WO2021150047A1 - 기판처리장치 및 기판처리장치의 분사모듈 - Google Patents

기판처리장치 및 기판처리장치의 분사모듈 Download PDF

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Abstract

본 발명은 처리공간을 제공하는 챔버; 상기 챔버의 상부를 덮는 리드; 적어도 하나의 기판을 지지하고, 회전축을 중심으로 회전하는 기판지지부; 상기 기판지지부의 회전축을 기준으로 하는 직경방향의 상측에 배치되어서 처리가스를 분사하는 가스분사부; 및 상기 직경방향으로부터 이격된 측정위치에서 상기 직경방향에 대해 평행하거나 소정의 각도를 갖는 방향으로 기울어지게 배치되어서 상기 기판지지부에 지지된 기판 또는 기판지지부의 온도를 측정하는 측정부를 포함하는 기판처리장치 및 기판처리장치의 분사모듈에 관한 것이다.

Description

기판처리장치 및 기판처리장치의 분사모듈
본 발명은 기판에 대한 증착공정, 식각공정 등과 같은 처리공정을 수행하는 기판처리장치에 관한 것이다.
일반적으로, 태양전지(Solar Cell), 반도체 소자, 평판 디스플레이 등을 제조하기 위해서는 기판 상에 소정의 박막층, 박막 회로 패턴, 또는 광학적 패턴을 형성하여야 한다. 이를 위해, 기판에 특정 물질의 박막을 증착하는 증착공정, 감광성 물질을 사용하여 박막을 선택적으로 노출시키는 포토공정, 선택적으로 노출된 부분의 박막을 제거하여 패턴을 형성하는 식각공정 등과 같은 기판에 대한 처리공정이 이루어진다. 이러한 기판에 대한 처리공정은 기판처리장치에 의해 이루어진다.
종래 기술에 따른 기판처리장치는 기판을 지지하는 기판지지부, 및 상기 기판지지부를 향해 처리가스를 분사하는 가스분사부를 포함한다. 상기 기판지지부는 회전축을 중심으로 회전한다. 상기 기판지지부가 회전축을 중심으로 회전함에 따라, 상기 기판지지부에 지지된 기판은 상기 가스분사부의 하측을 통과하게 된다. 이 과정에서 상기 가스분사부가 분사한 처리가스를 이용하여 기판에 대한 처리공정이 이루어진다.
이러한 처리공정은 기판의 온도가 중요한 요소로 작용한다. 기판의 온도를 처리공정에 반영하기 위해, 종래에는 처리공정을 수행하기 이전에 열전대 웨이퍼(TC Wafer, Thermocouple Wafer)를 이용하여 기판의 온도분포를 획득하였다.
종래 기술에 따른 기판처리장치는 처리공정을 수행하는 동안에 기판의 온도분포를 획득할 수 없었으므로, 처리공정을 수행하기 이전에 획득된 기판의 온도분포를 이용하여 기판의 온도분포를 예측함으로써 처리공정을 수행하였다. 그러나 처리공정을 수행하는 동안에 발생하는 많은 변수로 인해, 기예측된 기판의 온도분포와 처리공정을 수행하는 동안에 실제 기판의 온도분포는 상당한 차이가 발생할 수밖에 없다. 이러한 차이로 인해, 종래 기술에 따른 기판처리장치는 처리공정이 완료된 기판의 품질에 대한 균일성을 확보하기 어려운 문제가 있었다.
본 발명은 상술한 바와 같은 문제점을 해결하고자 안출된 것으로, 처리공정이 완료된 기판의 품질에 대한 균일성을 향상시킬 수 있는 기판처리장치 및 기판처리장치의 분사모듈을 제공하기 위한 것이다.
상술한 바와 같은 과제를 해결하기 위해서, 본 발명은 하기와 같은 구성을 포함할 수 있다.
본 발명에 따른 기판처리장치는 처리공간을 제공하는 챔버; 상기 챔버의 상부를 덮는 리드; 적어도 하나의 기판을 지지하고, 회전축을 중심으로 회전하는 기판지지부; 상기 기판지지부의 회전축을 기준으로 하는 직경방향의 상측에 배치되어서 처리가스를 분사하는 가스분사부; 및 상기 직경방향으로부터 이격된 측정위치에서 상기 직경방향에 대해 평행하거나 소정의 각도를 갖는 방향으로 기울어지게 배치되어서 상기 기판지지부에 지지된 기판 또는 기판지지부의 온도를 측정하는 측정부를 포함할 수 있다.
본 발명에 따른 기판처리장치의 분사모듈은 기판에 대한 처리공정이 이루어지는 챔버의 내부에 처리가스를 분사하기 위한 분사홀; 상기 분사홀이 복수개 형성된 분사본체; 및 상기 분사홀들로부터 이격된 위치에서 상기 분사본체를 관통하여 형성된 측정홀을 포함할 수 있다. 상기 분사홀들 중에서 일부의 분사홀들은 상기 챔버의 내부에서 기판을 지지한 상태로 회전하는 기판지지부의 회전축을 기준으로 하는 직경방향을 따라 나란하게 배치될 수 있다. 상기 측정홀은 상기 직경방향을 따라 나란하게 배치된 분사홀들로부터 이격됨과 아울러 상기 직경방향에 대해 평행하거나 소정의 각도를 갖는 방향으로 기울어지게 배치될 수 있다.
본 발명에 따르면, 다음과 같은 효과를 도모할 수 있다.
본 발명은 기판에 대한 처리공정이 이루어지는 동안에 기판의 온도 또는 기판지지부의 온도를 측정할 수 있도록 구현된다. 이에 따라, 본 발명은 처리공정이 완료된 기판의 품질에 대한 균일성을 향상시킬 수 있다.
본 발명은 가스분사부가 직경방향에 배치된 상태를 유지할 수 있으면서도 측정부가 가스분사부에 대한 간섭이 감소되는 측정위치에서 기판의 온도 또는 기판지지부의 온도를 측정할 수 있도록 구현된다. 이에 따라, 본 발명은 측정위치에 배치된 측정부를 이용하여 기판의 온도 또는 기판지지부의 온도를 측정함으로써 처리공정이 이루어지는 동안에 기판의 온도분포를 획득할 수 있을 뿐만 아니라, 직경방향에 배치된 가스분사부를 이용하여 기판에 대한 처리공정의 안정성을 확보할 수 있다.
도 1은 본 발명에 따른 기판처리장치의 개략적인 측단면도
도 2 및 도 3은 본 발명에 따른 기판처리장치에 있어서 가스분사부의 실시예를 나타낸 개략적인 평면도
도 4는 본 발명에 따른 기판처리장치에 있어서 측정홀을 통해 기판의 온도를 측정하는 과정을 나타낸 개념적인 평면도
도 5 내지 도 8은 본 발명에 따른 기판처리장치에 있어서 측정부가 배치되는 측정위치의 실시예를 나타낸 개념적인 평면도
도 9 및 도 10은 본 발명에 따른 기판처리장치에 있어서 측정홀이 가스분사부에 형성된 실시예를 나타낸 개념적인 평단면도
도 11은 본 발명에 따른 기판처리장치의 개략적인 블록도
도 12는 본 발명에 따른 기판처리장치에 있어서 변환모듈이 비원형의 검출이미지를 원형의 검출이미지로 변환하는데 이용하는 요소들을 설명하기 위한 개념도
도 13은 비원형의 검출이미지에 대한 일례를 나타낸 도면
도 14는 원형의 검출이미지에 대한 일례를 나타낸 도면
이하에서는 본 발명에 따른 기판처리장치의 실시예를 첨부된 도면을 참조하여 상세히 설명한다. 본 발명에 따른 기판처리장치의 분사모듈은 본 발명에 따른 기판처리장치에 포함될 수 있으므로, 본 발명에 따른 기판처리장치의 실시예를 설명하면서 함께 설명한다. 한편, 도 1은 도 5 내지 도 8에 도시된 측정선을 단면선으로 하여 나타낸 측단면도이다.
도 1을 참고하면, 본 발명에 따른 기판처리장치(1)는 기판(100)에 대한 처리공정을 수행하는 것이다. 상기 기판(100)은 유리기판, 실리콘기판, 메탈기판 등일 수 있다. 본 발명에 따른 기판처리장치(1)는 상기 기판(100)에 박막을 증착하는 증착공정, 상기 기판(100)에 증착된 박막의 일부를 제거하는 식각공정 등과 같은 처리공정을 수행할 수 있다. 이하에서는 본 발명에 따른 기판처리장치(1)가 상기 증착공정을 수행하는 실시예를 기준으로 설명하지만, 이로부터 본 발명에 따른 기판처리장치(1)가 상기 식각공정 등과 같이 다른 처리공정을 수행하는 실시예를 도출하는 것은 본 발명이 속하는 기술분야에 속하는 당업자에게 자명할 것이다.
본 발명에 따른 기판처리장치(1)는 기판지지부(2), 리드(3), 가스분사부(4), 및 측정부(5)를 포함할 수 있다.
도 1을 참고하면, 상기 기판지지부(2)는 상기 기판(100)을 지지하는 것이다. 상기 기판지지부(2)는 상기 처리공정이 이루어지는 처리공간을 제공하는 챔버(1a)의 내부에 결합될 수 있다. 상기 처리공간은 상기 기판지지부(2)와 상기 리드(3)의 사이에 배치될 수 있다. 상기 챔버(1a)에는 기판출입구(미도시)가 결합될 수 있다. 상기 기판(100)들은 로딩장치(미도시)에 의해 상기 기판출입구를 통과하여 상기 챔버(1a)의 내부로 반입될 수 있다. 상기 처리공정이 완료되면, 상기 기판(100)들은 언로딩장치(미도시)에 의해 상기 기판출입구를 통과하여 상기 챔버(1a)의 외부로 반출될 수 있다. 상기 챔버(1a)에는 상기 처리공간에 존재하는 가스 등을 외부로 배기시키기 위한 배기부(1b)가 결합될 수 있다.
상기 기판지지부(2)는 회전축(2a)을 중심으로 회전할 수 있다. 상기 기판지지부(2)가 상기 회전축(2a)을 중심으로 회전함에 따라, 상기 기판지지부(2)에 지지된 기판(100)은 상기 회전축(2a)을 중심으로 회전하면서 상기 가스분사부(4)의 하측을 통과하게 된다. 이 과정에서 상기 가스분사부(4)가 분사한 처리가스에 의해 상기 기판(100)에 대한 처리공정이 이루어질 수 있다. 상기 기판지지부(2)는 적어도 하나의 기판(100)을 지지할 수 있다. 상기 기판지지부(2)가 복수개의 기판(100)을 지지하는 경우, 상기 기판(100)들은 상기 회전축(2a)을 중심으로 하여 서로 이격되도록 배치될 수 있다. 상기 기판지지부(2)에는 회전력을 제공하는 회전장치(미도시)가 결합될 수 있다.
도 1 내지 도 3을 참고하면, 상기 리드(3)는 상기 챔버(1a)의 상부를 덮는 것이다. 상기 리드(3)는 상기 기판지지부(2)로부터 상측으로 이격되어 배치될 수 있다. 도 2와 도 3에는 상기 리드(3)가 육각형 구조로 형성된 것으로 도시되어 있으나, 이에 한정되지 않으며 상기 리드(3)는 팔각형 등과 같은 다각형 구조, 원통형 구조, 또는 타원형 구조 등으로 형성될 수도 있다. 상기 챔버(1a)는 상기 리드(3)에 대응되는 형태로 형성될 수 있다.
도 1 내지 도 3을 참고하면, 상기 가스분사부(4)는 상기 기판지지부(2)를 향해 처리가스를 분사하는 것이다. 상기 가스분사부(4)는 상기 리드(3)에 결합될 수 있다. 도시되지 않았지만, 상기 가스분사부(4)는 상기 리드(3)와 상기 기판지지부(2)의 사이에 배치되도록 상기 챔버(1a)에 결합될 수도 있다.
상기 가스분사부(4)는 제1가스를 분사하는 제1가스분사모듈(41), 및 제2가스를 분사하는 제2가스분사모듈(42)을 포함할 수 있다. 상기 제1가스는 소스가스(Source Gas)이고, 상기 제2가스는 반응가스(Reactant Gas)일 수 있다. 상기 제1가스분사모듈(41)과 상기 제2가스분사모듈(42)은 상기 회전축(2a)을 중심으로 하여 서로 이격되게 배치될 수 있다. 이에 따라, 상기 기판지지부(2)가 상기 회전축(2a)을 중심으로 회전하면, 상기 기판(100)이 상기 회전축(2a)을 중심으로 회전하면서 상기 제1가스분사모듈(41)의 하측과 상기 제2가스분사모듈(42)의 하측을 순차적으로 통과하게 된다. 이에 따라, 상기 제1가스와 상기 제2가스를 이용하여 상기 기판(100)에 대한 처리공정이 이루어질 수 있다. 상기 가스분사부(4)는 상기 제1가스분사모듈(41)을 복수개 포함할 수도 있다. 상기 가스분사부(4)는 상기 제2가스분사모듈(42)을 복수개 포함할 수도 있다.
상기 가스분사부(4)는 퍼지가스를 분사하는 퍼지가스 분사모듈(43)을 포함할 수 있다. 상기 퍼지가스 분사모듈(43)은 상기 퍼지가스를 분사함으로써, 상기 제1가스가 분사된 제1영역과 상기 제2가스가 분사된 제2영역을 구획할 수 있다. 이에 따라, 상기 퍼지가스 분사모듈(43)은 상기 제1영역과 상기 제2영역 간에 상기 제1가스와 상기 제2가스가 서로 혼합되는 것을 방지할 수 있다. 상기 기판지지부(2)가 상기 회전축(2a)을 중심으로 회전하면, 상기 기판(100)이 상기 회전축(2a)을 중심으로 회전하면서 상기 퍼지가스 분사모듈(43)의 하측을 통과하게 된다. 이 과정에서 상기 기판(100) 상에 남아있는 잔여가스가 상기 퍼지가스에 의해 퍼지될 수도 있다. 도 2에 도시된 바와 같이 상기 퍼지가스 분사모듈(43)은 상기 제1가스분사모듈(41)과 상기 제2가스분사모듈(42)의 사이를 가로지르는 아령(Dumbbell) 형태로 형성될 수 있다. 도 3에 도시된 바와 같이 상기 퍼지가스 분사모듈(43)은 와이(Y)자 형태로 형성될 수도 있다. 도시되지 않았지만, 상기 퍼지가스 분사모듈(43)은 상기 제1가스분사모듈(41)의 개수, 상기 제2가스분사모듈(42)의 개수 등에 따라 다양한 형태로 형성될 수 있다. 상기 가스분사부(4)는 상기 퍼지가스 분사모듈(43)을 복수개 포함할 수도 있다.
도 1 내지 도 8을 참고하면, 상기 가스분사부(4)는 상기 기판지지부(2)의 회전축(2a)을 기준으로 하는 직경방향의 상측에 배치되어서 처리가스를 분사할 수 있다. 상기 직경방향은 상기 회전축(2a)을 지나는 방향을 의미한다. 예컨대, 도 5 내지 도 8에 도시된 바와 같이 상기 회전축(2a)을 지나는 직경선(RL)들 각각이 상기 직경방향으로 배치된 것일 수 있다. 도 5 내지 도 8에는 상기 회전축(2a)을 중심으로 하여 방사방향으로 연장된 4개의 직경선(RL)들만이 도시되어 있으나, 이에 한정되지 않으며 상기 회전축(2a)을 중심으로 하여 방사방향으로 연장되는 모든 직경선(RL)이 상기 직경방향으로 배치된 것일 수 있다.
도 1 내지 도 8을 참고하면, 상기 측정부(5)는 상기 기판지지부(2)에 지지된 기판(100)의 온도를 측정하는 것이다. 상기 측정부(5)는 상기 기판지지부(2)의 온도를 측정할 수도 있다. 이 경우, 상기 기판지지부(2)의 온도는 상기 기판(100)에 의해 가려지지 않은 상기 기판지지부(2)의 부분과 상기 기판(100)의 온도를 포함하는 것이다. 이하에서 상기 기판지지부(2)의 온도를 측정하는 것은, 상기 기판(100)에 의해 가려지지 않은 상기 기판지지부(2)의 부분과 상기 기판(100)의 온도를 포함하는 것으로 이해하여야 한다. 상기 측정부(5)는 측정위치에 배치될 수 있다. 상기 측정위치는 상기 직경방향으로부터 이격된 위치로, 상기 직경방향에 대해 평행하거나 소정의 각도를 갖는 방향으로 기울어지게 배치된 위치를 의미한다. 예컨대, 도 5 내지 도 7에 도시된 바와 같이 상기 측정위치는 상기 직경선(RL)으로부터 이격됨과 아울러 상기 직경선(RL)에 대해 평행하게 배치된 측정선(AL) 상에 배치될 수 있다. 도 8에 도시된 바와 같이 상기 측정위치는 상기 직경선(RL)으로부터 이격됨과 아울러 상기 직경선(RL)에 대해 소정의 각도를 갖는 방향으로 기울어지게 배치된 측정선(AL) 상에 배치될 수 있다. 이에 따라, 본 발명에 따른 기판처리장치(1)는 상기 가스분사부(4)가 상기 직경방향에 배치된 상태를 유지할 수 있으면서도 상기 측정부(5)가 상기 가스분사부(4)에 대한 간섭을 감소시킬 수 있는 위치에서 상기 기판(100)의 온도를 측정할 수 있도록 구현된다. 상기 기판지지부(2)는 상기 기판(100)이 상기 가스분사부(4)의 하측을 통과하도록 회전하는 과정에서 상기 기판(100)이 상기 측정부(5)의 하측을 통과하도록 회전할 수 있다. 따라서, 본 발명에 따른 기판처리장치(1)는 상기 직경방향에 배치된 가스분사부(4)를 이용하여 상기 기판(100)에 대한 처리공정의 안정성을 확보할 수 있을 뿐만 아니라, 상기 측정위치에 배치된 측정부(5)를 이용하여 상기 기판(100)의 온도 또는 상기 기판지지부(2)의 온도를 측정함으로써 상기 처리공정이 이루어지는 동안에 상기 기판(100)의 온도분포를 획득할 수 있다. 이에 따라, 본 발명에 따른 기판처리장치(1)는 상기 측정부(5)를 이용하여 획득한 상기 기판(100)의 온도분포를 따라 공정조건을 변경하는 것이 가능하므로, 상기 처리공정이 완료된 기판의 품질에 대한 균일성을 향상시킬 수 있다.
여기서, 상기 측정부(5)가 상기 직경방향으로부터 이격됨과 아울러 상기 직경방향에 대해 소정의 각도를 갖는 방향으로 기울어지게 배치된 경우, 소정의 각도는 도 8에 도시된 바와 같이 상기 직경선(RL)으로부터 이격되어서 평행하게 배치된 이격선(SL)을 기준으로 기울어진 경사각(ALA)을 의미할 수 있다. 상기 경사각(ALA)은 0도 보다 크고 45도 이하일 수 있다. 상기 경사각(ALA)이 45도를 초과하는 경우 상기 측정부(5)가 상기 기판(100) 전체의 온도를 측정하기 위해 길이가 과다하게 증가할 수 있으므로, 본 발명에 따른 기판처리장치(1)는 상기 경사각(ALA)을 45도 이하가 되도록 구현될 수 있다.
상기 측정부(5)는 복수개의 직경선(RL)들 중에서 어느 하나의 직경선(RL)으로부터 이격된 측정위치에서 상기 직경방향에 대해 평행하거나 소정의 각도를 갖는 방향으로 기울어지게 배치되어서 상기 기판지지부(2)에 지지된 기판(100) 또는 상기 기판지지부(2)의 온도를 측정할 수 있다. 도 5에는 상기 측정부(5)가 대각선으로 배치된 직경선(RL)으로부터 이격됨과 아울러 해당 직경선(RL)에 대해 평행한 측정선(AL) 상에 배치된 것으로 도시되어 있다. 도 6과 도 7에는 상기 측정부(5)가 수평으로 배치된 직경선(RL)으로부터 이격됨과 아울러 해당 직경선(RL)에 대해 평행한 측정선(AL) 상에 배치된 것으로 도시되어 있다. 도 8에는 상기 측정부(5)가 수평으로 배치된 직경선(RL)으로부터 이격됨과 아울러 해당 직경선(RL)에 대해 소저으이 각도로 기울어진 측정선(AL) 상에 배치된 것으로 도시되어 있다. 그러나, 이러한 실시예들에 한정되지 않으며 상기 측정부(5)는 상기 가스분사부(4)에 대한 간섭을 감소시킬 수 있으면서 상기 기판(100) 또는 상기 기판지지부(2)의 온도를 측정할 수 있는 다양한 위치에 배치될 수 있다. 이 경우, 상기 측정부(5)는 상기 기판지지부(2)의 회전에 의해 상기 기판(100)이 회전하는 회전경로의 상측에 배치될 수 있다.
상기 측정부(5)는 측정기구(51), 및 측정홀(52)을 포함할 수 있다.
*상기 측정기구(51)는 상기 기판(100)의 온도 또는 상기 기판지지부(2)의 온도를 측정하여 온도데이터를 획득하는 것이다. 상기 기판지지부(2)는 상기 기판(100)이 상기 측정기구(51)의 하측을 통과하도록 상기 회전축(2a)을 중심으로 회전할 수 있다. 이에 따라, 상기 측정기구(51)는 상기 측정홀(52)의 하측을 통과하는 상기 기판(100)의 온도 또는 상기 측정홀(52)의 하측을 통과하는 상기 기판지지부(2)의 온도를 측정하여 온도데이터를 획득할 수 있다. 이 경우, 상기 측정기구(51)는 상기 기판(100)의 부분들 또는 상기 기판지지부(2)의 부분들에 대한 온도데이터를 순차적으로 획득함으로써, 상기 기판(100) 전체 또는 상기 기판지지부(2) 전체에 대한 온도분포를 획득할 수 있다. 따라서, 상기 측정기구(51)는 상기 처리공정이 이루어지는 동안에 상기 기판(100)의 온도분포를 획득할 수 있다. 상기 측정기구(51)는 적외선(IR, Infrared ray)을 이용하여 온도를 측정하는 라인스캐너(Line Scanner)일 수 있다.
상기 측정기구(51)는 상기 측정홀(52)의 하측을 통과하는 상기 기판(100)의 온도 또는 상기 측정홀(52)의 하측을 통과하는 상기 기판지지부(2)의 온도를 측정할 수 있다. 이에 따라, 상기 측정기구(51)는 상기 처리공간의 외부에 배치되더라도, 상기 측정홀(52)을 통해 상기 처리공간의 내부에 위치한 상기 기판(100)의 온도 또는 상기 기판지지부(2)의 온도를 측정할 수 있다. 상기 측정기구(51)는 상기 측정홀(52)의 상측에 배치될 수 있다.
상기 측정홀(52)은 상기 직경방향으로부터 이격된 상기 측정위치에 배치될 수 있다. 이에 따라, 상기 측정홀(52)은 상기 가스분사부(4)에 대한 간섭을 감소시키도록 배치될 수 있다. 상기 측정기구(51)가 상기 측정홀(52)의 상측에 배치되므로, 상기 측정기구(51) 또한 상기 가스분사부(4)에 대한 간섭을 감소시키도록 배치될 수 있다.
상기 측정홀(52)은 상기 직경방향으로부터 이격된 상기 측정위치에서 상기 직경방향에 대해 평행하거나 소정의 각도를 갖는 방향으로 기울어지게 배치될 수 있다. 이에 따라, 상기 측정기구(51)는 상기 측정홀(52)을 통해 상기 측정홀(52)의 하측을 통과하는 상기 기판(100)의 부분들 또는 상기 기판지지부(2)의 부분들에 대한 온도데이터를 순차적으로 획득함으로써, 상기 기판(100) 전체에 대한 온도분포를 획득할 수 있다. 이 경우, 상기 측정홀(52)은 상기 직경방향에 대해 평행하게 연장된 방향으로 상기 기판(100)의 직경에 비해 더 긴 길이로 형성될 수 있다. 즉, 상기 측정홀(52)은 상기 측정선(AL)을 따라 상기 기판(100)의 직경에 비해 더 긴 길이로 형성될 수 있다. 상기 측정홀(52)은 상기 기판(100)이 상기 회전축(2a)을 중심으로 회전하는 방향을 기준으로 하여 상기 기판(100)의 직경에 비해 더 짧은 길이로 형성될 수 있다. 상기 측정홀(52)은 전체적으로 사각형의 슬릿(Slit) 형태, 상기 직경방향에 대해 평행하게 연장된 장공(長孔) 형태 등으로 형성될 수 있다.
도 1 내지 도 9를 참고하면, 상기 측정홀(52)은 상기 가스분사부(4)에 형성될 수 있다. 상기 측정홀(52)은 상기 가스분사부(4)가 갖는 분사모듈(40, 도 9에 도시됨)들 중에서 적어도 하나에 형성될 수 있다. 상기 분사모듈(40)은 상기 제1가스분사모듈(41), 상기 제2가스분사모듈(42), 및 상기 퍼지가스 분사모듈(43) 중에서 적어도 하나일 수 있다. 상기 측정홀(52)이 형성된 상기 분사모듈(40)이 본 발명에 따른 기판처리장치의 분사모듈에 해당할 수 있다.
상기 분사모듈(40)은 분사본체(40a), 및 복수개의 분사홀(40b)을 포함할 수 있다.
상기 분사본체(40a)는 상기 기판지지부(2)의 상측에 배치되는 것이다. 상기 분사본체(40a)는 상기 리드(3)에 결합될 수 있다. 상기 분사본체(40a)는 처리가스 공급부(미도시)에 연결될 수 있다.
상기 분사홀(40b)들은 상기 분사본체(40a)에 형성될 수 있다. 상기 처리가스 공급부가 공급한 처리가스는 상기 분사본체(40a)의 내부를 따라 유동하다가 상기 분사홀(40b)들을 통해 상기 기판지지부(2) 쪽으로 분사될 수 있다. 상기 분사홀(40b)들은 서로 이격된 위치에 배치될 수 있다. 이에 따라, 처리가스는 상기 분사홀(40b)들을 통해 상기 기판(100)의 서로 다른 부분으로 분사될 수 있다.
이 경우, 상기 측정홀(52)은 상기 분사홀(40b)들로부터 이격된 위치에서 상기 분사본체(40a)를 관통하여 형성될 수 있다. 상기 측정홀(52)은 상기 분사홀(40b)들 중에서 상기 직경방향을 따라 나란하게 배치된 분사홀(40b)들로부터 이격됨과 아울러 상기 직경방향에 대해 평행하거나 소정의 각도를 갖는 방향으로 기울어지게 배치될 수 있다. 이에 따라, 상기 측정홀(52)은 상기 분사홀(40b)들에 대한 간섭을 감소시킬 수 있도록 배치되면서도 상기 측정기구(51)가 상기 기판(100)의 부분들 또는 상기 기판지지부(2)의 부분들에 대한 온도데이터를 순차적으로 획득하여 상기 기판(100) 전체에 대한 온도분포를 획득할 수 있도록 구현된다. 상기 직경방향을 따라 나란하게 배치된 분사홀(40b)들은 도 9에 도시된 바와 같이 상기 직경선(RL) 상에 배치된 분사홀(40b)들을 의미한다.
상기 측정홀(52)은 상기 기판지지부(2)에 지지된 기판(100)이 상기 회전축(2a)을 중심으로 회전하는 방향을 기준으로 하여 상기 분사본체(40a)의 일측과 상기 분사본체(40a)의 타측 각각으로부터 서로 다른 거리로 이격된 위치에 형성될 수 있다. 즉, 상기 측정홀(52)은 상기 분사본체(40a)의 일측과 상기 분사본체(40a)의 타측 중에서 어느 한쪽으로 치우진 위치에 형성될 수 있다. 이에 따라, 상기 측정홀(52)은 상기 분사홀(40b)들에 대한 간섭을 감소시키도록 배치될 수 있다. 한편, 상기 직경선(RL) 상에 배치된 분사홀(40b)들과 상기 측정홀(52) 사이에는 상기 분사홀(40b)들이 추가적으로 배치될 수도 있다.
도 1 및 도 10을 참고하면, 상기 측정홀(52)은 상기 퍼지가스 분사모듈(43)에 형성될 수 있다. 이 경우, 상기 측정홀(52)이 상기 제1가스분사모듈(41) 또는 제2가스분사모듈(42)에 형성된 제1실시예와 대비할 때, 상기 측정홀(52)이 상기 퍼지가스 분사모듈(43)에 형성된 제2실시예는 상기 측정홀(52)로 인해 상기 처리공정에 미치는 영향을 더 감소시킬 수 있다. 상기 제1가스분사모듈(41)과 상기 제2가스분사모듈(42)이 분사하는 가스는 상기 처리공정에 직접 관여하는 것이나, 상기 퍼지가스 분사모듈(43)이 분사하는 퍼지가스는 상기 처리공정에 직접 관여하는 것이 아니기 때문이다. 예컨대, 상기 제1가스분사모듈(41)과 상기 제2가스분사모듈(42)이 소스가스와 반응가스를 분사하는 경우, 소스가스와 반응가스는 상기 기판(100)에 대한 증착공정에 직접 관여하는 것이나, 상기 퍼지가스 분사모듈(43)이 분사하는 퍼지가스는 상기 증착공정에 직접 관여하는 것이 아니다. 따라서, 본 발명에 따른 기판처리장치(1)는 상기 측정홀(52)이 상기 퍼지가스 분사모듈(43)에 형성되도록 구현됨으로써, 상기 처리공정에 대한 안정성을 향상시킬 수 있고, 상기 처리공정이 완료된 기판의 품질을 향상시킬 수 있다.
상기 측정홀(52)은 상기 퍼지가스 분사모듈(43)이 갖는 퍼지가스 분사본체(430)를 관통하여 형성될 수 있다. 상기 측정기구(51)는 퍼지가스 분사모듈(43)의 상측에 배치될 수 있다. 상기 측정기구(51)는 상기 측정홀(52)의 상측에 배치되어서 상기 측정홀(52)을 통해 상기 기판(100)의 온도를 측정할 수 있다.
상기 측정홀(52)은 상기 퍼지가스 분사모듈(43)이 갖는 복수개의 퍼지분사홀(431)들 중에서 상기 직경방향을 따라 나란하게 배치된 퍼지분사홀(431)들로부터 이격됨과 아울러 상기 직경방향에 대해 평행하게 배치될 수 있다. 도시되지 않았지만, 상기 측정홀(52)은 상기 퍼지가스 분사모듈(43)이 갖는 복수개의 퍼지분사홀(431)들 중에서 상기 직경방향을 따라 나란하게 배치된 퍼지분사홀(431)들로부터 이격됨과 아울러 상기 직경방향에 대해 소정의 각도를 갖는 방향으로 기울어지게 배치될 수도 있다. 이에 따라, 상기 측정홀(52)은 상기 퍼지분사홀(431)들에 대한 간섭을 감소시키도록 배치되면서도 상기 측정기구(51)가 상기 기판(100)의 부분들 또는 상기 기판지지부(2)의 부분들에 대한 온도데이터를 순차적으로 획득하여 상기 기판(100) 전체에 대한 온도분포를 획득할 수 있도록 구현된다. 상기 직경방향을 따라 나란하게 배치된 퍼지분사홀(431)들은 도 10에 도시된 바와 같이 상기 직경선(RL) 상에 배치된 퍼지분사홀(431)들을 의미한다.
도시되지 않았지만, 상기 측정홀(52)은 상기 리드(3)에 형성될 수도 있다. 이 경우, 상기 측정기구(51)는 상기 리드(3)의 상측에서 상기 측정홀(52)에 대응되는 위치에 배치될 수 있다. 상기 측정홀(52)은 상기 리드(3)를 관통하도록 형성될 수 있다. 이 경우, 상기 측정홀(52)은 상기 리드(3)에서 상기 가스분사부(4)가 배치되지 않는 부분에 형성될 수 있다.
도시되지 않았지만, 본 발명에 따른 기판처리장치(1)는 상기 측정홀(52)을 막도록 배치된 투명창을 포함할 수도 있다. 상기 측정기구(51)는 상기 투명창과 상기 측정홀(52)을 통해 상기 기판(100)의 온도 또는 상기 기판지지부(2)의 온도를 측정할 수 있다. 상기 처리공간의 내부가 진공인 상태에서 상기 처리공정이 이루어지는 경우, 상기 투명창은 상기 측정홀(52)을 막도록 배치됨으로써 상기 처리공간의 내부가 진공상태로 유지되도록 할 수 있다.
도 1 내지 도 14를 참고하면, 본 발명에 따른 기판처리장치(1)는 검출부(6)를 포함할 수 있다.
상기 검출부(6)는 상기 측정기구(51)가 획득한 온도데이터를 이용하여 상기 기판(100)의 온도분포를 검출하는 것이다. 상기 측정기구(51)가 획득한 온도데이터는 상기 기판(100)의 지점별 온도로 이루어질 수 있다. 상기 검출부(6)는 상기 측정기구(51)가 획득한 온도데이터를 복수개 이용하여 상기 기판(100) 전체에 대한 온도분포를 열화상 이미지로 생성할 수 있다. 열화상 이미지에는 상기 기판(100)의 지점별 온도가 그에 대응되는 색채로 표시될 수 있다. 색채에 따른 온도는 룩업테이블 형태의 저장데이터로 구현되어서 상기 검출부(6)에 미리 저장될 수 있다. 상기 측정기구(51)가 상기 기판지지부(2)의 온도를 측정하여 온도데이터를 획득한 경우, 상기 검출부(6)는 해당 온도데이터에서 상기 기판(100)에 대한 온도데이터를 추출한 후에 추출한 온도데이터를 이용하여 상기 기판(100)의 온도분포를 검출할 수 있다.
상기 검출부(6)는 생성모듈(61), 및 변환모듈(62)을 포함할 수 있다.
상기 생성모듈(61)은 상기 측정기구(51)가 획득한 온도데이터를 복수개 이용하여 상기 기판(100)의 온도분포를 나타내는 비원형의 검출이미지를 생성하는 것이다. 상기 비원형의 검출이미지는 상기 기판(100)의 지점별 온도가 색채로 표현된 열화상 이미지로 구현될 수 있다. 상기 생성모듈(61)은 상기 측정기구(51)가 획득한 온도데이터들로부터 상기 기판(100)의 지점별 온도를 확인하고, 상기 기판(100)의 지점별 온도와 상기 저장데이터를 매칭함으로써 상기 기판(100)의 온도분포가 색채로 표현된 상기 비원형의 검출이미지를 생성할 수 있다. 상기 비원형의 검출이미지는 원형이 아닌 형태로, 예컨대 도 13에 도시된 바와 같이 타원형의 검출이미지로 생성될 수 있다. 상기 기판(100)이 원형임에도 상기 비원형의 검출이미지가 생성되는 이유는, 상기 기판(100)이 상기 회전축(2a)을 중심으로 회전하는 과정에서 상기 측정기구(51)가 상기 기판(100)의 온도 또는 상기 기판지지부(2)의 온도를 측정하여 온도데이터를 획득할 뿐만 아니라, 상기 측정기구(51)가 상기 직경방향으로부터 이격된 상기 측정위치에서 상기 기판(100)의 온도를 측정하여 상기 온도데이터를 획득하기 때문이다. 한편, 상기 측정기구(51)가 획득한 온도데이터들은 유선통신, 무선통신 등을 통해 상기 생성모듈(61)에 제공될 수 있다.
상기 생성모듈(61)은 상기 온도데이터들의 획득에 이용된 상기 측정기구(51)의 측정시간과 상기 기판지지부(2)의 회전속도를 이용하여 상기 기판(100)의 1회전에 해당하는 온도분포를 나타내는 상기 비원형의 검출이미지를 생성할 수 있다. 이에 따라, 상기 기판지지부(2)에 복수개의 기판(100)이 안착됨과 아울러 상기 기판(100)들이 상기 회전축(2a)을 중심으로 복수회에 걸쳐 360도 회전하는 과정에서 상기 온도데이터들이 획득된 경우에도, 상기 생성모듈(61)은 상기 온도데이터들 중에서 동일한 기판(100)이 동일한 횟수의 회전 시에 속하는 온도데이터들로부터 상기 비원형의 검출이미지를 생성할 수 있다.
상기 변환모듈(62)은 상기 비원형의 검출이미지를 상기 기판(100)에 대응되는 원형의 검출이미지로 변환하는 것이다. 예컨대, 상기 변환모듈(62)은 도 13에 도시된 상기 비원형의 검출이미지를 도 14에 도시된 상기 원형의 검출이미지로 변환할 수 있다. 이에 따라, 작업자는 상기 원형의 검출이미지에 온도에 따라 색채로 구별되게 표시된 온도분포를 이용하여 상기 기판(100)의 온도분포를 확인할 수 있다. 따라서, 본 발명에 따른 기판처리장치(1)는 작업자에게 상기 기판(100)에 대응되는 상기 원형의 검출이미지를 제공함으로써, 상기 기판(100)의 온도분포를 확인하는 작업의 용이성을 향상시킬 수 있다. 도시되지 않았지만, 상기 변환모듈(62)은 상기 원형의 검출이미지를 디스플레이장치(미도시)에 제공할 수 있다. 한편, 상기 비원형의 검출이미지는 상기 생성모듈(61)로부터 유선통신, 무선통신 등을 통해 상기 변환모듈(62)에 제공될 수 있다.
상기 변환모듈(62)이 상기 비원형의 검출이미지를 상기 원형의 검출이미지로 변환하는 과정에서, 상기 변환모듈(62)은 상기 기판(100)이 상기 회전축(2a)을 중심으로 회전하는 과정에서 상기 측정기구(51)가 상기 기판(100)의 온도 또는 상기 기판지지부(2)의 온도를 측정하여 온도데이터를 획득한 것과 상기 측정기구(51)가 상기 직경방향으로부터 이격된 상기 측정위치에서 상기 기판(100)의 온도 또는 상기 기판지지부(2)의 온도를 측정하여 상기 온도데이터를 획득한 것을 고려할 수 있다.
이를 위해, 상기 변환모듈(62)은 상기 기판지지부(2)의 회전속도, 최단 이격거리(SD), 내측끼인각(IIA), 외측끼인각(OIA), 및 중간끼인각(MIA) 중에서 적어도 하나를 이용하여 상기 기판(100)의 지점별 좌표를 산출한 후에, 산출된 좌표에 따라 상기 비원형의 검출이미지를 상기 원형의 검출이미지로 변환할 수 있다.
상기 최단 이격거리(SD)는 상기 측정홀(52)이 상기 직경방향으로부터 이격된 거리 중에서 가장 짧은 거리를 의미한다. 예컨대, 상기 최단 이격거리(SD)는 상기 직경선(RL)과 상기 측정홀(52)이 서로 직선으로 이격된 거리를 의미할 수 있다. 상기 직경선(RL)은 상기 직경방향을 따라 연장된 가상의 선을 의미할 수 있다.
상기 내측끼인각(IIA)은 내측연결선(IL) 및 상기 직경선(RL) 간의 끼인각(Included Angle)을 의미한다. 상기 내측연결선(IL)은 상기 측정홀(52)의 내측단(52a)과 상기 회전축(2a)을 잇는 가상의 연결선을 의미한다. 상기 내측단(52a)은 상기 회전축(2a) 쪽을 향하는 상기 측정홀(52)의 부분을 의미한다. 상기 최단 이격거리(SD)에 대해 평행한 방향을 기준으로 하여, 상기 내측연결선(IL)은 상기 내측단(52a)의 중간지점과 상기 회전축(2a)을 잇는 가상의 연결선일 수 있다.
상기 외측끼인각(OIA)은 외측연결선(OL) 및 상기 직경선(RL) 간의 끼인각을 의미한다. 상기 외측연결선(OL)은 상기 측정홀(52)의 외측단(52b)과 상기 회전축(2a)을 잇는 가상의 연결선을 의미한다. 상기 외측단(52b)과 상기 내측단(52a)은 서로 마주보는 상기 측정홀(52)의 부분을 의미한다. 상기 최단 이격거리(SD)에 대해 평행한 방향을 기준으로 하여, 상기 외측연결선(OL)은 상기 외측단(52b)의 중간지점과 상기 회전축(2a)을 잇는 가상의 연결선일 수 있다.
상기 중간끼인각(MIA)은 중간연결선(ML) 및 상기 직경선(RL) 간의 끼인각을 의미한다. 상기 중간연결선(ML)은 상기 측정홀(52)의 중간단(52c)과 상기 회전축(2a)을 잇는 가상의 연결선을 의미한다. 상기 중간단(52c)은 상기 내측단(52a)과 상기 외측단(52b) 각각으로부터 동일한 거리로 이격된 상기 측정홀(52)의 부분을 의미한다. 상기 최단 이격거리(SD)에 대해 평행한 방향을 기준으로 하여, 상기 중간연결선(ML)은 상기 중간단(52c)의 중간지점과 상기 회전축(2a)을 잇는 가상의 연결선일 수 있다.
이와 같이, 상기 변환모듈(62)은 상기 기판지지부(2)의 회전속도, 상기 최단 이격거리(SD), 상기 내측끼인각(IIA), 상기 외측끼인각(OIA), 및 상기 중간끼인각(MIA) 중에서 적어도 하나를 이용하여 상기 기판(100)의 지점별 좌표를 산출한 후에, 산출된 좌표에 따라 상기 비원형의 검출이미지를 상기 원형의 검출이미지로 변환할 수 있다. 이 경우, 상기 기판(100)의 지점별 좌표는 실제 기판(100)을 기준으로 하는 절대좌표에 해당할 수 있다. 상기 기판(100)의 지점별 좌표가 산출되면, 상기 변환모듈(62)은 절대좌표에 맞게 상기 기판(100)의 지점별 온도를 이동시킴으로써, 상기 비원형의 검출이미지를 상기 원형의 검출이미지로 변환할 수 있다.
도 1 및 도 11을 참고하면, 본 발명에 따른 기판처리장치(1)는 상기 검출부(6)가 검출한 상기 기판(100)의 온도분포를 상기 처리공정에 대한 공정조건에 반영하도록 구현될 수 있다. 이 경우, 본 발명에 따른 기판처리장치(1)는 온도조절부(7)를 포함할 수 있다.
상기 온도조절부(7)는 상기 기판지지부(2)에 안착된 기판(100)의 온도를 조절하는 것이다. 상기 온도조절부(7)는 상기 기판지지부(2)의 온도를 조절함으로써, 상기 기판지지부(2)를 통해 상기 기판(100)의 온도를 조절할 수 있다. 이 경우, 상기 온도조절부(7)는 상기 기판지지부(2)의 내부에 설치될 수 있다. 도시되지 않았지만, 상기 온도조절부(7)는 전기를 이용하여 상기 기판(100)의 온도를 조절하도록 구현될 수 있다. 이 경우, 상기 온도조절부(7)는 전열히터로 구현될 수 있다. 도시되지 않았지만, 상기 온도조절부(7)는 온도조절용 유체를 이용하여 상기 기판(100)의 온도를 조절하도록 구현될 수도 있다. 이 경우, 상기 온도조절부(7)는 상기 기판지지부(2)의 내부에 설치된 관로, 상기 관로에 온도조절용 유체를 공급하는 펌프, 및 상기 펌프가 상기 관로로 공급하는 온도조절용 유체의 온도를 조절하는 조절유닛을 포함할 수 있다.
상기 온도조절부(7)는 상기 검출부(6)가 검출한 상기 기판(100)의 온도분포를 이용하여 상기 기판지지부(2)에 지지된 기판(100)의 온도를 기설정된 처리온도로 조절할 수 있다. 기설정된 처리온도는 상기 처리공정의 종류, 상기 기판(100)의 종류, 박막의 종류 등에 따라 변동될 수 있고, 작업자에 의해 미리 설정될 수 있다.
*한편, 상기 가스분사부(4)는 상기 검출부(6)가 검출한 상기 기판(100)의 온도분포를 이용하여 상기 기판지지부(2)에 지지된 기판(100)의 온도가 상기 처리온도로 조절될 때까지 상기 기판지지부(2)에 대한 가스의 분사를 중지할 수 있다. 상기 검출부(6)가 검출한 상기 기판(100)의 온도분포를 이용하여 상기 기판지지부(2)에 지지된 기판(100)의 온도가 상기 처리온도로 조절된 것을 확인하면, 상기 가스분사부(4)는 상기 기판지지부(2)에 대한 가스의 분사를 시작할 수 있다. 따라서, 본 발명에 따른 기판처리장치(1)는 처리공정이 완료된 기판의 품질에 대한 균일성을 향상시킬 수 있다.
이상에서 설명한 본 발명은 전술한 실시예 및 첨부된 도면에 한정되는 것이 아니고, 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 여러 가지 치환, 변형 및 변경이 가능하다는 것이 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 있어 명백할 것이다.

Claims (10)

  1. 처리공간을 제공하는 챔버;
    상기 챔버의 상부를 덮는 리드;
    적어도 하나의 기판을 지지하고, 회전축을 중심으로 회전하는 기판지지부;
    상기 기판지지부의 회전축을 기준으로 하는 직경방향의 상측에 배치되어서 처리가스를 분사하는 가스분사부; 및
    상기 직경방향으로부터 이격된 측정위치에서 상기 직경방향에 대해 평행하거나 소정의 각도를 갖는 방향으로 기울어지게 배치되어서 상기 기판지지부에 지지된 기판 또는 기판지지부의 온도를 측정하는 측정부를 포함하는 기판처리장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 가스분사부는 퍼지가스를 분사하는 퍼지가스 분사모듈을 포함하고,
    상기 측정부는 상기 퍼지가스 분사모듈의 상측에 배치된 측정기구, 및 상기 퍼지가스 분사모듈에 형성된 측정홀을 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 퍼지가스 분사모듈은 퍼지가스를 분사하는 복수개의 퍼지분사홀을 포함하고,
    상기 측정홀은 상기 퍼지분사홀들 중에서 상기 직경방향을 따라 나란하게 배치된 퍼지분사홀들로부터 이격됨과 아울러 상기 직경방향에 대해 평행하거나 소정의 각도를 갖는 방향으로 기울어지게 배치된 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  4. 제1항에 있어서, 상기 측정부는
    상기 직경방향으로부터 이격된 상기 측정위치에 배치됨과 아울러 상기 직경방향에 대해 평행하거나 소정의 각도를 갖는 방향으로 기울어지게 배치된 측정홀, 및
    상기 측정홀의 하측을 통과하는 기판의 온도 또는 상기 측정홀의 하측에 위치한 상기 기판지지부의 온도를 측정하여 온도데이터를 획득하는 측정기구를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  5. 제2항 또는 제4항에 있어서,
    상기 측정기구가 획득한 온도데이터를 이용하여 기판의 온도분포를 검출하는 검출부를 포함하고,
    상기 검출부는 상기 온도데이터를 이용하여 기판의 온도분포를 나타내는 비원형의 검출이미지를 생성하는 생성모듈, 및 상기 비원형의 검출이미지를 기판에 대응되는 원형의 검출이미지로 변환하는 변환모듈을 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  6. 제5항에 있어서, 상기 변환모듈은
    상기 기판지지부의 회전속도,
    상기 측정홀이 상기 직경방향으로부터 이격된 최단 이격거리,
    상기 측정홀의 내측단과 상기 회전축을 잇는 가상의 내측연결선 및 상기 직경방향을 따라 연장된 가상의 직경선 간의 내측끼인각,
    상기 측정홀의 외측단과 상기 회전축을 잇는 가상의 외측연결선 및 상기 직경선 간의 외측끼인각, 및
    상기 측정홀의 내측단과 상기 측정홀의 외측단 각각으로부터 동일한 거리로 이격된 중간단과 상기 회전축을 잇는 가상의 중간연결선 및 상기 직경선 간의 중간끼인각,
    중에서 적어도 하나를 이용하여 기판의 지점별 좌표를 산출한 후에, 산출된 좌표에 따라 상기 비원형의 검출이미지를 상기 원형의 검출이미지로 변환하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  7. 제4항에 있어서,
    상기 가스분사부는 처리가스를 분사하는 복수개의 분사모듈을 포함하고,
    상기 측정홀은 상기 분사모듈들 중에서 적어도 하나에 형성된 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  8. 제4항에 있어서,
    상기 측정홀은 상기 리드에 형성된 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  9. 기판에 대한 처리공정이 이루어지는 챔버의 내부에 처리가스를 분사하기 위한 분사홀;
    상기 분사홀이 복수개 형성된 분사본체; 및
    상기 분사홀들로부터 이격된 위치에서 상기 분사본체를 관통하여 형성된 측정홀을 포함하고,
    상기 분사홀들 중에서 일부의 분사홀들은 상기 챔버의 내부에서 기판을 지지한 상태로 회전하는 기판지지부의 회전축을 기준으로 하는 직경방향을 따라 나란하게 배치되며,
    상기 측정홀은 상기 직경방향을 따라 나란하게 배치된 분사홀들로부터 이격됨과 아울러 상기 직경방향에 대해 평행하거나 소정의 각도를 갖는 방향으로 기울어지게 배치된 것을 특징으로 하는 기판처리장치의 분사모듈.
  10. 제9항에 있어서,
    상기 측정홀은 상기 기판지지부에 지지된 기판이 상기 회전축을 중심으로 회전하는 방향을 기준으로 하여 상기 분사본체의 일측과 상기 분사본체의 타측 각각으로부터 서로 다른 거리로 이격된 위치에 형성된 것을 특징으로 하는 기판처리장치의 분사모듈.
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