KR20170026676A - 슬라이딩 상호 연결 배선 구조를 포함하는 플렉서블 소자 - Google Patents

슬라이딩 상호 연결 배선 구조를 포함하는 플렉서블 소자 Download PDF

Info

Publication number
KR20170026676A
KR20170026676A KR1020150119964A KR20150119964A KR20170026676A KR 20170026676 A KR20170026676 A KR 20170026676A KR 1020150119964 A KR1020150119964 A KR 1020150119964A KR 20150119964 A KR20150119964 A KR 20150119964A KR 20170026676 A KR20170026676 A KR 20170026676A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
sliding contact
contact portion
sliding
dielectric layer
conductive pattern
Prior art date
Application number
KR1020150119964A
Other languages
English (en)
Inventor
이승엽
강주현
김종훈
배한준
Original Assignee
에스케이하이닉스 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 에스케이하이닉스 주식회사 filed Critical 에스케이하이닉스 주식회사
Priority to KR1020150119964A priority Critical patent/KR20170026676A/ko
Priority to US14/989,921 priority patent/US9888567B2/en
Priority to CN201610202537.5A priority patent/CN106486462B/zh
Publication of KR20170026676A publication Critical patent/KR20170026676A/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/482—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of lead-in layers inseparably applied to the semiconductor body
    • H01L23/485—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of lead-in layers inseparably applied to the semiconductor body consisting of layered constructions comprising conductive layers and insulating layers, e.g. planar contacts
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00—Printed circuits
    • H05K1/02—Details
    • H05K1/0277—Bendability or stretchability details
    • H05K1/028—Bending or folding regions of flexible printed circuits
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
    • H01L23/498—Leads, i.e. metallisations or lead-frames on insulating substrates, e.g. chip carriers
    • H01L23/4985—Flexible insulating substrates
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/52—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames
    • H01L23/522—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames including external interconnections consisting of a multilayer structure of conductive and insulating layers inseparably formed on the semiconductor body
    • H01L23/525—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames including external interconnections consisting of a multilayer structure of conductive and insulating layers inseparably formed on the semiconductor body with adaptable interconnections
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/52—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames
    • H01L23/538—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames the interconnection structure between a plurality of semiconductor chips being formed on, or in, insulating substrates
    • H01L23/5382—Adaptable interconnections, e.g. for engineering changes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/52—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames
    • H01L23/538—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames the interconnection structure between a plurality of semiconductor chips being formed on, or in, insulating substrates
    • H01L23/5383—Multilayer substrates
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/52—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames
    • H01L23/538—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames the interconnection structure between a plurality of semiconductor chips being formed on, or in, insulating substrates
    • H01L23/5384—Conductive vias through the substrate with or without pins, e.g. buried coaxial conductors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/52—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames
    • H01L23/538—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames the interconnection structure between a plurality of semiconductor chips being formed on, or in, insulating substrates
    • H01L23/5386—Geometry or layout of the interconnection structure
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/52—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames
    • H01L23/538—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames the interconnection structure between a plurality of semiconductor chips being formed on, or in, insulating substrates
    • H01L23/5387—Flexible insulating substrates
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H01L2224/48227—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H01L2224/48227—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
    • H01L2224/48228—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item the bond pad being disposed in a recess of the surface of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/93—Batch processes
    • H01L2224/95—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips
    • H01L2224/97—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips the devices being connected to a common substrate, e.g. interposer, said common substrate being separable into individual assemblies after connecting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/151—Die mounting substrate
    • H01L2924/1517—Multilayer substrate
    • H01L2924/15172—Fan-out arrangement of the internal vias
    • H01L2924/15174—Fan-out arrangement of the internal vias in different layers of the multilayer substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/151—Die mounting substrate
    • H01L2924/1517—Multilayer substrate
    • H01L2924/15182—Fan-in arrangement of the internal vias
    • H01L2924/15184—Fan-in arrangement of the internal vias in different layers of the multilayer substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/151—Die mounting substrate
    • H01L2924/153—Connection portion
    • H01L2924/1531—Connection portion the connection portion being formed only on the surface of the substrate opposite to the die mounting surface
    • H01L2924/15311—Connection portion the connection portion being formed only on the surface of the substrate opposite to the die mounting surface being a ball array, e.g. BGA
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181—Encapsulation
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00—Printed circuits
    • H05K1/02—Details
    • H05K1/14—Structural association of two or more printed circuits
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00—Printed circuits
    • H05K1/02—Details
    • H05K1/14—Structural association of two or more printed circuits
    • H05K1/147—Structural association of two or more printed circuits at least one of the printed circuits being bent or folded, e.g. by using a flexible printed circuit
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/03—Conductive materials
    • H05K2201/0332—Structure of the conductor
    • H05K2201/0364—Conductor shape
    • H05K2201/0385—Displaced conductors
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/05—Flexible printed circuits [FPCs]
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/05—Flexible printed circuits [FPCs]
    • H05K2201/058—Direct connection between two or more FPCs or between flexible parts of rigid PCBs

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Geometry (AREA)
  • Structure Of Printed Boards (AREA)
  • Production Of Multi-Layered Print Wiring Board (AREA)
  • Parts Printed On Printed Circuit Boards (AREA)

Abstract

제1슬라이딩(sliding) 접촉부 및 제1연장부를 가지는 제1도전 패턴과, 제1슬라이딩 접촉부와 중첩되도록 위치하는 제2슬라이딩 접촉부 및 제2연장부를 포함하는 제2도전 패턴이고 제2슬라이딩 접촉부는 제1슬라이딩 접촉부에 접촉하며 슬라이딩 움직임을 가질 수 있도록 제2도전 패턴을 구비하고, 제1 및 제2도전 패턴들을 내장하는 유전층을 포함하는 플렉서블(flexible) 소자를 제시한다.

Description

슬라이딩 상호 연결 배선 구조를 포함하는 플렉서블 소자{Flexible device including sliding interconnection}
본 출원은 반도체 패키지(package) 기술에 관한 것으로, 특히 슬라이딩 상호 연결 배선 구조(sliding interconnection)를 가지는 플렉서블 소자(flexible device)에 관한 것이다.
모바일(mobile) 기기와 같은 전자 제품이 점점 소형화되면서도 고용량의 데이터(data) 처리를 요구하고 있다. 전자 제품의 경량 및 소형화에 따라 이들 제품에 요구되는 반도체 패키지(package) 또한 얇은 두께 및 작은 크기의 제품으로 요구되고 있다. 이동성 및 착장 가능한 전자 제품(wearable electronics)에 대한 수요가 증대됨에 따라, 전자 제품에 휘어질 수 있는 플렉서블(flexible) 특성이 점차 더 많이 요구되고 있다. 전자 제품을 구성하는 반도체 패키지(semiconductor package)와 같은 전자 소자에도 플렉시블(flexible)한 특성이 요구되고 있다.
반도체 소자가 구비된 반도체 기판 또는 반도체 칩(chip)은 휘어질 수 있는 정도로 얇은 두께를 가지도록 가공될 수 있고, 반도체 칩이 실장되는 패키지 기판 또한 휘어질 수 있는 소재로 형성될 수 있어, 반도체 패키지가 플렉시블한 특성을 가질 수 있는 가능성이 점차 증대되고 있다. 반도체 기판 내에 또는 패키지 기판 내에는 전기적 접속을 위한 배선 회로를 따르는 상호 연결 배선 구조가 요구되고 있다. 반도체 기판 또는 패키지 기판이 휘어지거나 구부러질 때에도, 상호 연결 배선 구조가 전기적 상호 접속 상태를 유지하도록 하는 기술을 확보하고자 노력하고 있다.
본 출원은 반도체 기판이나 패키지 기판이 휘어지거나 구부러질 때, 전기적인 상호 접속 상태를 유지할 수 있는 상호 연결 배선 구조(interconnection)를 포함하는 플렉서블 소자(flexible device)를 제시하고자 한다.
본 출원의 일 관점은, 제1슬라이딩(sliding) 접촉부 및 제1연장부를 가지는 제1도전 패턴; 상기 제1슬라이딩 접촉부와 중첩되도록 위치하는 제2슬라이딩 접촉부 및 제2연장부를 포함하고 상기 제2슬라이딩 접촉부는 상기 제1슬라이딩 접촉부에 접촉하며 슬라이딩 움직임을 가질 수 있는 제2도전 패턴; 및 상기 제1 및 제2도전 패턴들을 내장하는 유전층을 포함하는 플렉서블(flexible) 소자를 제시한다.
본 출원의 다른 일 관점은, 기판 바디(body)의 제1표면 상에 형성된 유전층; 상기 유전층과 상기 기판 바디 사이에 위치하고 제1슬라이딩(sliding) 접촉부 및 제1연장부를 가지는 제1도전 패턴, 및 상기 제1슬라이딩 접촉부와 중첩되도록 위치하는 제2슬라이딩 접촉부 및 제2연장부를 포함하고 상기 제2슬라이딩 접촉부는 상기 제1슬라이딩 접촉부에 접촉하며 슬라이딩 움직임을 가질 수 있는 제2도전 패턴을 포함하는 연결 제1배선; 및 상기 기판 바디의 제2표면 상에 형성된 연결 제2배선을 포함하는 포함하는 플렉서블 소자를 제시한다.
본 출원의 다른 일 관점은, 기판 바디(body)의 제1표면 상에 형성된 유전층, 상기 유전층과 상기 기판 바디 사이에 위치하고 제1슬라이딩(sliding) 접촉부 및 제1연장부를 가지는 제1도전 패턴, 및 상기 제1슬라이딩 접촉부와 중첩되도록 위치하는 제2슬라이딩 접촉부 및 제2연장부를 포함하고 상기 제2슬라이딩 접촉부는 상기 제1슬라이딩 접촉부에 접촉하며 슬라이딩 움직임을 가질 수 있는 제2도전 패턴을 포함하는 연결 제1배선, 및 상기 기판 바디의 제2표면 상에 형성된 연결 제2배선을 포함하는 패키지 기판; 및 상기 패키지 기판에 상기 연결 제1배선에 전기적으로 접속되도록 실장되는 반도체 칩을 포함하는 플렉서블 소자를 제시한다.
본 출원의 다른 일 관점은, 상호 이격되도록 배치된 제1 및 제2소자들; 및 상기 제1 및 제2소자들을 상호 연결시키는 플렉시블 커넥터부(flexible connector)를 포함하고, 상기 플렉시블 커넥터부는 상기 제1소자에 전기적으로 접속하는 제1연장부 및 상기 제1연장부로부터 연장된 제1슬라이딩(sliding) 접촉부를 가지는 제1도전 패턴; 상기 제1슬라이딩 접촉부와 중첩되도록 위치하는 제2슬라이딩 접촉부 및 상기 제2슬라이딩 접촉부로부터 연장되고 상기 제2소자에 전기적으로 접속하는 제2연장부를 포함하고 상기 제2슬라이딩 접촉부는 상기 제1슬라이딩 접촉부에 접촉하며 슬라이딩 움직임을 가질 수 있는 제2도전 패턴; 및 상기 제1 및 제2도전 패턴들을 내장하는 플렉시블(flexible) 유전층을 플렉서블 소자를 제시한다.
본 출원의 실시예들에 따르면, 반도체 기판이나 패키지 기판이 휘어지거나 구부러질 때, 전기적인 상호 접속 상태를 유지할 수 있는 상호 연결 배선 구조(interconnection)를 포함하는 플렉서블 소자(flexible device)를 제시할 수 있다.
도 1 내지 도 4는 일 예에 따른 슬라이딩 상호 연결 배선 구조(sliding interconnection)를 포함하는 플렉서블 소자(flexible device)를 보여주는 도면들이다.
도 5 내지 도 7은 일 예에 따른 슬라이딩 상호 연결 배선 구조(sliding interconnection)를 포함하는 플렉서블 소자(flexible device)를 보여주는 도면들이다.
도 8은 일 예에 따른 슬라이딩 상호 연결 배선 구조(sliding interconnection)를 포함하는 플렉서블 소자(flexible device)를 보여주는 도면이다.
도 9 및 도 10은 일 예에 따른 슬라이딩 상호 연결 배선 구조(sliding interconnection)를 포함하는 플렉서블 소자(flexible device)를 보여주는 도면들이다.
도 11은 일 예에 따른 슬라이딩 상호 연결 배선 구조(sliding interconnection)를 포함하는 플렉서블 소자(flexible device)를 보여주는 도면이다.
본 출원의 예의 기재에서 사용하는 용어들은 제시된 실시예에서의 기능을 고려하여 선택된 용어들로서, 그 용어의 의미는 기술 분야에서의 사용자, 운용자의 의도 또는 관례 등에 따라 달라질 수 있다. 사용된 용어의 의미는 본 명세서에 구체적으로 정의된 경우 정의된 정의에 따르며, 구체적인 정의가 없는 경우 당업자들이 일반적으로 인식하는 의미로 해석될 수 있다. 본 출원의 예의 기재에서 "제1" 및 "제2"와 같은 기재는 부재를 구분하기 위한 것이며, 부재 자체를 한정하거나 특정한 순서를 의미하는 것으로 사용된 것은 아니다.
반도체 패키지는 반도체 칩과 같은 전자 소자들을 포함할 수 있으며, 반도체 칩은 전자 회로가 집적된 반도체 기판이 다이(die) 형태로 절단 가공된 형태를 포함할 수 있다. 반도체 칩은 DRAM이나 SRAM, FLASH, MRAM, ReRAM, FeRAM 또는 PcRAM과 같은 메모리(memory) 집적회로가 집적된 메모리 칩이나, 또는 반도체 기판에 논리 회로가 집적된 로직(logic) 칩을 의미할 수 있다. 반도체 패키지는 휴대 단말기와 같은 정보통신 기기나, 바이오(bio)나 헬스케어(health care) 관련 전자 기기들, 인간에 착용 가능한(wearable) 전자 기기들에 적용될 수 있다.
명세서 전문에 걸쳐 동일한 참조 부호는 동일한 구성 요소를 지칭할 수 있다. 동일한 참조 부호 또는 유사한 참조 부호들은 해당 도면에서 언급 또는 설명되지 않았더라도, 다른 도면을 참조하여 설명될 수 있다. 또한, 참조 부호가 표시되지 않았더라도, 다른 도면들을 참조하여 설명될 수 있다.
도 1은 일 예에 따른 슬라이딩 상호 연결 배선(sliding interconnection: 300) 구조를 포함하는 플렉서블 소자(flexible device: 10)를 보여주고, 도 2 및 도 3은 도 1의 슬라이딩 상호 연결 배선(300) 구조를 위한 부재들의 결합 형태를 보여주고, 도 4는 도 1의 플렉서블 소자(10)가 벤딩(bending)될 때 슬라이딩 상호 연결 배선(300) 구조가 전기적 접속 상태를 유지하는 상태를 보여준다.
도 1을 참조하면, 플렉서블 소자(10)는 기판(100) 상에 유전층(200)에 함침되어 둘러싸인 슬라이딩 상호 연결 배선(300)의 구조를 포함할 수 있다. 유전층(200)은 기판(100)에 의해 지지될 수 있다. 기판(100)은 집적 회로가 형성된 반도체 기판 또는 반도체 칩(chip)을 포함할 수 있다. 유전층(200) 및 상호 연결 배선(300)의 구조는, 집적 회로를 이루는 트랜지스터(transistor)와 같은 반도체 소자가 형성된 반도체 기판 상에 배치되는 다층 배선 구조의 일부로 적용될 수 있다. 또는, 기판(100)은 반도체 칩이나 반도체 소자가 실장될 패키지 기판(package substrate)일 수 있다. 패키지 기판은 인쇄회로기판(PCB: Printed Circuit)이거나 또는 반도체 소자를 내부에 내장시킬 수 있는 임베디드 기판(embedded substrate)일 수 있다. 유전층(200) 및 상호 연결 배선(300)의 구조는 패키지 기판에 구비되는 회로 배선 구조의 일부로 적용될 수 있다.
도 1 및 도 2를 함께 참조하면, 슬라이딩 상호 연결 배선(300) 구조는 유전층(200) 내에 내장되도록 위치할 수 있다. 슬라이딩 상호 연결 배선(300)은 상호 분리된 제1도전 패턴(310)과 제2도전 패턴(320)을 포함할 수 있다. 제1도전 패턴(310)은 제1슬라이딩 접촉부(sliding contact portion: 311)와 이에 연장되는 제1연장부(312)를 포함할 수 있다. 제2도전 패턴(320) 또한 제2슬라이딩 접촉부(321)와 이에 연장되는 제2연장부(322)를 포함할 수 있다. 슬라이딩 접촉부들(311, 321)로부터 연장부들(312, 322)들이 길게 연장되고, 연장부들(312, 322)은 다른 소자나 또는 다른 도전 라인에 전기적으로 연결될 수 있다. 제1도전 패턴(310)과 제2도전 패턴(320)은 전기적으로 상호 연결되어 도전 라인(conductive line)을 형성하고, 이러한 도전 라인은 배선 회로를 구성하는 일부로 사용될 수 있다.
제1슬라이딩 접촉부(311) 상에 제2슬라이딩 접촉부(321)이 중첩되도록 제1도전패턴(310)과 제2도전 패턴(320)이 배치될 수 있다. 제1슬라이딩 접촉부(311)의 표면에 제2슬라이딩 접촉부(321)의 표면이 상호 접촉하여 접촉 계면(309)를 이룰 수 있다. 도 3에 제시된 바와 같이, 제1슬라이딩 접촉부(311)의 표면(313)에 제2슬라이딩 접촉부(321)의 표면(323)이 접촉된 상태로 유지되지만, 제1슬라이딩 접촉부(311)의 표면에 제2슬라이딩 접촉부(321)의 표면이 체결되어 고정(fix)되지는 않는다. 따라서, 제1슬라이딩 접촉부(311)과 제2슬라이딩 접촉부(321)는 일체화되지 않고 단지 접촉된 상태로 유지되어 상호 간에 전기적인 연결 구조를 구축할 수 있다.
제1슬라이딩 접촉부(311)과 제2슬라이딩 접촉부(321)는 단지 접촉된 상태로 유지되어 상호 간에 전기적인 연결 구조를 구축하므로, 도 3에 제시된 바와 같이, 제1슬라이딩 접촉부(311)과 제2슬라이딩 접촉부(321)는 그 위치가 상대적으로 변위(shift)되도록 슬라이딩(sliding)할 수 있는 상태로 상호 간에 위치할 수 있다. 제1슬라이딩 접촉부(311)는 제2슬라이딩 접촉부(321) 표면에 접촉된 상태로 슬라이딩되어 이동될 수 있도록 배치될 수 있다. 제1슬라이딩 접촉부(311)는 제2슬라이딩 접촉부(321) 표면에 고정되어 있지 않으므로, 외부에서 작용하는 힘에 의해서 제1슬라이딩 접촉부(311)가 제2슬라이딩 접촉부(321) 표면에 미끄러져 이동할 수 있다. 제1슬라이딩 접촉부(311)과 제2슬라이딩 접촉부(321)가 상호 간에 이동될 수 있도록 접촉하고 있으므로, 제1도전 패턴(310)은 제2도전 패턴(320)에 대해 고정되지 않고 그 위치가 다소 유동될 수 있도록 위치할 수 있다.
도 1 및 도 2를 참조하면, 제1슬라이딩 접촉부(311)의 표면에 제2슬라이딩 접촉부(321)의 표면이 접촉하여 전기적으로 연결되므로, 제1도전 패턴(310) 및 제2도전 패턴(320)은 하나의 도전 라인(conductive line)을 이루게 된다. 하나의 도전 라인이 제1도전 패턴(310) 및 제2도전 패턴(320)으로 분절되어 나뉜 형태로 묘사하지만, 하나의 도전 라인이 3 이상의 다수의 도전 패턴들로 분절되어 나뉠 수 있다.
제1슬라이딩 접촉부(311)의 표면에 제2슬라이딩 접촉부(321)의 표면이 접촉된 상태로, 제1도전 패턴(310) 및 제2도전 패턴(320)을 포함하는 슬라이딩 상호 연결 배선(300) 구조는 유전층(200) 내에 함침될 수 있다. 슬라이딩 상호 연결 배선(300)의 상하에 유전층(200) 부분들이 각각 위치하도록, 슬라이딩 상호 연결 배선(300)의 하측에 제1유전층(210)이 위치하고 슬라이딩 상호 연결 배선(300)의 상측에 제2유전층(220)이 위치할 수 있다. 도 2에 제시된 바와 같이, 제1유전층(210)의 표면에 제1도전 패턴(310)을 위치시키고, 제1도전 패턴(310)에 마주보는 제2유전층(220)의 표면에 제2도전 패턴(320)을 위치시키고, 제1유전층(210)과 제2유전층(220)을 라미네이션(lamination)시킬 수 있다.
제1유전층(210)과 제2유전층(220)을 라미네이션에 의해서 유전층(200)이 이루어지고, 유전층(200) 내에 도 1에 제시된 바와 같이 제1도전 패턴(310) 및 제2도전 패턴(320)이 내장되도록 위치할 수 있다. 제1도전 패턴(310)의 제1슬라이딩 접촉부(311)가 제2도전 패턴(320)의 제2슬라이딩 접촉부(321)에 중첩되도록 제1유전층(210)과 제2유전층(220)을 형성함으로써, 제1유전층(210)과 제2유전층(220)이 제1도전 패턴(310)의 제1슬라이딩 접촉부(311)가 제2도전 패턴(320)의 제2슬라이딩 접촉부(321)가 접촉된 상태가 유지되도록 하는 압력을 제공할 수 있다. 제1유전층(210)과 제2유전층(220)이 제1도전 패턴(310) 및 제2도전 패턴(320)을 상하로 감싸고 있어, 제1슬라이딩 접촉부(311)가 제2슬라이딩 접촉부(321)에 접촉되도록 눌러주는 힘이 유도될 수 있다.
도 1 및 도 2를 참조하면, 제1도전 패턴(310)의 제1슬라이딩 접촉부(311)가 제2도전 패턴(320)의 제2슬라이딩 접촉부(321)가 접촉되어 전기적 연결 구조가 이루어지므로, 제1슬라이딩 접촉부(311) 및 제2슬라이딩 접촉부(321)의 접촉 계면(309)의 면적을 증가시키도록 제1슬라이딩 접촉부(311)나 제2슬라이딩 접촉부(321)의 길이를 증가시켜 접촉 저항을 줄여줄 수 있다. 제1슬라이딩 접촉부(311)가 제1연장부(312)로부터 둘 또는 그 이상의 개수로 분지(branch)되어 빗(comb) 형상을 가지는 도전 패턴으로 형성하고, 제2슬라이딩 접촉부(321)가 제2연장부(322)로부터 둘 또는 그 이상의 개수로 분지되어 빗(comb) 형상을 가지는 도전 패턴으로 형성하여, 제1슬라이딩 접촉부(311)와 제2슬라이딩 접촉부(321)의 유효 접촉 길이 또는 유효 접촉 면적을 증가시켜 접촉 저항을 감소시킬 수 있다. 제1슬라이딩 접촉부(311)가 제1연장부(312) 보다 더 큰 선폭을 가져 보다 큰 표면적을 가지는 패드(pad) 패턴(도시되지 않음)으로 형성하고, 제2슬라이딩 접촉부(321)가 제2연장부(322)보다 더 큰 선폭을 가지는 패드 패턴으로 형성하여, 제1슬라이딩 접촉부(311)와 제2슬라이딩 접촉부(321)의 유효 접촉 면적을 증가시켜 접촉 저항을 감소시킬 수 있다. 이러한 제1도전 패턴(310) 및 제2도전 패턴(320)은 구리(Cu), 알루미늄(Al) 또는 금(Au)을 포함하는 금속 패턴으로 형성될 수 있다.
도 4를 참조하면, 플렉서블 소자(10)가 벤딩(bending)될 때, 벤딩에 의해 슬라이딩 상호 연결 배선(300) 구조에 제1슬라이딩 접촉부(311)가 제2슬라이딩 접촉부(321)를 따라 움직이도록 하는 힘이 인가될 수 있다. 플렉서블 소자(10)의 양측 단부가 중앙부에 비해 아래로 이동되도록 하는 외부에서 작용하는 힘이 양측 단부에 작용할 때, 플렉서블 소자(10)의 양측 단부가 중앙부에 비해 아래로 이동되어 크라잉 형상(crying shape)을 이루며 휘어지는 크라잉 벤딩(crying bending)이 이루어질 수 있다. 아래에 위치하는 기판(100)에는 중앙으로 수축시키는 압축력(compressive force)이 유도될 수 있고, 상대적으로 위에 위치하는 유전층(200) 및 슬라이딩 상호 연결 배선(300) 구조에는 양측 단부를 향하는 인장력(tensile force)이 유도될 수 있다.
제1유전층(210)이나 제2유전층(220)을 포함하는 유전층(200)은 이러한 인장력에 의해 연신(elongation)될 수 있는 재질로 이루어져, 인장력에 의해 연신될 수 있다. 제1유전층(210)이나 제2유전층(220)을 포함하는 유전층(200)은 인장력에 의해 연신되고 인장력이 제거될 때 다시 회복되는 탄성 재질(elastic material)을 포함할 수 있다. 제1유전층(210)이나 제2유전층(220)을 포함하는 유전층(200)은 폴리 이미드(poly imide)와 같은 폴리머 재질이나, 실리콘 러버(silicone rubber)나 실리콘 레진(silicone resin)과 같은 탄성을 가지는 재질을 포함할 수 있다. 이에 따라 유전층(200)은 외부에서 인가되는 인장력이나 압축력에 의해 탄성적으로 연신되거나 수축될 수 있어, 휘거나 구부려지는 플렉서블한 특성을 가질 수 있다. 기판(100) 또한 외부에서 인가되는 인장력이나 압축력에 의해 탄성적으로 연신되거나 수축될 수 있어, 휘거나 구부려지는 플렉서블한 특성을 가질 수 있다.
플렉서블 소자(10)의 양측 단부가 중앙부에 비해 위로 이동되어 스마일 형상(smile shape)을 이루며 휘어지는 스마일 벤딩(smile bending)의 경우에 유전층(200)은 외부에서 인가되는 압축력에 의해 탄성적으로 수축될 수 있어, 휘거나 구부려지는 플렉서블한 특성을 가질 수 있다. 기판(100) 또한 외부에서 인가되는 인장력이에 의해 탄성적으로 연신될 수 있어, 휘거나 구부려지는 플렉서블한 특성을 가질 수 있다.
유전층(200)에 인장력이 인가될 때 슬라이딩 상호 연결 배선(300)에도 인장력이 함께 인가될 수 있다. 이러한 인장력은 제1슬라이딩 접촉부(311)가 제2슬라이딩 접촉부(321)를 따라 이동시키는 힘으로 작용할 수 있다. 인장력에 의해 제1슬라이딩 접촉부(311)가 초기 위치(310P1)에서 일정 변위(310S)만큼 이동하여 이동된 위치(310P2)에 위치하도록 슬라이딩 이동할 수 있다. 인장력에 의해 제2슬라이딩 접촉부(321)가 초기 위치(320P1)에서 일정 변위(320S)만큼 이동하여 이동된 위치(320P2)에 위치하도록 슬라이딩 이동할 수 있다. 이와 같이 제1도전 패턴(310)과 제2도전 패턴(320)이 상대적으로 이동될 수 있다. 슬라이딩 상호 연결 배선(300)에도 인장력은 슬라이딩 상호 연결 배선(300)에 스트레스(stress)로 작용할 수 있는 데, 제1도전 패턴(310)이 제2도전 패턴(320)에 대해 상대적인 위치가 변위되며 이러한 스트레스는 해소될 수 있다. 따라서, 슬라이딩 상호 연결 배선(300)이 스트레스(stress)에 의해 파손(breaking)되거나 손상되지 않고, 전기적인 상호 접속 상태를 유효하게 유지할 수 있다.
크라잉 벤딩을 유도하는 외부 힘이 제거되어 사라지면, 유전층(200)은 탄성 연신에 의한 복원력에 의해서 원래 위치로 회복하도록 수축될 수 있다. 이때 유전층(200)의 탄성 복원에 의해 유도되는 수축력이 슬라이딩 상호 연결 배선(300)에 작용할 수 있다. 이러한 수축력에 의해서 제1슬라이딩 접촉부(311)가 이동된 위치(310P2)에서 일정 변위(310S)만큼 다시 이동하여 초기 위치(310P1)에 위치하도록 다시 슬라이딩 이동할 수 있다. 수축력에 의해 제2슬라이딩 접촉부(321)가 이동된 위치(320P2)에서 일정 변위(320S)만큼 복원 이동하여 초기 위치(320P1)에 다시 위치하도록 슬라이딩 이동할 수 있다. 이에 따라 크라잉 벤딩을 유도하는 외부 힘이 사라질 때, 슬라이딩 상호 연결 배선(300)은 초기의 형태로 복원될 수 있다. 이와 같은 슬라이딩 상호 연결 배선(300)의 외부 힘에 의한 슬라이딩 이동 현상은 크라잉 벤딩과 반대인 스마일 벤딩에서도 마찬가지로 유도될 수 있다.
슬라이딩 상호 연결 배선(300)을 구성하는 제1도전 패턴(310) 및 제2도전 패턴(320)은 금속 재질을 포함하고 있으며 그 자체로는 탄성 재질을 포함하고 있지 않다. 그럼에도 불구하고, 제1도전 패턴(310)과 제2도전 패턴(320)이 서로 나뉘어져 있고, 제1도전 패턴(310)의 제1슬라이딩 접촉부(311)가 제2도전 패턴(320)의 제2슬라이딩 접촉부(321)에 대해 슬라이딩되거나 상대적으로 이동될 수 있어, 외부에서 작용하는 힘에 의해 변위되어 위치가 변동되고 다시 원 위치로 획복하는 동작이 가능하다. 즉, 탄성 연신 또는 탄성 수축, 탄성 회복과 마찬가지로 슬라이딩 상호 연결 배선(300)의 길이가 변동되었다가 다시 원래의 길이로 회복하는 것이 가능하다.
도 1을 다시 참조하면, 플렉서블 소자(10)는 슬라이딩 슬라이딩 상호 연결 배선(300)이 기판(100) 상에 구비된 구조를 포함하고, 기판(100)은 집적회로가 형성된 실리콘층과 같은 반도체 기판 바디(body)일 수 있다. 플렉서블 소자(10)는 슬라이딩 슬라이딩 상호 연결 배선(300) 및 유전층(200)의 구조가 다층 배선 구조로 구비된 반도체 칩 또는 반도체 소자일 수 있다. 플렉서블 소자(10)는 슬라이딩 슬라이딩 상호 연결 배선(300)이 레진(resin)이나 패브릭(fabric) 복합재를 포함하는 절연 기판(100)에 구비된 구조를 포함하고, 기판(100)은 PCB와 같은 패키지 기판의 바디일 수 있다. 플렉서블 소자(10)는 슬라이딩 슬라이딩 상호 연결 배선(300) 및 유전층(200)의 구조가 회로 배선 구조로 구비된 패키지 기판 구조일 수 있다. 플렉서블 소자(10)는 슬라이딩 슬라이딩 상호 연결 배선(300) 및 이를 피복하는 유전층(200)을 포함하는 구조로 서로 이격된 두 소자를 전기적으로 연결시키는 전기적 연결 커넥터(connector) 구조일 수 있다.
도 5는 일 예에 따른 슬라이딩 상호 연결 배선(1300A, 1300B) 구조를 포함하는 플렉서블 소자(50)를 보여주고, 도 6은 상호 연결 제1배선(1300A) 구조를 보여주고, 도 7은 상호 연결 제2배선(1300B) 구조를 보여준다.
도 5를 참조하면, 플렉서블 소자(50)는 유전층을 포함하는 기판 바디(substrate body: 1100)의 제1표면(1101) 상에 슬라이딩 상호 연결 제1배선(1300A)의 패턴을 구비하고, 제2표면(1103) 상에 슬라이딩 상호 연결 제2배선(1300B)의 패턴을 구비하는 패키지 기판 구조를 포함할 수 있다. 패키지 기판 구조는 인쇄회로기판(PCB) 구조이거나 또는 반도체 소자를 내부에 내장시킬 수 있는 임베디드 기판 구조를 가질 수 있다. 슬라이딩 상호 연결 제1배선(1300A) 및 슬라이딩 상호 연결 제2배선(1300B)의 패턴은 패키지 기판의 회로 배선 구조를 이루는 도전 패턴으로 구비될 수 있다.
기판 바디(1100)는 에폭시 레진(epoxy resin)과 같은 절연성 레진이나 패브릭(fabric)에 레진이 함침된 절연성 복합재를 포함할 수 있다. 기판 바디(1100)는 절연성 탄성 재질을 포함하여 패키지 기판의 코어층(core layer)로 도입될 수 있다. 기판 바디(1100) 내에 내장 제3배선(1300C)이 내장되어, 슬라이딩 상호 연결 제1배선(1300A) 및 슬라이딩 상호 연결 제2배선(1300B), 내장 제3배선(1300C)이 다층 배선 구조를 이룰 수 있다. 슬라이딩 상호 연결 제1배선(1300A)과 내장 제3배선(1300C)을 전기적으로 연결하거나 또는 슬라이딩 상호 연결 제2배선(1300B)과 내장 제3배선(1300C)을 전기적으로 연결하거나 또는 슬라이딩 상호 연결 제1배선(1300A)과 슬라이딩 상호 연결 제2배선(1300B)을 전기적으로 연결하는 내측 연결 배선(1304)이 기판 바디(1100)의 일부 두께 또는 전체 두께를 관통하는 연결 비아(via)를 포함하는 패턴으로 구비될 수 있다.
도 5와 함께 도 6을 참조하면, 슬라이딩 상호 연결 제1배선(1300A)은 도 1에 제시된 바와 같은 슬라이딩 상호 연결 배선(300) 구조와 같이, 제1도전 패턴(1310A)과 제2도전 패턴(1320A)이 상호 분리된 구조를 포함할 수 있다. 제1도전 패턴(1310A)은 제1슬라이딩 접촉부(1311A)와 이에 연장되는 제1연장부(1312A)를 포함할 수 있다. 제2도전 패턴(1320A) 또한 제2슬라이딩 접촉부(1321A)와 이에 연장되는 제2연장부(1322A)를 포함할 수 있다. 슬라이딩 접촉부들(1311A, 1321A)로부터 연장부들(1312A, 1322A)들이 길게 연장되고, 연장부들(1312A, 1322A)의 일부는 내측 연결 배선(1304)과 연결되거나 또는 다른 소자에 접속될 제1외측 접속부(1305)로 설정될 수 있다. 제1도전 패턴(1310A)과 제2도전 패턴(1320A)은 전기적으로 상호 연결되어 하나의 도전 라인 패턴을 형성하고, 이러한 도전 라인 패턴은 배선 회로를 구성하는 일부로 사용될 수 있다.
제1슬라이딩 접촉부(1311A) 상에 제2슬라이딩 접촉부(1321A)가 중첩되도록 제1도전패턴(1310A)과 제2도전 패턴(1320A)이 배치될 수 있다. 제1슬라이딩 접촉부(1311A)의 표면에 제2슬라이딩 접촉부(1321A)의 표면이 상호 접촉하여 상호 접촉된 상태로 유지되지만, 제1슬라이딩 접촉부(1311A)의 표면에 제2슬라이딩 접촉부(1321A)의 표면이 체결되어 고정(fix)되지는 않는다. 따라서, 제1슬라이딩 접촉부(1311A)과 제2슬라이딩 접촉부(1321A)는 일체화되지 않고 단지 접촉된 상태로 유지되어 상호 간에 전기적인 연결 구조를 구축할 수 있다.
제1슬라이딩 접촉부(1311A)과 제2슬라이딩 접촉부(1321A)는 단지 접촉된 상태로 유지되어 상호 간에 전기적인 연결 구조를 구축하므로, 도 3을 참조하여 설명한 바와 같이, 제1슬라이딩 접촉부(1311A)와 제2슬라이딩 접촉부(1321A)는 그 위치가 상대적으로 변위(shift)되도록 슬라이딩(sliding)할 수 있다. 슬라이딩 상호 연결 제1배선(1300A)의 상측에 제1유전층(1200A)이 위치하고, 하측에 기판 바디(1100)가 위치하여, 기판 바디(1100)와 제1유전층(1200A)로 이루어지는 유전층 내에 슬라이딩 상호 연결 제1배선(1300A)이 위치할 수 있다. 제1유전층(1200A)과 기판 바디(1100)가 제1도전 패턴(1310A) 및 제2도전 패턴(1320A)을 상하로 감싸고 있어, 제1슬라이딩 접촉부(1311A)가 제2슬라이딩 접촉부(1321A)에 접촉되도록 눌러주는 힘이 유도될 수 있다. 기판 바디(1100)는 도 1의 제1유전층(도 1의 210)의 역할을 하고, 제1유전층(도 6의 1200A)는 도 1의 제2유전층(도 1의 220)의 역할을 하는 것으로 이해될 수 있다. 제1유전층(1200A)는 연장부들(1312A, 1322A)의 일부를 노출하도록 패터닝되어 다른 소자와 전기적으로 접속하는 위치인 제1외측 접속부(1305)로 설정할 수 있다.
제1도전 패턴(1310A)의 제1슬라이딩 접촉부(1311A)가 제2도전 패턴(1320A)의 제2슬라이딩 접촉부(1321A)에 접촉되어 전기적 연결 구조가 이루어지므로, 제1슬라이딩 접촉부(1311A) 및 제2슬라이딩 접촉부(1321A)의 접촉 면적을 증가시키도록 제1슬라이딩 접촉부(1311A)나 제2슬라이딩 접촉부(1321A)의 길이를 증가시켜 접촉 저항을 줄여줄 수 있다. 도 2를 참조하여 설명한 바와 마찬가지로, 제1슬라이딩 접촉부(1311A)가 제1연장부(1312A)로부터 둘 또는 그 이상의 개수로 분지(branch)되어 빗(comb) 형상을 가지는 도전 패턴으로 형성하고, 제2슬라이딩 접촉부(1321A)가 제2연장부(1322A)로부터 둘 또는 그 이상의 개수로 분지되어 빗(comb) 형상을 가지는 도전 패턴으로 형성하여, 제1슬라이딩 접촉부(1311A)와 제2슬라이딩 접촉부(1321A)의 유효 접촉 길이 또는 유효 접촉 면적을 증가시켜 접촉 저항을 감소시킬 수 있다.
도 5와 함께 도 7을 참조하면, 슬라이딩 상호 연결 제2배선(1300B)은 도 1에 제시된 바와 같은 슬라이딩 상호 연결 배선(300) 구조와 같이, 제3도전 패턴(1310B)과 제4도전 패턴(1320BA)이 상호 분리된 구조를 포함할 수 있다. 제4도전 패턴(1310B)은 제3슬라이딩 접촉부(1311B)와 이에 연장되는 제3연장부(1312B)를 포함할 수 있다. 제4도전 패턴(1320B) 또한 제4슬라이딩 접촉부(1321B)와 이에 연장되는 제4연장부(1322B)를 포함할 수 있다. 슬라이딩 접촉부들(1311B, 1321B)로부터 연장부들(1312B, 1322B)들이 길게 연장되고, 연장부들(1312B, 1322B)의 일부는 내측 연결 배선(1304)과 연결되거나 또는 다른 소자에 접속될 제2외측 접속부(1307)로 설정될 수 있다. 제3도전 패턴(1310B)과 제2도전 패턴(1320B)은 전기적으로 상호 연결되어 하나의 도전 라인 패턴을 형성하고, 이러한 도전 라인 패턴은 배선 회로를 구성하는 일부로 사용될 수 있다.
제3슬라이딩 접촉부(1311B)과 제4슬라이딩 접촉부(1321B)는 단지 접촉된 상태로 유지되어 상호 간에 전기적인 연결 구조를 구축하므로, 도 3을 참조하여 설명한 바와 같이, 제3슬라이딩 접촉부(1311B)와 제4슬라이딩 접촉부(1321B)는 그 위치가 상대적으로 변위(shift)되도록 슬라이딩(sliding)할 수 있다. 슬라이딩 상호 연결 제3배선(1300B)의 상측에 제2유전층(1200B)이 위치하고, 하측에 기판 바디(1100)가 위치하여, 기판 바디(1100)와 제2유전층(1200B)로 이루어지는 유전층 내에 슬라이딩 상호 연결 제2배선(1300B)이 위치할 수 있다. 제2유전층(1200B)과 기판 바디(1100)가 제3도전 패턴(1310B) 및 제4도전 패턴(1320B)을 상하로 감싸고 있어, 제3슬라이딩 접촉부(1311B)가 제4슬라이딩 접촉부(1321A)에 접촉되도록 눌러주는 힘이 유도될 수 있다. 기판 바디(1100)은 도 1의 제1유전층(도 1의 210)의 역할을 하고, 제2유전층(도 6의 1200B)는 도 1의 제2유전층(도 1의 220)의 역할을 하는 것으로 이해될 수 있다. 제2유전층(1200B)는 연장부들(1312B, 1322B)의 일부를 노출하도록 패터닝되어 다른 소자와 전기적으로 접속하는 위치인 제2외측 접속부(1307)로 설정할 수 있다.
제3도전 패턴(1310B)의 제3슬라이딩 접촉부(1311B)가 제4도전 패턴(1320B)의 제4슬라이딩 접촉부(1321B)에 접촉되어 전기적 연결 구조가 이루어지므로, 제3슬라이딩 접촉부(1311B) 및 제4슬라이딩 접촉부(1321B)의 접촉 면적을 증가시키도록 제3슬라이딩 접촉부(1311B)나 제4슬라이딩 접촉부(1321B)의 길이를 증가시켜 접촉 저항을 줄여줄 수 있다. 도 2를 참조하여 설명한 바와 마찬가지로, 제3슬라이딩 접촉부(1311B)가 제3연장부(1312B)로부터 둘 또는 그 이상의 개수로 분지(branch)되어 빗(comb) 형상을 가지는 도전 패턴으로 형성하고, 제4슬라이딩 접촉부(1321B)가 제4연장부(1322B)로부터 둘 또는 그 이상의 개수로 분지되어 빗(comb) 형상을 가지는 도전 패턴으로 형성하여, 제3슬라이딩 접촉부(1311B)와 제4슬라이딩 접촉부(1321B)의 유효 접촉 길이 또는 유효 접촉 면적을 증가시켜 접촉 저항을 감소시킬 수 있다.
슬라이딩 상호 연결 제1배선(1300A) 또는 슬라이딩 상호 연결 제2배선(1300B)은 플렉서블 소자(50)가 벤딩될 때, 도 4를 참조하여 설명한 바와 같이, 인가되는 인장력이나 수축력에 의해 제1 또는 제3슬라이딩 접촉부(1311A, 1311B)가 초기 위치에서 일정 변위만큼 이동하여 이동된 위치에 위치하도록 슬라이딩 이동할 수 있다. 또한, 인장력이나 수축력에 의해 제2 또는 제4슬라이딩 접촉부(1321A, 1321B)가 초기 위치에서 일정 변위만큼 이동하여 이동된 위치에 위치하도록 슬라이딩 이동할 수 있다. 이와 같이 제1 또는 제3도전 패턴(1310A, 1301B)이 제2 또는 제4도전 패턴(1320A, 1320B)에 대해 상대적으로 이동될 수 있어, 인가되는 인장력이나 수축력에 의한 스트레스를 해소할 수 있다. 플렉서블 소자(50)의 중심층에 위치할 수 있는 내장 제3배선(1300C)에는 그 상하에서 인가되는 인장력이나 수축력이 상호 상쇄되는 뉴트럴 평면(neutral plane)이 위치할 수 있어, 인가되는 스트레스에 의한 파손이 방지될 수 있다. 슬라이딩 상호 연결 제1배선(1300A) 또는 슬라이딩 상호 연결 제2배선(1300B)은 뉴트럴 평면이 이루어지기 어려운 기판 바디(1100)의 상측면인 제1표면(1101)이나 제2표면(1103) 상에 위치함에도 불구하고, 제1 또는 제3도전 패턴(1310A, 1301B)이 제2 또는 제4도전 패턴(1320A, 1320B)에 대해 상대적으로 이동하므로, 인가되는 스트레스가 해소되어 파손이나 손상이 방지될 수 있다.
도 8은 일 예에 따른 슬라이딩 상호 연결 배선(2300A, 2300B) 구조를 포함하는 플렉서블 소자(80)를 보여준다.
도 8을 참조하면, 플렉서블 소자(80)는 패키지 기판(65)에 반도체 칩(2600)이 실장된 반도체 패키지 구조를 포함할 수 있다. 패키지 기판(65)은 도 5 내지 도 7을 참조하여 설명한 바와 마찬가지로, 유전층을 포함하는 기판 바디(substrate body: 2100)의 제1표면(2101) 상에 슬라이딩 상호 연결 제1배선(2300A)의 패턴을 구비하고, 제2표면(2103) 상에 슬라이딩 상호 연결 제2배선(2300B)의 패턴을 구비하는 패키지 기판 구조를 포함할 수 있다. 슬라이딩 상호 연결 제1배선(2300A) 및 슬라이딩 상호 연결 제2배선(2300B)의 패턴은 패키지 기판의 회로 배선 구조를 이루는 도전 패턴으로 구비될 수 있다.
기판 바디(2100) 내에 내장 제3배선(2300C)이 내장되어, 슬라이딩 상호 연결 제1배선(2300A) 및 슬라이딩 상호 연결 제2배선(2300B), 내장 제3배선(2300C)이 다층 배선 구조를 이룰 수 있다. 슬라이딩 상호 연결 제1배선(2300A)과 내장 제3배선(2300C)을 전기적으로 연결하거나 또는 슬라이딩 상호 연결 제2배선(2300B)과 내장 제3배선(2300C)을 전기적으로 연결하거나 또는 슬라이딩 상호 연결 제1배선(2300A)과 슬라이딩 상호 연결 제2배선(2300B)을 전기적으로 연결하는 내측 연결 배선(2304)이 기판 바디(2100)의 일부 두께 또는 전체 두께를 관통하는 연결 비아(via)를 포함하는 패턴으로 구비될 수 있다.
슬라이딩 상호 연결 제1배선(2300A)의 상측에 제1유전층(2200A)이 위치하고, 하측에 기판 바디(2100)가 위치하여, 기판 바디(2100)와 제1유전층(2200A)으로 이루어지는 유전층 내에 슬라이딩 상호 연결 제1배선(2300A)이 위치하는 구조가 이루어질 수 있다. 기판 바디(2100)는 도 1의 제1유전층(도 1의 210)의 역할을 하고, 제1유전층(도 8의 2200A)는 도 1의 제2유전층(도 1의 220)의 역할을 하는 것으로 이해될 수 있다. 제1유전층(2200A)은 슬라이딩 상호 연결 제1배선(2300A)의 일부를 노출하도록 패터닝되어, 반도체 칩(2600)과 전기적으로 접속시키는 접속 부재, 예컨대 본딩 와이어(bonding wire: 2610)가 접속되는 제1외측 접속부(2305)를 노출할 수 있다. 제1외측 접속부(2305)에 본딩 와이어(2610)이 접속 체결되도록 묘사하지만, 제1외측 접속부(2305)에 범프(bump: 도시되지 않음)가 접속되어 반도체 칩(2600)과 전기적으로 연결시킬 수도 있다. 반도체 칩(2600)을 덮어 보호하는 보호층(2620)이 몰드층(molding layer)를 포함하여 형성될 수 있다. 몰드층은 폴리 이미드와 같은 폴리머 재질이나 실리콘을 함유하는 실리콘 러버(silicone rubber)나 실리콘 레진(silicone resin)을 포함할 수 있다.
슬라이딩 상호 연결 제2배선(2300B)의 일부는 내측 연결 배선(2304)와 연결되거나 또는 다른 소자에 접속될 제2외측 접속부(2307)로 설정될 수 있다. 기판 바디(2100)은 도 1의 제1유전층(도 1의 210)의 역할을 하고, 제2유전층(도 8의 2200B)는 도 1의 제2유전층(도 1의 220)의 역할을 하는 것으로 이해될 수 있다. 제2유전층(2200B)은 슬라이딩 상호 연결 제2배선(2300B)의 일부를 노출하도록 패터닝되어 다른 소자와 전기적으로 접속하는 위치인 제2외측 접속부(2307)로 설정할 수 있다. 제2외측 접속부(2307)에는 외부 접속 부재(2630), 예컨대 솔더볼(solder ball)이 부착될 수 있다. 이와 같이 플렉서블 소자(80)는 반도체 패키지 형태를 가질 수 있다.
도 9는 일 예에 따른 슬라이딩 상호 연결 제1배선(3300T)를 포함하는 플렉서블 소자(90)를 보여주는 도면이고, 도 10은 상호 연결 제1배선(3300T) 구조를 보여준다.
도 9를 참조하면, 플렉서블 소자(90)는 제1반도체 소자(91L)와 제2반도체 소자(91R)를 전기적으로 상호 연결시키는 플렉서블 커넥터부(flexible connector: 93)를 포함할 수 있다. 플렉서블 커넥터부(93)는 상호 연결 제1배선(3300T)를 구비하고, 상호 연결 제1배선(3300T)은 제1반도체 소자(91L)와 제2반도체 소자(91R)을 전기적으로 연결시키도록 구비될 수 있다. 상호 연결 제1배선(3300T)는 다층으로 도입되어 다층 배선 구조를 구축할 수 있다.
도 9를 도 10과 함께 참조하면, 플렉서블 커넥터부(93)는 슬라이딩 상호 연결 제1배선(3300T)들을 내장하는 제1유전층(3200T)를 구비할 수 있다. 제1유전층(3200T)은 플렉시블(flexible)한 특성을 가지기 위해서 탄성 재질을 포함할 수 있다. 제1유전층(3200T)은 폴리 이미드와 같은 폴리머 재질이나 실리콘을 함유하는 실리콘 러버(silicone ruber)나 실리콘 레진(silicone resin)을 포함할 수 있다. 슬라이딩 상호 연결 제1배선(3300T)은, 도 1에 제시된 바와 같은 슬라이딩 상호 연결 배선(300) 구조와 같이, 제1도전 패턴(3310T)과 제2도전 패턴(3320T)이 상호 분리된 구조를 포함할 수 있다. 제1도전 패턴(3310T)은 제1슬라이딩 접촉부(3311T)와 이에 연장되는 제1연장부(3312T)를 포함할 수 있다. 제2도전 패턴(3320T) 또한 제2슬라이딩 접촉부(3321T)와 이에 연장되는 제2연장부(3322T)를 포함할 수 있다. 슬라이딩 접촉부들(3311T, 3321T)로부터 연장부들(3312T, 3322T)들이 길게 연장되고, 연장부들(3312T, 3322T)의 일부는 제1반도체 소자(91L)이나 제2반도체 소자(91R)에 전기적으로 접속되도록 체결될 수 있다. 제1도전 패턴(3310T)과 제2도전 패턴(3320T)은 전기적으로 상호 연결되어 하나의 도전 라인 패턴을 형성하고, 이러한 도전 라인 패턴은 배선 회로를 구성하는 일부로 사용될 수 있다.
제1슬라이딩 접촉부(3311T) 상에 제2슬라이딩 접촉부(3321T)가 중첩되도록 제1도전패턴(3310T)과 제2도전 패턴(3320T)이 배치될 수 있다. 제1슬라이딩 접촉부(3311T)의 표면에 제2슬라이딩 접촉부(3321T)의 표면이 상호 접촉하여 상호 접촉된 상태로 유지되지만, 제1슬라이딩 접촉부(3311T)의 표면에 제2슬라이딩 접촉부(3321T)의 표면이 체결되어 고정(fix)되지는 않는다. 따라서, 제1슬라이딩 접촉부(3311T)과 제2슬라이딩 접촉부(3321T)는 일체화되지 않고 단지 접촉된 상태로 유지되어 상호 간에 전기적인 연결 구조를 구축할 수 있다.
제1슬라이딩 접촉부(3311T)과 제2슬라이딩 접촉부(3321T)는 단지 접촉된 상태로 유지되어 상호 간에 전기적인 연결 구조를 구축하므로, 도 3을 참조하여 설명한 바와 같이, 제1슬라이딩 접촉부(3311T)와 제2슬라이딩 접촉부(3321T)는 그 위치가 상대적으로 변위(shift)되도록 슬라이딩(sliding)할 수 있다. 슬라이딩 상호 연결 제1배선(3300T)의 상측 부분에 제1유전층(3200T)의 제1서브층(sublayer of dielectric layer: 3210T)이 위치하고, 하측 부분에 제1유전층(3200T)의 제2서브층(3220T)이 위치하여, 제1유전층(3200T)의 제1 및 제2서브층들(3210T, 3220T)이 슬라이딩 상호 연결 제1배선(3300T)의 제1도전 패턴(3310T) 및 제2도전 패턴(3320T)을 상하로 감싸고 있어, 제1슬라이딩 접촉부(3311T)가 제2슬라이딩 접촉부(3321T)에 접촉되도록 눌러주는 힘이 유도될 수 있다. 제1유전층(3200T)의 제1서브층(3210T)은 도 1의 제1유전층(도 1의 210)의 역할을 하고, 제1유전층(3200T)의 제2서브층(3220T)은 도 1의 제2유전층(도 1의 220)의 역할을 하는 것으로 이해될 수 있다.
제1도전 패턴(3310T)의 제1슬라이딩 접촉부(3311T)가 제2도전 패턴(3320T)의 제2슬라이딩 접촉부(3321T)에 접촉되어 전기적 연결 구조가 이루어지므로, 제1슬라이딩 접촉부(3311T) 및 제2슬라이딩 접촉부(3321T)의 접촉 면적을 증가시키도록 제1슬라이딩 접촉부(3311T)나 제2슬라이딩 접촉부(3321T)의 길이를 증가시켜 접촉 저항을 줄여줄 수 있다. 도 2를 참조하여 설명한 바와 마찬가지로, 제1슬라이딩 접촉부(3311T)가 제1연장부(3312T)로부터 둘 또는 그 이상의 개수로 분지(branch)되어 빗(comb) 형상을 가지는 도전 패턴으로 형성하고, 제2슬라이딩 접촉부(3321T)가 제2연장부(3322T)로부터 둘 또는 그 이상의 개수로 분지되어 빗(comb) 형상을 가지는 도전 패턴으로 형성하여, 제1슬라이딩 접촉부(3311T)와 제2슬라이딩 접촉부(3321T)의 유효 접촉 길이 또는 유효 접촉 면적을 증가시켜 접촉 저항을 감소시킬 수 있다. 플렉서블 커넥터부(93)는 제1유전층(3200T) 내에 상호 연결 제1배선(3300T)들이 다층으로 도입된 패키지 기판 형태를 가질 수 있다.
도 9를 다시 참조하면, 플렉서블 소자(90)는 플렉서블 커넥터부(93)에 의해서 상호 연결되는 제1반도체 소자(91L)와 제2반도체 소자(91R)를 포함할 수 있다. 플렉서블 소자(90)는 반도체 패키지 형태를 가질 수 있다.
제1반도체 소자(91L)는 반도체 패키지의 일부를 이루는 제1서브 패키지부로 구비될 수 있다. 제1반도체 소자(91L)는 제1패키지 기판(95L)에 제1반도체 칩(3600L)이 실장된 반도체 패키지 구조를 포함할 수 있다. 제1패키지 기판(95L)은 도 5 내지 도 7을 참조하여 설명한 바와 마찬가지로, 유전층을 포함하는 제1기판 바디(3100L)의 제1표면(3101L) 상에 슬라이딩 상호 연결 제2배선(3300AL)의 패턴을 구비하고, 제2표면(3103L) 상에 슬라이딩 상호 연결 제3배선(3300BL)의 패턴을 구비하는 패키지 기판 구조를 포함할 수 있다. 슬라이딩 상호 연결 제2배선(3300AL) 및 슬라이딩 상호 연결 제3배선(3300BL)의 패턴은 패키지 기판의 회로 배선 구조를 이루는 도전 패턴으로 구비될 수 있다.
제1기판 바디(3100L) 내에 내장 제4배선(3300CL)이 내장되어, 슬라이딩 상호 연결 제2배선(3300AL) 및 슬라이딩 상호 연결 제3배선(3300BL), 내장 제4배선(3300CL)이 다층 배선 구조를 이룰 수 있다. 슬라이딩 상호 연결 제2배선(3300AL)과 내장 제4배선(3300CL)을 전기적으로 연결하거나 또는 슬라이딩 상호 연결 제3배선(3300BL)과 내장 제4배선(3300CL)을 전기적으로 연결하거나 또는 슬라이딩 상호 연결 제2배선(3300AL)과 슬라이딩 상호 연결 제3배선(3300BL)을 전기적으로 연결하는 제1내측 연결 배선(3304L)이 제1기판 바디(3100L)의 일부 두께 또는 전체 두께를 관통하는 연결 비아(via)를 포함하는 패턴으로 구비될 수 있다.
슬라이딩 상호 연결 제2배선(3300AL)의 상측에 제2유전층(3200AL)이 위치하고, 하측에 제1기판 바디(3100L)가 위치하여, 제1기판 바디(3100L)와 제2유전층(3200AL)으로 이루어지는 유전층 내에 슬라이딩 상호 연결 제2배선(3300AL)이 위치하는 구조가 이루어질 수 있다. 제1기판 바디(3100L)는 도 1의 제1유전층(도 1의 210)의 역할을 하고, 제2유전층(도 9의 3200AL)은 도 1의 제2유전층(도 1의 220)의 역할을 하는 것으로 이해될 수 있다. 제2유전층(3200AL)은 슬라이딩 상호 연결 제2배선(3300AL)의 일부를 노출하도록 패터닝되어, 제1반도체 칩(3600L)과 전기적으로 접속시키는 접속 부재, 예컨대 제1본딩 와이어(3610L)가 접속되는 제1외측 접속부(3305L)를 노출할 수 있다. 제1외측 접속부(3305L)에 제1본딩 와이어(3610L)이 접속 체결되도록 묘사하지만, 제1외측 접속부(3305L)에 범프(bump: 도시되지 않음)가 접속되어 제1반도체 칩(3600L)과 전기적으로 연결시킬 수도 있다. 제1반도체 칩(3600L)을 덮어 보호하는 제1보호층(3620L)이 몰드층(molding layer)를 포함하여 형성될 수 있다. 몰드층은 에폭시 몰딩 화합물(EMC: Epoxy Molding Compound)를 포함할 수 있다.
슬라이딩 상호 연결 제3배선(3300BL)의 일부는 제1내측 연결 배선(3304L)과 연결되거나 또는 다른 소자에 접속될 제2외측 접속부(3307L)로 설정될 수 있다. 제1기판 바디(3100L)은 도 1의 제1유전층(도 1의 210)의 역할을 하고, 제3유전층(도 9의 3200BL)은 도 1의 제2유전층(도 1의 220)의 역할을 하는 것으로 이해될 수 있다. 제3유전층(3200BL)은 슬라이딩 상호 연결 제3배선(3300BL)의 일부를 노출하도록 패터닝되어 다른 소자와 전기적으로 접속하는 위치인 제2외측 접속부(3307L)로 설정할 수 있다. 제2외측 접속부(3307L)에는 외부 접속 부재, 예컨대 솔더볼(solder ball)이 부착될 수 있다.
제2반도체 소자(91R)는 제1반도체 소자(91L)과 마찬가지로 반도체 패키지의 일부를 이루는 제2서브 패키지부로 구비될 수 있다. 제2반도체 소자(91R)는 제2패키지 기판(95R)에 제2반도체 칩(3600R)이 실장된 반도체 패키지 구조를 포함할 수 있다. 제2패키지 기판(95R)은 도 5 내지 도 7을 참조하여 설명한 바와 마찬가지로, 유전층을 포함하는 제2기판 바디(3100R)의 제1표면(3101R) 상에 슬라이딩 상호 연결 제5배선(3300AR)의 패턴을 구비하고, 제2표면(3103R) 상에 슬라이딩 상호 연결 제6배선(3300BR)의 패턴을 구비하는 패키지 기판 구조를 포함할 수 있다.
제2기판 바디(3100R) 내에 내장 제7배선(3300CR)이 내장되어, 슬라이딩 상호 연결 제5배선(3300AR) 및 슬라이딩 상호 연결 제6배선(3300BR), 내장 제7배선(3300CR)이 다층 배선 구조를 이룰 수 있다. 슬라이딩 상호 연결 제5배선(3300AR)과 내장 제7배선(3300CR)을 전기적으로 연결하거나 또는 슬라이딩 상호 연결 제6배선(3300BR)과 내장 제7배선(3300CR)을 전기적으로 연결하거나 또는 슬라이딩 상호 연결 제5배선(3300AL)과 슬라이딩 상호 연결 제6배선(3300BL)을 전기적으로 연결하는 제2내측 연결 배선(3304R)이 제2기판 바디(3100R)의 일부 두께 또는 전체 두께를 관통하는 연결 비아(via)를 포함하는 패턴으로 구비될 수 있다.
슬라이딩 상호 연결 제5배선(3300AR)의 상측에 제4유전층(3200AR)이 위치하고, 하측에 제2기판 바디(3100R)가 위치하여, 제2기판 바디(3100R)와 제4유전층(3200AR)으로 이루어지는 유전층 내에 슬라이딩 상호 연결 제5배선(3300AR)이 위치하는 구조가 이루어질 수 있다. 제2기판 바디(3100R)는 도 1의 제1유전층(도 1의 210)의 역할을 하고, 제4유전층(도 9의 3200AR)은 도 1의 제2유전층(도 1의 220)의 역할을 하는 것으로 이해될 수 있다. 제4유전층(3200AR)은 슬라이딩 상호 연결 제5배선(3300AR)의 일부를 노출하도록 패터닝되어, 제2반도체 칩(3600R)과 전기적으로 접속시키는 접속 부재, 예컨대 제2본딩 와이어(3610R)가 접속되는 제3외측 접속부(3305R)를 노출할 수 있다. 제3외측 접속부(3305R)에 제2본딩 와이어(3610R)이 접속 체결되도록 묘사하지만, 제3외측 접속부(3305R)에 범프(bump: 도시되지 않음)가 접속되어 제2반도체 칩(3600R)과 전기적으로 연결시킬 수도 있다. 제2반도체 칩(3600R)을 덮어 보호하는 제2보호층(3620R)이 몰드층(molding layer)를 포함하여 형성될 수 있다.
슬라이딩 상호 연결 제6배선(3300BR)의 일부는 제2내측 연결 배선(3304R)과 연결되거나 또는 다른 소자에 접속될 제4외측 접속부(3307R)로 설정될 수 있다. 제2기판 바디(3100R)은 도 1의 제1유전층(도 1의 210)의 역할을 하고, 제4유전층(도 9의 3200BR)은 도 1의 제2유전층(도 1의 220)의 역할을 하는 것으로 이해될 수 있다. 제4유전층(3200BR)은 슬라이딩 상호 연결 제6배선(3300BR)의 일부를 노출하도록 패터닝되어 다른 소자와 전기적으로 접속하는 위치인 제4외측 접속부(3307R)로 설정할 수 있다. 제4외측 접속부(3307R)에는 외부 접속 부재, 예컨대 솔더볼(solder ball)이 부착될 수 있다.
제1반도체 소자(91L)와 제2반도체 소자(91R)를 전기적으로 상호 연결시키는 플렉서블 커넥터부(93)는 구부러지거나 휘어지더라도, 도 4를 참조하여 설명한 바와 마찬가지로, 슬라이딩 상호 연결 제1배선(3300T)들이 인가되는 스트레스를 해소할 수 있어 전기적 연결 구조가 파손되거나 단락되는 것이 방지될 수 있다.
도 11은 일 예에 따른 슬라이딩 상호 연결 배선(4300) 구조를 포함하는 플렉서블 소자(11)를 보여주는 도면이다.
도 11을 참조하면, 플렉서블 소자(11)는 기판(4100) 상에 유전층(4200)에 함침되어 둘러싸인 슬라이딩 상호 연결 배선(4300)의 구조를 포함할 수 있다. 슬라이딩 상호 연결 배선(4300)은 상호 분리된 제1도전 패턴(4310)과 제2도전 패턴(4320)들 일부 부분이 중첩되게 배치된 구조가 반복된 구조를 포함할 수 있다. 제1도전 패턴(4310)은 제1슬라이딩 접촉부(4311)와 이에 연장되는 제1연장부(4312)를 포함할 수 있다. 제2도전 패턴(4320) 또한 제2슬라이딩 접촉부(4321)와 이에 연장되는 제2연장부(4322)를 포함할 수 있다. 이러한 제1도전 패턴(4310)과 제2도전 패턴(4320)이 반복되어 전기적으로 상호 연결되어 하나의 도전 라인을 형성하고, 이러한 도전 라인은 배선 회로를 구성하는 일부로 사용될 수 있다.
슬라이딩 상호 연결 배선(4300)의 하측에 제1유전층(4210)이 위치하고 슬라이딩 상호 연결 배선(4300)의 상측에 제2유전층(4220)이 위치하여, 제1도전 패턴(4310)의 제1슬라이딩 접촉부(4311)가 제2도전 패턴(4320)의 제2슬라이딩 접촉부(4321)가 접촉된 상태가 유지되도록 눌러주는 힘을 유도할 수 있다.
상술한 바와 같이 본 출원의 실시 형태들을 도면들을 예시하며 설명하지만, 이는 본 출원에서 제시하고자 하는 바를 설명하기 위한 것이며, 세밀하게 제시된 형상으로 본 출원에서 제시하고자 하는 바를 한정하고자 한 것은 아니다. 본 출원에서 제시한 기술적 사상이 반영되는 한 다양한 다른 변형예들이 가능할 것이다.
300: 슬라이딩 상호 연결 배선,
311, 321: 슬라이딩 접촉부,
312, 322: 연장부.

Claims (27)

  1. 제1슬라이딩(sliding) 접촉부 및 제1연장부를 가지는 제1도전 패턴;
    상기 제1슬라이딩 접촉부와 중첩되도록 위치하는 제2슬라이딩 접촉부 및 제2연장부를 포함하고 상기 제2슬라이딩 접촉부는 상기 제1슬라이딩 접촉부에 접촉하며 슬라이딩 움직임을 가질 수 있는 제2도전 패턴; 및
    상기 제1 및 제2도전 패턴들을 내장하는 유전층을 포함하는 플렉서블(flexible) 소자.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 유전층을 지지하는 반도체 기판을 더 포함하는 플렉서블 소자.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 유전층을 지지하는 패키지 기판의 바디(body)를 더 포함하는 플렉서블 소자.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 제1 및 제2도전 패턴들은
    금속 패턴을 포함하는 플렉서블 소자.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 제1 및 제2도전 패턴들은
    상기 유전층 내에 다수 개가 반복되어 배치된 플렉서블 소자.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 제1슬라이딩 접촉부는
    상기 제2슬라이딩 접촉부에 고정되지 않도록 배치된 플렉서블 소자.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 제1슬라이딩 접촉부는
    상기 제1연장부로부터 다수 개로 분지(branch)되어 빗(comb) 형상을 가지는 플렉서블 소자.
  8. 제1항에 있어서,
    상기 유전층은
    폴리머(polymer), 실리콘 러버(silicone rubber) 및 실리콘 레진(silicone resin)을 포함하는 일 군의 탄성 재질에서 선택되는 어느 하나를 포함하는 플렉서블 소자.
  9. 기판 바디(body)의 제1표면 상에 형성된 유전층;
    상기 유전층과 상기 기판 바디 사이에 위치하고 제1슬라이딩(sliding) 접촉부 및 제1연장부를 가지는 제1도전 패턴, 및 상기 제1슬라이딩 접촉부와 중첩되도록 위치하는 제2슬라이딩 접촉부 및 제2연장부를 포함하고 상기 제2슬라이딩 접촉부는 상기 제1슬라이딩 접촉부에 접촉하며 슬라이딩 움직임을 가질 수 있는 제2도전 패턴을 포함하는 연결 제1배선; 및
    상기 기판 바디의 제2표면 상에 형성된 연결 제2배선을 포함하는 포함하는 플렉서블 소자.
  10. 제9항에 있어서,
    상기 제1슬라이딩 접촉부는
    상기 제2슬라이딩 접촉부에 고정되지 않도록 배치된 플렉서블 소자.
  11. 제9항에 있어서,
    상기 제1슬라이딩 접촉부는
    상기 제1연장부로부터 다수 개로 분지(branch)되어 빗(comb) 형상을 가지는 플렉서블 소자.
  12. 제9항에 있어서,
    상기 유전층은
    폴리머(polymer), 실리콘 러버(silicone rubber) 및 실리콘 레진(silicone resin)을 포함하는 일 군의 탄성 재질에서 선택되는 어느 하나를 포함하는 플렉서블 소자.
  13. 제9항에 있어서,
    상기 연결 제2배선은
    제3슬라이딩(sliding) 접촉부 및 제3연장부를 가지는 제3도전 패턴, 및 상기 제3슬라이딩 접촉부와 중첩되도록 위치하는 제4슬라이딩 접촉부 및 제4연장부를 포함하고 상기 제4슬라이딩 접촉부는 상기 제4슬라이딩 접촉부에 접촉하며 슬라이딩 움직임을 가질 수 있는 제4도전 패턴을 포함하는 플렉서블 소자.
  14. 제9항에 있어서,
    상기 기판 바디는
    상기 연결 제1배선 또는 상기 연결 제2배선에 전기적으로 접속되는 연결 비아(via); 및
    상기 연결 비아에 전기적으로 접속되고 상기 기판 바디 내에 내장되는 내장 제3배선을 더 포함하는 플렉서블 소자.
  15. 기판 바디(body)의 제1표면 상에 형성된 유전층,
    상기 유전층과 상기 기판 바디 사이에 위치하고 제1슬라이딩(sliding) 접촉부 및 제1연장부를 가지는 제1도전 패턴, 및 상기 제1슬라이딩 접촉부와 중첩되도록 위치하는 제2슬라이딩 접촉부 및 제2연장부를 포함하고 상기 제2슬라이딩 접촉부는 상기 제1슬라이딩 접촉부에 접촉하며 슬라이딩 움직임을 가질 수 있는 제2도전 패턴을 포함하는 연결 제1배선, 및
    상기 기판 바디의 제2표면 상에 형성된 연결 제2배선을 포함하는 패키지 기판; 및
    상기 패키지 기판에 상기 연결 제1배선에 전기적으로 접속되도록 실장되는 반도체 칩을 포함하는 플렉서블 소자.
  16. 제15항에 있어서,
    상기 제1슬라이딩 접촉부는
    상기 제2슬라이딩 접촉부에 고정되지 않도록 배치된 플렉서블 소자.
  17. 제15항에 있어서,
    상기 제1슬라이딩 접촉부는
    상기 제1연장부로부터 다수 개로 분지(branch)되어 빗(comb) 형상을 가지는 플렉서블 소자.
  18. 제15항에 있어서,
    상기 유전층은
    폴리머(polymer), 실리콘 러버(silicone rubber) 및 실리콘 레진(silicone resin)을 포함하는 일 군의 탄성 재질에서 선택되는 어느 하나를 포함하는 플렉서블 소자.
  19. 제15항에 있어서,
    상기 연결 제2배선은
    제3슬라이딩(sliding) 접촉부 및 제3연장부를 가지는 제3도전 패턴, 및 상기 제3슬라이딩 접촉부와 중첩되도록 위치하는 제4슬라이딩 접촉부 및 제4연장부를 포함하고 상기 제4슬라이딩 접촉부는 상기 제4슬라이딩 접촉부에 접촉하며 슬라이딩 움직임을 가질 수 있는 제4도전 패턴을 포함하는 플렉서블 소자.
  20. 제9항에 있어서,
    상기 기판 바디는
    상기 연결 제1배선 또는 상기 연결 제2배선에 전기적으로 접속되는 연결 비아(via); 및
    상기 연결 비아에 전기적으로 접속되고 상기 기판 바디 내에 내장되는 내장 제3배선을 더 포함하는 플렉서블 소자.
  21. 상호 이격되도록 배치된 제1 및 제2소자들; 및
    상기 제1 및 제2소자들을 상호 연결시키는 플렉시블 커넥터부(flexible connector)를 포함하고,
    상기 플렉시블 커넥터부는
    상기 제1소자에 전기적으로 접속하는 제1연장부 및 상기 제1연장부로부터 연장된 제1슬라이딩(sliding) 접촉부를 가지는 제1도전 패턴;
    상기 제1슬라이딩 접촉부와 중첩되도록 위치하는 제2슬라이딩 접촉부 및 상기 제2슬라이딩 접촉부로부터 연장되고 상기 제2소자에 전기적으로 접속하는 제2연장부를 포함하고 상기 제2슬라이딩 접촉부는 상기 제1슬라이딩 접촉부에 접촉하며 슬라이딩 움직임을 가질 수 있는 제2도전 패턴; 및
    상기 제1 및 제2도전 패턴들을 내장하는 플렉시블(flexible) 유전층을 플렉서블 소자.
  22. 제21항에 있어서,
    상기 제1슬라이딩 접촉부는
    상기 제2슬라이딩 접촉부에 고정되지 않도록 배치된 플렉서블 소자.
  23. 제21항에 있어서,
    상기 제1슬라이딩 접촉부는
    상기 제1연장부로부터 다수 개로 분지(branch)되어 빗(comb) 형상을 가지는 플렉서블 소자.
  24. 제21항에 있어서,
    상기 플렉시블 유전층은
    폴리머(polymer), 실리콘 러버(silicone rubber) 및 실리콘 레진(silicone resin)을 포함하는 일 군의 탄성 재질에서 선택되는 어느 하나를 포함하는 플렉서블 소자.
  25. 제21항에 있어서,
    상기 제1소자 또는 제2소자는
    반도체 패키지 형태를 가지는 플렉서블 소자.
  26. 제21항에 있어서,
    상기 제1소자는
    기판 바디(body)의 제1표면 상에 형성된 유전층,
    상기 유전층과 상기 기판 바디 사이에 위치하고 제3슬라이딩(sliding) 접촉부 및 제3연장부를 가지는 제3도전 패턴, 및 상기 제4슬라이딩 접촉부와 중첩되도록 위치하는 제4슬라이딩 접촉부 및 제4연장부를 포함하고 상기 제4슬라이딩 접촉부는 상기 제3슬라이딩 접촉부에 접촉하며 슬라이딩 움직임을 가질 수 있는 제4도전 패턴을 포함하는 연결 제1배선, 및
    상기 기판 바디의 제2표면 상에 형성된 연결 제2배선을 포함하는 패키지 기판; 및
    상기 패키지 기판에 상기 연결 제1배선에 전기적으로 접속되도록 실장되는 반도체 칩을 포함하는 플렉서블 소자.
  27. 제26항에 있어서,
    상기 기판 바디는
    상기 연결 제1배선 또는 상기 연결 제2배선에 전기적으로 접속되는 연결 비아(via); 및
    상기 연결 비아에 전기적으로 접속되고 상기 기판 바디 내에 내장되는 내장 제3배선을 더 포함하는 플렉서블 소자.

KR1020150119964A 2015-08-26 2015-08-26 슬라이딩 상호 연결 배선 구조를 포함하는 플렉서블 소자 KR20170026676A (ko)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020150119964A KR20170026676A (ko) 2015-08-26 2015-08-26 슬라이딩 상호 연결 배선 구조를 포함하는 플렉서블 소자
US14/989,921 US9888567B2 (en) 2015-08-26 2016-01-07 Flexible device including sliding interconnection structure
CN201610202537.5A CN106486462B (zh) 2015-08-26 2016-04-01 包括滑动互连结构的柔性装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020150119964A KR20170026676A (ko) 2015-08-26 2015-08-26 슬라이딩 상호 연결 배선 구조를 포함하는 플렉서블 소자

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20170026676A true KR20170026676A (ko) 2017-03-09

Family

ID=58096400

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020150119964A KR20170026676A (ko) 2015-08-26 2015-08-26 슬라이딩 상호 연결 배선 구조를 포함하는 플렉서블 소자

Country Status (3)

Country Link
US (1) US9888567B2 (ko)
KR (1) KR20170026676A (ko)
CN (1) CN106486462B (ko)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20190052957A (ko) * 2017-11-09 2019-05-17 에스케이하이닉스 주식회사 다이 오버시프트 지시 패턴을 포함하는 반도체 패키지
CN108831589B (zh) * 2018-06-27 2020-03-06 云谷（固安）科技有限公司 导线结构、显示装置及导线结构制备方法
KR20230000253A (ko) * 2021-06-24 2023-01-02 삼성전자주식회사 반도체 패키지 및 반도체 패키지용 기판

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5219292A (en) * 1992-04-03 1993-06-15 Motorola, Inc. Printed circuit board interconnection
US6449836B1 (en) * 1999-07-30 2002-09-17 Denso Corporation Method for interconnecting printed circuit boards and interconnection structure
JP3748868B2 (ja) * 2003-09-30 2006-02-22 日本圧着端子製造株式会社 高速伝送用接続シート
JP2005340385A (ja) * 2004-05-25 2005-12-08 Nitto Denko Corp 配線回路基板および配線回路基板の接続構造
US7649145B2 (en) * 2004-06-18 2010-01-19 Micron Technology, Inc. Compliant spring contact structures
JP5092243B2 (ja) * 2006-02-02 2012-12-05 船井電機株式会社 狭ピッチフレキシブル配線
JP2008078520A (ja) * 2006-09-25 2008-04-03 Casio Comput Co Ltd 配線基板の半田接合構造
JP5004654B2 (ja) * 2007-05-16 2012-08-22 パナソニック株式会社 配線基板の接続方法および配線基板構造
JP4963275B2 (ja) * 2007-07-20 2012-06-27 日東電工株式会社 配線回路基板および配線回路基板の接続構造
JP5247571B2 (ja) * 2008-04-24 2013-07-24 パナソニック株式会社 配線基板と配線基板の接続方法
JP2011243897A (ja) 2010-05-21 2011-12-01 Fujitsu Ltd 多層プリント基板及びその製造方法
KR20140143961A (ko) 2013-06-10 2014-12-18 홍익대학교 산학협력단 탄성 부재가 구비된 신축성 기판과 그 제조방법 및 그 신축성 기판을 이용하여 이루어지는 신축성 전자소자 패키지와 그 제조방법

Also Published As

Publication number Publication date
US9888567B2 (en) 2018-02-06
CN106486462A (zh) 2017-03-08
CN106486462B (zh) 2019-11-08
US20170064832A1 (en) 2017-03-02

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN107644847B (zh) 半导体封装与其制造方法
KR101737428B1 (ko) 와이어 본드를 이용한 가요성 전자 시스템
US7956453B1 (en) Semiconductor package with patterning layer and method of making same
US20160211473A1 (en) Electrically interconnecting foil
US8890329B2 (en) Semiconductor device
CN106024754A (zh) 半导体封装组件
CN205452284U (zh) Esd保护器件
KR20070054553A (ko) 반도체 패키지 및 그 제조 방법
GB201204713D0 (en) Arrangement and method of making electrical connections
WO2013109340A1 (en) Integrated circuit connectivity using flexible circuitry
KR20140143056A (ko) 플렉시블 적층 패키지
KR20170026676A (ko) 슬라이딩 상호 연결 배선 구조를 포함하는 플렉서블 소자
KR102256719B1 (ko) 반도체 패키지 및 그 제조 방법
EP2957154B1 (en) Textile integration of electronic circuits
TW201232736A (en) Chip package and method for forming the same
CN104952741B (zh) 柔性基板上的电气电路
KR101772490B1 (ko) 인쇄회로기판 어셈블리
KR102497583B1 (ko) 유연한 연결부를 갖는 반도체 장치 및 그 제조방법
KR20150136394A (ko) 윙부를 가지는 플렉시블 적층 패키지
TWI636537B (zh) 扇出型多晶片堆疊封裝之電子裝置及形成該裝置之方法
KR20130054769A (ko) 반도체 패키지 및 이를 포함하는 반도체 패키지 모듈
US7135642B2 (en) Integrated circuit carrier with conductive rings and semiconductor device integrated with the carrier
JP2021185621A (ja) 電子デバイス
CN107958875B (zh) 半导体装置以及布线基板的设计方法
US8084847B2 (en) Prefabricated lead frame and bonding method using the same