KR20160093670A - 비스(플루오로설포닐)이미드산 및 이의 염을 제조하기 위한 방법 - Google Patents

비스(플루오로설포닐)이미드산 및 이의 염을 제조하기 위한 방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은, 설팜산 또는 이의 염들 중 하나와, 할로게노황산, 그리고 SOF2, F-SO2-F 및 SF4로부터 선택되는 플루오르화제 적어도 1 개를 반응시킨 다음, 비스(플루오로설포닐)이미드산을 회수하는 것을 포함하는, 비스(플루오로설포닐)이미드산을 제조하기 위한 방법에 관한 것이다. 본 발명은 또한 이와 같이 제조된 비스(플루오로설포닐)이미드산으로부터 비스(플루오로설포닐)이미드의 염들을 제조하기 위한 방법에 관한 것이다.

Description

비스(플루오로설포닐)이미드산 및 이의 염을 제조하기 위한 방법{METHOD FOR PREPARING BIS(FLUOROSULFONYL)IMIDE ACID AND SALTS THEREOF}
본 발명의 주제는 비스(플루오로설포닐)이미드산(HFSI) 및 이의 염, 특히 리튬 비스(플루오로설포닐)이미드(LiFSI)를 제조하기 위한 방법이다.
HFSI 및 LiFSI의 제조는 문헌에 널리 기술되어 있다. 기술된 다양한 기술들 중에서 대다수는 HF 또는 금속 플루오르화물 중 어느 하나가 이용되는 플루오르화 반응을 사용한다. 금속 플루오르화물의 사용은 매우 효율적이지 않고, 여기에는 값비싼 시약들, 예를 들어 플루오로황산이 사용되므로, 금속 플루오르화물의 사용은 문제가 있다. 예를 들어, 니트로메탄 또는 기타 다른 극성 유기 용매 중 칼륨 플루오르화물이 이용되는 플루오르화는 수율의 관점에서 그다지 효율적이지 않다(WO 2002/053494). 다른 기술들, 예를 들어 발연 황산의 존재 하에, 그리고 암모늄 플루오르화물의 존재 하에(JP 2012-162470) 클로로설포닐 이소시안산염이 사용되는 기술, 그밖에도 우레아 및 플루오로설폰산이 사용되는 기술이 개발되었으나, 이러한 기술들은 매질의 강한 부식성뿐만 아니라, 반응의 발열성으로 말미암아 불리하다. 이러한 단점들은, 상기 기술들이 비스(플루오로설포닐)이미드산(HFSI) 및 이의 염의 산업상 제조에 적합하지 못하게 만든다. Beran 및 Prihoda에 의해 발표된 과학 문헌(Z. Anorg . Allg . Chem ., 2005, 631, 55-59)에는 또한 비스프루오로설폰이미드산과 이의 염을 제조하기 위한 방법들이 기술되어 있다. 그러나, 제안된 합성 경로들은, 티오닐 염화물을 사용하는 단계와, 이후 이로부터 얻어진 염소화된 화합물이 플루오르화된 화합물로 전환되는 단계를 포함한다.
그러므로 상기 언급된 단점들을 해결해주는 대안적 방법에 따라서, 비스(플루오로설포닐)이미드산(HFSI)과 이의 염들이 제조되어야 할 필요가 크다. 놀랍게도, 본 출원인은 온화한 조건들에서 발열없이 작동되는, 비스(플루오로설포닐)이미드산(HFSI)과 이의 염들을 제조하기 위한 신규의 방법을 개발하였다. 본 발명에 따른 방법은 산업적 규모로 용이하게 수행될 수 있다는 이점을 가진다.
본 발명의 주제는, 설팜산 또는 이의 염과, 할로황산 적어도 1 개, 그리고 설포닐 할로겐화물(SOF2), 설퍼릴 플루오르화물(F-SO2-F) 및 황 테트라플루오르화물(SF4)로부터 선택되는 플루오르화제 적어도 1 개를 반응시킨 다음, 비스(플루오로설포닐)이미드산을 회수하는 것을 포함하는, 화학식 F-SO2-NH-SO2-F의 비스(플루오로설포닐)이미드산(HFSI)을 제조하기 위한 방법이다.
본 발명의 방법에 따르면, 할로황산은 화학식 X-SO2-OH를 가지며, X는 불소, 염소, 브롬 및 요오드로부터 선택되는 할로겐이다.
바람직하게, 상기 할로겐은 불소(플루오로황산) 또는 염소(클로로황산)이다. 설팜산 또는 이의 염은 일반 화학식 M1O-SO2-NH2를 가지며, M1은 H, 알칼리 금속 또는 알칼리 토금속이다. 유리하게, 상기 플루오르화제는 설퍼릴 플루오르화물(F-SO2-F)이다. 본 발명의 방법에서 수행되는 반응은 유리하게 용매, 우선적으로는 유기 용매의 존재 하에 수행된다. 상기 용매는, 예를 들어 선형 또는 분지형 지방족 탄화수소 또는 방향족 탄화수소, 예를 들어 톨루엔, 자일렌, 클로로벤젠, 디클로로벤젠 또는 니트로벤젠이다. 바람직하게, 디클로로벤젠이 사용된다.
본 발명의 방법에 따르면, 상기 플루오르화제는, 설팜산 또는 이의 염에 대하여 표현될 때, 유리하게는 1 몰당량 내지 10 몰당량, 바람직하게는 2 몰당량 내지 5 몰당량을 차지한다. 본 발명의 방법에 따른 반응이 용매의 존재 하에 수행될 때, 상기 용매는, 모든 시약들과 용매를 포함하는 반응 혼합물의 중량을 기준으로, 유리하게 10 중량% 내지 90 중량%를 차지한다.
플루오르화제로서 설퍼릴 플루오르화물(SO2F2)을 사용하는 것으로 이루어지는, 본 발명의 방법에 관한 하나의 구현예에 따르면, 할로황산은 유리하게는, 설팜산 또는 이의 염에 대하여 표현될 때, 1 mol% 내지 5 몰당량을 차지하고, 바람직하게는 설팜산 또는 이의 염에 대하여 표현될 때, 5 mol% 내지 1 몰당량을 차지한다. 유리하게, 사용된 플루오르화제가 설퍼릴 플루오르화물일 때, 상기 할로황산은 촉매량, 바람직하게는 1 몰당량 미만으로 사용될 수 있다. 본 발명의 방법을 수행하기 위해 도입될 할로황산의 양을 제한할 수 있으므로, 상기 구현예가 바람직하다.
플루오르화제로서 설포닐 플루오르화물(SOF2) 또는 황 테트라플루오르화물(SF4)을 사용하는 것으로 이루어지는, 본 발명의 방법에 관한 다른 구현예에 따르면, 할로황산은, 설팜산 또는 이의 염에 대하여 표현될 때, 1 몰당량 내지 5 몰당량, 바람직하게 1 몰당량 내지 2 몰당량을 차지한다.
본 발명의 방법에 따라서 수행되는 반응은 우선적으로 0℃ 내지 180℃의 온도, 매우 우선적으로는 80℃ 내지 150℃의 온도에서 실행된다. 상기 반응은 유리하게 1 bar 내지 100 bar의 범위의 압력에서 수행되고, 바람직하게는 내인적 압력 하에서 수행된다.
본 발명에 따라서 HFSI를 제조하기 위한 방법은 수행되기 간단하다.
시약들은 상이한 변형예에 따라서 임의의 순서로 도입될 수 있지만, 몇몇 경우가 바람직하다.
하나의 바람직한 구현예는, 선택적으로 상기 용매 중에 존재 하는 설팜산 또는 이의 염과, 할로황산을 혼합한 후, 여기에 상기 플루오르화제를 도입하는 단계로 이루어진다. 상기 플루오르화제는 일반적으로 대기압 및/또는 상온에서는 기체 형태로 도입되거나, 또는 일반적으로 압력 및/또는 낮은 온도에서 액체 형태로 도입된다. 반응 혼합물은 교반되면서, 미리 정하여진 바와 같은 시간 간격을 두고 선택된 반응 온도로 만들어진다. 반응 혼합물의 가열은 가변적 기간, 예를 들어 1 시간 내지 48 시간의 범위에 있는 기간, 우선적으로는 3 시간 내지 12 시간의 범위에 있는 기간 동안 유지된다. 일단 매질의 온도가 반응 온도에 이르게 된 후에 상기 플루오르화제를 도입하는 것이 더 유리하다.
반응 매질이 교반하면서 선택된 온도에서 유지된 후, 반응 후에 비스(플루오로설포닐)이미드산이 얻어진다. 반응 후에 얻어진 반응 매질의 압력은 적절할 경우 다시 대기압으로 되돌려진다. 상기 매질 중에 존재 하는 휘발성 생성물, 일반적으로 HF, SO3, 그리고 가능하게는 과량의 플루오르화 시약은 증발되어 날아간다.
그 다음, 상기 비스(플루오로설포닐)이미드산은 당업자들에게 그 자체로서 공지된 다양한 기법들이 사용되어 회수된다.
제1 구현예는 증류에 의해 비스(플루오로설포닐)이미드산을 회수하는 것으로 이루어진다. 반응으로부터 생성되고, 휘발성 생성물들이 포함되어 있지 않은 반응 매질에 대하여, 바람직하게 감압 하에서, 우선적으로 100℃ 내지 250℃의 온도와, 우선적으로 0.5 bar 내지 10 bar의 압력 하에서 증류가 실행된다. HFSI는 액체 형태로서 회수된다.
제2의 구현예는 승화에 의해 비스(플루오로설포닐)이미드산을 회수하는 것으로 이루어진다. 반응으로부터 생성되고, 휘발성 생성물들이 포함되어 있지 않은 반응 매질에, 우선적으로 50℃ 내지 250℃, 매우 우선적으로 80℃ 내지 140℃의 온도와, 우선적으로 1 mbar 내지 1 bar, 매우 우선적으로 10 mbar 내지 500 mbar의 압력에서의 승화에 의한 처리가 실행된다. HFSI는 고체 형태로 회수된다.
제3 구현예는 간단히, 매질을 대기압 및 160℃ 미만, 바람직하게는 20℃ 내지 80℃의 온도로 되돌리면서, 반응으로부터 생성되고, 휘발성 생성물들이 포함되어 있지 않은 반응 혼합물 중에 비스(플루오로설포닐)이미드산을 유지시키는 것으로 이루어진다. 그러므로 비스(플루오로설포닐)이미드산은 후속 염화 단계에서, 반응이 수행되었던 용매 중 용액 또는 현탁액 중에 직접 사용될 수 있다.
제4 구현예는 용매가 이용되는 추출에 의하여 비스(플루오로설포닐)이미드산을 회수하는 것으로 이루어진다. 용매는 유기 용매들로부터 선택될 수 있다. 상기 용매는, 예를 들어 선형 또는 분지형 지방족 탄화수소 또는 할로겐화된 지방족 탄화수소, 예를 들어 디클로로메탄 또는 디클로로에탄일 수 있다. 바람직하게, 디클로로에탄이 사용될 수 있다.
본 발명의 방법은 유리하게 반응 매질로 인한 부식을 견딜 수 있는 장치 내에서 수행된다.
이러한 목적으로 반응 매질과 접촉하는 부분의 재료는 내식성인 것으로 선택되는데, 예를 들어 상표명 하스텔로이(Hastelloy)®로서 시판되는, 몰리브덴, 크롬, 코발트, 철, 구리, 망간, 티타늄, 지르코늄, 알루미늄, 탄소 및 텅스텐 기반 합금, 또는 상표명 인코넬(Inconel)® 또는 상표명 모넬(Monel)™로서 시판되는 것으로서, 구리 및/또는 몰리브덴이 첨가된 니켈, 크롬, 철 및 망간의 합금, 더 구체적으로 하스텔로이 C 276 또는 인코넬 600, 625 또는 718 합금이 있다. 스테인레스 강, 예를 들어 오스테나이트 강[Robert H. Perry et al., Perry's Chemical Engineers' Handbook, Sixth Edition (1984), pages 23-44], 더 구체적으로 304, 304L, 316 또는 316L 스테인레스 강이 또한 선택될 수 있다. 니켈 함량이 많아도 22 중량%, 바람직하게는 6 중량% 내지 20 중량%, 더 우선적으로는 8 중량% 내지 14 중량%인 강이 사용된다. 304 및 304L 강의 니켈 함량은 8 중량% 내지 12 중량%로 다양하고, 316 및 316L 강의 니켈 함량은 10 중량% 내지 14 중량%로 다양하다. 더 구체적으로 316L 강이 선택된다.
반응 매질로 인한 부식에 내성인 중합체 화합물로 이루어지거나 이로 코팅된 장치도 또한 사용될 수 있다. 특히, PTFE(폴리테트라플루오로에틸렌 또는 테플론(Teflon)) 또는 PFA(퍼플루오로알킬 수지)와 같은 재료가 언급될 수 있다. 이와 균등한 재료가 사용되는 것은 본 발명의 범주 밖이 아닐 것이다.
반응 매질과 접촉되기 적당할 수 있는 기타 다른 재료로서 흑연 유도체들이 또한 언급될 수 있다.
본 발명에 따라서 HFSI를 제조하기 위한 방법은 연속식, 회분식 또는 반연속식으로 수행될 수 있다.
HFSI염들은 HFSI 자체보다 적용 분야가 더 용이하게 찾아지므로, 일반적으로 HFSI 염들이 사용되는 것이 바람직하다. 그러므로, 본 발명의 다른 주제는 상기 기술된 바와 같은 비스(플루오로설포닐)이미드산을 제조하기 위한 방법이 사용되어 적어도 1 개의 비스(플루오로설포닐)이미드염을 제조하기 위한 방법이다. 상기 비스(플루오로설포닐)이미드염은 일반 화학식 F-SO2-N-M-SO2-F를 가지며, 식 중 M은 알칼리 금속(Li, Na, K, Rb, Cs), 알칼리 토금속, 전이 금속 또는 란탄족 원소들로부터 선택되는 금속을 나타낸다. 바람직하게, M은 알칼리 금속, 특히 리튬이고; 이로부터 생성된 염은 리튬 비스(플루오로설포닐)이미드(LiFSI)이다. 본 발명에 따라서 적어도 1 개의 비스(플루오로설포닐)이미드염을 제조하기 위한 방법은, 상기 기술된 방법에 따라서 제조된 비스(플루오로설포닐)이미드산을 적어도 1 개의 염화제와 접촉시키는 것으로 이루어진다. 상기 염화제는, 예를 들어 금속 수산화물, 금속 할로겐화물, 금속 수소화물, 금속 트리플루오로아세트산염 또는 금속 트리플루오로메탄설폰산염이다. 상기 금속 수산화물, 상기 금속 할로겐화물, 상기 금속 수소화물, 상기 금속 트리플루오로아세트산염 또는 상기 금속 트리플루오로메탄설폰산염 내에 존재 하는 금속은, 우선적으로 알칼리 금속, 알칼리 토금속, 전이 금속 또는 란탄족 원소들로부터 선택되는 금속으로부터 선택된다. 이러한 염화 단계의 화학양론은, 비스(플루오로설포닐)이미드산에 대하여, 염화제가 1 몰당량 내지 5 몰당량, 바람직하게는 1 몰당량 내지 2 몰당량 사용되는 것이다.
본 발명에 따라서 적어도 1 개의 비스(플루오로설포닐)이미드염을 제조하기 위한 상기 방법은, 용매의 존재 하 또는 부재 하에, 우선적으로는 용매의 존재 하에 실행된다. 용매는, 예를 들어 물, 또는 선형 또는 분지형 지방족 탄화수소, 방향족 탄화수소(톨루엔, 자일렌, 클로로벤젠, 디클로로벤젠), 니트릴 화합물(아세토니트릴, 부티로니트릴, 발레로니트릴, 아디포니트릴) 및 알킬 탄산염(에틸렌 탄산염, 프로필렌 탄산염, 디메틸 탄산염, 디에틸 탄산염)으로부터 선택되는 유기 용매이다. 상기 용매는 모든 시약들과 용매를 포함하는 반응 혼합물의 중량을 기준으로 90 중량% 이하, 바람직하게는 10 중량% 내지 80 중량%를 차지할 수 있다.
본 발명에 따라서 비스(플루오로설포닐)이미드염을 제조하기 위한 방법은, 우선적으로 100℃ 미만의 온도, 매우 우선적으로는 20℃ 내지 50℃의 온도에서 실행된다. 상기 방법은 우선적으로 대기압에서 수행된다.
본 발명에 따라서 비스(플루오로설포닐)이미드염을 제조하기 위한 방법은 수행되기 간단하다. HFSI는 염화제에 첨가되거나 아니면 그 반대이다. 어느 쪽이든 그것은 순수한 상태로 존재할 수 있으며, 이때 이러한 시약 2 개 중 적어도 1 개는 우선적으로 용매 중에 존재한다.
비스(플루오로설포닐)이미드염은 여과 또는 용매의 증발에 의해 분리된다.
본 발명에 따라서 비스(플루오로설포닐)이미드염을 제조하기 위한 방법은 연속식, 회분식 또는 반연속식으로 수행될 수 있다.
본 발명에 의하여 비스(플루오로설포닐)이미드염을 제조하기 위한 방법은 또한 상기 염을 정제하는 단계를 포함한다. 이 정제 단계는 특히 재결정으로 이루어질 수 있다. 제결정 용매는 산소-함유 용매, 예를 들어 에테르 또는 에스테르로부터 선택될 수 있다. 에테르 용매의 예들은 테트라하이드로푸란, 디옥산 및 그라임(glyme)이다.
상기 염을 얻기 위한 방법과는 독립적으로, 재결정에 의한 비스(플루오로설포닐)이미드염의 정제도 또한 본 발명의 주제일 수 있다.
비스(플루오로설포닐)이미드염의 분리, 그리고 선택적으로 이의 정제가 이루어진 후, 비스(플루오로설포닐)이미드염은 당업자들에게 공지된 통상의 방법들, 예를 들어 통상의 건조, 감압 하에서의 건조 또는 분무 건조에 의해 건조될 수 있다.
본 발명의 또 다른 주제는, 상기 기술된 방법에 따라서 제조된 비스(플루오로설포닐)이미드염의, 전해질염, 대전방지제 전구체, 또는 그밖에 계면활성제 전구체로서의 용도이다. 특히 상기 염들은 배터리 제조와, 감전 발색 및 전자 분야에서 전해질로서 유리하게 사용된다. 상기 염들은 감압 접착제(PSA)의 제조시 대전 방지제로서 유리하게 사용된다. 상기 염들은 대전 방지제로서뿐만 아니라 윤활제 성분으로서도 또한 사용될 수 있다. 상기 염들은 광학 재료, 예를 들어 전계발광 디바이스에 사용되고, 태양 전지 패널의 조성물에 혼입된다.
본 발명의 예시적 구현예들이 이하에 주어져 있다. 이러한 실시예는 비제한적 예시로서 주어져 있다.
실시예 1:
오르토-디클로로벤젠 30 그램 중 설팜산(22.4 g; 230 mmol) 용액을 500 ㎖들이 C276 하스텔로이(Hastelloy) 반응기에 충전시킨다. 플루오로설폰산(1.2 g; 12 mmol)을 첨가하고, 고압증기멸균기를 닫는다. 매질을 92℃의 온도까지 가열한다. 설퍼릴 플루오르화물(47 g; 0.46 mol)을, 압력 P가 37 bar 미만으로 유지되도록 하면서 첨가한다. 첨가를 9 시간 동안 수행된다.
그 다음, 온도를 다시 상온으로 되돌리고, 반응기의 압축을 해제한다. 19불소 NMR에 의한 반응 매질의 분석은, 예상 비스(플루오로설포닐)이미드산이 52%의 수율로 형성됨을 나타낸다.
실시예 2:
디클로로에탄 300 그램 중 설팜산(22.4 g; 230 mmol) 용액을 500 ㎖들이 C276 하스텔로이 반응기에 충전시킨다. 플루오로설폰산(1.2 g; 12 mmol)을 첨가하고, 고압증기멸균기를 닫는다. 매질을 92℃의 온도까지 가열한다. 설퍼릴 플루오르화물(47 g; 0.46 mol)을, 압력 P가 37 bar 미만으로 유지되도록 하면서 첨가한다. 첨가는 10 시간 동안 수행한다.
그 다음, 온도를 다시 상온으로 되돌리고, 반응기의 압축을 해제한다. 19불소 NMR에 의한 반응 매질의 분석은, 예상 비스(플루오로설포닐)이미드산이 53%의 수율로 형성됨을 나타낸다.
실시예 3:
디클로로에탄 200 g을 500 ㎖들이 C276 하스텔로이 반응기에 충전시킨 다음, 반응기를 닫고, 이 충전물을 상온에서 계속 교반하면서 질소로 퍼징(purging)시킨다. 그 다음, 상기 반응기에 티오닐 플루오르화물(60 g; 0.34 mol)을 압력 하에서 첨가한다. 고압증기멸균기에 디클로로에탄(100 g) 중 설팜산(22.3 g; 0.23 mol) 용액을 첨가한 다음, 클로로황산(26.8 g; 0.23 mol)을 첨가한다. 그 다음, 온도를 17 시간 동안 80℃에서 유지한다. 반응 후 상기 온도에서 실측 압력은 22 bar에 이르게 된다. 온도를 다시 상온으로 되돌린 다음, 반응기의 압축을 해제한다. 19F NMR에 의한 매질 분석은, 비스(플루오로설포닐)이미드산이 수율 77%로 얻어짐을 나타낸다.
실시예 4:
매질의 온도를 80℃ 미만으로 유지하면서, 실시예 3에서 얻어진 용액으로서, 비스(플루오로설포닐)이미드산을 함유한 용액을 상온 및 감압 하에서 농축시킨다.
보일러 온도를 80℃ 미만으로 유지하면서, 얻어진 잔류물을 감압(P = 5 mbar) 하에서 증류시킨다.
이와 같이 증류된 비스(플루오로설포닐)이미드산을 비활성 대기 하에서 리튬 수소화물(1.15 g; 0.145 mol)의 무수 부틸 아세트산염(55 g) 중 현탁액에 천천히 첨가한다. 그 다음, 상기 용액을 -20℃까지 냉각시키고, 이때 얻어진 고체를 여과에 의해 회수한다.
고체를 부틸 아세트산염으로부터 재결정에 의해 2 회 정제한다.
그 다음, 얻어진 고체를 디클로로메탄으로 헹구고, 진공 하에 건조시킨다.
얻어진 리튬 비스(플루오로설포닐)이미드의 순도는 90 중량%보다 높다.

Claims (16)

  1. 설팜산 또는 이의 염과, 할로황산 적어도 1 개, 그리고 SOF2, F-SO2-F 및 SF4로부터 선택되는 플루오르화제 적어도 1 개를 반응시킨 다음, 비스(플루오로설포닐)이미드산을 회수하는 것을 포함하는, 화학식 F-SO2-NH-SO2-F의 비스(플루오로설포닐)이미드산을 제조하기 위한 방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 할로황산은 화학식 X-SO2-OH(식 중, X는 불소, 염소, 브롬 및 요오드로부터 선택되는 할로겐임)를 가지는 것인, 비스(플루오로설포닐)이미드산을 제조하기 위한 방법.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 반응은 유기 용매의 존재 하에 수행되는 것인, 비스(플루오로설포닐)이미드산을 제조하기 위한 방법.
  4. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 플루오르화제가 F-SO2-F일 때, 상기 할로황산은, 설팜산 또는 이의 염에 대하여 표현될 때, 1 mol% 내지 5 몰당량을 차지하는 것인, 비스(플루오로설포닐)이미드산을 제조하기 위한 방법.
  5. 제4항에 있어서, 상기 플루오르화제가 F-SO2-F일 때, 상기 할로황산은, 설팜산 또는 이의 염에 대하여 표현될 때, 5 mol% 내지 1 몰당량을 차지하는 것인, 비스(플루오로설포닐)이미드산을 제조하기 위한 방법.
  6. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 플루오르화제가 SOF2 또는 SF4일 때, 상기 할로황산은, 설팜산 또는 이의 염에 대하여 표현될 때, 1 몰당량 내지 5 몰당량을 차지하는 것인, 비스(플루오로설포닐)이미드산을 제조하기 위한 방법.
  7. 제1항 내지 제6항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 플루오르화제는, 설팜산 또는 이의 염에 대하여 표현될 때, 1 몰당량 내지 10 몰당량을 차지하는 것인, 비스(플루오로설포닐)이미드산을 제조하기 위한 방법.
  8. 제1항 내지 제7항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 반응은 0℃ 내지 180℃의 온도에서 실행되는 것인, 비스(플루오로설포닐)이미드산을 제조하기 위한 방법.
  9. 제1항 내지 제8항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 비스(플루오로설포닐)이미드산은 증류, 승화 또는 추출에 의해 회수되는 것인, 비스(플루오로설포닐)이미드산을 제조하기 위한 방법.
  10. 제1항 내지 제9항 중 어느 한 항에 의한 방법에 따라서 비스(플루오로설포닐)이미드산을 제조한 다음, 상기 산을 적어도 1 개의 염화제와 접촉시키는 것을 포함하는, 적어도 1 개의 비스(플루오로설포닐)이미드염을 제조하기 위한 방법.
  11. 제10항에 있어서, 상기 염화제는 금속 수산화물, 금속 할로겐화물, 금속 수소화물, 금속 트리플루오로아세트산염 또는 금속 트리플루오로메탄설폰산염인, 적어도 1 개의 비스(플루오로설포닐)이미드염을 제조하기 위한 방법.
  12. 제10항 또는 제11항에 있어서, 상기 염은 일반 화학식 F-SO2-N-M-SO2-F(식 중, M은 알칼리 금속, 알칼리 토금속, 전이 금속 또는 란탄족 원소들로부터 선택되는 금속을 나타냄)를 가지는 것인, 적어도 1 개의 비스(플루오로설포닐)이미드염을 제조하기 위한 방법.
  13. 제10항 내지 제12항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 염은 리튬 비스(플루오로설포닐)이미드인, 적어도 1 개의 비스(플루오로설포닐)이미드염을 제조하기 위한 방법.
  14. 제10항 내지 제13항 중 어느 한 항에 있어서, 또한 상기 염을 정제하는 단계를 포함하는 것인, 적어도 1 개의 비스(플루오로설포닐)이미드염을 제조하기 위한 방법.
  15. 제14항에 있어서, 상기 정제 단계는 재결정으로 이루어진 것인, 적어도 1 개의 비스(플루오로설포닐)이미드염을 제조하기 위한 방법.
  16. 제10항 내지 제15항 중 어느 한 항에 의한 방법에 따라서 제조된 비스(플루오로설포닐)이미드염의, 전해질 염, 대전방지제 전구체, 또는 그밖에 계면활성제 전구체로서의 용도.
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