KR20170113174A - 기판 처리 장치, 액처리 방법, 및 기억 매체 - Google Patents

기판 처리 장치, 액처리 방법, 및 기억 매체 Download PDF

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도쿄엘렉트론가부시키가이샤
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Abstract

본 발명은 막의 특성의 차이에 따르는 제거폭의 변동을 저감하는 것이 가능한 기판 처리 장치 등을 제공하는 것을 목적으로 한다.
기판(W)의 둘레 가장자리부에 처리액을 공급하여 막을 제거하는 기판 처리 장치(16)에 있어서, 기판(W)의 직경 방향으로 이동 가능한 토출부(411)는, 기판 유지부(31)에 유지되어 회전하는 기판(W)의 둘레 가장자리부에 처리액을 토출한다. 토출 위치 설정부(18)는, 레시피에 포함되는 막의 제거폭에 대응시켜 토출부(411)로부터의 처리액의 토출 위치를 설정하고, 특성 정보 취득부(7)는, 제거되어야 할 막의 특성 정보를 취득한다. 보정량 취득부(18)는, 막의 특성 정보에 따라, 처리액의 토출 위치를 보정하는 보정량을 취득하고, 토출 위치 보정부(18)는, 보정량 취득부(18)에 의해 취득된 보정량에 기초하여, 토출부(411)에 의한 처리액의 토출 위치를 보정한다.

Description

기판 처리 장치, 액처리 방법, 및 기억 매체{SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS, LIQUID PROCESSING METHOD, AND STORAGE MEDIUM}
본 발명은 기판의 둘레 가장자리부의 막을 제거하는 기술에 관한 것이다.
예컨대 반도체 장치의 제조 공정에 있어서는, 다른 기기와의 접촉 등에 의한 막 박리나 파티클의 발생을 억제하기 위해서, 기판의 둘레 가장자리부에 형성된 막을 제거하는 처리가 행해지는 경우가 있다.
기판인 반도체 웨이퍼(이하, 웨이퍼라고 함)의 둘레 가장자리부의 막을 제거하는 기판 처리 장치의 일례로서, 웨이퍼를 수평으로 유지하고, 연직축 주위로 회전시키면서 그 둘레 가장자리부에 처리액을 공급하여 상기 부(部)에 형성된 레지스트막이나 금속막, 금속막 표면의 산화막이나 무기막 등을 제거하는 것이 알려져 있다.
예컨대 특허문헌 1에는, 기판의 둘레 가장자리부와 대향하는 위치에 배치된 둘레 가장자리 처리 노즐로부터 화학 약품이나 유기 용제 등의 약액을 공급하여 상기 부에 형성된 메탈층이나 포토레지스트층 등의 박막을, 임의로 설정한 제거폭으로 제거하는 기술이 기재되어 있다.
그러나, 기판의 표면에 형성되는 막에는 여러 가지 종별이 있으며, 막의 종별에 따라 채용되는 처리액도 상이하다. 또한, 동일한 막 종류여도, 막의 경도나 막 두께 등과 같이, 처리액에 의한 제거의 용이함에 관한 물리적 성질이 다른 경우도 있다. 이들 경우에 있어서, 기판 둘레 가장자리의 동일한 위치에 처리액을 공급해도 설정대로의 제거폭이 얻어지지 않는 경우가 있다.
특허문헌 1에는, 이러한 문제에 대한 착안은 없고, 상기 문제를 해결하는 수법도 개시되어 있지 않다.
[특허문헌 1] 일본 특허 공개 제2007-36180호 공보: 단락 0001, 0026, 0029∼0030, 도 3
본 발명은 이러한 사정하에 이루어진 것으로, 그 목적은, 막의 특성의 차이에 따르는 제거폭의 변동을 저감하는 것이 가능한 기판 처리 장치, 액처리 방법, 및 이 방법을 기억한 기억 매체를 제공하는 것에 있다.
본 발명의 기판 처리 장치는, 기판에 처리액을 공급하여 기판의 둘레 가장자리부의 막을 제거하는 기판 처리 장치로서,
기판을 유지하고, 기판을 회전시키는 회전 기구를 구비한 기판 유지부와,
상기 기판 유지부에 유지된 기판의 둘레 가장자리부에, 상기 처리액을 토출하는 토출부와,
입력된 레시피에 포함되는 상기 막의 제거폭에 대응시켜 처리액의 토출 위치를 설정하는 토출 위치 설정부와,
상기 토출 위치 설정부에 의해 설정된 토출 위치에 기초하여, 기판의 직경 방향을 향해 상기 토출부로부터의 처리액의 토출 위치를 이동시키는 이동 기구와,
제거되어야 할 막의 특성 정보를 취득하는 특성 정보 취득부와,
상기 특성 정보 취득부에 의해 취득된 막의 특성 정보에 따라, 상기 토출 위치 설정부에 의해 설정된 토출 위치를 보정하는 보정량을 취득하는 보정량 취득부와,
상기 토출 위치 설정부에 의해 설정된 토출 위치를, 상기 보정량 취득부에 의해 취득된 보정량에 기초하여 보정하는 토출 위치 보정부를 구비하는 것을 특징으로 한다.
본 발명은 막의 특성의 차이에 따르는 제거폭의 변동을 저감할 수 있다.
도 1은 본 발명의 실시형태에 따른 처리 유닛을 구비한 기판 처리 시스템의 개요를 도시한 평면도이다.
도 2는 상기 처리 유닛의 종단 측면도이다.
도 3은 상기 처리 유닛의 횡단 평면도이다.
도 4는 상기 처리 유닛의 블록도이다.
도 5는 막의 특성 정보에 기초하여, 막의 종별을 특정하는 수법에 관한 설명도이다.
도 6은 상기 처리 유닛에서 막의 특성 정보를 이용하는 동작의 흐름을 도시한 플로우도이다.
도 7은 막의 특성 정보에 기초하여, 막의 경도를 특정하는 수법에 관한 설명도이다.
도 1은 본 실시형태에 따른 기판 처리 시스템의 개략 구성을 도시한 도면이다. 이하에서는, 위치 관계를 명확히 하기 위해서, 서로 직교하는 X축, Y축 및 Z축을 규정하고, Z축 정방향을 연직 상향 방향으로 한다.
도 1에 도시된 바와 같이, 기판 처리 시스템(1)은, 반입 반출 스테이션(2)과, 처리 스테이션(3)을 구비한다. 반입 반출 스테이션(2)과 처리 스테이션(3)은 인접하여 설치된다.
반입 반출 스테이션(2)은, 캐리어 배치부(11)와, 반송부(12)를 구비한다. 캐리어 배치부(11)에는, 복수 매의 기판, 본 실시형태에서는 반도체 웨이퍼[이하 웨이퍼(W)]를 수평 상태로 수용하는 복수의 캐리어(C)가 배치된다.
반송부(12)는, 캐리어 배치부(11)에 인접하여 설치되고, 내부에 기판 반송 장치(13)와, 전달부(14)를 구비한다. 기판 반송 장치(13)는, 웨이퍼(W)를 유지하는 웨이퍼 유지 기구를 구비한다. 또한, 기판 반송 장치(13)는, 수평 방향 및 연직 방향으로의 이동 및 연직축을 중심으로 하는 선회가 가능하며, 웨이퍼 유지 기구를 이용하여 캐리어(C)와 전달부(14) 사이에서 웨이퍼(W)의 반송을 행한다.
처리 스테이션(3)은, 반송부(12)에 인접하여 설치된다. 처리 스테이션(3)은, 반송부(15)와, 복수의 처리 유닛(16)을 구비한다. 복수의 처리 유닛(16)은, 반송부(15)의 양측에 나란히 설치된다.
반송부(15)는, 내부에 기판 반송 장치(17)를 구비한다. 기판 반송 장치(17)는, 웨이퍼(W)를 유지하는 웨이퍼 유지 기구를 구비한다. 또한, 기판 반송 장치(17)는, 수평 방향 및 연직 방향으로의 이동 및 연직축을 중심으로 하는 선회가 가능하며, 웨이퍼 유지 기구를 이용하여 전달부(14)와 처리 유닛(16) 사이에서 웨이퍼(W)의 반송을 행한다.
처리 유닛(16)은, 기판 반송 장치(17)에 의해 반송되는 웨이퍼(W)에 대해 소정의 기판 처리를 행한다.
또한, 기판 처리 시스템(1)은, 제어 장치(4)를 구비한다. 제어 장치(4)는, 예컨대 컴퓨터이며, 제어부(18)와 기억부(19)를 구비한다. 기억부(19)에는, 기판 처리 시스템(1)에 있어서 실행되는 각종의 처리를 제어하는 프로그램이 저장된다. 제어부(18)는, 기억부(19)에 기억된 프로그램을 읽어내어 실행함으로써 기판 처리 시스템(1)의 동작을 제어한다.
한편, 이러한 프로그램은, 컴퓨터에 의해 판독 가능한 기억 매체에 기록되어 있던 것이며, 그 기억 매체로부터 제어 장치(4)의 기억부(19)에 인스톨된 것이어도 좋다. 컴퓨터에 의해 판독 가능한 기억 매체로서는, 예컨대 하드 디스크(HD), 플렉시블 디스크(FD), 컴팩트 디스크(CD), 마그넷 옵티컬 디스크(MO), 메모리 카드 등이 있다.
상기한 바와 같이 구성된 기판 처리 시스템(1)에서는, 먼저, 반입 반출 스테이션(2)의 기판 반송 장치(13)가, 캐리어 배치부(11)에 배치된 캐리어(C)로부터 웨이퍼(W)를 취출하고, 취출한 웨이퍼(W)를 전달부(14)에 배치한다. 전달부(14)에 배치된 웨이퍼(W)는, 처리 스테이션(3)의 기판 반송 장치(17)에 의해 전달부(14)로부터 취출되어, 처리 유닛(16)에 반입된다.
처리 유닛(16)에 반입된 웨이퍼(W)는, 처리 유닛(16)에 의해 처리된 후, 기판 반송 장치(17)에 의해 처리 유닛(16)으로부터 반출되어, 전달부(14)에 배치된다. 그리고, 전달부(14)에 배치된 처리가 끝난 웨이퍼(W)는, 기판 반송 장치(13)에 의해 캐리어 배치부(11)의 캐리어(C)로 복귀된다.
다음으로, 기판 처리 시스템(1) 내에 설치되어 있는 처리 유닛(16)의 구성에 대해 도 2 내지 도 4를 참조하면서 설명한다. 처리 유닛(16)은, 본 실시형태의 기판 처리 장치에 상당하며, 웨이퍼(W)의 둘레 가장자리부에 처리액을 공급하여, 상기 둘레 가장자리부에 형성된 막을 제거하는 액처리를 실행한다. 제거 대상의 막으로서는, 레지스트막이나 금속막, 금속막 표면의 산화막이나 무기막을 예시할 수 있다.
도 2에 도시된 바와 같이 처리 유닛(16)은, 웨이퍼(W)를 수평으로 유지하여 연직축 주위로 회전시키기 위한 웨이퍼 유지 기구(30)와, 회전하는 웨이퍼(W)에 공급되며, 주위로 떨어내진(shake-off) 처리액을 받아내어, 외부로 배출하기 위한 컵부(50)와, 웨이퍼(W)의 상방을 덮기 위한 톱 플레이트(32)와, 웨이퍼(W)의 둘레 가장자리부의 각각 상면측 및 하면측으로부터 처리액을 공급하기 위한 제1, 제2 노즐부(411, 421)를 구비하고 있다.
웨이퍼 유지 기구(30)는, 풀리와 벨트 등으로 이루어지는 동력 전달부(301)를 통해 모터(302)에 접속되고, 베어링(304)에 유지되며, 연직 방향으로 연장되는 회전 중심 주위로 회전 가능하게 구성된 회전축(303)의 상단부에, 원판형의 유지부(기판 유지부)(31)를 설치한 구성으로 되어 있다. 회전축(303), 베어링(304), 동력 전달부(301), 및 모터(302)는, 유지부(31)에 유지된 웨이퍼(W)를 회전시키는 회전 기구에 상당한다.
유지부(31) 및 회전축(303)에는, 일단측이 유지부(31)의 상면에 개구되는 한편, 타단측이 도시하지 않은 진공 펌프 및 질소 가스 공급부에 전환 가능하게 접속된 가스 유로(305)가 형성되어 있다. 유지부(31)는, 웨이퍼(W)의 처리를 행할 때에, 진공 펌프에 의해 가스 유로(305) 내를 진공 배기함으로써, 유지부(31)의 상면에서 웨이퍼를 흡착 유지하는 진공 척으로서 구성되어 있다.
톱 플레이트(32)는, 웨이퍼 유지 기구(30)에 유지된 웨이퍼(W)의 둘레 가장자리부측의 상면을 덮는 원판형의 부재이며, 그 중앙부에는 개구부(321)가 형성되어 있다.
도 2, 도 3에 도시된 바와 같이 톱 플레이트(32)는, 원판의 외주부의 일부가 절결되고, 이 절결 내에는, 웨이퍼(W)의 둘레 가장자리부에 상면측으로부터 처리액을 공급하기 위한 제1 노즐부(411)가 배치되어 있다. 제1 노즐부(411)는, 웨이퍼(W)의 둘레 가장자리부의 막을 제거하기 위한 처리액이나, 린스 세정용의 린스액인 DIW(Deionized Water) 등을 전환하여, 하방측을 향해 토출할 수 있다.
제1 노즐부(411)로부터 공급되는 처리액으로서, 레지스트막의 제거에는 용제나 현상액, 금속막이나 산화막, 무기막의 제거에는 희불산 등의 산성의 약액이나 암모니아 등의 알칼리성의 약액을 예시할 수 있다.
막의 제거를 행하는 처리액을 토출한다고 하는 관점에서, 제1 노즐부(411)는 본 예의 토출부에 상당한다. 상기 제1 노즐부(411)의 상류측에는, 처리액의 공급원이나 처리액의 유량 조절 기구로 구성되는 도시하지 않은 처리액 공급부가 설치되어 있다.
제1 노즐부(411)에는, 톱 플레이트(32)의 직경 방향, 즉, 웨이퍼(W)의 직경 방향을 향해 제1 노즐부(411)를 이동시키기 위한 로드나 실린더 모터를 포함하는 이동 기구(412)가 설치되어 있다. 이동 기구(412)는, 제어부(18)로부터의 지시에 기초하여 제1 노즐부(411)를 이동시킨다.
도 2에 도시된 바와 같이 컵부(50)는, 웨이퍼 유지 기구(30)에 유지된 웨이퍼(W)의 주위를 둘러싸도록 배치되는 원환형의 부재이며, 그 내주면을 따라, 웨이퍼(W)로부터 떨어내진 처리액을 받아내는 홈부(51)가 형성되어 있다. 이 홈부(51)에는, 도시하지 않은 배액관 및 배기관이 접속되며, 컵부(50)에 받아내어진 처리액이나 개구부(321)를 통해 유입되어 온 가스를 외부로 배출한다.
컵부(50)의 홈부(51)보다 내측의 영역에는, 웨이퍼(W)의 둘레 가장자리부에 하면측으로부터 처리액을 공급하기 위한 제2 노즐부(421)를 배치하기 위한 절결이 형성되어 있다. 웨이퍼(W)의 하면측까지 돌아 들어가 형성된 막을 제거하기 위한 처리액이나 린스액 등을 전환 공급 가능한 점, 이동 기구(422)를 이용하여 제2 노즐부(421)의 배치 위치를 웨이퍼(W)의 직경 방향으로 이동시킴으로써, 처리액의 토출 위치를 조절하는 것이 가능한 점에서, 제2 노즐부(421)는, 이미 서술한 제1 노즐부(411)와 공통의 기능을 구비하고 있다.
이상으로 설명한 톱 플레이트(32)[제1 노즐부(411), 이동 기구(412)를 포함한다. 톱 플레이트(32)의 승강 동작의 설명에 있어서 이하 동일함] 및 컵부(50)[제2 노즐부(421), 이동 기구(422)를 포함한다. 컵부(50)의 승강 동작의 설명에 있어서 이하 동일함]는, 도시하지 않은 승강 기구를 구비하고 있고, 웨이퍼 유지 기구(30)에 웨이퍼(W)를 배치할 때에는, 톱 플레이트(32)를 상방측으로, 컵부(50)를 하방측으로 퇴피시킨다. 그리고, 둘레 가장자리부의 처리를 실행할 때에는 이들 부재(32, 50)가 상하로 중첩되도록 퇴피 위치로부터 처리 위치까지 이동하여, 웨이퍼(W)의 처리를 행하는 처리 공간을 형성한다. 한편, 도 2는 톱 플레이트(32), 및 컵부(50)를 처리 위치로 이동시킨 상태를 도시하고 있다.
또한 처리 유닛(16)은, 유지부(31)의 회전 중심과, 웨이퍼(W)의 중심을 일치시키는 센터링을 행하기 위한 위치 결정 기구를 구비하고 있다. 위치 결정 기구는, 웨이퍼(W)의 측둘레면에 접촉하는 제1 위치 결정 부재(611)가 설치된 제1 위치 결정 기구부(61)와, 웨이퍼(W)의 측둘레면에 접촉하는 제2 위치 결정 부재(621)가 설치된 제2 위치 결정 기구부(62)를 구비하고 있다.
또한 도 2에 도시된 바와 같이, 제1 위치 결정 부재(611)는, 레일(613) 상을 이동 가능하게 구성된 지지부(612)를 통해 제1 구동부(614)에 접속되어 있다. 마찬가지로, 제2 위치 결정 부재(621)는, 레일(623) 상을 이동 가능하게 구성된 지지부(622)를 통해 제2 구동부(624)에 접속되어 있다.
이들의 구성에 의해, 제1 위치 결정 부재(611), 제2 위치 결정 부재(621)를 웨이퍼(W)의 측둘레면에 접촉시켜, 웨이퍼(W)를 사이에 끼움으로써, 상기 회전 중심에 대해 웨이퍼(W)의 중심을 일치시킬 수 있다.
이상으로 설명한 톱 플레이트(32), 컵부(50), 제1, 제2 노즐부(411, 421)나 그 이동 기구(412, 422), 및 위치 결정 기구[제1 위치 결정 기구부(61), 제2 위치 결정 기구부(62)]는, 공통의 챔버(20) 내에 배치되어 있다(도 3). 챔버(20)에는, 셔터부(202)에 의해 개폐 가능한 반입 반출구(201)가 형성되고, 반송부(15) 내의 기판 반송 장치(17)는, 이 반입 반출구(201)를 통해 챔버(20) 내에 진입하여, 유지부(31)와의 사이에서의 웨이퍼(W)의 전달을 행한다.
또한 도 1을 이용하여 설명한 기판 처리 시스템의 제어 장치(4)는, 도 4에 모식적으로 도시된 바와 같이 각 처리 유닛(16)의 제어 장치(4)로서의 기능도 겸비한다. 제어 장치(4)에는, 터치 패널 등에 의해 구성되는 입력부(181)가 접속되고, 이 입력부(181)를 통해 오퍼레이터로부터, 처리 대상의 웨이퍼(W)의 처리에 관한 정보의 설정을 접수한다.
한편, 입력부(181)는 오퍼레이터로부터의 처리 파라미터의 입력을 직접 접수하는 터치 패널에 의해 구성하는 경우에 한정되지 않는다. 예컨대, 기판 처리 시스템(1)이 설치된 반도체 공장 내의 컴퓨터 네트워크를 통해, 기판 처리 시스템(1)의 외부의 서버로부터 처리 파라미터의 정보를 취득하는 네트워크 통신부를 입력부(181)로 해도 좋다.
본 예의 처리 유닛(16)에 있어서, 입력부(181)로부터는, 웨이퍼(W)에 대한 처리[본 예에서는 웨이퍼(W)의 둘레 가장자리부의 막을 제거하는 처리]의 작업 순서가 처리 파라미터와 함께 기재된 레시피에 관한 정보가 설정된다.
레시피의 처리 파라미터에는, 제1 노즐부(411)로부터 공급되는 처리액에 의해 제거되는 막의 제거폭의 설정값이 포함되어 있다. 예컨대 제거폭으로서는, 웨이퍼(W)의 외주단 위치로부터 직경 방향을 향해 「1 ㎜」라고 하는 제거폭의 치수가 설정된다. 상기 제거폭의 설정값을 포함하는 레시피(191)는, 제어 장치(4)의 기억부(19)에 등록된다(도 4).
제어부(18)는, 기억부(19)로부터 레시피(191)를 읽어내어, 레시피(191)에 기재되어 있는 작업 순서에 따라, 웨이퍼 유지 기구(30)에 의한 웨이퍼(W)의 회전이나 제1, 제2 노즐부(411, 421)로부터 공급하는 액의 전환 등을 실행한다. 이때, 입력부(181)에 기재되어 있는 처리 파라미터에 기초하여, 웨이퍼(W)의 회전수 제어나 웨이퍼(W)에 공급되는 액체의 유량 제어 등이 행해진다.
또한 웨이퍼(W)의 둘레 가장자리부의 막의 제거에 대해, 제어부(18)는, 레시피(191)에 기재되어 있는 제거폭의 설정값에 기초하여, 막의 제거폭이 상기 설정값(예컨대 「1 ㎜」)이 되는 위치로 제1 노즐부(411)를 이동시키도록, 이동 기구(412)에 대해 제1 노즐부(411)의 이동처에 관한 정보를 출력한다. 예컨대 도 2의 제1 노즐부(411)에 나타내는 바와 같이, 제1 노즐부(411)의 하면에 형성된 처리액의 토출구로부터, 연직 하방을 향해 처리액이 토출되는 경우에는, 상기 처리액이 웨이퍼(W)에 도달하는 착액점(着液點)의 내단의 위치가, 막이 제거되는 영역의 내단과 일치하도록, 제1 노즐부(411)의 이동처가 설정된다. 레시피(191)로부터 읽어낸 막의 제거폭과, 제1 노즐부(411)가 처리액의 토출을 행하는 토출 위치의 대응 관계는, 예비 실험 등에 의해 미리 파악되어, 예컨대 기억부(19)나, 제어부(18) 내의 레지스터 등에 미리 등록되어 있다.
전술한 관점에서 제어부(18)는, 본 예의 처리 유닛(16)에 있어서의 토출 위치 설정부로서의 역할을 하고 있다.
전술한 처리 유닛(16)은, 또한 처리액에 의해 제거되는 막의 특성 정보를 취득하기 위한 분석용 센서인 센서부(7)를 구비하고 있다. 본 예의 센서부(7)는, 제거 대상의 막의 막 종류를 특정하기 위한 분광 엘립소미터로서 구성되어 있다. 분광 엘립소미트리(편광 해석)는, 편광시킨 광을 분석 대상에 조사하고, 상기 분석 대상에서 반사한 반사광에 있어서의 편광 상태의 변화에 기초하여 분석 대상의 특성을 검출하는 공지의 수법이다.
반도체 장치의 제조 공정에 있어서, 분광 엘립소미트리는, 예컨대 웨이퍼(W)의 표면에 형성되는 막의 막 두께 측정에의 적용이 검토되고 있다. 이에 대해 본 예의 처리 유닛(16)에 있어서는, 센서부(7)로부터 얻어진 막의 특성 정보를, 처리액에 의해 제거되는 막의 종별(레지스트막의 경우에는 개별의 포토레지스트 수지, 산화막이나 무기막의 경우에는, SiO2나 AlN 등, 금속막의 경우에는 알루미늄, 구리 등, 각종의 막의 구성 물질)을 식별하기 위한 종별 정보로서 활용하는 점에 특징을 갖고 있다.
이하, 도 3 내지 도 5를 참조하면서 센서부(7)의 구성, 및 센서부(7)를 이용하여 취득한 특성 정보에 기초하여, 제거 대상의 막 종류를 특정하는 수법에 대해 설명한다.
도 3, 도 4에 도시된 바와 같이, 센서부(7)는 막 종류의 분석용의 광을 웨이퍼(W)에 입사시키는 투광부(71)와, 웨이퍼(W)에서 반사한 광을 수광하는 수광부(72)를 구비한다. 투광부(71)는, 복수의 파장 성분을 포함하는 예컨대 백색광을 출력하는 광원부(711)와, 광원부(711)로부터 출력된 광을 편광하는 편광자(712)를 구비한다.
또한 수광부(72)는, 수광한 반사광을 소요 주파수(예컨대 50 ㎑)로 위상 변조하여 직선 편광으로부터 타원 편광까지를 얻는 PEM(Photoelastic Modulator)(721)과, PEM(721)에 의해 위상 변조된 광을 검출하는 검출자(722)를 구비한다.
도 3에 도시된 바와 같이, 본 예의 투광부(71) 및 수광부(72)는, 웨이퍼(W)의 처리가 행해지는 챔버(20) 내에 배치되어 있다. 상세하게는, 투광부(71)는, 톱 플레이트(32)를 상승시킨 상태에서, 유지부(31)에 유지된 웨이퍼(W)의 막의 제거가 행해지는 영역인 둘레 가장자리부를 향해 분석용의 광을 입사시키는 위치에 배치되어 있다. 또한 수광부(72)는, 웨이퍼(W)의 상기 둘레 가장자리부에서 반사한 분석용의 광을 수광하는 위치에 배치되어 있다.
예컨대 웨이퍼(W)의 면내에는, 상이한 막이 노출된 영역이 혼재되어 있는 경우가 있다. 그래서, 실제로 막의 제거가 행해지는 영역인 웨이퍼(W)의 둘레 가장자리부에 분석용의 광을 조사함으로써, 처리 대상이 되는 막의 막 종류를 정확하게 특정할 수 있다.
한편, 도 3이나 도 4에는, 투광부(71)로부터 출력되고, 웨이퍼(W)의 상면에서 반사되어 수광부(72)에 의해 수광되는 분석용의 광의 광로를 긴 파선의 화살표로 모식적으로 나타내고 있다. 단, 이들 도면에서의 투광부(71), 수광부(72)의 배치 위치나 광의 출력 방향, 수광 방향 등은, 실제의 처리 유닛(16)에 있어서의 배치를 엄밀히 나타낸 것이 아니다.
센서부(7)의 구성의 설명으로 되돌아가면, 도 4에 도시된 바와 같이 검출자(722)의 출력은, 광파이버를 통해 센서 본체(73) 내의 분광기(731)에 입력된다. 분광기(731)는, 파장마다 편광도의 측정을 행하고, 측정 결과를 디지털 신호로 변환하여 해석부(732)에 출력한다. 해석부(732)는, 분광기(731)로부터 취득한 디지털 신호에 기초하여 반사광의 편광 상태(p편광, s편광)를 나타내는 진폭비(Ψ) 및 위상차(Δ)를 파장마다 산출한다. 그리고, 이들 진폭비(Ψ) 및 위상차(Δ)로부터는, 분석 대상인 막을 구성하는 물질에 고유의 광학 상수[굴절률(n값), 감쇠 계수(k값)]를 산출하는 것이 가능하다(예컨대 일본 특허 공개 제2002-131136 참조). 해석부(732)는, 진폭비(Ψ) 및 위상차(Δ)로부터, 이들 n값, k값을 산출하는 기능도 구비하고 있다.
본 예에 있어서 n값, k값은, 분석 대상인 웨이퍼(W)의 둘레 가장자리부로부터 제거되어야 할 막의 특성 정보에 상당한다. 따라서 센서부(7)는, 상기 제거되어야 할 막의 분석에 의해, 특성 정보의 취득을 행하는 특성 정보 취득부에 상당하고 있다.
도 4에 도시된 바와 같이, 해석부(732)에 의해 산출된 n값, k값은, 제어부(18)에 출력된다. 제어부(18)는, 센서부(7)로부터 취득한 n값, k값을 레지스터 등에 등록하고, 기억부(19)에 미리 등록되어 있는 막 정보 테이블(192)에 기재된 n값 범위, k값 범위와의 대조를 행한다.
여기서 이미 서술한 센서부(7)에 의해 취득되는 n값, k값은, 분석 대상의 막을 구성하는 물질에 고유의 값인 한편, 상기 막의 막 두께나 표면 거칠기 등에 따라, 어느 정도의 변동 범위를 갖고 있다. 이때, 도 5에 개략의 이미지를 도시한 바와 같이, 이들 n값, k값의 변동 범위(n값 범위, k값 범위)가, 막 종류 사이에서 중첩되지 않는 경우에는, 분석 대상의 막 종류를 식별하기 위한 종별 정보로서 활용할 수 있다. 한편, 도 5는 다음에 존재하는 막의 n값 범위, k값 범위의 예를 나타낸 것은 아니다.
이미 서술한 막 정보 테이블(192)에는, 각 막 종류에 대해, 예컨대 예비 실험에 의해 다수 매의 웨이퍼(W)에 형성된 막의 n값, k값을 취득한 결과에 기초하여 정한 n값 범위, k값 범위의 세트가 등록되어 있다(이후에 게재하는 표 1 참조).
또한, 막 정보 테이블(192)에는, n값 범위, k값 범위의 세트(막 종류의 종별 정보)와 대응시켜, 레시피(191)로부터 막의 제거폭의 설정값을 읽어낸 결과에 기초하여 설정되는 제1 노즐부(411)로부터의 처리액의 토출 위치를 보정하기 위한 보정량이 등록되어 있다.
이미 서술한 바와 같이, 웨이퍼(W)에 형성된 막에 있어서는, 막 종류에 따라 처리액에 대한 젖음성이나 제거에 요하는 시간 등이 상이한 경우가 있다. 이러한 경우에, 레시피(191)로부터 읽어낸 제거폭의 설정값에 기초하여 제1 노즐부(411)로부터의 처리액의 토출 위치를 일률적으로 설정해 버리면, 상기 토출 위치로부터 처리액을 공급하여 제거된 막의 제거폭이, 레시피(191)의 설정값으로부터 어긋나 버릴 우려가 있다.
그래서, 막 정보 테이블(192)에는, 실제의 제거폭을 레시피(191)에 있어서의 제거폭의 설정값에 근접시키기 위해서, 상기 제거폭의 설정값에 따라 설정되는 제1 노즐부(411)로부터의 처리액의 토출 위치를 보정하기 위한 보정량이 등록되어 있다.
예컨대 도 5를 이용하여 설명한 막 종류 A∼C에 대해, 전술한 n값 범위, k값 범위, 토출 위치의 보정량을 정리한 막 정보 테이블(192)의 구성예를 표 1에 나타낸다.
Figure pat00001
표 1에 있어서, 막 종류 A는, 레시피(191)로부터 읽어낸 막의 제거폭의 설정값에 대해, 제1 노즐부(411)로부터의 토출액의 토출 위치를 결정할 때의 기준이 된 기준 막 종류라고 하자. 이때, 실제의 제거폭은, 허용차(예컨대 설정값±10 ㎛)의 범위 내이며, 토출 위치의 보정은 행해지지 않는다(보정량 「0.0 ㎜」).
다음으로 막 종류 B에 있어서, 레시피(191)에서 제거폭의 설정값이 「1 ㎜」로 설정되어 있을 때, 상기 설정값에 대응하는 토출 위치까지 제1 노즐부(411)를 이동시켜 처리를 행한 결과, 실제의 제거폭이 「0.9 ㎜」가 되고, 마찬가지로 설정값이 「1.1 ㎜」로 설정되어 있을 때의 실제의 제거폭이 「1.0 ㎜」가 되었다고 하자. 이 경우, 막 종류 B의 보정량은 「+0.1 ㎜」로 설정된다(표 1).
전술한 예와는 반대로 막 종류 C에 있어서, 레시피(191)에서 제거폭의 설정값이 「1 ㎜」로 설정되어 있을 때, 실제의 제거폭이 「1.2 ㎜」가 되고, 마찬가지로 설정값이 「0.8 ㎜」로 설정되어 있을 때의 실제의 제거폭이 「1.0 ㎜」라고 하자. 이 경우, 막 종류 C의 보정량은 「-0.2 ㎜」로 설정된다(표 1).
한편, 전술한 막 종류 B, C의 예는, 토출 위치의 이동 거리와 제거폭 사이에 정비례의 관계가 있는 경우(처리액의 토출 위치를 「+0.1 ㎜」 이동시키면, 제거폭도 「+0.1 ㎜」 변화함)에 있어서의 보정량의 설정예를 나타내고 있다. 이 점, 상기 보정량은, 토출 위치의 이동 거리와 제거폭의 실제의 응답 관계에 따라 적절히 조정해도 좋다.
또한, 설명의 편의상, 표 1에는, 막 종류의 표시(막 종류 A, B, C)와 대응시켜, n값 범위, k값 범위는 제1 노즐부(411)로부터의 처리액의 토출 위치의 보정량을 기재하고 있으나, 막 정보 테이블(192)에 막 종류를 나타내는 정보를 설정하는 것은 필수적이지 않다. 도 5에 예시하는 바와 같이, 막 종류 사이에서 n값 범위, k값 범위에 중복이 없는 경우에는, 이들 n값 범위, k값 범위 자체가 막 종류를 나타내는 정보에 상당하고 있다.
제어부(18)는, 센서부(7)로부터 처리 대상의 막의 n값, k값을 취득하면, 이들 n값, k값이 막 정보 테이블(192)에 설정되어 있는 어느 하나의 n값 범위, k값 범위의 세트에 포함되는 값인지의 여부를 대조한다. 그리고, 해당하는 n값 범위, k값 범위의 세트가 존재하는 경우에는, 상기 세트와 대응되어 있는 보정량을 읽어낸다. 이 관점에서, 제어부(18)는 보정량 취득부로서의 역할을 한다.
또한 제어부(18)는, 이동 기구(412)에 의한 제1 노즐부(411)의 실제의 이동에 앞서, 레시피(191)에 있어서의 제거폭의 설정값에 기초하여 설정한 제1 노즐부(411)로부터의 처리액의 토출 위치의 보정을 행한다. 여기서는, 막 정보 테이블(192)로부터 읽어낸 보정량에 상당하는 거리분만큼 제1 노즐부(411)를 이동시키도록 토출 위치를 변경하는 보정을 행한다. 여기서 제어부(18)는, 토출 위치 보정부로서의 역할을 한다. 그리고, 제어부(18)는, 보정된 토출 위치에 기초하여, 이동 기구(412)에 대해 제1 노즐부(411)의 이동처에 관한 정보를 출력한다. 이 결과, 웨이퍼(W)에 대해서는, 레시피(191)에 기초하여 설정된 토출 위치를, 센서부(7)에 의한 막 종류의 특정 결과에 기초하여 결정한 보정량으로 보정한 위치(이하, 「토출 실행 위치」라고 함)로부터, 처리액의 토출이 행해지게 된다.
이하, 도 6을 참조하면서 전술한 구성을 구비하는 처리 유닛(16)의 동작에 대해 설명한다.
처음으로, 기판 반송 장치(17)에 의해, 처리가 실행되는 처리 유닛(16)의 챔버(20) 내에 웨이퍼(W)가 반입된다(도 6의 개시, 단계 S101). 이때 처리 유닛(16)은, 톱 플레이트(32) 및 컵부(50)를 상하로 퇴피시킨 상태로 대기하고 있다. 챔버(20) 내에 진입한 기판 반송 장치(17)는, 유지부(31)에 웨이퍼(W)를 전달한 후, 챔버(20) 내에서 퇴피한다.
유지부(31)에 웨이퍼(W)가 전달되었다면, 위치 결정 기구[제1 위치 결정 기구부(61), 제2 위치 결정 기구부(62)]를 작동시켜, 제1, 제2 위치 결정 부재(611, 621)에 의해 웨이퍼(W)를 사이에 끼워 센터링을 실시한다(단계 S101). 이때, 웨이퍼(W)에 접촉시킨 제1, 제2 위치 결정 부재(611, 621) 사이의 거리에 기초하여, 웨이퍼(W)의 직경을 측정함으로써, 제조 시의 공차를 고려한 정확한 웨이퍼(W)의 단부 위치를 특정해도 좋다.
한편, 제어부(18)에 있어서는, 기판 처리 시스템(1)에 의한 캐리어(C) 내의 웨이퍼(W)의 처리 개시 전에, 상기 캐리어(C) 내의 웨이퍼(W)에 대해 설정되어 있는 레시피(191)로부터, 막의 제거폭의 설정값을 읽어들인다(단계 S102). 그리고, 제1 노즐부(411)의 이동 기구(412)에 대해 출력해야 할, 상기 제거폭의 설정값에 대응하는 처리액의 잠정적인 토출 위치를 제어부(18)의 내부의 레지스터에 등록한다(단계 S103, 토출 위치 설정 공정).
또한, 센터링이 완료되었다면, 톱 플레이트(32)가 상방으로 퇴피하고 있는 상태에서, 유지부(31)에 유지된 웨이퍼(W)에 대해, 센서부(7)를 이용하여 둘레 가장자리부에 형성되어 있는 막의 분광 엘립소미트리를 실행하여, n값, k값을 취득한다(단계 S104, 특성 정보 취득 공정). 이때, 예컨대 웨이퍼(W)를 소정 각도씩 회전시키면서, 웨이퍼(W)의 둘레 가장자리부의 복수 부위의 분광 엘립소미트리를 행하여, 복수 세트의 n값, k값을 취득해도 좋다.
막의 분석이 완료되었다면, 제1, 제2 위치 결정 기구부(61, 62)를 퇴피시킨 후, 톱 플레이트(32) 및 컵부(50)를 처리 위치까지 하강, 상승시켜, 처리 공간을 형성한다. 이때, 제1, 제2 노즐부(411, 421)는, 웨이퍼(W)의 외측 위치로 퇴피하고 있다.
한편, 분광 엘립소미트리에 의해 취득한 n값, k값에 대해서는, 막 정보 테이블(192)에 등록되어 있는 n값 범위, k값 범위와의 대조를 행한다(단계 S105). 복수 세트의 n값, k값을 취득한 경우에는, 이들 세트의 n값, k값의 평균값에 대해 대조를 행해도 좋고, 각 세트의 n값, k값에 대해 대조를 행해도 좋다.
대조 결과, 처리 대상의 웨이퍼(W)에 형성되어 있는 막에 대응하는 막 종류가 막 정보 테이블(192)에 등록되어 있는 경우에는(단계 S106; YES), 막 정보 테이블(192)로부터 대응하는 막 종류의 보정량을 읽어들이고(보정량 취득 공정), 상기 보정량을 제어부(18)의 레지스터에 등록되어 있는 잠정적인 토출 위치에 반영시켜 토출 위치의 보정(토출 위치 보정 공정)을 행한다(단계 S107). 이 결과, 웨이퍼(W)에 대해 처리액의 토출을 실행하는 토출 실행 위치가 설정된다.
여기서 이미 서술한 바와 같이, 복수 세트 취득한 n값, k값의 각 세트에 대해 대조를 행하는 경우에는, 모든 n값, k값이 등록된 n값 범위, k값 범위 내의 값에 상당하는 경우에만, 웨이퍼(W)에 형성되어 있는 막이 막 정보 테이블(192)에 등록된 막 종류에 해당한다고 판단해도 좋다. 또한, 상기 판단에 임계값을 마련하고, 등록된 n값 범위, k값 범위 내의 값에 상당하는 세트가 임계값 수 이상 있으면, 등록된 막 종류에 해당한다고 판단해도 좋다.
처리 유닛(16)의 동작 설명으로 되돌아가면, 톱 플레이트(32) 및 컵부(50)에 의해 처리 공간이 형성되고, 토출 실행 위치가 결정되면, 처리 유닛(16)은, 유지부(31)에 유지된 웨이퍼(W)를 회전시킨다. 웨이퍼(W)의 회전수가 미리 설정된 값이 되었다면, 처리액의 토출을 행하면서, 제1, 제2 노즐부(411, 421)를 웨이퍼(W)를 향해 이동시킨다. 이때, 제1 노즐부(411)는 웨이퍼(W)에 형성되어 있는 막의 막 종류에 대응하여 설정된 토출 실행 위치까지 이동한다(단계 S108, 토출부 이동 공정, 제거 공정). 한편, 제2 노즐부(421)는 막 정보 테이블(192)에 기초하여 설정된 토출 위치까지 이동해도 좋고, 이동 기구(422)에 대해 고정된 토출 위치를 미리 설정해 두고, 이 토출 위치까지 이동해도 좋다.
이렇게 해서 제1, 제2 노즐부(411, 421)가 소정의 위치에 도달했다면, 미리 설정한 시간, 웨이퍼(W)의 상하면측으로부터 웨이퍼(W)의 둘레 가장자리부에 처리액을 공급하여, 상기 부(部)의 막의 제거를 행한다(제거 공정).
그런 후, 제1, 제2 노즐부(411, 421)로부터 공급되는 액체를 린스액으로 전환하여 둘레 가장자리부의 린스 세정을 실행한다. 소정 시간 린스 처리를 행했다면, DIW의 공급을 정지하고, 웨이퍼(W)의 회전을 계속하여, DIW의 떨어냄 건조를 실행한다.
떨어냄 건조를 끝냈다면, 웨이퍼(W)의 회전을 정지하고, 톱 플레이트(32) 및 컵부(50)를 상하 방향으로 퇴피시키고 나서, 유지부(31)에 의한 유지를 해제한다. 그리고, 기판 반송 장치(17)를 처리 유닛(16)의 챔버(20) 내에 진입시켜 웨이퍼(W)를 전달하고, 처리 유닛(16)으로부터 웨이퍼(W)를 반출한다(단계 S110, 종료).
다음으로, 웨이퍼(W)에 형성되어 있는 막에 대해 취득한 n값, k값의 대조를 행한 결과, 해당하는 막 종류가 막 정보 테이블(192)에 등록되어 있지 않은 경우의 대응에 대해서도 대략 설명해 둔다(단계 S106; NO). 이 경우에는, 미리 설정해 둔 「등록 막 종류 없음 시 대응」을 실행한다(단계 S109).
상기 대응의 예로서는, 레시피(191)에 기재된 제거폭의 설정값에 대응하여 등록한 잠정적인 토출 위치에 대해 보정을 행하지 않고 그대로 둘레 가장자리부의 막을 제거하는 처리를 실행해도 좋다. 이 경우에는, 예컨대 처리액의 토출 위치의 보정이 행해지고 있지 않다는 취지의 정보를 기판 처리 시스템(1)의 디스플레이에 표시하거나, 웨이퍼(W)의 처리 이력 등에 대해 상기 정보를 대응시켜 등록하거나 해도 좋다.
또한, 상기 대응의 다른 예로서, 등록된 막 종류가 존재하지 않은 경우에는, 상기 처리 유닛(16)에 의한 웨이퍼(W)의 처리를 개시하지 않고, 기판 처리 시스템(1)의 디스플레이 등으로부터, 그 취지의 정보를 알람으로서 발하여 알려도 좋다. 이 경우에는, 오퍼레이터로부터, 그대로 웨이퍼(W)의 처리를 속행할지, 웨이퍼(W)의 처리를 중단할지의 지시를 접수할 수 있다.
등록 막 종류 없음 시 대응이 완료되었다면, 처리 유닛(16)으로부터 웨이퍼(W)를 반출하여 동작을 끝낸다(단계 S110, 종료).
여기서 동종의 처리를 대량의 웨이퍼(W)에 대해 실행하는 양산용의 기판 처리 시스템(1)에 설치되어 있는 처리 유닛(16)의 경우에는, 웨이퍼(W)에 형성되어 있는 막의 막 종류가 1장마다 변경될 가능성은 작다. 이 경우에는, 동일 캐리어(C)나 동일 로트 내의 1장째의 웨이퍼(W)에 대해 도 6에 도시된 동작을 실행하고, 상기 1장째의 처리 시에 결정한 토출 실행 위치를 이용하여 남아 있는 웨이퍼(W)의 처리를 행해도 좋다. 또한 이때, 1대의 처리 유닛(16)에서 결정된 토출 실행 위치를, 동일한 기판 처리 시스템(1)에 설치되어 있는 다른 처리 유닛(16)에서 사용해도 좋다.
한편, 웨이퍼(W)에 대해 실행되며 처리의 내용이 빈번히 변경되는 평가용의 기판 처리 시스템(1)에 있어서는, 하나의 캐리어(C) 내에 수용되어 있는 복수 매의 웨이퍼(W)에 대해, 각각 상이한 조건으로 성막(成膜)이 행해지고 있거나, 웨이퍼(W)에 대해 실행되는 처리의 내용이 상이하거나 하는 경우도 있다. 이 경우에는, 처리 유닛(16)에 반입된 각 웨이퍼(W)에 대해 도 6에 도시된 동작을 실행하여, 토출 실행 위치의 결정을 행해도 좋다.
이상으로 설명한 본 실시형태에 따른 처리 유닛(16)에 의하면 이하의 효과가 있다. 제거 대상의 막의 특성 정보(n값, k값)를 취득하여, 웨이퍼(W)에 형성되어 있는 막의 종별(막 종류)을 식별하기 위한 종별 정보로서 사용한다. 그리고, 웨이퍼(W)에 형성되어 있는 막의 막 종류에 따라, 막을 제거하기 위한 처리액의 토출 위치를 보정하기 때문에, 막 종류의 차이에 따르는 제거폭의 변동을 저감할 수 있다.
여기서 종래, 레시피(191)에 기재된 제거폭의 설정값과, 실제의 제거폭의 어긋남이 확인된 경우에는, 처리 유닛(16) 내의 기기의 설정 상태를 변경하는 권한을 갖는 오퍼레이터가, 이동 기구(412)가 제1 노즐부(411)의 이동량을 파악하기 위한 원점 위치를, 어긋남량분만큼 이동시키는 등, 사람 손에 의한 조정이 행해지는 경우도 있었다. 이러한 대응은, 조정에 관한 조작이 번잡해질 뿐만이 아니라, 막 종류나 레시피(191)의 전환 시에 변경한 원점 위치를 나중에 되돌리는 것을 잊어버리는 등, 미스를 야기하는 원인이 될지도 모른다. 또한, 레시피(191) 작성 시에, 어긋남량을 반영하여 제거폭의 설정값을 입력하는 대응도 고려되지만, 처리 조건의 차이에 따라 다수 작성되는 모든 레시피(191)에 대해, 상이한 막 종류마다 어긋남량의 관리를 행하고, 어긋남량을 고려하여 제거폭의 설정값의 변경을 행하는 것은, 많은 노력(勞力)을 요하고, 비현실적이다.
이 점, 본 예의 처리 유닛(16)은, 센서부(7)를 활용하여 처리 대상의 웨이퍼(W)에 형성되어 있는 막의 막 종류를 식별하고, 미리 기억부(19)에 등록되어 있는 막 정보 테이블(192)을 이용하여 토출 위치의 보정을 행하는 동작을 자동적으로 실행하기 때문에, 오퍼레이터에게 새로운 부담을 부과하지 않고, 제거폭의 정밀도를 향상시킬 수 있다.
여기서, 도 2, 도 4에는, 연직 하방을 향해 처리액을 토출하는 제1 노즐부(411)의 예를 나타내었으나, 제1 노즐부(411)의 구성은 이 예에 한정되지 않는다. 예컨대, 비스듬히 하방을 향해 처리액을 토출해도 좋다. 이 경우에는, 웨이퍼(W)를 평면에서 보았을 때, 제1 노즐부(411)로부터의 처리액의 토출 위치와, 웨이퍼(W)에 처리액이 공급되는 착액점은, 가로 방향으로 어긋난 위치에 배치되게 된다. 따라서, 토출 위치나 그 보정량에 대해서도, 상기 어긋남을 고려한 설정이 행해진다.
또한, 전술한 예에서는, 웨이퍼(W)의 상면측에 처리액을 공급하는 제1 노즐부(411)의 토출 위치의 보정에 대해 설명하였다. 웨이퍼(W)의 상면에는, 반도체 장치의 패턴이 형성되어 있기 때문에, 예컨대 서브 밀리미터 단위로의 엄밀한 제거폭의 관리가 필요해진다. 이에 대해 웨이퍼(W)의 하면측은, 패턴의 형성면이 아니며, 제거폭의 제어가 필요하지 않은 경우가 많기 때문에, 제2 노즐부(421)로부터의 처리액의 토출 위치에 대해, 센서부(7)를 활용한 보정을 행하는 예는 나타내지 않았다. 단, 필요에 따라, 웨이퍼(W)의 하면측에 처리액을 공급하는 제2 노즐부(421)에 대해서도, 상면측의 제1 노즐부(411)와 동일한 수법을 이용하여 토출 위치의 보정을 행해도 되는 것은 물론이다.
또한, 막의 제거폭과, 제1 노즐부(411)의 토출 위치의 대응 관계를 사전에 결정할 때에는, 표 1을 이용하여 설명한 예와 같이 기준 막 종류를 이용하여 예비 실험을 행하는 것은 필수적이지 않다. 유지부(31)에 유지된 웨이퍼(W)의 외주단과, 제1 노즐부(411)의 상대적인 위치 관계에만 기초하여, 토출 위치의 결정을 행한 후, 모든 막 종류(표 1의 예에서는, 막 종류 A, B, C)에 대해, 예비 실험의 결과 등으로부터 보정량을 설정해도 좋다.
또한, 막 정보 테이블(192)에 설정되는 토출 위치의 보정량에 대해서도, 레시피(191)에 기초하여 설정되는 처리액의 토출 위치와, 실제의 토출 실행 위치의 차분값[㎜]을 채용하는 것은 필수적이지 않다. 예컨대 토출 위치에 대한 퍼센테이지를 채용해도 좋다(예: 설정값 1 ㎜, 토출 실행 위치 1.2 ㎜의 경우에는, 보정량 「120%」).
다음으로, 막 종류에 따른 보정량이 결정된 후, 토출 위치의 보정을 행하는 수법의 바리에이션에 대해 서술해 둔다. 도 6에 도시된 예에서는, 제거폭의 설정값에 기초한 잠정적인 토출 위치의 설정의 레지스터에의 등록(단계 S103)과, 웨이퍼(W)의 막 종류에 대응한 보정량의 상기 레지스터의 설정에의 반영(단계 S107)을, 이동 기구(412)에 대한 설정 정보의 출력에 앞서 행하고 있다.
이에 대해 예컨대, 단계 S103에 있어서, 제거폭의 설정값에 기초하여 얻어진 처리액의 토출 위치를 이동 기구(412)에 출력하여 제1 노즐부(411)를 이동시키고, 계속해서, 웨이퍼(W)의 막 종류에 대응한 보정량을 읽어들인 후, 토출 위치 보정의 폭만큼의 이동 설정을 이동 기구(412)에 출력하여 재차, 제1 노즐부(411)를 이동시켜도 좋다.
또한, 처리 유닛(16)에의 웨이퍼(W)의 반입 직후에, 막 종류의 특정이나 보정량의 읽어들임을 행하고, 상기 웨이퍼(W)에 대해 실행되는 레시피(191)에 설정되어 있는 막의 제거폭의 설정값을 상기 보정량으로 보정한 값으로 재기록해도 좋다. 이 예에서는, 재기록 후의 제거폭의 설정값에 기초하여 토출 위치를 결정하면, 상기 토출 위치는 보정량이 반영된 토출 실행 위치가 된다.
계속해서 이미 서술한 바와 같이, 분광 엘립소미트리를 채용한 센서부(7)는, 막 종류를 식별 가능한 특성 정보로서, 2종류의 정보(n값, k값)를 취득할 수 있다. 이때, n값 또는 k값 중 어느 한쪽을 이용하여 막 종류의 특정을 행해도 좋다. 단, 도 5의 「측정값」에 나타내는 바와 같이, k값 단독으로는 막 종류 A와 막 종류 B의 식별이 곤란한 경우에, n값, k값의 양방을 이용함으로써, 이들 막 종류가 식별 가능해지는 경우도 있다.
또한, 특성 정보를 취득하는 센서부(7)는, 분광 엘립소미터에 의해 구성하는 경우에 한정되지 않는다. 예컨대, 에너지 분산형 X선 분석(Energy dispersive X-ray spectrometry: EDX)이나, X선 광전자 분광(X-ray Photoelectron Spectroscopy: PXP)을 분석 수법으로서 채용한 센서부(7)를 이용해도 좋다. 이들 분석 수법에 있어서는, 진공 분위기가 필요해지기 때문에, 예컨대 기판 처리 시스템(1)의 반입 반출 스테이션(2)의 외벽에 진공 챔버를 접속하고, 이 진공 챔버 내에 센서부(7)를 배치하여 특성 정보의 취득을 행해도 좋다.
이 경우에는, 상기 공통의 센서부(7)를 이용하여, 기판 처리 시스템(1)에 설치되어 있는 복수의 처리 유닛(16)에 대해, 제1 노즐부(411)의 토출 위치의 보정에 관한 특성 정보가 취득된다. 공통의 센서부(7)를 이용하여 취득한 특성 정보로부터, 어느 쪽의 처리 유닛(16)에 있어서의 처리액의 토출 위치를 보정할지에 대해서는, 예컨대 분석을 행한 웨이퍼(W)의 반송처 등에 기초하여 판단된다.
또한 여기서, 복수의 처리 유닛(16)에서 하나의 센서부(7)를 공용하는 수법은, 분석 수법으로서 EDX나 PXP를 채용하는 경우뿐만이 아니라, 분광 엘립소미트리에도 적용 가능하다. 예컨대 기판 처리 시스템(1)의 반송부(12, 15)에 있어서의 웨이퍼(W)의 반송 경로 상에 분광 엘립소미터인 공통의 센서부(7)를 배치해도 좋고, 반입 반출 스테이션(2)의 외벽에 설치되며, 웨이퍼(W)의 방향의 조정을 행하는 오리엔터를 수용한 도시하지 않은 오리엔터실 내에 분광 엘립소미터인 공통의 센서부(7)를 배치해도 좋다.
또한, 막 정보 테이블(192)에 대해, 처리액의 토출 위치의 보정량을 미리 등록해 두는 것도 필수적이지 않다. 예컨대, 처리 유닛(16) 내나 반송부(12, 15)에 있어서의 웨이퍼(W)의 반송 경로 상에 웨이퍼(W)의 둘레 가장자리부를 촬상하는 카메라를 설치하고, 상기 촬상 결과에 기초하여 측정한 제거폭의 실적값과, 제거폭의 설정값의 차분값으로부터, 처리액의 토출 위치의 보정량을 결정해도 좋다. 상기 보정량을 결정한 후에, 웨이퍼(W)에 형성되어 있는 막의 종별 정보(n값, k값 등의 특성 정보)와 대응시켜 보정량을 등록한 막 정보 테이블(192)을 새롭게 작성해 둠으로써, 동종의 막이 형성된 웨이퍼(W)를 이후에 처리할 때에, 토출 위치의 보정에 활용할 수 있다.
전술한 예에 더하여, 처리 대상의 웨이퍼(W)에 형성되어 있는 막의 종별이 특정된 후에 조정되는 설정 항목은, 처리액의 토출 위치에만 한정되지 않는다. 예컨대, 웨이퍼 유지 기구(30)에 유지되어 회전하는 웨이퍼(W)의 단위 시간의 회전수나, 제1 노즐부(411)로부터 공급되는 처리액의 공급 유량을 보정해도 좋다. 이들 설정 항목의 보정량(회전수 보정량, 보정 유량)에 대해서도, 예컨대 표 1에 나타낸 바와 같이, n값, k값 등의 막의 특성 정보(종별 정보)와 대응시켜 막 정보 테이블(192)에 등록해 둘 수 있다. 이 결과, 제어부(18)에 의해 이들 보정량을 읽어내어, 웨이퍼 유지 기구(30)의 회전 기구의 모터(302)나 제1 노즐부(411)의 상류측의 처리액 공급부 내의 유량 조절 기구의 제어에 이용할 수 있다(회전수 보정 공정, 유량 보정 공정).
나아가서는, 처리 대상의 웨이퍼(W)에 형성되어 있는 막의 특성 정보를 취득하는 수법은, 센서부(7)를 이용하여 실제로 웨이퍼(W)의 분석을 행한 결과로부터 얻는 것도 필수적이지 않다. 예컨대 기판 처리 시스템(1)이 설치된 반도체 공장 내의 컴퓨터 네트워크를 통해, 기판 처리 시스템(1)의 외부의 서버로부터 처리 대상의 웨이퍼(W)의 식별 정보와 함께 특성 정보를 취득해도 좋다. 이 경우에는, 특성 정보의 취득을 실행하는 네트워크 통신부가 특성 정보 취득부를 구성하게 된다.
이들에 더하여, 웨이퍼(W)로부터 취득한 특성 정보를 막의 종별 정보로서 이용하는 것도 필수적이지 않다. 분광 엘립소미터인 센서부(7)를 이용하는 예에 대해 서술하면, 이미 서술한 k값, n값은, 웨이퍼(W)에 형성되어 있는 막의 두께, 막의 경도, 막의 표면의 거칠기 등의 물리적 특성을 특정하기 위한 물리적 특성 정보로서도 이용할 수 있다.
예컨대 도 7은 웨이퍼(W)에 형성된 막의 경도와 n값, k값의 관계를 개략적으로 도시하고 있다. 이 막의 예에서는, n값 및 k값이 작을수록, 웨이퍼(W)에 형성되어 있는 막은 부드럽고, n값 및 k값이 클수록, 막은 딱딱하다. 또한, 막 두께 등에 대해서도, n값, k값의 변화로부터 특정하는 것이 가능하다.
여기서 딱딱한 막(두꺼운 막)에 대해서는, 부드러운 막(얇은 막)보다도 보다 긴 시간, 처리액을 공급하지 않으면 안 되는 경우가 있다. 한편, 처리액의 공급 시간(처리 시간)이 장시간화되면, 막이 제거되는 영역의 내주단이, 웨이퍼(W)의 직경 방향의 내측으로 확대되어 버리는 경우가 있다. 그래서, 미리 설정된 기준의 처리 시간에 대해, 실제의 처리 시간이 변화하는 경우에는, 상기 처리 시간의 변화에 따르는 막의 제거폭의 변화를 상쇄하도록, 보정량을 정해도 좋다.
예컨대, 막 종류의 차이에 따르는 보정량(제1 보정량)이, 전술한 「기준의 처리 시간」에 기초하여 정해지고 있을 때, 또한 처리 시간의 변화에 따르는 보정량(제2 보정량)을 이용함으로써, 정밀도가 높은 제거폭의 제어를 행할 수 있다. 단, 이들 제1, 제2 보정량의 양방을 이용하는 것은 필수적인 요건이 아니며, 어느 한쪽의 영향이 큰 보정량을 채용해도 좋다.
또한, 물리적 특성 정보로부터 얻어진 막의 두께나 막의 경도 등에 기초하여, 웨이퍼(W)의 단위 시간당의 회전수나 처리액의 공급 유량을 조정해도 되는 것은 물론이다.
W: 웨이퍼 16: 처리 유닛
18: 제어부 181: 입력부
19: 기억부 191: 레시피
192: 막 정보 테이블 20: 챔버
30: 웨이퍼 유지 기구 411: 제1 노즐부
412: 이동 기구 421: 제2 노즐부
422: 이동 기구 7: 센서부

Claims (15)

  1. 기판에 처리액을 공급하여 기판의 둘레 가장자리부의 막을 제거하는 기판 처리 장치에 있어서,
    기판을 유지하고, 기판을 회전시키는 회전 기구를 구비한 기판 유지부와,
    상기 기판 유지부에 유지된 기판의 둘레 가장자리부에, 상기 처리액을 토출하는 토출부와,
    입력된 레시피에 포함되는 상기 막의 제거폭에 대응시켜 처리액의 토출 위치를 설정하는 토출 위치 설정부와,
    상기 토출 위치 설정부에 의해 설정된 토출 위치에 기초하여, 기판의 직경 방향을 향해 상기 토출부로부터의 처리액의 토출 위치를 이동시키는 이동 기구와,
    제거되어야 할 막의 특성 정보를 취득하는 특성 정보 취득부와,
    상기 특성 정보 취득부에 의해 취득된 막의 특성 정보에 따라, 상기 토출 위치 설정부에 의해 설정된 토출 위치를 보정하는 보정량을 취득하는 보정량 취득부와,
    상기 토출 위치 설정부에 의해 설정된 토출 위치를, 상기 보정량 취득부에 의해 취득된 보정량에 기초하여 보정하는 토출 위치 보정부
    를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 막의 특성 정보는, 막의 종별 정보인 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 막의 특성 정보는, 막의 물리적 특성 정보인 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 막의 물리적 특성 정보는, 막의 경도, 또는 막 두께인 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  5. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 특성 정보 취득부는, 분석용 센서를 구비하고, 상기 분석용 센서에 의해 기판에 형성된 막을 분석한 결과에 기초하여 상기 특성 정보를 취득하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 기판 유지부, 이동 기구, 및 상기 분석용 센서는, 공통의 챔버 내에 배치되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  7. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 특성 정보 취득부는, 외부와의 통신에 의해 상기 특성 정보를 취득하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  8. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서,
    또한 상기 보정량 취득부는, 특성 정보 취득부에 의해 취득된 막의 특성 정보에 따라, 상기 회전 기구에 의해 회전되는 기판의 단위 시간당의 회전수를 보정하는 회전수 보정량, 또는, 처리액 공급부로부터 공급되며, 토출부로부터 토출되는 처리액의 공급 유량을 보정하는 보정 유량 중 적어도 하나를 취득하고,
    상기 회전 기구는, 상기 회전수 보정량에 기초하여, 기판의 회전수를 보정하고, 상기 처리액 공급부는 상기 보정 유량에 기초하여 처리액의 공급 유량을 보정하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  9. 기판에 처리액을 공급하여 기판의 둘레 가장자리부의 막을 제거하는 액처리 방법에 있어서,
    레시피에 포함되는 상기 막의 제거폭에 대응시켜, 기판의 둘레 가장자리부에 대향하여 배치된 토출부로부터의 처리액의 토출 위치를 설정하는 토출 위치 설정 공정과,
    제거되어야 할 막의 특성 정보를 취득하는 특성 정보 취득 공정과,
    상기 특성 정보 취득 공정에서 취득한 막의 특성 정보에 따라, 상기 토출 위치 설정 공정에서 설정된 토출 위치를 보정하는 보정량을 취득하는 보정량 취득 공정과,
    상기 토출 위치 설정 공정에서 설정된 토출 위치를, 상기 보정량 취득 공정에서 취득된 보정량에 기초하여 보정하는 토출 위치 보정 공정과,
    상기 토출 위치 보정 공정에서 보정한 토출 실행 위치로 상기 토출부를 이동시키는 토출부 이동 공정과,
    상기 토출 실행 위치로 이동한 토출부로부터 처리액을 토출하여, 회전하는 기판의 둘레 가장자리부에 처리액을 공급하여, 상기 둘레 가장자리부의 막을 제거하는 제거 공정
    을 포함하는 것을 특징으로 하는 액처리 방법.
  10. 제9항에 있어서,
    상기 막의 특성 정보는, 막의 종별 정보인 것을 특징으로 하는 액처리 방법.
  11. 제9항에 있어서,
    상기 막의 특성 정보는, 막의 물리적 특성 정보인 것을 특징으로 하는 액처리 방법.
  12. 제11항에 있어서,
    상기 막의 물리적 특성 정보는, 막의 경도 또는 막 두께인 것을 특징으로 하는 액처리 방법.
  13. 제9항 내지 제12항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 특성 정보 취득 공정에서는, 분석용 센서에 의해 기판에 형성된 막을 분석한 결과에 기초하여 상기 특성 정보를 취득하는 것을 특징으로 하는 액처리 방법.
  14. 제9항 내지 제12항 중 어느 한 항에 있어서,
    특성 정보 취득 공정에서 취득한 막의 특성 정보에 따라, 상기 제거 공정에서의 기판의 회전수를 보정하는 회전수 보정 공정, 또는, 상기 특성 정보에 따라, 상기 제거 공정에 있어서 상기 토출부로부터 토출되는 처리액의 공급 유량을 보정하는 유량 보정 공정 중 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 액처리 방법.
  15. 기판에 처리액을 공급하여 기판의 둘레 가장자리부의 막을 제거하는 기판 처리 장치에 이용되는 컴퓨터 프로그램을 기억하는 기억 매체에 있어서,
    상기 컴퓨터 프로그램은, 제9항 내지 제12항 중 어느 한 항에 기재된 액처리 방법을 실행하도록 단계군이 짜여져 있는 것을 특징으로 하는 기억 매체.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2019108078A1 (en) 2017-11-30 2019-06-06 Hamad Medical Corporation An airway cardioverter-defibrillator system

Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6611652B2 (ja) * 2016-03-30 2019-11-27 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置の管理方法、及び基板処理システム
JP2019096669A (ja) * 2017-11-20 2019-06-20 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置及び塗布モジュールのパラメータの調整方法並びに記憶媒体
JP7101528B2 (ja) * 2018-04-25 2022-07-15 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置
JP7184547B2 (ja) * 2018-06-27 2022-12-06 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 補正方法、基板処理装置、及び基板処理システム
TW202040639A (zh) * 2019-02-28 2020-11-01 日商東京威力科創股份有限公司 基板處理裝置、基板處理方法及記錄媒體
JP7232710B2 (ja) * 2019-05-29 2023-03-03 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理方法および基板処理装置
CN113414164B (zh) * 2021-06-21 2023-08-15 淮北市华明工业变频设备有限公司 一种用于变频电路板的板面清洁系统

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06250380A (ja) * 1993-02-26 1994-09-09 Hoya Corp 不要膜除去方法及びその装置並びに位相シフトマスクブランクの製造方法
JP2002064057A (ja) * 1993-12-24 2002-02-28 Tokyo Electron Ltd 処理装置
JP2007036180A (ja) 2005-06-23 2007-02-08 Tokyo Electron Ltd 基板処理方法及び基板処理装置
JP2013168429A (ja) * 2012-02-14 2013-08-29 Tokyo Electron Ltd 液処理装置、液処理方法及び記憶媒体

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3177728B2 (ja) * 1993-08-23 2001-06-18 東京エレクトロン株式会社 処理装置及び処理方法
US5608943A (en) * 1993-08-23 1997-03-11 Tokyo Electron Limited Apparatus for removing process liquid
JP3776796B2 (ja) * 2001-12-21 2006-05-17 大日本スクリーン製造株式会社 基板周縁処理装置および基板周縁処理方法
AU2003220830A1 (en) * 2002-03-12 2003-09-22 Olympus Corporation Semiconductor manufacturing method and device thereof
JP4694150B2 (ja) * 2003-06-20 2011-06-08 東京エレクトロン株式会社 処理方法及び処理システム
JP4069081B2 (ja) * 2004-01-13 2008-03-26 東京エレクトロン株式会社 位置調整方法及び基板処理システム
JP2005353717A (ja) * 2004-06-09 2005-12-22 Renesas Technology Corp 半導体装置の製造方法および半導体製造装置
JP2008177584A (ja) 2008-01-25 2008-07-31 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理方法および基板処理装置
JP5107285B2 (ja) * 2009-03-04 2012-12-26 東京エレクトロン株式会社 成膜装置、成膜方法、プログラム、およびコンピュータ可読記憶媒体
JP5449239B2 (ja) * 2010-05-12 2014-03-19 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置、基板処理方法及びプログラムを記録した記憶媒体

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06250380A (ja) * 1993-02-26 1994-09-09 Hoya Corp 不要膜除去方法及びその装置並びに位相シフトマスクブランクの製造方法
JP2002064057A (ja) * 1993-12-24 2002-02-28 Tokyo Electron Ltd 処理装置
JP2007036180A (ja) 2005-06-23 2007-02-08 Tokyo Electron Ltd 基板処理方法及び基板処理装置
JP2013168429A (ja) * 2012-02-14 2013-08-29 Tokyo Electron Ltd 液処理装置、液処理方法及び記憶媒体

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2019108078A1 (en) 2017-11-30 2019-06-06 Hamad Medical Corporation An airway cardioverter-defibrillator system

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