KR20160084556A - 포지티브형 감광성 실록산 수지 조성물 및 이를 포함하는 표시 장치 - Google Patents

포지티브형 감광성 실록산 수지 조성물 및 이를 포함하는 표시 장치 Download PDF

Info

Publication number
KR20160084556A
KR20160084556A KR1020150000726A KR20150000726A KR20160084556A KR 20160084556 A KR20160084556 A KR 20160084556A KR 1020150000726 A KR1020150000726 A KR 1020150000726A KR 20150000726 A KR20150000726 A KR 20150000726A KR 20160084556 A KR20160084556 A KR 20160084556A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
siloxane
weight
based copolymer
parts
resin composition
Prior art date
Application number
KR1020150000726A
Other languages
English (en)
Other versions
KR102375191B1 (ko
Inventor
심승보
김정원
우준혁
주진호
박광우
김병욱
여태훈
윤혁민
이상훈
Original Assignee
삼성디스플레이 주식회사
주식회사 동진쎄미켐
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 삼성디스플레이 주식회사, 주식회사 동진쎄미켐 filed Critical 삼성디스플레이 주식회사
Priority to KR1020150000726A priority Critical patent/KR102375191B1/ko
Priority to US14/924,301 priority patent/US9857682B2/en
Priority to EP15197160.3A priority patent/EP3040370B1/en
Priority to CN201510940417.0A priority patent/CN105759568B/zh
Priority to JP2015257647A priority patent/JP7018252B2/ja
Publication of KR20160084556A publication Critical patent/KR20160084556A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR102375191B1 publication Critical patent/KR102375191B1/ko

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/039—Macromolecular compounds which are photodegradable, e.g. positive electron resists
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/075—Silicon-containing compounds
    • G03F7/0757—Macromolecular compounds containing Si-O, Si-C or Si-N bonds
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
    • C08K5/00—Use of organic ingredients
    • C08K5/16—Nitrogen-containing compounds
    • C08K5/22—Compounds containing nitrogen bound to another nitrogen atom
    • C08K5/23—Azo-compounds
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
    • C08K5/00—Use of organic ingredients
    • C08K5/36—Sulfur-, selenium-, or tellurium-containing compounds
    • C08K5/41—Compounds containing sulfur bound to oxygen
    • C08K5/42—Sulfonic acids; Derivatives thereof
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/022—Quinonediazides
    • G03F7/0223—Iminoquinonediazides; Para-quinonediazides
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/022—Quinonediazides
    • G03F7/023—Macromolecular quinonediazides; Macromolecular additives, e.g. binders
    • G03F7/0233—Macromolecular quinonediazides; Macromolecular additives, e.g. binders characterised by the polymeric binders or the macromolecular additives other than the macromolecular quinonediazides
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/038—Macromolecular compounds which are rendered insoluble or differentially wettable
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/039—Macromolecular compounds which are photodegradable, e.g. positive electron resists
    • G03F7/0392—Macromolecular compounds which are photodegradable, e.g. positive electron resists the macromolecular compound being present in a chemically amplified positive photoresist composition
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/122—Pixel-defining structures or layers, e.g. banks
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/123—Connection of the pixel electrodes to the thin film transistors [TFT]
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/10—Organic polymers or oligomers
    • H10K85/151—Copolymers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/40—Organosilicon compounds, e.g. TIPS pentacene

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Polymers & Plastics (AREA)
  • Medicinal Chemistry (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Silicon Polymers (AREA)
  • Materials For Photolithography (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Abstract

본 발명의 일 실시예에 따른 포지티브형 감광성 실록산 수지 조성물은 a) ⅰ) 하기 화학식 1로 표시되는 반응성 실란 1종 이상, 및 ⅱ) 하기 화학식 2로 표시되는 4관능 반응성 실란 1종 이상을 촉매 하에 가수 분해 및 축합 중합하여 얻어진 폴리스티렌 환산중량평균분자량(Mw)이 1,000 내지 20,000인 실록산계 공중합체; b) 1,2-퀴논디아지드 화합물; 및 c) 용매를 포함한다.
(R1)nSi(R2)4-n [화학식 1]
Si(R3)4 [화학식 2]
상기 R1은 서로 독립적으로 탄소수 1 내지10의 알킬기, 탄소수 6 내지15의 아릴기중 어느 하나이며, 상기 R2는 탄소수 1 내지4의 알콕시기, 페녹시, 또는 아세톡시이며, 상기 R3는 서로 독립적으로 탄소수 1 내지 4의 알콕시기, 페녹시, 또는 아세톡시기중 어느 하나이며, n은 1 내지 3의 자연수이다.

Description

포지티브형 감광성 실록산 수지 조성물 및 이를 포함하는 표시 장치{POSITIVE PHOTOSENSITIVE SILOXANE RESIN COMPOSITION AND DISPLAY DEVICE COMPRISING THE SAME}
본 발명은 포지티브형 감광성 실록산 수지 조성물 및 이를 포함하는 표시 장치에 관한 것이다.
최근 액정 표시 장치, 유기 발광 표시 장치에서 층간에 배치되는 배선의 사이를 절연하고 개구율을 향상시키기 위해 감광성 유기 절연막이 사용되고 있다.
액정 표시 장치용 층간 절연막으로는 주로 아크릴계 절연막을 사용하고 있으나, 내열성 저하로 인한 가스 방출(outgassing)에 대한 문제점이 있다. 또한, 유기 발광 표시 장치용 층간 절연막 또는 화소 정의막으로는 폴리이미드계 물질이 사용되고 있으나, 감도, 접착력, 투과도 및 내열 변색성 등의 문제점이 있다.
따라서, 표시 장치의 신뢰성 확보를 위해 가스 방출을 억제하고 낮은 수분 흡습률을 가지는 재료에 대한 필요성이 증가하고 있다.
본 발명은 이러한 문제점을 해결하기 위해 감도, 해상도, 접착력, 투과도 및 내열 변색성 등의 성능이 우수할 뿐만 아니라, 우수한 내열성을 통해 가스 방출을 억제하고 낮은 수분 흡습률을 가지는 포지티브형 감광성 실록산 수지 조성물을 제공하고자 한다.
또한, 이러한 포지티브형 감광성 실록산 수지 조성물을 포함하는 절연막, 보호막, 평탄화막, 격벽, 화소 정의막 등을 구비하여 신뢰성이 향상된 표시 장치를 제공하고자 한다.
이러한 과제를 해결하기 위한 본 발명의 일 실시예에 따른 포지티브형 감광성 실록산 수지 조성물은 a) ⅰ) 하기 화학식 1로 표시되는 반응성 실란 1종 이상, 및 ⅱ) 하기 화학식 2로 표시되는 4관능 반응성 실란 1종 이상을 촉매 하에 가수 분해 및 축합 중합하여 얻어진 폴리스티렌 환산중량평균분자량(Mw)이 1,000 내지 20,000인 실록산계 공중합체; b) 1,2-퀴논디아지드 화합물; 및 c) 용매를 포함한다.
(R1)nSi(R2)4-n [화학식 1]
Si(R3)4 [화학식 2]
상기 R1은 서로 독립적으로 탄소수 1 내지10의 알킬기, 탄소수 6 내지15의 아릴기중 어느 하나이며, 상기 R2는 탄소수 1 내지4의 알콕시기, 페녹시, 또는 아세톡시이며, 상기 R3는 서로 독립적으로 탄소수 1 내지 4의 알콕시기, 페녹시, 또는 아세톡시기중 어느 하나이며, n은 1 내지 3의 자연수이다.
상기 실록산계 공중합체는 미반응 단량체 및 촉매를 제거하여 상기 미반응 단량체의 함량이 10% 이하이고, 상기 촉매의 함량이 2000ppm 이하일 수 있다.
상기 실록산계 공중합체의 열분해 온도(Td)가 450℃ 이상일 수 있다.
상기 실록산계 공중합체는 사다리 구조를 포함하고, 상기 사다리 구조를 가지는 실록산계 공중합체의 비율은 전체 대비 30% 이상일 수 있다.
상기 실록산계 공중합체는 100 중량부를 포함하고, 상기 1,2-퀴논디아지드 화합물은 5 내지 50 중량부를 포함하며, 상기 용매는 고형분 함량이 10 내지 50 중량% 일 수 있다.
상기 실록산계 공중합체는, ⅰ) 상기 화학식 1로 표시되는 반응성 실란 20 내지 80 중량부, 및 ⅱ) 상기 화학식 2로 표시되는 4관능 반응성 실란 20 내지 80 중량부를 가수 분해 및 축합 중합할 수 있다.
상기 실록산계 공중합체는 ⅲ) 하기 화학식 3으로 표시되는 반응성 실란을 5 내지 50 중량부 더 포함할 수 있다.
(R4)nSi(R5)4-n [화학식 3]
상기 R4는 서로 독립적으로 비닐, 3-아크릴옥시알킬, 3-메타크릴옥시알킬, 1-(p-하이드록시 페닐)알킬, 2-(p-하이드록시 페닐)알킬, 3-글리시독시 알킬, 2-(3,4-에폭시 사이클로헥실)알킬, 3-이소시아네이트알킬, 옥세탄알킬이고, 상기 R5는 탄소수 1 내지 4의 알콕시기, 페녹시, 또는 아세톡시이며, n은 1 내지 3의 자연수이다.
상기 1,2-퀴논디아지드 화합물은 1,2-퀴논디아지드 4-술폰산 에스테르, 1,2-퀴논디아지드 5-술폰산 에스테르, 및 1,2-퀴논디아지드 6-술폰산 에스테르 중 적어도 하나 이상을 포함할 수 있다.
상기 용매는 프로필렌글리콜메틸에테르 아세테이트, 프로필렌글리콜에틸에테르아세테이트, 프로필렌글리콜프로필 에테르아세테이트, 프로필렌글리콜메틸에테르프로피오네이트, 프로필렌글리콜에틸에테르프로피오네이트, 프로필렌글리콜프로필에테르프로피오네이트, 프로필렌글리콜메틸에테르, 프로필렌글리콜에틸에테르, 프로필렌글리콜프로필에테르, 프로필렌글리콜부틸에테르, 디에틸렌글리콜디에틸에테르, 디에틸렌글리콜메틸에틸에테르, 디프로필렌글리콜디메틸에테르, 디부틸렌글리콜디메틸에테르, 및 디부틸렌글리콜디에틸에테르, 디에틸렌글리콜부틸메틸에테르, 디에틸렌글리콜부틸에틸에테르, 트리에틸렌글리콜디메틸에테르, 트리에틸렌글리콜부틸메틸에테르, 디에틸렌글리콜터셔리부틸에테르, 테트라에틸렌글리콜디메틸에테르, 디프로필렌글리콜디에틸에테르, 디에틸렌글리콜에틸헥실에테르, 디에틸렌글리콜메틸헥실에테르, 디프로필렌글리콜부틸메틸에테르, 디프로필렌글리콜에틸헥실에테르 및 디프로필렌글리콜메틸헥실에테르 중 적어도 하나 이상을 포함할 수 있다.
하기 화학식 4로 표시되는 d) 실란 커플링제를 1 내지 20 중량부를 더 포함할 수 있다.
(R6)nSi(R7)4-n [화학식 4]
상기 R6은 서로 독립적으로 1-(p-하이드록시 페닐)알킬, 2-(p-하이드록시 페닐)알킬, 3-글리시독시 알킬, 2-(3,4-에폭시 사이클로헥실)알킬, 3-옥세탄 알킬, 3-이소시아네이트 알킬이고, 상기 R7은 탄소수 1~4의 알콕시기, 페녹시, 또는 아세톡시이며, n은 1 내지 3의 자연수이다.
본 발명의 실시예에 따른 포지티브 감광성 실록산 수지 조성물의 제조 방법은 a) ⅰ) 하기 화학식 1로 표시되는 반응성 실란 1종 이상, 및 ⅱ) 하기 화학식 2로 표시되는 4관능 반응성 실란 1종 이상을 촉매 하에 가수 분해 및 축합 중합하여 실록산계 공중합체, b) 1,2-퀴논디아지드 화합물; 및 c) 용매를 포함하는 조성물을 형성하는 단계, 및 상기 실록산계 공중합체에 대해 미반응 단량체 및 촉매를 제거하는 여과 단계를 포함하고, 상기 실록산계 공중합체는 폴리스티렌 환산중량평균분자량(Mw)이 1,000 내지 20,000이다.
(R1)nSi(R2)4-n [화학식 1]
Si(R3)4 [화학식 2]
상기 R1은 서로 독립적으로 탄소수 1 내지10의 알킬기, 탄소수 6 내지15의 아릴기중 어느 하나이며, 상기 R2는 탄소수 1 내지4의 알콕시기, 페녹시, 또는 아세톡시이며, 상기 R3는 서로 독립적으로 탄소수 1 내지 4의 알콕시기, 페녹시, 또는 아세톡시기중 어느 하나이며, n은 1 내지 3의 자연수이다.
상기 여과 단계는 상기 미반응 단량체의 함량이 10% 이하이고, 상기 촉매의 함량이 2000ppm 이하가 되도록 반복할 수 있다.
본 발명의 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치는 절연 기판, 상기 절연 기판 위에 위치하는 박막 트랜지스터, 상기 박막 트랜지스터와 연결된 제1 전극, 상기 제1 전극 위에 위치하며, 상기 제1 전극을 일부 노출하는 화소 정의막, 상기 화소 정의막 위에 위치하는 유기 발광층, 및 상기 유기 발광층 위에 위치하는 제2 전극을 포함하고, 상기 화소 정의막은 포지티브형 감광성 실록산 수지 조성물을 포함하며, 상기 포지티브형 감광성 실록산 수지 조성물은, a) ⅰ) 하기 화학식 1로 표시되는 반응성 실란 1종 이상, 및 ⅱ) 하기 화학식 2로 표시되는 4관능 반응성 실란 1종 이상을 촉매 하에 가수 분해 및 축합 중합하여 얻어진 폴리스티렌 환산중량평균분자량(Mw)이 1,000 내지 20,000인 실록산계 공중합체; b) 1,2-퀴논디아지드 화합물; 및 c) 용매를 포함한다.
(R1)nSi(R2)4-n [화학식 1]
Si(R3)4 [화학식 2]
상기 R1은 서로 독립적으로 탄소수 1 내지10의 알킬기, 탄소수 6 내지15의 아릴기중 어느 하나이며, 상기 R2는 탄소수 1 내지4의 알콕시기, 페녹시, 또는 아세톡시이며, 상기 R3는 서로 독립적으로 탄소수 1 내지 4의 알콕시기, 페녹시, 또는 아세톡시기중 어느 하나이며, n은 1 내지 3의 자연수이다.
이상과 같은 포지티브형 감광성 실록산 수지 조성물은 감도, 해상도, 접착력, 투과도 및 내열 변색성 등의 물성이 우수하며, 특히 뛰어난 내열성을 통해 가스 방출을 억제하고 낮은 수분 흡습률을 가질 수 있다. 또한 이러한 포지티브형 감광성 실록산 수지 조성물을 포함하는 표시 장치는 향상된 신뢰성을 가질 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 표시부의 신호선의 배치도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시부의 한 화소의 등가 회로도이다.
도 3은 도 2의 유기 발광 표시 장치의 일 화소의 단면도이다.
첨부한 도면을 참고로 하여 본 발명의 실시예에 대하여 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다. 그러나 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시예에 한정되지 않는다.
도면에서 여러 층 및 영역을 명확하게 표현하기 위하여 두께를 확대하여 나타내었다. 명세서 전체를 통하여 유사한 부분에 대해서는 동일한 도면 부호를 붙였다. 층, 막, 영역, 판 등의 부분이 다른 부분 "위에" 있다고 할 때, 이는 다른 부분 "바로 위에" 있는 경우뿐 아니라 그 중간에 또 다른 부분이 있는 경우도 포함한다. 반대로 어떤 부분이 다른 부분 "바로 위에" 있다고 할 때에는 중간에 다른 부분이 없는 것을 뜻한다.
우선, 이하에서는 본 발명의 일 실시예에 따른 포지티브형 감광성 실록산 수지 조성물에 대해 살펴본다.
본 발명의 일 실시예에 따른 포지티브형 감광성 실록산 수지 조성물은 a) ⅰ) 하기 화학식 1로 표시되는 반응성 실란 1종 이상, 및 ⅱ) 하기 화학식 2로 표시되는 4관능 반응성 실란 1종 이상을 촉매 하에 가수 분해 및 축합 중합한 후 미반응 단량체 및 촉매를 제거하여 얻어진 폴리스티렌 환산중량평균분자량(Mw)이 1,000 ~ 20,000인 실록산계 공중합체, b) 1,2-퀴논디아지드 화합물 및 c) 용매를 포함할 수 있다.
(R1)nSi(R2)4-n [화학식 1]
Si(R3)4 [화학식 2]
상기 R1은 서로 독립적으로 탄소수 1 내지 10의 알킬기, 탄소수 6 내지 15의 아릴기중 어느 하나이고, 상기 R2는 서로 독립적으로 탄소수 1 내지 4의 알콕시기, 페녹시, 또는 아세톡시이고, 상기 R3는 서로 독립적으로 탄소수 1 내지4의 알콕시기, 페녹시, 또는 아세톡시기 중 어느 하나이고, 상기 n은 1 내지 3의 자연수이다.
상기 포지티브형 감광성 실록산 수지 조성물은 a) 상기 실록산계 공중합체 100 중량부 b) 상기 1,2-퀴논디아지드 화합물 5 내지50 중량부 및 c) 용매의 고형분 함량이 10 내지50 중량%를 포함할 수 있다.
본 발명에 사용되는 상기 a)의 실록산계 공중합체는 감도, 해상도, 접착력, 투과도, 내열 변색성 등의 성능이 우수할 뿐만 아니라, 향상된 내열성으로 가스 방출을 억제하고 수분 흡습률을 낮추는바, 표시 장치의 신뢰성을 향상시킬 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 상기 a)ⅰ) 상기 화학식 1로 표시되는 반응성 실란은 페닐트리메톡시실란, 페닐트리에톡시실란, 페닐트리부톡시실란, 페닐메틸디메톡시실란, 페닐트리아세톡시실란, 페닐트리페녹시실란, 디페닐디메톡시실란, 디페닐디에톡시실란, 디페닐디페녹시실란, 트리페닐메톡시실란, 트리페닐에톡시실란, 메틸트리메톡시실란, 에틸트리메톡시실란, 부틸트리메톡시실란, 헥실트리메톡시실란, 메틸트리에톡시실란, 디메틸디메톡시실란일 수 있으며, 단독 또는 2 종 이상 혼합하여 사용할 수 있다.
상기 a)ⅰ) 상기 화학식 1로 표시되는 반응성 실란은 전체 총 단량체에 대하여 20~80 중량부로 포함될 수 있다. 그 함량이 20 중량부 미만일 경우에는 크랙(Crack)이 생길 수 있으며, 80 중량부를 초과할 경우에는 중합 시 반응성이 떨어져 분자량을 제어하기 어려울 수 있기 때문이다.
본 발명에 사용되는 상기 a) ⅱ) 상기 화학식 2로 표시되는 4관능 반응성 실란은 테트라메톡시실란, 테트라에톡시실란, 테트라부톡시실란, 테트라페녹시실란, 테트라아세톡시실란일 수 있으며, 단독 또는 2 종 이상 혼합하여 사용할 수 있다.
상기 a) ⅱ) 상기 화학식 2로 표시되는 4관능 반응성 실란은 전체 총 단량체에 대하여 20 내지 80 중량부 포함될 수 있다. 그 함량이 20 중량부 미만일 경우에는 감광성 실록산 수지 조성물의 패턴 형성 시 알칼리 수용액에 대한 용해성이 떨어져 불량을 발생시킬 수 있으며, 80 중량부를 초과할 경우에는 중합 시 반응성이 빨라 분자량 제어가 어렵고, 생성된 실록산 올리고머는 알칼리 수용액에 대한 용해성이 지나치게 커질 수 있기 때문이다.
또한 본 발명의 실시예에 따른 a)의 실록산계 공중합체는 ⅲ) 하기 화학식 3으로 표시되는 반응성 실란을 더 포함할 수 있으며, 촉매 하에 가수 분해 및 축합 중합을 하고 미반응 단량체 및 촉매를 제거하여 얻을 수 있다.
(R4)nSi(R5)4-n [화학식 3]
상기 R4는 서로 독립적으로 비닐, 3-아크릴옥시알킬, 3-메타크릴옥시알킬, 1-(p-하이드록시 페닐)알킬, 2-(p-하이드록시 페닐)알킬, 3-글리시독시 알킬, 2-(3,4-에폭시 사이클로헥실)알킬, 3-이소시아네이트알킬, 옥세탄알킬이고, 상기 R5는 탄소수 1 내지 4의 알콕시기, 페녹시, 또는 아세톡시기이며, n은 1 내지 3의 자연수이다.
상기 ⅲ) 상기 화학식 3으로 표시되는 반응성 실란은 일례로써 3-아크릴옥시프로필트리메톡시실란, 3-아크릴옥시프로필트리에톡시실란, 3-메타크릴옥시프로필트리에톡시실란, 1-(p-하이드록시 페닐)에틸트리메톡시실란, 2-(p-하이드록시 페닐)에틸트리에톡시실란, 3-글리시독시프로필트리메톡시실란, 3-글리시독시프로필트리에톡시실란, 3-글리시독시프로필메틸디메톡시실란, 2-(3,4-에폭시 사이클로헥실)에틸트리메톡시실란, 2-(3,4-에폭시 사이클로헥실)에틸메틸디메톡시실란, 3-이소시아네이트프로필트리에톡시실란, 3-이소시아네이트프로필트리메톡시실란, 옥세탄에틸트리메톡시실란일 수 있으며, 단독 또는 2 종 이상 혼합하여 사용할 수 있다.
상기 ⅲ) 상기 화학식 3으로 표시되는 반응성 실란 또는 이들의 혼합물을 사용할 경우 사용량은 전체 총 실란 단량체의 5 내지 50 중량부일 수 있다. 사용량이 상기 범위 내인 경우 접착성 및 막경화도가 더욱 우수하기 때문이다.
본 발명의 포지티브형 감광성 실록산 수지 조성물에 사용되는 a)의 올리고머 실록산 화합물은 반응성 실란 등을 물과 산 또는 염기 촉매 하에 벌크(bulk) 중합 또는 용액 중합을 할 수 있으며, 가수 분해 및 축합 중합하고 미반응 단량체 및 촉매를 제거하는 과정을 거쳐 얻어진다.
이와 같은 중합에 사용될 수 있는 산 촉매는 염산, 질산, 황산, 옥살산, 포름산, 아세트산, 옥살산, 프로피온산, 부탄산, 펜탄산일 수 있으며, 염기 촉매는 암모니아, 유기아민 및 알킬암모늄 하이드로옥사이드염일 수 있으며, 단독 또는 2종 이상을 혼합하여 동시에 또는 단계적으로 사용할 수 있다.
최종적으로 얻어진 a)의 실록산계 공중합체는 겔 투과 크로마토그래피(gel permeation chromatography, GPC)를 이용하여 분석한 결과, 폴리스티렌 환산중량평균분자량(Mw)이 1,000 ~ 20,000일 수 있다.
폴리스티렌 환산중량평균분자량(Mw)이 1,000 미만인 경우 포지티브형 감광성 실록산 수지 조성물의 평가에서 현상 공정 중 잔막율이 저하되거나 내열성이 떨어지고 수분 흡습률이 취약하다. 또한 폴리스티렌 환산중량평균분자량(Mw)이 20,000을 초과하는 경우에는 포지티브형 감광성 실록산 수지 조성물의 감도가 저하되거나 패턴의 현상성이 떨어지기 때문이다.
또한 본 발명의 포지티브형 감광성 실록산 수지 절연막 조성물은 b) 1,2-퀴논디아지드 화합물을 포함하며, 본 발명의 일 실시예에 따른 상기 b)의 1,2-퀴논디아지드 화합물은 감광성 화합물일 수 있다.
상기 1,2-퀴논디아지드 화합물은 일례로써 1,2-퀴논디아지드 4-술폰산 에스테르, 1,2-퀴논디아지드 5-술폰산 에스테르, 또는 1,2-퀴논디아지드 6-술폰산 에스테르일 수 있다. 일례로써 상기 b) 1,2-퀴논디아지드 화합물은 페놀 화합물과 나프토퀴논디아지드술폰산할로겐 화합물을 반응시켜 얻어진 화합물일 수 있으며, 구체적으로, 상기 퀴논디아지드 화합물은 나프토퀴논디아지드 술폰산할로겐 화합물과 하기 화학식5로 표시되는 페놀 화합물 등을 약염기하에서 반응시켜 얻어진 화합물일 수 있다. 이때 상기 페놀 화합물은 단독 또는 2 종 이상 혼합하여 사용할 수 있다.
　[화학식 5]
Figure pat00001
Figure pat00002

상기와 같은 페놀 화합물과 나프토퀴논디아지드 술폰산할로겐 화합물로 퀴논디아지드 화합물을 합성할 때 에스테르화도는 약 50 내지 85%일 수 있다. 상기 에스테르화도가 50% 미만일 경우에는 잔막율이 나빠질 수 있으며, 85 %를 초과할 경우에는 보관안정성이 저하될 수 있기 때문이다.
상기 b) 1,2-퀴논디아지드 화합물은 a)의 실록산계 공중합체 100 중량부에 대하여 5 내지 50 중량부로 포함될 수 있다. 그 함량이 5 중량부 미만일 경우에는 노광부와 비노광부의 용해도 차가 작아져 패턴 형성이 어려우며, 50 중량부를 초과할 경우에는 단시간 동안 빛을 조사할 때 미반응 1,2-퀴논디아지드 화합물이 다량 잔존하여 현상액인 알칼리 수용액에 대한 용해도가 지나치게 낮아져 현상이 어렵기 때문이다.
또한 본 발명의 포지티브형 감광성 실록산 수지 조성물은 c) 용매를 포함하며, 상기 c)의 용매는 포지티브형 감광성 실록산 수지 조성물의 평탄성과 코팅얼룩을 발생하지 않게 하여 균일한 패턴 프로파일(pattern profile)을 형성한다.
상기 c)의 용매는 일례로써 프로필렌글리콜메틸에테르 아세테이트, 프로필렌글리콜에틸에테르아세테이트, 프로필렌글리콜프로필 에테르아세테이트, 프로필렌글리콜메틸에테르프로피오네이트, 프로필렌글리콜에틸에테르프로피오네이트, 프로필렌글리콜프로필에테르프로피오네이트, 프로필렌글리콜메틸에테르, 프로필렌글리콜에틸에테르, 프로필렌글리콜프로필에테르, 프로필렌글리콜부틸에테르, 디에틸렌글리콜디에틸에테르, 디에틸렌글리콜메틸에틸에테르, 디프로필렌글리콜디메틸에테르, 디부틸렌글리콜디메틸에테르, 및 디부틸렌글리콜디에틸에테르, 디에틸렌글리콜부틸메틸에테르, 디에틸렌글리콜부틸에틸에테르, 트리에틸렌글리콜디메틸에테르, 트리에틸렌글리콜부틸메틸에테르, 디에틸렌글리콜터셔리부틸에테르, 테트라에틸렌글리콜디메틸에테르, 디프로필렌글리콜디에틸에테르, 디에틸렌글리콜에틸헥실에테르, 디에틸렌글리콜메틸헥실에테르, 디프로필렌글리콜부틸메틸에테르, 디프로필렌글리콜에틸헥실에테르 및 디프로필렌글리콜메틸헥실에테르일 수 있으며, 단독 또는 2종 이상 혼합하여 사용할 수 있다.
상기 c)의 용매는 포지티브형 감광성 실록산 수지 조성물의 고형분 함량이 10 내지50 중량%가 되도록 포함될 수 있다. 고형분 함량이 10 중량% 미만일 경우에는 코팅 두께가 얇아지고 균일도가 저하되며, 50 중량% 를 초과할 경우에는 코팅 두께가 두꺼워지고 코팅 시 코팅 장비에 무리를 줄 수 있기 때문이다. 상기 전체 조성물의 고형분 함량이 10 내지 25 중량%일 경우, 슬릿 코터(Slit Coater)를 사용하고, 고형분 함량이 25 내지 50 중량%일 경우 스핀 코터(Spin Coater) 또는 슬릿 코터 및 스핀 코터(Slit and Spin Coater)를 사용할 수 있다.
상기와 같은 성분으로 이루어지는 본 발명의 포지티브형 감광성 실록산 수지 조성물은 하기 화학식 4로 표시되는 d) 실란 커플링제를 더 포함할 수 있다.
(R6)nSi(R7)4-n [화학식 4]
상기 R6은 서로 독립적으로 1-(p-하이드록시 페닐)알킬, 2-(p-하이드록시 페닐)알킬, 3-글리시독시 알킬, 2-(3,4-에폭시 사이클로헥실)알킬, 옥세탄 알킬, 3-이소시아네이트 알킬이고, 상기 R7은 탄소수 1내지 4의 알콕시기, 페녹시, 또는 아세톡시이며, n은 1 내지 3의 자연수이다.
상기와 같은 본 발명의 포지티브형 감광성 실록산 수지 조성물은 고형분 농도를 10~50 중량%로 하여, 0.1 ~ 0.2 ㎛의 밀리포아 필터 등으로 여과한 뒤 사용할 수 있다.
이상에서 설명한 포지티브형 감광성 실록산 수지 조성물은 감도, 해상도, 접착력, 투과도 및 내열 변색성 등의 물성이 우수하며, 특히 뛰어난 내열성을 통해 가스 방출을 억제하고 낮은 수분 흡습률을 가질 수 있다.
이하에서는 전술한 포지티브형 감광성 실록산 수지 조성물을 포함하는 유기 발광 표시 장치에 대해 설명한다. 도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 표시부의 신호선의 배치도이고, 도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시부의 한 화소의 등가 회로도이고, 도 3은 도 2의 유기 발광 표시 장치의 한 화소의 단면도이다.
도 1을 참조하면, 기판(100)의 제1 표시 영역(LA) 위에는 일 방향으로 뻗어 주사 신호를 전달하는 제1 신호선(121), 제1 신호선(121)과 교차하여 영상 신호를 전달하는 제2 신호선(171)이 형성되어 있다. 제1 신호선 및 제2 신호선은 각 화소와 연결되어 있으며, 화소는 제1 신호선 및 제2 신호선 이외에도 다른 신호가 인가되는 다양한 신호선(도시하지 않음)과 연결될 수 있다.
기판(100) 위에는 제1 표시 영역(LA) 외곽의 주변 영역(PB)에 위치하며 화소의 박막 트랜지스터를 제어하기 위한 구동부(510)가 위치한다. 구동부(510)는 IC칩으로 기판(100) 위에 실장되거나, 제1 표시 영역(LA)의 박막 트랜지스터와 함께 기판 위에 집적될 수 있다.
한편, 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치는 도 2와 같은 등가 회로를 각각 포함하는 복수의 화소를 포함한다.
도 2를 참조하면, 본 발명의 한 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치는 복수의 신호선(121, 171)과 이들에 연결되어 있으며 대략 행렬(matrix)의 형태로 배열된 복수의 화소(PX)를 포함한다.
신호선은 게이트 신호(또는 주사 신호)를 전달하는 복수의 제1 신호선(121), 데이터 신호를 전달하는 복수의 제2 신호선(171) 및 구동 전압(Vdd)을 전달하는 복수의 제3 신호선(172)을 포함한다. 제1 신호선(121)은 대략 행 방향으로 뻗어 있으며 서로가 거의 평행하고, 제2 신호선(171) 및 제3 신호선(172)은 제1 신호선(121)과 교차하여 열 방향으로 뻗어 있으며 서로가 거의 평행한다.
각 화소(PX)는 스위칭 박막 트랜지스터(switching thin film transistor)(Q2), 구동 박막 트랜지스터(driving thin film transistor)(Q1), 유지 축전기(storage capacitor)(Cst) 및 유기 발광 다이오드(organic light emitting diode, OLED)(70)를 포함한다.
스위칭 박막 트랜지스터(Q2)는 제어 단자, 입력 단자 및 출력 단자를 가지는데, 제어 단자는 제1 신호선(121)에 연결되어 있고, 입력 단자는 제2 신호선(171)에 연결되어 있으며, 출력 단자는 구동 박막 트랜지스터(Q1)에 연결되어 있다. 스위칭 박막 트랜지스터(Q2)는 제1 신호선(121)에 인가되는 주사 신호에 응답하여 제2 신호선(171)에 인가되는 데이터 신호를 구동 박막 트랜지스터(Q1)에 전달한다.
구동 박막 트랜지스터(Q1) 또한 제어 단자, 입력 단자 및 출력 단자를 가지는데, 제어 단자는 스위칭 박막 트랜지스터(Q2)에 연결되어 있고, 입력 단자는 제3 신호선(172)에 연결되어 있으며, 출력 단자는 유기 발광 소자(70)에 연결되어 있다. 구동 박막 트랜지스터(Q1)는 제어 단자와 출력 단자 사이에 걸리는 전압에 따라 그 크기가 달라지는 출력 전류(ILD)를 흘린다.
축전기(Cst)는 구동 박막 트랜지스터(Q1)의 제어 단자와 입력 단자 사이에 연결되어 있다. 이 축전기(Cst)는 구동 박막 트랜지스터(Q1)의 제어 단자에 인가되는 데이터 신호를 충전하고 스위칭 박막 트랜지스터(Q2)가 턴 오프(turn-off)된 뒤에도 이를 유지한다.
유기 발광 소자(70)는 구동 박막 트랜지스터(Q1)의 출력 단자에 연결되어 있는 애노드(anode), 공통 전압(Vss)에 연결되어 있는 캐소드(cathode)를 가진다. 유기 발광 소자(70)는 구동 박막 트랜지스터(Q1)의 출력 전류(ILD)에 따라 세기를 달리하여 발광함으로써 영상을 표시한다.
도 3은 도 2의 유기 발광 표시 장치의 일 화소의 단면도이다. 도 3에서는 도 2의 제2 박막 트랜지스터(Q2) 및 유기 발광 소자(70)를 중심으로 적층 순서에 따라 상세히 설명한다. 이하에서는 제2 박막 트랜지스터(Q2)를 박막 트랜지스터라 한다.
도 3에 도시한 바와 같이, 유기 발광 표시 장치는 기판(100)을 포함하고, 기판(100) 위에는 버퍼층(120)이 위치한다.
버퍼층(120)은 질화 규소(SiNx)의 단일막 또는 질화 규소(SiNx)와 산화 규소(SiO2)가 적층된 이중막 구조로 형성될 수 있다. 버퍼층(120)은 불순물 또는 수분과 같이 불필요한 성분의 침투를 방지하면서 동시에 표면을 평탄화하는 역할을 한다.
버퍼층(120) 위에는 다결정 규소로 이루어진 반도체(135)가 위치한다.
반도체(135)는 채널 영역(1355), 채널 영역(1355)의 양측에 각각 형성된 소스 영역(1356) 및 드레인 영역(1357)을 포함한다. 반도체의 채널 영역(1355)은 불순물이 도핑되지 않은 다결정 규소, 즉 진성 반도체(intrinsic semiconductor)이다. 소스 영역(1356) 및 드레인 영역(1357)은 도전성 불순물이 도핑된 다결정 규소, 즉 불순물 반도체(impurity semiconductor)이다. 소스 영역(1356), 드레인 영역(1357)에 도핑되는 불순물은 p형 불순물 및 n형 불순물 중 어느 하나 일 수 있다.
반도체(135) 위에는 게이트 절연막(140)이 위치한다. 게이트 절연막(140)은 테트라에톡시실란(tetra ethyl ortho silicate, TEOS), 질화 규소, 산화 규소 및 전술한 포지티브형 감광성 실록산 수지 조성물 중 적어도 하나를 포함한 단층 또는 복수층일 수 있다.
반도체(135) 위에는 게이트 전극(155)이 위치하고, 게이트 전극(155)은 채널 영역(1355)과 중첩한다.
게이트 전극(155)은 Al, Ti, Mo, Cu, Ni 또는 이들의 합금과 같이 저저항 물질 또는 부식이 강한 물질을 단층 또는 복수층으로 형성할 수 있다.
게이트 전극(155) 위에는 제1 층간 절연막(160)이 위치한다. 제1 층간 절연막(160)의 재질은 게이트 절연막(140)과 마찬가지로 테트라에톡시실란(tetra ethyl ortho silicate, TEOS), 질화 규소, 산화 규소 또는 전술한 포지티브형 감광성 실록산 수지 조성물일 수 있으며, 단층 또는 복수층으로 형성될 수 있다.
제1 층간 절연막(160)과 게이트 절연막(140)에는 소스 영역(1356)과 드레인 영역(1357)을 각각 노출하는 소스 접촉 구멍(66)과 드레인 접촉 구멍(67)이 형성된다.
제1 층간 절연막(160) 위에는 소스 전극(176) 및 드레인 전극(177)이 위치한다. 소스 전극(176)은 접촉 구멍(66)을 통해서 소스 영역(1356)과 연결되어 있고, 드레인 전극(177)은 접촉 구멍(67)을 통해서 드레인 영역(1357)과 연결되어 있다.
소스 전극(176) 및 드레인 전극(177)은 Al, Ti, Mo, Cu, Ni 또는 이들의 합금과 같이 저저항 물질 또는 부식이 강한 물질을 단층 또는 복수층으로 형성할 수 있다. 예를 들어, Ti/Cu/Ti, Ti/Ag/Ti, Mo/Al/Mo의 삼중층일 수 있다.
게이트 전극(155), 소스 전극(176) 및 드레인 전극(177)은 각각 도 2의 제어 전극, 입력 전극 및 출력 전극으로, 반도체(135)와 함께 박막 트랜지스터를 이룬다. 박막 트랜지스터의 채널(channel)은 소스 전극(176)과 드레인 전극(177) 사이의 반도체(135)에 형성된다.
소스 전극(176)과 드레인 전극(177) 위에는 제2 층간 절연막(180)이 위치한다. 제2 층간 절연막(180)은 드레인 전극(177)을 노출하는 접촉 구멍(82)을 포함한다.
제2 층간 절연막(180)의 재질은 제1 층간 절연막과 마찬가지로 테트라에톡시실란(tetra ethyl ortho silicate, TEOS), 질화 규소, 산화 규소 또는 전술한 포지티브형 감광성 실록산 수지 조성물일 수 있으며, 단층 또는 복수층으로 형성할 수 있다.
제2 층간 절연막(180) 위에는 제1 전극(710)이 위치한다. 제1 전극(710)은 접촉 구멍(82)을 통해서 드레인 전극(177)과 전기적으로 연결되며, 제1 전극(710)은 도 2의 유기 발광 소자의 애노드 전극일 수 있다.
본 발명의 한 실시예에서는 제1 전극(710)과 드레인 전극(177) 사이에 층간 절연막을 형성하였으나, 제1 전극(710)은 드레인 전극(177)과 동일한 층에 형성할 수 있으며, 드레인 전극(177)과 일체형일 수 있다.
제1 전극(710) 위에 화소 정의막(190)이 위치한다. 화소 정의막(190)은 제1 전극(710)을 노출하는 개구부(95)를 가진다. 화소 정의막(190)은 폴리아크릴계(polyacrylates), 폴리이미드계(polyimides) 또는 전술한 포지티브형 감광성 실록산 수지 조성물와 실리카 계열의 무기물 등을 포함하여 이루어질 수 있다.
화소 정의막(190)의 개구부(95)에는 유기 발광층(720)이 위치한다.
유기 발광층(720)은 발광층과 정공 수송층(hole-injection layer, HIL), 정공 수송층(hole-transporting layer, HTL), 전자 수송층(electron-transporting layer, ETL) 및 전자 주입층(electron-injection layer, EIL) 중 하나 이상을 포함하는 복수층으로 형성된다.
유기 발광층(720)이 이들 모두를 포함할 경우 정공 주입층이 애노드 전극인 제1 전극(710) 위에 위치하고 그 위로 정공 수송층, 발광층, 전자 수송층, 전자 주입층이 차례로 적층될 수 있다.
이때, 발광층은 저분자 유기물 또는 PEDOT(Poly 3,4-ethylenedioxythiophene) 등의 고분자 유기물로 이루어질 수 있다. 발광층은 적색을 발광하는 적색 발광층, 녹색을 발광하는 녹색 발광층 및 청색을 발광하는 청색 발광층을 포함할 수 있으며, 적색 발광층, 녹색 발광층 및 청색 발광층은 각각 적색 화소, 녹색 화소 및 청색 화소에 형성되어 컬러 화상을 구현하게 된다.
또한, 발광층은 적색 발광층, 녹색 발광층 및 청색 발광층을 적색 화소, 녹색 화소 및 청색 화소에 모두 함께 적층하고, 각 화소별로 적색 색필터, 녹색 색필터 및 청색 색필터를 형성하여 컬러 화상을 구현할 수 있다. 다른 예로, 백색을 발광하는 백색 발광층을 적색 화소, 녹색 화소 및 청색 화소 모두에 형성하고, 각 화소별로 각각 적색 색필터, 녹색 색필터 및 청색 색필터를 형성하여 컬러 화상을 구현할 수도 있다. 백색 발광층과 색필터를 이용하여 컬러 화상을 구현하는 경우, 적색 발광층, 녹색 발광층 및 발광층을 각각의 개별 화소 즉, 적색 화소, 녹색 화소 및 청색 화소에 증착하기 위한 증착 마스크를 사용하지 않아도 된다.
또한, 백색 발광층은 백색광을 발광하는 하나의 발광층으로 형성될 수 있음은 물론이고, 복수 개의 서로 다른 색을 발광하는 발광층을 적층하여 백색을 발광할 수 있다. 예로, 적어도 하나의 옐로우 발광층과 적어도 하나의 청색 발광층을 조합하여 백색 발광을 가능하게 한 구성, 적어도 하나의 시안 발광층과 적어도 하나의 적색 발광층을 조합하여 백색 발광을 가능하게 한 구성, 적어도 하나의 마젠타 발광층과 적어도 하나의 녹색 발광층을 조합하여 백색 발광을 가능하게 한 구성 등도 포함할 수 있다.
화소 정의막(190) 및 유기 발광층(720) 위에는 제2 전극(730)이 위치한다.
제2 전극(730)은 유기 발광 소자의 캐소드 전극이 된다. 따라서 제1 전극(710), 유기 발광층(720) 및 제2 전극(730)은 유기 발광 소자(70)를 이룬다.
유기 발광 소자(70)가 빛을 방출하는 방향에 따라서 유기 발광 표시 장치는 전면 표시형, 배면 표시형 및 양면 표시형 중 어느 한 구조를 가질 수 있다.
다음, 제2 전극(730) 위에는 봉지 부재(260)가 위치한다.
봉지 부재(260)는 하나 이상의 유기층과 하나 이상의 무기층이 상호 교번하여 적층 형성될 수 있다. 무기층 또는 유기층은 각각 복수일 수 있다.
유기층은 고분자로 형성되며, 바람직하게는 폴리에틸렌테레프탈레이트, 폴리이미드, 폴라카보네이트, 에폭시, 폴리에틸렌 및 폴리아크릴레이트 중 어느 하나로 형성되는 단일막 또는 적층막일 수 있다. 더욱 바람직하게는, 상기 유기층은 폴리아크릴레이트로 형성될 수 있으며, 구체적으로는 디아크릴레이트계 모노머와 트리아크릴레이트계 모노머를 포함하는 모노머 조성물이 고분자화된 것을 포함한다. 모노머 조성물에 모노아크릴레이트계 모노머가 더 포함될 수 있다. 또한, 상기 모노머 조성물에 TPO와 같은 공지의 광개시제가 더욱 포함될 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다.
무기층은 금속 산화물 또는 금속 질화물을 포함하는 단일막 또는 적층막일 수 있다. 구체적으로, 상기 무기층은 SiNx, Al2O3, SiO2, TiO2 중 어느 하나를 포함할 수 있다.
봉지층 중 외부로 노출된 최상층은 유기발광소자에 대한 투습을 방지하기 위하여 무기층으로 형성될 수 있다.
전술한 바와 같이 본 발명의 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치는 포지티브형 감광성 실록산 수지 조성물을 포함하는 절연막, 보호막 및 화소 정의막 등을 포함할 수 있다. 또한, 본 명세서는 유기 발광 표시 장치에 사용되는 포지티브형 감광성 실록산 수지 조성물에 대해 설명하였으나, 이에 제한되지 않고 어떠한 표시 장치에도 사용 가능함은 물론이다.
이와 같은 포지티브형 감광성 실록산 수지 조성물은 하기와 같은 방법을 통해 패턴을 가지는 절연막 등으로 형성될 수 있다.
먼저, 본 발명의 실시예에 따른 포지티브형 감광성 실록산 수지 조성물을 스핀 코팅, 슬릿 앤 스핀 코팅, 슬릿 코팅 또는 롤 코팅 방법으로 기판에 도포한다. 다음 진공에서 건조한 후 프리-베이크를 통해 용매를 제거하여 도포막을 형성한다. 이때, 상기 프리-베이크는 약 100 내지 120 ℃의 온도에서 1 내지 3분간 실시할 수 있다.
그리고 나서, 미리 준비된 패턴에 따라 가시광선, 자외선, 원자외선, 전자선 또는 엑스선을 상기 도포막에 조사하고, 현상액으로 현상하여 불필요한 부분을 제거함으로써 소정의 패턴을 형성한다.
상기 현상액은 알칼리 수용액을 사용하는 것이 좋으며, 일례로써 수산화나트륨, 수산화칼륨, 탄산나트륨과 같은 무기 알칼리류 에틸아민, n-프로필아민과 같은 1급 아민류 디에틸아민, n-프로필아민과 같은 2급 아민류 트리메틸아민, 메틸디에틸아민, 디메틸에틸아민, 트리에틸아민과 같은 3급 아민류 디메틸에탄올아민, 메틸디에탄올아민, 트리에탄올아민과 같은 알콜아민류 또는 테트라메틸암모늄히드록시드, 테트라에틸암모늄히드록시드과 같은 4급 암모늄염의 수용액일 수 있다.
이때, 상기 현상액은 알칼리성 화합물을 약 0.1 내지 5 중량부의 농도로 용해시켜 사용하며, 메탄올, 에탄올 등과 같은 수용성 유기용매 및 계면활성제를 더 포함할 수도 있다.
또한, 상기 현상액으로 현상한 후 초순수로 약 30 내지 90 초간 세정하여 불필요한 부분을 제거하고 건조하여 패턴을 형성한다. 다시 상기 형성된 패턴에 자외선 등의 빛을 조사한 후, 패턴을 오븐과 같은 가열 장치를 사용하여 약 150 내지 400 ℃의 온도에서 약 30 내지 90 분간 가열 처리를 하면 최종 패턴을 얻을 수 있다.
이하에서는 본 발명의 실시예에 따른 포지티브형 감광성 실록산 수지 조성물과 비교예에 대해 살펴본다. 본 명세서는 본 발명의 이해를 돕기 위하여 바람직한 실시예를 예시하는 것일 뿐 본 발명의 범위가 하기 실시예에 한정되는 것은 아니다.
합성예 1 ( 실록산계 공중합체 (A)의 제조)
냉각관과 교반기를 구비한 플라스크에 반응성 실란으로 각각 페닐트리에톡시실란 55 중량부, 테트라에톡시실란 20 중량부, 메틸트리에톡시실란 25 중량부를 넣고, 용매로 메탄올 100 중량부를 넣고, 질소 치환한 후 완만히 교반 하였다.
상기 반응 용액에 초순수 50 중량부와 촉매인 옥살산을 4 중량부를 추가 투입한 후 다시 완만히 교반하였다. 약 1 시간 후 상기 반응 용액을 60 ℃까지 승온시켜 10 시간 동안 이 온도를 유지하여 중합하고, 다시 상온으로 냉각시켜 반응을 종결하였다.
다음 추가로 0 ℃이하로 급냉하여 반응물의 침전을 통해 미반응 단량체 및 촉매가 함유된 상승액을 제거하였다. 미반응 단량체 및 촉매가 완벽하게 제거될 때까지 추가로 메탄올을 넣고 정제 공정을 반복하였다.
상기 정제 공정 이후, 진공 건조를 통하여 반응 중에 생성된 잔류 알코올계 용매 및 잔류 수분을 제거하였다. 최종적으로 폴리스티렌 환산중량평균분자량(MW)이 3000인 a)의 실록산계 공중합체(A)을 제조하였다.
합성예 2 ( 실록산계 공중합체(B)의 제조)
냉각관과 교반기를 구비한 플라스크에 반응성 실란으로 각각 부틸트리메톡시실란 60 중량부 및 테트라메톡시실란 40 중량부를 넣고, 질소 치환한 후 완만히 교반 하였다. 상기 반응 용액에 초순수 50 중량부와 촉매인 옥살산을 2 중량부 추가 투입후 다시 완만히 교반하였다. 약 1 시간 이후 상기 반응 용액을 60 ℃까지 승온시켜 10 시간 동안 이 온도를 유지하며 벌크 중합후, 상온으로 냉각시켜 반응을 종결하였다.
추가로 0 ℃ 이하로 급냉하여 반응물의 침전통해 미반응 단량체 및 촉매가 함유된 상승액을 제거하였다. 미반응 단량체 및 촉매가 완벽하게 제거될 때까지 추가로 메탄올을 넣고 정제공정을 반복하였다.
정제 공정 이후, 진공 건조를 통하여 반응 중에 생성된 잔류 알코올계 용매 및 잔류 수분을 제거하였다. 이를 통해 폴리스티렌 환산중량평균분자량(MW)이 7000인 a)의 실록산계 공중합체(B)을 제조하였다.
합성예 3 ( 실록산계 공중합체(C)의 제조)
상기 합성예 1에서 냉각관과 교반기를 구비한 플라스크에 반응성 실란으로 각각 n-부틸트리에톡시실란 30 중량부, 테트라메톡시실란 50 중량부, 3-글리시독시프로필트리에톡시실란 20 중량부를 넣은 것을 제외하고는 상기 합성예 1과 동일한 방법으로 실시하였다. 이를 통해 폴리스티렌 환산중량평균분자량(MW)이 5000인 a)의 실록산계 공중합체(C)을 제조하였다.
합성예 4 ( 실록산계 공중합체(D)의 제조)
상기 합성예 2에서 냉각관과 교반기를 구비한 플라스크에 반응성 실란으로 각각 벤질트리메톡시실란 50 중량부, 테트라아세톡시실란 40 중량부, 1-(p-하이드록시 페닐)프로필트리메톡시실란 10 중량부를 넣은 것을 제외하고는 상기 합성예 2와 동일한 방법으로 실시하였다. 이를 통해 폴리스티렌 환산중량평균분자량(MW)이 10000인 a)의 실록산계 공중합체(D)을 제조하였다.
합성예 5 ( 실록산계 공중합체(E)의 제조)
상기 합성예 1에서 냉각관과 교반기를 구비한 플라스크에 반응성 실란으로 각각 톨릴트리에톡시실란 50 중량부, 테트라에톡시실란 50 중량부를 넣은 것을 제외하고는 상기 합성예 1과 동일한 방법으로 실시하였다. 이를 통해 폴리스티렌 환산중량평균분자량(MW)이 6000인 a)의 실록산계 공중합체(E)을 제조하였다.
합성예 6 ( 실록산계 공중합체(F)의 제조)
상기 합성예 1에서 냉각관과 교반기를 구비한 플라스크에 반응성 실란으로 각각 실릴트리에톡시실란 50 중량부, 테트라메톡시실란 50 중량부를 넣은 것을 제외하고는 상기 합성예 1과 동일한 방법으로 실시하였다. 이를 통해 폴리스티렌 환산중량평균분자량(MW)이 5500인 a)의 실록산계 공중합체(F)을 제조하였다.
합성예 7 ( 실록산계 공중합체(G)의 제조)
상기 합성예 2에서 냉각관과 교반기를 구비한 플라스크에 반응성 실란으로 각각 n-헥실트리에톡시실란 20 중량부, 테트라에톡시실란 80 중량부를 넣은 것을 제외하고는 상기 합성예 2와 동일한 방법으로 실시하였다. 이를 통해 폴리스티렌 환산중량평균분자량(MW)이 19000인 a)의 실록산계 공중합체(G)를 제조하였다
합성예 8 ( 실록산계 공중합체(H)의 제조)
상기 합성예 1에서 냉각관과 교반기를 구비한 플라스크에 반응성 실란으로 각각 페닐트리에톡시실란　30 중량부, 테트라에톡시실란 70 중량부를 넣은 것을 제외하고는 상기 합성예 1과 동일한 방법으로 실시하였다. 이를 통해 폴리스티렌 환산중량평균분자량(MW)이 14000인 a)의 실록산계 공중합체(H)을 제조하였다
합성예 9 ( 실록산계 공중합체(I)의 제조)
상기 합성예 1에서 냉각관과 교반기를 구비한 플라스크에 반응성 실란으로 각각 디페닐디메톡시실란 70 중량부, 테트라에톡시실란 20 중량부, 3-이소시아네이트프로필트리에톡시실란 10 중량부를 넣은 것을 제외하고는 상기 합성예 1과 동일한 방법으로 실시하였다. 이를 통해 폴리스티렌 환산중량평균분자량(MW)이 2500인 a)의 실록산계 공중합체(I)을 제조하였다.
합성예 10 (1,2- 퀴논디아지드 화합물(A)의 제조)
하기 화학식 6으로 표시되는 페놀 화합물 1 몰과 1,2-나프토퀴논디아지드-5-술폰산[클로라이드] 2몰을 축합 반응시켜, 에스테르화도가 67 %인 1,2-나프토퀴논디아지드-5-술폰산 에스테르 화합물을 제조하였다.
Figure pat00003
[화학식 6]
합성예 11 (1,2- 퀴논디아지드 화합물(B)의 제조)
하기 화학식 7로 나타나는 페놀화합물 1 몰과 1,2-나프토퀴논디아지드-5-술폰산[클로라이드] 2 몰을 축합반응시켜, 에스테르화도 80 %인 1,2-나프토퀴논디아지드-5-술폰산 에스테르 화합물을 제조하였다.
Figure pat00004
[화학식 7]
비교합성예 1 ( 실록산계 공중합체(J)의 제조)
상기 합성예 2에서 냉각관과 교반기를 구비한 플라스크에 반응성 실란으로 각각 실릴트리에톡시실란 10 중량부, 테트라에톡시실란 90 중량부를 넣은 것을 제외하고는 상기 합성예 2와 동일한 방법으로 실시하였다. 이를 통해 폴리스티렌 환산중량평균분자량(MW)이 25000인 실록산계 공중합체(J)을 제조하였다.
비교합성예 2 ( 실록산계 공중합체(K)의 제조)
상기 합성예 1에서 냉각관과 교반기를 구비한 플라스크에 반응성 실란으로 각각 페닐트리에톡시실란 70 중량부, n-헥실트리메톡시실란 30 중량부를 넣은 것을 제외하고는 상기 합성예 1와 동일한 방법으로 실시하였다. 이를 통해 폴리스티렌 환산중량평균분자량(MW)이 3000인 실록산계 공중합체(K)을 제조하였다
비교합성예 3 ( 실록산계 공중합체(L)의 제조)
상기 합성예 2에서 냉각관과 교반기를 구비한 플라스크에 반응성 실란으로 각각 부틸트리에톡시실란 90 중량부, 테트라에톡시실란 10 중량부를 넣은 것을 제외하고는 상기 합성예 2와 동일한 방법으로 실시하였다. 이를 통해 폴리스티렌 환산중량평균분자량(MW)이 1500인 실록산계 공중합체(L)을 제조하였다.
비교합성예 4 ( 실록산계 공중합체(M)의 제조)
상기 합성예 2에서 중합 완료 후 미반응 단량체 및 촉매가 함유된 상승액을 제거하지 않은 것을 제외하고는 상기 합성예 2와 동일한 방법으로 실시하였다. 이를 통해 폴리스티렌 환산중량평균분자량(MW)이 7000인 실록산계 공중합체(M)을 제조하였다.
비교합성예 5 (아크릴계 공중합체(A)의 제조)
냉각기와 교반기가 구비된 플라스크에 테트라하이드로퓨란 400 중량부, 메타크릴산 30 중량부와 스티렌 30 중량부, 및 글리시딜메타크릴레이트 40 중량부의 혼합 용액을 투입하였다. 상기 액상 조성물을 혼합 용기에서 충분히 혼합한 뒤, 2,2'-아조비스(2,4-디메틸발레로니트릴)를 15 중량부를 추가로 첨가하였다.
상기 중합 혼합용액을 55 ℃까지 천천히 상승시켜, 이 온도로 24시간 동안 유지 후 상온으로 냉각하고, 중합 금지제로 하이드로 벤조페논을 500 ppm 첨가하여 고형분 농도가 30 중량%인 중합체 용액을 얻었다.
다음 중합체 용액의 미반응 단량체를 제거하기 위하여 n-헥세인 1000 중량부를 사용하여 상기 중합체 용액의 100 중량부를 침전시켰다. 침전 이후, 메쉬를 이용한 여과 공정을 통해 미반응물이 용해된 용액를 제거하였다. 그 후, 여과 공정 이후에도 남아있는 미반응 단량체가 함유된 용매들을 제거하기 위하여 30도 이하에서 진공 건조를 실시하였다. 이를 통해 폴리스티렌 환산중량평균분자량(MW)이 8000인 아크릴계 공중합체(A)를 제조하였다.
비교합성예 6 ( 이미드계 공중합체(A)의 제조)
냉각기와 교반기가 구비된 플라스크에 감마부티로락톤 70 중량부, 다이아민인 4,4'-디아미노-3,3'-디메틸-디페닐메탄 100 중량부, 다이언하이드라이드인 2,2-비스(3,4-언하이드로디카르복시페닐)헥사플루오로프로판 100 중량부을 반응용기에 투입하고 상온에서 1시간동안 교반하며 반응시켰다. 말단의 반응을 종결하기 위해 프탈릭언하이드라이드 20 중량부를 추가로 투입 후 상온에서 1시간동안 추가 반응시킨후 반응을 종결시켰다. 이를 통해 폴리스티렌 환산중량평균분자량(MW)이 10000인 이미드계 공중합체(A)를 제조하였다.
실시예 1 (포지티브형 감광성 실록산 수지 조성물 제조)
상기 합성예 1에서 제조한 실록산계 공중합체(A) 100 중량부와 상기 합성예 10에서 제조한 1,2-나프토퀴논디아지드 화합물(A) 25 중량부를 넣고, 고형분 함량이 25 중량부가 되도록 프로필렌글리콜메틸에테르아세테이트로 혼합하여 용해시킨 후, 0.1 ㎛의 밀리포아 필터로 여과하여 포지티브형 감광성 실록산 수지 조성물을 제조하였다.
실시예 2 (포지티브형 감광성 실록산 수지 조성물 제조)
상기 실시예 1에서 합성예 1의 실록산계 공중합체(A) 대신하여 합성예 2의 실록산계 공중합체(B)을 사용한 것을 제외하고는 상기 실시예 1과 동일한 방법으로 제조하였다.
실시예 3 (포지티브형 감광성 실록산 수지 조성물 제조)
상기 실시예 1에서 합성예 1의 실록산계 공중합체(A) 대신하여 합성예 3의 실록산계 공중합체(C)을 사용한 것을 제외하고는 상기 실시예 1과 동일한 방법으로 제조하였다.
실시예 4 (포지티브형 감광성 실록산 수지 조성물 제조)
상기 실시예 1에서 합성예 1의 실록산계 공중합체(A) 대신하여 합성예 4의 실록산계 공중합체(D)을 사용한 것을 제외하고는 상기 실시예 1과 동일한 방법으로 제조하였다.
실시예 5 (포지티브형 감광성 실록산 수지 조성물 제조)
상기 실시예 1에서 합성예 1의 실록산계 공중합체(A) 대신하여 합성예 5의 실록산계 공중합체(E)을 사용한 것을 제외하고는 상기 실시예 1과 동일한 방법으로 제조하였다.
실시예 6 (포지티브형 감광성 실록산 수지 조성물 제조)
상기 실시예 1에서 합성예 1의 실록산계 공중합체(A) 대신하여 합성예 6의 실록산계 공중합체(F)을 사용한 것을 제외하고는 상기 실시예 1과 동일한 방법으로 제조하였다.
실시예 7 (포지티브형 감광성 실록산 수지 조성물 제조)
상기 실시예 1에서 합성예 1의 실록산계 공중합체(A) 대신하여 합성예 7의 실록산계 공중합체(G)을 사용한 것을 제외하고는 상기 실시예 1과 동일한 방법으로 제조하였다.
실시예 8 (포지티브형 감광성 실록산 수지 조성물 제조)
상기 실시예 1에서 합성예 1의 실록산계 공중합체(A) 대신하여 합성예 8의 실록산계 공중합체(H)을 사용한 것을 제외하고는 상기 실시예 1과 동일한 방법으로 제조하였다.
실시예 9 (포지티브형 감광성 실록산 수지 조성물 제조)
상기 실시예 1에서 합성예 1의 실록산계 공중합체(A) 대신하여 합성예 9의 실록산계 공중합체(I)을 사용한 것을 제외하고는 상기 실시예 1과 동일한 방법으로 제조하였다.
실시예 10 (포지티브형 감광성 실록산 수지 조성물 제조)
상기 실시예 1에서 합성예 10의 1,2-나프토퀴논디아지드-5-술폰산 에스테르 화합물(A)를 대신하여 합성예 11의 1,2-나프토퀴논디아지드-5-술폰산 에스테르 화합물(B)을 사용한 것을 제외하고는 상기 실시예 1과 동일한 방법으로 제조하였다.
실시예 11 (포지티브형 감광성 실록산 수지 조성물 제조)
상기 실시예 1에서 감광성 수지 조성물 제조시 실란커플링제로 2-(3,4-에폭시 사이클로헥실)에틸트리메톡시실란 5 중량부를 추가로 사용한 것을 제외하고는 상기 실시예 1과 동일한 방법으로 실시하여 감광성 수지 조성물을 제조하였다.
비교예 1 (포지티브형 감광성 실록산 수지 조성물 제조)
상기 실시예 1에서 합성예 1의 실록산계 공중합체(A) 대신하여 비교합성예 1의 실록산계 공중합체(J)를 사용한 것을 제외하고는 상기 실시예 1과 동일한 방법으로 제조하였다.
비교예 2 (포지티브형 감광성 실록산 수지 조성물 제조)
상기 실시예 1에서 합성예 1의 실록산계 공중합체(A) 대신하여 비교합성예 2의 실록산계 공중합체(K)를 사용한 것을 제외하고는 상기 실시예 1과 동일한 방법으로 제조하였다.
비교예 3 (포지티브형 감광성 실록산 수지 조성물 제조)
상기 실시예 1에서 합성예 1의 실록산계 공중합체(A) 대신하여 비교합성예 3의 실록산계 공중합체(L)를 사용한 것을 제외하고는 상기 실시예 1과 동일한 방법으로 제조하였다.
비교예 4 (포지티브형 감광성 실록산 수지 조성물 제조)
상기 실시예 1에서 합성예 1의 실록산계 공중합체(A) 대신하여 비교합성예 4의 실록산계 공중합체(M)를 사용한 것을 제외하고는 상기 실시예 1과 동일한 방법으로 제조하였다.
비교예 5 (포지티브형 감광성 아크릴 수지 조성물 제조)
상기 실시예 1에서 합성예 1의 실록산계 공중합체(A) 대신하여 비교합성예 5의 아크릴계 공중합체(A)를 사용한 것을 제외하고는 상기 실시예 1과 동일한 방법으로 제조하였다.
비교예 6 (포지티브형 감광성 폴리이미드 수지 조성물 제조)
상기 실시예 1에서 합성예 1의 실록산계 공중합체(A) 대신하여 비교합성예 6의 이미드계 공중합체(A)를 사용한 것을 제외하고는 상기 실시예 1과 동일한 방법으로 제조하였다.
이상에서 설명한 실시예 1 내지 11 및 비교예 1 내지 6에 대하여 감도, 해상도, 접착력, 투과도, 내열 변색성, 수분 흡습률 및 내열성 등의 물성을 측정하여 하기 표 1에 나타내었다.
글래스(glass) 기판 상에 스핀 코터를 사용하여 실시예 1 내지 11 및 비교예 1 내지 5에서 제조한 포지티브형 감광성 실록산 수지 조성물 및 포지티브형 감광성 아크릴 수지 조성물을 도포한 뒤, 진공 건조(Vacuum Drying) 후100 ℃로 2분간 핫 플레이트상에서 프리-베이크(pre-bake)하여 두께가 4.0 ㎛인 막을 형성하였다.
가) 감도 : 위와 같이 형성된 막에 소정 패턴 마스크(pattern mask)를 사용하여 강도가 20 ㎽/㎠인 자외선을 5 ㎛ 컨택홀을 형성하기 위한 조사량을 조사한 후, 테트라메틸암모늄히드록시드 2.38 중량%의 수용액으로 23 ℃에서 1분간 현상하고, 초순수로 1분간 세정하였다.
그 다음, 상기에서 현상된 패턴에 강도가 20 ㎽/㎠인 자외선을 500 mJ/㎠ 조사하고, 오븐에서 230 ℃로 60분간 경화시켜 두께가 3.5 ㎛이고, 컨택홀 크기가 5 ㎛인 패턴 막을 얻었다.
이때 5 ㎛ 컨택홀을 형성하기 위한 조사량을 측정하였다.
나) 해상도 : 상기 가)의 감도 측정시 형성된 컨택홀의 최소 크기를 측정하였다.
다) 접착력 : 상기 가)의 감도 측정시와 동일한 방법으로 패턴(Pattern)막을 형성하되 10 ㎛ 선폭 및 슬릿폭이 1:1인 경우를 기준으로 베이크 온도에 따른 접착력을 비교하였다. 이때, 프리베이크 90℃ 내지 100℃ 에서 접착력이 확보되는 경우를 ○, 프리베이크 105 내지 115℃ 에서 접착력이 확보되는 경우를 △, 프리베이크 120℃ 이상에서 접착력이 확보되거나 그렇지 않은 경우를 × 로 표시하였다.
라) 투과도 : 투과도의 평가는 상기 가)의 감도 측정시 형성된 패턴(Pattern)막을 분광광도계를 이용하여 패턴 막의 400 ㎚의 투과율을 측정하였다. 이때의 투과율가 90% 이상인 경우를 ○, 85 ~ 90%인 경우를 △, 80% 미만은 경우를 × 로 표시하였다.
마) 내열 변색성 : 상기 라)의 투과도 평가시의 측정 기판을 300 ℃의 오븐에서 60분 동안 추가 경화하여 경화 전,후 400 nm 투과율 변화에 의한 내열 변색성을 평가하였다. 이때의 변화율이 5% 미만인 경우를 ○, 5 ~ 10%인 경우를 △, 10% 를 넘는 경우를 × 로 표시하였다.
바) 수분 흡습률 : 상기 가)의 감도 측정시와 동일한 방법으로 형성된 패턴(Pattern)막을 25 ℃ 의 항온 수조에 24시간 동안 침지(dipping)시킨 전, 후에 대해 무게 변화를 측정하고 이를 통해 수분 흡습률을 평가하였다. 이때의 변화율이 0.1% 미만인 경우를 ○, 0.1 ~ 0.5%인 경우를 △, 0.5% 를 넘는 경우를 × 로 표시하였다.
사) 내열성 : 내열성은 TGA를 이용하여 측정하였다. 상기 가)의 감도 측정시 형성된 패턴(Pattern)막을 샘플링 한 후, TGA를 이용하여 상온에서 900 ℃까지 분당 10 ℃씩 승온하였다. 열분해 온도 (Td)가 450 ℃ 이상인 경우를 ○, 열분해 온도 (Td)가 350~400 ℃인 경우를 △, 열분해 온도 (Td)가 350 ℃ 미만인 경우를 × 로 나타내었다.
구분 감도
(mJ/cm2)		 해상도
(um)		 접착력 투과도 내열
변색성		 수분
흡습율		 내열성
실시예 1 70 2 ○ ○ ○ ○ ○
실시예 2 75 2 ○ ○ ○ ○ ○
실시예 3 70 2 ○ ○ ○ ○ ○
실시예 4 70 2 ○ ○ ○ ○ ○
실시예 5 75 2 ○ ○ ○ ○ ○
실시예 6 75 2 ○ ○ ○ ○ ○
실시예 7 75 2 ○ ○ ○ ○ ○
실시예 8 75 2 ○ ○ ○ ○ ○
실시예 9 70 2 ○ ○ ○ ○ ○
실시예 10 80 2 ○ ○ ○ ○ ○
실시예 11 75 2 ○ ○ ○ ○ ○
비교예 1 140 3 × ○ ○ × ○
비교예 2 135 3 × ○ ○ × ×
비교예 3 125 3 × ○ ○ × ×
비교예 4 80 3 × ○ ○ × ×
비교예 5 140 3 ○ ○ × × ×
비교예 6 150 3 × × × △ △
상기 표 1을 통하여, 본 발명에 따라 실시예 1 내지 11에서 제조한 포지티브형 감광성 실록산 수지 조성물은 비교예 1 내지 3 및 비교예 5 내지 6 대비 감도가 우수하였고, 비교예 1 내지 6 대비 해상도가 우수하였다. 또한 비교예 1 내지 4 및 비교예 6 대비 접착력이 우수하였고, 비교예 6 대비 투과도, 비교예 5 내지 6 대비 내열 변색성이 우수하였다. 특히 비교예 1 내지 6과 비교하여 뛰어난 내열성으로 인한 가스 방출을 억제하고 낮은 수분 흡습율을 유지함으로써 향상된 신뢰성을 확보할 수 있었다.
이러한 평가를 통하여 상기 7가지의 모든 물성을 만족하는 재료는 실시예 1 내지 11에서 제조한 포지티브형 감광성 실록산 수지 조성물만이 가능함을 확인하였다.
다음, 본 발명의 실시예에 따른 포지티브형 감광성 실록산 수지 조성물이 포함하는 미반응 단량체 및 촉매 양에 대해 살펴본다. 미반응 단량체의 양은 기체 크로마토그래피(GC)를 통해 측정하고, 잔존 촉매의 양은 이온 크로마토그래피(IC)를 통해서 측정한다.
가) 감도 - 5um 크기의 컨택홀 패턴(Pattern)을 형성하기 위한 자외선 조사량이 80mJ이하인 경우를 ○, 80 ~ 100mJ인 경우를 △, 100mJ을 초과하는 경우를 X로 표시하였다.
나) 해상도 - 상기 가)의 감도 측정시 형성된 컨택홀 패턴(Pattern)의 최소 크기를 측정하였다. 최소 크기가 2μm이하인 경우를 ○, 3μm 이상인 경우를 X로 표시하였다.
다) 수분 흡습률 - 패턴(Pattern)을 25 ℃의 항온 수조에 24시간 동안 침지 전, 후에 대한 무게 변화를 측정하여 수분 흡습률을 평가하였다. 이때의 변화율이 0.1% 미만인 경우를 ○, 0.1 ~ 0.5%인 경우를 △, 0.5% 를 넘는 경우를 X로 표시하였다.
미반응 단량체 8% 8% 7% 9% 5% 4% 7% 3%
촉매 염산 2000ppm 질산 1450ppm 옥살산 1120ppm 아세트산 1460ppm 염산 2200ppm 질산 2360ppm 옥살산 2740ppm 아세트산 2230ppm
감도 80mJ 75mJ 73mJ 72mJ 105mJ 115mJ 105mJ 112mJ
○ ○ ○ ○ X X X X
해상도 2μm 2μm 2μm 2μm 3μm 4μm 3μm 3μm
○ ○ ○ ○ X X X X
수분흡습률 0.09% 0.08% 0.08% 0.06% 0.13% 0.27% 0.17% 0.23%
○ ○ ○ ○ △ △ △ △
미반응 단량체 10% 12% 15% 13% 15% 11% 13% 14%
촉매 염산 1250ppm 질산 950ppm 옥살산 1340ppm 아세트산 1215ppm 염산 3250ppm 질산 950ppm 옥살산 1340ppm 아세트산 1215ppm
감도 78mJ 75mJ 77mJ 78mJ 76mJ 75mJ 78mJ 80mJ
○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○
해상도 2μm 3μm 4μm 3μm 4μm 3μm 3μm 4μm
○ X X X X X X X
수분흡습률 0.05% 0.06% 0.07% 0.06% 0.57% 0.16% 0.21% 0.24%
○ ○ ○ ○ X △ △ △
상기 표 2 내지 표 3에 따르면 촉매로서 염산이 2200ppm인 실시예, 질산이 2360ppm인 실시예, 옥살산이 2740ppm인 실시예 및 아세트산이2230ppm인 실시예는 감도 및 해상도에 대한 물성이 적절하지 않았으며, 수분 흡습률 역시 좋지 않았다.
또한, 미반응 단량체의 양이 10% 이상인 실시예들 역시 해상도 또는 수분 흡습률에 대한 물성이 적절하지 않음을 확인할 수 있었다.
즉, 전술한 표에 따르면 미반응 단량체의 함량이 10% 이하이고, 촉매의 함량이 2000ppm 이하인 포지티브형 감광성 실록산 수지 조성물이 적절한 감도, 해상도 및 수분 흡습률을 제공할 수 있음을 확인하였다.
이상에서 본 발명의 바람직한 실시예에 대하여 상세하게 설명하였지만 본 발명의 권리범위는 이에 한정되는 것은 아니고 다음의 청구범위에서 정의하고 있는 본 발명의 기본 개념을 이용한 당업자의 여러 변형 및 개량 형태 또한 본 발명의 권리범위에 속하는 것이다
100 : 가요성 기판 120 : 버퍼층
121 : 제1 신호선 135 : 반도체
1355 : 채널 영역 1356 : 드레인 영역
140 : 게이트 절연막 155 : 게이트 전극
160 : 층간 절연막 171 : 제2 신호선
172 : 제3 신호선 176 : 소스 전극
177 : 드레인 전극 180 : 층간 절연막
200 : 제1 표시부 260 : 봉지 부재
510 : 구동부 1000 : 표시 장치

Claims (24)

  1. a) ⅰ) 하기 화학식 1로 표시되는 반응성 실란 1종 이상, 및 ⅱ) 하기 화학식 2로 표시되는 4관능 반응성 실란 1종 이상을 촉매 하에 가수 분해 및 축합 중합하여 얻어진 폴리스티렌 환산중량평균분자량(Mw)이 1,000 내지 20,000인 실록산계 공중합체;
    b) 1,2-퀴논디아지드 화합물; 및
    c) 용매,
    를 포함하는 포지티브형 감광성 실록산 수지 조성물:
    (R1)nSi(R2)4-n [화학식 1]
    Si(R3)4 [화학식 2]
    상기 R1은 서로 독립적으로 탄소수 1 내지10의 알킬기, 탄소수 6 내지15의 아릴기중 어느 하나이며, 상기 R2는 탄소수 1 내지4의 알콕시기, 페녹시, 또는 아세톡시이며, 상기 R3는 서로 독립적으로 탄소수 1 내지 4의 알콕시기, 페녹시, 또는 아세톡시기중 어느 하나이며, n은 1 내지 3의 자연수이다.
  2. 제1항에서,
    상기 실록산계 공중합체는,
    미반응 단량체 및 촉매를 제거하여 상기 미반응 단량체의 함량이 10% 이하이고, 상기 촉매의 함량이 2000ppm 이하인 포지티브형 감광성 실록산 수지 조성물.
  3. 제1항에서,
    상기 실록산계 공중합체의 열분해 온도(Td)가 450℃ 이상인 포지티브형 감광성 실록산 수지 조성물.
  4. 제1항에서,
    상기 실록산계 공중합체는 사다리 구조를 포함하고,
    상기 사다리 구조를 가지는 실록산계 공중합체의 비율은 전체 대비 30% 이상인 포지티브형 감광성 실록산 수지 조성물.
  5. 제1항에서,
    상기 실록산계 공중합체는 100 중량부를 포함하고, 상기 1,2-퀴논디아지드 화합물은 5 내지 50 중량부를 포함하며, 상기 용매는 고형분 함량이 10 내지 50 중량% 인 포지티브형 감광성 실록산 수지 조성물.
  6. 제1항에서,
    상기 실록산계 공중합체는,
    ⅰ) 상기 화학식 1로 표시되는 반응성 실란 20 내지 80 중량부, 및 ⅱ) 상기 화학식 2로 표시되는 4관능 반응성 실란 20 내지 80 중량부를 가수 분해 및 축합 중합한 포지티브형 감광성 실록산 수지 조성물.
  7. 제1항에서,
    상기 실록산계 공중합체는
    ⅲ) 하기 화학식 3으로 표시되는 반응성 실란을 5 내지 50 중량부 더 포함하는 포지티브형 감광성 실록산 수지 조성물:
    (R4)nSi(R5)4-n [화학식 3]
    상기 R4는 서로 독립적으로 비닐, 3-아크릴옥시알킬, 3-메타크릴옥시알킬, 1-(p-하이드록시 페닐)알킬, 2-(p-하이드록시 페닐)알킬, 3-글리시독시 알킬, 2-(3,4-에폭시 사이클로헥실)알킬, 3-이소시아네이트알킬, 옥세탄알킬이고, 상기 R5는 탄소수 1 내지 4의 알콕시기, 페녹시, 또는 아세톡시이며, n은 1 내지 3의 자연수이다.
  8. 제1항에서,
    상기 1,2-퀴논디아지드 화합물은 1,2-퀴논디아지드 4-술폰산 에스테르, 1,2-퀴논디아지드 5-술폰산 에스테르, 및 1,2-퀴논디아지드 6-술폰산 에스테르 중 적어도 하나 이상을 포함하는 포지티브형 감광성 실록산 수지 조성물.
  9. 제1항에서,
    상기 용매는 프로필렌글리콜메틸에테르 아세테이트, 프로필렌글리콜에틸에테르아세테이트, 프로필렌글리콜프로필 에테르아세테이트, 프로필렌글리콜메틸에테르프로피오네이트, 프로필렌글리콜에틸에테르프로피오네이트, 프로필렌글리콜프로필에테르프로피오네이트, 프로필렌글리콜메틸에테르, 프로필렌글리콜에틸에테르, 프로필렌글리콜프로필에테르, 프로필렌글리콜부틸에테르, 디에틸렌글리콜디에틸에테르, 디에틸렌글리콜메틸에틸에테르, 디프로필렌글리콜디메틸에테르, 디부틸렌글리콜디메틸에테르, 및 디부틸렌글리콜디에틸에테르, 디에틸렌글리콜부틸메틸에테르, 디에틸렌글리콜부틸에틸에테르, 트리에틸렌글리콜디메틸에테르, 트리에틸렌글리콜부틸메틸에테르, 디에틸렌글리콜터셔리부틸에테르, 테트라에틸렌글리콜디메틸에테르, 디프로필렌글리콜디에틸에테르, 디에틸렌글리콜에틸헥실에테르, 디에틸렌글리콜메틸헥실에테르, 디프로필렌글리콜부틸메틸에테르, 디프로필렌글리콜에틸헥실에테르 및 디프로필렌글리콜메틸헥실에테르 중 적어도 하나 이상을 포함하는 포지티브형 감광성 실록산 수지 조성물.
  10. 제1항에서,
    하기 화학식 4로 표시되는 d) 실란 커플링제를 1 내지 20 중량부를 더 포함하는 포지티브형 감광성 실록산 수지 조성물:
    (R6)nSi(R7)4-n [화학식 4]
    상기 R6은 서로 독립적으로 1-(p-하이드록시 페닐)알킬, 2-(p-하이드록시 페닐)알킬, 3-글리시독시 알킬, 2-(3,4-에폭시 사이클로헥실)알킬, 3-옥세탄 알킬, 3-이소시아네이트 알킬이고, 상기 R7은 탄소수 1~4의 알콕시기, 페녹시, 또는 아세톡시이며, n은 1 내지 3의 자연수이다.
  11. a) ⅰ) 하기 화학식 1로 표시되는 반응성 실란 1종 이상, 및 ⅱ) 하기 화학식 2로 표시되는 4관능 반응성 실란 1종 이상을 촉매 하에 가수 분해 및 축합 중합하여 실록산계 공중합체, b) 1,2-퀴논디아지드 화합물; 및 c) 용매를 포함하는 조성물을 형성하는 단계, 및
    상기 실록산계 공중합체에 대해 미반응 단량체 및 촉매를 제거하는 여과 단계를 포함하고,
    상기 실록산계 공중합체는 폴리스티렌 환산중량평균분자량(Mw)이 1,000 내지 20,000인 포지티브 감광성 실록산 수지 조성물의 제조 방법:
    (R1)nSi(R2)4-n [화학식 1]
    Si(R3)4 [화학식 2]
    상기 R1은 서로 독립적으로 탄소수 1 내지10의 알킬기, 탄소수 6 내지15의 아릴기중 어느 하나이며, 상기 R2는 탄소수 1 내지4의 알콕시기, 페녹시, 또는 아세톡시이며, 상기 R3는 서로 독립적으로 탄소수 1 내지 4의 알콕시기, 페녹시, 또는 아세톡시기중 어느 하나이며, n은 1 내지 3의 자연수이다.
  12. 제11항에서,
    상기 여과 단계는 상기 미반응 단량체의 함량이 10% 이하이고, 상기 촉매의 함량이 2000ppm 이하가 되도록 반복하는 포지티브형 감광성 실록산 수지 조성물의 제조 방법.
  13. 제11항에서,
    상기 실록산계 공중합체의 열분해 온도(Td)가 450℃ 이상인 포지티브형 감광성 실록산 수지 조성물의 제조 방법.
  14. 제11항에서,
    상기 실록산계 공중합체는 사다리 구조를 포함하고,
    상기 사다리 구조를 가지는 실록산계 공중합체의 비율은 전체 대비 30% 이상인 포지티브형 감광성 실록산 수지 조성물의 제조 방법.
  15. 제11항에서,
    상기 실록산계 공중합체는 100 중량부를 포함하고, 상기 1,2-퀴논디아지드 화합물은 5 내지 50 중량부를 포함하며, 상기 용매는 고형분 함량이 10 내지 50 중량% 인 포지티브형 감광성 실록산 수지 조성물의 제조 방법.
  16. 제11항에서,
    상기 실록산계 공중합체는,
    ⅰ) 상기 화학식 1로 표시되는 반응성 실란 20 내지 80 중량부, 및 ⅱ) 상기 화학식 2로 표시되는 4관능 반응성 실란 20 내지 80 중량부를 가수 분해 및 축합 중합한 포지티브형 감광성 실록산 수지 조성물의 제조 방법.
  17. 제11항에서,
    상기 실록산계 공중합체는
    ⅲ) 하기 화학식 3으로 표시되는 반응성 실란을 5 내지 50 중량부 더 포함하는 포지티브형 감광성 실록산 수지 조성물의 제조 방법:
    (R4)nSi(R5)4-n [화학식 3]
    상기 R4는 서로 독립적으로 비닐, 3-아크릴옥시알킬, 3-메타크릴옥시알킬, 1-(p-하이드록시 페닐)알킬, 2-(p-하이드록시 페닐)알킬, 3-글리시독시 알킬, 2-(3,4-에폭시 사이클로헥실)알킬, 3-이소시아네이트알킬, 옥세탄알킬이고, 상기 R5는 탄소수 1 내지 4의 알콕시기, 페녹시, 또는 아세톡시이며, n은 1 내지 3의 자연수이다.
  18. 제11항에서,
    하기 화학식 4로 표시되는 d) 실란 커플링제를 1 내지 20 중량부를 더 포함하는 포지티브형 감광성 실록산 수지 조성물의 제조 방법:
    (R6)nSi(R7)4-n [화학식 4]
    상기 R6은 서로 독립적으로 1-(p-하이드록시 페닐)알킬, 2-(p-하이드록시 페닐)알킬, 3-글리시독시 알킬, 2-(3,4-에폭시 사이클로헥실)알킬, 3-옥세탄 알킬, 3-이소시아네이트 알킬이고, 상기 R7은 탄소수 1~4의 알콕시기, 페녹시, 또는 아세톡시이며, n은 1 내지 3의 자연수이다.
  19. 절연 기판,
    상기 절연 기판 위에 위치하는 박막 트랜지스터,
    상기 박막 트랜지스터와 연결된 제1 전극,
    상기 제1 전극 위에 위치하며, 상기 제1 전극을 일부 노출하는 화소 정의막,
    상기 화소 정의막 위에 위치하는 유기 발광층, 및
    상기 유기 발광층 위에 위치하는 제2 전극을 포함하고,
    상기 화소 정의막은 포지티브형 감광성 실록산 수지 조성물을 포함하며,
    상기 포지티브형 감광성 실록산 수지 조성물은,
    a) ⅰ) 하기 화학식 1로 표시되는 반응성 실란 1종 이상, 및 ⅱ) 하기 화학식 2로 표시되는 4관능 반응성 실란 1종 이상을 촉매 하에 가수 분해 및 축합 중합하여 얻어진 폴리스티렌 환산중량평균분자량(Mw)이 1,000 내지 20,000인 실록산계 공중합체;
    b) 1,2-퀴논디아지드 화합물; 및
    c) 용매,
    를 포함하는 유기 발광 표시 장치:
    (R1)nSi(R2)4-n [화학식 1]
    Si(R3)4 [화학식 2]
    상기 R1은 서로 독립적으로 탄소수 1 내지10의 알킬기, 탄소수 6 내지15의 아릴기중 어느 하나이며, 상기 R2는 탄소수 1 내지4의 알콕시기, 페녹시, 또는 아세톡시이며, 상기 R3는 서로 독립적으로 탄소수 1 내지 4의 알콕시기, 페녹시, 또는 아세톡시기중 어느 하나이며, n은 1 내지 3의 자연수이다.
  20. 제19항에서,
    상기 실록산계 공중합체는,
    미반응 단량체 및 촉매를 제거하여 상기 미반응 단량체의 함량이 10% 이하이고, 상기 촉매의 함량이 2000ppm 이하인 유기 발광 표시 장치.
  21. 제19항에서,
    상기 실록산계 공중합체는 100 중량부를 포함하고, 상기 1,2-퀴논디아지드 화합물은 5 내지 50 중량부를 포함하며, 상기 용매는 고형분 함량이 10 내지 50 중량% 인 유기 발광 표시 장치.
  22. 제19항에서,
    상기 실록산계 공중합체는,
    ⅰ) 상기 화학식 1로 표시되는 반응성 실란 20 내지 80 중량부, 및 ⅱ) 상기 화학식 2로 표시되는 4관능 반응성 실란 20 내지 80 중량부를 가수 분해 및 축합 중합한 유기 발광 표시 장치.
  23. 제19항에서,
    상기 실록산계 공중합체는
    ⅲ) 하기 화학식 3으로 표시되는 반응성 실란을 5 내지 50 중량부 더 포함하는 유기 발광 표시 장치:
    (R4)nSi(R5)4-n [화학식 3]
    상기 R4는 서로 독립적으로 비닐, 3-아크릴옥시알킬, 3-메타크릴옥시알킬, 1-(p-하이드록시 페닐)알킬, 2-(p-하이드록시 페닐)알킬, 3-글리시독시 알킬, 2-(3,4-에폭시 사이클로헥실)알킬, 3-이소시아네이트알킬, 옥세탄알킬이고, 상기 R5는 탄소수 1 내지 4의 알콕시기, 페녹시, 또는 아세톡시이며, n은 1 내지 3의 자연수이다.
  24. 제19항에서,
    상기 포지티브형 감광성 실록산 수지 조성물은,
    하기 화학식 4로 표시되는 d) 실란 커플링제를 1 내지 20 중량부를 더 포함하는 유기 발광 표시 장치:
    (R6)nSi(R7)4-n [화학식 4]
    상기 R6은 서로 독립적으로 1-(p-하이드록시 페닐)알킬, 2-(p-하이드록시 페닐)알킬, 3-글리시독시 알킬, 2-(3,4-에폭시 사이클로헥실)알킬, 3-옥세탄 알킬, 3-이소시아네이트 알킬이고, R7은 탄소수 1~4의 알콕시기, 페녹시, 또는 아세톡시이며, n은 1 내지 3의 자연수이다.
KR1020150000726A 2015-01-05 2015-01-05 포지티브형 감광성 실록산 수지 조성물 및 이를 포함하는 표시 장치 KR102375191B1 (ko)

Priority Applications (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020150000726A KR102375191B1 (ko) 2015-01-05 2015-01-05 포지티브형 감광성 실록산 수지 조성물 및 이를 포함하는 표시 장치
US14/924,301 US9857682B2 (en) 2015-01-05 2015-10-27 Positive photosensitive siloxane resin composition and display device formed using the same
EP15197160.3A EP3040370B1 (en) 2015-01-05 2015-12-01 Positive photosensitive siloxane resin composition and display device formed using the same
CN201510940417.0A CN105759568B (zh) 2015-01-05 2015-12-16 阳性光敏硅氧烷树脂组合物及使用其形成的显示装置
JP2015257647A JP7018252B2 (ja) 2015-01-05 2015-12-29 ポジティブ型感光性シロキサン樹脂組成物

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020150000726A KR102375191B1 (ko) 2015-01-05 2015-01-05 포지티브형 감광성 실록산 수지 조성물 및 이를 포함하는 표시 장치

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20160084556A true KR20160084556A (ko) 2016-07-14
KR102375191B1 KR102375191B1 (ko) 2022-03-17

Family

ID=55236114

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020150000726A KR102375191B1 (ko) 2015-01-05 2015-01-05 포지티브형 감광성 실록산 수지 조성물 및 이를 포함하는 표시 장치

Country Status (5)

Country Link
US (1) US9857682B2 (ko)
EP (1) EP3040370B1 (ko)
JP (1) JP7018252B2 (ko)
KR (1) KR102375191B1 (ko)
CN (1) CN105759568B (ko)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20180076150A (ko) * 2016-12-27 2018-07-05 삼성에스디아이 주식회사 감광성 수지 조성물, 그로부터 형성된 경화막, 및 경화막을 갖는 전자 소자
WO2020141854A1 (ko) * 2018-12-31 2020-07-09 주식회사 동진쎄미켐 포지티브형 감광성 수지 조성물
WO2021071281A1 (ko) * 2019-10-11 2021-04-15 주식회사 동진쎄미켐 포지티브형 감광성 수지 조성물, 및 이를 이용한 디스플레이 소자

Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP3565014A4 (en) * 2016-12-27 2020-08-12 Momentive Performance Materials Korea Co., Ltd. ENCAPSULATION COMPOSITION FOR ORGANIC ELECTRONIC DEVICE AND ENCLOSURE MANUFACTURED THEREOF
KR20190081079A (ko) * 2017-12-29 2019-07-09 롬엔드하스전자재료코리아유한회사 포지티브형 감광성 수지 조성물 및 이를 이용한 경화막
KR20200037018A (ko) * 2018-09-28 2020-04-08 삼성디스플레이 주식회사 감광성 수지 조성물 및 이를 포함하는 표시 장치
KR20200064489A (ko) * 2018-11-29 2020-06-08 롬엔드하스전자재료코리아유한회사 포지티브형 감광성 수지 조성물 및 이로부터 제조된 경화막
JP6639724B1 (ja) * 2019-03-15 2020-02-05 メルク、パテント、ゲゼルシャフト、ミット、ベシュレンクテル、ハフツングＭｅｒｃｋ Ｐａｔｅｎｔ ＧｍｂＨ ポジ型感光性ポリシロキサン組成物
CN110098352B (zh) * 2019-05-17 2023-01-13 合肥京东方卓印科技有限公司 界定溶液、显示基板、显示装置和制备像素界定层方法
CN110634794B (zh) * 2019-09-27 2023-04-07 合肥鑫晟光电科技有限公司 显示面板的制造方法

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20100066808A (ko) * 2008-12-10 2010-06-18 주식회사 동진쎄미켐 포지티브형 감광성 유-무기 하이브리드 절연막 조성물
KR20120102090A (ko) * 2009-12-22 2012-09-17 도레이 카부시키가이샤 포지티브형 감광성 수지 조성물, 그것으로부터 형성된 경화막, 및 경화막을 갖는 소자
WO2013099785A1 (ja) * 2011-12-26 2013-07-04 東レ株式会社 感光性樹脂組成物および半導体素子の製造方法
KR20140049722A (ko) * 2012-10-18 2014-04-28 롬엔드하스전자재료코리아유한회사 포지티브형 감광성 수지 조성물 및 이로부터 제조된 경화막

Family Cites Families (26)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS59109565A (ja) * 1982-12-16 1984-06-25 Fujitsu Ltd コ−テイング樹脂溶液およびその製造方法
JPS61144639A (ja) * 1984-12-19 1986-07-02 Hitachi Ltd 放射線感応性組成物及びそれを用いたパタ−ン形成法
US5098816A (en) * 1989-10-10 1992-03-24 International Business Machines Corporation Method for forming a pattern of a photoresist
JP2646289B2 (ja) * 1990-06-01 1997-08-27 富士写真フイルム株式会社 レジスト組成物
DE69131658T2 (de) * 1990-06-25 2000-04-27 Matsushita Electronics Corp Licht- oder strahlungsempfindliche Zusammensetzung
EP0568476B1 (en) * 1992-04-30 1995-10-11 International Business Machines Corporation Silicon-containing positive resist and method of using the same in thin film packaging technology
KR20000076531A (ko) * 1999-01-28 2000-12-26 무네유키 가코우 포지티브형 실리콘 함유의 감광성 조성물
JP3543669B2 (ja) * 1999-03-31 2004-07-14 信越化学工業株式会社 絶縁膜形成用塗布液及び絶縁膜の形成方法
JP4270708B2 (ja) * 1999-04-23 2009-06-03 富士通株式会社 ケイ素含有ポリマ、その製造方法、それを用いたレジスト組成物、パターン形成方法および電子デバイスの製造方法
JP4982927B2 (ja) 2000-06-28 2012-07-25 東レ株式会社 表示装置
JP4373082B2 (ja) * 2001-12-28 2009-11-25 富士通株式会社 アルカリ可溶性シロキサン重合体、ポジ型レジスト組成物、レジストパターン及びその製造方法、並びに、電子回路装置及びその製造方法
TWI273352B (en) * 2002-01-24 2007-02-11 Jsr Corp Radiation sensitive composition for forming an insulating film, insulating film and display device
DE10393820T5 (de) * 2002-12-02 2005-10-27 Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd., Kawasaki Positiv arbeitende Photoresistzusammensetzung auf Siliconbasis vom chemischen Amplifizierungstyp
US20050196699A1 (en) * 2004-03-03 2005-09-08 Rohm And Haas Electronic Materials Llc Polymers and photoresists comprising same
EP1662322B1 (en) * 2004-11-26 2017-01-11 Toray Industries, Inc. Positive type photo-sensitive siloxane composition, curing film formed by the composition and device with the curing film
JP4240018B2 (ja) 2005-02-04 2009-03-18 セイコーエプソン株式会社 膜パターンの形成方法、デバイス及びその製造方法、電気光学装置、並びに電子機器
JP4345710B2 (ja) 2005-05-11 2009-10-14 セイコーエプソン株式会社 膜パターンの形成方法
JP4438685B2 (ja) 2005-05-23 2010-03-24 セイコーエプソン株式会社 透明導電膜とその形成方法、電気光学装置、及び電子機器
US8158981B2 (en) 2006-09-25 2012-04-17 Hitachi Chemical Company, Ltd. Radiation-sensitive composition, method of forming silica-based coating film, silica-based coating film, apparatus and member having silica-based coating film and photosensitizing agent for insulating film
JP5533232B2 (ja) * 2009-06-29 2014-06-25 Ｊｓｒ株式会社 ポジ型感放射線性組成物、硬化膜、層間絶縁膜、層間絶縁膜の形成方法、表示素子、及び層間絶縁膜形成用のシロキサンポリマー
JP5338532B2 (ja) * 2009-07-13 2013-11-13 Ｊｎｃ株式会社 ポジ型感光性組成物
JP5423802B2 (ja) 2009-09-29 2014-02-19 東レ株式会社 ポジ型感光性樹脂組成物、それを用いた硬化膜および光学デバイス
JP5707407B2 (ja) * 2010-08-24 2015-04-30 メルクパフォーマンスマテリアルズＩｐ合同会社 ポジ型感光性シロキサン組成物
CN103534646B (zh) * 2011-05-20 2016-04-20 默克专利有限公司 正型感光性硅氧烷组合物
JP5743858B2 (ja) * 2011-11-14 2015-07-01 丸善石油化学株式会社 低分子量レジスト用共重合体の製造方法
CN203850301U (zh) * 2014-04-30 2014-09-24 京东方科技集团股份有限公司 有源矩阵有机电致发光器件阵列基板和显示装置

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20100066808A (ko) * 2008-12-10 2010-06-18 주식회사 동진쎄미켐 포지티브형 감광성 유-무기 하이브리드 절연막 조성물
KR20120102090A (ko) * 2009-12-22 2012-09-17 도레이 카부시키가이샤 포지티브형 감광성 수지 조성물, 그것으로부터 형성된 경화막, 및 경화막을 갖는 소자
WO2013099785A1 (ja) * 2011-12-26 2013-07-04 東レ株式会社 感光性樹脂組成物および半導体素子の製造方法
KR20140049722A (ko) * 2012-10-18 2014-04-28 롬엔드하스전자재료코리아유한회사 포지티브형 감광성 수지 조성물 및 이로부터 제조된 경화막

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20180076150A (ko) * 2016-12-27 2018-07-05 삼성에스디아이 주식회사 감광성 수지 조성물, 그로부터 형성된 경화막, 및 경화막을 갖는 전자 소자
WO2020141854A1 (ko) * 2018-12-31 2020-07-09 주식회사 동진쎄미켐 포지티브형 감광성 수지 조성물
WO2021071281A1 (ko) * 2019-10-11 2021-04-15 주식회사 동진쎄미켐 포지티브형 감광성 수지 조성물, 및 이를 이용한 디스플레이 소자

Also Published As

Publication number Publication date
KR102375191B1 (ko) 2022-03-17
CN105759568B (zh) 2021-03-19
EP3040370A1 (en) 2016-07-06
JP2016126349A (ja) 2016-07-11
JP7018252B2 (ja) 2022-02-10
EP3040370B1 (en) 2019-02-06
US20160195810A1 (en) 2016-07-07
US9857682B2 (en) 2018-01-02
CN105759568A (zh) 2016-07-13

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR102375191B1 (ko) 포지티브형 감광성 실록산 수지 조성물 및 이를 포함하는 표시 장치
KR102121343B1 (ko) 네가티브형 감광성 수지 조성물, 경화막, 경화막을 구비하는 소자 및 표시 장치, 및 그의 제조 방법
JP6155823B2 (ja) 有機ｅｌ素子、感放射線性樹脂組成物および硬化膜
KR101729599B1 (ko) 감광성 수지 조성물, 이것을 사용한 패턴의 제조 방법
TWI611268B (zh) 負型感光性矽氧烷組成物、硬化膜之製造方法及硬化膜
JP2012511740A (ja) ポジティブ型感光性有機・無機ハイブリッド絶縁膜組成物
KR102302306B1 (ko) 보호막을 구비한 박막 트랜지스터 기판 및 이의 제조 방법
KR102579375B1 (ko) 감광성 수지 조성물, 이를 포함하는 유기 발광 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치의 제조 방법
JP2013210558A (ja) 化学増幅型ポジ型感光性樹脂組成物、硬化膜の製造方法、硬化膜、有機ｅｌ表示装置および液晶表示装置
KR20150103210A (ko) 감광성 수지 조성물, 이것을 사용한 경화막의 제조 방법, 경화막, 액정 표시 장치 및 유기 el 표시 장치
KR20200060466A (ko) 포지티브형 감광성 실록산 조성물 및 이를 사용하는 경화 막
KR101920642B1 (ko) 감광성 수지 조성물, 그로부터 형성된 경화막, 및 경화막을 갖는 소자
KR102369818B1 (ko) 포지티브형 감광성 실록산 수지 조성물
CN108732831B (zh) 树脂组合物、包括其的基板、元件及其制造方法
KR101930367B1 (ko) 감광성 수지 조성물, 그로부터 형성된 경화막, 및 경화막을 갖는 소자
KR101921143B1 (ko) 감광성 수지 조성물, 그로부터 형성된 경화막, 및 경화막을 갖는 소자
KR101862710B1 (ko) 감광성 수지 조성물, 그로부터 형성된 경화막, 및 경화막을 갖는 소자
KR20170069914A (ko) 감광성 수지 조성물, 그로부터 형성된 경화막, 및 경화막을 갖는 소자
KR101852458B1 (ko) 감광성 수지 조성물, 그로부터 형성된 경화막, 및 경화막을 갖는 소자
KR101906281B1 (ko) 감광성 수지 조성물, 그로부터 형성된 경화막, 및 경화막을 갖는 소자
KR101857144B1 (ko) 감광성 수지 조성물, 그로부터 형성된 경화막, 및 경화막을 갖는 소자
KR101988996B1 (ko) 감광성 수지 조성물, 그로부터 형성된 경화막, 및 상기 경화막을 갖는 전자 장치
JP2017143192A (ja) アレイ基板、表示素子、感放射線性樹脂組成物およびアレイ基板の製造方法
KR101850888B1 (ko) 감광성 수지 조성물, 그로부터 형성된 경화막, 및 경화막을 갖는 소자
KR20200083366A (ko) 포지티브형 감광성 수지 조성물

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant