KR20170081571A - 회로기판의 제조방법 - Google Patents

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KR20170081571A
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auxiliary electrode
pattern
layer
electrode pattern
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손용구
이승헌
서한민
임창윤
명지은
이기석
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주식회사 엘지화학
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Abstract

본 명세서는 회로기판의 제조방법에 관한 것이다. 구체적으로, 본 명세서는 회로기판 및 이를 포함하는 전자소자의 제조방법에 관한 것이다.

Description

회로기판의 제조방법{METHOD OF MANUFACTURING CIRCUIT BOARD}
본 명세서는 2016년 1월 4일에 한국특허청에 제출된 한국 특허 출원 제 10-2016-0000482 호의 출원일의 이익을 주장하며, 그 내용 전부는 본 명세서에 포함된다.
본 명세서는 회로기판의 제조방법에 관한 것이다. 구체적으로, 본 명세서는 회로기판 및 이를 포함하는 전자소자의 제조방법에 관한 것이다.
최근, 디스플레이나 유기발광소자 등의 전자소자에서 유효화면부에 투명전극이 형성될 것이 요구되고 있다. 이를 위하여 전극으로서 ITO, ZnO 등과 같은 재료로 형성된 투명 도전막을 사용하고 있으나, 이들은 전도도가 낮은 문제가 있다. 이를 개선하기 위하여, 전도도 향상을 목적으로 투명 도전막 전극 상에 보조 전극 패턴으로 이루어진 보조 전극을 형성하는 시도가 이루어지고 있다.
대한민국 공개특허 제10-2012-0078642호
본 명세서는 회로기판의 제조방법을 제공하고자 한다. 구체적으로, 본 명세서는 회로기판 및 이를 포함하는 전자소자의 제조방법을 제공하고자 한다.
본 명세서는 투명 기재 상에 두께가 1㎛ 이상인 보조 전극 패턴을 형성하는 단계; 상기 보조 전극 패턴이 구비된 투명 기재 상에 UV 경화형 수지 조성물을 도포하여 UV 경화형 수지층을 형성하는 단계; 상기 UV 경화형 수지층 상에 이형필름을 적층하는 단계; 상기 이형필름의 표면을 압착하는 단계; 상기 투명 기재 중 보조 전극 패턴이 형성된 면의 반대면 측에서 빛을 조사하는 노광단계; 및 노광 후 상기 UV 경화형 수지층 중 빛이 조사되지 않은 부분을 현상하여 UV 경화형 수지 패턴을 형성하는 단계를 포함하며, 상기 노광단계 전 또는 후에, 상기 이형필름을 제거하는 단계를 더 포함하는 것인 회로기판의 제조방법을 제공한다.
본 명세서에 일 실시상태에 따른 방법은 두께가 두꺼운 보조전극 상에 크랙없이 투명 전극을 형성할 수 있는 장점이 있다.
본 명세서에 일 실시상태에 따른 방법은 투명하면서 저항이 낮은 전극을 형성할 수 있는 장점이 있다.
도 1은 종래 기술의 문제점을 나타낸 것이다.
도 2는 본 명세서에 따른 방법으로 제조된 전극 패턴을 나타낸 것이다.
도 3은 본 명세서의 제1 실시상태에 따른 방법의 순서를 나타낸 것이다.
도 4는 본 명세서의 제2 실시상태에 따른 방법의 순서를 나타낸 것이다.
도 5는 실시예 1의 보조 전극 패턴의 주사전자현미경(SEM) 이미지이다.
도 6은 실시예 2의 UV 경화형 수지 패턴 및 노출된 보조 전극 패턴을 나타내는 SEM이미지이다.
도 7은 실시예 2의 ITO가 증착된 표면을 나타낸 SEM이미지이다.
도 8은 비교예 1의 ITO가 증착된 표면을 나타낸 SEM이미지이다.
도 9는 실시예 1 내지 3의 UV 경화형 수지 패턴 및 노출된 보조 전극 패턴을 나타내는 SEM이미지이다.
도 10은 비교예 2 내지 4의 UV 경화형 수지 패턴 및 노출된 보조 전극 패턴을 나타내는 SEM이미지이다.
이하에서 본 명세서에 대하여 상세히 설명한다.
본 명세서는 투명 기재 상에 두께가 1㎛ 이상인 보조 전극 패턴을 형성하는 단계; 상기 보조 전극 패턴이 구비된 투명 기재 상에 UV 경화형 수지 조성물을 도포하여 UV 경화형 수지층을 형성하는 단계; 상기 투명 기재 중 보조 전극 패턴이 형성된 면의 반대면 측에서 빛을 조사하는 노광단계; 및 노광 후 상기 UV 경화형 수지층 중 빛이 조사되지 않은 부분을 현상하여 UV 경화형 수지 패턴을 형성하는 단계를 포함하는 회로기판의 제조방법을 제공한다.
상기 회로기판의 제조방법은 투명 기재 상에 두께가 1㎛ 이상인 보조 전극 패턴을 형성하는 단계를 포함한다.
상기 투명 기재는 강성 기재이거나 플렉서블 기재일 수 있다. 구체적으로, 상기 투명 기재는 플렉서블 기재인 것이 바람직하며, 상기 플렉서블 기재는 플라스틱 기판 또는 플라스틱 필름일 수 있다. 상기 플라스틱 기판 또는 플라스틱 필름은 특별히 한정하지 않으나, 예를 들면, 폴리아크릴레이트(polyacrylate), 폴리프로필렌(PP, polypropylene), 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET, polyethylene Terephthalate), 폴리에틸렌에테르프탈레이트(polyethylene ether phthalate), 폴리에틸렌프탈레이트(polyethylene phthalate), 폴리부틸렌프탈레이트(polybuthylene phthalate), 폴리에틸렌나프탈레이트(PEN; Polyethylene Naphthalate), 폴리카보네이트(PC; polycarbonate), 폴리스티렌(PS, polystyrene), 폴리에테르이미드(polyether imide), 폴리에테르술폰(polyether sulfone), 폴리디메틸실록산(PDMS; polydimethyl siloxane), 폴리에테르에테르케톤(PEEK; Polyetheretherketone) 및 폴리이미드(PI; polyimide) 중 어느 하나 이상을 포함할 수 있다.
상기 기재는 투명도가 높은 기판을 사용할 수 있으며, 상기 기판의 광투과도는 50 % 이상일 수 있다.
상기 투명 기재 상에 보조 전극 패턴을 형성하는 방법은 특별히 한정 하지 않으나, 예를 들면, 롤프린팅, 잉크젯 인쇄법, 스크린인쇄법 증착법, 포토리소그래피법, 식각법 등일 수 있다.
상기 보조 전극 패턴은 규칙적인 형태일 수도 있으나, 불규칙적인 형태일 수도 있다. 예컨대, 스트라이프(Stripe), 마름모, 정사각형 격자, 원형, 웨이브(wave) 패턴, 그리드, 2 차원 그리드 등이 될 수 있으며, 특정 형태로 제한되는 것은 아니다. 상기 보조 전극 패턴이 일정 광원에서 나오는 빛이 회절과 간섭에 의해서 광학적 성질을 저해하지 않도록 설계되어야 한다면, 패턴의 규칙성을 최소화한 패턴을 사용할 수도 있으며, 이를 위해 물결무늬, 사인 곡선(Sine wave) 및 격자 구조의 스페이싱과 선의 두께를 불규칙하게 구성한 패턴을 사용할 수도 있다. 필요한 경우, 보조 전극 패턴은 2 이상의 패턴의 조합일 수 있다. 상기 보조 전극 패턴은 보로노이 다이어그램을 이루는 도형들의 경계선이나 델로니 삼각형을 이루는 경계선을 포함할 수도 있다. 상기 보조 전극 패턴을 이루는 선은 직선일 수도 있으나, 곡선, 물결선, 지그재그선 등 다양한 변형이 가능하다.
상기 보조 전극 패턴의 두께는 1㎛ 이상이며, 구체적으로 1㎛ 이상 10㎛ 이하일 수 있고, 더 구체적으로 1㎛ 이상 3㎛ 이하일 수 있다.
상기 보조 전극 패턴의 선폭은 3㎛ 이상 100㎛ 이하이며, 구체적으로, 5㎛ 이상 50㎛ 이하일 수 있다.
상기 회로기판의 제조방법은 상기 보조 전극 패턴이 구비된 투명 기재 상에 UV 경화형 수지 조성물을 도포하여 UV 경화형 수지층을 형성하는 단계를 포함한다.
본 명세서에서, UV 경화형 수지는 노광시 노광된 영역에서 레지스트 층 재료의 화학적 변화가 일어나고, 현상 시 빛에 노광되지 않은 재료가 떨어져 나가는 감광재료를 의미한다.
상기 UV 경화형 수지 조성물은 자외선에 의해 경화되는 수지를 포함하고 있다면 특별히 한정하지 않으나, 상기 UV 경화형 수지 조성물은 네가티브 포토레지스트 조성물일 수 있다. 구체적으로, 상기 네가티브 포토레지스트 조성물은 빛에 노출됨으로써 현상액에 대한 내성이 변화하는 고분자를 포함하는 조성물을 의미하며, 상기 네가티브 포토레지스트 조성물은 빛에 노광되어 현상액에 대한 내성이 생기는 고분자를 포함할 수 있다.
상기 UV 경화형 수지 조성물은 광개시제, 가교제, 첨가제 및 용매 중 적어도 하나를 더 포함할 수 있다.
상기 고분자, 광개시제, 가교제, 첨가제 및 용매는 특별히 한정하지 않으며, 당 기술분야에서 일반적으로 사용하는 재질을 채용할 수 있다.
상기 UV 경화형 수지 조성물을 도포하는 방법은 특별히 한정하지 않으며, 예를 들면, 바(bar) 코팅, 슬롯다이(slot die) 코팅, 스핀(spin) 코팅, 콤마(comma) 코팅, 마이크로그라비아(microgravure) 코팅 또는 딥(dip) 코팅일 수 있다.
상기 UV 경화형 수지층을 형성하는 단계는 상기 보조 전극 패턴이 구비된 투명 기재 상에 UV 경화형 수지 조성물을 도포하는 단계 및 도포된 UV 경화형 수지 조성물을 건조하는 단계를 포함할 수 있다.
상기 건조방법은 특별히 한정하지 않으나, 열풍건조방법 또는 적외선건조방법일 수 있다.
상기 회로기판의 제조방법은 상기 UV 경화형 수지층을 형성하는 단계 후에, 상기 UV 경화형 수지층 상에 이형필름을 적층하는 단계; 및 상기 이형필름의 표면을 압착하는 단계를 더 포함할 수 있다.
상기 이형필름은 UV 경화형 수지층 상에 적층되었다가 UV 경화형 수지층의 손상없이 제거될 수 있다면 특별히 한정하지 않으며, 예를 들면, 실리콘계 이형필름 및 불소계 이형필름 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
상기 이형필름의 표면을 압착하는 방법은 특별히 한정하지 않으나, 압착판, 열압착판, 압착롤 또는 열압착롤을 사용하여 이형필름의 표면을 압착할 수 있다. 이때, 압착시간 및 압착하는 힘은 이형필름의 재질과 두께 및 UV 경화형 수지층의 재질에 따라 변경하여 선택할 수 있다.
상기 회로기판의 제조방법은 상기 노광단계 전 또는 후에, 상기 이형필름을 제거하는 단계를 더 포함할 수 있다. 구체적으로, 상기 이형필름은 상기 노광단계 전에 제거하거나, 상기 노광단계 후에 제거할 수 있다.
상기 이형필름을 제거하는 방법은 특별히 한정하지 않으나, 접착롤에 의해 이형필름을 제거할 수 있다.
상기 회로기판의 제조방법은 상기 투명 기재 중 보조 전극 패턴이 형성된 면의 반대면 측에서 빛을 조사하는 노광단계를 포함한다.
상기 노광단계의 노광조건은 도포된 포토레지스트의 성질에 따라 조절될 수 있으며, 특별히 한정하지 않는다. UV 경화형 수지층이 충분하게 노광되지 않을 경우, UV 경화형 수지층이 충분히 경화되지 않아 현상 공정 중 UV 경화형 수지층의 표면이 손상될 수 있으며 보조 전극 패턴과 UV 경화형 수지층 사이에서 틈이 발생될 수 있다. 반면에 UV 경화형 수지층이 과도하게 노광될 경우, 보조 전극 상에 형성되어 있는 UV 경화형 수지층의 전부 또는 일부가 노광되어 현상 후 보조 전극 상부의 전부 또는 일부가 노출되지 않는 문제가 발생할 수 있다.
상기 회로기판의 제조방법은 노광 후 상기 UV 경화형 수지층 중 빛이 조사되지 않은 부분을 현상하여 UV 경화형 수지 패턴을 형성하는 단계를 포함한다.
상기 노광 후 상기 UV 경화형 수지층 중 빛이 조사되지 않은 부분은 UV 경화형 수지층 중 보조 전극 패턴 상에 위치하는 부분이며, 보조 전극 패턴 상에 위치하는 UV 경화형 수지층의 일부분은 보조 전극 패턴에 의해 빛이 차단되어 조사된 빛을 받지 못한다.
상기 노광 후 상기 UV 경화형 수지층 중 빛이 조사되지 않은 부분을 현상함으로써, 보조 전극 패턴 상의 UV 경화형 수지가 현상액에 의해 현상되어 보조 전극 패턴이 노출될 수 있다.
상기 노광 후 상기 UV 경화형 수지층 중 빛이 조사된 부분은 보조 전극 패턴이 형성되지 않아 상기 투명 기재 중 보조 전극 패턴이 형성된 면의 반대면 측에서 조사된 빛을 받은 부분이며, 구체적으로, 상기 노광 후 상기 UV 경화형 수지층 중 빛이 조사된 부분은 보조 전극 패턴 사이에 형성된 UV 경화형 수지층의 일부이다. 상기 노광 후 상기 UV 경화형 수지층 중 빛이 조사되지 않은 부분을 현상함으로써 형성되는 UV 경화형 수지 패턴은 보조 전극 패턴 사이에 형성될 수 있다.
상기 보조 전극 패턴의 두께와 상기 UV 경화형 수지 패턴의 두께의 차이는 200nm 이하일 수 있다. 구체적으로, 상기 보조 전극 패턴의 두께와 상기 UV 경화형 수지 패턴의 두께의 차이는 0nm 이상 200nm 이하일 수 있으며, 50nm 이상 150nm 이하일 수 있다. 이 경우 상기 보조 전극 패턴 및 UV 경화형 수지 패턴이 구비된 투명 기재 상에 형성되는 투명 전극층이 단차에 의한 크랙이 발생하지 않는 장점이 있다.
상기 UV 경화형 수지층 중 빛이 조사되지 않은 부분을 현상하는 방법은 특별히 한정하지 않으나, 예를 들면, 현상액을 노광된 UV 경화형 수지층에 도포 또는 분사하거나, 노광된 UV 경화형 수지층을 현상액에 침지할 수 있다.
상기 회로기판의 제조방법은 상기 UV 경화형 수지 패턴을 형성하는 단계 후에, 상기 보조 전극 패턴 및 UV 경화형 수지 패턴이 구비된 투명 기재 상에 투명 전극층을 형성하는 단계를 더 포함할 수 있다.
상기 투명 전극층을 형성하는 방법은 특별히 한정하지 않으나, 상기 보조 전극 패턴 및 UV 경화형 수지 패턴이 구비된 투명 기재 상에 투명 전극재료를 증착시킬 수 있다.
상기 투명 전극층은 투명한 금속 산화물층이거나, 두께가 얇아 광투과성이 있는 금속층일 수 있다.
상기 투명 전극층은 ITO(Indium Tin Oxide), ZnO, IZO(Indium Zinc Oxide) 등의 금속 산화물층으로 형성되거나, Al, Cu 등의 얇은 금속으로 형성될 수 있다.
상기 회로기판의 제조방법은 상기 전극층 상에 유기물층 및 추가의 전극층을 순차적으로 형성하는 단계를 더 포함할 수 있다.
상기 보조전극 및 전극층이 전자 소자의 전극층에 해당하는 경우, 전자 소자의 종류에 맞는 추가층을 더 형성할 수 있다. 예를 들면, 상기 전극층 상에 전자 소자의 종류에 맞는 유기물층 및 추가의 전극층을 더 형성할 수 있다.
상기 전자 소자는 터치패널, 태양 전지, 유기 발광 소자, 조명 및 액정표시장치 등을 포함한다.
전자 소자에 있어서, 투명성을 위해 투명전극을 구비하는 경우가 증가하고 있으며, 전극에 투명성을 위해서는 금속 산화물을 사용하거나 금속층을 얇게 증착해야 한다. 금속 산화물의 경우 저항이 높으며, 도전성이 좋은 금속이라도 투명성을 확보할만큼 얇게 증착하는 경우 저항이 높아지게 된다.
이에 따라, 상기 투명전극의 저항을 낮춰주기 위해 보조 전극 패턴을 구비할 수 있다.
전자 소자의 크기가 증가시키거나 플렉서빌리티를 부여하는 등 전자 소자의 응용을 넓혀가는 추세에 따라, 상기 보조 전극의 저항을 더 낮춰야 하는 필요성이 높아지고 있다. 상기 보조 전극 패턴의 저항을 낮추는 방법으로 보조 전극 패턴의 두께를 증가시키는 방법을 생각할 수 있으나, 이 경우 도 1에 도시된 바와 같이 보조 전극 패턴과 기재의 단차로 인해 증착되는 전극층에 크랙이 형성되어 전기적 단락 또는 배선간 쇼트가 발생할 수 있다.
이와 같은 문제점을 해결하기 위해 도 2와 같이, 보조 전극 패턴과 기재의 단차를 줄여줄 수 있는 평탄화층을 형성할 수 있다.
이하에서, 실시예를 통하여 본 명세서를 더욱 상세하게 설명한다. 그러나, 이하의 실시예는 본 명세서를 예시하기 위한 것일 뿐, 본 명세서를 한정하기 위한 것은 아니다.
[실시예]
[제조예]
UV 경화형 수지 조성물의 제조
중량 평균 분자량이 10,100g/mol, 산가 77mgKOH/g, 아크릴반응기 비율이 30mol%인 아크릴레이트 수지 16g, 디펜타에리쓰리톨 헥사아크릴레이트 7.5g, 옥심계 광개시제 1g, Glide-410 계면활성제 0.5g을 PGMEA(Propylene Glycol Mnomethyl Ether Acetate) 75g에 용해한 후 0.1㎛ 크기의 필터로 여과하여 UV 경화형 수지 조성물을 제조하였다.
[실시예 1]
구리가 2㎛ 두께로 증착되어 있는 PET(polyethylene terephthalate) 필름 상에 리버스 오프셋 인쇄 공정을 통하여 선폭 15㎛인 레지스트 잉크 패턴을 형성한 후 구리 식각 공정을 통하여 두께 2㎛, 선폭 8㎛인 구리 보조 전극 패턴을 형성했다.
상기 두께 2㎛, 선폭 8㎛인 구리 보조 전극이 구비된 기재 상에 상기 제조예에서 제조된 UV 경화형 수지 조성물을 스핀 코팅법을 이용하여 도포한 후 80℃에서 3분간 열풍 건조하여 UV 경화형 수지 조성물층을 형성했다.
상기 UV 경화형 수지 조성물층 상에 불소계 이형필름을 적층한 후 25Kgf/cm2 압력 조건으로 압착롤로 압착했다.
상기 구리 보조 전극 패턴 및 UV 경화형 수지 조성물층이 구비되어 있는 기재의 배면에서 100mJ/cm2의 노광량을 조사한 후 접착롤을 통해 이형필름을 제거하였다. 120℃에서 3분간 상기 이형필름이 제거된 기재를 추가로 열풍 건조했다.
KOH 0.05wt% 현상액에 2분간 현상하여 구리 보조 전극 패턴 상부의 구비되어 있는 UV 경화형 수지 조성물층을 제거했다.
상기 노출된 구리 보조 전극 패턴 상에 두께가 100nm인 ITO를 증착했다.
[실시예 2]
노광량을 150mJ/cm2으로 변경한 것을 제외하고, 실시예 1과 동일하게 제조했다.
[실시예 3]
노광량을 200mJ/cm2으로 변경한 것을 제외하고, 실시예 1과 동일하게 제조했다.
[비교예 1]
실시예 1에서 UV 경화형 수지 조성물층을 형성하지 않고, 두께 2㎛ 선폭 8㎛인 구리 보조 전극 패턴이 구비된 PET 필름 상에 바로 두께가 100nm인 ITO를 증착했다.
[비교예 2]
구리가 2㎛ 두께로 증착되어 있는 PET(polyethylene terephthalate) 필름 상에 리버스 오프셋 인쇄 공정을 통하여 선폭 15㎛인 레지스트 잉크 패턴을 형성한 후 구리 식각 공정을 통하여 두께 2㎛, 선폭 8㎛인 구리 보조 전극 패턴을 형성했다.
상기 두께 2㎛, 선폭 8㎛인 구리 보조 전극이 구비된 기재 상에 제조예에서 제조된 UV 경화형 수지 조성물을 스핀 코팅법을 이용하여 도포한 후 120℃에서 3분간 열풍 건조하여 UV 경화형 수지 조성물층을 형성했다.
상기 구리 보조 전극 패턴 및 UV 경화형 수지 조성물층이 구비되어 있는 기재의 배면에서 100mJ/cm2의 노광량을 조사한 후 KOH 0.05wt% 현상액에 2분간 현상하여 구리 보조 전극 패턴 상부의 구비되어 있는 UV 경화형 수지 조성물층을 제거했다.
상기 노출된 구리 보조 전극 패턴 상에 두께가 100nm 인 ITO를 증착했다.
[비교예 3]
노광량을 150mJ/cm2으로 변경한 것을 제외하고, 비교예 2와 동일하게 제조했다.
[비교예 4]
노광량을 200mJ/cm2으로 변경한 것을 제외하고, 비교예 2와 동일하게 제조했다.
[실험예 1]
주사전자현미경(SEM) 측정
PET 필름 상에 구비된 보조 전극 패턴의 주사전자현미경(SEM) 이미지를 도 5에 나타냈다.
실시예 1의 UV 경화형 수지 패턴 및 노출된 보조 전극 패턴을 나타내는 SEM이미지를 도 6에 나타냈다.
실시예 1 내지 3과 비교예 1 내지 4의 ITO가 증착된 표면을 나타낸 SEM이미지 각각 도 7 내지 10에 나타냈다.
도 7(실시예 2)과 도 8(비교예 1)을 비교하면, UV 경화형 수지 조성물층이 구비되어 있을 경우 보조 전극 경계부에서의 ITO 크렉이 발생하지 않는 것을 알 수 있다.
도 9(실시예 1 내지 3)과 도 10(비교예 2 내지 4)을 비교하면, 실시예 1 내지 3과 같이 이형필름을 합지한 상태에서 배면 노광을 진행할 경우 보조전극 상부에 수지 조성물층이 잔류하지 않는 것을 알 수 있다.
[실험예 2]
저항측정
실시예 1 내지 3과 비교예 1 내지 4의 보조 전극 패턴 상부에 ITO 100nm를 증착한 후 Mitsubishi Chemical Corporation MCP-T600 면저항 측정기를 이용하여 보조 전극 기판의 면저항을 측정하였다.
보조전극 패턴 경계부 ITO 크렉 발생 여부 ITO 100nm 증착 후 면저항(Ω/□)
실시예 1 미발생 1.2
실시예 2 미발생 1.3
실시예 3 미발생 1.2
비교예 1 발생 1.4
비교예 2 미발생 4.6
비교예 3 미발생 12.3
비교예 4 미발생 16.8
상기 표 1을 통해, 보조전극 상부에 수지 조성물이 잔류된 비교예 2 내지 4는 면저항이 높은 것을 알 수 있다. 이는 잔류된 수지 조성물이 보조전극의 ITO의 면저항을 감소시키는 효과를 방해하는 것을 알 수 있다.

Claims (4)

  1. 투명 기재 상에 두께가 1㎛ 이상인 보조 전극 패턴을 형성하는 단계;
    상기 보조 전극 패턴이 구비된 투명 기재 상에 UV 경화형 수지 조성물을 도포하여 UV 경화형 수지층을 형성하는 단계;
    상기 UV 경화형 수지층 상에 이형필름을 적층하는 단계;
    상기 이형필름의 표면을 압착하는 단계;
    상기 투명 기재 중 보조 전극 패턴이 형성된 면의 반대면 측에서 빛을 조사하는 노광단계; 및
    노광 후 상기 UV 경화형 수지층 중 빛이 조사되지 않은 부분을 현상하여 UV 경화형 수지 패턴을 형성하는 단계를 포함하며,
    상기 노광단계 전 또는 후에, 상기 이형필름을 제거하는 단계를 더 포함하는 것인 회로기판의 제조방법.
  2. 청구항 1에 있어서, 상기 UV 경화형 수지 패턴을 형성하는 단계 후에, 상기 보조 전극 패턴 및 UV 경화형 수지 패턴이 구비된 투명 기재 상에 전극층을 형성하는 단계를 더 포함하는 회로기판의 제조방법.
  3. 청구항 2에 있어서, 상기 전극층 상에 유기물층 및 추가의 전극층을 순차적으로 형성하는 단계를 더 포함하는 회로기판의 제조방법.
  4. 청구항 1에 있어서, 상기 보조 전극 패턴의 두께와 상기 UV 경화형 수지 패턴의 두께의 차이는 200nm 이하인 것인 회로기판의 제조방법.
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