CN112313361A - 溅射装置 - Google Patents

溅射装置 Download PDF

Info

Publication number
CN112313361A
CN112313361A CN201980041218.2A CN201980041218A CN112313361A CN 112313361 A CN112313361 A CN 112313361A CN 201980041218 A CN201980041218 A CN 201980041218A CN 112313361 A CN112313361 A CN 112313361A
Authority
CN
China
Prior art keywords
plate
slit plate
sputtering apparatus
substrate
opening
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
CN201980041218.2A
Other languages
English (en)
Inventor
武井纯一
渡边直树
曽根浩
铃木直行
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Tokyo Electron Ltd
Original Assignee
Tokyo Electron Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Tokyo Electron Ltd filed Critical Tokyo Electron Ltd
Publication of CN112313361A publication Critical patent/CN112313361A/zh
Withdrawn legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/34Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering
    • H01J37/3411Constructional aspects of the reactor
    • H01J37/3447Collimators, shutters, apertures
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/04Coating on selected surface areas, e.g. using masks
    • C23C14/042Coating on selected surface areas, e.g. using masks using masks
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/225Oblique incidence of vaporised material on substrate
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/34Sputtering
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/50Substrate holders
    • C23C14/505Substrate holders for rotation of the substrates
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/56Apparatus specially adapted for continuous coating; Arrangements for maintaining the vacuum, e.g. vacuum locks
    • C23C14/564Means for minimising impurities in the coating chamber such as dust, moisture, residual gases

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)

Abstract

本公开的一形态的溅射装置具有:处理容器,其收容基板;狭缝板,其在所述处理容器内的所述基板的上方与所述基板的表面平行地配置,并具有在板厚方向上贯通的开口部;以及受热用板,其在相对于所述狭缝板倾斜设置的靶材的下方载置于所述狭缝板之上,由耐热性比所述狭缝板的耐热性高的材料形成。

Description

溅射装置
技术领域
本公开涉及一种溅射装置。
背景技术
已知一种溅射装置,其使溅射粒子从相对于基板的表面倾斜配置的靶材向基板发射,使溅射粒子穿过设于靶材与基板之间的狭缝板的开口部,而在基板形成膜(例如,参照专利文献1)。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:日本特开2015-67856号公报
发明内容
发明要解决的问题
本公开提供一种能够抑制狭缝板的热变形的技术。
用于解决问题的方案
本公开的一技术方案的溅射装置具有:处理容器,其收容基板;狭缝板,其在所述处理容器内的所述基板的上方与所述基板的表面平行地配置,并具有在板厚方向上贯通的开口部;以及受热用板,其在相对于所述狭缝板倾斜设置的靶材的下方载置于所述狭缝板之上,由耐热性比所述狭缝板的耐热性高的材料形成。
发明的效果
采用本公开,能够抑制狭缝板的热变形。
附图说明
图1是表示第1实施方式的溅射装置的结构例的剖视图(1)。
图2是将图1所示的溅射装置的一部分放大表示的图。
图3是在图2的III-III线剖切而得到的溅射装置的剖视图。
图4是表示狭缝板的结构例的俯视图。
图5是表示狭缝板的结构例的立体图。
图6是图5的狭缝板的分解立体图。
图7是在图5的VII-VII线剖切而得到的狭缝板的剖视图。
图8是表示受热用板的结构例的立体图。
图9是表示第1实施方式的溅射装置的结构例的剖视图(2)。
图10是表示第1实施方式的溅射装置的结构例的剖视图(3)。
图11是表示第2实施方式的溅射装置的结构例的剖视图。
具体实施方式
以下,一边参照附图,一边对本公开的并非限定的例示的实施方式进行说明。所有附图中,对相同或对应的构件或部件标注相同或对应的附图标记,并省略重复的说明。
〔第1实施方式〕
(溅射装置)
对第1实施方式的溅射装置的结构例进行说明。图1是表示第1实施方式的溅射装置的结构例的剖视图。图2是将图1所示的溅射装置的一部分放大表示的图。图3是在图2的III-III线剖切而得到的溅射装置的剖视图。图4是表示狭缝板的结构例的俯视图,表示在从上方观察时的狭缝板。
如图1所示,溅射装置10具有:处理容器12、狭缝板14、受热用板15、保持件16、载置台18、移动机构20以及控制部80。
处理容器12具有主体12a和盖体12b。主体12a具有例如大致圆筒形状。主体12a的上端开口。盖体12b设于主体12a的上端之上,使主体12a的上端的开口关闭。
在处理容器12的底部形成有排气口12e。在排气口12e连接有排气装置22。排气装置22具有例如压力控制装置、减压泵。减压泵可以是例如干式真空泵、涡轮分子泵。
在处理容器12的侧壁形成有开口12p。基板W向处理容器12内的送入和基板W从处理容器12内的送出经由开口12p进行。开口12p由闸阀12g开闭。
在处理容器12设有供气体向处理容器12内导入的端口12i,来自气体供给部的气体(例如,非活性气体)经由端口12i向处理容器12内导入。
狭缝板14设于处理容器12内。狭缝板14是大致板状的构件,由例如铝、不锈钢等金属材料形成。狭缝板14在处理容器12的高度方向上的中间位置沿水平延伸。狭缝板14的边缘部固定于处理容器12。狭缝板14将处理容器12内划分为第1空间S1和第2空间S2。第1空间S1是处理容器12内的空间的一部分,位于狭缝板14的上方。第2空间S2是处理容器12内的空间的另一部分,位于狭缝板14的下方。在狭缝板14形成有开口部14s。
开口部14s在狭缝板14的板厚方向(图中为Z方向)上贯通该狭缝板14。狭缝板14由一个部件形成。在溅射装置10的成膜时,基板W在开口部14s的下方沿作为水平的一方向的X方向移动。开口部14s沿着作为水平的另一方向的Y方向延伸得较长,例如如图4所示,该开口部14s具有在俯视时大致矩形的形状。Y方向是开口部14s的长度方向,且是与X方向正交的方向。开口部14s的Y方向上的中心与成膜时的基板W的Y方向上的中心大致一致。例如如图4所示,开口部14s的Y方向上的宽度Ly比成膜时的基板W的Y方向上的宽度(最大宽度)宽。另一方面,开口部14s的X方向上的宽度Lx设定得比成膜时的基板W的X方向上的宽度(最大宽度)窄,但并不限于此,也可以设定得比基板W的X方向上的宽度宽。
受热用板15在靶材24的下方载置于狭缝板14之上。受热用板15由耐热性比狭缝板14的耐热性高的材料、例如钛、氧化铝这样的陶瓷形成。在靶材24的下方,于狭缝板14之上载置有受热用板15,从而即使靶材24附近的温度上升,也能够抑制狭缝板14热变形。例如如图4所示,受热用板15优选配置于包括将靶材24投影于狭缝板14而得到的投影图像24a整体的区域。受热用板15的上表面与例如狭缝板14的上表面大致齐平。另外,随后叙述受热用板15的详细的构造。
保持件16设于狭缝板14的上方。保持件16由导电性材料形成。保持件16隔着绝缘性构件17安装于盖体12b。保持件16对在第1空间S1内配置的靶材24进行保持。保持件16以靶材24位于开口部14s的斜上方的方式保持靶材24。换言之,靶材24在处理容器12内相对于狭缝板14倾斜配置。靶材24为例如在俯视时呈大致矩形形状。例如如图4所示,靶材24投影于狭缝板14而得到的投影图像24a的Y方向上宽度Lt比成膜时的基板W的Y方向上的宽度(最大宽度)宽。
在保持件16连接有电源26。在靶材24是金属材料的情况下,电源26可以是直流电源。在靶材24是电介质或绝缘体的情况下,电源26可以是高频电源,并经由匹配器与保持件16电连接。
载置台18在处理容器12内支承基板W。载置台18构成为能够移动。成膜时,载置台18在移动区域S21内沿着移动方向(图1的X方向)移动。移动区域S21是第2空间S2所包含的区域,且是包括开口部14s的正下的空间和狭缝板14的正下的空间的区域。载置台18具有一个以上的凸部,以抑制来自靶材24的粒子经由开口部14s向第2空间S2内的除移动区域S21以外的其他的区域S22飞散。载置台18的一个以上的凸部在载置台18的周围的处于开口部14s与区域S22之间的路径形成向上方和/或下方弯折的部分。即,作为载置台18的周围的处于开口部14s与区域S22之间的路径,载置台18形成迷宫构造的路径。
移动区域S21由壁构件28划定。壁构件28沿着移动区域S21与区域S22之间的交界延伸。壁构件28与载置台18一起形成开口部14s与区域S22之间的路径。利用壁构件28和载置台18,开口部14s与区域S22之间的路径成为弯折的狭窄的路径,即迷宫构造的狭窄的路径。
载置台18安装于移动机构20。移动机构20使载置台18移动。移动机构20具有:驱动装置20a、驱动轴20b以及多关节臂20c。
驱动装置20a设于处理容器12的外侧。驱动装置20a例如安装于处理容器12的底部。在驱动装置20a连接有驱动轴20b的下端。驱动轴20b从驱动装置20a贯穿主体12a的底部,并向处理容器12内的上方延伸。驱动装置20a产生用于使驱动轴20b上下移动并且旋转的驱动力。驱动装置20a可以是例如马达。
在驱动轴20b的上端,轴支承有多关节臂20c的一端。多关节臂20c的另一端安装于载置台18。当驱动轴20b在驱动装置20a的作用下旋转时,多关节臂20c的另一端沿着X方向直线移动。由此,实现载置台18在移动区域S21的移动。另外,当驱动轴20b在驱动装置20a的作用下上下移动时,多关节臂20c和载置台18上下移动。
在第2空间S2的区域S22中的、开口12p的附近的区域设有基板抬升机构30。基板抬升机构30具有:多个升降销30a、支承构件30b、驱动轴30c以及驱动装置30d。多个升降销30a具有在铅垂方向上延伸的圆柱形状。多个升降销30a各自的上端的铅垂方向上的高度大致相同。多个升降销30a的个数可以是例如3根。多个升降销30a被支承于支承构件30b。支承构件30b具有大致马蹄形状。多个升降销30a在支承构件30b的上方延伸。支承构件30b由驱动轴30c支承。驱动轴30c向支承构件30b的下方延伸,并与驱动装置30d连接。驱动装置30d产生使多个升降销30a上下移动的驱动力。驱动装置30d可以是例如马达。
利用输送装置(未图示)从处理容器12的外部向处理容器12内输送基板W,在将基板W搭载于载置台18上之前,基板抬升机构30将基板W从输送装置向多个升降销30a各自的上端之上接收。另外,在将基板W向处理容器12的外部送出时,基板抬升机构30将基板W从载置台18向多个升降销30a各自的上端之上接收。另外,在载置台18形成有供多个升降销30a插入的多个贯通孔,但在图1中省略了这些贯通孔的图示。
壁构件28在X方向上的一端开口。载置台18从区域S22向移动区域S21移动时,穿过壁构件28的X方向上的一端的开口而进入移动区域S21。另外,载置台18从移动区域S21向区域S22退避时,穿过壁构件28的X方向上的一端的开口。
溅射装置10包括用于使壁构件28的一端的开口开闭的盖部32。盖部32由驱动轴34支承。驱动轴34从盖部32向下方延伸,并与驱动装置36连接。驱动装置36产生用于使盖部32上下移动的驱动力。驱动装置36可以是例如马达。如后述的图10所示,驱动装置36通过使盖部32向上方移动,从而使盖部32从第2空间S2向第1空间S1退避。在狭缝板14形成有供盖部32在从第2空间S2向第1空间S1退避时穿过的开口14p。盖部32在使壁构件28的一端的开口28p关闭时,同时使狭缝板14的开口14p关闭。另外,狭缝板14、盖部32以及驱动装置36等部件也可以构成为:盖部32沿Y方向移动,来使壁构件28的X方向上的一端的开口28p开闭。另外,狭缝板14、盖部32以及驱动装置36等部件也可以构成为:盖部32沿X方向移动,来使壁构件28的X方向上的一端的开口28p开闭。
控制部80控制溅射装置10的各部的动作。控制部80具有:CPU(中央处理器:Central Processing Unit)、ROM(只读存储器:Read Only Memory)以及RAM(随机存储器:Random Access Memory)。CPU按照存储于RAM等存储区域的制程执行期望的处理。在制程中,设定有针对工艺条件的装置的控制信息。控制信息可以是例如气体流量、压力、温度、工艺时间。制程和控制部80所使用的程序也可以存储于例如硬盘、半导体存储器。制程等也可以在被收容于CD-ROM、DVD等能够利用便携性计算机读取的存储媒体的状态下,通过加载于预定的位置来读出。
(载置台、壁构件、盖部)
对载置台18、壁构件28以及盖部32的详细内容进行说明。
载置台18具有搭载部40和支承部42。
搭载部40形成为例如在X方向和Y方向上延伸的大致板状。搭载部40在上表面具有载置基板W的搭载区域40r。搭载部40具有凸部40a,该凸部40a以包围搭载区域40r的方式自搭载区域40r向上方突出。
支承部42设于搭载部40的下方。支承部42支承搭载部40。支承部42具有:上部44、连接部46、中空部48以及下部50。
上部44具有平板形状,在X方向和Y方向上延伸。搭载部40以搭载部40的下表面与上部44的上表面接触的状态固定于上部44。
连接部46从上部44的下表面向下方延伸,并与中空部48连接。连接部46具有一对平板部。平板部分别具有平板形状,在X方向和Z方向上延伸。连接部46的一对平板部的上端与上部44的下表面连接,连接部46的一对平板部的下端与中空部48连接。
中空部48具有中空形状。中空部48由在多个部位弯折的板材形成,沿着其内侧的空间以及该空间与外侧的交界延伸。在载置台18配置于移动区域S21时,后述的遮蔽构件60位于中空部48的内侧的空间内。中空部48在X方向上的两端开口。
中空部48在Y方向上的两侧具有两个边缘部48a、48b。两个边缘部48a、48b在X方向上延伸。边缘部48a在Y方向上形成朝向外侧的开口。边缘部48a的开口与中空部48的内侧的空间连通。另一方面,边缘部48b封闭中空部48的内侧的空间。
中空部48具有两个平板部48c、48d。平板部48c、48d设于边缘部48a与边缘部48b之间,在X方向和Y方向上延伸。平板部48c、48d彼此大致平行地设置。平板部48c从平板部48d向上方分离开。在平板部48c连接有上述的连接部46的下端。
边缘部48a形成凸部48f、48g。边缘部48b形成凸部48h、48i。凸部48f、48h在Y方向上设于平板部48c的两侧。凸部48f、48h自平板部48c向上方突出,并在X方向上延伸。凸部48g、48i在Y方向上设于平板部48d的两侧。凸部48g、48i自平板部48d向下方突出,并在X方向上延伸。
下部50与平板部48d的下表面连接,该下部50与平板部48d一起形成在X方向上的一端和另一端开口的方筒形状。在下部50连接有移动机构20的多关节臂20c的另一端。
壁构件28沿着移动区域S21与区域S22之间的交界延伸,划定移动区域S21。壁构件28具有:第1构件52、第2构件54、56以及第3构件58。
第1构件52划定移动区域S21中的、供支承部42的上部44和搭载部40移动的区域。第1构件52由在多个部位弯折的板材形成。第1构件52在X方向上的一端形成由盖部32的一部分所开闭的开口。第1构件52具有:底部52a、中间部52b以及上端部52c。
底部52a从狭缝板14向下方分离开,并在X方向和Y方向上延伸。在底部52a形成有开口,在载置台18配置于移动区域S21时,载置台18的支承部42的连接部46配置于底部52a的开口。中间部52b从底部52a的除了X方向上的一端侧以外的边缘部向上方延伸。上端部52c从中间部52b的上端呈凸缘状延伸,并与狭缝板14连接。
第2构件54以在第2构件54与中空部48的边缘部48a之间形成微小的间隙的方式包围边缘部48a。具体而言,第2构件54包围凸部48f、48g。第2构件54由在多个部位弯折的板材形成。第2构件54形成凹部54a、54b。在凹部54a插入有载置台18的凸部48f。在凹部54b插入有载置台18的凸部48g。
第2构件56以在第2构件56与中空部48的边缘部48b之间形成微小的间隙的方式包围边缘部48b。具体而言,第2构件56包围凸部48h、48i。第2构件56由在多个部位弯折的板材形成。第2构件56形成凹部56a、56b。在凹部56a插入有载置台18的凸部48h。在凹部56b插入有载置台18的凸部48i。
第2构件54、56各自的上部具有在X方向和Y方向上延伸的平板形状。第2构件54、56各自的上部配置于第1构件52的底部52a的开口内。第2构件54、56各自的上部与划定第1构件52的底部52a的开口的端面连接。
第2构件54、56在Y方向上彼此分离开。在载置台18配置于移动区域S21时,载置台18的支承部42的连接部46配置于第2构件54的上部与第2构件56的上部之间。在载置台18配置于移动区域S21时,载置台18的支承部42的下部50配置于第2构件54的下部与第2构件56的下部之间。
第2构件54、56在X方向上的一端和另一端开口。第2构件54、56的X方向上的一端的开口是壁构件28的X方向上一端的开口的一部分。在第2构件54、56的X方向上的另一端连接有第3构件58,以关闭移动区域S21的X方向上的另一端。
盖部32使壁构件28的X方向上的一端的开口开闭。盖部32具有上部32a和下部32b。上部32a为箱形。上部32a以如下方式形成开口:在盖部32使移动区域S21的X方向上的一端关闭时,该上部32a的内部的空间与移动区域S21连通。下部32b从上部32a的形成上述开口的端部向下方延伸。在盖部32使移动区域S21的X方向上的一端关闭时,下部32b使第2构件54、56各自的X方向上的一端的开口关闭,并使第2构件54的X方向上的一端与第2构件56的X方向上的一端之间的开口关闭。盖部32的下部32b具有在Y方向和Z方向上延伸的平板形状。
溅射装置10还具有遮蔽构件60。遮蔽构件60设于移动区域S21内。在载置台18配置于移动区域S21内时,遮蔽构件60局部地配置于载置台18的中空部48的内侧的空间。
遮蔽构件60具有平板部60a和凸部60b、60c、60d。平板部60a相对于开口部14s大致平行地延伸。平板部60a在X方向和Y方向上延伸。凸部60b、60c相对于平板部60a设于Y方向上的两侧,自平板部60a向上方突出。凸部60d设于在Y方向上比凸部60c靠外侧的位置,自平板部60a向下方突出。凸部60b、60c、60d具有在X方向和Z方向上延伸的平板形状。遮蔽构件60在X方向上与凸部60d相反的一侧的端部固定于第2构件54。在载置台18配置于移动区域S21内时,凸部60b局部地配置于凸部48f的内侧的空间内。在载置台18配置于移动区域S21内时,凸部60c局部地配置于凸部48h的内侧的空间内。在载置台18配置于移动区域S21内时,凸部60d局部地配置于凸部48i的内侧的空间内。
对于溅射装置10,利用设于载置台18的凸部48f、48g、48h、48i,载置台18的周围的处于开口部14s与区域S22之间的路径弯折而成为迷宫构造。由此,抑制来自靶材24的粒子向区域S22飞散,而抑制来自靶材24的粒子的不必要的沉积。另外,凸部48f、48g、48h、48i设于载置台18,因此不使部件个数增加,就能抑制来自靶材24的粒子的不必要的飞散和不必要的沉积。
另外,溅射装置10具有上述的壁构件28。利用壁构件28,开口部14s与区域S22之间的路径的宽度变得更加狭窄,而进一步抑制来自靶材24的粒子向区域S22飞散。另外,溅射装置10具有遮蔽构件60。利用遮蔽构件60,进一步抑制来自靶材24的粒子向区域S22飞散。另外,即使对于在载置台18未配置于移动区域S21的状态下进行成膜处理这样的情况,也能利用遮蔽构件60抑制来自靶材24的粒子向区域S22飞散。
(狭缝板、受热用板)
对狭缝板14和受热用板15的详细内容进行说明。图5是表示狭缝板的结构例的立体图。图6是图5的狭缝板的分解立体图,表示从狭缝板取下了受热用板的状态。图7是在图5的VII-VII线剖切而得到的狭缝板的剖视图。图8是表示受热用板的结构例的立体图,且是从受热用板的载置于狭缝板的一侧的面观察该受热用板时的图。
狭缝板14具有:凹部14a、支承部14b以及定位部14c。
凹部14a形成于靶材24的下方。在凹部14a载置有受热用板15。凹部14a优选形成于包括靶材24投影于狭缝板14而得到的投影图像24a整体的区域。在图6的例子中,凹部14a由第1侧壁14a1、第2侧壁14a2、第3侧壁14a3、第4侧壁14a4以及底部14a5形成。第1侧壁14a1形成为与开口部14s平行。第2侧壁14a2从第1侧壁14a1的一端沿与第1侧壁14a1正交的方向延伸而形成。第3侧壁14a3从第1侧壁14a1的另一端沿与第1侧壁14a1正交的方向延伸而形成。第4侧壁14a4从第2侧壁14a2朝向第3侧壁14a3呈圆弧状延伸而形成。底部14a5是由第1侧壁14a1、第2侧壁14a2、第3侧壁14a3以及第4侧壁14a4所包围的部位。
支承部14b是从凹部14a的底面向上方突出的部位。支承部14b的从凹部14a的底面突出的突出高度比凹部14a的高度低。支承部14b形成于离开口部14s较远的位置。在图6的例子中,支承部14b在俯视时形成为大致E字形状。具体而言,支承部14b具有:沿着第2侧壁14a2形成的支承部14b2、沿着第3侧壁14a3形成的支承部14b3以及沿着第4侧壁14a4形成的支承部14b4。支承部14b2与支承部14b3的间隔也可以比开口部14s的开口宽度Ly大。另外,支承部14b在支承部14b2与支承部14b4之间具有与支承部14b2以及支承部14b4平行地形成的支承部14b5。
定位部14c形成于支承部14b的局部。定位部14c是形成于支承部14b的凹部,与后述的受热用板15的定位部15c卡合。由此,受热用板15相对于狭缝板14定位。定位部14c的俯视时的形状可以是例如圆形、长孔、矩形。在图6的例子中,示出了定位部14c的个数是两个的情况,但定位部14c的个数也可以是一个,也可以是3个以上。
受热用板15具有:主体15a、凸部15b、定位部15c以及加强部15d。主体15a、凸部15b、定位部15c以及加强部15d由耐热性比狭缝板14高的材料,例如钛、氧化铝这样的陶瓷形成。主体15a、凸部15b、定位部15c以及加强部15d既可以利用一体成型而形成,也可以将单独形成的上述部位接合而形成。
主体15a具有俯视时比狭缝板14的凹部14a稍小的大小。主体15a载置于狭缝板14的支承部14b上。由此,受热用板15被支承部14b以从凹部14a的底面分离开的方式被支承。
凸部15b是从主体15a的下表面向下方突出的部位。在受热用板15载置于狭缝板14时,凸部15b在该凸部15b与狭缝板14的凹部14a之间形成迷宫构造。由此,能够抑制由于狭缝板14与受热用板15之间的接触面处的摩擦而产生的微粒从由狭缝板14的上表面和受热用板15的下表面形成的空间被释放。另外,能够抑制从靶材24释放的粒子进入由狭缝板14的上表面和受热用板15的下表面形成的空间。凸部15b优选遍及主体15a的外周部的整周地形成,支承部14b优选配置于凸部15b的内侧。
定位部15c形成于与狭缝板14的定位部14c对应的位置。定位部15c是从主体15a的下表面向下方突出的凸部,与狭缝板14的定位部14c卡合。由此,受热用板15相对于狭缝板14定位。定位部15c的俯视时的形状根据定位部14c的形状决定。在图8的例子中,示出了定位部15c的形状是圆柱的情况。
加强部15d是从主体15a的下表面向下方突出的部位。通过在主体15a形成加强部15d,来提高受热用板15的强度。加强部15d具有例如在受热用板15载置于狭缝板14时不与凹部14a的底面接触的高度。由此,加强部15d不与凹部14a的底面接触,因此即使在狭缝板14、受热用板15由于热膨胀、热收缩而变形的情况下,也能够防止由于加强部15d与凹部14a之间的接触面的摩擦而产生微粒。在图8的例子中,加强部15d形成为在开口部14s的长度方向上延伸。
(溅射装置的动作)
参照图1、图9和图10,对溅射装置10的动作进行说明。图9是表示第1实施方式的溅射装置10的结构例的剖视图,且是表示基板W搭载于载置台18上的状态的图。图10是表示第1实施方式的溅射装置10的结构例的剖视图,且是表示为了将基板W配置于移动区域S21而使盖部32向上方移动了的状态的图。以下所示的溅射装置10的动作通过控制部80控制溅射装置10的各部来执行。
首先,打开闸阀12g,从而使开口12p开放。接着,利用与溅射装置10连接的输送组件的输送装置将基板W向处理容器12内送入。在送入基板W时,多个升降销30a和载置台18向基板W被送入的区域的下方退避,以便不与基板W干涉。
接着,使多个升降销30a向上方移动,从输送组件的输送装置接收基板W。此时,基板W被支承于多个升降销30a的上端之上。另外,在基板W由多个升降销30a支承后,输送组件的输送装置从处理容器12内向处理容器12的外部退避。接着,关闭闸阀12g,从而使开口12p关闭。
接着,如图9所示,使载置台18向上方移动,从而将基板W从多个升降销30a向载置台18传送。接着,如图10所示,使盖部32向上方移动,以使盖部32向第1空间S1退避。接着,使载置台18向移动区域S21内移动,并利用盖部32使壁构件28的一端的开口28p关闭。
接着,从端口12i向处理容器12内导入气体,利用排气装置22将处理容器12内的压力设定为预定的压力。另外,利用电源26对保持件16施加电压。当保持件16被施加电压时,处理容器12内的气体离解,离子与靶材24碰撞。当离子与靶材24碰撞时,靶材24的构成材料的粒子从该靶材24被释放。从靶材24释放的粒子穿过开口部14s而在基板W上沉积。此时,使基板W沿X方向移动。由此,在基板W的表面形成靶材24的构成材料的膜。
如以上说明的那样,第1实施方式的溅射装置10具有狭缝板14,该狭缝板14在处理容器12内的基板W的上方与基板W的表面平行地配置,具有在板厚方向上贯通的开口部14s。另外,溅射装置10具有受热用板15,该受热用板15在靶材24的下方载置于狭缝板14之上,由耐热性比狭缝板14的耐热性高的材料形成。由此,即使靶材24附近的温度上升,也能够抑制狭缝板14热变形。结果,能够使靶材24的位置靠近基板W,因此能得到较高的成膜率。
然而,对于使溅射粒子从相对于基板W的表面倾斜配置的靶材24向基板W发射的构造,存在靶材24与基板周边部件非常接近的部位。因此,有时会在基板周边部件、特别是狭缝板14的面内局部地产生温度较高的高温区域,而发生狭缝板14的变形、破损,从而使期望的成膜变得困难。但是,在溅射装置10的情况下,在靶材24的下方配置有由耐热性比狭缝板14的耐热性高的材料形成的受热用板15,因此能够抑制狭缝板14的变形、破损。
另外,根据第1实施方式的溅射装置10,受热用板15具有在受热用板15的下表面与狭缝板14的上表面形成迷宫构造的凸部15b。由此,能够抑制由于狭缝板14与受热用板15之间的接触面的摩擦而产生的微粒从由狭缝板14的上表面与受热用板15的下表面形成的空间被释放。另外,能够抑制从靶材24释放的粒子进入由狭缝板14的上表面与受热用板15的下表面形成的空间。
〔第2实施方式〕
对第2实施方式的溅射装置的结构例进行说明。图11是表示第2实施方式的溅射装置的结构例的剖视图。
如图11所示,对于第2实施方式的溅射装置10A,狭缝板14通过将作为分体制造的多个构件(内侧构件141和外侧构件142)组合而形成,内侧构件141能够相对于外侧构件142拆装。由此,仅通过更换作为狭缝板14的一部分的内侧构件141,就能够改变开口部14s的形状。因此,能够容易地改变开口部的形状。此外,其他的方面与第1实施方式同样。
根据第2实施方式的溅射装置10A,起到与第1实施方式10同样的效果。
应该认为的是,本次公开的实施方式在所有方面均是例示,而并非限制性的。上述的实施方式在不脱离权利要求书和其主旨的情况下,也可以以各种方式进行省略、置换、变更。
对于上述的实施方式,作为在处理容器12内使基板W移动的方法,对利用具有多关节臂20c的移动机构20使载置台18移动的情况进行了说明,但并不限定于此。例如,也可以利用与溅射装置10连接的输送组件的输送装置使基板W在处理容器12内移动。
本国际申请主张基于2018年6月26日申请的日本特许出愿第2018-120504号的优先权,并将该申请的所有内容引用至本国际申请。
附图标记说明
10、溅射装置;12、处理容器;14、狭缝板;14b、支承部;14s、开口部;15、受热用板;15b、凸部;16、保持件;24、靶材;24a、投影图像;W、基板。

Claims (7)

1.一种溅射装置,其中,
该溅射装置具有:
处理容器,其收容基板;
狭缝板,其在所述处理容器内的所述基板的上方与所述基板的表面平行地配置,并具有在板厚方向上贯通的开口部;以及
受热用板,其在相对于所述狭缝板倾斜设置的靶材的下方载置于所述狭缝板之上,由耐热性比所述狭缝板的耐热性高的材料形成。
2.根据权利要求1所述的溅射装置,其中,
所述受热用板配置于包括所述靶材投影于所述狭缝板而得到的投影图像整体的区域。
3.根据权利要求1所述的溅射装置,其中,
所述受热用板具有凸部,该凸部用于在所述受热用板的下表面与所述狭缝板的上表面形成迷宫构造。
4.根据权利要求3所述的溅射装置,其中,
所述凸部遍及所述受热用板的外周部的整周地形成。
5.根据权利要求1所述的溅射装置,其中,
所述狭缝板具有向上方突出的支承部,
所述受热用板利用所述支承部以从所述狭缝板的上表面分离开的方式被支承。
6.根据权利要求1所述的溅射装置,其中,
所述受热用板的上表面与所述狭缝板的上表面大致齐平。
7.根据权利要求1所述的溅射装置,其中,
所述狭缝板由铝形成,
所述受热用板由钛或者陶瓷形成。
CN201980041218.2A 2018-06-26 2019-06-17 溅射装置 Withdrawn CN112313361A (zh)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2018120504A JP2020002395A (ja) 2018-06-26 2018-06-26 スパッタ装置
JP2018-120504 2018-06-26
PCT/JP2019/023903 WO2020004104A1 (ja) 2018-06-26 2019-06-17 スパッタ装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN112313361A true CN112313361A (zh) 2021-02-02

Family

ID=68986494

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201980041218.2A Withdrawn CN112313361A (zh) 2018-06-26 2019-06-17 溅射装置

Country Status (6)

Country Link
US (1) US20210262080A1 (zh)
JP (1) JP2020002395A (zh)
KR (1) KR20210019523A (zh)
CN (1) CN112313361A (zh)
TW (1) TW202006160A (zh)
WO (1) WO2020004104A1 (zh)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6857752B1 (ja) 2020-01-09 2021-04-14 住友化学株式会社 リチウム金属複合酸化物、リチウム二次電池用正極活物質、リチウム二次電池用正極、リチウム二次電池及びリチウム金属複合酸化物の製造方法
JP2021143399A (ja) * 2020-03-12 2021-09-24 東京エレクトロン株式会社 成膜装置

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2907401B2 (ja) * 1991-02-21 1999-06-21 キヤノン株式会社 スパッタ成膜装置
JP3726846B2 (ja) * 1995-12-01 2005-12-14 聯華電子股▲分▼有限公司 スパッタリング成膜装置およびこれを用いた成膜方法
JP2008056975A (ja) * 2006-08-30 2008-03-13 Seiko Epson Corp 成膜装置
JP2009079267A (ja) * 2007-09-26 2009-04-16 Hitachi Cable Ltd スパッタリングターゲット材およびその製造方法
JP4537479B2 (ja) * 2008-11-28 2010-09-01 キヤノンアネルバ株式会社 スパッタリング装置
JP2013104128A (ja) * 2011-11-16 2013-05-30 Sharp Corp 防着板、スパッタリング装置および薄膜太陽電池の製造装置
JP2015067856A (ja) * 2013-09-27 2015-04-13 シーゲイト テクノロジー エルエルシー マグネトロンスパッタ装置

Also Published As

Publication number Publication date
JP2020002395A (ja) 2020-01-09
WO2020004104A1 (ja) 2020-01-02
US20210262080A1 (en) 2021-08-26
KR20210019523A (ko) 2021-02-22
TW202006160A (zh) 2020-02-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP7361856B2 (ja) プラズマ処理装置
CN109314034B (zh) 真空处理室及制造真空处理的板形基底的方法
US8852386B2 (en) Plasma processing apparatus
US20150364347A1 (en) Direct lift process apparatus
KR102107282B1 (ko) 성막 장치
CN112313361A (zh) 溅射装置
KR102699890B1 (ko) 자기-중심조정 피쳐를 갖는 2-피스 셔터 디스크 조립체
CN113990732A (zh) 等离子体处理装置
JP7455012B2 (ja) プラズマ処理装置およびプラズマ処理装置の載置台
KR20170064999A (ko) 감압된 공간에서 피가공물을 처리하는 처리 장치
KR102281719B1 (ko) 적재대 기구, 처리 장치 및 적재대 기구의 동작 방법
KR102358937B1 (ko) 스퍼터 장치
US11414747B2 (en) Sputtering device
JP7246148B2 (ja) スパッタ装置
KR102600534B1 (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
US20230167542A1 (en) Film forming apparatus

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
WW01 Invention patent application withdrawn after publication
WW01 Invention patent application withdrawn after publication

Application publication date: 20210202