KR20160091887A - 에폭시 수지 조성물, 반도체 봉지제 및 반도체 장치 - Google Patents

에폭시 수지 조성물, 반도체 봉지제 및 반도체 장치 Download PDF

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    • H01L2224/13138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
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    • H01L2224/16221—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/16225—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H01L2224/16227—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation the bump connector connecting to a bond pad of the item
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    • H01L2224/29298—Fillers
    • H01L2224/29299—Base material
    • H01L2224/29386—Base material with a principal constituent of the material being a non metallic, non metalloid inorganic material
    • H01L2224/29387—Ceramics, e.g. crystalline carbides, nitrides or oxides
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    • H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/321—Disposition
    • H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/32225—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
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    • H01L2224/732—Location after the connecting process
    • H01L2224/73201—Location after the connecting process on the same surface
    • H01L2224/73203—Bump and layer connectors
    • H01L2224/73204—Bump and layer connectors the bump connector being embedded into the layer connector
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    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/81—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a bump connector
    • H01L2224/8119—Arrangement of the bump connectors prior to mounting
    • H01L2224/81193—Arrangement of the bump connectors prior to mounting wherein the bump connectors are disposed on both the semiconductor or solid-state body and another item or body to be connected to the semiconductor or solid-state body
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    • H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • H01L2224/831—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector the layer connector being supplied to the parts to be connected in the bonding apparatus
    • H01L2224/83102—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector the layer connector being supplied to the parts to be connected in the bonding apparatus using surface energy, e.g. capillary forces
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    • H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
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    • H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
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Abstract

에폭시 수지 조성물은 (A) 에폭시 수지와, (B) 경화제와, (C) 0.1∼10질량％의 평균 입경 10㎚ 이상 100㎚ 이하인 실리카 필러와, (D) 47∼75질량％의 평균 입경 0.3㎛ 이상 2㎛ 이하인 실리카 필러와, (E) 0.1∼8질량％의 엘라스토머를 갖고, 상기 (C) 성분 및 상기 (D) 성분을 합계로 50.1∼77질량％ 포함한다.

Description

에폭시 수지 조성물, 반도체 봉지제 및 반도체 장치{EPOXY RESIN COMPOSITION, SEMICONDUCTOR SEALING AGENT, AND SEMICONDUCTOR DEVICE}
＜크로스·레퍼런스＞
본원은 2013년 11월 29일에 출원된 일본 특허출원 「특허출원 2013-247567」에 기초하는 우선권을 주장함과 함께, 참조에 의해 그 내용을 포함한다.
본 발명은 에폭시 수지 조성물, 반도체 봉지제 및 반도체 장치에 관한 것이다.
반도체 칩(반도체 소자)을 배선 기판에 실장하는 기술로 플립 칩 실장이 있다. 플립 칩 실장은 반도체 칩의 표면에 돌기상 전극(범프)을 형성함으로써, 이 표면을 배선 기판을 향하게 하여 직접 접속시키는 실장 방법이다. 접속된 반도체 칩 및 배선 기판 및 범프를 보호하기 위해, 언더필제로 불리는 봉지 수지가 반도체 칩과 배선 기판 사이에 충전된다.
언더필제로는 주로 에폭시 수지가 사용된다. 에폭시 수지, 반도체 칩 및 배선 기판은 각각 상이한 선팽창 계수를 갖는다. 이 때문에, 접속부가 응력을 흡수할 수 없으면 당해 접속부에 크랙이 발생하는 경우가 있다. 이 크랙의 발생을 억제하기 위해, 언더필제로는, 이산화규소 등의 선팽창 계수가 비교적 작은 필러를 분산시키고 있다.
그런데, 근래에는 플립 칩 실장에 있어서, 금속 필러에 의한 범프가 사용되고 있다. 예를 들면, 구리 필러 범프는 종래의 땜납 범프와 비교하여, 이하와 같은 여러 이점을 갖는다. 즉, 구리 필러 범프는 범프의 피치를 작게 할 수 있어, 납의 사용량을 저감시킬 수 있으므로 환경에 미치는 영향이 작고, 열전도성이 높기 때문에 방열 특성이 우수하며, 또한 전기 전도도가 높기 때문에 기생 저항을 저감시킬 수 있다. 그러나, 금속 필러 범프를 사용하면, 언더필제 내의 필러가 분리되는 경우가 있다. 이것은 필러에 사용하는 금속과 땜납에 사용하는 금속 사이에 생긴 전위차에 의해, 언더필제 내를 필러가 영동함으로써, 필러의 분리가 발생하는 것으로 생각된다.
이에, 언더필제에 있어서의 필러의 분리를 억제하는(필러의 분산을 촉진하는) 기술이 검토되고 있다. 특허문헌 1에서는 금속 필러의 표면이 땜납으로 피막된다. 이로써, 언더필 내의 필러의 분산을 촉진하고, 또한 플립 칩 실장의 접속 신뢰성을 향상시키는 전자 부품의 실장 방법이 개시되어 있다.
국제 공개 공보 제2010/103934호
본 발명은 예를 들면, 금속 필러의 표면을 땜납으로 피막하는 특별한 공정을 이용하지 않고, 필러의 분산을 촉진하는 수지 조성물을 제공한다.
본 발명에 따른 에폭시 수지 조성물은 (A) 에폭시 수지와, (B) 경화제와, (C) 0.1∼10질량％의 평균 입경 10㎚ 이상 100㎚ 이하인 실리카 필러와, (D) 47∼75질량％의 평균 입경 0.3㎛ 이상 2㎛ 이하인 실리카 필러와, (E) 0.1∼8질량％의 엘라스토머를 포함하고, 상기 (C) 성분 및 상기 (D) 성분을 합계로 50.1∼77질량％ 포함하는 것을 특징으로 한다.
상기 (C) 성분 및 상기 (D) 성분 중 적어도 한 쪽이 실란 커플링제로 표면 처리되어 있어도 된다.
상기 (D) 성분이 다음 식(1)의 구조식으로 나타내는 아미노실란에 의해 표면 처리되어 있어도 된다.
Figure pct00001
상기 (A) 성분의 에폭시기 1당량에 대해, 상기 (B) 성분이 0.5당량 이상 1.8당량 이하 포함되어도 된다.
상기 (B) 성분이 산무수물 경화제, 페놀 수지 경화제, 또는 아민 경화제여도 된다.
상기 (A) 성분이 비스페놀 F형 에폭시 수지, 비스페놀 A형 에폭시 수지, 나프탈렌형 에폭시 수지, 아미노페놀형 에폭시 수지 중 적어도 하나를 포함해도 된다.
또한, 상술한 양태에 있어서, 상기 (E) 성분이 부타디엔계 엘라스토머, 실리콘계 엘라스토머, 아크릴 코폴리머, 스티렌부타디엔계 엘라스토머, 부타디엔·아크릴로니트릴·2,3-에폭시프로필메타크릴레이트·디비닐벤젠 공중합물, 부타디엔·아크릴로니트릴·메타크릴산·디비닐벤젠 공중합물, 아미노기 말단 부타디엔·아크릴로니트릴 공중합물 및 카르복실기 말단 부타디엔·아크릴로니트릴 공중합물 중 적어도 하나를 포함해도 된다.
이 수지 조성물은 상기 (A) 성분의 적어도 일부에 상기 (C) 성분을 혼합함으로써 마스터 배치를 생성하고, 당해 마스터 배치에 기타 성분을 혼합하여 제조되어도 된다.
또한, 본 발명은 상술한 에폭시 수지 조성물을 사용한 반도체 봉지제를 제공한다.
상기 반도체 봉지제는 2종 이상의 금속 또는 합금에 의해 형성된 반도체 장치의 도통 부분을 봉지해도 된다.
상기 2종 이상의 금속 또는 합금이 Au, Ag, Cu, Sn, Pb, Ni, Pd, Co, Cd, Bi, In, Sb 및 Zn 중에서 선택되는 2종 이상의 금속 또는 당해 금속을 기본으로 하는 합금이어도 된다.
봉지하는 상기 반도체 장치의 도통 부분이 2종의 금속 또는 합금이고, 상기 도통 부분을 봉지한 상기 에폭시 수지 조성물의 단면을 상기 2종의 금속 또는 합금 사이의 경계에 기초하여 2개의 영역으로 구획하고, 당해 각 영역에 있어서의 상기 (C) 성분 및 상기 (D) 성분의 점유율을 이용하여, 다음 식에 의해 산출되는 필러 분산 지수가 50 이상 150 이하여도 된다.
필러 분산 지수＝100×(영역(Ra)의 점유율)/(영역(Rb)의 점유율)
또한, 본 발명은 상술한 반도체 봉지제를 사용한 반도체 장치를 제공한다.
본 발명에 의해, 필러의 분산을 촉진할 수 있다.
도 1은 필러의 분산 지수의 평가를 설명하기 위한 도면이다.
도 2는 도 1에 나타내는 영역 II를 확대한 도면이다.
본 발명의 에폭시 수지 조성물은 (A) 에폭시 수지, (B) 경화제, (C) 소직경 실리카 필러, (D) 대직경 실리카 필러 및 (E) 엘라스토머를 포함한다.
(A) 성분의 예로서, 비스페놀 F형 에폭시 수지, 비스페놀 A형 에폭시 수지, 나프탈렌형 에폭시 수지, 아미노페놀형 에폭시 수지, 페놀노볼락형 에폭시 수지, 지환식 에폭시 수지, 실록산형 에폭시 수지, 비페닐형 에폭시 수지, 글리시딜에스테르형 에폭시 수지, 글리시딜아민형 에폭시 수지, 히단토인형 에폭시 수지 및 나프탈렌 고리 함유 에폭시 수지를 들 수 있다. 에폭시 수지 조성물에 있어서, 여기서 예시한 화합물은 단독으로 사용되어도 되고, 2개 이상이 혼합되어 사용되어도 된다.
(B) 성분의 예로서, 산무수물계 경화제, 페놀 수지계 경화제 및 아민계 경화제를 들 수 있다. (B) 성분은 (A) 성분의 에폭시기 1당량에 대해, 0.5당량 이상 1.8당량 이하 포함되어 있는 것이 바람직하다.
(C) 성분 및 (D) 성분의 예로서, 비정질 실리카, 결정성 실리카, 용융 실리카, 분쇄 실리카 및 나노 실리카를 들 수 있다. (C) 성분 및 (D) 성분의 형상은 특별히 한정되지 않고, 입상, 분말상 및 비늘상 등 중 어느 형태여도 된다. 그리고, 본 발명에 있어서의 실리카 필러의 평균 입경이란, 실리카 필러의 형상에 상관없이 레이저 회절법 또는 전계 방사형 주사 전자현미경(FE-SEM)에 의해 측정한 체적 기준의 D50(메디안 직경)을 말한다.
(C) 성분의 평균 입경은 10㎚ 이상 100㎚ 이하인 것이 바람직하다. (D) 성분의 평균 입경은 0.3㎛ 이상 2㎛ 이하인 것이 바람직하다. 본 발명의 에폭시 수지 조성물은 (C) 성분을 0.1질량％ 이상 10질량％ 이하 포함하고, 또한 (D) 성분을 47질량％ 이상 75질량％ 이하 포함하는 것이 바람직하다. 또한, 본 발명의 에폭시 수지 조성물은 (C) 성분 및 (D) 성분을 합계로 50.1질량％ 이상 77질량％ 이하 포함하는 것이 바람직하다. 보다 바람직한 (C) 성분과 (D) 성분의 합계의 범위는 52질량％ 이상 77질량％ 이하의 범위이다.
또한, (C) 성분 및 (D) 성분 중 적어도 한 쪽이 실란 커플링제로 표면 처리되어 있어도 된다. 표면 처리에 사용되는 실란 커플링제로는, 에폭시계, 메타크릴계, 아미노계, 비닐계, 글리시독시계 및 메르캅토계 등 각종 실란 커플링제를 들 수 있다. 이 중, (D) 성분의 표면 처리에는 다음 식(1)에 나타내는 구조의 아미노실란이 사용되는 것이 바람직하다.
Figure pct00002
(E) 성분의 예로서, 부타디엔계 엘라스토머, 실리콘계 엘라스토머, 아크릴 코폴리머, 스티렌부타디엔계 엘라스토머, 부타디엔·아크릴로니트릴·2,3-에폭시프로필메타크릴레이트·디비닐벤젠 공중합물, 부타디엔·아크릴로니트릴·메타크릴산·디비닐벤젠 공중합물, 아미노기 말단 부타디엔·아크릴로니트릴 공중합물 및 카르복실기 말단 부타디엔·아크릴로니트릴 공중합물을 들 수 있다. (E) 성분으로서 여기서 예시한 화합물은 단독으로 사용되어도 되고, 2개 이상의 화합물이 혼합되어 사용되어도 된다. 즉, (E) 성분은 상술한 화합물 중 적어도 하나를 포함하는 엘라스토머이면 된다. (E) 성분은 0.1질량％ 이상 8질량％ 이하 포함되는 것이 바람직하다.
에폭시 수지 조성물은 (A), (B), (C), (D) 및 (E) 성분에 추가하여, 이온 트랩제, 안료, 염료, 소포제, 응력 완화제, pH 조정제, 촉진제, 계면활성제 및 커플링제 등의 첨가제를 포함해도 된다.
에폭시 수지 조성물은 반도체 소자 등의 전자 디바이스를 플립 칩 실장 또는 BGA(Ball Grid Array)/CSP(Chip Size Package) 실장할 때의, 반도체 봉지제(언더필제)로서 사용된다. 이 에폭시 수지 조성물은 전자 디바이스를 기판이나 패키지에 접착할 때의 접착제로서 사용되어도 된다.
플립 칩 실장 또는 BGA/CSP 실장시에 우선 반도체 소자와 기판(또는 패키지)이 접합된다. 다음으로, 반도체 소자와 기판의 간극에 반도체 봉지제가 주입된다. 구체적으로는, 반도체 소자의 외주를 따라 반도체 봉지제가 도포된다. 반도체 봉지제는 모세관 현상에 의해 간극 내에 퍼진다. 따라서, 반도체 봉지제는 이 프로세스가 행해지는 온도에서 액상인 것이 바람직하다. 주입된 반도체 봉지제는 가열(예를 들면, 80∼165℃)에 의해 열경화시킨다.
도 1은 본 발명에 따른 반도체 봉지제를 사용하여 봉지된 반도체 장치를 예시하는 도면이다. 도 1에는 금속 필러를 사용한 플립 칩 실장의 예를 나타내고 있다. 또한, 도 1은 반도체 장치의 단면을 나타내고 있다.
기판(1) 위에는 전극(2)이 형성되어 있다. 전극(2) 이외의 지점에는 절연막(3)이 형성되어 있다. 전극(2) 위에 땜납 범프(4)가 배치된다. 또한, 반도체 칩(5) 위(도면에서는 아래를 향하고 있음)에는 전극(7)이 형성되어 있다. 반도체 칩(5) 전체는 패시베이션(9)으로 덮여 있다. 전극(7)에 상당하는 위치에는 개구가 형성되어 있다. 전극(7) 위에는 금속 필러의 1종인 구리 필러(8)가 형성되어 있다.
구리 필러(8)는 구리(Cu) 또는 구리를 주체로 하는 합금으로 형성되어 있다. 땜납 범프(4)는 주석(Sn)을 주체로 하는 합금으로 형성되어 있다. 또한, 땜납 범프 및 금속 필러의 재료는 여기서 예시한 것에 한정되지 않는다. 땜납 범프 및 금속 필러는 예를 들면, Au, Ag, Cu, Sn, Pb, Ni, Pd, Co, Cd, Bi, In, Sb 및 Zn에서 선택되는 2종 이상의 금속, 또는 그 금속을 기본으로 한 합금에 의해 형성된다.이와 같이, 본 실시형태에 따른 반도체 봉지제는 도통 부분이 2종 이상의 금속, 또는 그 금속을 기본으로 한 합금에 의해 형성되는 반도체 장치의 도통 부분의 봉지에 사용된다.
에폭시 수지 조성물은 예를 들면, (A) 성분∼(E) 성분 및 그 밖의 첨가제 등을 동시에 또는 별도로, 필요에 따라 가열 처리를 가하면서, 교반, 용융, 혼합, 혹은 분산시킴으로써 제조된다. 이들 혼합, 교반 및 분산 등의 방법은 특별히 한정되는 것은 아니다. 교반 및 가열 장치를 구비한 라이카이기, 3본 롤 밀, 볼 밀, 플래니터리 믹서, 혹은 비즈 밀 등을 사용할 수 있다. 또한, 이들 장치를 조합하여 사용해도 된다. 여기서, (A) 성분과 (C) 성분을 혼합함으로써, 마스터 배치를 제조해도 된다. 얻어진 마스터 배치를 기타 성분과 혼합함으로써, 에폭시 수지 조성물을 제조할 수 있다.
실시예
(1) 에폭시 수지 조성물의 제조
표 1∼10은 실시예 1∼37 및 비교예 1∼9에서 봉지제로서 사용된 에폭시 수지 조성물의 조성을 나타낸다. 또한, 이들 표는 후술하는 봉지제로서의 에폭시 수지 조성물의 평가 결과도 나타낸다. 표 1∼10에 있어서, 에폭시 수지 조성물의 조성은 당량비를 제외하고, 질량부(질량부의 합계가 100이므로 질량％에 상당)로 나타내고 있다.
표 중의 (A) 성분으로는, 에폭시 수지(a1∼a5) 중 적어도 1개가 사용되었다. 에폭시 수지(a1)로서 비스페놀 F형 에폭시 수지의 1종인 신닛테츠스미킨 화학 주식회사 제조의 YDF8170이 사용되었다. 에폭시 수지(a2)로서 비스페놀 A형 에폭시 수지의 1종인 DIC 주식회사 제조의 850CRP가 사용되었다. 에폭시 수지(a3)으로서 나프탈렌형 에폭시 수지의 1종인 DIC 주식회사 제조의 HP-4032D가 사용되었다. 에폭시 수지(a4)로서 아미노페놀형 에폭시 수지의 1종인 미츠비시 화학 주식회사 제조의 jer630이 사용되었다. 에폭시 수지(a5)로서 고리형 지방족형 에폭시 수지의 1종인 신닛테츠스미킨 화학 주식회사 제조의 ZX1658GS가 사용되었다.
표 중의 (B) 성분으로는, 경화제(b1∼b5) 중 적어도 1개가 사용되었다. 경화제(b1)로서 아민 경화제인 닛폰 화약 주식회사 제조의 카야하드 AA가 사용되었다. 경화제(b2)로서 아민 경화제인 주식회사 아데카 제조의 EH105L이 사용되었다. 경화제(b3)으로서 아민 경화제인 앨버말(Albermarle)사 제조의 ETHACURE100이 사용되었다. 경화제(b4)로서 산무수물 경화제인 미츠비시 화학 주식회사 제조의 YH307이 사용되었다. 경화제(b5)로서 페놀 수지 경화제인 메이와 화성 주식회사 제조의 MEH-8005가 사용되었다.
표 중의 (C) 성분으로는, 주식회사 아드마텍스 제조의 YA010C(평균 입경: 10㎚), YA050C(평균 입경: 50㎚) 및 YC100C(평균 입경: 100㎚) 중 어느 것이 사용되었다. 상기 필러의 평균 입경은 메디안 직경(D50)이다. 또한, 이 평균 입경은 전계 방사형 주사 전자현미경(FE-SEM)에 의해 측정된 값이다.
표 중의 (D) 성분으로는, 우베 엑시모 주식회사 제조의 하이프레시카 0.2㎛(평균 입경: 0.2㎛), 주식회사 아드마텍스 제조의 SE-1050(평균 입경: 0.3㎛), SE-2300(평균 입경: 0.6㎛), SE-4050(평균 입경: 1㎛) 및 SE-6050(평균 입경: 2㎛) 중 어느 것이 사용되었다. 상기 평균 입경은 메디안 직경(D50)이다. 또한, 이 평균 입경은 레이저 회절 산란식 입도 분포계에 의해 측정된 값이다.
상기 (D) 성분의 표면 처리제로는, 표면 처리제(f1∼f3) 중 어느 것이 사용되었다. 표면 처리제(f1)로는, 신에츠 화학 공업 주식회사 제조의 KBM403(3-글리시독시프로필트리메톡시실란)이 사용되었다. 표면 처리제(f2)로는, 신에츠 화학 공업 주식회사 제조의 KBM503(3-메타크릴옥시프로필트리메톡시실란)이 사용되었다. 표면 처리제(f3)으로는, 신에츠 화학 공업 주식회사 제조의 KBE9103(3-트리에톡시실릴-N-(1,3-디메틸-부틸리덴)프로필아민, 식(1)의 화합물)이 사용되었다.
표 중의 (E) 성분으로는, 엘라스토머(e1∼e9) 중 적어도 1개가 사용되었다. 엘라스토머(e1)로서, 부타디엔계 엘라스토머의 1종인 주식회사 가네가 제조 MX137이 사용되었다. 엘라스토머(e2)로서, 실리콘계 엘라스토머의 1종인 주식회사 가네가 제조 MX965가 사용되었다. 엘라스토머(e3)으로서, 스티렌부타디엔계 엘라스토머의 1종인 주식회사 가네가 제조 MX135가 사용되었다. 엘라스토머(e4)로서, 아크릴 코폴리머의 1종인 ARKEMA 주식회사 제조 M52N이 사용되었다. 엘라스토머(e5)로서, 부타디엔·아크릴로니트릴·2,3-에폭시프로필메타크릴레이트·디비닐벤젠 공중합물의 1종인 JSR 주식회사 제조 XER-81이 사용되었다. 엘라스토머(e6)으로서, 부타디엔·아크릴로니트릴·메타크릴산·디비닐벤젠 공중합물의 1종인 JSR 주식회사 제조 XER-91이 사용되었다. 엘라스토머(e7)로서, 아미노기 말단 부타디엔·아크릴로니트릴 공중합물의 1종인 우베 코산 주식회사 제조 ATBN이 사용되었다. 엘라스토머(e8)로서, 카르복실기 말단 부타디엔·아크릴로니트릴 공중합물의 1종인 우베 코산 주식회사 제조 CTBN이 사용되었다. 엘라스토머(e9)로서, 실리콘계 엘라스토머의 1종인 신에츠 실리콘 주식회사 제조 KMP-605가 사용되었다.
상기 (A)∼(E) 성분 외에, 경화 촉진제로서 시코쿠 화성 주식회사 제조의 2 P4MZ가 사용되었다.
(2) 평가
실시예 1∼37 및 비교예 1∼9에서 사용된 에폭시 수지 조성물을 시료로서 이하의 평가를 행하였다.
(2-1) 분산 지수의 평가
도 2는 반도체 장치의 단면 사진을 예시하는 도면이다. 이 도면은 도 1에 「II」로 나타낸 영역(영역 II)의 단면 사진이다. 도 1의 영역 II에는 배선 기판(1), 칩 기판(5), 구리 필러(8) 및 땜납(4)의 사이 공간에 흘려 넣어진 후, 경화된 언더필제(10)의 단면이 포함된다. 이 영역 II를 주사형 전자현미경(SEM) 등을 사용하여 촬영하였다. 그 촬영 화상을 화상 처리 소프트웨어에 의해, 이하와 같이 컴퓨터로 분석한다. 즉, 우선, 이 촬영 화상 중, 언더필제(10)의 영역이 사용자 등에 의해 지정된다. 지정된 그 영역의 휘도 분포의 중앙값을 기준으로 하여 2치화 처리가 행해진다. 여기서, 2치화된 화상 중, 흰 부분이 필러를 나타내고 있고, 검은 부분이 필러 이외의 수지 성분을 나타내고 있다. 다음으로, 지정된 영역은 구리 필러(8)와 땜납(4)의 경계선(L)의 연장선을 경계로 하여 구리 필러(8)측의 영역(Ra) 및 땜납(4)측의 영역(Rb)의 2개로 구획된다. 그리고, 구리 필러(8)측의 영역(Ra) 및 땜납(4)측의 영역(Rb)의 각 화상에 기초하여, 각각의 영역 내의 실리카 필러의 점유율이 산출된다. 분산 지수는 다음 식에 의해 산출된다.
분산 지수＝100×(영역(Ra)의 점유율)/(영역(Rb)의 점유율)
분산 지수는 100일 때 각 영역에서 균일하게 필러가 분포되어 있는 것을 나타낸다. 분산 지수가 100보다 작을 때는 필러가 영역(Rb)에 편중되어 있는 것을 나타낸다. 분산 지수가 작으면 필러가 영역(Rb)에 크게 편중되어 있는 것을 나타낸다. 분산 지수가 커져 100에 가까워지면, 필러의 분포가 보다 균일한 상태에 가까워지고 있는 것을 나타낸다. 여기에서는, 분산 지수가 50 이하일 때, 그 시료의 필러 분포의 균일성을 불량인 것으로 판단하였다. 또한, 화상 처리에는 미국 국립 위생 연구소(NIH: National Institutes of Health)의 ImageJ가 이용되었다.
(2-2) 점도의 평가
브룩필드 회전 점도계를 이용하여, 50rpm으로 25℃에 있어서의 상기 에폭시 수지 조성물의 점도를 측정하였다.
(2-3) TI(틱소트로픽 인덱스)값
5rpm 및 50rpm으로 상기 에폭시 수지 조성물의 점도를 측정하였다. 측정된 5 rpm에 있어서의 점도의 값을 50rpm에 있어서의 점도의 값으로 나눈 값을 TI값으로 하였다.
(2-4) 주입성의 평가
110℃에 있어서, 20㎛의 갭(간극)에 평가용 시료를 주입하였다. 주입된 평가용 시료가 입구로부터 20㎜의 위치에 도달할 때까지의 시간을 측정하였다. 도달까지의 시간이 짧을수록 주입성이 양호한 것을 나타내고 있다. 또한, 표 중의 주입성의 란에 있는 「-」의 기재는 평가용 시료가 20㎜의 위치까지 도달하지 않은 것(즉, 불량인 것)을 의미한다.
(2-5) 접착 강도의 평가
FR-4 위에 평가용 시료를 약 0.5㎎ 포팅하였다. 이 위에 가로세로 2㎜의 실리콘 칩을 올려 놓고, 실온에서 5분간 방치하였다. 그 후, 송풍 건조기를 이용하여, 150℃에서 120분의 조건으로 평가용 시료를 경화시켰다. 이와 같이 하여 얻어진 시험편에 대해, 접착 강도를 탁상형 강도 측정기(아이코 엔지니어링 주식회사 제조 1605HTP)를 이용하여 측정하였다. 또한, 10회의 측정에 의해 얻어진 측정값의 평균값을 검사값으로 하였다.
(3) 평가 결과
(3-1) 엘라스토머 양에 대해
표 1은 실시예 1∼5 및 비교예 1 및 2의 에폭시 수지 조성물의 조성 및 평가의 결과를 나타낸다. 이하, 표에 있어서, 에폭시 수지 조성물의 조성은 질량부(질량％)로 나타내고 있다. 표 1은 (E) 성분의 함유량이 변화하고 있는 예를 나타내고 있다. (C) 성분 및 (E) 성분 중 어느 것도 포함하지 않는 비교예 1에서는 분산 지수가 38이었다. 한편, (C) 성분 및 (E) 성분을 포함하는 실시예 1∼5에서는 분산 지수가 50 이상이 되었다. (E) 성분의 함유량이 증가하면, 분산 지수가 100에 가까워졌다. 즉, (E) 성분의 함유량이 증가하면, 필러 분포의 균일성이 개선되었다. 단, (E) 성분의 함유량이 8.3질량％(비교예 2)가 되면 주입성 시험에서 불량이 발생하였다.
Figure pct00003
(3-2) 엘라스토머의 종류에 대해
표 2는 실시예 3 및 6∼13의 에폭시 수지 조성물의 조성 및 평가의 결과를 나타낸다. 표 2는 (E) 성분의 종류가 변화하고 있는 예를 나타내고 있다. (E) 성분으로서 엘라스토머(e1∼e9) 중 어느 것을 사용해도, 필러 분포의 균일성이 개선되어 있다.
Figure pct00004
(3-3) 소직경 실리카 필러의 양에 대해
표 3은 실시예 3 및 14∼16 및 비교예 3 및 4의 에폭시 수지 조성물의 조성 및 평가의 결과를 나타낸다. 표 3은 (C) 성분의 함유량이 변화하고 있는 예를 나타내고 있다. (C) 성분의 함유량이 0.05질량％(비교예 3)이면, 분산 지수가 44이고, 필러 분포의 균일성이 불량이었다. (C) 성분의 함유량이 증가하면, 분산 지수가 100에 가까워져 필러 분포의 균일성이 개선되었다. 따라서, (C) 성분의 함유량은 0.1질량％ 이상인 것이 바람직하다. 단, (C) 성분의 함유량이 11질량％가 되면, 점도가 132Pa·s가 되었다. 따라서, 봉지제로서의 적당한 점도의 관점에서 (C) 성분의 함유량은 10질량％ 이하인 것이 바람직하다.
Figure pct00005
(3-4) 소직경 실리카 필러의 평균 입경에 대해
표 4는 실시예 3, 17, 18 및 비교예 5의 에폭시 수지 조성물의 조성 및 평가의 결과를 나타낸다. 표 4는 (C) 성분의 평균 입경이 변화하고 있는 예를 나타내고 있다. 또한, 비교예 5에 있어서는, (C) 성분 대신에 평균 입경 0.2㎛(즉, 200㎚)의 (D) 성분을 사용하고 있다. (C) 성분이 포함되지 않는 경우(비교예 5), 분산 지수에서 불량이 발생한다. (C) 성분이 포함되면, 분산 지수가 개선된다. 이 때, (C) 성분의 평균 입경이 작아질수록, 분산 지수가 보다 개선된다. 즉, (C) 성분의 평균 입경이 10∼100㎚의 범위에서 분산 지수가 개선되었다.
Figure pct00006
(3-5) 대직경 실리카 필러의 평균 입경에 대해
표 5는 실시예 3, 19, 20 및 비교예 6의 에폭시 수지 조성물의 조성 및 평가의 결과를 나타낸다. 표 5는 (D) 성분의 평균 입경이 변화하고 있는 예를 나타내고 있다. (D) 성분의 평균 입경이 0.2∼2㎛의 범위에서는 분산 지수 시험에서 불량은 관측되지 않았다. (D) 성분의 평균 입경이 작아짐에 따라 분산 지수는 개선된다. 반대로, 점도는 악화된다. (D) 성분의 평균 입경이 0.2㎛(비교예 6)일 때, 195Pa·s의 높은 점도를 나타냈다. 따라서, 봉지제로서의 적당한 점도의 관점에서, (D) 성분의 평균 입경은 0.3㎛ 이상인 것이 바람직하다.
Figure pct00007
(3-6) 대직경 실리카 필러의 양에 대해
표 6은 실시예 3, 21∼24 및 비교예 7∼9의 에폭시 수지 조성물의 조성 및 평가의 결과를 나타낸다. 표 6은 (D) 성분의 함유량이 변화하고 있는 예를 나타내고 있다. (D) 성분의 함유량이 52∼75질량％의 범위에서는 분산 지수가 개선되었다. 그러나, (D) 성분의 함유량이 많아지면 주입성이 악화되었다. 특히, (D) 성분의 함유량이 76질량％(비교예 9)가 되면, 주입성 시험에서 불량이 관측되었다. 따라서, 봉지제로서의 적당한 주입성의 관점에서, (D) 성분의 함유량은 75％ 이하인 것이 바람직하다. 또한, (C) 성분의 함유량과 (D) 성분의 함유량의 합계가 50.1질량％ 보다 적은 경우(비교예 7 및 8), 에폭시 수지 조성물의 분산 지수의 값이 50보다 작아지는 것이 확인되었다.
Figure pct00008
(3-7) 대직경 실리카 필러의 표면 처리에 대해
표 7은 실시예 3 및 25∼27의 에폭시 수지 조성물의 조성 및 평가의 결과를 나타낸다. 표 7은 (D) 성분의 표면 처리가 변화하고 있는 예를 나타내고 있다. (D) 성분이 에폭시기, 메타크릴기 및 아미노기 중 어느 것을 갖는 실란 커플링제를 사용하여 표면 처리되거나, 또한 표면 처리되어 있지 않아도, 분산 지수 시험에서 불량은 발생하지 않았다.
Figure pct00009
(3-8) 경화제의 당량비에 대해
표 8은 실시예 3, 28 및 29의 에폭시 수지 조성물의 조성 및 평가의 결과를 나타낸다. 표 8은 (A) 성분에 대한 (B) 성분의 당량비가 변화하고 있는 예를 나타내고 있다. (A) 성분의 에폭시기 1당량에 대한 (B) 성분의 당량비가 0.5당량 이상 1.8당량 이하의 범위에서 분산 지수 시험에 불량은 발생하지 않았다.
Figure pct00010
(3-9) 에폭시 수지의 종류에 대해
표 9는 실시예 3 및 30∼33의 에폭시 수지 조성물의 조성 및 평가의 결과를 나타낸다. 표 9는 (A) 성분의 종류, 및 (A) 성분과 (B) 성분의 함유비가 변화하고 있는 예를 나타내고 있다. (A) 성분이 에폭시 수지(a1∼a5) 중 어느 것이어도, 분산 지수 시험에서 불량은 관측되지 않았다.
Figure pct00011
(3-10) 경화제의 종류에 대해
표 10은 실시예 3 및 실시예 34∼37의 에폭시 수지 조성물의 조성 및 평가의 결과를 나타낸다. 표 10은 (B) 성분의 종류, 및 (A) 성분과 (B) 성분의 함유비가 변화하고 있는 예를 나타내고 있다. (B) 성분이 경화제(b1∼b5) 중 어느 것이어도, 분산 지수 시험에서 불량은 발생하지 않았다.
Figure pct00012
또한, 본 발명에 따른 에폭시 수지 조성물은 이하의 제1 내지 제8 에폭시 수지 조성물이어도 된다.
상기 제1 에폭시 수지 조성물은 (A) 에폭시 수지와, (B) 경화제와, (C) 0.1∼10질량％의 평균 입경 10㎚ 이상 100㎚ 이하인 실리카 필러와, (D) 47∼75질량％의 평균 입경 0.3㎛ 이상 2㎛ 이하인 실리카 필러와, (E) 0.1∼8질량％의 엘라스토머를 갖고, 상기 (C) 성분 및 상기 (D) 성분을 합계로 47.1∼77질량％ 포함하는 것을 특징으로 하는 에폭시 수지 조성물이다.
상기 제2 에폭시 수지 조성물은 상기 (C) 성분 및 상기 (D) 성분의 적어도 한 쪽이 실란 커플링제로 표면 처리되어 있는 것을 특징으로 하는 상기 제1 에폭시 수지 조성물이다.
상기 제3 에폭시 수지 조성물은 상기 (D) 성분이 다음 식(1)에 나타내는 구조의 아미노실란으로 표면 처리되어 있는 것을 특징으로 하는 상기 제1 또는 제2 에폭시 수지 조성물이다.
Figure pct00013
상기 제4 에폭시 수지 조성물은 상기 (A) 성분의 에폭시기 1당량에 대해, 상기 (B) 성분이 0.5∼1.8당량 포함되는 것을 특징으로 하는 상기 제1 내지 제3 중 어느 하나의 에폭시 수지 조성물이다.
상기 제5 에폭시 수지 조성물은 상기 (B) 성분이 산무수물 경화제, 페놀 수지 경화제, 또는 아민 경화제인 것을 특징으로 하는 상기 제1 내지 제4 중 어느 하나의 에폭시 수지 조성물이다.
상기 제6 에폭시 수지 조성물은 상기 (A) 성분이 비스페놀 F형 에폭시 수지, 비스페놀 A형 에폭시 수지, 나프탈렌형 에폭시 수지, 아미노페놀형 에폭시 수지 중 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 상기 제1 내지 제5 중 어느 하나의 에폭시 수지 조성물이다.
상기 제7 에폭시 수지 조성물은 상기 (E) 성분이 부타디엔계 엘라스토머, 실리콘계 엘라스토머, 아크릴 코폴리머, 스티렌부타디엔계 엘라스토머, 부타디엔·아크릴로니트릴·2,3-에폭시프로필메타크릴레이트·디비닐벤젠 공중합물, 부타디엔·아크릴로니트릴·메타크릴산·디비닐벤젠 공중합물, 아미노기 말단 부타디엔·아크릴로니트릴 공중합체, 카르복실기 말단 부타디엔·아크릴로니트릴 공중합체 중 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 상기 제1 내지 제6 중 어느 하나의 에폭시 수지 조성물이다.
상기 제8 에폭시 수지 조성물은 상기 (A) 에폭시 수지의 적어도 일부에 상기 (C) 평균 입경 10∼100㎚의 실리카 필러를 혼합하여 마스터 배치를 생성하고, 당해 마스터 배치에 기타 성분을 혼합하여 제조되는 것을 특징으로 하는 상기 제1 내지 제7 중 어느 하나의 에폭시 수지 조성물이다.
또한, 본 발명에 따른 반도체 봉지제는 이하의 제1 내지 제4 반도체 봉지제여도 된다.
상기 제1 반도체 봉지제는 상기 제1 내지 제8 중 어느 하나의 에폭시 수지 조성물을 사용한 반도체 봉지제이다.
상기 제2 반도체 봉지제는 봉지하는 상기 반도체 장치의 도통 부분이 2종 이상의 금속 또는 합금인 것을 특징으로 하는 상기 제1 반도체 봉지제이다.
상기 제3 반도체 봉지제는 봉지하는 상기 반도체 장치의 도통 부분이 Au, Ag, Cu, Sn, Pb, Ni, Pd, Co, Cd, Bi, In, Sb, Zn에서 선택되는 2종 이상의 금속 또는 당해 금속을 기본으로 하는 합금에 의해 형성되는 것을 특징으로 하는 상기 제2 반도체 봉지제이다.
상기 제4 반도체 봉지제는 봉지하는 상기 반도체 장치의 도통 부분이 2종의 금속 또는 합금이며, 상기 도통 부분을 봉지한 상기 에폭시 수지 조성물의 단면을 상기 2종의 금속 또는 합금의 경계를 따라 2개의 영역으로 구획하고, 당해 각 영역에 있어서의 상기 (C) 성분 및 상기 (D) 성분의 면적의 비에 따라 산출되는 필러 분산 지수가 50 이상 150 이하인 것을 특징으로 하는 상기 제1 반도체 봉지제이다.
또한, 본 발명에 따른 반도체 장치는 상기 제1 내지 제4 중 어느 하나의 반도체 봉지제를 사용한 반도체 장치이다.
1…배선 기판, 10…언더필제, 2…전극 단자, 3…절연막, 4…땜납, 5…칩 기판, 7…전극 단자, 8…구리 필러, 9…패시베이션, L…경계선.

Claims (13)

  1. (A) 에폭시 수지와,
    (B) 경화제와,
    (C) 0.1∼10질량％의 평균 입경 10㎚ 이상 100㎚ 이하인 실리카 필러와,
    (D) 47∼75질량％의 평균 입경 0.3㎛ 이상 2㎛ 이하인 실리카 필러와,
    (E) 0.1∼8질량％의 엘라스토머를 포함하고,
    상기 (C) 성분 및 상기 (D) 성분을 합계로 50.1∼77질량％ 포함하는 것을 특징으로 하는 에폭시 수지 조성물.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 (C) 성분 및 상기 (D) 성분 중 적어도 한 쪽이 실란 커플링제로 표면 처리되어 있는 것을 특징으로 하는 에폭시 수지 조성물.
  3. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 (D) 성분이 다음 식(1)의 구조식으로 나타내는 아미노실란에 의해 표면 처리되어 있는 것을 특징으로 하는 에폭시 수지 조성물:
    [화학식 1]
    Figure pct00014
    .
  4. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 (A) 성분의 에폭시기 1당량에 대해, 상기 (B) 성분이 0.5∼1.8당량 포함되는 것을 특징으로 하는 에폭시 수지 조성물.
  5. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 (B) 성분이 산무수물 경화제, 페놀 수지 경화제, 또는 아민 경화제인 것을 특징으로 하는 에폭시 수지 조성물.
  6. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 (A) 성분이 비스페놀 F형 에폭시 수지, 비스페놀 A형 에폭시 수지, 나프탈렌형 에폭시 수지, 아미노페놀형 에폭시 수지 중 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 에폭시 수지 조성물.
  7. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 (E) 성분이 부타디엔계 엘라스토머, 실리콘계 엘라스토머, 아크릴 코폴리머, 스티렌부타디엔계 엘라스토머, 부타디엔·아크릴로니트릴·2,3-에폭시프로필메타크릴레이트·디비닐벤젠 공중합물, 부타디엔·아크릴로니트릴·메타크릴산·디비닐벤젠 공중합물, 아미노기 말단 부타디엔·아크릴로니트릴 공중합물 및 카르복실기 말단 부타디엔·아크릴로니트릴 공중합물 중 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 에폭시 수지 조성물.
  8. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 (A) 성분의 적어도 일부에 상기 (C) 성분을 혼합함으로써 마스터 배치를 생성하고, 당해 마스터 배치에 기타 성분을 혼합하여 제조되는 것을 특징으로 하는 에폭시 수지 조성물.
  9. 제 1 항 내지 제 8 항 중 어느 한 항의 에폭시 수지 조성물을 사용한 반도체 봉지제.
  10. 제 9 항에 있어서,
    2종 이상의 금속 또는 합금에 의해 형성된 반도체 장치의 도통 부분을 봉지하는 것을 특징으로 하는 반도체 봉지제.
  11. 제 10 항에 있어서,
    상기 2종 이상의 금속 또는 합금이 Au, Ag, Cu, Sn, Pb, Ni, Pd, Co, Cd, Bi, In, Sb 및 Zn 중에서 선택되는 2종 이상의 금속 또는 당해 금속을 기본으로 하는 합금인 것을 특징으로 하는 반도체 봉지제.
  12. 제 10 항에 있어서,
    봉지하는 상기 반도체 장치의 도통 부분이 2종의 금속 또는 합금이고,
    상기 도통 부분을 봉지한 상기 에폭시 수지 조성물의 단면을 상기 2종의 금속 또는 합금 사이의 경계에 기초하여 2개의 영역으로 구획하고, 당해 각 영역에 있어서의 상기 (C) 성분 및 상기 (D) 성분의 점유율을 이용하여, 다음 식에 의해 산출되는 필러 분산 지수가 50 이상 150 이하인 것을 특징으로 하는 반도체 봉지제:
    필러 분산 지수＝100×(영역(Ra)의 점유율)/(영역(Rb)의 점유율).
  13. 제 9 항 내지 제 12 항 중 어느 한 항의 반도체 봉지제를 사용한 반도체 장치.
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Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20190033060A (ko) * 2016-07-20 2019-03-28 히타치가세이가부시끼가이샤 열경화성 수지 조성물, 층간 절연용 수지 필름, 복합 필름, 프린트 배선판 및 그의 제조 방법
WO2021096237A1 (ko) * 2019-11-13 2021-05-20 주식회사 테라온 에폭시 복합 조성물 및 이를 포함하는 반도체 패키지
US11274218B2 (en) 2017-12-11 2022-03-15 Lg Chem, Ltd. Thermosetting resin composition for coating metal thin film and metal laminate using the same
US11459449B2 (en) 2017-12-14 2022-10-04 Lg Chem, Ltd. Thermosetting resin composition for coating metal thin film and metal laminate using the same
US11873414B2 (en) 2016-10-14 2024-01-16 Resonac Corporation Sealing resin composition, electronic component device, and method of manufacturing electronic component device

Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2017066174A (ja) * 2015-09-28 2017-04-06 日東電工株式会社 熱硬化性組成物およびシート・装置の製造方法
WO2017122952A1 (ko) 2016-01-13 2017-07-20 주식회사 엘지화학 반도체 패키지용 열경화성 수지 조성물과 이를 이용한 프리프레그
KR102416920B1 (ko) * 2016-03-15 2022-07-06 나이키 이노베이트 씨.브이. 발포체 조성물 및 그 용도
JP6801279B2 (ja) * 2016-07-20 2020-12-16 昭和電工マテリアルズ株式会社 熱硬化性樹脂組成物、層間絶縁用樹脂フィルム、複合フィルム、プリント配線板及びその製造方法
JP6801280B2 (ja) * 2016-07-20 2020-12-16 昭和電工マテリアルズ株式会社 熱硬化性樹脂組成物、層間絶縁用樹脂フィルム、複合フィルム、プリント配線板及びその製造方法
JP7404620B2 (ja) * 2018-10-25 2023-12-26 株式会社レゾナック 液状樹脂組成物並びに電子部品装置及びその製造方法
CN112251108A (zh) * 2020-10-26 2021-01-22 衡阳拓创聚合新材料有限公司 一种无溶剂硅改性弹性环氧弹性地坪涂料
WO2023276814A1 (ja) * 2021-06-29 2023-01-05 ナミックス株式会社 エポキシ樹脂組成物、半導体装置および半導体装置の製造方法

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2010103934A1 (ja) 2009-03-12 2010-09-16 ナミックス株式会社 アンダーフィル材、及び、電子部品の実装方法
JP2011006618A (ja) * 2009-06-26 2011-01-13 Namics Corp 封止用液状樹脂組成物、フリップチップ実装体およびその製造方法

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000007890A (ja) * 1998-04-23 2000-01-11 Nitto Denko Corp 半導体封止用エポキシ樹脂組成物およびその製法ならびに半導体装置
JP2004256644A (ja) * 2003-02-25 2004-09-16 Matsushita Electric Works Ltd 封止用エポキシ樹脂組成物及び半導体装置
JP5598343B2 (ja) 2011-01-17 2014-10-01 信越化学工業株式会社 半導体封止用液状エポキシ樹脂組成物及び半導体装置
JP2012211269A (ja) * 2011-03-31 2012-11-01 Sekisui Chem Co Ltd 予備硬化物、粗化予備硬化物及び積層体
JP6286959B2 (ja) 2013-09-13 2018-03-07 日立化成株式会社 エポキシ樹脂組成物、電子部品装置及び電子部品装置の製造方法

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2010103934A1 (ja) 2009-03-12 2010-09-16 ナミックス株式会社 アンダーフィル材、及び、電子部品の実装方法
JP2011006618A (ja) * 2009-06-26 2011-01-13 Namics Corp 封止用液状樹脂組成物、フリップチップ実装体およびその製造方法

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20190033060A (ko) * 2016-07-20 2019-03-28 히타치가세이가부시끼가이샤 열경화성 수지 조성물, 층간 절연용 수지 필름, 복합 필름, 프린트 배선판 및 그의 제조 방법
US11873414B2 (en) 2016-10-14 2024-01-16 Resonac Corporation Sealing resin composition, electronic component device, and method of manufacturing electronic component device
US11274218B2 (en) 2017-12-11 2022-03-15 Lg Chem, Ltd. Thermosetting resin composition for coating metal thin film and metal laminate using the same
US11459449B2 (en) 2017-12-14 2022-10-04 Lg Chem, Ltd. Thermosetting resin composition for coating metal thin film and metal laminate using the same
WO2021096237A1 (ko) * 2019-11-13 2021-05-20 주식회사 테라온 에폭시 복합 조성물 및 이를 포함하는 반도체 패키지
KR20210058107A (ko) 2019-11-13 2021-05-24 주식회사 테라온 에폭시 복합 조성물 및 이를 포함하는 반도체 패키지

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