JP2002064057A - 処理装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 搬送機構によって被処理体を搬送する際，支
持や保持の切替を自動化する際の利便を図る。 【解決手段】 ウエハＷを搬送するアーム５９における
吸着部６４の使用と爪６１の使用の切り換え用の制御手
段として，ウエハＷの表面，又はウエハＷの周縁部に形
成されている膜の厚さを測定する光干渉型等の膜厚セン
サと，その測定結果に基づいて膜種を判定するマイコン
等の制御装置を搬送機構に設ける。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】この発明は，例えば半導体ウ
エハ等の被処理体に処理を施す，処理装置に関するもの
である。

【０００２】

【従来の技術】一般に，半導体デバイスの製造工程にお
いて，半導体ウエハにフォトレジストを塗布し，フォト
リソグラフィ技術を用いて回路パターンを縮小してフォ
トレジストに転写し，これを現像処理する一連の処理が
施される。

【０００３】このような処理を行う装置の一例として，
実開昭６２−１２０３４１号が開示されている。この技
術の，半導体ウエハを搬送する技術として，半導体ウエ
ハをベルトにより搬送したり，また，真空吸着による搬
送としては，特開昭６３−２２９２９０号等の搬送方法
が広く知られている。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら，通常使
用されるような粘性の低いレジスト液に代え，ポリイミ
ドのような高粘度の処理液を使用して塗布処理を行った
場合，レジスト塗布装置でサイドリンス処理を行っても
ウエハ周縁のポリイミドは除去されにくく残りやすい。
この処理液の残滓が搬送機構のウエハとの接触部に付着
すると，ウエハが搬送機構から離れなくくなり，ウエハ
の搬送が円滑に成し得なくなる。また，ウエハの周縁に
付着残存するポリイミドが剥がれてパーティクルとして
ウエハに付着してしまうなどの問題も生じる。

【０００５】また，通常使用されるような粘性の低いレ
ジスト液においても，サイドリンス処理が行えない処理
工程を要求されることもあり，この場合も塗布したまま
の状態で処理装置内部でウエハ搬送を行うと，レジスト
液により搬送機構等を汚染することになり，乾燥したレ
ジストが剥がれてパーティクルとしてウエハに付着して
しまうなどの問題も生じる。

【０００６】この発明は上記事情に鑑みなされたもの
で，その目的は，搬送機構に被処理体の膜種を判定する
機構を設け，これによって搬送する際の支持や保持の切
替を自動化する際の利便を図ることを目的としている。

【０００７】

【課題を解決するための手段】前記目的を達成するた
め，本発明によれば，被処理体に処理を施す複数の処理
機構と，これらの処理機構に被処理体を搬送するための
搬送機構を有する処理装置であって，上記搬送機構は，
上記被処理体の表面に形成された膜の厚さを測定する膜
厚センサを備え，この膜厚センサによる測定結果に応じ
て，上記被処理体の表面に形成された膜の種類を判定す
るための制御手段をさらに有することを特徴とする，処
理装置が提供される。

【０００８】前記制御手段は，前記測定の結果，膜厚が
１０μｍ程度の場合にはポリイミドと判定し，膜厚が１
〜２μｍの場合には，通常のフォトレジストと判定する
ように構成されていてもよい。

【０００９】さらに前記搬送機構は，被処理体の周縁部
を支持する支持手段と，被処理体の周辺近傍の下面に当
接して被処理体を保持する吸着部とを有し，前記制御手
段は，膜種をポリイミドと判定した場合には前記吸着部
による保持を選択し，膜種を通常のフォトレジストと判
定した場合には，前記支持手段による支持を選択するよ
うに構成されているようにしてもよい。

【００１０】本発明によれば，膜厚センサの測定結果に
基づいて搬送機構が搬送しようとする被処理体表面の膜
種を判定することができるから，たとえば搬送機構が被
処理体の周縁部を支持する支持手段と，被処理体の周辺
近傍の下面に当接して被処理体を保持する吸着部とを備
えているような場合，いずれかを使用することの切替を
自動的に行うことが可能になる。

【００１１】

【発明の実施の形態】以下に，この発明の実施の形態を
図面を用いて詳細に説明する。このような処理を行う場
合，図４に示す処理システムが使用されている。この処
理システムは，被処理体としての半導体ウエハ（以下，
単にウエハという）Ｗを搬入・搬出するローダ部４０
と，このローダ部４０から搬送されたウエハＷをブラシ
洗浄するブラシ洗浄装置４２と，ウエハＷを高圧ジェッ
ト水で洗浄するジェット水洗浄装置４４と，ウエハＷの
表面を疎水化処理するアドヒージョン処理装置４６と，
ウエハＷを所定温度に冷却する冷却処理装置４８と，ウ
エハＷの表面にレジストを塗布及びサイドリンス処理に
より周縁部のレジストを溶解除去するレジスト塗布装置
５０と，レジスト塗布の後でウエハＷを加熱してプリベ
ーク又はポストベークを行う加熱処理装置５２及び露光
されたウエハＷの現像処理を行うための現像装置５４な
どを集合化して作業効率の向上を図っている。

【００１２】上記のように構成される処理システムの中
央部には，長手方向にウエハ搬送路５６が設けられ，こ
のウエハ搬送路５６に沿って上記各処理装置４０〜５４
がウエハ搬送路５６に正面を向けて配置され，各装置４
０〜５４との間でウエハＷの受け渡しを行うウエハ搬送
機構５８がウエハ搬送路５６に沿って移動自在に設けら
れている。このウエハ搬送機構５８は，真空吸着あるい
は周辺部の下面支持などによってウエハＷを保持するた
めのアーム５９を備えている。このアーム５９は上下方
向に例えば３本配設されており，移動機構によりそれぞ
れ独立に各装置４０〜５４のウエハ載置位置まで移動で
きるようになっている。

【００１３】このようなアーム５９を３本使用すること
で，各装置４０〜５４に対するウエハＷの搬入・搬出を
並行して行うことができ，処理能率の向上が図れる。そ
して，例えば，ローダ部４０の図示省略のウエハカセッ
ト内に収納されている処理前ウエハＷを１枚取り出して
搬送し，順に，洗浄，アドヒージョン処理，冷却，レジ
スト塗布，プリベーク，図示省略の露光装置による露
光，現像，ポストベークを行い，処理後のウエハＷをロ
ーダ部４０の図示省略のウエハカセット内に搬送して収
納する。

【００１４】以下にこの発明の処理装置の最も特徴的な
構成要素である被処理体の搬送機構について説明する。
図１はこの発明の搬送機構のアーム部を示す斜視図であ
り，図２には搬送機構の概略正面図が示されている。各
アーム５９は，図３に示すように，ウエハ支持枠６０が
一部切欠環状，例えば先端部切欠環状に形成されてお
り，その支持枠６０の内側部の被搬送ウエハを安定に支
持するため少なくとも３か所に，ウエハＷの周縁部に係
合してこれを複数箇所載置状に支持する複数の支持片例
えば爪６１が設けられている。これら各爪６１には，図
５に拡大して示すように，その内側部の傾斜面６１ａが
設けられ，この傾斜面６１ａに沿ってウエハＷを滑り落
とし込ませることで，搬送中のウエハＷのずれを防止
し，また位置決めしている。

【００１５】これら３本のアーム５９は，図示省略の移
動機構により，それぞれ独立に移動可能で，水平方向
（Ｘ，Ｙ方向），垂直方向（Ｚ方向）及び回転方向（θ
方向）に移動させることができるようになっている。こ
のようなアームの移動機構としては，例えば，ステッピ
ングモータ及びこれに連結されたボールスクリュー等の
回転機構，あるいはベルト駆動されるスライド機構を用
いる。

【００１６】これら３本のアーム５９は，図１，図３及
び図５に示すように，ウエハ支持枠６０の上面に，その
両端部に少なくとも一つ例えば２箇所に，支持枠６０の
上面より突出した突起状のウエハ吸着部６４が形成され
ている。これら吸着部６４には，周方向に沿う長穴状の
吸着口６５がそれぞれ形成されており，これらの吸着口
６５は，アーム内部に形成された空気通路６６によって
アーム基端部５９ａの吸気口６７に連通している。

【００１７】搬送機構５７は，搬送路５６上の搬送レー
ル７１に沿って移動自在に設けられた走行ブロック７２
と，走行ブロック７２に支軸７３，７４，７５を介して
それぞれ上下に位置をずらして設けられた３本のアーム
５９を備えている。

【００１８】吸気口６７は，支軸７３，７４，７５の内
部に形成された空気通路６８を介して図示省略の真空吸
引装置に接続されており，この真空吸引装置を駆動する
ことにより，２つの吸着口６５から同時に吸気が行われ
るようになっている。これらの吸着口６５が形成された
ウエハ吸着部６４，６４間の距離は，ウエハＷの直径よ
りも若干，例えば２〜１０ｍｍ程度小さく設定されてお
り，突起状のウエハ吸着部６４が，ウエハＷの周縁近傍
の下面に当接してこれを吸着保持できるようになってい
る。

【００１９】すなわち，これらのアーム５９は，その２
箇所に設けたウエハ吸着部６４によってウエハＷの周縁
近傍の下面２箇所を吸着して２点支持し，ウエハＷを保
持できるようになっている。

【００２０】次に，上記のように構成された搬送機構の
動作について説明する。まず，通常使用されるような粘
性の低いレジスト液のレジスト塗布現像処理を行う場
合，３本のアーム５９を用いて爪６１によりウエハＷの
周縁部を支持して，各装置４０〜５４に対するウエハＷ
の搬入・搬出を並行して行う。これにより，能率良く処
理を行うことができる。この場合，アーム５９の各装置
４０〜５４内に向かって前進する移動範囲としては，各
爪６１に支持されたウエハＷの中心すなわち各爪６１間
の中心位置が，各装置４０〜５４の受渡し中心位置とな
るように移動される。

【００２１】次に，ポリイミドのような高粘度の処理液
の塗布処理を行う場合，又はサイドリンス処理が行えな
いレジスト液の塗布処理を行う場合も，大部分の搬送行
程は３本のアーム５９を用いて爪６１によりウエハＷの
周縁部を支持して行うが，特に，アーム５９の爪６１に
対する処理液の残滓８１の付着が問題となる搬送工程，
例えば塗布装置５０でポリイミド液を塗布，又はレジス
ト液塗布後サイドリンス処理をされていないウエハＷを
加熱処理装置５２の支持ピン８３へ受け渡す搬送行程は
アーム５９の先端部２箇所に設けたウエハ吸着部６４に
よってウエハＷの周縁近傍の下面すなわち塗布液が付着
していない部分２箇所を吸着して２点支持し，ウエハＷ
を保持することによって保持搬送を行う。その際，搬送
機構５７は，まず走行ブロック７２を塗布装置５０の前
に移動させ，アーム５９を駆動して塗布装置５０内に挿
入する。この場合，アーム５９の塗布装置５０加熱処理
装置５２内に向かって前進する移動範囲としては，図３
の各ウエハ吸着部６４に吸着保持された状態のウエハＷ
の中心位置が，塗布装置５０，加熱処理装置５２内の受
渡し中心位置となるように移動される。このように，ア
ーム５９に設けられた被処理基板，例えばウエハＷを吸
着し保持する保持手段と前述の爪６１で支持する支持手
段とは，被処理基板，例えばウエハＷの状態，例えばウ
エハＷに形成される膜の種類・ウエハＷの周縁部まで膜
が形成されているか否か・ウエハＷに形成される膜の膜
厚・処理工程等によって選択可能に構成されている。

【００２２】塗布装置５０内では，例えば，レジスト液
が膜状にスピンコーティングされたウエハＷが昇降自在
に設けられた図示省略のウエハＷ回転用のスピンチャッ
クによってウエハＷが持ち上げられて受け渡し状態で待
機しており，アーム５９が塗布装置５０内の定位置まで
挿入された後，図示省略のスピンチャックが下降あるい
はアーム５９が上昇してアーム５９のウエハ支持枠６０
にウエハＷが受け渡される。これによってアーム５９の
２つの吸着部６４がウエハＷの周縁近傍の下面２箇所に
当接してウエハＷを吸着保持する。

【００２３】次いで，搬送機構５７は，アーム５９を塗
布装置５０内から走行ブロック７２上の定位置に移動さ
せ，中継機構５６Ａを経由してウエハＷを他方のウエハ
搬送機構５８に渡し，走行ブロック２を加熱処理装置５
２の前に移動させた後，アーム５９を加熱処理装置５２
内に挿入し，真空吸引装置の駆動を停止する。

【００２４】加熱処理装置５２内では，アーム５９が受
け渡しのための定位置に挿入されると，図６に示す３本
の支持ピン８３が上昇し，アーム５９から支持ピン８３
へウエハＷが受け渡される。

【００２５】この場合，ウエハＷの周縁部Ｗａにポリイ
ミド液，又はレジスト液の残滓８１が付着していたとし
ても，ウエハＷの周縁部Ｗａがアーム５９に対して非接
触の状態になっているので，ウエハＷがアーム５９に付
いて離れにくくなるようなことはなく，ウエハＷの受け
渡しを円滑に行うことができる。したがって，受け渡し
の際にウエハＷがずれたり落下したりする虞れはない。

【００２６】このような構成において，吸着部６４の使
用と爪６１の使用の切り換え用の制御手段としては，ウ
エハＷの表面，又はウエハＷの周縁部Ｗａに形成されて
いる膜の厚さを測定する光干渉型等の膜厚センサと，そ
の測定結果に基づいて膜種を判定するマイコン等の制御
装置を搬送機構５７に設けることにより自動化すること
ができる。

【００２７】例えば測定の結果，ウエハＷの表面の膜厚
が１０μｍ程度と厚い場合には，ポリイミドと判定し，
ウエハ支持手段としてウエハ吸着部６４を自動的に選択
して使用する。また，膜厚が１〜２μｍの場合には通常
のフォトレジストと判定し，ウエハ支持手段として爪６
１を自動的に選択して使用する。そしてまた，ウエハＷ
の周縁部Ｗａの膜厚が０．２〜１μｍ程度と薄い場合に
は，サイドリンス処理を行うことができない又は不十分
な工程と判断し，ウエハ吸着部６４を自動的に選択して
使用する。また，膜厚が０．２μｍ以下の場合にはサイ
ドリンス処理を行う通常の処理工程と判断し，爪６１を
自動的に選択して使用する。この膜種判定は，使用する
搬送部材の使い分けを自動的に行う場合に非常に有効で
ある。なお，上記支持手段の選択と同時にアーム５９の
動作の範囲をも自動的に制御してもよい。

【００２８】次に，前述の図１のアーム部の他の実施の
形態の概略斜視図を図７に示す。図７に示すアーム部の
構成は，下２段のアーム５９は，前述の説明のようにウ
エハＷを真空吸着による保持を行なうための基板吸着部
６４とウエハＷを支持する手段としての爪６１とをそれ
ぞれ設けており，最上段のアーム５９は，ウエハＷを支
持する手段としての爪６１のみ具備している。このよう
なアーム部の構成では，複数のアーム５９を具備してい
るため，ウエハＷを同時に搬送可能とすることやウエハ
Ｗの搬送に係るスループットの向上は言うまでもないが
最上段のアーム５９のみウエハＷを支持する手段として
の爪６１だけを具備しているのは，例えばこのアーム５
９で図４のローダ部４０からウエハＷを受取ってレジス
ト塗布装置５０にてウエハＷに塗布膜としてのレジスト
膜が形成されるまでの搬送に用い，下２段のアーム５９
でレジスト膜が形成された後のウエハＷを搬送するよう
構成している。つまり，ウエハＷの状態による搬送の形
態を変化する必要のない搬送までは最上段のアーム５９
を使用し，ウエハＷの状態による搬送の形態を変化する
必要を有する搬送は，下２段のアーム５９を使用するも
のである。これにより，全てのアーム５９に対して真空
吸着による保持を行なうための基板吸着部６４とウエハ
Ｗを支持する手段としての爪６１とをそれぞれ設ける必
要がないためアーム部のコストを低減することができ
る。また，用途に応じてそれぞれのアーム５９の組合せ
を行なうことができ，汎用性の向上を図ることができ
る。

【００２９】また，このようなアーム部は，他に，ウエ
ハＷを支持する手段としての爪６１のみを具備するアー
ム５９を最上段に限定することなく最下部であるとか中
間部に配置しても良く，さらにウエハＷを支持する手段
としての爪６１のみを具備するアーム５９ではなくウエ
ハＷを真空吸着して保持する保持手段のみを具備するア
ームとの組合せでアーム部を構成してもよい。

【００３０】次に，図３のアームの他の実施の形態を図
８〜図１０に基づいて説明する。前述の図３のアーム５
９には，ウエハ支持枠６０の上面には，その両端部に少
なくとも一つ例えば２箇所に，支持枠６０の上面より突
出した突起状の基板吸着部６４が形成されていたが，図
８のアーム５９の基板吸着部６４は，アーム５９の根元
部に一カ所周方向に沿う長穴状の吸着口６５を設けてお
り，この吸着口６５は，アーム５９内部に形成された空
気通路６６によってアーム基端部５９ａの吸着口６７に
連通して構成されている。さらに，吸着口６５は，図９
に示すように支持枠６０の上面よりＹ１の高さ分突出し
て構成されている。このＹ１の距離としては好ましく
は，０．１ｍｍ〜０．５ｍｍ程度の範囲の所定の高さに
維持されている。また，図８及び図１０に示すようにア
ーム５９の中間部近傍には，吸着口６５により保持され
たウエハＷを支持するとともに，ウエハＷをアーム５９
の支持枠６０と接触させないための凸部１００が例えば
アーム５９の両端部に少なくとも一つ例えば２箇所に設
けられており，その凸部１００は，図１０に示すように
前述の吸着口６５の突出高Ｙ１と同様の高さのＹ２の突
出高を有して構成されている。この場合，凸部１００
は，発塵の少ない部材で形成するのが好ましい。このよ
うに構成したことにより，真空吸着による保持手段でウ
エハＷを搬送するので，図４に示すような各装置４０〜
５４との受渡し位置の自由度を増すことができる。

【００３１】次に，被処理体の状態の一例を図１１及び
図１２に示すとともに，被処理体の状態の検出の一例を
図１３にて説明する。図１１及び図１２は，前述のアー
ム５９に設けられた被処理体，例えばウエハＷを吸着し
保持する保持手段と前述の爪６１で支持する支持手段と
を選定する際の，被処理基板，例えばウエハＷの状態の
一例である。図１１は，図４に示すレジスト塗布装置５
０でウエハＷの表面の全面に渡って塗布膜としてのレジ
スト膜１０１を形成した際の状態を示し，図１２は，塗
布膜としてのレジスト膜１０１を形成した後，図示しな
い洗浄ノズル等から洗浄液或いはリンス液をウエハＷ方
向に供給し，ウエハＷの周縁部に付着するレジスト膜１
０１ａを除去したものである。

【００３２】このような，ウエハＷの周縁部に付着する
塗布膜の除去は，必ずしも全てのウエハＷに対して行な
われるとは限らない。例えばレジスト液に対して粘度の
高いポリミド樹脂を塗布した場合，ウエハＷの周縁部に
付着するポリミド樹脂に洗浄液或いはリンス液をウエハ
Ｗに供給しても完全に除去することが不可能なため，ポ
リミド樹脂の塗布の際は，ウエハＷの周縁部洗浄を行な
わない場合がある。

【００３３】また，ウエハＷの周縁部に塗布膜が残存し
ているか否かの判断が予め定められていない場合又は確
認が必要な場合として，例えば図１３に示すように光セ
ンサー１０２の発光部１０３から所定の波長で光を発光
させる。そして，この光センサー１０２をウエハＷの径
方向に移動しつつウエハＷ又はレジスト膜からの反射光
を光センサー１０２の受光部１０４で検出して，ウエハ
Ｗの周縁部から所定の幅Ｘ，例えば５ｍｍ以下に残存す
るレジスト膜１０１が存在するか否かの判断を行なう。
この判断の結果に基づき，残存するレジスト膜１０１が
存在する場合，図１又は図８に示すアーム５９の基板吸
着部６４でウエハＷを保持する。また，残存するレジス
ト膜１０１が存在しない場合は，爪６１で支持する。ま
た，予めウエハＷを保持或いは支持する手段が基板吸着
部６４又は爪６１のどちらか予め定められている場合で
あって，ウエハＷの周縁部にレジスト膜１０１が存在す
るか否かの検出を行なう必要がない場合は，予めアーム
５９を駆動する制御機構に基板吸着部６４を使用するか
又は爪６１を使用するかの登録を行なう必要がある。

【００３４】以上の実施の形態では被処理体が半導体ウ
エハの場合について説明したが，被処理体は必ずしも半
導体ウエハに限られるものではなく，例えばＬＣＤ基
板，セラミックス基板，コンパクトディスク，プリント
基板，塗料を塗布する基板，光フィルター基板等につい
て同様に処理液を被覆するものについても適用できるも
のである。

【００３５】また，上記実施の形態では処理装置をレジ
スト塗布現像装置に適用した場合について説明したが，
これ以外にも，例えばエッチング液塗布処理や磁性液塗
布処理を行う装置，塗料の塗装装置等にも適用できるこ
とは勿論である。更に，支持手段の選択および動作範囲
の制御は，例えば処理ロットとして予め判っている場合
には，膜厚測定を行わずに，処理プロセス中の一動作と
して設定しておくように構成してもよい。

【００３６】

【発明の効果】本発明によれば，たとえば処理工程ごと
に搬送機構の支持手段か又は保持部のいずれかを選択す
ることを自動化することが可能である。

【図面の簡単な説明】

【図１】 この発明の搬送機構のアーム部を示す斜視図
である。

【図２】 この発明の搬送機構の概略正面図である。

【図３】 図１，図２の要部を示すアームの平面図であ
る。

【図４】 レジスト塗布現像処理装置を示す斜視図であ
る。

【図５】 図３のアーム先端ウエハ吸着部及び爪を示す
断面図である。

【図６】 図４の処理装置における被処理体の受け渡し
動作を説明するための図である。

【図７】 図１のアームの他の実施の形態を示す斜視図
である。

【図８】 図３のアームの他の実施の形態を示す平面図
である。

【図９】 図８のアームの要部を示す断面図である。

【図１０】 図８のアームの要部を示す断面図である。

【図１１】 本発明の一実施の形態に係る被処理体の状
態を説明する断面図である。

【図１２】 発明の一実施の形態に係る被処理体の状態
を説明する断面図である。

【図１３】 本発明の一実施の形態に係る被処理体の状
態の検出を説明する断面図である。

【符号の説明】

Ｗ ウエハ ４０ ローダ部 ４２ ブラシ洗浄装置 ４４ ジェット水洗浄装置 ４６ アドヒージョン処理装置 ４８ 冷却装置 ５０ レジスト塗布装置 ５２ 加熱処理装置 ５４ 現像装置 ５８ 搬送機構 ５９ アーム ６０ ウエハ支持枠 ６１ 爪 ６４ ウエハ吸着部 ６５ 吸着口

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｇ０３Ｆ 7/16 ５０１ Ｈ０１Ｌ 21/68 Ａ Ｈ０１Ｌ 21/68 Ｂ 21/30 ５６４Ｚ ５０２Ｊ Ｆターム(参考） 2H025 AA00 AB16 EA04 EA05 FA40 4F042 AA02 AA07 BA08 BA22 BA25 DF07 DF09 DF25 DH09 5F031 CA01 CA02 CA05 GA01 GA06 GA08 GA36 GA43 GA47 GA48 GA49 GA50 HA33 JA06 JA45 LA13 MA23 MA26 PA26 5F046 JA10 JA21

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 被処理体に処理を施す複数の処理機構
   と，これらの処理機構に被処理体を搬送するための搬送
   機構を有する処理装置であって，上記搬送機構は，上記
   被処理体の表面に形成された膜の厚さを測定する膜厚セ
   ンサを備え，この膜厚センサによる測定結果に応じて，
   上記被処理体の表面に形成された膜の種類を判定するた
   めの制御手段をさらに有することを特徴とする，処理装
   置。
2. 【請求項２】 前記制御手段は，前記測定の結果，膜厚
   が１０μｍ程度の場合にはポリイミドと判定し，膜厚が
   １〜２μｍの場合には，通常のフォトレジストと判定す
   るように構成されていることを特徴とする，請求項１に
   記載の処理装置。
3. 【請求項３】 前記搬送機構は，被処理体の周縁部を支
   持する支持手段と，被処理体の周辺近傍の下面に当接し
   て被処理体を保持する吸着部とを有し，前記制御手段
   は，膜種をポリイミドと判定した場合には前記吸着部に
   よる保持を選択し，膜種を通常のフォトレジストと判定
   した場合には，前記支持手段による支持を選択するよう
   に構成されていることを特徴とする，請求項１又は２に
   記載の処理装置。