KR20170113277A - 웨이퍼 배치 장치 - Google Patents

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KR20170113277A
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Abstract

본 발명의 웨이퍼 배치 장치(30)는, 웨이퍼 배치면을 갖는 세라믹 기체(基體)(32)와, 세라믹 기체(32)에 매설된 히터 전극(34)과, 세라믹 기체(32)의 웨이퍼 배치면과는 반대측의 면으로부터 히터 전극(34)에 전기적으로 접속된 Cu제의 급전 로드(36, 37)를 구비하고 있다. 급전 로드(36)는, 나사 결합 전의 상태에서, 일단을 고정단, 타단을 자유단으로 하고, 고정단으로부터 자유단을 향해 50 ㎜의 위치에 가한 응력과 상기 위치의 변형의 관계를 구했을 때, 변형 1 ㎜에 대응하는 응력이 5 N∼10 N의 범위에 들어가는 것이 바람직하다.

Description

웨이퍼 배치 장치{WAFER PLACEMENT DEVICE}
본 발명은 웨이퍼 배치 장치에 관한 것이다.
종래, 이러한 종류의 웨이퍼 배치 장치로서는, 예컨대, 특허문헌 1에 개시된 것이 알려져 있다. 이 웨이퍼 배치 장치는, 도 4에 도시된 바와 같이, 세라믹 기체(基體)(102)와, 그 세라믹 기체(102)에 매설된 히터 전극(104)과, 세라믹 기체(102)의 웨이퍼 배치면과는 반대측의 면으로부터 히터 전극(104)의 매설 단자(106)에 전기적으로 접속된 Ni제의 급전 로드(108)를 구비하고 있다. 히터 전극(104)의 매설 단자(106)와 급전 로드(108) 사이에는, 응력 완화층(110)이 형성되어 있다. 응력 완화층(110)은, 납땜 접합층(112)에 의해 히터 전극(104)의 매설 단자(106)와 접합되고, 납땜 접합층(114)에 의해 급전 로드(108)와 접합되어 있다.
[특허문헌 1] 일본 특허 제5029257호 공보
그러나, 전술한 웨이퍼 배치 장치에서는, 급전 로드(108)가 Ni제이기 때문에, 히터 전극(104)에 전류를 공급했을 때에 급전 로드(108) 주위에 자기장이 발생하여, 반도체 제조 프로세스에 악영향을 줄 우려가 있었다.
본 발명은 이러한 과제를 해결하기 위해서 이루어진 것으로, 급전 로드 주위에 자기장이 발생하는 것을 억제하는 것을 주목적으로 한다.
본 발명의 웨이퍼 배치 장치는,
웨이퍼 배치면을 갖는 세라믹 기체와,
상기 세라믹 기체에 매설된 정전 전극, 히터 전극 및 고주파 전극 중 적어도 하나의 전극과,
상기 세라믹 기체의 웨이퍼 배치면과는 반대측의 면으로부터 상기 전극에 전기적으로 접속된 Cu제의 급전 로드
를 구비한 것이다.
이 웨이퍼 배치 장치에서는, 자성 재료가 아닌 Cu제의 급전 로드를 통해 전극에 전력을 공급하기 때문에, 급전 로드 주위에 자기장이 발생하는 것을 억제할 수 있다. 이에 의해, 반도체 제조 프로세스에 있어서 웨이퍼 중 급전 로드 주위에서만 처리 결과가 변해 버리는 사태가 발생하는 것을 방지할 수 있다.
본 발명의 웨이퍼 배치 장치에 있어서, 상기 급전 로드는, 일단을 고정단, 타단을 자유단으로 하고, 상기 고정단으로부터 상기 자유단을 향해 50 ㎜의 위치에 가한 응력과 상기 위치의 변형의 관계를 구했을 때, 상기 변형 1 ㎜에 대응하는 응력이 5 N∼10 N의 범위에 들어가는 것이 바람직하다. 급전 로드는, 일단이 전극에 접속되고, 타단이 고정용 기구에 고정된다. 급전 로드의 타단을 고정용 기구에 고정할 때에는 급전 로드에 부하가 가해지지만, 급전 로드는 전술한 응력과 변형의 관계를 갖고 있기 때문에, 그 부하를 스스로 흡수할 수 있다. 따라서, 급전 로드와 전극의 접속 부위에 큰 부하가 가해지는 일은 없다. 한편, 전술한 응력과 변형의 관계는, 예컨대, 급전 로드를 소둔(燒鈍)함으로써 얻을 수 있다.
본 발명의 웨이퍼 배치 장치는, 상기 전극에 Au-Ni 납땜 접합층을 통해 접합되거나 또는 상기 전극에 한쪽 면이 접합된 내열성의 응력 완화층의 다른쪽 면에 Au-Ni 납땜 접합층을 통해 접합된 접속 단자를 구비하고, 상기 세라믹 기체는, AlN제이며, 상기 전극 및 상기 접속 단자는, Mo제 또는 Mo 합금제이고, 상기 급전 로드는, 상기 접속 단자에 체결되어 있어도 좋다. 내열성의 응력 완화층이란, 내열 온도가 1000℃ 이상인 응력 완화층을 말한다. 이렇게 하면, 어느 구성 요소도 내열 온도가 높기 때문에, 반도체 제조 프로세스의 온도가 높은 경우라도 본 발명의 웨이퍼 배치 장치를 사용할 수 있다. 한편, Mo제 또는 Mo 합금제의 접속 단자 주위에 자기장이 발생했다고 해도, 접속 단자는 급전 로드에 비해 길이가 짧기 때문에 그 영향은 작다.
그런데, 접속 단자를 생략하고 직접, 전극과 급전 로드 혹은 응력 완화층과 급전 로드를 Au-Ni 납땜 접합층으로 접합하는 것도 고려된다. 그러나, Au-Ni 납땜 접합층은, Au-Ni 납땜재를 고온의 접합 온도(약 1000℃)에서 처리하여 형성되는 것이다. 그때, Cu제의 급전 로드와 Au-Ni 납땜재의 계면에서 Cu와 Au가 접하게 되지만, Au/Cu 혼합층은 융점이 낮기 때문에, Au-Ni 납땜재의 접합 온도에서 급전 로드가 녹을 염려가 있다. 그 때문에, 그러한 염려가 없는 재질로 형성된 접속 단자를 사용하고 있다. 또한, Au를 포함하지 않는 납땜재로 접합하면, Cu제의 급전 로드를 전극 또는 응력 완화층에 접합하는 것은 가능할지도 모른다. 그러나, 그러한 납땜재는 접합 온도가 낮은 경우가 많기 때문에, 웨이퍼 배치 장치를 고온에서 사용할 때에 납땜재가 용출될 염려가 있다. 그 때문에, 그러한 염려가 없는 Au-Ni 납땜재를 사용한다.
접속 단자를 구비한 본 발명의 웨이퍼 배치 장치에 있어서, 상기 급전 로드 및 상기 접속 단자는, 한쪽이 수나사, 다른쪽이 암나사를 갖고 있고, 양방의 나사를 나사 결합함으로써 체결되어 있어도 좋다. 이렇게 하면, 급전 로드와 접속 단자의 착탈을 용이하게 행할 수 있다.
도 1은 본 실시형태의 플라즈마 처리 장치(10)의 구성도이다.
도 2는 도 1의 부분 확대도이다.
도 3은 Cu제의 급전 로드에 가한 응력과 변형의 관계를 나타내는 그래프이다.
도 4는 종래의 웨이퍼 배치 장치의 구성도이다.
본 발명의 적합한 실시형태를 도면을 참조하면서 이하에 설명한다. 도 1은 플라즈마 처리 장치(10)의 구성도, 도 2는 도 1의 부분 확대도이다.
플라즈마 처리 장치(10)는, 도 1에 도시된 바와 같이, 처리 용기(12)와, 샤워 헤드(20)와, 웨이퍼 배치 장치(30)를 구비하고 있다.
처리 용기(12)는, 알루미늄 합금 등에 의해 박스형으로 형성된 용기이다. 이 처리 용기(12)는, 바닥면의 대략 중앙에 원형 구멍(14)을 갖고 있다. 또한, 처리 용기(12)는, 바닥면에 배기관(16)을 갖고 있다. 배기관(16)은, 도시하지 않은 압력 조정 밸브나 진공 펌프 등을 도중에 구비하고 있으며, 처리 용기(12)의 내부를 원하는 압력으로 조정할 수 있도록 되어 있다. 처리 용기(12)의 천장은 개구되어 있다.
샤워 헤드(20)는, 처리 용기(12)의 천장의 개구를 막도록 부착되어 있다. 처리 용기(12)의 천장의 개구 가장자리와 샤워 헤드(20) 사이에는, 절연 부재(22)가 설치되어 있다. 샤워 헤드(20)에 의해 개구가 막힌 처리 용기(12)의 내부는, 기밀이 유지되도록 구성되어 있다. 샤워 헤드(20)는, 가스 도입관(24)으로부터 도입된 가스를, 다수의 가스 분사 구멍(26)으로부터, 웨이퍼 배치대(31)에 배치된 웨이퍼(W)를 향해 분사하도록 되어 있다. 본 실시형태에서, 샤워 헤드(20)에는, 도시하지 않은 플라즈마 발생용의 고주파 전원이 접속되어 있다. 그 때문에, 샤워 헤드(20)는, 플라즈마 발생용의 전극으로서 기능한다.
웨이퍼 배치 장치(30)는, 웨이퍼 배치대(31)와, 중공 샤프트(38)를 구비하고 있다.
웨이퍼 배치대(31)는, 원판형의 세라믹 기체(32)에 정전 전극(33) 및 히터 전극(34)이 매설된 것이다. 본 실시형태에서, 세라믹 기체(32)는 AlN 세라믹제이다. 세라믹 기체(32)의 한쪽 면은, 웨이퍼(W)를 배치하기 위한 웨이퍼 배치면(32a)으로 되어 있다.
정전 전극(33)은, Mo제이며, 웨이퍼 배치면(32a)과 히터 전극(34) 사이에 매설되어 있다. 정전 전극(33)은, 세라믹 기체(32) 중 웨이퍼 배치면(32a)과는 반대측의 면(이면)으로부터 삽입된 급전 로드(35)를 통해 정전 척용의 직류 전원(60)에 접속되어 있다. 정전 전극(33)은, 직류 전원(60)으로부터 전력이 공급되면, 웨이퍼(W)를 정전력에 의해 웨이퍼 배치면(32a)에 흡착 유지한다. 이 정전 전극(33)은, 플라즈마 발생용의 전극[샤워 헤드(20)와 쌍을 이루는 전극]으로서 겸용되어 있다.
히터 전극(34)은, Mo제이며, 원판형의 세라믹 기체(32)의 전체에 걸쳐 고루 미치도록 일필서의 요령으로 일단(34a)으로부터 타단(34b)까지 배선되어 있다. 히터 전극(34)의 일단(34a)과 타단(34b)에는, 각각 급전 로드(36, 37)가 접속되어 있다. 2개의 급전 로드(36, 37) 사이에는, 히터 전원(62)이 접속되어 있다. 히터 전극(34)은, 히터 전원(62)으로부터 전력이 공급되면, 웨이퍼 배치면(32a)에 흡착 유지되어 있는 웨이퍼(W)를 가열한다.
중공 샤프트(38)는, 세라믹제이며, 양단의 개구 주위에는 플랜지(38a, 38b)가 형성되어 있다. 중공 샤프트(38)는, 일단의 플랜지(38a)를 통해 세라믹 기체(32)의 이면에 고상(固相) 접합에 의해 기밀하게 접합되어 있다. 또한, 중공 샤프트(38)는, 타단의 플랜지(38b)를 통해 처리 용기(12)의 바닥면에 형성된 원형 구멍(14) 주위에 기밀하게 부착되어 있다. 그 때문에, 중공 샤프트(38)의 내부와 처리 용기(12)의 내부는, 완전히 차단된 상태로 되어 있다. 중공 샤프트(38)의 플랜지(38b)의 이면에는, 로드 고정기(39)가 부착되어 있다. 로드 고정기(39)는, 관통하는 급전 로드(35, 36, 37)를, 도시하지 않은 클램프 기구에 의해 고정하는 것이다.
다음으로, 정전 전극(33)에 급전 로드(35)를 접속시키는 구조나 히터 전극(34)에 급전 로드(36, 37)를 접속시키는 구조에 대해 설명한다. 이들의 접속 구조는 공통되기 때문에, 이하에는, 히터 전극(34)의 일단(34a)에 급전 로드(36)를 접속시키는 구조에 대해 도 2를 이용하여 설명한다.
세라믹 기체(32)의 이면에는, 히터 전극(34)의 일단(34a)을 향해 움푹 들어간 형상의 오목부(40)가 형성되어 있다. 오목부(40)의 내주면에는, 나사가 형성되어 있다. 오목부(40)의 바닥면에는, 히터 전극(34)의 일단(34a)에 접속된 매설 단자(41)의 단부면이 노출되어 있다. 매설 단자(41)는, 예컨대 히터 전극(34)과 동일한 재질, 여기서는 Mo로 형성되어 있다. 오목부(40)에는, 외주면에 나사가 형성된 금속제의 원통 링(42)이 나사 결합되어 있다. 원통 링(42)은, 오목부(40)의 내주면을 보강하는 것이며, 본 실시형태에서는 Ni제이다. 원통 링(42)의 내측에는, 오목부(40)의 바닥면측으로부터 순서대로, 응력 완화층(43)과 접속 단자(44)가 배치되어 있다. 응력 완화층(43)은, 매설 단자(41)와 접속 단자(44) 사이에 발생하는 응력, 구체적으로는, 매설 단자(41)와 접속 단자(44)의 열팽창차에 기인하는 응력을 완화시키기 위한 층이다. 본 실시형태에서, 응력 완화층(43)은 코바르(FeNiCo계 합금)제, 접속 단자(44)는 Mo제이다. 매설 단자(41)와 응력 완화층(43)은 납땜 접합층(45)에 의해 접합되고, 응력 완화층(43)과 접속 단자(44)는 납땜 접합층(46)에 의해 접합되어 있다. 납땜 접합층(45, 46)은, 내열성을 고려하여 Au-Ni 납땜재를 이용하여 형성되어 있다. 본 실시형태의 웨이퍼 배치 장치(30)의 사용 온도의 상한은 700℃이다. Au-Ni 접합 온도는 약 1000℃이기 때문에, 납땜 접합층(45, 46)은 사용 온도의 상한까지 견딜 수 있다. 접속 단자(44)는, 응력 완화층(43)에 접합된 단부면과는 반대측의 단부면에, 수나사(44a)를 갖고 있다. 이 수나사(44a)는, Cu제의 급전 로드(36)의 선단에 형성된 암나사(36a)에 나사 결합된다. 급전 로드(36)는, 나사 결합 전의 상태에서, 일단을 고정단, 타단[암나사(36a)측]을 자유단으로 하고, 고정단으로부터 자유단을 향해 50 ㎜의 위치에 가한 응력과 상기 위치의 변형(변위량)의 관계를 구했을 때, 변형 1 ㎜에 대응하는 응력이 5 N∼10 N의 범위에 들어가는 것이다.
다음으로, 히터 전극(34)의 일단(34a)에 급전 로드(36)를 접속하는 순서에 대해 설명한다. 먼저, 오목부(40)의 바닥면에 노출된 매설 단자(41)의 단부면에, Au-Ni 납땜재, 응력 완화층(43), Au-Ni 납땜재, 접속 단자(44)를 이 순서대로 배치한다. 그 상태에서 Au-Ni 접합 온도(약 1000℃)까지 가열한 후 온도를 내림으로써, 매설 단자(41)와 응력 완화층(43)이 납땜 접합층(45)에 의해 접합되고, 응력 완화층(43)과 접속 단자(44)가 납땜 접합층(46)에 의해 접합된다. 도 2에는 원통 링(42)의 내주와 응력 완화층(43) 사이에 간극이 형성되어 있으나, 실제로는, 이 간극에도 용융된 Au-Ni 납땜재가 유입된 후 고화되어 납땜 접합층이 형성된다. 이와 같이 접합 온도가 약 1000℃라고 하는 고온이기 때문에, 접속 단자(44)는 그것에 견딜 수 있는 재질(본 실시형태에서는 Mo)로 형성되어 있다.
계속해서, 접속 단자(44)의 수나사(44a)에 급전 로드(36)의 암나사(36a)를 비틀어 넣는데, 이에 앞서, 급전 로드(36)에 어닐링 처리를 실시한다. 도 3은 직경 4 ㎜의 Cu제의 급전 로드에 대해, 일단을 고정단, 타단을 자유단으로 하고, 고정단으로부터 자유단을 향해 50 ㎜의 위치에 가한 응력과 상기 위치의 변형의 관계를 나타내는 그래프를, "어닐링 처리를 행한 경우"와 "어닐링 처리를 행하지 않은 경우"에서 비교한 것이다. 측정은 각각 2회씩 행하였다. 어닐링 처리는, 진공 분위기 중, 최고 온도 500℃에서 1시간 유지한다고 하는 조건으로 행하였다. 한편, 이 어닐링 처리는 소둔과 같은 의미이다. 도 3으로부터 명백한 바와 같이, 변형 1 ㎜에 대응하는 응력은, 어닐링 처리를 행하지 않은 급전 로드에서는 25 N∼30 N이었던 데 비해, 어닐링 처리를 행한 급전 로드에서는, 5 N∼10 N(보다 상세하게는 6 N∼8 N)이며, 어닐링 처리를 행하지 않은 것에 비해 유연성을 갖고 있었다. 어닐링 처리를 행한 이러한 급전 로드(36)의 암나사(36a)를 접속 단자(44)의 수나사(44a)에 나사 결합한다.
접속 단자(44)와 일체화된 급전 로드(36)는, 도 1에 도시된 로드 고정기(39)에 내장된 클램프 기구에 의해 고정된다. 급전 로드(36)가 어닐링 처리를 행하지 않은, 지나치게 딱딱한 상태이면, 로드 고정기(39)에 급전 로드(36)를 조립할 때에 급전 로드(36)에 가해지는 부하가 접합 부위(납땜 접합층)에 직접 미치기 때문에 접합이 떨어지는 경우가 있다. 이에 비해, 급전 로드(36)가 어닐링 처리를 행한, 유연한 상태이면, 로드 고정기(39)에 급전 로드(36)를 조립할 때에 급전 로드(36)에 부하가 가해졌다고 해도, 그 부하를 자체의 유연성으로 흡수한다. 그 때문에, 접합 부위(납땜 접합층)에 큰 부하가 가해지는 일은 없고, 접합이 떨어져 버리는 일은 없다.
그런데, 접속 단자(44)를 생략하고 직접, 응력 완화층(43)과 Cu제의 급전 로드(암나사가 없는 것)를 납땜 접합층으로 접합하는 것도 고려된다. 납땜 접합층은, Au-Ni 납땜재를 고온의 접합 온도(약 1000℃)에서 처리하여 형성되는 것이다. 그때, Cu제의 급전 로드(36)와 Au-Ni 납땜재의 계면에서 Cu와 Au가 접하게 되지만, Au/Cu 혼합층은 융점이 낮기 때문에, Au-Ni 납땜재의 접합 온도에서 급전 로드(36)가 녹을 염려가 있다. 그 때문에, 그러한 염려가 없는 재질로 형성된 접속 단자(44)를 응력 완화층(43)과 급전 로드(36) 사이에 개재시키고 있다. 또한, Au-Ni 납땜재가 아니라 Au를 포함하지 않는 납땜재로 접합하면, 응력 완화층(43)과 Cu제의 급전 로드(36)를 접합하는 것은 가능할지도 모른다. 그러나, 그러한 납땜재는 접합 온도가 낮기 때문에, 웨이퍼 배치 장치(30)를 사용 온도의 상한 부근에서 사용할 때에 납땜재가 용출될 염려가 있다. 그 때문에, 그러한 염려가 없는 Au-Ni 납땜재를 사용하고 있다.
이상 설명한 본 실시형태의 웨이퍼 배치 장치(30)에 의하면, 자성 재료가 아닌 Cu제의 급전 로드(35∼37)를 통해 정전 전극(33)이나 히터 전극(34)에 전력을 공급하기 때문에, Ni제의 급전 로드를 사용하는 경우에 비해 자기장이 발생하는 것을 억제할 수 있다. 이에 의해, 반도체 제조 프로세스에 있어서 웨이퍼(W) 중 급전 로드(35∼37) 주위에서만 플라즈마 처리의 결과가 변해 버리는 사태가 발생하는 것을 방지할 수 있다.
또한, Cu제의 급전 로드(35∼37)는, 전술한 응력과 변형의 관계를 구했을 때, 변형 1 ㎜에 대응하는 응력이 5 N∼10 N의 범위에 들어가는 것이기 때문에, 급전 로드(35∼37)의 자유단측을 로드 고정기(39)에 조립할 때에 급전 로드(35∼37)에 부하가 가해졌다고 해도, 그 부하를 자체의 유연성으로 흡수한다. 그 때문에, 접합 부위(납땜 접합층)에 큰 부하가 가해지는 일은 없고, 접합이 떨어져 버리는 일은 없다.
또한, 웨이퍼 배치 장치(30)에 있어서, 세라믹 기체(32)는 AlN제, 정전 전극(33)이나 히터 전극(34)은 Mo제, 응력 완화층(43)은 코바르제, 접속 단자(44)는 Mo제, 급전 로드(36)는 Cu제이며, 모두 내열 온도는 1000℃ 이상이다. 또한, 납땜 접합층(45, 46)도 내열 온도는 이들과 동등하다. 따라서, 반도체 제조 프로세스의 온도가 높은 경우라도, 본 실시형태의 웨이퍼 배치 장치(30)를 사용할 수 있다.
또한, 급전 로드(36)와 접속 단자(44)는, 나사를 나사 결합시킴으로써 체결되어 있기 때문에, 급전 로드(36)와 접속 단자(44)의 착탈을 용이하게 행할 수 있다.
한편, 본 발명은 전술한 실시형태에 조금도 한정되는 일은 없고, 본 발명의 기술적 범위에 속하는 한 여러 가지 양태로 실시할 수 있는 것은 물론이다.
예컨대, 전술한 실시형태에서는, 응력 완화층(43)을 형성하였으나, 매설 단자(41)와 접속 단자(44)는 모두 Mo제이며 양자 사이에 열팽창차에 기인하는 응력이 발생하는 일은 거의 없기 때문에, 응력 완화층(43)을 생략해도 좋다. 즉, 매설 단자(41)에 납땜 접합층(45)을 통해 접속 단자(44)를 접합해도 좋다. 이와 같이 해도, 전술한 실시형태와 동일한 효과를 얻을 수 있다. 또한, 응력 완화층(43)이 자성체인 경우에는, 응력 완화층(43)을 생략함으로써 자기장의 발생을 더욱 억제할 수 있다.
전술한 실시형태에서, 세라믹 기체(32)는 AlN제, 정전 전극(33)이나 히터 전극(34)은 Mo제, 응력 완화층(43)은 코바르제, 접속 단자(44)는 Mo제, 납땜 접합층(45, 46)을 Au-Ni 납땜재제로 하였으나, 다른 재료를 채용해도 좋다.
전술한 실시형태에서는, Mo제의 접속 단자(44)를 채용하였으나, 접속 단자(44)의 재질을 비자성체(예컨대 비자성의 스테인리스 등)로 변경해도 좋다. 이렇게 하면, 자기장의 발생을 더욱 억제할 수 있다.
전술한 실시형태에서는, 히터 전극(34)으로서, 원형의 웨이퍼 배치면 전체를 하나로 이어진 배선으로 둘러친 싱글 존(single zone)의 히터 전극을 예시하였으나, 웨이퍼 배치면 전체를 복수의 영역으로 구분하여 영역마다 히터 전극을 설치해도 좋다. 그 경우, 히터 전극의 수에 따라 급전 로드의 수도 증가하게 되지만, 전술한 실시형태와 동일하게 하여 급전 로드를 히터 전극에 접속하면 된다.
전술한 실시형태에서는, 접속 단자(44)와 급전 로드(36)를 나사로 나사 결합하여 체결하였으나, 양자를 압착하여 체결해도 좋고, 한쪽을 다른쪽에 압입하거나 코킹함으로써 체결해도 좋다.
본 출원은 2016년 3월 28일에 출원된 일본국 특허 출원 제2016-063623호를 우선권 주장의 기초로 하고 있으며, 인용에 의해 상기 특허 출원의 내용 모두가 본 명세서에 포함된다.
10: 플라즈마 처리 장치 12: 처리 용기
14: 원형 구멍 16: 배기관
20: 샤워 헤드 22: 절연 부재
24: 가스 도입관 26: 가스 분사 구멍
30: 웨이퍼 배치 장치 31: 웨이퍼 배치대
32: 세라믹 기체 32a: 웨이퍼 배치면
33: 정전 전극 34: 히터 전극
34a: 일단 34b: 타단
35: 급전 로드 36: 급전 로드
36a: 암나사 37: 급전 로드
38: 중공 샤프트 38a, 38b: 플랜지
39: 로드 고정기 40: 오목부
41: 매설 단자 42: 원통 링
43: 응력 완화층 44: 접속 단자
44a: 수나사 45, 46: 납땜 접합층
60: 직류 전원 62: 히터 전원
102: 세라믹 기체 104: 히터 전극
106: 매설 단자 108: 급전 로드
110: 응력 완화층 112, 114: 납땜 접합층

Claims (5)

  1. 웨이퍼 배치면을 갖는 세라믹 기체(基體)와,
    상기 세라믹 기체에 매설된 정전 전극, 히터 전극 및 고주파 전극 중 적어도 하나의 전극과,
    상기 세라믹 기체의 웨이퍼 배치면과는 반대측의 면으로부터 상기 전극에 전기적으로 접속된 Cu제의 급전 로드
    를 구비한 웨이퍼 배치 장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 급전 로드는, 일단을 고정단, 타단을 자유단으로 하고, 상기 고정단으로부터 상기 자유단을 향해 50 ㎜의 위치에 가한 응력과 상기 위치의 변형의 관계를 구했을 때, 상기 변형 1 ㎜에 대응하는 응력이 5 N∼10 N의 범위에 들어가는 것인 웨이퍼 배치 장치.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 급전 로드는, 소둔(燒鈍)한 것인 웨이퍼 배치 장치.
  4. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 전극에 Au-Ni 납땜 접합층을 통해 접합되거나 또는 상기 전극에 한쪽 면이 접합된 내열성의 응력 완화층의 다른쪽 면에 Au-Ni 납땜 접합층을 통해 접합된 접속 단자
    를 구비하고,
    상기 세라믹 기체는, AlN제이며,
    상기 전극 및 상기 접속 단자는, Mo제 또는 Mo 합금제이고,
    상기 급전 로드는, 상기 접속 단자에 체결되는 것인 웨이퍼 배치 장치.
  5. 제4항에 있어서, 상기 급전 로드 및 상기 접속 단자는, 한쪽이 수나사, 다른쪽이 암나사를 갖고 있고, 양방의 나사를 나사 결합함으로써 체결되는 것인 웨이퍼 배치 장치.
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