기는 S1 내지 S15 중 어느 하나로 표시되는 것일 수 있다.
Figure PCTKR2019012652-appb-img-000025
한편, 본 명세서에서 "치환 또는 비치환된"은 중수소 원자, 할로겐 원자, 시아노기, 니트로기, 아미노기, 실릴기, 옥시기, 티오기, 설피닐기, 설포닐기, 카보닐기, 붕소기, 포스핀 옥사이드기, 포스핀 설파이드기, 알킬기, 알케닐기, 알콕시기, 탄화수소 고리기, 아릴기 및 헤테로고리기로 이루어진 군에서 선택되는 1개 이상의 치환기로 치환 또는 비치환된 것을 의미할 수 있다. 또한, 상기 예시된 치환기 각각은 치환 또는 비치환된 것일 수 있다. 예를 들어, 바이페닐기는 아릴기로 해석될 수도 있고, 페닐기로 치환된 페닐기로 해석될 수도 있다.
본 명세서에서, "인접하는 기와 서로 결합하여 고리를 형성"한다는 인접하는 기와 서로 결합하여 치환 또는 비치환된 탄화수소 고리, 또는 치환 또는 비치환된 헤테로 고리를 형성하는 것을 의미할 수 있다. 탄화수소 고리는 지방족 탄화수소 고리 및 방향족 탄화수소 고리를 포함한다. 헤테로 고리는 지방족 헤테로 고리 및 방향족 헤테로 고리를 포함한다. 탄화수소 고리 및 헤테로 고리는 단환 또는 다환일 수 있다. 또한, 서로 결합하여 형성된 고리는 다른 고리와 연결되어 스피로 구조를 형성하는 것일 수도 있다.
본 명세서에서, "인접하는 기"는 해당 치환기가 치환된 원자와 직접 연결된 원자에 치환된 치환기, 해당 치환기가 치환된 원자에 치환된 다른 치환기 또는 해당 치환기와 입체구조적으로 가장 인접한 치환기를 의미할 수 있다. 예컨대, 1,2-디메틸벤젠(1,2-dimethylbenzene)에서 2개의 메틸기는 서로 "인접하는 기"로 해석될 수 있고, 1,1-디에틸시클로펜테인(1,1-diethylcyclopentene)에서 2개의 에틸기는 서로 "인접하는 기"로 해석될 수 있다.
본 명세서에서, 할로겐 원자의 예로는 불소 원자, 염소 원자, 브롬 원자 또는 요오드 원자가 있다.
본 명세서에서, 알킬기는 직쇄, 분지쇄 또는 고리형일 수 있다. 알킬기의 탄소수는 1 이상 50 이하, 1 이상 30 이하, 1 이상 20 이하, 1 이상 10 이하 또는 1 이상 6 이하이다. 알킬기의 예로는 메틸기, 에틸기, n-프로필기, 이소프로필기, n-부틸기, s-부틸기, t-부틸기, i-부틸기, 2- 에틸부틸기, 3, 3-디메틸부틸기, n-펜틸기, i-펜틸기, 네오펜틸기, t-펜틸기, 시클로펜틸기, 1-메틸펜틸기, 3-메틸펜틸기, 2-에틸펜틸기, 4-메틸-2-펜틸기, n-헥실기, 1-메틸헥실기, 2-에틸헥실기, 2-부틸헥실기, 시클로헥실기, 4-메틸시클로헥실기, 4-t-부틸시클로헥실기, n-헵틸기, 1-메틸헵틸기, 2,2-디메틸헵틸기, 2-에틸헵틸기, 2-부틸헵틸기, n-옥틸기, t-옥틸기, 2-에틸옥틸기, 2-부틸옥틸기, 2-헥실옥틸기, 3,7-디메틸옥틸기, 시클로옥틸기, n-노닐기, n-데실기, 아다만틸기, 2-에틸데실기, 2-부틸데실기, 2-헥실데실기, 2-옥틸데실기, n-운데실기, n-도데실기, 2-에틸도데실기, 2-부틸도데실기, 2-헥실도데실기, 2-옥틸도데실기, n-트리데실기, n-테트라데실기, n-펜타데실기, n-헥사데실기, 2-에틸헥사데실기, 2-부틸헥사데실기, 2-헥실헥사데실기, 2-옥틸헥사데실기, n-헵타데실기, n-옥타데실기, n-노나데실기, n-이코실기, 2-에틸이코실기, 2-부틸이코실기, 2-헥실이코실기, 2-옥틸이코실기, n-헨이코실기, n-도코실기, n-트리코실기, n-테트라코실기, n-펜타코실기, n-헥사코실기, n-헵타코실기, n-옥타코실기, n-노나코실기, 및 n-트리아콘틸기 등을 들 수 있지만, 이들에 한정되지 않는다.
본 명세서에서, 지방족 탄화수소 고리기는 지방족 탄화수소 고리로부터 유도된 임의의 작용기 또는 치환기를 의미한다. 지방족 탄화수소 고리기는 고리 형성 탄소수 5 이상 20 이하의 포화 탄화수소 고리기일 수 있다.
본 명세서에서, 아릴기는 방향족 탄화수소 고리로부터 유도된 임의의 작용기 또는 치환기를 의미한다. 아릴기는 단환식 아릴기 또는 다환식 아릴기일 수 있다. 아릴기의 고리 형성 탄소수는 6 이상 30 이하, 6 이상 20 이하, 또는 6 이상 15 이하일 수 있다. 아릴기의 예로는 페닐기, 나프틸기, 플루오레닐기, 안트라세닐기, 페난트릴기, 바이페닐기, 터페닐기, 쿼터페닐기, 퀸크페닐기, 섹시페닐기, 트리페닐에닐기, 피레닐기, 벤조 플루오란테닐기, 크리세닐기 등을 예시할 수 있지만, 이들에 한정되지 않는다.
본 명세서에서, 플루오레닐기는 치환될 수 있고, 치환기 2개가 서로 결합하여 스피로 구조를 형성할 수도 있다. 플루오레닐기가 치환되는 경우의 예시는 하기와 같다. 다만, 이에 의하여 한정되는 것은 아니다.
Figure PCTKR2019012652-appb-img-000026
본 명세서에서, 헤테로고리기는 헤테로 원자로 B, O, N, P, Si 및 S 중 1개 이상을 포함하는 고리로부터 유도된 임의의 작용기 또는 치환기를 의미한다. 헤테로고리기는 지방족 헤테로고리기 및 방향족 헤테로고리기를 포함한다. 방향족 헤테로고리기는 헤테로아릴기일 수 있다. 지방족 헤테로 고리 및 방향족 헤테로 고리는 단환 또는 다환일 수 있다.
본 명세서에서, 지방족 헤테로고리기는 헤테로 원자로 B, O, N, P, Si 및 S 중 1개 이상을 포함하는 것일 수 있다. 지방족 헤테로고리기가 헤테로 원자를 2개 이상 포함할 경우, 2개 이상의 헤테로 원자는 서로 동일할 수도 있고, 상이할 수도 있다. 지방족 헤테로고리기는 고리 형성 탄소수는 2 이상 30 이하, 2 이상 20 이하, 또는 2 이상 10 이하일 수 있다. 지방족 헤테로고리기의 예로는 옥시란기, 티이란기, 피롤리딘기, 피페리딘기, 테트라하이드로퓨란기, 테트라하이드로티오펜기, 티안기, 테트라하이드로피란기, 1,4-디옥산기 등이 있으나 이들에 한정되지 않는다.
본 명세서에서, 헤테로아릴기는 헤테로 원자로 B, O, N, P, Si 및 S 중 1개 이상을 포함하는 것일 수 있다. 헤테로아릴기가 헤테로 원자를 2개 이상 포함할 경우, 2개 이상의 헤테로 원자는 서로 동일할 수도 있고, 상이할 수도 있다. 헤테로아릴기는 단환식 헤테로고리기 또는 다환식 헤테로고리기일 수 있다. 헤테로아릴기의 고리 형성 탄소수는 2 이상 30 이하, 2 이상 20 이하, 또는 2 이상 10 이하일 수 있다. 헤테로아릴기의 예로는 티오펜기, 퓨란기, 피롤기, 이미다졸기, 트리아졸기, 피리딘기, 비피리딘기, 피리미딘기, 트리아진기, 트리아졸기, 아크리딜기, 피리다진기, 피라지닐기, 퀴놀린기, 퀴나졸린기, 퀴녹살린기, 페녹사진기, 프탈라진기, 피리도 피리미딘기, 피리도 피라진기, 피라지노 피라진기, 이소퀴놀린기, 인돌기, 카바졸기, N-아릴카바졸기, N-헤테로아릴카바졸기, N-알킬카바졸기, 벤조옥사졸기, 벤조이미다졸기, 벤조티아졸기, 벤조카바졸기, 벤조티오펜기, 디벤조티오펜기, 티에노티오펜기, 벤조퓨란기, 페난트롤린기, 티아졸기, 이소옥사졸기, 옥사졸기, 옥사디아졸기, 티아디아졸기, 페노티아진기, 디벤조실롤기 및 디벤조퓨란기 등이 있으나, 이들에 한정되지 않는다.
본 명세서에서, 아미노기의 탄소수는 특별히 한정되지 않으나, 1 이상 30 이하일 수 있다. 아미노기는 알킬 아미노기, 아릴 아미노기, 또는 헤테로아릴 아미노기를 포함할 수 있다. 아미노기의 예로는 메틸아미노기, 디메틸아미노기, 페닐아미노기, 디페닐아미노기, 나프틸아미노기, 9-메틸-안트라세닐아미노기, 트리페닐아미노기 등이 있으나, 이들에 한정되지 않는다.
본 명세서에서, 티오기는 알킬 티오기 및 아릴 티오기를 포함할 수 있다.
본 명세서에서, 옥시기는 알콕시기 및 아릴 옥시기를 포함할 수 있다. 알콕시기는 직쇄, 분지쇄 또는 고리쇄일 수 있다. 알콕시기의 탄소수는 특별히 한정되지 않으나, 예를 들어 1 이상 20 이하 또는 1 이상 10 이하인 것일 수 있다. 옥시기의 예로는 메톡시, 에톡시, n-프로폭시, 이소프로폭시, 부톡시, 펜틸옥시, 헥실옥시, 옥틸옥시, 노닐옥시, 데실옥시, 벤질옥시 등이 있으나, 이들에 한정되는 것은 아니다.
본 명세서에서, 알케닐기는 직쇄 또는 분지쇄일 수 있다. 탄소수는 특별히 한정되지 않으나, 2 이상 30 이하, 2 이상 20 이하 또는 2 이상 10 이하이다. 알케닐기의 예로는 비닐기, 1-부테닐기, 1-펜테닐기, 1,3-부타디에닐 아릴기, 스티레닐기, 스티릴비닐기 등이 있으나, 이들에 한정되지 않는다.
본 명세서에서, 아민기의 탄소수는 특별히 한정되지 않으나, 1 이상 30 이하일 수 있다. 아민기는 알킬 아민기 및 아릴 아민기를 포함할 수 있다. 아민기의 예로는 메틸아민기, 디메틸아민기, 페닐아민기, 디페닐아민기, 나프틸아민기, 9-메틸-안트라세닐아민기, 트리페닐아민기 등이 있으나, 이들에 한정되지 않는다.
본 명세서에서, 알킬티오기, 알킬설폭시기, 알킬아릴기, 알킬아미노기, 알킬 붕소기, 알킬 실릴기, 알킬 아민기 중 알킬기는 전술한 알킬기의 예시와 같다.
본 명세서에서, 아릴옥시기, 아릴티오기, 아릴설폭시기, 아릴아미노기, 아릴 붕소기, 아릴 실릴기, 아릴 아민기 중의 아릴기는 전술한 아릴기의 예시와 같다
한편, 본 명세서에서 "
Figure PCTKR2019012652-appb-img-000027
"는 연결되는 위치를 의미한다.
일 실시예의 광 흡수제에서 제1 치환기는 적어도 하나의 하이드록시기(-OH)를 포함하는 것으로 광을 흡수하여 열 에너지로 변환하는 부분일 수 있다. 또한, 제2 치환기는 광 흡수제가 흡수하는 광의 파장 영역을 조절하는 부분일 수 있다. 제3 치환기는 일 실시예의 광 흡수제의 상용성(solubility)을 조절하는 부분일 수 있다.
일 실시예의 광 흡수제는 자외선 파장 영역의 광을 흡수하는 것일 수 있다. 예를 들어, 일 실시예의 광 흡수제는 405nm 이하 파장 영역의 광을 주로 흡수하는 것일 수 있다. 일 실시예의 광 흡수제는 380nm 이상 405nm 이하 파장 영역의 광을 주로 흡수하는 것일 수 있다.
일 실시예의 광 흡수제는 하기 화학식 1 또는 화학식 2로 표시될 수 있다.
[화학식 1]
Figure PCTKR2019012652-appb-img-000028
[화학식 2]
Figure PCTKR2019012652-appb-img-000029
상기 화학식 1에서, Y 1 내지 Y 3 중 두 개는 N이고 나머지는 CH일 수 있다.
화학식 1은 일 실시예의 광 흡수제에서 코어부가 피리미딘인 경우를 나타낸 것이고, 화학식 2는 일 실시예의 광 흡수제에서 코어부가 트리아진인 경우를 나타낸 것이다.
화학식 1 및 화학식 2에서, Ar은 고리 형성 탄소수 13 이상 60 이하의 치환 또는 비치환된 아릴기, 또는 고리 형성 탄소수 12 이상 60 이하의 치환 또는 비치환된 헤테로아릴기일 수 있다. 또한, 화학식 1 및 화학식 2에서 R 2 내지 R 5는 각각 독립적으로, 수소 원자, 중수소 원자, 할로겐 원자, 시아노기, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 이상 30 이하의 알킬기, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 이상 20 이하의 알콕시기, 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 6 이상 30 이하의 아릴옥시기, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 이상 30 이하의 알킬 아민기, 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 6 이상 30 이하의 아릴 아민기, 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 2 이상 30 이하의 헤테로고리기, 또는 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 6 이상 30 이하의 아릴기일 수 있다.
한편, 화학식 1에서 R 1은 수소 원자, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 이상 30 이하의 알킬기, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 이상 20 이하의 알콕시기, 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 6 이상 30 이하의 아릴옥시기, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 이상 20 이하의 알킬티오기, 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 6 이상 30 이하의 아릴티오기, 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 2 이상 30 이하의 헤테로고리기, 또는 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 6 이상 30 이하의 아릴기일 수 있다. 예를 들어, 화학식 1에서 R 1은 치환 또는 비치환된 탄소수 1 이상 20 이하의 알콕시기, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 이상 20 이하의 알킬티오기, 또는 비치환된 페닐기일 수 있다.
화학식 1로 표시되는 광 흡수제는 서로 상이한 3개의 치환기들을 포함하며, 3개의 치환기들은 각각
Figure PCTKR2019012652-appb-img-000030
,
Figure PCTKR2019012652-appb-img-000031
,
Figure PCTKR2019012652-appb-img-000032
일 수 있다. 또한, 화학식 2로 표시되는 광 흡수제는 각각,
Figure PCTKR2019012652-appb-img-000033
,
Figure PCTKR2019012652-appb-img-000034
, 및
Figure PCTKR2019012652-appb-img-000035
의 서로 상이한 3개의 치환기들을 포함하는 것일 수 있다.
3개의 치환기들 중 "
Figure PCTKR2019012652-appb-img-000036
"은 광을 흡수하여 열 에너지로 변환하는 부분일 수 있다. 또한, "
Figure PCTKR2019012652-appb-img-000037
"은 3환 이상의 고리를 갖는 축합환을 포함하는 것으로 광 흡수제가 흡수하는 광의 파장 영역을 조절하는 부분일 수 있다. "
Figure PCTKR2019012652-appb-img-000038
" 또는 "
Figure PCTKR2019012652-appb-img-000039
"은 일 실시예의 광 흡수제의 상용성(solubility)을 조절하는 부분일 수 있다. 특히, R 1이 치환 또는 비치환된 알콕시이거나, R 6이 치환 또는 비치환된 알킬기인 경우 일 실시예의 광 흡수제의 상용성이 보다 개선될 수 있다.
화학식 1 및 화학식 2에서 Ar은 하기 Ar-a 내지 Ar-h 중 어느 하나로 표시될 수 있다.
Figure PCTKR2019012652-appb-img-000040
Figure PCTKR2019012652-appb-img-000041
상기 Ar-a 내지 Ar-h에서 R 11 내지 R 18은 각각 독립적으로, 수소 원자, 중수소 원자, 할로겐 원자, 탄소수 1 이상 20 이하의 알킬기, 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 6 이상 30 이하의 아릴기, 또는 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 2 이상 30 이하의 헤테로아릴기이며, m1 내지 m8은 각각 독립적으로 0 이상 4 이하의 정수이다.
m1 내지 m8이 0인 경우 Ar-a 내지 Ar-h는 각각 비치환된 것일 수 있다. 예를 들어, Ar은 비치환된 안트라센, 비치환된 페난트렌, 비치환된 파이렌, 또는 비치환된 크라이센일 수 있다.
화학식 1은 화학식 1-1 내지 화학식 1-4 중 어느 하나로 표시되는 것일 수 있다.
[화학식 1-1]
Figure PCTKR2019012652-appb-img-000042
[화학식 1-2]
Figure PCTKR2019012652-appb-img-000043
[화학식 1-3]
Figure PCTKR2019012652-appb-img-000044
[화학식 1-4]
Figure PCTKR2019012652-appb-img-000045
또한 화학식 2는 화학식 2-1 내지 화학식 2-4 중 어느 하나로 표시되는 것일 수 있다.
[화학식 2-1]
Figure PCTKR2019012652-appb-img-000046
[화학식 2]
Figure PCTKR2019012652-appb-img-000047
[화학식 2-3]
Figure PCTKR2019012652-appb-img-000048
[화학식 2-4]
Figure PCTKR2019012652-appb-img-000049
화학식 1-1 및 2-1은 코어부인 6각 헤테로고리에 치환된 페닐기가 하나의 하이드록시기를 포함하는 것이고, 화학식 1-2와 화학식 2-2, 및 화학식 1-3과 화학식 2-3은 6각 헤테로고리에 치환된 페닐기가 두 개의 하이드록시기를 포함하는 것이고, 화학식 1-4 및 화학식 2-4는 6각 헤테로고리에 치환된 페닐기가 세 개의 하이드록시기를 포함하는 것이다. 한편, 화학식 1-2와 화학식 2-2는 두 개의 하이드록시기가 모두 코어부인 6각 헤테로고리와 오르쏘(ortho) 위치에 치환된 경우를 나타낸 것이고, 화학식 1-3과 화학식 2-3은 두 개의 하이드록시기 중 하나는 6각 헤테로고리와 오르쏘(ortho) 위치에 치환되고, 나머지 하나의 하이드록시기는 6각 헤테로고리와 파라(para) 위치에 치환된 경우를 나타낸 것이다.
상기 화학식 1-1 내지 화학식 1-4에서 Ar, Y 1 내지 Y 3, R 1, 및 R 4에 대하여는 상술한 화학식 1에서 설명한 내용과 동일한 내용이 적용될 수 있다. 또한, 상기 화학식 2-1 내지 화학식 2-4에서 X, Ar, R 4, 및 R 6에 대하여는 상술한 화학식 1 및 화학식 2에서 설명한 내용과 동일한 내용이 적용될 수 있다.
한편, 화학식 1로 표시되는 일 실시예의 광 흡수제에서 Y 1 내지 Y 3 중 선택되는 두 개가 질소원자(N)일 수 있다. 즉, 화학식 1에서 Y 1 내지 Y 3 중 선택되는 두 개는 질소원자(N)이고 나머지는 CH일 수 있다. 예를 들어, Y 1 -및 Y 2가 질소원자이고 Y 3은 CH이거나, Y 1 -및 Y 3이 질소원자이고 Y 2는 CH이거나, 또는 Y 2 -및 Y 3이 질소원자이고 Y 2가 CH일 수 있다.
화학식 1로 표시되는 일 실시예의 광 흡수제는 하기 화학식 1-A 내지 화학식 1-C 중 어느 하나로 표시될 수 있다. 화학식 1-A 내지 화학식 1-C는 코어부가 피리미딘인 일 실시예의 광 흡수제를 나타낸 것이다. 화학식 1-A 내지 화학식 1-C는 피리미딘인 코어부에서 질소 원자의 배치 위치가 서로 다른 경우를 나타낸 것이다 화학식 1-A는 화학식 1에서 Y 1 -및 Y 3이 질소원자인 경우이고, 화학식 1-B는 화학식 1에서 Y 1 -및 Y 2가 질소원자인 경우를 나타내며, 화학식 1-C는 화학식 1에서 Y 2 -및 Y 3이 질소원자인 경우를 나타낸 것이다.
[화학식 1-A]
Figure PCTKR2019012652-appb-img-000050
[화학식 1-B]
Figure PCTKR2019012652-appb-img-000051
[화학식 1-C]
Figure PCTKR2019012652-appb-img-000052
상기 화학식 1-A 내지 화학식 1-C에서 Y 1 내지 Y 3, Ar, 및 R 1 내지 R 5에 대하여는 상술한 화학식 1에서 설명한 내용과 동일한 내용이 적용될 수 있다.
일 실시예의 광 흡수제는 하기 화합물군 1에 표시된 화합물들 중 어느 하나로 표시될 수 있다. 화학식 1로 표시되는 광 흡수제는 하기 화합물군 1에 표시된 화합물들 중 어느 하나로 표시될 수 있다.
[화합물군 1]
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일 실시예의 광 흡수제는 하기 화합물군 2에 표시된 화합물들 중 어느 하나로 표시될 수 있다. 화학식 2로 표시되는 광 흡수제는 하기 화합물군 2에 표시된 화합물들 중 어느 하나로 표시될 수 있다.
[화합물군 2]
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일 실시예의 표시 장치(DS, DS-a)는 상술한 화합물군 1 또는 화합물군 2의 화합물들 중 적어도 하나를 광 흡수제로 포함할 수 있다. 일 실시예에서 봉지 부재(TFE)는 화합물군 1 또는 화합물군 2의 화합물들 중 적어도 하나를 광 흡수제로 포함할 수 있다.
상술한 일 실시예의 광 흡수제는 표시 장치에 포함되어 표시 장치로 입사되는 광 중 일부를 흡수하는 것일 수 있다. 예를 들어, 일 실시예의 광 흡수제는 자외선 파장 영역의 광을 흡수하는 것일 수 있다. 일 실시예의 광 흡수제는 표시 장치의 외부광 중 일부를 흡수하는 것일 수 있다.
일 실시예의 광 흡수제는 405nm 파장 영역의 광을 주로 흡수하는 것일 수 있다. 일 실시예의 광 흡수제는 380nm 이상 410nm 이하 파장 영역의 광을 주로 흡수하는 것일 수 있다.
도 1 내지 도 5에서, 일 실시예의 표시 장치(DS, DS-a)는 상술한 일 실시예의 광 흡수제를 포함하는 것일 수 있다. 일 실시예의 표시 장치(DS, DS-a)의 표시 패널(DP)은 봉지 부재(TFE)를 포함하고, 봉지 부재(TFE)는 상술한 일 실시예의 광 흡수제를 포함하는 것일 수 있다. 일 실시예의 표시 장치(DS, DS-a)는 상술한 일 실시예의 광 흡수제를 봉지 부재(TFE)에 포함하여 외부광이 발광 소자(OEL)로 입사되는 것을 방지할 수 있다.
또한, 이후 설명하는 도 7 내지 도 9에 도시된 일 실시예에 따른 표시 장치(DS-1, DS-1a, DS-2)는 상술한 일 실시예의 광 흡수제를 포함하는 것일 수 있다. 일 실시예의 표시 장치(DS-1, DS-1a, DS-2)의 표시 패널(DP-1, DP-2)은 봉지 부재(TFE)를 포함하고, 봉지 부재(TFE)는 상술한 일 실시예의 광 흡수제를 포함하는 것일 수 있다. 일 실시예의 표시 장치(DS-1, DS-1a, DS-2)는 상술한 일 실시예의 광 흡수제를 봉지 부재(TFE)에 포함하여 외부광이 발광 소자(OEL-1, OEL-2)로 입사되는 것을 방지할 수 있다.
도 2a를 참조하면, 일 실시예의 표시 장치(DS)는 표시 패널(DP), 표시 패널(DP) 상에 배치된 입력 감지 유닛(TP), 및 표시 패널(DP) 상에 배치된 편광 부재(PP)를 포함할 수 있다. 편광 부재(PP)는 입력 감지 유닛(TP) 상에 배치될 수 있다.
일 실시예의 표시 장치(DS)에서 표시 패널(DP)은 유기 전계 발광 표시 패널일 수 있다. 표시 패널(DP)은 베이스층(BL), 베이스층(BL) 상에 제공된 회로층(CL) 및 표시 소자층(DD)을 포함하는 것일 수 있다.
베이스층(BL)은 표시 소자층(DD)이 배치되는 베이스 면을 제공하는 부재일 수 있다. 베이스층(BL)은 유리기판, 금속기판, 플라스틱기판 등일 수 있다. 하지만, 실시예가 이에 한정되는 것은 아니며 베이스층(BL)은 무기층, 유기층 또는 복합재료층일 수 있다.
일 실시예에서 회로층(CL)은 베이스층(BL) 상에 배치되고, 회로층(CL)은 복수의 트랜지스터들(미도시)를 포함하는 것일 수 있다. 트랜지스터들(미도시)은 각각 제어 전극, 입력 전극, 및 출력 전극을 포함하는 것일 수 있다. 예를 들어, 회로층(CL)은 발광 소자(OEL)를 구동하기 위한 스위칭 트랜지스터 및 구동 트랜지스터를 포함하는 것일 수 있다.
편광 부재(PP)는 외부에서 표시 패널(DP)로 제공되는 외부광을 차단하는 것일 수 있다. 편광 부재(PP)는 외부광 중 일부를 차단할 수 있으며, 예를 들어 편광 부재(PP)는 380nm 파장 이하의 광을 차단하는 것일 수 있다.
또는, 편광 부재(PP)는 외부광에 의해 표시 패널(DP)에서 발생하는 반사광을 저감시키는 것일 수 있다. 예를 들어, 편광 부재(PP)는 표시 장치(DS)의 외부에서 제공되는 광이 표시 패널(DP)로 입사되어 다시 출사되는 경우의 반사광을 차단하는 기능을 하는 것일 수 있다. 편광 부재(PP)는 반사 방지 기능을 갖는 원편광자이거나 또는 편광 부재(PP)는 선편광자와 λ/4 위상 지연자를 포함하는 것일 수 있다.
입력 감지 유닛(TP)은 사용자의 직접 터치, 사용자의 간접 터치, 물체의 직접 터치 또는 물체의 간접 터치를 인식하는 것일 수 있다. 한편, 입력 감지 유닛(TP)은 외부에서 인가되는 터치의 위치 및 터치의 세기(압력) 중 적어도 어느 하나를 감지할 수 있다. 본 발명의 일 실시예에서의 입력 감지 유닛(TP)은 다양한 구조를 갖거나 다양한 물질로 구성될 수 있으며, 어느 하나의 실시예로 한정되지 않는다. 예를 들어, 일 실시예의 표시 장치(DS)에서 입력 감지 유닛(TP)은 터치를 감지하는 터치 감지 유닛일 수 있다.
또한, 일 실시예의 표시 장치(DS)는 윈도우 부재(WP)를 더 포함하는 것일 수 있다. 윈도우 부재(WP)는 표시 장치(DS)의 전면을 정의할 수 있다. 윈도우 부재(WP)는 외부 충격으로부터 표시 장치(DS)의 내부 구성요소들을 안정적으로 보호할 수 있다. 윈도우 부재(WP)는 유리 기판을 포함하여 형성되거나 또는 플라스틱 기판을 포함하여 형성되는 것일 수 있다.
한편, 도 2a에 도시된 단면도에서는 표시 장치(DS)가 입력 감지 유닛(TP), 편광 부재(PP), 및 윈도우 부재(WP)를 모두 포함하는 것으로 도시되고 있으나, 실시예가 이에 한정되는 것은 아니다. 일 실시예의 표시 장치(DS)에서 입력 감지 유닛(TP), 편광 부재(PP), 및 윈도우 부재(WP) 중 적어도 하나는 생략될 수 있다. 예를 들어, 일 실시예의 표시 장치(DS)에서 입력 감지 유닛(TP) 또는 윈도우 부재(WP)가 생략될 수 있다. 또한, 이와 달리 일 실시예의 표시 장치(DS)에서 편광 부재(PP) 또는 윈도우 부재(WP)가 생략될 수 있다.
도 2a에 도시된 일 실시예의 표시 장치(DS)는 각 부재들을 결합시키기 위한 접착 부재(미도시)를 더 포함할 수 있다. 접착 부재(미도시)는 광학 투명 접착층(OCA 또는 OCR)일 수 있다. 접착 부재(미도시)는 입력 감지 유닛(TP)과 편광 부재(PP) 사이, 또는 편광 부재(PP)와 윈도우 부재(WP) 사이 등에 배치될 수 있다.
도 2a에 도시된 일 실시예의 표시 장치(DS)에서 표시 패널(DP) 상에 제공되는 적어도 하나의 부재는 광 차단물질을 포함하는 것일 수 있다. 예를 들어, 입력 감지 유닛(TP), 편광 부재(PP), 윈도우 부재(WP), 및 접착 부재(미도시) 중 적어도 하나는 광 차단물질로 자외선광 흡수제를 포함하는 것일 수 있다. 한편, 입력 감지 유닛(TP), 편광 부재(PP), 윈도우 부재(WP), 및 접착 부재(미도시) 중 적어도 하나는 광 차단물질로 상술한 일 실시예의 광 흡수제 또는 공지의 자외선광 흡수제를 포함하는 것일 수 있다.
도 2b는 일 실시예의 표시 장치(DS-a)의 단면도를 나타낸 것으로, 표시 장치(DS-a)는 표시 패널(DP) 및 표시 패널(DP) 상에 제공된 광차단층(LBL)을 포함하는 것일 수 있다. 광차단층(LBL)은 표시 패널(DP)의 외부로부터 제공되는 광을 차단하는 것으로 예를 들어, 자외선광을 차단하는 것일 수 있다. 광차단층(LBL)은 필름 형태로 제공되는 것일 수 있다. 광차단층(LBL)은 고분자를 포함하여 형성된 필름 형태로 표시 패널(DP) 상에 제공될 수 있다. 일 실시예의 표시 장치(DS-a)에서 표시 패널(DP)은 유기 전계 발광 표시 패널일 수 있다. 표시 장치(DS-a)에서 표시 패널(DP)은 베이스층(BL), 회로층(CL), 및 표시 소자층(DD)을 포함하는 것일 수 있다.도 3은 일 실시예의 표시 패널(DP)의 단면을 나타낸 것으로 표시 패널(DP)은 제3 방향축(DR3) 방향으로 순차적으로 적층된 베이스층(BL), 회로층(CL), 및 표시 소자층(DD)을 포함하는 것일 수 있다. 표시 소자층(DD)은 발광 소자(OEL) 및 봉지 부재(TFE)를 포함하는 것일 수 있다. 일 실시예에서 발광 소자(OEL)는 유기 전계 발광 소자일 수 있다.
봉지 부재(TFE)는 발광 소자(OEL) 상에 배치되는 것일 수 있다. 봉지 부재(TFE)는 발광 소자(OEL)를 커버하는 것일 수 있다. 발광 소자(OEL)는 봉지 부재(TFE)에 의해 밀봉되는 것일 수 있다.
도 4는 일 실시예에 따른 표시 장치(DS)에 포함된 표시 패널(DP)의 일부를 확대하여 도시한 평면도이다. 도 5는 일 실시예에 따른 표시 패널(DP)의 단면도로 도 5는 도 4의 II-II'선에 대응하는 부분을 나타낸 단면도이다.
도 4 및 도 5를 참조하면, 표시 패널(DP)은 비발광 영역(NPXA) 및 발광영역들(PXA-R, PXA-G, PXA-B)을 포함할 수 있다. 발광 영역들(PXA-R, PXA-G, PXA-B) 각각은 발광 소자(OEL)에서 생성된 광이 방출되는 영역일 수 있다. 발광 영역들(PXA-R, PXA-G, PXA-B) 각각의 면적은 서로 상이할 수 있으며, 이때 면적은 평면 상에서 보았을 때의 면적을 의미할 수 있다.
발광 영역들(PXA-R, PXA-G, PXA-B)은 발광 소자(OEL)에서 생성되는 광의 컬러에 따라 복수 개의 그룹으로 구분될 수 있다. 도 4 및 도 5에 도시된 일 실시예의 표시 패널(DP)에는 적색광, 녹색광, 청색광을 발광하는 3개의 발광 영역들(PXA-R, PXA-G, PXA-B)을 예시적으로 도시하였다.
발광 영역들(PXA-R, PXA-G, PXA-B)은 발광 소자(OEL)의 발광층(EML)에서 발광하는 컬러에 따라 다른 면적을 가질 수 있다. 예를 들어, 도 4를 참조하면, 일 실시예의 표시 패널(DP)에서는 청색광을 방출하는 발광 소자의 청색 발광 영역(PXA-B)이 가장 큰 면적을 갖고, 녹색광을 생성하는 발광 소자의 녹색 발광 영역(PXA-G)이 가장 작은 면적을 가질 수 있다. 하지만, 실시예가 이에 한정되는 것은 아니며, 발광 영역들(PXA-R, PXA-G, PXA-B)은 적색광, 녹색광, 청색광 이외의 다른 색의 광을 발광하는 것이거나, 또는 발광 영역들(PXA-R, PXA-G, PXA-B)은 동일한 면적을 가지거나, 또는 도 4에서 도시된 것과 다른 면적 비율로 발광영역들(PXA-R, PXA-G, PXA-B)이 제공될 수 있다.
발광 영역들(PXA-R, PXA-G, PXA-B) 각각은 화소 정의막(PDL)으로 구분되는 영역일 수 있다. 비발광 영역들(NPXA)은 이웃하는 발광 영역들(PXA-R, PXA-G, PXA-B) 사이의 영역들로 화소 정의막(PDL)과 대응하는 영역일 수 있다. 한편, 본 명세서에서 발광 영역들(PXA-R, PXA-G, PXA-B) 각각은 화소(Pixel)에 대응하는 것일 수 있다.
화소 정의막(PDL)은 고분자 수지로 형성될 수 있다. 예를 들어, 화소 정의막(PDL)은 폴리아크릴레이트(Polyacrylate)계 수지 또는 폴리이미드(Polyimide)계 수지를 포함하여 형성될 수 있다. 또한, 화소 정의막(PDL)은 고분자 수지 이외에 무기물을 더 포함하여 형성될 수 있다. 한편, 화소 정의막(PDL)은 광흡수 물질을 포함하여 형성되거나, 블랙 안료 또는 블랙 염료를 포함하여 형성될 수 있다. 블랙 안료 또는 블랙 염료를 포함하여 형성된 화소 정의막(PDL)은 블랙화소정의막을 구현할 수 있다. 화소 정의막(PDL) 형성 시 블랙 안료 또는 블랙 염료로는 카본 블랙 등이 사용될 수 있으나 실시예가 이에 한정되는 것은 아니다.
또한, 화소 정의막(PDL)은 무기물로 형성될 수 있다. 예를 들어, 화소 정의막(PDL)은 질화규소(SiNx), 산화규소(SiOx), 질산화규소(SiOxNy) 등을 포함하여 형성되는 것일 수 있다. 화소 정의막(PDL)은 발광 영역들(PXA-R, PXA-G, PXA-B)을 정의하는 것일 수 있다. 화소 정의막(PDL)에 의해 발광 영역들(PXA-R, PXA-G, PXA-B) 과 비발광 영역(NPXA)이 구분될 수 있다.
청색 발광 영역들(PXA-B)과 적색 발광 영역들(PXA-R)은 제1 방향축(DR1)을 따라 번갈아 배열되어 제1 그룹(PXG1)을 구성할 수 있다. 녹색 발광 영역들(PXA-G)은 제1 방향축(DR1)을 따라 배열되어 제2 그룹(PXG2)을 구성할 수 있다.
제1 그룹(PXG1)은 제2 그룹(PXG2)에 대하여 제2 방향축(DR2) 방향으로 이격되어 배치될 수 있다. 제1 그룹(PXG1) 및 제2 그룹(PXG2) 각각은 복수로 제공될 수 있다. 제1 그룹들(PXG1)과 제2 그룹들(PXG2)은 제2 방향축(DR2)을 따라 서로 번갈아 배열될 수 있다.
하나의 녹색 발광 영역(PXA-G)은 하나의 청색 발광 영역(PXA-B) 또는 하나의 적색 발광 영역(PXA-R)으로부터 제4 방향축(DR4) 방향으로 이격되어 배치될 수 있다. 제4 방향축(DR4) 방향은 제1 방향축(DR1) 방향 및 제2 방향축(DR2) 방향 사이의 방향일 수 있다.
도 4에 도시된 발광 영역들(PXA-R, PXA-G, PXA-B)의 배열 구조는 펜타일 구조라 명칭될 수 있다. 다만, 일 실시예에 따른 표시 패널(DP)에서의 발광 영역들(PXA-R, PXA-G, PXA-B)의 배열 구조는 도 4에 도시된 배열 구조에 제한되는 것은 아니다. 예를 들어, 일 실시예에서 발광 영역들(PXA-R, PXA-G, PXA-B)은 제1 방향축(DR1)을 따라, 적색 발광 영역(PXA-R), 녹색 발광 영역(PXA-G), 및 청색 발광 영역(PXA-B)이 순차적으로 번갈아 가며 배열되는 스트라이프 구조를 가질 수도 있다.
일 실시예에서 발광 소자(OEL)는 서로 마주하는 제1 전극(EL1)과 제2 전극(EL2), 및 제1 전극(EL1)과 제2 전극(EL2) 사이에 배치된 복수의 유기층들(OL)을 포함할 수 있다. 유기층들(OL)은 정공 수송 영역(HTR), 발광층(EML), 및 전자 수송 영역(ETR)을 포함하는 것일 수 있다.
발광 소자(OEL)는 1 전극(EL1), 제1 전극(EL1) 상에 배치된 정공 수송 영역(HTR), 정공 수송 영역(HTR) 상에 배치된 발광층(EML), 발광층(EML) 상에 배치된 전자 수송 영역(ETR), 및 전자 수송 영역(ETR) 상에 배치된 제2 전극(EL2)을 포함할 수 있다.
발광 소자(OEL) 상에는 봉지 부재(TFE)가 배치될 수 있으며, 봉지 부재(TFE)는 제2 전극(EL2) 상에 배치되는 것일 수 있다. 봉지 부재(TFE)는 제2 전극(EL2)상에 직접 배치되는 것일 수 있다. 봉지 부재(TFE)는 하나의 층 또는 복수의 층들이 적층된 것일 수 있다. 봉지 부재(TFE)는 박막 봉지층일 수 있다. 봉지 부재(TFE)는 발광 소자(OEL)를 보호한다. 봉지 부재(TFE)는 개구부(OH)에 배치된 제2 전극(EL2)의 상부면을 커버하고, 개구부(OH)를 채울 수 있다. 봉지 부재(TFE)는 상술한 일 실시예의 광 흡수제를 포함하여 발광 소자(OEL)로 제공되는 광 중 일부를 흡수할 수 있다.
즉, 도 1 내지 도 5를 참조하면 일 실시예의 표시 장치(DS, DS-a)는 일 실시예의 광 흡수제를 포함하는 봉지 부재(TFE)를 포함하는 것일 수 있다. 또한, 일 실시예의 표시 장치(DS, DS-a)는 봉지 부재(TFE) 이외에 외부광을 흡수하거나 차단하는 기능층들을 더 포함할 수 있다.
예를 들어, 도 2a에 도시된 일 실시예의 표시 장치(DS)는 입력 감지 유닛(TP), 편광 부재(PP), 윈도우 부재(WP), 및 접착 부재(미도시) 중 적어도 하나가 외부광 중 일부를 차단하는 기능층의 역할을 할 수 있다. 한편, 도 2b에 도시된 일 실시예의 표시 장치(DS-1)는 표시 패널(DP) 상에 배치된 광차단층(LBL)이 외부광 중 일부를 차단하는 기능층일 수 있다.
도 6은 일 실시예의 표시 패널(DP)에 포함된 발광 소자(OEL)의 일 실시예를 나타낸 단면도이다. 발광 소자(OEL)는 1 전극(EL1), 제1 전극(EL1) 상에 배치된 정공 수송 영역(HTR), 정공 수송 영역(HTR) 상에 배치된 발광층(EML), 발광층(EML) 상에 배치된 전자 수송 영역(ETR), 및 전자 수송 영역(ETR) 상에 배치된 제2 전극(EL2)을 포함하며, 정공 수송 영역(HTR)은 정공 주입층(HIL) 및 정공 수송층(HTL)을 포함하고, 전자 수송 영역(ETR)은 전자 주입층(EIL) 및 전자 수송층(ETL)을 포함할 수 있다.
도 5 및 도 6에서, 발광 소자(OEL)를 구성하는 제1 전극(EL1)은 도전성을 갖는다. 제1 전극(EL1)은 금속 합금 또는 도전성 화합물로 형성될 수 있다. 제1 전극(EL1)은 애노드(anode)일 수 있다. 제1 전극(EL1)은 화소 전극일 수 있다.
일 실시예에 따른 표시 패널(DP)에서 제1 전극(EL1)은 반사형 전극일 수 있다. 하지만, 실시예가 이에 한정되는 것은 아니다. 예를 들어, 제1 전극(EL1)은 투과형 전극 또는 반투과형 전극 등일 수 있다. 제1 전극(EL1)이 반투과형 전극 또는 반사형 전극인 경우, 제1 전극(EL1)은 Ag, Mg, Cu, Al, Pt, Pd, Au, Ni, Nd, Ir, Cr, Li, Ca, LiF/Ca, LiF/Al, Mo, Ti 또는 이들의 화합물이나 혼합물(예를 들어, Ag와 Mg의 혼합물)을 포함할 수 있다. 또는 상기 예시된 물질로 형성된 반사막이나 반투과막 및 ITO(indium tin oxide), IZO(indium zinc oxide), ZnO(zinc oxide), ITZO(indium tin zinc oxide) 등으로 형성된 투명 도전막을 포함하는 복수의 층 구조일 수 있다. 예를 들어, 제1 전극(EL1)은 다층 금속막일 수 있으며 ITO/Ag/ITO의 금속막이 적층된 구조일 수 있다.
정공 수송 영역(HTR)은 단일 물질로 이루어진 단일층, 복수의 서로 다른 물질로 이루어진 단일층 또는 복수의 서로 다른 물질로 이루어진 복수의 층을 갖는 다층 구조를 가질 수 있다. 예를 들어, 정공 수송 영역(HTR)은, 복수의 서로 다른 물질로 이루어진 단일층들의 구조를 갖거나, 제1 전극(EL1)으로부터 차례로 적층된 정공 주입층(HIL)/정공 수송층(HTL), 정공 주입층(HIL)/정공 수송층(HTL)/버퍼층(미도시), 정공 주입층(HIL)/버퍼층(미도시), 정공 수송층(HTL)/버퍼층(미도시) 또는 정공 주입층(HIL)/정공 수송층(HTL)/전자 저지층(미도시)들의 구조를 가질 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
예를 들어, 정공 수송 영역(HTR)은 정공 주입층(HIL) 및 정공 수송층(HTL)을 포함할 수 있고, 정공 주입층(HIL)과 정공 수송층(HTL)에는 각각 공지의 정공 주입 물질과 공지의 정공 수송 물질이 사용될 수 있다.
한편, 정공 수송 영역(HTR)은 화소 정의막(PDL)에 정의된 개구부(OH) 내에서 제1 전극(EL1) 상에 배치되고 화소 정의막(PDL) 상부로 연장되어 배치된 것일 수 있다. 하지만, 실시예가 이에 한정되는 것은 아니며, 정공 수송 영역(HTR)은 개구부(OH) 내부에 배치되도록 패터닝되는 것일 수 있다.
발광층(EML)은 정공 수송 영역(HTR) 상에 제공된다. 발광층(EML)은 단일 물질로 이루어진 단일층, 복수의 서로 다른 물질로 이루어진 단일층 또는 복수의 서로 다른 물질로 이루어진 복수의 층을 갖는 다층 구조를 가질 수 있다.
발광층(EML)은 통상적으로 사용하는 물질이라면 특별히 한정되지 않으나, 예를 들어, 적색, 녹색 및 청색을 발광하는 물질로 이루어질 수 있으며, 형광 물질 또는 인광물질을 포함할 수 있다. 또한, 발광층(EML)은 호스트 및 도펀트를 포함할 수 있다. 예를 들어, 발광층(EML)은 화소 정의막(PDL)에 정의된 개구부(OH) 내에 배치될 수 있으나 실시예가 이에 한정되는 것은 아니다.
표시 패널(DP)이 유기 전계 발광 표시 패널인 경우 발광층(EML)은 호스트 및 도펀트를 포함할 수 있고, 예를 들어 발광층(EML)은 호스트 물질로 DPEPO(Bis[2-(diphenylphosphino)phenyl] ether oxide), CBP(4,4'-Bis(carbazol-9-yl)biphenyl), mCP(1,3-Bis(carbazol-9-yl)benzene), PPF (2,8-Bis(diphenylphosphoryl)dibenzo[b,d]furan), TcTa(4,4',4''-Tris(carbazol-9-yl)-triphenylamine) 및 TPBi(1,3,5-tris(N-phenylbenzimidazole-2-yl)benzene) 중 적어도 하나를 포함하는 것일 수 있다. 다만, 이에 의하여 한정되는 것은 아니며, 예를 들어, Alq 3(tris(8-hydroxyquinolino)aluminum), CBP(4,4'-bis(N-carbazolyl)-1,1'-biphenyl), PVK(poly(N-vinylcarbazole), ADN(9,10-di(naphthalene-2-yl)anthracene), TCTA(4,4',4''-Tris(carbazol-9-yl)-triphenylamine), TPBi(1,3,5-tris(N-phenylbenzimidazole-2-yl)benzene), TBADN(3-tert-butyl-9,10-di(naphth-2-yl)anthracene), DSA(distyrylarylene), CDBP(4,4′-bis(9-carbazolyl)-2,2′-dimethyl-biphenyl), MADN(2-Methyl-9,10-bis(naphthalen-2-yl)anthracene), CP1(Hexaphenyl cyclotriphosphazene), UGH2 (1,4-Bis(triphenylsilyl)benzene), DPSiO 3 (Hexaphenylcyclotrisiloxane), DPSiO 4 (Octaphenylcyclotetra siloxane), PPF(2,8-Bis(diphenylphosphoryl)dibenzofuran) 등을 호스트 재료로 사용할 수 있다.
또한, 발광층(EML)은 도펀트 재료로, 스티릴 유도체(예를 들어, 1, 4-bis[2-(3-N-ethylcarbazoryl)vinyl]benzene(BCzVB), 4-(di-p-tolylamino)-4'-[(di-p-tolylamino)styryl]stilbene(DPAVB), N-(4-((E)-2-(6-((E)-4-(diphenylamino)styryl)naphthalen-2-yl)vinyl)phenyl)-N-phenylbenzenamine(N-BDAVBi)), 페릴렌 및 그 유도체(예를 들어, 2, 5, 8, 11-Tetra-t-butylperylene(TBP)), 피렌 및 그 유도체(예를 들어, 1, 1-dipyrene, 1, 4-dipyrenylbenzene, 1, 4-Bis(N, N-Diphenylamino)pyrene) 등을 포함할 수 있다.
일 실시예에 따른 표시 패널(DP)이 양자점 발광 표시 패널인 경우 표시 패널(DP)은 발광층(EML)에 양자점(Quantum Dot) 물질을 포함할 수 있다. 양자점의 코어는 II-VI족 화합물, III-V족 화합물, IV-VI족 화합물, IV족 원소, IV족 화합물 및 이들의 조합에서 선택될 수 있다.
II-VI족 화합물은 CdSe, CdTe, ZnS, ZnSe, ZnTe, ZnO, HgS, HgSe, HgTe, MgSe, MgS 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 이원소 화합물; AgInS, CuInS, CdSeS, CdSeTe, CdSTe, ZnSeS, ZnSeTe, ZnSTe, HgSeS, HgSeTe, HgSTe, CdZnS, CdZnSe, CdZnTe, CdHgS, CdHgSe, CdHgTe, HgZnS, HgZnSe, HgZnTe, MgZnSe, MgZnS 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 삼원소 화합물; 및 HgZnTeS, CdZnSeS, CdZnSeTe, CdZnSTe, CdHgSeS, CdHgSeTe, CdHgSTe, HgZnSeS, HgZnSeTe, HgZnSTe 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 사원소 화합물로 이루어진 군에서 선택될 수 있다.
III-V족 화합물은 GaN, GaP, GaAs, GaSb, AlN, AlP, AlAs, AlSb, InN, InP, InAs, InSb 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 이원소 화합물; GaNP, GaNAs, GaNSb, GaPAs, GaPSb, AlNP, AlNAs, AlNSb, AlPAs, AlPSb, InGaP, InNP, InNAs, InNSb, InPAs, InPSb, GaAlNP 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 삼원소 화합물; 및 GaAlNAs, GaAlNSb, GaAlPAs, GaAlPSb, GaInNP, GaInNAs, GaInNSb, GaInPAs, GaInPSb, InAlNP, InAlNAs, InAlNSb, InAlPAs, InAlPSb 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 사원소 화합물로 이루어진 군에서 선택될 수 있다.
IV-VI족 화합물은 SnS, SnSe, SnTe, PbS, PbSe, PbTe 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 이원소 화합물; SnSeS, SnSeTe, SnSTe, PbSeS, PbSeTe, PbSTe, SnPbS, SnPbSe, SnPbTe 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 삼원소 화합물; 및 SnPbSSe, SnPbSeTe, SnPbSTe 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 사원소 화합물로 이루어진 군에서 선택될 수 있다. IV족 원소로는 Si, Ge 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택될 수 있다. IV족 화합물로는 SiC, SiGe 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 이원소 화합물일 수 있다.
이때, 이원소 화합물, 삼원소 화합물 또는 사원소 화합물은 균일한 농도로 입자 내에 존재하거나, 농도 분포가 부분적으로 다른 상태로 나누어져 동일 입자 내에 존재하는 것일 수 있다. 또한 하나의 양자점이 다른 양자점을 둘러싸는 코어/쉘 구조를 가질 수도 있다. 코어와 쉘의 계면은 쉘에 존재하는 원소의 농도가 중심으로 갈수록 낮아지는 농도 구배(gradient)를 가질 수 있다.
몇몇 실시예에서, 양자점은 전술한 나노 결정을 포함하는 코어 및 상기 코어를 둘러싸는 쉘을 포함하는 코어-쉘 구조를 가질 수 있다. 상기 양자점의 쉘은 상기 코어의 화학적 변성을 방지하여 반도체 특성을 유지하기 위한 보호층 역할 및/또는 양자점에 전기 영동 특성을 부여하기 위한 차징층(charging layer)의 역할을 수행할 수 있다. 상기 쉘은 단층 또는 다중층일 수 있다. 코어와 쉘의 계면은 쉘에 존재하는 원소의 농도가 중심으로 갈수록 낮아지는 농도 구배(gradient)를 가질 수 있다. 상기 양자점의 쉘의 예로는 금속 또는 비금속의 산화물, 반도체 화합물 또는 이들의 조합 등을 들 수 있다.
예를 들어, 상기 금속 또는 비금속의 산화물은 SiO 2, Al 2O 3, TiO 2, ZnO, MnO, Mn 2O 3, Mn 3O 4, CuO, FeO, Fe 2O 3, Fe 3O 4, CoO, Co 3O 4, NiO 등의 이원소 화합물, 또는 MgAl 2O 4, CoFe 2O 4, NiFe 2O 4, CoMn 2O 4 등의 삼원소 화합물을 예시할 수 있으나 본 발명이 이에 제한되는 것은 아니다.
또, 상기 반도체 화합물은 CdS, CdSe, CdTe, ZnS, ZnSe, ZnTe, ZnSeS, ZnTeS, GaAs, GaP, GaSb, HgS, HgSe, HgTe, InAs, InP, InGaP, InSb, AlAs, AlP, AlSb등을 예시할 수 있으나 본 발명이 이에 제한되는 것은 아니다.
양자점은 약 45nm 이하, 바람직하게는 약 40nm 이하, 더욱 바람직하게는 약 30nm 이하의 발광 파장 스펙트럼의 반치폭(full width of half maximum, FWHM)을 가질 수 있으며, 이 범위에서 색순도나 색재현성을 향상시킬 수 있다. 또한 이러한 양자점을 통해 발광되는 광은 전 방향으로 방출되는바, 광 시야각이 향상될 수 있다.
또한, 양자점의 형태는 당 분야에서 일반적으로 사용하는 형태의 것으로 특별히 한정하지 않지만, 보다 구체적으로 구형, 피라미드형, 다중 가지형(multi-arm), 또는 입방체(cubic)의 나노 입자, 나노 튜브, 나노와이어, 나노 섬유, 나노 판상 입자 등의 형태의 것을 사용할 수 있다.
양자점은 입자 크기에 따라 방출하는 광의 색상을 조절 할 수 있으며, 이에 따라 양자점은 청색, 적색, 녹색 등 다양한 발광 색상을 가질 수 있다.
전자 수송 영역(ETR)은 발광층(EML) 상에 제공된다. 전자 수송 영역(ETR)은, 정공 저지층(미도시), 전자 수송층(ETL) 및 전자 주입층(EIL) 중 적어도 하나를 포함할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
전자 수송 영역(ETR)이 전자 주입층(EIL) 및 전자 수송층(ETL)을 포함하는 경우, 전자 주입층(EIL) 및 전자 수송층(ETL)에는 각각 공지의 전자 주입 물질과 공지의 전자 수송 물질이 사용될 수 있다.
제2 전극(EL2)은 전자 수송 영역(ETR) 상에 제공된다. 제2 전극(EL2)은 공통 전극 또는 캐소드일 수 있다. 제2 전극(EL2)은 금속 합금 또는 도전성 화합물로 형성될 수 있다. 제2 전극(EL2)은 투과형 전극, 반투과형 전극 또는 반사형 전극일 수 있다. 제2 전극(EL2)이 투과형 전극인 경우, 제2 전극(EL2)은 투명 금속 산화물, 예를 들어, ITO(indium tin oxide), IZO(indium zinc oxide), ZnO(zinc oxide), ITZO(indium tin zinc oxide) 등으로 이루어질 수 있다.
제2 전극(EL2)이 반투과형 전극 또는 반사형 전극인 경우, 제2 전극(EL2)은 Ag, Mg, Cu, Al, Pt, Pd, Au, Ni, Nd, Ir, Cr, Li, Ca, LiF/Ca, LiF/Al, Mo, Ti 또는 이들의 화합물이나 혼합물(예를 들어, Ag와 Mg의 혼합물)을 포함할 수 있다. 또는 상기 예시된 물질로 형성된 반사막이나 반투과막 및 ITO(indium tin oxide), IZO(indium zinc oxide), ZnO(zinc oxide), ITZO(indium tin zinc oxide) 등으로 형성된 투명 도전막을 포함하는 복수의 층 구조일 수 있다.
도 5를 참조하면, 전자 수송 영역(ETR) 및 제2 전극(EL2)은 제1 전극(EL1)과 중첩하는 영역뿐 아니라 화소 정의막(PDL) 상으로 더 연장되어 배치될 수 있다. 한편, 도시하지는 않았으나, 제2 전극(EL2)은 보조 전극과 연결될 수 있다. 제2 전극(EL2)이 보조 전극과 연결되면, 제2 전극(EL2)의 저항을 감소 시킬 수 있다.
일 실시예의 표시 패널(DP)에서 서로 마주하는 제1 전극(EL1)과 제2 전극(EL2) 중 제1 전극(EL1)은 반사형 전극이고, 제2 전극(EL2)은 투과형 전극일 수 있다. 일 실시예에서 발광 소자(OEL)는 전면 발광하는 것일 수 있다. 하지만, 실시예가 이에 한정되는 것은 아니다.
도 7 내지 도 9는 일 실시예의 표시 장치의 단면도이다. 도 7 및 도 8에 도시된 일 실시예의 표시 장치(DS-1, DS-1a)는 베이스층(BL), 베이스층(BL) 상에 제공된 회로층(CL) 및 표시 소자층(DD-1)을 포함하는 표시 패널(DP-1)을 포함한다. 도 7 및 도 8에 도시된 일 실시예의 표시 장치(DS-1, DS-1a)에서 표시 패널(DP-1)은 양자점 발광 표시 패널일 수 있다. 표시 패널(DP-1)은 복수 개의 발광 소자들(OEL-11, OEL-12, OEL-13)을 포함하고, 발광 소자들(OEL-11, OEL-12, OEL-13)은 양자점(QD1, QD2, QD3)을 포함하는 발광층(EML-B, EML-G, EML-R)을 포함하는 것일 수 있다.
일 실시예의 발광 소자(OEL-1)에 포함된 양자점(QD1, QD2, QD3)에 대하여는 상술한 발광층(EML)에 사용되는 양자점에 대한 내용일 동일하게 적용될 수 있다.
도 7 및 도 8에 도시된 일 실시예에 따른 표시 장치(DS-1, DS-1a)는 비발광 영역(NPXA) 및 발광 영역들(PXA-B, PXA-G, PXA-R)을 포함할 수 있다. 발광 영역들(PXA-B, PXA-G, PXA-R) 각각은 발광 소자들(OEL-11, OEL-12, OEL-13) 각각에서 생성된 광이 방출되는 영역일 수 있다. 발광 영역들(PXA-B, PXA-G, PXA-R)은 평면 상에서 서로 이격된 것일 수 있다.
복수 개의 발광 소자들(OEL-11, OEL-12, OEL-13)은 서로 상이한 파장 영역의 광을 방출하는 것일 수 있다. 제1 발광 소자(OEL-11)의 제1 발광층(EML-B)은 제1 양자점(QD1)을 포함하는 것일 수 있다. 제1 양자점(QD1)은 제1 색광인 청색광을 방출하는 것일 수 있다. 제2 발광 소자(OEL-12)의 제2 발광층(EML-G)과 제3 발광 소자(OEL-13)의 제3 발광층(EML-R)은 각각 제2 양자점(QD2) 및 제3 양자점(QD3)을 포함하는 것일 수 있다. 제2 양자점(QD2)과 제3 양자점(QD3)은 각각 제2 색광인 녹색광 및 제3 색광인 적색광을 방출하는 것일 수 있다.
도 7 및 도 8에 도시된 일 실시예에서, 제1 내지 제3 양자점(QD1, QD2, QD3)의 크기는 서로 상이한 것일 수 있다. 예를 들어, 상대적으로 단파장 영역의 광을 방출하는 제1 발광 소자(OEL-11)에 사용된 제1 양자점(QD1)은 상대적으로 장파장 영역의 광을 방출하는 제2 발광 소자(OEL-12)의 제2 양자점(QD2) 및 제3 발광 소자(OEL-13)의 제3 양자점(QD3)과 비교하여 상대적으로 평균 직경이 작은 것일 수 있다. 하지만, 실시예가 이에 한정되는 것은 아니며 제1 내지 제3 양자점(QD1, QD2, QD3)은 직경은 서로 유사한 것일 수 있다.
도 7에서는 표시 패널(DP-1) 상부에 배치된 편광 부재(PP)를 포함하는 표시 장치(DS-1)의 일 실시예를 도시하였으며, 도 8에서는 표시 패널(DP-1) 상부에 배치된 컬러필터층(CFL)을 포함하는 표시 장치(DS-1a)의 일 실시예를 도시하였다. 편광 부재(PP) 및 컬러필터층(CFL)은 표시 장치(DS-1, DS-1a)의 외부에서 표시 패널(DP)로 제공되는 외부광을 차단하는 것일 수 있다. 편광 부재(PP) 및 컬러필터층(CFL)은 외부광에 의한 반사를 최소화하는 반사 방지 기능을 하는 것일 수 있다. 편광 부재(PP)에 대하여는 상술한 도 2a에서 설명한 내용과 동일한 내용이 적용될 수 있다.
도 8에 도시된 일 실시예의 표시 장치(DS-1a)에서 컬러필터층(CFL)은 차광부(BM) 및 컬러필터부(CF)를 포함하는 것일 수 있다. 컬러필터부(CF)는 복수 개의 필터들(CF-B, CF-G, CF-R)을 포함할 수 있다. 즉, 컬러필터층(CFL)은 제1 색광을 투과시키는 제1 필터(CF-B), 제2 색광을 투과시키는 제2 필터(CF-G), 및 제3 색광을 투과시키는 제3 필터(CF-R)를 포함할 수 있다. 예를 들어, 제1 필터(CF-B)는 청색 필터, 제2 필터(CF-G)는 녹색 필터이고, 제3 필터(CF-R)는 적색 필터일 수 있다.
필터들(CF-B, CF-G, CF-R) 각각은 고분자 감광수지와 안료 또는 염료를 포함하는 것일 수 있다. 제1 필터(CF-B)는 청색 안료 또는 염료를 포함하고, 제2 필터(CF-G)는 녹색 안료 또는 염료를 포함하며, 제3 필터(CF-R)는 적색 안료 또는 염료를 포함하는 것일 수 있다.
한편, 실시예가 이에 한정되는 것은 아니며 제1 필터(CF-B)는 안료 또는 염료를 포함하지 않는 것일 수 있다. 제1 필터(CF-B)는 고분자 감광수지를 포함하고 안료 또는 염료를 미포함하는 것일 수 있다. 제1 필터(CF-B)는 투명한 것일 수 있다. 제1 필터(CF-B)는 투명 감광수지로 형성된 것일 수 있다.
차광부(BM)는 블랙 매트릭스일 수 있다. 차광부(BM)는 흑색 안료 또는 흑색염료를 포함하는 유기 차광 물질 또는 무기 차광 물질을 포함하여 형성될 수 있다. 차광부(BM)는 빛샘 현상을 방지하고, 인접하는 필터들(CF-B, CF-G, CF-R) 사이의 경계를 구분하는 것일 수 있다.
컬러필터층(CFL) 버퍼층(BFL)을 더 포함할 수 있다. 예를 들어, 버퍼층(BFL)은 필터들(CF-B, CF-G, CF-R)을 보호하는 보호층일 수 있다. 버퍼층(BFL)은 실리콘 질화물, 실리콘 산화물, 실리콘 산질화물 중 적어도 하나의 무기물을 포함하는 무기물층일 수 있다. 버퍼층(BFL)은 단일층 또는 복수의 층으로 이루어질 수 있다.
도 8에 도시된 일 실시예에서 컬러필터층(CFL)의 제1 필터(CF-B)는 제2 필터(CF-G) 및 제3 필터(CF-R)와 중첩하는 것으로 도시되었으나, 실시예가 이에 한정되는 것은 아니다. 예를 들어, 제1 내지 제3 필터(CF-B, CF-G, CF-R)는 차광부(BM)에 의해 구분되고 서로 비중첩할 수 있다. 한편, 일 실시예에서 제1 내지 제3 필터(CF-B, CF-G, CF-R) 각각은 청색 발광 영역(PXA-B), 녹색 발광 영역(PXA-G), 및 적색 발광 영역(PXA-R) 각각에 대응하여 배치될 수 있다.
한편, 도 8을 참조하면 일 실시예의 표시 장치(DS-1a)는 컬러필터층(CFL) 상부에 배치된 베이스 기판(BS)을 포함할 수 있다. 베이스 기판(BS)은 컬러필터층(CFL) 등이 배치되는 베이스 면을 제공하는 부재일 수 있다. 베이스 기판(BS)은 유리기판, 금속기판, 플라스틱기판 등일 수 있다. 하지만, 실시예가 이에 한정되는 것은 아니며 베이스 기판(BS)은 무기층, 유기층 또는 복합재료층일 수 있다.
도 9에 도시된 일 실시예의 표시 장치(DS-2)는 베이스층(BL), 베이스층(BL) 상에 제공된 회로층(CL) 및 발광 소자(OEL-2)를 포함하는 표시 패널(DP-2)을 포함한다. 도 9에 도시된 일 실시예의 표시 장치(DS-2)에서 표시 패널(DP-2)은 유기 전계 발광 표시 패널일 수 있다. 예를 들어, 표시 패널(DP-2)에 포함된 발광 소자(OEL-2)는 도 10에 도시된 바와 같이 텐덤형(Tandem type)의 발광 소자일 수 있다.
일 실시예에 따른 발광 소자(OEL-2)는 서로 마주하는 제1 전극(EL1)과 제2 전극(EL2) 및 제1 전극(EL1)과 제2 전극(EL2) 사이에 배치된 복수 개의 발광 유닛들(LU-1, LU-2, LU-3)을 포함하는 것일 수 있다. 발광 유닛들(LU-1, LU-2, LU-3)은 두께 방향으로 적층된 것일 수 있다. 발광 유닛들(LU-1, LU-2, LU-3) 사이에는 전하생성층(CGL)이 배치될 수 있다. 발광 유닛들(LU-1, LU-2, LU-3) 각각은 정공 수송 영역(HTR), 발광층(EML-B1, EML-B2, EML-B3), 및 전자 수송 영역(ETR)을 포함할 수 있다. 각 발광 유닛들(LU-1, LU-2, LU-3)에 포함된 발광층들(EML-B1, EML-B2, EML-B3)은 동일한 파장 영역의 광을 방출하는 것일 수 있다. 예를 들어, 일 실시예에 따른 발광 소자(OEL)에서 발광층들(EML-B1, EML-B2, EML-B3)은 모두 청색광을 방출하는 것일 수 있다. 하지만, 실시예가 이에 한정되는 것은 아니며 발광층들(EML-B1, EML-B2, EML-B3)은 서로 상이한 파장 영역의 광을 방출할 수 있다.
도 9를 참조하면, 일 실시예의 표시 장치(DS-2)는 표시 패널(DP-2) 상에 배치된 색변환층(CCL)을 포함할 수 있다. 또한, 일 실시예에 따른 표시 장치(DS-2)는 컬러필터층(CFL)을 더 포함할 수 있다. 컬러필터층(CFL)은 베이스 기판(BS)과 색변환층(CCL) 사이에 배치된 것일 수 있다.
색변환층(CCL)은 서로 이격되어 배치된 복수 개의 격벽부들(BK) 및 격벽부들(BK) 사이에 배치된 색제어부(CCP-B, CCP-G, CCP-R)를 포함하는 것일 수 있다. 격벽부(BK)는 고분자 수지 및 발액 첨가제를 포함하여 형성된 것일 수 있다. 격벽부(BK)는 광흡수 물질을 포함하여 형성되거나, 안료 또는 염료(PG)를 포함하여 형성될 수 있다. 예를 들어, 격벽부(BK)는 흑색 안료 또는 흑색 염료를 포함하여 형성되어 흑색격벽부를 구현할 수 있다. 흑색격벽부 형성 시 흑색 안료 또는 흑색 염료로는 카본블랙 등이 사용될 수 있으나 실시예가 이에 한정되는 것은 아니다.
색변환층(CCL)은 제1 색광을 투과시키는 제1 색제어부(CCP-B), 제1 색광을 제2 색광으로 변환하는 양자점을 포함하는 제2 색제어부(CCP-G), 및 제1 색광을 제3 색광으로 변환하는 앙쟈점을 포함하는 제3 색제어부(CCP-R)를 포함할 수 있다. 제2 색광은 제1 색광보다 장파장 영역의 광이고, 제3 색광은 제1 색광 및 제2 색광보다 장파장 영역의 광일 수 있다. 예를 들어, 제1 색광은 청색광, 제2 색광은 녹색광, 제3 색광은 적색광일 수 있다. 색제어부들(CCP-B, CCP-G, CCP-R)에 포함된 양자점에 대하여는 상술한 발광층(EML)에 사용되는 양자점에 대한 내용과 동일한 내용이 적용될 수 있다.
색변환층(CCL)은 캡핑층(CPL)을 더 포함할 수 있다. 캡핑층(CPL)은 색제어부들(CCP-B, CCP-G, CCP-R) 및 격벽부(BK) 상에 배치되는 것일 수 있다. 캡핑층(CPL)은 수분 및/또는 산소(이하, '수분/산소'로 칭함)의 침투를 막는 역할을 하는 것일 수 있다. 캡핑층(CPL)은 색제어부(CCP-B, CCP-G, CCP-R) 상에 배치되어 색제어부(CCP-B, CCP-G, CCP-R)가 수분/산소에 노출되는 것을 차단할 수 있다. 캡핑층(CPL)은 적어도 하나의 무기층을 포함하는 것일 수 있다.
일 실시예의 표시 장치(DS-2)는 색변환층(CCL) 상에 배치된 컬러필터층(CFL)을 포함하고, 컬러필터층(CFL) 및 베이스 기판(BS)에 대하여는 도 8에서 설명한 내용이 동일하게 적용될 수 있다.도 11 내지 도 13은 일 실시예에 따른 봉지 부재의 실시예들을 나타낸 단면도이다. 도 11 내지 도 13을 참조하면 일 실시예에 따른 봉지 부재(TFE, TFE-1, TFE-2)는 적어도 하나의 유기막 및 적어도 하나의 무기막을 포함하여 형성될 수 있다.
도 11에 도시된 일 실시예의 봉지 부재(TFE)는 하나의 유기막(ML)과 유기막(ML)의 상부면과 하부면에 각각 배치된 무기막(IL1, IL2)을 포함하는 것일 수 있다. 즉, 일 실시예의 봉지 부재(TFE)는 제1 무기막(IL1), 유기막(ML), 및 제2 무기막(IL2)의 순서로 적층된 구조일 수 있다.
유기막(ML)은 일 실시예의 광 흡수제(LA)를 포함하는 것일 수 있다. 유기막(ML)은 광 흡수제(LA) 및 베이스 수지(OR)를 포함하여 형성된 것일 수 있다. 베이스 수지(OR)는 아크릴계 모노머 및 광 개시제로부터 형성된 것일 수 있다. 베이스 수지(OR)는 서로 상이한 복수의 아크릴계 모노머들과 광 개시제, 또는 하나의 아크릴계 모노머와 광 개시제로부터 자외선 경화 공정을 통해 형성되는 것일 수 있다. 예를 들어 아크릴계 모노머는 메타크릴레이트계 모노머일 수 있다. 유기막(ML)은 3㎛ 이상 30㎛ 이하의 두께를 갖도록 형성된 것일 수 있다.
유기막(ML)에서 광 흡수제(LA)는 베이스 수지(OR)를 형성하는 모노머의 중량100을 기준으로 1wt% 이상 5wt% 이하로 포함될 수 있다. 광 흡수제(LA)가 모노머의 중량을 기준으로 1wt% 미만으로 포함될 경우 유기막(ML)에서의 광 흡수도가 저하되어 외부광 차단 효과가 나타나지 않을 수 있다. 또한, 광 흡수제(LA)가 모노머의 중량을 기준으로 5wt% 초과로 포함될 경우 유기막(ML)을 형성하기 위하여 사용된 광 개시제의 활성화를 저하시킬 수 있으며 자외선을 이용한 유기막(ML) 형성 공정 이후에 상분리가 발생하는 문제가 있을 수 있다.
예를 들어, 유기막(ML) 형성에 사용되는 모노머는 하기 M1 내지 M4 중 적어도 하나일 수 있다.
Figure PCTKR2019012652-appb-img-000072
또한, 유기막(ML) 형성에 사용되는 광 개시제는 360nm 이상 400nm 이하의 파장 영역에서 활성화되는 것일 수 있다. 예를 들어, 광 개시제는 아래 I1 또는 I2일 수 있다.
Figure PCTKR2019012652-appb-img-000073
유기막(ML)은 상술한 일 실시예의 광 흡수제를 포함하여 자외선광을 흡수할 수 있다. 유기막(ML)은 405nm 파장에서 10% 이하의 투과도를 갖고, 430nm 파장에서 70% 이상의 투과도를 가지며, 450nm 파장에서 97% 이상의 투과도를 갖는 것일 수 있다.
무기막(IL1, IL2)은 SiON, SiN X, SiO X, SiC, Al 2O 3, 및 ZrO X 중 적어도 하나를 포함하여 형성된 것일 수 있다. 제1 무기막(IL1)과 제2 무기막(IL2)은 동일한 물질을 포함하여 형성된 층일 수 있다. 또한, 이와 달리 제1 무기막(IL1) 및 제2 무기막(IL2)은 서로 상이한 물질로 형성된 것일 수 있다. 제1 무기막(IL1) 및 제2 무기막(IL2)은 각각 0.5㎛ 이상 2.0㎛ 이하의 두께를 갖도록 형성된 것일 수 있다. 무기막(IL1, IL2)은 1개의 물질을 포함하는 단층이거나, 각각이 다른 물질을 포함하는 복수의 층을 가질 수 있다.
도 12 및 도 13은 일 실시예에 따른 봉지 부재의 실시예들을 나타낸 도면으로, 도 12 및 도 13에 도시된 봉지 부재의 실시예들에 대한 설명에 있어서 도 11에서 설명한 봉지 부재(TFE)에 대한 설명과 중복되는 내용은 다시 설명하지 않으며 차이점을 위주로 설명한다.
도 12는 일 실시예에 따른 봉지 부재의 다른 실시예를 나타낸 단면도이다. 도 11에 도시된 봉지 부재(TFE)와 달리 도 8에 도시된 봉지 부재(TFE-1)는 유기막(ML-a)에 서로 상이한 파장 영역의 광을 흡수하는 제1 광 흡수제(LA-a)와 제2 광 흡수제(LA-b)를 포함하는 것일 수 있다. 제1 광 흡수제(LA-a) 및 제2 광 흡수제(LA-b) 중 적어도 하나는 상술한 일 실시예의 광 흡수제의 구조를 갖는 것이 수 있다. 다만 제1 광 흡수제(LA-a)와 제2 광 흡수제(LA-b)는 흡수되는 광의 파장이 일부 상이할 수 있다. 한편, 도 12에서는 서로 상이한 두 개의 광 흡수제를 포함하는 경우를 도시하였으나 실시예가 이에 한정되는 것은 아니며 일 실시예의 봉지 부재(TFE-1)에서 유기막(ML-a)은 3개 이상의 서로 상이한 광 흡수제들을 포함할 수 있다. 한편, 서로 상이한 광 흡수제들은 모두 상술한 일 실시예의 광 흡수제일 수 있다. 또한, 이와 달리 유기막(ML-a)은 일 실시예의 광 흡수제 이외에 공지의 광 흡수제를 더 포함하는 것일 수 있다.
도 13은 복수의 무기막들과 복수의 유기막들을 포함하는 봉지 부재의 일 실시예를 나타낸 단면도이다. 도 9를 참조하면, 봉지 부재(TFE-2)는 n개의 무기막들(IL1,…, ILn)과 (n-1)개의 유기막들(ML1, …, ML(n-1))을 포함하는 것일 수 있다. 한편, n은 2 이상의 정수일 수 있다.
봉지 부재(TFE-2)의 n개의 무기막들(IL1,…,ILn) 중 첫번째 무기막(IL1)은 발광 소자(OEL)의 제2 전극(EL2, 도 5)과 직접 접촉하여 배치될 수 있다.
봉지 부재(TFE-2)의 (n-1)개의 유기막들(ML1,…,ML(n-1))은 n개의 무기막들(IL1,…,ILn)과 교번하게 배치될 수 있다. (n-1)개의 유기막들(ML1,…,ML(n-1))은 평균적으로 n개의 무기막들(IL1,…,ILn) 보다 더 큰 두께를 가질 수 있다.
n개의 무기막들(IL1,…,ILn)은 서로 동일하거나 다른 무기물질을 포함할 수 있고, 서로 동일하거나 다른 두께를 가질 수 있다. 또한, (n-1)개의 유기막들(ML1,…,ML(n-1))은 서로 동일하거나 다른 유기물질을 포함할 수 있고, 서로 동일하거나 다른 두께를 가질 수 있다.
한편, (n-1)개의 유기막들(ML1,…,ML(n-1)) 중 적어도 하나의 유기막은 상술한 일 실시예의 광 흡수제를 포함할 수 있다. 일 실시예의 봉지 부재(TFE-2)에서 (n-1)개의 유기막들(ML1,…,ML(n-1)) 중 어느 하나의 유기막이 일 실시예의 광 흡수제를 포함할 수 있다. 또한, 일 실시예의 봉지 부재(TFE-2)에서 (n-1)개의 유기막들(ML1,…,ML(n-1)) 중 선택되는 복수의 유기막들이 일 실시예의 광 흡수제를 포함할 수 있다. 또한, (n-1)개의 유기막들(ML1,…,ML(n-1)) 모두는 각각 일 실시예의 광 흡수제를 포함하는 것일 수 있다.
(n-1)개의 유기막들(ML1,…,ML(n-1)) 각각에 포함된 일 실시예의 광 흡수제(LA1,…,LA(n-1))는 모두 동일하거나 또는 적어도 하나가 상이한 것일 수 있다. 한편, (n-1)개의 유기막들(ML1,…,ML(n-1))은 상술한 일 실시예의 광 흡수제 이외에 공지의 광 흡수제를 더 포함할 수도 있다.
도 14는 일 실시예의 광 흡수제를 포함한 봉지 부재의 유기막에서의 광 투과율을 측정한 그래프이다. 도 14는 10㎛ 두께로 제작된 단층 유기막에 대하여 파장에 따른 투과율을 측정한 것으로 유기막은 일 실시예의 광 흡수제를 전체 모노머 함량에 대하여 3wt%로 포함하여 형성된 것이다. 도 14에 도시된 일 실시예에서 사용된 광 흡수제는 화합물군 2의 화합물 35에 해당하나, 본 발명의 일 실시예에 따른 광 흡수제에 해당하는 화합물군 1 또는 화합물군 2의 다른 화합물들을 유기막 재료로 포함한 경우에도 유사한 결과를 나타낼 수 있다. 도 14의 그래프를 참조하면, 유기막은 405nm의 파장에서 10% 이하의 투과율을 나타내며, 이로부터 일 실시예의 광 흡수제는 405nm 부근의 파장 영역의 광을 효과적으로 흡수하는 것을 확인할 수 있다.
또한, 도 14를 참조하면 일 실시예의 광 흡수제를 포함한 봉지 부재의 유기막은 430nm의 파장에서 70% 이상의 투과율을 나타내고 450nm의 파장에서 97% 이상의 투과율을 나타내는 것을 확인할 수 있다. 즉, 유기막은 430nm에서 70% 이상의 투과율을 갖고 450nm 이상의 가시광 영역에서 97% 이상의 높은 투과율을 가짐으로써 발광 소자(OEL, 도 5)에서 방출되는 광의 파장 영역과 중첩되지 않아 유기막이 광 흡수제를 포함한 경우에도 발광 소자(OEL, 도 5)의 발광 효율을 저하시키지 않을 수 있다.
도 15는 일 실시예의 광 흡수제를 포함한 봉지 부재와 봉지 부재 상에 편광 부재를 배치한 경우의 광 투과율을 측정한 그래프이다. 도 15는 도 14의 투과율 평가시 사용한 조건과 동일한 조건으로 제조된 유기막 상에 편광 부재를 제공한 이후에 파장에 따른 투과율을 측정한 것이다. 도 15의 그래프를 참조하면, 유기막 상에 편광 부재를 포함할 경우 405nm의 파장에서 5% 이하의 투과율을 나타내며, 이로부터 일 실시예의 광 흡수제는 405nm 부근의 파장 영역의 광을 효과적으로 흡수하는 것을 확인할 수 있다.
또한, 도 15를 참조하면 일 실시예의 광 흡수제를 포함한 봉지 부재의 유기막과 편광 부재를 적층한 경우 430nm의 파장에서 30% 이하의 투과율을 나타내는 것을 알 수 있다.
한편, 도 14와 비교하여 도 15의 투과율 그래프에서는 400nm 이하의 파장 영역에서도 낮은 투과율을 나타내는 것을 확인할 수 있다. 즉, 도 14와 비교하여 편광 부재를 봉지 부재 상에 더 포함할 경우 400nm 이하의 단파장 영역에서의 투과율을 더욱 낮게 할 수 있으며, 이로부터 봉지 부재 상에 편광 부재를 더 포함할 경우 자외선 파장 영역의 광을 보다 효과적으로 차단하는 것을 확인할 수 있다.
도 16은 자외선 광 노출시의 표시 패널의 신뢰성을 확인한 이미지이다. 도 16에서 비교예는 봉지 부재의 유기막이 광 흡수제를 포함하지 않은 경우이고, 실시예는 봉지 부재의 유기막이 일 실시예의 광 흡수제를 포함한 경우이다. 도 16에 도시된 실시예에서 사용된 광 흡수제는 도 14에 도시된 실시예에서 사용한 광 흡수제와 동일한 것일 수 있다.
비교예와 실시예 샘플은 405nm의 단파장 광에 노출되었으며 시간 경과에 따른 표시 패널의 손상 여부를 관찰하였다. 도 16에서 EP는 405nm의 단파장 광이 노출된 부분을 표시한 것이다.
도 16의 비교예와 실시예를 비교하면 비교예의 경우 6시간 노출 시간 경과 시 이미 손상된 표면 특성을 나타내었으며, 실시예의 경우 18시간 까지 노출 시간이 경과된 경우에도 표면 특성의 변화가 나타나지 않았다. 도 16을 참조하면, 일 실시예의 광 흡수제는 405nm 파장 영역의 광을 효과적으로 흡수하며, 이에 따라 일 실시예에 따른 봉지 부재는 405nm 파장 영역의 외부광을 효과적으로 차단할 수 있음을 확인할 수 있다.
일 실시예의 표시 장치는 두 개 이상의 질소 원자를 고리 형성 원자로 포함하는 6각 헤테로고리 및 6각 헤테로고리에 치환된 서로 상이한 3개의 치환기들을 포함하는 일 실시예의 광 흡수제를 봉지 부재에 포함하여 발광 소자로 입사되는 외부광을 효과적으로 차단하여 개선된 신뢰성을 나타낼 수 있다. 일 실시예의 표시 장치에서 봉지 부재의 적어도 하나의 유기막은 두 개 이상의 질소 원자를 고리 형성 원자로 포함하는 6각 헤테로고리 및 6각 헤테로고리에 치환된 서로 상이한 3개의 치환기들을 포함하는 일 실시예의 광 흡수제를 포함하여 발광 소자로 입사되는 외부광을 차단함으로써 개선된 표시 품질을 나타낼 수 있다.
이하에서는, 실시예 및 비교예를 참조하면서, 본 발명의 일 실시 형태에 따른 광 흡수제에 대해서 구체적으로 설명한다. 또한, 이하에 나타내는 실시예는 본 발명의 이해를 돕기 위한 일 예시이며, 본 발명의 범위가 이에 한정되는 것은 아니다.
[실시예]
1.광 흡수제의 합성
1-1. 화학식 1로 표시되는 광 흡수제의 합성
상술한 화학식 1로 표시되는 일 실시예의 광 흡수제의 합성 방법에 대해서, 화합물군 1의 화합물 2, 15, 25, 36, 56, 78, 95, 115, 148, 177의 합성 방법을 예시하여 구체적으로 설명한다. 또한, 이하에 설명하는 광 흡수제의 합성법은 일 실시예로서, 본 발명의 실시형태에 따른 광 흡수제의 합성법이 하기의 실시예에 한정되지 않는다.
(1) 화합물군 1의 화합물 2의 합성
일 실시예에 따른 광 흡수제 화합물군 1의 화합물 1은 예를 들어 하기 반응식 1-1에 의해 합성될 수 있다.
[반응식 1-1]
Figure PCTKR2019012652-appb-img-000074
<중간체 A의 합성>
2-bromo-4,6,-dichloro-pyrimidine 2.25g과 2-hydroxyphenylboronic acid 1.38g, Pd(PPh 3) 4 0.5g 및 K 2CO 3 2.72g을 THF/물(50ml/25ml) 용액에 추가한 후 80℃에서 5시간 동안 교반하였다. 반응이 완결된 후 상온으로 온도를 낮춘 후 에틸아세테이트(Ethyl acetate)로 3회 추출하였다. 무수황산마그네슘으로 건조 및 여과 후 감압 농축하여 얻은 잔사를 메틸렌클로라이드(Methylene chloride, MC) 로 세정하여 중간체 2-3 1.97g(수율 80%)을 얻었다. 생성된 화합물은 LC-MS를 이용하여 확인하였다. (계산값:239.99, 측정값:240.52)
<중간체 B의 합성>
중간체 A 1.97g을 DMF(dimethylformamid) 50ml에 혼합한 후 NaOMe 1g을 첨가하였다. 이후 100℃에서 1시간 동안 교반하였다. 반응 후 상온으로 온도를 낮추고 물로 반응을 종결시키고 얻은 잔사를 MC로 씻어주어 중간체 2-4 1.69g(수율 90%)을 얻었다. 생성된 화합물은 LC-MS를 이용하여 확인하였다. (계산값:236.04, 측정값:236.9852)
<화합물 2의 합성>
2-bromo-4,6,-dichloro-pyrimidine 대신 중간체 B를 , 2-hydroxyphenylboronic acid 대신 6-Chryseneboronic acid 사용하는 것을 제외하고 중간체 A의 합성 방법과 동일한 방법으로 화합물 2 2.56g(수율 83%)을 얻었다. 생성된 화합물은 LC-MS를 이용하여 확인하였다. (계산값:428.15, 측정값:429.06)
(2) 화합물군 1의 화합물 15의 합성
일 실시예에 따른 광 흡수제 화합물군 1의 화합물 15는 예를 들어 하기 반응식 1-2에 의해 합성될 수 있다.
[반응식 1-2]
Figure PCTKR2019012652-appb-img-000075
<중간체 c의 합성>
이소프로필알코올(Isoporpy alcohol) 0.6g을 DMF 50ml에 혼합한 후 반응 온도를 0℃로 낮춘다. NaH(60% mineral oil) 400mg을 천천히 넣어준 후 상온으로 온도를 올리고 1시간 동안 교반하였다. 다시 반응 온도를 0℃로 낮춘 후 DMF 50ml에 혼합한 중간체 A 2.41g을 천천히 반응 용기에 적가하였다. 30분 동안 반응 온도를 유지시킨 후 상온으로 천천히 온도를 올리고 6시간 동안 교반하였다. 반응을 물로 종결시킨 후 에틸아세테이트로 추출하고 물로 4회 세정하였다. 감압 증류 후 얻은 잔사를 MC로 세정한 후 중간체 C 2.112g(수율 80%)을 얻었다. 생성된 화합물은 LC-MS를 이용하여 중간체 C인 것을 확인하였다. (계산값: 264.07, 측정값:265.10)
<화합물 15의 합성>
2-bromo-4,6,-dichloro-pyrimidine 대신 중간체 C를, 2-hydroxyphenylboronic acid 대신 1-Pyreneboronic acid 사용하는 것을 제외하고 중간체 A의 합성 방법과 동일한 방법으로 화합물 15 2.75g(수율 80%)을 얻었다. 생성된 화합물은 LC-MS를 이용하여 확인하였다. (계산값:430.17, 측정값:431.22)
(3) 화합물군 1의 화합물 25의 합성
일 실시예에 따른 광 흡수제 화합물군 1의 화합물 25는 예를 들어 하기 반응식 1-3에 의해 합성될 수 있다.
[반응식 1-3]
Figure PCTKR2019012652-appb-img-000076
<중간체 D의 합성>
이소프로필알코올 대신 1-헥산올(1-Hexanol)을 사용하는 것을 제외하고 중간체 C의 합성 방법과 동일한 방법으로 중간체 D 2.45g(수율 80%)을 얻었다. 생성된 화합물은 LC-MS를 이용하여 확인하였다. (계산값:306.11, 측정값:307.04)
<화합물 25의 합성>
2-bromo-4,6,-dichloro-pyrimidine 대신 중간체 C를, 2-hydroxyphenylboronic acid 대신 1-Pyreneboronic acid 사용하는 것을 제외하고 중간체 A의 합성 방법과 동일한 방법으로 화합물 25 3.02g(수율 80%)을 얻었다. 생성된 화합물은 LC-MS를 이용하여 확인하였다. (계산값:472.22, 측정값:473.10)
(4)화합물군 1의 화합물 36의 합성
일 실시예에 따른 광 흡수제 화합물군 1의 화합물 36은 예를 들어 하기 반응식 1-4에 의해 합성될 수 있다.
[반응식 1-4]
Figure PCTKR2019012652-appb-img-000077
<중간체 E의 합성>
이소프로필알코올 대신 사이클로펜탄올을 사용하는 것을 제외하고 중간체 C 합성 방법과 동일한 방법으로 중간체 E 2.32g(수율 80%)을 얻었다. 생성된 화합물은 LC-MS를 이용하여 확인하였다. (계산값:290.08, 측정값:290.98)
<화합물 36의 합성>
2-bromo-4,6,-dichloro-pyrimidine 대신 중간체 E를, 2-hydroxyphenylboronic acid 대신 2-Anthraceneboronic acid 사용하는 것을 제외하고 중간체 A의 합성 방법과 동일한 방법으로 화합물 36 2.76g(수율 80%)을 얻었다. 생성된 화합물은 LC-MS를 이용하여 확인하였다. (계산값:432.18, 측정값:433.10)
(5) 화합물군 1의 화합물 56의 합성
일 실시예에 따른 광 흡수제 화합물군 1의 화합물 56은 예를 들어 하기 반응식 1-5에 의해 합성될 수 있다.
[반응식 1-5]
Figure PCTKR2019012652-appb-img-000078
<중간체 F의 합성>
이소프로필알코올 대신 프로판올(propanol)을 사용하는 것을 제외하고 중간체 C의 합성 방법과 동일한 방법으로 중간체 F 2.11g(수율 80%)을 얻었다. 생성된 화합물은 LC-MS를 이용하여 확인하였다. (계산값:264.07, 측정값:264.90)
<화합물 56의 합성>
2-bromo-4,6,-dichloro-pyrimidine 대신 중간체 F를, 2-hydroxyphenylboronic acid 대신 2-Anthraceneboronic acid 사용하는 것을 제외하고 중간체 A의 합성 방법과 동일한 방법으로 화합물 56 2.59g(수율 80%)을 얻었다. 생성된 화합물은 LC-MS를 이용하여 확인하였다. (계산값:406.17, 측정값:407.96)
(6) 화합물군 1의 화합물 78의 합성
일 실시예에 따른 광 흡수제 화합물군 1의 화합물 78은 예를 들어 하기 반응식 1-6에 의해 합성될 수 있다.
[반응식 1-6]
Figure PCTKR2019012652-appb-img-000079
2-Anthraceneboronic acid 대신 9-Anthraceneboronic acid 사용하는 것을 제외하고는 화합물 36의 합성 방법과 동일한 방법으로 화합물 78 2.76g(수율 80%)을 얻었다. 생성된 화합물은 LC-MS를 이용하여 확인하였다. (계산값:432.18, 측정값:433.12)
(7) 화합물군 1의 화합물 95의 합성
일 실시예에 따른 광 흡수제 화합물군 1의 화합물 95는 예를 들어 하기 반응식 1-7에 의해 합성될 수 있다.
[반응식 1-7]
Figure PCTKR2019012652-appb-img-000080
1-Pyreneboronic acid 대신 naphtho[2,3-b]benzofuran-2-ylboronic acid 사용하는 것을 제외하고는 화합물 15의 합성 방법과 동일한 방법으로 화합물 95 2.85g(수율 80%)을 얻었다. 생성된 화합물은 LC-MS를 이용하여 확인하였다. (계산값:446.16, 측정값:447.08)
(8) 화합물군 1의 화합물 115의 합성
일 실시예에 따른 광 흡수제 화합물군 1의 화합물 115는 예를 들어 하기 반응식 1-8에 의해 합성될 수 있다.
[반응식 1-8]
Figure PCTKR2019012652-appb-img-000081
<중간체 G의 합성>
이소프로필알코올 대신 2-에틸-헥산올(2-ethyl-hexanol)을 사용하는 것을 제외하고는 중간체 C의 합성 방법과 동일한 방법으로 중간체 G 2.67g(수율 80%)을 얻었다. 생성된 화합물은 LC-MS를 이용하여 확인하였다. (계산값:334.14, 측정값:264.90)
<화합물 115 합성>
2-bromo-4,6,-dichloro-pyrimidine 대신 중간체 g를, 2-hydroxyphenylboronic acid 대신 naphtho[2,3-b]benzofuran-2-ylboronic acid 사용하는 것을 제외하고는 중간체 A의 합성 방법과 동일한 방법으로 화합물 115 3.30g(수율 80%)을 얻었다. 생성된 화합물은 LC-MS를 이용하여 확인하였다. (계산값:516.24, 측정값:517.10)
(9) 화합물군 1의 화합물 148의 합성
일 실시예에 따른 광 흡수제 화합물군 1의 화합물 148은 예를 들어 하기 반응식 1-9에 의해 합성될 수 있다.
[반응식 1-9]
Figure PCTKR2019012652-appb-img-000082
<중간체 H의 합성>
이소프로필알코올 대신 도데칸올(dodecanol)을 사용하는 것을 제외하고는 중간체 C의 합성 방법과 동일한 방법으로 중간체 H 3.12g(수율 80%)을 얻었다. 생성된 화합물은 LC-MS를 이용하여 확인하였다. (계산값:390.21, 측정값:391.10)
<화합물 148 합성>
2-bromo-4,6,-dichloro-pyrimidine 대신 중간체 H를, 2-hydroxyphenylboronic acid 대신 (7,7-dimethyl-7H-benzo[c]fluoren-5-yl)boronic acid 사용하는 것을 제외하고는 중간체 A의 합성 방법과 동일한 방법으로 화합물 148 3.82g(수율 80%)을 얻었다. 생성된 화합물은 LC-MS를 이용하여 확인하였다. (계산값:598.36, 측정값:599.20)
(10) 화합물군 1의 화합물 177의 합성
일 실시예에 따른 광 흡수제 화합물군 1의 화합물 177은 예를 들어 하기 반응식 1-10에 의해 합성될 수 있다.
[반응식 1-10]
Figure PCTKR2019012652-appb-img-000083
<중간체 I의 합성>
hydroxyphenylboronic acid 대신 (4-((2-ethylhexyl)oxy)-2-hydroxyphenyl)boronic acid 을 사용하는 것을 제외하고는 중간체 A의 합성 방법과 동일한 방법으로 중간체 I 2.94g(수율 80%)을 얻었다. 생성된 화합물은 LC-MS를 이용하여 확인하였다. (계산값:368.11, 측정값:369.90)
<중간체 J의 합성>
중간체 B 대신 중간체 I를, 6-Chryseneboronic acid 대신 (6-(2-methoxyphenyl)pyren-1-yl)boronic acid 사용하는 것을 제외하고는 화합물 2의 합성 방법과 동일한 방법으로 화합물 177 3.48g(수율 80%)을 얻었다. 생성된 화합물은 LC-MS를 이용하여 확인하였다. (계산값:680.34, 측정값:681.22)
<화합물 177 합성>
2-bromo-4,6,-dichloro-pyrimidine 대신 중간체 I를, 2-hydroxyphenylboronic acid 대신 naphtho[2,3-b]benzofuran-2-ylboronic acid 사용하는 것을 제외하고는 중간체 A의 합성 방법과 동일한 방법으로 화합물 115 3.30g(수율 80%)을 얻었다. 생성된 화합물은 LC-MS를 이용하여 확인하였다. (계산값:516.24, 측정값:517.10)
(11) NMR 데이터
아래 표 1에서는 상술한 합성법으로 합성한 화합물군 1의 실시예 화합물들에 대한 NMR 데이터를 나타내었다.
실시예 화합물 NMR (400hz)
화합물군 1의 화합물 2 9.61(brs, 1H), 9.27(s, 1H), 9.08(d, 1H), 8.84(d, 1H), 8.17(d, 1H), 7.92(m, 2H), 7.81-7.54(m, 6H), 7.32(t, 1H), 7.06(d, 1H), 7.02-7.00(m, 2H), 3.85(s, 3H)
화합물군 1의 화합물 15 9.61(brs, 1H), 8.52(d, 1H), 8.31(d, 1H), 8.16(d, 1H), 8.08-8.04(m, 4H), 7.92(m, 1H), 7.7-7.55(m, 2H), 7.32(t, 1H), 7.06-7.00(m, 2H), 5.24(m, 1H), 1.35(d, 2H)
화합물군 1의 화합물 25 15.30 (s, 1H), 8.73(d, 1H), 8.31(d, 1H), 8.21-7.88 (m, 7H), 7.86(d, 1H), 7.40(m, 1H), 7.08-7.00(m,2H) 4.64(t, 2H), 2.06(m, 2H), 1.16(t, 3H)
화합물군 1의 화합물 36 15.30 (s, 1H), 9.01(s, 1H), 8.81(d, 1H), 8.46(d, 1H), 7.97-7.95(m, 2H), 7.79-7.36(m, 5H), 7.07-7.00(m, 2H), 4.67(t, 2H), 1.94-1.85(m, 2H), 1.68-1.58(m, 2H), 1.29-1.23(m, 4H) 0.97-0.98(m, 3H)
화합물군 1의 화합물 56 15.30(s, 1H), 8.74(d, 1H), 8.31(d, 1H), 8.19-7.86(m, 8H), 7.40(m, 1H), 7.08-7.00(m, 2H), 4.29(d, 1H), 4.17(d, 1H), 2.00-1.74(m, H), 1.68-1.59(m, H), 1.43-1.18(m, H), 0.89(q, 3H)
화합물군 1의 화합물 78 15.30(s, 1H), 8.73(d, 1H), 8.31(d, 1H), 8.22-7.94(m, 6H), 7.88(d, 1H), 7.40-7.34(m, 1H), 7.10-7.00(m, 2H), 5.86(m, 1H),2.26-2.16(m, 2H), 1.93-1.74(m, 4H), 1.72-1.62(m, 2H)
화합물군 1의 화합물 95 15.30(s, 2H), 8.75(d, 1H), 8.31(d, 1H), 8.16-8.02(m, 6H), 7.86(d, 1H), 7.16(t, 1H), 6.17(d, 2H), 4.28(ab, 2H), 2.00-1.80(m, 2H), 1.71-1.60(m, 1H), 1.48-1.19(m, 6H), 0.91(t, 3H), 0.84(t, 3H)
화합물군 1의 화합물 115 12.81(s, 3H), 9.01(m, 1H), 8.85-8.76(m, 2H), 8.46-8.44(m, 1H), 7.98-7.95(m, 1H), 7.82-7.77(m, 1H), 7.69-7.60(m, 2H), 7.56(dt, 1H), 5.88(s, 2H), 5.50(m, 1H), 1.37(d, 3H)
화합물군 1의 화합물 148 15.30(s, 1H), 9.46(s, 1H), 8.76-8.65(m, 3H), 8.02-7.96(m, 2H), 7.81(t, 1H), 7.65-7.56(m, 3H), 7.40(m, 1H), 7.08-7.00(m, 2H), 4.67(t, 2H), 1.95-1.91(m, 2H), 1.66-1.58(m, 2H), 1.32-1.24(m, 4H), 0.96-0.87(m, 3H)
화합물군 1의 화합물 177 10.90(s, 2H), 9.01(s, 1H), 8.81(d, 2H), 8.46(m, 1H), 8.22(d, 1H), 7.98(d, 1H), 7.78(t, 1H). 7.66-7.53(m, 3H), 6.53(s, 1H), 6.31(d, 1H), 4.36(ab, 2H), 2.20(m, 1H), 1.43-1.20(m, 6H), 0.96-0.87(m, 6H)
1-2. 화학식 2로 표시되는 광 흡수제의 합성상술한 화학식 2로 표시되는 일 실시예의 광 흡수제의의 합성 방법에 대해서, 화합물군 2의 화합물 2, 15, 20, 24, 35, 40, 75, 94, 102, 154, 169, 227, 280, 295, 299, 320의 합성 방법을 예시하여 구체적으로 설명한다. 또한, 이하에 설명하는 광 흡수제의 합성법은 일 실시예로서, 본 발명의 실시형태에 따른 광 흡수제의 합성법이 하기의 실시예에 한정되지 않는다.
(1) 화합물군 2의 화합물 2의 합성
일 실시예에 따른 광 흡수제 화합물군 2의 화합물 1은 예를 들어 하기 반응식 2-1에 의해 합성될 수 있다.
[반응식 2-1]
Figure PCTKR2019012652-appb-img-000084
<중간체 2-3의 합성>
화합물 2-1(chrysen-6-ylboronic acid) 5.4g과 화합물 2-2(cyanuric chloride) 3.6g, Pd(PPh3) 4 0.8g 및 K 2CO 3 7.2g을 THF/물(80ml/20ml) 용액에 추가한 후 70℃에서 5시간 동안 교반하였다. 반응이 완결된 후 상온으로 온도를 낮춘 후 Ethyl acetate 로 3회 추출하였다. 무수황산마그네슘으로 건조 및 여과 후 감압 농축하여 얻은 잔사를 메틸렌클로라이드(Methylene chloride, MC)로 세정하여 중간체 2-3 6.2g(수율 84%)을 얻었다. 생성된 화합물은 LC-MS를 이용하여 중간체 2-3인 것을 확인하였다. (C 21H 11Cl 2N 3, 계산값:375.03, 측정값:375.05)
<중간체 2-4의 합성>
중간체 2-3 6g을 DMF(dimethylformamid) 300ml에 혼합한 후 NaOMe 860mg을 첨가하였다. 이후 100℃에서 1시간 동안 교반하였다. 반응 후 상온으로 온도를 낮추고 물로 반응을 종결시키고 얻은 잔사를 MC로 씻어주어 중간체 2-4 4.8g(수율 81%)을 얻었다. 생성된 화합물은 LC-MS를 이용하여 중간체 2-4인 것을 확인하였다. (C 22H 14ClN 3O, 계산값: 371.08, 측정값: 371.09)
<화합물 2의 합성>
중간체 2-4 4.8g 및 (2-hydroxyphenyl)boronic acid 1.9g을 사용하는 것을 제외하고 중간체 2-3의 합성 방법과 동일한 방법으로 화합물 2 4.5g(수율 82%)을 얻었다. 생성된 화합물은 LC-MS를 이용하여 화합물 2인 것을 확인하였다. (C 28H 19N 3O 2, 계산값: 429.15, 측정값: 429.17)
(2) 화합물군 2의 화합물 15의 합성
일 실시예에 따른 광 흡수제 화합물군 2의 화합물 15는 예를 들어 하기 반응식 2-2에 의해 합성될 수 있다.
[반응식 2-2]
Figure PCTKR2019012652-appb-img-000085
<중간체 15-2의 합성>
중간체 15-1 5g을 사용하는 것을 제외하고는 중간체 2-3의 합성 방법과 동일한 방법으로 중간체 15-2 5.7g(수율 80%)을 얻었다. 생성된 화합물은 LC-MS를 이용하여 중간체 15-2인 것을 확인하였다. (C 19H 9Cl 2N 3, 계산값: 349.02, 측정값: 349.01)
<중간체 15-3의 합성>
이소프로필알코올(Isoporpy alcohol) 1g을 DMF 40ml에 혼합한 후 반응 온도를 0℃로 낮춘다. NaH(60% mineral oil) 400mg을 천천히 넣어준 후 상온으로 온도를 올리고 1시간 동안 교반하였다. 다시 반응 온도를 0℃로 낮춘 후 DMF 50ml에 혼합한 중간체 15-2 5.7g을 천천히 반응 용기에 적가하였다. 30분 동안 반응 온도를 유지시킨 후 상온으로 천천히 온도를 올리고 6시간 동안 교반하였다. 반응을 물로 종결시킨 후 에틸아세테이트(Ethyl acetate)로 추출하고 물로 4회 세정하였다. 감압 증류 후 얻은 잔사를 MC로 세정한 후 중간체 15-3 5.2g(수율 86%)을 얻었다. 생성된 화합물은 LC-MS를 이용하여 중간체 15-3인 것을 확인하였다. (C 22H 16ClN 3O 계산값: 373.10, 측정값:373.14)
<화합물 15의 합성>
중간체 2-4 5.2g 및 (2-hydroxyphenyl)boronic acid 2.1g을 사용하는 것을 제외하고 중간체 2-3의 합성 방법과 동일한 방법으로 화합물 15 4.7g(수율 78%)을 얻었다. 생성된 화합물은 LC-MS를 이용하여 화합물 15인 것을 확인하였다. (C 28H 21N 3O 2 계산값: 431.16, 측정값:431.19)
(3) 화합물군 2의 화합물 20의 합성
일 실시예에 따른 광 흡수제 화합물군 2의 화합물 20은 예를 들어 하기 반응식 2-3에 의해 합성될 수 있다.
[반응식 2-3]
Figure PCTKR2019012652-appb-img-000086
<중간체 20-1의 합성>
중간체 15-2 5g과 IPA 대신 n-propanol 1g을 사용한 것을 제외하고는 중간체 15-3의 합성 방법과 동일한 방법으로 중간체 20-1 4.6g(수율 87%)을 얻었다. 생성된 화합물은 LC-MS를 이용하여 중간체 20-1인 것을 확인하였다. (C 22H 16ClN 3O, 계산값: 373.10, 측정값: 373.12)
<화합물 20의 합성>
중간체 20-1 4.6g을 사용하는 것을 제외하고 화합물 2의 합성 방법과 동일한 방법으로 화합물 20 4.8g(수율 91%)을 얻었다. 생성된 화합물은 LC-MS를 이용하여 화합물 20인 것을 확인하였다. (C 28H 21N 3O 2, 계산값: 431.16, 측정값: 431.18)
(4) 화합물군 2의 화합물 24의 합성
일 실시예에 따른 광 흡수제 화합물군 2의 화합물 24는 예를 들어 하기 반응식 2-4에 의해 합성될 수 있다.
[반응식 2-4]
Figure PCTKR2019012652-appb-img-000087
<중간체 24-2의 합성>
9-bromophenanthrene 5g을 THF 50ml에 혼합한 후 -78℃로 반응 온도를 낮춘다. n-BuLi(8mL, 2.43M in hexane)을 천천히 적하하고 1시간 동안 반응 온도를 유지하면서 교반하였다. Cynuric chloride 3.6g을 THF 15ml에 혼합한 후 반응 용기에 천천히 적가하였다. 3시간 후 포화 암모늄 클로라이드 수용액을 이용하여 반응을 종결시키고 ethyl acetate를 이용하여 3회 추출하였다. 분리한 여액을 무수 황산마그네슘을 이용하여 건조 시킨 후 감압 증류하여 잔사를 얻었다. 이렇게 얻은 잔사를 MC를 이용하여 재결정하여 중간체 24-2 5.8g(수율 91%)을 얻었다. 생성된 화합물은 LC-MS를 이용하여 중간체 24-2인 것을 확인하였다. (C 17H 9Cl 2N 3, 계산값: 325.02, 측정값: 325.01)
<중간체 24-3의 합성>
중간체 24-2 5.8g과 n-hexanol 1.9g을 사용하는 것을 제외하고 중간체 15-3의 합성 방법과 동일한 방법으로 중간체 24-3 6g(수율 86%)을 얻었다. 생성된 화합물은 LC-MS를 이용하여 중간체 24-3인 것을 확인하였다. (C 23H 22ClN 3O, 계산값: 391.15, 측정값: 391.16)
<화합물 24의 합성>
중간체 24-3 6g을 사용하는 것을 제외하고 화합물 2의 합성 방법과 동일한 방법으로 화합물 24 6.1g(수율 88%)을 얻었다. 생성된 화합물은 LC-MS를 이용하여 화합물 24인 것을 확인하였다. (C 29H 27N 3O 2, 계산값: 449.21, 측정값: 449.25)
(5) 화합물군 2의 화합물 35의 합성
일 실시예에 따른 광 흡수제 화합물군 2의 화합물 35는 예를 들어 하기 반응식 2-5에 의해 합성될 수 있다.
[반응식 2-5]
Figure PCTKR2019012652-appb-img-000088
<중간체 35-1의 합성>
중간체 15-2 3.5g과 2-ethylhexan-1-ol 1.3g을 사용하는 것을 제외하고 중간체 20-1의 합성 방법과 동일한 방법으로 중간체 35-1 3.8g(수율 86%)을 얻었다. 생성된 화합물은 LC-MS를 이용하여 중간체 35-1인 것을 확인하였다. (C 27H 26ClN 3O, 계산값: 443.18, 측정값: 443.19)
<화합물 35의 합성>
중간체 35-1 3.8g을 사용하는 것을 제외하고는 화합물 2의 합성 방법과 동일한 방법으로 화합물 35 3.5g(수율 81%)을 얻었다. 생성된 화합물은 LC-MS를 이용하여 화합물 35인 것을 확인하였다. (C 33H 31N 3O 2, 계산값: 501.24, 측정값: 501.25)
(6) 화합물군 2의 화합물 40의 합성
일 실시예에 따른 광 흡수제 화합물군 2의 화합물 40은 예를 들어 하기 반응식 2-6에 의해 합성될 수 있다.
[반응식 2-6]
Figure PCTKR2019012652-appb-img-000089
<중간체 40-1의 합성>
중간체 15-2 3.5g과 2-ethylhexan-1-ol 860mg을 사용하는 것을 제외하고는 중간체 20-1의 합성 방법과 동일한 방법으로 중간체 40-1 3.7g(수율 93%)을 얻었다. 생성된 화합물은 LC-MS를 이용하여 중간체 40-1인 것을 확인하였다. (C 24H 18ClN 3O, 계산값: 399.11, 측정값: 399.12)
<화합물 40의 합성>
중간체 40-1 3.7g을 사용하는 것을 제외하고는 화합물 2의 합성 방법과 동일한 방법으로 화합물 35 3.6g(수율 85%)을 얻었다. 생성된 화합물은 LC-MS를 이용하여 화합물 40인 것을 확인하였다. (C 30H 23N 3O 2, 계산값: 457.18, 측정값: 457.20)
(7) 화합물군 2의 화합물 75의 합성
일 실시예에 따른 광 흡수제 화합물군 2의 화합물 75는 예를 들어 하기 반응식 2-7에 의해 합성될 수 있다.
[반응식 2-7]
Figure PCTKR2019012652-appb-img-000090
중간체 35-1 3g과 2-(4,4,5,5-tetramethyl-1,3,2-dioxaborolan-2-yl)benzene-1,3-diol 1.4g을 사용하는 것을 제외하고는 화합물 2의 합성 방법과 동일한 방법으로 화합물 75 3g(수율 86%)을 얻었다. 생성된 화합물은 LC-MS를 이용하여 화합물 75인 것을 확인하였다. (C 33H 31N 3O 3, 계산값: 517.24, 측정값: 517.29)
(8) 화합물군 2의 화합물 94의 합성
일 실시예에 따른 광 흡수제 화합물군 2의 화합물 94는 예를 들어 하기 반응식 2-8에 의해 합성될 수 있다.
[반응식 2-8]
Figure PCTKR2019012652-appb-img-000091
<중간체 94-1의 합성>
중간체 24-2 6.5g과 isopropyl alcohol 1.2g을 사용하는 것을 제외하고는 중간체 24-3의 합성 방법과 동일한 방법으로 중간체 94-1 3.7g(수율 53%)을 얻었다. 생성된 화합물은 LC-MS를 이용하여 중간체 94-1인 것을 확인하였다. (C 20H 16ClN 3O, 계산값: 349.1, 측정값: 349.15)
<화합물 94의 합성>
중간체 94-1 3.5g과 2-(4,4,5,5-tetramethyl-1,3,2-dioxaborolan-2-yl)benzene-1,3,5-triol 2.7g을 사용하는 것을 제외하고는 화합물 2의 합성 방법과 동일한 방법으로 화합물 94 2.8g(수율 64%)을 얻었다. 생성된 화합물은 LC-MS를 이용하여 화합물 94인 것을 확인하였다. (C 26H 21N 3O 4, 계산값: 439.16, 측정값: 439.18)
(9) 화합물군 2의 화합물 102의 합성
일 실시예에 따른 광 흡수제 화합물군 2의 화합물 102는 예를 들어 하기 반응식 2-9에 의해 합성될 수 있다.
[반응식 2-9]
Figure PCTKR2019012652-appb-img-000092
<중간체 102-1의 합성>
중간체 2-3 3.8g과 n-hexan-1-ol 1.1g을 사용하는 것을 제외하고는 중간체 24-3의 합성 방법과 동일한 방법으로 중간체 102-1 3.3g(수율 75%)을 얻었다. 생성된 화합물은 LC-MS를 이용하여 중간체 102-1인 것을 확인하였다. (C 27H 24ClN 3O, 계산값: 441.16, 측정값: 441.19)
<화합물 102의 합성>
중간체 102-1 3.3g을 사용하는 것을 제외하고는 화합물 2의 합성 방법과 동일한 방법으로 화합물 102 2.8g(수율 76%)를 얻었다. 생성된 화합물은 LC-MS를 이용하여 화합물 102인 것을 확인하였다. (C 33H 29N 3O 2, 계산값: 499.23, 측정값: 499.26)
(10) 화합물군 2의 화합물 154의 합성
일 실시예에 따른 광 흡수제 화합물군 2의 화합물 154는 예를 들어 하기 반응식 2-10에 의해 합성될 수 있다.
[반응식 2-10]
Figure PCTKR2019012652-appb-img-000093
<중간체 154-1의 합성>
중간체 24-2 3.3g과 2-ethylhexan-1-ol 1.3g을 사용하는 것을 제외하고는 중간체 24-3의 합성 방법과 동일한 방법으로 중간체 154-1 3.2g(수율 76%)을 얻었다. 생성된 화합물은 LC-MS를 이용하여 중간체 154-1인 것을 확인하였다. (C 25H 26ClN 3O, 계산값: 419.18, 측정값: 419.20)
<화합물 154의 합성>
중간체 154-1 3.3g과 4-(4,4,5,5-tetramethyl-1,3,2-dioxaborolan-2-yl)benzene-1,3-diol 1.8g을 사용하는 것을 제외하고 화합물 2의 합성 방법과 동일한 방법으로 화합물 154 3.2g(수율 83%)을 얻었다. 생성된 화합물은 LC-MS를 이용하여 화합물 154인 것을 확인하였다. (C 30H 29N 3O 3, 계산값: 479.22, 측정값: 479.23)
(11) 화합물군 2의 화합물 169의 합성
일 실시예에 따른 광 흡수제 화합물군 2의 화합물 169는 예를 들어 하기 반응식 2-11에 의해 합성될 수 있다.
[반응식 2-11]
Figure PCTKR2019012652-appb-img-000094
<중간체 169-2의 합성>
중간체 169-1 (선행문헌 WO2014141725A1에 개시) 5.2g과 화합물 2-2 3.6g을 사용하는 것을 제외하고는 중간체 2-3의 합성 방법과 동일한 방법으로 중간체 169-2 4.3g(수율 59%)을 얻었다. 생성된 화합물은 LC-MS를 이용하여 중간체 169-2인 것을 확인하였다. (C 19H 9Cl 2N 3O, 계산값: 365.01, 측정값: 365.04)
<중간체 169-3의 합성>
중간체 169-2 4.3g을 사용하는 것을 제외하고는 중간체 2-4의 합성 방법과 동일한 방법으로 중간체 169-3 3.2g(수율 81%)을 얻었다. 생성된 화합물은 LC-MS를 이용하여 중간체 169-3인 것을 확인하였다. (C 20H 12ClN 3O 2, 계산값: 361.06, 측정값: 361.12)
<화합물 169의 합성>
중간체 169-3 3.2g을 사용하는 것을 제외하고는 화합물 2의 합성 방법과 동일한 방법으로 화합물 169 2.8g(수율 76%)을 얻었다. 생성된 화합물은 LC-MS를 이용하여 화합물 169인 것을 확인하였다. (C 26H 17N 3O 3, 계산값: 419.13, 측정값: 419.16)
(12) 화합물군 2의 화합물 227의 합성
일 실시예에 따른 광 흡수제 화합물군 2의 화합물 227은 예를 들어 하기 반응식 2-12에 의해 합성될 수 있다.
[반응식 2-12]
Figure PCTKR2019012652-appb-img-000095
<중간체 227-2의 합성>
중간체 227-1 3.4g과 화합물 2-2 2g을 사용하는 것을 제외하고는 중간체 2-3의 합성 방법과 동일한 방법으로 중간체 227-2 3.6g(수율 81%)을 얻었다. 생성된 화합물은 LC-MS를 이용하여 중간체 227-2인 것을 확인하였다. (C 26H 17Cl 2N 3, 계산값: 441.08, 측정값: 441.09)
<중간체 227-3의 합성>
중간체 227-2 3.6g과 undecan-1-ol 1.4g을 사용하는 것을 제외하고는 중간체 24-3의 합성 방법과 동일한 방법으로 중간체 227-3 3.9g(수율 83%)을 얻었다. 생성된 화합물은 LC-MS를 이용하여 중간체 227-3인 것을 확인하였다. (C 37H 40ClN 3O, 계산값: 577.29, 측정값: 577.30)
<화합물 227의 합성>
중간체 227-3 3.9g을 사용한 것을 제외하고는 화합물 2의 합성 방법과 동일한 방법으로 화합물 227 3.3g(수율77%)을 얻었다. 생성된 화합물은 LC-MS를 이용하여 화합물 227인 것을 확인하였다. (C 43H 45N 3O 2, 계산값: 635.35, 측정값: 635.39)
(13) 화합물군 2의 화합물 280의 합성
일 실시예에 따른 광 흡수제 화합물군 2의 화합물 280은 예를 들어 하기 반응식 2-13에 의해 합성될 수 있다.
[반응식 2-13]
Figure PCTKR2019012652-appb-img-000096
<중간체 280-1의 합성>
중간체 15-2 3.5g과 3-(dodecyloxy)phenol 2.8g을 methylene chloride 100ml에 혼합한 후 AlCl 3 1.4g를 0℃에서 천천히 적가한다. 반응 온도를 40℃로 올려서 3시간 동안 환류 교반하였다. 반응이 완결되면 0℃에서 물로 반응을 종결시키고 MC로 3회 추출하였다. 얻은 여액을 무수 황산마그네슘으로 건조시킨 후 필터 및 감압 증류하여 중간체 280-1 3.2g(수율 54%)을 얻었다. 생성된 화합물은 LC-MS를 이용하여 중간체 280-1인 것을 확인하였다. (C 37H 38ClN 3O- 2, 계산값: 591.27, 측정값: 591.28)
<화합물 280의 합성>
중간체 280-1 3.2g과 2-ethylhexan-1-ol 0.7g을 사용하는 것을 제외하고는 중간체 24-3의 합성 방법과 동일한 방법으로 화합물 280 2.4g(수율 67%)을 얻었다. 생성된 화합물은 LC-MS를 이용하여 화합물 280인 것을 확인하였다. (C 45H 55N 3O 3, 계산값: 685.42, 측정값: 685.43)
(14) 화합물군 2의 화합물 295의 합성
일 실시예에 따른 광 흡수제 화합물군 2의 화합물 295는 예를 들어 하기 반응식 2-14에 의해 합성될 수 있다.
[반응식 2-14]
Figure PCTKR2019012652-appb-img-000097
<중간체 295-1의 합성>
3-((2-ethylhexyl)oxy)phenol 2.2g을 사용하는 것을 제외하고는 중간체 280-1의 합성 방법과 동일한 방법으로 중간체 295-1 3.7g(수율 68%)을 얻었다. 생성된 화합물은 LC-MS를 이용하여 중간체 295-1인 것을 확인하였다. (C 33H 30ClN 3O- 2, 계산값: 535.2, 측정값: 535.21)
<화합물 295의 합성>
중간체 295-1 3.7g과 n-dodecanol 1.3g을 사용하는 것을 제외하고는 중간체 24-3의 합성 방법과 동일한 방법으로 화합물 295 3.9g(수율 84%)을 얻었다. 생성된 화합물은 LC-MS를 이용하여 화합물 295인 것을 확인하였다. (C 45H 55N 3O 3, 계산값: 685.42, 측정값: 685.43)
(15) 화합물군 2의 화합물 299의 합성
일 실시예에 따른 광 흡수제 화합물군 2의 화합물 299는 예를 들어 하기 반응식 2-15에 의해 합성될 수 있다.
[반응식 2-15]
Figure PCTKR2019012652-appb-img-000098
<중간체 299-1의 합성>
5-methoxybenzene-1,3-diol 1.4g을 사용하는 것을 제외하고는 중간체 280-1의 합성 방법과 동일한 방법으로 중간체 299-1 3g(수율 71%)을 얻었다. 생성된 화합물은 LC-MS를 이용하여 중간체 299-1인 것을 확인하였다. (C 24H 16ClN 3O- 3, 계산값: 429.09, 측정값: 429.12)
<화합물 299의 합성>
중간체 299-1 3g과 2-ethylhexan-1-ol 0.74g을 사용하는 것을 제외하고는 중간체 2-4의 합성 방법과 동일한 방법으로 화합물 299 2.3g(수율 76%)을 얻었다. 생성된 화합물은 LC-MS를 이용하여 화합물 299인 것을 확인하였다. (C 25H 19N 3O 4, 계산값: 425.14, 측정값: 425.15)
(16) 화합물군 2의 화합물 320의 합성
일 실시예에 따른 광 흡수제 화합물군 2의 화합물 320은 예를 들어 하기 반응식 2-16에 의해 합성될 수 있다.
[반응식 2-16]
Figure PCTKR2019012652-appb-img-000099
<중간체 320-1의 합성>
5-((2-ethylhexyl)oxy)benzene-1,3-diol 2.4g을 사용하는 것을 제외하고는 중간체 280-1의 합성 방법과 동일한 방법으로 중간체 320-1 3.1g(수율 57%)을 얻었다. 생성된 화합물은 LC-MS를 이용하여 중간체 320-1인 것을 확인하였다. (C 33H 30ClN 3O- 3, 계산값: 551.20, 측정값: 551.23)
<화합물 320의 합성>
중간체 320-1 3.1g과 2-ethylhexan-1-ol 0.74g을 사용하는 것을 제외하고는 중간체 24-3의 합성 방법과 동일한 방법으로 화합물 320 2.4g(수율 66%)을 얻었다. 생성된 화합물은 LC-MS를 이용하여 화합물 320인 것을 확인하였다. (C 41H 47N 3O 4, 계산값: 645.36, 측정값: 645.39)
(17) 화합물군 2의 화합물들의 NMR 데이터
아래 표 2에서는 상술한 합성법으로 합성한 실시예 화합물들에 대한 NMR 데이터를 나타내었다.
실시예 화합물 NMR (400hz)
화합물군 2의화합물 2 9.61(brs, 1H), 9.27(s, 1H), 9.08(d, 1H), 8.84(d, 1H), 8.17(d, 1H), 7.92(m, 2H), 7.81-7.54(m, 6H), 7.32(t, 1H), 7.06(d, 1H), 7.02-7.00(m, 2H), 3.85(s, 3H)
화합물군 2의화합물 15 9.61(brs, 1H), 8.52(d, 1H), 8.31(d, 1H), 8.16(d, 1H), 8.08-8.04(m, 4H), 7.92(m, 1H), 7.7-7.55(m, 2H), 7.32(t, 1H), 7.06-7.00(m, 2H), 5.24(m, 1H), 1.35(d, 2H)
화합물군 2의화합물 20 15.30 (s, 1H), 8.73(d, 1H), 8.31(d, 1H), 8.21-7.88 (m, 7H), 7.86(d, 1H), 7.40(m, 1H), 7.08-7.00(m,2H) 4.64(t, 2H), 2.06(m, 2H), 1.16(t, 3H)
화합물군 2의화합물 24 15.30 (s, 1H), 9.01(s, 1H), 8.81(d, 1H), 8.46(d, 1H), 7.97-7.95(m, 2H), 7.79-7.36(m, 5H), 7.07-7.00(m, 2H), 4.67(t, 2H), 1.94-1.85(m, 2H), 1.68-1.58(m, 2H), 1.29-1.23(m, 4H) 0.97-0.98(m, 3H)
화합물군 2의화합물 35 15.30(s, 1H), 8.74(d, 1H), 8.31(d, 1H), 8.19-7.86(m, 8H), 7.40(m, 1H), 7.08-7.00(m, 2H), 4.29(d, 1H), 4.17(d, 1H), 2.00-1.74(m, H), 1.68-1.59(m, H), 1.43-1.18(m, H), 0.89(q, 3H)
화합물군 2의화합물 40 15.30(s, 1H), 8.73(d, 1H), 8.31(d, 1H), 8.22-7.94(m, 6H), 7.88(d, 1H), 7.40-7.34(m, 1H), 7.10-7.00(m, 2H), 5.86(m, 1H),2.26-2.16(m, 2H), 1.93-1.74(m, 4H), 1.72-1.62(m, 2H)
화합물군 2의화합물 75 15.30(s, 2H), 8.75(d, 1H), 8.31(d, 1H), 8.16-8.02(m, 6H), 7.86(d, 1H), 7.16(t, 1H), 6.17(d, 2H), 4.28(ab, 2H), 2.00-1.80(m, 2H), 1.71-1.60(m, 1H), 1.48-1.19(m, 6H), 0.91(t, 3H), 0.84(t, 3H)
화합물군 2의화합물 94 12.81(s, 3H), 9.01(m, 1H), 8.85-8.76(m, 2H), 8.46-8.44(m, 1H), 7.98-7.95(m, 1H), 7.82-7.77(m, 1H), 7.69-7.60(m, 2H), 7.56(dt, 1H), 5.88(s, 2H), 5.50(m, 1H), 1.37(d, 3H)
화합물군 2의화합물 102 15.30(s, 1H), 9.46(s, 1H), 8.76-8.65(m, 3H), 8.02-7.96(m, 2H), 7.81(t, 1H), 7.65-7.56(m, 3H), 7.40(m, 1H), 7.08-7.00(m, 2H), 4.67(t, 2H), 1.95-1.91(m, 2H), 1.66-1.58(m, 2H), 1.32-1.24(m, 4H), 0.96-0.87(m, 3H)
화합물군 2의화합물 154 10.90(s, 2H), 9.01(s, 1H), 8.81(d, 2H), 8.46(m, 1H), 8.22(d, 1H), 7.98(d, 1H), 7.78(t, 1H). 7.66-7.53(m, 3H), 6.53(s, 1H), 6.31(d, 1H), 4.36(ab, 2H), 2.20(m, 1H), 1.43-1.20(m, 6H), 0.96-0.87(m, 6H)
화합물군 2의화합물 169 15.30(s, 1H), 8.65(m, 1H), 8.63(m, 1H), 8.36(m, 1H), 8.23-8.20(m, 1H), 8.14(s, 1H), 8.07-8.00(m, 2H), 7.91-7.86(m, 1H), 7.42-7.35(m, 3H), 7.07(t, 1H), 7.02(dd, 1H), 4.01(s, 3H)
화합물군 2의화합물 227 15.30(s, 1H), 8.62(s, 1H), 8.41(td, 1H), 7.98(dd, 1H), 7.77(d, 1H), 7.74(m, 1H), 7.69(dt, 1H), 7.48-7.32(m, 5H), 7.26(dt, H), 7.16(dt, 1H), 7.06(t, 1H), 7.00(dd, 1H), 4.57(t, 2H), 1.90(p, 2H), 1.68(s, 6H), 1.58(p, 2H), 1.35-1.22(m, 14H), 0.87(t, 3H)
화합물군 2의화합물 280 15.30(s, 1H), 8.74(d, 1H), 8.31(d, 1H), 8.19(d, 1H), 8.15-8.08(m, 4H), 8.01(m, 1H), 7.88(d, 1H), 7.86(dd, 1H), 6.33(m, 1H), 4.30(ab, 2H), 3.89(t, 2H), 1.99-1.90(m, 1H), 1.85-1.75(m, 3H), 1.69-1.60(m, 1H), 1.51-1.19(m, 24H), 0.91-0.83(m, 9H)
화합물군 2의화합물 295 15.30(s, 1H), 8.74(d, 1H), 8.31(d, 1H), 8.19-8.08(m, 5H), 8.02(t, 1H), 7.88(d, 1H), 7.83(dd, 1H), 6.36(dd, H), 6.31(t, 1H), 4.59(t, 2H), 4.09(dd, 1H), 3.88(d, 1H), 1.94-1.74(m, 4H), 1.63-1.51(m, 3H), 1.39-1.15(m, 22H), 0.90-0.85(m, 9H)
화합물군 2의화합물 299 15.30(s, 2H), 9.04(m, 1H), 8.81-8.79(m, 2H), 8.46-8.44(m, 2H), 7.98-7.96(m, 1H), 7.82(t, 1H), 7.69-7.52(m, 3H), 5.77(s, 2H), 4.01(s, 3H), 3.77(s, 3H)
화합물군 2의화합물 320 15.30(s, 2H), 8.73(d, 1H), 8.31(d, 1H), 8.19-8.13(m, 3H), 8.10(t, 1H), 8.02-7.99(m, 2H) 5.75(s, 2H), 4.29(d, 1H), 4.18(m, 1H), , 4.13-4.12(m, H), 4.11(d, 1H), 3.95(dd, 1H) 1.99-1.90(m, 2H), 1.87-1.72(m, 2H), 1.69-1.54(m, 2H), 1.42-1.14(m, 12H), 0.91-0.85(m, 12H)
2. 광 흡수제의 흡광도 평가
일 실시예의 광 흡수제의 흡광도를 평가하기 위하여 일 실시예의 광 흡수제를 포함하여 형성된 유기막의 투과도를 405nm 파장 및 430nm 파장에서 각각 평가하였다. 실시예 및 비교예에 사용된 광 흡수제 화합물은 표 3에 나타내었다.
Figure PCTKR2019012652-appb-img-000100
Figure PCTKR2019012652-appb-img-000101
Figure PCTKR2019012652-appb-img-000102
Figure PCTKR2019012652-appb-img-000103
표 4에서는 실시예 및 비교예에서의 광 투과도를 405nm 파장 및 430nm에서 각각 나타내었으며, 표 4에서 나타낸 평가 결과는 실시예 및 비교예 화합물을 포함하여 형성된 유기막 상에 편광 부재를 부가한 경우의 투과율을 나타낸 것이다. 투과율은 UV-Vis spectrophotometer(Lambda 650, PerkinElmer 사)로 측정하였으며, 측정 파장 범위는 300nm~780nm로 하였다.
구분 실시예 화합물 투과율(%)(@ 405nm) 투과율(@ 430nm)
실시예 1-1 화합물군 1 화합물 2 3.6 24.2
실시예 1-2 화합물군 1 화합물 15 3.4 33.3
실시예 1-3 화합물군 1 화합물 25 3.5 34.6
실시예 1-4 화합물군 1 화합물 36 3.0 30.0
실시예 1-5 화합물군 1 화합물 56 2.9 31.5
실시예 1-6 화합물군 1 화합물 78 2.6 27.5
실시예 1-7 화합물군 1 화합물 95 2.3 24.3
실시예 1-8 화합물군 1 화합물 115 2.2 21.2
실시예 1-9 화합물군 1 화합물 148 2.4 23.2
실시예 1-10 화합물군 1 화합물 177 2.1 28.5
실시예 2-1 화합물군 2 화합물 2 3.6 24.2
실시예 2-2 화합물군 2 화합물 15 3.4 33.3
실시예 2-3 화합물군 2 화합물 20 3.5 34.6
실시예 2-4 화합물군 2 화합물 24 3.3 31.5
실시예 2-5 화합물군 2 화합물 35 3.0 30.0
실시예 2-6 화합물군 2 화합물 40 2.6 27.5
실시예 2-7 화합물군 2 화합물 75 2.3 24.3
실시예 2-8 화합물군 2 화합물 94 2.2 21.2
실시예 2-9 화합물군 2 화합물 102 2.4 23.2
실시예 2-10 화합물군 2 화합물 154 3.5 27.2
실시예 2-11 화합물군 2 화합물 169 4.0 33.2
실시예 2-12 화합물군 2 화합물 227 3.6 31.2
실시예 2-13 화합물군 2 화합물 280 3.4 29.6
실시예 2-14 화합물군 2 화합물 295 3.5 28.6
실시예 2-15 화합물군 2 화합물 299 2.7 29.3
실시예 2-16 화합물군 2 화합물 320 2.5 30.2
비교예 1 비교예 화합물 C1 0.8 5.3
비교예 2 비교예 화합물 C2 0.5 3.2
비교예 3 비교예 화합물 C3 1.5 6.08
표 4의 결과를 참조하면, 일 실시예에 따른 광 흡수제를 사용한 유기막을 포함한 실시예들의 경우 비교예들에 비하여 430nm에서 높은 투과율 값을 나타내는 것을 확인할 수 있다. 즉, 실시예 및 비교예 화합물을 포함하여 형성된 유기막 상에 편광 부재를 부가한 경우의 투과율 값이 실시예들이 더 높게 나타나는 것으로부터 실시예들에 포함된 유기막들의 430nm에서의 투과율이 비교예에 포함된 유기막들의 430nm에서의 투과율 보다 큰 것임을 알 수 있다.
표 4의 결과를 참조하면, 실시예들의 경우 430nm의 파장에서 상대적으로 높은 투과율 값을 가짐으로써 청색 파장 영역의 광의 투과율이 비교예의 경우와 비교하여 높게 나타나는 것을 확인할 수 있다. 따라서, 실시예는 405nm의 파장에서는 낮은 투과율 값을 나타내는 것으로부터 자외선광 또는 일부 가시광선광이 유기막에서 효과적으로 흡수된 것을 알 수 있으며, 또한 430nm의 파장에서는 상대적으로 높은 투과율 값을 나타내는 것으로부터 청색 파장 영역의 광이 유기막에서 흡수되는 것을 최소화하여 발광 소자에서 방출된 광의 효율 저하를 최소화하는 것을 알 수 있다. 즉, 실시예는 비교예와 비교하여 자외선 광의 흡수율을 유사하게 하여 우수한 신뢰성 특성을 가지면서 청색 파장 영역의 광의 흡수도를 낮추어 비교예에 비하여 우수한 표시 품질을 나타낼 수 있다.
일 실시예의 광 흡수제는 두 개 이상의 질소 원자를 고리 형성 원자로 포함하는 6각 헤테로고리 및 상기 6각 헤테로고리에 치환되고 서로 상이한 3 개의 치환기를 포함하여 가시광선 일부 및 자외선을 효율적으로 흡수할 수 있다. 즉, 일 실시예의 광 흡수제는 피리미딘 코어 또는 트리아진 코어, 적어도 하나의 하이드록시기로 치환된 페닐기의 제1 치환기, 3개 이상의 고리가 축합된 축합환기의 제2 치환기, 및 치환 또는 비치환된 옥시기, 또는 치환 또는 비치환된 티오기의 제3 치환기를 포함하여 405nm 파장에서 10% 이하의 투과율을 갖고, 430nm 파장에서 70% 이상의 투과율을 가지며, 450nm 파장에서 97% 이상의 투과율을 갖는 유기막을 형성할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 광 흡수제는 자외선 및 일부의 가시광선에 대한 광 흡수도가 우수하며, 이를 봉지 부재에 포함한 표시 장치의 발광 소자는 외부 광에 의한 열화가 효율적으로 방지되어 양호한 효율 및 우수한 수명 특성을 나타낼 수 있다.
이상에서는 본 발명의 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자 또는 해당 기술 분야에 통상의 지식을 갖는 자라면, 후술될 특허청구범위에 기재된 본 발명의 사상 및 기술 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.
따라서, 본 발명의 기술적 범위는 명세서의 상세한 설명에 기재된 내용으로 한정되는 것이 아니라 특허청구범위에 의해 정하여져야만 할 것이다.
본 발명은 자외선 및 일부의 가시광선에 대한 광 흡수도가 우수한 광 흡수제 및 이를 봉지 부재에 포함하여 양호한 효율 및 우수한 수명 특성을 갖는 발광 소자에 대한 것으로 산업상 이용 가능성이 높다.

Claims (33)

  1. 제1 전극, 상기 제1 전극과 마주하는 제2 전극, 및 상기 제1 전극과 상기 제2 전극 사이에 배치된 복수의 유기층들을 포함하는 발광 소자; 및
    상기 발광 소자 상에 배치되고 광 흡수제를 포함하는 봉지 부재; 를 포함하며,
    상기 광 흡수제는 두 개 이상의 질소 원자를 고리 형성 원자로 포함하는 6각 헤테로고리 및 상기 6각 헤테로고리에 치환되고 서로 상이한 제1 내지 제3 치환기들을 포함하고,
    상기 제1 치환기는 적어도 하나의 하이드록시기를 포함한 치환된 페닐기이고,
    상기 제2 치환기는 3개 이상의 고리가 축합된 축합환기인 표시 장치.
  2. 제 1항에 있어서,
    상기 봉지 부재는 적어도 하나의 유기막 및 적어도 하나의 무기막을 포함하고, 상기 적어도 하나의 유기막은 상기 광 흡수제를 포함하는 표시 장치.
  3. 제 2항에 있어서,
    상기 적어도 하나의 유기막과 상기 적어도 하나의 무기막은 교대로 적층되어 배치되고,
    상기 적어도 하나의 유기막은 제1 파장 영역의 광을 흡수하는 제1 유기막; 및
    상기 제1 파장 영역의 광과 상이한 제2 파장 영역의 광을 흡수하는 제2 유기막; 을 포함하는 표시 장치.
  4. 제 1항에 있어서,
    상기 봉지 부재는 상기 발광 소자를 커버하는 표시 장치.
  5. 제 1항에 있어서,
    상기 봉지 부재 상에 배치된 편광 부재를 더 포함하는 표시 장치.
  6. 제 1항에 있어서,
    상기 봉지 부재는 상기 제2 전극과 인접하여 배치된 제1 무기막;
    상기 제1 무기막 상에 배치된 제2 무기막; 및
    상기 제1 무기막 및 상기 제2 무기막 사이에 배치되고 상기 광 흡수제를포함한 유기막; 을 포함하고,
    상기 유기막은 405nm 파장에서 10% 이하의 투과율을 갖고, 430nm 파장에서 70% 이상의 투과율을 가지며, 450nm 파장에서 97% 이상의 투과율을 갖는 표시 장치.
  7. 제 1항에 있어서,
    상기 복수의 유기층들은 상기 제1 전극 상에 배치된 정공 수송 영역;
    상기 정공 수송 영역상에 배치된 발광층; 및
    상기 발광층 상에 배치된 전자 수송 영역; 을 포함하는 표시 장치.
  8. 제 1항에 있어서,
    상기 봉지 부재 상에 배치된 광차단층을 더 포함하는 표시 장치.
  9. 제 1항에 있어서,
    상기 6각 헤테로고리는 트리아진, 또는 피리미딘인 표시 장치.
  10. 제 1항에 있어서,
    상기 제1 치환기는 하기 H1 내지 H5 중 어느 하나로 표시되는 표시 장치:
    Figure PCTKR2019012652-appb-img-000104
    상기 H4 및 H5에서 R은 치환 또는 비치환된 탄소수 1 이상 20 이하의 알콕시기이다.
  11. 제 1항에 있어서,
    상기 제2 치환기는 치환 또는 비치환된 안트라센기, 치환 또는 비치환된 파이렌기, 치환 또는 비치환된 크라이센기, 치환 또는 비치환된 디벤조퓨란 유도체, 치환 또는 비치환된 카바졸 유도체, 또는 치환 또는 비치환된 플루오렌 유도체이고,
    상기 치환 또는 비치환된 디벤조퓨란 유도체의 치환기, 상기 치환 또는 비치환된 카바졸 유도체의 치환기, 및 상기 치환 또는 비치환된 플루오렌 유도체의 치환기는 수소 원자, 탄소수 1 이상 20 이하의 알킬기, 탄소수 1 이상 20 이하의 알케닐기, 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 6 이상 30 이하의 아릴기, 또는 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 2 이상 30 이하의 헤테로아릴기이거나, 또는 이웃하는 기들이 서로 결합하여 고리를 형성하는 표시 장치.
  12. 제 1항에 있어서,
    상기 제3 치환기는 치환 또는 비치환된 탄소수 1 이상 20 이하의 알콕시기, 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 6 이상 30 이하의 아릴옥시기, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 이상 20 이하의 알킬티오기, 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 6 이상 30 이하의 아릴티오기, 또는 치환 또는 비치환된 페닐기인 표시 장치.
  13. 제 1항에 있어서,
    상기 광 흡수제는 하기 화학식 1 또는 화학식 2로 표시되는 표시 장치:
    [화학식 1]
    Figure PCTKR2019012652-appb-img-000105
    [화학식 2]
    Figure PCTKR2019012652-appb-img-000106
    상기 화학식 1 및 화학식 2에서,
    Ar은 고리 형성 탄소수 13 이상 60 이하의 치환 또는 비치환된 아릴기, 또는 고리 형성 탄소수 12 이상 60 이하의 치환 또는 비치환된 헤테로아릴기이고,
    R 2 내지 R 5는 각각 독립적으로, 수소 원자, 중수소 원자, 할로겐 원자, 시아노기, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 이상 30 이하의 알킬기, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 이상 20 이하의 알콕시기, 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 6 이상 30 이하의 아릴옥시기, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 이상 30 이하의 알킬 아민기, 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 6 이상 30 이하의 아릴 아민기, 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 2 이상 30 이하의 헤테로고리기, 또는 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 6 이상 30 이하의 아릴기이며
    상기 화학식 1에서, Y 1 내지 Y 3 중 두 개는 N이고 나머지는 CH이며,
    R 1은 수소 원자, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 이상 30 이하의 알킬기, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 이상 20 이하의 알콕시기, 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 6 이상 30 이하의 아릴옥시기, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 이상 20 이하의 알킬티오기, 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 6 이상 30 이하의 아릴티오기, 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 2 이상 30 이하의 헤테로고리기, 또는 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 6 이상 30 이하의 아릴기이고,
    상기 화학식 2에서, X는 O 또는 S이고,
    R 6은 치환 또는 비치환된 탄소수 1 이상 30 이하의 알킬기, 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 2 이상 30 이하의 헤테로고리기, 또는 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 6 이상 30 이하의 아릴기이다.
  14. 제 13항에 있어서,
    상기 화학식 1은 하기 화학식 1-1 내지 화학식 1-4 중 어느 하나로 표시되는 표시 장치:
    [화학식 1-1]
    Figure PCTKR2019012652-appb-img-000107
    [화학식 1-2]
    Figure PCTKR2019012652-appb-img-000108
    [화학식 1-3]
    Figure PCTKR2019012652-appb-img-000109
    [화학식 1-4]
    Figure PCTKR2019012652-appb-img-000110
    상기 화학식 1-1 내지 화학식 1-4에서 Ar, Y 1 내지 Y 3, R 1, 및 R 4는 화학식 1에서 정의한 바와 동일하다.
  15. 제 13항에 있어서,
    상기 화학식 2는 하기 화학식 2-1 내지 화학식 2-4 중 어느 하나로 표시되는 표시 장치:
    [화학식 2-1]
    Figure PCTKR2019012652-appb-img-000111
    [화학식 2-2]
    Figure PCTKR2019012652-appb-img-000112
    [화학식 2-3]
    Figure PCTKR2019012652-appb-img-000113
    [화학식 2-4]
    Figure PCTKR2019012652-appb-img-000114
    상기 화학식 2-1 내지 화학식 2-4에서 X, Ar, R 4, 및 R 6은 화학식 1 및 화학식 2에서 정의한 바와 동일하다.
  16. 제 13항에 있어서,
    상기 Ar은 하기 Ar-a 내지 Ar-h 중 어느 하나로 표시되는 표시 장치:
    Figure PCTKR2019012652-appb-img-000115
    Figure PCTKR2019012652-appb-img-000116
    상기 Ar-e 내지 Ar-h에서 Z는 O, S, NR a, CR bR c이고,
    R a 내지 R c는 각각 독립적으로 수소 원자, 중수소 원자, 할로겐 원자, 탄소수 1 이상 20 이하의 알킬기, 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 6 이상 30 이하의 아릴기, 또는 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 2 이상 30 이하의 헤테로아릴기이고,
    상기 Ar-a 내지 Ar-h에서 R 11 내지 R 18은 각각 독립적으로, 수소 원자, 중수소 원자, 할로겐 원자, 탄소수 1 이상 20 이하의 알킬기, 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 6 이상 30 이하의 아릴기, 또는 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 2 이상 30 이하의 헤테로아릴기이며,
    m1 내지 m8은 각각 독립적으로 0 이상 4 이하의 정수이다.
  17. 제 13항에 있어서,
    상기 화학식 1은 하기 화학식 1-A 내지 화학식 1-C 중 어느 하나로 표시되는 표시 장치:
    [화학식 1-A]
    Figure PCTKR2019012652-appb-img-000117
    [화학식 1-B]
    Figure PCTKR2019012652-appb-img-000118
    [화학식 1-C]
    Figure PCTKR2019012652-appb-img-000119
    상기 화학식 1-A 내지 화학식 1-C에서 Y 1 내지 Y 3, Ar, 및 R 1 내지 R 5는 화학식 1에서 정의한 바와 동일하다.
  18. 제 1항에 있어서,
    상기 광 흡수제는 하기 화합물군 1 및 화합물군 2에 표시된 화합물들 중 적어도 하나를 포함하는 표시 장치:
    [화합물군 1]
    Figure PCTKR2019012652-appb-img-000120
    Figure PCTKR2019012652-appb-img-000121
    Figure PCTKR2019012652-appb-img-000122
    Figure PCTKR2019012652-appb-img-000123
    Figure PCTKR2019012652-appb-img-000124
    Figure PCTKR2019012652-appb-img-000125
    [화합물군 2]
    Figure PCTKR2019012652-appb-img-000126
    Figure PCTKR2019012652-appb-img-000127
    Figure PCTKR2019012652-appb-img-000128
    Figure PCTKR2019012652-appb-img-000129
    Figure PCTKR2019012652-appb-img-000130
    Figure PCTKR2019012652-appb-img-000131
    Figure PCTKR2019012652-appb-img-000132
    Figure PCTKR2019012652-appb-img-000133
    Figure PCTKR2019012652-appb-img-000134
    Figure PCTKR2019012652-appb-img-000135
    Figure PCTKR2019012652-appb-img-000136
    Figure PCTKR2019012652-appb-img-000137
    Figure PCTKR2019012652-appb-img-000138
    .
  19. 제1 전극, 상기 제1 전극과 마주하는 제2 전극, 및 상기 제1 전극과 상기 제2 전극 사이에 배치된 복수의 유기층들을 포함하는 발광 소자; 및
    상기 발광 소자 상에 배치되고, 광 흡수제를 포함하는 유기막을 포함하는 봉지 부재; 를 포함하며,
    상기 유기막은 405nm의 파장에서 10% 이하의 투과율을 가지며, 430nm의 파장에서는 70% 이상의 투과율을 갖고, 450nm 이상의 파장에서는 97% 이상의 투과율을 가지며,
    상기 광 흡수제는 두 개 이상의 N원자를 고리 형성 원자로 포함하는 6각 헤테로고리 및 상기 6각 헤테로고리에 치환되고 서로 상이한 제1 내지 제3 치환기들을 포함하는 표시 장치.
  20. 제 19항에 있어서,
    상기 6각 헤테로고리는 트리아진 또는 피리미딘인 표시 장치.
  21. 제 19항에 있어서,
    상기 제1 치환기는 적어도 하나의 하이드록시기를 포함한 치환된 페닐기이고,
    상기 제2 치환기는 3개 이상의 고리가 축합된 축합환기이고,
    상기 제3 치환기는 치환 또는 비치환된 옥시기, 치환 또는 비치환된 티오기, 또는 치환 또는 비치환된 페닐기인 표시 장치.
  22. 제 19항에 있어서,
    상기 제1 치환기는 하기 H1 내지 H5 중 어느 하나로 표시되는 표시 장치:
    Figure PCTKR2019012652-appb-img-000139
    Figure PCTKR2019012652-appb-img-000140
    상기 H4 및 H5에서 R은 치환 또는 비치환된 탄소수 1 이상 20 이하의 알콕시기이다.
  23. 제 19항에 있어서,
    상기 제2 치환기는 하기 Ar-a 내지 Ar-h 중 어느 하나로 표시되는 표시 장치:
    Figure PCTKR2019012652-appb-img-000141
    상기 Ar-e 내지 Ar-h에서 Z는 O, S, NR a, CR bR c이고,
    R a 내지 R c는 각각 독립적으로 수소 원자, 중수소 원자, 할로겐 원자, 탄소수 1 이상 20 이하의 알킬기, 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 6 이상 30 이하의 아릴기, 또는 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 2 이상 30 이하의 헤테로아릴기이고,
    상기 Ar-a 내지 Ar-h에서 R 11 내지 R 18은 각각 독립적으로, 수소 원자, 중수소 원자, 할로겐 원자, 탄소수 1 이상 20 이하의 알킬기, 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 6 이상 30 이하의 아릴기, 또는 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 2 이상 30 이하의 헤테로아릴기이며,
    m1 내지 m8은 각각 독립적으로 0 이상 4 이하의 정수이다.
  24. 제 19항에 있어서,
    상기 제3 치환기는 하기 S1 내지 S15 중 어느 하나로 표시되는 표시 장치:
    Figure PCTKR2019012652-appb-img-000142
    .
  25. 제 19항에 있어서, 상기 광 흡수제는 하기 화합물군 1 및 화합물군 2의 화합물들 중 적어도 하나를 포함하는 표시 장치:
    [화합물군 1]
    Figure PCTKR2019012652-appb-img-000143
    Figure PCTKR2019012652-appb-img-000144
    Figure PCTKR2019012652-appb-img-000145
    Figure PCTKR2019012652-appb-img-000146
    Figure PCTKR2019012652-appb-img-000147
    Figure PCTKR2019012652-appb-img-000148
    [화합물군 2]
    Figure PCTKR2019012652-appb-img-000149
    Figure PCTKR2019012652-appb-img-000150
    Figure PCTKR2019012652-appb-img-000151
    Figure PCTKR2019012652-appb-img-000152
    Figure PCTKR2019012652-appb-img-000153
    Figure PCTKR2019012652-appb-img-000154
    Figure PCTKR2019012652-appb-img-000155
    Figure PCTKR2019012652-appb-img-000156
    Figure PCTKR2019012652-appb-img-000157
    Figure PCTKR2019012652-appb-img-000158
    Figure PCTKR2019012652-appb-img-000159
    Figure PCTKR2019012652-appb-img-000160
    .
  26. 하기 화학식 1 또는 화학식 2로 표시되는 광 흡수제:
    [화학식 1]
    Figure PCTKR2019012652-appb-img-000161
    [화학식 2]
    Figure PCTKR2019012652-appb-img-000162
    상기 화학식 1 및 화학식 2에서,
    Ar은 고리 형성 탄소수 13 이상 60 이하의 치환 또는 비치환된 아릴기, 또는 고리 형성 탄소수 12 이상 60 이하의 치환 또는 비치환된 헤테로아릴기이고,
    R 2 내지 R 5는 각각 독립적으로, 수소 원자, 중수소 원자, 할로겐 원자, 시아노기, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 이상 30 이하의 알킬기, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 이상 20 이하의 알콕시기, 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 6 이상 30 이하의 아릴옥시기, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 이상 30 이하의 알킬 아민기, 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 6 이상 30 이하의 아릴 아민기, 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 2 이상 30 이하의 헤테로고리기, 또는 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 6 이상 30 이하의 아릴기이며
    상기 화학식 1에서, Y 1 내지 Y 3 중 두 개는 N이고 나머지는 CH이며,
    R 1은 수소 원자, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 이상 30 이하의 알킬기, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 이상 20 이하의 알콕시기, 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 6 이상 30 이하의 아릴옥시기, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 이상 20 이하의 알킬티오기, 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 6 이상 30 이하의 아릴티오기, 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 2 이상 30 이하의 헤테로고리기, 또는 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 6 이상 30 이하의 아릴기이고,
    상기 화학식 2에서, X는 O 또는 S이고,
    R 6은 치환 또는 비치환된 탄소수 1 이상 30 이하의 알킬기, 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 2 이상 30 이하의 헤테로고리기, 또는 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 6 이상 30 이하의 아릴기이다.
  27. 제 26항에 있어서,
    상기 화학식 1은 하기 화학식 1-1 내지 화학식 1-4 중 어느 하나로 표시되는 광 흡수제:
    [화학식 1-1]
    Figure PCTKR2019012652-appb-img-000163
    [화학식 1-2]
    Figure PCTKR2019012652-appb-img-000164
    [화학식 1-3]
    Figure PCTKR2019012652-appb-img-000165
    [화학식 1-4]
    Figure PCTKR2019012652-appb-img-000166
    상기 화학식 1-1 내지 화학식 1-4에서, Ar, Y 1 내지 Y 3, R 1, 및 R 4는 화학식 1에서 정의한 바와 동일하다.
  28. 제 26항에 있어서,
    상기 화학식 2는 하기 화학식 2-1 내지 화학식 2-4 중 어느 하나로 표시되는 광 흡수제:
    [화학식 2-1]
    Figure PCTKR2019012652-appb-img-000167
    [화학식 2-2]
    Figure PCTKR2019012652-appb-img-000168
    [화학식 2-3]
    Figure PCTKR2019012652-appb-img-000169
    [화학식 2-4]
    Figure PCTKR2019012652-appb-img-000170
    상기 화학식 2-1 내지 화학식 2-4에서 X, Ar, R 4, 및 R 6은 화학식 1 및 화학식 2에서 정의한 바와 동일하다.
  29. 제 26항에 있어서,
    상기 화학식 1은 하기 화학식 1-A 내지 화학식 1-C 중 어느 하나로 표시되는 광 흡수제:
    [화학식 1-A]
    Figure PCTKR2019012652-appb-img-000171
    [화학식 1-B]
    Figure PCTKR2019012652-appb-img-000172
    [화학식 1-C]
    Figure PCTKR2019012652-appb-img-000173
    상기 화학식 1-A 내지 화학식 1-C에서 Y 1 내지 Y 3, Ar, 및 R 1 내지 R 5는 화학식 1에서 정의한 바와 동일하다.
  30. 제 26항에 있어서,
    상기 Ar은 하기 Ar-a 내지 Ar-h 중 어느 하나로 표시되는 광 흡수제:
    Figure PCTKR2019012652-appb-img-000174
    상기 Ar-e 내지 Ar-h에서 Z는 O, S, NR a, CR bR c이고,
    R a 내지 R c는 각각 독립적으로 수소 원자, 중수소 원자, 할로겐 원자, 탄소수 1 이상 20 이하의 알킬기, 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 6 이상 30 이하의 아릴기, 또는 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 2 이상 30 이하의 헤테로아릴기이고,
    상기 Ar-a 내지 Ar-h에서 R 11 내지 R 18은 각각 독립적으로, 수소 원자, 중수소 원자, 할로겐 원자, 탄소수 1 이상 20 이하의 알킬기, 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 6 이상 30 이하의 아릴기, 또는 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 2 이상 30 이하의 헤테로아릴기이며,
    m1 내지 m8은 각각 독립적으로 0 이상 4 이하의 정수이다.
  31. 제 26항에 있어서,
    상기 Ar은 비치환된 안트라센, 비치환된 페난트렌, 비치환된 파이렌, 또는 비치환된 크라이센인 광 흡수제.
  32. 제 26항에 있어서,
    상기 R 1은 하기 S1 내지 S15 중 어느 하나로 표시되는 광 흡수제:
    Figure PCTKR2019012652-appb-img-000175
    .
  33. 제 26항에 있어서,
    상기 화학식 1로 표시되는 광 흡수제는 하기 화합물군 1 및 화합물군 2에 표시된 화합물들 중 어느 하나인 광 흡수제:
    [화합물군 1]
    Figure PCTKR2019012652-appb-img-000176
    Figure PCTKR2019012652-appb-img-000177
    Figure PCTKR2019012652-appb-img-000178
    Figure PCTKR2019012652-appb-img-000179
    Figure PCTKR2019012652-appb-img-000180
    Figure PCTKR2019012652-appb-img-000181
    [화합물군 2]
    Figure PCTKR2019012652-appb-img-000182
    Figure PCTKR2019012652-appb-img-000183
    Figure PCTKR2019012652-appb-img-000184
    Figure PCTKR2019012652-appb-img-000185
    Figure PCTKR2019012652-appb-img-000186
    Figure PCTKR2019012652-appb-img-000187
    Figure PCTKR2019012652-appb-img-000188
    Figure PCTKR2019012652-appb-img-000189
    Figure PCTKR2019012652-appb-img-000190
    Figure PCTKR2019012652-appb-img-000191
    Figure PCTKR2019012652-appb-img-000192
    Figure PCTKR2019012652-appb-img-000193
    .
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