KR20170064999A - 감압된 공간에서 피가공물을 처리하는 처리 장치 - Google Patents

감압된 공간에서 피가공물을 처리하는 처리 장치 Download PDF

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Abstract

처리 장치의 스테이지에 대한 복수의 리프트 핀이 상대적인 이동에 기인하는 파티클의 발생을 억제하고, 또한 스테이지 상으로의 피가공물의 반송 정밀도를 향상시킨다. 일 실시 형태의 처리 장치에서는, 처리 용기 내에 스테이지가 설치되어 있다. 스테이지에는 복수의 리프트 핀용의 복수의 관통 구멍이 형성되어 있다. 복수의 리프트 핀은, 지지체를 통하여 스플라인 축에 의해 지지되어 있다. 스플라인 축은, 스플라인 축받이에 의해 상하 이동 가능하게 지지되어 있다. 복수의 리프트 핀은, 스프링 부재에 의해 스플라인 축을 통하여 상방으로 가압되어 있다. 스플라인 축, 스플라인 축받이 및 스프링 부재는, 처리 용기 내의 감압 가능한 공간으로부터 분리된 처리 용기의 외부의 공간에 설치되어 있다.

Description

감압된 공간에서 피가공물을 처리하는 처리 장치{APPARATUS OF PROCESSING WORKPIECE IN DEPRESSURIZED SPACE}
본 발명의 실시 형태는, 감압된 공간에서 피가공물을 처리하는 처리 장치에 관한 것이다.
전자 디바이스의 제조에 있어서는, 반도체 기판과 같은 피가공물에 대한 다양한 처리가 행하여진다. 이러한 처리에는, 감압 환경 하에서 행하여지는 처리, 예를 들어 성막, 에칭과 같은 처리가 있다.
감압 환경 하에서 피가공물에 대하여 행하여지는 처리에는, 감압 가능한 내부 공간을 제공하는 처리 용기를 구비한 처리 장치가 사용된다. 처리 장치는, 통상, 스테이지 및 복수의 리프트 핀을 더 구비하고 있다. 스테이지는, 그 위에 적재되는 피가공물을 지지하는 것이며, 당해 스테이지에는 복수의 관통 구멍이 형성되어 있다. 리프트 핀은, 복수의 관통 구멍에 삽입 가능하게 되어 있다. 이 처리 장치의 이용 시에는, 반송 로봇과 같은 반송 장치에 의해 피가공물이 처리 용기 내에 반입된다. 처리 용기 내에 반입된 피가공물은, 스테이지의 상면으로부터 상방으로 돌출된 복수의 리프트 핀의 상단에 반송 장치로부터 전달된다. 그리고, 복수의 리프트 핀으로부터 스테이지 상에 피가공물이 전달된다. 그 후, 피가공물에 대한 처리가 행하여진다.
이러한 처리 장치에는, 특허문헌 1에 기재되어 있는 바와 같이, 스테이지의 상하 이동에 의해 복수의 리프트 핀의 상단과 스테이지의 상면과의 상대적인 위치를 설정하는 경우가 있다. 특허문헌 1에 기재된 처리 장치에서는, 스테이지는, 상하 이동 가능하게 구성되어 있다. 이 스테이지에는, 복수의 관통 구멍이 형성되어 있다. 복수의 리프트 핀은 각각, 복수의 관통 구멍에 부분적으로 삽입되어 있고, 당해 스테이지에 의해 지지되어 있다. 복수의 리프트 핀의 하방에는, 복수의 스프링에 의해 각각 지지된 복수의 핀받이가 설치되어 있다.
특허문헌 1에 기재된 처리 장치의 이용 시에는, 스테이지가 하방으로 이동됨으로써, 복수의 리프트 핀의 하단이 복수의 핀받이에 각각 맞닿고, 당해 복수의 리프트 핀의 상단이 스테이지의 상면보다도 상방에 배치된다. 그리고, 복수의 리프트 핀의 상단에 피가공물이 전달된다. 계속해서, 스테이지가 상방으로 이동됨으로써, 복수의 리프트 핀은 스테이지의 상면보다도 하방으로 이동한다. 이에 의해, 피가공물이 스테이지 상에 적재된다.
일본 특허 공개 평9-13172호 공보
특허문헌 1에 기재된 처리 장치에서는, 스테이지에 대한 복수의 리프트 핀의 상대적인 이동에 있어서, 복수의 리프트 핀은 복수의 관통 구멍을 구획 형성하는 스테이지의 벽면에 대하여 섭동한다. 따라서, 스테이지 및/또는 리프트 핀으로부터 파티클이 발생할 수 있다. 파티클은, 스프링으로부터도 발생할 수 있다. 또한, 스테이지에 대한 복수의 리프트 핀의 상대적인 이동을 위해서, 당해 복수의 리프트 핀과 복수의 관통 구멍을 구획 형성하는 벽면과의 사이에는 클리어런스(간극)가 필요하다. 따라서, 스테이지에 대한 복수의 리프트 핀의 상대적인 이동에 있어서 복수의 리프트 핀에 덜걱거림이 발생할 수 있다. 그러므로, 피가공물의 스테이지 상으로의 반송의 정밀도가 낮다.
그래서 본 발명은, 처리 장치의 스테이지에 대한 복수의 리프트 핀의 상대적인 이동에 기인하는 파티클의 발생을 억제하고, 또한 스테이지 상으로의 피가공물의 반송 정밀도를 향상시키는 것이 가능한 처리 장치를 제공한다.
일 형태에서는, 감압된 공간에서 피가공물을 처리하는 처리 장치가 제공된다. 이 처리 장치는, 처리 용기, 스테이지, 지지체, 복수의 리프트 핀, 스플라인 축, 스플라인 축받이, 스프링 부재, 벨로즈, 제한 기구 및 규제부를 구비하고 있다. 처리 용기는, 감압 가능한 내부 공간을 제공한다. 스테이지는, 처리 용기 내에서 상하 이동 가능하게 설치되어 있다. 스테이지에는, 당해 스테이지의 상면에서부터 하면까지 관통하도록 복수의 관통 구멍이 형성되어 있다. 지지체는, 스테이지의 하방에 설치되어 있다. 복수의 리프트 핀은, 지지체에 지지되어 있고, 지지체로부터 상방으로 연장되어 있고, 연직 방향에 있어서 복수의 관통 구멍에 각각 정렬되어 있다. 스플라인 축은, 연직 방향으로 연장되어 있고, 그 위에 지지체를 지지하고 있다. 스플라인 축받이는, 스플라인 축을 상하 방향으로 이동 가능하게 지지하고 있다. 스프링 부재는, 스플라인 축을 상방으로 가압하도록 설치되어 있다. 벨로즈는, 상하 방향으로 신축 가능하고, 처리 용기 내에서 스플라인 축을 둘러싸고, 처리 용기 내의 감압 가능한 공간과 해당 벨로즈 내의 공간을 포함하는 처리 용기의 외부의 공간을 분리한다. 제한 기구는, 복수의 리프트 핀 각각의 상단이 스테이지의 상면으로부터 돌출되어 있는 상태에서, 스테이지의 상면에 대한, 복수의 리프트 핀의 상방으로의 이동을 제한하도록 구성되어 있다. 규제부는, 스테이지가 적어도 연직 방향의 소정 위치 및 당해 소정 위치보다도 상방의 위치에 있을 때, 스플라인 축의 상방으로의 이동을 규제한다. 이 처리 장치에서는, 스플라인 축, 스플라인 축받이 및 스프링 부재는, 처리 용기의 외부의 공간에 설치되어 있다.
이 처리 장치에서는, 복수의 리프트 핀은, 지지체 및 스플라인 축을 통하여 스플라인 축받이에 의해 지지되어 있다. 또한, 복수의 리프트 핀의 상하 이동은, 스플라인 축받이에 의한 스플라인 축의 안내에 의해 실현되고 있다. 따라서, 이 처리 장치에서는, 복수의 리프트 핀의 스테이지에 대한 덜걱거림이 억제되어 있어, 복수의 리프트 핀의 상하 방향의 이동의 정밀도가 높게 되어 있다. 또한, 복수의 리프트 핀의 상단이 스테이지의 상면으로부터 상방으로 돌출되어 있는 상태에서는, 제한 기구에 의해 스테이지의 상면에 대한 복수의 리프트 핀의 상방으로의 이동이 제한되고, 또한 복수의 리프트 핀을 상방으로 가압하는 힘이 스플라인 축에 가해진다. 이 상태에서는, 복수의 리프트 핀의 상단의 위에 피가공물을 적재해도, 당해 복수의 리프트 핀의 위치가 변동하지 않는다. 또한, 스테이지를 소정 위치보다도 상방으로 이동시키면, 규제부에 의해 스플라인 축의 상방으로의 이동이 규제되고, 복수의 리프트 핀의 상단이 스테이지의 상면보다도 하방으로 이동하여, 복수의 리프트 핀으로부터 스테이지에 피가공물이 전달된다. 따라서, 스테이지 상에 적재될 때까지 동안의 피가공물의 위치의 변동이 억제된다. 그러므로, 이 처리 장치에서는, 스테이지 상으로의 피가공물의 반송 정밀도가 높게 되어 있다. 또한, 스플라인 축, 스플라인 축받이 및 스프링 부재는, 처리 용기의 내부 공간으로부터 분리된 처리 용기의 외부의 공간에 배치되어 있다. 따라서, 스테이지에 대한 복수의 리프트 핀의 상대적인 이동에 의한 파티클의 발생이 억제된다.
일 실시 형태에서, 처리 장치는, 축체 및 구동 장치를 더 구비할 수 있다. 축체는, 스테이지에 결합되어 있고, 스테이지의 하면으로부터 하방으로 연장되어 있다. 구동 장치는, 축체에 접속되어 있다. 구동 장치는, 스테이지를 상하 이동시키고, 또한 축체를 통하여 스테이지를 당해 스테이지의 중심 축선을 중심으로 회전시키도록 구성되어 있다.
일 실시 형태에서, 처리 장치는, 액추에이터를 더 구비할 수 있다. 액추에이터는, 처리 용기의 외부의 공간에 설치되어 있고, 스플라인 축을 하방으로 이동시키도록 구성되어 있다. 이 실시 형태에서는, 액추에이터에 의해 스플라인 축을 하방으로 이동시킴으로써, 회전하는 스테이지에 간섭하지 않는 위치에 복수의 리프트 핀을 배치할 수 있다.
일 실시 형태에서, 성막 장치는, 구동 장치 및 액추에이터를 제어하는 제어부를 더 구비할 수 있다. 제어부는, (1) 처리 용기 내에의 피가공물의 반입 시에, 소정 위치보다도 하방의 제1 위치에 스테이지를 배치하도록 구동 장치를 제어하고, (2) 복수의 리프트 핀 상에 피가공물을 적재하기 위해서 제1 위치와 소정 위치와의 사이의 제2 위치에 스테이지를 배치하도록 구동 장치를 제어하고, (3) 피가공물을 스테이지 상에 적재하기 위해서, 소정 위치에 스테이지를 배치하도록 구동 장치를 제어하고, (4) 복수의 리프트 핀을 스테이지에 간섭하지 않는 위치에 이동시키도록 액추에이터를 제어하고, (5) 스테이지를 소정 위치보다도 상방의 제3 위치에 배치하도록 구동 장치를 제어하고, (6) 제3 위치에서 스테이지를 회전시키도록 구동 장치를 제어한다.
일 실시 형태에서, 성막 장치는, 하우징을 더 구비할 수 있다. 하우징은, 스프링 부재를 수용한다. 하우징은, 스플라인 축이 지나는 개구가 형성된 상부, 및 해당 상부의 하방에서 연장되는 하부를 포함한다. 스플라인 축은, 지지체에 결합된 상단부, 및 플랜지를 갖는 하단부를 포함한다. 스플라인 축의 하단부는, 하우징 내에 수용되어 있다. 스프링 부재는, 플랜지와 하우징의 상기 하부와의 사이에 설치되어 있다. 하우징의 상부는, 플랜지와 대면하고 있으며, 규제부를 구성한다.
일 실시 형태에서, 액추에이터는, 피스톤 로드를 갖는 동력 실린더이며, 피스톤 로드는, 하우징의 하부에 결합되어 있다.
일 실시 형태에서, 지지체는, 말굽형을 갖고 복수의 리프트 핀을 지지하는 제1 부분, 및 제1 부분으로부터 처리 용기의 측벽을 향해서 연장되는 제2 부분을 갖는다. 지지체의 제1 부분은, 축체의 주위에 배치되어 있고, 스플라인 축은 제2 부분에 결합되어 있다.
일 실시 형태에서, 스테이지는 당해 스테이지의 하면보다도 하방으로 연장되는 볼록부를 갖고, 스테이지의 볼록부의 하단이 지지체에 맞닿을 수 있게 구성되어 있고, 제한 기구는, 스테이지의 볼록부와 지지체를 포함한다. 다른 실시 형태에서는, 제한 기구는, 축체에 결합된 제1 부재와, 스플라인 축에 결합되어 있고, 제1 부재의 하방까지 연장되어, 당해 제1 부재에 맞닿을 수 있게 설치된 제2 부재를 포함한다.
이상 설명한 바와 같이, 처리 장치의 스테이지에 대한 복수의 리프트 핀의 상대적인 이동에 기인하는 파티클의 발생을 억제하고, 또한 스테이지 상으로의 피가공물의 반송 정밀도를 향상시키는 것이 가능해진다.
도 1은 일 실시 형태에 따른 처리 장치를 개략적으로 도시하는 도면이다.
도 2는 도 1에 도시하는 처리 장치의 리프트 기구에 포함되는 복수의 리프트 핀 및 지지체를 도시하는 평면도이다.
도 3은 일 실시 형태에 따른 처리 장치를 개략적으로 도시하는 도면이다.
도 4는 일 실시 형태에 따른 처리 장치를 개략적으로 도시하는 도면이다.
도 5는 일 실시 형태에 따른 처리 장치를 개략적으로 도시하는 도면이다.
도 6은 일 실시 형태에 따른 처리 장치를 개략적으로 도시하는 도면이다.
도 7은 다른 실시 형태에 따른 처리 장치를 개략적으로 도시하는 도면이다.
이하, 도면을 참조하여 다양한 실시 형태에 대해서 상세하게 설명한다. 또한, 각 도면에서 동일하거나 또는 상당하는 부분에 대해서는 동일한 부호를 붙이기로 한다.
도 1은, 일 실시 형태에 따른 처리 장치를 개략적으로 도시하는 도면이다. 도 1에 도시하는 처리 장치(10)는, 성막 장치로서 구성되어 있다. 처리 장치(10)는 처리 용기(12)를 갖고 있다. 이 처리 용기(12)의 내부 공간은 감압 가능한 공간이며, 처리 용기(12)의 내부 공간은, 배기 장치에 의해, 감압 가능하게 되어 있다. 처리 용기(12)는, 본체부(12a) 및 덮개(12b)를 포함하고 있다. 본체부(12a)는, 대략 통 형상을 이루고 있고, 그 상단에서 개구되어 있다. 일 실시 형태에서는, 본체부(12a)는 대략 원통 형상을 이루고 있고, 본체부(12a)의 중심 축선은 축선(AX)에 일치하고 있다. 이 본체부(12a)의 측벽, 즉, 처리 용기(12)의 측벽에는, 피가공물(WP)의 반입을 위한 개구가 형성되어 있다. 이 개구는, 게이트 밸브(GV)에 의해 개폐 가능하게 되어 있다. 덮개(12b)는, 본체부(12a) 상에 설치되어 있다. 본체부(12a)의 상단의 개구는, 덮개(12b) 및 후술하는 홀더(30) 및 홀더 지지부(32)에 의해 폐쇄되어 있다.
처리 용기(12)의 내부에는, 스테이지(16)가 설치되어 있다. 스테이지(16)는, 베이스부(16a) 및 정전 척(16b)을 포함하고 있다. 일 실시 형태에서는, 스테이지(16)는, 볼록부(16e)를 더 포함하고 있다. 베이스부(16a)는, 대략 원반 형상을 갖고 있다. 베이스부(16a)는, 스테이지(16)의 하면을 제공하고 있다. 볼록부(16e)는, 베이스부(16a)에 고정되어 있고, 당해 베이스부(16a)로부터 하방으로 연장되어 있다. 정전 척(16b)은, 베이스부(16a) 상에 설치되어 있다. 정전 척(16b)은, 대략 원반 형상을 갖고 있으며, 그 중심은 축선(AX) 상에 대략 위치하고 있다. 정전 척(16b)은, 처리 용기(12)의 외부에 설치된 전원으로부터 인가되는 전압에 의해 정전력을 발생하고, 당해 정전력에 의해 피가공물(WP)을 흡착한다. 피가공물(WP)이 적재되는 정전 척(16b)의 상면은, 스테이지(16)의 상면을 구성하고 있다.
베이스부(16a)에는, 축체(22)가 결합되어 있다. 축체(22)는, 베이스부(16a)로부터 하방으로 연장되어 있다. 축체(22)는, 처리 용기(12)의 본체부(12a)의 저부를 통과하여, 처리 용기(12)의 외부까지 연장되어 있다. 축체(22)와 처리 용기(12)의 본체부(12a)의 저부와의 사이에는, 처리 용기(12)의 내부 공간을 기밀하게 밀봉하기 위한 시일 기구가 설치되어 있다. 또한, 축체(22)의 중심 축선은, 축선(AX)에 대략 일치하고 있다.
축체(22)는, 처리 용기(12)의 외부에서 구동 장치(24)에 접속하고 있다. 구동 장치(24)는, 축체(22)를 당해 축체(22)의 중심 축선을 중심으로 회전시키고, 또한 축체(22)를 상하 이동시킨다. 구동 장치(24)는, 스테이지(16) 상에 피가공물(WP)을 적재할 때는, 스테이지(16)를 처리 용기(12) 내의 비교적 하방의 위치에 배치한다. 그리고, 반송 장치에 의해 처리 용기(12) 내에 반송된 피가공물(WP)은, 정전 척(16b)에 의해 흡착된다. 이 후, 구동 장치(24)는, 피가공물(WP)에 대한 성막을 위해서 스테이지(16)를 상방으로 이동시킨다.
처리 장치(10)는, 가스 공급부(29)를 더 구비하고 있다. 가스 공급부(29)는, 처리 용기(12)의 내부 공간에 가스를 공급하도록 되어 있다. 또한, 처리 장치(10)는, 홀더(30) 및 홀더 지지부(32)를 갖고 있다. 홀더 지지부(32)는 절연체이며, 덮개(12b)에 설치되어 있다. 홀더 지지부(32)는, 홀더(30)를 지지하고, 홀더(30)를 덮개(12b)로부터 전기적으로 절연시키고 있다. 이 홀더(30)는, 타깃(34)을 유지한다. 또한, 홀더(30)에는, 전원(36)이 접속되어 있다. 전원(36)으로부터의 전압이 홀더(30)에 인가되면, 타깃(34)의 근방에서 전계가 발생한다. 이 전계에 의해, 가스 공급부(29)로부터 공급된 가스가 해리되어, 이온이 생성된다. 그리고, 생성된 이온이 타깃(34)에 충돌함으로써, 타깃(34)으로부터 물질이 방출된다. 방출된 물질은 피가공물(WP) 상에 퇴적된다.
이하, 스테이지(16), 및 피가공물(WP)의 반송 시에 사용되는 리프트 기구에 대해서 상세하게 설명한다. 이하의 설명에서는, 도 1과 함께 도 2를 참조한다. 도 2는, 도 1에 도시하는 처리 장치(10)의 리프트 기구에 포함되는 복수의 리프트 핀 및 지지체를 도시하는 평면도이다.
스테이지(16)에는, 복수의 관통 구멍(16h)(도 5 및 도 6을 참조)이 형성되어 있다. 복수의 관통 구멍(16h)은, 당해 스테이지(16)의 하면에서부터 상면까지 관통하고 있다. 복수의 관통 구멍(16h)은, 예를 들어 원형의 단면 형상을 가질 수 있다. 복수의 관통 구멍(16h)은, 축선(AX)에 대하여 둘레 방향으로 배열되어 있다. 또한, 복수의 관통 구멍(16h)이 형성되는 위치는, 당해 복수의 관통 구멍(16h)을 통해서 스테이지(16)의 상면으로부터 돌출된 복수의 리프트 핀(50)의 상단에 의해 피가공물(WP)을 지지할 수 있으면, 임의의 위치일 수 있다. 또한, 복수의 관통 구멍(16h)의 개수는 3 이상의 임의의 개수일 수 있다.
처리 장치(10)의 리프트 기구는, 복수의 리프트 핀(50), 지지체(52), 스플라인 축(54), 스플라인 축받이(56), 스프링 부재(58) 및 벨로즈(60)를 포함하고 있다. 복수의 리프트 핀(50)의 각각은, 연직 방향으로 연장되는 기둥 형상, 예를 들어 원기둥 형상을 이루고 있다. 복수의 리프트 핀(50)은, 스테이지(16)의 관통 구멍(16h)을 구획 형성하는 벽면에 접촉하지 않도록, 관통 구멍(16h)의 폭(예를 들어, 직경)보다도 작은 폭(예를 들어, 직경)을 갖고 있다. 또한, 처리 장치(10)에서의 리프트 핀(50)의 개수는, 관통 구멍(16h)의 개수와 동일 수이다.
이들 복수의 리프트 핀(50)은, 지지체(52)에 의해 지지되어 있다. 또한, 복수의 리프트 핀(50)은, 지지체(52)로부터 상방으로 연장되어 있고, 연직 방향에 있어서 복수의 관통 구멍(16h)에 각각 정렬되어 있다. 지지체(52)는, 스테이지(16)의 하방에 설치되어 있고, 일 실시 형태에서는, 스테이지(16)의 볼록부(16e)의 하단에 맞닿을 수 있게 되어 있다. 또한, 스테이지(16)의 볼록부(16e)와 지지체(52)는, 일 실시 형태에 따른 제한 기구를 구성하고 있다.
일 실시 형태에서는, 지지체(52)는, 제1 부분(52a) 및 제2 부분(52b)을 포함하고 있다. 제1 부분(52a)은, 예를 들어 말굽형(또는 U자 형상)을 갖고 있다. 즉, 제1 부분(52a)은, 기초부, 및 당해 기초부로부터 연장되는 2개의 아암을 포함하고 있다. 제1 부분(52a)은, 축체(22)의 주위에 배치되어 있다. 복수의 리프트 핀(50)은, 이 제1 부분(52a)에 지지되어 있고, 당해 제1 부분(52a)으로부터 상방으로 연장되어 있다. 또한, 복수의 리프트 핀(50)은, 그들의 중심 축선이 복수의 관통 구멍(16h)의 중심선 축선에 대략 일치하도록, 제1 부분(52a) 상에 배열되어 있다.
제2 부분(52b)은, 제1 부분(52a)의 기초부로부터 처리 용기(12)의 측벽을 향해서 연장되어 있다. 또한, 제2 부분(52b)은, 스테이지(16)의 볼록부(16e)의 하방의 위치를 지나서, 처리 용기(12)의 측벽을 향해 연장되어 있다. 즉, 스테이지(16)의 볼록부(16e)의 하단이, 제2 부분(52b)에 맞닿을 수 있게 되어 있다. 볼록부(16e)의 하단이 제2 부분(52b)에 맞닿아 있는 상태에서는, 복수의 리프트 핀(50)은, 복수의 관통 구멍(16h) 내에 각각 부분적으로 배치되고, 또한 복수의 리프트 핀(50)의 상단이, 스테이지(16)의 상면으로부터 상방으로 돌출되도록 되어 있다. 따라서, 복수의 리프트 핀(50)의 상단이 스테이지(16)의 상면으로부터 돌출되는 양은, 볼록부(16e)에 의해 규정되도록 되어 있다. 또한, 복수의 리프트 핀(50) 각각의 상단이 스테이지(16)의 상면으로부터 돌출되어 있는 상태에서, 볼록부(16e)의 하단이 지지체(52)의 제2 부분(52b)에 맞닿으면, 스테이지(16)의 상면에 대한 복수의 리프트 핀(50)의 상방으로의 이동이 제한된다.
스플라인 축(54)은 연직 방향으로 연장되어 있다. 이 스플라인 축(54)의 중심 축선은, 축선(AX)에 평행하고 축선(AX2)에 대략 일치하고 있다. 이 축선(AX2)은, 축선(AX)보다도 처리 용기(12)의 측벽에 가까운 위치에 있다. 스플라인 축(54)은, 그 위에 지지체(52)를 지지하고 있다. 일 실시 형태에서는, 지지체(52)의 제2 부분(52b)의 하면에는, 판상의 부재(62)가 고정되어 있다. 스플라인 축(54)의 상단부는, 이 부재(62)에 직접적으로 결합되어 있고, 당해 부재(62)를 통해서 제2 부분(52b)에 결합되어 있다. 이 스플라인 축(54)은, 일 실시 형태에서는, 처리 용기(12)의 저부에 형성된 개구를 지나서, 처리 용기(12)의 외부까지 연장되어 있다.
스플라인 축받이(56)는, 스플라인 축(54)을 상하 방향으로 이동 가능하게 지지하고 있다. 일 실시 형태에서는, 스플라인 축받이(56)는, 처리 용기(12)의 외부에 설치되어 있다. 이 스플라인 축받이(56)는, 처리 용기(12)의 본체부(12a)의 저부에 고정되어 있다. 일 실시 형태에서는, 스플라인 축받이(56)는, 부재(64) 및 부재(66)를 개재하여, 처리 용기(12)의 본체부(12a)의 저부에 고정되어 있다. 부재(64)는, 환형 판형상을 갖고 있으며, 처리 용기(12)의 본체부(12a)의 저부 하면에 고정되어 있다. 부재(66)는, 대략 원통 형상을 이루고 있고, 플랜지를 그 상단 부분에 갖고 있다. 부재(66)는 부재(64)의 하방에 설치되어 있다. 부재(66)의 상단 부분은, 부재(64)에 결합되어 있다. 스플라인 축받이(56)는, 부재(66)의 내측 구멍 중에 부분적으로 설치되어 있고, 당해 스플라인 축받이(56)의 하단부는, 부재(66)의 하단부에 결합되어 있다.
스프링 부재(58)는, 스플라인 축(54)을 상방으로 가압하도록 설치되어 있다. 스프링 부재(58)는, 예를 들어 코일 스프링일 수 있다. 일 실시 형태에서, 처리 장치(10)는 하우징(68)을 더 구비하고 있다. 하우징(68)은, 그 내부에 스프링 부재(58)를 수용하고 있다. 하우징(68)은, 하우징 본체(68a) 및 덮개(68b)를 포함하고 있다. 하우징 본체(68a)는, 상단에서 개구된 대략 통 형상을 이루고 있다. 덮개(68b)는, 하우징 본체(68a)의 상단 상에 설치되어 있고, 당해 하우징 본체(68a)에 고정되어 있다. 이 덮개(68b)는, 하우징(68)의 상부를 구성하고 있다. 또한, 하우징 본체(68a)의 저부는, 덮개(68b)의 하방에서 연장되어 있고, 하우징(68)의 하부(68c)를 구성하고 있다.
덮개(68b)에는 개구가 형성되어 있다. 스플라인 축(54)은 덮개(68b)의 개구를 지나서, 하우징(68)의 내부까지 연장되어 있다. 즉, 스플라인 축(54)의 하단부는, 하우징(68) 내에 수용되어 있다. 이 스플라인 축(54)의 하단부는, 플랜지를 포함하고 있다. 스프링 부재(58)는, 이 스플라인 축(54)의 하단부와 하우징(68)의 하부, 즉, 하우징 본체(68a)의 저부와의 사이에 설치되어 있다. 스프링 부재(58)의 상단은, 스플라인 축(54)의 하단부에 고정되어 있다. 또한, 스프링 부재(58)의 하단은, 하우징(68)의 하부에 고정되어 있다.
하우징(68)의 상부, 즉 덮개(68b)는, 스플라인 축(54)의 하단부의 플랜지의 상면에 대면하는 면을 제공하고 있다. 이 덮개(68b)는, 스플라인 축(54)의 상방으로의 이동을 규제하는 규제부를 구성하고 있다. 구체적으로, 이 규제부는, 스테이지(16)가 적어도 연직 방향의 소정 위치 및 당해 소정 위치보다도 상방의 위치에 있을 때, 스플라인 축(54)의 상방으로의 이동을 규제하도록 되어 있다. 또한, 소정 위치는, 스테이지(16)의 상면에 피가공물(WP)이 접촉하는 위치일 수 있다.
벨로즈(60)는, 상하 방향으로 신축 가능하게 되어 있다. 벨로즈(60)는, 처리 용기(12) 내에서 스플라인 축(54)을 둘러싸도록 설치되어 있다. 이 벨로즈(60)는, 처리 용기(12) 내의 감압 가능한 공간과 당해 벨로즈(60) 내의 공간을 포함하는 처리 용기(12)의 외부의 공간을 분리하고 있다. 일 실시 형태에서, 벨로즈(60)의 상단은, 당해 벨로즈(60) 내의 공간을 밀봉하도록, 부재(62)에 결합되어 있다. 또한, 벨로즈(60)의 하단은, 부재(66)의 상단 부분에 결합되어 있다. 이 벨로즈(60)에 의해, 스플라인 축(54), 스플라인 축받이(56) 및 스프링 부재(58)는, 처리 용기(12)의 내부의 공간으로부터 분리된 당해 처리 용기(12)의 외부의 공간에 배치되도록 되어 있다.
일 실시 형태에서, 처리 장치(10)는, 액추에이터(70)를 더 구비하고 있다. 액추에이터(70)는, 처리 용기(12)의 외부의 공간에 설치되어 있다. 액추에이터(70)는, 스플라인 축(54)을 하방으로 이동시키는 것이 가능하다. 일 실시 형태에서는, 액추에이터(70)는, 동력 실린더, 예를 들어 에어 실린더이며, 피스톤 로드(70a)를 갖고 있다. 이 피스톤 로드(70a)는, 연직 방향으로 연장되어 있고, 그 상단에서 하우징(68)의 하부(68c)(하우징 본체(68a)의 저부)에 결합되어 있다.
일 실시 형태에서, 처리 장치(10)는, 제어부(MCU)를 더 구비하고 있다. 제어부(MCU)는, 예를 들어 프로세서 및 메모리와 같은 기억 장치를 구비하는 컴퓨터 장치이며, 기억 장치에 기억되어 있는 프로그램 및 프로세스 레시피에 따라서, 처리 장치(10)의 각 부, 예를 들어 구동 장치(24) 및 액추에이터(70)를 제어할 수 있다.
이하, 도 1 외에, 도 3 내지 도 6을 참조하면서, 피가공물(WP)의 처리 용기(12)에의 반입 시부터 당해 피가공물(WP)의 처리까지의 처리 장치(10)의 동작에 대해서 설명한다. 또한, 이하의 설명에서는, 제어부(MCU)에 의해 제어되는 처리 장치(10)의 동작에 대해서 언급하는데, 처리 장치(10)의 동작은, 반드시 제어부(MCU)에 의해 제어될 필요는 없다. 또한, 이하의 설명에서는, 스테이지(16)의 연직 방향에서의 위치에 대해서 언급하는데, 이 연직 방향의 위치는, 예를 들어 스테이지(16)의 상면의 연직 방향에서의 위치일 수 있다.
도 1에 도시한 바와 같이, 처리 용기(12) 내에의 피가공물(WP)의 반입 시에는, 반입되는 피가공물(WP) 및 반송 장치에 간섭하지 않는 위치에 복수의 리프트 핀(50)을 배치하기 위해서, 스테이지(16)는, 연직 방향에 있어서 상술한 소정 위치보다도 하방의 제1 위치에 배치된다. 이 제1 위치에의 스테이지(16)의 배치를 위해서, 구동 장치(24)가 제어부(MCU)에 의해 제어된다. 제1 위치에 스테이지(16)가 배치되어 있는 상태에서는, 스테이지(16)의 볼록부(16e)의 하단은, 지지체(52)에 맞닿아 있다. 또한, 이 상태에서는, 복수의 리프트 핀(50)의 상단은, 스테이지(16)의 상면으로부터 돌출되어 있고, 또한 당해 복수의 리프트 핀(50)은, 스프링 부재(58)에 의해, 스플라인 축(54) 및 지지체(52)를 개재하여, 상방으로 가압되어 있다.
계속해서, 게이트 밸브(GV)가 열리고, 반송 장치에 의해 피가공물(WP)이 처리 용기(12) 내에 반송된다. 이때, 복수의 리프트 핀(50)의 상단은, 피가공물(WP)의 하면보다도 하방에 위치하고 있다.
계속해서, 도 3에 도시한 바와 같이, 복수의 리프트 핀(50)의 상단을 피가공물(WP)의 하면에 맞닿게 하기 위해서, 스테이지(16)는, 연직 방향에 있어서 소정 위치와 제1 위치와의 사이의 제2 위치에 배치된다. 이 제1 위치에서 제2 위치로의 스테이지(16)의 이동을 위해서, 구동 장치(24)가 제어부(MCU)에 의해 제어된다. 스플라인 축(54)은, 스프링 부재(58)에 의해 상방으로 가압되어 있으므로, 스테이지(16)가 제1 위치에서 제2 위치로 이동할 때는, 복수의 리프트 핀(50)도 스테이지(16)에 연동해서 상방으로 이동한다. 따라서, 제2 위치에 스테이지(16)가 배치된 상태에서도, 복수의 리프트 핀(50)의 상단은 스테이지(16)의 상면으로부터 돌출되어 있고, 당해 복수의 리프트 핀(50)은, 스플라인 축(54) 및 지지체(52)를 통하여 스프링 부재(58)에 의해 상방으로 가압되어 있다. 또한, 제2 위치에 스테이지(16)가 배치된 상태에서도, 볼록부(16e)의 하단은 지지체(52)에 맞닿아 있다. 이 상태에서, 피가공물(WP)은, 반송 장치로부터 복수의 리프트 핀(50)에 전달된다.
계속해서, 도 4에 도시한 바와 같이, 스테이지(16)는, 연직 방향에 있어서 소정 위치에 배치된다. 제2 위치에서 소정 위치로의 스테이지(16)의 이동을 위해서, 구동 장치(24)가 제어부(MCU)에 의해 제어된다. 스테이지(16)가 제2 위치에서 소정 위치로 이동하는 기간의 도중에 있어서, 스플라인 축(54)의 상방으로의 이동은, 상술한 규제부에 의해 정지된다. 따라서, 스테이지(16)가 제2 위치에서 소정 위치로 이동하는 기간의 도중부터, 스테이지(16)의 볼록부(16e)의 하단은, 지지체(52)로부터 상방으로 이격된다. 또한, 복수의 리프트 핀(50)의 상단의 위치가 스테이지(16)의 상면에 대하여 상대적으로 하강해 나간다. 그리고, 스테이지(16)가 소정 위치에 배치되면, 복수의 리프트 핀(50)의 상단은, 연직 방향에 있어서 스테이지(16)의 상면과 동일한 위치나 당해 위치보다도 하방에 배치되어, 당해 스테이지(16)의 상면이 피가공물(WP)의 하면에 접촉한다. 이에 의해, 복수의 리프트 핀(50)의 상단으로부터 스테이지(16)의 상면에 피가공물(WP)이 전달된다. 그런 뒤에, 피가공물(WP)은, 스테이지(16)의 정전 척(16b)에 흡착된다.
계속해서, 도 5에 도시한 바와 같이, 복수의 리프트 핀(50)을 스테이지(16)에 간섭하지 않는 위치에 이동시키기 위해서, 스플라인 축(54)이 하방으로 이동된다. 이 때문에, 액추에이터(70)가 제어부(MCU)에 의해 제어된다. 이에 의해, 복수의 리프트 핀(50)은, 스테이지(16)의 하면보다도 하방에 배치된다.
계속해서, 도 6에 도시한 바와 같이, 피가공물(WP)의 처리를 위해서, 스테이지(16)는, 연직 방향에 있어서 소정 위치보다도 상방의 제3 위치로 이동된다. 이 때문에, 구동 장치(24)가 제어부(MCU)에 의해 제어된다. 그리고, 스테이지(16)가 제3 위치에 이른다.
계속해서, 제3 위치에서, 스테이지(16)가 회전된다. 이 때문에, 구동 장치(24)가 제어부(MCU)에 의해 제어된다. 또한, 상술한 바와 같이 복수의 리프트 핀(50)은, 스테이지(16)의 하면의 하방에 배치되어 있으므로, 스테이지(16)의 회전은, 복수의 리프트 핀(50)에 의해 저해되지 않는다.
계속해서, 피가공물(WP)의 처리가 행하여진다. 예를 들어, 가스 공급부(29)로부터 처리 용기(12) 내에 가스가 공급되고, 전원(36)으로부터 홀더(30)에 전압이 인가된다. 이에 의해, 타깃(34)으로부터 방출된 물질이 피가공물(WP) 상에 퇴적되어, 피가공물(WP) 상에 막이 형성된다.
이 처리 장치(10)에서는, 복수의 리프트 핀(50)은 지지체(52) 및 스플라인 축(54)을 통하여 스플라인 축받이(56)에 의해 지지되어 있다. 또한, 복수의 리프트 핀(50)의 상하 이동은, 스플라인 축받이(56)에 의한 스플라인 축(54)의 안내에 의해 실현되고 있다. 따라서, 이 처리 장치(10)에서는, 복수의 리프트 핀(50)의 스테이지(16)에 대한 덜걱거림이 억제되어 있어, 복수의 리프트 핀(50)의 상하 방향의 이동의 정밀도가 높게 되어 있다. 또한, 피가공물(WP)을 상단에서 수취하기 위해서, 복수의 리프트 핀(50)은, 구동 장치(24)에 의한 스테이지(16)의 이동에 연동해서 이동하도록 되어 있고, 이러한 리프트 핀(50)의 이동에는, 액추에이터(70)는 사용되지 않는다. 따라서, 피가공물(WP)을 상단에서 수취할 때의 복수의 리프트 핀(50)의 이동의 정밀도가 높게 되어 있다. 또한, 복수의 리프트 핀(50)의 상단이 스테이지(16)의 상면으로부터 상방으로 돌출되어 있는 상태에서는, 상술한 제한 기구(볼록부(16e)와 지지체 52)에 의해 스테이지(16)의 상면에 대한 복수의 리프트 핀(50)의 상방으로의 이동이 제한되고, 또한 복수의 리프트 핀(50)을 상방으로 가압하는 힘이 스플라인 축(54)에 가해진다. 이 상태에서는, 복수의 리프트 핀(50)의 상단 상에 피가공물(WP)을 적재해도, 당해 복수의 리프트 핀(50)의 위치가 변동하지 않는다. 또한, 스테이지(16)를 소정 위치보다도 상방으로 이동시키면, 규제부에 의해 스플라인 축(54)의 상방으로의 이동이 규제되어, 복수의 리프트 핀(50)의 상단이 스테이지(16)의 상면보다도 하방으로 이동하고, 복수의 리프트 핀(50)으로부터 스테이지(16)에 피가공물(WP)이 전달된다. 따라서, 스테이지(16) 상에 적재될 때까지의 동안의 피가공물(WP)의 위치의 변동이 억제된다. 그러므로, 이 처리 장치(10)에서는, 스테이지(16) 상으로의 피가공물(WP)의 반송 정밀도가 높게 되어 있다. 또한, 스플라인 축(54), 스플라인 축받이(56) 및 스프링 부재(58)는, 처리 용기(12)의 내부 공간으로부터 분리된 처리 용기(12)의 외부의 공간에 배치되어 있다. 따라서, 스테이지(16)에 대한 복수의 리프트 핀(50)의 상대적인 이동에 기인하는 파티클의 발생이 억제된다.
이하, 다른 실시 형태에 따른 처리 장치(10A)에 대해서 설명한다. 도 7은, 다른 실시 형태에 따른 처리 장치를 개략적으로 도시하는 도면이다. 도 7은, 처리 장치(10A)의 스테이지(16)가 도 3에 도시하는 스테이지(16)와 동일한 위치에 있는 상태를 나타내고 있다. 도 7에 도시한 바와 같이, 처리 장치(10A)는, 스테이지(16)가 볼록부(16e)를 갖고 있지 않은 점에서, 처리 장치(10)와 상이하다. 또한, 처리 장치(10A)는, 제1 부재(80) 및 제2 부재(82)를 더 구비하고 있는 점에서, 처리 장치(10)와 상이하다. 제1 부재(80) 및 제2 부재(82)는, 다른 실시 형태에 따른 제한 기구를 구성하고 있다.
제1 부재(80)는, 축체(22)에 결합되어 있고, 당해 축체(22)로부터 축선(AX2)을 향해서 연장되어 있다. 또한, 제1 부재(80)는, 축체(22)에 직접적으로 결합되어 있을 필요는 없고, 간접적으로 축체(22)에 결합되어 있으면 된다. 즉, 제1 부재(80)는, 축체(22)와의 상대적 위치(스테이지(16)와의 상대 위치)를 변화시키지 않고 당해 축체(22)(스테이지(16))와 연동할 수 있으면, 임의의 개수의 부재를 통하여 축체(22)에 결합되어 있어도 된다.
제2 부재(82)는, 스플라인 축(54)에 결합되어 있고, 제1 부재(80)의 하방까지 연장되어 있다. 일 실시 형태에서는, 제2 부재(82)는, 그 일단에서, 스플라인 축(54)의 하단부의 플랜지에 고정되어 있고, 하우징(68)에 형성된 개구를 지나서, 제1 부재(80)의 하방까지 연장되어 있다. 또한, 제2 부재(82)는, 스플라인 축(54)에 직접적으로 결합되어 있을 필요는 없고, 간접적으로 스플라인 축(54)에 결합되어 있으면 된다. 즉, 제2 부재(82)는, 스플라인 축(54)과의 상대적 위치를 변화시키지 않고 당해 스플라인 축(54)과 연동할 수 있으면, 임의의 개수의 부재를 통하여 스플라인 축(54)에 결합되어 있어도 된다.
제2 부재(82)는, 제1 부재(80)에 맞닿을 수 있게 구성되어 있다. 일 실시 형태에서는, 제2 부재(82)의 타단은, 제1 부재(80)의 하방에서 연장되어 있고, 당해 타단이 제1 부재(80)에 맞닿을 수 있게 되어 있다. 제1 부재(80)와 제2 부재(82)는, 처리 장치(10A)에서의 제한 기구를 구성하고 있다. 즉, 복수의 리프트 핀(50) 각각의 상단이 스테이지(16)의 상면으로부터 돌출되어 있는 상태에서, 제2 부재(82)가 하방으로부터 제1 부재(80)에 맞닿으면, 스테이지(16)의 상면에 대한 복수의 리프트 핀(50)의 상방으로의 이동이 제한되도록 되어 있다. 따라서, 이러한 제한 기구와 스프링 부재(58)와의 협동에 의해, 복수의 리프트 핀(50)의 상단 상에 피가공물(WP)을 적재해도, 당해 복수의 리프트 핀(50)의 위치가 변동하지 않게 되어 있다. 이와 같이, 처리 장치(10A)에서는, 제한 기구를 구성하는 제1 부재(80)와 제2 부재(82)가 처리 용기(12)의 외부의 공간에 배치되어 있기 때문에, 처리 장치(10)에 비해, 한층 더한 파티클의 억제 효과를 얻을 수 있다.
이상, 처리 장치의 실시 형태에 대해서 설명해 왔지만, 상술한 실시 형태에 한정되지 않고 다양한 변형 형태를 구성할 수 있다. 예를 들어, 도 1 및 도 7에 도시한 처리 장치(10) 및 처리 장치(10A)는, 성막 장치이지만, 스테이지(16), 당해 스테이지(16)의 상하 이동 및 회전을 위한 구성, 및 피가공물(WP)용의 리프트 기구는, 감압된 공간에서 성막 이외의 처리를 행하는 다른 장치에도 이용하는 것이 가능하다. 즉, 처리 장치는, 성막 장치에 한정되는 것이 아니다. 또한, 처리 장치(10)에서는, 스테이지(16)의 볼록부(16e)가 지지체(52)에 맞닿을 수 있게 되어 있지만, 복수의 리프트 핀(50)이 스테이지(16)의 상면으로부터 돌출되는 양을 규정하는 것이 가능하면, 스테이지(16)의 임의의 개소가 지지체(52)에 맞닿을 수 있게 되어 있어도 된다.
10 : 처리 장치 12 : 처리 용기
16 : 스테이지 16e : 볼록부
16h : 관통 구멍 22 : 축체
24 : 구동 장치 50 : 리프트 핀
52 : 지지체 52a : 제1 부분
52b : 제2 부분 54 : 스플라인 축
56 : 스플라인 축받이 58 : 스프링 부재
60 : 벨로즈 68 : 하우징
70 : 액추에이터 MCU : 제어부

Claims (9)

  1. 감압된 공간에서 피가공물을 처리하는 처리 장치로서,
    감압 가능한 공간을 제공하는 처리 용기와,
    상기 처리 용기 내에서 상하 이동 가능하게 설치된 스테이지이며, 상기 스테이지의 상면에서부터 하면까지 관통하도록 복수의 관통 구멍이 형성된, 상기 스테이지와,
    상기 스테이지의 하방에 설치된 지지체와,
    상기 지지체에 지지되어 있고, 상기 지지체로부터 상방으로 연장되어 있고, 연직 방향에 있어서 상기 복수의 관통 구멍에 각각 정렬된 복수의 리프트 핀과,
    연직 방향으로 연장되어 있고, 그 위에 상기 지지체를 지지하는 스플라인 축과,
    상기 스플라인 축을 상하 방향으로 이동 가능하게 지지하는 스플라인 축받이와,
    상기 스플라인 축을 상방으로 가압하도록 설치된 스프링 부재와,
    상하 방향으로 신축 가능한 벨로즈이며, 상기 처리 용기 내에서 상기 스플라인 축을 둘러싸고, 상기 처리 용기 내의 감압 가능한 공간과 상기 벨로즈 내의 공간을 포함하는 상기 처리 용기의 외부의 공간을 분리하는, 상기 벨로즈와,
    상기 복수의 리프트 핀 각각의 상단이 상기 스테이지의 상기 상면으로부터 돌출되어 있는 상태에서, 상기 스테이지의 상기 상면에 대한, 상기 복수의 리프트 핀의 상방으로의 이동을 제한하는 제한 기구와,
    상기 스테이지가 적어도 연직 방향의 미리 정해진 위치 및 상기 미리 정해진 위치보다도 상방의 위치에 있을 때, 상기 스플라인 축의 상방으로의 이동을 규제하는 규제부,
    를 포함하고,
    상기 스플라인 축, 상기 스플라인 축받이 및 상기 스프링 부재는, 상기 처리 용기의 상기 외부의 공간에 설치되어 있는, 처리 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 스테이지에 결합되어 있고, 상기 스테이지의 하면으로부터 하방으로 연장되는 축체와,
    상기 처리 용기의 외측에서 상기 축체에 접속된 구동 장치이며, 상기 스테이지를 상하 이동시키고, 또한 상기 축체를 통하여 상기 스테이지를 상기 스테이지의 중심 축선을 중심으로 회전시키기 위한 구동 장치,
    를 더 포함하는, 처리 장치.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 처리 용기의 상기 외부의 공간에 설치되어 있고, 상기 스플라인 축을 하방으로 이동시키기 위한 액추에이터를 더 포함하는, 처리 장치.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 구동 장치 및 상기 액추에이터를 제어하는 제어부를 더 포함하고,
    상기 제어부는, 상기 처리 용기 내에의 피가공물의 반입 시에, 상기 미리 정해진 위치보다도 하방의 제1 위치에 상기 스테이지를 배치하도록 상기 구동 장치를 제어하고,
    상기 복수의 리프트 핀 상에 상기 피가공물을 적재하기 위해서 상기 제1 위치와 상기 미리 정해진 위치와의 사이의 제2 위치에 상기 스테이지를 배치하도록 상기 구동 장치를 제어하고,
    상기 피가공물을 상기 스테이지 상에 적재하기 위해서, 상기 미리 정해진 위치에 상기 스테이지를 배치하도록 상기 구동 장치를 제어하고,
    상기 복수의 리프트 핀을 상기 스테이지에 간섭하지 않는 위치에 이동시키도록 상기 액추에이터를 제어하고,
    상기 스테이지를 상기 미리 정해진 위치보다도 상방의 제3 위치에 배치하도록 상기 구동 장치를 제어하고,
    상기 제3 위치에서 상기 스테이지를 회전시키도록 상기 구동 장치를 제어하는, 처리 장치.
  5. 제3항에 있어서,
    상기 스프링 부재를 수용하는 하우징을 더 포함하고,
    상기 하우징은, 상기 스플라인 축이 지나는 개구가 형성된 상부, 및 해당 상부의 하방에서 연장되는 하부를 포함하고,
    상기 스플라인 축은, 상기 지지체에 결합된 상단부, 및 플랜지를 포함하는 하단부를 포함하고,
    상기 스플라인 축의 상기 하단부는, 상기 하우징 내에 수용되어 있고,
    상기 스프링 부재는, 상기 플랜지와 상기 하우징의 상기 하부와의 사이에 설치되어 있고,
    상기 하우징의 상기 상부는, 상기 플랜지와 대면하고 있고, 상기 규제부를 구성하는, 처리 장치.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 액추에이터는, 피스톤 로드를 포함하는 동력 실린더이며,
    상기 피스톤 로드는, 상기 하우징의 상기 하부에 결합되어 있는, 처리 장치.
  7. 제2항 내지 제6항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 지지체는, 말굽형을 갖고 상기 복수의 리프트 핀을 지지하는 제1 부분, 및 상기 제1 부분으로부터 상기 처리 용기의 측벽을 향해서 연장되는 제2 부분을 포함하고,
    상기 제1 부분은, 상기 축체를 둘러싸도록 설치되어 있고,
    상기 스플라인 축은 상기 제2 부분에 결합되어 있는, 처리 장치.
  8. 제1항 내지 제6항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 스테이지는 상기 스테이지의 상기 하면보다도 하방으로 연장되는 볼록부를 포함하고,
    상기 스테이지의 상기 볼록부의 하단이 상기 지지체에 맞닿을 수 있게 구성되어 있고,
    상기 제한 기구는, 상기 스테이지의 상기 볼록부와 상기 지지체를 포함하는, 처리 장치.
  9. 제2항 내지 제6항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제한 기구는, 상기 축체에 결합된 제1 부재와, 상기 스플라인 축에 결합되어 있고, 상기 제1 부재의 하방까지 연장되어, 상기 제1 부재에 맞닿을 수 있게 설치된 제2 부재를 포함하는, 처리 장치.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20180001495A (ko) * 2016-06-27 2018-01-04 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 기판 승강 기구, 기판 탑재대 및 기판 처리 장치

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101856689B1 (ko) * 2017-10-23 2018-05-14 주식회사 기가레인 승강하는 유도부를 포함하는 기판 처리 장치
CN110216632A (zh) * 2019-07-03 2019-09-10 中船动力研究院有限公司 一种固定机构及试验台
JP7197739B2 (ja) * 2021-05-10 2022-12-27 ピコサン オーワイ 基板処理装置及び方法

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20040177813A1 (en) * 2003-03-12 2004-09-16 Applied Materials, Inc. Substrate support lift mechanism
CN100367485C (zh) * 2003-04-21 2008-02-06 东京毅力科创株式会社 对被处理基板进行半导体处理的装置
KR101117188B1 (ko) 2009-10-26 2012-03-09 주식회사 테스 기판 처리 장치
KR101146150B1 (ko) 2009-12-28 2012-05-16 엘아이지에이디피 주식회사 기판처리장치
US8757603B2 (en) * 2010-10-22 2014-06-24 Applied Materials, Inc. Low force substrate lift
KR101287831B1 (ko) 2010-10-26 2013-07-18 주성엔지니어링(주) 기판 승강 장치
US8899992B2 (en) 2012-04-09 2014-12-02 Asustek Computer Inc. Connector
US9668373B2 (en) * 2013-03-15 2017-05-30 Applied Materials, Inc. Substrate support chuck cooling for deposition chamber

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20180001495A (ko) * 2016-06-27 2018-01-04 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 기판 승강 기구, 기판 탑재대 및 기판 처리 장치

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