KR20170110008A - 기판 세정 장치 - Google Patents

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KR20170110008A
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유키 이토
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도쿄엘렉트론가부시키가이샤
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Abstract

복수의 상이한 종류의 세정액을 브러시로 공급하는 경우에 있어서도 양호한 세정 처리를 행할 수 있는 기판 세정 장치를 제공하는 것이다. 실시 형태에 따른 기판 세정 장치는 기판 유지부와 브러시와 암과 토출부와 안내 부재를 구비한다. 기판 유지부는 기판을 회전 가능하게 유지한다. 브러시는 본체부와, 본체부의 하부에 마련되고 기판에 눌리는 세정체와, 본체부에 형성된 상하 양단이 개구되는 중공부를 가진다. 암은 브러시의 본체부를 스핀들을 개재하여 회전 가능하게 지지한다. 토출부는 암에 마련되고, 토출부로부터 복수 종류의 처리액이 전환하여 토출되는 것이 가능하다. 안내 부재는 토출부와 브러시의 사이에 배치되고, 토출부로부터 토출된 처리액을 일단 받아 브러시의 중공부로 유도한다.

Description

기판 세정 장치 {SUBSTRATE CLEANING APPARATUS}
개시된 실시 형태는 기판 세정 장치에 관한 것이다.
종래, 반도체 웨이퍼 등의 기판을 처리하는 기판 세정 장치의 하나로서, 브러시를 기판에 접촉시켜, 브러시의 외측으로부터 브러시에 대하여 처리액을 공급하면서, 기판과 브러시를 서로 회전시킴으로써 기판을 세정 처리하는 기판 세정 장치가 알려져 있다(특허 문헌 1).
일본특허 제4,685,914호
그러나 상술한 종래 기술에서는, 복수의 상이한 종류의 세정액을 브러시로 공급할 경우의 문제점의 발생, 예를 들면 이어서 공급하는 복수의 약액이 반응하여 염이 발생하는 것 등에 대한 대책은 고려되어 있지 않다.
실시 형태의 일태양은, 복수의 상이한 종류의 세정액을 브러시로 공급하는 경우에 있어서도 양호한 세정 처리를 행할 수 있는 기판 세정 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.
실시 형태의 일태양에 따른 기판 세정 장치는, 기판 유지부와 브러시와 암과 토출부와 안내 부재를 구비한다. 기판 유지부는 기판을 회전 가능하게 유지한다. 브러시는 본체부와, 본체부의 하부에 마련되고 기판에 눌리는 세정체와, 본체부에 형성된 상하 양단이 개구되는 중공부를 가진다. 암은 브러시의 본체부를 스핀들을 개재하여 회전 가능하게 지지한다. 토출부는 암에 마련되고, 토출부로부터 복수 종류의 처리액이 전환하여 토출되는 것이 가능하다. 안내 부재는 토출부와 브러시의 사이에 배치되고, 토출부로부터 토출된 처리액을 일단 받아 브러시의 중공부로 유도한다.
실시 형태의 일태양에 따르면, 복수의 상이한 종류의 세정액을 브러시로 공급하는 경우에 있어서도 양호한 세정 처리를 행할 수 있는 기판 세정 장치를 제공할 수 있다.
도 1은 제 1 실시 형태에 따른 기판 처리 시스템의 모식 평면도이다.
도 2는 제 1 실시 형태에 따른 기판 처리 시스템의 모식 측면도이다.
도 3은 제 2 처리 블록의 모식 평면도이다.
도 4는 제 2 처리 유닛의 모식 평면도이다.
도 5는 제 2 처리 유닛의 모식 측면도이다.
도 6은 이면 브러시의 모식 측면도이다.
도 7은 액받이 부재와 둘레벽부와의 관계를 나타내는 도이다.
도 8은 이면 세정부의 모식 측단면도이다.
도 9는 안내 부재의 모식 사시도이다.
도 10은 이면 브러시의 모식 사시도이다.
도 11은 수용부의 모식 측면도이다.
도 12는 이면 세정 처리의 처리 순서를 나타내는 순서도이다.
도 13은 제 2 실시 형태에 따른 이면 세정부의 모식 측면도이다.
도 14는 제 2 실시 형태에 따른 안내 부재 및 이면 브러시의 모식 사시도이다.
도 15는 도 13에 나타내는 A-A 화살표 방향으로 본 모식 단면도이다.
이하, 첨부 도면을 참조하여, 본원이 개시하는 기판 처리 장치의 실시 형태를 상세히 설명한다. 또한, 이하에 나타내는 실시 형태에 의해 이 발명이 한정되는 것은 아니다.
(제 1 실시 형태)
<기판 처리 시스템의 구성>
먼저, 제 1 실시 형태에 따른 기판 처리 시스템(1)의 구성에 대하여 도 1 및 도 2를 참조하여 설명한다. 도 1은 제 1 실시 형태에 따른 기판 처리 시스템(1)의 모식 평면도이다. 또한, 도 2는 제 1 실시 형태에 따른 기판 처리 시스템(1)의 모식 측면도이다. 또한 이하에서는, 위치 관계를 명확하게 하기 위하여, 서로 직교하는 X축, Y축 및 Z축을 규정하고, Z축 정방향을 연직 상향 방향이라 한다.
도 1에 나타내는 바와 같이, 제 1 실시 형태에 따른 기판 처리 시스템(1)은 반입반출 블록(2)과 처리 블록(3)과 전달 블록(4)을 구비한다. 이들은 반입반출 블록(2), 전달 블록(4) 및 처리 블록(3)의 순으로 나열되어 배치된다.
기판 처리 시스템(1)은, 반입반출 블록(2)으로부터 반입된 기판, 본 실시 형태에서는 반도체 웨이퍼(이하 웨이퍼(W))를 전달 블록(4) 경유로 처리 블록(3)으로 반송하고, 처리 블록(3)에서 처리한다. 또한 기판 처리 시스템(1)은, 처리 후의 웨이퍼(W)를 처리 블록(3)으로부터 전달 블록(4) 경유로 반입반출 블록(2)으로 되돌리고, 반입반출 블록(2)으로부터 외부로 내보낸다. 이하, 각 블록(2 ~ 4)의 구성에 대하여 설명한다.
<반입반출 블록(2)의 구성>
반입반출 블록(2)은 배치부(11)와 반송부(12)를 구비한다. 배치부(11)에는 복수 매의 웨이퍼(W)를 수평 상태로 수용하는 복수의 카세트(C)가 배치된다.
반송부(12)는 배치부(11)에 인접하여 배치되고, 내부에 주반송 장치(13)를 구비한다. 주반송 장치(13)는 배치부(11)와 전달 블록(4)의 사이에서 웨이퍼(W)의 반송을 행한다.
<처리 블록(3)의 구성>
도 2에 나타내는 바와 같이, 처리 블록(3)은 제 1 처리 블록(3U)과, 제 2 처리 블록(3L)을 구비한다. 제 1 처리 블록(3U)과 제 2 처리 블록(3L)은 격벽 또는 셔터 등에 의해 공간적으로 구획되어 있고, 높이 방향으로 나열되어 배치된다. 본 실시 형태에서는, 제 1 처리 블록(3U)이 상단측에 배치되고, 제 2 처리 블록(3L)이 하단측에 배치된다.
제 1 처리 블록(3U)에서는, 회로 형성면(이하, 「표면」이라고 기재함)을 상향으로 한 상태의 웨이퍼(W)에 대하여 처리가 행해진다. 한편, 제 2 처리 블록(3L)에서는, 표면과는 반대측의 면인 이면을 상향으로 한 상태의 웨이퍼(W)에 대하여 처리가 행해진다. 이들 제 1 처리 블록(3U) 및 제 2 처리 블록(3L)의 구성에 대하여 설명한다.
<제 1 처리 블록(3U)의 구성>
제 1 처리 블록(3U)은 도 1에 나타내는 바와 같이, 반송부(16)와 제 1 반송 장치(17)와 복수의 제 1 처리 유닛(18)을 구비한다. 제 1 반송 장치(17)는 반송부(16)의 내부에 배치되고, 복수의 제 1 처리 유닛(18)은 반송부(16)의 외부에서 반송부(16)에 인접하여 배치된다.
제 1 반송 장치(17)는 전달 블록(4)과 제 1 처리 유닛(18)의 사이에서 웨이퍼(W)의 반송을 행한다. 구체적으로, 제 1 반송 장치(17)는, 전달 블록(4)으로부터 웨이퍼(W)를 취출하여 제 1 처리 유닛(18)으로 반송하는 처리와, 제 1 처리 유닛(18)에 의해 처리된 웨이퍼(W)를 제 1 처리 유닛(18)으로부터 취출하여 전달 블록(4)으로 반송하는 처리를 행한다.
제 1 처리 유닛(18)은, 표면을 상향으로 한 상태의 웨이퍼(W)에 대하여 베벨 세정 처리를 행한다. 베벨 세정 처리란, 웨이퍼(W)의 주연부(베벨부)에 부착된 파티클 또는 보트 자국 등을 제거하는 처리이다.
예를 들면, 제 1 처리 유닛(18)은, 웨이퍼(W)를 회전 가능하게 흡착 유지하는 흡착 유지부와, 웨이퍼(W)의 주연부에 브러시를 접촉시킴으로써 웨이퍼(W)의 주연부를 물리적으로 세정하는 베벨 세정부와, 웨이퍼(W)의 주연부를 향해 약액을 토출하는 토출부를 구비한다. 이러한 제 1 처리 유닛(18)은, 표면을 상향으로 한 웨이퍼(W)의 이면을 흡착 유지부로 흡착 유지한 상태에서 웨이퍼(W)를 회전시킨다. 그리고 제 1 처리 유닛(18)은, 회전하는 웨이퍼(W)의 이면 주연부를 향해 토출부로부터 약액을 토출하면서, 베벨 세정부의 브러시를 웨이퍼(W)의 주연부에 접촉시킴으로써, 웨이퍼(W)의 주연부에 부착된 파티클 등을 제거한다. 이와 같이, 약액에 의한 화학적인 세정과 브러시에 의한 물리적인 세정을 조합함으로써, 파티클 또는 보트 자국 등의 제거 성능을 높일 수 있다.
<제 2 처리 블록(3L)의 구성>
이어서, 제 2 처리 블록(3L)의 구성에 대하여 도 3을 참조하여 설명한다. 도 3은 제 2 처리 블록(3L)의 모식 평면도이다.
도 3에 나타내는 바와 같이, 제 2 처리 블록(3L)은 반송부(26)와 제 2 반송 장치(27)와 복수의 제 2 처리 유닛(28)을 구비한다. 제 2 반송 장치(27)는 반송부(26)의 내부에 배치되고, 복수의 제 2 처리 유닛(28)은 반송부(26)의 외부에서 반송부(26)에 인접하여 배치된다.
제 2 반송 장치(27)는, 전달 블록(4)과 제 2 처리 유닛(28)의 사이에서 웨이퍼(W)의 반송을 행한다. 구체적으로, 제 2 반송 장치(27)는, 전달 블록(4)으로부터 웨이퍼(W)를 취출하여 제 2 처리 유닛(28)으로 반송하는 처리와, 제 2 처리 유닛(28)에 의해 처리된 웨이퍼(W)를 제 2 처리 유닛(28)으로부터 취출하여 전달 블록(4)으로 반송하는 처리를 행한다.
제 2 처리 유닛(28)은, 이면을 상향으로 한 상태의 웨이퍼(W)에 대하여, 웨이퍼(W)의 이면에 부착된 파티클 등을 제거하는 이면 세정 처리를 행한다. 여기서, 제 2 처리 유닛(28)의 구성에 대하여 도 4 및 도 5를 참조하여 설명한다. 도 4는 제 2 처리 유닛(28)의 모식 평면도이다. 또한, 도 5는 제 2 처리 유닛(28)의 모식 측면도이다.
도 4 및 도 5에 나타내는 바와 같이, 제 2 처리 유닛(28)은 챔버(201)와 기판 유지부(202)와 회수 컵(203)과 이면 세정부(204)와 제 1 공급부(205)와 제 2 공급부(206)와 둘레벽부(207)를 구비한다.
챔버(201)는 기판 유지부(202)와 회수 컵(203)과 이면 세정부(204)와 제 1 공급부(205)와 제 2 공급부(206)와 둘레벽부(207)를 수용한다. 챔버(201)의 천장부에는, 챔버(201) 내에 다운 플로우를 형성하는 FFU(Fun Filter Unit)(211)이 마련된다.
기판 유지부(202)는 웨이퍼(W)보다 큰 직경의 본체부(221)와, 본체부(221)의 상면에 마련된 복수의 파지부(222)와, 본체부(221)를 지지하는 지주 부재(223)와, 지주 부재(223)를 회전시키는 구동부(224)를 구비한다. 또한 파지부(222)의 수는, 도시한 것에 한정되지 않는다.
이러한 기판 유지부(202)는, 복수의 파지부(222)를 이용하여 웨이퍼(W)의 주연부를 파지함으로써 웨이퍼(W)를 유지한다. 이에 의해, 웨이퍼(W)는 본체부(221)의 상면으로부터 약간 이간된 상태로 수평으로 유지된다.
또한 제 2 처리 유닛(28)에서는, 이면이 상방을 향한 상태, 환언하면, 표면이 하방을 향한 상태의 웨이퍼(W)에 대하여 이면 세정 처리가 행해진다. 이 때문에, 제 1 처리 유닛(18)의 흡착 유지부와 같이 웨이퍼(W)를 흡착하는 타입의 것을 제 2 처리 유닛(28)에서 사용하면, 회로 형성면인 표면을 오염시킬 우려가 있다. 따라서, 기판 처리 시스템(1)에서는, 회로 형성면을 최대한 오염시키지 않도록, 웨이퍼(W)의 주연부를 파지하는 타입의 것을 기판 유지부(202)로서 이용하는 것으로 하고 있다.
회수 컵(203)은 기판 유지부(202)를 둘러싸도록 배치된다. 회수 컵(203)의 저부에는, 제 1 공급부(205) 또는 제 2 공급부(206)로부터 토출되는 약액을 챔버(201)의 외부로 배출하기 위한 배액구(231)와, 챔버(201) 내의 분위기를 배기하기 위한 배기구(232)가 형성된다. 또한 제 2 처리 유닛(28)은, 제 1 공급부(205)로부터 토출되는 약액의 배출처와 제 2 공급부(206)로부터 토출되는 약액의 배출처를 전환하는 기구를 구비하고 있어도 된다.
이면 세정부(204)는, 이면 브러시(241)와, 수평 방향(여기서는, Y축 방향)으로 연장되고 스핀들(242)을 개재하여 이면 브러시(241)를 상방으로부터 회전 가능하게 지지하는 암(243)과, 암(243)을 선회 및 승강시키는 선회 승강 기구(244)를 구비한다.
이면 세정부(204)는, 밸브(244a) 및 유량 조정기(도시하지 않음) 등을 개재하여 제 1 약액 공급원(245a)에 접속되고, 밸브(244b) 및 유량 조정기(도시하지 않음) 등을 개재하여 제 2 약액 공급원(245b)에 접속된다. 또한 이면 세정부(204)는, 밸브(244c) 및 유량 조정기(도시하지 않음) 등을 개재하여 린스액 공급원(245c)에 접속된다.
이면 세정부(204)는, 제 1 약액 공급원(245a)으로부터 공급되는 제 1 약액, 제 2 약액 공급원(245b)으로부터 공급되는 제 2 약액 또는 린스액 공급원(245c)으로부터 공급되는 린스액(여기서는, 순수로 함)을, 각각, 밸브(244a)와 밸브(244b) 및 밸브(244c)의 개폐를 전환함으로써 이면 브러시(241)의 내측으로부터 웨이퍼(W)를 향해 토출할 수 있다. 이러한 이면 세정부(204)의 구체적인 구성에 대해서는 후술한다.
여기서는, 제 1 약액이 SC-1(암모니아, 과산화수소 및 물의 혼합액)이며, 제 2 약액이 DHF(희불산)인 것으로 하지만, 제 1 약액은 SC-1에 한정되지 않고, 제 2 약액도 DHF에 한정되지 않는다.
제 1 공급부(205)는 둘레벽부(207)의 외방에 배치된다. 제 1 공급부(205)는 노즐(251)과, 수평 방향으로 연장되고 노즐(251)을 상방으로부터 지지하는 노즐 암(252)과, 노즐 암(252)을 선회 및 승강시키는 선회 승강 기구(253)를 구비한다.
노즐(251)은 밸브(254a) 및 유량 조정기(도시하지 않음) 등을 개재하여 제 1 약액 공급원(255a)에 접속된다. 또한, 노즐(251)은 밸브(254b) 및 유량 조정기(도시하지 않음) 등을 개재하여 린스액 공급원(255b)에 접속된다. 이러한 제 1 공급부(205)는 제 1 약액 공급원(255a)으로부터 공급되는 제 1 약액을 밸브(254a)를 엶으로써 웨이퍼(W)를 향해 토출한다. 또한 제 1 공급부(205)는, 린스액 공급원(255b)으로부터 공급되는 순수를 밸브(254b)를 엶으로써 웨이퍼(W)를 향해 토출한다.
제 2 공급부(206)는 둘레벽부(207)의 외방에 배치된다. 제 2 공급부(206)는 노즐(261)과, 수평 방향으로 연장되고, 노즐(261)을 상방으로부터 지지하는 노즐 암(262)과, 노즐 암(262)을 선회 및 승강시키는 선회 승강 기구(263)를 구비한다.
노즐(261)은 밸브(264a) 및 유량 조정기(도시하지 않음) 등을 개재하여 제 2 약액 공급원(265a)에 접속된다. 또한, 노즐(261)은 밸브(264b) 및 유량 조정기(도시하지 않음) 등을 개재하여 린스액 공급원(265b)에 접속된다. 이러한 제 2 공급부(206)는 제 2 약액 공급원(265a)으로부터 공급되는 제 2 약액을 밸브(264a)를 엶으로써 웨이퍼(W)를 향해 토출한다. 또한, 제 2 공급부(206)는 린스액 공급원(265b)으로부터 공급되는 순수를 밸브(264b)를 엶으로써 웨이퍼(W)를 향해 토출한다.
둘레벽부(207)는 회수 컵(203)의 외방에서 기판 유지부(202)를 둘러싸도록 배치되고, 기판 유지부(202)로부터 비산하는 제 1 약액, 제 2 약액 및 순수와 같은 처리액을 받는다. 둘레벽부(207)는 승강 기구(271)에 접속되어 있고, 승강 기구(271)에 의해 연직 방향으로 이동 가능하다. 즉, 둘레벽부(207)는 높이를 변경 가능하게 구성되어 있다.
제 2 처리 유닛(28)은 상기와 같이 구성되어 있고, 이면을 상향으로 한 웨이퍼(W)의 주연부를 기판 유지부(202)로 유지하여 회전시킨다. 그리고, 제 2 처리 유닛(28)은 제 1 공급부(205) 및 제 2 공급부(206) 중 어느 하나와 이면 세정부(204)를 이용하여 웨이퍼(W)의 이면에 부착된 파티클 등을 제거한다.
또한 제 2 처리 유닛(28)의 챔버(201) 내에는, 이면 세정부(204)의 이면 브러시(241), 제 1 공급부(205)의 노즐(251) 및 제 2 공급부(206)의 노즐(261)을 본체부(221) 상으로부터 퇴피시킨 퇴피 위치가 마련되어 있다. 그리고, 각 퇴피 위치에는 이면 브러시(241), 노즐(251) 및 노즐(261)을 수용하는 수용부(208a ~ 208c)가 각각 마련되어 있다. 도 4에는 이면 세정부(204), 제 1 공급부(205) 및 제 2 공급부(206)가 각 퇴피 위치에 배치되고, 이면 브러시(241), 노즐(251) 및 노즐(261)이 각각 수용부(208a ~ 208c)에 수용되어 있는 모습을 나타내고 있다.
<전달 블록(4)의 구성>
이어서, 전달 블록(4)에 대하여 설명한다. 도 1 및 도 2에 나타내는 바와 같이, 전달 블록(4)의 내부에는, 복수의 전달 장치(15a, 15b)와 제 1 버퍼부(21U)와 제 2 버퍼부(21L)와 제 1 전달부(22U)와 제 2 전달부(22L)와 제 1 반전 기구(23a)와 제 2 반전 기구(23b)가 배치된다.
제 1 버퍼부(21U), 제 2 버퍼부(21L), 제 1 전달부(22U), 제 2 전달부(22L), 제 1 반전 기구(23a) 및 제 2 반전 기구(23b)는, 높이 방향으로 나열되어 배치된다. 구체적으로, 위로부터 차례로 제 1 전달부(22U), 제 1 버퍼부(21U), 제 2 버퍼부(21L), 제 2 전달부(22L), 제 1 반전 기구(23a) 및 제 2 반전 기구(23b)의 순서로 배치되어 있다(도 2 참조).
또한 버퍼부(여기서는, 제 1 버퍼부(21U)와 제 2 버퍼부(21L)), 전달부(여기서는, 제 1 전달부(22U)와 제 2 전달부(22L)), 반전 기구(여기서는, 제 1 반전 기구(23a) 및 제 2 반전 기구(23b))의 개수 또는 높이 방향에 있어서의 배치는 도시한 것에 한정되지 않는다. 예를 들면, 전달 블록(4)의 내부에는, 위로부터 차례로 전달부, 버퍼부, 반전 기구, 전달부 및 반전 기구의 순서로 배치되어도 된다.
전달 장치(15a, 15b)는, 도시하지 않은 승강 기구를 구비하고 있고, 이러한 승강 기구를 이용하여 연직 방향으로 이동함으로써, 높이 방향으로 나열되어 배치된 제 1 전달부(22U) 등에 대하여 웨이퍼(W)의 반입반출을 행한다. 전달 장치(15a)는, 제 1 전달부(22U) 등의 Y축 정방향측으로부터 제 1 전달부(22U) 등에 대하여 액세스한다. 또한 전달 장치(15b)는, 제 1 전달부(22U) 등의 Y축 부방향측으로부터 제 1 전달부(22U) 등에 대하여 액세스한다.
제 1 버퍼부(21U), 제 2 버퍼부(21L), 제 1 전달부(22U) 및 제 2 전달부(22L)는 웨이퍼(W)를 다단으로 수용 가능한 모듈이다. 이 중, 제 1 버퍼부(21U) 및 제 2 버퍼부(21L)는 주반송 장치(13)와 전달 장치(15a, 15b)에 의해 액세스된다.
<제어 장치의 구성>
기판 처리 시스템(1)은 제어 장치(5)(도 1 참조)를 구비한다. 제어 장치(5)는 예를 들면 컴퓨터이며, 제어부(51)와 기억부(52)를 구비한다. 기억부(52)에는 기판 처리 시스템(1)에서 실행되는 각종의 처리를 제어하는 프로그램이 저장된다. 제어부(51)는 예를 들면 CPU(Central Processing Unit)이며, 기억부(52)에 기억된 프로그램을 읽어내 실행함으로써 기판 처리 시스템(1)의 동작을 제어한다.
또한 이러한 프로그램은, 컴퓨터에 의해 판독 가능한 기억 매체에 기록되어 있던 것으로서, 그 기억 매체로부터 제어 장치(5)의 기억부(52)에 인스톨된 것이어도 된다. 컴퓨터에 의해 판독 가능한 기억 매체로서는, 예를 들면 하드 디스크(HD), 플렉시블 디스크(FD), 콤팩트 디스크(CD), 마그넷 옵티컬 디스크(MO), 메모리 카드 등이 있다. 또한, 제어부(51)는 프로그램을 이용하지 않고 하드웨어만으로 구성되어도 된다.
<웨이퍼의 반송 플로우>
이어서, 기판 처리 시스템(1)에 있어서의 웨이퍼(W)의 반송 플로우의 일례에 대하여 간단히 설명한다. 기판 처리 시스템(1)에서는, 먼저, 주반송 장치(13)가 카세트(C)로부터 미처리의 웨이퍼(W)를 복수 매 모아 취출하여 제 1 버퍼부(21U)에 수용한다. 이어서, 전달 장치(15a)가 제 1 버퍼부(21U)로부터 미처리의 웨이퍼(W)를 취출하여 제 1 전달부(22U)로 옮기고, 제 1 처리 블록(3U)의 제 1 반송 장치(17)가 제 1 전달부(22U)로부터 웨이퍼(W)를 취출하여 제 1 처리 유닛(18)으로 반송하고, 제 1 처리 유닛(18)이 웨이퍼(W)에 대하여 베벨 세정 처리를 행한다. 베벨 세정 처리가 종료되면, 제 1 반송 장치(17)가 베벨 세정 처리가 끝난 웨이퍼(W)를 제 1 처리 유닛(18)으로부터 취출하여 제 1 전달부(22U)에 수용한다.
이어서, 전달 장치(15a)가 베벨 세정 처리가 끝난 웨이퍼(W)를 제 1 전달부(22U)로부터 취출하여 제 1 반전 기구(23a)로 옮기고, 제 1 반전 기구(23a)가 이러한 웨이퍼(W)의 표리를 반전하고, 전달 장치(15b)가 제 1 반전 기구(23a)로부터 웨이퍼(W)를 취출하여 제 2 전달부(22L)로 옮긴다. 이어서, 제 2 처리 블록(3L)의 제 2 반송 장치(27)가, 제 2 전달부(22L)로부터 웨이퍼(W)를 취출하여 제 2 처리 유닛(28)으로 반송하고, 제 2 처리 유닛(28)이 웨이퍼(W)에 대하여 이면 세정 처리를 행한다. 이면 세정 처리가 종료되면, 제 2 반송 장치(27)가 이면 세정 처리가 완료된 웨이퍼(W)를 제 2 처리 유닛(28)으로부터 취출하여 제 2 전달부(22L)에 수용한다.
이어서, 전달 장치(15b)가 제 2 전달부(22L)로부터 웨이퍼(W)를 취출하여 제 2 반전 기구(23b)로 옮기고, 제 2 반전 기구(23b)가 이러한 웨이퍼(W)의 표리를 반전하고, 전달 장치(15a)가 제 2 반전 기구(23b)로부터 웨이퍼(W)를 취출하여 제 2 버퍼부(21L)로 옮기고, 주반송 장치(13)가 베벨 세정 처리 및 이면 세정 처리를 끝낸 웨이퍼(W)를 제 2 버퍼부(21L)로부터 복수 매 모아 취출하여 카세트(C)에 수용한다. 이에 의해, 일련의 기판 처리가 종료된다.
<이면 세정부의 구성>
이어서, 이면 세정부(204)의 구체적인 구성에 대하여 도 6 ~ 도 11을 참조하여 설명한다. 먼저, 이면 브러시(241)의 구성에 대하여 도 6 및 도 7을 참조하여 설명한다. 도 6은 이면 브러시(241)의 모식 측면도이다. 또한, 도 7은 액받이 부재와 둘레벽부(207)와의 관계를 나타내는 도이다.
도 6에 나타내는 바와 같이, 이면 브러시(241)는 본체부(101)와 접속부(102)와 세정체(103)와 액받이 부재(104)를 구비한다.
본체부(101)는 원통 형상을 가지고, 접속부(102)를 개재하여 스핀들(242)(도 4 참조)에 접속된다. 본체부(101)는 제 1 본체부(111)와 제 2 본체부(112)를 구비한다. 제 1 본체부(111) 및 제 2 본체부(112)는 동일한 직경을 가지는 원통 형상의 부재이며, 제 1 본체부(111)의 하부에 제 2 본체부(112)가 장착됨으로써 본체부(101)가 형성된다.
접속부(102)는 본체부(101)보다 소경의 원통 형상을 가진다. 이러한 접속부(102)는 제 1 본체부(111)에 마련되고, 제 1 본체부(111)보다 상방으로 돌출된다. 또한, 접속부(102)는 삽입홀(121)을 가지고 있고, 이러한 삽입홀(121)에 스핀들(242)을 삽입하고, 스핀들(242)과 접속부(102)를 나사 등으로 고정함으로써, 본체부(101)는 스핀들(242)에 고정된다.
세정체(103)는 제 2 본체부(112)의 하부에 마련되고, 웨이퍼(W)에 눌린다. 세정체(103)는 다수의 모속(毛束)으로 구성되는 것으로 하지만, 이에 한정되지 않고, 예를 들면 스펀지 등으로 구성되어도 된다.
액받이 부재(104)는 본체부(101)의 외주부, 구체적으로 제 2 본체부(112)의 외주부(112a)에 마련된다. 액받이 부재(104)는 제 2 본체부(112)의 외주부(112a)로부터 돌출되는 차양 형상을 가지고 있고, 세정체(103)로부터 비산하는 처리액을 하면(141)에서 받음으로써, 처리액이 둘레벽부(207)를 넘어 비산하는 것을 방지할 수 있다(도 7 참조). 액받이 부재(104)는 평면으로 봤을 때 원 형상을 가지고 있기 때문에, 처리액의 비산을 전방위에서 억제할 수 있다.
또한, 액받이 부재(104)는 세정체(103)의 장착면, 즉 제 2 본체부(112)의 하면(112b)보다 상방에 배치되고, 액받이 부재(104)의 하면(141)이, 제 2 본체부(112)의 하면(112b)보다 상방에 배치된다. 이와 같이 배치함으로써, 이면 세정 처리에서 이면 브러시(241)를 웨이퍼(W)의 외주부를 향해 이동시켰을 시, 액받이 부재(104)가 다른 부재와 간섭하는 것을 방지할 수 있다.
구체적으로, 도 7에 나타내는 바와 같이, 액받이 부재(104)의 하면(141)은 기판 유지부(202)가 구비하는 파지부(222)의 상단보다 상방에 배치된다. 또한, 액받이 부재(104)의 하면(141)은 회수 컵(203)의 상단보다 상방에 배치된다. 이와 같이 배치함으로써, 액받이 부재(104)가 파지부(222) 및 회수 컵(203)과 간섭하는 것을 방지할 수 있다. 또한, 액받이 부재(104)의 하면(141)은, 파지부(222)(도 5 참조)에 접촉하지 않는 높이로, 제 2 본체부(112)의 외주부(112a)로부터 돌출되는 방향에 있어서 수평이어도 되고, 하방으로 경사시켜도 된다. 액받이 부재(104)의 하면(141)을 하방으로 경사시킬 경우, 액받이 부재(104)의 하면(141)에 액이 남는 것을 보다 방지할 수 있다. 또한, 액받이 부재(104)의 하면(141)을 소수성으로 함으로써, 액받이 부재(104)의 하면(141)에 액이 남는 것을 방지할 수 있다. 또한, 본체부(101)의 외주부를 소수성으로 함으로써, 본체부(101)의 외주부에 액이 남는 것을 방지할 수 있다.
이면 세정 처리 중 이면 브러시(241)를 이용한 처리가 행해질 경우, 둘레벽부(207)는 둘레벽부(207)의 상단이 가장 높아지는 제 1 높이 위치(H1)에 배치된다. 액받이 부재(104)는 세정체(103)로부터 비산하는 처리액이 제 1 높이 위치(H1)에 배치된 둘레벽부(207)를 넘는 것을 방지할 정도의 직경을 가진다. 이 직경은, 도 7에 나타내는 바와 같이, 적어도 세정체(103)로부터 비산하는 처리액이 취할 수 있는 웨이퍼(W)에 대한 각도와 둘레벽부(207)의 제 1 높이 위치(H1)와의 관계에 기초하여 결정된다. 또한, 비산하는 처리액이 취할 수 있는 속도 및 웨이퍼(W) 상에 있어서의 세정체(103)의 위치도 직경의 결정에 관계할 수 있다. 이와 같이, 둘레벽부(207)를 이용하여 처리액의 비산을 어느 정도 방지하면서, 둘레벽부(207)를 넘어 비산하는 처리액을 액받이 부재(104)로 받음으로써, 둘레벽부(207)의 높이를 낮게 억제하면서 처리액의 비산을 억제할 수 있다.
또한 액받이 부재(104)의 차양 형상의 상면(142)은, 외방을 향해 내리막 경사져 있다. 이 때문에, 상면(142)에 처리액이 잔존하는 것을 방지할 수 있다. 또한, 상면(142)의 형상은 도 6과 같이 외방향을 향해 일정한 경사각을 가지고 있을 필요는 없고, 예를 들면 외방향을 향하는 도중에 경사각을 단계적으로 크게 한 다단의 경사 형상, 또는 외방향을 향함에 따라 점차 경사각을 크게 한 원호 형상인 것이어도 된다.
둘레벽부(207)는, 일련의 기판 처리에 있어서, 제 1 높이 위치(H1), 제 2 높이 위치(H2) 및 제 3 높이 위치(H3) 중 적어도 3 단계로 높이 위치가 변경된다. 제 1 높이 위치(H1)는, 이면 세정 처리 중 이면 브러시(241)를 이용한 처리가 행해질 경우에 둘레벽부(207)가 배치되는 높이 위치이다. 제 2 높이 위치(H2)는, 예를 들면 제 2 공급부(206)만을 이용한 처리와 같이 이면 브러시(241)를 이용할 경우와 비교하여 처리액의 비산이 적은 처리가 행해질 경우에 둘레벽부(207)가 배치되는 높이 위치이며, 제 1 높이 위치(H1)보다 낮게 설정된다. 제 3 높이 위치(H3)는 둘레벽부(207)의 초기 위치이며, 제 2 높이 위치(H2)보다 낮고, 예를 들면 회수 컵(203)과 동일한 정도의 높이 위치로 설정된다.
또한, 제 3 높이 위치(H3)는 이면 세정부(204), 제 1 공급부(205) 및 제 2 공급부(206)와 간섭하는 높이 위치이며, 제 1 높이 위치(H1) 및 제 2 높이 위치(H2)는 이면 세정부(204), 제 1 공급부(205) 및 제 2 공급부(206)와 간섭하지 않는 높이 위치이다.
도 8은 이면 세정부(204)의 모식 측단면도이다. 도 8에 나타내는 바와 같이, 암(243)은 수평 방향으로 연장되는 제 1 암체(246)와, 제 1 암체(246)의 하부에 마련되는 제 2 암체(247)를 구비한다.
제 1 암체(246)는 스핀들(242)을 회전시키는 모터 등의 구동부(246a)와 스핀들(242)의 일부를 수용하는 제 1 내부 공간(R1)을 가진다. 구동부(246a)와 스핀들(242)은, 예를 들면 풀리(246b, 246c) 및 전달 벨트(246d)에 의해 접속된다. 그 외에, 제 1 내부 공간(R1)에는, 스핀들(242)을 회전 가능하게 지지하는 축받이부(246e) 및 로드 셀 등의 도시하지 않은 기기가 배치된다.
제 1 암체(246)의 하부에는 스핀들(242)을 삽입 관통하기 위한 삽입 관통구(246f)가 형성되어 있다. 따라서, 제 1 내부 공간(R1)은 완전한 밀폐 공간이 되어 있지는 않다.
제 2 암체(247)는, 제 1 암체(246)의 삽입 관통구(246f)를 개재하여 제 1 내부 공간(R1)과 외부를 연통하고, 제 1 내부 공간(R1)으로부터 삽입 관통구(246f)를 개재하여 노출되는 스핀들(242)의 일부를 덮는 제 2 내부 공간(R2)을 가진다.
제 2 내부 공간(R2)은, 제 1 암체(246)의 삽입 관통구(246f)와 연통하는 상측 내부 공간(R2a)과, 상부에서 상측 내부 공간(R2a)과 연통하고, 하부에서 외부와 연통하는 하측 내부 공간(R2b)을 가진다. 상측 내부 공간(R2a)과 하측 내부 공간(R2b)은, 제 2 내부 공간(R2)을 형성하는 제 2 암체(247)의 내주면으로부터 제 2 내부 공간(R2)측으로 돌출되는 환상(環狀)의 제 1 돌출부(247a)에 의해 완만히 구획되어 있다.
스핀들(242)은, 제 2 내부 공간(R2) 내에 배치되는 부분에, 외주면으로부터 직경 방향 외방으로 돌출되는 환상의 제 2 돌출부(242a, 242b)를 가진다. 제 2 돌출부(242a)는 제 1 돌출부(247a)의 상방에 배치된다. 또한, 제 2 돌출부(242b)는 제 1 돌출부(247a)의 하방에 배치된다.
이와 같이, 이면 세정부(204)에서는, 제 2 암체(247)의 제 2 내부 공간(R2)에 마련된 제 1 돌출부(247a)와 스핀들(242)에 마련된 제 2 돌출부(242a, 242b)에 의해, 제 2 내부 공간(R2) 내에 소위 래버린스 구조를 형성하고 있다. 이에 의해, 이면 세정부(204)는, 제 1 약액 또는 제 2 약액 등의 분위기가 제 1 내부 공간(R1) 내로 침입하여 제 1 내부 공간(R1) 내의 구동부(246a) 등을 열화시키는 것을 방지할 수 있다.
또한, 암(243)은 가스 공급부(247b)를 구비한다. 가스 공급부(247b)는, 제 1 암체(246) 및 제 2 암체(247)에 형성되는 통로홀 또는 배관 등에 의해 구성되고, 그 일단은 제 2 내부 공간(R2) 중 하측 내부 공간(R2b)에 접속되고, 타단은 밸브(244d) 및 유량 조정기(도시하지 않음) 등을 개재하여 가스 공급원(245d)에 접속된다. 이러한 가스 공급부(247b)는 밸브(244d)를 엶으로써 가스 공급원(245d)으로부터 공급되는 N2 가스 등의 불활성 가스를 하측 내부 공간(R2b)으로 공급한다. 이에 의해, 하측 내부 공간(R2b)으로의 외부 분위기의 침입이 불활성 가스에 의해 방해되기 때문에, 제 1 약액 또는 제 2 약액 등의 분위기가 제 1 내부 공간(R1) 내로 침입하는 것을 보다 확실히 방지할 수 있다.
또한, 암(243)은 흡기부(247c)를 구비한다. 흡기부(247c)는 제 1 암체(246) 및 제 2 암체(247)에 형성되는 통로홀 또는 배관 등에 의해 구성되고, 그 일단은 제 2 내부 공간(R2) 중 상측 내부 공간(R2a)에 접속되고, 타단은 흡기 기구(247d)에 접속된다. 이러한 흡기부(247c)는, 흡기 기구(247d)를 이용하여 상측 내부 공간(R2a) 내의 분위기를 흡기한다. 이에 의해, 제 1 내부 공간(R1) 내에 수용된 구동부(246a) 및 축받이부(246e)로부터의 발진이 외부로 유출되어 웨이퍼(W) 등을 오염시키는 것을 방지할 수 있다.
또한, 암(243)은 토출부(247e)를 구비한다. 토출부(247e)는 제 1 암체(246) 및 제 2 암체(247)에 형성되는 통로홀 또는 배관 등에 의해 구성되고, 그 일단은 제 2 암체(247)의 하면에 노출된다. 또한, 토출부(247e)의 타단은 밸브(244a) 및 유량 조정기(도시하지 않음) 등을 개재하여 제 1 약액 공급원(245a)에 접속되고, 밸브(244b) 및 유량 조정기(도시하지 않음) 등을 개재하여 제 2 약액 공급원(245b)에 접속되고, 밸브(244c) 및 유량 조정기(도시하지 않음) 등을 개재하여 린스액 공급원(245c)에 접속된다.
이러한 토출부(247e)는, 제 1 약액 공급원(245a)으로부터 공급되는 제 1 약액, 제 2 약액 공급원(245b)으로부터 공급되는 제 2 약액 또는 린스액 공급원(245c)으로부터 공급되는 순수를 이면 브러시(241)의 본체부(101)에 형성된 중공부(113)로 공급하기 위하여, 제 2 암체(247)의 하면으로부터 연직 하향으로 토출한다.
여기서, 제 2 암체(247)에는 상술한 바와 같이 제 2 내부 공간(R2)이 형성되기 때문에, 토출부(247e)를 제 2 암체(247)의 중앙쪽으로 배치하는 것이 곤란하다. 이 때문에, 토출부(247e)는, 이면 브러시(241)의 중공부(113)보다 스핀들(242)로부터 떨어진 위치에 배치된다. 구체적으로, 토출부(247e)는, 이면 브러시(241)의 본체부(101)의 외주부보다 스핀들(242)로부터 떨어진 위치에 배치된다. 이 경우, 토출부(247e)로부터 처리액을 단순히 토출하는 것으로는, 중공부(113)로 처리액을 공급할 수 없다.
따라서, 이면 세정부(204)는 안내 부재(248)를 구비한다. 안내 부재(248)는 토출부(247e)와 이면 브러시(241)의 사이에 배치되고, 토출부(247e)로부터 토출된 처리액을 일단 받아 이면 브러시(241)의 중공부(113)로 유도한다.
구체적으로, 안내 부재(248)는 평면으로 봤을 때 원형의 받이 접시 형상을 가지고, 제 2 암체(247)의 하방에서 제 2 암체(247)로부터 이격하여 배치된다. 또한, 안내 부재(248)는 중앙부에 삽입 관통구(248e)를 가지고, 이러한 삽입 관통구(248e)에 스핀들(242)이 삽입 관통되고, 또한 스핀들(242)에 형성된 단차부와 이면 브러시(241)의 접속부(102)에 의해 상하 방향으로부터 개재됨으로써 고정되어 스핀들(242)과 함께 회전한다.
여기서, 안내 부재(248)의 구성에 대하여 도 9를 참조하여 구체적으로 설명한다. 도 9는 안내 부재(248)의 모식 사시도이다.
도 9에 나타내는 바와 같이, 안내 부재(248)는 받이면(248a)과 배출부(248b)를 구비한다. 받이면(248a)은 토출부(247e)의 하방에 배치되고, 토출부(247e)보다 스핀들(242)로부터 떨어진 위치로부터 스핀들(242)을 향해 내리막 경사지는 경사면이다.
배출부(248b)는, 받이면(248a) 중 이면 브러시(241)의 중공부(113)의 직상(直上)에 위치하는 영역에 마련되고, 받이면(248a)으로 받은 처리액을 중공부(113)를 향해 배출한다. 구체적으로, 배출부(248b)는 받이면(248a)에 대하여 원주(圓周) 형상으로 배열하여 배치되는 복수의 배출구(248b1)를 구비한다. 이에 의해, 예를 들면 단일의 배출구를 마련한 경우와 비교하여, 받이면(248a)으로 받은 처리액을 중공부(113)를 향해 균등하게 낙하시킬 수 있다.
또한, 안내 부재(248)는 받이면(248a)의 외주부로부터 상방을 향해 세워 설치된 둘레 형상의 제 1 벽부(248c)를 구비한다. 이에 의해, 받이면(248a)으로 받은 처리액이 받이면(248a)의 외주부로부터 낙하하는 것을 방지할 수 있다. 또한 안내 부재(248)는, 배출부(248b)와 스핀들(242)의 사이에 상방을 향해 세워 설치된 둘레 형상의 제 2 벽부(248d)를 구비한다. 이에 의해, 받이면(248a)으로 받은 처리액이 스핀들(242)을 타고 접속부(102)의 삽입홀(121) 내로 침입하는 것을 방지할 수 있다. 또한, 이러한 처리액에 의한 스핀들(242) 및 접속부(102)의 열화를 방지할 수 있다.
이어서, 이면 브러시(241)의 중공부(113)의 구성에 대하여 도 8 및 도 10을 참조하여 설명한다. 도 10은 이면 브러시(241)의 모식 사시도이다.
도 8에 나타내는 바와 같이, 이면 브러시(241)의 본체부(101)는 상하 양단이 개구되는 중공부(113)를 구비한다. 중공부(113)에 있어서의 상부 개구(113a)는 제 1 본체부(111)에 마련된다. 상부 개구(113a)의 내주면은 안내 부재(248)의 배출부(248b)보다 스핀들(242)로부터 떨어진 위치에 마련된다.
중공부(113)에 있어서의 하부 개구(113b)는 제 2 본체부(112)에 마련된다. 하부 개구(113b)는 상부 개구(113a)보다 작은 직경을 가진다. 구체적으로, 하부 개구(113b)의 내주면은, 안내 부재(248)의 배출부(248b)보다 스핀들(242)에 가까운 위치에 마련된다. 따라서, 안내 부재(248)의 배출부(248b)로부터 배출된 처리액은, 상부 개구(113a)로부터 중공부(113) 내로 침입한 후, 스핀들(242)측으로 모여 하부 개구(113b)로부터 웨이퍼(W)를 향해 토출되게 된다.
도 10에 나타내는 바와 같이, 중공부(113)의 중도부에는 복수의 개구부(113c)가 마련된다. 복수의 개구부(113c)는 제 1 본체부(111)에 마련된다. 또한, 각 개구부(113c)의 사이에는 제 1 본체부(111)와 접속부(102)의 연결부(113d)가 마련된다.
<이면 브러시의 수용부의 구성>
이어서, 이면 브러시(241)의 수용부(208a)의 구성에 대하여 도 11을 참조하여 설명한다. 도 11은 수용부(208a)의 모식 측면도이다.
도 11에 나타내는 바와 같이, 이면 브러시(241)의 퇴피 위치인 수용부(208a)의 저면(281)에는, 퇴피 위치에 배치된 이면 브러시(241)를 세정하는 브러시 세정부(282)가 마련되어 있다. 브러시 세정부(282)는 연직 상방을 향해 세정액을 토출하는 토출구를 가지고, 밸브(283) 및 유량 조정기(도시하지 않음) 등을 개재하여 세정액 공급원(284)에 접속된다. 이러한 브러시 세정부(282)는, 세정액 공급원(284)으로부터 공급되는 세정액(여기서는, 순수로 함)을 수용부(208a)의 저면(281) 상의 토출구로부터 이면 브러시(241)를 향해 연직 상방으로 토출함으로써, 세정액을 이용하여 이면 브러시(241)를 세정한다.
브러시 세정부(282)의 토출구는, 퇴피 위치에 배치된 세정체(103)의 외주부와 액받이 부재(104)의 기단부를 포함하는 영역의 연직 하방에 배치되어 있고, 이 영역에 대하여 세정액인 순수를 공급한다. 이에 의해, 세정체(103)뿐 아니라 액받이 부재(104)를 세정할 수 있다.
또한, 이러한 브러시 세정 처리 중에 있어서, 이면 세정부(204)는 이면 브러시(241)의 중공부(113)로부터 순수를 토출한다. 이에 의해, 세정체(103)의 외측뿐 아니라 내측도 세정할 수 있다.
또한 수용부(208a)의 저면(281)에는, 브러시 세정 처리에서 브러시 세정부(282) 및 중공부(113)로부터 토출된 순수를 외부로 배출하기 위한 배출부(285)가 마련된다. 수용부(208a)의 저면(281)은 배출부(285)를 향해 내리막 경사져 있다.
<이면 세정 처리의 처리 순서>
이어서, 제 2 처리 유닛(28)에서 실행되는 이면 세정 처리의 구체적인 처리 순서에 대하여 도 12를 참조하여 설명한다. 도 12는 이면 세정 처리의 처리 순서를 나타내는 순서도이다. 또한 도 12에 나타내는 각 처리 순서는, 제어부(51)가 제 2 처리 유닛(28)의 기판 유지부(202), 이면 세정부(204), 제 1 공급부(205) 및 제 2 공급부(206) 등을 제어함으로써 실행된다.
도 12에 나타내는 바와 같이, 제 2 처리 유닛(28)에서는, 챔버(201) 내로 반입된 웨이퍼(W)를 기판 유지부(202)에 유지시킨 후, 제 1 약액 처리를 행한다(단계(S101)). 제 1 약액 처리에서는, 먼저, 제 1 공급부(205)의 선회 승강 기구(253)를 이용하여 노즐 암(252)을 선회시켜 노즐(251)을 웨이퍼(W)의 상방에 위치시킨 후, 이면 세정부(204)의 선회 승강 기구(244)를 이용하여 암(243)을 선회시켜 이면 브러시(241)를 웨이퍼(W)의 상방에 위치시킨다. 이 후, 승강 기구(271)를 이용하여 둘레벽부(207)를 상승시켜 둘레벽부(207)의 높이 위치를 제 3 높이 위치(H3)(도 7 참조)로부터 제 1 높이 위치(H1)로 변화시킨다.
이어서, 기판 유지부(202)의 구동부(224)를 이용하여 웨이퍼(W)를 회전시키고, 이면 세정부(204)의 구동부(246a)를 이용하여 이면 브러시(241)를 회전시킨다. 또한, 제 1 공급부(205)의 노즐(251)로부터 웨이퍼(W)에 대하여 제 1 약액인 SC-1을 공급하고, 이면 브러시(241)의 중공부(113)로부터도 웨이퍼(W)에 대하여 SC-1을 공급한다. 그리고, 이면 세정부(204)의 선회 승강 기구(244)를 이용하여 이면 브러시(241)를 강하시켜 세정체(103)를 웨이퍼(W)에 누른 후, 이면 브러시(241) 및 노즐(251)을 웨이퍼(W)의 중심부로부터 외주부를 향해 이동시킨다. 이에 의해, 세정체(103)에 의한 물리적인 세정력과, SC-1에 의한 화학적인 세정력에 의해 웨이퍼(W)로부터 파티클이 제거된다.
이면 브러시(241)가 웨이퍼(W)의 외주부에 도달하면, 노즐(251) 및 중공부(113)로부터의 SC-1의 공급을 정지하고, 이면 브러시(241)를 상승시키고, 이면 브러시(241)의 회전을 정지한다. 또한, 이면 브러시(241) 및 노즐(251)을 웨이퍼(W)의 중심부로 이동시킨다.
이어서, 제 2 처리 유닛(28)에서는 제 1 린스 처리가 행해진다(단계(S102)). 제 1 린스 처리에서는, 웨이퍼(W)로 토출하는 처리액을 제 1 약액으로부터 린스액인 순수로 전환하여, 이면 세정부(204) 및 제 1 공급부(205)를 상술한 제 1 약액 처리와 마찬가지로 동작시킨다. 이에 의해, 웨이퍼(W) 상의 SC-1이 순수에 의해 씻겨내진다.
이면 브러시(241)가 웨이퍼(W)의 외주부에 도달하면, 노즐(251) 및 중공부(113)로부터의 순수의 공급을 정지하고, 이면 브러시(241)를 상승시키고, 이면 브러시(241)의 회전을 정지한다. 이 후, 둘레벽부(207)를 제 1 높이 위치(H1)로부터 제 2 높이 위치(H2)로 변위시키고, 이면 브러시(241) 및 제 1 공급부(205)를 웨이퍼(W) 상으로부터 퇴피시킨다.
이어서, 제 2 처리 유닛(28)에서는 제 2 약액 처리가 행해진다(단계(S103)). 제 2 약액 처리에서는, 먼저, 제 2 공급부(206)의 노즐(261)을 웨이퍼(W) 상에 배치시킨 후, 이면 브러시(241)를 웨이퍼(W) 상에 배치시키고, 이 후, 둘레벽부(207)를 제 2 높이 위치(H2)로부터 제 1 높이 위치(H1)로 변위시킨다.
이어서, 이면 브러시(241)를 회전시키고, 제 2 공급부(206)의 노즐(261)로부터 웨이퍼(W)에 대하여 제 2 약액인 DHF를 공급하고, 이면 브러시(241)의 중공부(113)로부터도 웨이퍼(W)에 대하여 DHF를 공급한다. 그리고, 이면 브러시(241)를 강하시켜 세정체(103)를 웨이퍼(W)에 누른 후, 이면 브러시(241) 및 노즐(261)을 웨이퍼(W)의 중심부로부터 외주부를 향해 이동시킨다. 이에 의해, 세정체(103)에 의한 물리적인 세정력과, DHF에 의한 화학적인 세정력에 의해 웨이퍼(W)로부터 파티클이 제거된다.
이면 브러시(241)가 웨이퍼(W)의 외주부에 도달하면, 노즐(261) 및 중공부(113)로부터의 DHF의 공급을 정지하고, 이면 브러시(241)를 상승시키고, 이면 브러시(241)의 회전을 정지한다. 이 후, 둘레벽부(207)를 제 1 높이 위치(H1)로부터 제 2 높이 위치(H2)로 변위시켜 이면 브러시(241)를 웨이퍼(W) 상으로부터 퇴피시킨다.
이어서, 제 2 처리 유닛(28)에서는 제 2 린스 처리가 행해진다(단계 S104). 제 2 린스 처리에서는, 제 2 공급부(206)의 노즐(261)로부터 웨이퍼(W)에 대하여 린스액인 순수를 공급한다. 이에 의해, 웨이퍼(W) 상의 DHF가 순수에 의해 씻겨내진다. 이 후, 노즐(261)로부터의 순수의 공급을 정지하고, 제 2 공급부(206)를 웨이퍼(W) 상으로부터 퇴피시킨다.
이어서, 제 2 처리 유닛(28)에서는 브러시 세정 처리가 행해진다(단계(S105)). 브러시 세정 처리에서는, 퇴피 위치인 수용부(208a) 내에서 이면 브러시(241)를 회전시키고, 세정체(103)의 외주부와 액받이 부재(104)의 기단부를 포함하는 영역에 대하여 저면(281)으로부터 순수를 공급한다. 또한, 회전하는 이면 브러시(241)의 중공부(113)로부터 순수를 토출한다. 이에 의해, 세정체(103)의 외측 및 내측이 세정되고, 또한 액받이 부재(104)가 세정된다.
이어서, 제 2 처리 유닛(28)에서는 건조 처리가 행해진다(단계(S106)). 건조 처리에서는, 웨이퍼(W)를 제 2 린스 처리 시보다 빠른 회전 속도로 회전시킨다. 이에 의해, 웨이퍼(W) 상의 순수가 제거되어 웨이퍼(W)가 건조된다. 이 후, 웨이퍼(W)의 회전을 정지시키고, 둘레벽부(207)를 제 2 높이 위치(H2)로부터 제 3 높이 위치(H3)로 변위시킨다.
또한 브러시 세정 처리는, 제 2 린스 처리 또는 건조 처리와 병행하여 행해져도 된다. 또한 브러시 세정 처리는, 처리가 완료된 웨이퍼(W)의 반출 처리 또는 미처리의 웨이퍼(W)의 반입 처리와 병행하여 행해져도 된다.
이와 같이 이면 세정부(204)에서는, 제 1 약액 처리, 제 1 린스 처리 및 제 2 약액 처리에 있어서 이면 브러시(241)의 외측으로부터 뿐 아니라, 이면 브러시(241)의 내측으로부터도 처리액을 토출하는 것으로 했기 때문에, 웨이퍼(W)로부터 제거된 파티클 등을 세정체(103)의 내측에 잔류시키기 어렵게 할 수 있다.
또한, 이면 세정부(204)의 토출부(247e)(도 8 참조)로부터, 복수 종류의 처리액 중 제 1 처리액인 제 1 약액이 밸브(244a)를 엶으로써 토출된 후 계속하여 밸브(244a)를 닫고, 제 2 처리액인 순수가 밸브(244c)를 엶으로써 토출되고, 이 후, 밸브(244c)를 닫고, 밸브(244b)를 엶으로써 제 3 처리액인 제 2 약액이 토출된다. 이와 같이, 제 1 약액 처리 후 또한 제 2 약액 처리 전의 제 1 린스 처리에 있어서, 이면 브러시(241)의 중공부(113) 즉 세정체(103)의 내측으로부터 순수를 토출함으로써 세정체(103)로부터 SC-1을 보다 확실히 제거할 수 있다. 따라서, 제 2 약액 처리에 있어서 DHF와 SC-1이 반응하여 염이 발생하는 것을 방지할 수 있다.
그런데, 제 2 처리 유닛(28)은 예를 들면 전원 공급 후에 있어서, 이면 세정부(204), 제 1 공급부(205) 및 제 2 공급부(206)를 각각의 초기 위치인 퇴피 위치로 되돌리는 이니셜라이즈 처리를 행한다. 이러한 이니셜라이즈 처리에 있어서, 제 2 처리 유닛(28)은, 이면 세정부(204)의 암(243)과 제 1 공급부(205)의 노즐 암(252)과 제 2 공급부(206)의 노즐 암(262)을 동시에 동일한 속도로 퇴피 위치를 향해 선회시킨다.
이면 세정부(204)의 암(243)은, 제 1 공급부(205)의 노즐 암(252)의 선회 궤적 및 제 2 공급부(206)의 노즐 암(262)의 선회 궤적과 교차하는 궤적으로 이면 브러시(241)를 선회시키지만, 상기와 같이 암(243) 및 노즐 암(252, 262)을 동시에 동일한 속도로 이동시키는 것으로 하면, 가령, 전원 비공급 시에 작업원 등이 수동으로 암(243) 등을 움직이는 등 하여, 암(243) 등이 정규의 위치로부터 어긋나 있었다 하더라도, 서로 간섭시키지 않고 초기 위치인 퇴피 위치로 되돌릴 수 있다.
상술한 바와 같이, 본 실시 형태에 따른 제 2 처리 유닛(28)(기판 세정 장치의 일례)은, 기판 유지부(202)와 이면 브러시(241)(브러시의 일례)와 암(243)과 제 1 공급부(205) 및 제 2 공급부(206)(공급부의 일례)를 구비한다. 기판 유지부(202)는 웨이퍼(W)(기판의 일례)를 회전 가능하게 유지한다. 암(243)은 이면 브러시(241)를 스핀들(242)을 개재하여 회전 가능하게 지지한다. 제 1 공급부(205) 및 제 2 공급부(206)는 웨이퍼(W)에 대하여 처리액을 공급한다. 또한, 이면 브러시(241)는 본체부(101)와 세정체(103)와 액받이 부재(104)를 구비한다. 본체부(101)는 스핀들(242)에 접속된다. 세정체(103)는 본체부(101)의 하부에 마련되고, 웨이퍼(W)에 눌린다. 액받이 부재(104)는 본체부(101)의 외주부에 마련되고, 세정체(103)로부터 비산하는 처리액을 받는다.
따라서, 본 실시 형태에 따른 제 2 처리 유닛(28)은 처리액의 비산을 억제할 수 있다.
또한, 본 실시 형태에 따른 제 2 처리 유닛(28)(기판 세정 장치의 일례)은, 기판 유지부(202)와 이면 브러시(241)(브러시의 일례)와 암(243)과 토출부(247e)와 안내 부재(248)를 구비한다. 기판 유지부(202)는 웨이퍼(W)(기판의 일례)를 회전 가능하게 유지한다. 이면 브러시(241)는 상하 양단이 개구되는 중공 형상의 브러시이다. 암(243)은 이면 브러시(241)를 스핀들(242)을 개재하여 회전 가능하게 지지한다. 토출부(247e)는 암(243)에 마련되고, 복수 종류의 처리액을 전환하여 토출 가능하다. 안내 부재(248)는 토출부(247e)와 이면 브러시(241)의 사이에 배치되고, 토출부(247e)로부터 토출된 처리액을 일단 받아 상기 브러시의 중공부(113)로 유도한다.
따라서, 본 실시 형태에 따른 제 2 처리 유닛(28)에 의하면, 복수의 상이한 종류의 세정액을 이면 브러시(241)로 공급하는 경우에 있어서도 양호한 세정 처리를 행할 수 있다. 또한, 웨이퍼(W)로부터 제거된 파티클 등을 이면 세정부(204)의 세정체(103)에 잔류시키기 어렵게 할 수 있다.
상술한 제 1 실시 형태에서는, 안내 부재(248)가 이면 브러시(241)와 일체화하여 회전하는 경우의 예에 대하여 설명했지만, 안내 부재(248)는 제 2 암체(247)와 일체화하여 회전하지 않도록 해도 된다.
또한 상술한 제 1 실시 형태에서는, 액받이 부재(104)가 본체부(101)의 제 2 본체부(112)에 마련되는 경우의 예에 대하여 설명했지만, 액받이 부재(104)는 제 1 본체부(111)에 마련되어도 된다.
또한 상술한 제 1 실시 형태에서는, 기판의 이면을 세정하기 위한 이면 브러시를 예로 설명했지만, 이에 한정되지 않고, 표면을 세정하기 위한 또는 기판의 주연부를 세정하기 위한 브러시에 동일한 구성을 적용해도 된다.
또한 상술한 제 1 실시 형태에서는, 제 2 내부 공간(R2)(도 8 참조)의 하측 내부 공간(R2b)에 대하여 불활성 가스를 공급하면서, 상측 내부 공간(R2a)의 분위기를 흡기하는 것으로 했지만, 상측 내부 공간(R2a)에 대하여 불활성 가스를 공급하면서, 하측 내부 공간(R2b)의 분위기를 흡기하는 것으로 해도 된다. 또한, 이면 세정부(204)는 반드시 흡기부(247c)를 구비하는 것을 요하지 않는다.
또한 상술한 제 1 실시 형태에서는, 제 1 공급부(205) 및 제 2 공급부(206)의 쌍방이, 린스액인 순수를 공급 가능하게 구성되는 경우의 예에 대하여 설명했지만, 제 1 공급부(205) 및 제 2 공급부(206) 중 어느 일방만이, 린스액인 순수를 공급 가능하게 구성되어도 된다. 또한, 이면 세정부(204)는 린스액을 공급하는 제 3 공급부를 별도 구비하고 있어도 된다.
(제 2 실시 형태)
이어서, 제 2 실시 형태에 따른 이면 세정부의 구성에 대하여 도 13 ~ 도 15를 참조하여 설명한다. 도 13은 제 2 실시 형태에 따른 이면 세정부의 모식 측면도이다. 도 14는 제 2 실시 형태에 따른 안내 부재 및 이면 브러시의 모식 사시도이다. 도 15는 도 13에 나타내는 A-A 화살표 방향으로 본 모식 단면도이다. 또한 이하의 설명에서는, 이미 설명한 부분과 동일한 부분에 대해서는 이미 설명한 부분과 동일한 부호를 부여하여, 중복되는 설명을 생략한다.
도 13 및 도 14에 나타내는 바와 같이, 제 2 실시 형태에 따른 이면 세정부(204A)는 이면 브러시(241A)와 안내 부재(248A)를 구비한다.
이면 브러시(241A)는 본체부(112A)와 세정체(103)와 액받이 부재(104)를 구비한다. 본체부(112A)는 원통 형상의 부재이며, 상하 양단이 개구되는 중공부(113A)를 가진다. 세정체(103)는 본체부(112A)의 하부에 마련되고, 액받이 부재(104)는 본체부(112A)의 외주부에 마련된다.
안내 부재(248A)는 토출부(247e)와 이면 브러시(241A)와의 사이에 배치되고, 토출부(247e)로부터 토출된 처리액을 일단 받아 이면 브러시(241A)의 중공부(113A)로 유도한다.
안내 부재(248A)는 평면에서 봤을 때 원형의 받이 접시부(248A1)와, 받이 접시부(248A1)의 하부에 있어서 받이 접시부(248A1)와 일체적으로 형성되는 원주(圓柱) 형상의 연결부(248A2)를 구비한다.
받이 접시부(248A1)는 스핀들(242)의 직경 방향에 있어서, 토출부(247e)보다 스핀들(242)로부터 떨어진 위치로부터 스핀들(242)을 향해 내리막 경사지는 받이면(248Aa)을 가진다.
받이면(248Aa)에는 복수의 유입구(248Ab)와 제 1 벽부(248Ac)와 제 2 벽부(248Ad)가 마련된다.
복수의 유입구(248Ab)는 토출부(247e)보다 스핀들(242)쪽의 위치에 있어서, 원주 형상으로 나열되어 배치된다. 제 1 벽부(248Ac)(둘레벽부의 일례)는, 스핀들(242)의 직경 방향에 있어서, 토출부(247e)보다 스핀들(242)로부터 떨어진 위치에 마련되고, 상방을 향해 돌출되어 받이면(248Aa)을 둘러싼다. 제 2 벽부(248Ad)는, 복수의 유입구(248Ab)와 스핀들(242)의 사이에 마련되고, 상방을 향해 돌출된다.
연결부(248A2)는 하부에 있어서 이면 브러시(241A)의 본체부(112A)와 연결된다. 구체적으로, 연결부(248A2)의 하부에는, 본체부(112A)의 상부(112A1)와 감합하는 통 형상의 감합부(248Ah)가 형성된다. 감합부(248Ah)는, 본체부(112A)의 상부(112A1)보다 직경이 크고, 본체부(112A)의 상부(112A1)에 대하여 외측으로부터 감합한다. 연결부(248A2)에 본체부(112A)가 연결됨으로써, 연결부(248A2)의 내부에는, 중공부(113A)의 상부 개구(113Aa)에 연통하는 내부 공간(248Ai)이 형성된다.
연결부(248A2)의 내부에는 복수의 내부 유로(248Af)가 마련된다. 복수의 내부 유로(248Af)는, 상류측에 있어서, 받이면(248Aa)에 마련된 복수의 유입구(248Ab)의 각각에 연통하고, 하류측에 있어서, 내부 공간(248Ai)에 개구되는 복수의 유출구(248Ag)에 각각 연통한다. 이러한 복수의 내부 유로(248Af)는, 받이면(248Aa)에 의해 받아진 처리액을 중공부(113A)로 유도한다.
또한, 연결부(248A2)는 제 1 삽입홀(248Ae)과 제 2 삽입홀(248Aj)(도 15 참조)을 구비한다. 제 1 삽입홀(248Ae)은, 연직 방향을 따라 연장되고, 연결부(248A2)의 중앙부에 마련되어, 스핀들(242)이 삽입된다. 또한 도 15에 나타내는 바와 같이, 제 2 삽입홀(248Aj)은 수평 방향을 따라 연장되고, 체결 부재(200)가 삽입된다. 제 2 삽입홀(248Aj)은 복수의 내부 유로(248Af)를 피해 마련된다.
제 1 삽입홀(248Ae)에 스핀들(242)을 삽입하고, 제 2 삽입홀(248Aj)에 체결 부재(200)를 삽입하여, 스핀들(242)과 안내 부재(248A)를 체결 부재(200)에 의해 고정한다. 이에 의해, 이면 브러시(241A)는 안내 부재(248A)를 개재하여 스핀들(242)에 고정된 상태가 된다. 체결 부재(200)는 예를 들면 볼트이며, 스핀들(242)에 형성된 너트부에 대하여 회전시키면서 삽입함으로써, 안내 부재(248A)가 스핀들(242)에 고정된다. 또한 도 15에서는, 체결 부재(200) 및 스핀들(242)의 너트부에 형성되는 나사 홈을 생략하여 나타내고 있다.
이어서, 제 2 실시 형태에 따른 이면 세정부(204A)에 있어서의 처리액의 흐름에 대하여 설명한다. 토출부(247e)로부터 토출된 처리액은, 안내 부재(248A)의 받이면(248Aa)에 의해 받아진 후, 스핀들(242)측으로 모아져, 복수의 유입구(248Ab)로부터 복수의 내부 유로(248Af)로 유입된다. 이 후, 처리액은, 복수의 내부 유로(248Af)를 통과하여 복수의 유출구(248Ag)로부터 배출된다. 복수의 유출구(248Ag)로부터 배출된 처리액은, 안내 부재(248A)의 내부 공간(248Ai)을 거쳐 이면 브러시(241A)의 중공부(113A)의 상부 개구(113Aa)로 유입된 후, 스핀들(242)측으로 모아져 중공부(113A)의 하부 개구(113Ab)로부터 웨이퍼(W)를 향해 토출된다.
이와 같이, 토출부(247e)로부터 토출된 처리액은, 안내 부재(248A)의 내부에 마련된 복수의 내부 유로(248Af)를 통과하여 이면 브러시(241A)의 중공부(113A)로 유입된다. 이 때문에, 받이면(248Aa)으로부터 중공부(113A)에 도달할 때까지의 사이에 처리액의 분위기가 외부로 새어 나가는 것을 억제할 수 있다. 따라서, 예를 들면 처리액이 SC-1 또는 DHF 등의 약액인 경우에, 토출부(247e)로부터 중공부(113A)에 도달할 때까지의 사이에 약액의 분위기가 외부로 새어 웨이퍼(W)에 악영향을 주는 것을 억제할 수 있다.
또한, 받이면(248Aa)의 외주부에 마련된 제 1 벽부(248Ac)에 의해, 토출부(247e)로부터 받이면(248Aa)에 도달할 때까지의 사이에 처리액의 분위기가 외부로 새어 나가는 것을 억제할 수 있다.
또한, 내부 유로(248Af)를 구비함으로써, 받이면(248Aa)으로부터 중공부(113A)에 도달할 때까지의 사이에 처리액이 회전에 의해 주위로 비산하는 것이 방지된다. 따라서, 내부 유로(248Af)를 구비하지 않은 경우와 비교하여, 보다 대유량의 처리액을 이면 브러시(241A)로 공급할 수 있다. 또한 도 12의 순서도로 나타내는 처리에서는, 노즐(251, 261)과 이면 브러시(241)의 양방으로부터 약액 또는 린스액을 공급하는 경우의 예를 나타냈지만, 이면 브러시(241)만으로부터 약액 또는 린스액을 공급하는 예도 있을 수 있다. 이와 같은 경우에 있어서, 본 실시 형태에 따른 이면 브러시(241A)는 대유량의 처리액을 공급할 수 있다고 하는 점에서 유효하다.
상술한 바와 같이, 제 2 실시 형태에 따른 안내 부재(248A)는, 연결부(248A2)의 내부에, 받이면(248Aa)에 의해 받아진 처리액을 중공부(113A)로 유도하는 복수의 내부 유로(248Af)를 구비한다. 따라서, 처리액의 분위기가 외부로 새어 나가는 것을 억제할 수 있다.
또한 상술한 제 2 실시 형태에서는, 안내 부재(248A)가, 복수의 유입구(248Ab), 복수의 내부 유로(248Af) 및 복수의 유출구(248Ag)를 구비하는 경우의 예에 대하여 설명했지만, 안내 부재(248A)는 유입구(248Ab), 내부 유로(248Af) 및 유출구(248Ag)를 적어도 1 개씩 구비하고 있으면 된다.
가일층의 효과 또는 변형예는 당업자에 의해 용이하게 도출할 수 있다. 이 때문에, 본 발명의 보다 광범위한 태양은, 이상과 같이 나타내고 또한 기술한 특정의 상세 및 대표적인 실시 형태에 한정되는 것은 아니다. 따라서, 첨부한 특허 청구의 범위 및 그 균등물에 의해 정의되는 총괄적인 발명의 개념의 정신 또는 범위로부터 일탈하지 않고, 각종 변경이 가능하다.
W : 웨이퍼
28 : 제 2 처리 유닛
101 : 본체부
102 : 접속부
103 : 세정체
104 : 액받이 부재
111 : 제 1 본체부
112 : 제 2 본체부
113 : 중공부
202 : 기판 유지부
203 : 회수 컵
204 : 이면 세정부
205 : 제 1 공급부
206 : 제 2 공급부
207 : 둘레벽부
241 : 이면 브러시
242 : 스핀들
243 : 암
244 : 선회 승강 기구

Claims (10)

  1. 기판을 회전 가능하게 유지하는 기판 유지부와,
    본체부와, 상기 본체부의 하부에 마련되고 상기 기판에 눌리는 세정체와, 상기 본체부에 형성된 상하 양단이 개구되는 중공부를 가지는 브러시와,
    상기 브러시의 본체부를 스핀들을 개재하여 회전 가능하게 지지하는 암과,
    상기 암에 마련된 토출부와,
    상기 토출부와 상기 브러시의 사이에 배치되고, 상기 토출부로부터 토출된 상기 처리액을 일단 받아 상기 브러시의 중공부로 유도하는 안내 부재
    를 구비하고,
    상기 토출부로부터 복수 종류의 처리액이 전환하여 토출되는 것
    을 특징으로 하는 기판 세정 장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 토출부는,
    상기 중공부보다 상기 스핀들로부터 떨어진 위치에 배치되고,
    상기 안내 부재는,
    상기 토출부보다 상기 스핀들로부터 떨어진 위치로부터 상기 스핀들을 향해 내리막 경사지는 받이면과,
    상기 받이면 중 상기 중공부의 직상에 위치하는 영역에 마련되고, 상기 처리액을 상기 중공부를 향해 배출하는 배출부
    를 구비하는 것을 특징으로 하는 기판 세정 장치.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 배출부는,
    원주 형상으로 나열되어 배치되는 복수의 배출구를 구비하는 것을 특징으로 하는 기판 세정 장치.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 토출부는,
    상기 중공부보다 상기 스핀들로부터 떨어진 위치에 배치되고,
    상기 안내 부재는,
    하부에 있어서 상기 브러시와 연결되는 연결부와,
    상기 연결부의 상부에 마련되고, 상기 토출부보다 상기 스핀들로부터 떨어진 위치로부터 상기 스핀들을 향해 내리막 경사지는 받이면과,
    상기 연결부의 내부에 마련되고, 상기 받이면에 의해 받아진 상기 처리액을 상기 중공부로 유도하는 하나 또는 복수의 내부 유로
    를 구비하는 것을 특징으로 하는 기판 세정 장치.
  5. 제 4 항에 있어서,
    상기 안내 부재는,
    상기 받이면의 외주부에 마련되고, 상기 받이면으로부터 상방을 향해 돌출되는 둘레벽부
    를 구비하는 것을 특징으로 하는 기판 세정 장치.
  6. 제 1 항 내지 제 5 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 복수 종류의 처리액 중 제 1 처리액이 상기 토출부로부터 토출된 후 계속하여 제 2 처리액이 상기 토출부로부터 토출되는 것
    을 특징으로 하는 기판 세정 장치.
  7. 제 6 항에 있어서,
    상기 제 1 처리액인 제 1 약액이 상기 토출부로부터 토출된 후 계속하여 상기 제 2 처리액인 순수가 상기 토출부로부터 토출되고, 이후 상기 복수 종류의 처리액 중 제 3 처리액인 제 2 약액이 상기 토출부로부터 토출되는 것
    을 특징으로 하는 기판 세정 장치.
  8. 제 1 항 내지 제 5 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 브러시가 퇴피 위치에 배치된 상태에서 순수가 상기 토출부로부터 토출되는 것
    을 특징으로 하는 기판 세정 장치.
  9. 제 1 항 내지 제 5 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 복수 종류의 처리액 중 적어도 한 종류의 처리액을 공급하는 노즐과,
    상기 노즐을 선회시키는 노즐 암과,
    상기 암 및 상기 노즐 암의 동작을 제어하는 제어부
    를 구비하고,
    상기 암은,
    상기 노즐 암의 선회 궤적과 교차하는 궤적으로 상기 브러시를 선회시키고,
    상기 제어부는,
    상기 암 및 상기 노즐 암을 전원 공급 직후의 초기 위치로 되돌리는 경우에, 상기 암과 상기 노즐 암을 동시에 동일한 속도로 선회시키는 것
    을 특징으로 하는 기판 세정 장치.
  10. 제 1 항 내지 제 5 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 브러시는,
    상기 스핀들에 접속되는 본체부와,
    상기 본체부의 하부에 마련되고, 상기 기판에 눌리는 세정체와,
    상기 본체부의 외주부에 마련되고, 상기 본체부의 외주부로부터 돌출되는 액받이 부재를 구비하는 것을 특징으로 하는 기판 세정 장치.
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