KR20140049722A - 포지티브형 감광성 수지 조성물 및 이로부터 제조된 경화막 - Google Patents

포지티브형 감광성 수지 조성물 및 이로부터 제조된 경화막 Download PDF

Info

Publication number
KR20140049722A
KR20140049722A KR1020120115875A KR20120115875A KR20140049722A KR 20140049722 A KR20140049722 A KR 20140049722A KR 1020120115875 A KR1020120115875 A KR 1020120115875A KR 20120115875 A KR20120115875 A KR 20120115875A KR 20140049722 A KR20140049722 A KR 20140049722A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
group
resin composition
photosensitive resin
compound
weight
Prior art date
Application number
KR1020120115875A
Other languages
English (en)
Inventor
김응곤
김성기
유선
Original Assignee
롬엔드하스전자재료코리아유한회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 롬엔드하스전자재료코리아유한회사 filed Critical 롬엔드하스전자재료코리아유한회사
Priority to KR1020120115875A priority Critical patent/KR20140049722A/ko
Priority to US14/057,959 priority patent/US20140113230A1/en
Publication of KR20140049722A publication Critical patent/KR20140049722A/ko

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/0045—Photosensitive materials with organic non-macromolecular light-sensitive compounds not otherwise provided for, e.g. dissolution inhibitors
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/022—Quinonediazides
    • G03F7/0226—Quinonediazides characterised by the non-macromolecular additives
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/022—Quinonediazides
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/022—Quinonediazides
    • G03F7/023—Macromolecular quinonediazides; Macromolecular additives, e.g. binders
    • G03F7/0233—Macromolecular quinonediazides; Macromolecular additives, e.g. binders characterised by the polymeric binders or the macromolecular additives other than the macromolecular quinonediazides
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/039—Macromolecular compounds which are photodegradable, e.g. positive electron resists
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/039—Macromolecular compounds which are photodegradable, e.g. positive electron resists
    • G03F7/0392—Macromolecular compounds which are photodegradable, e.g. positive electron resists the macromolecular compound being present in a chemically amplified positive photoresist composition
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/075—Silicon-containing compounds
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/075—Silicon-containing compounds
    • G03F7/0755—Non-macromolecular compounds containing Si-O, Si-C or Si-N bonds
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/075—Silicon-containing compounds
    • G03F7/0757—Macromolecular compounds containing Si-O, Si-C or Si-N bonds

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Materials For Photolithography (AREA)

Abstract

본 발명은 포지티브형 감광성 수지 조성물 및 이로부터 제조된 경화막에 관한 것으로, (A1) 화학식 1로 표시되는 실란 화합물, 그의 가수분해물 및 이 가수분해물의 축합물로 이루어지는 군에서 선택된 하나 이상의 화합물, (A2) 1,2-퀴논디아지드 화합물, 및 (A3) 화학식 2로 표시되는 아미노계 실란 커플링제를 포함하는 본 발명의 감광성 수지 조성물로부터 제조된 경화막은 실리콘 질화막(SiNx) 기판에 대해 접착력이 우수할 뿐만 아니라 패턴 현상성, 내열성 및 광 투과율의 측면에서 우수한 물성을 가져 전자부품의 보호막 등으로서 유용하게 사용될 수 있다.

Description

포지티브형 감광성 수지 조성물 및 이로부터 제조된 경화막 {POSITIVE-TYPE PHOTOSENSITIVE RESIN COMPOSITION AND HARDENED OVERCOAT LAYER PREPARED THEREFROM}
본 발명은 실리콘 질화막(SiNx) 기판에 대해 접착력이 우수한 포지티브형 감광성 수지 조성물 및 이로부터 제조된 경화막에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 액정표시장치나 유기EL표시장치 등의 박막 트랜지스터(TFT) 기판용 평탄화막, 유기EL표시장치의 격벽, 반도체 소자의 층간 절연막, 및 광도파로의 코어나 클래딩재를 형성하기 위한 포지티브형 감광성 수지 조성물, 및 이로부터 제조된 경화막에 관한 것이다.
최근 액정표시장치나 유기EL표시장치 등에 있어서 한층 더 고정밀ㆍ고해상도를 실현하기 위한 방법으로서 표시장치의 개구율을 올리는 방법이 알려져 있다(미국 특허 제5953084호 공보). 이것은, 투명한 평탄화막을 TFT 기판의 상부에 보호막으로 설치함으로써, 데이터 라인과 화소 전극의 오버랩을 가능하게 하여 종래 기술에 비해 개구율을 올리는 방법이다.
이러한 표시장치의 TFT 기판용 평탄화막의 재료로서 고내열성, 고투명성, 저유전율을 동시에 갖는 재료가 필요로 되는데, 종래에는 페놀계 수지와 퀴논디아지드 화합물을 조합한 재료(일본 특허 공개 평7-98502호 공보), 또는 아크릴계 수지와 퀴논디아지드 화합물을 조합한 재료(일본 특허 공개 평10-153854호 및 일본 특허 공개 제2001-281853호 공보) 등이 주로 사용되었다. 그러나, 이들 재료는 내열성이 불충분하여, 이로부터 얻어진 경화막이 기판의 고온 처리에 의해 착색됨으로써 투명성이 저하된다는 문제가 있다.
한편, 고내열성, 고투명성, 저유전율을 동시에 갖는 재료로서 실록산 중합체가 알려져 있다. 실록산 중합체에 포지티브형의 감광성을 부여하기 위해서 퀴논디아지드 화합물을 조합한 예로서, 실록산 중합체와 퀴논디아지드 화합물을 조합한 재료(미국 특허 공개 제2003/211407호 공보), 환화 열 부가 반응에 의해 카복실기 등을 부가시킨 실록산 중합체와 퀴논디아지드 화합물을 조합한 재료(일본 특허 공개 평3-59667호 공보)가 알려져 있다. 그러나, 이들 재료는, 다량의 퀴논디아지드 화합물의 함유 또는 실록산 중합체 중에 존재하는 카복실기에 기인하여, 도포막의 백화나 열경화시에 착색이 일어나기 쉬워 고투명성 재료로서 이용할 수 없을 뿐 아니라, 낮은 투명성 때문에 패턴 형성시 감도가 낮다는 문제가 있었다.
따라서, 이에 대한 대체제로서 카복실기를 배제시킨 유기실록산이 이용되고 있다. 이러한 유기실록산은 카복실기를 갖는 실록산의 단점들은 갖지 않지만, 고해상도 미세 패턴 형성시 실리콘 질화막(SiNx) 기판에 대한 접착력이 떨어진다는 단점을 갖는다.
미국 특허 제5953084호 일본 특허 공개 평7-98502호 일본 특허 공개 평10-153854호 일본 특허 공개 제2001-281853호 미국 특허 공개 제2003/211407호 일본 특허 공개 평3-59667호
따라서, 본 발명의 목적은 실리콘 질화막(SiNx) 기판에 대해 접착력이 우수할 뿐만 아니라 패턴 현상성, 내열성 및 광 투과율의 측면에서도 우수한 물성을 나타낼 수 있는 포지티브형 감광성 수지 조성물, 및 이로부터 제조된 경화막을 제공하는 것이다.
상기 목적을 달성하기 위하여 본 발명은,
(A1) 하기 화학식 1로 표시되는 실란 화합물, 그의 가수분해물 및 이 가수분해물의 축합물로 이루어지는 군에서 선택된 하나 이상의 화합물,
(A2) 1,2-퀴논디아지드 화합물, 및
(A3) 하기 화학식 2로 표시되는 아미노계 실란 커플링제
를 포함하는 감광성 수지 조성물을 제공한다:
Figure pat00001
상기 식에서, R은 탄소수 1 내지 12의 비가수분해성 유기기이고, X는 가수분해성기이고, p는 0 내지 3의 정수이다.
Figure pat00002
상기 식에서, R2는 헤테로 원자를 갖거나 갖지 않는 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 15의 탄화수소기이며, R1 및 R3는 각각 독립적으로 수소원자 또는 탄소수 1 내지 12의 유기기이다.
본 발명은 또한 상기 감광성 수지 조성물로부터 제조된 경화막을 제공한다.
본 발명의 감광성 수지 조성물은 실리콘 질화막(SiNx) 기판에 대해 접착력이 우수할 뿐만 아니라 우수한 패턴 현상성, 내열성 및 광 투과율을 갖는 경화막을 형성할 수 있다. 이렇게 제조된 본 발명의 경화막은 액정표시장치나 유기EL표시장치 등의 박막 트랜지스터(TFT) 기판용 평탄화막, 유기EL표시장치의 격벽, 반도체 소자의 층간 절연막, 및 광도파로의 코어나 클래딩재로서 유용하게 사용될 수 있다.
이하, 본 발명의 구성 성분에 대하여 구체적으로 설명한다.
(A1) 실란계 화합물
본 발명에 사용되는 실란계 화합물은 하기 화학식 1로 표시되는 실란 화합물, 그의 가수분해물 및 이 가수분해물의 축합물로 이루어지는 군에서 선택된 하나 이상의 화합물이며, 화학식 1의 실란 화합물의 가수분해물 또는 이 가수분해물의 축합물인 것이 바람직하다:
[화학식 1]
(R)pSi(X)4-p
상기 식에서, R은 탄소수 1 내지 12의 비가수분해성 유기기이고, X는 가수분해성기이고, p는 0 내지 3의 정수이다.
R로 표시되는 비가수분해성 유기기의 예로는 탄소수 1 내지 12의 알킬기, 탄소수 6 내지 12의 아릴기, 탄소수 7 내지 12의 아릴알킬기 및 탄소수 7 내지 12의 알킬아릴기를 들 수 있으며, 이들은 선형, 분지형 또는 환형일 수 있고, 복수개의 R이 동일한 분자 내에 존재할 경우 조합되어 존재할 수 있다. R은 헤테로 원자를 갖는 구조 단위를 함유할 수 있으며, 구조 단위의 예로는 에테르, 에스테르 및 설파이드가 포함된다. R에 요구되는 비가수분해성은 가수분해성 X가 가수분해되는 조건하에서 안정하게 존재할 수 있는 성질을 의미한다.
X로 표시되는 가수분해성기는 일반적으로 과잉의 물 존재하에 촉매없이 실온(25℃) 내지 100℃에서 가열됨으로써, 가수분해되어 실라놀기를 형성할 수 있는 기 또는 축합물을 형성할 수 있는 기이다. 이러한 가수분해성기의 예로는 수소원자, 할로겐원자, 탄소수 1 내지 12의 알콕시기, 아미노기 및 탄소수 2 내지 12의 아실옥시기를 들 수 있다.
상기 p는 0 내지 3, 바람직하게는 0 내지 2의 정수, 더욱 바람직하게는 1이다.
상기 화학식 1로 표시되는 실란 화합물은, 예를 들면 4개의 가수분해성기로 치환된 실란 화합물, 1개의 비가수분해성기와 3개의 가수분해성기로 치환된 실란 화합물, 2개의 비가수분해성기와 2개의 가수분해성기로 치환된 실란 화합물, 또는 3개의 비가수분해성기와 1개의 가수분해성기로 치환된 실란 화합물이다.
이러한 실란 화합물의 구체예로는, 예를 들면, 4개의 가수분해성기로 치환된 실란 화합물로서 테트라클로로실란, 테트라아미노실란, 테트라아세톡시실란, 테트라메톡시실란, 테트라에톡시실란, 테트라부톡시실란, 테트라페녹시실란, 테트라벤질옥시실란 및 테트라프로폭시실란; 1개의 비가수분해성기와 3개의 가수분해성기로 치환된 실란 화합물로서 메틸트리클로로실란, 메틸트리메톡시실란, 메틸트리에톡시실란, 메틸트리이소프로폭시실란, 메틸트리부톡시실란, 에틸트리메톡시실란, 에틸트리에톡시실란, 에틸트리이소프로폭시실란, 에틸트리부톡시실란, 부틸트리메톡시실란, 펜타플루오로페닐트리메톡시실란, 페닐트리메톡시실란, 페닐트리에톡시실란, d3-메틸트리메톡시실란, 노나플루오로부틸에틸트리메톡시실란 및 트리플루오로메틸트리메톡시실란; 2개의 비가수분해성기와 2개의 가수분해성기로 치환된 실란 화합물로서 디메틸디클로로실란, 디메틸디아미노실란, 디메틸디아세톡시실란, 디메틸디메톡시실란, 디페닐디메톡시실란 및 디부틸디메톡시실란; 3개의 비가수분해성기와 1개의 가수분해성기로 치환된 실란 화합물로서 트리메틸클로로실란, 헥사메틸디실라잔, 트리메틸실란, 트리부틸실란, 트리메틸메톡시실란 및 트리부틸에톡시실란이 포함된다.
이들 중에서, 1개의 비가수분해성기와 3개의 가수분해성기로 치환된 실란 화합물이 바람직하고, 메틸트리메톡시실란, 메틸트리에톡시실란, 메틸트리이소프로폭시실란, 메틸트리부톡시실란, 페닐트리메톡시실란, 에틸트리메톡시실란, 에틸트리에톡시실란, 에틸트리이소프로폭시실란, 에틸트리부톡시실란 및 부틸트리메톡시실란이 특히 바람직하다. 이러한 실란 화합물은 단독으로 또는 2종 이상 조합하여 사용할 수도 있다.
바람직하게는, 본 발명에 사용되는 실란계 화합물은 하기 화학식 3 내지 5로 표시되는 실록산 단위 중에서 선택된 1종 이상의 실록산 단위를 포함하는 폴리실록산일 수 있다:
Figure pat00003
Figure pat00004
Figure pat00005
상기 식에서, R은 각각 독립적으로 수소원자, C1-C12 알킬기, C3-C12 시클로알킬기, C6-C12 아릴기, C7-C12 알킬아릴기 또는 C7-C12 아릴알킬기이고, 바람직하게는 수소원자, C1-C12 알킬기 또는 C6-C12 아릴기이고, 보다 바람직하게는 C1-C3 알킬기 또는 C6-C10 아릴기이고, 특히 바람직하게는 메틸기, 에틸기 또는 페닐기이다.
보다 바람직하게는, 우수한 내열성의 측면에서, 본 발명에 사용되는 실란계 화합물은 하기 화학식 5로 표시되는 실록산 단위를 포함하는 폴리실록산일 수 있다. 이 폴리실록산은 화학식 5의 실록산 단위 대 기타 실록산 단위를 0.05 내지 0.5 대 0.95 내지 0.5의 몰비로 포함할 수 있다. 상기 범위에서 내열성 및 내크랙성의 면에서 바람직하다.
폴리실록산의 중량평균분자량은 1,000 내지 500,000, 바람직하게는 1,000 내지 100,000, 보다 바람직하게는 2,000 내지 50,000일 수 있다. 폴리실록산의 중량평균분자량이 1,000 이상인 경우 경화시 표면에 크랙이 발생하지 않고, 바람직한 경화막의 두께를 구현할 수 있다. 또한, 중량평균분자량이 500,000 이하일 때, 코팅에 필요한 점도를 유지하여 표면 평탄화성을 개선할 수 있다.
실란계 화합물의 함량은 잔부량의 용매를 제외한 감광성 수지 조성물 전체 중량에 대하여 1 내지 60 중량%이고, 바람직하게는 5 내지 50 중량%이다. 상기 범위에서 현상성이 적절히 조절되어 잔막 형성과 패턴의 해상도가 우수한 장점이 있다.
(A2) 1,2-퀴논디아지드 화합물(DNQ)
본 발명에 사용되는 1,2-퀴논디아지드 화합물은 예를 들면 레지스트 분야에서 감광제로서 사용되는 화합물을 이용할 수 있다. 그의 구체적인 예로는 페놀 화합물과 １,２-벤조퀴논디아지드-４-설폰산 또는 １,２-벤조퀴논디아지드-５-설폰산의 에스테르; 페놀 화합물과 １,２-나프토퀴논디아지드-４-설폰산 또는 １,２-나프토퀴논디아지드-５-설폰산의 에스테르; 페놀 화합물의 수산기를 아미노기로 치환한 화합물과 １,２-벤조퀴논디아지드-４-설폰산 또는 １,２-벤조퀴논디아지드-５-설폰산과의 설폰아미드; 또는 페놀 화합물의 수산기를 아미노기로 치환한 화합물과 １,２-나프토퀴논디아지드-４-설폰산 또는 １,２-나프토퀴논디아지드-５-설폰산의 설폰아미드 등을 들 수 있다. 상기의 물질들은 단독으로 사용되거나 둘 이상을 혼합하여 사용될 수도 있다.
상기 페놀 화합물의 예로는 ２,３,４-트리히드록시벤조페논, ２,４,６-트리히드록시벤조페논, ２,２',４,４'-테트라히드록시벤조페논, ２,３,３',４-테트라히드록시벤조페논, ２,３,４,４'-테트라히드록시벤조페논, 비스(２,４-디히드록시페닐)메탄, 비스(ｐ-히드록시페닐)메탄, 트리(ｐ-히드록시페닐)메탄, １,１,１-트리(ｐ-히드록시페닐)에탄, 비스(２,３,４-트리히드록시페닐)메탄, ２,２-비스(２,３,４-트리히드록시페닐)프로판, １,１,３-트리스(２,５-디메틸-４-히드록시페닐)-３-페닐프로판, ４,４'-[１-[４-[１-[４-히드록시페닐]-１-메틸에틸]페닐]에틸리덴]비스페놀, 비스(２,５-디메틸-４-히드록시페닐)-２-히드록시페닐메탄, ３,３,３',３'-테트라메틸-１,１'-스피로비인덴-５,６,７,５',６',７'-헥사놀, 및 ２,２,４-트리메틸-７,２',４'-트리히드록시플라반을 들 수 있다.
상기 １,２-퀴논디아지드 화합물로 ２,３,４-트리히드록시벤조페논과 １,２-나프토퀴논디아지드-４-설폰산의 에스테르, ２,３,４-트리히드록시벤조페논과 １,２-나프토퀴논디아지드-５-설폰산의 에스테르, ４,４'-[１-[４-[１-[４-히드록시페닐]-１-메틸에틸]페닐]에틸리덴]비스페놀과 １,２-나프토퀴논디아지드-４-설폰산과의 에스테르, 또는 ４,４'-[１-[４-[１-[４-히드록시페닐]-１-메틸에틸]페닐]에틸리덴]비스페놀과 １,２-나프토퀴논디아지드-５-설폰산과의 에스테르 등을 사용하면, 포지티브형 감광성 수지 조성물의 투명성이 향상될 수 있다. 이들은 단독으로 사용되거나 둘 이상을 혼합하여 사용할 수 있다.
이중에서도 ４,４'-[１-[４-[１-[４-히드록시페닐]-１-메틸에틸]페닐]에틸리덴]비스페놀과 １,２-나프토퀴논디아지드-４-설폰산과의 에스테르, ４,４'-[１-[４-[１-[４-히드록시페닐]-１-메틸에틸]페닐]에틸리덴]비스페놀과 １,２-나프토퀴논디아지드-５-설폰산과의 에스테르 또는 이의 혼합물이 투명성의 관점에서 바람직하다. 이의 상용품으로서는 TPA-520(미원상사(주))을 들 수 있다.
본 발명에 따른 포지티브형 감광성 수지 조성물은 상기 １,２-퀴논디아지드 화합물을 실란계 화합물(Ａ1) 고형분 100 중량부에 대하여 2 내지 50 중량부, 바람직하게는 5 내지 20 중량부의 양으로 포함할 수 있다. 상기 범위에서 패턴 형성이 용이하며, 도막 형성 후 도막 표면이 거칠어지지 않으며, 현상시 하단부에 스컴(scum) 등의 패턴 형상의 문제가 발생하지 않는다.
(A3) 아미노계 실란 커플링제
본 발명에 사용되는 아미노계 실란 커플링제는 하기 화학식 2로 표시되는 아미노기를 갖는 실란 커플링제이다:
[화학식 2]
Figure pat00006
상기 식에서, R2는 헤테로 원자를 갖거나 갖지 않는 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 15의 탄화수소기이며, R1 및 R3는 각각 독립적으로 수소원자 또는 탄소수 1 내지 12의 유기기이다. 이때 R1, R2 및 R3는 각각 선형, 분지형 또는 환형일 수 있다.
R1 또는 R3로 표시되는 유기기의 예로는 탄소수 1 내지 12의 알킬기, 탄소수 6 내지 12의 아릴기, 탄소수 7 내지 12의 아릴알킬기 및 탄소수 7 내지 12의 알킬아릴기를 들 수 있으며, 복수개의 R1 또는 R3가 각각 동일한 분자 내에 존재할 경우 조합되어 존재할 수 있다.
아미노계 실란 커플링제의 구체적인 예로는노프로필메틸디-i-프로필옥시실란, 3-아미노프로필메틸디아세톡시실란, 3-아미노프로필에틸디메톡시실란, 3-아미노프로필에틸디에톡시실란, 3-아미노프로필에틸디-n-프로필옥시실란, 3-아미노프로필에틸디-i-프로필옥시실란, 3-아미노프로필에틸디아세톡시실란, 3-아미노프로필에틸디(메톡시에톡시)실란, 3-아미노프로필페닐디메톡시실란, 3-아미노프로필페닐디에톡시실란, 3-아미노프로필페닐디-n-프로필옥시실란, 3-아미노프로필페닐디-i-프로필옥시실란, 3-아미노프로필페닐디아세톡시실란, 3-아미노프로필페닐디(메톡시에톡시)실란, N-2-(아미노에틸)-3-아미노프로필트리메톡시실란, N-2-(아미노에틸)-3-아미노프로필트리에톡시실란, N-2-(아미노에틸)-3-아미노프로필트리-n-프로필옥시실란, N-2-(아미노에틸)-3-아미노프로필트리-i-프로필옥시실란, N-2-(아미노에틸)-3-아미노프로필트리아세톡시실란, N-2-(아미노에틸)-3-아미노프로필트리(메톡시에톡시)실란, N-2-(아미노에틸)-3-아미노프로필메틸디메톡시실란, N-2-(아미노에틸)-3-아미노프로필메틸디에톡시실란, N-2-(아미노에틸)-3-아미노프로필메틸디-n-프로필옥시실란,N-2-(아미노에틸)-3-아미노프로필메틸디-i-프로필옥시실란, N-2-(아미노에틸)-3-아미노프로필메틸디아세톡시실란, N-2-(아미노에틸)-3-아미노프로필에틸디메톡시실란, N-2-(아미노에틸)-3-아미노프로필에틸디에톡시실란, N-2-(아미노에틸)-3-아미노프로필에틸디-n-프로필옥시실란, N-2-(아미노에틸)-3-아미노프로필에틸디-i-프로필옥시실란, N-2-(아미노에틸)-3-아미노프로필에틸디아세톡시실란, N-2-(아미노에틸)-3-아미노프로필에틸디(메톡시에톡시)실란, N-2-(아미노에틸)-3-아미노프로필페닐디메톡시실란, N-2-(아미노에틸)-3-아미노프로필페닐디에톡시실란, N-2-(아미노에틸)-3-아미노프로필페닐디-n-프로필옥시실란, N-2-(아미노에틸)-3-아미노프로필페닐디-i-프로필옥시실란, N-2-(아미노에틸)-3-아미노프로필페닐디아세톡시실란, N-2-(아미노에틸)-3-아미노프로필페닐디(메톡시에톡시)실란, N-페닐-3-아미노프로필트리메톡시실란, N-페닐-3-아미노프로필트리에톡시실란, N-페닐-3-아미노프로필트리-n-프로필옥시실란, N-페닐-3-아미노프로필트리-i-프로필옥시실란, N-페닐-3-아미노프로필트리아세톡시실란, N-페닐-3-아미노프로필트리(메톡시에톡시)실란, N-페닐-3-아미노프로필메틸디메톡시실란, N-페닐-3-아미노프로필메틸디에톡시실란, N-페닐-3-아미노프로필메틸디-n-프로필옥시실란, N-페닐-3-아미노프로필메틸디-i-프로필옥시실란, N-페닐-3-아미노프로필메틸디아세톡시실란, N-페닐-3-아미노프로필에틸디메톡시실란, N-페닐-3-아미노프로필에틸디에톡시실란, N-페닐-3-아미노프로필에틸디-n-프로필옥시실란, N-페닐-3-아미노프로필에틸디-i-프로필옥시실란, N-페닐-3-아미노프로필에틸디아세톡시실란, N-페닐-3-아미노프로필에틸디(메톡시에톡시)실란, N-페닐-3-아미노프로필페닐디메톡시실란, N-페닐-3-아미노프로필페닐디에톡시실란, N-페닐-3-아미노프로필페닐디-n-프로필옥시실란, N-페닐-3-아미노프로필페닐디-i-프로필옥시실란, N-페닐-3-아미노프로필페닐디아세톡시실란, N-페닐-3-아미노프로필페닐디(메톡시에톡시)실란 등을 들 수 있다. 이들은 단독으로 사용되거나 둘 이상을 혼합하여 사용할 수 있다.
본 발명에 따른 포지티브형 감광성 수지 조성물은 상기 아미노계 실란 커플링제를 실란계 화합물(Ａ1) 고형분 100 중량부에 대하여 0.02 내지 20 중량부, 바람직하게는 0.1 내지 10 중량부의 양으로 포함할 수 있다. 상기 범위에서 노광에 의한 경화가 충분히 이루어져 유기 절연막의 패턴을 얻기 용이하며, 유기 절연막이 하부층과 충분히 밀착되는 장점이 있다.
(4) 기타 성분
본 발명은 감광성 수지 조성물의 특성을 개선하기 위하여 기타 성분들을 추가로 포함할 수 있다. 예컨대, 상기 기타 성분들로는 (4-1) 계면활성제 및/또는 (4-2) 용매 등을 들 수 있다.
(4-1) 계면활성제
본 발명의 감광성 수지 조성물은 필요에 따라, 코팅성 향상 및 결점 생성 방지 효과를 위해 계면활성제를 추가로 포함할 수 있다.
상기 계면활성제의 종류는 특별히 한정되지 않으나, 바람직하게는 불소계 계면활성제, 실리콘계 계면활성제, 비이온계 계면활성제 및 그 밖의 계면활성제를 들 수 있다.
상기 계면활성제의 예로서는 BM-1000, BM-1100(BM CHEMIE사 제조), 메가팩 F142 D, 메가팩 F172, 메가팩 F173, 메가팩 F183, F-470, F-471, F-475, F-482, F-489(다이닛뽄잉크 가가꾸고교(주) 제조), 플로라드 FC-135, 플로라드 FC-170 C, 플로라드 FC-430, 플로라드 FC-431(스미또모 스리엠(주) 제조), 서프론 S-112, 서프론 S-113, 서프론 S-131, 서프론 S-141, 서프론 S-145, 서프론 S-382, 서프론 SC-101, 서프론 SC-102, 서프론 SC-103, 서프론 SC-104, 서프론 SC-105, 서프론 SC-106(아사히 가라스(주) 제조), 에프톱 EF301, 에프톱 303, 에프톱 352(신아끼따 가세이(주) 제조), SH-28 PA, SH-190, SH-193, SZ-6032, SF-8428, DC-57, DC-190(도레 실리콘(주) 제조), DC3PA, DC7PA, SH11PA, SH21PA, SH8400, FZ-2100, FZ-2110, FZ-2122, FZ-2222, FZ-2233(다우코닝도레이 실리콘사(주) 제조), TSF-4440, TSF-4300, TSF-4445, TSF-4446, TSF-4460, TSF-4452(GE 도시바 실리콘사(주) 제조), 및 BYK-333(BYK사(주) 제조) 등의 불소계 및 실리콘계 계면활성제; 폴리옥시에틸렌라우릴에테르, 폴리옥시에틸렌스테아릴에테르, 폴리옥시에틸렌올레일에테르 등의 폴리옥시에틸렌알킬에테르류, 폴리옥시에틸렌옥틸페닐에테르, 폴리옥시에틸렌노닐페닐에테르 등의 폴리옥시에틸렌아릴에테르류, 및 폴리옥시에틸렌디라우레이트, 폴리옥시에틸렌디스테아레이트 등의 폴리옥시에틸렌디알킬에스테르류 등의 비이온계 계면활성제; 및 오르가노실록산 폴리머 KP341 (신에쓰 가가꾸고교(주) 제조), (메트)아크릴산계 공중합체 폴리플로우 No. 57, 95 (교에이샤 유지 가가꾸고교(주) 제조) 등을 들 수 있다. 이들은 단독으로 또는 2종 이상을 조합하여 사용할 수 있다.
본 발명에 따른 포지티브형 감광성 수지 조성물은 상기 계면활성제를 실란계 화합물(Ａ1) 고형분 100 중량부에 대하여 0.001 내지 5 중량부, 바람직하게는 0.05 내지 1 중량부의 양으로 포함할 수 있다. 상기 계면활성제의 함량이 0.001 중량부 이상일 때 도포성이 향상되고 도포된 표면에 크랙이 발생하지 않으며, 5 중량부 이하일 때 가격적 측면에서 유리하다.
(4-2) 용매
본 발명의 감광성 수지 조성물은 조성물 총 중량을 기준으로 고형분 함량이 10 내지 70 중량%, 바람직하게는 15 내지 60 중량%가 되도록 용매, 특히 유기용매를 포함할 수 있다. 상기 고형분은 본 발명의 수지 조성물 중에서 용매를 제외한 조성 성분을 의미한다.
본 발명의 용매는 각 성분을 용해시킬 수 있고 화학적으로 안정한 것이면 특별히 제한되지 않는다. 이러한 용매의 예로는 프로필렌글리콜메틸에테르아세테이트, 4-히드록시-4-메틸-2-펜타논, 프로필렌글리콜메틸에테르, 에틸아세토아세테이트, 에틸아세토락테이트, 에틸셀루솔브-아세테이트, 감마-부티로락톤, 2-메톡시에틸아세테이트, 에틸-베타-에톡시프로피오네이트, 노말프로필아세테이트 및 노말부틸아세테이트 중에서 선택된 하나 이상을 사용할 수 있고, 바람직하게는, 프로필렌글리콜메틸에테르아세테이트, 4-히드록시-4-메틸-2-펜타논, 프로필렌글리콜메틸에테르 및 에틸아세토아세테이트 중에서 선택된 1종 이상을 사용할 수 있다.
본 발명의 조성물은 상기 성분 이외에도, 필요에 따라 열 경화성 수지 조성물 및 감광성 수지 조성물에 통상적으로 사용되는 추가의 성분을 더 포함할 수 있다.
또한, 본 발명은 상기 감광성 수지 조성물로부터 제조된 경화막을 제공한다.
상기 경화막은 당 기술분야에 알려져 있는 방법, 예컨대 기재 위에 상기 감광성 수지 조성물을 도포한 후 경화하는 과정을 거쳐 제조할 수 있다. 보다 구체적으로, 상기 경화는 기재 위에 도포된 감광성 수지 조성물을 예컨대 60 내지 130℃에서 예비경화(pre-bake)하여 용매를 제거한 후, 원하는 패턴이 형성된 포토마스크를 이용하여 노광하고 현상액(예: 테트라메틸암모늄하이드록사이드 용액(TMAH))으로 현상함으로써 코팅층에 패턴을 형성할 수 있다. 이후, 패턴화된 코팅층을 필요에 따라 예컨대 10분 내지 5시간 동안 150 내지 300℃에서 후경화(post-bake)하여 목적하는 경화막을 제조할 수 있다. 상기 노광은 200 내지 450nm의 파장대에서 10 내지 200mJ/㎠의 노광량으로 수행할 수 있다. 본 발명의 방법에 의하면 공정 측면에서 용이하게 원하는 패턴을 형성할 수 있다.
이와 같이 제조된 본 발명의 경화막은 실리콘 질화막(SiNx) 기판에 대해 접착력이 우수할 뿐만 아니라 우수한 패턴 현상성, 내열성 및 광 투과율을 갖는 경화막을 형성할 수 있다. 이렇게 제조된 본 발명의 경화막은 액정표시장치나 유기EL표시장치 등의 박막 트랜지스터(TFT) 기판용 평탄화막, 유기EL표시장치의 격벽, 반도체 소자의 층간 절연막, 및 광도파로의 코어나 클래딩재로서 유용하게 사용될 수 있다. 따라서, 본 발명은 상기 경화막을 보호막으로서 포함하는 전자부품을 제공한다.
이하, 하기 실시예에 의하여 본 발명을 좀더 상세하게 설명하고자 한다. 단, 하기 실시예는 본 발명을 예시하기 위한 것일 뿐 본 발명의 범위가 이들만으로 한정되는 것은 아니다.
하기 제조예에 기재된 중량평균분자량은 겔 투과 크로마토그래피(GPC)에 의해 측정한 폴리스티렌 환산값이다.
제조예 1: 폴리실록산(A1)의 제조
반응 플라스크에 염산(0.1N hydrochloric acid, 0.0019mol) 0.07g과 물(deionized water, 2.25mol) 40.57g을 넣은 후 교반하였다. 이어, 여기에 페닐트리에톡시실란(phenyltriethoxysilane, 0.383mol, Aldrich) 92.45g, 테트라에톡시실란(tetraethoxysilane, 0.192mol, Aldrich) 40.06g, 메틸트리에톡시실란(methyltriethoxysilane, 0.192mol, Aldrich) 34.29g과 프로필렌글리콜메틸에테르아세테이트(propylene glycol monomethyl ether acetate, Aldrich) 12g을 첨가하고 실온에서 1시간 동안 교반하였다. 상기 반응 플라스크에 해당 혼합물을 105℃에서 2시간 동안 증류시키고, 100℃에서 3시간 동안 반응을 진행하였다. 3시간 반응 후 프로필렌글리콜메틸에테르아세테이트 6g을 넣고 반응물은 냉각시켰다. 이온 교환 컬럼을 통해 반응물에 남아있는 산을 제거하였다. 이렇게 얻어진 반응물을 반응기에 넣고, 45℃ 온도에서 반응물로부터 물과 알코올을 감압 하에 제거하여 폴리실록산을 합성하였다. 한편, 중량평균분자량(Mw) 약 4000 정도의 실록산계 화합물임을 확인하였다.
실시예 1
상기 제조예 1에서 얻어진 폴리실록산 용액을 고형분 비율로 100 중량부, 1,2-퀴논디아지드 화합물로서 TPA-520(미원상사(주)) 20 중량부, 아미노계 실란 커플링제로서 GSCA-001((주)제넨칩) 1 중량부 및 실리콘계 계면활성제로서 BYK사의 레벨링 계면활성제(BYK-333 실리콘계 계면활성제) 0.2 중량부를 유기용매로서 프로필렌글리콜메틸에테르아세테이트를 사용하여 조성물 총 중량을 기준으로 고형분 함량이 35 중량%가 되도록 균일하게 혼합하고 용해시킨 후, 공경 0.2 ㎛의 멤브레인 필터로 여과하여 액상 조성물을 얻었다.
실시예 2
아미노계 실란 커플링제로서 GSCA-001 대신에 Z-6011(Toray Dow Corning Silicone Co., Ltd.) 1 중량부를 사용한 것을 제외하고는, 상기 실시예 1과 같은 방법으로 조성물을 얻었다.
실시예 3
아미노계 실란 커플링제로서 GSCA-001 대신에 Z-6020(Toray Dow Corning Silicone Co., Ltd.) 1 중량부를 사용한 것을 제외하고는, 상기 실시예 1과 같은 방법으로 조성물을 얻었다.
비교예 1
실란 커플링제를 사용하지 않은 것을 제외하고는, 상기 실시예 1과 같은 방법으로 조성물을 얻었다.
비교예 2
GSCA-001 대신에 아미노기를 갖지 않는 실란 커플링제인 GPTMS(γ-글리시독시프로필트리메톡시실란, Aldrich) 1 중량부를 사용한 것을 제외하고는, 상기 실시예 1과 같은 방법으로 조성물을 얻었다.
비교예 3
GSCA-001 대신에 아미노기를 갖지 않는 실란 커플링제인 KBE 9007(γ-이소시아네이토프로필트리에톡시실란, Shinetsu사) 1 중량부를 사용한 것을 제외하고는, 상기 실시예 1과 같은 방법으로 조성물을 얻었다.
상기 실시예 1 내지 3 및 비교예 1 내지 3에서 제조된 수지 조성물로부터 제조된 경화막의 패턴 현상성, 미세 선형 패턴의 밀착성(접착력), 광 투과율 및 잔막률을 측정하여 그 결과를 하기 표 1에 나타내었다.
1. 패턴 현상성 평가
감광성 수지 조성물을 실리콘 질화막 기판 상에 회전 도포한 후에 110℃ 를 유지한 고온 플레이트 위에서 90초간 예비경화하여 건조한 두께 4.4㎛의 도막을 형성하고 이 조성물 막에 200nm 내지 450nm의 파장을 내는 어라이너(aligner, 상품명 MA6)를 이용하여 365nm를 기준으로 약 40mJ/㎠이 되도록 1㎛에서 15㎛까지 1㎛ 크기 차이의 정사각형 홀 패턴을 갖는 마스크를 개재해서 노광하고, 2.38% 테트라메틸암모늄하이드록사이드 수용액으로 이루어지는 현상액으로 25℃에서 스프레이 노즐을 통해 현상하였다. 얻어진 노광막을 컨백션 오븐으로 200℃에서 30분 가열함으로써 열 경화막을 얻었다. 상기 현상된 패턴의 형상을 통하여 현상성을 평가하였다.
패턴 형상은 열 경화막의 10㎛ 선폭을 갖는 콘택트 홀에 형성된 패턴 형상을 주사 현미경으로 관찰함으로써, 그 패턴 형상을 하기 기준에 의해 평가하였다.
◎: 직사각형이 양호하고, 바닥 끌림(tail) 없음.
△: 직사각형은 양호하지만, 표면이 매끈하지 않거나 얼룩성 잔막이 형성됨.
X: 직사각형이 불량 또는 해상되지 않음.
2. 광 투과율 평가
유기 기판 위에 조성물을 회전 도포하고 패턴 현상성 평가와 동일한 공정을 거쳐 약 4㎛ 두께의 열 경화막을 형성하였다. 자외선/가시광선 스펙트럼 측정을 통하여 400nm~800nm 파장범위에서의 광 투과율을 평가하였다.
3. 미세 선형 패턴의 밀착성(접착력) 평가
패턴 현상성 평가를 위한 열 경화막 제조에서, 이 막에 1㎛에서 10㎛까지 1㎛ 크기 차이로 형성된 1 : 1 라인 패턴을 갖는 마스크를 사용한 이외는 동일하게 제조된 열 경화막의 라인 & 스페이스(line and space) 패턴의 형상을 관찰하여 미세 선형 패턴의 밀착성(접착력)을 평가하였다.
◎: 2~6㎛ 선형 패턴이 현상에 의하여 뜯겨나가지 않고 표면이 양호한 패턴이 형성됨.
△: 2~6㎛ 선형 패턴이 현상에 의하여 뜯겨나가진 않으나, 표면이 거칠거나 일부 뜯긴 패턴 형성됨.
X: 2~6㎛ 선형 패턴이 현상에 의하여 뜯겨나가 패턴 형성이 되지 않음.
4. 잔막률 평가
접촉식 막두께 평가 장비(Surface-profiler, 상품명 ALPHA-STEP IQ)를 사용하여, 열 경화막의 최초 두께(예비경화 후의 두께) 4.4㎛에 대한, 현상과 열 경화(후경화) 이후 경화막의 두께를 평가함으로써, 잔막률을 백분율(%)로 나타내었다.
구분 패턴 현상성 미세 선형 패턴의 밀착성
(접착력)		 광 투과율(%)
(400~800nm)		 잔막률
(%)
실시예 1 ◎ ◎ 99 93
실시예 2 ◎ ◎ 99 93
실시예 3 ◎ ◎ 99 93
비교예 1 ◎ X 99 92
비교예 2 ◎ X 99 92
비교예 3 ◎ X 99 93
상기 표 1로부터 알 수 있듯이, 아미노계 실란 커플링제를 사용한 실시예 1 내지 3에서 제조된 수지 조성물은, 실란 커플링제를 전혀 사용하지 않거나 아미노기를 갖지 않는 실란 커플링제를 사용한 비교예 1 내지 3에서 제조된 수지 조성물에 비해 실리콘 질화막 기판에 대해 확실히 우수한 접착력을 나타내는 경화막을 제공하며, 패턴 현상성, 광 투과율 및 잔막률의 측면에서도 우수한 물성을 제공하였다.

Claims (5)

  1. (A1) 하기 화학식 1로 표시되는 실란 화합물, 그의 가수분해물 및 이 가수분해물의 축합물로 이루어지는 군에서 선택된 하나 이상의 화합물,
    (A2) 1,2-퀴논디아지드 화합물, 및
    (A3) 하기 화학식 2로 표시되는 아미노계 실란 커플링제
    를 포함하는 감광성 수지 조성물:
    [화학식 1]
    (R)pSi(X)4-p
    상기 식에서, R은 탄소수 1 내지 12의 비가수분해성 유기기이고, X는 가수분해성기이고, p는 0 내지 3의 정수이다.
    [화학식 2]
    Figure pat00007

    상기 식에서, R2는 헤테로 원자를 갖거나 갖지 않는 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 15의 탄화수소기이며, R1 및 R3는 각각 독립적으로 수소원자 또는 탄소수 1 내지 12의 유기기이다.
  2. 제 1 항에 있어서, 상기 성분 (A1)이 하기 화학식 3 내지 5로 표시되는 실록산 단위 중에서 선택된 1종 이상의 실록산 단위를 포함하는 폴리실록산인 것을 특징으로 하는 감광성 수지 조성물:
    [화학식 3]
    Figure pat00008

    [화학식 4]
    Figure pat00009

    [화학식 5]
    Figure pat00010

    상기 식에서, R은 각각 독립적으로 수소원자, C1-C12 알킬기, C3-C12 시클로알킬기, C6-C12 아릴기, C7-C12 알킬아릴기 또는 C7-C12 아릴알킬기이다.
  3. 제 2 항에 있어서, 상기 성분 (A1)이 상기 화학식 5의 실록산 단위 대 기타 실록산 단위를 0.05 내지 0.5 대 0.95 내지 0.5의 몰비로 포함하는 폴리실록산인 것을 특징으로 하는 감광성 수지 조성물.
  4. 제 1 항에 있어서, 상기 1,2-퀴논디아지드 화합물이 ４,４'-[１-[４-[１-[４-히드록시페닐]-１-메틸에틸]페닐]에틸리덴]비스페놀과 １,２-나프토퀴논디아지드-４-설폰산과의 에스테르, ４,４'-[１-[４-[１-[４-히드록시페닐]-１-메틸에틸]페닐]에틸리덴]비스페놀과 １,２-나프토퀴논디아지드-５-설폰산과의 에스테르 또는 이의 혼합물인 것을 특징으로 하는 감광성 수지 조성물.
  5. 제 1 항에 있어서, 상기 감광성 수지 조성물이 상기 성분 (Ａ1) 고형분 100 중량부에 대하여 1,2-퀴논디아지드 화합물 및 아미노계 실란 커플링제를 각각 2 내지 50 중량부 및 0.02 내지 20 중량부의 양으로 포함하는 것을 특징으로 하는 감광성 수지 조성물.
KR1020120115875A 2012-10-18 2012-10-18 포지티브형 감광성 수지 조성물 및 이로부터 제조된 경화막 KR20140049722A (ko)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020120115875A KR20140049722A (ko) 2012-10-18 2012-10-18 포지티브형 감광성 수지 조성물 및 이로부터 제조된 경화막
US14/057,959 US20140113230A1 (en) 2012-10-18 2013-10-18 Positive-type photosensitive resin composition and cured film prepared therefrom

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020120115875A KR20140049722A (ko) 2012-10-18 2012-10-18 포지티브형 감광성 수지 조성물 및 이로부터 제조된 경화막

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20140049722A true KR20140049722A (ko) 2014-04-28

Family

ID=50485638

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020120115875A KR20140049722A (ko) 2012-10-18 2012-10-18 포지티브형 감광성 수지 조성물 및 이로부터 제조된 경화막

Country Status (2)

Country Link
US (1) US20140113230A1 (ko)
KR (1) KR20140049722A (ko)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20160084556A (ko) * 2015-01-05 2016-07-14 삼성디스플레이 주식회사 포지티브형 감광성 실록산 수지 조성물 및 이를 포함하는 표시 장치

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6221279B2 (ja) * 2013-03-18 2017-11-01 富士通株式会社 レジスト組成物の製造方法及びパターン形成方法
JP6930145B2 (ja) * 2016-03-15 2021-09-01 東レ株式会社 印刷版用シリコーン組成物、並びに平版印刷版原版、平版印刷版および印刷物の製造方法
KR20210056394A (ko) * 2018-09-11 2021-05-18 스미또모 베이크라이트 가부시키가이샤 영구막 형성용 감광성 수지 조성물, 경화막, 전자 장치, 경화막의 제조 방법 및 전자 장치의 제조 방법
JP7335217B2 (ja) * 2020-09-24 2023-08-29 信越化学工業株式会社 感光性樹脂組成物、パターン形成方法、硬化被膜形成方法、層間絶縁膜、表面保護膜、及び電子部品

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPWO2011078106A1 (ja) * 2009-12-22 2013-05-09 東レ株式会社 ポジ型感光性樹脂組成物、それから形成された硬化膜、および硬化膜を有する素子
EP2527406B1 (en) * 2010-01-19 2016-09-07 Kaneka Corporation Curable composition

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20160084556A (ko) * 2015-01-05 2016-07-14 삼성디스플레이 주식회사 포지티브형 감광성 실록산 수지 조성물 및 이를 포함하는 표시 장치

Also Published As

Publication number Publication date
US20140113230A1 (en) 2014-04-24

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI702472B (zh) 正型感光性樹脂組成物及自其製備之固化膜
TWI719070B (zh) 感光性樹脂組成物及自其製備之固化膜
TWI790299B (zh) 光敏樹脂組成物及由其製備之固化膜
CN105652593B (zh) 感光性树脂组合物和由其制备的固化膜
KR20140049722A (ko) 포지티브형 감광성 수지 조성물 및 이로부터 제조된 경화막
TWI788299B (zh) 感光性樹脂組合物及自其製備之固化膜
KR20210081741A (ko) 포지티브형 감광성 수지 조성물 및 이로부터 제조된 경화막
WO2017090917A1 (ko) 감광성 수지 조성물, 그로부터 형성된 경화막, 및 경화막을 갖는 소자
TWI773690B (zh) 感光性樹脂組合物及由其製備之固化膜
TW202004345A (zh) 正型感光性樹脂組合物及自其製備之固化膜
JP2018060191A (ja) 感光性樹脂組成物及びそれより調製される硬化膜
TWI739767B (zh) 感光性樹脂組成物、自其製備之固化膜、及使用該感光性樹脂組成物形成圖案之方法
KR20140058847A (ko) 유무기 복합 실록산계 고분자 및 이를 포함하는 포지티브형 감광성 수지 조성물
KR20180043170A (ko) 감광성 수지 조성물 및 이로부터 제조된 경화막
KR102239543B1 (ko) 포지티브형 감광성 수지 조성물 및 이로부터 제조된 경화막
KR102172818B1 (ko) 포지티브형 감광성 수지 조성물 및 이로부터 제조된 경화막
KR102310794B1 (ko) 감광성 수지 조성물 및 이로부터 제조된 경화막
KR20200083196A (ko) 포지티브형 감광성 수지 조성물 및 이를 이용한 경화막

Legal Events

Date Code Title Description
E902 Notification of reason for refusal
E601 Decision to refuse application