KR20160141773A - 태양 전지의 포일 기반 금속화 - Google Patents

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리처드 해밀턴 스웰
마이클 모스
데이비드 디 스미스
매티유 무어스
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Abstract

태양 전지의 포일 기반 금속화를 위한 접근법 및 생성되는 태양 전지가 기술된다. 일 예에서, 태양 전지는 기판을 포함한다. 기판 내에 또는 기판 위에 복수의 교번하는 N형 및 P형 반도체 영역들이 배치된다. 전도성 접점 구조물이 복수의 교번하는 N형 및 P형 반도체 영역들 위에 배치된다. 전도성 접점 구조물은 교번하는 N형 및 P형 반도체 영역들의 각각 상에 배치되는 금속 시드 재료 영역을 제공하는 복수의 금속 시드 재료 영역들을 포함한다. 복수의 금속 시드 재료 영역들 상에 금속 포일이 배치되며, 금속 포일은 교번하는 N형 및 P형 반도체 영역들에 대응하는 금속 포일의 금속 영역들을 격리시키는 양극산화된 부분들을 갖는다.

Description

태양 전지의 포일 기반 금속화{FOIL-BASED METALLIZATION OF SOLAR CELLS}
본 개시내용의 실시예들은 재생가능 에너지의 분야이며, 특히, 태양 전지의 포일 기반 금속화를 위한 접근법 및 생성되는 태양 전지를 포함한다.
통상 태양 전지로서 알려진 광전지(photovoltaic cell)는 전기 에너지로의 태양 방사선의 직접 변환을 위한 잘 알려진 장치이다. 일반적으로, 태양 전지는, 기판의 표면 부근에 p-n 접합을 형성하기 위해 반도체 처리 기술을 사용하여 반도체 웨이퍼 또는 기판 상에 제조된다. 기판의 표면 상에 충돌하여 기판 내로 유입되는 태양 방사선은 기판의 대부분에 전자 및 정공 쌍을 생성한다. 전자 및 정공 쌍은 기판 내의 p-도핑된 영역 및 n-도핑된 영역으로 이동하며, 이로써 도핑된 영역들 사이의 전압차를 발생시킨다. 도핑된 영역들은 태양 전지 상의 전도성 영역들에 연결되어, 전지로부터 전지에 결합된 외부 회로로 전류를 보낸다.
효율은, 그것이 태양 전지의 발전 능력에 직접 관련되기 때문에, 태양 전지의 중요한 특성이다. 마찬가지로, 태양 전지의 제조에서의 효율은 그러한 태양 전지의 비용 효율성에 직접 관련된다. 따라서, 태양 전지의 효율을 증가시키기 위한 기술, 또는 태양 전지의 제조에 있어서의 효율을 증가시키기 위한 기술이 일반적으로 바람직하다. 본 개시내용의 일부 실시예는 태양 전지 구조물을 제조하기 위한 신규한 공정을 제공함으로써 증가된 태양 전지 제조 효율을 허용한다. 본 개시내용의 일부 실시예는 신규한 태양 전지 구조물을 제공함으로써 증가된 태양 전지 효율을 허용한다.
도 1a 내지 도 1e는 본 개시내용의 일 실시예에 따른, 포일 기반 금속화를 사용하는 태양 전지의 제조에서의 다양한 단계들의 단면도.
도 1a는 태양 전지의 기판의 배면 표면의 일부분 위에 형성된 이미터 영역들 상의 선택적 금속 시드 영역들의 형성 이후의 태양 전지 제조에서의 단계를 예시하는 도면.
도 1b는 보호 층의 선택적 형성 이후의 도 1a의 구조물을 예시하는 도면.
도 1c는 그것의 배면 표면에 금속 포일을 접착시킨 이후의 도 1b의 구조물을 예시하는 도면.
도 1d는 금속 포일 내의 레이저 홈(laser groove)들의 형성 이후의 도 1c의 구조물을 예시하는 도면.
도 1e는 금속 포일의 노출된 표면들의 양극산화(anodizing) 이후의 도 1d의 구조물을 예시하는 도면.
도 2는 본 개시내용의 일 실시예에 따른, 도 1a 내지 도 1e에 대응하는 바와 같은 태양 전지를 제조하는 방법에서의 작업들을 열거하는 흐름도.
도 3a 내지 도 3c는 본 개시내용의 다른 실시예에 따른, 포일 기반 금속화를 사용하는 태양 전지의 제조에서의 다양한 단계들의 단면도.
도 3a는 태양 전지의 기판의 배면 표면의 일부분 위에 형성된 이미터 영역들 상에 형성되는 선택적 금속 시드 영역들 위의 양극산화된 금속 포일의 배치를 포함하는 태양 전지 제조에서의 단계를 예시하는 도면.
도 3b는 그것의 배면 표면에 양극산화된 금속 포일을 용접한 이후의 도 3a의 구조물을 예시하는 도면.
도 3c는 양극산화된 금속 포일 내의 레이저 홈들의 형성 이후의 도 3b의 구조물을 예시하는 도면.
도 4는 본 개시내용의 일 실시예에 따른, 도 3a 내지 도 3c에 대응하는 바와 같은 태양 전지를 제조하는 방법에서의 작업들을 열거하는 흐름도.
도 5는 본 개시내용의 다른 실시예에 따른, 양극산화된 포일 기반 금속화를 사용하는 다른 태양 전지의 제조에서의 다양한 단계들의 단면도.
도 6a는 본 개시내용의 일 실시예에 따른, 기판 내에 형성된 이미터 영역들 상에 형성되는 포일 기반 접점 구조물들을 갖는 태양 전지의 일부분의 단면도.
도 6b는 본 개시내용의 일 실시예에 따른, 기판 내에 형성된 이미터 영역들 상에 형성되는 양극산화된 포일 기반 접점 구조물들을 갖는 태양 전지의 일부분의 단면도.
하기의 상세한 설명은 사실상 예시적일 뿐이며, 본 발명 요지 또는 본 출원의 실시예 및 그러한 실시예의 사용을 제한하고자 하는 것이 아니다. 본 명세서에 사용되는 바와 같이, 단어 "예시적인"은 "예, 사례, 또는 실례로서의 역할을 하는" 것을 의미한다. 본 명세서에 예시적인 것으로 기술된 임의의 구현예들은 다른 구현예들에 비해 바람직하거나 유리한 것으로 반드시 해석되는 것은 아니다. 또한, 전술한 기술분야, 배경기술, 간략한 요약, 또는 하기의 발명을 실시하기 위한 구체적인 내용에서 제시되는 임의의 명시적 또는 묵시적 이론에 의해 구애되도록 의도되지 않는다.
본 명세서는 "일 실시예" 또는 "실시예"에 대한 언급을 포함한다. 어구 "일 실시예에서" 또는 "실시예에서"의 출현은 반드시 동일한 실시예를 지칭하는 것은 아니다. 특정 특징, 구조, 또는 특성이 본 개시내용과 일치하는 임의의 적합한 방식으로 조합될 수 있다.
용어. 하기 단락은 본 개시내용(첨부된 청구범위를 포함함)에서 발견되는 용어에 대한 정의 및/또는 문맥을 제공한다.
"포함하는". 이 용어는 개방형(open-ended)이다. 첨부된 청구범위에 사용되는 바와 같이, 이 용어는 추가의 구조 또는 단계를 배제하지 않는다.
"~하도록 구성된". 다양한 유닛들 또는 구성요소들이 작업 또는 작업들을 수행"하도록 구성된" 것으로 기술되거나 청구될 수 있다. 그러한 문맥에서, "~하도록 구성되는"은 유닛/구성요소가 작동 동안 그러한 작업 또는 작업들을 수행하는 구조를 포함하는 것을 나타냄으로써 구조를 함축하는 데 사용된다. 이와 같이, 유닛/구성요소는 명시된 유닛/구성요소가 현재 작동 중이지 않을 때에도(예를 들어, 온/활성 상태가 아닐 때에도) 작업을 수행하도록 구성된 것으로 언급될 수 있다. 유닛/회로/구성요소가 하나 이상의 작업을 수행"하도록 구성된다"고 기재하는 것은 그 유닛/구성요소에 대해 35 U.S.C. §112, 6번째 단락을 적용하지 않도록 명백히 의도된다.
"제1", "제2" 등. 본 명세서에서 사용되는 바와 같이, 이러한 용어들은 이들의 뒤에 오는 명사에 대한 라벨로서 사용되며, (예를 들어, 공간적, 시간적, 논리적 등의) 임의의 유형의 순서를 암시하지 않는다. 예를 들어, "제1" 태양 전지에 대한 언급은 반드시 이러한 태양 전지가 순서에 있어서 첫 번째 태양 전지임을 암시하지는 않으며; 대신에 용어 "제1"은 이러한 태양 전지를 다른 태양 전지(예컨대, "제2" 태양 전지)와 구별하는 데 사용된다.
"결합된" - 하기의 설명은 함께 "결합되는" 요소들 또는 노드들 또는 특징부들을 언급한다. 본 명세서에 사용되는 바와 같이, 명시적으로 달리 언급되지 않는 한, "결합된"은 하나의 요소/노드/특징부가, 반드시 기계적으로는 아니게, 다른 요소/노드/특징부에 직접적으로 또는 간접적으로 결합됨(또는 그것과 직접적으로 또는 간접적으로 연통됨)을 의미한다.
또한, 소정 용어가 또한 단지 참조의 목적으로 하기 설명에 사용될 수 있으며, 이에 따라 제한적인 것으로 의도되지 않는다. 예를 들어, "상부", "하부", "위", 및 "아래"와 같은 용어는 참조되는 도면에서의 방향을 지칭한다. "전면", "배면", "후방", "측방", "외측", 및 "내측"과 같은 용어는 논의 중인 구성요소를 기술하는 본문 및 관련 도면을 참조함으로써 명확해지는 일관된, 그러나 임의적인 좌표계 내에서 구성요소의 부분들의 배향 및/또는 위치를 기술한다. 그러한 용어는 상기에 구체적으로 언급된 단어, 그것의 파생어, 및 유사한 의미의 단어를 포함할 수 있다.
태양 전지의 금속 포일 기반 금속화를 위한 접근법 및 생성되는 태양 전지가, 본 명세서에서 기술된다. 하기 설명에서, 본 개시내용의 실시예의 완전한 이해를 제공하기 위해, 특정 공정 흐름 작업과 같은 다수의 특정 상세 사항이 기재된다. 본 개시내용의 실시예가 이들 특정 상세 사항 없이 실시될 수 있다는 것이 당업자에게 명백할 것이다. 다른 경우에, 리소그래피(lithography) 및 패턴화(patterning) 기술과 같은 잘 알려진 제조 기술은 본 개시내용의 실시예를 불필요하게 모호하게 하지 않도록 상세히 기술되지 않는다. 또한, 도면에 도시된 다양한 실시예가 예시적인 표현이고, 반드시 축척대로 그려진 것은 아니라는 것을 이해하여야 한다.
태양 전지의 제조 방법이 본 명세서에 개시된다. 일 실시예에서, 태양 전지의 제조 방법은 기판 내에 또는 기판 위에 복수의 교번하는 N형 및 P형 반도체 영역들을 형성하는 단계를 포함한다. 이 방법은 또한 교번하는 N형 및 P형 반도체 영역들에 금속 포일을 접착시키는 단계를 포함한다. 이 방법은 또한 교번하는 N형 및 P형 반도체 영역들 사이의 위치들에 대응하는 영역들에서 금속 포일의 단지 일부분만을 관통하여 레이저 융삭하는(laser ablating) 단계를 포함한다. 이 방법은 또한, 레이저 융삭하는 단계 이후에, 교번하는 N형 및 P형 반도체 영역들에 대응하는 나머지 금속 포일의 영역들을 격리시키기 위해 나머지 금속 포일을 양극산화하는 단계를 포함한다.
다른 실시예에서, 태양 전지의 제조 방법은 기판 내에 또는 기판 위에 복수의 교번하는 N형 및 P형 반도체 영역들을 형성하는 단계를 포함한다. 이 방법은 또한 교번하는 N형 및 P형 반도체 영역들에 양극산화된 금속 포일을 접착시키는 단계를 포함하며, 양극산화된 금속 포일은 금속 부분을 그 사이에 갖는 양극산화된 상부 표면 및 양극산화된 저부 표면을 갖는다. 교번하는 N형 및 P형 반도체 영역들에 양극산화된 금속 포일을 접착시키는 단계는 양극산화된 금속 포일의 양극산화된 저부 표면의 영역들을 통과하는(breaking through) 단계를 포함한다. 이 방법은 또한 교번하는 N형 및 P형 반도체 영역들 사이의 위치들에 대응하는 영역들에서 양극산화된 금속 포일의 양극산화된 상부 표면 및 금속 부분을 관통하여 레이저 융삭하는 단계를 포함한다. 레이저 융삭하는 단계는 양극산화된 금속 포일의 양극산화된 저부 표면에서 종단되어, 교번하는 N형 및 P형 반도체 영역들에 대응하는 나머지 금속 포일의 영역들을 격리시킨다.
또한 본 명세서에는 태양 전지가 개시된다. 일 실시예에서, 태양 전지는 기판을 포함한다. 기판 내에 또는 기판 위에 복수의 교번하는 N형 및 P형 반도체 영역들이 배치된다. 전도성 접점 구조물이 복수의 교번하는 N형 및 P형 반도체 영역들 위에 배치된다. 전도성 접점 구조물은 교번하는 N형 및 P형 반도체 영역들의 각각 상에 배치되는 금속 시드 재료 영역을 제공하는 복수의 금속 시드 재료 영역들을 포함한다. 복수의 금속 시드 재료 영역들 상에 금속 포일이 배치되며, 금속 포일은 교번하는 N형 및 P형 반도체 영역들에 대응하는 금속 포일의 금속 영역들을 격리시키는 양극산화된 부분들을 갖는다.
본 명세서에 기술된 하나 이상의 실시예는 태양 전지를 위한 금속(예컨대 알루미늄) 양극산화 기반 금속화에 관한 것이다. 일 실시예에서, 서로 맞물린 배면 접점(interdigitated back contact, IBC) 태양 전지를 위한 알루미늄 금속화 공정이 개시된다. 일 실시예에서, 양극산화 및 후속하는 레이저 그루빙(laser grooving) 접근법이 개시된다.
제1 양태에서, 레이저 그루빙 및 후속하는 양극산화 접근법은 접촉 핑거(contact finger)들의 서로 맞물린 패턴을 형성하기 위한 알루미늄(Al) 포일(전지에 레이저 용접됨)의 레이저 패턴화 및 양극산화에 기초한 IBC 태양 전지를 위한 새로운 전극 패턴화 방법을 제공한다. 제1 접근법의 실시예들은 웨이퍼 상에 Al 포일을 패턴화화는 것에 손상 없는(damage-free) 방법을 제공하여, 복잡한 정렬 및/또는 마스킹 공정들을 회피하도록 구현될 수 있다.
앞에서 언급된 제1 양태와 일관되게, 도 1a 내지 도 1e는 본 개시내용의 일 실시예에 따른, 포일 기반 금속화를 사용하는 태양 전지의 제조에서의 다양한 단계들의 단면도를 예시한다. 도 2는 본 개시내용의 일 실시예에 따른, 도 1a 내지 도 1e에 대응하는 바와 같은 태양 전지를 제조하는 방법에서의 작업들을 열거하는 흐름도이다.
도 1a는 태양 전지의 기판의 배면 표면의 일부분 위에 형성된 이미터 영역들 상의 선택적 금속 시드 영역들의 형성 이후의 태양 전지 제조에서의 단계를 예시한다. 도 1a 및 흐름도(200)의 대응하는 작업(202)을 참조하면, 복수의 교번하는 N형 및 P형 반도체 영역들이 기판 위에 형성된다. 특히, 기판(100)은, 각각 N형 반도체 영역들(104) 또는 P형 반도체 영역들(106)과 기판(100) 사이의 개재되는 재료로서 얇은 유전체 재료(102) 상에 배치되는 N형 반도체 영역들(104) 및 P형 반도체 영역들(106)을 기판 위에 배치하였다. 기판(100)은, N형 반도체 영역들(104) 및 P형 반도체 영역들(106)이 그 위에 형성된 배면 표면의 반대편에, 수광 표면(101)을 갖는다.
일 실시예에서, 기판(100)은 벌크 단결정 N형 도핑된 규소 기판과 같은 단결정 규소 기판이다. 그러나, 기판(100)이 전체 태양 전지 기판 상에 배치된, 다결정 규소 층과 같은 층일 수 있다는 것이 인식될 것이다. 일 실시예에서, 얇은 유전체 층(102)은 대략 2 나노미터 이하의 두께를 갖는 터널링 산화규소 층이다. 하나의 그러한 실시예에서, 용어 "터널링 유전체 층"은, 그것을 통해 전기 전도가 달성될 수 있는 매우 얇은 유전체 층을 지칭한다. 전도는, 양자 터널링(quantum tunneling), 및/또는 유전체 층 내의 얇은 지점(spot)들을 통한 직접적인 물리적 연결의 작은 영역들의 존재로 인해 이루어질 수 있다. 일 실시예에서, 터널링 유전체 층은 얇은 산화규소 층이거나 그것을 포함한다.
일 실시예에서, 교번하는 N형 및 P형 반도체 영역들(104, 106)은 각각, 예를 들어, 플라즈마-강화 화학 기상 증착(PECVD) 공정을 사용함으로써, 다결정 규소로 형성된다. 하나의 그러한 실시예에서, N형 다결정 규소 이미터 영역들(104)은 인과 같은 N형 불순물로 도핑된다. P형 다결정 규소 이미터 영역들(106)은 붕소와 같은 P형 불순물로 도핑된다. 도 1a에 도시된 바와 같이, 교번하는 N형 및 P형 반도체 영역들(104, 106)은 그 사이에 형성된 트렌치들(108)을 가질 수 있으며, 트렌치들(108)은 기판(100) 내로 부분적으로 연장된다. 추가적으로, 일 실시예에서, 바닥 반사 방지 코팅(bottom anti-reflective coating, BARC) 재료(110) 또는 다른 보호 층(예컨대, 층 비정질 규소)이, 도 1a에 도시된 바와 같이, 교번하는 N형 및 P형 반도체 영역들(104, 106) 상에 형성된다.
일 실시예에서, 도 1a에 도시된 바와 같이, 수광 표면(101)은 텍스처화된 수광 표면이다. 일 실시예에서, 기판(100)의 수광 표면(101) 및, 가능하게는, 도 1a에 또한 도시된 바와 같은 트렌치(108) 표면들을 텍스처화하기 위해, 수산화물계 습식 에칭제가 채용된다. 수광 표면의 텍스처화의 시기는 달라질 수 있다는 것이 인식될 것이다. 예를 들어, 텍스처화는 얇은 유전체 층(102)의 형성 이전 또는 이후에 수행될 수 있다. 일 실시예에서, 텍스처화된 표면은, 입사광을 산란시켜 태양 전지의 수광 표면(101)으로부터 반사되는 광의 양을 감소시키기 위한, 규칙적 또는 불규칙적 형상의 표면을 갖는 표면일 수 있다. 도 1a를 다시 참조하면, 추가적인 실시예들은, 수광 표면(101) 상의 패시베이션 및/또는 반사 방지 코팅(ARC) 층들(총괄적으로 층(112)으로 도시됨)의 형성을 포함할 수 있다. 패시베이션 및/또는 ARC 층들의 형성의 시기 또한 달라질 수 있다는 것이 이해될 것이다.
도 1a를 다시 참조하고, 이제 흐름도(200)의 대응하는 선택적 작업(204)을 참조하면, 복수의 금속 시드 재료 영역들(114)이, 각각 교번하는 N형 및 P형 반도체 영역들(104, 106) 각각 상에 금속 시드 재료 영역을 제공하기 위해 형성된다. 금속 시드 재료 영역들(114)은 교번하는 N형 및 P형 반도체 영역들(104, 106)에 직접 접촉한다.
일 실시예에서, 금속 시드 영역들(114)은 알루미늄 영역들이다. 하나의 그러한 실시예에서, 알루미늄 영역들은 각각 대략 0.3 내지 20 마이크로미터 범위의 두께를 갖고, 대략 97% 초과인 양의 알루미늄 및 대략 0 내지 2% 범위인 양의 규소를 포함한다. 다른 실시예들에서, 금속 시드 영역들(114)은 니켈, 은, 코발트, 또는 텅스텐과 같은, 그러나 이로 제한되지 않는 금속을 포함한다.
도 1b는 보호 층의 선택적 형성 이후의 도 1a의 구조물을 예시한다. 특히, 도 1b를 참조하면, 절연 층(116)이 복수의 금속 시드 재료 영역들(114) 상에 형성된다. 일 실시예에서, 절연 층(116)은 질화규소 또는 산질화규소 재료 층이다.
도 1c는 그것의 배면 표면에 금속 포일을 접착시킨 이후의 도 1b의 구조물을 예시한다. 도 1c를 및 흐름도(200)의 대응하는 작업(206)을 참조하면, 금속 포일(118)의 부분들을 금속 시드 재료 영역들(114)의 각각의 대응하는 부분들과 직접 결합시킴으로써, 금속 포일(118)은 교번하는 N형 및 P형 반도체 영역들에 접착된다. 하나의 그러한 실시예에서, 금속 포일(118)의 부분들과 금속 시드 재료 영역들(114) 각각의 대응하는 부분의 직접 결합은, 도 1c에 도시된 바와 같이, 그러한 위치들 각각에서 금속 용접(120)을 형성하는 것을 포함한다. 다른 실시예에서, 금속 시드 영역들(114) 대신에, 이 처리 단계에서 패턴화되지 않는 블랭킷 금속 시드 층이 사용된다. 그 실시예에서, 블랭킷 금속 시드 층은 수산화물계 습식 에칭 공정과 같은 후속 에칭 공정에서 패턴화될 수 있다.
일 실시예에서, 금속 포일(118)은 대략 5 내지 100 마이크로미터 범위의 두께, 그리고 바람직하게는, 대략 50 내지 100 마이크로미터 범위의 두께를 갖는 알루미늄(Al) 포일이다. 일 실시예에서, Al 포일은 알루미늄 및 제2 요소(구리, 망간, 규소, 마그네슘, 아연, 주석, 리튬, 또는 이들의 조합과 같은, 그러나 이들에 제한되지 않음)를 포함하는 알루미늄 합금 포일이다. 일 실시예에서, Al 포일은, F 등급(제조될 때), O 등급(완전 소프트(full soft)), H 등급(변형 경화(strain hardened)) 또는 T 등급(열 처리(heat treated))과 같은, 그러나 이로 제한되지 않는 템퍼 등급의(temper grade) 포일이다.
일 실시예에서, 금속 포일(118)은, 레이저 용접 공정, 열 압착 공정 또는 초음파 접합 공정과 같은, 그러나 이들로 제한되지 않는 기술을 사용함으로써, 복수의 금속 시드 재료 영역들(114)에 직접 접착된다. 일 실시예에서, 선택적 절연 층(116)이 포함되며, 금속 포일(118)을 복수의 금속 시드 재료 영역들(114)에 접착시키는 것은, 도 1c에 도시된 바와 같이, 절연 층(116)의 영역들을 통과하는 것을 포함한다.
다른 실시예에 따라, 시드리스(seedless) 접근법이 구현될 수 있다는 것이 인식될 것이다. 이러한 접근법에서, 금속 시드 재료 영역들(114)은 형성되지 않고, 금속 포일(118)은 교번하는 N형 및 P형 반도체 영역들(104, 106)의 재료에 직접 접착된다. 예를 들어, 일 실시예에서, 금속 포일(118)은 교번하는 N형 및 P형 다결정 규소 영역들에 직접 접착된다.
도 1d는 금속 포일 내의 레이저 홈들의 형성 이후의 도 1c의 구조물을 예시한다. 도 1d 및 흐름도(200)의 대응하는 작업(208)을 참조하면, 금속 포일(118)은 교번하는 N형 및 P형 반도체 영역들(104, 106) 사이의 위치들에 대응하는 영역들에서, 예를 들어, 도 1d에 도시된 바와 같은 트렌치(108) 위치들 위에서, 금속 포일(118)의 일부분만을 관통하여 레이저 융삭된다. 레이저 융삭은, 부분적으로 금속 포일(118) 내로 연장되지만 그 전체를 관통하지는 않는 홈들(122)을 형성한다.
일 실시예에서, 레이저 홈들(122)을 형성하는 것은, 금속 포일(118)의 전체 두께의 대략 80 내지 99% 범위의 금속 포일(118)의 두께를 레이저 융삭하는 것을 포함한다. 즉, 일 실시예에서, 금속 포일(118)이 밑에 있는 이미터 구조물들을 보호하도록, 금속 포일(118)의 하부 부분이 관통되지 않는 것이 중요하다.
일 실시예에서, 레이저 융삭은 마스크 없이 수행되지만; 다른 실시예들에서, 마스크 층이 레이저 융삭 이전에 금속 포일(118)의 일부분 상에 형성되고, 레이저 융삭 이후에 제거된다. 하나의 그러한 실시예에서, 마스크는 전체 포일 영역이나 그 일부분 상에 형성된다. 다른 실시예에서, 마스크는 이어서, 후술되는 양극산화 공정 동안 제위치에 남겨진다. 일 실시예에서, 마스크는 공정의 말미에서 제거되지 않는다. 그러나, 다른 실시예에서, 마스크는 공정의 말미에서 제거되지 않고, 보호 층으로서 유지된다.
도 1e는 금속 포일의 노출된 표면들의 양극산화 이후의 도 1d의 구조물을 예시한다. 도 1e 및 흐름도(200)의 대응하는 작업(210)을 참조하면, 나머지 금속 포일(118)은, 교번하는 N형 및 P형 반도체 영역들(104, 106)에 대응하는 나머지 금속 포일(118)의 영역들을 격리시키기 위해, 그것의 노출된 표면들에서 양극산화된다. 특히, 홈들(122)의 표면들을 포함하는, 금속 포일(118)의 노출된 표면들은, 산화물 코팅(124)을 형성하기 위해 양극산화된다. 예를 들어, 트렌치들(108) 위의 위치들에 있는 홈들(122)에서의, 교번하는 N형 및 P형 반도체 영역들(104, 106)에 대응하는 위치들(126)에서, 금속 포일(118)의 나머지 두께 전체는, N형 및 P형 반도체 영역들(104, 106) 각각의 위에 남아있는 금속 포일(118)의 영역들을 격리시키기 위해, 그것을 통하여 양극산화된다.
일 실시예에서, 금속 포일(118)은 알루미늄 포일이고, 금속 포일을 양극산화하는 것은 금속 포일(118)의 나머지 부분들의 노출된 그리고 최외측 영역들 상에 산화알루미늄을 형성하는 것을 포함한다. 하나의 그러한 실시예에서, 알루미늄 포일을 양극산화하는 것은, 알루미늄 포일의 노출된 표면들을 대략 1 내지 20 마이크로미터 범위의 두께까지, 그리고 바람직하게는 대략 5 내지 20 마이크로미터 범위의 두께까지 산화시키는 것을 포함한다. 일 실시예에서, 금속 포일(118)의 접촉 부분을 전기적으로 격리시키기 위해, 레이저 홈들(122)의 저부에 있는 금속 포일(118)의 부분들은, 도 1e에 도시된 바와 같이, 완전히 양극산화된다. 일 실시예에서, 금속 포일(118)의 소정 영역들에 접촉하는 것이 가능하도록, 도 1e에 또한 도시된 바와 같이, 개구들(128)이 산화물 코팅(124)의 부분들에 만들어질 수 있다.
다른 실시예에서, 도 1e를 다시 참조하면, 금속 포일의 부분들을 격리시키기 위해 금속 포일을 양극산화하는 대신에, 금속 포일의 부분들을 격리시키기 위해, 패턴화된 금속 포일이 에칭된다. 하나의 그러한 실시예에서, 도 1d의 구조물은 습식 에칭제에 노출된다. 습식 에칭제는 금속 포일의 노출된 부분들 모두를 에칭하지만, 금속 포일의 그루빙되지 않은 영역들의 두께를 크게 감소시키지 않으면서 레이저 홈들(122)의 저부들을 통과하기 위해, 신중하게 타이밍된 에칭 공정이 사용된다. 특정 실시예에서, 수산화칼륨(KOH) 또는 수산화테트라메틸암모늄(TMAH)과 같은, 그러나 이로 제한되지 않는 수산화물계 에칭제가 사용된다.
제2 양태에서, 양극산화 및 후속하는 레이저 그루빙 접근법은 레이저 랜딩 구역(laser landing zone)으로서 양극산화된 산화알루미늄(anodized aluminum oxide, AAO)을 사용하는 양극산화된 포일들의 주입을 포함한다. 랜딩 구역은 이어서, 최종 태양 전지에서 전기 절연을 제공하기 위해 유지된다.
앞에서 언급된 제2 양태와 일관되게, 도 3a 내지 도 3c는 본 개시내용의 다른 실시예에 따른, 포일 기반 금속화를 사용하는 태양 전지의 제조에서의 다양한 단계들의 단면도를 예시한다. 도 4는 본 개시내용의 일 실시예에 따른, 도 3a 내지 도 3c에 대응하는 바와 같은 태양 전지를 제조하는 방법에서의 작업들을 열거하는 흐름도이다.
도 3a는 태양 전지의 기판의 배면 표면의 일부분 위에 형성된 이미터 영역들 상에 형성되는 선택적 금속 시드 영역들 위의 양극산화된 금속 포일의 배치를 포함하는 태양 전지 제조에서의 단계를 예시한다. 도 3a 및 흐름도(400)의 대응하는 작업(402)을 참조하면, 복수의 교번하는 N형 및 P형 반도체 영역들이 기판 위에 형성된다. 특히, 기판(300)은, 각각 N형 반도체 영역들(304) 또는 P형 반도체 영역들(306)과 기판(300) 사이의 개재되는 재료로서의 얇은 유전체 재료(302) 상에 배치되는 N형 반도체 영역들(304) 및 P형 반도체 영역들(306)을 기판 위에 배치하였다. 기판(300)은, N형 반도체 영역들(304) 및 P형 반도체 영역들(306)이 그 위에 형성된 배면 표면의 반대편에, 수광 표면(301)을 갖는다.
일 실시예에서, 기판(300)은 벌크 단결정 N형 도핑된 규소 기판과 같은 단결정 규소 기판이다. 그러나, 기판(300)이 전체 태양 전지 기판 상에 배치된, 다결정 규소 층과 같은 층일 수 있다는 것이 인식될 것이다. 일 실시예에서, 얇은 유전체 층(302)은 대략 2 나노미터 이하의 두께를 갖는 터널링 산화규소 층이다. 하나의 그러한 실시예에서, 용어 "터널링 유전체 층"은, 그것을 통해 전기 전도가 달성될 수 있는 매우 얇은 유전체 층을 지칭한다. 전도는, 양자 터널링, 및/또는 유전체 층 내의 얇은 지점들을 통한 직접적인 물리적 연결의 작은 영역들의 존재로 인해 이루어질 수 있다. 일 실시예에서, 터널링 유전체 층은 얇은 산화규소 층이거나 그것을 포함한다.
일 실시예에서, 교번하는 N형 및 P형 반도체 영역들(304, 306)은 각각, 예를 들어, 플라즈마-강화 화학 기상 증착(PECVD) 공정을 사용함으로써, 다결정 규소로 형성된다. 하나의 그러한 실시예에서, N형 다결정 규소 이미터 영역들(304)은 인과 같은 N형 불순물로 도핑된다. P형 다결정 규소 이미터 영역들(306)은 붕소와 같은 P형 불순물로 도핑된다. 도 3a에 도시된 바와 같이, 교번하는 N형 및 P형 반도체 영역들(304, 306)은 그 사이에 형성된 트렌치들(308)을 가질 수 있으며, 트렌치들(308)은 기판(300) 내로 부분적으로 연장된다.
일 실시예에서, 도 3a에 도시된 바와 같이, 수광 표면(301)은 텍스처화된 수광 표면이다. 일 실시예에서, 기판(300)의 수광 표면(301) 및, 가능하게는, 도 3a에 또한 도시된 바와 같은 트렌치(308) 표면들을 텍스처화하기 위해, 수산화물계 습식 에칭제가 채용된다. 수광 표면의 텍스처화의 시기는 달라질 수 있다는 것이 인식될 것이다. 예를 들어, 텍스처화는 얇은 유전체 층(302)의 형성 이전 또는 이후에 수행될 수 있다. 일 실시예에서, 텍스처화된 표면은, 입사광을 산란시켜 태양 전지의 수광 표면(301)으로부터 반사되는 광의 양을 감소시키기 위한, 규칙적 또는 불규칙적 형상의 표면을 갖는 표면일 수 있다. 도 3a를 다시 참조하면, 추가적인 실시예들은, 수광 표면(301) 상의 패시베이션 및/또는 반사 방지 코팅(ARC) 층들(총괄적으로 층(312)으로 도시됨)의 형성을 포함할 수 있다. 패시베이션 및/또는 ARC 층들의 형성의 시기 또한 달라질 수 있다는 것이 인식될 것이다.
도 3a를 다시 참조하고, 이제 흐름도(400)의 대응하는 선택적 작업(404)을 참조하면, 복수의 금속 시드 재료 영역들(314)이 각각, 교번하는 N형 및 P형 반도체 영역들(304, 306) 각각 상에 금속 시드 재료 영역을 제공하기 위해 형성된다. 금속 시드 재료 영역들(314)은 교번하는 N형 및 P형 반도체 영역들(304, 306)에 직접 접촉한다.
일 실시예에서, 금속 시드 영역(314)은 알루미늄 영역들이다. 하나의 그러한 실시예에서, 알루미늄 영역들은 각각 대략 0.3 내지 20 마이크로미터 범위의 두께를 갖고, 대략 97% 초과인 양의 알루미늄 및 대략 0 내지 2% 범위인 양의 규소를 포함한다. 다른 실시예들에서, 금속 시드 영역들(314)은 니켈, 은, 코발트, 또는 텅스텐과 같은, 그러나 이로 제한되지 않는 금속을 포함한다.
도 3a를 다시 참조하면, 양극산화된 금속 포일(318)이 금속 시드 영역들(314) 위에 위치된다. 일 실시예에서, 양극 처리된 금속 포일(318)은, 그 위에 형성된 산화알루미늄 코팅(319)을 갖는 양극산화된 알루미늄 포일이다. 하나의 그러한 실시예에서, 양극산화된 알루미늄 포일(318)은 대략 5 내지 100 마이크로미터 범위의, 바람직하게는 50 내지 100 마이크로미터 범위의 총 두께를 가지며, 이때 양극산화된 상부 표면(319A) 및 양극산화된 저부 표면(319B)은 각각 대략 1 내지 20 마이크로미터 범위의, 바람직하게는 5 내지 20 마이크로미터 범위의 두께에 기여한다. 따라서, 일 실시예에서, 양극산화된 금속 포일(318)은, 그 사이에 전도성 금속 부분을 갖는 양극산화된 상부 표면(코팅(319A)) 및 양극산화된 저부 표면(코팅(319B))을 갖는다. 일 실시예에서, 양극산화된 금속 포일(318)은 알루미늄 및 제2 요소(구리, 망간, 규소, 마그네슘, 아연, 주석, 리튬, 또는 이들의 조합과 같은, 그러나 이들에 제한되지 않음)를 포함하는 양극산화된 알루미늄 합금 포일이다. 일 실시예에서, 양극산화된 금속 포일(318)은, F 등급(제조될 때), O 등급(완전 소프트), H 등급(변형 경화) 또는 T 등급(열 처리)과 같은, 그러나 이로 제한되지 않는 템퍼 등급의 양극산화된 알루미늄 포일이다.
도 3b는 그것의 배면 표면에 양극산화된 금속 포일을 용접한 이후의 도 3a의 구조물을 예시한다. 도 3b 및 흐름도(400)의 대응하는 작업(406)을 참조하면, 양극산화된 금속 포일(318)의 부분들을 금속 시드 재료 영역들(314)의 각각의 대응하는 부분들과 직접 결합시킴으로써, 양극산화된 금속 포일(318)은 교번하는 N형 및 P형 반도체 영역들(304, 306)에 접착된다. 하나의 그러한 실시예에서, 양극산화된 금속 포일(318)의 부분들과 금속 시드 재료 영역들(314) 각각의 대응하는 부분의 직접 결합은, 도 3b에 도시된 바와 같이, 그러한 위치들 각각에서 금속 용접(320)을 형성하는 것을 포함한다. 특정 실시예에서, 양극산화된 금속 포일(318)은 진공 시스템을 이용해 배면 표면 상에서 평탄화되고, 스폿 용접들의 매트릭스를 따라 금속 시드 층 상에 레이저 용접된다.
일 실시예에서, 양극산화된 금속 포일(318)은, 레이저 용접 공정, 열 압착 공정 또는 초음파 접합 공정과 같은, 그러나 이들로 제한되지 않는 기술을 사용함으로써, 복수의 금속 시드 재료 영역들(314)에 접착된다. 일 실시예에서, 양극산화된 금속 포일(318)을 복수의 금속 시드 재료 영역들(314)에 접착시키는 것은, 도 3b에 도시된 바와 같이, 저부 표면 산화물 코팅(319B)을 통과하는 것을 포함한다.
일 실시예에서(도시되어 있지는 않지만, 도 1b의 설명과 유사함), 양극산화된 금속 포일(318)을 복수의 금속 시드 재료 영역들(314)에 접착시키기 전에, 복수의 금속 시드 재료 영역들(314) 상에 절연 층이 형성된다. 그 실시예에서, 양극산화된 금속 포일(314)을 복수의 금속 시드 재료 영역들(314)에 접착시키는 것은, 절연 층의 개재되는 영역들을 통과하는 것을 포함한다.
다른 실시예에 따라, 시드리스 접근법이 구현될 수 있다는 것이 인식될 것이다. 이러한 접근법에서, 금속 시드 재료 영역들(314)은 형성되지 않고, 양극산화된 금속 포일(318)은 교번하는 N형 및 P형 반도체 영역들(304, 306)의 재료에 직접 접착된다. 예를 들어, 일 실시예에서, 양극산화된 금속 포일(318)은 교번하는 N형 및 P형 다결정 규소 영역들에 직접 접착된다. 하나의 그러한 실시예에서, 공정은 저부 표면 산화물 코팅(319B)을 통과하는 것을 포함한다.
도 3c는 양극산화된 금속 포일 내의 레이저 홈들의 형성 이후의 도 3b의 구조물을 예시한다. 도 3c 및 흐름도(400)의 대응하는 작업(408)을 참조하면, 양극산화된 금속 포일(318)은 교번하는 N형 및 P형 반도체 영역들(304, 306) 사이의 위치들에 대응하는 영역들에서, 예를 들어, 도 3c에 도시된 바와 같은 트렌치(308) 위치들 위에서, 양극산화된 금속 포일(318)의 양극산화된 상부 표면(319A) 및 중심 금속 부분을 관통하여 레이저 융삭된다. 레이저 융삭은 양극산화된 금속 포일(318)의 양극산화된 저부 표면(319B)에서 종단되어, 교번하는 N형 및 P형 반도체 영역들에 대응하는 나머지 금속 포일(318)의 영역들을 격리시킨다.
이와 같이, 레이저 융삭은, 부분적으로 양극산화된 금속 포일(318) 내로 연장되지만 그 전체를 관통하지는 않는 홈들(322)을 형성한다. 일 실시예에서, 양극산화된 금속 포일(318)이 밑에 있는 이미터 구조물들을 보호하도록, 양극산화된 금속 포일(318)의 양극산화된 저부 표면(319B)이 관통되지 않는 것이 중요하다. 따라서, 홈 깊이는, 양극산화된 Al 포일의 저부 산화물 층에 랜딩하고 그것을 완전히 절단하지 않도록, 정확하게 제어된다. 일 실시예에서, 레이저 융삭은 마스크 없이 수행되지만; 다른 실시예들에서, 마스크 층은 레이저 융삭 이전에 양극산화된 금속 포일(318)의 일부분 상에 형성되고, 레이저 융삭 이후에 제거된다.
일 실시예에서, 도 3a 내지 도 3c와 관련하여 기술된 접근법은 또한, 교번하는 N형 및 P형 반도체 영역들(304, 306)에 양극산화된 금속 포일(318)을 접착시키는 단계 이전에, 양극산화된 금속 포일(318)의 양극산화된 저부 표면(319B) 상에 레이저 반사 또는 흡수 필름을 형성하는 단계를 포함한다. 하나의 그러한 실시예에서, 레이저 융삭은 적외선(IR) 레이저를 사용하는 것을 포함하고, 레이저 반사 또는 흡수 필름을 형성하는 것은 마젠타(magenta) 필름을 형성하는 것을 포함한다. 보다 일반적으로, 실시예들은 사용되고 있는 레이저에 따라 설계되는 필름 색상을 사용하는 것을 포함한다는 것이 인식될 것이다. 이러한 접근법에서, 필름 색상은 반사 또는 융삭을 목표로 하도록 선택된다. 기술된 특정 실시예에서, 마젠타 필름의 사용은 그것이 녹색을 흡수하고 청색 및 적색을 반사한다는 것을 의미한다. 일 실시예에서, 레이저 광에 투명한 상부 필름이 양극산화된 금속 포일의 상부 표면에 도포된다. 그러나, 반사 필름은 양극산화된 금속 포일의 저부 표면에 도포된다. 다른 실시예에서, 저부 표면은 레이저 펄스의 대략 85% 또는 그 초과를 흡수할 수 있는 염색된 양극산화된 산화알루미늄 층이다.
도 3c를 다시 참조하면, 레이저는 마지막으로, 시드 패턴에 평행하거나 수직일 수 있는, 서로 맞물린 패턴을 따르는 홈들을 형성함으로써, 양극산화된 Al 포일을 패턴화하기 위해 사용된다. 상기 예시는 일반적 접근법 둘 모두를 보여주고, 평행 그루빙을 위해 직접 적용가능할 수 있다. 다른 실시예에서, 양극산화된 Al 포일의 절연 표면들은, 즉, 선택된 극성의 핑거들에만 접촉하기 위한, 수직 그루빙에 대한, 거친(coarse) 금속 2(M2) 접근법들 내에서 이득일 수 있다. 하나의 그러한 실시예에서, 포일의 저부 상의 양극 산화알루미늄 층은 반대 극성들의 핑거들 사이의 단락을 방지하며, 전기적 접점들은 스폿 용점들로부터만 제조된다.
도 5는 본 개시내용의 다른 실시예에 따른, 양극산화된 포일 기반 금속화를 사용하는 다른 태양 전지의 제조에서의 다양한 단계들의 단면도를 도시한다. 도 5의 부분(a)를 참조하면, 양극산화된 알루미늄 포일(518)은, 그 위에 배치된 복수의 금속 시드 영역들(514)을 갖는 기판(500)과 핏-업(fit-up)된다. 도 5의 부분(b)을 참조하면, 포일(518)을 금속 시드 영역(514)에 접착시키는 용접 스폿들(520)을 생성하기 위해 레이저 용접이 수행된다. 도 5의 부분(c)을 참조하면, 레이저 홈들(522)을 제공하기 위해 레이저 패턴화가 수행된다. 일 실시예에서, 홈들의 패턴은 금속 시드 영역들(514)의 패턴에 수직이다. 일 실시예에서, 레이저 융삭은 금속 포일(518)의 양극산화된 저부 표면 상에서 정지한다.
본 명세서에 기술된 실시예들은 태양 전지를 제조하는 데 사용될 수 있다. 일부 실시예에서, 도 1e 및 도 3c를 참조하면, 태양 전지는 기판(100 또는 300) 위에 배치된 복수의 교번하는 N형(104 또는 304) 및 P형(106 또는 306) 반도체 영역들을 포함한다. 전도성 접점 구조물이 복수의 교번하는 N형 및 P형 반도체 영역들 위에 배치된다. 전도성 접점 구조물은 교번하는 N형 및 P형 반도체 영역들 각각 상에 배치된 금속 시드 재료 영역을 제공하는 복수의 금속 시드 재료 영역들(114 또는 314)을 포함한다. 금속 포일(118 또는 318)이 복수의 금속 시드 재료 영역들 상에 배치된다. 금속 포일(118 또는 318)은 교번하는 N형 및 P형 반도체 영역들에 대응하는 금속 포일(118 또는 318)의 금속 영역들을 격리시키는 양극산화된 부분들(124 또는 319)을 갖는다. 하나의 그러한 실시예에서, 금속 포일(118 또는 113)의 모든 노출된 표면들은 양극산화된다. 그러나, 다른 실시예에서, 개구들(예를 들어, 128)은 도 1e와 관련하여 기술된 것과 같은 금속 접점용 양극산화된 부분에 형성될 수 있다. 또 다른 실시예에서, 포일은 레이저 융삭 이전에 양극산화되고, 후속 양극산화는 수행되지 않는다. 그 실시예에서, 레이저 홈들(322)은, 도 3c에 도시된 바와 같이, 노출된 비-양극산화된 표면들을 가질 수 있다. 일 실시예에서, 기판(100 또는 300)은 N형 단결정 규소 기판이고, 복수의 교번하는 N형(104 또는 304) 및 P형(106 또는 306) 반도체 영역들은 기판 위에 배치된 다결정 규소 재료 내에 배치된다.
또 다른 실시예들에서, 기판은 단결정 규소 기판이고, 교번하는 N형 및 P형 반도체 영역들은 단결정 규소 기판 내에 형성된다. 제1 예에서, 도 6a는 본 개시내용의 일 실시예에 따른, 기판 내에 형성된 이미터 영역들 상에 형성되는 포일 기반 접점 구조물들을 갖는 태양 전지의 일부분의 단면도를 예시한다. 도 6a를 참조하면, 태양 전지는 기판(600) 내에 배치된 복수의 교번하는 N형(604) 및 P형(606) 반도체 영역들을 포함한다. 전도성 접점 구조물이 복수의 교번하는 N형 및 P형 반도체 영역들 위에 배치된다. 전도성 접점 구조물은 교번하는 N형 및 P형 반도체 영역들 각각 상에 배치된 금속 시드 재료 영역을 제공하는 복수의 금속 시드 재료 영역들(614)을 포함한다. 금속 포일(618)은 복수의 금속 시드 재료 영역들(614) 상에 배치된다. 금속 포일(618)은 교번하는 N형 및 P형 반도체 영역들(604, 606)에 각각 대응하는 금속 포일(618)의 금속 영역들을 격리시키는 양극산화된 부분들(624)을 갖는다.
제2 예에서, 도 6b는 본 개시내용의 일 실시예에 따른, 기판 내에 형성된 이미터 영역들 상에 형성되는 양극산화된 포일 기반 접점 구조물들을 갖는 태양 전지의 일부분의 단면도를 예시한다. 도 6b를 참조하면, 태양 전지는 기판(650) 내에 배치된 복수의 교번하는 N형(654) 및 P형(656) 반도체 영역들을 포함한다. 전도성 접점 구조물이 복수의 교번하는 N형 및 P형 반도체 영역들 위에 배치된다. 전도성 접점 구조물은 교번하는 N형 및 P형 반도체 영역들 각각 상에 배치된 금속 시드 재료 영역을 제공하는 복수의 금속 시드 재료 영역들(664)을 포함한다. 금속 포일(668)이 복수의 금속 시드 재료 영역들(664) 상에 배치된다. 금속 포일(668)은 교번하는 N형 및 P형 반도체 영역들(664, 666)에 각각 대응하는 금속 포일(668)의 금속 영역들을 격리시키는 양극산화된 부분들(669)을 갖는다.
본 개시내용의 다른 양태에서, 상기 예시적인 실시예들과 관련하여 기술된 개념들을 기반으로 하는 다른 실시예들이 제공된다. 가장 일반적인 고려사항으로서, 배면 접점 태양 전지는 전형적으로 태양 전지의 배면 상의 2개 유형의 극성의 패턴화된 금속을 요구한다. 사전-패턴화된 금속이 블랭킷 금속의 비용, 복잡성, 또는 효율성의 이유들로 인해 이용가능하지 않은 경우, 블랭킷 금속의 낮은 비용, 낮은 재료 처리는 종종 레이저 기반 패턴 접근법들에 유리하다.
고효율 전지들의 경우, 전지의 배면 상의 패턴화된 금속은 일반적으로, (1) 금속의 완전한 격리, 및 (2) 손상 없는 처리이 두 요건을 갖는다. 대량 생산을 위해, 공정은 또한, 시간당 500개 초과 웨이퍼 처리량과 같은, 높은 처리량의 공정일 필요가 있을 수 있다. 복잡한 패턴들의 경우, 규소의 상부 상에 두껍거나(예를 들어, 1 마이크로미터 초과) 높은 반사성의 금속(예를 들어, 알루미늄)을 패턴화하기 위해 레이저를 사용하는 것은, 제조에 있어서 상당한 처리량 문제를 제기할 수 있다. 처리량 문제는, 두껍고/거나 높은 반사성의 금속을 고속으로 융삭하는 데 필요한 에너지가 밑에 있는 이미터의 손상 임계치 초과의 레이저 에너지(예를 들어, 1 J/㎠ 초과)를 요구하기 때문에, 발생한다. 완전히 격리된 금속을 가질 필요성과 금속 두께 및 레이저 에너지의 변화로 인해, 과도-에칭(over-etching)이 종종 금속 패턴화를 위해 구현된다. 특히, 금속을 완전히 제거하고, 손상을 주는 레이저 빔에 이미터를 노출시키지 않기 위해 이용가능한 높은 처리량/낮은 비용의 단일 레이저-에너지 윈도우(energy window)는 없는 것으로 보인다.
본 개시내용의 실시예들에 따라, 금속 패턴화에 대한 다양한 접근법들이 기술된다. 또한, 패턴화 공정과 금속 접합 공정의 상호작용으로 인해, 제1 또는 시드 금속 층(M1)을 포일과 같은 상부 금속 층(M2)에 접합시기키 위한 접합 접근법들을 또한 고려하는 것이 중요하다는 것을 인식할 것이다. 아래에서 더 상세히 기술되는 바와 같이, 일부 접합 접근법들은 다양한 패턴화 옵션들을 가능하게 한다.
일 실시예에서, 기상 증착된 얇은 시드 재료(M1)에 접합되는, 따라서, 밑에 있는 디바이스 웨이퍼에 접합되는 포일(M2) 사이에서, 상이한 접합력들이 접합 방법에 따라 달성될 수 있다. 또한, 상이한 유형들의 고장 모드가 접착 시험 중에 관찰된다. 레이저 접합의 경우, 접착은 레이저 플루언스(집속된 면적당 에너지)에 의존할 수 있다. 낮은 플루언스에서, M1과 M2 사이의 접착은 너무 약하고 M2는 쉽게 분리된다. 레이저 플루언스가 증가함에 따라, 포일과 밑에 있는 M1 시드 층 사이의 용접에 의한 접착은 접착 시험 중에 포일을 인열시킬(tear) 만큼 충분히 강해진다. 레이저 플루언스가 훨씬 더 높아지면, 밑에 있는 M1 층은 영향을 받게 되고, 박리 시험에서 포일이 인열되기 전에 M1-디바이스 웨이퍼 접합은 절단된다(broken). 그러한 인열의 상이한 모드들의 이점을 취하기 위해, 일 실시예에서, 공간적으로 성형된 레이저 빔이 레이저 접합 공정 동안에 사용된다. 레이저 빔은 외부 영역에서 더 높은 세기(M1 인열 범위)를 갖고 내부 상에서 더 낮은 세기(M2 인열 범위)를 가짐으로써, 용접 이후에, 포일(M2)이 M1과 함께 인열되는 반면, 용접 아래의 M2/M1 영역은 온전한 상태로 남겨둘 수 있다.
다른 양태에서, 홈을 따라 격리를 완료하기 위해 습식 화학적 에칭제들이 사용되는 경우, M1은 에칭제에 장기간 노출될 수 있다. 그 시간 동안, 바람직하지 않은 에칭이 발생할 수 있거나, M1과 M2가 완전히 서로 접합되지 않은 경우 화학물질이 M1과 M2 사이에 갇힐 수 있다. 두 시나리오 모두에서, 알루미늄 포일이 금속 핑거들을 따라 비-연속 접합 방법을 사용하여 금속 시드 층에 접합되는 경우(예를 들어, 10 밀리미터당 하나의 접합과 같은, 저밀도의 접합), 에칭 용액은 포일/금속 시드 계면에 침투하고, M1 핑거들의 바람직하지 않은 에칭 및/또는 M1/M2 접합들의 공격을 유발해서, 불량한 디바이스 성능을 초래할 수 있다. 접합 접근법들은 레이저 용접, 국소적 열-압착, 납땜 및 초음파 접합을 포함할 수 있다. 따라서, 모든 접합 방법들이 에칭 기반 패턴화와 호환가능한 것은 아니며, 특히, 레이저 용접과 같은 임의의 저밀도 접합 접근법들은 특히 문제가 될 수 있다.
일 실시예에서, 기술된 접근법들은, M1 층을 화학적 공격에 대해 보호함으로써 습식 화학적 에칭제들과 관련된 전술한 문제들을 해결하도록 구현될 수 있고, 에칭 기반 패턴화 공정들의 사용을 허용할 수 있다. 실시예들은 접합 방법으로서 레이저 용접을 사용하고, 및 패턴화 방법으로서 레이저 그루빙에 이어 화학적 에칭을 사용하는 것을 포함할 수 있지만, 그 개념들은 다른 비-선형 접합 방법들 및 화학적 에칭 기반 패턴화 방법들에 적용가능할 수 있다.
제1 그러한 실시예에서, 블랭킷 보호 층은, 금속 시드 침착 이후에 기판 상에 참착되거나, 레이저 용접 공정 이전에 포일 상에 침착된다. 재료의 선택 및 층 두께는, 레이저 용접이 보호 층을 통해 달성될 수 있는 것을 보장한다. 재료는 화학적 에칭 처리(예를 들어, KOH 수용액)에 대한 저항성이 있을 수 있다. 적합한 재료의 예들은, 접착제, 실리콘, 폴리머, 또는 얇은 유전체를 포함하지만, 이들에 한정되지 않는다. 제2 그러한 실시예에서, 얇은 캡핑 층(capping layer)(예를 들어, 두께가 약 100 나노미터)이 금속 시드 층의 상부에 침착된다. 얇은 캡핑 층은 상이한 금속(예를 들어, Ni)으로 구성되고, 화학적 에칭 용액에 대한 저항성이 있다. 특정 실시예에서, 얇은 캡핑 층은 M1과 M2 사이의 레이저 용접 공정과 양립할 수 있다. 제3 그러한 실시예에서, 레이저 용접 전이나 후에, 에칭 저항성 재료(제1 실시예와 유사함)의 핑거들이 M1 핑거들 사이에 인쇄되고 열 처리가 적용되어, 보호 핑거들과 M2 포일 사이의 연속적 접착을 보장하도록 한다. 특정 실시예에서, 레이저 공정에 의해 발생된 열은 결국 보호 재료 핑거들을 M2 층에 접합하기 위해 사용된다. 포일과 핑거들 사이의 계면은 에칭 용액에 대한 장벽으로서 작용한다. 재료는 포일 핏-업 및 레이저 용접 공정에 영향을 미치지 않도록 충분히 얇고/거나 부드러울 수 있다(예를 들어, 밀접한 M1/M2 접촉이 필요하다).
제1 예시적인 공정 흐름에서, 그루빙 및 에칭 접근법은 태양 전지의 디바이스 면에 대한 M1의 침착(예를 들어, M2와 접합할 수 있는 시드 전도성 층의 침착)을 포함한다. M2 층이 M1/전지 상에 도포되고, 접합에 적합한 접촉을 유지한다. 접합을 위한 에너지, 예를 들어, 열-압착 또는 레이저 에너지(예를 들어, (100 마이크로초 초과의) 긴 펄스 기간)가 M2를 국소적으로 가열하기 위해, 그리고 M1과 M2를 접합하기 위해 인가된다. 이어서, 깊은 홈(예를 들어, 포일 두께의 대략 80% 초과)을 제공하기 위해 그리고 포일 도포기로부터 포일을 트리밍하기 위해, 홈이 기계적으로 또는 다른 레이저 공정(예를 들어, 대략 1 마이크로초 미만의, 더 짧은 펄스 기간)에 의해 형성된다. 이어서, 예를 들어, 구조물에 에칭 매체를 도포하고 M2의 나머지 부분을 선택적으로 에칭함으로써, 전도성 영역들의 격리가 달성된다. 일 실시예에서, 선택성을 증가시키기 위해, 사전-패턴화된 M1 층이, 예를 들어, KOH 에칭에 대한 저항성이 있는 Ni 금속과 같이, 에칭 매체에 대한 에칭 저항성을 제공하도록 선택된다. 잠재적 M2 재료들은, 알루미늄, 니켈, 구리, 티타늄, 크롬 또는 이들의 다층 조합들을 포함하지만, 이들에 한정되지 않는다. 알루미늄 M1 층과 함께, 에칭 매체는 수산화칼륨과 같은 알칼리성 화학물질 또는 인산 또는 인산과 질산의 혼합물과 같은 산성 화학물질을 포함할 수 있다. 에칭 매체는 이어서, 에칭 반응을 완료하고 웨이퍼 상에 화학적 잔류물을 남기는 것을 피하기 위해, 웨이퍼로부터 완전히 헹궈진다. 웨이퍼로부터 화학물질을 완전히 제거하기 위해, 수평 분무 수세(horizontal spray rinse) 및/또는 초음파 교반이 이용될 수 있다.
제2 예시적 공정 흐름에서, 고출력 레이저 그루빙 및 저출력 레이저 격리에 기초하여, 이중 단계 패턴화가 사용된다. 이 방법은 먼저, 태양 전지의 디바이스 측 상의 M1(예를 들면, M2와 레이저 용접하는 데 적합한 시드 전도성 층)의 침착, 및 침착된 M1 층의 패턴화를 포함한다. 이어서 M2 층이 M1/전지 상에 도포되고, 레이저 용접에 적합한 직접 접촉을 유지한다. 고 에너지 빔(예를 들어, 긴 펄스 지속 기간의(대략 100 마이크로초 초과) 레이저 또는 전자 빔)이 M2를 국소적으로 가열하고, M1과 M2를 접합하기 위해 인가된다. 추가적인 레이저(예를 들어, 대략 1 마이크로초 미만의, 더 짧은 펄스 지속 기간)가, 깊은 홈(예를 들어, 포일 두께의 대략 80% 초과)을 제공하기 위해 그리고 포일 도포기로부터 포일을 트리밍하기 위해 인가된다. 이어서, 두 번째 저출력 레이저가 나머지 M2를 격리시키기 위해 레이저 홈을 따라 인가된다.
그루빙이 다른 접근법들을 통해 달성될 수 있다는 것이 인식될 것이다. 예를 들어, 다른 실시예에서, 레이저 공정을 사용하는 대신에, 전술한 그루빙은, 표면을 가로질러 끌고 가지는 경성-팁의(hard-tipped) 절삭 공구들의 어레이, 키싱 컷팅(kissing cutting), CNC 밀링(milling), 이온 밀링, 또는 다른 절삭 유형 메커니즘과 같은, 그러나 이에 한정되지 않는 기계적 공정을 이용해 형성된다.
나머지 금속이 다른 접근법들을 통해 제거될 수 있다는 것이 인식될 것이다. 예를 들어, 다른 실시예에서, 홈 형성에 이어서, 나머지 금속은, 저항 가열에 의해 나머지 금속을 연소 제거하기 위해, 높은 전류와 같은 전기의 사용을 통해 제거된다. 다른 실시예에서, 홈 형성에 이어서, 나머지 금속은 매우 부드러운/ 낮은 처리량의 레이저 융삭을 통해 제거된다. 다른 실시예에서, 홈 형성에 이어서, 나머지 금속은 플라즈마 에칭, 또는 후면-스퍼터 에칭과 같은 다른 에칭을 통해 제거된다. 다른 실시예에서, 홈 형성에 이어서, 나머지 금속은, 제거될 금속 영역을 붙잡거나(grasping) 그에 접착된 다음에, 붙잡거나 접착된 부분을 "인열시킴(tearing off)으로써" 제거된다.
나머지 금속 제거에 대한 인열 접근법의 제1 특정 실시예에서, 2개의 평행한 홈이 형성되어, 인열될 금속의 스트립을 남기며, 이때 스트립은 대략 100 내지 500 마이크로미터 범위의 폭을 갖는다. 제2 특정 실시예에서, 홈 라인들은 태양 전지의 외부로 연장되어, 후속 인열 절차를 위한 인열 시작 점들로서 사용되도록 한다. 제3 특정 실시예에서, 그루빙 이전에, 예를 들어, 레이저 용접 스폿(또는 선들), 열-압착 접합, 또는 다른 것과 같은 M1/M2 접합 방법이 사용되어, 최종적으로 인열되는 M2 포일의 전단 강도보다 강한 접착력을 제공하게 된다. 제4 특정 실시예에서, 레이저 홈의, 또는 레이저 접합 레이저의 레이저 빔 형상은, 예를 들어, 시간 및 온도에 기초하여 입자-구조를 수정하고 냉각 프로파일을 조정하기 위해 빔 프로파일의 조정을 통해, 금속의 기계적 특성들을 수정하는 데 사용된다. 이러한 방식으로, 포스트-홈 격리(post-groove isolation) 공정이 가능하게 된다. 하나의 그러한 실시예에서, 가우스 빔은 에지 프로파일이 더 높은 에너지를 갖도록 피크를 반전시키는 형상으로 왜곡되고, 라인 용접(line weld)을 형성하는 데 사용된다. 접합의 에지에서의 더 높은-국소 가열은 더 큰 응력을 야기하고 냉각 프로파일을 변화시키며, 용접된 재료의 에지는 벌크보다 낮은 항복 강도를 갖거나, 덜 연성(ductile)이다. 이 경우, 인열 공정 동안, 계면은 가장 먼저 고장나게(fail) 된다. 상기 4개의 실시예들 각각에서, 금속 시드 층은 그루빙 이전에 패턴화되거나, 또는 그루빙 이후에 패턴화되며, 바람직하게는 전술한 포스트-그루빙 격리와 함께 패턴화될 수 있다.
다른 실시예에서, M1 층은 Ni, 폴리머, 산화물, 또는 M1, 또는 M2 상에 침착된 얇은 접착제와 같은 캡핑 층의 사용을 통해 에칭제로부터 보호되며, 이때 두께 또는 조성물은 용접 공정과 양립될 수 있다(예를 들어, 폴리머를 통한 용접에 대해 대략 10 마이크로미터 미만). 다른 실시예들에서, 접합은, 에칭제가 간극들로 침투하는 것으로부터 보호하기 위해, 그리고 M1의 과도-에칭을 방지하기 위해, 적절하게 높은 밀도(예를 들어, 위에서 아래로 볼 때 100%)로 달성된다. 접합은 벌크 M2와의 일체화(예를 들어, 선형 용접, 열 압착 접합)를 통해 이루어질 수 있다.
소정 재료들이 도 1a 내지 도 1e, 도 3a 내지 도 3c, 도 56a 및 도 6b 및 다른 기술된 실시예들을 참조하여 위에서 구체적으로 기술되었지만, 일부 재료들은 다른 재료들로 쉽게 대체될 수 있으며, 다른 그러한 실시예들은 본 개시내용의 실시예들의 사상 및 범주 내에 있다. 예를 들어, 일 실시예에서, III-V족 재료의 기판과 같은 상이한 재료의 기판이 규소 기판 대신에 사용될 수 있다. 다른 실시예들에서, 전술한 접근법들은 태양 전지 이외의 제조에 적용가능할 수 있다. 예를 들어, 발광 다이오드(LED들)의 제조는 본 명세서에 기술된 접근법들로부터 이익을 얻을 수 있다.
이와 같이, 태양 전지의 포일 기반 금속화를 위한 접근법 및 생성되는 태양 전지가 개시되었다.
특정 실시예들이 전술되었지만, 특정 특징에 대해 단일 실시예만이 기술된 경우에도, 이들 실시예는 본 개시내용의 범주를 제한하도록 의도되지 않는다. 본 개시내용에 제공된 특징들의 예들은, 달리 언급되지 않는 한, 제한적이기보다는 예시적인 것으로 의도된다. 상기 설명은, 본 개시내용의 이익을 갖는 당업자에게 명백하게 되는 바와 같이, 그러한 대안예, 수정예 및 등가물을 포함하고자 의도된다.
본 개시내용의 범주는, 본 명세서에서 다루어지는 문제들 중 임의의 문제 또는 모든 문제점들을 완화시키든 그렇지 않든 간에, 본 명세서에 (명백히 또는 암시적으로) 개시된 임의의 특징 또는 특징들의 조합, 또는 이들의 임의의 일반화를 포함한다. 따라서, 새로운 청구항이 본 출원(또는 이에 대한 우선권을 주장하는 출원)의 절차 진행 동안 임의의 그러한 특징들의 조합에 대해 만들어질 수 있다. 특히, 첨부된 청구범위와 관련하여, 종속 청구항으로부터의 특징들이 독립 청구항의 특징들과 조합될 수 있고, 각각의 독립 청구항으로부터의 특징들이 단지 첨부된 청구범위에 열거된 특정 조합이 아닌 임의의 적절한 방식으로 조합될 수 있다.
일 실시예에서, 태양 전지를 제조하는 방법은 기판 내에 또는 기판 위에 복수의 교번하는 N형 및 P형 반도체 영역들을 형성하는 단계를 포함한다. 이 방법은 또한 교번하는 N형 및 P형 반도체 영역들에 금속 포일을 접착시키는 단계를 포함한다. 이 방법은 또한 교번하는 N형 및 P형 반도체 영역들 사이의 위치들에 대응하는 영역들에서 금속 포일의 일부분만을 관통하여 레이저 융삭하는 단계를 포함한다. 이 방법은 또한, 레이저 융삭하는 단계 이후에, 교번하는 N형 및 P형 반도체 영역들에 대응하는 나머지 금속 포일의 영역들을 격리시키는 단계를 포함한다.
일 실시예에서, 나머지 금속 포일의 영역들을 격리시키는 단계는 나머지 금속 포일을 양극산화하는 단계를 포함한다.
일 실시예에서, 나머지 금속 포일의 영역들을 격리시키는 단계는 나머지 금속 포일을 에칭하는 단계를 포함한다.
일 실시예에서, 이 방법은, 금속 포일을 접착시키는 단계 이전에, 교번하는 N형 및 P형 반도체 영역들의 각각 상에 금속 시드 재료 영역을 제공하기 위해 복수의 금속 시드 재료 영역들을 형성하는 단계를 추가로 포함하며, 교번하는 N형 및 P형 반도체 영역들에 금속 포일을 접착시키는 단계는 복수의 금속 시드 재료 영역들에 금속 포일을 접착시키는 단계를 포함한다.
일 실시예에서, 이 방법은, 복수의 금속 시드 재료 영역들에 금속 포일을 접착시키는 단계 이전에, 복수의 금속 시드 재료 영역들 상에 절연 층을 형성하는 단계를 추가로 포함하며, 복수의 금속 시드 재료 영역들에 금속 포일을 접착시키는 단계는 절연 층의 영역들을 통과하는 단계를 포함한다.
일 실시예에서, 복수의 금속 시드 재료 영역들에 금속 포일을 접착시키는 단계는 레이저 용접 공정, 열 압착 공정 및 초음파 접합 공정으로 이루어진 군으로부터 선택되는 기술을 사용하는 것을 포함한다.
일 실시예에서, 복수의 금속 시드 재료 영역들을 형성하는 단계는, 각각 대략 0.3 내지 20 마이크로미터 범위의 두께를 갖고 대략 97% 초과인 양의 알루미늄 및 대략 0 내지 2% 범위인 양의 규소를 포함하는 알루미늄 영역들을 형성하는 단계를 포함하고, 금속 포일을 접착시키는 단계는 대략 5 내지 100 마이크로미터 범위의 두께를 갖는 알루미늄 포일을 접착시키는 단계를 포함하며, 나머지 금속 포일의 영역들을 격리시키는 단계는 알루미늄 포일의 노출된 표면들을 대략 1 내지 20 마이크로미터 범위의 깊이까지 산화시킴으로써 알루미늄 포일을 양극산화하는 단계를 포함한다.
일 실시예에서, 금속 포일의 일부분만을 관통하여 레이저 융삭하는 단계는 금속 포일의 전체 두께의 대략 80 내지 99% 범위의 금속 포일의 두께를 레이저 융삭하는 단계를 포함한다.
일 실시예에서, 복수의 교번하는 N형 및 P형 반도체 영역들을 형성하는 단계는 기판 위에 형성된 다결정 규소 층 내에 교번하는 N형 및 P형 반도체 영역들을 형성하는 단계를 포함하며, 이 방법은 교번하는 N형 및 P형 반도체 영역들 각각 사이에 트렌치를 형성하는 단계를 추가로 포함하며, 트렌치들은 기판 내로 부분적으로 연장된다.
일 실시예에서, 기판은 단결정 규소 기판이며, 복수의 교번하는 N형 및 P형 반도체 영역들을 형성하는 단계는 단결정 규소 기판 내에 교번하는 N형 및 P형 반도체 영역들을 형성하는 단계를 포함한다.
일 실시예에서, 이 방법은 또한, 레이저 융삭하는 단계 이전에, 금속 포일의 적어도 일부분 상에 마스크 층을 형성하는 단계를 추가로 포함한다.
일 실시예에서, 태양 전지를 제조하는 방법은 기판 내에 또는 기판 위에 복수의 교번하는 N형 및 P형 반도체 영역들을 형성하는 단계를 포함한다. 이 방법은 또한, 교번하는 N형 및 P형 반도체 영역들에 양극산화된 금속 포일을 접착시키는 단계를 포함하며, 양극산화된 금속 포일은 금속 부분을 그 사이에 갖는 양극산화된 상부 표면 및 양극산화된 저부 표면을 가지며, 교번하는 N형 및 P형 반도체 영역들에 양극산화된 금속 포일을 접착시키는 단계는 양극산화된 금속 포일의 양극산화된 저부 표면의 영역들을 통과하는 단계를 포함한다. 이 방법은 또한 교번하는 N형 및 P형 반도체 영역들 사이의 위치들에 대응하는 영역들에서 양극산화된 금속 포일의 양극산화된 상부 표면 및 금속 부분을 관통하여 레이저 융삭하는 단계를 포함하며, 레이저 융삭하는 단계는 양극산화된 금속 포일의 양극산화된 저부 표면에서 종단되어, 교번하는 N형 및 P형 반도체 영역들에 대응하는 나머지 금속 포일의 영역들을 격리시킨다.
일 실시예에서, 이 방법은, 양극산화된 금속 포일을 접착시키는 단계 이전에, 교번하는 N형 및 P형 반도체 영역들의 각각 상에 금속 시드 재료 영역을 제공하기 위해 복수의 금속 시드 재료 영역들을 형성하는 단계를 추가로 포함하며, 교번하는 N형 및 P형 반도체 영역들에 양극산화된 금속 포일을 접착시키는 단계는 복수의 금속 시드 재료 영역들에 양극산화된 금속 포일을 접착시키는 단계를 포함한다.
일 실시예에서, 이 방법은, 복수의 금속 시드 재료 영역들에 양극산화된 금속 포일을 접착시키는 단계 이전에, 복수의 금속 시드 재료 영역들 상에 절연 층을 형성하는 단계를 추가로 포함하며, 복수의 금속 시드 재료 영역들에 양극산화된 금속 포일을 접착시키는 단계는 절연 층의 영역들을 통과하는 단계를 포함한다.
일 실시예에서, 복수의 금속 시드 재료 영역들에 양극산화된 금속 포일을 접착시키는 단계는 레이저 용접 공정, 열 압착 공정 및 초음파 접합 공정으로 이루어진 군으로부터 선택되는 기술을 사용하는 것을 포함한다.
일 실시예에서, 복수의 금속 시드 재료 영역들을 형성하는 단계는 각각 대략 0.3 내지 20 마이크로미터 범위의 두께를 갖고 대략 97% 초과인 양의 알루미늄 및 대략 0 내지 2% 범위인 양의 규소를 포함하는 알루미늄 영역들을 형성하는 단계를 포함하고, 양극산화된 금속 포일을 접착시키는 단계는 대략 5 내지 100 마이크로미터 범위의 총 두께를 갖는 양극산화된 알루미늄 포일을 접착시키는 단계를 포함하며, 이때 양극산화된 상부 표면 및 양극산화된 저부 표면은 각각 대략 1 내지 20 마이크로미터 범위의 두께에 기여한다.
일 실시예에서, 이 방법은, 교번하는 N형 및 P형 반도체 영역들에 양극산화된 금속 포일을 접착시키는 단계 이전에, 양극산화된 금속 포일의 양극산화된 저부 표면 상에 레이저 반사 또는 흡수 필름을 형성하는 단계를 추가로 포함한다.
일 실시예에서, 복수의 교번하는 N형 및 P형 반도체 영역들을 형성하는 단계는 기판 위에 형성된 다결정 규소 층 내에 교번하는 N형 및 P형 반도체 영역들을 형성하는 단계를 포함하며, 이 방법은 교번하는 N형 및 P형 반도체 영역들의 각각 사이에 트렌치를 형성하는 단계를 추가로 포함하며, 트렌치들은 기판 내로 부분적으로 연장된다.
일 실시예에서, 기판은 단결정 규소 기판이며, 복수의 교번하는 N형 및 P형 반도체 영역들을 형성하는 단계는 단결정 규소 기판 내에 교번하는 N형 및 P형 반도체 영역들을 형성하는 단계를 포함한다.
일 실시예에서, 이 방법은, 레이저 융삭하는 단계 이전에, 양극산화된 금속 포일의 일부분 상에 마스크 층을 형성하는 단계, 및 레이저 융삭하는 단계 이후에, 마스크 층을 제거하는 단계를 추가로 포함한다.
일 실시예에서, 태양 전지는 기판을 포함한다. 복수의 교번하는 N형 및 P형 반도체 영역들이 기판 내에 또는 기판 위에 배치된다. 전도성 접점 구조물이 복수의 교번하는 N형 및 P형 반도체 영역들 위에 배치되고, 전도성 접점 구조물은 교번하는 N형 및 P형 반도체 영역들의 각각 상에 배치되는 금속 시드 재료 영역을 제공하는 복수의 금속 시드 재료 영역들, 및 복수의 금속 시드 재료 영역들 상에 배치되는 금속 포일을 포함하며, 금속 포일은 교번하는 N형 및 P형 반도체 영역들에 대응하는 금속 포일의 금속 영역들을 격리시키는 양극산화된 부분들을 갖는다.
하나의 실시예에서, 금속 포일의 모든 노출된 표면들은 양극산화된다.

Claims (22)

  1. 태양 전지의 제조 방법으로서,
    기판 내에 또는 기판 위에 복수의 교번하는 N형 및 P형 반도체 영역들을 형성하는 단계;
    교번하는 N형 및 P형 반도체 영역들에 금속 포일을 접착시키는 단계;
    교번하는 N형 및 P형 반도체 영역들 사이의 위치들에 대응하는 영역들에서 금속 포일의 일부분만을 관통하여 레이저 융삭하는(laser ablating) 단계; 및
    레이저 융삭하는 단계 이후에, 교번하는 N형 및 P형 반도체 영역들에 대응하는 나머지 금속 포일의 영역들을 격리시키는 단계를 포함하는, 방법.
  2. 제1항에 있어서, 나머지 금속 포일의 영역들을 격리시키는 단계는 나머지 금속 포일을 양극산화하는(anodizing) 단계를 포함하는, 방법.
  3. 제1항에 있어서, 나머지 금속 포일의 영역들을 격리시키는 단계는 나머지 금속 포일을 에칭하는 단계를 포함하는, 방법.
  4. 제1항에 있어서,
    금속 포일을 접착시키는 단계 이전에, 교번하는 N형 및 P형 반도체 영역들의 각각 상에 금속 시드 재료 영역을 제공하기 위해 복수의 금속 시드 재료 영역들을 형성하는 단계를 추가로 포함하며, 교번하는 N형 및 P형 반도체 영역들에 금속 포일을 접착시키는 단계는 복수의 금속 시드 재료 영역들에 금속 포일을 접착시키는 단계를 포함하는, 방법.
  5. 제4항에 있어서,
    복수의 금속 시드 재료 영역들에 금속 포일을 접착시키는 단계 이전에, 복수의 금속 시드 재료 영역들 상에 절연 층을 형성하는 단계를 추가로 포함하며, 복수의 금속 시드 재료 영역들에 금속 포일을 접착시키는 단계는 절연 층의 영역들을 통과하는(breaking through) 단계를 포함하는, 방법.
  6. 제4항에 있어서, 복수의 금속 시드 재료 영역들에 금속 포일을 접착시키는 단계는 레이저 용접 공정, 열 압착 공정 및 초음파 접합 공정으로 이루어진 군으로부터 선택되는 기술을 사용하는 것을 포함하는, 방법.
  7. 제4항에 있어서, 복수의 금속 시드 재료 영역들을 형성하는 단계는 각각 대략 0.3 내지 20 마이크로미터 범위의 두께를 갖고, 대략 97% 초과인 양의 알루미늄 및 대략 0 내지 2% 범위인 양의 규소를 포함하는 알루미늄 영역들을 형성하는 단계를 포함하고, 금속 포일을 접착시키는 단계는 대략 5 내지 100 마이크로미터 범위의 두께를 갖는 알루미늄 포일을 접착시키는 단계를 포함하며, 나머지 금속 포일의 영역들을 격리시키는 단계는 알루미늄 포일의 노출된 표면들을 대략 1 내지 20 마이크로미터 범위의 깊이까지 산화시킴으로써 알루미늄 포일을 양극산화하는 단계를 포함하는, 방법.
  8. 제1항에 있어서, 금속 포일의 일부분만을 관통하여 레이저 융삭하는 단계는 금속 포일의 전체 두께의 대략 80 내지 99% 범위의 금속 포일의 두께를 레이저 융삭하는 단계를 포함하는, 방법.
  9. 제1항에 있어서, 복수의 교번하는 N형 및 P형 반도체 영역들을 형성하는 단계는 기판 위에 형성된 다결정 규소 층 내에 교번하는 N형 및 P형 반도체 영역들을 형성하는 단계를 포함하며, 상기 방법은,
    교번하는 N형 및 P형 반도체 영역들의 각각 사이에 트렌치를 형성하는 단계를 추가로 포함하며, 트렌치들은 기판 내로 부분적으로 연장되는, 방법.
  10. 제1항에 있어서, 기판은 단결정 규소 기판이며, 복수의 교번하는 N형 및 P형 반도체 영역들을 형성하는 단계는 단결정 규소 기판 내에 교번하는 N형 및 P형 반도체 영역들을 형성하는 단계를 포함하는, 방법.
  11. 제1항에 있어서,
    레이저 융삭하는 단계 이전에, 금속 포일의 적어도 일부분 상에 마스크 층을 형성하는 단계를 추가로 포함하는, 방법.
  12. 태양 전지의 제조 방법으로서,
    기판 내에 또는 기판 위에 복수의 교번하는 N형 및 P형 반도체 영역들을 형성하는 단계;
    교번하는 N형 및 P형 반도체 영역들에 양극산화된 금속 포일을 접착시키는 단계 - 양극산화된 금속 포일은 금속 부분을 그 사이에 갖는 양극산화된 상부 표면 및 양극산화된 저부 표면을 가지며, 교번하는 N형 및 P형 반도체 영역들에 양극산화된 금속 포일을 접착시키는 단계는 양극산화된 금속 포일의 양극산화된 저부 표면의 영역들을 통과하는 단계를 포함함 -; 및
    교번하는 N형 및 P형 반도체 영역들 사이의 위치들에 대응하는 영역들에서 양극산화된 금속 포일의 양극산화된 상부 표면 및 금속 부분을 관통하여 레이저 융삭하는 단계 - 레이저 융삭하는 단계는 양극산화된 금속 포일의 양극산화된 저부 표면에서 종단되어, 교번하는 N형 및 P형 반도체 영역들에 대응하는 나머지 금속 포일의 영역들을 격리시킴 - 를 포함하는, 방법.
  13. 제12항에 있어서,
    양극산화된 금속 포일을 접착시키는 단계 이전에, 교번하는 N형 및 P형 반도체 영역들의 각각 상에 금속 시드 재료 영역을 제공하기 위해 복수의 금속 시드 재료 영역들을 형성하는 단계를 추가로 포함하며, 교번하는 N형 및 P형 반도체 영역들에 양극산화된 금속 포일을 접착시키는 단계는 복수의 금속 시드 재료 영역들에 양극산화된 금속 포일을 접착시키는 단계를 포함하는, 방법.
  14. 제13항에 있어서,
    복수의 금속 시드 재료 영역들에 양극산화된 금속 포일을 접착시키는 단계 이전에, 복수의 금속 시드 재료 영역들 상에 절연 층을 형성하는 단계를 추가로 포함하며, 복수의 금속 시드 재료 영역들에 양극산화된 금속 포일을 접착시키는 단계는 절연 층의 영역들을 통과하는 단계를 포함하는, 방법.
  15. 제13항에 있어서, 복수의 금속 시드 재료 영역들에 양극산화된 금속 포일을 접착시키는 단계는 레이저 용접 공정, 열 압착 공정 및 초음파 접합 공정으로 이루어진 군으로부터 선택되는 기술을 사용하는 것을 포함하는, 방법.
  16. 제13항에 있어서, 복수의 금속 시드 재료 영역들을 형성하는 단계는 각각 대략 0.3 내지 20 마이크로미터 범위의 두께를 갖고, 대략 97% 초과인 양의 알루미늄 및 대략 0 내지 2% 범위인 양의 규소를 포함하는 알루미늄 영역들을 형성하는 단계를 포함하고, 양극산화된 금속 포일을 접착시키는 단계는 대략 5 내지 100 마이크로미터 범위의 총 두께를 갖는 양극산화된 알루미늄 포일 - 양극산화된 상부 표면 및 양극산화된 저부 표면은 각각 대략 1 내지 20 마이크로미터 범위의 두께에 기여함 - 을 접착시키는 단계를 포함하는, 방법.
  17. 제12항에 있어서,
    교번하는 N형 및 P형 반도체 영역들에 양극산화된 금속 포일을 접착시키는 단계 이전에, 양극산화된 금속 포일의 양극산화된 저부 표면 상에 레이저 반사 또는 흡수 필름을 형성하는 단계를 추가로 포함하는, 방법.
  18. 제12항에 있어서, 복수의 교번하는 N형 및 P형 반도체 영역들을 형성하는 단계는 기판 위에 형성된 다결정 규소 층 내에 교번하는 N형 및 P형 반도체 영역들을 형성하는 단계를 포함하며, 상기 방법은,
    교번하는 N형 및 P형 반도체 영역들의 각각 사이에 트렌치를 형성하는 단계를 추가로 포함하며, 트렌치들은 기판 내로 부분적으로 연장되는, 방법.
  19. 제12항에 있어서, 기판은 단결정 규소 기판이며, 복수의 교번하는 N형 및 P형 반도체 영역들을 형성하는 단계는 단결정 규소 기판 내에 교번하는 N형 및 P형 반도체 영역들을 형성하는 단계를 포함하는, 방법.
  20. 제12항에 있어서,
    레이저 융삭하는 단계 이전에, 양극산화된 금속 포일의 일부분 상에 마스크 층을 형성하는 단계; 및
    레이저 융삭하는 단계 이후에, 마스크 층을 제거하는 단계를 추가로 포함하는, 방법.
  21. 태양 전지로서,
    기판;
    기판 내에 또는 기판 위에 배치되는 복수의 교번하는 N형 및 P형 반도체 영역들; 및
    복수의 교번하는 N형 및 P형 반도체 영역들 위에 배치되는 전도성 접점 구조물을 포함하며, 전도성 접점 구조물은,
    교번하는 N형 및 P형 반도체 영역들의 각각 상에 배치되는 금속 시드 재료 영역을 제공하는 복수의 금속 시드 재료 영역들; 및
    복수의 금속 시드 재료 영역들 상에 배치되는 금속 포일 - 금속 포일은 교번하는 N형 및 P형 반도체 영역들에 대응하는 금속 포일의 금속 영역들을 격리시키는 양극산화된 부분들을 가짐 - 을 포함하는, 태양 전지.
  22. 제21항에 있어서, 금속 포일의 모든 노출된 표면들은 양극산화되는, 태양 전지.
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WO (1) WO2015148573A1 (ko)

Families Citing this family (35)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20220209037A1 (en) * 2008-06-12 2022-06-30 Sunpower Corporation Trench process and structure for backside contact solar cells with polysilicon doped regions
US7851698B2 (en) * 2008-06-12 2010-12-14 Sunpower Corporation Trench process and structure for backside contact solar cells with polysilicon doped regions
US9337369B2 (en) 2014-03-28 2016-05-10 Sunpower Corporation Solar cells with tunnel dielectrics
US11811360B2 (en) 2014-03-28 2023-11-07 Maxeon Solar Pte. Ltd. High voltage solar modules
US9231129B2 (en) 2014-03-28 2016-01-05 Sunpower Corporation Foil-based metallization of solar cells
US9818903B2 (en) * 2014-04-30 2017-11-14 Sunpower Corporation Bonds for solar cell metallization
US9620661B2 (en) 2014-12-19 2017-04-11 Sunpower Corporation Laser beam shaping for foil-based metallization of solar cells
US10396235B2 (en) * 2015-10-16 2019-08-27 Sunpower Corporation Indentation approaches for foil-based metallization of solar cells
US9620655B1 (en) 2015-10-29 2017-04-11 Sunpower Corporation Laser foil trim approaches for foil-based metallization for solar cells
KR101910642B1 (ko) * 2016-01-28 2018-12-28 엘지전자 주식회사 태양 전지 및 그 제조 방법
US9831377B2 (en) 2016-02-29 2017-11-28 Sunpower Corporation Die-cutting approaches for foil-based metallization of solar cells
US11424373B2 (en) 2016-04-01 2022-08-23 Sunpower Corporation Thermocompression bonding approaches for foil-based metallization of non-metal surfaces of solar cells
US9882071B2 (en) * 2016-07-01 2018-01-30 Sunpower Corporation Laser techniques for foil-based metallization of solar cells
US20180006172A1 (en) * 2016-07-01 2018-01-04 Sunpower Corporation Metallization structures for solar cells
DE102016115355A1 (de) * 2016-08-18 2018-02-22 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Verfahren zum Anheften einer metallischen Folie an eine Oberfläche eines Halbleitersubstrats und Halbleiterbauelement mit einer metallischen Folie
USD822890S1 (en) 2016-09-07 2018-07-10 Felxtronics Ap, Llc Lighting apparatus
US10115855B2 (en) * 2016-09-30 2018-10-30 Sunpower Corporation Conductive foil based metallization of solar cells
TWI580058B (zh) * 2016-10-26 2017-04-21 財團法人工業技術研究院 太陽能電池
US20180286991A1 (en) * 2017-03-31 2018-10-04 Sunpower Corporation Coated foil-based metallization of solar cells
US10775030B2 (en) 2017-05-05 2020-09-15 Flex Ltd. Light fixture device including rotatable light modules
USD846793S1 (en) 2017-08-09 2019-04-23 Flex Ltd. Lighting module locking mechanism
USD877964S1 (en) 2017-08-09 2020-03-10 Flex Ltd. Lighting module
USD862777S1 (en) 2017-08-09 2019-10-08 Flex Ltd. Lighting module wide distribution lens
USD833061S1 (en) 2017-08-09 2018-11-06 Flex Ltd. Lighting module locking endcap
USD832494S1 (en) 2017-08-09 2018-10-30 Flex Ltd. Lighting module heatsink
USD872319S1 (en) 2017-08-09 2020-01-07 Flex Ltd. Lighting module LED light board
USD832495S1 (en) 2017-08-18 2018-10-30 Flex Ltd. Lighting module locking mechanism
USD862778S1 (en) 2017-08-22 2019-10-08 Flex Ltd Lighting module lens
USD888323S1 (en) 2017-09-07 2020-06-23 Flex Ltd Lighting module wire guard
DE102018105450A1 (de) * 2018-03-09 2019-09-12 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Verfahren zur Herstellung einer photovoltaischen Solarzelle und photovoltaische Solarzelle
JP7471229B2 (ja) * 2018-04-06 2024-04-19 マキシオン ソーラー プライベート リミテッド レーザービームを使用した半導体基板の局所メタライゼーション
KR102350960B1 (ko) * 2019-04-25 2022-01-14 엘지전자 주식회사 태양전지의 제조 방법
JP2022548450A (ja) * 2019-06-14 2022-11-21 キャスリン・フィッシャー バックコンタクト光起電力セルを金属箔相互接続したソーラモジュール
EP3817070B1 (en) * 2019-10-31 2023-06-28 CSEM Centre Suisse D'electronique Et De Microtechnique SA Method of manufacturing a photovoltaic device
US11165387B2 (en) 2020-03-03 2021-11-02 Sunpower Corporation Current cyclical testing for PV electrical connections

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008066316A (ja) * 2004-12-27 2008-03-21 Naoetsu Electronics Co Ltd 裏面接合型太陽電池及びその製造方法
US20130112233A1 (en) * 2011-10-31 2013-05-09 Kevin Michael Coakley Interdigitated foil interconnect for rear-contact solar cells

Family Cites Families (89)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4058418A (en) 1974-04-01 1977-11-15 Solarex Corporation Fabrication of thin film solar cells utilizing epitaxial deposition onto a liquid surface to obtain lateral growth
US3993533A (en) 1975-04-09 1976-11-23 Carnegie-Mellon University Method for making semiconductors for solar cells
US4318938A (en) 1979-05-29 1982-03-09 The University Of Delaware Method for the continuous manufacture of thin film solar cells
DE3036260A1 (de) 1980-09-26 1982-04-29 Licentia Patent-Verwaltungs-Gmbh, 6000 Frankfurt Verfahren zur herstellung von elektrischen kontakten an einer silizium-solarzelle
US4400577A (en) 1981-07-16 1983-08-23 Spear Reginald G Thin solar cells
US4433200A (en) 1981-10-02 1984-02-21 Atlantic Richfield Company Roll formed pan solar module
US4482780A (en) 1982-11-30 1984-11-13 The United States Of America As Represented By The United States Department Of Energy Solar cells with low cost substrates and process of making same
US4461922A (en) 1983-02-14 1984-07-24 Atlantic Richfield Company Solar cell module
US4691076A (en) 1984-09-04 1987-09-01 Texas Instruments Incorporated Solar array with aluminum foil matrix
CN1007766B (zh) * 1984-09-04 1990-04-25 得克萨斯仪器股份有限公司 太阳能电池阵列
US4581103A (en) 1984-09-04 1986-04-08 Texas Instruments Incorporated Method of etching semiconductor material
US4917752A (en) 1984-09-04 1990-04-17 Texas Instruments Incorporated Method of forming contacts on semiconductor members
US4957601A (en) 1984-09-04 1990-09-18 Texas Instruments Incorporated Method of forming an array of apertures in an aluminum foil
US4582588A (en) 1984-09-04 1986-04-15 Texas Instruments Incorporated Method of anodizing and sealing aluminum
US4697041A (en) 1985-02-15 1987-09-29 Teijin Limited Integrated solar cells
US4617421A (en) 1985-04-01 1986-10-14 Sovonics Solar Systems Photovoltaic cell having increased active area and method for producing same
US4695674A (en) 1985-08-30 1987-09-22 The Standard Oil Company Preformed, thin-film front contact current collector grid for photovoltaic cells
DE3725269A1 (de) 1987-07-30 1989-02-09 Messerschmitt Boelkow Blohm Verfahren zum einkapseln von mikroelektronischen halbleiter- und schichtschaltungen
US5091319A (en) 1989-07-31 1992-02-25 Hotchkiss Gregory B Method of affixing silicon spheres to a foil matrix
AU651486B2 (en) 1991-08-30 1994-07-21 Canon Kabushiki Kaisha Photoelectric conversion element and fabrication method thereof
JP2000509909A (ja) 1997-02-21 2000-08-02 コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ 熱フォイルエンボス技術を用いた基板を選択的にメタライズする方法
US5951786A (en) 1997-12-19 1999-09-14 Sandia Corporation Laminated photovoltaic modules using back-contact solar cells
WO1999040760A1 (en) 1998-02-06 1999-08-12 Flexcon Company Inc. Thin film transferable electric components
US6159832A (en) 1998-03-18 2000-12-12 Mayer; Frederick J. Precision laser metallization
AU2233900A (en) 1999-03-23 2000-09-28 Kaneka Corporation Photovoltaic module
JP2001007362A (ja) 1999-06-17 2001-01-12 Canon Inc 半導体基材および太陽電池の製造方法
DE10020412A1 (de) 2000-04-26 2001-11-08 Univ Konstanz Verfahren und Vorrichtung zum Anbringen einer Metallfolie an einen Halbleiterwafer, Halbleitervorrichtung und Verwendung
WO2002075816A1 (fr) 2001-03-19 2002-09-26 Shin-Etsu Handotai Co.,Ltd. Pile solaire et son procede de fabrication
AUPR719701A0 (en) * 2001-08-23 2001-09-13 Pacific Solar Pty Limited Chain link metal interconnect structure
US6635307B2 (en) 2001-12-12 2003-10-21 Nanotek Instruments, Inc. Manufacturing method for thin-film solar cells
JP2003246971A (ja) 2002-02-25 2003-09-05 Kansai Tlo Kk 箔状ないし膜状物体の接着方法及びその方法によって得られた衝撃波速度計測用ターゲット
DE10393252T5 (de) 2002-09-06 2005-09-08 Dai Nippon Printing Co., Ltd. Rückseitenschutzschicht für ein Solarzellenmodul und Solarzellenmodul unter Verwendung derselben
JP2004103959A (ja) 2002-09-11 2004-04-02 Matsushita Electric Ind Co Ltd 太陽電池およびその製造方法
WO2004096483A1 (ja) 2003-04-25 2004-11-11 Nitto Denko Corporation レーザー加工品の製造方法、およびそれに用いるレーザー加工用粘着シート
US8048477B2 (en) * 2004-02-19 2011-11-01 Nanosolar, Inc. Chalcogenide solar cells
US20080223429A1 (en) 2004-08-09 2008-09-18 The Australian National University Solar Cell (Sliver) Sub-Module Formation
US7276724B2 (en) * 2005-01-20 2007-10-02 Nanosolar, Inc. Series interconnected optoelectronic device module assembly
US7732229B2 (en) * 2004-09-18 2010-06-08 Nanosolar, Inc. Formation of solar cells with conductive barrier layers and foil substrates
US8637340B2 (en) 2004-11-30 2014-01-28 Solexel, Inc. Patterning of silicon oxide layers using pulsed laser ablation
US8399331B2 (en) 2007-10-06 2013-03-19 Solexel Laser processing for high-efficiency thin crystalline silicon solar cell fabrication
US7759158B2 (en) * 2005-03-22 2010-07-20 Applied Materials, Inc. Scalable photovoltaic cell and solar panel manufacturing with improved wiring
US7795600B2 (en) 2006-03-24 2010-09-14 Goldeneye, Inc. Wavelength conversion chip for use with light emitting diodes and method for making same
TWI310949B (en) * 2006-06-21 2009-06-11 Yageo Corp A process for making a resistor component with metal foil
DE102006044936B4 (de) 2006-09-22 2008-08-07 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Verfahren zur Metallisierung von Solarzellen und dessen Verwendung
US20080128019A1 (en) 2006-12-01 2008-06-05 Applied Materials, Inc. Method of metallizing a solar cell substrate
JP2008153251A (ja) * 2006-12-14 2008-07-03 Iwao Kawasaki 太陽電池
US20080216887A1 (en) 2006-12-22 2008-09-11 Advent Solar, Inc. Interconnect Technologies for Back Contact Solar Cells and Modules
WO2009033214A1 (en) * 2007-09-10 2009-03-19 Dyesol Industries Pty Ltd A method for manufacturing solar cells
JP5252472B2 (ja) 2007-09-28 2013-07-31 シャープ株式会社 太陽電池、太陽電池の製造方法、太陽電池モジュールの製造方法および太陽電池モジュール
US20170005206A1 (en) 2007-10-06 2017-01-05 Solexel, Inc. Patterning of silicon oxide layers using pulsed laser ablation
JP2009130116A (ja) 2007-11-22 2009-06-11 Sharp Corp 素子間配線部材、光電変換素子およびこれらを用いた光電変換素子接続体ならびに光電変換モジュール
JP4870100B2 (ja) 2008-01-30 2012-02-08 日清紡ホールディングス株式会社 テープ状体の配設装置
US8481845B2 (en) 2008-02-05 2013-07-09 Gtat Corporation Method to form a photovoltaic cell comprising a thin lamina
JP2009302327A (ja) * 2008-06-13 2009-12-24 Sharp Corp 配線部材の接続構造およびそれを備えた太陽電池モジュールならびにその製造方法
DE102008062591A1 (de) 2008-08-08 2010-03-04 Deutsche Cell Gmbh Halbleiter-Bauelement
US20100065116A1 (en) * 2008-08-13 2010-03-18 Robert Stancel Impact Resistant Thin-Glass Solar Modules
CN102132423A (zh) * 2008-08-27 2011-07-20 应用材料股份有限公司 背接触式太阳能电池模块
EP2387803B1 (en) 2009-01-14 2016-07-13 Philips Lighting Holding B.V. A method for deposition of at least one electrically conducting film on a substrate
US20100229928A1 (en) * 2009-03-12 2010-09-16 Twin Creeks Technologies, Inc. Back-contact photovoltaic cell comprising a thin lamina having a superstrate receiver element
JP2012521662A (ja) 2009-03-26 2012-09-13 ビーピー・コーポレーション・ノース・アメリカ・インコーポレーテッド 熱拡散ドープ領域中にレーザー焼成コンタクトを有する太陽電池セルのための装置及び方法
KR20120031302A (ko) 2009-07-02 2012-04-02 샤프 가부시키가이샤 배선 시트가 부착된 태양 전지 셀, 태양 전지 모듈 및 배선 시트가 부착된 태양 전지 셀의 제조 방법
JP2011054831A (ja) 2009-09-03 2011-03-17 Sharp Corp バックコンタクト型太陽電池セル、太陽電池ストリングおよび太陽電池モジュール
JP5376590B2 (ja) * 2009-09-18 2013-12-25 シャープ株式会社 配線シート付き太陽電池セルおよび太陽電池モジュール
US8772068B2 (en) * 2009-10-26 2014-07-08 Newsouth Innovations Pty Limited Metallization method for silicon solar cells
KR20110071375A (ko) 2009-12-21 2011-06-29 현대중공업 주식회사 후면전계형 이종접합 태양전지 및 그 제조방법
JP5480782B2 (ja) * 2010-01-21 2014-04-23 富士フイルム株式会社 太陽電池および太陽電池の製造方法
DE102010012457B4 (de) * 2010-03-24 2015-07-30 Semikron Elektronik Gmbh & Co. Kg Schaltungsanordnung mit einer elektrischen Komponente und einer Verbundfolie
KR20140015247A (ko) 2010-08-05 2014-02-06 솔렉셀, 인크. 태양전지용 백플레인 보강 및 상호연결부
US20130000715A1 (en) * 2011-03-28 2013-01-03 Solexel, Inc. Active backplane for thin silicon solar cells
TWI593322B (zh) * 2010-11-19 2017-07-21 帝斯曼知識產權資產管理有限公司 金屬箔圖案積層體、金屬箔之模切方法、電路基板及其製造方法、以及太陽能電池模組
WO2012125587A1 (en) * 2011-03-11 2012-09-20 Avery Dennison Corporation Sheet assembly with aluminum based electrodes
WO2012135052A1 (en) * 2011-03-25 2012-10-04 Kevin Michael Coakley Foil-based interconnect for rear-contact solar cells
US20130137244A1 (en) 2011-05-26 2013-05-30 Solexel, Inc. Method and apparatus for reconditioning a carrier wafer for reuse
CN102867882A (zh) * 2011-07-08 2013-01-09 元智大学 太阳能电池的结构制法
US20140318611A1 (en) 2011-08-09 2014-10-30 Solexel, Inc. Multi-level solar cell metallization
KR101863294B1 (ko) * 2011-11-25 2018-05-31 인텔렉츄얼 키스톤 테크놀로지 엘엘씨 태양전지 및 그 제조 방법
CN202363468U (zh) * 2011-12-08 2012-08-01 常州天合光能有限公司 点接触背发射极异质结太阳电池
US20130160825A1 (en) 2011-12-22 2013-06-27 E I Du Pont De Nemours And Company Back contact photovoltaic module with glass back-sheet
CN104011882A (zh) 2012-01-12 2014-08-27 应用材料公司 制造太阳能电池装置的方法
CN104247579B (zh) * 2012-02-03 2017-10-24 艾利丹尼森公司 光伏背板的激光图案化
US8766090B2 (en) 2012-03-19 2014-07-01 Rec Solar Pte. Ltd. Method for metallization or metallization and interconnection of back contact solar cells
JP2013214717A (ja) * 2012-04-03 2013-10-17 Samsung Sdi Co Ltd 光電素子及び光電素子の製造方法
DE102012214254A1 (de) 2012-08-10 2014-05-22 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Laserbasiertes Verfahren und Bearbeitungstisch zur lokalen Kontaktierung eines Halbleiterbauelements
JP6103867B2 (ja) 2012-09-12 2017-03-29 シャープ株式会社 光電変換素子および光電変換素子の製造方法
US9040409B2 (en) 2013-03-15 2015-05-26 Applied Materials, Inc. Methods of forming solar cells and solar cell modules
WO2015070250A1 (en) 2013-11-11 2015-05-14 Solexel, Inc. Dielectric-passivated metal insulator photovoltaic solar cells
WO2015073591A1 (en) 2013-11-12 2015-05-21 Solexel, Inc. Metal foil metallization for backplane-attached solar cells and modules
US9231129B2 (en) 2014-03-28 2016-01-05 Sunpower Corporation Foil-based metallization of solar cells
US9337369B2 (en) 2014-03-28 2016-05-10 Sunpower Corporation Solar cells with tunnel dielectrics

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008066316A (ja) * 2004-12-27 2008-03-21 Naoetsu Electronics Co Ltd 裏面接合型太陽電池及びその製造方法
US20130112233A1 (en) * 2011-10-31 2013-05-09 Kevin Michael Coakley Interdigitated foil interconnect for rear-contact solar cells
KR20140105450A (ko) * 2011-10-31 2014-09-01 케빈 마이클 코클리 후방-접촉 태양 전지를 위한 깍지끼움형 포일 상호 연결부

Also Published As

Publication number Publication date
US20150280021A1 (en) 2015-10-01
US20160079450A1 (en) 2016-03-17
PH12016501675A1 (en) 2016-11-07
JP6652927B2 (ja) 2020-02-26
MX357666B (es) 2018-07-13
CN108470115A (zh) 2018-08-31
TW201611321A (zh) 2016-03-16
AU2015236208A1 (en) 2016-07-07
US11967657B2 (en) 2024-04-23
US9627566B2 (en) 2017-04-18
JP2017510985A (ja) 2017-04-13
EP3123526A1 (en) 2017-02-01
US10090421B2 (en) 2018-10-02
JP7070986B2 (ja) 2022-05-18
KR102373266B1 (ko) 2022-03-10
US20190019900A1 (en) 2019-01-17
EP3123526A4 (en) 2017-03-29
CN108470115B (zh) 2023-04-14
JP2020098914A (ja) 2020-06-25
AU2015236208B2 (en) 2020-01-02
SG11201607959QA (en) 2016-10-28
WO2015148573A1 (en) 2015-10-01
US20240222534A1 (en) 2024-07-04
US10615296B2 (en) 2020-04-07
MX2016012343A (es) 2017-04-10
US9231129B2 (en) 2016-01-05
CN106471627B (zh) 2018-06-12
BR112016022522A2 (pt) 2021-05-18
PH12016501675B1 (en) 2016-11-07
US20170222068A1 (en) 2017-08-03
TWI674679B (zh) 2019-10-11
EP3123526B1 (en) 2018-06-06
US20210020794A1 (en) 2021-01-21
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