TWI829994B - 用於處理基板之設備及用於處理基板之設備的噴射模組 - Google Patents

用於處理基板之設備及用於處理基板之設備的噴射模組 Download PDF

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Abstract

本發明係關於一種用於處理基板之設備及用於處理基板之設備的一種噴射模組。用於處理基板之設備包含一腔體、一蓋件、一基板支撐單元、一氣體噴射單元及一量測單元。腔體提供一處理空間。蓋件覆蓋腔體之一上部。基板支撐單元支撐至少一基板且繞著一旋轉軸旋轉。氣體噴射單元設置在相對於基板支撐單元之旋轉軸的一直徑方向上方，以噴出一處理氣體。量測單元在與直徑方向相間隔開之一量測位置量測由基板支撐單元所支撐之一基板的一溫度或基板支撐單元的一溫度。量測孔設置成平行於直徑方向，或設置成在相對於直徑方向具有一特定角度的一方向上傾斜。

Description

用於處理基板之設備及用於處理基板之設備的噴射模組
本發明係關於在基板上進行例如沉積程序及蝕刻程序等處理程序的一種基板處理設備。
一般而言，為了製造太陽能電池、半導體元件、平坦面板顯示器等，應於基板上形成薄膜層、薄膜電路圖案或光學圖案。為此，需要在基板上進行處理程序，處理程序例如包含：將包含特定材料之薄膜沉積於基板上的沉積程序、藉由使用光敏材料而使薄膜之一部分選擇性露出的光程序、將薄膜之選擇性露出的部分去除以形成一圖案的蝕刻程序等。此類處理程序係藉由基板處理設備在基板上進行。
根據先前技術之基板處理設備包含一基板支撐單元及將處理氣體噴向基板支撐單元的一氣體噴射單元。基板支撐單元繞著一旋轉軸旋轉。隨著基板支撐單元繞著旋轉軸旋轉，由基板支撐單元所支撐之基板會穿過氣體噴射單元下方之一區域。在此程序中，藉由使用由氣體噴射單元所噴射之處理氣體以在基板上進行處理程序。
在此種處理程序中，基板的溫度扮演重要的因素。在先前技術中，為了在處理程序中反映基板的溫度，會在進行處理程序之前藉由使用熱電偶（thermocouple，TC）晶圓來獲得基板的溫度分布。
根據先前技術之基板處理設備，無法在進行處理程序的同時獲得基板的溫度分布，因而藉由使用在進行處理程序之前獲得之基板的溫度分布所預測之基板的溫度分布來進行處理程序。然而，由於在進行處理程序的過程會發生許多變數，故在進行處理程序時，基板之預測溫度分布與基板之實際溫度分布之間不可避免地會發生相當大的差異。由於此種差異，根據先前技術之基板處理設備會有難以確保已完成處理程序之基板的品質均勻性等問題。
本發明用於解決上述問題，且用於提供一種基板處理設備及其噴射模組，其可提升已完成處理程序之基板的品質均勻性。
為了實現上述目的，本發明可包含以下元件。
根據本發明之基板處理設備可包含一腔體、一蓋件、一基板支撐單元、一氣體噴射單元及一量測單元。腔體提供一處理空間。蓋件覆蓋腔體之一上部。基板支撐單元支撐至少一基板且繞著一旋轉軸旋轉。氣體噴射單元設置在相對於基板支撐單元之旋轉軸的一直徑方向上方，以噴出一處理氣體。量測單元在與直徑方向相間隔開之一量測位置量測由基板支撐單元所支撐之一基板的一溫度或基板支撐單元的一溫度。量測單元設置成平行於直徑方向，或設置成在相對於直徑方向具有一特定角度的一方向上傾斜。
根據本發明之用於處理基板之設備的噴射模組可包含噴射孔、一噴射本體及一量測孔。噴射孔用於將一處理氣體噴進在一基板上進行一處理程序的一腔體。噴射孔以多個的方式形成在噴射本體。量測孔形成在與多個噴射孔相間隔開的位置以穿過噴射本體。多個噴射孔中之部分可沿相對於一基板支撐單元之一旋轉軸的一直徑方向並列設置，基板支撐單元支撐一基板且在腔體中旋轉。量測孔設置成與沿直徑方向並列設置的噴射孔相間隔開。量測孔設置成平行於直徑方向，或設置成在相對於直徑方向具有一特定角度的一方向上傾斜。
根據本發明，可獲得以下效果。
本發明在基板上進行處理程序時量測基板的溫度或基板支撐單元的溫度。因此，本發明可提升已完成處理程序之基板的品質均勻性。
本發明使氣體噴射單元維持在氣體噴射單元設置在直徑方向的狀態，且使量測單元在減少對氣體噴射單元之干擾的量測位置量測基板的溫度或基板支撐單元的溫度。因此，本發明可藉由使用設置在量測位置的量測單元來量測基板的溫度或基板支撐單元的溫度，且因此可在進行處理程序的同時獲得基板的溫度分布，進而可藉由使用設置在直徑方向之氣體噴射單元來確保在基板上進行處理程序的穩定性。
以下將參照所附圖式詳細描述根據本發明之基板處理設備之實施例。根據本發明之基板處理設備的噴射模組可含在根據本發明之基板處理設備中，因此將結合描述根據本發明之基板處理設備之實施例而一併描述。圖1係藉由使用圖5至圖8所示之量測線作為剖面線而繪示的側視剖面圖。
參照圖1，根據本發明之基板處理設備1在基板100上進行處理程序。基板100可為玻璃基板、矽基板或金屬基板等。根據本發明之基板處理設備1可進行例如將薄膜沉積在基板100上的沉積程序及將沉積在基板100上之薄膜之一部分去除的蝕刻程序等處理程序。以下，雖將主要描述根據本發明之基板處理設備1進行處理程序的實施例，但對於本發明所屬技術領域中具有通常知識者而言顯可據此推論出根據本發明之基板處理設備1進行例如蝕刻程序等另一處理程序的實施例。
根據本發明之基板處理設備1可包含一基板支撐單元2、一蓋件3、一氣體噴射單元4及一量測單元5。
參照圖1，基板支撐單元2支撐著基板100。基板支撐單元2可耦接至提供進行處理程序之處理空間的腔體1a之內部。處理空間可設置在基板支撐單元2與蓋件3之間。基板出入口（未繪示）可耦接至腔體1a。藉由裝載設備（未繪示），基板100可穿過基板出入口且可裝載進入腔體1a內。當處理程序已完成時，基板100可藉由卸載設備（未繪示）穿過基板出入口而可卸載至腔體1a外部。用於將在處理空間中之氣體排出的排氣單元1b可耦接至腔體1a。
基板支撐單元2可繞著旋轉軸2a旋轉。隨著基板支撐單元2繞著旋轉軸2a旋轉，由基板支撐單元2所支撐之基板100可穿過氣體噴射單元4下方之區域且同時繞著旋轉軸2a旋轉。在此程序中，藉由使用由氣體噴射單元4所噴射之處理氣體，可在基板100上進行處理程序。基板支撐單元2可支撐至少一基板100。在基板支撐單元2支撐多個基板100的情況下，此等基板100可設置成相對於旋轉軸2a而彼此相間隔開。提供旋轉力之旋轉裝置（未繪示）可耦接至基板支撐單元2。
參照圖1至圖3，蓋件3覆蓋腔體1a之上部。蓋件3可設置成與基板支撐單元2上側相間隔開。在圖2及圖3中，蓋件3繪示成六邊形結構，但不以此為限，亦可為八邊形結構等多邊形結構、圓形結構或橢圓形結構。腔體1a可為對應於蓋件3的形狀。
參照圖1至圖3，氣體噴射單元4將處理氣體噴向基板支撐單元2。氣體噴射單元4可耦接至蓋件3。雖未繪示，但氣體噴射單元4可耦接於腔體1a以使氣體噴射單元4設置於蓋件3與基板支撐單元2之間。
氣體噴射單元4可包含噴射第一氣體的第一氣體噴射模組41及噴射第二氣體的第二氣體噴射模組42。第一氣體可為原料氣體，第二氣體可為反應氣體。第一氣體噴射模組41及第二氣體噴射模組42可設置成相對於旋轉軸2a彼此相間隔開。因此，當基板支撐單元2繞著旋轉軸2a旋轉時，基板100可依序穿過第一氣體噴射模組41下方之區域及第二氣體噴射模組42下方之區域且同時繞著旋轉軸2a旋轉。因此，處理程序可藉由使用第一氣體及第二氣體而在基板100上進行。氣體噴射單元4可包含多個第一氣體噴射模組41。氣體噴射單元4可包含多個第二氣體噴射模組42。
氣體噴射單元4可包含噴射吹掃氣體（purge gas）的吹掃氣體噴射模組43。吹掃氣體噴射模組43可噴出吹掃氣體，因此可區分噴進第一氣體的第一區域及噴進第二氣體的第二區域。因此，吹掃氣體噴射模組43可防止第一氣體及第二氣體在第一區域與第二區域之間彼此混合。當基板支撐單元2繞著旋轉軸2a旋轉時，基板100可穿過吹掃氣體噴射模組43下方之區域且同時繞著旋轉軸2a旋轉。在此過程中，可藉由吹掃氣體來吹掃殘留在基板100上的殘留氣體。如圖2所示，吹掃氣體噴射模組43可為啞鈴形，其穿插在第一氣體噴射模組41與第二氣體噴射模組42之間。如圖3所示，吹掃氣體噴射模組43可為Y字形。雖未繪示，但吹掃氣體噴射模組43可基於第一氣體噴射模組41之數量及第二氣體噴射模組42之數量而為各種其他形狀。氣體噴射單元4可包含多個吹掃氣體噴射模組43。
參照圖1至圖8，氣體噴射單元4可設置在相對於基板支撐單元2之旋轉軸2a的直徑方向上方。所述直徑方向可意指穿過旋轉軸2a的方向。舉例而言，如圖5至圖8所示，穿過旋轉軸2a之直徑線RL可各設置在直徑方向。在圖5至圖8中，雖僅繪示相對於旋轉軸2a沿放射方向延伸的四條直徑線RL，但不以此為限，相對於旋轉軸2a沿放射方向延伸的所有直徑線RL皆可設置在直徑方向。
參照圖1至圖8，量測單元5量測由基板支撐單元2所支撐之基板100的溫度。量測單元5可量測基板支撐單元2的溫度。在此情況下，基板支撐單元2的溫度包含基板支撐單元2之未受基板100覆蓋之部分的溫度及基板100的溫度。以下，基板支撐單元2之溫度的量測，應理解成包含基板支撐單元2之未受基板100覆蓋之部分的溫度及基板100的溫度。量測單元5可設置在量測位置。量測位置係與直徑方向相間隔開的位置，且意指設置成平行於直徑方向或設置成在具有特定角度的方向上傾斜的位置。舉例而言，如圖5至圖7所示，量測位置可設置在與直徑線RL相間隔開且平行於直徑線RL的量測線AL上。如圖8所示，量測位置可設置在與直徑線RL相間隔開且在相對於直徑線RL具有特定角度的方向上傾斜的量測線AL上。因此，根據本發明之基板處理設備1使氣體噴射單元4維持在氣體噴射單元4設置在直徑方向的狀態，且使量測單元5在減少對氣體噴射單元4之干擾的量測位置量測基板100的溫度。基板支撐單元2可旋轉，而在基板100旋轉以穿過氣體噴射單元4下方之區域的程序中使基板100穿過量測單元5下方之區域。因此，根據本發明之基板處理設備1可藉由使用設置在直徑方向之氣體噴射單元4來確保在基板100上進行處理程序的穩定性，而且可藉由使用設置在量測位置的量測單元5來量測基板100的溫度或基板支撐單元2的溫度，從而在進行處理程序的同時獲得基板100的溫度分布。因此，根據本發明之基板處理設備1可基於由量測單元5所獲得之基板100的溫度分布而改變程序條件，從而提升已完成處理程序之基板100的品質均勻性。
於此，當量測單元5設置成與直徑方向相間隔開且在相對於直徑方向具有特定角度的方向上傾斜時，所述特定角度可如圖8所示，意指相對於設置成與直徑線RL相間隔且平行之分隔線SL傾斜的夾角ALA。夾角ALA可大於0度且為45度以下。在夾角ALA大於45度的情況下，長度可過度地增加，以使量測單元5量測基板100的整體溫度，因此根據本發明之基板處理設備1可實行成夾角ALA為45度以下。
量測單元5可在與多個直徑線RL之一者相間隔開的量測位置設置成平行於直徑方向，或設置成在具有特定角度的方向上傾斜，因此可量測由基板支撐單元2所支撐之基板100的溫度或基板支撐單元2的溫度。在圖5中，量測單元5設置在與斜向設置之直徑線RL相間隔開且平行於所述直徑線RL的量測線AL上。在圖6及圖7中，量測單元5設置在與水平設置之直徑線RL相間隔開且平行於所述直徑線RL的量測線AL上。在圖8中，量測單元5設置在與水平設置之直徑線RL相間隔開且相對於所述直徑線RL傾斜特定角度的量測線AL上。然而，不限於此等實施例，量測單元5可設置在用於減少對氣體噴射單元之干擾且量測基板100或基板支撐單元2之溫度的各種位置。在此情況下，量測單元5可設置在基板100基於基板支撐單元2之旋轉而旋轉的旋轉路徑上。
量測單元5可包含一量測機構51及一量測孔52。
量測機構51量測基板100的溫度或基板支撐單元2的溫度。基板支撐單元2可繞著旋轉軸2a旋轉，以使基板100穿過量測機構51下方之區域。因此，量測機構51可量測穿過量測孔52下方之區域之基板100的溫度或穿過量測孔52下方之區域之基板支撐單元2的溫度，以獲得溫度資料。在此情況下，量測機構51可依序獲得基板100之部分或基板支撐單元2之部分的溫度資料，因此可獲得基板100或基板支撐單元的整體溫度分布。因此，量測機構51可在進行處理程序的同時獲得基板100的溫度分布。量測機構51可為藉由使用紅外線（infrared ray，IR）來量測溫度的線掃描器（line scanner）。
量測機構51可量測穿過量測孔52下方之區域之基板100的溫度或穿過量測孔52下方之區域之基板支撐單元2的溫度。因此，即使量測機構51設置在處理空間之外部，量測機構51仍可經由量測孔52而量測位於處理空間中之基板100的溫度或基板支撐單元2的溫度。量測機構51可設置在量測孔52上。
量測孔52可設置在與直徑方向相間隔開的量測位置。因此，量測孔52可設置成減少對氣體噴射單元4之干擾。由於量測機構51設置在量測孔52上，故量測機構51亦可設置成減少對氣體噴射單元4之干擾。
量測孔52可在與直徑方向相間隔開的量測位置設置成平行於直徑方向，或設置成在相對於直徑方向具有特定角度的方向上傾斜。因此，量測機構51可經由量測孔52而依序獲得穿過量測孔52下方之區域的基板100之部分或基板支撐單元2之部分的溫度資料，因此可獲得基板100的整體溫度分布。在此情況下，量測孔52在沿平行於直徑方向延伸之方向上所具有的長度可大於基板100之直徑。亦即，量測孔52沿量測線AL所具有的長度可大於基板100之直徑。量測孔52相對於基板100繞著旋轉軸2a旋轉的方向所具有的長度可小於基板100之直徑。量測孔52可形成為整體四邊形的狹縫形狀，或沿直徑方向平行延伸的長孔形狀。
參照圖1至圖9，量測孔52可形成在氣體噴射單元4中。量測孔52可形成在氣體噴射單元4所包含之噴射模組40（如圖9所示）之至少一者中。噴射模組40可為第一氣體噴射模組41、第二氣體噴射模組42及吹掃氣體噴射模組43之至少一者。形成有量測孔52之噴射模組40可對應於根據本發明之基板處理設備的噴射模組。
噴射模組40可包含一噴射本體40a及多個噴射孔40b。
噴射本體40a設置在基板支撐單元2上。噴射本體40a可耦接至蓋件3。噴射本體40a可連接至處理氣體供應單元（未繪示）。
噴射孔40b可形成在噴射本體40a中。由處理氣體供應單元所供應之處理氣體可沿噴射本體40a之內部移動，且之後可經由噴射孔40b而噴向基板支撐單元2。噴射孔40b可設置在彼此相間隔開的位置。因此，處理氣體可經由噴射孔40b而噴向基板100之相異部分。
在此情況下，量測孔52可形成為在與噴射孔40b相間隔開的位置穿過噴射本體40a。量測孔52可設置成與在噴射孔40b中沿直徑方向並列設置的噴射孔40b相間隔開。量測孔52可設置成平行於直徑方向，或設置成在相對於直徑方向具有特定角度的方向上傾斜。因此，量測孔52設置成減少對噴射孔40b之干擾，且實行成使量測機構51依序獲得基板100之部分或基板支撐單元2之部分的溫度資料，以獲得基板100的整體溫度分布。如圖9所示，沿直徑方向並列設置的噴射孔40b意指設置在直徑線RL上的噴射孔40b。
量測孔52可形成在相對於由基板支撐單元2支撐之基板100繞著旋轉軸2a旋轉的方向分別與噴射本體40a之一側及噴射本體40a之另一側間隔相異距離的位置。亦即，量測孔52可形成在接近噴射本體40a之一側及噴射本體40a之另一側之一部分的位置。因此，量測孔52可設置成減少對噴射孔40b之干擾。而且，噴射孔40b可進一步設置於設置在直徑線RL上之噴射孔40b與量測孔52之間。
參照圖1及圖10，量測孔52可形成在吹掃氣體噴射模組43中。在此情況下，相較於量測孔52形成在第一氣體噴射模組41或第二氣體噴射模組42的第一實施例，量測孔52形成在吹掃氣體噴射模組43的第二實施例可更為減少量測孔52對處理程序的影響。其原因在於由第一氣體噴射模組41或第二氣體噴射模組42所噴射之氣體會直接影響處理程序，但吹掃氣體噴射模組43所噴射之吹掃氣體不會直接影響處理程序。舉例而言，在第一氣體噴射模組41及第二氣體噴射模組42噴射原料氣體及反應氣體的情況下，原料氣體及反應氣體會直接影響在基板100上所進行的沉積，但吹掃氣體噴射模組43所噴射之吹掃氣體不會直接影響沉積程序。因此，根據本發明之基板處理設備1實行成量測孔52形成在吹掃氣體噴射模組43中，因此可提升處理程序的穩定性，且可提升已完成處理程序之基板的品質均勻性。
量測孔52可形成為穿過吹掃氣體噴射模組43所包含之吹掃氣體噴射本體430。量測機構51可設置在吹掃氣體噴射模組43上。量測機構51可設置在量測孔52上，且可經由量測孔52而量測基板100的溫度。
量測孔52可設置成與在吹掃氣體噴射模組43所包含之多個吹掃噴射孔431中沿直徑方向並列設置的吹掃噴射孔431相間隔開，且設置成平行於直徑方向。雖未繪示，但量測孔52可設置成與在吹掃氣體噴射模組43所包含之多個吹掃噴射孔431中沿直徑方向並列設置的吹掃噴射孔431相間隔開，且設置成在相對於直徑方向具有特定角度的方向上傾斜。因此，量測孔52設置成減少對吹掃噴射孔431之干擾，且實行成使量測機構51依序獲得基板100之部分或基板支撐單元2之部分的溫度資料，以獲得基板100的整體溫度分布。如圖10所示，沿直徑方向並列設置的吹掃噴射孔431意指設置在直徑線RL上的吹掃噴射孔431。
雖未繪示，但量測孔52可形成在蓋件3中。在此情況下，量測機構51可設置在蓋件3上對應於量測孔52的位置。量測孔52可形成為穿過蓋件3。在此情況下，量測孔52可形成在蓋件3之未設置氣體噴射單元4的部分。
雖未繪示，但根據本發明之基板處理設備1可包含設置成嵌在量測孔52的透明窗。量測機構51可經由透明窗及量測孔52而量測基板100的溫度或基板支撐單元2的溫度。在處理程序以處理空間之內部為真空之狀態進行的情況下，透明窗可設置成嵌在量測孔52，因此可使處理空間之內部維持在真空狀態。
參照圖1至圖14，根據本發明之基板處理設備1可包含一偵測器6。
偵測器6藉由使用由量測機構51所獲得之溫度資料來偵測基板100的溫度分布。由量測機構51所獲得之溫度資料可包含基板100的點溫度。偵測器6可藉由使用由量測機構51所獲得之多個溫度資料，而將基板100的整體溫度分布生成為熱影像。在熱影像中，可以對應於溫度之色彩顯示出基板100之各點的溫度。基於色彩的溫度可實行成查找表形式之儲存資料，且可預先儲存於偵測器6中。當量測機構51量測基板支撐單元2的溫度以獲得溫度資料時，偵測器6可從對應的溫度資料擷取基板100的溫度資料，且之後可藉由使用所擷取之溫度資料來偵測基板100的溫度分布。
偵測器6可包含一生成模組61及一轉換模組62。
生成模組61藉由使用由量測機構51所獲得之多個溫度資料來生成表示基板100之溫度分布的非圓形偵測影像。非圓形偵測影像可實行成以顏色表現基板100之點溫度的熱影像。生成模組61可從由量測機構51所獲得之多個溫度資料來確認基板100的點溫度，且可使基板100的點溫度與儲存資料相匹配，從而生成以顏色表現基板100之溫度分布的非圓形偵測影像。非圓形偵測影像可生成為非圓形，舉例而言，如圖13所示可生成為橢圓形偵測影像。即使基板100為圓形仍會生成非圓形偵測影像的理由在於，在基板100繞著旋轉軸2a旋轉的程序中，量測機構51量測基板100的溫度或基板支撐單元2的溫度，而且量測基板100的溫度以獲得在與直徑方向相間隔開之量測位置的溫度資料。由量測機構51所獲得之多個溫度資料可經由有線通訊、無線通訊等而提供至生成模組61。
生成模組61可藉由使用用於獲得多個溫度資料之基板支撐單元2的旋轉速度及量測機構51的量測時間，而生成表示對應於基板100之一旋轉之溫度分布的非圓形偵測影像。因此，當在多個基板100安置於基板支撐單元2上且繞著旋轉軸2a旋轉360度多圈的程序中獲得多個溫度資料時，生成模組61可從在多個溫度資料中的與同一基板100之相同旋轉圈數相對應的多條溫度資料來生成非圓形偵測影像。
轉換模組62將非圓形偵測影像轉換成對應於基板100的圓形偵測影像。舉例而言，轉換模組62可將圖13所示之非圓形偵測影像轉換成圖14所示之圓形偵測影像。因此，作業員可藉由使用在圓形偵測影像中基於溫度以顏色區分顯示的溫度分布來確認基板100的溫度分布。因此，根據本發明之基板處理設備1可將對應於基板100的圓形偵測影像提供至作業員，從而提升確認基板100之溫度分布之操作的容易性。雖未繪示，但轉換模組62可將圓形偵測影像提供至顯示設備（未繪示）。而且，非圓形偵測影像可從生成模組61經由有線通訊、無線通訊等而提供至轉換模組62。
在藉由使用轉換模組62將非圓形偵測影像轉換成圓形偵測影像的程序中，轉換模組62可在基板100繞著旋轉軸2a旋轉的程序中，考量藉由使用量測機構51來測量基板100之溫度或基板支撐單元2之溫度的操作以獲得溫度資料，以及考量藉由使用量測機構51來量測基板100之溫度或基板支撐單元2之溫度的操作以獲得在與直徑方向相間隔開之量測位置的溫度資料。
為此，轉換模組62可藉由使用基板支撐單元2之旋轉速度、最短分隔距離SD、內夾角IIA、外夾角OIA及中間夾角MIA之至少一者來計算基板100之點的座標，之後可基於所計算之座標而將非圓形偵測影像轉換成圓形偵測影像。
最短分隔距離SD意指在量測孔52與直徑方向相間隔的距離之中最短的距離。舉例而言，最短分隔距離SD可意指直徑線RL與量測孔52直線間隔的距離。直徑線RL可意指沿直徑方向延伸的虛擬線。
內夾角IIA意指內連接線IL與直徑線RL之間的夾角。內連接線IL意指將量測孔52之內端52a連接至旋轉軸2a的虛擬連接線。內端52a意指量測孔52面向旋轉軸2a的部分。內連接線IL可為相對於與最短分隔距離SD平行的方向將內端52a之中點連接至旋轉軸2a的虛擬連接線。
外夾角OIA意指外連接線OL與直徑線RL之間的夾角。外連接線OL意指將量測孔52之外端52b連接至旋轉軸2a的虛擬連接線。外端52b及內端52a意指量測孔52之彼此面對面的部分。外連接線OL可為相對於與最短分隔距離SD平行的方向將外端52b之中點連接至旋轉軸2a的虛擬連接線。
中間夾角MIA意指中間連接線ML與直徑線RL之間的夾角。中間連接線ML意指將量測孔52之中間端52c連接至旋轉軸2a的虛擬連接線。中間端52c意指量測孔52之與內端52a及外端52b各間隔相同距離的部分。中間連接線ML可為相對於與最短分隔距離SD平行的方向將中間端52c之中點連接至旋轉軸2a的虛擬連接線。
如上所述，轉換模組62可藉由使用基板支撐單元2之旋轉速度、最短分隔距離SD、內夾角IIA、外夾角OIA及中間夾角MIA之至少一者來計算基板100之點的座標，之後可基於所計算之座標將非圓形偵測影像轉換成圓形偵測影像。在此情況下，基板100之點的座標可對應至相對於實際基板100的絕對座標。當計算出基板100之點的座標時，轉換模組62可基於絕對座標使基板100之點的溫度移動，因此可將非圓形偵測影像轉換成圓形偵測影像。
參照圖1及圖11，根據本發明之基板處理設備1可實行成使由偵測器6所偵測之基板100的溫度分布反映在處理程序之程序條件中。在此情況下，根據本發明之基板處理設備1可包含溫度控制器7。
溫度控制器7控制安置於基板支撐單元2上之基板100的溫度。溫度控制器7可控制基板支撐單元2的溫度，因此可經由基板支撐單元2而控制基板100的溫度。在此情況下，溫度控制器7可安裝在基板支撐單元2中。雖未繪示，但溫度控制器7可實行成藉由使用電力來控制基板100的溫度。在此情況下，溫度控制器7可為電加熱器。雖未繪示，但溫度控制器7可實行成藉由使用溫度控制流體來控制基板100的溫度。在此情況下，溫度控制器7可包含安裝在基板支撐單元2中的管線、將溫度控制流體供應至管線的泵浦，以及控制由泵浦供應至管線的溫度控制流體之溫度的控制單元。
溫度控制器7可藉由使用偵測器6所偵測之基板100的溫度分布，將由基板支撐單元2所支撐之基板100的溫度控制至預設處理溫度。預設處理溫度可基於處理程序之種類、基板100之種類及薄膜之種類等而改變，且可由作業員預先設定。
氣體噴射單元4可停止將氣體噴向基板支撐單元2，直到藉由使用由偵測器6所偵測之基板100的溫度分布將由基板支撐單元2所支撐之基板100的溫度控制至處理溫度。當藉由使用偵測器6所偵測之基板100的溫度分布將由基板支撐單元2所支撐之基板100的溫度控制至處理溫度時，氣體噴射單元4可開始將氣體噴向基板支撐單元2。因此，根據本發明之基板處理設備1可提升已完成處理程序之基板的品質均勻性。
以上描述之本發明不限於上述實施例及所附圖式，且所屬技術領域中具有通常知識者將清楚認知在不脫離本發明之範疇及精神的情況下，各種修改、變形及替換皆為可能。
1:基板處理設備 1a:腔體 1b:排氣單元 2:基板支撐單元 2a:旋轉軸 3:蓋件 4:氣體噴射單元 40a:噴射本體 40b:噴射孔 41:第一氣體噴射模組 42:第二氣體噴射模組 43:吹掃氣體噴射模組 430:吹掃氣體噴射本體 431:吹掃噴射孔 5:量測單元 51:量測機構 52:量測孔 52a:內端 52b:外端 52c:中間端 6:偵測器 61:生成模組 62:轉換模組 7:溫度控制器 100:基板 AL:量測線 ALA:夾角 IIA:內夾角 IL:內連接線 MIA:中間夾角 ML:中間連接線 OIA:外夾角 OL:外連接線 RL:直徑線 SD:最短分隔距離 SL:分隔線
圖1係根據本發明之基板處理設備之側視剖面示意圖。
圖2及圖3係繪示在根據本發明之基板處理設備中之氣體噴射單元之一實施例的俯視示意圖。
圖4係繪示在根據本發明之基板處理設備中經由量測孔而量測基板之溫度之程序的俯視示意圖。
圖5至圖8係繪示在根據本發明之基板處理設備中設置有量測單元之量測位置之一實施例的俯視示意圖。
圖9及圖10係繪示在根據本發明之基板處理設備中量測孔形成在氣體噴射單元中之一實施例的俯視剖面示意圖。
圖11係根據本發明之基板處理設備的方塊示意圖。
圖12係用於描述在根據本發明之基板處理設備中用於轉換模組以將非圓形偵測影像轉換成圓形偵測影像之元件的概念圖。
圖13係繪示非圓形偵測影像之一範例的圖。
圖14係繪示圓形偵測影像之一範例的圖。
1:基板處理設備
1a:腔體
1b:排氣單元
2:基板支撐單元
3:蓋件
4:氣體噴射單元
5:量測單元
51:量測機構
52:量測孔
6:偵測器
100:基板

Claims (10)

  1. 一種用於處理基板之設備，該設備包括：一腔體，提供一處理空間；一蓋件，覆蓋該腔體之一上部；一基板支撐單元，支撐至少一基板且繞著一旋轉軸旋轉；一氣體噴射單元，設置在相對於該基板支撐單元之該旋轉軸的一直徑方向上方，以噴出一處理氣體；以及一量測單元，在與該直徑方向相間隔開之一量測位置量測由該基板支撐單元所支撐之一基板的一溫度或該基板支撐單元的一溫度；其中該量測單元設置成平行於該直徑方向，或設置成在相對於該直徑方向具有一特定角度的一方向上傾斜；其中，該氣體噴射單元包含噴射該處理氣體的一噴射模組；其中，該量測單元包含形成於該噴射模組中的一量測孔；其中，該噴射模組包含噴射該處理氣體的多個噴射孔；其中，該量測孔形成在與該些噴射孔相間隔開的位置；其中，該量測孔設置成平行於該直徑方向，或設置成在相對於該直徑方向具有一特定角度的一方向上傾斜。
  2. 如請求項1所述之設備，其中該氣體噴射單元包括用於噴出一吹掃氣體的一吹掃氣體噴射模組，且該量測單元包括設置在該吹掃氣體噴射模組上方的一量測機構以及形成在該吹掃氣體噴射模組中的一量測孔。
  3. 如請求項2所述之設備，其中該吹掃氣體噴射模組包括用於噴出該吹掃氣體的多個吹掃噴射孔，該量測孔設置成與在該些吹掃噴射孔中沿該直徑方向並列設置的該些吹掃噴射孔相間隔開，該量測孔設置成平行於該直徑方向，或設置成在相對於該直徑方向具有一特定角度的一方向上傾斜。
  4. 如請求項1所述之設備，其中該量測單元包括：一量測孔，設置在與該直徑方向相間隔開之該量測位置；以及一量測機構，量測穿過該量測孔下方之一區域之一基板的一溫度，或量測設置於該量測孔下方之該基板支撐單元的一溫度，以獲得一溫度資料；其中該量測孔設置成平行於該直徑方向，或設置成在相對於該直徑方向具有一特定角度的一方向上傾斜。
  5. 如請求項2或4所述之設備，包括一偵測器，其藉由使用由該量測機構所獲得之一溫度資料來偵測一基板之一溫度分布，其中該偵測器包括一生成模組及一轉換模組，該生成模組藉由使用該溫度資料來生成表示一基板之一溫度分布的一非圓形偵測影像，該轉換模組將該非圓形偵測影像轉換成對應於該基板的一圓形偵測影像。
  6. 如請求項5所述之設備，其中該轉換模組計算一基板之點的座標以於之後基於所計算之該座標將該非圓形偵測影像轉換成該圓形偵測影像，該轉換模組藉由使用該基板支撐單 元之一旋轉速度、該量測孔與該直徑方向相間隔開的最短分隔距離、一內連接線與一直徑線之間的一內夾角、一外連接線與該直徑線之間的一外夾角及一中間連接線與該直徑線之間的一中間夾角之至少一者來計算一基板之點的座標，該內連接線為將該量測孔之一內端連接至該旋轉軸的一虛擬連接線，該直徑線為沿該直徑方向延伸的一虛擬線，該外連接線為將該量測孔之一外端連接至該旋轉軸的一虛擬連接線，該中間連接線為將一中間端連接至該旋轉軸的一虛擬連接線，該中間端為與該量測孔之該內端及該量測孔之該外端各間隔相同距離的一部分。
  7. 如請求項4所述之設備，其中該氣體噴射單元包括用於噴出該處理氣體的多個噴射模組，且該量測孔形成在該些噴射模組之至少一者中。
  8. 如請求項4所述之設備，其中該量測孔形成在該蓋件。
  9. 一種用於處理基板之設備的噴射模組，該噴射模組包括：多個噴射孔，用於將一處理氣體噴進在一基板上進行一處理程序的一腔體；形成有該些噴射孔的一噴射本體；以及一量測孔，形成在與該些噴射孔相間隔開的位置以穿過該噴射本體； 其中該些噴射孔中之部分沿相對於一基板支撐單元之一旋轉軸的一直徑方向並列設置，該基板支撐單元支撐一基板且在該腔體中旋轉；其中該量測孔設置成與沿該直徑方向並列設置的該些噴射孔相間隔開，且該量測孔設置成平行於該直徑方向，或設置成在相對於該直徑方向具有一特定角度的一方向上傾斜。
  10. 如請求項9所述之噴射模組，其中該量測孔形成在相對於由該基板支撐單元支撐之一基板繞著該旋轉軸旋轉的一方向分別與該噴射本體之一側及該噴射本體之另一側相間隔開的位置，該量測孔分別與該噴射本體之一側及該噴射本體之另一側間隔相異的距離。
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