KR20170093719A - 기판 처리 장치, 기판 처리 방법 및 기억 매체 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 기판을 공전시켜서 성막 처리를 행함에 있어서, 원하는 온도 분포를 형성하는 것을 과제로 한다. 진공 용기(11) 내에서, 회전 테이블(2)에 의해 공전하는 웨이퍼(W)에 처리 가스를 공급해서 성막 처리함에 있어서, 히터 유닛(18)에 의해 웨이퍼(W)를 가열함과 함께, 조사 유닛(4)으로부터의 광에 의해 웨이퍼(W)를 보조적으로 가열한다. 온도 측정부(5)에 의해 검출된 온도 분포로부터, 웨이퍼(W)의 복수의 구획 영역(8)의 각각과 온도의 평가값을 대응지은 온도 측정 데이터를 취득한다. 이 온도 측정 데이터와, 목표로 하는 온도 분포에 대응하는 데이터와, 회전 테이블(2)의 회전 방향의 위치에 기초하여, 조사 유닛(4)의 광 강도를 제어한다. 이에 의해 회전 테이블(2)의 회전 방향의 위치마다, 조사 유닛(4)으로부터의 광 강도가 제어되므로, 웨이퍼(W)의 온도 분포가 조정되어, 원하는 온도 분포를 형성할 수 있다.

Description

기판 처리 장치, 기판 처리 방법 및 기억 매체{SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS, SUBSTRATE PROCESSING METHOD AND STORAGE MEDIUM}
본 발명은, 기판을 공전시키면서 처리 가스를 기판에 공급함으로써 성막 처리를 행하는 기술에 관한 것이다.
반도체 장치의 제조 공정에 있어서는, 반도체 웨이퍼(이하, 「웨이퍼」라고 함)에 대하여 ALD(Atomic Layer Deposition)에 의해 성막이 행하여지는 경우가 있다. 이러한 ALD를 행하는 장치로서는, 예를 들어 복수의 웨이퍼를 적재한 회전 테이블을 회전시킴으로써 웨이퍼를 공전시켜, 회전 테이블의 직경 방향을 따르도록 배치되는 처리 가스의 공급 영역을 반복해서 통과시키는 장치가 알려져 있다.
그런데, 웨이퍼에 대하여 드라이 에칭을 행하는 장치에 있어서는, 웨이퍼의 중심부를 중심으로 하는 동심원 형상의 분포로 에칭 속도를 조정하는 경우가 있으므로, 드라이 에칭의 전공정인 웨이퍼의 성막 공정에서는, 웨이퍼의 중심부를 중심으로 하는 동심원 형상의 막 두께 분포가 요구되는 경우가 있다. 그러나, 이미 설명한 웨이퍼를 공전시키는 장치에 있어서는, 웨이퍼에 형성되는 막은, 회전 테이블의 중심부를 중심으로 한 막 두께 분포로 되는 경향이 있어, 웨이퍼의 중심부를 중심으로 하는 동심원 형상의 막 두께 분포로 하는 것이 곤란하다는 문제가 있었다.
따라서, 본건 출원인은, 웨이퍼(W)에 형성되는 막 두께 분포는 웨이퍼 온도에 의존하므로, 웨이퍼의 온도 분포를 조정함으로써, 동심원 형상의 막 두께 분포를 확보하는 것을 검토하고 있다. 그런데, 본건과 동일한 출원인인 특허문헌 1 내지 4에는, 웨이퍼를 공전시키는 성막 장치에 있어서, 가열 램프를 사용하는 구성이 기재되어 있다. 특허문헌 1 및 특허문헌 2는, 웨이퍼를 성막 온도보다도 높은 온도로 가열해서 박막의 개질을 행하는 기술이며, 특허문헌 3은, 가열에 의해 반응 생성물을 치밀화하는 기술, 특허문헌 4는, 오존 가스가 열분해하는 온도 이상으로 보조 가열하는 기술이다. 또한, 특허문헌 5에는 면내 온도 차를 발생시키지 않도록 다수의 가열 램프를 제어하는 것이 기재되어 있지만, 모두 본 발명의 구성과는 상이하다.
일본 특허 공개 제2014-22653호 공보 일본 특허 공개 제2014-138076호 공보 일본 특허 공개 제2010-245448호 공보 일본 특허 공개 제2014-17331호 공보 일본 특허 공개 제2015-70095호 공보
본 발명은, 회전 테이블에 의해 기판을 공전시켜서 성막 처리를 행하는 장치에 있어서, 기판에 원하는 온도 분포를 형성할 수 있는 기술을 제공한다.
본 발명의 기판 처리 장치는,
진공 용기 내에서, 회전 테이블의 일면측에 배치된 기판을 상기 회전 테이블에 의해 공전시켜, 상기 회전 테이블 상의 기판의 통과 영역에 처리 가스를 공급해서 기판에 대하여 성막 처리하는 기판 처리 장치로서,
상기 기판을 가열하는 주 가열 기구와,
상기 회전 테이블 상의 기판의 통과 영역과 대향하도록 설치되고, 기판의 흡수 파장 영역의 광의 조사에 의해 기판을 가열해서 상기 기판의 온도 분포를 조정하기 위해, 회전 테이블의 내외 방향을 따라서 광 강도를 조정할 수 있도록 구성된 보조 가열 기구와,
상기 보조 가열 기구에 대하여 회전 테이블의 둘레 방향으로 떨어진 위치에 설치되어, 기판에 있어서의 상기 회전 테이블의 내외 방향을 따른 온도 분포를 검출하는 온도 측정부와,
상기 회전 테이블의 회전 방향의 위치를 검출하는 위치 검출부와,
상기 온도 측정부에 의해 측정해서 얻어진 온도 측정 데이터와 기판의 목표로 하는 온도 분포에 대응하는 데이터와 상기 위치 검출부에서 검출한 위치 검출값에 기초하여, 해당 온도 측정 데이터에 대응하는 기판이 상기 보조 가열 기구에 의한 가열 영역을 통과할 때, 상기 보조 가열 기구의 광 강도를 제어하는 제어부를 포함한다.
본 발명의 기판 처리 방법은,
진공 용기 내에서, 회전 테이블의 일면측에 배치된 기판을 상기 회전 테이블에 의해 공전시켜, 상기 회전 테이블 상의 기판의 통과 영역에 처리 가스를 공급해서 기판에 대하여 성막 처리하는 기판 처리 장치를 사용하는 기판 처리 방법으로서,
상기 기판 처리 장치는, 상기 회전 테이블 상의 기판의 통과 영역과 대향하도록 설치되고, 기판의 흡수 파장 영역의 광 조사에 의해 기판을 가열해서 상기 기판의 온도 분포를 조정하기 위해, 회전 테이블의 내외 방향을 따라서 광 강도를 조정할 수 있도록 구성된 보조 가열 기구를 포함하고,
상기 기판 처리 방법은,
상기 기판을 주 가열 기구에 의해 가열하는 공정과,
상기 보조 가열 기구에 대하여 회전 테이블의 둘레 방향으로 떨어진 위치에 설치된 온도 측정부에 의해, 기판에 있어서의 상기 회전 테이블의 내외 방향을 따른 온도 분포를 검출하는 공정과,
위치 검출부에 의해 상기 회전 테이블의 회전 방향의 위치를 검출하는 공정과,
상기 온도 측정부에 의해 측정해서 얻어진 온도 측정 데이터와 기판의 목표로 하는 온도 분포에 대응하는 데이터와 상기 위치 검출부에서 검출한 위치 검출값에 기초하여, 상기 온도 측정 데이터에 대응하는 기판이 상기 보조 가열 기구에 의한 가열 영역을 통과할 때, 상기 보조 가열 기구의 광 강도를 제어하는 공정을 포함한다.
본 발명의 기억 매체는,
진공 용기 내에서, 회전 테이블의 일면측에 배치된 기판을 상기 회전 테이블에 의해 공전시켜, 상기 회전 테이블 상의 기판의 통과 영역에 처리 가스를 공급해서 기판에 대하여 성막 처리하는 기판 처리 장치에 사용되는 컴퓨터 프로그램을 기억하는 기억 매체로서,
상기 컴퓨터 프로그램은, 상기 기판 처리 방법을 컴퓨터와 결합하여 실행하도록 스텝 군이 짜여져 있다.
본 발명은, 회전 테이블을 회전시킴으로써 기판을 공전시키면서 당해 기판에 대하여 처리 가스를 공급해서 성막 처리함에 있어서, 주 가열 기구에 의해 기판을 가열함과 함께, 보조 가열 기구로부터의 광에 의해 기판을 가열한다. 보조 가열 기구는 회전 테이블의 내외 방향을 따라서 광 강도를 조정할 수 있도록 구성되고, 그 광 강도는, 기판에 있어서의 회전 테이블의 내외 방향을 따른 온도 분포를 검출하는 온도 측정부에 의해 측정해서 얻어진 온도 측정 데이터와, 목표로 하는 온도 분포에 대응하는 데이터와, 회전 테이블의 회전 방향의 위치 검출값에 기초해서 제어된다. 이에 의해, 기판의 온도 분포가 조정되어, 원하는 온도 분포를 형성할 수 있다.
도 1은 본 발명의 기판 처리 장치를 적용한 성막 장치의 일 실시 형태를 나타내는 종단 측면도이다.
도 2는 성막 장치의 개략 횡단 사시도이다.
도 3은 성막 장치의 횡단 평면도이다.
도 4는 성막 장치를 둘레 방향으로 절단한 모습을 모식적으로 도시하는 종단 측면도이다.
도 5는 성막 장치에 설치되는 조사 유닛을 도시하는 개략 사시도이다.
도 6은 성막 장치에 설치되는 조사 유닛과 온도 측정부와 제어부를 도시하는 개략 사시도이다.
도 7은 웨이퍼의 구획 영역의 일례를 도시하는 평면도이다.
도 8은 성막 장치의 동작을 설명하기 위한 모식도이다.
도 9는 성막 장치의 동작을 설명하기 위한 모식도이다.
도 10은 성막 장치의 동작을 설명하기 위한 개략 사시도이다.
도 11은 성막 장치의 다른 실시 형태의 조사 유닛을 도시하는 평면도이다.
도 12는 성막 장치의 또 다른 실시 형태의 조사 유닛을 도시하는 개략 사시도이다.
도 13은 평가 시험의 결과를 나타내는 그래프도이다.
본 발명의 기판 처리 장치를 적용한 성막 장치(1)의 일 실시 형태에 대해서, 도 1 내지 도 4를 참조하면서 설명한다. 이 성막 장치(1)는, 웨이퍼(W)의 온도 분포를 원하는 형상으로 조정하는 것이며, 예를 들어 기판인 웨이퍼(W)의 면 내에 동심원 형상의 막 두께 분포를 형성하기 위해서, 웨이퍼의 면 내에 동심원 형상의 온도 분포를 형성하고, 그렇게 온도 분포가 형성된 상태에서 처리 가스를 공급해서 성막 처리를 행하는 것이다. 동심원 형상의 온도 분포란, 보다 구체적으로는 웨이퍼(W)의 중심으로부터 등거리인 웨이퍼(W)의 둘레 방향을 따른 각 위치에서는 동일하거나 또는 대략 동일한 온도이며, 웨이퍼(W)의 내외 방향(반경 방향)을 따른 각 위치에서는 서로 상이한 온도가 되는 온도 분포이다.
도 1은 성막 장치(1)의 종단 측면도, 도 2는 성막 장치(1)의 내부를 도시하는 개략 사시도, 도 3은 성막 장치(1)의 횡단 평면도, 도 4는 성막 장치(1)를 둘레 방향으로 절단한 모습을 모식적으로 도시하는 종단면도이며, 도 1은 도 3의 A-A'선을 따라 절단한 종단 측면도이다. 성막 장치(1)는, 대략 원 형상의 편평한 진공 용기(처리 용기)(11)와, 진공 용기(11) 내에 설치된 원판 형상의 수평한 회전 테이블(2)을 구비하고 있다. 진공 용기(11)는, 천장판(12)과 진공 용기(11)의 측벽 및 저부를 이루는 용기 본체(13)에 의해 구성된다. 도 1 중 도면부호 14는, 용기 본체(13)의 하측 중앙부를 막는 커버, 도면부호 15는, 성막 처리 중에 커버(14) 내에 퍼지 가스, 예를 들어 N2(질소) 가스를 공급하기 위한 가스 공급관이다. 또한, 진공 용기(11)의 측벽에는, 웨이퍼(W)의 반송구(16)가 개구되어 있고, 게이트 밸브(17)에 의해 개폐 가능하게 구성되어 있다.
회전 테이블(2)의 하면측 중심부는, 회전축(21)을 통해서 커버(14) 내에 설치되는 회전 기구(22)에 접속되어, 연직축을 중심으로 회전할 수 있도록 구성되어 있다. 회전 기구(22)는, 위치 검출부를 이루는 인코더(221)에 접속되어, 회전 테이블(2)의 회전 방향의 위치가 검출되도록 되어 있다. 이하, 회전 테이블(2)의 회전 방향을 「회전 방향」, 회전 테이블(2)의 회전 방향의 위치를 「회전 위치」로 해서, 설명을 계속한다. 회전 테이블(2)의 표면측(일면측)에는, 회전 방향을 따라서 예를 들어 6개의 원형의 오목부(23)가 서로 간격을 두고 형성되어 있고, 이 오목부(23)의 저면 상에 웨이퍼(W)가 수평하게 적재된다. 적재된 웨이퍼(W)는, 오목부(23)의 측벽에 의해 위치가 규제된 상태에서 회전 테이블(2)의 회전에 의해 공전한다.
회전 테이블(2)의 하방측에는, 웨이퍼(W)를 가열하는 주 가열 기구를 이루는 히터 유닛(18)이 설치되어 있고, 회전 테이블(2)을 통해서 웨이퍼(W)를 성막 온도인 200℃ 내지 800℃로 가열하도록 구성되어 있다. 이 히터 유닛(18)의 배치 공간에는, 퍼지 가스 예를 들어 N2 가스를 공급하기 위한 퍼지 가스 공급관(19)이 둘레 방향에 걸쳐서 복수 개소에 설치되어 있다. 회전 테이블(2) 상에 적재되는 웨이퍼(W)는, 히터 유닛(18) 및 후술하는 조사 유닛(4)에 의해 가열되어 원하는 온도 분포가 형성된다.
회전 테이블(2)의 상방에는, 도 3에 도시한 바와 같이, 각각 회전 테이블(2)의 외주로부터 중심을 향해서 신장되는 막대 형상의 원료 가스 노즐(31), 분리 가스 노즐(32), 산화 가스 노즐(33), 플라즈마 발생용 가스 노즐(34) 및 분리 가스 노즐(35)이, 이 순서대로 회전 테이블(2)의 둘레 방향을 따라 간격을 두고 배치되어 있다. 이들 가스 노즐(31 내지 35)은, 도 4에 도시한 바와 같이, 그 하방에, 길이 방향을 따라서 다수의 개구부(36)를 구비하여, 회전 테이블(2)의 직경을 따라 각각 가스를 공급하도록 구성되어 있다.
원료 가스 노즐(31)은, 성막을 행하기 위한 처리 가스로서, 원료 가스인 예를 들어 BTBAS(비스터셔리부틸아미노실란) 등의 Si(실리콘) 함유 가스를 토출한다. 산화 가스 노즐(33)은, Si 함유 가스를 산화하기 위한 산화 가스로서, 예를 들어 O3(오존) 가스와 O2(산소) 가스의 혼합 가스를 토출한다. 분리 가스 노즐(32, 35)은 분리 가스로서 예를 들어 N2 가스, 플라즈마 발생용 가스 노즐(34)은 예를 들어 Ar(아르곤) 가스와 O2 가스의 혼합 가스를 각각 토출한다.
원료 가스 노즐(31)의 하방의 가스 공급 영역을 제1 처리 영역(P1), 산화 가스 노즐(33)의 하방의 가스 공급 영역을 제2 처리 영역(P2)으로 한다. 분리 가스 노즐(32, 35)은, 제1 처리 영역(P1)과 제2 처리 영역(P2)을 분리하는 분리 영역을 각각 형성하기 위한 것이다. 이들 분리 가스 노즐(32, 35) 중, 분리 가스 노즐(35)의 상방측에서의 천장판(12)에는, 도 4에 도시한 바와 같이, 하방으로 돌출되는 대략 부채형의 돌출 형상부(37)가 형성되어 있다. 분리 가스 노즐(32, 35)로부터 분리 가스가 공급됨으로써, 회전 테이블(2)과 돌출 형상부(37)와의 사이는, 처리 영역(P1, P2)의 분위기를 서로 분리하는 분리 영역으로서 구성된다.
이 예에서는, 분리 가스 노즐(32)의 상방측 근방에는, 보조 가열 기구를 이루는 조사 유닛(4)이 설치되어 있다. 예를 들어 분리 가스 노즐(32)의 상방측에 있어서의 천장판(12)은, 평면에서 볼 때 대략 부채 형상으로 개구되고, 예를 들어 석영 등의 광을 투과하는 재료로 이루어지는 투과 부재(40)에 의해 기밀하게 막혀 있고, 그 상방측에 조사 유닛(4)이 설치되어 있다. 이 조사 유닛(4)은, 웨이퍼(W)의 흡수 파장 영역의 광 조사에 의해 웨이퍼(W)를 가열해서 웨이퍼(W)의 온도 분포를 조정하기 위해 설치되는 것이며, 조사된 광이 분리 가스 노즐(32)에 방해받지 않도록 분리 가스 노즐(32)의 상방측으로부터 가로 방향으로 벗어난 위치에 설치되어 있다.
이 예의 조사 유닛(4)은, 각각 독립적으로 광 강도를 조정할 수 있는 복수, 예를 들어 5개의 광조사부(41 내지 45)로 이루어지고, 이들 광조사부(41 내지 45)는, 예를 들어 회전 테이블(2)의 내외 방향(반경 방향)을 따라 서로 등간격으로 이격되도록 배치되어 있다. 광조사부(41 내지 45)로서는, 웨이퍼(W)가 흡수하는 파장의 레이저광을 발광하는 레이저 발광기가 사용되고, 웨이퍼(W)의 온도를 히터 유닛(18)으로 가열된 온도에 대하여 예를 들어 ±5℃의 범위로 미세 조정한다. 이들 5개의 광조사부(41 내지 45)에 의한 조사 영역은, 도 5에 도시한 바와 같이, 웨이퍼(W)의 직경을 커버하도록 설정되어, 회전 테이블(2)의 회전에 의해, 회전 테이블(2) 상의 6매의 웨이퍼(W1 내지 W6)의 표면 전체에 레이저광이 조사되도록 되어 있다. 이렇게 레이저광이 조사되는 영역이 조사 유닛(4)에 의한 가열 영역으로 된다. 도 1 중 도면부호 46은, 광조사부(41 내지 45)의 지지 부재이다.
광조사부(41 내지 45)는, 도 6에 도시한 바와 같이, 각각 전력 제어부(47)에 접속되어, 후술하는 제어부(7)로부터의 제어 신호에 기초하여 개별로 전력(급전량)이 공급되어, 각각 독립적으로 광 강도를 제어할 수 있도록 구성되어 있다. 후술하는 바와 같이, 각각의 광조사부(41 내지 45)의 급전량을 제어하여, 출력을 각각 조정함으로써, 웨이퍼(W)에 원하는 온도 분포, 이 예에서는 웨이퍼(W)의 중심에 가까운 영역의 온도가 외주에 가까운 영역의 온도보다도 높은 산형의 동심원 형상의 온도 분포가 형성된다.
투과 부재(40)는, 예를 들어 하면측에 있어서의 외측 테두리부가 둘레 방향에 걸쳐서 수직으로 연장되어, 가스 규제용의 돌기부(401)를 이루고 있다. 그 때문에 분리 가스 노즐(32)로부터 분리 가스를 토출하면, 회전 테이블(2)의 회전 방향 상류측으로부터 원료 가스가 침입하는 것, 및 회전 테이블(2)의 회전 방향 하류측으로부터 산화 가스가 침입하는 것이 방지되어, 회전 테이블(2)와 돌출부(401)와의 사이는 처리 영역(P1, P2)의 분위기를 서로 분리하는 분리 영역으로서 기능한다.
조사 유닛(4)에 대하여 회전 테이블(2)의 둘레 방향으로 떨어진 위치, 예를 들어 반송구(16) 근방의 상방측에는, 예를 들어 석영으로 이루어지는 투과 부재(50)를 개재해서 온도 측정부(5)가 설치되어 있다. 온도 측정부(5)로서는, 예를 들어 서모 뷰어(적외선 열화상 장치)가 사용되고, 예를 들어 웨이퍼(W)에 있어서의 회전 테이블(2)의 내외 방향을 따른 온도 분포를 검출하고, 이 검출 결과를 후술하는 제어부(7)에 출력할 수 있도록 구성되어 있다. 이 예의 투과 부재(50)는, 돌기부가 형성되어 있지 않은 것 외에는, 조사 유닛(4)에서 설명한 투과 부재(40)와 마찬가지로 구성되어 있다.
플라즈마 발생용 가스 노즐(34)의 상방측에는, 예를 들어 석영으로 이루어지는 투과 부재(60)를 개재하여, 금속선을 코일 형상으로 권회해서 구성한 안테나(61)가 설치되어 있다. 이 안테나(61)는, 접속 전극(62), 정합기(63)를 통해서 고주파 전원(64)에 접속된다. 이 예의 투과 부재(60)는, 조사 유닛(4)에서 설명한 투과 부재(40)와 마찬가지로 구성되고, 그 하면에는 가스 규제용의 돌기부(601)를 구비하고 있다. 또한, 도면부호 65는 도전성의 패러데이 실드, 도면부호 66은 안테나(61)에서 발생하는 전자계 중, 자계를 웨이퍼(W)에 도달시키기 위한 슬릿이다. 또한, 도 3에서는 패러데이 실드(65)를 생략하고 있다.
진공 용기(11)의 저면에 있어서, 회전 테이블(2)의 내외 방향 외측에는 배기구(24)가 2개 개구되어 있고, 도 1에 도시한 바와 같이, 각 배기구(24)에는 배기관(25)의 일단이 접속되어 있다. 각 배기관(25)의 타단은 합류되어, 밸브를 포함하는 배기량 조정부(26)를 통해서 진공 펌프에 의해 구성되는 배기 기구(27)에 접속된다. 배기량 조정부(26)에 의해 각 배기구(24)로부터의 배기량이 조정되고, 그에 의해서 진공 용기(11) 내의 압력이 조정된다.
회전 테이블(2)의 중심부 영역(C) 상의 공간에는, 가스 공급로(28)를 통해서 퍼지 가스인 N2 가스가 공급되도록 구성되어 있다. 이 N2 가스는, 회전 테이블(2)의 내외 방향 외측으로 퍼지 가스로서 흐른다. 이러한 성막 장치(1)에는, 외부의 반송 기구(29)에 의해, 반송구(16)에 면하는 위치에 있어서의 오목부(23)와의 사이에서 웨이퍼(W)의 수수가 행하여진다. 오목부(23)에는, 웨이퍼(W)를 이동 탑재하기 위한 복수의 승강 핀(도시하지 않음)의 승강용 구멍부가 형성되고, 이 승강 핀과 반송 기구(29)와의 협동 작업에 의해 웨이퍼(W)의 수수가 행하여진다.
이 성막 장치(1)에는, 장치 전체의 동작의 컨트롤을 행하기 위한 컴퓨터로 이루어지는 제어부(7)가 설치되어 있다. 이 제어부(7)에는, 도 6에 도시한 바와 같이, CPU(71)와, 후술하는 바와 같이 성막 처리를 실행하기 위한 프로그램(72)과, 메모리(73)가 저장되고, 프로그램(72)에는, 후술하는 각 처리가 실행되도록 스텝 군이 짜여져 있다. 또한, 당해 프로그램(72)은, 하드 디스크, 콤팩트 디스크, 광자기 디스크, 메모리 카드, 플렉시블 디스크 등의 기억 매체로부터 제어부(7) 내에 인스톨된다.
또한, 제어부(7)는, 온도 측정부(5)에 의해 검출된 온도 분포의 데이터에 기초하여, 온도 측정 데이터를 구하고, 메모리(73)에 저장하는 기능을 구비하고 있다. 온도 측정 데이터란, 예를 들어 회전 테이블(2)의 내외 방향(이하, 「내외 방향」이라고 함)을 따라 구획된 복수의 구획 영역의 각각과 온도에 대응하는 평가값을 대응지은 데이터이다. 구획 영역(8)의 일례에 대해서, 도 7에 도시한다. 이 예에서는, 예를 들어 웨이퍼(W)는, 내외 방향을 따라서 5개로 구획됨과 함께, 회전 방향을 따라서 5개로 구획되어 있다. 도 7중 도면부호 O는, 회전 테이블(2)의 회전 중심이며, 상기 내외 방향을 따르는 5개의 구획 영역은, 조사 유닛(4)의 광조사부(41 내지 45)에 의한 조사 영역에 각각 대응하는 것이다. 또한, 평가값이란, 온도 측정부(5)에 의해 검출된 온도 분포에 기초하여, 예를 들어 각 구획 영역의 온도의 평균값을 구한 것이다.
그리고, 제어부(7)는, 이 온도 측정 데이터와, 웨이퍼(W)의 목표로 하는 온도 분포에 대응하는 데이터와, 위치 검출값(회전 테이블(2)의 회전 방향의 위치)에 기초하여, 온도 측정 데이터에 대응하는 웨이퍼(W)가 조사 유닛(4)에 의한 가열 영역을 통과할 때, 조사 유닛(4)의 광 강도를 제어하도록 구성되어 있다. 웨이퍼(W)의 목표로 하는 온도 분포에 대응하는 데이터란, 복수의 구획 영역(8)의 각각과 목표 온도에 대응하는 목표값을 대응지은 데이터이다. 구체적인 제어 방법에 대해서는, 이후에 성막 장치(1)의 작용과 함께 설명한다.
계속해서, 성막 장치(1)에 의해 행하여지는 동작에 대해서 설명한다. 우선, 히터 유닛(18)에 의해 진공 용기(11) 내 전체를 가열한다. 그리고, 게이트 밸브(17)를 개방하고, 승강 핀의 승강과 회전 테이블(2)이 단속적인 회전과의 협동에 의해, 웨이퍼(W)를 유지한 반송 기구(29)가 진공 용기(11) 내로 진입할 때마다, 웨이퍼(W)를 오목부(23) 내에 이동 탑재한다. 이렇게 해서, 6개의 오목부(23)에 웨이퍼(W1 내지 W6)를 각각 수납하고, 반송 기구(29)가 진공 용기(11)로부터 퇴피하면, 게이트 밸브(17)를 폐쇄한다.
그 후, 진공 용기(11) 내를 소정의 압력의 진공 분위기가 되도록 조정함과 함께, 이 압력 조정에 병행하여, 히터 유닛(18)에 의해 회전 테이블(2)을 통해서 웨이퍼(W)를 소정 온도, 예를 들어 400℃로 가열하고, 회전 테이블(2)을 예를 들어 200rpm으로 회전시킨다. 그 후, 온도 측정부(5)에 의해 웨이퍼(W1 내지 W6)의 온도 분포를 순차적으로 검출하여, 각각의 온도 측정 데이터를 취득한다. 계속해서, 웨이퍼(W1 내지 W6)가 조사 유닛(4)의 가열 영역을 순차적으로 통과할 때, 각각의 온도 측정 데이터에 기초하여 조사 유닛(4)의 출력을 제어한다. 이렇게 해서, 각 웨이퍼(W1 내지 W6)마다, 조사 유닛(4)의 각 광조사부(41 내지 45)의 출력을 조정해서 가열(미소 조정 가열)함으로써, 웨이퍼(W)에 원하는 온도 분포를 형성한다.
이하, 조사 유닛(4)에 의한 웨이퍼(W)의 가열에 대해서, 도 8 내지 도 10을 참조하여 구체적으로 설명한다. 도 8의 (a)는 설명의 편의상 모식 모델이며, 회전 테이블(2)이 홈 위치에 있는 상태를 나타내고 있다. 이 홈 위치는, 회전 테이블(2)의 외측 테두리의 기준 위치(R1)가 0도로 되는 위치이다. 또한, 이 모델에서는, 도 8의 (b)에 도시한 바와 같이, 온도 측정부(5)를 0도의 위치, 조사 유닛(4)을 180도의 위치에 각각 배치하고 있다.
회전 테이블(2)은, 예를 들어 시계 방향으로 회전하고, 회전 테이블(2) 상에는, 0도의 위치에 웨이퍼(W1), 300도의 위치에 웨이퍼(W2), 240도의 위치에 웨이퍼(W3), 180도의 위치에 웨이퍼(W4), 120도의 위치에 웨이퍼(W5), 60도의 위치에 웨이퍼(W6)을 각각 배치한다. 웨이퍼(W1)가 0도의 위치에 있다는 것은, 웨이퍼(W1)의 회전 방향의 전방 끝이, 회전 테이블(2)의 중심(O)과 0도의 위치를 연결하는 선(D1)에 접하는 위치이다. 또한, 예를 들어 웨이퍼(W1)의 회전 방향의 후방 끝과 상기 중심(O)을 연결하는 선(D2)을 그었을 때, 당해 선(D2)과, 회전 테이블(2)의 중심(O)과 300도의 위치를 연결하는 선(D3)과의 이루는 각(θ)은, 예를 들어 5도로 한다.
온도 측정 데이터(T)의 취득은, 예를 들어 다음과 같이 행한다. 홈 위치에 있는 회전 테이블(2)을 회전시켜, 기준 위치(R1)가 예를 들어 175도일 때 미리 설정한 조사 패턴으로 조사 유닛(4)을 온으로 해서, 웨이퍼(W1)로부터 가열(미소 조정 가열)을 개시한다. 그리고, 예를 들어 회전 테이블(2)을 1회전하고, 도 9의 (a)에 도시한 바와 같이, 기준 위치(R1)가 다음으로 0도로 되었을 때, 온도 측정부(5)에서 웨이퍼(W1)의 온도 분포의 검출을 시작한다. 온도 측정부(5)에서는, 웨이퍼(W1)에 있어서의 내외 방향을 따른 온도 분포가 검출되고, 기준 위치(R1)가 55도로 될 때까지(도 9의 (b)의 상태), 웨이퍼(W1)에 대하여 0도부터 55도까지의 온도 분포를 취득한다. 그리고, 제어부(7)의 메모리(73)에, 0도부터 55도까지의 온도 측정 데이터(T)를 웨이퍼(W1)의 데이터 에어리어에 기입한다.
마찬가지로, 기준 위치(R1)가 60도로 되었을 때, 온도 측정부(5)에서 웨이퍼(W2)의 온도 분포의 취득이 개시되고, 기준 위치(R1)가 60도 내지 115도인 온도 측정 데이터(T2)를 웨이퍼(W2)의 데이터 에어리어에 기입한다. 이렇게 해서, 기준 위치(R1)가 120도 내지 175도인 온도 측정 데이터(T3)를 웨이퍼(W3), 기준 위치(R1)가 180도 내지 235도인 온도 측정 데이터(T4)를 웨이퍼(W4)의 데이터 에어리어에 각각 대응지어서 기입한다. 또한, 기준 위치(R1)가 240도 내지 295도인 온도 측정 데이터(T5)를 웨이퍼(W5), 기준 위치(R1)가 300도 내지 355도의 온도 측정 데이터(T6)를 웨이퍼(W6)의 데이터 에어리어에 각각 대응지어서 기입한다.
그리고, 예를 들어 도 10의 (a)에 도시한 바와 같이, 온도 측정부(5)에 의해 검출된 온도 분포에 기초하여 온도 측정 데이터(T1)가 취득된 웨이퍼(W1)가, 도 10의 (b)에 도시한 바와 같이, 조사 유닛(4)의 가열 영역을 통과할 때, 웨이퍼(W1)의 온도 측정 데이터(T1)에 기초하여 작성된 광 강도 데이터(L1)에 의해 웨이퍼(W1)를 가열한다. 광 강도 데이터(L1)란, 조사 유닛(4)의 각 광조사부(41 내지 45)의 광 강도와, 회전 테이블(2)의 회전 위치를 대응지은 데이터이며, 예를 들어 온도 측정 데이터(T1)와 웨이퍼(W)의 목표로 하는 온도 분포에 대응하는 목표 온도 분포 데이터와의 비교 결과에 기초하여 작성된다. 목표 온도 분포 데이터란, 웨이퍼(W)의 구획 영역(8) 각각의 온도의 목표값, 예를 들어 구획 영역(8)의 온도 평균값이다. 이 예에서의 목표로 하는 온도 분포는, 웨이퍼(W)의 중심에 가까운 영역의 온도가 외주에 가까운 영역의 온도보다도 높은 동심원 형상의 산형 온도 분포이다.
예를 들어 제어부(7) 내의 메모리(73)에, 목표 온도 분포 데이터를 기억해 둔다. 그리고, 예를 들어 웨이퍼(W)의 구획 영역(8)의 각각에 있어서, 온도의 평가값과 목표값과의 차분을 취득하고, 이 차분에 상당하는 분만큼, 광조사부(41 내지 45)에 의한 가열로 온도를 상승시키도록, 광조사부(41 내지 45)의 광 강도를 결정하여, 광 강도 데이터(L)를 작성한다. 광 강도 데이터(L)는, 예를 들어 구획 영역(8)마다, 광조사부(41 내지 45)의 출력을 기입한 것이다. 광조사부(41 내지 45)의 광 강도와 온도의 변화량과의 관계는 미리 파악되어 있으며, 광의 강도는 제로인 경우도 포함한다. 이 예에서는, 웨이퍼(W)의 외주측의 구획 영역은 중심측의 구획 영역보다도 면적이 넓기 때문에, 광조사부(41 내지 45)로부터 동일한 출력으로 광을 조사하면, 외주측의 구획 영역에서는 승온의 정도가 작아진다. 따라서, 예를 들어 광조사부(41 내지 45)마다, 온도의 변화량과 광 강도(출력)와의 변화량과의 관계를 파악하여, 광 강도 데이터(L)가 작성된다.
이렇게 해서, 웨이퍼(W1)의 온도 측정 데이터(T1)로부터 광 강도 데이터(L1)를 작성하고, 기준 위치(R1)가 180도 내지 235도의 사이인 경우, 각 광조사부(41 내지 45)로부터, 광 강도 데이터(L1)에 기초해서 제어된 출력에 의해, 웨이퍼(W1)에 레이저광을 조사한다. 또한, 기준 위치(R1)가 240도 내지 295도의 사이인 경우, 웨이퍼(W2)의 온도 측정 데이터(T2)로부터 작성된 광 강도 데이터(L2)로부터, 조사 유닛(4)의 출력을 제어해서 웨이퍼(W2)를 가열한다. 마찬가지로, 기준 위치(R1)가 300도 내지 355도의 사이인 경우는 웨이퍼(W3), 기준 위치(R1)가 360도(0도) 내지 55도의 사이인 경우는 웨이퍼(W4), 기준 위치(R1)가 60도 내지 115도의 사이인 경우는 웨이퍼(W5), 기준 위치(R1)가 120도 내지 175도의 사이인 경우는 웨이퍼(W6)에 대하여 각각 조사 유닛(4)의 출력을 제어해서 가열한다.
이와 같이, 회전 테이블(2)을 회전에 의해 웨이퍼(W)가 온도 측정부(5)를 통과할 때마다, 당해 웨이퍼(W)의 온도 분포를 검출해서 온도 측정 데이터(T)를 취득하고, 이 온도 측정 데이터(T)에 대응하는 웨이퍼(W)가 조사 유닛(4)의 가열 영역을 통과할 때, 조사 유닛(4)의 광 강도를 제어한다. 이렇게 해서, 회전 테이블(2)의 회전을 계속함으로써, 점차 웨이퍼(W)의 온도 분포가, 목표가 되는 온도 분포, 즉 산형의 동심원 형상의 온도 분포에 접근해 간다. 여기에서 말하는 동심원 형상이란, 웨이퍼(W)의 중심부로부터 주연에 이르기까지의 온도 분포가 둘레 방향에서 서로 근사하고 있는 경우도 포함하며, 일반적인 동심원보다도 넓은 의미를 가리키고 있다. 이상에서는, 모식 모델을 사용해서 설명했지만, 실제로는, 조사 유닛(4) 및 온도 측정부(5)는 설계상 적절히 배치된다.
그리고, 웨이퍼(W)에 동심원 형상의 온도 분포가 형성된 상태에서, 회전 테이블(2)을 예를 들어 평면에서 볼 때 시계 방향으로 회전하는 한편, 분리 가스 노즐(32, 35) 및 중심부 영역(C)으로부터 소정의 유량으로 N2 가스를 공급하고, 원료 가스 노즐(31), 산화 가스 노즐(33)로부터 예를 들어 Si 함유 가스, O3 가스 및 O2 가스, 플라즈마 발생용 가스 노즐(34)로부터 Ar 가스 및 O2 가스를 각각 공급한다.
온도 분포가 형성되어 있는 웨이퍼(W)는, 원료 가스 노즐(31)의 하방의 제1 처리 영역(P1)과 산화 가스 노즐(33)의 하방의 제2 처리 영역(P2)을 교대로 반복해서 통과한다. 그에 의해, 웨이퍼(W)에의 Si 함유 가스의 흡착과, 흡착된 Si 함유 가스의 산화에 의한 SiO2의 분자층의 형성으로 이루어지는 사이클이 반복해서 행하여져, 이 분자층이 적층된다. 또한, 고주파 전원(64)으로부터 고주파 전력을 공급함으로써, 플라즈마 발생용 가스 노즐(34)로부터 토출되는 가스가, 자계에 의해 활성화되어, 플라즈마가 생성된다. 그리고, 이 플라즈마가 웨이퍼(W)의 표면에 충돌함으로써, 분자층으로부터 불순물이 방출되고, 원소의 재배열이 일어나, 막의 치밀화(고밀도화)가 도모된다.
이 ALD의 사이클이 행하여지고 있는 동안에, 예를 들어 웨이퍼(W)의 온도 측정 데이터(T)의 취득과, 이 온도 측정 데이터(T)에 기초하여 광 강도가 제어된 상태에서의 조사 유닛(4)에 의한 가열을 행한다. 이렇게 해서, 웨이퍼(W)의 면 내에는, 예를 들어 웨이퍼(W)의 중심측에서는 주연측에 비해 온도가 높은 동심원 형상의 온도 분포가 형성되어 있음으로써, 웨이퍼(W)의 중심측에서는 주연측에 비해 Si 함유 가스의 흡착량이 많아져, 1 사이클로 형성되는 SiO2의 분자층의 두께가 커진다. 그러한 분자층이 상기와 같이 적층됨으로써, 중심측의 막 두께가 주연측의 막 두께보다도 큰 동심원 형상의 막 두께 분포로 SiO2막이 형성된다.
진공 용기(11) 내에서는, 분리 영역에 공급된 분리 가스인 N2 가스가, 당해 분리 영역을 둘레 방향으로 확대되어, 회전 테이블(2) 상에서 원료 가스와 산화 가스가 혼합되는 것을 방지한다. 또한, 중심부 영역(C)에 공급된 N2 가스가 회전 테이블(2)의 내외 방향 외측에 공급되어, 중심부 영역(C)에서의 원료 가스와 산화 가스와의 혼합을 방지할 수 있다. 또한, 이 사이클이 행하여질 때는, 상술한 바와 같이 히터 유닛(18)의 수납 공간 및 회전 테이블(2)의 이면측에도 N2 가스가 공급되어, 원료 가스 및 산화 가스가 퍼지된다.
이렇게 해서, 웨이퍼(W)의 면내 각 부가 원하는 막 두께로 되면, 분리 가스 노즐(32, 35) 및 중심부 영역(C)에의 N2 가스의 공급량이 저하되고, 가스 노즐(31, 33)로부터 처리 가스의 공급이 정지된다. 그리고, 히터 유닛(18) 및 조사 유닛(4)에 의한 웨이퍼(W)의 가열, 온도 측정부(5)에 의한 웨이퍼(W)의 온도 분포의 검출, 안테나(61)에의 고주파 전력의 공급, 회전 테이블(2)의 회전을 정지한다. 계속해서, 소정의 시간 경과 후, 게이트 밸브(17)를 개방해서 승강 핀의 승강과 회전 테이블(2)의 간헐적인 회전과의 협동에 의해, 진공 용기(11) 내에 진입한 반송 기구(29)에 순차적으로 각 웨이퍼(W)를 전달하여, 진공 용기(11)로부터 반출한다.
이 성막 장치(1)에 의하면, 회전 테이블(2)에 의해 웨이퍼(W)를 공전시키면서 당해 웨이퍼(W)에 대하여 처리 가스를 공급해서 성막 처리를 행함에 있어서, 히터 유닛(18)에 의해 웨이퍼(W)를 가열함과 함께, 회전 테이블(2)의 내외 방향을 따라서 광 강도를 조정할 수 있는 조사 유닛(4)에 의해, 웨이퍼(W)를 보조적으로 가열하고 있다. 조사 유닛(4)은, 온도 측정부(5)에서 웨이퍼(W)에 있어서의 회전 테이블(2)의 내외 방향을 따른 온도 분포를 검출해서 얻은 온도 측정 데이터와, 목표로 하는 온도 분포에 대응하는 데이터와, 회전 테이블(2)의 회전 방향의 위치 검출값에 기초하여, 그 내외 방향의 광 강도가 조정된다. 이 때문에, 조사 유닛(4)으로부터, 회전 테이블(2)의 회전 방향의 위치에 대응하여, 회전 테이블(2)의 내외 방향을 따라서 광 강도가 제어된 광이 조사되므로, 웨이퍼(W)에 있어서의 내외 방향의 온도를 목표로 하는 온도 분포로 조정할 수 있고, 예를 들어 동심원 형상의 온도 분포를 형성할 수 있다. 따라서, 예를 들어 동심원 형상의 온도 분포를 형성한 경우에는, 이미 설명한 바와 같이 동심원 형상의 막 두께 분포를 확보할 수 있다.
또한, 복수매의 웨이퍼(W)에 대하여 개별로 온도 분포를 검출하고, 조사 유닛(4)에 의한 가열도 웨이퍼(W)에 대하여 개별로 행하므로, 웨이퍼(W)마다 온도 분포의 미세 조정이 가능하여, 회전 테이블(2) 상의 모든 웨이퍼(W)의 온도 분포를 목표로 하는 온도 분포로 조정할 수 있다. 또한, 회전 테이블(2)을 회전시켜, 동일한 웨이퍼(W)에 대하여 복수회, 온도 분포의 검출과, 조사 유닛(4)에 의한 가열을 행하는 경우에는, 복수회의 가열에 의해 웨이퍼(W)의 온도를 목표값까지 상승시키면 되므로, 소출력의 조사 유닛(4)을 사용해서 목표 온도로 조정할 수 있다.
계속해서, 본 발명의 다른 실시 형태에 대해서 설명한다. 이 실시 형태가 상술한 실시 형태와 상이한 점은, 보조 가열 기구가, 회전 테이블(2)의 내외 방향을 따라서 이동 가능한 광조사부로 이루어지는 것이다. 예를 들어 도 11에 도시한 바와 같이, 이 예의 보조 가열 기구(9)는, 예를 들어 1개의 광조사부(91)를 구비하고, 이 광조사부가 이동 기구(92)에 의해, 내외 방향으로 이동 가능하게 구성되어 있다. 그 밖의 구성은, 제1 실시 형태와 마찬가지이다.
예를 들어 광조사부(91)는, 이동 기구(92)에 의해, 도 11에 도시한 바와 같이, 내외 방향으로 5개의 구획 영역에 대응하는 위치에 순차적으로 배치된다. 이 예에서는, 회전 테이블(2)을 회전시켜, 온도 측정부(5)를 통과할 때마다 웨이퍼(W1 내지 W6)의 온도 분포를 순차적으로 검출하여, 각각의 온도 측정 데이터(T)를 취득한다. 그리고, 예를 들어 온도 조정 개시 후의 1회전째는, 광조사부(91)를 내외 방향의 가장 내측의 위치에 배치해서 웨이퍼(W1 내지 W6)를 가열하고, 2회전째는 광조사부(91)를 내외 방향의 내측으로부터 2번째의 위치에 배치해서 웨이퍼(W1 내지 W6)를 가열한다. 이렇게 해서, 회전 테이블(2)의 1회전마다 광조사부(91)를 회전 테이블(2)의 내외 방향으로 이동시키면서, 웨이퍼(W1 내지 W6)를 가열함으로써, 웨이퍼(W1 내지 W6)에 원하는 온도 분포가 형성된다.
또한, 도 12에 도시한 바와 같이, 예를 들어 광조사부(93)로부터의 광을 반사부(94)에 의해 반사시켜, 웨이퍼(W)에 조사하여도 된다. 이 예에서는 광조사부(93)를 고정해서 설치함과 함께, 반사부(94)의 각도를 조정함으로써, 반사된 광이 예를 들어 내외 방향의 5개의 구획 영역에 대응하는 위치에 순차적으로 조사되도록 구성되어 있다. 이 예에서도, 도 11에 도시하는 예와 마찬가지로, 회전 테이블(2)의 1회전마다 반사부(94)의 각도를 조정하여, 반사된 광을 회전 테이블(2)의 내외 방향으로 이동시키면서, 웨이퍼(W1 내지 W6)를 가열함으로써, 웨이퍼(W1 내지 W6)에 원하는 온도 분포가 형성된다. 단, 여기에 기재한 방법은 일례이며, 광조사부의 형상이나 온도 조정 시의 광조사부의 이동의 방법은 적절히 선택 가능하다.
이상에서, 조사 유닛(4)에 의한 가열은, 온도 측정부(5)에 의해 측정해서 얻어진 온도 측정 데이터와, 목표로 하는 온도 분포에 대응하는 데이터와, 회전 테이블(2)의 회전 방향의 위치 검출값에 기초해서 제어되면 되며, 이미 설명한 제어 방법에 한정되지는 않는다. 또한, 조사 유닛(4) 및 온도 측정부(5)의 형상이나 설치 위치는, 상술한 예에 한정되는 것이 아니라 적절히 선택 가능하며, 원료 가스나 산화 가스가 공급되는 영역에 설치하여도 된다. 또한, 온도 측정부(5)는, 조사 유닛(4)으로부터의 광의 조사를 방해하지 않는 위치라면, 조사 유닛(4)의 회전 방향의 상류측 또는 하류측에 접근해서 설치하여도 된다. 또한, 조사 유닛(4)의 형상에 대해서는, 회전 테이블(2)의 내외 방향의 광 강도를 제어할 수 있는 구성이면 된다. 또한, 해상도의 저하를 억제하기 위해서는, 조사 형상이 회전 테이블(2)의 내외 방향으로 신장되는 가늘고 긴 광원을 사용하는 것이 바람직하다. 또한, 보조 가열 기구를 복수의 광조사부에 의해 형성하는 경우에는, 그 개수는 상술한 예에 한정되지 않고, 조사 유닛(4)의 광조사부는 레이저 발광기 대신에 플래시 램프이어도 된다.
또한, 웨이퍼(W)에 형성되는 온도 분포에 대해서는, 반드시 동심원 형상인 것에 한정되지는 않고, 동심원 형상의 온도 분포에는, 웨이퍼(W)의 중심에 가까운 영역의 온도가 외주에 가까운 영역의 온도보다도 낮은, 유발형의 온도 분포도 포함된다. 또한, 웨이퍼의 구획 영역은, 회전 테이블의 내외 방향을 따라서 구획된 복수의 구획 영역이라면, 상술한 예에 한정되지 않는다.
또한, 조사 유닛(4)에서 웨이퍼(W)의 온도의 미세 조정을 행하는 동안에는, ALD의 사이클을 행하는 동안보다도, 회전 테이블의 회전 속도는 작게 해도 된다. 또한, ALD의 사이클의 실행 중에는, 조사 유닛(4)에의 전력 공급을 정지하고, 히터 유닛(18)만에 의해 진공 용기(11) 내를 가열하도록 해도 된다. 또한, 온도 측정부(5)는, 서모 뷰어 이외에 회전 테이블에 매립한 열전쌍 등이어도 된다. 또한, 예를 들어 서모 뷰어로 이루어지는 온도 측정부의 주위에 광조사부를 설치하는 구성과 같이, 온도 측정부와 보조 가열 기구를 일체로 구성하여도 된다. 또한 미러 등을 사용해서 서모 뷰어의 촬상 범위에 광조사부의 광로가 겹치는 구조를 채용해도 된다. 이러한 경우에는, 예를 들어 온도 측정부에 의한 웨이퍼의 온도 분포의 검출을 소정의 타이밍에서 실시하고, 계속해서, 이 검출값에 기초한 광 강도로 보조 가열 기구로부터 광을 조사하도록 제어된다. 광을 조사하는 타이밍은, 웨이퍼의 온도 분포의 검출 직후이어도 되고, 온도 분포를 검출하고 나서 회전 테이블의 회전에 의해, 온도 분포를 검출한 웨이퍼가 다시 보조 가열 기구의 하방측에 위치하는 타이밍이어도 된다. 예를 들어 1회전째에서 웨이퍼(W)에 광을 조사하고, 다음 2회전째에서 웨이퍼(W)의 온도를 측정하고, 다음 3회전째에서 온도 측정의 결과에 기초하여 광조사부를 제어한다는 방법을 채용할 수 있다.
일례로서, SiO2막의 형성에 대해서 설명했지만, 웨이퍼(W)에 형성하는 막으로서는 SiO2에 한정되지 않는다. 예를 들어, 원료 가스로서 상기 Si 함유 가스 대신에 예를 들어 티타늄메틸펜탄디오나토비스테트라메틸헵탄디오나토(Ti(MPD)(THD))) 가스 등의 Ti(티타늄) 함유 가스를 사용하고, 산화 가스로서 O3 가스를 사용해서 TiO2(산화티타늄)막을 형성해도 된다. 또한, 플라즈마에 의한 막의 치밀화를 위한 기구는 반드시 필요한 것은 아니다. 또한, 본 발명은 기판의 면내 온도에 따라 당해 기판에의 처리 가스의 흡착량을 조정할 수 있는 것에 적용할 수 있다. 따라서, 본 발명은 ALD에 의해 성막을 행하는 성막 장치에 적용하는 것에 한정되지는 않고, CVD에 의해 성막을 행하는 장치에도 적용할 수 있다. 또한, 본 발명은 각형의 기판을 처리하는 경우에도 적용할 수 있다.
(평가 시험)
앞서 서술한 성막 장치(1)에 있어서, 조사 유닛을 제1 광조사부와 제2 광조사부의 2개의 광조사부(레이저 발광기)에 의해 구성하였다. 제1 광조사부를 웨이퍼(W)의 회전 테이블(2)의 중심부측의 외측 테두리로부터 30mm 정도 내측에 광을 조사하는 위치, 제2 광조사부를 웨이퍼(W)의 중심부에 광을 조사하는 위치에 각각 배치하고, 서모 뷰어로 이루어지는 온도 측정부(5)에서 웨이퍼 온도를 검출하였다. 회전 테이블(2)의 회전수는 20rpm, 진공 용기(11) 내의 압력은 260Pa로 하고, 히터 유닛(18)에 의해 웨이퍼(W)를 400℃로 승온한 후, 온도 측정부(5)에 의해 온도의 검출을 개시하였다.
이 웨이퍼(W)의 온도 측정 결과를 도 13에 도시한다. 도 13 중 종축은, 웨이퍼(W)의 온도, 횡축은, 웨이퍼(W) 상의 직경 방향의 위치이다. 또한, 점선은, 광조사부에 의한 가열을 개시하기 전의 데이터, 일점 쇄선은, 제2 광조사부의 출력이 37.5W인 데이터, 실선은, 제2 광조사부의 출력이 75W인 데이터를 각각 나타내고 있다. 제1 광조사부의 출력은 30W이다.
그 결과, 제1 및 제2 광조사부에 의해 웨이퍼(W)의 온도 분포가 변화하는 것이 확인되었고, 또한 제2 광조사부의 출력을 바꿈으로써 온도 분포를 조정할 수 있음이 확인되었다. 이에 의해, 광조사부의 개수나 설치 개소, 출력의 제어에 의해, 원하는 온도 분포를 형성할 수 있음이 이해된다. 또한, 75W의 출력에 의해, 400℃의 웨이퍼(W)에 +6℃의 온도 조정을 할 수 있음이 확인되었고, 실제로 광을 조사함으로써 웨이퍼(W)가 가열되고, 미소 가열에 의한 온도 제어가 유효한 것이 확인되었다.
W : 웨이퍼 1 : 성막 장치
11 : 진공 용기 18 : 히터 유닛
2 : 회전 테이블 22 : 회전 기구
31 : 원료 가스 노즐 4 : 조사 유닛
41 내지 45 : 광조사부 5 : 온도 측정부
7 : 제어부 8 : 구획 영역

Claims (10)

  1. 진공 용기 내에서, 회전 테이블의 일면측에 배치된 기판을 상기 회전 테이블에 의해 공전시켜, 상기 회전 테이블 상의 기판의 통과 영역에 처리 가스를 공급해서 기판에 대하여 성막 처리하는 기판 처리 장치로서,
    상기 기판을 가열하는 주 가열 기구와,
    상기 회전 테이블 상의 기판의 통과 영역과 대향하도록 설치되고, 기판의 흡수 파장 영역의 광 조사에 의해 기판을 가열해서 상기 기판의 온도 분포를 조정하기 위해, 회전 테이블의 내외 방향을 따라서 광 강도를 조정할 수 있도록 구성된 보조 가열 기구와,
    상기 기판에 있어서의 상기 회전 테이블의 내외 방향을 따른 온도 분포를 검출하는 온도 측정부와,
    상기 회전 테이블의 회전 방향의 위치를 검출하는 위치 검출부와,
    상기 온도 측정부에 의해 측정해서 얻어진 온도 측정 데이터와 기판의 목표로 하는 온도 분포에 대응하는 데이터와 상기 위치 검출부에서 검출한 위치 검출값에 기초하여, 상기 온도 측정 데이터에 대응하는 기판이 상기 보조 가열 기구에 의한 가열 영역을 통과할 때, 상기 보조 가열 기구의 광 강도를 제어하는 제어부를 포함하는 기판 처리 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 온도 측정부는, 상기 보조 가열 기구에 대하여 회전 테이블의 둘레 방향으로 떨어진 위치에 설치되는, 기판 처리 장치.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 보조 가열 기구는, 상기 회전 테이블의 내외 방향을 따라서 배치되고, 각각 독립적으로 광 강도를 조정할 수 있는 복수의 광조사부로 이루어지는, 기판 처리 장치.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 보조 가열 기구는, 조사되는 광이 상기 회전 테이블의 내외 방향을 따라서 이동 가능한 광조사부로 이루어지는, 기판 처리 장치.
  5. 제4항에 있어서,
    상기 광조사부는, 상기 회전 테이블의 내외 방향을 따라서 이동 가능한, 기판 처리 장치.
  6. 제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 온도 측정 데이터는, 회전 테이블의 내외 방향을 따라서 구획된 상기 기판의 복수의 구획 영역의 각각과 상기 복수의 구획 영역의 각각의 온도에 대응하는 평가값을 대응지은 데이터이며,
    상기 기판의 목표로 하는 온도 분포에 대응하는 데이터는, 상기 복수의 구획 영역의 각각과 목표 온도에 대응하는 목표값을 대응지은 데이터인, 기판 처리 장치.
  7. 제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 기판의 목표로 하는 온도 분포는, 기판의 중심에 가까운 영역과 외주에 가까운 영역과의 사이에서 온도가 서로 다른 분포인, 기판 처리 장치.
  8. 진공 용기 내에서, 회전 테이블의 일면측에 배치된 기판을 상기 회전 테이블에 의해 공전시켜, 상기 회전 테이블 상의 기판의 통과 영역에 처리 가스를 공급해서 기판에 대하여 성막 처리하는 기판 처리 장치를 사용하는 기판 처리 방법으로서,
    상기 기판 처리 장치는, 상기 회전 테이블 상의 기판의 통과 영역과 대향하도록 설치되고, 기판의 흡수 파장 영역의 광 조사에 의해 기판을 가열해서 상기 기판의 온도 분포를 조정하기 위해, 회전 테이블의 내외 방향을 따라서 광 강도를 조정할 수 있도록 구성된 보조 가열 기구를 포함하고,
    상기 기판 처리 방법은,
    상기 기판을 주 가열 기구에 의해 가열하는 공정과,
    온도 측정부에 의해, 기판에 있어서의 상기 회전 테이블의 내외 방향을 따른 온도 분포를 검출하는 공정과,
    위치 검출부에 의해 상기 회전 테이블의 회전 방향의 위치를 검출하는 공정과,
    상기 온도 측정부에 의해 측정해서 얻어진 온도 측정 데이터와 기판의 목표로 하는 온도 분포에 대응하는 데이터와 상기 위치 검출부에서 검출한 위치 검출값에 기초하여, 상기 온도 측정 데이터에 대응하는 기판이 상기 보조 가열 기구에 의한 가열 영역을 통과할 때, 상기 보조 가열 기구의 광 강도를 제어하는 공정
    을 포함하는 기판 처리 방법.
  9. 제8항에 있어서,
    상기 온도 측정 데이터는, 회전 테이블의 내외 방향을 따라서 구획된 상기 기판의 복수의 구획 영역의 각각과 상기 복수의 구획 영역의 각각의 온도에 대응하는 평가값을 대응지은 데이터이며,
    상기 기판의 목표로 하는 온도 분포에 대응하는 데이터는, 상기 복수의 구획 영역의 각각과 목표 온도에 대응하는 목표값을 대응지은 데이터인, 기판 처리 방법.
  10. 진공 용기 내에서, 회전 테이블의 일면측에 배치된 기판을 상기 회전 테이블에 의해 공전시켜, 상기 회전 테이블 상의 기판의 통과 영역에 처리 가스를 공급해서 기판에 대하여 성막 처리하는 기판 처리 장치에 사용되는 컴퓨터 프로그램을 기억하는 기억 매체로서,
    상기 컴퓨터 프로그램은, 제8항 또는 제9항에 기재된 기판 처리 방법을 컴퓨터와 결합하여 실행하도록 스텝 군이 짜여져 있는 기억 매체.
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20200035876A (ko) * 2018-09-27 2020-04-06 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 성막 장치 및 온도 제어 방법
WO2021096126A1 (ko) * 2019-11-11 2021-05-20 주성엔지니어링(주) 기판처리장치
WO2021150047A1 (ko) * 2020-01-23 2021-07-29 주성엔지니어링(주) 기판처리장치 및 기판처리장치의 분사모듈

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6584355B2 (ja) * 2016-03-29 2019-10-02 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法
JP7175119B2 (ja) * 2018-07-25 2022-11-18 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置、および基板処理方法
JP7202106B2 (ja) * 2018-08-31 2023-01-11 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理方法および基板処理装置
CN111413002A (zh) * 2019-01-08 2020-07-14 日新离子机器株式会社 基板温度测定装置和半导体制造装置
JP7446650B1 (ja) 2023-06-05 2024-03-11 株式会社シー・ヴィ・リサーチ 原子層堆積装置及び原子層堆積方法

Citations (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH11145073A (ja) * 1997-11-06 1999-05-28 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 熱処理装置および熱処理方法
JP2009004410A (ja) * 2007-06-19 2009-01-08 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 熱処理装置
KR20090086608A (ko) * 2006-12-25 2009-08-13 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 성막 장치 및 성막 방법
KR20100056393A (ko) * 2008-11-19 2010-05-27 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 기판 위치 검출 장치, 기판 위치 검출 방법, 성막 장치, 성막 방법 및 컴퓨터 판독 가능 기억 매체
JP2010245448A (ja) 2009-04-09 2010-10-28 Tokyo Electron Ltd 成膜装置、成膜方法及び記憶媒体
KR20130007150A (ko) * 2011-06-29 2013-01-18 세메스 주식회사 기판처리장치
JP2014017331A (ja) 2012-07-06 2014-01-30 Tokyo Electron Ltd 成膜装置及び成膜方法
JP2014022653A (ja) 2012-07-20 2014-02-03 Tokyo Electron Ltd 成膜装置及び成膜方法
JP2014138076A (ja) 2013-01-16 2014-07-28 Tokyo Electron Ltd 成膜方法及び成膜装置
JP2015070095A (ja) 2013-09-27 2015-04-13 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置及び基板処理方法

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4886570A (en) * 1987-07-16 1989-12-12 Texas Instruments Incorporated Processing apparatus and method
JPH07201753A (ja) * 1993-12-29 1995-08-04 Nippon Steel Corp 薄膜製造方法およびその装置
US5980194A (en) * 1996-07-15 1999-11-09 Applied Materials, Inc. Wafer position error detection and correction system
US6188050B1 (en) * 1999-03-25 2001-02-13 Karta Technologies, Inc. System and method for controlling process temperatures for a semi-conductor wafer
JP2007149774A (ja) * 2005-11-24 2007-06-14 Sharp Corp 気相成長装置
JP5434484B2 (ja) * 2009-11-02 2014-03-05 東京エレクトロン株式会社 成膜装置、成膜方法及び記憶媒体
WO2012139006A2 (en) * 2011-04-07 2012-10-11 Veeco Instruments Inc. Metal-organic vapor phase epitaxy system and process
JP5630379B2 (ja) * 2011-05-26 2014-11-26 東京エレクトロン株式会社 温度測定装置、温度測定方法、記憶媒体及び熱処理装置

Patent Citations (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH11145073A (ja) * 1997-11-06 1999-05-28 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 熱処理装置および熱処理方法
KR20090086608A (ko) * 2006-12-25 2009-08-13 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 성막 장치 및 성막 방법
JP2009004410A (ja) * 2007-06-19 2009-01-08 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 熱処理装置
KR20100056393A (ko) * 2008-11-19 2010-05-27 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 기판 위치 검출 장치, 기판 위치 검출 방법, 성막 장치, 성막 방법 및 컴퓨터 판독 가능 기억 매체
JP2010245448A (ja) 2009-04-09 2010-10-28 Tokyo Electron Ltd 成膜装置、成膜方法及び記憶媒体
KR20130007150A (ko) * 2011-06-29 2013-01-18 세메스 주식회사 기판처리장치
JP2014017331A (ja) 2012-07-06 2014-01-30 Tokyo Electron Ltd 成膜装置及び成膜方法
JP2014022653A (ja) 2012-07-20 2014-02-03 Tokyo Electron Ltd 成膜装置及び成膜方法
JP2014138076A (ja) 2013-01-16 2014-07-28 Tokyo Electron Ltd 成膜方法及び成膜装置
JP2015070095A (ja) 2013-09-27 2015-04-13 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置及び基板処理方法

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20200035876A (ko) * 2018-09-27 2020-04-06 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 성막 장치 및 온도 제어 방법
WO2021096126A1 (ko) * 2019-11-11 2021-05-20 주성엔지니어링(주) 기판처리장치
WO2021150047A1 (ko) * 2020-01-23 2021-07-29 주성엔지니어링(주) 기판처리장치 및 기판처리장치의 분사모듈
TWI829994B (zh) * 2020-01-23 2024-01-21 南韓商周星工程股份有限公司 用於處理基板之設備及用於處理基板之設備的噴射模組

Also Published As

Publication number Publication date
US9790597B2 (en) 2017-10-17
JP6547650B2 (ja) 2019-07-24
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KR102171645B1 (ko) 2020-10-29
US20170226639A1 (en) 2017-08-10

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