KR20160141768A - 박리층 형성용 조성물 - Google Patents
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Abstract
본 발명은, 박리층이 형성되는 유리 기판과의 밀착성이 유지되고 유리 기판과의 계면에서의 박리가 발생하지 않는 한편, 박리층보다 상부에 형성되는 층 또는 층군을 박리층으로부터 간이하게 박리할 수 있는, 그 박리층을 형성하기 위한 조성물을 제공한다. 본 발명은, 유리 기판 바로 위에 형성하는 박리층을 형성하기 위한 조성물로서, 그 조성물이 (A) 방향족 폴리이미드 및/또는 방향족 폴리이미드 전구체;및 (B) 아미드계 용매;를 갖고, 상기 (A) 유래의 방향족 폴리이미드는, 하기 (1) ∼ (4) 를 만족하는 조성물을 제공한다:
(1) 가열시의 중량 변화에 있어서의 1 % 중량 감소의 온도가 500 ℃ 이상;
(2) 파장 1000 ㎚ 에서 굴절률이 1.7 이상;
(3) 파장 1000 ㎚ 에서 굴절률과 복굴절의 차가 0.15 이상;및
(4) 표면 에너지가 40 dyne/㎝ 이상.
(1) 가열시의 중량 변화에 있어서의 1 % 중량 감소의 온도가 500 ℃ 이상;
(2) 파장 1000 ㎚ 에서 굴절률이 1.7 이상;
(3) 파장 1000 ㎚ 에서 굴절률과 복굴절의 차가 0.15 이상;및
(4) 표면 에너지가 40 dyne/㎝ 이상.
Description
본 발명은 유리 기판 바로 위에 형성하는 박리층을 형성하기 위한 조성물에 관한 것이다.
최근, 전자 디바이스에는 구부린다는 기능 부여나 박형화 및 경량화와 같은 성능이 요구되고 있다. 이로부터, 종래의 무겁고 취약하고 구부릴 수 없는 유리 기판 대신에, 경량인 플렉시블 플라스틱 기판을 사용하는 것이 요구된다. 또, 신세대 디스플레이에서는, 경량인 플렉시블 플라스틱 기판을 사용하는, 액티브 풀 컬러 (active full-color) TFT 디스플레이 패널의 개발이 요구되고 있다.
그래서, 수지 필름을 기판으로 한 전자 디바이스의 제조 방법이 각종 검토되기 시작하였으며, 신세대 디스플레이에서는, 기존의 TFT 설비를 전용 (轉用) 가능한 프로세스로 제조 검토가 진행되고 있다.
특허문헌 1, 2 및 3 은, 유리 기판 상에 아모르퍼스 실리콘 박막층을 형성하고, 그 박막층 상에 플라스틱 기판을 형성한 후에, 유리면측으로부터 레이저를 조사하여, 아모르퍼스 실리콘의 결정화에 수반하여 발생하는 수소 가스에 의해 플라스틱 기판을 유리 기판으로부터 박리하는 방법을 개시한다.
또, 특허문헌 4 는, 특허문헌 1 ∼ 3 개시의 기술을 이용하여 피박리층 (특허문헌 4 에 있어서 「피전사층」 이라고 기재된다) 을 플라스틱 필름에 첩부 (貼付) 하여 액정 표시 장치를 완성시키는 방법을 개시한다.
그러나, 특허문헌 1 ∼ 4 개시의 방법, 특히 특허문헌 4 개시의 방법은, 투광성이 높은 기판을 사용하는 것이 필수이며, 기판을 통과시키고, 또한 비정질 실리콘에 포함되는 수소를 방출시키는 데 충분한 에너지를 주기 때문에, 비교적 큰 레이저 광의 조사가 필요해지고, 피박리층에 손상을 주어 버린다는 문제가 있다. 또, 레이저 처리에 장시간을 필요로 하고, 큰 면적을 갖는 피박리층을 박리하는 것은 곤란하기 때문에, 디바이스 제조의 생산성을 올리는 것은 어렵다는 문제도 있다.
그래서, 본 발명의 목적은 상기 과제를 해결하는 것에 있다.
구체적으로는, 본 발명의 목적은, 플렉시블 전자 디바이스에 적용되는 기판에 손상을 주는 일 없이 박리시키기 위한 박리층을 형성하기 위한 조성물을 제공하는 것에 있다.
또, 본 발명의 목적은, 상기 목적에 더하여, 또는 상기 목적 이외에, 박리층이 형성되는 유리 기판과의 밀착성이 유지되고 유리 기판과의 계면에서의 박리가 발생하지 않는 한편, 박리층보다 상부에 형성되는 층 또는 층군을 박리층으로부터 간이하게 박리할 수 있는, 그 박리층을 형성하기 위한 조성물을 제공하는 것에 있다.
본 발명자는 이하의 발명을 알아내었다.
<1> 유리 기판 바로 위에 형성하는 박리층을 형성하기 위한 조성물로서,
그 조성물이
(A) 방향족 폴리이미드 및/또는 방향족 폴리이미드 전구체;및
(B) 아미드계 용매;
를 갖고,
(A) 유래의 방향족 폴리이미드는 하기 (1) ∼ (4) 를 만족하는, 상기 조성물.
(1) 가열시의 중량 변화에 있어서의 1 % 중량 감소의 온도가 500 ℃ 이상;
(2) 파장 1000 ㎚ 에서 굴절률이 1.7 이상;
(3) 파장 1000 ㎚ 에서 굴절률과 복굴절의 차가 0.15 이상;및
(4) 표면 에너지가 40 dyne/㎝ 이상.
<2> 상기 <1> 에 있어서, (A) 성분이, p-페닐렌디아민 및 터페닐디아민으로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1 종의 디아민 성분을 사용하여 제조되는 것이 좋다.
<3> 상기 <2> 에 있어서, p-페닐렌디아민 및/또는 터페닐디아민의 양이, 전체 디아민 성분 100 몰% 중, 70 몰% 이상인 것이 좋다.
<4> 상기 <1> ∼ <3> 중 어느 하나에 있어서, (A) 성분이, 비페닐 골격, 이미다졸 골격 및 옥사졸 골격으로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1 종의 제 1 골격을 갖는 방향족 디아민을 사용하여 제조되는 것이 좋다.
<5> 상기 <1> ∼ <4> 중 어느 하나에 있어서, (A) 성분이, 벤젠 골격, 나프탈렌 골격 및 비페닐 골격으로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1 종의 제 2 골격을 갖는 산 2무수물을 사용하여 제조되는 것이 좋다.
<6> 상기 <1> ∼ <3> 중 어느 하나에 있어서, (B) 성분이, 하기 식 (I) 로 나타내는 용매, 및/또는 (II) (식 중, R1 및 R2 는 각각 독립적으로, 탄소 원자수 1 ∼ 4 의 알킬기를 나타내고, h 는 자연수를 나타낸다) 로 나타내는 용매인 것이 좋다.
[화학식 1]
<7> 상기 <1> ∼ <6> 중 어느 하나에 기재되는 조성물을 사용하여 형성되는, 유리 기판 바로 위에 형성되는 박리층.
<8> 피박리체의 제조 방법으로서,
a) 상기 <1> ∼ <6> 중 어느 하나에 기재되는 조성물을 유리 기판 상에 도포한 후, 박리층을 형성하는 공정;
b) 그 박리층 상에, 피박리체를 형성하는 공정;및
c) 박리층과 피박리체의 계면에 있어서, 피박리체를 박리하는 공정;
을 가짐으로써, 피박리체를 얻는 상기 방법.
본 발명에 의해 상기 과제를 해결할 수 있다.
구체적으로는, 본 발명에 의해, 플렉시블 전자 디바이스에 적용되는 기판에 손상을 주는 일 없이 박리시키기 위한 박리층을 형성하기 위한 조성물을 제공할 수 있다.
또, 본 발명에 의해, 상기 효과에 더하여, 또는 상기 효과 이외에, 박리층이 형성되는 유리 기판과의 밀착성이 유지되고 유리 기판과의 계면에서의 박리가 발생하지 않는 한편, 박리층보다 상부에 형성되는 층 또는 층군을 박리층으로부터 간이하게 박리할 수 있는, 그 박리층을 형성하기 위한 조성물을 제공할 수 있다.
본원은, 유리 기판 바로 위에 형성하는 박리층을 형성하기 위한 조성물을 제공한다.
이하, 그 조성물에 대하여 상세히 서술한다.
<조성물>
본 발명의 조성물은, (A) 방향족 폴리이미드 및/또는 방향족 폴리이미드 전구체;및 (B) 아미드계 용매;를 갖는다.
<<(A) 성분>>
(A) 성분은, 방향족 폴리이미드 및/또는 방향족 폴리이미드 전구체이다.
여기서, 「방향족 폴리이미드」 란, 폴리이미드를 구성하는 디아민 성분 및 산 2무수물 성분 중 쌍방이 방향족기를 갖고, 그러므로 그것에 의해 얻어진 폴리이미드가, 오로지 방향족기를 주사슬에 갖는 것을 의미한다.
또, 「방향족 폴리이미드 전구체」 란, 상기 방향족 폴리이미드의 전구체를 말하며, 전형적으로는, 폴리아믹산, 폴리아믹산에스테르, 폴리이소이미드를 들 수 있으며, 바람직하게는 폴리아믹산인 것이 좋다.
구체적으로는, 방향족 폴리이미드로서, 그 폴리이미드를 구성하는 디아민 성분 및 산 2무수물 성분으로 나누어, 다음의 것을 들 수 있지만, 이들에 한정되지 않는다.
<디아민 성분>
방향족기를 갖는 디아민 성분으로서, 1,4-디아미노벤젠(p-페닐렌디아민), 1,3-디아미노벤젠(m-페닐렌디아민), 1,2-디아미노벤젠(o-페닐렌디아민), 2,4-디아미노톨루엔, 2,5-디아미노톨루엔, 2,6-디아미노톨루엔, 4,6-디메틸-m-페닐렌디아민, 2,5-디메틸-p-페닐렌디아민2,6-디메틸-p-페닐렌디아민2,4-비스(아미노-t-부틸)톨루엔2,4,6-트리메틸-1,3-페닐렌디아민, 2,3,5,6-테트라메틸-p-페닐렌디아민, m-자일릴렌디아민, p-자일릴렌디아민, 5-트리플루오로메틸벤젠-1,3-디아민, 5-트리플루오로메틸벤젠-1,2-디아민, 3,5-비스(트리플루오로메틸)벤젠-1,2-디아민 등의 벤젠 핵 1 개의 디아민, 4,4'-디아미노디페닐에테르, 3,4'-디아미노디페닐에테르, 4,4'-디아미노디페닐메탄, 3,3'-디메틸-4,4'-디아미노비페닐, 2,2'-디메틸-4,4'-디아미노비페닐, 2,2'-비스(트리플루오로메틸)-4,4'-디아미노비페닐, 3,3'-디메틸-4,4'-디아미노디페닐메탄, 3,3'-디카르복시-4,4'-디아미노디페닐메탄, 3,3',5,5'-테트라메틸-4,4'-디아미노디페닐메탄, 비스(4-아미노페닐)술파이드, 4,4'-디아미노벤즈아닐리드, 3,3'-디클로로벤지딘, 3,3'-디메틸벤지딘, 2,2'-디메틸벤지딘, 3,3'-디메톡시벤지딘, 2,2'-디메톡시벤지딘, 3,3'-디아미노디페닐에테르, 3,4'-디아미노디페닐에테르, 4,4'-디아미노디페닐에테르, 3,3'-디아미노디페닐술파이드, 3,4'-디아미노디페닐술파이드, 4,4'-디아미노디페닐술파이드, 3,3'-디아미노디페닐술폰, 3,4'-디아미노디페닐술폰, 4,4'-디아미노디페닐술폰, 3,3'-디아미노벤조페논, 3,3'-디아미노-4,4'-디클로로벤조페논, 3,3'-디아미노-4,4'-디메톡시벤조페논, 3,3'-디아미노디페닐메탄, 3,4'-디아미노디페닐메탄, 4,4'-디아미노디페닐메탄, 2,2-비스(3-아미노페닐)프로판, 2,2-비스(4-아미노페닐)프로판, 2,2-비스(3-아미노페닐)-1,1,1,3,3,3-헥사플루오로프로판, 2,2-비스(4-아미노페닐)-1,1,1,3,3,3-헥사플루오로프로판, 3,3'-디아미노디페닐술폭시드, 3,4'-디아미노디페닐술폭시드, 4,4'-디아미노디페닐술폭시드, 2,2'-비스(트리플루오로메틸)비페닐-4,4'-디아민, 3,3'-비스(트리플루오로메틸)비페닐-4,4'-디아민, 3,3',5,5'-테트라플루오로비페닐-4,4'-디아민, 4,4'-디아미노옥타플루오로비페닐 등의 벤젠 핵 2 개의 디아민, 1,3-비스(3-아미노페닐)벤젠, 1,3-비스(4-아미노페닐)벤젠, 1,4-비스(3-아미노페닐)벤젠, 1,4-비스(4-아미노페닐)벤젠, 1,3-비스(4-아미노페녹시)벤젠, 1,4-비스(3-아미노페녹시)벤젠, 1,4-비스(4-아미노페녹시)벤젠, 1,3-비스(3-아미노페녹시)-4-트리플루오로메틸벤젠, 3,3'-디아미노-4-(4-페닐)페녹시벤조페논, 3,3'-디아미노-4,4'-디(4-페닐페녹시)벤조페논, 1,3-비스(3-아미노페닐술파이드)벤젠, 1,3-비스(4-아미노페닐술파이드)벤젠, 1,4-비스(4-아미노페닐술파이드)벤젠, 1,3-비스(3-아미노페닐술폰)벤젠, 1,3-비스(4-아미노페닐술폰)벤젠, 1,4-비스(4-아미노페닐술폰)벤젠, 1,3-비스[2-(4-아미노페닐)이소프로필]벤젠, 1,4-비스[2-(3-아미노페닐)이소프로필]벤젠, 1,4-비스[2-(4-아미노페닐)이소프로필]벤젠 등의 벤젠 핵 3 개의 디아민, 3,3'-비스(3-아미노페녹시)비페닐, 3,3'-비스(4-아미노페녹시)비페닐, 4,4'-비스(3-아미노페녹시)비페닐, 4,'-비스(4-아미노페녹시)비페닐, 비스[3-(3-아미노페녹시)페닐]에테르, 비스[3-(4-아미노페녹시)페닐]에테르, 비스[4-(3-아미노페녹시)페닐]에테르, 비스[4-(4-아미노페녹시)페닐]에테르, 비스[3-(3-아미노페녹시)페닐]케톤, 비스[3-(4-아미노페녹시)페닐]케톤, 비스[4-(3-아미노페녹시)페닐]케톤, 비스[4-(4-아미노페녹시)페닐]케톤 (비스(4-아미노페녹시)벤조페논), 비스[3-(3-아미노페녹시)페닐]술파이드, 비스[3-(4-아미노페녹시)페닐]술파이드, 비스[4-(3-아미노페녹시)페닐]술파이드, 비스[4-(4-아미노페녹시)페닐]술파이드, 비스[3-(3-아미노페녹시)페닐]술폰, 비스[3-(4-아미노페녹시)페닐]술폰, 비스[4-(3-아미노페녹시)페닐]술폰, 비스[4-(4-아미노페녹시)페닐]술폰, 비스[3-(3-아미노페녹시)페닐]메탄, 비스[3-(4-아미노페녹시)페닐]메탄, 비스[4-(3-아미노페녹시)페닐]메탄, 비스[4-(4-아미노페녹시)페닐]메탄, 2,2-비스[3-(3-아미노페녹시)페닐]프로판, 2,2-비스[3-(4-아미노페녹시)페닐]프로판, 2,2-비스[4-(3-아미노페녹시)페닐]프로판, 2,2-비스[4-(4-아미노페녹시)페닐]프로판, 2,2-비스[3-(3-아미노페녹시)페닐]-1,1,1,3,3,3-헥사플루오로프로판, 2,2-비스[3-(4-아미노페녹시)페닐]-1,1,1,3,3,3-헥사플루오로프로판, 2,2-비스[4-(3-아미노페녹시)페닐]-1,1,1,3,3,3-헥사플루오로프로판, 2,2-비스[4-(4-아미노페녹시)페닐]-1,1,1,3,3,3-헥사플루오로프로판, 9,9-비스(4-아미노페닐)플루오렌, 9,9-비스(4-아미노페닐)플루오렌, 9,9'-비스(4-아미노페녹시페닐)플루오렌 등의 벤젠 핵 4 개 이상의 디아민, 5-아미노-2-(p-아미노페닐)벤조옥사졸, 5-아미노-2-(m-아미노페닐)벤조옥사졸, 6-아미노-2-(p-아미노페닐)벤조옥사졸, 6-아미노-2-(m-아미노페닐)벤조옥사졸, 2,2'-p-페닐렌비스(5-아미노벤조옥사졸), 2,2'-p-페닐렌비스(6-아미노벤조옥사졸), 1-(5-아미노벤조옥사졸로)-4-(6-아미노벤조옥사졸로)벤젠, 2,6-(4,4'-디아미노디페닐)벤조[1,2-d:5,4-d']비스옥사졸, 2,6-(4,4'-디아미노디페닐)벤조[1,2-d:4,5-d']비스옥사졸, 2,6-(3,4'-디아미노디페닐)벤조[1,2-d:5,4-d']비스옥사졸, 2,6-(3,4'-디아미노디페닐)벤조[1,2-d:4,5-d']비스옥사졸, 2,6-(3,3'-디아미노디페닐)벤조[1,2-d:5,4-d']비스옥사졸, 2,6-(3,3'-디아미노디페닐)벤조[1,2-d:4,5-d']비스옥사졸, 2,4-디아미노피리딘, 2,6-디아미노피리딘, 2,5-디아미노피리딘 등의 벤조옥사졸 구조를 갖는 디아민 등을 들 수 있지만, 이들에 한정되지 않는다. 이들은 단독으로도, 2 종 이상을 혼합하여 사용할 수도 있다.
디아민 성분은, 어느 면에 있어서, p-페닐렌디아민 및 터페닐디아민으로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1 종의 디아민 성분을 사용하는 것이 좋다.
이 경우, p-페닐렌디아민 및/또는 터페닐디아민의 양이, 전체 디아민 성분 100 몰% 중, 70 몰% 이상, 바람직하게는 80 몰% 이상, 보다 바람직하게는 90 몰% 이상인 것이 좋다.
디아민 성분은, 다른 면에 있어서, 비페닐 골격, 이미다졸 골격 및 옥사졸 골격으로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1 종의 제 1 골격을 갖는 방향족 디아민인 것이 좋다.
<산 2무수물 성분>
방향족기를 갖는 산 2무수물 성분으로서, 벤젠 골격을 갖는 산 2무수물, 나프탈렌 골격을 갖는 산 2무수물, 비페닐 골격을 갖는 산 2무수물 등을 들 수 있지만, 이들에 한정되지 않는다.
구체적으로는, 피로멜리트산 2무수물, 3,3',4,4'-비페닐테트라카르복실산 2무수물, 2,2',3,3'-비페닐테트라카르복실산 2무수물, 2,3,3',4'-비페닐테트라카르복실산 2무수물 옥시디프탈산 2무수물, 디페닐술폰-3,4,3',4'-테트라카르복실산 2무수물, 비스(3,4-디카르복시페닐)술파이드 2무수물, 2,2-비스(3,4-디카르복시페닐)-1,1,1,3,3,3-헥사플루오로프로판 2무수물, 2,3,3',4'-벤조페논테트라카르복실산 2무수물, 3,3',4,4'-벤조페논테트라카르복실산 2무수물, 비스(3,4-디카르복시페닐)메탄 2무수물, 2,2-비스(3,4-디카르복시페닐)프로판 2무수물, p-페닐렌비스(트리멜리트산모노에스테르산 무수물), p-메틸페닐렌비스(트리멜리트산모노에스테르산 무수물), p-(2,3-디메틸페닐렌)비스(트리멜리트산모노에스테르산 무수물), 4,4'-비페닐렌비스(트리멜리트산모노에스테르산 무수물), 1,4-나프탈렌비스(트리멜리트산모노에스테르산 무수물), 2,6-나프탈렌비스(트리멜리트산모노에스테르산 무수물) 2,2-비스(4-하이드록시페닐)프로판디벤조에이트-3,3',4,4'-테트라카르복실산 2무수물, m-터페닐-3,4,3',4'-테트라카르복실산 2무수물, p-터페닐-3,4,3',4'-테트라카르복실산 2무수물, 1,3-비스(3,4-디카르복시페녹시)벤젠 2무수물, 1,4-비스(3,4-디카르복시페녹시)벤젠 2무수물, 1,4-비스(3,4-디카르복시페녹시)비페닐 2무수물, 2,2-비스[(3,4-디카르복시페녹시)페닐]프로판 2무수물, 2,3,6,7-나프탈렌테트라카르복실산 2무수물, 1,4,5,8-나프탈렌테트라카르복실산 2무수물, 4,4'-(2,2-헥사플루오로이소프로필리덴)디프탈산 2무수물, N,N'-(2,2'-비스{트리플루오로메틸}-[1,1'-비페닐]-4,4'-디일)비스(1,3-디옥소-1,3-디하이드록시벤조푸란-5-카르복시아미드) 등을 들 수 있지만, 이들에 한정되지 않는다. 이들은 단독으로도, 2 종 이상을 혼합하여 사용할 수도 있다.
<(A) 유래의 방향족 폴리이미드의 특성>
본원의 조성물의 (A) 에서 유래하는 방향족 폴리이미드는, 다음의 (1) ∼ (4) 의 특성을 갖는다.
<<(1) ∼ (4) 의 특성>>
(1) 가열시의 중량 변화에 있어서의 1 % 중량 감소의 온도가 500 ℃ 이상, 바람직하게는 520 ℃ 이상, 보다 바람직하게는 550 ℃ 이상;
(2) 파장 1000 ㎚ 에서 굴절률이 1.7 이상;
(3) 파장 1000 ㎚ 에서 굴절률과 복굴절의 차가 0.15 이상, 바람직하게는 0.16 이상;및
(4) 표면 에너지가 40 dyne/㎝ 이상, 바람직하게는 45 ∼ 70 dyne/㎝, 보다 바람직하게는 45 ∼ 60 dyne/㎝.
또한, 「(A) 에서 유래하는 방향족 폴리이미드」 또는 「(A) 유래의 방향족 폴리이미드」 란, (A) 성분이 「방향족 폴리이미드」 만으로 이루어지는 경우에는, 그 「방향족 폴리이미드」 를 말한다. 또, (A) 성분이 「방향족 폴리이미드 전구체」 만으로 이루어지는 경우, 그 전구체가 모두 「방향족 폴리이미드」 가 되었을 경우의 그 「방향족 폴리이미드」 를 말한다. (A) 성분이 「방향족 폴리이미드 A」 및 「방향족 폴리이미드 전구체 B」 를 갖는 경우, 「방향족 폴리이미드 전구체 B」 로부터 형성되는 「방향족 폴리이미드 B'」 와「방향족 폴리이미드 A」 의 전체를 말한다.
이들 특성을 가짐으로써, 조성물로부터 박리층을 형성한 경우, 그 박리층은 유리 기판과의 밀착성이 양호해지는 한편, 박리층 상에 피박리체를 형성한 경우, 그 피박리체는 커터 등으로 절입을 넣음으로써 용이하게 박리할 수 있다.
<(B) 성분>
본원의 조성물은, (B) 성분으로서, 아미드계 용매를 갖는다.
아미드계 용매란, 아미드기, 알킬아미드기를 갖는 액체를 의미한다.
아미드계 용매로서, 예를 들어 N메틸피롤리돈, N에틸피롤리돈, DMAc, DMF, 에크아미드 M, 에크아미드 B (이데미츠 흥산 (주) 제조) 등을 들 수 있지만, 이들에 한정되지 않는다.
아미드계 용매로서, 하기 식 (I) 로 나타내는 용매, 및/또는 (II) (식 중, R1 및 R2 는 각각 독립적으로, 탄소 원자수 1 ∼ 4 의 알킬기를 나타내고, h 는 자연수를 나타낸다) 로 나타내는 용매인 것이 좋다.
[화학식 2]
본원의 조성물은, 상기 (A) 성분 및 (B) 성분 외에, 여러 가지 성분을 가져도 된다. 예를 들어, 가교제 (이하, 가교성 화합물이라고도 한다.) 를 들 수 있지만, 이들에 한정되지 않는다.
그 가교성 화합물로서, 예를 들어 에폭시기를 2 개 이상 함유하는 화합물, 아미노기의 수소 원자가 메틸올기, 알콕시메틸기 또는 그 양방으로 치환된 기를 갖는, 멜라민 유도체, 벤조구아나민 유도체 또는 글리콜우릴 등을 들 수 있지만, 이들에 한정되지 않는다.
이하에, 가교성 화합물의 구체예를 들지만, 이것에 한정되지 않는다.
에폭시기를 2 개 이상 함유하는 화합물로서, 에폴리드 GT-401, 에폴리드 GT-403, 에폴리드 GT-301, 에폴리드 GT-302, 셀록사이드 2021, 셀록사이드 3000 (이상, (주) 다이 셀 제조) 등의 시클로헥센 구조를 갖는 에폭시 화합물;에피코트 1001, 에피코트 1002, 에피코트 1003, 에피코트 1004, 에피코트 1007, 에피코트 1009, 에피코트 1010, 에피코트 828 (이상, 재팬 에폭시 레진 (주) 제조 (현:미츠비시 화학 (주) 제조, jER (등록상표) 시리즈)) 등의 비스페놀 A 형 에폭시 화합물;에피코트 807 (재팬 에폭시 레진 (주) 제조) 등의 비스페놀 F 형 에폭시 화합물;에피코트 152, 에피코트 154 (이상, 재팬 에폭시 레진 (주) 제조 (현:미츠비시 화학 (주) 제조, jER (등록상표) 시리즈)), EPPN201, EPPN202 (이상, 닛폰 화약 (주) 제조) 등의 페놀 노볼락형 에폭시 화합물;ECON-102, ECON-103S, ECON-104S, ECON-1020, ECON-1025, ECON-1027 (이상, 닛폰 화약 (주) 제조), 에피코트 180S75 (재팬 에폭시 레진 (주) (현:미츠비시 화학 (주) 제조, jER (등록상표) 시리즈) 제조) 등의 크레졸 노볼락형 에폭시 화합물;V8000-C7 (DIC (주) 제조) 등의 나프탈렌형 에폭시 화합물;데나콜 EX-252 (나가세 켐텍스 (주) 제조), CY175, CY177, CY179, 아랄다이트 CY-182, 아랄다이트 CY-192, 아랄다이트 CY-184 (이상, BASF 사 제조), 에피클론 200, 에피클론 400 (이상, DIC (주) 제조), 에피코트 871, 에피코트 872 (이상, 재팬 에폭시 레진 (주) 제조 (현:미츠비시 화학 (주) 제조, jER (등록상표) 시리즈)), ED-5661, ED-5662 (이상, 셀라니즈 코팅 (주) 제조) 등의 지환식 에폭시 화합물;데나콜 EX-611, 데나콜 EX-612, 데나콜 EX-614, 데나콜 EX-622, 데나콜 EX-411, 데나콜 EX-512, 데나콜 EX-522, 데나콜 EX-421, 데나콜 EX-313, 데나콜 EX-314, 데나콜 EX-312 (이상, 나가세 켐텍스 (주) 제조) 등의 지방족 폴리글리시딜에테르 화합물 등을 들 수 있다.
아미노기의 수소 원자가 메틸올기, 알콕시메틸기 또는 그 양방으로 치환된 기를 갖는, 멜라민 유도체, 벤조구아나민 유도체 또는 글리콜우릴로서, 트리아진 고리 1 개당 메톡시메틸기가 평균 3.7 개 치환되어 있는 MX-750, 트리아진 고리 1 개당 메톡시메틸기가 평균 5.8 개 치환되어 있는 MW-30 (이상, (주) 산와 케미컬 제조);사이멜 300, 사이멜 301, 사이멜 303, 사이멜 350, 사이멜 370, 사이멜 771, 사이멜 325, 사이멜 327, 사이멜 703, 사이멜 712 등의 메톡시메틸화 멜라민;사이멜 235, 사이멜 236, 사이멜 238, 사이멜 212, 사이멜 253, 사이멜 254 등의 메톡시메틸화부톡시메틸화 멜라민;사이멜 506, 사이멜 508 등의 부톡시메틸화 멜라민;사이멜 1141 과 같은 카르복실기 함유 메톡시메틸화이소부톡시메틸화 멜라민;사이멜 1123 과 같은 메톡시메틸화에톡시메틸화벤조구아나민;사이멜 1123-10 과 같은 메톡시메틸화부톡시메틸화벤조구아나민;사이멜 1128 과 같은 부톡시메틸화벤조구아나민;사이멜 1125-80 과 같은 카르복실기 함유 메톡시메틸화에톡시메틸화벤조구아나민;사이멜 1170 과 같은 부톡시메틸화글리콜우릴;사이멜 1172 와 같은 메틸올화글리콜우릴 (이상, 미츠이 사이아나미드 (주) 제조 (현:닛폰 사이텍 인더스트리즈 (주)) 등을 들 수 있다.
본원의 조성물에 의해, 유리 기판 바로 위에 형성되는 박리층을 형성할 수 있다.
예를 들어, 유리 기판에 본원의 조성물을 종래 공지된 수법에 의해 도포하고, 얻어진 도포막을 소정의 온도에서 가열함으로써 박리층을 형성할 수 있다.
또, 피박리체층은, 박리층 상에 형성할 수 있다. 피박리체층은, 1 층이어도 되고 복수 층이어도 된다. 여러 가지 디바이스를 제조하려면, 복수 층인 것이 현실적이다.
피박리체층 중 박리층 바로 위의 층은, 사용하는 박리층에 의존하지만, 그 박리층과의 박리성이 좋은 것, 바꾸어 말하면, 사용하는 박리층과의 밀착성이 좋지 않은 것을 사용하는 것이 좋다.
본원의 다른 면으로서, 피박리체의 제조 방법을 제공한다.
그 방법은,
a) 본원의 조성물을 유리 기판 상에 도포한 후, 박리층을 형성하는 공정;
b) 그 박리층 상에, 피박리체를 형성하는 공정;및
c) 박리층과 피박리체의 계면에 있어서, 피박리체를 박리하는 공정;
을 가짐으로써, 피박리체를 얻을 수 있다.
b) 공정에 있어서, 「피박리체」 는 1 층이어도 되고 복수 층이어도 된다. 또한, 「피박리체」 중 박리층 바로 위의 층은, 사용하는 박리층에 의존하지만, 그 박리층과의 박리성이 좋은 것, 바꾸어 말하면, 사용하는 박리층과의 밀착성이 좋지 않은 것인 것이 좋다.
이하, 본 발명을 실시예를 따라 설명하는데, 본 발명은 그 실시예에 한정되는 것은 아니다.
실시예
본 실시예에 사용하는 약어에 대해, 이하에 열거하고, 설명한다.
<용매>
NMP:N-메틸피롤리돈.
<아민류>
PDA:p-페닐렌디아민.
APAB:2-(3-아미노페닐)-5-아미노벤즈이미다졸.
DATP:4,4"-디아미노-p-터페닐.
6FAP:2,2-비스(3-아미노-4-하이드록시페닐)헥사플루오로프로판.
<산 2무수물>
BPDA:3,3',4,4'-비페닐테트라카르복실산 2무수물.
BA-TME:4,4'-비페닐렌비스(트리멜리트산모노에스테르산 무수물).
PMDA:피로멜리트산 2무수물.
<알데히드>
IPHA:이소프탈알데히드.
[수 평균 분자량 및 중량 평균 분자량의 측정]
폴리머의 중량 평균 분자량 (이하, 「Mw」 라고 약기한다) 과 분자량 분포는, 닛폰 분광 주식회사 GPC 장치 (Shodex (등록상표) 칼럼 KF803L 및 KF805L) 를 사용하고 용출 용매로서 디메틸포름아미드를 유량 1 ㎖/분, 칼럼 온도 50 ℃ 의 조건으로 측정하였다. 또한, Mw 는 폴리스티렌 환산값으로 하였다.
<합성예>
<합성예 1 폴리이미드 전구체 P1 의 합성>
PDA 17.8 g (0.164 몰), DATP 2.38 g (0.009 몰), 및 APABI 2.05 g (0.009 몰) 을 NMP 425 g 에 용해시키고, BPDA 52.8 g (0.179 몰) 을 동시에 첨가한 후, 재차 NMP 7.4 g 을 첨가하고, 질소 분위기하 23 ℃, 24 시간 반응시켰다. 얻어진 폴리이미드 전구체 P1 의 Mw 는 63000, 분자량 분포 9.9 였다.
<합성예 2 폴리이미드 전구체 P2 의 합성>
DATP 30.8 g (0.118 몰) 을 NMP 425 g 에 용해시키고, BPDA 34.1 g (0.116 몰) 을 동시에 첨가한 후, 재차 NMP 10 g 을 첨가하고, 질소 분위기하 23 ℃, 24 시간 반응시켰다. 얻어진 폴리이미드 전구체 P2 의 Mw 는 70700, 분자량 분포 9.7 이었다.
<합성예 3 폴리이미드 전구체 P3 의 합성>
PDA 20.261 g (0.1875 몰) 과 TPDA 12.206 g (0.0469 몰) 을 NMP 617.4 g 에 용해하고, 15 ℃ 로 냉각 후, PMDA 50.112 g (0.2298 몰) 을 첨가하고, 질소 분위기하, 50 ℃ 에서 48 시간 반응시켰다. 얻어진 폴리이미드 전구체 P3 의 Mw 는 82,100, 분자량 분포는 2.7 이었다.
<합성예 4 폴리이미드 전구체 P4 의 합성>
PDA 9.66 g (0.089 몰) 과 APAB 1.05 g (0.005 몰) 을 NMP 440 g 에 용해하고, BP-TME 49.2 g (0.092 몰) 을 첨가하고, 질소 분위기하, 실온에서 24 시간 반응시켰다. 얻어진 폴리이미드 전구체 P4 의 Mw 는 57000, 분자량 분포는 9.3 이었다.
<합성예 5 폴리이미드 전구체 P5 의 합성>
PDA 3.176 g (0.02937 몰) 을 NMP 88.2 g 에 용해하고, BPDA 8.624 g (0.02931 몰) 을 첨가한 후, 질소 분위기하, 23 ℃ 에서 24 시간 반응시켰다. 얻어진 폴리이미드 전구체 P5 의 Mw 는 107,300, 분자량 분포 4.6 이었다.
<합성예 6 폴리벤조옥사졸 전구체 (P6) 의 합성>
6FAP 3.18 g (0.059 몰) 을 NMP 70 g 에 용해하고, IPHA 7.92 g (0.060 몰) 을 첨가한 후, 질소 분위기하, 23 ℃ 에서 24 시간 반응시켰다. 얻어진 폴리머의 Mw 는 107,300, 분자량 분포 4.6 이었다.
<합성예 7 폴리이미드 전구체 P7 의 합성>
PMDA (98)//p-PDA (100)
p-PDA 10.078 g (93 m㏖) 을 NMP 220.0 g 에 용해시켰다. 얻어진 용액에, PMDA 19.922 g (91 m㏖) 을 첨가하고, 질소 분위기하, 23 ℃ 에서 24 시간 반응시켰다. 얻어진 폴리머의 Mw 는 55,900, 분자량 분포 3.1 이었다.
<박리층 기판 제조>
상기 합성예 1 ∼ 7 에서 얻은 P1 ∼ P7 을 NMP 로 4 wt% 로 희석하고, 100 ㎜ ×100 ㎜ 유리 기판 (OA-10G 무알칼리 유리) 또는 실리콘 웨이퍼 상에 스핀 코터를 사용하여 도포한 후, 큐어 조건 A ∼ C 중 어느 것으로, 오븐으로 소성하여 박리층을 제조하였다.
큐어 조건 A:120 ℃ 에서 30 분 유지 → 승온 → 300 ℃ 에서 60 분 유지 → 승온 → 400 ℃ 에서 60 분 유지. 또한, 승온 속도는 10 ℃/분이었다.
큐어 조건 B:120 ℃ 에서 30 분 유지 → 승온 → 180 ℃ 에서 20 분 유지 → 승온 → 240 ℃ 에서 20 분 유지 → 승온 → 300 ℃ 에서 20 분 유지 → 승온 → 400 ℃ 에서 20 분 유지 → 승온 → 450 ℃ 에서 60 분 유지. 또한, 승온 속도는 10 ℃/분이었다.
큐어 조건 C:80 ℃ 에서 10 분 유지 → 승온 → 300 ℃ 에서 30 분 유지 → 승온 → 400 ℃ 에서 30 분 유지. 또한, 승온 속도는 10 ℃/분이었다.
얻어진 도포막의 막두께는, 접촉식 막두께 측정기 (주식회사 ULVAC 제조 Dektak 3ST) 를 사용하고, 측정하였다.
표 1 에, 사용한 P1 ∼ P7 의 전구체, 도포 기판, 큐어 조건, 및 제조한 박리층의 막두께를 나타낸다.
<크로스컷 시험 I>
표 1 에서 나타내는 실시예 1 ∼ 5 및 비교예 1 ∼ 3 의, 박리층을 구비한 기판에 대해, 크로스컷 시험 I 로, 기판 (유리 또는 실리콘 웨이퍼)/박리층의 밀착력을 확인하였다.
크로스컷 시험 I 은, 다음과 같이 실시하였다.
(1) 박리층 상에, 가로세로 1 ㎜ 의 정방형을 100 개 제조하였다.
(2) 그 후, 점착 테이프 (셀로테이프 (등록상표)) 로 상기 정방형을 첩부하고, 박리 공정을 실시하였다.
(3) 박리 공정 후, 기판에 잔존하는, 상기 정방형을 세었다.
<크로스컷 시험 I 의 결과의 지표>
크로스컷 시험의 결과, 박리의 정도를 이하의 지표로 나타낸다.
5B:박리되지 않음.
4B:5 % 이하의 박리.
3B:5 ∼ 15 % 의 박리.
2B:15 ∼ 35 % 의 박리.
1B:35 ∼ 65 % 의 박리.
0B:65 % ∼ 80 % 의 박리.
B:80 % ∼ 95 % 의 박리.
A:95 % ∼ 100 % 미만의 박리.
AA:100 % 의 박리.
상기 크로스컷 시험 I 과는 별도로, 표 1 에서 나타내는 실시예 1 ∼ 5 및 비교예 1 ∼ 3 의, 박리층을 구비한 기판에 대해, 그 박리층을 구성하는 성분의 특성, 즉 (1) 가열시의 중량 변화에 있어서의 1 % 중량 감소를 나타내는 온도, (2) 파장 1000 ㎚ 에서의 굴절률, (3) 파장 1000 ㎚ 에서의 복굴절, 및 (4) 표면 에너지를 측정하였다. 또한, 각 특성의 측정 조건 등을 이하에 나타낸다.
<(1) 가열시의 중량 변화에 있어서의 1 % 중량 감소를 나타내는 온도>
브루커 (주) 제조 TD-DTA2000ST 를 사용하여, 질소 분위기하에서 열 중량 (TG) 측정을 실시하고, 중량이 1 % 감소하는 온도를 구하였다.
<(2) 파장 1000 ㎚ 에서의 굴절률 및 (3) 복굴절률>
고속 분광 엘립소미터 M-2000 (제이·에이·울람·재팬 (주) 제조) 을 사용하여, 굴절률 및 복굴절률을 측정하였다. 또한, 굴절률은, 1000 ㎚ 값의 면내 굴절률로 하고, 복굴절률은, 면내 굴절률과 면외 굴절률의 차로 하였다.
<(4) 표면 에너지>
전자동 접촉각계 DM-701 (쿄와 계면 과학 (주) 제조) 을 사용하여, 상기 합성예 1 ∼ 7 에서 얻은 P1 ∼ P7 로부터 얻어진 박리층의 표면 에너지를 측정하였다. 또한, 측정에 사용한 용매는, 물과 요오드화메틸렌이며, 이들 용매의 접촉각으로부터 산출하였다.
<피박리체의 형성과 그 박리 시험 (크로스컷 시험 II)>
실시예 1 ∼ 5 및 비교예 1 ∼ 3 의, 박리층을 구비한 기판 상에 피박리체를 형성하고, 그 박리의 정도를 크로스컷 시험 II 로 확인하였다.
<<피박리체층의 제조>>
박리층을 구비한 기판의 그 박리층 상에, 피박리체로서 폴리이미드 층을 형성하였다.
구체적으로는, 표 1 에 나타내는, 실시예 1 ∼ 5 및 비교예 1 ∼ 3 의, 박리층을 구비하는 기판의, 박리층 상에, 상기 합성예 5 또는 합성예 1 에서 얻어진 전구체 P5 또는 P1 을 바 코터로 도포하였다. 그 후, 오븐으로 120 ℃ 에서 30 분 유지 → 승온 → 180 ℃ 에서 20 분 유지 → 승온 → 240 ℃/20 분 유지 → 승온 → 300 ℃ 에서 20 분 유지 → 승온 → 400 ℃ 에서 20 분 유지 → 승온 → 450 ℃ 에서 60 분 유지 (어느 승온에 있어서도 그 속도는 10 ℃/분이었다) 로 큐어를 실시하고, 폴리이미드로 이루어지는 막두께 15 ㎛ 의 피박리체층을 제조하였다.
<<크로스컷 시험 II>>
상기에서 얻어진, 피박리체층 및 박리층을 구비하는 기판에 대해, 피박리체층/박리층간의 밀착력을 크로스컷 시험 II 로 확인하였다.
크로스컷 시험 II 는, 크로스컷 시험 I 과 동일하게 실시하였다.
표 2 에, (1) 가열시의 중량 변화에 있어서의 1 % 중량 감소를 나타내는 온도 (표 2 중, 「(1)」 로 표기한다), (2) 파장 1000 ㎚ 에서의 굴절률 (표 2 중, 「(2)」 로 표기한다), (3) 그 (2) 의 굴절률과 복굴절의 차 (표 2 중, 「(3)」 으로 표기한다), (4) 표면 에너지 (표 2 중, 「(4)」 로 표기한다. 단, 단위는 dyne/㎝ 이다), 피박리체층에서 사용한 폴리이미드 전구체, 그리고 크로스컷 시험 I 및 II 의 결과를 나타낸다.
표 2 로부터 다음의 것을 알 수 있다. 실시예 1 ∼ 5 의 박리층은, 시험 I 의 결과가 5B 인 것으로부터, 기판으로부터 박리층이 벗겨지는 경우가 없는 한편, 시험 II 의 결과가 AA 인 것으로부터, 박리층으로부터 피박리체층만이 박리되는 것을 알 수 있다. 요컨대, 본 발명의 박리층용 조성물로부터 형성된 박리층은, 원하는 박리 결과를 가져오는 것을 알 수 있다.
한편, 비교예 1 및 비교예 3 은, 시험 I 의 결과가 AA 이기 때문에, 박리층이 기판으로부터 박리되는 것을 알 수 있다. 요컨대, 비교예 1 및 비교예 3 은, 원하는 박리 결과를 얻을 수 없는 것을 알 수 있다. 또, 비교예 2 는, 시험 I 및 시험 II 가 함께 5B 인 것으로부터, 박리층과 기판의 계면에 있어서도, 박리층과 피박리체층의 계면에 있어서도 박리되지 않아, 원하는 박리 결과를 얻을 수 없는 것을 알 수 있다.
Claims (6)
- 유리 기판 바로 위에 설치하는 박리층을 형성하기 위한 조성물로서, 그 조성물이
(A) 방향족 폴리이미드 및/또는 방향족 폴리이미드 전구체;및
(B) 아미드계 용매;
를 갖고,
상기 (A) 유래의 방향족 폴리이미드는, 하기 (1) ∼ (4) 를 만족하는 상기 조성물:
(1) 가열시의 중량 변화에 있어서의 1 % 중량 감소의 온도가 500 ℃ 이상;
(2) 파장 1000 ㎚ 에서 굴절률이 1.7 이상;
(3) 파장 1000 ㎚ 에서 굴절률과 복굴절의 차가 0.15 이상;및
(4) 표면 에너지가 40 dyne/㎝ 이상. - 제 1 항에 있어서,
상기 (A) 성분이, p-페닐렌디아민 및 터페닐디아민으로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1 종의 디아민 성분을 사용하여 제조되는 조성물. - 제 2 항에 있어서,
p-페닐렌디아민 및/또는 터페닐디아민의 양이, 전체 디아민 성분 100 몰% 중, 70 몰% 이상인 조성물. - 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 (A) 성분이, 비페닐 골격, 이미다졸 골격 및 옥사졸 골격으로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1 종의 제 1 골격을 갖는 방향족 디아민을 사용하여 제조되는 조성물. - 제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 (A) 성분이, 벤젠 골격, 나프탈렌 골격 및 비페닐 골격으로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1 종의 제 2 골격을 갖는 산 2무수물을 사용하여 제조되는 조성물.
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