CN110081849B - 墨水材料的膜厚测量方法 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及一种墨水材料的膜厚测量方法，包括以下步骤：在玻璃基板的像素坑中逐层填充各个种类的墨水材料，制成测量基板；其中，填充后一层的墨水材料时在前一层材料的像素坑的基础上留存至少一个像素坑不填充后一层的墨水材料；在每一层填充有墨水材料的像素坑中，分别选择至少一个该层墨水材料裸露的像素坑作为该层墨水材料的测量点；对测量基板上的各个测量点进行测量，检测各个测量点测量的厚度参数，根据厚度参数计算各个种类墨水材料的膜层厚度。上述方法，能够实现在一个测量基板上测量多种墨水材料的膜层厚度，解决现有技术中测量多种墨水材料的膜厚时需要分别制备多个测量基板导致的测量效率低下的问题，提升了墨水材料膜度测量的效率。

Description

墨水材料的膜厚测量方法
技术领域
本发明涉及器件制备技术领域，特别是涉及一种墨水材料的膜厚测量方法。
背景技术
有机发光二极管(Organic Light-Emitting Diode，OLED)器件已被广泛应用于显示设备中。在OLED器件的制作工艺中，可以采用喷墨打印或者蒸镀工艺制备OLED器件中的某些功能材料，例如空穴注入层(Hole Injection Layer，HIL)，空穴传输层(HoleTransport Layer，HTL)和发光层(Emissive Layer，EML)。即在已知的像素坑内，用喷墨打印或蒸镀的方式将功能层材料墨水填充到玻璃基板上的像素坑内。
在像素坑内填充墨水材料的膜厚的准确度以及膜厚均匀性是工艺的重要考察点。以喷墨打印工艺为例，在进行OLED器件制作前，需要先针对给定的器件结构去进行测试量测，例如不同墨水材料的膜厚测量以及在像素坑内墨水材料成膜的均匀性测试都要提前完成，以获取当前设备上喷墨打印工艺参数的进行状况，为OLED器件制作提供喷墨打印工艺参数的依据，便于设置喷墨打印工艺的制程条件。即打印前对喷墨打印设备的打印效果进行测试，如果打印结果满足所需打印的各层材料的厚度，则以当前参数进行打印，如果不满足厚度要求，则继续调整喷墨打印设备的参数直至满足需求。
目前在对墨水材料的膜厚进行测量时，在待测基板的制作方面存在这样的问题：不同的墨水材料量测需要准备不同的玻璃基板，而一个器件的制备在喷墨打印或蒸镀过程中往往需要用到多种墨水材料，对多种墨水材料的膜厚进行测量，如果针对每一种墨水材料分别制备测量基板进行测量，需要耗费较多的时间，导致器件制备前对墨水材料的膜厚测量的效率低下，继而影响OLED器件的制作效率。
发明内容
基于此，有必要针对上述技术问题，提供一种能够准确高效地测量墨水材料膜层厚度的墨水材料的膜厚测量方法。
一种墨水材料的膜厚测量方法，包括以下步骤：
在玻璃基板的像素坑中逐层填充各个种类的墨水材料，制成测量基板；其中，填充后一层的墨水材料时在前一层材料的像素坑的基础上留存至少一个像素坑不填充后一层的墨水材料；
在每一层填充有墨水材料的像素坑中，分别选择至少一个该层墨水材料裸露的像素坑作为该层墨水材料的测量点；
对所述测量基板上的各个测量点进行测量，检测各个测量点测量的厚度参数，根据所述厚度参数计算各个种类墨水材料的膜层厚度。
上述墨水材料的膜厚测量方法，通过在一个基底上填充多层待测量的各种墨水材料，在填充每层墨水材料时在上一层材料的基础上留存像素坑不填充该墨水材料，制备测量基板，以使得每一层墨水材料的至少一个像素坑裸露出来选作测量点，根据测量点测量的厚度参数计算获取各层墨水材料的膜层厚度，实现在一个测量基板上测量多种墨水材料的膜层厚度，解决现有技术中在需要测量多种墨水材料的膜厚时需要分别制备多个测量基板进行测量导致的操作繁琐，测量效率低下的问题，提升了墨水材料膜层厚度测量的效率，节省了物料成本，从而提升了器件的制备效率。
在一个实施例中，在玻璃基板的像素坑中逐层填充各个种类的墨水材料，制成测量基板的步骤之前，还包括：根据待制备器件的结构信息，确定待测量的墨水材料的种类和各个种类墨水材料之间的层次关系；
所述在玻璃基板的像素坑中，逐层填充各个种类的墨水材料，制成测量基板包括：在玻璃基板的像素坑中，按照所述层次关系逐层填充各个所述种类的墨水材料，制成测量基板。
上述实施例的技术方案，依照待制备器件本身的墨水材料层的结构关系，填充制备对应的测量基板，制备的测量基板可以模拟实际制备的器件的墨水材料的层次结构，使得制得的测量基板的各个种类墨水材料的膜层厚度与实际制备的器件材料的膜层厚度更接近，从而提升测量的各层墨水材料的膜层厚度的准确性。
在一个实施例中，所述在玻璃基板的像素坑中逐层填充各个种类的墨水材料时，使得每一层墨水材料裸露的像素坑具有至少一个在横向或纵向至少一个方向与上一层材料不相邻的像素坑；
所述在每一层填充有墨水材料的像素坑中，分别选择至少一个该层墨水材料裸露的像素坑作为该层墨水材料的测量点包括：在每一层填充有墨水材料的像素坑中，分别选择与上一层材料的像素坑在横向或纵向至少一个方向不相邻的像素坑作为该层墨水材料的测量点。
上述实施例的技术方案，选择与上一层材料的像素坑在横向或纵向至少一个方向不相邻的像素坑作为该层墨水材料的测量点，避免了选择与上一层墨水材料相邻的像素坑，其边缘溶剂的蒸发速率与其相邻的上一层墨水材料的蒸发速率不同，导致该像素坑内填充的该下一层墨水材料的膜层厚度不均，与实际器件制备时的情况不符的问题，选择的测量点测量的膜厚更接近实际器件制作中的该层墨水材料的膜厚，提升了对墨水材料膜层厚度测量的准确性。
在一个实施例中，所述待制备器件为OLED器件；所述待测量的墨水材料的种类和各个种类墨水材料之间的层次关系包括：位于玻璃基板上ITO层上的HIL墨水材料层、位于HIL墨水材料层上的HTL墨水材料层，以及位于HTL墨水材料层上的EML墨水材料层。
上述实施例的技术方案，在待指标器件为OLED器件时，则根据OLED器件的结构信息，获取该OLED器件在制备过程中对应的墨水材料的种类和层次关系，以作为后续制备测量基板的依据。
在一个实施例中，所述在玻璃基板的像素坑中，按照所述层次关系逐层填充各个所述种类的墨水材料，制成测量基板包括：在玻璃基板上ITO层的像素坑中填充HIL墨水材料层，并留存至少一个ITO层的像素坑不填充所述HIL墨水材料；在已填充有HIL墨水材料的像素坑中填充HTL墨水材料层，并留存至少一个填充有HIL墨水材料的像素坑不填充所述HTL墨水材料；在已填充有HTL墨水材料的像素坑中填充EML墨水材料层，并留存至少一个填充有HTL墨水材料的像素坑不填充所述EML墨水材料。
上述实施例的技术方案，依照OLED器件的结构特征，在玻璃基板上ITO层上，对应逐层填充HIL墨水材料层、HTL墨水材料层和EML墨水材料层，并在填充每一层墨水材料时在上一层材料的基础上留存像素坑用于选作测量点，可以模拟实际制备的OLED器件制备对应的测量基板，在一个测量基板上实现对OLED器件制备中材料膜层厚度的测量，提升膜厚测量的效率和准确性，进而提升后续OLED器件制备的效率和准确性。
在一个实施例中，所述在每一层填充有墨水材料的像素坑中，分别选择至少一个该层墨水材料裸露的像素坑作为该层墨水材料的测量点包括：在留存的不填充所述HTL墨水材料的填充有所述HIL墨水材料的像素坑中选择一个像素坑为HIL墨水材料的测量点；在留存的不填充所述EML墨水材料的填充有所述HTL墨水材料的像素坑中选择一个像素坑为HTL墨水材料的测量点；在填充有所述EML墨水材料的像素坑中选择一个像素坑为EML墨水材料的测量点。
上述实施例的技术方案，在上一实施例制备的针对OLED器件的测量基板的基础上，分别针对HIL墨水材料层、HTL墨水材料层和EML墨水材料层选择对应的一个像素坑为测量点，用于后续对OLED器件中HIL墨水材料层、HTL墨水材料层和EML墨水材料层的膜层厚度的测量，从而实现在一个测量基板上对OLED器件制备中HIL墨水材料层、HTL墨水材料层和EML墨水材料层膜层厚度的测量，提升测量效率。
在一个实施例中，所述EML墨水材料层包括位于同一墨水材料层的EML-R墨水材料、EML-G墨水材料和EML-B墨水材料；
所述在已填充有HTL墨水材料的像素坑中填充EML墨水材料层，并留存至少一个填充有HTL墨水材料的像素坑不填充所述EML墨水材料层包括：在已填充有HTL墨水材料的像素坑中分别选择至少一个像素坑填充EML-R墨水材料，至少一个像素坑填充EML-G墨水材料，至少一个像素坑填充EML-B墨水材料，并留存至少一个HTL墨水材料的像素坑不填充所述EML-R、EML-G或EML-B墨水材料。
上述实施例的技术方案，在制备OLED器件的测量基板时，在已填充有HTL墨水材料的像素坑中并列填充EML-R材料、EML-G材料和EML-B材料，从而可以实现在同一个测量基板上对EML-R材料、EML-G材料和EML-B材料的膜厚测量，进一步提升测量效率。
在一个实施例中，所述在填充有所述EML墨水材料的像素坑中选择一个像素坑为测量点包括：在填充有EML-R墨水材料的像素坑中选择一个像素坑为EML-R墨水材料的测量点，在填充有EML-G墨水材料的像素坑中选择一个像素坑为EML-G墨水材料的测量点，在填充有EML-B墨水材料的像素坑中选择一个像素坑为EML-B墨水材料的测量点。
上述实施例的技术方案，在上一实施例制备的针对OLED器件的测量基板的基础上，分别针对位于同一层的EML-R墨水材料层、HTL墨水材料层和EML墨水材料层选择对应的一个像素坑为测量点，用于后续对OLED器件中EML-R墨水材料层、HTL墨水材料层和EML墨水材料层的膜层厚度的测量，从而进一步实现在一个测量基板上对OLED器件制备中EML-R墨水材料层、HTL墨水材料层和EML墨水材料层膜层厚度的测量，提升测量效率。
在一个实施例中，所述对所述测量基板上的各个测量点进行测量，获取各个测量点测量的厚度参数，根据所述厚度参数，获取各个种类墨水材料的膜层厚度包括：对所述测量基板上各层墨水材料的各个测量点进行测量，获取对各个测量点测量的厚度参数，并获取基板材料层的厚度参数；对于第一层墨水材料，将该层墨水材料的测量点测量的厚度参数减去基板材料层的厚度参数，得到该第一层墨水材料的膜层厚度；对于除了第一层墨水材料之外的各层墨水材料，将该层墨水材料的测量点测量的厚度参数减去上一层墨水材料上的测量点测量的厚度参数，得到该层墨水材料的膜层厚度。
上述实施例的技术方案，通过获取的各个材料层的厚度参数，求差算得对应墨水材料层的膜层厚度，计算方式简单，易于实现，能够进一步提升测量效率。
附图说明
图1为一个实施例中墨水材料的膜厚测量方法的流程示意图；
图2为另一个实施例中墨水材料的膜厚测量方法的流程示意图；
图3为又一个实施例中墨水材料的膜厚测量方法的流程示意图；
图4为一个实施例中OLED器件中各个种类墨水材料的层次结构示意图；
图5为一个实施例中测量基板的结构示意图。
具体实施方式
为了使本发明的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本发明进行进一步详细说明。应当理解，此处描述的具体实施例仅仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。
在一个实施例中，如图1所示，提供了一种墨水材料的膜厚测量方法，包括以下步骤：
S110，在玻璃基板的像素坑中逐层填充各个种类的墨水材料，制成测量基板；其中，填充后一层的墨水材料时在前一层材料的像素坑的基础上留存至少一个像素坑不填充后一层的墨水材料；
其中，在像素坑中填充墨水材料可以通过对应测量的器件制备设备实现，例如若需要使用喷墨打印设备打印器件的墨水材料层，则上述步骤的墨水材料通过该喷墨打印设备实现，若需要使用蒸镀设备蒸镀器件的墨水材料层，则上述步骤的墨水材料通过该蒸镀设备实现。
其中，逐层填充各个种类的墨水材料是指，一层一层填充不同种类的墨水材料，其中每一层填充一种或多种墨水材料；前一层材料可以是基板材料或者已填充的墨水材料层，例如，对于第一层墨水材料而言，前一层材料为基板材料层例如玻璃基板上的氧化铟锡(Indium Tin Oxide，ITO)材料层，而对于第二层墨水材料而言，前一层材料则为第一层墨水材料，对于第三层墨水材料而言，前一层材料则为第二层墨水材料，依此类推。
S120，在每一层填充有墨水材料的像素坑中，分别选择至少一个该层墨水材料裸露的像素坑作为该层墨水材料的测量点；
其中，该层墨水材料裸露的像素坑是指，该层墨水材料上没有再填充墨水材料层的像素坑，S110中在像素坑中填充每一层墨水材料时，均在上一层材料像素坑的基础上留存了一个或多个像素坑不填充该层墨水材料，这些留存的像素坑的上一层材料会裸露出来，即可选择作为上一层材料的测量点。
在此步骤中，在每一层填充有墨水材料的像素坑中，可以针对该层的每一种墨水材料，分别选择至少一个该层墨水材料裸露的像素坑作为该层墨水材料的测量点。
S130，对所述测量基板上的各个测量点进行测量，检测各个测量点测量的厚度参数，根据所述厚度参数计算各个种类墨水材料的膜层厚度。
其中，厚度参数为表征该测量点厚度的相关参数，其可以有不同的表现形式，例如可以为该测量点检测的相对高度的参数，也可以为该测量点检测的该测量点对应材料层的绝对厚度参数等等。
在此步骤中，可以通过厚度测量仪器对测量基板的上的各个测量点进行测量，检测各个测量点测量的厚度参数，根据所述厚度参数计算各个种类墨水材料的膜层厚度。
上述墨水材料的膜厚测量方法，通过在一个基底上填充多层待测量的各种墨水材料，在填充每层墨水材料时在上一层材料的基础上留存像素坑不填充该墨水材料，制备测量基板，以使得每一层墨水材料的至少一个像素坑裸露出来选作测量点，根据测量点测量的厚度参数计算获取各层墨水材料的膜层厚度，实现在一个测量基板上测量多种墨水材料的膜层厚度，解决现有技术中在需要测量多种墨水材料的膜厚时需要分别制备多个测量基板进行测量导致的操作繁琐，测量效率低下的问题，提升了墨水材料膜层厚度测量的效率，节省了物料成本，从而提升了器件的制备效率。
在一个实施例中，如图2所示，在S110中在玻璃基板的像素坑中逐层填充各个种类的墨水材料，制成测量基板的步骤之前，还包括：
S100，根据待制备器件的结构信息，确定待测量的墨水材料的种类和各个种类墨水材料之间的层次关系；
S110中所述在玻璃基板的像素坑中，逐层填充各个种类的墨水材料，制成测量基板包括：
S111，在玻璃基板的像素坑中，按照所述层次关系逐层填充各个所述种类的墨水材料，制成测量基板。
上述实施例的技术方案，依照待制备器件本身的墨水材料层的结构关系，填充制备对应的测量基板，制备的测量基板可以模拟实际制备的器件的墨水材料的层次结构，使得制得的测量基板的各个种类墨水材料的膜层厚度与实际制备的器件材料的膜层厚度更接近，从而提升测量的各层墨水材料的膜层厚度的准确性。
在一个实施例中，S110中所述在玻璃基板的像素坑中逐层填充各个种类的墨水材料时，使得每一层墨水材料裸露的像素坑具有至少一个在横向或纵向至少一个方向与上一层材料不相邻的像素坑；
其中，参见图5所示，横向和纵向分别指代基板上行列方式阵列排布的像素坑的排布方向，例如若以像素坑的行所在的方向为横向，则像素坑的列所在的方向为纵向。所述在横向或纵向至少一个方向与上一层材料不相邻的像素坑，是指，在横向与上一层材料不相邻的像素坑，或纵向与上一层材料不相邻的像素坑，或横向与纵向均与上一层材料不相邻的像素坑。
S120中所述在每一层填充有墨水材料的像素坑中，分别选择至少一个该层墨水材料裸露的像素坑作为该层墨水材料的测量点包括：
S121，在每一层填充有墨水材料的像素坑中，分别选择与上一层材料的像素坑在横向或纵向至少一个方向不相邻的像素坑作为该层墨水材料的测量点。
在进行喷墨打印或蒸镀时，填充下一层墨水材料时，该下一层墨水材料边缘与上一层墨水材料相邻的像素坑，其边缘溶剂的蒸发速率与其相邻的上一层墨水材料的蒸发速率不同，其溶剂的蒸气压受到上一层墨水材料的影响，导致该像素坑内填充的该下一层墨水材料的膜层厚度不均，与实际器件制备时的情况不符，以其作为测量点测量的膜层厚度与实际器件制备中的膜层厚度存在偏差。上述实施例的技术方案，选择与上一层材料的像素坑在横向或纵向至少一个方向不相邻的像素坑作为该层墨水材料的测量点，选择的测量点测量的膜厚更接近实际器件制作中的该层墨水材料的膜厚，提升了对墨水材料膜层厚度测量的准确性。
其中，对于S100中所述待制备器件，可以根据实际的工艺制备需要确定对应的器件，相应的，在制备测量基板时则可以获取该器件制备过程中需要的材料层结构的信息，作为制备测量基板的依据。
在一个实施例中，S100中所述待制备器件为OLED器件；S100中确定的所述待测量的墨水材料的种类和各个种类墨水材料之间的层次关系包括：位于玻璃基板上ITO层上的HIL墨水材料层、位于HIL墨水材料层上的HTL墨水材料层，以及位于HTL墨水材料层上的EML墨水材料层。
上述实施例的技术方案，在待指标器件为OLED器件时，则根据OLED器件的结构信息，获取该OLED器件在制备过程中对应的墨水材料的种类和层次关系，以作为后续制备测量基板的依据。
在一个实施例中，S111所述在玻璃基板的像素坑中，按照所述层次关系逐层填充各个所述种类的墨水材料，制成测量基板包括：
S111a，在玻璃基板上ITO层的像素坑中填充HIL墨水材料层，并留存至少一个ITO层的像素坑不填充所述HIL墨水材料；
S111b，在已填充有HIL墨水材料的像素坑中填充HTL墨水材料层，并留存至少一个填充有HIL墨水材料的像素坑不填充所述HTL墨水材料；
S111c，在已填充有HTL墨水材料的像素坑中填充EML墨水材料层，并留存至少一个填充有HTL墨水材料的像素坑不填充所述EML墨水材料。
上述实施例的技术方案，依照OLED器件的结构特征，在玻璃基板上ITO层上，对应逐层填充HIL墨水材料层、HTL墨水材料层和EML墨水材料层，并在填充每一层墨水材料时在上一层材料的基础上留存像素坑用于选作测量点，可以模拟实际制备的OLED器件制备对应的测量基板，在一个测量基板上实现对OLED器件制备中材料膜层厚度的测量，提升膜厚测量的效率和准确性，进而提升后续OLED器件制备的效率和准确性。
在一个实施例中，S120中所述在每一层填充有墨水材料的像素坑中，分别选择至少一个该层墨水材料裸露的像素坑作为该层墨水材料的测量点包括：
S120a，在留存的不填充所述HTL墨水材料的填充有所述HIL墨水材料的像素坑中选择一个像素坑为HIL墨水材料的测量点；
S120b，在留存的不填充所述EML墨水材料的填充有所述HTL墨水材料的像素坑中选择一个像素坑为HTL墨水材料的测量点；
S120c，在填充有所述EML墨水材料的像素坑中选择一个像素坑为EML墨水材料的测量点。
上述实施例的技术方案，在上一实施例制备的针对OLED器件的测量基板的基础上，分别针对HIL墨水材料层、HTL墨水材料层和EML墨水材料层选择对应的一个像素坑为测量点，用于后续对OLED器件中HIL墨水材料层、HTL墨水材料层和EML墨水材料层的膜层厚度的测量，从而实现在一个测量基板上对OLED器件制备中HIL墨水材料层、HTL墨水材料层和EML墨水材料层膜层厚度的测量，提升测量效率。
在一个实施例中，S100中确定的所述EML墨水材料层包括位于同一墨水材料层的EML-R墨水材料、EML-G墨水材料和EML-B墨水材料；
S111c中所述在已填充有HTL墨水材料的像素坑中填充EML墨水材料层，并留存至少一个填充有HTL墨水材料的像素坑不填充所述EML墨水材料层包括：
S1111c，在已填充有HTL墨水材料的像素坑中分别选择至少一个像素坑填充EML-R墨水材料，至少一个像素坑填充EML-G墨水材料，至少一个像素坑填充EML-B墨水材料，并留存至少一个HTL墨水材料的像素坑不填充所述EML-R、EML-G或EML-B墨水材料。
其中，填充EML-R墨水材料的像素坑、填充EML-G墨水材料的像素坑，和填充EML-B墨水材料的像素坑不重合，即填充的EML-R墨水材料、EML-G墨水材料和EML-B墨水材料并列位于同一层上。
对于OLED器件的发光层(EML)材料，其可以进一步包括红色发光层(EmissiveLayer-Red，EML-R)材料、绿色发光层(Emissive Layer-Gree，EML-G)材料或蓝色发光层(Emissive Layer-Blue，EML-B)材料。在对OLED器件的墨水材料层厚度进行测量时，可能需要测量多种颜色的发光层材料层的厚度。上述实施例的技术方案，在制备OLED器件的测量基板时，在已填充有HTL墨水材料的像素坑中并列填充EML-R材料、EML-G材料和EML-B材料，从而可以实现在同一个测量基板上对EML-R材料、EML-G材料和EML-B材料的膜厚测量，进一步提升测量效率。
在一个实施例中，S120d中所述在填充有所述EML墨水材料的像素坑中选择一个像素坑为测量点包括：
S1201d，在填充有EML-R墨水材料的像素坑中选择一个像素坑为EML-R墨水材料的测量点，在填充有EML-G墨水材料的像素坑中选择一个像素坑为EML-G墨水材料的测量点，在填充有EML-B墨水材料的像素坑中选择一个像素坑为EML-B墨水材料的测量点。
上述实施例的技术方案，在上一实施例制备的针对OLED器件的测量基板的基础上，分别针对位于同一层的EML-R墨水材料层、HTL墨水材料层和EML墨水材料层选择对应的一个像素坑为测量点，用于后续对OLED器件中EML-R墨水材料层、HTL墨水材料层和EML墨水材料层的膜层厚度的测量，从而进一步实现在一个测量基板上对OLED器件制备中EML-R墨水材料层、HTL墨水材料层和EML墨水材料层膜层厚度的测量，提升测量效率。
在一个实施例中，S130中所述对所述测量基板上的各个测量点进行测量，获取各个测量点测量的厚度参数，根据所述厚度参数，获取各个种类墨水材料的膜层厚度包括：
S131，对所述测量基板上各层墨水材料的各个测量点进行测量，获取对各个测量点测量的厚度参数，并获取基板材料层的厚度参数；
对于不同的基板材料层，例如玻璃基板上的ITO层，其厚度参数一般是相对固定的，因此可以直接读取预存的基板材料的厚度参数，而在可能的实施方式中，以OLED器件为例，也可以在制备测量基板时，留存ITO材料的像素坑不填充HIL层墨水材料，在留存的ITO材料的像素坑中选择测量点测量获取基板材料层的厚度参数。
上述步骤中，基板材料层的厚度参数可以通过读取预存的基板材料的厚度参数获取，也可以通过测量留存的ITO材料的像素坑的测量点获取。
S132，对于第一层墨水材料，将该层墨水材料的测量点测量的厚度参数减去基板材料层的厚度参数，得到该第一层墨水材料的膜层厚度；
其中，所述第一层墨水材料是指在基板材料层上填充的墨水材料。
S133，对于除了第一层墨水材料之外的各层墨水材料，将该层墨水材料的测量点测量的厚度参数减去上一层墨水材料上的测量点测量的厚度参数，得到该层墨水材料的膜层厚度。
上述实施例的技术方案，通过获取的各个材料层的厚度参数，求差算得对应墨水材料层的膜层厚度，计算方式简单，易于实现，能够进一步提升测量效率。
在一个实施例中，如图3所示，提供了一种墨水材料的膜厚测量方法，以待制备的器件为OLED器件为例，其中该OLED器件中各个种类墨水材料的层次结构如图4所示。本实施例的墨水材料的膜厚测量方法包括以下步骤：
S310，根据待制备的OLED器件的结构信息，确定待测量的墨水材料的种类和各个种类墨水材料之间的层次关系；
如图4所示，本步骤中根据OLED器件的结构信息确定的待测量的墨水材料的种类和各个种类墨水材料之间的层次关系具体包括：位于玻璃基板401上ITO层402上的HIL墨水材料层403、位于HIL墨水材料层403上的HTL墨水材料层404，以及位于HTL墨水材料层404上的EML墨水材料层405；其中，EML墨水材料层405中包括并列填充于同一层的EML-R墨水材料405a、EML-G墨水材料405b和EML-B墨水材料405c。
S320，在玻璃基板上ITO层的像素坑中填充HIL墨水材料层，并留存至少一个ITO层的像素坑不填充所述HIL墨水材料；
S330，在已填充有HIL墨水材料的像素坑中填充HTL墨水材料层，并留存至少一个填充有HIL墨水材料的像素坑不填充所述HTL墨水材料；
S340，在已填充有HTL墨水材料的像素坑中分别选择至少一个像素坑填充EML-R墨水材料，至少一个像素坑填充EML-G墨水材料，至少一个像素坑填充EML-B墨水材料，并留存至少一个HTL墨水材料的像素坑不填充所述EML-R墨水材料、EML-G墨水材料或EML-B墨水材料。
S350，在留存的不填充所述HTL墨水材料的填充有所述HIL墨水材料的像素坑中选择一个像素坑为HIL墨水材料的测量点；
S360，在留存的不填充所述EML墨水材料的填充有所述HTL墨水材料的像素坑中选择一个像素坑为HTL墨水材料的测量点；
S370，在填充有EML-R墨水材料的像素坑中选择一个像素坑为EML-R墨水材料的测量点，在填充有EML-G墨水材料的像素坑中选择一个像素坑为EML-G墨水材料的测量点，在填充有EML-B墨水材料的像素坑中选择一个像素坑为EML-B墨水材料的测量点。
S380，获取基底材料ITO层的第一厚度参数，并分别测量获取HIL墨水材料的测量点测量的第二厚度参数、HTL墨水材料的测量点测量的第三厚度参数、EML-R墨水材料的测量点测量的第四厚度参数、EML-G墨水材料的测量点测量的第五厚度参数以及EML-B墨水材料的测量点测量的第六厚度参数。
S390，将第二厚度参数减去第一厚度参数算得HIL墨水材料的膜层厚度，第三厚度参数减去第二厚度参数算得HTL墨水材料的膜层厚度，第四厚度参数减去第三厚度参数算得EML-R墨水材料的膜层厚度，第五厚度参数减去第三厚度参数算得EML-G墨水材料的膜层厚度，第六厚度参数减去第三厚度参数算得EML-B墨水材料的膜层厚度。
上述实施例的技术方案，上述实施例的技术方案，依照OLED器件的结构特征，在玻璃基板上ITO层上，逐层填充HIL墨水材料层和HTL墨水材料层，在已填充有HTL墨水材料的像素坑中并列填充EML-R墨水材料、EML-G墨水材料和EML-B墨水材料，并分别针对HIL墨水材料层、HTL墨水材料层、EML-R墨水材料层、EML-G墨水材料层和EML-B墨水材料层选择对应的一个像素坑为该墨水材料层的测量点，测量得到各个墨水材料的膜层厚度，从而可以实现在同一个测量基板上对HIL墨水材料层和HTL墨水材料层、EML-R墨水材料层、EML-G墨水材料层和EML-B墨水材料层的膜厚测量，有效提升测量效率。且由于模拟的OLED器件结构制备的测量基板，使得测得的各层墨水材料的膜层厚度更准确。
应该理解的是，虽然图1-3的流程图中的各个步骤按照箭头的指示依次显示，但是这些步骤并不是必然按照箭头指示的顺序依次执行。除非本文中有明确的说明，这些步骤的执行并没有严格的顺序限制，这些步骤可以以其它的顺序执行。而且，图1-3中的至少一部分步骤可以包括多个子步骤或者多个阶段，这些子步骤或者阶段并不必然是在同一时刻执行完成，而是可以在不同的时刻执行，这些子步骤或者阶段的执行顺序也不必然是依次进行，而是可以与其它步骤或者其它步骤的子步骤或者阶段的至少一部分轮流或者交替地执行。
为了使本发明实施例的墨水材料膜厚测量方法更加清晰明白，下面以一个具体的应用示例阐述，该应用示例以采用喷墨打印设备制备OLED器件为例，在该应用示例中，如图5所示，用于制备测量基板的玻璃基板上包括7行*9列共63个像素坑，其中以图5中由上至下第m行，由左至右第n列的像素坑标记为像素坑mn(1≤m≤7，1≤n≤9,且m和n均为正整数)，该应用示例的墨水材料膜厚测量方法具体可以包括以下步骤：
A、制备测量基板。
在本应用示例中，制备得到的测量基板的具体排布方式如图5所示，其中，该测量基板具体可以依照下述步骤使用待调试的喷墨打印设备在玻璃基板上打印制备得到：
a1)在如图5所示的玻璃基板的ITO层的63个像素坑中，留存像素坑19和像素坑59不填充HIL墨水材料，在其余61个玻璃基板ITO层的像素坑均填充一层HIL墨水材料层。
a2)在已填充有HIL墨水材料层的61个像素坑中，留存像素坑17、18、28、29、38、39、48、49、57、58、68、69、78和79共14个像素坑不填充HTL墨水材料，在其余47个已填充有HIL墨水材料层的像素坑均填充一层HTL墨水材料层。
a3)在已填充有HTL墨水材料层的47个像素坑中，留存像素坑15、23、27、31、37、47、55、63、67、71和77共11个像素坑不填充EML-R墨水材料、EML-G墨水材料或EML-B墨水材料，在其余36个已填充有HTL墨水材料层的像素坑中，在像素坑11、12、13、14、16、41、42、43、44、45、46、72、73、74、75和76共16个像素坑中填充一层EML-R墨水材料层，在像素坑21、22、24、25、26、51、52、53、54和56共10个像素坑中填充一层EML-G墨水材料层，在像素坑32、33、34、35、36、61、62、64、65和66共10个像素坑中填充一层EML-B墨水材料层。
B、确定测量基板上的各个测量点。
具体的，如图5所示，选择像素坑39作为HIL墨水材料层的测量点，选择像素坑37作为HTL墨水材料层的测量点，选择像素坑43作为EML-R墨水材料层的测量点，选择像素坑51作为EML-G墨水材料层的测量点，选择像素坑35作为EML-B墨水材料层的测量点。
C、测量各个种类墨水材料的膜厚。
c1)获取基底材料ITO层的第一厚度参数，其中所述第一厚度参数可以为预存的，也可以是以像素坑19或像素坑59为测量点测量获取的，分别测量获取HIL墨水材料的测量点测量的第二厚度参数、HTL墨水材料的测量点测量的第三厚度参数、EML-R墨水材料的测量点测量的第四厚度参数、EML-G墨水材料的测量点测量的第五厚度参数以及EML-B墨水材料的测量点测量的第六厚度参数。
c2)将第二厚度参数减去第一厚度参数算得HIL墨水材料的膜层厚度，第三厚度参数减去第二厚度参数算得HTL墨水材料的膜层厚度，第四厚度参数减去第三厚度参数算得EML-R墨水材料的膜层厚度，第五厚度参数减去第三厚度参数算得EML-G墨水材料的膜层厚度，第六厚度参数减去第三厚度参数算得EML-B墨水材料的膜层厚度。
上述实施例的技术方案，依照OLED器件的结构特征，在玻璃基板上ITO层上，逐层填充HIL墨水材料层和HTL墨水材料层，在已填充有HTL墨水材料的像素坑中并列填充EML-R墨水材料、EML-G墨水材料和EML-B墨水材料，并分别针对HIL墨水材料层、HTL墨水材料层、EML-R墨水材料层、EML-G墨水材料层和EML-B墨水材料层选择对应的一个像素坑为该墨水材料层的测量点，测量得到各个墨水材料的膜层厚度，从而具有如下有益效果：
(1)可以实现在同一个测量基板上对HIL墨水材料层和HTL墨水材料层、EML-R墨水材料层、EML-G墨水材料层和EML-B墨水材料层的膜厚测量，有效提升测量效率。
(2)由于模拟的OLED器件结构制备的测量基板，使得测得的各层墨水材料的膜层厚度更准确。
(3)选择与上一层材料的像素坑在横向或纵向至少一个方向不相邻的像素坑作为该层墨水材料的测量点，避免了由于与上一层墨水材料相邻的像素坑的边缘溶剂的蒸发速率不同，导致填充的墨水材料的膜层厚度不均，测试不准确的问题，提升了对墨水材料膜层厚度测量的准确性。
(4)可以减少测量基板的制作量，为喷墨打印工艺调试节省物料成本。
以上实施例的各技术特征可以进行任意的组合，为使描述简洁，未对上述实施例中的各个技术特征所有可能的组合都进行描述，然而，只要这些技术特征的组合不存在矛盾，都应当认为是本说明书记载的范围。
以上所述实施例仅表达了本发明的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对发明专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本发明的保护范围。因此，本发明专利的保护范围应以所附权利要求为准。

Claims (10)

1.一种墨水材料的膜厚测量方法，其特征在于，包括：
在玻璃基板的像素坑中逐层填充各个种类的墨水材料，制成测量基板；其中，填充后一层的墨水材料时在前一层材料的像素坑的基础上留存至少一个像素坑不填充所述后一层的墨水材料；
在每一层填充有墨水材料的像素坑中，分别选择至少一个该层墨水材料裸露的像素坑作为该层墨水材料的测量点；
对所述测量基板上的各个测量点进行测量，检测各个测量点测量的厚度参数，根据所述厚度参数计算各个种类墨水材料的膜层厚度。
2.根据权利要求1所述的墨水材料的膜厚测量方法，其特征在于，在玻璃基板的像素坑中逐层填充各个种类的墨水材料，制成测量基板的步骤之前，包括：
根据待制备器件的结构信息，确定待测量的墨水材料的种类和各个种类墨水材料之间的层次关系；
所述在玻璃基板的像素坑中，逐层填充各个种类的墨水材料，制成测量基板包括：
在玻璃基板的像素坑中，按照所述层次关系逐层填充各个所述种类的墨水材料，制成测量基板。
3.根据权利要求1所述的墨水材料的膜厚测量方法，其特征在于，所述在玻璃基板的像素坑中逐层填充各个种类的墨水材料时，使得每一层墨水材料裸露的像素坑具有至少一个在横向或纵向至少一个方向与上一层材料不相邻的像素坑；
所述在每一层填充有墨水材料的像素坑中，分别选择至少一个该层墨水材料裸露的像素坑作为该层墨水材料的测量点包括：
在每一层填充有墨水材料的像素坑中，分别选择与上一层材料的像素坑在横向或纵向至少一个方向不相邻的像素坑作为该层墨水材料的测量点。
4.根据权利要求2所述的墨水材料的膜厚测量方法，其特征在于，所述待制备器件为OLED器件；
所述待测量的墨水材料的种类和各个种类墨水材料之间的层次关系包括：
位于玻璃基板上ITO层上的HIL墨水材料层、位于HIL墨水材料层上的HTL墨水材料层，以及位于HTL墨水材料层上的EML墨水材料层。
5.根据权利要求4所述的墨水材料的膜厚测量方法，其特征在于，所述在玻璃基板的像素坑中，按照所述层次关系逐层填充各个所述种类的墨水材料，制成测量基板包括：
在玻璃基板上ITO层的像素坑中填充HIL墨水材料层，并留存至少一个ITO层的像素坑不填充所述HIL墨水材料；
在已填充有HIL墨水材料的像素坑中填充HTL墨水材料层，并留存至少一个填充有HIL墨水材料的像素坑不填充所述HTL墨水材料；
在已填充有HTL墨水材料的像素坑中填充EML墨水材料层，并留存至少一个填充有HTL墨水材料的像素坑不填充所述EML墨水材料。
6.根据权利要求5所述的墨水材料的膜厚测量方法，其特征在于，所述在每一层填充有墨水材料的像素坑中，分别选择至少一个该层墨水材料裸露的像素坑作为该层墨水材料的测量点包括：
在留存的不填充所述HTL墨水材料的填充有所述HIL墨水材料的像素坑中选择一个像素坑为HIL墨水材料的测量点；
在留存的不填充所述EML墨水材料的填充有所述HTL墨水材料的像素坑中选择一个像素坑为HTL墨水材料的测量点；
在填充有所述EML墨水材料的像素坑中选择一个像素坑为EML墨水材料的测量点。
7.根据权利要求6所述的墨水材料的膜厚测量方法，其特征在于，所述EML墨水材料层包括位于同一墨水材料层的EML-R墨水材料、EML-G墨水材料和EML-B墨水材料；
所述在已填充有HTL墨水材料的像素坑中填充EML墨水材料层，并留存至少一个填充有HTL墨水材料的像素坑不填充所述EML墨水材料层包括：
在已填充有HTL墨水材料的像素坑中分别选择至少一个像素坑填充EML-R墨水材料，至少一个像素坑填充EML-G墨水材料，至少一个像素坑填充EML-B墨水材料，并留存至少一个HTL墨水材料的像素坑不填充所述EML-R、EML-G或EML-B墨水材料。
8.根据权利要求7所述的墨水材料的膜厚测量方法，其特征在于，所述在填充有所述EML墨水材料的像素坑中选择一个像素坑为测量点包括：
在填充有EML-R墨水材料的像素坑中选择一个像素坑为EML-R墨水材料的测量点，在填充有EML-G墨水材料的像素坑中选择一个像素坑为EML-G墨水材料的测量点，在填充有EML-B墨水材料的像素坑中选择一个像素坑为EML-B墨水材料的测量点。
9.根据权利要求1至8任一项所述的墨水材料的膜厚测量方法，其特征在于，所述对所述测量基板上的各个测量点进行测量，获取各个测量点测量的厚度参数，根据所述厚度参数，获取各个种类墨水材料的膜层厚度包括：
对所述测量基板上各层墨水材料的各个测量点进行测量，获取对各个测量点测量的厚度参数，并获取基板材料层的厚度参数；
对于第一层墨水材料，将该层墨水材料的测量点测量的厚度参数减去基板材料层的厚度参数，得到该第一层墨水材料的膜层厚度；
对于除了第一层墨水材料之外的各层墨水材料，将该层墨水材料的测量点测量的厚度参数减去上一层墨水材料上的测量点测量的厚度参数，得到该层墨水材料的膜层厚度。
10.根据权利要求9所述的墨水材料的膜厚测量方法，其特征在于，所述获取基板材料层的厚度参数，包括：
读取预存的所述基板材料层的厚度参数。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN113871440B (zh) * 2021-09-26 2023-10-10 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 有机发光二极管基板及其制造方法
CN113960061B (zh) * 2021-12-22 2022-04-01 季华实验室 Oled喷印缺陷检测方法、装置、电子设备及存储介质

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3624476B2 (ja) * 1995-07-17 2005-03-02 セイコーエプソン株式会社 半導体レーザ装置の製造方法
KR100438787B1 (ko) * 2002-05-13 2004-07-05 삼성전자주식회사 박막 두께 측정 방법
CN1272602C (zh) * 2005-04-29 2006-08-30 天津理工大学 多层膜结构saw器件的各层薄膜厚度无损测量方法
CN101454486B (zh) * 2006-04-04 2013-03-13 索罗能源公司 用于卷绕处理光电薄膜的组分控制
CN103075986B (zh) * 2013-01-11 2015-04-29 清华大学 一种用于测量薄膜厚度的方法
CN103994740B (zh) * 2014-04-22 2016-08-24 京东方科技集团股份有限公司 膜厚测量装置和膜厚测量方法
JP2016188801A (ja) * 2015-03-30 2016-11-04 東京エレクトロン株式会社 膜厚測定装置および膜厚測定方法
CN107017347A (zh) * 2016-05-06 2017-08-04 广东聚华印刷显示技术有限公司 有机电致发光器件及其制备方法
JP6804249B2 (ja) * 2016-09-23 2020-12-23 東京エレクトロン株式会社 塗布装置、塗布方法、および有機ｅｌディスプレイ
CN206160986U (zh) * 2016-10-27 2017-05-10 纳晶科技股份有限公司 一种膜层切割装置及膜层厚度测量系统
CN107869978B (zh) * 2017-10-13 2019-10-08 清华大学 一种电化学沉积纳米薄膜的厚度测量方法

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