KR20170124586A

KR20170124586A - 안정화제를 포함하는 고온 중합체 합금

Info

Publication number: KR20170124586A
Application number: KR1020177028119A
Authority: KR
Inventors: 신유 자오; 케 펭
Original assignee: 티코나 엘엘씨
Priority date: 2010-05-21
Filing date: 2010-05-21
Publication date: 2017-11-10
Also published as: WO2011146074A1; JP5763754B2; JP2013529240A; CN102906192A; CN102906192B; KR20130090787A; US20130090416A1

Abstract

본 발명은 고온 중합체 및 하나 이상의 안정화제를 포함하는 수지 조성물에 관한 것이다. 상기 안정화제는 용융 가공 동안 중합체가 서로 불리하게 간섭하는 것을 방지한다. 한 구현예에서 상기 조성물 내의 고온 중합체는 방향족 폴리에스테르 중합체 및 폴리아릴렌 설파이드 중합체의 혼합물을 포함할 수 있다. 상기 안정화제는 포스파이트 안정화제를 포함한다. 상기 조성물은 더 우수한 열 안정성 및 감소된 주형 침착물을 갖는 성형된 물품을 제조한다.

Description

안정화제를 포함하는 고온 중합체 합금{HIGH TEMPERATURE POLYMER ALLOY CONTAINING STABILIZERS}

본 발명은 고온 중합체 및 하나 이상의 안정화제를 포함하는 수지 조성물에 관한 것이다.

다양한 부품 및 물품을 제조하는데 사용될 수 있는 다양한 여러 가지 고온 엔지니어링 플라스틱이 존재한다. 그러한 중합체는 예를 들어 폴리아릴렌 설파이드 중합체 및 방향족 폴리에스테르 중합체(액정 중합체로도 지칭됨)를 포함한다. 이들 유형의 중합체는 강하고, 우수한 내화학성을 갖고, 높은 강성을 갖고 열에 대한 우수한 저항성을 가져 고온 적용에 사용될 수 있다. 상기 중합체는 또한 사실상 열가소성이어서 단순하거나 매우 복잡한 모양을 갖는 부품을 제조하기 위한 다양한 성형(molding) 과정, 예를 들어 사출 성형에 사용될 수 있다.

특정 적용을 위한 특정 열가소성 중합체의 선택은 일반적으로 중합체의 특성에 의존한다. 예를 들어 각각의 고온 엔지니어링 플라스틱은 그들 나름의 장점 및 단점을 갖는다. 예를 들어 폴리아릴렌 설파이드 중합체는 우수한 내염성, 내화학성 및 높은 웰드 라인(weld line) 강도를 갖는다. 그러나 폴리아릴렌 설파이드 중합체는 성형 과정에서 제한이 있는데 예를 들어 성형 동안 섬광을 발생시키는 경향이 있다.

한편 액정 중합체, 예를 들어 방향족 폴리에스테 중합체는 폴리아릴렌 설파이드 중합체에 비해 더 큰 유동성 및 가공성을 갖는다. 그러나 액정 중합체는 전형적으로 수직 방향으로 나타나는 중합체의 기계적 특성과는 상이하게 한 방향으로 기계적 특성을 나타낸다. 그 결과 액정 중합체는 폴리아릴렌 설파이드보다 상대적으로 더 낮은 웰드 라인 강도를 갖는다.

상기 관점에서 당업자는 특정 용도로 폴리아릴렌 설파이드 중합체를 액정 중합체와 조합하려는 시도를 해왔다. 폴리아릴렌 설파이드 중합체 및 방향족 폴리에스테르 중합체를 포함하는 중합체 블렌드는 예를 들어 미국 특허 제6,010,760호에 개시되어 있고, 이는 본원에 참조로 혼입된다. 그러나 불행하게도 액정 중합체는 폴리아릴렌 설파이드 중합체와 전적으로 양립가능하지는 않다. 특히 중합체가 성형 과정 동안 함께 가열되면 중합체의 열 분해가 일어날 수 있다. 열 불안정성은 주형 표면에 침착물(deposit)을 생성시킬 수 있다. 과량의 침착물이 주형 표면에 축적되면 그것이 부품, 예를 들어 임의의 오염에 매우 민감한 전자 제품용 연결기의 표면에 달라붙을 수 있다. 이 경우에 연속적인 성형 과정을 멈추고 재시작하기 전에 주형을 깨끗하게 해야 한다. 이는 오염을 갖는 결함 있는 부품 또는 생산성의 심각한 손실을 초래할 수 있다.

상기 관점에서 현재, 혼합물이 중합체가 유동하기에 충분한 온도로 가열되었을 때 열 분해를 방지하거나 최소화할 수 있는 폴리에스테르 방향족 중합체와 조합된 폴리아릴렌 설파이드 중합체를 포함하는 수지 조성물에 대한 필요성이 존재한다.

본 발명은 일반적으로 성형된 제품, 예를 들어 특히 사출 성형된 물품을 제조하기에 매우 적합한 중합체 합금 조성물에 관한 것이다. 중합체 합금 조성물은 일반적으로 하나 이상의 안정화제에 첨가하여 고온 열가소성 중합체의 혼합물을 포함한다. 중합체가 유동하기에 충분한 온도로 함께 가열되면 하나 이상의 안정화제가 중합체의 열 분해를 방지한다. 한 구현예에서 분해를 방지함으로써 주형 침착물 형성이 최소화되어 오염된 결함 있는 부품 및 청소를 위한 휴지 시간이 최소화될 수 있다. 이런 식으로 2개의 고온 중합체가 함께 블렌드되어 그 기계적 특성이 불리한 결과 없이 생성된 제품에서 상승적으로 결합될 수 있다.

한 구현예에서, 예를 들어 본 발명은 방향족 폴리에스테르 중합체 및 폴리아릴렌 설파이드 중합체의 중합체 혼합물을 포함하는 수지 조성물에 관한 것이다. 방향족 폴리에스테르 중합체 및 폴리아릴렌 설파이드 중합체는 중합체 혼합물에 약 5:1 내지 약 1:5, 예를 들어 약 1:2 내지 약 1:3의 중량비로 존재할 수 있다. 또한 방향족 폴리에스테르 중합체 및 폴리아릴렌 설파이드 중합체는 중합체가 350℃에서 약 1:10 내지 약 3:1, 예를 들어 약 1.5:1 내지 약 1:1.5의 점도 비를 갖도록 중합체 혼합물에 존재할 수 있다.

본 발명에 따라 수지 조성물은 추가로 하나 이상의 안정화제를 포함할 수 있다. 안정화제는 유기 포스파이트를 포함한다. 보다 구체적으로 유기 포스파이트는 모노포스파이트 또는 디포스파이트를 포함할 수 있다. 본 발명에서의 사용에 특히 적합한 디포스파이트는 습기를 흡수하지 않는 디포스파이트, 예를 들어 특정 펜타에리스리톨 디포스파이트를 포함한다. 한 구현예에서 비교적 높은 스피로(spiro) 이성질체 함량을 갖는 디포스파이트가 선택된다. 예를 들어 디포스파이트는 약 90% 초과, 예를 들어 95% 초과, 예를 들어 98% 초과의 스피로 이성질체 함량을 가질 수 있다.

본 발명에 따라 사용될 수 있는 모노포스파이트의 예는 트리스(2,4-디-t-부틸페닐)포스파이트이다. 사용될 수 있는 디포스파이트는 비스(2,4-디쿠밀페닐)펜타에리스리톨 디포스파이트 또는 디스테아릴 펜타에리스리톨 디포스파이트를 포함한다. 상기 포스파이트는 단독으로 또는 조합하여 사용될 수 있다.

상기된 바와 같은 제1 안정화제에 추가하여 조성물은 또한 임의적으로 제2 안정화제를 포함할 수 있다. 제2 안정화제는 예를 들어 포스페이트를 포함할 수 있거나 말레산 무수물 또는 글리시딜 메타크릴레이트를 포함하는 랜덤 에틸렌-아크릴산 에스테르 혼성중합체(interpolymer)를 포함할 수 있다.

사용될 수 있는 포스페이트는 예를 들어 유기 폴리포스페이트를 포함한다. 한 구현예에서 포스페이트는 하기 화학식 I을 가질 수 있다:

[화학식 I]

상기 식에서,

R은 비치환되거나 치환된 아릴이고;

A는 알킬렌 기, 1개의 아릴렌 환, 또는 서로 직접적으로 또는 알킬렌 가교 기에 의해 연결된 2개의 아릴렌 환을 포함하는 가교 기이고;

n은 1 내지 약 10의 범위이다.

한 특정 구현예에서 유기 포스페이트는 레조르시놀 비스(디-크실릴포스페이트)를 포함할 수 있다.

안정화제는 중합체 혼합물의 분해를 감소시킬 수 있는 임의의 적합한 농도로 조성물에 존재할 수 있다. 한 특정 구현예에서 예를 들어 포스파이트 안정화제는 약 0.05중량% 내지 약 3중량%, 예를 들어 약 0.1중량% 내지 약 1중량%의 양으로 조성물에 존재할 수 있다.

수지 조성물에 존재하는 폴리아릴렌 설파이드는 구체적인 적용에 따라 다양할 수 있다. 한 구현예에서 예를 들어 폴리아릴렌 설파이드는 폴리페닐렌 설파이드를 포함할 수 있다. 한 특정 구현예에서 폴리아릴렌 설파이드는 약 80Pa.s 미만, 예를 들어 약 40Pa.s 내지 약 70Pa.s의 용융 점도를 가질 수 있다.

본원에서 사용된 바와 같이, 폴리아릴렌 설파이드의 용융 점도는 316℃ 및 전단 속도 1200s^-1에서 ASTM1238-70에 따라 측정된다. 액정 중합체의 용융 점도는 350℃ 및 전단 속도 1000s^-1에서 ASTM1238-70에 따라 측정된다. 점도를 지칭할 때 액정 중합체의 상기 용융 점도 조건이 폴리아릴렌 설파이드 및 액정 중합체의 점도를 측정하기 위해 사용된다.

수지 조성물에 존재하는 방향족 폴리에스테르 중합체는 또한 구체적인 적용에 따라 다양할 수 있다. 한 구현예에서 선택된 특정 방향족 폴리에스테르 중합체는 약 250℃ 이상, 예를 들어 약 250℃ 내지 약 400℃의 융점을 갖는다. 한 특정 구현예에서 방향족 폴리에스테르 중합체는 약 320℃ 내지 약 350℃의 융점을 가질 수 있다.

중합체 혼합물 및 포스파이트 안정화제에 추가하여 수지 조성물은 다른 다양한 성분을 포함할 수 있다. 예를 들어 한 구현예에서 윤활제가 조성물 내에 존재할 수 있다. 윤활제는 예를 들어 폴리테트라플루오로에틸렌 중합체, 고밀도 폴리에틸렌 중합체, 초고분자량 폴리에틸렌 중합체 또는 펜타에리스리톨 스테아레이트를 포함할 수 있다.

많은 구현예에서 강화 물질이 수지 조성물 내에 존재할 수 있다. 예를 들어 한 구현예에서 조성물은 강화 섬유, 예를 들어 유리 섬유 또는 탄소 섬유를 포함할 수 있다. 섬유는 약 10중량% 내지 약 70중량%의 양으로 존재할 수 있다. 강화 섬유의 대안으로 또는 강화 섬유와 조합하여 조성물은 또한 다양한 미네랄 충전재를 포함할 수 있다.

한 구현예에서 조성물의 모든 성분이 제품 또는 물품을 제조하기 전에 함께 미리 혼합될 수 있다. 예를 들어 수지 조성물은 펠렛 형태일 수 있다. 상기된 바와 같이 수지 조성물은 특히 성형 제품에 사용하기에 매우 적합하다. 예를 들어 한 구현예에서 본 발명은 상기 조성물로부터 제조된 사출 성형된 물품에 관한 것이다.

특정한 잇점 중에, 본 발명의 중합체 합금 조성물이 성형된 부품을 제조하기 위해 사용되면 조성물은 실제로 주형 침착물을 만들어내지 않는다. 예를 들어 한 구현예에서 조성물은 사출 성형을 위한 연속적인 과정에 사용될 수 있다. 약 2시간 초과의 성형 후에, 예를 들어 4시간 초과의 성형 후에도 합금 조성물은 실제로 성형 침착물을 만들어내지 않는다. 예를 들어 주형의 표면적은 10% 미만의 주형 침착물, 예를 들어 5% 미만의 주형 침착물, 예를 들어 2% 미만의 주형 침착물을 포함할 수 있다.

본 발명의 다른 특징 및 양태는 이하에서 더 상세히 논의된다.

본 발명의 최선의 형태를 포함하여 당업자에게 본 발명을 가능하게 하는 온전한 기재는 수반된 도면에 대한 참조를 포함하여 명세서 나머지 부분에 보다 구체적으로 제시된다.
도 1 내지 도 5는 하기 실시예에서 수득된 결과 중 몇몇을 그래프 및 그림으로 나타낸 것이다.

본 발명은 실시 구현예만을 기재한 것이지 본 발명의 더 넓은 양태를 제한하려는 것이 아님이 당업자에 의해 이해되어야 한다.

일반적으로 본 발명은 중합체 합금을 포함하는 수지 조성물 및 상기 조성물로부터 제조될 수 있는 다양한 물품 및 제품에 관한 것이다. 보다 구체적으로 수지 조성물은 일반적으로 하나 이상의 포스파이트 안정화제와 조합된 고온 열가소성 중합체의 혼합물을 포함한다. 포스파이트 안정화제는 혼합물에 열이 가해지면 중합체 혼합물의 분해를 방지하는 것으로 밝혀졌다. 특히 안정화제는 중합체 중 하나가 다른 중합체와 불리하게 상호작용하는 것을 방지한다. 궁극적으로, 물품으로 성형될 때 연속적인 성형 과정이 최소로 중단되고 최소량의 결함을 갖는 제품을 제조하는 수지 조성물이 생산된다.

한 구현예에서 수지 조성물은 포스파이트 안정화제와 조합된 폴리아릴렌 설파이드 중합체와 방향족 폴리에스테르 중합체의 혼합물을 포함한다. 안정화제는 일반적으로 유기 포스파이트를 포함한다. 한 구현예에서 예를 들어 포스파이트 안정화제는 모노포스파이트를 포함할 수 있다. 대안적인 구현예에서 포스파이트 안정화제는 디포스파이트를 포함할 수 있고, 이 때 디포스파이트는 습기 흡수를 억제하고/거나 비교적 높은 스피로 이성질체 함량을 갖는 분자 형태를 갖는다. 예를 들어 한 구현예에서 디포스파이트는 90% 초과, 예를 들어 95% 초과, 예를 들어 98% 초과의 스피로 이성질체 함량을 갖는 디포스파이트가 선택될 수 있다.

상기 포스파이트는 단독으로 또는 조합하여 사용될 수 있다. 조성물은 추가로 다른 다양한 첨가제, 예를 들어 다른 안정화제, 윤활제, 강화 섬유, 미네랄 충전재 등을 포함할 수 있다.

본 발명의 조성물에 사용될 수 있는 폴리아릴렌 설파이드 수지는 구체적인 적용 및 원하는 결과에 따라 다양할 수 있다. 사용될 수 있는 폴리아릴렌 설파이드 수지는 화학식 -(Ar-S-)-로 표시되는 반복 단위로 구성되고, 이 때 Ar은 아릴렌 기이다.

폴리아릴렌 설파이드 수지에 존재할 수 있는 아릴렌 기의 예는 p-페닐렌, m-페닐렌, o-페닐렌 및 치환된 페닐렌 기(이 때, 치환체는 알킬 기, 바람직하게는 1 내지 5개의 탄소 원자를 갖는 알킬 기 또는 페닐 기이다), p,p'-디페닐렌 설폰, p,p'-비페닐렌, p,p'-디페닐렌 에테르, p,p'-디페닐렌카르보닐 및 나프탈렌 기를 포함한다.

한 구현예에서, 사용될 수 있는 폴리아릴렌 설파이드는 하기 화학식 II의 반복 단위를 포함하는 폴리아릴렌 티오에테르를 포함한다:

[화학식 II]

상기 식에서,

Ar¹, Ar², Ar³ 및 Ar⁴는 동일하거나 상이하고 6 내지 18개의 탄소 원자를 갖는 아릴렌 단위이고;

W, X, Y 및 Z는 동일하거나 상이하고 -SO₂-, -S-, -SO-, -CO-, -O-, -COO-, 1 내지 6개의 탄소 원자의 알킬렌 및 알킬리덴 기로부터 선택되는 2가 연결 기이고, 이 때 연결 기 중 하나 이상이 -S-이고;

n, m, i, j, k, l, o 및 p는 독립적으로 0, 1, 2, 3 또는 4이되, 그 총합이 2 이상이다. 아릴렌 단위 Ar¹, Ar², Ar³ 및 Ar⁴는 선택적으로 치환되거나 비치환될 수 있다. 아릴렌 단위는 페닐렌, 비페닐렌, 나프틸렌, 안트라센 및 페난트렌을 포함한다. 폴리아릴렌 설파이드는 30몰% 이상, 특히 50몰% 이상, 보다 특히 70몰% 이상의 아릴렌 설파이드(-S-) 단위를 포함할 수 있다. 폴리아릴렌 설파이드 중합체는 2개의 방향족 환에 직접적으로 부착된 85몰% 이상의 설파이드 연결을 포함할 수 있다.

한 구현예에서 폴리아릴렌 설파이드 중합체는 그 성분으로 페닐렌 설파이드 구조 -(C₆H₄-S)_n(이 때 n은 1 이상의 정수이다)를 포함하는 것으로 본원에 정의된 폴리페닐렌 설파이드(PPS)이다.

본 발명의 실시에 사용되기에 적합한 폴리페닐렌 설파이드 수지를 제조하는데 사용될 수 있는 합성 기술은 미국 특허 제4,814,430호, 미국 특허 제4,889,893호, 미국 특허 제5,380,783호 및 미국 특허 제5,840,830호에 기재되어 있고 그 교시는 본원에 전체가 참조로 혼입되어 있다.

본 발명의 수지 조성물이 용융 가공되려면 폴리아릴렌 설파이드 중합체는 중합체가 가열되면 우수한 유동성을 제공하는 분자량 및 용융 점도를 갖는 폴리아릴렌 설파이드 중합체가 선택될 수 있다. 예를 들어 한 구현예에서 폴리아릴렌 설파이드 중합체는 일반적으로 약 100Pa.s 미만의 용융 점도를 가질 수 있다. 본원에서 사용된 바와 같이 용융 점도는 316℃에서 ASTM1238-70에 따라 측정된다.

특정 구현예에서 예를 들어 용융 점도는 약 70Pa.s 이하, 예를 들어 약 10Pa.s 내지 약 70Pa.s일 수 있다. 한 특정 구현예에서 폴리아릴렌 설파이드 중합체의 용융 점도는 약 45Pa.s 내지 약 65Pa.s일 수 있다.

일반적으로 더 낮은 용융 점도가 가공하기에 용이한 중합체와 관련되어 있다. 그러나 폴리아릴렌 설파이드 중합체에 있어서 더 낮은 용융 점도 중합체는 일반적으로 더 큰 염소 함량을 갖는다. 몇몇 적용에서 예를 들어 낮은 할로겐 또는 염소 함량을 갖는 것이 바람직하다. 그러므로 적합한 융용 점도를 갖는 중합체를 선택하는 것과 반면에 또한 낮은 염소 함량을 갖는 중합체를 선택하는 것 사이에 균형을 맞춰야 한다. 몇몇 적용에서 예를 들어 약 2000ppm 미만의 염소 함량을 갖는 폴리아릴렌 설파이드 중합체를 선택하여 900ppm 미만의 염소 함량을 갖는 화합물을 생성하는 것이 바람직하다. 그러한 중합체는 일반적으로 적어도 약 40Pa.s 보다 더 큰 용융 유동 점도를 가질 것이다.

본 발명에 사용될 수 있는 폴리아릴렌 설파이드 중합체는 수많은 상업적 공급원으로부터 이용가능하다. 한 구현예에서 예를 들어 중합체는 티코나 엘엘씨(Ticona LLC) 및/또는 셀라니즈 코포레이션(Celanese Corporation)으로부터 포트론(FORTRON)이라는 상표명으로 구입할 수 있다. 본 발명에 사용하기에 매우 적합한 구체적인 등급은 등급 0202, 0203, 0205, 0214, 0309 및 그 혼합물을 포함한다.

한 구현예에서 원하는 특성을 갖는 PPS 중합체를 제조하기 위해 비교적 높은 용융 점도를 갖는 폴리아릴렌 설파이드 중합체는 비교적 낮은 용융 점도를 갖는 폴리아릴렌 설파이드 중합체와 조합될 수 있다.

상기된 바와 같이 본 발명의 수지 조성물은 전방향족 중합체, 예를 들어 방향족 폴리에스테르(이는 전형적으로 당업계에서 액정 중합체로 지칭됨)와 조합된 폴리아릴렌 설파이드 중합체를 포함한다. 방향족 폴리에스테르는 예를 들어 방향족 히드록시카르복실산, 방향족 디올 및 방향족 이산(diacid)으로부터 형성된 폴리에스테르 이방성 중합체를 포함할 수 있다. 본원에서 사용된 바와 같이 방향족 폴리에스테르는 또한 방향족 폴리에스테르 아미드를 포함한다.

한 구현예에서 방향족 중합체는 미국 특허 제5,798,432호(본원에 참조로 혼입됨)에 기재된 바와 같이 제조될 수 있다. 예를 들어, 단량체는 아세틸화되지 않은 단량체가 아세트산 무수물의 존재하에 가열되는 용융 산 가수분해 중합 방법에 의해 중합된다. 대안적으로 단량체는 제1 단계에서 아세틸화될 수 있고 그리고나서 아세틸화된 단량체는 제2 단계에서 용융된 상태에서 용융 산 가수분해 방법에 의해 중합될 수 있다. 아세트산 무수물의 존재하의 단량체의 반응이 바람직하다.

어느 경우에나, 단량체는, 아세틸화된 페놀 또는 아민 기가 카르복실산 기와 반응하여 아미드 또는 에스테르 연결을 형성하면서 부산물인 아세트산을 형성하는 충분히 높은 온도로, 교반하에 가열된다. 가열 및 교반은 약 2dl/g 이상, 바람직하게는 약 3dl/g 이상, 가장 바람직하게는 약 5dl/g 이상의 고유 점도(I.V., inherent viscosity)를 갖는 중합체가 형성되기에 충분히 높은 온도에서 충분히 긴 시간동안 계속되고 I.V.는 펜타플루오로페놀 및 헥사플루오로이소프로판올의 같은 부피 혼합물 중 0.1% 중합체 용액(중량/부피)으로서 25℃에서 측정된다. 전형적으로 중합은 중합체가 용융 상태일 정도로 충분히 높은 온도, 약 280℃ 내지 약 380℃의 범위, 바람직하게는 약 320℃ 내지 약 380℃ 범위의 온도에서 완료된다. 중합체는 보통 약 1시간 이하 동안(시간은 온도, 진공 및 교반 속도와 같은 변수에 의존함) 용융 상태에서 진공하에 가열된다.

한 특정 구현예에서 예를 들어 중합체는 p-히드록시벤조산, 방향족 디히드록시 화합물(예를 들어 4,4'-디히드록시비페닐 및 히드로퀴논) 및 방향족 디카르복실산(예를 들어 2,6-나프탈렌디카르복실산, 테레프탈산 및 이소프탈산)으로부터 아세트산 무수물과의 반응에 의해 아실화된 페놀성 히드록실 기와 함께 (아세트산 제거를 통한) 중축합에 의해 제조된다.

대안적으로 수지는 p-아세톡시벤조산, 디아실화된 방향족 디히드록시 화합물(예를 들어 4,4'-디아세톡시비페닐 및 디아세톡시벤젠) 및 방향족 디카르복실산(예를 들어 2,6-나프탈렌디카르복실산, 테레프탈산 및 이소프탈산)으로부터의 (아세트산 제거를 통한) 중축합에 의해 제조될 수 있다.

다른 대안적인 수지 제조 방법은 p-히드록시벤조산의 페닐 에스테르 및 방향족 디히드록시 화합물의 디페닐 에스테르(예를 들어 4,4'-디히드록시비페닐 및 히드로퀴논) 및 방향족 디카르복실산(예를 들어 2,6-나프탈렌디카르복실산, 테레프탈산 및 이소프탈산)으로부터의 (페놀 제거를 통한) 중축합이다.

또 다른 구현예에서 수지는 디페닐 에스테르 및 방향족 디히드록시 화합물로부터의 (페놀 제거를 통한) 중축합에 의해 제조된다. 디페닐 에스테르는 p-히드록시-벤조산 및 방향족 디카르복실산(예를 들어 2,6-나프텔렌디카르복실산, 테레프탈산 및 이소프탈산)으로부터 정해진 양으로 디페닐 카르보네이트와의 반응에 의해 형성될 수 있다. 방향족 디히드록시 화합물은 4,4'-디히드록시비페닐 및 히드로퀴논을 포함할 수 있다.

상기 중축합 반응은 촉매 부재하에 진행될 수 있지만 상기 반응은 금속 화합물(예를 들어, 아세트산 주석, 테트라부틸 티타늄, 바람직하게는 아세트산 칼륨, 아세트산 나트륨 및 안티모니 트리옥사이드) 또는 금속 마그네슘 또는 그 조합에 의해 촉매화될 수 있다. 한 구현예에서, 생성되는 중합체를 블리스터링(blistering)으로부터 방지하기 위해 촉매의 사용이 제거되거나 최소화될 수 있다. 예를 들어, 한 구현예에서 중합체 수지는 금속 촉매를 약 500ppm 미만, 예를 들어 약 200ppm 미만, 예를 들어 약 100ppm 미만, 예를 들어 약 50ppm 미만, 예를 들어 약 20ppm 미만, 예를 들어 약 10ppm 미만으로 포함할 수 있다.

한 구현예에서 중합체 수지는 하나 이상의 말단 캡핑제(end-capping agent)의 존재하에 형성될 수 있다. 말단 캡핑제는 예를 들어 중합체의 분자량, 융점 및/또는 점도를 조절하는데 사용될 수 있다. 말단 캡핑제는 예를 들어 생성된 중합체 내에 약 1몰%(중량) 미만의 양으로, 예를 들어 약 0.5몰%(중량) 미만의 양으로 존재할 수 있다. 한 구현예에서 예를 들어 말단 캡핑제는 테레프탈산을 약 0.2몰%(중량) 미만의 양으로 포함할 수 있다.

중합체의 생성된 특성 조절의 개선 또한 한 구현예에서 이산, 디올 또는 둘 다의 약간의 몰 과량을 사용하여 중합체를 제조함으로써 실현될 수 있다.

한 구현예에서 본 발명의 조성물에 혼입된 전방향족 중합체 수지가 P1 내지 P8의 중합체 기로부터 선택되고, 이 때 각각의 중합체는 하기 반복 단위 i) 내지 viii) 중 2개 이상을 포함한다:

이 때, 수지 중 반복 단위의 양은 몰%로 표시되고 존재하는 반복 단위의 몰%의 합계는 항상 100%이다. 특정 구현예에서 수지는 하기 P1 내지 P8로부터 선택된다:

P1은 70 내지 90% i) 및 10 내지 30% ii)를 포함하고, 이 때 iii) 내지 viii)은 존재하지 않고;

P2는 10 내지 25% i) 및 75 내지 90% ii)를 포함하고, 이 때 iii) 내지 viii)은 존재하지 않고;

P3은 50 내지 70% ii)를 포함하고, iii)이 존재하고, vi), vii) 및 viii) 중 하나 이상이 존재하고, iii)의 양은 [100-ii)]/2이고, iii)의 양은 vi), vii) 및 viii) 중 하나 이상의 총합이고 이 때 i), iv) 및 v)는 존재하지 않고;

P4는 0 내지 10% i), 40 내지 60% ii)를 포함하고, iii), iv) 및 v) 중 하나 이상이 존재하고, vi), vii) 및 viii) 중 하나 이상이 존재하고, 이 때 iii), iv) 및 v) 중 하나 이상의 총합이 [100-Σ i)+ii)]/2이고 [100-Σ i)+ii)]/2는 vi), vii) 및 viii) 중 하나 이상의 총합이고;

P5는 45 내지 65% i), 1 내지 10% ii)를 포함하고, iii), iv) 및 v) 중 하나 이상이 존재하고, vi), vii) 및 viii) 중 하나 이상이 존재하고, 이 때 iii), iv) 및 v) 중 하나 이상의 총합은 [100-Σ i)+ii)]/2이고 [100-Σ i)+ii)]/2는 vi), vii) 및 viii) 중 하나 이상의 총합이고;

P6은 40 내지 70% i), 5 내지 30% v)를 포함하고, iii) 및 iv) 중 하나 이상이 존재하고 iii) 및 iv) 중 하나 이상의 총량이 [100-i)]/2-v)이고, vi), vii) 및 viii) 중 하나 이상이 존재하고 vi), vii) 및 viii) 중 하나 이상의 양이 Σ iii), iv) 및 v)이고, 이 때 ii)는 존재하지 않고;

P7은 30 내지 80% i)를 포함하고, vi), vii) 및 viii) 중 하나 이상이 존재하고, v)가 존재하고, v)의 양이 [100-i)]/2이고 [100-i)]/2가 vi), vii) 및 viii) 중 하나 이상의 총합이고, 이 때 ii), iii) 및 iv)는 존재하지 않고;

P8은 50 내지 70% i)를 포함하고, iii) 및 iv) 중 하나 이상이 존재하고, vi) 및 vii) 중 하나 이상이 존재하고, 이 때 iii) 및 iv) 중 하나 이상의 총합이 [100-i)]/2이고 [100-i)]/2는 vi), vii) 및 viii) 중 하나 이상의 총합이고, 이 때 ii)는 존재하지 않는다.

수지를 제조하기 위해 사용되는 방향족 중합체 수지 및/또는 단량체는 티코나 엘엘씨에 의해 판매되는 벡트라(VECTRA)라는 상표명으로 상업적으로 입수가능하다. 본 발명에 사용하기에 매우 적합한 벡트라 중합체의 특정 등급은 예를 들어 벡트라 Ei 등급, 벡트라 A 등급 및 벡트라 L 등급을 포함한다.

수지 조성물에 사용되기 위해 선택되는 특정 방향족 폴리에스테르 중합체는 구체적인 적용 및 중합체의 특성에 따라 다양할 수 있다. 한 구현예에서 예를 들어 비교적 높은 융점, 예를 들어 280℃ 초과의 융점을 갖는 방향족 폴리에스테르 중합체가 선택된다. 방향족 폴리에스테르 중합체의 융점은 예를 들어 약 280℃ 내지 약 370℃, 예를 들어 약 330℃ 내지 약 340℃일 수 있다. 더 높은 융점은 일반적으로 더 높은 열 변형 온도(HDT)를 갖는 물품을 제조한다.

중합체 혼합물에 존재하는 방향족 폴리에스테르 중합체의 양은 폴리아릴렌 설파이드 중합체에 비해 다양한 인자에 의존한다. 예를 들어 상기된 바와 같이 중합체 둘 다 특정 강점과 약점을 나타낸다. 중합체는 특정 강점을 두드러지게 하기 위해 또는 원하는 조합 특성을 수득하기 위해 함께 블렌드될 수 있다. 일반적으로 방향족 폴리에스테르 중합체 및 폴리아릴렌 설파이드 중합체는 약 5:1 내지 약 1:5의 중량 비로 중합체 혼합물에 존재할 수 있다. 보다 특히 중량 비는 약 1:2 내지 약 1:3일 수 있다.

한 구현예에서 상이한 엔지니어링 중합체의 상대적인 양이 폴리아릴렌 설파이드 중합체와 방향족 폴리에스테르 중합체의 350℃에서의 점도 비가 약 1:10 내지 약 3:1이 되도록 선택될 수 있다. 한 구현예에서 예를 들어 점도는 폴리아릴렌 설파이드 중합체와 방향족 폴리에스테르 중합체의 점도 비가 약 1.5:1 내지 약 1:1.5가 되도록 선택적으로 매칭될 수 있다. 상기된 바와 같이 점도를 매칭함으로써 한번 함께 가열되어 생성된 혼합물은 2개의 중합체 사이에 더 우수한 균질한 블렌드(intimate blend)를 형성할 수 있다.

한 구현예에서 방향족 폴리에스테르 중합체는 폴리아릴렌 설파이드 중합체로 구성된 매트릭스 내에 도메인을 형성할 수 있다. 방향족 폴리에스테르 중합체 도메인은 예를 들어 막대 같은 구조를 가질 수 있다. 예를 들어 막대 같은 구조의 약 90%가 약 1㎛ 내지 약 10㎛의 직경을 가질 수 있고 약 5㎛ 내지 약 30㎛의 길이를 가질 수 있다.

본 발명에 따르면 중합체 혼합물의 열 안정성을 향상시키기 위해 수지 조성물은 하나 이상의 포스파이트 안정화제를 포함한다. 안정화제는 용융 가공 동안 중합체의 열 분해를 방지한다. 한 구현예에서 예를 들어 안정화제는 주형 침착을 최소화하기 위해 첨가될 수 있다. 이런 식으로 중합체 혼합물로부터 생성된 물품 또는 제품이 오염 결함이 덜할 수 있고 청소를 위한 휴지 시간을 최소로 하여 제조될 수 있다.

주형 침착을 최소화하는 것에 덧붙여 안정화제는 또한 중합체 혼합물의 황변(yellowing) 또는 암화(darkening)를 감소시키고 용융 가공 동안 강도 손실을 감소시키고 혼합물의 가공성을 향상시킬 수 있다.

과거에 다양한 성형된 부품이 눈에 띄는 임의의 주형 침착물 발생 없이 폴리아릴렌 설파이드 중합체 단독으로부터 제조되었다. 방향족 폴리에스테르 중합체 단독으로부터의 성형 부품은 또한 많은 적용에서 심한 주형 침착물을 발생시키지 않는다. 폴리아릴렌 설파이드 중합체가 방향족 폴리에스테르 중합체와 조합되면 주형 침착물 형성이 심각한 문제가 된다. 예를 들어 사출 성형을 위한 약 1시간의 연속적인 과정 후에 주형 침착물이 전형적으로 제조되는 제품을 오염시킬 수 있는 양으로 발생한다. 주형 침착물이 생기면 전형적으로 과정을 멈추고 주형을 청소할 필요가 있다. 그러나 본 발명에 따라 제조된 조성물은 상기 문제를 피할 수 있다.

상기된 바와 같이 본 발명은 특히 폴리아릴렌 설파이드 중합체 및 방향족 폴리에스테르 중합체 둘 다를 포함하는 합금 중합체 조성물에 포스파이트 안정화제를 첨가하는 것에 관한 것이다. 과거에는 다양한 포스파이트 안정화제가 장기간의 노화(aging)를 위해 방향족 폴리에스테르 중합체와 함께 사용되었다. 그러나 특정 포스파이트 안정화제가 폴리아릴렌 설파이드 중합체 및 방향족 폴리에스테르 중합체 둘 다를 포함하는 합금 조성물에서 주형 침착물을 감소시키는데 사용될 수 있다는 것은 알려지지 않았다.

한 구현예에서 포스파이트 안정화제는 유기 포스파이트를 포함한다. 수지 조성물에 사용하기에 매우 적합한 특정 포스파이트는 고온, 특히 조성물이 용융 가공되는 온도를 견딜 수 있는 포스파이트이다. 예를 들어 특히 본 발명에 사용하기에 매우 적합한 포스파이트는 모노포스파이트 및 디포스파이트를 포함하고, 이 때 디포스파이트는 습기 흡수를 억제하고/거나 비교적 높은 스피로 이성질체 함량을 갖는 분자 형태를 갖는다. 예를 들어 한 구현예에서 디포스파이트는 90% 초과, 예를 들어 95% 초과, 예를 들어 98% 초과의 스피로 이성질체 함량을 갖는 디포스파이트가 선택될 수 있다. 구체적인 예는 비스(2,4-디쿠밀페닐)펜타에리스리톨 디포스파이트, 비스(2,4-디-t-부틸페닐)펜타에리스리톨 디포스파이트, 디스테아릴 펜타에리스리톨 디포스파이트, 그 혼합물 등을 포함한다.

포스파이트, 트리스(2,4-디-t-부틸페닐)포스파이트는 하기 화학식 III으로 나타낼 수 있다:

[화학식 III]

포스파이트, 비스(2,4-디쿠밀페닐)펜타에리스리톨 디포스파이트는 하기 화학식 IV로 나타낼 수 있다:

[화학식 IV]

포스파이트, 디스테아릴 펜타에리스리톨 디포스파이트는 하기 화학식 V로 나타낼 수 있다:

[화학식 V]

상기 식에서,

R'는 알킬 기 또는 아릴 기이고 2개의 R' 기는 동일하거나 상이할 수 있다.

포스파이트 안정화제에 추가하여 수지 조성물이 임의적으로 제2 안정화제 또는 더 추가의 안정화제를 포함할 수 있다. 한 구현예에서 예를 들어 제2 안정화제는 포스페이트, 예를 들어 유기 포스페이트를 포함할 수 있다. 예를 들어 한 구현예에서 비할로겐 포스페이트 에스테르가 수지 조성물에 혼입된다.

본 발명에 따라 사용될 수 있는 포스페이트는 모노포스페이트 및 폴리포스페이트를 포함한다. 모노포스페이트의 예는 예를 들어 트리페닐 포스페이트이다. 본 발명에 따라 사용될 수 있는 폴리포스페이트는 하기 화학식 I을 갖는 포스페이트를 포함한다:

화학식 I

상기 식에서,

R은 비치환되거나 치환된 아릴이고;

n은 1 내지 약 10의 범위이다.

한 구현예에서 상기 A는 모노아릴렌, 예를 들어 레조르시놀 또는 히드로퀴논으로부터 유래될 수 있다. 상기 화학식에서 n이 1일 때 “비스”포스페이트가 형성된다. 한편 n이 2 이상일 때 올리고머 포스페이트가 형성된다.

본 발명에 따라 사용될 수 있는 다양한 포스페이트가 미국 특허 제5,679,288호 및 미국 특허 제6,569,928호에 개시되어 있고, 둘 다 참조로 본원에 혼입되어 있다.

본 발명에서 사용될 수 있는 포스페이트의 구체적인 예는 레조르시놀 비스(디-크실릴 포스페이트), 비스-페놀 A 비스(디페닐 포스페이트), 레조르시놀 비스(디페닐 포스페이트) 또는 그 혼합물을 포함한다.

포스페이트는 전형적으로 액체로(실온에서) 또는 고체로 존재한다. 한 구현예에서 더 높은 온도에서 보다 안정할 수 있고 다른 성분과 더 용이하게 조합될 수 있는 고체 포스페이트가 수지 조성물에 혼입될 수 있다.

조성물은 또한 임의적으로 알킬렌-아크릴산 에스테르 혼성중합체 안정화제를 포함할 수 있다. 예를 들어 말레산 무수물 또는 글리시딜 메타크릴레이트를 포함하는 랜덤 에틸렌-아크릴산 에스테르 혼성중합체가 조성물에 혼입될 수 있다. 그러한 화합물은 로타더(LOTADER)라는 상표명으로 아르케마(Arkema)로부터 상업적으로 입수가능하다.

안정화제는 수지 조성물에 비교적 소량으로 존재할 수 있다. 예를 들어 각각의 안정화제는 조성물에 중합체 혼합물의 약 5중량% 미만의 양으로 존재할 수 있다. 예를 들어 포스파이트 안정화제는 조성물에 약 0.05중량% 내지 약 5중량%, 예를 들어 약 0.1중량% 내지 약 1중량%의 양으로 존재할 수 있다. 상기된 바와 같이 하나 이상의 다른 안정화제가 또한 조성물에 혼입될 수 있다. 다른 안정화제는 약 2중량% 미만의 양, 예를 들어 약 0.1중량% 내지 약 1중량%의 양으로 존재할 수 있다.

중합체 혼합물 및 포스파이트 안정화제에 첨가하여 조성물은 다른 다양한 성분을 포함할 수 있다. 한 구현예에서 예를 들어 조성물은 하나 이상의 윤활제를 포함할 수 있다. 그러한 윤활제는 예를 들어 스테아레이트, 예를 들어 펜타에리스리톨 스테아레이트, 폴리테트라플루오로에틸렌 중합체, 고밀도 폴리에틸렌 또는 초고분자량 폴리에틸렌을 포함할 수 있다. 예를 들어 초고분자량 폴리에틸렌은 약 백만 보다 더 큰 분자량을 가질 수 있다. 윤활제는 약 5중량% 미만, 예를 들어 약 0.1중량% 내지 약 2중량%의 양으로 수지 조성물에 존재할 수 있다.

윤활제에 첨가하여 수지 조성물은 또한 강화제, 예를 들어 강화 섬유 또는 미네랄 충전재를 포함할 수 있다. 한 구현예에서, 예를 들어 수지 조성물은 유리 강화 섬유를 포함할 수 있다. 임의의 적합한 유리 섬유가 조성물에 포함될 수 있다. 한 구현예에서, 예를 들어 섬유는 석회-알루미늄 보로실리케이트 유리를 포함할 수 있다.

본 발명에 따라 사용될 수 있는 다른 강화 섬유는 활석 섬유, 규회석 섬유, 탄소 섬유, 금속 섬유, 방향족 폴리아미드 섬유, 암면 섬유, 형상 기억 합금 섬유, 보론 섬유, 폴리(p-페닐렌-2,6-벤조비스옥사졸) 섬유 및 그 혼합물을 포함한다. 사용될 수 있는 탄소 섬유는 무정형 탄소 섬유, 흑연 탄소 섬유 또는 금속 코팅된 탄소 섬유를 포함한다. 금속 섬유는 스테인리스 강철 섬유, 알루미늄 섬유, 티타늄 섬유, 마그네슘 섬유, 텅스텐 섬유 등을 포함할 수 있다.

섬유 직경은 사용되는 특정 섬유에 따라 다양할 수 있다. 강화 섬유는 예를 들어 약 500㎛ 미만, 예를 들어 약 250㎛ 미만, 예를 들어 약 100㎛ 미만의 직경을 가질 수 있다. 예를 들어 섬유는 약 5㎛ 내지 약 50㎛, 예를 들어 8㎛ 내지 약 25㎛의 섬유 직경을 가질 수 있다. 원한다면 섬유는 또한 중합체 물질과의 혼합을 용이하게 할 수 있도록 사이징(sizing)으로 전처리될 수 있다. 섬유 길이는 구체적인 적용에 따라 매우 다양할 수 있다. 한 구현예에서, 예를 들어 섬유는 약 3mm 내지 약 5mm의 초기 길이를 가질 수 있다.

강화 섬유는 생성된 물품 내에 약 10중량% 내지 약 70중량%, 예를 들어 약 30중량% 내지 약 50중량%의 양으로 존재할 수 있다.

수지 조성물에 포함될 수 있는 적합한 미네랄 충전재는 활석, 점토, 실리카, 칼슘 실리케이트, 운모, 칼슘 카르보네이트, 이산화 티타늄, 그 혼합물 등을 포함한다. 충전재는 조성물에 약 0.5중량% 내지 약 50중량%, 예를 들어 약 5중량% 내지 약 40중량%의 양으로 존재할 수 있다.

원한다면, 하나 이상의 착색 및/또는 불투명화 색소가 또한 조성물에 혼입될 수 있다. 그러한 제제는 이산화 티타늄, 산화 철, 다른 금속성 색소를 포함한다. 색소 입자는 조성물에 약 0.1중량% 내지 약 5중량%의 양으로 존재할 수 있다.

본 발명의 중합체 합금 조성물은 본래의(virgin) 물질 또는 재생된(reclaimed) 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어 한 구현예에서 중합체 합금 조성물은 생성된 제품의 특성을 눈에 띄게 감소시키지 않고 재분쇄된 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어 한 구현예에서 중합체 합금 조성물은 재분쇄된 중합체를 약 5중량% 내지 약 50중량%, 예를 들어 재분쇄된 물질을 약 10중량% 내지 약 40중량% 포함할 수 있다.

상기된 바와 같이 본 발명의 조성물은 특히 성형 과정, 예를 들어 연속적인 사출 성형 과정에 매우 적합하다. 약 2시간 이상, 예를 들어 약 4시간 초과, 예를 들어 약 6시간 초과 동안 연속적인 사출 성형 과정에 사용되면 주형 표면은 주형 침착물을 거의 내지 전혀 나타내지 않을 수 있다. 예를 들어 주형의 표면적은 약 40% 미만, 예를 들어 약 30% 미만, 예를 들어 약 20% 미만, 예를 들어 약 10% 미만, 예를 들어 약 5% 미만의 양으로 주형 침착물을 포함할 수 있다.

본 발명은 하기 실시예를 참조하여 보다 잘 이해될 수 있다.

실시예 1

여러 가지 다양한 중합체 수지 조성물을 제형화하여 열 안정성을 시험하였다. 열 안정성을 주형 표면의 광택 감소 및 성형된 부품의 색 감소를 측정하여 측량하였다.

여러 가지 수지 조성물을 제형화하고 사출 성형을 사용하여 성형된 물품으로 제조하였다. 특히 광택 감소 및 다양한 인장 시험을 측정하기 위해 조성물을 ISO 3167에 따라 시험 표본으로 제조하였다. 다용도 시험 표본은 늘일 수 있는 개 뼈(dog bone) 모양이었고 길이는 150mm 이상, 중심 부분은 폭 10mm x 두께 4mm x 길이 80mm였다. 한편 색 감소를 시험하기 위해 조성물을 길이 13.5mm, 폭 10mm 및 두께 0.8mm인 막대 모양으로 성형하였다.

시료에 대해 하기 시험을 수행하였다:

인장 강도, 변형률 및 탄성률( modulus )

시료의 인장 강도 및 변형 특성을 ISO 시험 번호 527에 따라 시험하였다. 파단 시 인장 강도, 파단시 퍼센트 연신율 및 인장 탄성률의 계산을 수행하였다.

광택 감소

광택 감소는 침착물 발생을 측정하기 위해 사용하였다. 먼저 성형 전에 깨끗한 주형 표면에서 그리고 1시간의 성형 후에 주형 표면 상에서 주형 표면의 광택을 측정하기 위해 광택계를 사용하였다. 광택 감소(%)는 다음과 같이 정의하였다:

광택 감소(%)=(성형 전 광택-1시간의 성형 후 광택)/성형 전 광택 x 100

광택 판독은 주형 표면의 2개의 상이한 위치에서, 각각의 위치에서 3번 측정을 반복하여 실시하였다. 광택 감소를 계산하기 위해 판독의 평균을 취하였다. 더 낮은 광택 감소는 주형 상에 발생한 더 적은 침착물에 해당한다.

임의의 적합한 광택계, 예를 들어 마이크로-TRI-글로스(Micro-TRI-Gloss)(베위카 가드너 게엠베하(BYK Gardener GmbH))를 광택을 측정하는데 사용할 수 있다.

색 감소

색 L 감소를 성형된 표본의 열 안정성을 측정하는데 사용하였다. 먼저 색 L을 표본 제작 후 표본에 대해 측정하였다. 그리고나서 표본을 2분 동안 290℃에서 실리콘 오일에 담그고 열 처리 후 다시 색 L을 측정하였다. 색 L 감소는 다음과 같이 계산하였다:

색 L 감소=성형된 표본의 색 L-2분 동안 290℃에서 열 처리 후 표본의 색 L

더 적은 색 L 감소가 더 높은 열 안정성을 나타낸다.

하기 표는 시험된 조성 및 수득된 결과를 제공한다.

[표 1]

도 1 및 2는 도표로 시료의 광택 감소 및 색 L 감소를 도시한다.

상기에 나타낸 바와 같이 트리스(2,4-디-t-부틸페닐)포스파이트, 디스테아릴 펜타에리스리톨 디포스파이트 또는 비스(2,4-디쿠밀페닐)펜타에리스리톨 디포스파이트를 포함하는 조성물은 10% 미만, 특히 5% 미만, 심지어 3% 미만의 광택 감소를 나타내었다. 예를 들어 비스(2,4-디쿠밀페닐)펜타에리스리톨 디포스파이트를 포함하는 조성물은 광택 감소를 나타내지 않았다. 상기 안정화제를 포함하는 중합체 조성물은 또한 4 미만, 특히 3 미만, 심지어 1 미만의 색 L 감소를 나타내었다.

실시예 2

하기 실시예는 본 발명에 따른 조성물을 사용할 때 주형 침착물의 감소를 입증한다.

시료 번호 6으로 상기된 수지 조성물을 실시예 1에 기재된 시험 표본을 제작하기 위해 연속적인 사출 성형 과정에 사용하였다. 시료 번호 1(디스테아릴 펜타에리스리톨 디포스파이트를 포함하지 않는 조성물)은 또한 비교 목적으로 성형하였다.

상기된 조성물을 4시간 동안 연속적인 사출 성형 과정에 사용하였다. 그리고나서 4시간 후에 주형 표면을 검사하고 사진을 찍었다. 도 3은 성형 전 주형 표면을 도시한다. 도 4는 본 발명에 따른 조성물을 사용하여 4시간의 연속적인 성형 후의 주형 표면을 도시한다(실시예 1에서 시료 번호 6). 도 5는 포스파이트 안정화제를 포함하지 않는 상기된 조성물을 사용하여 단 2시간 후의 주형 표면을 도시한다(실시예 1에서 시료 번호 1).

도 5에 나타내는 바와 같이 포스파이트 안정화제를 포함하지 않는 조성물을 사용할 때 주형 표면은 상당량의 주형 침착물이 축적되었다. 주형 침착물은 예를 들어 주형 표면적의 실질적으로 대부분을 덮었다.

한편 도 4를 참조하면 본 발명에 따른 조성물을 사용한 4시간의 성형 후 주형 표면은 주형 침착물을 실질적으로 포함하지 않는다.

실시예 3

다음은 예측 예이고 본 발명에 따라 제조될 수 있는 다른 다양한 제형을 예시한다. 주형 중합체 물품에 사용되면 하기 제형 모두가 비교적 낮은 주형 침착물을 나타내어 우수한 색 보유 특성을 가질 것으로 여겨진다. 이 실시예에서 조성물은 유리 섬유를 강화 충전재로 사용하는 대신에 탄소 섬유를 포함한다.

[표 2]

첨부된 청구항에 보다 구체적으로 제시된 본 발명의 정신 및 범주를 벗어남이 없이 본 발명의 이들 및 다른 변형 및 변이가 당업자에 의해 실시될 수 있다. 또한 다양한 구현예의 양태가 전체적으로 또는 부분적으로 모두 교체가능하다는 것이 이해되어야 한다. 게다가 당업자는 앞선 기재가 예시에 의한 것일 뿐 첨부된 청구항에 추가로 기재된 바와 같이 본 발명을 한정하려고 의도한 것이 아님을 이해할 것이다.

Claims

280℃ 초과의 융점을 갖는 방향족 액정 폴리에스테르 및 80Pa.s 미만의 용융 점도를 갖는 폴리아릴렌 설파이드를 포함하는 중합체 혼합물, 및 적어도 포스파이트를 포함하는 제1 안정화제를 포함하는 수지 조성물로서,
상기 방향족 액정 폴리에스테르 및 폴리아릴렌 설파이드가 중합체 혼합물에 5:1 내지 1:3의 중량비로 존재하고, 상기 포스파이트가 90% 초과의 스피로(spiro) 이성질체 함량을 갖는 모노포스파이트 또는 디포스파이트를 포함하되,
제1 안정화제가 트리스(2,4-디-t-부틸페닐)포스파이트, 비스(2,4-디쿠밀페닐)펜타에리스리톨 디포스파이트, 디스테아릴 펜타에리스리톨 디포스파이트 또는 이들의 조합을 포함하는 포스파이트를 포함하고,
조성물이 1 미만의 색 L 감소를 나타내고, 5% 미만의 광택 감소를 나타내는,
수지 조성물.