KR102355732B1 - 검사 장치 및 검사 방법 - Google Patents

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KR102355732B1 KR1020150105839A KR20150105839A KR102355732B1 KR 102355732 B1 KR102355732 B1 KR 102355732B1 KR 1020150105839 A KR1020150105839 A KR 1020150105839A KR 20150105839 A KR20150105839 A KR 20150105839A KR 102355732 B1 KR102355732 B1 KR 102355732B1
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Abstract

본 발명은 조기에 불량을 검출하여 효율적으로 제조 라인을 개선시키는 것을 과제로 한다.
실시형태에 따른 검사 장치는, 조사부와, 촬상부와, 제어부를 구비한다. 조사부는, 직렬로 배열된 복수의 발광 소자를 가지고, 이러한 발광 소자로부터 주면 상에 적어도 유기 EL층에 있어서의 발광층이 형성된 기판을 향하여 자외광을 조사한다. 촬상부는 자외광의 조사를 받은 기판을 미리 정해진 촬상 영역에 있어서 촬상한다. 제어부는 촬상부에 의해 촬상된 촬상 화상에 기초하여 기판의 불량을 검출시킨다.

Description

검사 장치 및 검사 방법{TESTING APPARATUS AND TESTING METHOD}
개시된 실시형태는 검사 장치 및 검사 방법에 관한 것이다.
종래, 유기 EL(Electroluminescence)의 발광을 이용한 발광 다이오드인 유기 발광 다이오드(OLED: Organic Light Emitting Diode)가 알려져 있다. 이러한 유기 발광 다이오드를 이용한 유기 EL 디스플레이는, 박형 경량에 저소비 전력인 데다가, 응답 속도나 시야각, 콘트라스트비의 면에서 우수하다고 하는 이점을 가지고 있기 때문에, 차세대 플랫 패널 디스플레이(FPD)로서 최근 주목받고 있다.
또한, 유기 발광 다이오드는, 기판 상의 양극과 음극 사이에 유기 EL층을 끼운 구조를 가지고 있다. 유기 EL층은, 예컨대 양극측으로부터 순서대로, 정공 주입층, 정공 수송층, 발광층, 전자 수송층, 전자 주입층이 적층되어 형성된다. 이러한 적층 구조의 형성에 있어서는, 예컨대 정공 주입층, 정공 수송층 및 발광층을 각각 잉크젯 방식을 이용하여 도포한다고 하는 방법이 이용된다.
그런데, 유기 발광 다이오드는 유기 EL층의 각 층이 각각 수십 ㎚의 박막으로 형성되기 때문에, 각 층 중 어느 하나에 예컨대 도포 불균일과 같은 불량이 발생하면, 그 영향이 제품을 동작시킨 경우에 현저하게 나타나 버린다. 이 때문에, 이러한 불량을 검사하기 위한 검사 장치가 여러가지 제안되어 있다.
예컨대 특허문헌 1에는, 유리 기판 상의 레지스트막의 막 불균일을 검사할 수 있는 외관 검사 장치가 개시되어 있다. 구체적으로, 이러한 외관 검사 장치는, 조명부로부터 유리 기판에 대하여 조명광을 조사하고, 라인 센서 카메라로 촬상한 화상을 해석함으로써, 막 불균일과 같은 불량이 발생하였는지의 여부를 검사한다.
또한, 예컨대 이러한 외관 검사를 받는 단계의 완성품에 가까운 기판이면, 제품으로서의 통상의 사용 시와 마찬가지로, 양극과 음극 사이에 전압을 인가함으로써 기판을 발광시키고, 그 발광 상태를 촬상하여 화상을 해석한다고 하는 방법도 이용할 수 있다.
일본 특허 공개 제2011-99875호 공보
그러나, 전술한 종래 기술에는, 조기에 불량을 검출하여 효율적으로 제조 라인을 개선시키는 데 있어서, 추가적인 개선의 여지가 있다.
구체적으로는, 전술한 종래 기술은, 예컨대 성막 공정으로부터 밀봉 공정을 거친, 거의 완성품에 가까운 기판을 검사함으로써 불량을 검출하고자 하는 것이다. 이 때문에, 만약 불량으로서 도포 불균일이 검출되었다고 해도, 예컨대 이러한 도포 불균일이 전술한 각 층 중 어느 것을 형성하는 과정에서 발생하였는지에 대한 판별을 행하지 않으면 안 되어, 원인이 특정되어 제조 라인이 개선될 때까지 시간이 걸린다고 하는 문제가 있었다.
실시형태의 일 양태는, 상기를 감안하여 이루어진 것으로서, 조기에 불량을 검출하여 효율적으로 제조 라인을 개선시킬 수 있는 검사 장치 및 검사 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
실시형태의 일 양태에 따른 검사 장치는, 조사부와, 촬상부와, 제어부를 구비한다. 조사부는, 직렬로 배열된 복수의 발광 소자를 가지며, 이러한 발광 소자로부터 주면 상에 적어도 유기 EL층에 있어서의 발광층이 형성된 기판을 향하여 자외광을 조사한다. 촬상부는, 자외광의 조사를 받은 기판을 미리 정해진 촬상 영역에 있어서 촬상한다. 제어부는, 촬상부에 의해 촬상된 촬상 화상에 기초하여 기판의 불량을 검출시킨다.
실시형태의 일 양태에 따르면, 조기에 불량을 검출하여 효율적으로 제조 라인을 개선시킬 수 있다.
도 1은 유기 발광 다이오드의 구성의 개략을 나타내는 단면 모식도이다.
도 2는 유기 발광 다이오드의 격벽의 구성의 개략을 나타내는 평면 모식도이다.
도 3은 유기 발광 다이오드의 제조 방법의 주공정을 나타내는 흐름도이다.
도 4는 실시형태에 따른 검사 장치를 구비한 기판 처리 시스템의 구성의 개략을 나타내는 평면 모식도이다.
도 5는 실시형태에 따른 검사 장치의 구성의 개략을 나타내는 평면 모식도이다.
도 6a는 계측 헤드가 구비하는 UV 조사기의 구성의 개략을 나타내는 평면 모식도이다.
도 6b는 UV 조사기 및 카메라의 배치 관계를 나타내는 측면 모식도이다.
도 6c는 카메라에 의한 촬상 화상의 처리 방법을 나타내는 모식도이다.
도 7a는 계측 헤드의 이동 제어의 설명도 (1)이다.
도 7b는 계측 헤드의 이동 제어의 설명도 (2)이다.
도 7c는 계측 헤드의 이동 제어의 설명도 (3)이다.
도 7d는 계측 헤드의 이동 제어의 설명도 (4)이다.
도 7e는 계측 헤드의 이동 제어의 설명도 (5)이다.
도 7f는 계측 헤드의 이동 제어의 설명도 (6)이다.
도 7g는 계측 헤드의 이동 제어의 설명도 (7)이다.
도 7h는 계측 헤드의 이동 제어의 설명도 (8)이다.
도 8은 제어 장치의 블록도이다.
이하, 첨부 도면을 참조하여, 본원의 개시하는 검사 장치 및 검사 방법의 실시형태를 상세하게 설명한다. 또한, 이하에 나타내는 실시형태에 의해 본 발명이 한정되는 것이 아니다.
우선, 유기 발광 다이오드의 구성의 개략 및 그 제조 방법에 대해서, 도 1∼도 3을 이용하여 설명한다. 도 1은 유기 발광 다이오드(1)의 구성의 개략을 나타내는 단면 모식도이다. 도 2는 유기 발광 다이오드(1)의 격벽(20)의 구성의 개략을 나타내는 평면 모식도이다. 도 3은 유기 발광 다이오드(1)의 제조 방법의 주공정을 나타내는 흐름도이다.
도 1에 나타내는 바와 같이, 유기 발광 다이오드(1)는, 기판으로서의 유리 기판(G) 상에서, 양극(애노드)(10) 및 음극(캐소드)(40) 사이에 유기 EL층(30)을 끼운 구조를 가지고 있다.
유기 EL층(30)은 양극(10)측으로부터 순서대로, 정공 주입층(31), 정공 수송층(32), 발광층(33), 전자 수송층(34) 및 전자 주입층(35)이 적층되어 형성된다.
구체적으로는 먼저, 양극 형성 처리(도 3의 단계 S101)에 있어서, 유리 기판(G) 상에 양극(10)이 형성된다. 양극(10)은, 예컨대 증착법을 이용하여 형성된다. 또한, 양극(10)에는, 예컨대 ITO(Indium Tin Oxide)로 이루어지는 투명 전극이 이용된다.
계속해서, 격벽 형성 처리(도 3의 단계 S102)에 있어서, 양극(10) 상에 격벽(20)이 형성된다. 격벽(20)은, 예컨대 포토 리소그래피 처리나 에칭 처리 등에 의해, 미리 정해진 패턴으로 패터닝된다.
그리고, 격벽(20)에는, 도 2에 나타내는 바와 같이, 슬릿형의 개구부(21)가 행 방향 및 열 방향을 따라 복수개 배열되어 있다. 이러한 개구부(21)의 내부에는, 후술하는 바와 같이 유기 EL층(30)과 음극(40)이 적층되어 화소가 형성된다. 또한, 격벽(20)에는, 예컨대 감광성 폴리이미드 수지가 이용된다.
계속해서, 격벽(20)의 개구부(21)내부의 양극(10) 상에 유기 EL층(30)이 형성된다. 구체적으로는, 정공 주입층 형성 처리(도 3의 단계 S103)에 있어서, 양극(10) 상에 정공 주입층(31)이 형성된다. 그리고, 정공 수송층 형성 처리(도 3의 단계 S104)에 있어서, 정공 주입층(31) 상에 정공 수송층(32)이 형성된다.
그리고, 발광층 형성 처리(도 3의 단계 S105)에 있어서, 정공 수송층(32) 상에 발광층(33)이 형성된다. 또한, 발광층(33)에는, R 발광층, G 발광층 및 B 발광층이 포함된다.
그리고, 전자 수송층 형성 처리(도 3의 단계 S106)에 있어서, 발광층(33) 상에 전자 수송층(34)이 형성되고, 전자 주입층 형성 처리(도 3의 단계 S107)에 있어서, 전자 수송층(34) 상에 전자 주입층(35)이 형성된다.
본 실시형태에서는, 정공 주입층(31), 정공 수송층(32) 및 발광층(33)은 각각, 후술하는 기판 처리 시스템(100)에 있어서 형성된다. 기판 처리 시스템(100)에서는, 잉크젯 방식에 의한 유기 재료의 도포 처리, 유기 재료의 감압 건조 처리, 유기 재료의 소성 처리가 순차 행해져, 이들 정공 주입층(31), 정공 수송층(32) 및 발광층(33)이 형성된다.
또한, 전자 수송층(34) 및 전자 주입층(35)은, 각각 예컨대 증착법을 이용하여 형성된다.
그리고, 음극 형성 처리(도 3의 단계 S108)에 있어서, 전자 주입층(35) 상에 음극(40)이 형성된다. 음극(40)은, 예컨대 증착법을 이용하여 형성된다. 또한, 음극(40)에는, 예컨대 알루미늄이 이용된다.
그리고, 단계 S101∼S108을 거쳐 형성된 적층 구조를 대기 중의 수분 등과 차단하기 위해, 밀봉 처리가 행해진다(도 3의 단계 S109).
이러한 성막 공정∼밀봉 공정을 거쳐 제조된 유기 발광 다이오드(1)에서는, 양극(10)과 음극(40) 사이에 전압이 인가됨으로써, 정공 주입층(31)에서 주입된 미리 정해진 수량의 정공이 정공 수송층(32)을 통해 발광층(33)에 수송된다.
또한, 전자 주입층(35)으로 주입된 미리 정해진 수량의 전자가 전자 수송층(34)을 통해 발광층(33)에 수송된다. 그리고, 발광층(33) 내에서 정공과 전자가 재결합하여 여기 상태의 분자를 형성하여, 발광층(33)이 발광하게 된다.
그런데, 종래 기술에 따르면, 유리 기판(G)의 불량을 검출하기 위한 검사는, 도 3에 나타낸 밀봉 공정을 끝낸 단계에서 행해지는 경우가 많았다. 이 때문에, 조기에 불량을 검출하여 효율적으로 제조 라인을 개선시키는 데 있어서 난점이 있었다.
그래서, 본 실시형태에서는, 적어도 발광층(33)이 형성된 단계에서 UV(Ultraviolet) 여기에 의해 발광층(33)을 발광시키고, 그 발광 상태를 촬상한 촬상 화상에 기초하여 검사를 행하는 것으로 하였다. 이에 의해, 조기에 불량을 검출하여 효율적으로 제조 라인을 개선시키는 것이 가능해진다.
이하, 이와 같이 검사를 행하는 실시형태에 따른 검사 장치(200)에 대해서 구체적으로 설명한다. 또한, 본 실시형태에서는, 검사 장치(200)는, 발광층 형성 처리 후 또한 전자 수송층 형성 처리 전에, 도 3으로 말하면 단계 S105∼S106 사이에, 검사를 행하는 것으로서 설명을 진행한다.
도 4는 실시형태에 따른 검사 장치(200)를 구비한 기판 처리 시스템(100)의 구성의 개략을 나타내는 평면 모식도이다. 또한, 도 4에서는, 검사 장치(200)를 알기 쉽게 나타내기 위해, 검사 장치(200)를 소정의 패턴으로 표시해 나타내고 있다.
또한, 도 4에 나타내는 바와 같이, 기판 처리 시스템(100)에는, 미리 양극 형성 처리 및 격벽 형성 처리(도 3의 단계 S101 및 S102 참조)를 거쳐 양극(10)과 격벽(20)이 형성된 유리 기판(G)이 반입되는 것으로 한다.
그리고, 기판 처리 시스템(100)에서는, 도 3의 단계 S103∼S105에 상당하는 각 처리가 행해져, 유리 기판(G) 상에 정공 주입층(31), 정공 수송층(32) 및 발광층(33)이 형성된 후, 전자 수송층 형성 처리를 향하여 반출되는 것으로 한다.
도 4에 나타내는 바와 같이, 기판 처리 시스템(100)은, 반입 스테이션(110)과, 처리 스테이션(120)과, 반출 스테이션(130)을 일체로 접속한 구성을 가지고 있다. 반입 스테이션(110)은 복수의 유리 기판(G)을 카세트(C) 단위로 외부로부터 반입하여, 카세트(C)로부터 처리 전의 유리 기판(G)을 취출한다.
처리 스테이션(120)은 유리 기판(G)에 대하여 정공 주입층 형성 처리, 정공 수송층 형성 처리 및 발광층 형성 처리의 각 처리를 실시하는 처리 장치(121∼123)를 구비한다. 반출 스테이션(130)은 처리 후의 유리 기판(G)을 카세트(C) 내에 수납하여, 복수의 유리 기판(G)을 카세트(C) 단위로 외부에 반출한다.
또한, 반입 스테이션(110), 처리 스테이션(120) 및 반출 스테이션(130)은, 예컨대 X축 방향을 따라 도 4에 나타내는 배치로 배치된다.
반입 스테이션(110)은, 카세트 배치대(111)와, 반송로(112)와, 기판 반송체(113)를 구비한다. 카세트 배치대(111)는 복수의 카세트(C)를 Y축 방향으로 일렬로 배치할 수 있다. 즉, 반입 스테이션(110)은 유리 기판(G)을 복수개 보유할 수 있다.
반송로(112)는 Y축 방향으로 연장되어 설치된다. 기판 반송체(113)는 이러한 반송로(112) 상을 이동 가능하게, 또한, Z축 방향 및 Z축 둘레로 이동 가능하게 설치되어, 카세트(C)와 처리 스테이션(120) 사이에서 유리 기판(G)을 반송한다. 또한, 기판 반송체(113)는, 예컨대 유리 기판(G)을 흡착 유지하면서 반송한다.
처리 스테이션(120)은, 정공 주입층 형성부(121)와, 정공 수송층 형성부(122)와, 발광층 형성부(123)를 구비한다. 정공 주입층 형성부(121)는 정공 주입층 형성 처리를 행하는 처리 장치이다. 정공 수송층 형성부(122)는 정공 수송층 형성 처리를 행하는 처리 장치이다. 발광층 형성부(123)는 발광층 형성 처리를 행하는 처리 장치이다. 이들 처리 장치(121∼123)는, 예컨대 반입 스테이션(110)측으로부터 X축 방향을 따라 도 4에 나타내는 배치로 배치된다.
정공 주입층 형성부(121)는, 도포 장치(121a)와, 버퍼 장치(121b)와, 감압 건조 장치(121c)와, 열 처리 장치(121d)와, 온도 조절 장치(121e)를 구비한다. 도포 장치(121a)는 유리 기판(G)에 형성된 양극(10) 상에 정공 주입층(31)을 형성하기 위한 유기 재료를 도포하는 장치이다.
이러한 도포 장치(121a)에서는, 잉크젯 방식으로 유리 기판(G) 상의 미리 정해진 위치, 즉 격벽(20)의 개구부(21)의 내부에 유기 재료가 도포된다. 이러한 유기 재료는, 정공 주입층(31)을 형성하기 위한 미리 정해진 재료를 유기 용매에 용해시킨 용액이다.
버퍼 장치(121b)는 복수의 유리 기판(G)을 일시적으로 수용하는 장치이다. 감압 건조 장치(121c)는 도포 장치(121a)에서 도포된 유기 재료를 감압 건조하는 장치이다. 또한, 감압 건조 장치(121c)는 복수개 적층되어 예컨대 5개 설치되어 있다.
또한, 감압 건조 장치(121c)는, 예컨대 터보 분자 펌프(도시 생략)를 가지며, 이러한 터보 분자 펌프에 의해 내부 분위기를 예컨대 1 ㎩ 이하까지 감압하여, 유기 재료를 건조하도록 구성되어 있다.
열 처리 장치(121d)는 감압 건조 장치(121c)에서 건조된 유기 재료를 열 처리하여 소성하는 장치이다. 또한, 열 처리 장치(121d)는 복수개, 예컨대 20단으로 적층되어 설치되어 있다. 또한, 열 처리 장치(121d)는, 그 내부에 유리 기판(G)을 배치하는 열판(도시 생략)을 가지며, 이러한 열판에 의해 유기 재료를 소성하도록 구성되어 있다.
온도 조절 장치(121e)는, 열 처리 장치(121d)에서 열 처리된 유리 기판(G)을 미리 정해진 온도, 예컨대 상온으로 조절하는 장치이며, 복수개 설치된다. 또한, 정공 주입층 형성부(121)에 있어서, 이들 도포 장치(121a), 버퍼 장치(121b), 감압 건조 장치(121c), 열 처리 장치(121d) 및 온도 조절 장치(121e)의 수나 배치는 임의로 선택 가능하다.
또한, 정공 주입층 형성부(121)는, 기판 반송 영역(CR1∼CR3)과, 전달 장치(TR1∼TR3)를 구비한다. 기판 반송 영역(CR1∼CR3)은, 각각 인접하여 설치되는 각 장치에 유리 기판(G)을 반송한다.
구체적으로는, 기판 반송 영역(CR1)은, 이러한 기판 반송 영역(CR1)에 인접한 도포 장치(121a) 및 버퍼 장치(121b)에 유리 기판(G)을 반송한다. 또한, 기판 반송 영역(CR2)은 이러한 기판 반송 영역(CR2)에 인접한 감압 건조 장치(121c)에 유리 기판(G)을 반송한다.
또한, 기판 반송 영역(CR3)은, 이러한 기판 반송 영역(CR3)에 인접한 열 처리 장치(121d) 및 온도 조절 장치(121e)에 유리 기판(G)을 반송한다. 또한, 기판 반송 영역(CR1∼CR3)에는 각각 유리 기판(G)을 반송하는 기판 반송 장치(도시 생략)가 XY 평면 방향, Z축 방향 및 Z축 둘레로 이동 가능하게 설치되어 있다.
전달 장치(TR1∼TR3)는 각각 순서대로, 반입 스테이션(110) 및 기판 반송 영역(CR1) 사이, 기판 반송 영역(CR1 및 CR2) 사이, 기판 반송 영역(CR2 및 CR3) 사이에 설치되고, 이들 사이에서 유리 기판(G)을 전달시킨다.
정공 수송층 형성부(122)는, 도포 장치(122a)와, 버퍼 장치(122b)와, 감압 건조 장치(122c)와, 열 처리 장치(122d)와, 온도 조절 장치(122e)를 구비한다. 도포 장치(122a)는 유리 기판(G)에 형성된 정공 주입층(31) 상에 정공 수송층(32)을 형성하기 위한 유기 재료를 도포한다.
이러한 도포 장치(122a)에서는, 잉크젯 방식으로 유리 기판(G) 상의 미리 정해진 위치, 즉 격벽(20)의 개구부(21)의 내부에 유기 재료가 도포된다. 이러한 유기 재료는, 정공 수송층(32)을 형성하기 위한 미리 정해진 재료를 유기 용매에 용해시킨 용액이다.
버퍼 장치(122b), 감압 건조 장치(122c), 열 처리 장치(122d) 및 온도 조절 장치(122e)에 대해서는, 버퍼 장치(121b), 감압 건조 장치(121c), 열 처리 장치(121d) 및 온도 조절 장치(121e)와 거의 동일한 구성이기 때문에, 상세한 설명을 생략한다.
단, 정공 수송층 형성부(122)에서는, 열 처리 장치(122d) 및 온도 조절 장치(122e)의 내부는 저산소·저노점 분위기로 유지된다. 여기서, 저산소 분위기란, 대기보다 산소 농도가 낮은 분위기, 예컨대 산소 농도가 10 ppm 이하인 분위기를 말한다. 또한, 저노점 분위기란, 대기보다 노점 온도가 낮은 분위기, 예컨대 노점 온도가 -10℃ 이하인 분위기를 말한다. 또한, 이러한 저산소·저노점 분위기는, 예컨대 질소 가스 등의 불활성 가스를 이용하여 유지된다.
정공 수송층 형성부(122)에 있어서, 이들 도포 장치(122a), 버퍼 장치(122b), 감압 건조 장치(122c), 열 처리 장치(122d) 및 온도 조절 장치(122e)의 수나 배치는 임의로 선택 가능하다.
또한, 정공 수송층 형성부(122)는, 기판 반송 영역(CR4∼CR6)과, 전달 장치(TR5 및 TR6)를 구비한다. 또한, 정공 주입층 형성부(121)와 정공 수송층 형성부(122) 사이는 전달 장치(TR4)를 통해 접속된다.
여기서, 기판 반송 영역(CR4∼CR6) 및 전달 장치(TR4∼TR6)는, 전술한 기판 반송 영역(CR1∼CR3) 및 전달 장치(TR1∼TR3)와 거의 동일한 구성이기 때문에, 상세한 설명을 생략한다.
단, 전술한 바와 같이, 열 처리 장치(122d) 및 온도 조절 장치(122e)의 내부는 저산소·저노점 분위기로 유지되기 때문에, 기판 반송 영역(CR6)의 내부도 또한 저산소·저노점 분위기로 유지된다.
또한, 이러한 기판 반송 영역(CR6)과 기판 반송 영역(CR5)을 접속하는 전달 장치(TR6)는 유리 기판(G)을 일시적으로 수용하며, 내부 분위기를 전환할 수 있게, 즉 저산소·저노점 분위기와 대기 분위기를 전환할 수 있게 설치된 로드 록 장치로서 구성된다.
발광층 형성부(123)는, 도포 장치(123a)와, 버퍼 장치(123b)와, 감압 건조 장치(123c)와, 열 처리 장치(123d)와, 온도 조절 장치(123e)와, 검사 장치(200)를 구비한다.
도포 장치(123a)는, 예컨대 2개 설치되고, 유리 기판(G)에 형성된 정공 수송층(32) 상에 발광층(33)을 형성하기 위한 유기 재료를 도포한다. 이러한 도포 장치(123a)에서는, 잉크젯 방식으로 유리 기판(G) 상의 미리 정해진 위치, 즉 격벽(20)의 개구부(21)의 내부에 유기 재료가 도포된다. 이러한 유기 재료는, 발광층(33)을 형성하기 위한 미리 정해진 재료를 유기 용매에 용해시킨 용액이다.
버퍼 장치(123b), 감압 건조 장치(123c), 열 처리 장치(123d) 및 온도 조절 장치(123e)에 대해서는, 전술한 버퍼 장치(122b), 감압 건조 장치(122c), 열 처리 장치(122d) 및 온도 조절 장치(122e)와 거의 동일한 구성이기 때문에, 상세한 설명을 생략한다.
검사 장치(200)는, 온도 조절 장치(123e)를 거쳐 발광층(33)이 형성된 유리 기판(G) 중 검사 대상으로서 발출된 임의의 1장에 대하여 자외광을 조사하고, 이러한 자외광의 조사를 받은 유리 기판(G)의 촬상 화상에 기초하여 도포 불균일 등의 불량을 검출하는 장치이다. 검사 장치(200)는, 예컨대 촬상 화상의 계조에 기초하여 발광층(33)에 불량이 있는지의 여부 등을 검사한다.
또한, 검사 장치(200)에서 행해지는 검사는 유리 기판(G)에 자외광을 조사하는 파괴 검사가 되기 때문에, 검사 대상으로 한 유리 기판(G)은 검사 후, 폐기하여도 좋다. 이러한 검사 장치(200)의 구체적인 구성에 대해서는, 도 5 이하를 이용하여 후술한다.
발광층 형성부(123)에 있어서, 이들 도포 장치(123a), 버퍼 장치(123b), 감압 건조 장치(123c), 열 처리 장치(123d), 온도 조절 장치(123e) 및 검사 장치(200)의 수나 배치는 임의로 선택 가능하다.
또한, 발광층 형성부(123)는, 기판 반송 영역(CR7∼CR10)과, 전달 장치(TR8∼TR11)를 구비한다. 또한, 정공 수송층 형성부(122)와 발광층 형성부(123) 사이는 전달 장치(TR7)를 통해 접속된다.
여기서, 기판 반송 영역(CR7∼CR9) 및 전달 장치(TR7∼TR9)는, 전술한 기판 반송 영역(CR4∼CR6) 및 전달 장치(TR4∼TR6)와 거의 동일한 구성이기 때문에, 상세한 설명은 생략한다.
전달 장치(TR10)는 기판 반송 영역(CR9) 및 반출 스테이션(130) 사이에 설치되며, 이들 사이에서 유리 기판(G)을 전달시킨다. 또한, 전달 장치(TR10)는 유리 기판(G)을 일시적으로 수용하며, 내부 분위기를 전환할 수 있게, 즉 저산소·저노점 분위기와 대기 분위기를 전환할 수 있게 설치된 로드 록 장치로서 구성되는 것이 바람직하다.
전달 장치(TR11)는 기판 반송 영역(CR9 및 CR10) 사이에 설치되고, 이들 사이에서 검사 대상이 되는 유리 기판(G)을 전달시킨다. 기판 반송 영역(CR10)은, 이러한 기판 반송 영역(CR10)에 인접한 검사 장치(200)에 검사 대상이 되는 유리 기판(G)을 반송한다.
반출 스테이션(130)은 카세트 배치대(131)와, 반송로(132)와, 기판 반송체(133)를 구비한다. 카세트 배치대(131)는 복수의 카세트(C)를 Y축 방향으로 일렬로 배치시킬 수 있다. 즉, 반출 스테이션(130)은 유리 기판(G)을 복수개 보유할 수 있다.
반송로(132)는 Y축 방향으로 연장되어 설치된다. 기판 반송체(133)는 이러한 반송로(132) 상에서 이동 가능하게, 또한, Z축 방향 및 Z축 둘레로 이동 가능하게 설치되고, 처리 스테이션(120)과 카세트(C) 사이에서 유리 기판(G)을 반송한다. 또한, 기판 반송체(133)는, 예컨대 유리 기판(G)을 흡착 유지하면서 반송한다. 또한, 반출 스테이션(130)의 내부는 저산소·저노점 분위기로 유지되어 있는 것이 바람직하다.
또한, 기판 처리 시스템(100)은 제어 장치(140)를 구비한다. 제어 장치(140)는, 예컨대 컴퓨터이며, 제어부(141)와 기억부(142)를 구비한다. 기억부(142)에는, 기판 처리 시스템(100)에 있어서 실행되는 각종 처리를 제어하는 프로그램이 저장된다. 제어부(141)는 기억부(142)에 기억된 프로그램을 판독해서 실행함으로써 기판 처리 시스템(100)의 동작을 제어한다.
또한, 이러한 프로그램은, 컴퓨터에 의해 판독 가능한 기억 매체에 기록되어 있던 것으로, 그 기억 매체로부터 제어 장치(140)의 기억부(142)에 인스톨된 것이어도 좋다. 컴퓨터에 의해 판독 가능한 기억 매체로서는, 예컨대 하드 디스크(HD), 플렉시블 디스크(FD), 컴팩트 디스크(CD), 마그넷 옵티컬 디스크(MO), 메모리 카드 등이 있다. 제어 장치(140)의 구체적인 구성에 대해서는, 도 8을 이용하여 후술한다.
다음에, 검사 장치(200)의 구성에 대해서, 도 5를 이용하여 보다 구체적으로 설명한다. 도 5는 실시형태에 따른 검사 장치(200)의 구성의 개략을 나타내는 평면 모식도이다.
도 5에 나타내는 바와 같이, 검사 장치(200)는 폐쇄 공간(201)을 갖는다. 폐쇄 공간(201)은 빛이 없는 어두운 곳으로 유지된다. 검사 대상이 되는 유리 기판(G)은, 이러한 폐쇄 공간(201)에 예컨대 기판 반송 영역(CR10)으로부터의 반입구인 개폐 셔터(도시 생략)를 통해 반입된다.
또한, 검사 장치(200)는, 스테이지(202)와, 이동 기구(203)와, 계측 헤드(204)를 구비한다. 이동 기구(203)는, 가이드 레일(203a)과, 연직 부재(203b)와, 수평 부재(203c)와, 가동 블록(203d)을 더 구비한다. 계측 헤드(204)는, UV 조사기(204a)와, 카메라(204b)를 더 구비한다. 카메라(204b)는 라인 스캔 카메라인 것이 바람직하다.
스테이지(202)는 반입된 유리 기판(G)을 배치하여 유지한다. 가이드 레일(203a)은 스테이지(202)의 폭 방향(X축 방향)의 양측에, Y축 방향으로 연장되어 한쌍 설치된다.
이동 기구(203)를 구성하는 연직 부재(203b)는 Z축 방향으로 연장된 형상의 부재이며, 가이드 레일(203a)을 따라 Y축 방향으로 슬라이드 가능하게 한쌍 설치된다[도면 중 화살표(501) 참조]. 수평 부재(203c)는 연직 부재(203b)의 상단부에 가설된다.
가동 블록(203d)은 계측 헤드(204)를 현수한 상태로 지지하면서, 수평 부재(203c)를 따라 X축 방향으로 슬라이드 가능하게 설치된다[도면 중 화살표(502) 참조]. 즉, 이동 기구(203)는 계측 헤드(204)를 유리 기판(G)의 주면 방향(즉, XY 평면 방향)을 따라 이동시킬 수 있게 설치된다. 또한, 이동 기구(203)는 그 동작이 전술한 제어 장치(140)의 제어부(141)에 의해 제어된다.
다음에, 계측 헤드(204)의 구성에 대해서, 도 6a∼도 6c를 이용하여 설명한다. 도 6a는 계측 헤드(204)가 구비하는 UV 조사기(204a)의 구성의 개략을 나타내는 평면 모식도이다. 도 6b는 UV 조사기(204a) 및 카메라(204b)의 배치 관계를 나타내는 측면 모식도이다. 도 6c는 카메라(204b)에 의한 촬상 화상의 처리 방법을 나타내는 모식도이다.
도 6a에 나타내는 바와 같이, UV 조사기(204a)는 자외광을 조사하는 복수의 발광 소자(UV-e1∼UV-en)를 구비한다. 이러한 발광 소자(UV-e1∼UV-en)는 계측 헤드(204)의 이동 방향에 대하여 교차하는 방향으로 직렬로 배열되어 설치된다.
또한, 여기서는 도시하고 있지 않지만, 이러한 발광 소자(UV-e1∼UV-en)의 배열 방향은, 라인 스캔 카메라인 카메라(204b)의 스캔 방향에 대략 평행한 방향이기도 하다. 즉, 카메라(204b)의 촬상 영역은, 발광 소자(UV-e1∼UV-en)의 배열 방향에 따른 라인형으로 형성된 영역이다.
이와 같이, 발광 소자(UV-e1∼UV-en)가 직렬로 배열된 UV 조사기(204a)를 이용함으로써, 조사되는 자외광을 비교적 균일성이 높은 것으로 할 수 있다. 즉, 유리 기판(G)의 불량을 검출하는 데 있어서, 예컨대 도포 불균일인지의 여부를 판별하기 쉽게 할 수 있다.
또한, 전술한 제어부(141)는 발광 소자(UV-e1∼UV-en)의 각각의 파장이나 조사 시간을 개별로 제어하면서, UV 조사기(204a)를 발광 제어하는 것이 가능하다. 이에 의해, 조사되는 자외광을 더욱 균일성이 높은 것으로 할 수 있다.
또한, 도 6b에 나타내는 바와 같이, 계측 헤드(204)에 있어서, 카메라(204b)는, 이러한 카메라(204b)의 광축(L1)이 유리 기판(G)의 주면에 대하여 수직이 되는 방향으로 배치된다. 또한, UV 조사기(204a)는 카메라(204b)의 촬상 영역에 대하여 경사 방향으로부터 자외광을 조사하는 방향으로 배치된다.
이와 같이 UV 조사기(204a) 및 카메라(204b)를 배치함으로써, 확산광의 영향에 의해 촬상 화상의 품질이 저하하는 것을 방지할 수 있다. 또한, 촬상 화상의 품질을 높이는 데 있어서, 도 6b에 나타내는 바와 같이 UV 조사기(204a)와 유리 기판(G) 사이에 집광 렌즈(204c)를 배치하는 등의 도광 수단을 사용하여도 좋다.
또한, 전술한 바와 같이 UV 조사기(204a)는 직렬로 배열된 발광 소자(UV-e1∼UV-en)로부터 자외광을 조사하고, 카메라(204b)는 이에 따른 라인형의 촬상 영역을 촬상한다. 이 때문에, 도 6c에 나타내는 바와 같이, 촬상 영역(IA)의 X축 방향의 폭이 만약 유리 기판(G)의 X축 방향의 폭 이상이었다고 해도, 1회에 촬상되는 촬상 화상은 유리 기판(G)의 분할된 구획의 1개분이다[도면 중 화살표(601) 참조].
그래서, 본 실시형태에서는, 전술한 이동 기구(203)에 의해 계측 헤드(204)를 이동시키면서, 카메라(204b)에 연속적으로 유리 기판(G)의 분할된 구획의 촬상 화상군을 촬상시킨다.
즉, 제어부(141)는, 카메라(204b)의 촬상 영역(IA)의 총계가, 유리 기판(G)의 주면 전역에 미치도록 이동 기구(203)를 제어한다. 그리고, 제어부(141)는, 카메라(204b)가 촬상한 촬상 화상군을 합성하여, 유리 기판(G) 1장분의 합성 화상(GD)을 생성한다[도면 중 화살표(602) 참조]. 그리고, 제어부(141)는 이러한 합성 화상(GD)을 해석함으로써, 유리 기판(G)의 불량을 검출하게 된다.
다음에, 계측 헤드(204)의 이동 제어에 대해서, 보다 구체적으로 도 7a∼도 7h를 이용하여 설명한다. 도 7a∼도 7h는 계측 헤드(204)의 이동 제어의 설명도 (1)∼(8)이다. 또한, 도 7a∼도 7h에서는, 편의적으로 촬상 완료 영역을 소정의 패턴을 표시하고, 부호 「FA」를 붙이고 있다.
우선, 도 7a에 나타내는 바와 같이, 카메라(204b)의 촬상 영역(IA)의 X축 방향의 폭이 만약 유리 기판(G)의 X축 방향의 폭 이상인 경우, 제어부(141)는 이동 기구(203)를 제어하여, 이동 기구(203)에 계측 헤드(204)를 Y축 방향을 따라 이동시킨다[도면 중 화살표(701) 참조]. 또한, 이 동안, 제어부(141)는 계측 헤드(204)를 제어하여, UV 조사기(204a)로 유리 기판(G)에 자외광을 조사하면서, 카메라(204b)에 연속적으로 촬상 영역(IA)을 촬상시킨다.
이러한 도 7a에 나타내는 유리 기판(G)의 사이즈의 경우, 화살표(701)로 나타내는 Y축의 정방향으로의 이동 1회에 의해 유리 기판(G)의 주면 전역을 촬상할 수 있기 때문에, 제어부(141)는 이러한 이동 1회분으로 촬상된 촬상 화상군에 기초하여 합성 화상(GD)을 생성하여, 해석을 하면 된다.
그런데, 도 7b에 나타내는 바와 같이, 카메라(204b)의 촬상 영역(IA)의 X축 방향의 폭이 유리 기판(G)의 X축 방향의 폭에 채워지지 않는 것 같은 경우, 도 7a에 나타낸 Y축의 정방향으로의 이동 1회에 의해서는, 유리 기판(G)의 주면 전역을 촬상할 수 없다.
이러한 경우, 도 7c에 나타내는 바와 같이, 계측 헤드(204)를 복수개(예시에서는 3개) 설치한 다음에, 이들 계측 헤드(204)를 배열하여 이동 기구(203)에 Y축 방향을 따라 이동시키도록 제어부(141)가 제어하면 좋다. 이에 의해, 유리 기판(G)의 주면 전역을 촬상할 수 있기 때문에, 유리 기판(G)의 사이즈가 큰 경우라도, 제어부(141)는 유리 기판(G) 1장분의 합성 화상(GD)을 생성하여, 해석을 할 수 있다.
혹은, 도 7d에 나타내는 바와 같이, 계측 헤드(204)를 복수개 설치하지 않아도, 이동 기구(203)는 유리 기판(G)의 주면 방향을 따른 2차원 방향으로 계측 헤드(204)를 이동시킬 수 있기 때문에, 촬상 영역(IA)을 시프트시키면서[도면 중 화살표(702) 참조], 이동 기구(203)가 계측 헤드(204)를 이동시키면 좋다.
이러한 경우에 의해서도, 유리 기판(G)의 주면 전역을 촬상할 수 있기 때문에, 제어부(141)는 유리 기판(G) 1장분의 합성 화상(GD)을 생성하여, 해석을 할 수 있다.
또한, 이 촬상 영역(IA)을 시프트시키는 경우, 예컨대 도 7e에 나타내는 바와 같이, 일단 Y축 방향으로 계측 헤드(204)를 왕복시킨 뒤에, 촬상 영역(IA)을 시프트시키는 방법을 이용할 수 있다[도면 중 화살표(703) 참조]. 또한, 이러한 경우, 왕복의 귀로에 있어서는, UV 조사기(204a)에 의한 자외광의 조사 및 카메라(204b)에 의한 촬상은 정지시켜도 좋다.
혹은, 도 7f에 나타내는 바와 같이, Y축의 정방향으로의 이동을 끝낸 후, 촬상 영역(IA)을 시프트시킨 뒤에[도면 중 화살표(704) 참조], Y축의 부방향으로의 이동을 행하면서 UV 조사기(204a)에 의한 자외광의 조사 및 카메라(204b)에 의한 촬상을 행하여도 좋다.
이 경우, 도 7a∼도 7e에 나타낸 바와 상이하게, 계측 헤드(204)의 진행 방향에 대한 UV 조사기(204a) 및 카메라(204b)의 순서가 전후하게 되지만, UV 조사기(204a)에 의한 자외광의 조사 및 카메라(204b)에 의한 촬상이 동시에 행해지도록 제어부(141)가 제어함으로써, 촬상 화상을 검사에 알맞은 품질로 유지하는 것이 가능하다.
그런데, 도 7g에 나타내는 바와 같이, 발광층(33)에는, R 발광층(33-R), G 발광층(33-G) 및 B 발광층(33-B)이 포함되어 있다. 이 때문에, 발광층(33)의 불량을 고정밀도로 검출하고자 하면, 이들 각 층(33-R, 33-G 및 33-B)을, 각각 검사에 알맞은 적절한 발광 상태로 하는 것이 바람직하다.
이러한 경우, 예컨대, R 발광층(33-R), G 발광층(33-G) 및 B 발광층(33-B)마다 조사하는 자외광의 파장을 바꿈으로써 대응할 수 있다. 이러한 경우의 구성의 일례를 도 7h에 나타낸다.
도 7h에 나타내는 바와 같이, UV 조사기(204a)는, 예컨대 순서대로 R 발광층(33-R)용, G 발광층(33-G)용 및 B 발광층(33-B)용인 3개의 UV 조사기(204a-R, 204a-G 및 204a-B)가 설치되어도 좋다.
이들 UV 조사기(204a-R, 204a-G 및 204a-B)는, 순서대로 R 발광층(33-R), G 발광층(33-G) 및 B 발광층(33-B)을 각각 검사에 알맞은 적절한 발광 상태로 하도록, 상이한 파장으로 자외광을 조사하도록 제어된다. 각 파장은, 예컨대 실험 등에 의해 미리 적정값을 도출해 두는 것으로 하여, 기억부(142) 등에 기억되어 있으면 좋다.
그리고, 이들 UV 조사기(204a-R, 204a-G 및 204a-B)를 계측 헤드(204)의 진행 방향에 대하여 3단으로 배열하고, 진행 방향에 있어서의 앞에서부터 순서대로 자외광을 조사하여, 각각의 발광 상태를 순차 촬상하는 것으로 하면 좋다.
구체적으로 도 7h에 나타낸 예로 말하면, 우선 제어부(141)는, 진행 방향 첫번째의 UV 조사기(204a-R)로부터, R 발광층(33-R)을 적절하게 발광시키는 파장으로 자외광을 조사시키고, 이러한 경우의 R 발광층(33-R)용의 촬상 화상을 카메라(204b)에 촬상시킨다.
계속해서, 제어부(141)는, 진행 방향 2번째의 UV 조사기(204a-G)로부터, G 발광층(33-G)을 적절하게 발광시키는 파장으로 자외광을 조사시키고, 이러한 경우의 G 발광층(33-G)용의 촬상 화상을 카메라(204b)에 촬상시킨다.
그리고, 제어부(141)는, 진행 방향 3번째의 UV 조사기(204a-B)로부터, B 발광층(33-B)을 적절하게 발광시키는 파장으로 자외광을 조사시키고, 이러한 경우의 B 발광층(33-B)용의 촬상 화상을 카메라(204b)에 촬상시킨다.
그리고, 각각 개별로 촬상된 R 발광층(33-R)용, G 발광층(33-G)용 및 B 발광층(33-B)용의 촬상 화상에 기초하여, 각각 R 발광층(33-R), G 발광층(33-G) 및 B 발광층(33-B)의 검사가 행해지게 된다. 이에 의해, R 발광층(33-R), G 발광층(33-G) 및 B 발광층(33-B)마다의, 보다 고정밀도의 검사를 행하는 것이 가능해진다.
또한, 도 7h에 나타내는 바와 같이, UV 조사기(204a-R, 204a-G 및 204a-B)를 3단으로 배치한 경우, 이들의 유리 기판(G)에 대한 기울기(도 6b 참조)를, 카메라(204b)에 의해 적정한 촬상 화상이 촬상 가능해지도록 각각 상이하게 하여도 좋다.
또한, 도 7h에 나타낸 구성의 변형예로서는, UV 조사기(204a-R, 204a-G 및 204a-B)의 각각에 1대 1로 대응하는 카메라(204b)를 3개 설치한 다음에, UV 조사기/카메라의 세트를 진행 방향에 대하여 3단으로 배열하여도 좋다.
또한, 도 7h에는, 3개의 UV 조사기(204a-R, 204a-G 및 204a-B)를 이용하는 경우를 예시하였지만, 하나의 UV 조사기(204a)로 이것을 실현시켜도 좋다.
이러한 경우, 예컨대 하나의 UV 조사기(204a)가, R 발광층(33-R)용, G 발광층(33-G)용 및 B 발광층(33-B)용으로, 각각 순서대로 타이밍을 다르게 해서 상이한 파장으로 자외광을 조사하여, 그때마다 카메라(204b)에 촬상시킴으로써 실현 가능하다.
또한, R 발광층(33-R), G 발광층(33-G) 및 B 발광층(33-B)마다 파장을 상이하게 하는 것이 아니라, 조사 시간을 바꾸는 것으로 하여도 좋다. 또한, 파장 및 조사 시간의 쌍방을 조합한 제어를 행하여도 좋다.
다음에, 제어 장치(140)에 대해서 보다 구체적으로 도 8을 이용하여 설명한다. 도 8은 제어 장치(140)의 블록도이다. 또한, 도 8에서는, 실시형태에 따른 검사 장치(200)의 특징을 설명하기 위해 필요한 구성 요소를 기능 블록으로 나타내고 있으며, 일반적인 구성 요소에 대한 기재를 생략하고 있다.
바꾸어 말하면, 도 8에 도시되는 각 구성 요소는 기능 개념적인 것이며, 반드시 물리적으로 도시한 바와 같이 구성되어 있는 것을 요하지 않다. 예컨대, 각 기능 블록의 분산·통합의 구체적 형태는 도시된 것에 한정되지 않고, 그 전부 또는 일부를, 각종 부하나 사용 상황 등에 따라, 임의의 단위로 기능적 또는 물리적으로 분산·통합하여 구성하는 것이 가능하다.
또한, 각 기능 블록에서 행해지는 각 처리 기능은, 그 전부 또는 임의의 일부가, CPU(Central Processing Unit) 등의 프로세서 및 그 프로세서에 의해 해석 실행되는 프로그램으로 실현되고, 혹은, 와이어드 로직에 의한 하드웨어로서 실현될 수 있는 것이다.
우선, 이미 설명한 바와 같이, 제어 장치(140)는 제어부(141)와 기억부(142)를 구비한다(도 4 참조). 제어부(141)는, 예컨대 CPU이며, 기억부(142)에 기억된 도시하지 않는 프로그램을 판독하여 실행함으로써, 예컨대 도 8에 나타내는 각 기능 블록(141a∼141f)으로서 기능한다. 계속해서, 이러한 각 기능 블록(141a∼141f)에 대해서 설명한다.
도 8에 나타내는 바와 같이, 예컨대 제어부(141)는, 이동 제어부(141a)와, 발광 제어부(141b)와, 촬상 제어부(141c)와, 화상 취득부(141d)와, 화상 합성부(141e)와, 불량 검출부(141f)를 더 구비한다. 또한, 기억부(142)는, 예컨대 기판 정보(142a)와, 촬상 화상군(142b)과, 합성 화상(GD)을 기억한다.
제어부(141)는 이동 제어부(141a)로서 기능하는 경우, 기억부(142)에 기억된 기판 정보(142a)에 기초하여 이동 기구(203)를 이동 제어한다. 또한, 기판 정보(142a)는 검사 대상이 되는 유리 기판(G)의 종별을 식별하기 위한 정보이다. 구체적으로는, 기판 정보(142a)에는, 예컨대 유리 기판(G)의 사이즈 등의 정보가 포함된다.
또한, 제어부(141)는 발광 제어부(141b)로서 기능하는 경우, 전술한 발광 소자(UV-e1∼UV-en)의 각각의 파장이나 조사 시간을 개별로 제어하면서, 균일한 자외광이 조사되도록, UV 조사기(204a)를 발광 제어한다.
또한, 제어부(141)는 촬상 제어부(141c)로서 기능하는 경우, 카메라(204b)를 제어하여, UV 조사기(204a)로부터 자외광을 받아 발광하는 유리 기판(G)의 촬상 화상을 카메라(204b)에 촬상시킨다.
또한, 제어부(141)는 화상 취득부(141d)로서 기능하는 경우, 카메라(204b)가 촬상한 촬상 화상을 취득하여, 촬상 화상군(142b)으로서 기억부(142)에 기억시킨다.
또한, 제어부(141)는 화상 합성부(141e)로서 기능하는 경우, 촬상 화상군(142b)에 기초하여 유리 기판(G) 1장분의 합성 화상(GD)을 생성하여, 기억부(142)에 기억시킨다.
또한, 제어부(141)는 불량 검출부(141f)로서 기능하는 경우, 합성 화상(GD)을 해석하고, 합성 화상(GD)의 계조 등에 기초하여 유리 기판(G)에 도포 불균일 등의 불량이 있는지의 여부를 검출한다.
전술한 바와 같이, 본 실시형태에 따른 검사 장치(200)는, UV 조사기(204a)(「조사부」의 일례에 상당)와, 카메라(204b)(「촬상부」의 일례에 상당)와, 제어부(141)를 구비한다.
UV 조사기(204a)는, 직렬로 배열된 복수의 발광 소자(UV-e1∼UV-en)를 가지고, 이러한 발광 소자(UV-e1∼UV-en)로부터 주면 상에 적어도 유기 EL층(30)에 있어서의 발광층(33)이 형성된 유리 기판(G)(「기판」의 일례에 상당)을 향하여 자외광을 조사한다.
카메라(204b)는, 자외광의 조사를 받은 유리 기판(G)을 미리 정해진 촬상 영역에 있어서 촬상한다. 제어부(141)는, 카메라(204b)에 의해 촬상된 촬상 화상에 기초하여 유리 기판(G)의 불량을 검출시킨다.
따라서, 본 실시형태에 따른 검사 장치(200)에 따르면, 조기에 불량을 검출하여 효율적으로 제조 라인을 개선시킬 수 있다.
또한, 전술한 실시형태에서는, 검사 장치(200)가, 발광층 형성 처리 후이면서 전자 수송층 형성 처리 전에, 도 3으로 말하면 단계 S105∼S106 사이에, 검사 처리를 실행하는 경우를 예로 들었지만, 이것에 한정되지 않는다. 즉, 유리 기판(G)에 적어도 발광층(33)이 형성되어 있으면 좋고, 발광층 형성 처리 후라면 어느 공정에서 행해져도 좋다.
또한, 전술한 실시형태에서는, 검사 장치(200)로의 유리 기판(G)의 반입이 기판 반송 영역(CR10)을 통해 행해지는 경우를 예로 들었지만, 이것에 한정되지 않는다. 예컨대, 검사 장치(200)가 기판 처리 시스템(100)과는 접속되어 있지 않은 상태로, 유리 기판(G)의 반입이 수동으로 행해져도 좋다.
또한, 전술한 실시형태에서는, 이동 기구(203)가, 유리 기판(G)에 대하여 계측 헤드(204)를 이동시키는 경우를 예로 들었지만, 유리 기판(G)과 계측 헤드(204)는 상대적으로 이동하면 좋다.
따라서, 이동 기구(203)가 계측 헤드(204)에 대하여 유리 기판(G)을 이동시키도록 구성되어도 좋다. 또한, 유리 기판(G) 및 계측 헤드(204)의 쌍방을 이동시키도록 하여도 좋다.
또한, 전술한 실시형태에서는, 하나의 제어 장치(140)가, 검사 장치(200) 및 이러한 검사 장치(200)를 포함하는 기판 처리 시스템(100)을 제어하는 경우를 예로 들었지만, 제어 장치(140)는 행해지는 처리의 기능 등에 따른 복수개의 별개체로 구성되어도 좋다.
추가적인 효과나 변형예는 당업자에 의해 용이하게 도출할 수 있다. 이 때문에, 본 발명의 보다 광범한 양태는 이상과 같이 나타낸 또한 서술한 특정 상세 및 대표적인 실시형태에 한정되는 것이 아니다. 따라서, 첨부된 청구범위 및 그 균등물에 의해 정의되는 총괄적인 발명의 개념의 정신 또는 범위로부터 일탈하는 일없이, 여러가지 변경이 가능하다.
1: 유기 발광 다이오드 10: 양극
20: 격벽 21: 개구부
30: 유기 EL층 31: 정공 주입층
32: 정공 수송층 33: 발광층
33-R: R 발광층 33-G: G 발광층
33-B: B 발광층 34: 전자 수송층
35: 전자 주입층 40: 음극
100: 기판 처리 시스템 140: 제어 장치
141: 제어부 142: 기억부
200: 검사 장치 202: 스테이지
203: 이동 기구 204a, 204a-R, 204a-G, 204a-B: UV 조사기
204b: 카메라 G: 유리 기판
GD: 합성 화상 IA: 촬상 영역
L1: 광축 UV-e1∼UV-en 발광 소자

Claims (19)

  1. 직렬로 배열된 복수의 발광 소자를 가지며, 상기 발광 소자로부터 주면 상에 적어도 유기 EL층에 있어서의 발광층이 형성된 기판을 향하여 자외광을 조사하는 조사부와,
    상기 자외광의 조사를 받은 상기 기판을 미리 정해진 촬상 영역에 있어서 촬상하는 촬상부와,
    상기 조사부 및 상기 촬상부를 상기 기판의 주면 방향에 따라 이동시키는 이동 기구와,
    상기 촬상부에 의해 촬상된 촬상 화상에 기초하여 상기 기판의 불량을 검출시키는 제어부를 구비하고,
    상기 제어부는,
    상기 주면 방향을 따른 2차원 방향으로 상기 조사부 및 상기 촬상부를 이동시키면서, 상기 조사부로 상기 기판에 상기 자외광을 조사시키며 상기 촬상부로 연속적으로 상기 촬상 영역을 촬상시킴으로써 상기 촬상 영역의 총계가 상기 기판의 주면 전역에 미치도록 상기 이동 기구, 상기 조사부 및 상기 촬상부를 제어하고, 이동 방향에 대하여 상기 조사부 및 상기 촬상부의 순서가 전후하는 경우에도 상기 조사부로 상기 자외광을 조사시키면서 상기 촬상부에 의한 촬상이 행해지도록 하며, 상기 촬상부의 촬상 완료 영역은 촬상하지 않도록 상기 조사부 및 상기 촬상부를 제어하는 것을 특징으로 하는 검사 장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 촬상부는,
    상기 기판의 주면에 대하여 상기 촬상부의 광축이 수직이 되는 방향으로 배치되는 것을 특징으로 하는 검사 장치.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 조사부는,
    상기 촬상 영역에 대하여 경사 방향으로부터 상기 자외광을 조사하는 방향으로 배치되는 것을 특징으로 하는 검사 장치.
  4. 삭제
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  10. 제1항에 있어서, 상기 복수의 발광 소자는,
    상기 기판에 대한 상기 조사부 및 상기 촬상부의 이동 방향에 대하여 교차하는 방향으로 직렬로 배열되는 것을 특징으로 하는 검사 장치.
  11. 삭제
  12. 삭제
  13. 제1항에 있어서, 상기 촬상부는 라인 스캔 카메라이며,
    상기 촬상 영역은, 상기 발광 소자의 배열 방향에 따른 라인형으로 형성된 영역인 것을 특징으로 하는 검사 장치.
  14. 제1항에 있어서, 상기 발광층은 R 발광층, G 발광층 및 B 발광층을 포함하고,
    상기 제어부는,
    상기 R 발광층, G 발광층 및 B 발광층의 각각에 따라, 상기 조사부에 의해 조사되는 상기 자외광의 파장 및 조사 시간 중 한쪽 또는 양쪽을 제어하는 것을 특징으로 하는 검사 장치.
  15. 삭제
  16. 삭제
  17. 삭제
  18. 삭제
  19. 직렬로 배열된 복수의 발광 소자를 가지며, 상기 발광 소자로부터 주면 상에 적어도 유기 EL층에 있어서의 발광층이 형성된 기판을 향하여 자외광을 조사하는 조사부와, 상기 자외광의 조사를 받은 상기 기판을 미리 정해진 촬상 영역에 있어서 촬상하는 촬상부와, 상기 조사부 및 상기 촬상부를 상기 기판의 주면 방향에 따라 이동시키는 이동 기구를 구비하는 검사 장치를 이용하여, 상기 촬상부에 의해 촬상된 촬상 화상에 기초하여 상기 기판의 불량을 검출시키는 제어 공정을 포함하고,
    상기 제어 공정은, 상기 주면 방향을 따른 2차원 방향으로 상기 조사부 및 상기 촬상부를 이동시키면서, 상기 조사부로 상기 기판에 상기 자외광을 조사시키며 상기 촬상부로 연속적으로 상기 촬상 영역을 촬상시킴으로써 상기 촬상 영역의 총계가 상기 기판의 주면 전역에 미치도록 상기 이동 기구, 상기 조사부 및 상기 촬상부를 제어하고, 이동 방향에 대하여 상기 조사부 및 상기 촬상부의 순서가 전후하는 경우에도 상기 조사부로 상기 자외광을 조사시키면서 상기 촬상부에 의한 촬상이 행해지도록 하며, 상기 촬상부의 촬상 완료 영역은 촬상하지 않도록 상기 조사부 및 상기 촬상부를 제어하는 것을 특징으로 하는 검사 방법.
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