KR20160117181A - 막 두께 측정 장치 및 막 두께 측정 방법 - Google Patents

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KR20160117181A
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슌이치 야히로
šœ이치 야히로
고우타로우 오노우에
시게키 다나카
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도쿄엘렉트론가부시키가이샤
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Abstract

기판에 형성된 유기막의 막 두께 분포를 단시간에 측정한다.
실시형태에 따른 막 두께 측정 장치는, 조사부와, 촬상부와, 제어부를 구비한다. 조사부는, 유기막이 형성된 기판 상의 조사 영역에 자외광을 조사한다. 촬상부는, 자외광의 조사를 받은 조사 영역을 촬상한다. 제어부는, 촬상부에 의해 촬상된 촬상 화상의 휘도 분포에 기초하여 유기막의 막 두께 분포를 구한다.

Description

막 두께 측정 장치 및 막 두께 측정 방법{FILM THICKNESS MEASURING APPARATUS AND FILM THICKNESS MEASURING METHOD}
개시된 실시형태는 막 두께 측정 장치 및 막 두께 측정 방법에 관한 것이다.
종래, 유기 EL(Electroluminescence)의 발광을 이용한 발광 다이오드인 유기 발광 다이오드(OLED: Organic Light Emitting Diode)가 알려져 있다. 이러한 유기 발광 다이오드를 이용한 유기 EL 디스플레이는, 박형 경량이고 저소비 전력인데다가, 응답 속도나 시야각, 콘트라스트비의 면에서 우수하다고 하는 이점을 가지고 있는 것으로부터, 차세대의 플랫 패널 디스플레이(FPD)로서 최근 주목받고 있다.
유기 발광 다이오드는, 기판 상의 양극과 음극 사이에 유기 EL층을 끼운 구조를 갖는다. 유기 EL층은, 예컨대 양극측으로부터 순서대로, 정공 주입층, 정공 수송층, 발광층, 전자 수송층, 전자 주입층이 적층되어 형성된다. 이러한 적층 구조의 형성에 있어서는, 예컨대 정공 주입층, 정공 수송층 및 발광층을 각각 잉크젯 방식을 이용하여 도포한다고 하는 방법이 이용된다(특허문헌 1 참조).
여기서, 유기 발광다이오드의 제조 공정에서는, 기판에 도포된 유기 EL층의 막 두께의 측정이 행해지는 경우가 있다. 이러한 막 두께 측정의 방법으로서는, 예컨대, 대상물에 프로브를 접촉시킴으로써 막 두께를 측정하는 접촉식이나, 대상물에 광을 조사하여, 그 반사광을 이용하여 막 두께를 측정하는 광학식이 알려져 있다.
특허문헌 1: 일본 특허 공개 제2008-233833호 공보
그러나, 종래의 막 두께 측정 방법은, 접촉식 및 광학식 중 어느 것도 고속 처리가 어려워, 막 두께의 분포를 단시간에 측정하는 것이 곤란하다.
실시형태의 일양태는, 상기를 감안하여 이루어진 것으로서, 기판에 형성된 유기막의 막 두께 분포를 단시간에 측정할 수 있는 막 두께 측정 장치 및 막 두께 측정 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
실시형태의 일양태에 따른 막 두께 측정 장치는, 조사부와, 촬상부와, 제어부를 구비한다. 조사부는, 유기막이 형성된 기판 상의 조사 영역에 자외광을 조사한다. 촬상부는, 자외광의 조사를 받은 조사 영역을 촬상한다. 제어부는, 촬상부에 의해 촬상된 촬상 화상의 휘도 분포에 기초하여 유기막의 막 두께 분포를 구한다.
실시형태의 일양태에 따르면, 기판에 형성된 유기막의 막 두께 분포를 단시간에 측정할 수 있다.
도 1은 유기 발광 다이오드의 구성의 개략을 나타내는 단면 모식도이다.
도 2는 유기 발광 다이오드의 뱅크의 구성의 개략을 나타내는 평면 모식도이다.
도 3은 유기 발광 다이오드의 제조 방법의 주된 공정을 나타내는 흐름도이다.
도 4는 본 실시형태에 따른 기판 처리 시스템의 구성의 개략을 나타내는 평면 모식도이다.
도 5는 본 실시형태에 따른 막 두께 측정 장치의 구성의 개략을 나타내는 평면 모식도이다.
도 6은 조사부 및 촬상부의 구성의 일례를 나타내는 모식도이다.
도 7은 막 두께 측정 장치로 촬상되는 촬상 화상의 설명도이다.
도 8은 뱅크 내에 있어서의 유기 EL층의 막 두께 분포를 나타내는 도면이다.
도 9는 뱅크 내에 있어서의 유기 EL층이 자외광을 받아 발하는 형광의 휘도 분포를 나타내는 도면이다.
도 10은 막 두께 측정의 측정 포인트의 일례를 나타내는 도면이다.
도 11은 제1 변형예에 따른 조사부 및 촬상부의 구성을 나타내는 모식도이다.
도 12는 제2 변형예에 따른 조사부 및 촬상부의 구성을 나타내는 모식도이다.
도 13은 제3 변형예에 따른 조사부 및 촬상부의 구성을 나타내는 모식도이다.
이하, 첨부 도면을 참조하여, 본원이 개시하는 막 두께 측정 장치 및 막 두께 측정 방법의 실시형태를 상세하게 설명한다. 또한, 이하에 나타내는 실시형태에 의해 본 발명이 한정되는 것이 아니다.
<1. 유기 발광 다이오드의 구성 및 제조 방법>
우선, 유기 발광 다이오드의 구성의 개략 및 그 제조 방법에 대해서, 도 1∼도 3을 이용하여 설명한다. 도 1은 유기 발광 다이오드(500)의 구성의 개략을 나타내는 단면 모식도이다. 도 2는 유기 발광 다이오드(500)의 뱅크(540)의 구성의 개략을 나타내는 평면 모식도이다. 도 3은 유기 발광 다이오드(500)의 제조 방법의 주된 공정을 나타내는 흐름도이다.
도 1에 나타내는 바와 같이, 유기 발광 다이오드(500)는, 기판으로서의 유리 기판(G) 상에서, 양극(510) 및 음극(520) 사이에 유기 EL층(530)을 끼운 구조를 가지고 있다.
유기 EL층(530)은, 양극(510)측으로부터 순서대로, 정공 주입층(531), 정공 수송층(532), 발광층(533), 전자 수송층(534) 및 전자 주입층(535)이 적층되어 형성된다.
구체적으로는 우선, 양극 형성 처리(도 3의 단계 S101)에 있어서, 유리 기판(G) 상에 양극(510)이 형성된다. 양극(510)은, 예컨대 증착법을 이용하여 형성된다. 또한, 양극(510)에는, 예컨대 ITO(Indium Tin Oxide)로 이루어지는 투명 전극이 이용된다.
계속해서, 뱅크 형성 처리(도 3의 단계 S102)에 있어서, 양극(510) 상에 뱅크(540)가 형성된다. 뱅크(540)는, 예컨대 포토리소그래피 처리나 에칭 처리 등에 의해 형성된다.
도 2에 나타내는 바와 같이, 뱅크(540)는, 행방향 및 열방향으로 복수 형성된다. 그리고, 뱅크(540)의 내부에는, 후술하는 바와 같이 유기 EL층(530)과 음극(520)이 적층되어 화소가 형성된다. 뱅크(540)에는, 예컨대 감광성 폴리이미드 수지가 이용된다.
계속해서, 뱅크(540) 내의 양극(510) 상에 유기 EL층(530)이 형성된다. 구체적으로는, 정공 주입층 형성 처리(도 3의 단계 S103)에 있어서, 양극(510) 상에 정공 주입층(531)이 형성된다. 그리고, 정공 수송층 형성 처리(도 3의 단계 S104)에 있어서, 정공 주입층(531) 상에 정공 수송층(532)이 형성된다.
그리고, 발광층 형성 처리(도 3의 단계 S105)에 있어서, 정공 수송층(532) 상에 발광층(533)이 형성된다. 또한, 발광층(533)에는, R 발광층, G 발광층 및 B 발광층이 포함된다.
그리고, 전자 수송층 형성 처리(도 3의 단계 S106)에 있어서, 발광층(533) 상에 전자 수송층(534)이 형성되고, 전자 주입층 형성 처리(도 3의 단계 S107)에 있어서, 전자 수송층(534) 상에 전자 주입층(535)이 형성된다.
본 실시형태에서는, 정공 주입층(531), 정공 수송층(532) 및 발광층(533)은 각각, 후술하는 기판 처리 시스템(100)에 있어서 형성된다. 기판 처리 시스템(100)에서는, 잉크젯 방식에 의한 유기 재료의 도포 처리, 유기 재료의 감압 건조 처리, 유기 재료의 소성 처리가 순차 행해져, 이들 정공 주입층(531), 정공 수송층(532) 및 발광층(533)이 형성된다.
또한, 전자 수송층(534) 및 전자 주입층(535)은, 각각 예컨대 증착법을 이용하여 형성된다.
그리고, 음극 형성 처리(도 3의 단계 S108)에 있어서, 전자 주입층(535) 상에 음극(520)이 형성된다. 음극(520)은, 예컨대 증착법을 이용하여 형성된다. 또한, 음극(520)에는, 예컨대 알루미늄이 이용된다.
그리고, 단계 S101∼S108을 거쳐 형성된 적층 구조를 대기 중의 수분 등과 차단하기 위해, 밀봉 처리가 행해진다(도 3의 단계 S109).
이러한 성막 공정∼밀봉 공정을 거쳐 제조된 유기 발광 다이오드(500)로서는, 양극(510)과 음극(520) 사이에 전압이 인가됨으로써, 정공 주입층(531)에서 주입된 미리 정해진 수량의 정공이 정공 수송층(532)을 통해 발광층(533)에 수송된다.
또한, 전자 주입층(535)에서 주입된 미리 정해진 수량의 전자가, 전자 수송층(534)을 통해 발광층(533)에 수송된다. 그리고, 발광층(533) 내에서 정공과 전자가 재결합하여 여기 상태의 분자를 형성하여, 발광층(533)이 발광하게 된다.
<2. 기판 처리 시스템의 구성>
다음에, 본 실시형태에 따른 막 두께 측정 장치를 구비한 기판 처리 시스템(100)의 구성에 대해서 도 4를 참조하여 설명한다. 도 4는 본 실시형태에 따른 기판 처리 시스템(100)의 구성의 개략을 나타내는 평면 모식도이다. 또한, 도 4에서는, 막 두께 측정 장치(200)를 알기 쉽게 나타내기 위해, 막 두께 측정 장치(200)를 미리 정해진 패턴으로 칠하여 나타내고 있다.
도 4에 나타내는 바와 같이, 기판 처리 시스템(100)에는, 미리 양극 형성 처리 및 뱅크 형성 처리(도 3의 단계 S101 및 S102 참조)를 거쳐 양극(510)과 뱅크(540)가 형성된 유리 기판(G)이 반입된다. 그리고, 기판 처리 시스템(100)으로서는, 도 3의 단계 S103∼S105에 상당하는 각 처리가 행해져, 유리 기판(G) 상에 정공 주입층(531), 정공 수송층(532) 및 발광층(533)이 형성된 후, 전자 수송층 형성 처리를 향하여 반출된다.
도 4에 나타내는 바와 같이, 기판 처리 시스템(100)은, 반입 스테이션(110)과, 처리 스테이션(120)과, 반출 스테이션(130)을 일체로 접속한 구성을 가지고 있다. 반입 스테이션(110)은, 복수의 유리 기판(G)을 카세트(C) 단위로 외부로부터 반입하여, 카세트(C)로부터 처리 전의 유리 기판(G)을 취출한다.
처리 스테이션(120)은, 유리 기판(G)에 대하여 정공 주입층 형성 처리, 정공 수송층 형성 처리 및 발광층 형성 처리의 각 처리를 실시하는 처리 장치(121∼123)를 구비한다. 반출 스테이션(130)은, 처리 후의 유리 기판(G)을 카세트(C) 내에 수납하여, 복수의 유리 기판(G)을 카세트(C) 단위로 외부에 반출한다.
또한, 반입 스테이션(110), 처리 스테이션(120) 및 반출 스테이션(130)은, 일방향을 따라 도 4에 나타내는 바와 같이 배치된다.
반입 스테이션(110)은, 카세트 배치대(111)와, 반송로(112)와, 기판 반송체(113)를 구비한다. 카세트 배치대(111)는, 복수의 카세트(C)를 일렬로 배치 가능하다. 즉, 반입 스테이션(110)은, 유리 기판(G)을 복수 보유할 수 있다.
반송로(112)는, Y축 방향으로 연신시켜 마련된다. 기판 반송체(113)는, 이러한 반송로(112) 상을 이동 가능하게, 또한, Z축 방향 및 Z축 둘레로 이동 가능하게 마련되어, 카세트(C)와 처리 스테이션(120) 사이에서 유리 기판(G)을 반송한다. 또한, 기판 반송체(113)는, 예컨대 유리 기판(G)을 흡착 유지하면서 반송한다.
처리 스테이션(120)은, 정공 주입층 형성부(121)와, 정공 수송층 형성부(122)와, 발광층 형성부(123)를 구비한다. 정공 주입층 형성부(121)는, 정공 주입층 형성 처리를 행하는 처리 장치이다. 정공 수송층 형성부(122)는, 정공 수송층 형성 처리를 행하는 처리 장치이다. 발광층 형성부(123)는, 발광층 형성 처리를 행하는 처리 장치이다. 이들 처리 장치(121∼123)는, 예컨대 반입 스테이션(110)측으로부터 도 4에 나타내는 바와 같이 배치된다.
정공 주입층 형성부(121)는, 도포 장치(121a)와, 버퍼 장치(121b)와, 감압 건조 장치(121c)와, 열 처리 장치(121d)와, 온도 조절 장치(121e)를 구비한다. 도포 장치(121a)는, 유리 기판(G)에 형성된 양극(510) 상에 정공 주입층(531)을 형성하기 위한 유기 재료를 도포하는 장치이다.
이러한 도포 장치(121a)에서는, 잉크젯 방식으로 유리 기판(G) 상의 미리 정해진 위치, 즉 뱅크(540)의 내부에 유기 재료가 도포된다. 이러한 유기 재료는, 정공 주입층(531)을 형성하기 위한 미리 정해진 재료를 유기 용매에 용해시킨 용액이다.
버퍼 장치(121b)는, 복수의 유리 기판(G)을 일시적으로 수용하는 장치이다. 감압 건조 장치(121c)는, 도포 장치(121a)로 도포된 유기 재료를 감압 건조하는 장치이다. 또한, 감압 건조 장치(121c)는, 복수 적층되어 예컨대 5개 마련되어 있다.
또한, 감압 건조 장치(121c)는, 예컨대 터보 분자 펌프(도시 생략)를 가지고 있고, 이러한 터보 분자 펌프에 의해 내부 분위기를 예컨대 1 ㎩ 이하까지 감압하여, 유기 재료를 건조하도록 구성되어 있다.
열 처리 장치(121d)는, 감압 건조 장치(121c)로 건조된 유기 재료를 열 처리하여 소성하는 장치이다. 또한, 열 처리 장치(121d)는 복수, 예컨대 20단으로 적층되어 마련되어 있다. 또한, 열 처리 장치(121d)는, 그 내부에 유리 기판(G)을 배치하는 열판(도시 생략)을 가지고 있고, 이러한 열판에 의해 유기 재료를 소성하도록 구성되어 있다.
온도 조절 장치(121e)는, 열 처리 장치(121d)로 열 처리된 유리 기판(G)을 미리 정해진 온도, 예컨대 상온으로 조절하는 장치이며, 복수 마련된다. 또한, 정공 주입층 형성부(121)에 있어서, 이들 도포 장치(121a), 버퍼 장치(121b), 감압 건조 장치(121c), 열 처리 장치(121d) 및 온도 조절 장치(121e)의 수나 배치는, 임의로 선택 가능하다.
또한, 정공 주입층 형성부(121)는, 기판 반송 영역(CR1∼CR3)과, 전달 장치(TR1∼TR3)를 구비한다. 기판 반송 영역(CR1∼CR3)은, 예컨대 벨트 컨베이어이며, 각각 인접하여 마련되는 각 장치에 유리 기판(G)을 반송한다.
구체적으로는, 기판 반송 영역(CR1)은, 이러한 기판 반송 영역(CR1)에 인접하는 도포 장치(121a) 및 버퍼 장치(121b)에 유리 기판(G)을 반송한다. 또한, 기판 반송 영역(CR2)은, 이러한 기판 반송 영역(CR2)에 인접하는 감압 건조 장치(121c)에 유리 기판(G)을 반송한다.
또한, 기판 반송 영역(CR3)은, 이러한 기판 반송 영역(CR3)에 인접하는 열 처리 장치(121d) 및 온도 조절 장치(121e)에 유리 기판(G)을 반송한다. 또한, 기판 반송 영역(CR1∼CR3)에는 각각 유리 기판(G)을 반송하는 기판 반송 장치(도시 생략)가, 수평 방향, 연직 방향 및 연직축 둘레로 이동 가능하게 마련되어 있다.
전달 장치(TR1∼TR3)는 각각 순서대로, 반입 스테이션(110) 및 기판 반송 영역(CR1) 사이, 기판 반송 영역(CR1 및 CR2) 사이, 기판 반송 영역(CR2 및 CR3) 사이에 마련되고, 이들 사이에서 유리 기판(G)을 전달시킨다.
정공 수송층 형성부(122)는, 도포 장치(122a)와, 버퍼 장치(122b)와, 감압 건조 장치(122c)와, 열 처리 장치(122d)와, 온도 조절 장치(122e)를 구비한다. 도포 장치(122a)는, 유리 기판(G)에 형성된 정공 주입층(531) 상에 정공 수송층(532)을 형성하기 위한 유기 재료를 도포한다.
이러한 도포 장치(122a)에서는, 잉크젯 방식으로 유리 기판(G) 상의 미리 정해진 위치, 즉 뱅크(540)의 내부에 유기 재료가 도포된다. 이러한 유기 재료는, 정공 수송층(532)을 형성하기 위한 미리 정해진 재료를 유기 용매에 용해시킨 용액이다.
버퍼 장치(122b), 감압 건조 장치(122c), 열 처리 장치(122d) 및 온도 조절 장치(122e)에 대해서는, 버퍼 장치(121b), 감압 건조 장치(121c), 열 처리 장치(121d) 및 온도 조절 장치(121e)와 거의 동일한 구성이기 때문에, 상세한 설명을 생략한다.
단, 정공 수송층 형성부(122)에서는, 열 처리 장치(122d) 및 온도 조절 장치(122e)의 내부는, 저산소 및 저노점 분위기로 유지된다. 여기서, 저산소 분위기란, 대기보다 산소 농도가 낮은 분위기, 예컨대 산소 농도가 10 ppm 이하인 분위기를 말한다. 또한, 저노점 분위기란, 대기보다 노점 온도가 낮은 분위기, 예컨대 노점 온도가 -10℃ 이하인 분위기를 말한다. 또한, 이러한 저산소 및 저노점 분위기는, 예컨대 질소 가스 등의 불활성 가스를 이용하여 유지된다.
정공 수송층 형성부(122)에 있어서, 이들 도포 장치(122a), 버퍼 장치(122b), 감압 건조 장치(122c), 열 처리 장치(122d) 및 온도 조절 장치(122e)의 수나 배치는, 임의로 선택 가능하다.
또한, 정공 수송층 형성부(122)는, 기판 반송 영역(CR4∼CR6)과, 전달 장치(TR5 및 TR6)를 구비한다. 또한, 정공 주입층 형성부(121)와 정공 수송층 형성부(122) 사이는, 전달 장치(TR4)를 통해 접속된다.
여기서, 기판 반송 영역(CR4∼CR6) 및 전달 장치(TR4∼TR6)는, 전술한 기판 반송 영역(CR1∼CR3) 및 전달 장치(TR1∼TR3)와 거의 동일한 구성이기 때문에, 상세한 설명을 생략한다.
단, 전술한 바와 같이, 열 처리 장치(122d) 및 온도 조절 장치(122e)의 내부는 저산소 및 저노점 분위기로 유지되기 때문에, 기판 반송 영역(CR6)의 내부도 또한 저산소 및 저노점 분위기로 유지된다.
또한, 이러한 기판 반송 영역(CR6)과 기판 반송 영역(CR5)을 접속하는 전달 장치(TR6)는, 유리 기판(G)을 일시적으로 수용하며, 내부 분위기를 전환 가능하게, 즉 저산소 및 저노점 분위기와 대기 분위기를 전환 가능하게 마련된 로드록 장치로서 구성된다.
발광층 형성부(123)는, 도포 장치(123a)와, 버퍼 장치(123b)와, 감압 건조 장치(123c)와, 열 처리 장치(123d)와, 온도 조절 장치(123e)와, 막 두께 측정 장치(200)를 구비한다.
도포 장치(123a)는, 예컨대 2개 마련되며, 유리 기판(G)에 형성된 정공 수송층(532) 상에 발광층(533)을 형성하기 위한 유기 재료를 도포한다. 이러한 도포 장치(123a)에서는, 잉크젯 방식으로 유리 기판(G) 상의 미리 정해진 위치, 즉 뱅크(540)의 내부에 유기 재료가 도포된다. 이러한 유기 재료는, 발광층(533)을 형성하기 위한 미리 정해진 재료를 유기 용매에 용해시킨 용액이다.
버퍼 장치(123b), 감압 건조 장치(123c), 열 처리 장치(123d) 및 온도 조절 장치(123e)에 대해서는, 전술한 버퍼 장치(122b), 감압 건조 장치(122c), 열 처리 장치(122d) 및 온도 조절 장치(122e)와 거의 동일한 구성이기 때문에, 상세한 설명을 생략한다.
막 두께 측정 장치(200)는, 온도 조절 장치(123e)를 거쳐 발광층(533)이 형성된 유리 기판(G) 중 검사 대상으로서 발출된 임의의 1장에 대하여 자외광을 조사하고, 이러한 자외광의 조사를 받은 유리 기판(G)의 촬상 화상에 기초하여 유기 EL층(530)(「유기막」의 일례에 상당)의 막 두께 분포를 측정하는 장치이다.
또한, 막 두께 측정 장치(200)로 행해지는 검사는, 유리 기판(G)에 자외광을 조사하는 파괴 검사가 되기 때문에, 검사 대상으로 한 유리 기판(G)은 검사 후, 폐기하여도 좋다. 막 두께 측정 장치(200)의 구체적인 구성에 대해서는, 도 5 이후를 이용하여 후술한다.
발광층 형성부(123)에 있어서, 이들 도포 장치(123a), 버퍼 장치(123b), 감압 건조 장치(123c), 열 처리 장치(123d), 온도 조절 장치(123e) 및 막 두께 측정 장치(200)의 수나 배치는, 임의로 선택 가능하다.
또한, 발광층 형성부(123)는, 기판 반송 영역(CR7∼CR10)과, 전달 장치(TR8∼TR11)를 구비한다. 또한, 정공 수송층 형성부(122)와 발광층 형성부(123) 사이는, 전달 장치(TR7)를 통해 접속된다.
여기서, 기판 반송 영역(CR7∼CR9) 및 전달 장치(TR7∼TR9)는, 전술한 기판 반송 영역(CR4∼CR6) 및 전달 장치(TR4∼TR6)와 거의 동일한 구성이기 때문에, 상세한 설명은 생략한다.
전달 장치(TR10)는, 기판 반송 영역(CR9) 및 반출 스테이션(130) 사이에 마련되며, 이들 사이에서 유리 기판(G)을 전달시킨다. 또한, 전달 장치(TR10)는, 유리 기판(G)을 일시적으로 수용하며, 내부 분위기를 전환 가능하게, 즉 저산소 및 저노점 분위기와 대기 분위기를 전환 가능하게 마련된 로드록 장치로서 구성되는 것이 바람직하다.
전달 장치(TR11)는, 기판 반송 영역(CR9 및 CR10) 사이에 마련되며, 이들 사이에서 검사 대상이 되는 유리 기판(G)을 전달시킨다. 기판 반송 영역(CR10)은, 이러한 기판 반송 영역(CR10)에 인접하는 막 두께 측정 장치(200)에 검사 대상이 되는 유리 기판(G)을 반송한다.
반출 스테이션(130)은, 카세트 배치대(131)와, 반송로(132)와, 기판 반송체(133)를 구비한다. 카세트 배치대(131)는, 복수의 카세트(C)를 Y축 방향으로 일렬로 배치 가능하다. 즉, 반출 스테이션(130)은, 유리 기판(G)을 복수 보유할 수 있다.
반송로(132)는, Y축 방향으로 연신시켜 마련된다. 기판 반송체(133)는, 이러한 반송로(132) 상을 이동 가능하게, 또한, Z축 방향 및 Z축 둘레로 이동 가능하게 마련되며, 처리 스테이션(120)과 카세트(C) 사이에서 유리 기판(G)을 반송한다. 또한, 기판 반송체(133)는, 예컨대 유리 기판(G)을 흡착 유지하면서 반송한다. 또한, 반출 스테이션(130)의 내부는, 저산소 및 저노점 분위기로 유지되어 있는 것이 바람직하다.
또한, 기판 처리 시스템(100)은, 제어 장치(140)를 구비한다. 제어 장치(140)는, 예컨대 컴퓨터이며, 제어부(141)와 기억부(142)를 구비한다. 기억부(142)에는, 기판 처리 시스템(100)에 있어서 실행되는 각종 처리를 제어하는 프로그램이 저장된다. 제어부(141)는, 예컨대 CPU(Central Processing Unit)이며, 기억부(142)에 기억된 프로그램을 읽어내어 실행함으로써 기판 처리 시스템(100)의 동작을 제어한다.
또한, 이러한 프로그램은, 컴퓨터에 의해 판독 가능한 기억 매체에 기록되어 있던 것이며, 그 기억 매체로부터 제어 장치(140)의 기억부(142)에 인스톨된 것이어도 좋다. 컴퓨터에 의해 판독 가능한 기억 매체로서는, 예컨대 하드 디스크(HD), 플렉시블 디스크(FD), 컴팩트 디스크(CD), 마그넷 옵티컬 디스크(MO), 메모리 카드 등이 있다. 또한, 제어부(141)는, 프로그램을 이용하지 않고 하드웨어만으로 구성되어도 좋다.
<3. 막 두께 측정 장치(200)의 구성>
다음에, 막 두께 측정 장치(200)의 구성에 대해서, 도 5를 이용하여 보다 구체적으로 설명한다. 도 5는 본 실시형태에 따른 막 두께 측정 장치(200)의 구성의 개략을 나타내는 평면 모식도이다. 또한, 이하에 있어서는, 위치 관계를 명확하게 하기 위해, 서로 직교하는 X축 방향, Y축 방향 및 Z축 방향을 규정하고, Z축 정방향을 연직 상향 방향으로 한다.
도 5에 나타내는 바와 같이, 막 두께 측정 장치(200)는, 폐쇄 공간(201)을 갖는다. 폐쇄 공간(201)은, 광이 없는 암소(暗所)로 유지된다. 검사 대상이 되는 유리 기판(G)은, 이러한 폐쇄 공간(201)에 예컨대 기판 반송 영역(CR10)으로부터의 반입구인 개폐 셔터(도시 생략)를 통해 반입된다.
또한, 막 두께 측정 장치(200)는, 스테이지(202)와, 이동 기구(203)와, 계측 헤드(204)를 구비한다. 이동 기구(203)는, 가이드 레일(203a)와, 연직 부재(203b)와, 수평 부재(203c)와, 가동 블록(203d)과, 승강부(203e)를 구비한다. 계측 헤드(204)는, 조사부(10)와, 촬상부(11)를 구비한다. 조사부(10) 및 촬상부(11)는, 계측 헤드(204)의 케이스(204a) 내에 배치된다.
스테이지(202)는, 반입된 유리 기판(G)을 배치하여 유지한다. 가이드 레일(203a)은, 스테이지(202)의 폭 방향(X축 방향)의 양측에, Y축 방향으로 연신시켜 한쌍 마련된다.
이동 기구(203)를 구성하는 연직 부재(203b)는, Z축 방향으로 연신한 형상의 부재이며, 가이드 레일(203a)을 따라 X축 방향으로 슬라이드 가능하게 한쌍 마련된다. 수평 부재(203c)는, 연직 부재(203b)의 상단부에 가설된다.
가동 블록(203d)은, 계측 헤드(204)를 현수한 상태로 지지하면서, 수평 부재(203c)를 따라 Y축 방향으로 슬라이드 가능하게 마련된다. 승강부(203e)는, 계측 헤드(204)가 구비하는 촬상부(11)를 연직 방향(Z축 방향)을 따라 이동시킨다.
이와 같이, 이동 기구(203)는, 계측 헤드(204)를 유리 기판(G)의 주면 방향(즉, XY 평면 방향)을 따라 이동 가능하게, 또한, 계측 헤드(204)의 촬상부(11)를 유리 기판(G)의 주면에 대하여 수직인 방향(Z축 방향)을 따라 이동 가능하게 마련된다. 또한, 이동 기구(203)는, 그 동작이 전술한 제어 장치(140)의 제어부(141)에 의해 제어된다.
다음에, 계측 헤드(204)가 구비하는 조사부(10) 및 촬상부(11)의 구성에 대해서 도 6을 참조하여 설명한다. 도 6은 조사부(10) 및 촬상부(11)의 구성의 일례를 나타내는 모식도이다. 또한, 각 구성 요소의 치수는, 기술의 이해의 용이함을 우선시키기 때문에, 반드시 실제의 치수에 대응하고 있지 않다.
조사부(10)는, 유리 기판(G)에 대하여 경사 상방으로부터 자외광을 조사하는 방향에 배치된다. 조사부(10)는, 자외광의 광원(도시하지 않음)을 갖는다. 조사부(10)로부터 조사되는 자외광의 파장은, 예컨대 365 ㎚이다. 이러한 파장의 자외광을 이용함으로써, 막 두께 측정 장치(200)의 내부에 오존이 발생하는 것을 억제할 수 있다.
조사부(10)는, 유리 기판(G) 상의 뱅크(540) 내에 형성된 유기 EL층(530)[여기서는, 발광층(533)]을 향하여 자외광을 조사한다. 이하, 뱅크(540) 및 유기 EL층(530)을 포함하여, 조사부(10)로부터의 자외광이 조사되는 유리 기판(G) 상의 영역을 조사 영역(22)이라고 한다. 조사 영역(22)은, 적어도 하나의 뱅크(540)를 커버하는 정도의 넓이이면 좋다.
촬상부(11)는, 유리 기판(G)의 주면에 대하여 상기 촬상부(11)의 광축이 수직이 되는 방향에 배치된다. 본 실시형태에 있어서, 촬상부(11)는, 유기 EL층(530)[조사 영역(22)]의 연직 상방에 배치된다. 촬상부(11)에는, 여러가지 카메라를 이용할 수 있지만, 예컨대 에리어 스캔 카메라가 이용된다. 그리고, 촬상부(11)는, 조사부(10)로부터의 자외광이 조사된 유리 기판(G)의 조사 영역(22)을 촬상한다. 촬상부(11)에서 촬상된 촬상 화상은, 제어 장치(140)의 제어부(141)에 출력된다.
촬상부(11)의 렌즈(11a)에는, 자외광을 차단하는 자외광 차단 필터(12)가 부착된다. 자외광 차단 필터(12)로서는, 상기 파장의 자외광의 진행을 차단하는 것이면, 임의의 필터를 이용할 수 있다. 유리 기판(G)의 조사 영역(22)에서 반사한 자외광은, 자외광 차단 필터(12)에 의해 촬상부(11)에의 입광이 차단된다.
이와 같이, 본 실시형태에 따른 막 두께 측정 장치(200)에서는, 유리 기판(G)에 대하여 경사 상방으로부터 자외광을 조사하는 방향에 조사부(10)가 배치되기 때문에, 상기 조사부(10)로부터 조사 영역(22)에 자외광(31)을 적절하게 조사할 수 있다. 더구나, 조사 영역(22)에서 반사하는 자외광(31)이 지나치게 강해지지 않기 때문에, 자외광 차단 필터(12)로 자외광(31)을 확실하게 차단할 수 있다. 따라서, 촬상부(11)에서 촬상되는 촬상 화상에 있어서, 유기 EL층(530)과 유리 기판(G)의 콘트라스트를 높일 수 있다.
또한, 조사부(10)를 유리 기판(G)에 대하여 경사 상방에 배치함으로써, 확산광의 영향에 의해 촬상 화상의 품질이 저하하는 것을 방지할 수 있다. 또한, 촬상 화상의 품질을 높이는 데 있어서, 조사부(10)와 유리 기판(G) 사이에 집광 렌즈(도시하지 않음)를 배치하는 등의 도광 수단을 취하여도 좋다.
또한, 본 실시형태에 따른 막 두께 측정 장치(200)는, 하나의 뱅크(540) 내에 형성된 유기 EL층(530)의 막 두께 분포를 측정한다. 이 때문에, 본 실시형태에 따른 막 두께 측정 장치(200)는, 예컨대 50배 정도의 배율의 렌즈(11a)를 사용하여, 유리 기판(G)을 미크로 관찰한다.
<4. 막 두께 분포의 측정 방법>
다음에, 이상과 같이 구성된 막 두께 측정 장치(200)를 이용하여 행해지는 발광층(533)을 포함하는 유기 EL층(530)의 막 두께 분포의 측정 방법에 대해서 도 7∼도 9를 참조하여 설명한다. 도 7은 막 두께 측정 장치(200)로 촬상되는 촬상 화상의 설명도이다. 도 8은 뱅크(540) 내에 있어서의 유기 EL층(530)의 막 두께 분포를 나타내는 도면이다. 도 9는 뱅크(540) 내에 있어서의 유기 EL층(530)이 자외광을 받아 발하는 형광의 휘도 분포를 나타내는 도면이다.
막 두께 측정 장치(200)는, 조사부(10)로부터 유리 기판(G) 상의 조사 영역(22)에 자외광이 조사된다. 그렇게 되면, 조사 영역(22)에 있는 유기 EL층(530)이 자외광을 흡수하여 발광한다(도 7 참조).
그리고, 막 두께 측정 장치(200)는, 촬상부(11)를 이용하여 조사 영역(22)을 촬상한다. 이때, 조사 영역(22)에서 발광한 유기 EL층(530)의 가시광 성분(30)과 조사 영역(22)에서 반사한 자외광(31)은, 연직 상방으로 진행하는데, 상기 자외광(31)은 자외광 차단 필터(12)에 의해 차단된다.
촬상부(11)에 의해 촬상된 촬상 화상은, 제어 장치(140)의 제어부(141)에 출력된다. 그리고, 제어부(141)에서는, 촬상 화상에 기초하여 유기 EL층(530)의 막 두께 분포가 측정된다.
여기서, 종래의 막 두께 측정 방법으로서는, 예컨대, 대상물에 프로브를 접촉시킴으로써 막 두께를 측정하는 접촉식이나, 대상물에 광을 조사하여, 그 반사광을 이용하여 막 두께를 측정하는 광학식이 알려져 있다.
그러나, 접촉식에서는, 프로브의 침압 정밀도에 의한 오차나 급격한 단차 부분에서의 측정 오차가 생길 우려가 있다. 또한, 광학식에서는, 측정 대상이 다층막인 경우에, 배면막의 영향 등에 의해 오차를 발생시킬 우려가 있다. 또한, 접촉식 및 광학식 중 어느 것도, 고속 처리가 어려워, 막 두께 분포를 단시간에 측정하는 것이 곤란하다.
한편, 본 출원인은, 유기 EL층(530)이 자외광을 받아 발하는 형광의 휘도와, 유기 EL층(530)의 막 두께에 상관 관계가 있는 것을 발견하였다. 예컨대, 도 8에는, 도 7에 나타내는 a점 및 b점을 연결하는 직선(L) 상에 있어서의 유기 EL층(530)의 막 두께 분포를 나타내고 있다. 이 막 두께는, 종래의 접촉식에서의 측정 방법에 따라 측정한 것이다. 또한, 도 9에는, 유기 EL층(530)이 발하는 형광의 직선(L) 상에 있어서의 휘도 분포를 나타내고 있다.
도 8 및 도 9에 나타내는 바와 같이, 유기 EL층(530)으로부터 발생하는 형광의 휘도는, 유기 EL층(530)의 막 두께가 두꺼운 부분(예컨대, a점이나 b점)일수록 높고, 막 두께가 얇은 부분일수록 낮다. 이와 같이, 유기 EL층(530)으로부터 발생하는 형광의 휘도 분포와, 유기 EL층(530)의 막 두께 분포 사이에는 상관 관계가 있는 것을 알 수 있다.
그래서, 본 실시형태에 따른 막 두께 측정 장치(200)에서는, 촬상부(11)에 의해 촬상된 촬상 화상의 휘도 분포에 기초하여 유기 EL층(530)의 막 두께 분포를 구하는 것으로 하였다.
구체적으로는, 제어부(141)는, 촬상부(11)로부터 촬상 화상을 취득하면, 유리 기판(G) 상의 하나의 뱅크(540) 내에 있어서의 유기 EL층(530)의 휘도 분포를 촬상 화상으로부터 산출한다. 그리고, 제어부(141)는, 산출한 휘도 분포에 기초하여, 상기 뱅크(540) 내에 있어서의 유기 EL층(530)의 막 두께 분포를 산출한다.
예컨대, 제어부(141)는, 기억부(142)에 기억된 변환 계수를 이용하여 휘도 분포를 막 두께 분포로 변환하여도 좋다. 변환 계수는, 예컨대, 동일한 샘플을 이용하여 각각 측정한 막 두께 분포 및 휘도 분포의 결과로부터 도출할 수 있다.
본 실시형태에 따른 막 두께 측정 장치(200)에 따르면, 종래의 접촉식이나 광학식의 막 두께 측정 방법과 비교하여, 유기 EL층(530)의 막 두께 분포를 단시간에 측정할 수 있다. 즉, 접촉식이나 광학식의 막 두께 측정 방법은, 어느 것도 스폿 측정이기 때문에, 막 두께 분포를 얻기 위해서는, 측정 포인트를 바꾸면서 측정을 복수회 행할 필요가 있다. 따라서, 접촉식이나 광학식의 막 두께 측정 방법에서는, 예컨대 하나의 뱅크(540) 내에 형성된 유기 EL층(530)의 막 두께 분포를 단시간에 측정하는 것이 곤란하다.
이에 대하여, 본 실시형태에 따른 막 두께 측정 장치(200)에서는, 하나의 뱅크(540) 내에 형성된 유기 EL층(530)이 발하는 형광을 촬상부(11)에 의해 촬상하고, 이러한 촬상 화상의 휘도 분포에 기초하여 유기 EL층(530)의 막 두께 분포를 구하는 것으로 하였다. 이에 의해, 본 실시형태에 따른 막 두께 측정 장치(200)는, 측정 포인트를 바꾸는 일없이, 1회의 측정으로, 하나의 뱅크(540) 내에 형성된 유기 EL층(530)의 막 두께 분포를 측정할 수 있다. 따라서, 본 실시형태에 따른 막 두께 측정 장치(200)에 따르면, 유기 EL층(530)의 막 두께 분포를 단시간에 측정하는 것이 가능하다.
또한, 본 실시형태에 따른 막 두께 측정 장치(200)에 따르면, 도 8에 나타낸 것과 같은 막 두께의 2차원 프로파일에 한정되지 않고, 하나의 뱅크(540) 내에 형성된 유기 EL층(530) 전체의 막 두께 분포(즉, 3차원 프로파일)를 단시간에 측정하는 것도 가능하다. 또한, 막 두께 측정 장치(200)에 따르면, 촬상 화상 또는 휘도 분포의 데이터를 기억부(142)에 기억해 둠으로써, 막 두께의 측정 포인트를 사후적으로 추가하는 것도 가능하다.
다음에, 1장의 유리 기판(G)에 대하여, 전술한 막 두께 측정을 복수의 측정 포인트에서 행하는 경우의 예에 대해서 도 10을 참조하여 설명한다. 도 10은 막 두께 측정의 측정 포인트의 일례를 나타내는 도면이다. 도 10에 나타내는 바와 같이, 막 두께 측정 장치(200)는, 1장의 유리 기판(G)에 대하여 복수의 측정 포인트[여기서는, 포인트(P1∼P6)]에서 전술한 막 두께 측정을 행하는 것으로 하여도 좋다.
측정 포인트(P1∼P6) 사이의 계측 헤드(204)의 이동은, 예컨대, 이동 기구(203)를 이용하여 행해진다. 또한, 스테이지(202)가 유리 기판(G)을 X축 방향 및 Y축 방향으로 이동 가능하게 구성되어 있는 경우에는, 스테이지(202)를 이용하여 유리 기판(G)을 이동시킴으로써, 계측 헤드(204)를 상대적으로 이동시켜도 좋다.
유기 EL층(530)이 발하는 형광의 휘도는, 유기 EL층(530)의 막 두께뿐만 아니라, 유기 EL층(530)이 받는 자외광의 강도나 조사 시간에도 의존한다. 이 때문에, 막 두께 측정을 복수 포인트에서 행하는 경우에는, 자외광의 조도, 조사 시간, 유리 기판(G)과 조사부(10) 사이의 갭 등을 측정 포인트 사이에서 같게 하는 것이 바람직하다.
이들 측정 조건을 같게 함으로써, 각 측정 포인트에 있어서의 막 두께 측정의 결과끼리를 비교하는 것이 가능해진다. 예컨대, 제어부(141)는, 측정 포인트(P1∼P6)에 있어서의 막 두께의 최대값과 최소값의 차(또는 비율)가 미리 정해진 임계값을 넘는 경우에, 기판 처리 시스템(100)에 의한 유기 EL층(530)의 도포 처리에 이상이 있다고 판정하고, 도포 장치(121a, 122a, 123a)에 의한 처리를 중단시키는 등의 이상 대응 처리를 행하여도 좋다.
또한, 막 두께 측정 장치(200)는, 하나의 측정 포인트에 있어서, 막 두께의 최대값과 최소값의 차(또는 비율)가 미리 정해진 임계값을 넘는 경우에, 상기 이상 대응 처리를 행하여도 좋다.
전술한 바와 같이, 본 실시형태에 따른 막 두께 측정 장치(200)는, 조사부(10)와, 촬상부(11)와, 제어부(141)를 구비한다. 조사부(10)는, 유기 EL층(530)이 형성된 유리 기판(G) 상의 조사 영역(22)에 자외광을 조사한다. 촬상부(11)는, 자외광의 조사를 받은 조사 영역(22)을 촬상한다. 제어부(141)는, 촬상부(11)에 의해 촬상된 촬상 화상의 휘도 분포에 기초하여 유기 EL층(530)의 막 두께 분포를 구한다. 따라서, 본 실시형태에 따른 막 두께 측정 장치(200)에 따르면, 유리 기판(G)에 형성된 유기 EL층(530)의 막 두께 분포를 단시간에 측정할 수 있다.
<5. 조사부의 배치의 변형예>
막 두께 측정 장치(200)가 구비하는 조사부(10)의 배치는, 자외광(31)이 조사 영역(22)에 적절하게 조사되면, 임의로 선택할 수 있다. 이하에서는, 조사부(10)의 배치의 변형예에 대해서 도 11∼도 13을 참조하여 설명한다. 도 11은 제1 변형예에 따른 조사부(10) 및 촬상부(11)의 구성을 나타내는 모식도이다. 도 12는 제2 변형예에 따른 조사부(10) 및 촬상부(11)의 구성을 나타내는 모식도이다. 도 13은 제3 변형예에 따른 조사부(10) 및 촬상부(11)의 구성을 나타내는 모식도이다.
예컨대, 도 11에 나타내는 바와 같이, 조사부(10)는, 조사 영역(22)의 연직 하방에 배치되어 있어도 좋다. 이러한 경우, 조사부(10)로부터 조사 영역(22)에 자외광(31)을 적절하게 조사할 수 있다. 더구나, 도 6에 나타낸 막 두께 측정 장치(200)와 마찬가지로, 조사 영역(22)을 투과하는 자외광(31)을 약하게 할 수 있어, 자외광 차단 필터(12)로 자외광(31)을 확실하게 차단할 수 있다. 그 결과, 촬상부(11)에서 촬상되는 촬상 화상에 있어서, 유기 EL층(530)과 유리 기판(G)의 콘트라스트를 높일 수 있다.
또한, 막 두께 측정 장치(200)에는, 조사부(10)로부터의 자외광(31)의 광로를 조사 영역(22)을 향하게 하는 광로 변경부가 마련되어도 좋다. 예컨대, 도 12에 나타내는 바와 같이, 촬상부(11)의 하방에 있어서, 반사경 등의 광로 변경부(40)가 마련되어도 좋다. 혹은, 예컨대 도 13에 나타내는 바와 같이, 촬상부(11)의 렌즈(11a)의 하부에 있어서, 조사부(10)의 광원에 접속된 돔형의 조명인 광로 변경부(41)가 마련되어도 좋다. 어느 경우라도, 조사부(10)로부터의 자외광(31)의 광로는 광로 변경부(40, 41)에 의해 조사 영역(22)을 향하도록 변경된다. 따라서, 조사부(10)로부터 조사 영역(22)에 자외광(31)을 적절하게 조사할 수 있어, 촬상부(11)에서 촬상되는 촬상 화상에 있어서, 유기 EL층(530)과 유리 기판(G)과의 콘트라스트를 높일 수 있다.
<6. 그 외의 변형예>
전술한 실시형태에서는, 발광층 형성 처리 후 그리고 전자 수송층 형성 처리 전의 유리 기판(G)에 대하여 막 두께 측정을 행하는 경우의 예에 대해서 설명하였지만, 막 두께 측정은, 예컨대, 정공 주입층 형성 처리 후 그리고 정공 수송층 형성 처리 전의 유리 기판(G)이나, 정공 수송층 형성 처리 후 그리고 발광층 형성 처리 전의 유리 기판(G)에 대하여 행하여도 좋다. 이러한 경우에는, 막 두께 측정 장치(200)를 정공 주입층 형성부(121)나 정공 수송층 형성부(122)에 배치하면 좋다.
이와 같이, 밀봉 공정을 끝내기 전의 유리 기판(G)에 대하여 막 두께 측정을 실시함으로써, 막 두께 불량을 조기에 검출하여 효율적으로 제조 라인을 개선시키는 것이 가능해진다.
또한, 막 두께 측정 장치(200)는, 전자 수송층 형성 처리 후의 유리 기판(G) 에 대하여 막 두께 측정을 행하는 것으로 하여도 좋다. 이러한 경우에는, 막 두께 측정 장치(200)를 기판 처리 시스템(100)과 별개로 마련하는 것으로 하여도 좋다.
또한, 전술한 실시형태에서는, 막 두께 측정 장치(200)를 독립된 장치로서 기판 처리 시스템(100) 내에 배치한 경우의 예에 대해서 설명하였지만, 예컨대, 막 두께 측정 장치(200)의 이동 기구(203) 및 계측 헤드(204)를 도포 장치(121a, 122a, 123a)의 내부에 편입하여도 좋다. 또한, 기판 반송 영역(CR1∼9)의 상방에 막 두께 측정 장치(200)의 계측 헤드(204)를 배치하여도 좋다.
추가적인 효과나 변형예는, 당업자에 의해 용이하게 도출할 수 있다. 이 때문에, 본 발명의 보다 광범한 양태는, 이상과 같이 나타내며 또한 서술한 특정 상세 및 대표적인 실시형태에 한정되는 것이 아니다. 따라서, 첨부된 청구범위 및 그 균등물에 의해 정의되는 총괄적인 발명의 개념의 정신 또는 범위로부터 일탈하는 일없이, 여러가지 변경이 가능하다.
G 유리 기판
10 조사부
11 촬상부
12 자외광 차단 필터
100 기판 처리 시스템
141 제어부
142 기억부
200 막 두께 측정 장치
540 뱅크

Claims (8)

  1. 막 두께 측정 장치에 있어서,
    유기막이 형성된 기판 상의 조사 영역에 자외광을 조사하는 조사부와,
    상기 자외광의 조사를 받은 상기 조사 영역을 촬상하는 촬상부와,
    상기 촬상부에 의해 촬상된 촬상 화상의 휘도 분포에 기초하여 상기 유기막의 막 두께 분포를 구하는 제어부
    를 포함하는, 막 두께 측정 장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 제어부는,
    상기 기판 상의 하나의 뱅크 내에 형성된 상기 유기막의 휘도 분포를 상기 촬상 화상으로부터 구하고, 구해진 상기 휘도 분포에 기초하여, 상기 뱅크 내에 있어서의 상기 유기막의 막 두께 분포를 구하는 것인, 막 두께 측정 장치.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 제어부는,
    상기 휘도 분포에 미리 정해진 변환 계수를 곱함으로써 상기 막 두께 분포를 구하는 것인, 막 두께 측정 장치.
  4. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 촬상부는,
    자외광을 차단하는 필터를 포함하는 것인, 막 두께 측정 장치.
  5. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 조사부는,
    상기 조사 영역에 대하여 경사 방향으로부터 자외광을 조사하는 방향에 배치되고,
    상기 촬상부는,
    상기 조사 영역에 대하여 광축이 수직이 되는 방향에 배치되는 것인, 막 두께 측정 장치.
  6. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 촬상부는,
    상기 조사 영역의 상방에 배치되고,
    상기 조사부는,
    상기 조사 영역의 하방에 배치되는 것인, 막 두께 측정 장치.
  7. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 조사부로부터 조사되는 자외광의 광로를 상기 조사 영역을 향하게 하는 광로 변경부를 포함하는, 막 두께 측정 장치.
  8. 막 두께 측정 방법에 있어서,
    유기막이 형성된 기판 상의 조사 영역에 자외광을 조사하는 조사 공정과,
    상기 자외광의 조사를 받은 상기 조사 영역을 촬상하는 촬상 공정과,
    상기 촬상 공정에 의해 촬상된 촬상 화상의 휘도 분포에 기초하여 상기 유기막의 막 두께 분포를 구하는 측정 공정
    을 포함하는, 막 두께 측정 방법.
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