JP6425970B2 - 検査装置および検査方法 - Google Patents

Description

開示の実施形態は、検査装置および検査方法に関する。

従来、有機ＥＬ（Electroluminescence）の発光を利用した発光ダイオードである有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ：Organic Light Emitting Diode）が知られている。有機発光ダイオードを用いた有機ＥＬディスプレイは、薄型軽量かつ低消費電力であるうえ、応答速度や視野角、コントラスト比の面で優れているといった利点を有している。このため、有機ＥＬディスプレイは、次世代のフラットパネルディスプレイ（ＦＰＤ）として注目されている。

有機発光ダイオードは、基板上の陽極と陰極の間に有機ＥＬ層を挟んだ構造を有している。有機ＥＬ層は、たとえば陽極側から順に、正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層、電子注入層が積層されて形成される。この積層構造の形成にあたっては、たとえば正孔注入層、正孔輸送層および発光層をそれぞれインクジェット方式を用いて塗布する手法が用いられる。

ここで、有機発光ダイオードは、有機ＥＬ層の各層がそれぞれ数十ｎｍの薄膜にて形成されるため、各層のいずれかにたとえば塗布ムラといった不良が生じていれば、その影響が製品を動作させた場合に顕著に現れてしまう。このため、こうした不良を検査するための検査装置が種々提案されている。

たとえば特許文献１には、ガラス基板上のレジスト膜の膜ムラを検査可能な外観検査装置が開示されている。具体的に、かかる外観検査装置は、照明部からガラス基板に対して照明光を照射し、ラインセンサカメラで撮像した画像を解析することによって、膜ムラのような不良が生じているか否かを検査する。

また、たとえばこのような外観検査を受ける段階の完成品に近い基板であれば、製品としての通常の使用時と同様に、陽極と陰極との間に電圧をかけることで基板を発光させ、その発光状態を撮像して画像を解析するといった手法も用いることができる。

特開２０１１−９９８７５号公報

しかしながら、上述した従来技術には、早期に不良を検出して効率よく製造ラインを改善させるうえで、さらなる改善の余地がある。

具体的には、上述した従来技術は、たとえば成膜工程から封止工程を経た、ほぼ完成品に近い基板を検査することで不良を検出しようとするものである。このため、仮に不良として塗布ムラが検出されたとしても、たとえばかかる塗布ムラが前述の各層のいずれを形成する過程で生じたのかといった判別を行わねばならず、原因が特定されて製造ラインが改善されるまでに時間がかかるという問題があった。

実施形態の一態様は、上記に鑑みてなされたものであって、早期に不良を検出して効率よく製造ラインを改善させることができる検査装置および検査方法を提供することを目的とする。

実施形態の一態様に係る検査装置は、照射部と、撮像部と、制御部とを備える。照射部は、インクジェット方式によって有機材料が塗布された基板における有機材料が塗布された領域の一部であって、インクジェット方式による塗布方向と交差する方向に延在する検査領域に対して光を照射する。撮像部は、光の照射を受けた検査領域を撮像する。制御部は、撮像部によって撮像された撮像画像に基づいて基板の不良を検出する。

実施形態の一態様によれば、早期に不良を検出して効率よく製造ラインを改善させることができる。

図１は、ガラス基板の模式平面図である。 図２は、有機発光ダイオードの模式断面図である。 図３は、本実施形態に係る検査装置を備えた基板処理システムの構成を示す模式平面図である。 図４は、本実施形態に係る塗布装置の構成を示す模式平面図である。 図５は、塗布処理後におけるガラス基板の模式平面図である。 図６は、本実施形態に係る検査装置の構成を示す模式平面図である。 図７は、計測ヘッドの構成を示す模式側面図である。 図８は、本実施形態に係る制御装置の構成を示すブロック図である。 図９は、第１変形例に係る検査装置の構成を示す模式平面図である。 図１０は、第２変形例に係る検査装置の構成を示す模式平面図である。 図１１は、第２変形例に係る検査処理の動作例を示す図である。 図１２は、第２変形例に係る検査処理の動作例を示す図である。 図１３は、第２変形例に係る検査処理の動作例を示す図である。 図１４は、第２変形例に係る検査処理の動作例を示す図である。 図１５は、第３変形例に係る検査装置の構成を示す模式平面図である。 図１６は、第４変形例に係る検査装置の構成を示す模式平面図である。 図１７は、第５変形例に係る検査装置の構成を示す模式平面図である。 図１８は、第５変形例に係る計測ヘッドの構成の一例を示す模式側面図である。 図１９は、第５変形例に係る計測ヘッドの構成の他の一例を示す模式側面図である。 図２０は、第４変形例に係る計測ヘッドの構成の一例を示す模式側面図である。 図２１は、第６変形例に係る基板処理システムの構成を示す模式平面図である。 図２２は、第６変形例に係る検査装置の構成を示す模式平面図である。

以下、添付図面を参照して、本願の開示する検査装置および検査方法の実施形態を詳細に説明する。なお、以下に示す実施形態によりこの発明が限定されるものではない。

まず、有機発光ダイオードの構成について、図１および図２を用いて説明する。図１は、ガラス基板Ｇの模式平面図である。図２は、有機発光ダイオード１の模式断面図である。

図１に示すように、基板としてのガラス基板Ｇ上には、複数のアクティブエリア２１（塗布領域）が規定されており、各アクティブエリア２１内に図２に示す有機発光ダイオード１が形成される。

図２に示すように、有機発光ダイオード１は、陽極（アノード）１０と陰極（カソード）４０との間に、有機ＥＬ層３０を挟んだ構造を有している。有機ＥＬ層３０は、陽極１０側から順に、正孔注入層３１、正孔輸送層３２、発光層３３、電子輸送層３４および電子注入層３５が積層されて形成される。なお、発光層３３には、Ｒ発光層、Ｇ発光層およびＢ発光層が含まれる。

正孔注入層３１、正孔輸送層３２および発光層３３は、後述する基板処理システム１００によって形成される。基板処理システム１００は、インクジェット方式による有機材料の塗布処理、有機材料の減圧乾燥処理および有機材料の焼成処理を順次行うことにより、正孔注入層３１、正孔輸送層３２および発光層３３のそれぞれを形成する。

その後、有機発光ダイオード１は、電子輸送層３４、電子注入層３５および陰極４０が順次積層された後、大気中の水分等と遮断するため封止処理が施される。

かかる有機発光ダイオード１では、陽極１０と陰極４０との間に電圧が印加されることによって、正孔注入層３１で注入された所定数量の正孔が正孔輸送層３２を介して発光層３３へ輸送される。また、電子注入層３５で注入された所定数量の電子が、電子輸送層３４を介して発光層３３へ輸送される。そして、発光層３３内で正孔と電子が再結合して励起状態の分子を形成し、発光層３３が発光することとなる。

ところで、従来技術によれば、ガラス基板Ｇの不良を検出するための検査は、上述した封止処理を終えた段階で行われることが多かった。このため、早期に不良を検出して効率よく製造ラインを改善させるうえで改善の余地があった。

ここで、有機ＥＬ層３０の形成工程においてガラス基板Ｇに生じる不良の一つとして、有機材料の塗布ムラがある。具体的には、インクジェット方式による有機材料の塗布処理を行う場合、ガラス基板Ｇには、塗布方向に沿った筋状の塗布ムラが生じる可能性がある。そこで、本実施形態では、かかる筋状の塗布ムラを封止処理の前に検出することとした。これにより、塗布ムラを早期に検出して効率よく製造ラインを改善させることができる。

以下、塗布ムラの検査を行う検査装置について具体的に説明する。図３は、本実施形態に係る検査装置２００を備えた基板処理システム１００の構成を示す模式平面図である。ここで、図３では、検査装置２００を分かりやすく示すため、検査装置２００を所定のパターンで塗りつぶして示している。また、図３では、バッファ装置など一部の構成を省略して示している。

なお、以下においては、位置関係を明確にするために、互いに直交するＸ軸方向、Ｙ軸方向およびＺ軸方向を規定し、Ｚ軸正方向を鉛直上向き方向とする。

図３に示すように、基板処理システム１００は、搬入ステーション１１０と、処理ステーション１２０と、搬出ステーション１３０とを一体に接続した構成を有している。搬入ステーション１１０は、複数のガラス基板ＧをカセットＣ単位で外部から搬入し、カセットＣから陽極１０が形成されたガラス基板Ｇを取り出す。

処理ステーション１２０は、ガラス基板Ｇに対して正孔注入層形成処理を行う正孔注入層形成ブロック１２１と、正孔注入層形成処理後のガラス基板Ｇに対して正孔輸送層形成処理を行う正孔輸送層形成ブロック１２２とを備える。また、処理ステーション１２０は、正孔輸送層形成処理後のガラス基板Ｇに対して発光層形成処理を行う発光層形成ブロック１２３を備える。

搬出ステーション１３０は、処理後のガラス基板ＧをカセットＣ内に収納し、複数のガラス基板ＧをカセットＣ単位で外部へ搬出する。

搬入ステーション１１０、正孔注入層形成ブロック１２１、正孔輸送層形成ブロック１２２、発光層形成ブロック１２３および搬出ステーション１３０は、Ｘ軸負方向からＸ軸正方向にこの順番で並べて配置される。

搬入ステーション１１０は、カセット載置台１１１と、搬送路１１２と、基板搬送体１１３とを備える。カセット載置台１１１は、複数のカセットＣをＹ軸方向に一列に載置自在である。搬送路１１２は、Ｙ軸方向に延伸させて設けられる。基板搬送体１１３は、かかる搬送路１１２上を移動可能に、かつ、Ｚ軸方向およびＺ軸まわりに移動可能に設けられ、カセットＣと処理ステーション１２０との間でガラス基板Ｇを搬送する。

処理ステーション１２０は、上述したように、正孔注入層形成ブロック１２１、正孔輸送層形成ブロック１２２および発光層形成ブロック１２３を備える。

正孔注入層形成ブロック１２１は、塗布装置１２１ａと、方向転換装置１２１ｂと、減圧乾燥装置１２１ｃと、焼成装置１２１ｄと、温度調節装置１２１ｅとを備える。塗布装置１２１ａは、正孔注入層３１を形成するための有機材料、具体的には、正孔注入層３１を形成するための所定の材料を有機溶媒に溶解させた溶液をインクジェット方式によりガラス基板Ｇ上に塗布する装置である。塗布装置１２１ａの構成については図４を参照して後述する。

方向転換装置１２１ｂは、ガラス基板Ｇの向きを変える装置である。方向転換装置１２１ｂの構成については図１１を参照して後述する。

減圧乾燥装置１２１ｃは、塗布装置１２１ａで塗布された有機材料を減圧乾燥する装置である。たとえば減圧乾燥装置１２１ｃは、ガラス基板Ｇを収容可能なチャンバと、チャンバ内に配置されたターボ分子ポンプを有し、ターボ分子ポンプによってチャンバ内を減圧することによって有機材料を乾燥させる。減圧乾燥装置１２１ｃの構成については図１６を参照して後述する。なお、基板処理システム１００に設けられる乾燥装置は、減圧乾燥装置１２１ｃ以外の乾燥装置であってもよい。

焼成装置１２１ｄは、減圧乾燥装置１２１ｃで乾燥された有機材料を焼成する装置である。たとえば焼成装置１２１ｄは、ガラス基板Ｇを収容可能なチャンバと、チャンバ内に配置された熱板とを有し、熱板からの熱によって有機材料の焼成を行う。焼成装置１２１ｄの構成については図１７を参照して後述する。

温度調節装置１２１ｅは、焼成装置１２１ｄで熱処理されたガラス基板Ｇを所定の温度、たとえば常温に調節する装置である。なお、正孔注入層形成ブロック１２１における塗布装置１２１ａ、方向転換装置１２１ｂ、減圧乾燥装置１２１ｃ、焼成装置１２１ｄおよび温度調節装置１２１ｅの配置や個数は、任意に選択可能である。

また、正孔注入層形成ブロック１２１は、トランジション装置ＴＲ１〜ＴＲ３と、搬送領域ＣＲ１〜ＣＲ３とを備える。

トランジション装置ＴＲ１〜ＴＲ３は、ガラス基板ＧをＸ軸正方向へ搬送する。トランジション装置ＴＲ１は、搬入ステーション１１０と搬送領域ＣＲ１との間に配置され、搬入ステーション１１０から搬送領域ＣＲ１へガラス基板Ｇを搬送する。トランジション装置ＴＲ２は、搬送領域ＣＲ１と搬送領域ＣＲ２との間に配置され、搬送領域ＣＲ１から搬送領域ＣＲ２へガラス基板Ｇを搬送する。トランジション装置ＴＲ３は、搬送領域ＣＲ２と搬送領域ＣＲ３との間に配置され、搬送領域ＣＲ２から搬送領域ＣＲ３へガラス基板Ｇを搬送する。

トランジション装置ＴＲ１〜ＴＲ３としては、たとえば、ガラス基板Ｇをローラー搬送するローラーコンベアや、ガラス基板Ｇを浮上させた状態で搬送する浮上ステージ等を用いることができる。

搬送領域ＣＲ１〜ＣＲ３は、隣接する装置に対するガラス基板Ｇの搬送および搬出が行われる領域である。具体的には、搬送領域ＣＲ１〜ＣＲ３には、水平多関節ロボット等の基板搬送装置が配置されており、かかる基板搬送装置によってガラス基板Ｇの搬送および搬出が行われる。

搬送領域ＣＲ１には、トランジション装置ＴＲ１，ＴＲ２と、塗布装置１２１ａと、方向転換装置１２１ｂとが接続される。そして、搬送領域ＣＲ１に配置される基板搬送装置は、トランジション装置ＴＲ１，ＴＲ２と、塗布装置１２１ａと、方向転換装置１２１ｂとの間でガラス基板Ｇの搬送および搬出を行う。

搬送領域ＣＲ２には、トランジション装置ＴＲ２，ＴＲ３と、減圧乾燥装置１２１ｃとが接続される。そして、搬送領域ＣＲ２に配置される基板搬送装置は、トランジション装置ＴＲ２，ＴＲ３と、減圧乾燥装置１２１ｃとの間でガラス基板Ｇの搬送および搬出を行う。

搬送領域ＣＲ３には、トランジション装置ＴＲ３，ＴＲ４と、焼成装置１２１ｄと、温度調節装置１２１ｅとが接続される。そして、搬送領域ＣＲ３に配置される基板搬送装置は、トランジション装置ＴＲ３，ＴＲ４と、焼成装置１２１ｄと、温度調節装置１２１ｅとの間でガラス基板Ｇの搬送および搬出を行う。

正孔輸送層形成ブロック１２２は、塗布装置１２２ａと、方向転換装置１２２ｂと、減圧乾燥装置１２２ｃと、焼成装置１２２ｄと、温度調節装置１２２ｅとを備える。塗布装置１２２ａは、正孔輸送層３２を形成するための有機材料、具体的には、正孔輸送層３２を形成するための所定の材料を有機溶媒に溶解させた溶液をインクジェット方式によりガラス基板Ｇ上に塗布する装置である。

方向転換装置１２２ｂ、減圧乾燥装置１２２ｃ、焼成装置１２２ｄおよび温度調節装置１２２ｅは、方向転換装置１２１ｂ、減圧乾燥装置１２１ｃ、焼成装置１２１ｄおよび温度調節装置１２１ｅと同様の構成である。このため、これらについては説明を省略する。なお、正孔輸送層形成ブロック１２２における塗布装置１２２ａ、方向転換装置１２２ｂ、減圧乾燥装置１２２ｃ、焼成装置１２２ｄおよび温度調節装置１２２ｅの配置や個数は、任意に選択可能である。

また、正孔輸送層形成ブロック１２２は、トランジション装置ＴＲ４〜ＴＲ６と、搬送領域ＣＲ４〜ＣＲ６とを備える。

トランジション装置ＴＲ４〜ＴＲ６は、ガラス基板ＧをＸ軸正方向へ搬送する。トランジション装置ＴＲ４は、搬送領域ＣＲ３と搬送領域ＣＲ４との間に配置され、搬送領域ＣＲ３から搬送領域ＣＲ４へガラス基板Ｇを搬送する。トランジション装置ＴＲ５は、搬送領域ＣＲ４と搬送領域ＣＲ５との間に配置され、搬送領域ＣＲ４から搬送領域ＣＲ５へガラス基板Ｇを搬送する。トランジション装置ＴＲ６は、搬送領域ＣＲ５と搬送領域ＣＲ６との間に配置され、搬送領域ＣＲ５から搬送領域ＣＲ６へガラス基板Ｇを搬送する。

搬送領域ＣＲ４〜ＣＲ６は、隣接する装置に対するガラス基板Ｇの搬送および搬出が行われる領域である。具体的には、搬送領域ＣＲ４〜ＣＲ６には、水平多関節ロボット等の基板搬送装置が配置されており、かかる基板搬送装置によってガラス基板Ｇの搬送および搬出が行われる。

搬送領域ＣＲ４には、トランジション装置ＴＲ４，ＴＲ５と、塗布装置１２２ａと、方向転換装置１２２ｂとが接続される。そして、搬送領域ＣＲ４に配置される基板搬送装置は、トランジション装置ＴＲ４，ＴＲ５と、塗布装置１２２ａと、方向転換装置１２２ｂとの間でガラス基板Ｇの搬送および搬出を行う。

搬送領域ＣＲ５には、トランジション装置ＴＲ５，ＴＲ６と、減圧乾燥装置１２２ｃとが接続される。そして、搬送領域ＣＲ５に配置される基板搬送装置は、トランジション装置ＴＲ５，ＴＲ６と、減圧乾燥装置１２２ｃとの間でガラス基板Ｇの搬送および搬出を行う。

搬送領域ＣＲ６には、トランジション装置ＴＲ６，ＴＲ７と、焼成装置１２２ｄと、温度調節装置１２２ｅとが接続される。そして、搬送領域ＣＲ６に配置される基板搬送装置は、トランジション装置ＴＲ６，ＴＲ７と、焼成装置１２２ｄと、温度調節装置１２２ｅとの間でガラス基板Ｇの搬送および搬出を行う。

発光層形成ブロック１２３は、塗布装置１２３ａと、方向転換装置１２３ｂと、減圧乾燥装置１２３ｃと、焼成装置１２３ｄと、温度調節装置１２３ｅとを備える。塗布装置１２３ａは、発光層３３を形成するための有機材料、具体的には、発光層３３を形成するための所定の材料を有機溶媒に溶解させた溶液をインクジェット方式によりガラス基板Ｇ上に塗布する装置である。

方向転換装置１２３ｂ、減圧乾燥装置１２３ｃ、焼成装置１２３ｄおよび温度調節装置１２３ｅは、方向転換装置１２１ｂ、減圧乾燥装置１２１ｃ、焼成装置１２１ｄおよび温度調節装置１２１ｅと同様の構成である。このため、これらについては説明を省略する。なお、発光層形成ブロック１２３における塗布装置１２３ａ、方向転換装置１２３ｂ、減圧乾燥装置１２３ｃ、焼成装置１２３ｄおよび温度調節装置１２３ｅの配置や個数は、任意に選択可能である。

また、発光層形成ブロック１２３は、トランジション装置ＴＲ７〜ＴＲ１０と、搬送領域ＣＲ７〜ＣＲ９とを備える。

トランジション装置ＴＲ７〜ＴＲ１０は、ガラス基板ＧをＸ軸正方向へ搬送する。トランジション装置ＴＲ７は、搬送領域ＣＲ６と搬送領域ＣＲ７との間に配置され、搬送領域ＣＲ６から搬送領域ＣＲ７へガラス基板Ｇを搬送する。トランジション装置ＴＲ８は、搬送領域ＣＲ７と搬送領域ＣＲ８との間に配置され、搬送領域ＣＲ７から搬送領域ＣＲ８へガラス基板Ｇを搬送する。トランジション装置ＴＲ９は、搬送領域ＣＲ８と搬送領域ＣＲ９との間に配置され、搬送領域ＣＲ８から搬送領域ＣＲ９へガラス基板Ｇを搬送する。トランジション装置ＴＲ１０は、搬送領域ＣＲ９と搬出ステーション１３０との間に配置され、搬送領域ＣＲ９から搬出ステーション１３０へガラス基板Ｇを搬送する。

搬送領域ＣＲ７〜ＣＲ９は、隣接する装置に対するガラス基板Ｇの搬送および搬出が行われる領域である。具体的には、搬送領域ＣＲ７〜ＣＲ９には、水平多関節ロボット等の基板搬送装置が配置されており、かかる基板搬送装置によってガラス基板Ｇの搬送および搬出が行われる。

搬送領域ＣＲ７には、トランジション装置ＴＲ７，ＴＲ８と、塗布装置１２３ａと、方向転換装置１２３ｂとが接続される。そして、搬送領域ＣＲ７に配置される基板搬送装置は、トランジション装置ＴＲ７，ＴＲ８と、塗布装置１２３ａと、方向転換装置１２３ｂとの間でガラス基板Ｇの搬送および搬出を行う。

搬送領域ＣＲ８には、トランジション装置ＴＲ８，ＴＲ９と、減圧乾燥装置１２３ｃとが接続される。そして、搬送領域ＣＲ８に配置される基板搬送装置は、トランジション装置ＴＲ８，ＴＲ９と、減圧乾燥装置１２３ｃとの間でガラス基板Ｇの搬送および搬出を行う。

搬送領域ＣＲ９には、トランジション装置ＴＲ９，ＴＲ１０と、焼成装置１２３ｄと、温度調節装置１２３ｅと、搬出ステーション１３０とが接続される。そして、搬送領域ＣＲ９に配置される基板搬送装置は、トランジション装置ＴＲ９と、焼成装置１２３ｄと、温度調節装置１２３ｅと、搬出ステーション１３０との間でガラス基板Ｇの搬送および搬出を行う。

搬出ステーション１３０は、カセット載置台１３１と、搬送路１３２と、基板搬送体１３３とを備える。カセット載置台１３１は、複数のカセットＣをＹ軸方向に一列に載置自在である。

搬送路１３２は、Ｙ軸方向に延伸させて設けられる。基板搬送体１３３は、かかる搬送路１３２上を移動可能に、かつ、Ｚ軸方向およびＺ軸まわりに移動可能に設けられ、処理ステーション１２０とカセットＣとの間でガラス基板Ｇを搬送する。

また、基板処理システム１００は、制御装置１４０を備える。制御装置１４０は、たとえばコンピュータであり、制御部１４１と記憶部１４２とを備える。記憶部１４２には、基板処理システム１００において実行される各種の処理を制御するプログラムが格納される。制御部１４１は、記憶部１４２に記憶されたプログラムを読み出して実行することによって基板処理システム１００の動作を制御する。

なお、かかるプログラムは、コンピュータによって読み取り可能な記憶媒体に記録されていたものであって、その記憶媒体から制御装置１４０の記憶部１４２にインストールされたものであってもよい。コンピュータによって読み取り可能な記憶媒体としては、たとえばハードディスク（ＨＤ）、フレキシブルディスク（ＦＤ）、コンパクトディスク（ＣＤ）、マグネットオプティカルディスク（ＭＯ）、メモリカードなどがある。制御装置１４０の具体的な構成については、図８を参照して後述する。

上記のように構成された基板処理システム１００において、本実施形態に係る検査装置２００は、各ブロック１２１〜１２３の塗布装置１２１ａ，１２２ａ，１２３ａにそれぞれ設けられる。

次に、本実施形態に係る検査装置２００の構成について図４〜図７を参照して説明する。図４は、本実施形態に係る塗布装置１２１ａの構成を示す模式平面図である。図５は、塗布処理後におけるガラス基板Ｇの模式平面図である。図６は、本実施形態に係る検査装置２００の構成を示す模式平面図である。図７は、計測ヘッド２２０の構成を示す模式側面図である。

なお、ここでは、正孔注入層形成ブロック１２１の塗布装置１２１ａに配置される検査装置２００を一例として説明するが、他のブロック１２２，１２３の塗布装置１２２ａ，１２３ａに配置される検査装置２００も同様の構成を有する。

まず、図４を参照して塗布装置１２１ａの構成について説明する。図４に示すように、塗布装置１２１ａは、搬送路５１と、ステージ５２と、移動機構５３と、吐出部５４とを備える。

搬送路５１は、塗布方向であるＹ軸方向に延在しており、上部にステージ５２が配置される。ステージ５２は、たとえば石定盤で形成される矩形状の台座であり、上部に基板が載置される。ステージ５２は、図示しない吸引機構により基板を吸着保持する。

移動機構５３は、ステージ５２を水平方向、具体的には、Ｙ軸方向およびＸ軸方向に移動させる。

吐出部５４は、搬送路５１の中途部に配置され、図示しない固定部によってステージ５２よりも上方の位置に固定される。吐出部５４は、塗布方向であるＹ軸方向と直交するＸ軸方向に配列された複数のノズル５５を備える。これら複数のノズル５５は、バルブや流量調節部等を含む供給機器群５６を介して有機材料供給源５７に接続される。

かかる吐出部５４は、有機材料供給源５７から供給機器群５６を介して供給される有機材料を複数のノズル５５からステージ５２に載置されたガラス基板Ｇに対して吐出する。

吐出部５４が備える複数のノズル５５には、予備ノズルが含まれる。予備ノズルは、平常時に使用されるノズルに異常が発生した場合に、異常が発生したノズルの代わりに使用される。

上記のように構成された塗布装置１２１ａは、移動機構５３を用いてステージ５２を塗布方向であるＹ軸正方向へ移動させつつ、吐出部５４が備える複数のノズル５５からステージ５２上のガラス基板Ｇに対して有機材料を吐出する。これにより、ガラス基板Ｇの各アクティブエリア２１に正孔注入層３１を形成するための有機材料が塗布される。

塗布ムラを検出する検査装置２００は、塗布装置１２１ａの搬送路５１における吐出部５４よりも下流側の領域、すなわち、塗布処理が完了した直後のガラス基板Ｇが配置される場所に設けられる。

ここで、塗布ムラは、たとえばノズル５５が吐出不良を起こすことによって生じる。すなわち、ノズル５５が吐出不良を起こすと、かかるノズル５５からの吐出量が正常なノズル５５からの吐出量よりも少なく（あるいは多く）なるため、ガラス基板Ｇに塗布される有機材料の量に差が生じて塗布ムラとなる。

そして、インクジェット方式による塗布処理では、ノズル５５に対してガラス基板Ｇを移動させて有機材料の塗布を行うため、上述した塗布ムラは、図５に示すように、塗布方向に沿って筋状に形成されることとなる。以下、この筋状の塗布ムラを「筋ムラＳＴ」と記載する。

また、塗布装置１２１ａは、塗布処理を行う間、ステージ５２をＹ軸正方向だけでなく、Ｘ軸方向にも適宜移動させることにより、１つのノズル５５で複数ラインの塗布を行う。このため、ガラス基板Ｇには、１つのノズル５５に対応する複数の筋ムラＳＴが所定間隔で生じることとなる。

このように、インクジェット方式による塗布処理が施されたガラス基板Ｇには筋ムラＳＴが生じている可能性がある。本実施形態に係る検査装置２００では、かかる点に着目し、有機材料が塗布された領域の全域を検査領域するのではなく、筋ムラＳＴと交差する一部の領域、言い換えれば、塗布方向と交差する一部の領域だけを検査領域とすることとした。これにより、筋ムラＳＴの有無を効率的に検査することが可能である。

図６に示すように、本実施形態に係る検査装置２００は、ガラス基板Ｇにおける有機材料の塗布領域（ここでは、複数のアクティブエリア２１）の一部であって、塗布方向（ここでは、Ｙ軸方向）と直交する方向に延在する検査領域ＩＡを検査する。

具体的には、検査領域ＩＡは、塗布方向と直交する方向（Ｘ軸方向）においては塗布領域の全域を含み、塗布方向（Ｙ軸方向）においては塗布領域の一部のみを含む領域である。本実施形態に係る検査領域ＩＡは、塗布方向と直交する方向（Ｘ軸方向）においては、この方向に並ぶ複数（ここでは、３つ）のアクティブエリア２１の全てを含み、かつ、塗布方向（Ｙ軸方向）においては、この方向に並ぶ複数（ここでは、２つ）のアクティブエリア２１のうち１つのアクティブエリア２１（ここでは、Ｙ軸正方向側に配置されたアクティブエリア２１）の一部のみを含む領域である。

なお、本実施形態では、検査領域ＩＡが塗布方向と直交する方向に延在する領域であるものとするが、検査領域ＩＡは、少なくとも塗布方向と交わる方向に延在していればよく、必ずしも直交することを要しない。

検査装置２００は、ガイドレール２１０と、計測ヘッド２２０と、移動機構２３０とを備える。ガイドレール２１０は、図示しない固定部によってステージ５２よりも上方の位置に固定され、塗布方向と直交する方向（ここでは、Ｘ軸方向）に延在する。計測ヘッド２２０は、ガイドレール２１０に取り付けられる。移動機構２３０は、ガイドレール２１０に沿って計測ヘッド２２０を移動させる。

計測ヘッド２２０は、図７に示すように、ガラス基板Ｇに対して光を照射する照射部２２１と、光の照射を受けたガラス基板Ｇを撮像する撮像部２２２とを備える。照射部２２１は、計測ヘッド２２０が移動機構２３０によってＸ軸負方向へ移動することによって、ガラス基板Ｇ上の検査領域ＩＡに対して光を照射する。また、撮像部２２２は、計測ヘッド２２０が移動機構２３０によってＸ軸負方向へ移動することによって、照射部２２１からの光の照射を受けた検査領域ＩＡを撮像する。

照射部２２１は、ガラス基板Ｇに対して赤外光を照射することが好ましい。このように、赤外光を用いることにより、ガラス基板Ｇ上に形成された正孔注入層３１にダメージを与えることなく筋ムラＳＴの有無を検査することができる。

赤外光を用いる場合、撮像部２２２は、ガラス基板Ｇからの反射光を撮像することになる。そこで、図７に示すように、照射部２２１は、ガラス基板Ｇ上の検査領域ＩＡに対して斜め方向から赤外光を照射する向きに配置され、撮像部２２２は、検査領域ＩＡに対して光軸ＡＸが斜めとなる向きに配置されることが好ましい。すなわち、撮像部２２２は、赤外光の正反射光の光路上に光軸ＡＸが配置されることが好ましい。このような配置とすることで、よりコントラストの高い撮像画像を得ることができる。なお、計測ヘッド２２０の移動方向に対する照射部２２１および撮像部２２２の配置は、図７に示す配置と逆であってもよい。すなわち、計測ヘッド２２０は、照射部２２１がＸ軸正方向側に配置され、撮像部２２２がＸ軸負方向側に配置される構成であってもよい。

なお、本実施形態のように減圧乾燥処理前に筋ムラＳＴの検査を行う場合には、赤外光により筋ムラＳＴを良好に検出することができるものの、減圧乾燥処理後に筋ムラＳＴの検査を行う場合、赤外光では筋ムラＳＴを精度良く検出することが難しい。このため、減圧乾燥処理後のガラス基板Ｇに対して筋ムラＳＴの検査を行う場合、赤外光に代えて、紫外光を用いることが好ましい。この点については、後述する変形例において説明する。

検査装置２００は上記のように構成されており、計測ヘッド２２０をＸ軸負方向へ移動させる間、照射部２２１からガラス基板Ｇへ光を照射しつつ、撮像部２２２を用いてガラス基板Ｇを撮像する。これにより、検査装置２００は、検査領域ＩＡを撮像する。

なお、検査装置２００は、複数の計測ヘッド２２０を備える構成であってもよい。たとえば、検査装置２００は、１つのガイドレール２１０と、所定の間隔をあけてガイドレール２１０に取り付けられる複数の計測ヘッド２２０と、複数の計測ヘッド２２０を個別に移動させる複数の移動機構２３０とを備えてもよい。このような構成とすることで、検査領域ＩＡを複数の計測ヘッド２２０で分担して計測することが可能となるため、計測処理に要する時間を短縮することができる。

次に、本実施形態に係る制御装置１４０の構成および制御装置１４０によって制御される検査装置２００の動作について図８を参照して説明する。図８は、本実施形態に係る制御装置１４０の構成を示すブロック図である。

なお、図８では、実施形態に係る検査装置２００の特徴を説明するために必要な構成要素を機能ブロックで表しており、一般的な構成要素についての記載を省略している。また、図８に図示される各構成要素は機能概念的なものであり、必ずしも物理的に図示の如く構成されていることを要しない。たとえば、各機能ブロックの分散・統合の具体的形態は図示のものに限られず、その全部または一部を、各種の負荷や使用状況などに応じて、任意の単位で機能的または物理的に分散・統合して構成することが可能である。

さらに、各機能ブロックにて行なわれる各処理機能は、その全部または任意の一部が、ＣＰＵ（Central Processing Unit）などのプロセッサおよび当該プロセッサにて解析実行されるプログラムにて実現され、あるいは、ワイヤードロジックによるハードウェアとして実現され得るものである。

図８に示すように、制御装置１４０は、制御部１４１と記憶部１４２とを備える。また、制御部１４１は、塗布制御部１４１ａと、計測制御部１４１ｂと、画像取得部１４１ｃと、不良検出部１４１ｄと、ＮＧノズル特定部１４１ｅとを備える。また、記憶部１４２は、処理情報１４２ａと、撮像画像１４２ｂとを記憶する。

なお、制御部１４１は、たとえばＣＰＵであり、記憶部１４２に記憶された図示しないプログラムを読み出して実行することにより、図８に示す各機能ブロック１４１ａ〜１４１ｅとして機能する。また、記憶部１４２は、たとえばＲＡＭ（Random Access Memory）、フラッシュメモリ（Flash Memory）等の半導体メモリ素子あるいはハードディスク装置などによって実現される。

塗布制御部１４１ａは、記憶部１４２に記憶された処理情報１４２ａに基づいて移動機構５３および吐出部５４を制御することによって、上述したガラス基板Ｇの塗布処理を実行する。なお、処理情報１４２ａは、塗布処理を実行するうえで必要となる情報であり、たとえば使用するノズル５５の情報やアクティブエリア２１の位置を示す情報などが含まれる。

また、塗布制御部１４１ａは、塗布処理が終了すると、塗布装置１２１ａの移動機構５３を制御して、ステージ５２をＹ軸正方向へ移動させ、ガラス基板Ｇのアクティブエリア２１を計測ヘッド２２０の下方に位置させる。その後、塗布制御部１４１ａは、計測制御部１４１ｂに対して計測処理の開始を指示する。

計測制御部１４１ｂは、照射部２２１、撮像部２２２および移動機構２３０を制御することによって、検査領域ＩＡを撮像する計測処理を行う。具体的には、計測制御部１４１ｂは、検査装置２００の移動機構２３０を制御して、計測ヘッド２２０をＸ軸負方向へ移動させる。この間、計測制御部１４１ｂは、照射部２２１を制御してガラス基板Ｇへ光を照射させつつ、撮像部２２２を制御してガラス基板Ｇを撮像する。これにより、検査領域ＩＡが撮像される。

画像取得部１４１ｃは、撮像部２２２によって撮像された撮像画像を取得して、撮像画像１４２ｂとして記憶部１４２へ記憶させる。なお、画像取得部１４１ｃは、たとえば基板デザイン、ステージ５２、撮像部２２２等の不要な映り込みを撮像画像から除去する画像処理を行ったうえで、画像処理後の撮像画像を撮像画像１４２ｂとして記憶部１４２へ記憶してもよい。これにより、後述する不良検出部１４１ｄによる画像解析の精度を高めることができる。

不良検出部１４１ｄは、記憶部１４２に記憶された撮像画像１４２ｂを解析する。そして、不良検出部１４１ｄは、たとえば撮像画像１４２ｂの階調等に基づいてガラス基板Ｇの不良、すなわち、筋ムラＳＴの有無を検出する。

このように、本実施形態に係る検査装置２００は、塗布処理かつ減圧乾燥処理前のガラス基板Ｇに対し、塗布処理による筋ムラＳＴの有無を検査することとした。これにより、塗布装置１２１ａに筋ムラＳＴが生じたことを早期に検出することができる。

また、本実施形態に係る検査装置２００は、有機材料の塗布領域の一部の領域である検査領域ＩＡのみを検査することとしたため、筋ムラＳＴを効率良く検出することができる。

また、本実施形態に係る検査装置２００は、塗布装置１２１ａに設けられる。具体的には、検査装置２００のガイドレール２１０および計測ヘッド２２０は、搬送路５１における吐出部５４よりも下流側の領域に設けられる。これにより、塗布処理後のガラス基板Ｇを塗布装置１２１ａ内で検査することができるため、塗布装置１２１ａに不良が生じたことをより早期に検出することができる。

不良検出部１４１ｄは、筋ムラＳＴを検出すると、撮像画像１４２ｂをＮＧノズル特定部１４１ｅへ渡す。

ＮＧノズル特定部１４１ｅは、撮像画像１４２ｂに対してＦＦＴ（Fast Fourier Transform）等の周波数解析を行うことによって、筋ムラＳＴのピッチを算出する。そして、ＮＧノズル特定部１４１ｅは、検出された筋ムラＳＴの各位置や算出したピッチ等に基づいて筋ムラＳＴに対応するノズル５５、すなわち、吐出不良を起こしたノズル５５（以下、「ＮＧノズル」と記載する）を特定する。

そして、ＮＧノズル特定部１４１ｅは、ＮＧノズルを特定すると、ＮＧノズルを使用しないように処理情報１４２ａを更新する。具体的には、ＮＧノズル特定部１４１ｅは、ＮＧノズルを使用する処理情報１４２ａから、このＮＧノズルに代えて予備ノズルを使用する処理情報１４２ａに更新する。これにより、次回の塗布処理において筋ムラＳＴが生じることを防止することができるため、製造ラインを早期に改善させることができる。

上述してきたように、本実施形態に係る検査装置２００は、照射部２２１と、撮像部２２２と、制御部１４１とを備える。照射部２２１は、インクジェット方式によって有機材料が塗布されたガラス基板Ｇにおける有機材料の塗布領域の一部であって、インクジェット方式による塗布方向と交差する方向に延在する検査領域ＩＡに対して光を照射する。撮像部２２２は、光の照射を受けた検査領域ＩＡを撮像する。制御部１４１は、撮像部２２２によって撮像された撮像画像に基づいてガラス基板Ｇの不良を検出する。

したがって、本実施形態に係る検査装置２００によれば、早期に不良を検出して効率よく製造ラインを改善させることができる。

（変形例）
次に、本実施形態に係る検査装置２００の変形例について説明する。まず、第１変形例に係る検査装置２００Ａについて図９を参照して説明する。図９は、第１変形例に係る検査装置２００Ａの構成を示す模式平面図である。なお、以下の説明では、既に説明した部分と同様の部分については、既に説明した部分と同一の符号を付し、重複する説明を省略する。

図９に示すように、第１変形例に係る検査装置２００Ａは、塗布装置１２１ａの吐出部５４に固定される。かかる検査装置２００Ａは、照射部２２１Ａと、複数の撮像部２２２Ａとを備える。

照射部２２１Ａは、吐出部５４に固定される。照射部２２１Ａは、塗布方向と直交する方向であるＸ軸方向に延在する。かかる照射部２２１Ａには、複数の発光素子２１３がＸ軸方向に沿って設けられる。複数の発光素子２１３は、たとえば赤外光を照射する。

複数の撮像部２２２Ａは、吐出部５４に固定された照射部２２１Ａに対して固定される。複数の撮像部２２２Ａは、広視野角を有しており、Ｘ軸方向に沿って所定の間隔をあけて配列される。第１変形例では、３つの撮像部２２２Ａが照射部２２１Ａに固定されており、これら３つの撮像部２２２Ａの視野によって検査領域ＩＡがカバーされる。なお、撮像部２２２Ａの個数は、任意に変更可能である。

第１変形例において、制御部１４１は、塗布処理を終えると、移動機構５３を制御して、ステージ５２をＹ軸負方向、すなわち、搬送路５１の上流側へ移動させて、ガラス基板Ｇのアクティブエリア２１を複数の撮像部２２２Ａの下方に位置させる。

つづいて、制御部１４１は、照射部２２１Ａおよび撮像部２２２Ａを制御することによって、検査領域ＩＡを撮像する計測処理を行う。すなわち、制御部１４１は、照射部２２１Ａを制御してガラス基板Ｇへ光を照射させつつ、撮像部２２２Ａを制御してガラス基板Ｇを撮像する。これにより、検査領域ＩＡが撮像される。

このように、検査装置２００Ａは、照射部２２１Ａおよび撮像部２２２Ａが塗布装置１２１ａの吐出部５４に固定される構成であってもよい。これにより、検査装置２００Ａの構成を簡略化することができる。また、検査装置２００Ａの設置コストを低く抑えることができる。

なお、ここでは、照射部２２１Ａが吐出部５４に固定され、撮像部２２２Ａが照射部２２１Ａに固定される場合の例を示したが、撮像部２２２Ａが吐出部５４に固定され、照射部２２１Ａが撮像部２２２Ａに固定されてもよい。また、照射部２２１Ａおよび撮像部２２２Ａを内蔵する計測ヘッドが吐出部５４に固定される構成であってもよい。また、ここでは、照射部２２１Ａおよび撮像部２２２Ａが吐出部５４の上流側に配置される場合の例を示したが、照射部２２１Ａおよび撮像部２２２Ａは、吐出部５４の下流側に配置されてもよい。

また、ここでは、検査装置２００Ａが吐出部５４に固定される場合の例を示したが、検査装置２００Ａは、たとえば、上述した検査装置２００が備えるガイドレール２１０と同様の位置に、照射部２２１Ａおよび撮像部２２２Ａの固定部を備え、かかる固定部に対して照射部２２１Ａおよび撮像部２２２Ａが固定された構成であってもよい。

次に、第２変形例に係る検査装置２００Ｂについて説明する。まず、検査装置２００Ｂの構成について図１０を参照して説明する。図１０は、第２変形例に係る検査装置２００Ｂの構成を示す模式平面図である。

図１０に示すように、第２変形例に係る検査装置２００Ｂは、計測ヘッド２２０Ｂを備える。計測ヘッド２２０Ｂは、図示しない固定部に固定されることによって、トランジション装置ＴＲ２の上方に配置される。計測ヘッド２２０Ｂは、上述した計測ヘッド２２０と同様の構成を有する。すなわち、計測ヘッド２２０Ｂは、照射部２２１と撮像部２２２とを備える。

また、搬送領域ＣＲ１には、基板搬送装置６０が配置される。基板搬送装置６０は、たとえば水平多関節ロボットであり、ガラス基板Ｇを水平に保持する保持部６１と、保持部６１を水平方向に移動させたりＺ軸方向およびＺ軸周りに移動させたりする移動部６２とを備える。

また、方向転換装置１２１ｂは、ガラス基板ＧをＺ軸周りに回転させる回転機構７０を備える。

塗布装置１２１ａと方向転換装置１２１ｂとは、搬送領域ＣＲ１を挟んで対抗する位置に配置される。具体的には、塗布装置１２１ａと搬送領域ＣＲ１と方向転換装置１２１ｂとは、Ｙ軸方向に沿ってこの順番で配列される。また、搬送領域ＣＲ１とトランジション装置ＴＲ２は、塗布装置１２１ａ、搬送領域ＣＲ１および方向転換装置１２１ｂの配列方向と直交する方向に配置される。

つづいて、検査装置２００Ｂを用いた検査処理の動作例について図１１〜図１４を参照して説明する。図１１〜図１４は、第２変形例に係る検査処理の動作例を示す図である。

まず、図１１に示すように、制御部１４１は、基板搬送装置６０を制御して、塗布処理を終えたガラス基板Ｇを塗布装置１２１ａから搬出させる。このとき、ガラス基板Ｇは、筋ムラＳＴがＹ軸方向を向いた状態で塗布装置１２１ａから搬出される。

つづいて、図１２に示すように、制御部１４１は、基板搬送装置６０を制御して、ガラス基板Ｇを方向転換装置１２１ｂに搬入させる。このとき、ガラス基板Ｇは、筋ムラＳＴがＹ軸方向を向いた状態で方向転換装置１２１ｂの回転機構７０上に載置される。

つづいて、制御部１４１は、回転機構７０を制御して、ガラス基板Ｇの向きを９０°転換させる。これにより、ガラス基板Ｇは、筋ムラＳＴがＸ軸方向を向いた状態となる。

つづいて、図１３および図１４に示すように、制御部１４１は、基板搬送装置６０を制御して、ガラス基板Ｇを方向転換装置１２１ｂから搬出し、トランジション装置ＴＲ２へ搬入する。これにより、ガラス基板Ｇは、筋ムラＳＴがＹ軸方向を向いた状態、つまり、トランジション装置ＴＲ２による搬送方向であるＸ軸方向と直交する方向を向いた状態でトランジション装置ＴＲ２に搬入される。

そして、図１４に示すように、制御部１４１は、ガラス基板Ｇがトランジション装置ＴＲ２によってＸ軸正方向に搬送される間、計測ヘッド２２０Ｂが備える照射部２２１および撮像部２２２を制御して計測処理を行う。これにより、筋ムラＳＴと直交する検査領域ＩＡの撮像画像を得ることができる。

このように、筋ムラＳＴを検出する検査装置２００Ｂは、ガラス基板Ｇを塗布装置１２１ａから減圧乾燥装置１２１ｃへ搬送するためのトランジション装置ＴＲ２に設けられてもよい。これによっても、早期に不良を検出して効率よく製造ラインを改善させることができる。

また、第２変形例では、方向転換装置１２１ｂを用いてガラス基板Ｇの向きを転換させて、筋ムラＳＴの向き（すなわち、ガラス基板Ｇにおける有機材料の塗布方向）をトランジション装置ＴＲ２による搬送方向と直交させることとした。これにより、計測ヘッド２２０Ｂを移動させることなく計測処理を行うことができる。

次に、第３変形例に係る検査装置２００Ｃについて図１５を参照して説明する。図１５は、第３変形例に係る検査装置２００Ｃの構成を示す模式平面図である。

図１５に示すように、第３変形例に係る検査装置２００Ｃは、基板搬送装置６０の保持部６１に取り付けられる。具体的には、検査装置２００Ｃは、保持部６１に固定されるガイドレール２１０Ｃと、ガイドレール２１０Ｃに取り付けられた計測ヘッド２２０Ｃと、ガイドレール２１０Ｃに沿って計測ヘッド２２０Ｃを移動させる移動機構２３０Ｃとを備える。

ガイドレール２１０Ｃは、保持部６１の進退方向（図１５では、Ｙ軸方向）に直交する方向（図１５では、Ｘ軸方向）に沿って延在する。このため、計測ヘッド２２０Ｃは、この方向に移動する。また、塗布処理後のガラス基板Ｇは、筋ムラＳＴが保持部６１の進退方向と同じ方向（図１５では、Ｙ軸方向）を向いた状態で保持部６１に保持される。したがって、保持部６１上において、筋ムラＳＴと計測ヘッド２２０Ｃの移動方向とは直交する。

制御部１４１は、基板搬送装置６０を制御して、塗布処理後のガラス基板Ｇを塗布装置１２１ａから搬出する。その後、制御部１４１は、ガラス基板Ｇを何れかの装置（たとえば、方向転換装置１２１ｂまたはトランジションＴＲ２）へ搬入するまでの間に、照射部２２１Ｃ、撮像部２２２Ｃおよび移動機構２３０Ｃを制御して、検査領域ＩＡを撮像する計測処理を行う。具体的には、制御部１４１は、移動機構２３０Ｃを制御して、計測ヘッド２２０ＣをＸ軸負方向へ移動させる。この間、制御部１４１は、計測ヘッド２２０Ｃの照射部２２１を制御してガラス基板Ｇへ光を照射させつつ、計測ヘッド２２０Ｃの撮像部２２２を制御してガラス基板Ｇを撮像する。これにより、筋ムラＳＴと直交する検査領域ＩＡの撮像画像を得ることができる。

ここで、制御部１４１は、計測処理を行う間、基板搬送装置６０によるガラス基板Ｇの搬送速度を通常の搬送速度より遅くしてもよい。これにより、搬送に伴うガラス基板Ｇの振動を抑えることができるため、計測処理の精度低下を抑えることができる。また、制御部１４１は、基板搬送装置６０を停止させた状態で計測処理を行ってもよい。

このように、筋ムラＳＴを検出する検査装置２００Ｃは、基板搬送装置６０に設けられてもよい。これによっても、早期に不良を検出して効率よく製造ラインを改善させることができる。なお、基板搬送装置６０には、図９に示す検査装置２００Ａと同様の構成の検査装置が設けられてもよい。

次に、第４変形例に係る検査装置２００Ｄについて図１６を参照して説明する。図１６は、第４変形例に係る検査装置２００Ｄの構成を示す模式平面図である。

図１６に示すように、減圧乾燥装置１２１ｃ（「後処理装置」の一例に相当）は、ガラス基板Ｇを収容可能なチャンバ８０を備える。チャンバ８０は、搬送領域ＣＲ２に面する位置にガラス基板Ｇの搬入出口８１を有する。減圧乾燥装置１２１ｃと搬送領域ＣＲ２とは、Ｙ軸方向に沿って配列される。

第４変形例に係る検査装置２００Ｄは、計測ヘッド２２０Ｄを備える。計測ヘッド２２０Ｄは、減圧乾燥装置１２１ｃの搬入出口８１の上部に設けられる。計測ヘッド２２０Ｄは、上述した計測ヘッド２２０と同様の構成を有する。すなわち、計測ヘッド２２０Ｄは、照射部２２１と撮像部２２２とを備える。

制御部１４１は、基板搬送装置６０を制御して、トランジション装置ＴＲ２からガラス基板Ｇを搬出する。なお、ガラス基板Ｇは、方向転換装置１２１ｂによって向きが９０°転換された状態となっている。したがって、ガラス基板Ｇは、筋ムラＳＴが保持部６１の進退方向と直交した状態で基板搬送装置６０に保持される。

つづいて、制御部１４１は、基板搬送装置６０を制御して、ガラス基板Ｇを減圧乾燥装置１２１ｃへ搬入する。そして、制御部１４１は、ガラス基板Ｇが基板搬送装置６０によってＹ軸方向に搬送される間、計測ヘッド２２０Ｄが備える照射部２２１および撮像部２２２を制御して計測処理を行う。これにより、筋ムラＳＴと直交する検査領域ＩＡの撮像画像を得ることができる。

ここで、制御部１４１は、計測処理を行う間、基板搬送装置６０によるガラス基板Ｇの搬送速度を通常の搬送速度より遅くしてもよい。これにより、搬送に伴うガラス基板Ｇの振動を抑えることができるため、計測処理の精度低下を抑えることができる。

このように、筋ムラＳＴを検出する検査装置２００Ｄは、減圧乾燥装置１２１ｃに設けられてもよい。これによっても、早期に不良を検出して効率よく製造ラインを改善させることができる。なお、減圧乾燥装置１２１ｃの搬入出口８１には、図６に示す検査装置２００と同様の構成の検査装置が設けられてもよい。かかる場合、制御部１４１は、塗布処理後のガラス基板Ｇを方向転換装置１２１ｂへ搬送することなく、すなわち、ガラス基板Ｇの向きを変えることなくトランジション装置ＴＲ２へ搬送すればよい。

次に、第５変形例に係る検査装置２００Ｅについて図１７を参照して説明する。図１７は、第５変形例に係る検査装置２００Ｅの構成を示す模式平面図である。

図１７に示すように、焼成装置１２１ｄ（「後処理装置」の一例に相当）は、ガラス基板Ｇを収容可能なチャンバ９０を備える。チャンバ９０は、搬送領域ＣＲ３に面する位置にガラス基板Ｇの搬入出口９１を有する。焼成装置１２１ｄと搬送領域ＣＲ３とは、Ｙ軸方向に沿って配列される。

第５変形例に係る検査装置２００Ｅは、計測ヘッド２２０Ｅを備える。計測ヘッド２２０Ｅは、焼成装置１２１ｄの搬入出口９１の上部に設けられる。計測ヘッド２２０Ｅは、上述した計測ヘッド２２０と同様の構成を有する。すなわち、計測ヘッド２２０Ｅは、照射部２２１と撮像部２２２とを備える。

制御部１４１は、基板搬送装置６０を制御して、トランジション装置ＴＲ３からガラス基板Ｇを搬出する。なお、ガラス基板Ｇは、前述の方向転換装置１２１ｂによって向きが９０°転換された状態となっている。したがって、ガラス基板Ｇは、筋ムラＳＴが保持部６１の進退方向と直交した状態で基板搬送装置６０に保持される。

つづいて、制御部１４１は、基板搬送装置６０を制御して、ガラス基板Ｇを焼成装置１２１ｄへ搬入する。そして、制御部１４１は、ガラス基板Ｇが基板搬送装置６０によってＹ軸方向に搬送される間、計測ヘッド２２０Ｅが備える照射部２２１および撮像部２２２を制御して計測処理を行う。これにより、筋ムラＳＴと直交する検査領域ＩＡの撮像画像を得ることができる。

制御部１４１は、計測処理を行う間、基板搬送装置６０によるガラス基板Ｇの搬送速度を通常の搬送速度より遅くしてもよい。これにより、搬送に伴うガラス基板Ｇの振動を抑えることができるため、計測処理の精度低下を抑えることができる。

このように、筋ムラＳＴを検出する検査装置２００Ｅは、焼成装置１２１ｄに設けられてもよい。これによっても、早期に不良を検出して効率よく製造ラインを改善させることができる。なお、焼成装置１２１ｄの搬入出口９１には、図６に示す検査装置２００と同様の構成の検査装置が設けられてもよい。かかる場合、制御部１４１は、塗布処理後のガラス基板Ｇを方向転換装置１２１ｂへ搬送することなく、すなわち、ガラス基板Ｇの向きを代えることなくトランジション装置ＴＲ２へ搬送すればよい。

上述した第５変形例のように、検査装置を焼成装置１２１ｄに設ける場合、検査装置による計測処理は、減圧乾燥装置１２１ｃによる減圧乾燥処理後に行われることとなる。上述したように、減圧乾燥処理後のガラス基板Ｇに対して筋ムラＳＴの検査を行う場合、赤外光によっては筋ムラＳＴを精度良く検出することが難しくなる。

一方、減圧乾燥処理後のガラス基板Ｇに対しては、紫外光を用いることにより筋ムラＳＴを精度良く検出することが可能である。そこで、焼成装置１２１ｄに設けられる第５変形例に係る検査装置２００Ｅは、紫外光を照射する照射部を備えることとしてもよい。この場合、撮像部２２２は、有機ＥＬ層３０からの励起光を撮像することとなる。

ここで、紫外光を照射する照射部を備える場合の計測ヘッド２２０Ｅの構成例について図１８および図１９を参照して説明する。図１８は、第５変形例に係る計測ヘッド２２０Ｅの構成の一例を示す模式側面図である。また、図１９は、第５変形例に係る計測ヘッド２２０Ｅの構成の他の一例を示す模式側面図である。

図１８に示すように、計測ヘッド２２０Ｅは、照射部２２１が、ガラス基板Ｇ上の検査領域ＩＡに対して斜め方向から紫外光を照射する向きに配置され、撮像部２２２が、検査領域ＩＡに対して光軸ＡＸが垂直となる向きに配置されることが好ましい。

また、図１９に示すように、計測ヘッド２２０Ｅは、照射部２２１が、ガラス基板Ｇ上の検査領域ＩＡに対して垂直に紫外光を照射する向きに配置され、撮像部２２２が、検査領域ＩＡに対して光軸ＡＸが斜めとなる向きに配置される構成であってもよい。

上述したように、撮像部２２２は、有機ＥＬ層３０からの励起光を撮像する。このため、図１８や図１９に示すように、撮像部２２２は、紫外光の正反射光をなるべく受光しないように、紫外光の拡散反射光を受光する位置に配置されることが好ましい。

なお、撮像部２２２のレンズには、紫外領域の成分を除去する紫外カットフィルタが設けられてもよい。これにより、撮像部２２２による紫外光の反射光の受光量をさらに少なくすることができる。

また、第４変形例のように、検査装置を減圧乾燥装置１２１ｃに設ける場合、検査装置による計測処理は、減圧乾燥前に行うことも減圧乾燥処理後に行うことも可能である。そこで、減圧乾燥装置１２１ｃに設けられる検査装置２００Ｄは、赤外光を照射する第１照射部と、紫外光を照射する第２照射部とを備えてもよい。これにより、計測処理を減圧乾燥処理前に行う場合および減圧乾燥処理後に行う場合の両方において、筋ムラＳＴを精度良く検出することができる。

ここで、赤外光を照射する第１照射部と紫外光を照射する第２照射部とを備える場合の計測ヘッド２２０Ｄの構成例について図２０を参照して説明する。図２０は、第４変形例に係る計測ヘッド２２０Ｄの構成の一例を示す模式側面図である。

図２０に示すように、計測ヘッド２２０Ｄは、赤外光を照射する第１照射部２２１ＩＲと、紫外光を照射する第２照射部２２１ＵＶとを備える。かかる計測ヘッド２２０Ｄは、第１照射部２２１ＩＲが、ガラス基板Ｇ上の検査領域ＩＡに対して斜め方向から赤外光を照射する向きに配置され、第２照射部２２１ＵＶが、検査領域ＩＡに対して垂直に紫外光を照射する向きに配置されことが好ましい。また、撮像部２２２は、検査領域ＩＡに対して光軸ＡＸが斜めとなる向きに配置されることが好ましい。

このような構成とすることで、第１照射部２２１ＩＲを用いて検査処理を行う場合には、赤外光の正反射光を撮像部２２２により多く受光させることができ、第２照射部２２１ＵＶを用いて検査処理を行う場合には、紫外光の正反射光を撮像部２２２になるべく受光させないようにすることができる。

次に、第６変形例に係る検査装置２００Ｆについて図２１および図２２を参照して説明する。図２１は、第６変形例に係る基板処理システム１００Ａの構成を示す模式平面図である。また、図２２は、第６変形例に係る検査装置２００Ｆの構成を示す模式平面図である。

図２１に示すように、第６変形例に係る検査装置２００Ｆは、基板処理システム１００Ａにおいて、正孔注入層形成ブロック１２１、正孔輸送層形成ブロック１２２および発光層形成ブロック１２３の搬送領域ＣＲ３，ＣＲ６，ＣＲ９に隣接して設けられる。

図２２に示すように、検査装置２００Ｆは、ステージ２４０と、ガイドレール２１０Ｆと、計測ヘッド２２０Ｆと、移動機構２３０Ｆとを備える。ガラス基板Ｇは、ステージ２４０上に載置される。ガイドレール２１０Ｆ、計測ヘッド２２０Ｆおよび移動機構２３０Ｆの構成は、上述したガイドレール２１０、計測ヘッド２２０および移動機構２３０と同様である。なお、ガイドレール２１０Ｆは、ステージ２４０の上方に配置され、ガラス基板Ｇの搬入方向（ここでは、Ｙ軸方向）と直交する方向に延在する。

制御部１４１は、基板搬送装置６０を制御して、焼成処理後のガラス基板Ｇを検査装置２００Ｆへ搬入してステージ２４０上に載置する。つづいて、制御部１４１は、移動機構２３０Ｆを制御して、計測ヘッド２２０ＦをＸ軸負方向へ移動させる。この間、制御部１４１は、計測ヘッド２２０Ｆの照射部２２１を制御してガラス基板Ｇへ光を照射させつつ、計測ヘッド２２０Ｆの撮像部２２２を制御してガラス基板Ｇを撮像する。これにより、検査領域ＩＡが撮像される。

このように、検査装置２００Ｆは、基板処理システム１００Ａにおいて、塗布装置１２１ａよりも下流側に独立したユニットとして配置されてもよい。

なお、ここでは、検査装置２００Ｆが各ブロック１２１〜１２３の搬送領域ＣＲ３，ＣＲ６，ＣＲ９に隣接して設けられる場合の例を示したが、検査装置２００Ｆの配置は本例に限定されない。たとえば、検査装置２００Ｆは、各ブロック１２１〜１２３の搬送領域ＣＲ１，ＣＲ４，ＣＲ７に隣接して設けられてもよい。かかる配置にすることで、検査装置２００Ｆを搬送領域ＣＲ３，ＣＲ６，ＣＲ９に配置した場合と比べて筋ムラＳＴをより早期に検出することができる。また、検査装置２００Ｆは、各ブロック１２１〜１２３の搬送領域ＣＲ２，ＣＲ５，ＣＲ８に隣接して設けられてもよい。

上述した実施形態および変形例では、製品基板であるガラス基板Ｇのアクティブエリア２１を検査対象とする場合の例について説明したが、たとえばガラス基板Ｇのアクティブエリア２１以外の領域（ダミー領域）に対して塗布処理を行い、このダミー領域を検査対象として計測処理を行ってもよい。これにより、仮に、紫外光を用いて計測処理を行ったとしても、製品となるアクティブエリア２１に形成される有機ＥＬ層３０にダメージを与えることはない。

また、上述した実施形態および変形例では、製品基板であるガラス基板Ｇを検査対象とする場合の例について説明したが、検査用の基板を検査対象としてもよい。この場合、検査装置は、たとえば白色光を照射する照射部を備えてもよい。

また、上述した実施形態および変形例では、ガラス基板Ｇの表面を観察面とする場合の例について説明したが、ガラス基板Ｇの裏面を観察面としてもよい。

さらなる効果や変形例は、当業者によって容易に導き出すことができる。このため、本発明のより広範な態様は、以上のように表しかつ記述した特定の詳細および代表的な実施形態に限定されるものではない。したがって、添付の特許請求の範囲およびその均等物によって定義される総括的な発明の概念の精神または範囲から逸脱することなく、様々な変更が可能である。

２１ アクティブエリア
３０ 有機ＥＬ層
１００ 基板処理システム
１２１ａ，１２２ａ，１２３ａ 塗布装置
１２１ｃ，１２２ｃ，１２３ｃ 減圧乾燥装置
１２１ｄ，１２２ｄ，１２３ｄ 焼成装置
２００ 検査装置
２１０ ガイドレール
２２０ 計測ヘッド
２２１ 照射部
２２２ 撮像部
２３０ 移動機構
Ｇ ガラス基板
ＳＴ 筋ムラ

Claims (7)

1. インクジェット方式によって有機材料が塗布された基板における前記有機材料が塗布された領域の一部であって、前記インクジェット方式による塗布方向と交差する方向に延在する検査領域に対して光を照射する照射部と、
   前記光の照射を受けた前記検査領域を撮像する撮像部と、
   前記撮像部によって撮像された撮像画像に基づいて前記基板の不良を検出する制御部と
   を備え、
   前記照射部および前記撮像部は、
   前記基板に対して前記インクジェット方式により前記有機材料を塗布する塗布装置から前記有機材料が塗布された前記基板を搬出する基板搬送装置であって、前記基板を水平に保持する保持部と、前記保持部を前記塗布方向と平行な方向に沿って移動させることによって前記基板を前記保持部に保持させる移動部とを備える前記基板搬送装置の前記保持部に設けられ、
   前記制御部は、
   前記基板搬送装置を制御して、前記有機材料が塗布された前記基板を前記塗布装置から搬出させた後、前記基板を他の装置へ搬入するまでの間に、前記照射部を制御して前記保持部に保持された前記基板へ光を照射させつつ、前記撮像部を制御して前記保持部に保持された前記基板を撮像することを特徴とする検査装置。
2. 前記制御部は、
   前記検査領域を撮像する処理を前記撮像部に対して行わせる場合に、前記基板搬送装置による前記基板の搬送速度を遅くすること
   を特徴とする請求項１に記載の検査装置。
3. 前記照射部は、
   前記検査領域に対して赤外光を照射すること
   を特徴とする請求項１または２に記載の検査装置。
4. 前記照射部は、
   前記検査領域に対して斜め方向から赤外光を照射する向きに配置され、
   前記撮像部は、
   前記検査領域に対して光軸が斜めとなる向きに配置されること
   を特徴とする請求項３に記載の検査装置。
5. 前記照射部と前記撮像部とを前記塗布方向と交差する方向に移動させる移動機構
   を備えることを特徴とする請求項１〜４のいずれか一つに記載の検査装置。
6. 前記制御部は、
   前記撮像画像を周波数解析することにより、基板に対して前記インクジェット方式により前記有機材料を塗布する塗布装置が備える複数のノズルのうち、前記撮像画像に含まれる筋ムラに対応するノズルを特定すること
   を特徴とする請求項１〜５のいずれか一つに記載の検査装置。
7. 基板に対してインクジェット方式により有機材料を塗布する塗布装置を用いて、前記基板に対して前記有機材料を塗布する塗布工程と、
   前記基板を水平に保持する保持部と、前記保持部を前記インクジェット方式による塗布方向と平行な方向に沿って移動させることによって前記基板を前記保持部に保持させる移動部とを備える基板搬送装置を用いて、前記有機材料が塗布された前記基板を前記塗布装置から搬出する搬出工程と、
   前記搬出工程後、前記基板搬送装置を用いて、前記有機材料が塗布された前記基板を他の装置へ搬入するまでの間に、前記保持部に設けられた照射部を用いて、前記基板における前記有機材料が塗布された領域の一部であって、前記塗布方向と交差する方向に延在する検査領域に対して光を照射しつつ、前記保持部に設けられた撮像部を用いて、前記光の照射を受けた前記検査領域を撮像する撮像工程と、
   前記撮像工程によって撮像された撮像画像に基づいて前記基板の不良を検出する検出工程と
   を含むことを特徴とする検査方法。

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