KR20170083667A - 짧은 불화알킬기를 포함하는 불소계 설페이트 음이온 계면활성제 및 이의 제조방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 짧은 불화알킬기를 포함하는 불소계 설페이트 음이온 계면활성제 및 이의 제조방법에 관한 것으로, 본 발명에 따른 과불화알킬기를 포함하는 불소계 설페이트 음이온 계면활성제는 짧은 불화알킬기를 가짐에도 불구하고 낮은 표면장력을 가지고, 염 상태로 존재함으로써, 물에 대한 높은 용해성을 겸비하며, 성능이 우수하므로, 음이온 계면활성제로 유용하게 사용될 수 있다.

Description

짧은 불화알킬기를 포함하는 불소계 설페이트 음이온 계면활성제 및 이의 제조방법{Sulfated anionics with short perfluoroalkyl chains and preparation method thereof}
본 발명은 짧은 불화알킬기를 포함하는 불소계 설페이트 음이온 계면활성제 및 이의 제조방법에 관한 것이다.
불소계 화합물은 섬유, 종이, 유리 및 금속 등 각종 재료 표면에 새로운 특성을 부여하여 특정 조건에서 사용가능한 대표적인 표면개질제로서 사용된다. 특히, 상기 불소계 화합물은 통상적으로 사용되는 탄화수소계 화합물 또는 계면활성제에 비하여 표면장력이 현저히 낮고, 소량 사용할 경우에도 우수한 효과가 나타나며 저표면장력, 발수성, 발유성, 윤활성, 전기특성, 내열 및 내약품성등의 성질을 갖고 있다. 대표적인 불소계 음이온 계면활성제로는 8개의 과불화합물 불화탄소기를 갖는 PFOA(Perfluorooctanoic acid) 및 PFOS(Perfluorooctanesulfonic acid)가 있다. 그러나 최근 상기 PFOA 및 PFOS가 인체 혈액 내에 축적되고 동물실험에서 발암물질이 검출되고, 임신장애등이 발생되는 것이 알려짐에 따라 위험물질로 분류되어 미국에서 규제대상물질로 지정되었다.
구체적으로, PFOS는 반도체, 섬유, 전기전자 분야에서 코팅, 표면처리, 계면활성제, 종이 및 각종 첨가제에서 특수한 기능을 부여하는 물질로서 EU는 Directive 2006/122/EC를 통하여 2008년 6월부터 일부 예외조항을 제외하고 PFOS의 제조 및 수출입 모두를 금지하기로 한 바 있다. 아울러, 미국, 호주, 캐나다 등에서도 이와 관련한 규제를 준비 중임이 알려진 바 있다.
또한, PFOA는 주로 주방기구 등의 Non-Stick 기능성 코팅에 널리 쓰이는 고분자량의 불소수지 의 제조에 사용되는 기능성 캐미칼(Chemical)의 일종으로, 미주, 유럽에서 현재 PFOA를 직접적으로 규제하는 법규는 없으나 미국환경청을 중심으로 그 위험성 및 규제방안을 검토 중이며, 2006년 전세계 불소수지 제조메이커를 대상으로 Steward ship Program을 열어 PFOA의 사용량 절감(2010년까지 2000년도 사용량의 95% 수준감소)과 사용중지(2015년까지)를 요구하였다. 아울러, 독일에서는 튀김, 베이킹 기구에 대하여 PFOA를 고려하여 안정성 기준을 적용 중임이 알려진 바 있다.
통상적인 탄화수소계 계면활성제나 실리콘 계면활성제 역시 우수한 물성을 갖는다고는 하나 불소계 계면활성제만큼 낮은 표면장력이나 발수, 특히 발유성을 갖지 못하는 실정이다. 따라서, 현재 PFOA 및 PFOS를 대체할수 있는 불소계 화합물에 대한 연구가 활발히 진행되고 있다.
상기 PFOA 및 PFOS를 대체 할 수 있는 불소계 화합물로 짧은 불화알킬기를 갖는 퍼플루오로술폰산 및 그 유도체와 함불소에테르술폰산 화합물 및 그 유도체를 함유하는 계면활성제(일본특허 2009-223975호) 및 불화알킬기를 갖는 에폭사이드 화합물과 타우린을 반응시켜 제조한 불소계 음이온 계면활성제(국내특허 2012-0037962호)가 보고된 바 있다. 또한 불소계 술폰아마이드 계면활성제(EP 2742523, WO2014120405)에 대해서도 연구가 진행되고 있다.
이에, 본 발명자들은 PFOA 및 PFOS를 대체할 수 있는 불소계 음이온 계면활성제를 개발하기 위하여 노력하던 중, 본 발명에 따른 과불화알킬기를 포함하는 불소계 설페이트 음이온 계면활성제가 짧은 불화알킬기를 가짐에도 불구하고 성능이 우수하므로, 표면개질제로 유용하게 사용될 수 있음을 알아내어 본 발명을 완성하였다.
일본특허 2009-223975호 국내특허 2012-0037962호 EP 2742523 WO 2014120405
본 발명의 목적은 과불화알킬기를 포함하는 불소계 설페이트 음이온 계면활성제를 제공하는 것이다.
본 발명의 다른 목적은 상기 과불화알킬기를 포함하는 불소계 설페이트 음이온 계면활성제의 제조방법을 제공하는 것이다.
상기 목적을 달성하기 위하여,
본 발명은 하기 화학식 1로 표시되는 과불화알킬기를 포함하는 불소계 설페이트 음이온 계면활성제를 제공한다:
[화학식 1]
Figure pat00001
(상기 화학식 1에서,
R1 및 R2는 각각 독립적으로 직쇄 또는 측쇄의 과불화C3 - 8알킬이되, 과불화된 탄소는 1개 내지 6개이고;
M은 알칼리 금속 양이온, 알칼리 토금속 양이온 또는 NH4 +이다).
또한, 본 발명은 하기 반응식 1에 나타낸 바와 같이,
화학식 2로 표시되는 화합물을 화학식 3으로 표시되는 화합물과 반응시켜 화학식 1로 표시되는 화합물을 제조하는 단계를 포함하는 상기 과불화알킬기를 포함하는 불소계 설페이트 음이온 계면활성제 제조방법을 제공한다:
[반응식 1]
Figure pat00002
(상기 반응식 1에서,
R1, R2 및 M은 상기 화학식 1에서 정의한 바와 같고;
X1는 할로겐이다).
본 발명에 따른 과불화알킬기를 포함하는 불소계 설페이트 음이온 계면활성제는 짧은 불화 알킬기를 가짐에도 불구하고 낮은 표면장력을 가지고, 염 상태로 존재함으로써, 물에 대한 높은 용해성을 겸비하며, 성능이 우수하므로, 음이온 계면활성제로 유용하게 사용될 수 있다.
이하, 본 발명을 상세히 설명한다.
본 발명은 하기 화학식 1로 표시되는 과불화알킬기를 포함하는 불소계 설페이트 음이온 계면활성제를 제공한다.
[화학식 1]
Figure pat00003
상기 화학식 1에서,
R1 및 R2는 각각 독립적으로 직쇄 또는 측쇄의 과불화C3 - 8알킬이되, 과불화된 탄소는 1개 내지 6개이고;
M은 알칼리 금속 양이온, 알칼리 토금속 양이온 또는 NH4 +이다.
바람직하게,
상기 R1 및 R2는 각각 독립적으로
Figure pat00004
이고, 여기서, 상기 n은 1 내지 4이고, R3은 수소가 모두 F로 치환된 직쇄 또는 측쇄의 C1-6알킬이고;
M은 나트륨 양이온, 칼륨 양이온, 리튬 양이온, 칼슘 양이온 또는 NH4 +이다.
보다 바람직하게,
상기 R1 및 R2는 각각 독립적으로
Figure pat00005
이고, 여기서, 상기 n은 1 내지 3이고, R3은 수소가 모두 F로 치환된 직쇄 또는 측쇄의 C1-4알킬이고;
M은 나트륨 양이온, 칼슘 양이온 또는 NH4 +이다.
가장 바람직하게,
상기 R1 및 R2는 각각 독립적으로
Figure pat00006
이고, 여기서, 상기 n은 1 또는 2이고, m은 1 - 3의 정수이고;
M은 나트륨 양이온이다.
본 발명에 따른 상기 화학식 1로 표시되는 계면활성제의 바람직한 예로는 하기의 화합물들을 들 수 있다:
[화학식 A]
Figure pat00007
;
[화학식 B]
Figure pat00008
;
[화학식 C]
Figure pat00009
;
[화학식 D]
Figure pat00010
;
[화학식 E]
Figure pat00011
;
[화학식 F]
Figure pat00012
.
이하, 본 발명에 따른 상기 화학식 1로 표시되는 과불화알킬기를 포함하는 불소계 설페이트 음이온 계면활성제에 대하여 상세히 설명한다.
본 발명에 따른 상기 화학식 1로 표시되는 계면활성제의 치환기 R1 및 R2는 동일 또는 상이한 과불화알킬기로서, 과불화된 탄소의 수가 8개를 넘지 않음에 따라 인체 및 환경에 유해하다는 판정을 받은 종래의 긴 과불화알킬기를 가지는 불소계 계면활성제, 예를 들어, 설포네이트 (perfluorooctane sulfonate, PFOS) 및 퍼플루오로옥탄산 (perfluorooctanoic acid, PFOA)를 대체 할 수 있다.
구체적으로, 상술한 바와 같이 R1 및 R2
Figure pat00013
이고, 여기서, 상기 n은 1 내지 4이고, 바람직하게는 n은 1 내지 3이고, 보다 바람직하게는 n은 1 또는 2이다. 또한, 상기 R3은 과불화된 탄소수가 8개를 넘지 않으면 특히 한정되는 것은 아니나, 바람직하게는 수소가 모두 F로 치환된 직쇄 또는 측쇄의 C1-C6알킬이고, 보다 바람직하게는 C1-C4알킬이고, 가장 바람직하게는 C1-3알킬이다.
R3가 C1 미만의 알킬일 경우, 과불화된 알킬이 존재하지 않게 되므로, 본 발명의 목적에 따른 과불화알킬기를 포함하는 불소계 설페이트 음이온 계면활성제를 얻을 수 없는 문제가 있고, R3가 C8 초과의 알킬일 경우, 불소의 수가 많아 짐에 따라, 인체 및 환경에 유해할 수 있는 문제가 발생할 수 있음이 알려진 바 있다.
본 발명에 따른 상기 화학식 1로 표시되는 과불화알킬기를 포함하는 불소계 설페이트 음이온 계면활성제의 성능을 평가하기 위하여, 표면장력을 측정한 결과, 본 발명에 따른 과불화알킬기를 포함하는 불소계 음이온 계면활성제는 20 미만의 표면장력을 나타냈으며, 특히, 실시예 3 및 5에서 얻은 과불화알킬기를 포함하는 불소계 설페이트 음이온 계면활성제는 15 이하의 매우 낮은 표면장력을 나타냄을 알 수 있다(실험예 1-1 및 표 1 참조).
또한, 본 발명에 따른 상기 화학식 1로 표시되는 과불화알킬기를 포함하는 불소계 설페이트 음이온 계면활성제의 성능을 평가하기 위하여, CMC(임계 미셀 농도)를 측정한 결과, 본 발명에 따른 과불화알킬기를 포함하는 불소계 음이온 계면활성제는 매우 낮은 CMC 값을 나타내며, 특히, 실시예 2 내지 6의 경우 0.1 mmol/L 이하의 매우 낮은 CMC 값을 가짐을 알 수 있었다(실험예 1-2 및 표 1 참조).
따라서, 본 발명에 따른 과불화알킬기를 포함하는 불소계 설페이트 음이온 계면활성제는 짧은 불화 알킬기를 가짐에도 불구하고 낮은 표면장력을 가지고, 염 상태로 존재함으로써, 물에 대한 높은 용해성을 겸비하며, 성능이 우수하므로, 계면활성제로 유용하게 사용될 수 있다.
또한, 본 발명은 하기 반응식 1에 나타낸 바와 같이,
화학식 2로 표시되는 화합물을 화학식 3으로 표시되는 화합물과 반응시켜 화학식 1로 표시되는 화합물을 제조하는 단계를 포함하는 상기 과불화알킬기를 포함하는 불소계 설페이트 음이온 계면활성제 제조방법을 제공한다.
[반응식 1]
Figure pat00014
상기 반응식 1에서,
R1, R2 및 M은 상기 화학식 1에서 정의한 바와 같고; 및
X1는 할로겐이다.
이하, 본 발명에 따른 상기 과불화알킬기를 포함하는 불소계 설페이트 음이온 계면활성제 제조방법에 대하여 상세히 설명한다.
본 발명에 따른 상기 불소계 설페이트 음이온 계면활성제의 제조방법에 있어서, 본 발명에 따른 불소계 설페이트 음이온 계면활성제는 상기 화학식 2로 표시되는 화합물과 화학식 3으로 표시되는 화합물을 반응시켜 화학식 1로 표시되는 화합물을 제조하는 단계를 포함하는 제조방법을 통하여 제조할 수 있다.
구체적으로, 화학식 2로 표시되는 화합물의 하이드록실기와 화학식 3으로 표시되는 화합물의 할로겐을 반응시킨 후, 염기를 사용하여 중화시켜 화학식 1로 표시되는 화합물을 제조할 수 있다.
이때, 상기 화학식 3으로 표시되는 화합물은 특히 한정되는 것은 아니나, 바람직하게는 화학식 2로 표시되는 화합물 1 몰에 대하여 1 내지 1.5 몰비로 사용할 수 있다. 1 몰비 미만으로 사용할 경우 반응속도가 느리고, 미반응된 화학식 2로 표시되는 화합물이 생김에 따라 본 발명의 목적에 따른 불소계 설페이트 음이온 계면활성제의 수득율이 낮아지는 문제가 있고, 1.5 몰비 초과로 사용할 경우 반응에 참여하지 않은 화학식 3으로 표시되는 화합물을 중화하기 위하여 과량의 염기가 사용됨으로써 공정 시간이 길어지고 공정 비용이 많이 발생하는 문제가 있다.
또한, 상기 중화에 사용되는 염기는 알칼리 금속 수산화물, 알칼리 토금속 수산화물, 또는 암모니아수를 사용할 수 있으며, 바람직하게는 수산화 나트륨, 수산화 칼륨, 수산화 리튬, 수산화 칼슘, 암모니아수 등을 사용할 수 있고, 보다 바람직하게는 수산화 나트륨을 사용할 수 있다. 상기 염기는 액체 상태 또는 고체 상태로 사용할 수 있다. 상기 화학식 1로 표시되는 화합물의 M은 상술한 바와 같은 염기로 중화한 후, 생성된 양이온이다.
나아가, 상기 제조방법에서 사용가능한 용매는 특히 한정되는 것은 아니나, 디클로로메탄, 헥산, 톨루엔, 자일렌, 클로로포름 등의 비극성 용매를 사용할 수 있고, 바람직하게는 디클로로메탄을 사용할 수 있다.
출발물질(화학식 2로 표시되는 화합물)의 제조 1
본 발명에 따른 상기 반응식 1로 표시되는 제조방법에 있어서, 출발물질로 사용되는 화학식 2로 표시되는 화합물은 특히 한정되는 것은 아니나, R1 및 R2가 상이한 경우, 반응식 1의 출발물질인 상기 화학식 2로 표시되는 화합물은 하기 반응식 2에 나타낸 바와 같이,
화학식 6으로 표시되는 화합물과 화학식 7로 표시되는 화합물을 반응시켜 화학식 4로 표시되는 화합물을 제조하는 단계(단계 1); 및
상기 단계 1에서 얻은 화학식 4로 표시되는 화합물과 화학식 5로 표시되는 화합물을 반응시켜 화학식 2로 표시되는 화합물을 제조하는 단계(단계 2)를 포함하는 제조방법으로 제조되는 것을 특징으로 하는 제조방법으로 제조할 수 있다.
[반응식 2]
Figure pat00015
상기 반응식 2에서,
R1 및 R2는 상기 화학식 1에서 정의한 바와 같되, R1 및 R2는 서로 상이하고; 및
X2는 할로겐이다.
이하, 본 발명에 따른 상기 화학식 2로 표시되는 화합물의 제조방법에 대하여 상세히 설명한다.
본 발명에 따른 상기 불소계 설페이트 음이온 계면활성제의 제조방법에 있어서, 상기 단계 1은 화학식 6으로 표시되는 화합물과 화학식 7로 표시되는 화합물을 반응시켜 화학식 4로 표시되는 화합물을 제조하는 단계이다.
구체적으로, 상기 화학식 6으로 표시되는 화합물의 할로겐과 화학식 7로 표시되는 알콜 화합물의 하이드록실기를 염기 존재 하에 반응시켜 화학식 4로 표시되는 알콕시 화합물을 제조하는 단계이다.
이때, 상기 화학식 7로 표시되는 화합물은 특히 한정되는 것은 아니나, 바람직하게는 화학식 6으로 표시되는 화합물 1 몰에 대하여 0.9 내지 1.5 몰비로 사용할 수 있다. 0.9 몰비 미만으로 사용할 경우 반응 속도가 느리고, 화학식 4로 표시되는 화합물의 수득율이 낮아지는 문제가 있고, 1.5 몰비 초과로 사용할 경우 반응에 참여하지 않은 화학식 7로 표시되는 화합물을 제거하기 위하여 추가 공정 단계 및 공정 비용이 발생하는 문제가 있다.
또한, 상기 염기로는 알칼리 금속 수산화물, 알칼리 토금속 수산화물, 또는 암모니아수를 사용할 수 있으며, 바람직하게는 수산화 나트륨, 수산화 칼륨, 수산화 리튬, 수산화 칼슘, 암모니아수 등을 사용할 수 있고, 보다 바람직하게는 수산화 나트륨을 사용할 수 있다. 상기 염기는 액체 상태 또는 고체 상태로 사용할 수 있다.
여기서, 상기 염기는 특히 한정되는 것은 아니나, 바람직하게는 화학식 6으로 표시되는 화합물 1 몰에 대하여 1.8 내지 2.5 몰비로 사용할 수 있다. 1.8 몰비 미만으로 사용할 경우 반응이 잘 진행되지 않고, 수득율이 낮은 문제가 있고, 2.5 몰비 초과로 사용할 경우 과량 사용에 따른 추가적인 효과가 없고, 경제적이지 못한 문제가 있다.
나아가, 상기 단계 1에서 사용가능한 용매는 일반적인 유기 용매라면 특히 한정되는 것은 아니나, 헥산, 톨루엔, 자일렌, 클로로포름 등을 사용할 수 있고, 바람직하게는, 본 발명에 따른 상기 화학식 4로 표시되는 화합물의 끓는점 이하의 끓는점을 가지는 용매, 예를 들면, 헥산을 사용할 수 있다.
또한, 상기 단계 1은 상전이 촉매를 더 사용할 수 있다. 상전이 촉매로는 특히 한정되는 것은 아니나, 아민계 화합물 또는 암모늄염계 화합물을 사용할 수 있고, 바람직하게는 테트라부틸암모늄브로마이드(TBAB)를 사용할 수 있다.
본 발명에 따른 상기 불소계 설페이트 음이온 계면활성제의 제조방법에 있어서, 상기 단계 2는 상기 단계 1에서 얻은 화학식 4로 표시되는 화합물과 화학식 5로 표시되는 화합물을 반응시켜 화학식 2로 표시되는 화합물을 제조하는 단계이다.
구체적으로, 상기 화학식 4로 표시되는 화합물의 옥시란의 산소와 화학식 5로 표시되는 알콜 화합물의 하이드록실기를 염기 존재 하에 반응시켜 화학식 4로 표시되는 다이알콕시 화합물을 제조하는 단계이다.
이때, 상기 화학식 5로 표시되는 화합물은 특히 한정되는 것은 아니나, 바람직하게는 화학식 4로 표시되는 화합물 1 몰에 대하여 0.9 내지 1.5 몰비로 사용할 수 있다. 0.9 몰비 미만으로 사용할 경우 반응 속도가 느리고, 화학식 4로 표시되는 화합물의 수득율이 낮아지는 문제가 있고, 1.5 몰비 초과로 사용할 경우 반응에 참여하지 않은 화학식 7로 표시되는 화합물을 제거하기 위하여 추가 공정 단계 및 공정 비용이 발생하는 문제가 있다.
또한, 상기 염기로는 알칼리 금속 수산화물, 알칼리 토금속 수산화물, 또는 암모니아수를 사용할 수 있으며, 바람직하게는 수산화 나트륨, 수산화 칼륨, 수산화 리튬, 수산화 칼슘, 암모니아수 등을 사용할 수 있고, 보다 바람직하게는 수산화 나트륨을 사용할 수 있다. 상기 염기는 액체 상태 또는 고체 상태로 사용할 수 있다.
여기서, 상기 염기는 특히 한정되는 것은 아니나, 바람직하게는 화학식 4로 표시되는 화합물 1 몰에 대하여 1.8 내지 2.5 몰비로 사용할 수 있다. 1.8 몰비 미만으로 사용할 경우 반응이 잘 진행되지 않고, 수득율이 낮은 문제가 있고, 2.5 몰비 초과로 사용할 경우 과량 사용에 따른 추가적인 효과가 없고, 경제적이지 못한 문제가 있다.
나아가, 상기 단계 2에서 사용가능한 용매는 특히 한정되는 것은 아니나, 헥산, 톨루엔, 자일렌, 클로로포름 등의 비극성 용매를 사용할 수 있고, 바람직하게는 톨루엔을 사용할 수 있다.
또한, 상기 단계 2는 상전이 촉매를 더 사용할 수 있다. 상전이 촉매로는 특히 한정되는 것은 아니나, 아민계 화합물 또는 암모늄염계 화합물을 사용할 수 있고, 바람직하게는 테트라부틸암모늄브로마이드(TBAB)를 사용할 수 있다.
출발물질(화학식 2로 표시되는 화합물)의 제조 2
본 발명에 따른 상기 반응식 1로 표시되는 제조방법에 있어서, 출발물질로 사용되는 화학식 2로 표시되는 화합물은 특히 한정되는 것은 아니나, R1 및 R2가 동일한 경우, 반응식 1의 출발물질인 상기 화학식 2로 표시되는 화합물의 유도체인 화학식 2a로 표시되는 화합물은 하기 반응식 3에 나타낸 바와 같이,
화학식 6으로 표시되는 화합물과 화학식 7로 표시되는 화합물을 반응시켜 화학식 2a로 표시되는 화합물을 제조하는 단계를 포함하는 화학식 2a로 표시되는 화합물 제조방법으로 제조되는 것을 특징으로 하는 제조방법으로 제조할 수 있다.
[반응식 3]
Figure pat00016
상기 반응식 2에서,
R1은 상기 화학식 1에서 정의한 바와 같고;
화학식 2a로 표시되는 화합물은 화학식 2로 표시되는 화합물의 유도체이고; 및
X2는 할로겐이다.
구체적인 제조방법은 상기 반응식 2의 단계 1의 제조방법과 동일하게 수행할 수 있다.
나아가, 본 발명은 상기 화학식 1로 표시되는 과불화알킬기를 포함하는 불소계 설페이트 음이온 계면활성제를 포함하는 발유성 코팅용 조성물을 제공한다.
또한, 본 발명은 상기 화학식 1로 표시되는 과불화알킬기를 포함하는 불소계 설페이트 음이온 계면활성제를 포함하는 발수성 코팅용 조성물을 제공한다.
본 발명에 따른 과불화알킬기를 포함하는 불소계 설페이트 음이온 계면활성제는 짧은 불화 알킬기를 가짐에도 불구하고 낮은 표면장력을 가지고, 염 상태로 존재함으로써, 물에 대한 높은 용해성을 겸비하며, 성능이 우수하므로, 발유성 코팅용 조성물 또는 발수성 코팅용 조성물로 유용하게 사용될 수 있다.
이하, 본 발명의 실시예 및 실험예에 대해 상세히 설명한다.
단, 하기 실시예 및 실험예는 본 발명을 예시하는 것일 뿐, 본 발명의 내용이 하기 실시예 및 실험예에 한정되는 것은 아니다.
< 실시예 1> 과불화알킬기를 포함하는 불소계 설페이트 음이온 계면활성제 1의 제조
단계 1: 1 ,3-비스(2,2,3,3,3-펜타플루오로프로폭시)프로판-2-올의 제조
Figure pat00017
기계식 교반장치(Mechanical stirrer), 히터(Heating), 컨덴서(Condensor), 온도계가 부착된 반응기에 2,2,3,3,3-펜타플루오로프로판-1-올(CF3CF2CH2-OH)(1.1 mol)과 TBAB(tetrabutyl ammonium bromide)(0.0625 mol) 및 톨루엔(150 g)을 첨가하였다. 상온에서 교반시키면서, NaOH(2 mol)을 천천히 첨가하고 30분 동안 교반하였다. 에피클로로하이드린(1 mol)을 드로핑 펀넬(Dropping funnel)을 이용하여 내부 온도가 30 ℃를 넘지 않도록 천천히 적가한 후, 80~100 ℃하에 교반시키며 24 시간정도 반응시켰다. GC(Gas Chromatograph)로 반응을 추적하며, 원료물질인 에피클로로하이드린이 사라졌을 때 반응을 종결하였다. 반응 종결 후, 물(100 ml)로 3회 세척한 뒤 물 층은 제거하고 유기층은 무수황산마그네슘(MgSO4)(10 g)을 사용하여 잔여 수분을 제거하였다. 잔여 헥산은 증발기를 사용하여 모두 제거한 후 감압증류를 하여 순수한 1,3-비스(2,2,3,3,3-펜타플루오로프로폭시)프로판-2-올을 얻었다.
단계 2: 과불화알킬기를 포함하는 불소계 설페이트 음이온 계면활성제 1의 제조
Figure pat00018
컨덴서(Condensor), 온도계, 드로핑 펀넬(dropping funnel)이 부착된 3구 둥근플라스크에 상기 단계 1에서 얻은 1,3-비스(2,2,3,3,3-펜타플루오로프로폭시)프로판-2-올(1 mol)과 알코올의 사용중량에 대하여 20배 중량의 메틸렌클로라이드(Methyl Chloride)을 투입하여 얼음수조(Ice-bath)에 설치한 후, 얼음수조에 얼음과 소량의 NaCl을 넣어 내부 온도가 영하로 내려가도록 교반시켰다. 클로로설폰산(HOSO2Cl)(1.1 mol)과 메틸렌클로라이드(Methyl Chloride)을 클로로설폰산 20배 무게로 희석하여 천천히 적가하였다. 이때, 공기 중 수분이 들어가지 않도록 질소풍선을 설치하였다. 0 ℃ 유지하에 5시간 동안 반응시켰다. 반응 종결 후, 용매를 감압농축하고 수산화나트륨 수용액을 이용하여 중화하였다. 수분을 제거한 후 에탄올로 정제하여 연한 노란색을 띄는 고체로 순수한 과불화알킬기를 포함하는 불소계 설페이트 음이온 계면활성제 1을 얻었다.
< 실시예 2> 과불화알킬기를 포함하는 불소계 설페이트 음이온 계면활성제 2의 제조
단계 1: 1 ,3- 비스 (2,2,3,3,4,4,4- 헵타플루오로부톡시 )프로판-2-올의 제조
Figure pat00019
2,2,3,3,4,4,4-헵타플루오로부탄-1-올(CF3CF2CF2CH2-OH)을 사용하는 것을 제외하고 상기 실시예 1의 단계 1과 동일한 과정을 수행하여 1,3-비스(2,2,3,3,4,4,4-헵타플루오로부톡시)프로판-2-올을 얻었다.
단계 2: 과불화알킬기를 포함하는 불소계 설페이트 음이온 계면활성제 2의 제조
Figure pat00020
상기 단계 1에서 얻은 1,3-비스(2,2,3,3,4,4,4-헵타플루오로부톡시)프로판-2-올을 사용하는 것을 제외하고 실시예 1의 단계 2와 동일한 과정을 수행하여 과불화알킬기를 포함하는 불소계 설페이트 음이온 계면활성제 2를 얻었다.
< 실시예 3> 과불화알킬기를 포함하는 불소계 설페이트 음이온 계면활성제 3의 제조
단계 1: 1 ,3- 비스 (2,2,3,3,4,4,5,5,5- 노나플루오로펜틸옥시 )프로판-2-올의 제조
Figure pat00021
2,2,3,3,4,4,5,5,5-노나플루오로펜탄-1-올(CF3CF2CF2CF2CH2-OH)을 사용하는 것을 제외하고 상기 실시예 1의 단계 1과 동일한 과정을 수행하여 1,3-비스(2,2,3,3,4,4,5,5,5-노나플루오로펜틸옥시)프로판-2-올을 얻었다.
단계 2: 과불화알킬기를 포함하는 불소계 설페이트 음이온 계면활성제 3의 제조
Figure pat00022
상기 단계 1에서 얻은 1,3-비스(2,2,3,3,4,4,5,5,5-노나플루오로펜틸옥시)프로판-2-올을 사용하는 것을 제외하고 실시예 1의 단계 2와 동일한 과정을 수행하여 과불화알킬기를 포함하는 불소계 설페이트 음이온 계면활성제 3을 얻었다.
< 실시예 4> 과불화알킬기를 포함하는 불소계 설페이트 음이온 계면활성제 4의 제조
단계 1: 2 -((2,2,3,3,3- 펜타플루오로프로폭시 ) 메틸 ) 옥시란의 제조
Figure pat00023
기계식 교반장치(Mechanical stirrer), 히터(Heating), 컨덴서(Condensor), 온도계가 부착된 반응기에 2,2,3,3,3-펜타플루오로프로판-1-올(CF3CF2CH2-OH)(1.05 mol)과 TBAB(tetrabutyl ammonium bromide)(0.0625 mol) 및 헥산(150 g)을 첨가하였다. 상온에서 교반시키면서, NaOH(2 mol)을 천천히 첨가하고 30분 동안 교반하였다. 에피클로로하이드린(1 mol)을 드로핑 펀넬(Dropping funnel)을 이용하여 내부 온도가 30 ℃를 넘지 않도록 천천히 적가한 후, 80~100 ℃하에 교반시키며 24 시간정도 반응시켰다. GC(Gas Chromatograph)로 반응을 추적하며, 원료물질인 에피클로로하이드린이 사라졌을 때 반응을 종결하였다. 반응 종결 후, 물(100 ml)로 3회 세척한 뒤 물 층은 제거하고 유기층은 무수황산마그네슘(MgSO4)(10 g)을 사용하여 잔여 수분을 제거하였다. 잔여 헥산은 증발기를 사용하여 모두 제거한 후 감압증류를 하여 순수한 2-((2,2,3,3,3-펜타플루오로프로폭시)메틸)옥시란을 얻었다.
단계 2: 1 -(2,2,3,3,4,4,4- 헵타플루오로부톡시 )-3-(2,2,3,3,3- 펜타플루오로프로폭시 )프로판-2-올의 제조
Figure pat00024
상기 단계 1에서 얻은 2-((2,2,3,3,3-펜타플루오로프로폭시)메틸)옥시란 및 2,2,3,3,4,4,4-헵타플루오로부탄-1-올을 사용하는 것을 제외하고 상기 실시예 1의 단계 1과 동일한 과정을 수행하여 1-(2,2,3,3,4,4,4-헵타플루오로부톡시)-3-(2,2,3,3,3-펜타플루오로프로폭시)프로판-2-올을 얻었다.
단계 3: 과불화알킬기를 포함하는 불소계 설페이트 음이온 계면활성제 4의 제조
Figure pat00025
상기 단계 2에서 얻은 1-(2,2,3,3,4,4,4-헵타플루오로부톡시)-3-(2,2,3,3,3-펜타플루오로프로폭시)프로판-2-올을 사용하는 것을 제외하고 실시예 1의 단계 2와 동일한 과정을 수행하여 과불화알킬기를 포함하는 불소계 설페이트 음이온 계면활성제 4를 얻었다.
< 실시예 5> 과불화알킬기를 포함하는 불소계 설페이트 음이온 계면활성제 6의 제조
단계 1: 1 -(2,2,3,3,4,4,5,5,5- 노나플루오로펜틸옥시 )-3-(2,2,3,3,3- 펜타플루오로프로폭시 )프로판-2-올의 제조
Figure pat00026
상기 실시예 4의 단계 1에서 얻은 2-((2,2,3,3,3-펜타플루오로프로폭시)메틸)옥시란 및 2,2,3,3,4,4,5,5,5-노나플루오로펜탄-1-올(CF3CF2CF2CF2CH2-OH)을 사용하는 것을 제외하고 상기 실시예 1의 단계 1과 동일한 과정을 수행하여 1-(2,2,3,3,4,4,5,5,5-노나플루오로펜틸옥시)-3-(2,2,3,3,3-펜타플루오로프로폭시)프로판-2-올을 얻었다.
단계 2: 과불화알킬기를 포함하는 불소계 설페이트 음이온 계면활성제 5의 제조
Figure pat00027
상기 단계 1에서 얻은 1-(2,2,3,3,4,4,5,5,5-노나플루오로펜틸옥시)-3-(2,2,3,3,3-펜타플루오로프로폭시)프로판-2-올을 사용하는 것을 제외하고 실시예 1의 단계 2와 동일한 과정을 수행하여 과불화알킬기를 포함하는 불소계 설페이트 음이온 계면활성제 5를 얻었다.
< 실시예 6> 과불화알킬기를 포함하는 불소계 설페이트 음이온 계면활성제 6의 제조
단계 1: 1 -(3,3,4,4,5,5,6,6,6- 노나플루오로헥실옥시 )-3-(2,2,3,3,3- 펜타플루오로프로폭시 )프로판-2-올의 제조
Figure pat00028
상기 실시예 4의 단계 1에서 얻은 2-((2,2,3,3,3-펜타플루오로프로폭시)메틸)옥시란 및 3,3,4,4,5,5,6,6,6-노나플루오로헥산-1-올을 사용하는 것을 제외하고 상기 실시예 1의 단계 1과 동일한 과정을 수행하여 1-(3,3,4,4,5,5,6,6,6-노나플루오로헥실옥시)-3-(2,2,3,3,3-펜타플루오로프로폭시)프로판-2-올을 얻었다.
단계 2: 과불화알킬기를 포함하는 불소계 설페이트 음이온 계면활성제 6의 제조
Figure pat00029
상기 단계 1에서 얻은 1-(3,3,4,4,5,5,6,6,6-노나플루오로헥실옥시)-3-(2,2,3,3,3-펜타플루오로프로폭시)프로판-2-올을 사용하는 것을 제외하고 실시예 1의 단계 2와 동일한 과정을 수행하여 과불화알킬기를 포함하는 불소계 설페이트 음이온 계면활성제 6을 얻었다.
<비교예 1> 불소계 음이온 계면활성제 1의 제조
Figure pat00030
2,2,3,3,4,4,5,5,6,6,7,7,8,8,8-펜타데칸플루오로옥탄-1-올(CF3CF2CF2CF2CF2CF2CF2CH2-OH)을 사용하는 것을 제외하고 실시예 1의 단계 2와 동일한 과정을 수행하여 비교예 1을 얻었다.
<비교예 2> 불소계 음이온 계면활성제 2의 제조
Figure pat00031
2,2,3,3,3-펜타플루오로프로판-1-올(CF3CF2CH2-OH)을 사용하는 것을 제외하고 실시예 1의 단계 2와 동일한 과정을 수행하여 비교예 2을 얻었다.
< 비교예 3> 소듐 라우릴 폴리옥시에틸렌 에테르 설페이트 (Sodium lauryl polyoxyethylene ether sulfate)
소듐 라우릴 폴리옥시에틸렌 에테르 설페이트는 Santa Cruz Biotechnology, Inc. 에서 구매하여 사용하였다.
< 실험예 1> 과불화알킬기를 포함하는 불소계 설페이트 음이온 계면활성제의 물성 평가
본 발명에 따른 실시예 1 내지 6에서 얻은 과불화알킬기를 포함하는 불소계 설페이트 음이온 계면활성제 및 비교예 1 내지 3의 물성을 평가하기 위하여 표면장력, CMC(Critical micelle concentration, 임계 미셀 농도) 및 CMC에서의 표면장력를 측정하여 그 결과를 하기 표 1에 나타내었다.
1-1. 표면장력 측정
표면장력은 KRUSS사의 PROCESSOR Tensionmeter K100을 사용하여 백금링을 이용하여 1% 수용액을 만들어 측정하였다.
1-2. CMC(Critical micelle concentration, 임계 미셀 농도)측정
CMC는 KRUSS사의 PROCESSOR Tensionmeter K100을 사용하여 백금링을 이용하여 각 성분의 몰 농도에 따른 표면장력을 측정하여 CMC를 결정하였다.
1-3. CMC에서의 표면장력
불소계 계면활성제는 통상적으로 CMC 이후의 농도에서도 표면장력 값이 줄어드는 특성을 가지므로, CMC에서의 표면장력값을 별도로 측정하였다.
표면장력(mN/m) CMC(mmol/L) 표면장력*(mN/m)
실시예 1 19.2 0.109 41.3
실시예 2 16.3 0.064 41.1
실시예 3 13.5 0.048 37.3
실시예 4 17.3 0.078 36.5
실시예 5 14.3 0.069 37.3
실시예 6 16.4 0.055 34.9
비교예 1 18.8 4.83 39.9
비교예 2 45.3 96.4 52.4
비교예 3 30.5 97.0 30.7
상기 표 1에서, 표면장력*은 CMC에서의 표면장력이다.
상기 표 1에 나타난 바와 같이, 본 발명에 따른 실시예 1 내지 6에서 얻은 과불화알킬기를 포함하는 불소계 설페이트 음이온 계면활성제는 20 미만의 표면장력을 나타냈으며, 특히, 실시예 3 및 5에서 얻은 과불화알킬기를 포함하는 불소계 설페이트 음이온 계면활성제는 15 이하의 매우 낮은 표면장력을 가지고, 비교예 1 내지 3과 비교하여 낮은 표면장력을 나타냄을을 확인하였으며, CMC 이후의 표면 장력 역시 비교예와 비교하여 낮은 값을 나타냄을 알 수 있었다.
또한, 본 발명에 따른 실시예 1 내지 6에서 얻은 과불화알킬기를 포함하는 불소계 설페이트 음이온 계면활성제는 매우 낮은 CMC 값을 나타내며, 비교예 1과 비교하여 약 40배 내지 100배 낮은 CMC 값을 나타내었으며, 특히, 실시예 2 내지 6의 경우 0.1 mmol/L 이하의 매우 낮은 CMC 값을 가짐을 알 수 있었다.
따라서, 본 발명에 따른 과불화알킬기를 포함하는 불소계 설페이트 음이온 계면활성제는 짧은 불소알킬기 하나만을 가지는 계면활성제(비교예 2) 및 긴 탄화수소기만을 가지는 계면활성제(비교예 3)보다 우수한 성능을 나타낼 뿐만 아니라, 과량의 불소기를 가지는 계면활성제(비교예 1)보다도 표면장력 및 CMC값이 낮으므로, 소량 사용시에도 계면활성제로서 우수한 성능을 나타낼 수 있으며, 종래의 과량의 불소기를 가지는 불소계 계면활성제를 대체 할 수 있음을 알 수 있었다.
이에, 본 발명에 따른 과불화알킬기를 포함하는 불소계 설페이트 음이온 계면활성제는 짧은 불화 알킬기를 가짐에도 불구하고 낮은 표면장력을 가지고, 염 상태로 존재함으로써, 물에 대한 높은 용해성을 겸비하며, 성능이 우수하므로, 음이온 계면활성제로 유용하게 사용될 수 있다.

Claims (6)

  1. 하기 화학식 1로 표시되는 과불화알킬기를 포함하는 불소계 설페이트 음이온 계면활성제:
    [화학식 1]
    Figure pat00032

    (상기 화학식 1에서,
    R1 및 R2는 각각 독립적으로 직쇄 또는 측쇄의 과불화C3-8알킬이되, 과불화된 탄소는 1개 내지 6개이고;
    M은 알칼리 금속 양이온, 알칼리 토금속 양이온 또는 NH4 +이다).
  2. 제1항에 있어서,
    상기 R1 및 R2는 각각 독립적으로
    Figure pat00033
    이고, 여기서, 상기 n은 1 내지 4이고, R3은 수소가 모두 F로 치환된 직쇄 또는 측쇄의 C1-6알킬이고;
    M은 나트륨 양이온, 칼륨 양이온, 리튬 양이온, 칼슘 양이온 또는 NH4 +인 것을 특징으로 하는 과불화알킬기를 포함하는 불소계 설페이트 음이온 계면활성제.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 R1 및 R2는 각각 독립적으로
    Figure pat00034
    이고, 여기서, 상기 n은 1 내지 3이고, R3은 수소가 모두 F로 치환된 직쇄 또는 측쇄의 C1- 4알킬이고;
    M은 나트륨 양이온, 칼슘 양이온 또는 NH4 +인 것을 특징으로 하는 과불화알킬기를 포함하는 불소계 설페이트 음이온 계면활성제.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 R1 및 R2는 각각 독립적으로
    Figure pat00035
    이고, 여기서, 상기 n은 1 또는 2이고, m은 1 - 3의 정수이고;
    M은 나트륨 양이온인 것을 특징으로 하는 과불화알킬기를 포함하는 불소계 설페이트 음이온 계면활성제.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 화학식 1로 표시되는 계면활성제는 하기 화학식 A 내지 F로 표시되는 화합물로 이루어지는 군으로부터 선택되는 어느 하나인 것을 특징으로 하는 과불화알킬기를 포함하는 불소계 설페이트 음이온 계면활성제:
    [화학식 A]
    Figure pat00036
    ;
    [화학식 B]
    Figure pat00037
    ;
    [화학식 C]
    Figure pat00038
    ;
    [화학식 D]
    Figure pat00039
    ;
    [화학식 E]
    Figure pat00040
    ; 및
    [화학식 F]
    Figure pat00041
    .
  6. 하기 반응식 1에 나타낸 바와 같이,
    화학식 2로 표시되는 화합물을 화학식 3으로 표시되는 화합물과 반응시켜 화학식 1로 표시되는 화합물을 제조하는 단계를 포함하는 제1항의 과불화알킬기를 포함하는 불소계 설페이트 음이온 계면활성제 제조방법:
    [반응식 1]
    Figure pat00042

    (상기 반응식 1에서,
    R1, R2 및 M은 제1항의 화학식 1에서 정의한 바와 같고;
    X1는 할로겐이다).
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