KR20160059402A

KR20160059402A - 블루 유기전계 발광소자 및 상기 소자를 포함하는 표시 장치

Info

Publication number: KR20160059402A
Application number: KR1020150067370A
Authority: KR
Inventors: 얀핀 가오; 충체 쯔; 치궈 장; 츄안 후앙
Original assignee: 에버디스플레이 옵트로닉스 (상하이) 리미티드
Priority date: 2014-11-18
Filing date: 2015-05-14
Publication date: 2016-05-26
Also published as: CN105679945A; US9673415B2; US20160141543A1; EP3024045A1; JP2016100595A; CN105679945B

Abstract

본 발명은 블루 유기전계 발광소자를 제공하고, 상기 블루 유기전계 발광소자는 제1 전극층과, 상기 제1 전극층에 위치하는 제1 정공 주입층과, 상기 제1 정공 주입층에 위치하는 제2 정공 주입층과, 제2 정공 주입층에 위치하는 정공 전송층과, 상기 정공 전송층에 위치하는 블루 발광재료층과, 상기 블루 발광재료층에 위치하는 전자 전송층 및 상기 전자 전송층에 위치하는 제2 전극층을 포함하고, 그 중 상기 제2 정공 주입층의 두께는 85nm~105nm이다. 본 발명은 상기 소자를 포함하는 표시 장치를 더 제공한다. 본 발명의 블루 유기전계 발광소자는 3C제품에 응용되어 435nm 이하 파장의 블루 에너지 성분을 0.2% 이내로 제어할 수 있어, 이는 해당 파장대의 블루가 눈에 대한 손상을 대폭 감소시키며 블루 저항 보호막을 사용함으로 인해 초래되는 스크린 밝기의 강하 현상을 방지할 수 있다.

Description

블루 유기전계 발광소자 및 상기 소자를 포함하는 표시 장치{BLUE ORGANIC ELECTROLUMINESCENT DEVICES AND DISPLAYS INCLUDING THE SAME}

본 발명은 블루 유기전계 발광소자(OLED)에 관한 것으로, 구체적으로 특정 블루 파장을 억제할 수 있는 블루 유기전계 발광소자에 관한 것이다.

연구에 의하면, 435nm이하 파장의 블루는 망막에 대한 손상이 아주 크다. 인체 망막 중의 A2E이란 성분의 흡수 피크는 자외광 335nm, 가시광 블루 435nm에 위치하여 블루를 흡수함으로 인해 쉽게 산화되고 세포의 자살을 초래하며 이로 인하여 안부 황반부의 병변을 일으킨다. 이 밖에도, 블루의 파장이 비교적 짧아 빛의 난반사를 쉽게 초래하고, 눈의 초점을 힘껏 모아야 하므로, 이러한 상태가 장기적으로 지속될 때 섬모체근의 피로, 통증을 유발하여 가성 근시를 형성한다. 이 밖에도, 고에너지 블루에 과도하게 노출될 경우, 생체 시계에 영향을 미치고 인체의 내분비 장애를 유발하여 암 발생 위험이 높아진다. 이는, 고에너지 블루는 생체 시계 및 내분비를 제어하는 효과적인 물질인 멜라토닌의 분비를 감소시키기 때문이다. 또한, 인체의 눈이 동일한 감지 밝기의 조건 하에서, 딥 블루의 에너지는 옐로 그린의 253배로서, 인체의 눈이 은연 중에 고에너지 가시적 블루의 손상을 쉽게 받는다.

따라서, 대량의 435nm이하 파장의 블루가 눈에 입사되면 인체의 눈 및 내분비 시스템에 심각한 손상을 일으킨다.

도1은 통상적인 액정 표시 장치(LCD)의 발광 스펙트럼도로서, 그 중 435nm이하 블루의 에너지는 매우 크다. 생활 중에 사용되는 3C제품(컴퓨터, 통신 및 소비류 전자제품)은 대부분이 상기 발광 소자와 관련되어, 상기와 같이 해당 유형의 표시 장치를 장기적으로 사용할 경우 안부 피로, 가성 근시를 유발하여, 심할 경우 망막의 병변 및 생체 시계의 혼란 등을 일으킨다.

고에너지 블루가 인체에 대한 손상을 해소하기 위하여, 기존 기술에 의해 사용되는 주된 방식은 3C제품에 블루 저항 보호막을 접착하는 것이다. 도2는 기존의 여러 보호막에 대한 UV 투과율 테스트도이다. 그 중, 5개의 곡선은 각각 300~700nm 파장의 빛이 Benks, JC, Wriol, ZC 4가지 브랜드의 블루 저항 보호 필름 및 ZC 브랜드의 블루 저항 작용을 구비하지 않는 강화유리 보호 필름을 통과하는 투과율 곡선을 나타낸다. 도면으로부터 알 수 있는 바와 같이, 블루 저항 보호막을 사용하면 25% 정도의 고에너지 블루를 억제할 수 있지만, 각 파장대의 빛의 투과율이 모두 어느 정도 감소되어 표시 장치의 밝기에 일정한 정도의 영향을 미치고 있다.

이에, 본 발명의 기술적 과제는 이러한 점에서 착안된 것으로 본 발명의 목적은 스크린 밝기의 강하 현상을 방지하기 위한 블루 유기전계 발광소자를 제공하는 것이다.

본 발명의 다른 목적은 상기 블루 유기전계 발광소자를 포함하는 표시 장치를 제공하는 것이다.

상기와 같은 기술적 문제를 해결하기 위하여, 본 발명은 제1 전극층과, 상기 제1 전극층에 위치하는 제1 정공 주입층과, 상기 제1 정공 주입층에 위치하는 제2 정공 주입층과, 제2 정공 주입층에 위치하는 정공 전송층과, 상기 정공 전송층에 위치하는 블루 발광재료층과, 상기 블루 발광재료층에 위치하는 전자 전송층 및 상기 전자 전송층에 위치하는 제2 전극층을 포함하고, 그 중 상기 제2 정공 주입층의 두께는 85nm~105nm인 블루 유기전계 발광소자를 제공한다.

본 발명의 실시방식에 의하면, 상기 제2 정공 주입층의 두께는 90 nm이다.

본 발명의 다른 실시방식에 의하면, 상기 제1 정공 주입층의 두께는 5nm~15nm이다.

본 발명의 또 다른 실시방식에 의하면, 상기 제2 전극층에 위치하는 광추출층을 더 포함한다.

본 발명의 또 다른 실시방식에 의하면, 상기 제1 전극층은 인듐 주석 산화물층, 인듐 아연 산화물층, 산화 주석층 또는 산화 아연층으로부터 선택된다.

본 발명의 또 다른 실시방식에 의하면, 상기 제1 정공 주입층의 재질은 방향족 아민 화합물 또는 스타형 아민을 포함한다.

본 발명의 또 다른 실시방식에 의하면, 상기 제2 정공 주입층의 재질은 방향족 아민 화합물 또는 스타형 아민을 포함한다.

본 발명의 또 다른 실시방식에 의하면, 상기 정공 전송층의 재질은 아릴렌 디아민 유도체, 스타 버스트형 화합물, 스피로기를 구비하는 비페닐 디아민 유도체 또는 래더 화합물로부터 선택된다.

본 발명의 또 다른 실시방식에 의하면, 상기 블루 발광재료층의 재질은 DPVBi 도핑된 BCzVB이다.

본 발명의 또 다른 실시방식에 의하면, 상기 제2 전극층은 합금 전극 또는 금속 불화물과 금속의 복합 전극이고, 상기 금속은 리튬, 마그네슘, 알루미늄, 칼슘, 스트론튬 또는 인듐으로부터 선택되며, 상기 합금은 리튬, 마그네슘, 알루미늄, 칼슘, 스트론튬, 인듐 중의 하나와 동, 금, 은 중의 하나로 형성되는 합금이다.

본 발명의 또 다른 실시방식에 의하면, 상기 광추출층의 재질은 아릴렌 디아민 유도체, 스타 버스트형 화합물, 스피로기를 구비하는 비페닐 디아민 유도체 또는 래더 화합물로부터 선택된다.

본 발명은 제1 전극층, 상기 제1 전극층에 위치하는 유기 기능층, 상기 유기 기능층에 위치하는 제2 전극층을 포함하는 블루 유기전계 발광소자를 더 제공하고, 상기 유기 기능층은 제1 정공 주입층과 제2 정공 주입층을 포함하고, 상기 제1 정공 주입층은 상기 제1 전극층과 상기 제2 정공 주입층 사이에 위치하고, 상기 제2 정공 주입층의 두께는 85nm~105nm이다.

본 발명은 상기 어느 한 항에 따른 블루 유기전계 발광소자를 포함하는 표시 장치를 진일보로 제공한다.

본 발명의 블루 유기전계 발광소자는 3C제품에 응용되어 435nm 이하 파장의 블루 에너지 성분을 0.2% 이내로 제어할 수 있어, 이는 해당 파장대의 블루가 눈에 대한 손상을 대폭 감소시키며 블루 저항 보호막을 사용함으로 인해 초래되는 스크린 밝기의 강하 현상을 방지할 수 있다.

도1은 기존의 LCD의 발광 스펙트럼도이다.
도2는 300~700nm 파장의 빛이 표시 장치에 사용되는 기존의 5가지 보호 필름을 통과하는 투과율 곡선이다.
도3은 본 발명의 실시방식의 OLED의 구조 모식도이다.
도4는 본 발명의 상이한 두께의 제2 정공 주입층의 블루 유기전계 발광소자의 전계발광 스펙트럼도이다.

이하, 본 발명의 특징과 우점을 나타내는 전형적인 실시예에 대하여 상세하게 설명하도록 한다. 본 발명은 상이한 실시예로 각종 변화를 가질 수 있으며, 이는 모두 본 발명의 범위를 이탈하지 않으며 이 중의 설명 및 도면은 본질적으로 설명을 위한 것이지 본 발명을 한정하기 위한 것이 아님을 이해해야 할 것이다.

도3에 도시된 바와 같이, 본 발명의 실시방식의 블루 유기전계 발광소자는 양극층일 수 있는 제1 전극층(1)과, 제1 전극층(1)에 위치하는 유기 기능층과, 음극층일 수 있고 유기 기능층에 위치하는 제2 전극층(5)을 포함하고, 그 중 유기 기능층은 제1 전극층(1)에 위치하는 제1 정공 주입층(2)과, 제1 정공 주입층(2)에 위치하는 제2 정공 주입층(3)을 포함하며, 그 중 제2 정공 주입층(3)의 두께는 85nm~105nm일 수 있고, 90nm~95nm인 것이 바람직하며, 90nm인 것이 더욱 바람직하다.

유기 기능층은 순서대로 설치되는 제2 정공 주입층(3)에 위치하는 정공 전송층(41), 발광층(42), 전자 전송층(43)을 포함할 수 있지만 이에 한정되지 않는다.

본 발명의 실시방식에서, 제2 전극층(5)에 설치되는 광추출층(6)을 더 포함할 수 있다.

제1 전극층(1)은 인듐 주석 산화(ITO)층, 인듐 아연 산화물층, 산화 주석층 또는 산화 아연층일 수 있고, 또한 높은 워크 함수의 금속일 수도 있다. 예를 들어, Al, Ag, Au 등이다. 제1 전극층(1)의 두께는 1nm~500nm일 수 있고, 진일보로 30nm~100nm일 수 있으며, 제1 전극층(1)은 스퍼터링, 기상 증착, 이온빔 증착, 증기 증착 등 방식으로 형성된다.

제1 정공 주입층(2)과 제2 정공 주입층(3)은 모두 증기 증착에 의해 형성될 수 있고, 모두 방향족 아민 화합물 또는 스타형 아민에 의해 형성될 수 있으며, 구체적으로, m-MTDATA(4,4',4''-Tris(N-3-methylphenyl-N-phenylamino)triphenylamine), m-MTDATB(1,3,5-Tris[4-(3-methyl-phenyl-phenyl-amino)phenyl]benzol) 및 동프탈로시아닌(CuPc)를 포함할 수 있다. 제1 정공 주입층(2)의 정공 주입 능력이 강하고, 그 재료는 예를 들어 NPB 도핑된 F4-TCNQ일 수 있고, 정공은 터널링(tunneling)방식을 사용하여 주입할 수 있다. 제2 정공 주입층(3)의 주입 능력은 그 HOMO 에너지 준위 양극 워크 함수와 관련될 수 있고, ITO/Ag/ITO 양극 구조를 예로 들면, ITO 표면 워크 함수는 5ev에 접근하고, 제2 정공 주입층(3)의 재료는 HOMO 에너지 준위가 5ev에 접근하는 것이 바람직하다. 예를 들어, PEDT:PSS(HOMO=5.0ev), 2-TNATA(HOMO=5.1ev), 1-TNATA(HOMO=5.1ev) 등이다. 이 밖에도, 본 발명의 소자의 컬러 좌표 변화의 평형을 실현하고 블루를 억제하는 효과를 달성하여 총체적인 효과의 최적화를 실현하도록 제1 정공 주입층(2)의 두께는 5nm~15nm인 것이 바람직하고, 진일보로 10nm인 것이 바람직하다.

정공 전송층(41)은 증기 증착에 의해 형성될 수 있고, 그 재료는 아릴렌 디아민 유도체, 스타 버스트형 화합물, 스피로기를 구비하는 비페닐 디아민 유도체 또는 래더 화합물일 수 있으며, 구체적으로 N,N'-diphenyl-N,N'-bis(3-methylphenyl)-1,1'-biphenyl-4,4'diamine(TPD), N,N'-bis-[(1-naphthyl)-N,N'diphenyl-1,1'-biphenyl]-4,4'-diamine(NPB)일 수 있다. 정공 전송층(41)의 두께는 1nm~200nm일 수 있고, 진일보로 5nm~100nm일 수 있다.

발광층(42)은 증기 증착에 의해 형성될 수 있고, 그 재료는 금속 유기 배합물, 방향족 축합환계 화합물, o-페난트롤린계 화합물 및 카바졸계 유도체로부터 선택되는 한가지 일 수 있거나 또는 발광재료는 형광, 인광 염료가 도핑된 것일 수 있다. 구체적으로, 본체 재료는 CBP(4,4-N,N-biscarbazole-biphenyl) 및 그 유도체, mCP(N,N-biscarbazole-3,5-benzol) 및 그 유도체를 포함할 수 있고, 도핑 재료는 Ir, Pt, Tb 및 Eu으로부터 선택되는 중심 금속 원자를 구비하는 인광 유기 금속 화합물을 포함할 수 있으며, 상기 인광 유기 금속 화합물은 PQIr, PQIr(acac), PQ2Ir(acac), PIQIr(acac) 및 PtOEP를 포함할 수 있다. 발광층(42)의 두께는 5nm~50nm일 수 있고, 10nm~40nm인 것이 바람직하며, 진일보로 15nm~30nm인 것이 바람직하다.

발광층(42)은 블루 발광 재료가 증기 증착에 의해 형성될 수 있으며, 블루 발광 재료는 N-Aromatic amino benzimidazole계, 1,2,4-triazole 유도체, 1,3-4-oxdiazole 유도체 등 일 수 있고, 바람직하게는 DPVBi(4,4'-bis(2,2-Diphenylethylene)-1,1'-biphenyl):5%BCzVB(1,4-bis[2-(3-N-Ethyl carbazole)ethylene]-benzol)이다.

발광층(42)은 레드 발광 재료가 증기 증착에 의해 형성될 수도 있고, 상기 레드 발광 재료는 DCJTB(4-(dicyanomethylene)-2-t-butyl-6(1,1,7,7-tetramethyljulolidyl-9-enyl)-4H-pyran)) 도핑된 Alq3일 수 있다.

발광층(42)은 또 그린 발광 재료가 증기 증착에 의해 형성될 수도 있고, 상기 그린 발광 재료는 퀴나크리돈(Quinacridone) 도핑된 Alq3일 수 있다.

전자 전송층(43)은 증기 증착에 의해 형성될 수 있고, 그 재질은 triazine을 포함할 수 있으며, 예를 들어, 4,4'-bis-[2-(4,6-diphenyl-1,3,5-triazine)]-1,1'-biphenyl, 2,4,6-Tris(4-biphenyl)-1,3,5-triazine을 포함할 수 있다. 전자 전송층(43)의 두께는 1nm~200nm일 수 있고, 5nm~100nm인 것이 바람직하며, 진일보로 20nm~70nm인 것이 바람직하다.

제2 전극층(5)의 두께는 10nm~500nm일 수 있고, 이는 금속, 합금 또는 금속 불화물과 금속의 복합 전극일 수 있으며, 상기 금속은 리튬, 마그네슘, 알루미늄, 칼슘, 스트론튬 또는 인듐으로부터 선택되고, 상기 합금은 리튬, 마그네슘, 알루미늄, 칼슘, 스트론튬, 인듐 중의 하나와 동, 금, 은 중의 하나로 형성되는 합금이다. 제2 전극층(5)은 증기 증착에 의해 형성될 수 있다.

광추출층(6)은 증기 증착에 의해 아릴렌 디아민 유도체, 스타 버스트형 화합물, 스피로기를 구비하는 비페닐 디아민 유도체 또는 래더 화합물 중의 어느 하나로 형성될 수 있고, 그 두께는 1nm~100nm일 수 있으며, 30nm~80nm인 것이 바람직하다.

본 발명에서, 상기 각 층의 재질, 두께, 형성 방식은 상기 설명에 한정되지 않는다. 이하, 실시예를 통하여 본 발명의 블루 유기전계 발광소자 및 그 제조방법에 대하여 진일보로 설명하도록 하고, 그 중 각 층은 증기 증착의 방식에 의해 형성되며 사용되는 HAT-CN（Dipyrazino[2,3-f:2',3'-h]quinoxaline-2,3,6,7,10,11-hexacarbonitrile）, Alq3(Tris(8-hydroxy quinoline)aluminum) 등 원료는 모두 시중 판매 중의 제품이다.

실시예1

유기기판에서 예를 들어 두께가 150nm인 ITO막을 형성하고, ITO막에서 순차적으로 Ag막, ITO막을 형성하며, 양자의 두께는 각각 150nm(Ag), 15nm(ITO)일 수 있고, ITO/Ag/ITO의 복합막을 양극으로 한다.

상기 양극층에서 HAT-CN를 증기 증착하여 제1 정공 주입층으로 하고, 제1 정공 주입층의 두께는 10nm일 수 있다.

상기 제1 정공 주입층에서 증기 증착에 의해 3% HAT-CN을 도핑한 NPB막을 제2 정공 주입층으로 하고, 제2 정공 주입층의 두께는 85nm일 수 있다.

제2 정공 주입층에서 TPD막을 형성하여 정공 전송층으로 하고, 그 두께는 20nm일 수 있다.

정공 전송층에서 DPVBi:5%BCzVB의 혼합물을 증기 증착하여 형성된 막을 블루 발광재료층으로 하고, 블루 발광재료층의 두께는 25nm일 수 있다.

블루 발광재료층에서 Alq3층을 증기 증착하여 전자 전송층으로 하고, 두께는 예를 들어 35nm일 수 있다.

전자 전송층에서 Mg/Ag막을 형성하여 음극층으로 하고, 음극층의 두께는 예를 들어 15nm일 수 있다.

마지막으로, 음극층에서 NPB막을 형성하여 광추출층으로 하고, 광추출층의 두께는 예를 들어 60nm일 수 있으며, 이로써 블루 유기전계 발광소자를 얻는다(S1).

실시예2~실시예5

실시예2~실시예5의 블루 유기전계 발광소자의 제조방법 및 사용한 원료는 실시예1과 동일하므로, 동일한 기술내용에 대한 설명을 생략한다. 실시예2~실시예5와 실시예1의 구별점은 단지 형성된 제2 정공 주입층의 두께에 있고, 실시예2~실시예5를 통하여 각각 유기 전계소자를 제조한다(S2, S3, S4, S5).

도4는 실시예1~실시예5에 의해 제조된 블루 유기전계 발광소자의 전계 발광 스펙트럼도이다. 그 중, 종좌표는 대조값이고, 각 곡선의 최대값은 1이며, 곡선의 각 점과 최대값의 비율이 바로 종좌표이다. 이 밖에도, 각 실시예의 소자, 435nm 이하 블루 에너지, 상기 에너지가 차지하는 백분비, 색상 좌표 및 각 소자 중의 제2 정공 주입층의 두께는 모두 표1에 열거된다.

소자	두께(nm)	435nm 이하 블루 에너지 Radiance [Wsr-1 m-2]	435nm 이하 블루 에너지가 차지하는 백분비	CIE_X	CIE_Y
S1	85	0.105	0.54%	0.139	0.0528
S2	90	0.00717	0.08%	0.1328	0.0667
S3	95	0.02359	0.21%	0.1317	0.0711
S4	99	0.05699	0.46%	0.1391	0.0526
S5	104	0.06158	0.51%	0.1371	0.0549

표1 중의 에너지가 차지하는 백분비는 435nm 이하 블루 에너지와 380~780nm 가시광 영역 소자의 백광 스펙트럼 에너지의 비율을 말한다. 표1의 데이터는, 발광 소자의 제2 정공 주입층의 두께가 85nm~104nm 사이, 특히 90nm~95nm 사이에 있을 경우, 이하 파장 블루의 에너지가 비교적 약하고, 차지하는 백분비도 비교적 작으며 색상 좌표도 비교적 양호하다. 제2 정공 주입층의 두께가 90nm일 때, 상기 효과의 최적화를 실현할 수 있다.

본 발명의 OLED의 기타 실시예의 테스트 결과는 도4와 유사하므로, 여기서 관련 테스트 결과에 대한 설명을 생략한다.

특별히 한정하지 않는 한, 본 발명에서 사용되는 용어는 모두 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자들에 의해 일반적으로 이해되는 의미를 가진다.

본 발명에 의해 설명된 실시방식은 단지 예시적인 것일 뿐, 본 발명의 보호범위를 한정하기 위한 것이 아니다. 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자들은 본 발명의 범위 내에서 각종 기타 대체, 개변 및 개선을 진행할 수 있으므로, 본 발명은 상기 실시방식에 한정되지 않고 단지 특허청구에 의해 한정된다.

Claims

제1 전극층과,
상기 제1 전극층에 위치하는 제1 정공 주입층과,
상기 제1 정공 주입층에 위치하는 제2 정공 주입층과,
상기 제2 정공 주입층에 위치하는 정공 전송층과,
상기 정공 전송층에 위치하는 블루 발광재료층과,
상기 블루 발광재료층에 위치하는 전자 전송층 및
상기 전자 전송층에 위치하는 제2 전극층을 포함하고,
상기 제2 정공 주입층의 두께는 85nm~105nm인 것을 특징으로 하는 블루 유기전계 발광소자.
제1항에 있어서,
상기 제1 정공 주입층의 두께는 5nm~15nm이고,
상기 제1 전극층은 인듐 주석 산화물층, 인듐 아연 산화물층, 산화 주석층 또는 산화 아연층으로부터 선택되고,
상기 제2 전극층은 합금 전극 또는 금속 불화물과 금속의 복합 전극이고, 상기 금속은 리튬, 마그네슘, 알루미늄, 칼슘, 스트론튬 또는 인듐으로부터 선택되며, 상기 합금은 리튬, 마그네슘, 알루미늄, 칼슘, 스트론튬, 인듐 중의 하나와 동, 금, 은 중의 하나로 형성되는 합금인 것을 특징으로 하는 블루 유기전계 발광소자.
제1항에 있어서,
상기 제2 전극층에 위치하는 광추출층을 더 포함하고
상기 광추출층의 재질은 아릴렌 디아민 유도체, 스타 버스트형 화합물, 스피로기를 구비하는 비페닐 디아민 유도체 또는 래더 화합물로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 블루 유기전계 발광소자.
제1항에 있어서,
상기 제1 정공 주입층의 재질은 방향족 아민 화합물 또는 스타형 아민을 포함하고,
상기 제2 정공 주입층의 재질은 방향족 아민 화합물 또는 스타형 아민을 포함하는 것을 특징으로 하는 블루 유기전계 발광소자.
제1항에 있어서,
상기 정공 전송층의 재질은 아릴렌 디아민 유도체, 스타 버스트(starburst)형 화합물, 스피로기(spiro group)를 구비하는 비페닐 디아민 유도체 또는 래더 화합물(ladder compound)로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 블루 유기전계 발광소자.
제1 전극층, 상기 제1 전극층에 위치하는 유기 기능층, 상기 유기 기능층에 위치하는 제2 전극층을 포함하는 블루 유기전계 발광소자에 있어서,
상기 유기 기능층은 제1 정공 주입층과 제2 정공 주입층을 포함하고, 상기 제1 정공 주입층은 상기 제1 전극층과 상기 제2 정공 주입층 사이에 위치하고, 상기 제2 정공 주입층의 두께는 85nm~105nm인 것을 특징으로 하는 블루 유기전계 발광소자.
제 1항 내지 제 6항 중의 어느 한 항에 따른 블루 유기전계 발광소자를 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 장치.