CN110818670B - 化合物和有机发光装置 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种包括螺环化合物的胺衍生物的新型化合物。所述新型化合物具有优异的空穴传输特性。因此，当将所述新型化合物应用于有机发光装置的空穴传输层、辅助空穴传输层和电子阻挡层时，所述装置实现了低驱动电压、高效率、高热稳定性和长寿命。此外，当将所述新型化合物应用为蓝色发光材料时，所述装置实现了低驱动电压和高效率。

Description

化合物和有机发光装置
相关申请的交叉引用
本申请要求于2018年8月7日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请第10-2018-0091834号的优先权，通过引用将上述专利申请的公开内容作为整体结合在此。
技术领域
本公开内容涉及一种新型化合物和包括该化合物的有机发光装置。
背景技术
与液晶显示器(LCD)相比，有机发光装置(OLED)具有优异的视角和对比度，并且由于不像LCD那样需要背光，因此重量轻且超薄。在这种有机发光装置结构中，当在阴极和阳极之间施加驱动电压时，电子和空穴分别从阴极和阳极被注入到发光层中。因此，激子在发光层中产生并且降到基态来发光。
发明内容
本公开内容的一个目的是提供一种化学稳定的且热稳定的并具有高空穴迁移率的新材料。本公开内容的另一个目的是籍由将所述新材料应用于有机发光装置的空穴传输层、辅助空穴传输层和电子阻挡层来提供一种具有高效率、低功耗和长寿命的有机发光装置。
本公开内容的目的不限于上述目的。以上未提及的本公开内容的其他目的和优点可以从以下描述中得以理解，并且从本公开内容的实施方式中更清楚地得以理解。此外，将容易理解的是，本公开内容的目的和优点可以通过权利要求中公开的特征及其组合来实现。
在本公开内容的第一方面，提供一种由化学式1表示的新型化合物：
[化学式1]
其中，在化学式1中，R1至R4各自独立地表示选自由氢、氘、卤素、取代或未取代的C1至C30烷基、取代或未取代的C6至C30芳基、取代的或未取代的C2至C60杂芳基、取代或未取代的C3至C30环烷基、C1至C30烷氧基和C6至C30芳氧基组成的群组中的一种；
其中a和b各自独立地表示0至4的整数，其中当a或b表示2或更大的整数时，a个R1或b个R2相同或不同，
其中c和d各自独立地表示0至4的整数，其中当c或d表示2或更大的整数时，c个R3或d个R4相同或不同，
其中m和n各自独立地表示0至4的整数，其中当m或n表示2或更大的整数时，m个A或n个B相同或不同，
其中o和p各自独立地表示0至4的整数，其中当o或p表示2或更大的整数时，o个C或p个D相同或不同，
其中0≤a+m≤4，0≤b+n≤4，0≤c+o≤4并且0≤d+p≤4；
其中X代表O或S；
其中A至D中的每一个由化学式2表示：
[化学式2]
其中，在化学式2中，L表示直接键合或者表示选自由取代或未取代的C1至C10烷撑基、取代或未取代的C6至C30芳撑基、或具有6至30个芳环原子的杂芳环的二价基团组成的群组中的一种；
其中Ar1或Ar2各自独立地表示选自由取代或未取代的C6至C60芳基或具有6至60个芳环原子的杂芳环的一价基团组成的群组中的一种，其中Ar1和Ar2彼此键合以形成一个环。
在本公开内容的第二方面，提供一种有机发光装置，包括至少一个位于阳极和阴极之间的有机材料层，其中所述有机材料层包含以上限定的新型化合物。
所述新型化合物具有优异的空穴传输特性。因此，当将所述新型化合物用于有机发光装置的空穴传输层和辅助空穴传输层时，有机发光装置可以具有低驱动电压和高效率。此外，所述新型化合物具有能够阻挡电子的高LUMO能级。因此，当在有机发光装置的电子阻挡层中包含所述新型化合物时，有机发光装置可以具有高效率。
将结合用于实施本公开内容的具体细节的说明来描述本公开内容的进一步特定效果以及如上所述的效果。
附图说明
图1至图4是分别示意性地示出根据本公开内容的示例性实施方式的有机发光装置的截面图。
图5是根据本公开内容的一个实施方式的具有有机发光装置的有机电致发光显示装置的示意性截面图。
具体实施方式
为了说明简单明了，附图中的元件不一定按比例绘制。不同图中的相同附图标记表示相同或相似的元件，因此执行类似的功能。此外，为了简化描述，省略了众所周知的步骤和元件的描述和细节。此外，在本公开内容的以下详细描述中，阐述了许多具体细节以便提供对本公开内容的透彻理解。然而，应理解，可以在没有这些具体细节的情况下实践本公开。在其他情况下，没有详细地描述众所周知的方法、过程、组件和电路，以免不必要地模糊本公开内容的各方面。
以下进一步说明和描述各种实施方式的实例。应理解，本文的描述并非旨在将权利要求限制于所描述的具体实施方式。相反，旨在覆盖可包括在由所附权利要求限定的本公开内容的精神和范围内的替代、修改和等同物。
本文使用的术语仅用于描述特定实施方式的目的，并非旨在限制本公开内容。如本文所用的，单数形式“一”和“一个”也旨在包括复数形式，除非上下文另有明确说明。还应理解，当在本说明书中使用时，术语“包括”、“包括有”、“包含”和“包含有”指定所述特征、整数、操作、元素和/或组件的存在，但并不排除存在或添加一个或多个其他特征、整数、操作、元素、组件和/或其中的一部分。如本文所用的，术语“和/或”包括一个或多个相关所列项目的任何组合和所有组合。当在元素列表之前时，诸如“至少一个”的表达可调整整个元素列表，且不可调整列表的单个元素。
应理解，尽管本文可以使用术语“第一”、“第二”、“第三”等来描述各种元素、组件、区域、层和/或部分，但是这些元素、组件、区域、层和/或部分不应受这些术语的限制。使用这些术语以将一个元素、组件、区域、层或部分与另一个元素、组件、区域、层或部分区分开。因此，在不脱离本公开内容的精神和范围的情况下，下面描述的第一元素、组件、区域、层或部分可以被称为第二元素、组件、区域、层或部分。
此外，还应理解，当第一元件或层被称为存在于第二元件或层“上”时，第一元件可直接地设置在第二元件上或者可以以第三元件或层设置在第一和第二元件或层之间而间接地设置在第二元件上。应理解，当元件或层被称为“连接到”或“耦接到”另一个元件或层时，它可以直接地连接到或耦接到另一个元件或层上，或者可以存在一个或更多的中间元件或层。此外，还应理解，当元件或层被称为在两个元件或层“之间”时，它可以是两个元件或层之间的唯一元件或层，或者也可能存在一个或更多的中间元件或层。
除非另外定义，否则本文所用的包括技术和科学术语的所有术语具有与本发明构思所属领域的普通技术人员通常理解的含义相同的含义。还应理解，诸如在常用词典中定义的那些术语应该被解释为具有与其在相关领域的语境中的含义一致的含义，并且将不被解释为理想化的或过于正式的含义，除非本文明确定义。
在本公开内容的一个实施方式中，提供一种由化学式1表示的新型化合物：
[化学式1]
其中，在化学式1中，R1至R4各自独立地表示选自由氢、氘、卤素、取代或未取代的C1至C30烷基、取代或未取代的C6至C30芳基、取代的或未取代的C2至C60杂芳基、取代或未取代的C3至C30环烷基、C1至C30烷氧基和C6至C30芳氧基组成的群组中的一种；
a和b各自独立地表示0至4的整数，其中当a或b表示2或更大的整数时，每个R1相同或不同，每个R2相同或不同，
c和d各自独立地表示0至4的整数，其中当c或d表示2或更大的整数时，每个R3相同或不同，每个R4相同或不同，
其中m和n各自独立地表示0至4的整数，其中当m或n表示2或更大的整数时，每个A相同或不同，每个B相同或不同，
其中o和p各自独立地表示0至4的整数，其中当o或p表示2或更大的整数时，每个C相同或不同，每个D相同或不同，
其中0≤a+m≤4，0≤b+n≤4，0≤c+o≤4并且0≤d+p≤4；
X代表O或S；
A至D中的每一个由化学式2表示：
[化学式2]
其中，在化学式2中，L表示直接键合或者表示选自由取代或未取代的C1至C10烷撑基、取代或未取代的C6至C30芳撑基、或具有6至30个芳环原子的杂芳环的二价基团组成的群组中的一种；和
Ar1或Ar2各自独立地表示选自由取代或未取代的C6至C60芳基或具有6至60个芳环原子的杂芳环的一价基团组成的群组中的一种，其中Ar1和Ar2彼此键合以形成一个环。
在一实施方式中，由化学式1表示的化合物可包括含有螺环化合物的胺衍生物的新型化合物。
所述新型化合物具有优异的空穴传输特性，因此降低了装置的驱动电压，从而提高了装置的效率和功耗。
在一实施方式中，所述新型化合物是化学稳定的和热稳定的并具有高的空穴迁移率。因此，当将所述新型化合物应用于有机发光装置的空穴传输层、辅助空穴传输层和电子阻挡层时，可以实现具有高效率、低功耗和长寿命的有机发光装置。
此外，所述新型化合物具有能够阻挡电子的高LUMO能级。因此，当将所述化合物应用于有机发光装置的电子阻挡层时，所述新型化合物可以使发光装置具有高效率。
在一实施方式中，所述新型化合物具有高的玻璃化转变温度。因此，所述新型化合物可以使有机发光装置具有增加的稳定性，从而实现具有长寿命的有机发光装置。
在一实施方式中，当将所述新型化合物应用于蓝色发光装置时，所述新型化合物可以使该装置具有低驱动电压和高效率。
有机发光装置通过电能在有机发光层中转换成光能的有机发光现象而发光。构成有机发光装置的材料可以分为用于空穴注入层和电子注入层的电荷注入材料、用于空穴传输层、辅助空穴传输层、电子阻挡层和电子传输层的电荷传输材料、和用于发光层的包括基质材料和掺杂剂在内的发光材料。
在电荷传输材料中，用于空穴传输层、辅助空穴传输层和电子阻挡层的材料的实例可包括具有咔唑和螺芴骨架的胺衍生物。然而，含有咔唑骨架的胺衍生物具有低的空穴迁移率，这限制了发光装置的驱动电压、效率和寿命。含有螺芴骨架的胺衍生物在有机溶剂中的溶解度低，因此难以进行溶液处理。此外，在有机发光装置的发光层中使用的发光材料可以采用具有螺芴骨架的荧光发光材料。然而，具有螺芴骨架的荧光发光材料具有降低的化学稳定性和热稳定性、低效率和短寿命，因此，可能难以制造具有高效且长寿命的有机发光装置。
由于由化学式1表示的新型化合物具有螺环骨架，因此该化合物具有高的空穴迁移率。这种新型化合物可以代替含有咔唑骨架的胺衍生物，并且可以应用于空穴传输层和辅助空穴传输层，从而提高有机发光装置的效率并降低有机发光装置的功耗。
同时，由化学式1表示的新型化合物是含有杂原子的螺环化合物。因此，所述新型化合物具有高的溶解度并且在合成方法和纯化方法中具有优势。常规的螺环化合物由于其低溶解度而在所述方法中通常是有问题的。然而，由化学式1表示的新型化合物解决了这一问题，因此可以用作荧光发光材料并且在实现低驱动电压和高效率装置方面具有优势。
在一实施方式中，在化学式2中的Ar1和Ar2各自可以选自以下取代基：
由化学式1表示的化合物可以由化学式1至化学式176中的一个来表示。在下文中，如本文所用，由化学式1表示的化合物示为“化合物1”，而由化学式2表示的化合物示为“化合物2”。
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在本公开内容的一实施方式中，有机发光装置包括至少一个位于阳极和阴极之间的有机材料层，其中有机材料层包括由化学式1表示的化合物。
在本公开内容的一个实施方式中，在有机发光装置中，空穴传输材料可包括由化学式1表示的化合物。
在本公开内容的一个实施方式中，包括由化学式1表示的化合物作为空穴传输材料的有机材料层可包括空穴传输层、辅助空穴传输层、或电子阻挡层。在一个实施方式中，有机材料层可包括空穴传输层、辅助空穴传输层或电子阻挡层，其中空穴传输层、辅助空穴传输层或电子阻挡层可包括如上定义的化合物1至化合物176中的一种。
在一个实施方式中，有机材料层包括空穴传输层、辅助空穴传输层和电子阻挡层中的至少一种。空穴传输层、辅助空穴传输层和电子阻挡层中的至少一种包括由化学式1表示的化合物。在一个实施方式中，有机材料层可包括空穴传输层、辅助空穴传输层和电子阻挡层，其中空穴传输层、辅助空穴传输层和电子阻挡层中的每一个可以包含如上定义的化合物1至化合物176中的一种。
包括由化学式1表示的化合物作为发光材料的有机材料层可包括蓝色发光层。
在一个实施方式中，有机材料层包括蓝色发光层。蓝色发光层包含化合物1至化合物176中的一种作为蓝色发光层材料。
在一个实施方式中，有机材料层包括电子传输层和空穴阻挡层中的至少一种。电子传输层和空穴阻挡层中的至少一种包含由化学式1表示的化合物。
图1至图4分别显示根据本公开内容的实施方式的有机发光装置。
在图1中，有机发光装置可依次地包括阳极1、空穴注入层(HIL)2、空穴传输层(HTL)3、发光层(EML)4、电子传输层(ETL)、和阴极6。
图2显示出根据本公开内容的一个实施方式的有机发光装置。在图2中，有机发光装置可依次地包括阳极1、空穴注入层2、空穴传输层3、电子阻挡层7、发光层4、电子传输层5和阴极6。
图3显示出根据本公开内容的一个实施方式的有机发光装置。在图3中，有机发光装置可依次地包括阳极1、空穴注入层2、空穴传输层3、发光层4、空穴阻挡层(HBL)8、电子传输层5和阴极6。
图4显示出根据本公开内容的一个实施方式的有机发光装置。在图4中，有机发光装置依次地包括阳极1、空穴注入层2、空穴传输层3、电子阻挡层7、发光层4、空穴阻挡层8、电子传输层5和阴极6。
阳极1将空穴送入发光层。阳极可包含具有高功函的导电材料，以便于空穴的供给。当将有机发光装置应用于底部发光有机发光显示装置时，阳极可以是由透明导电材料制成的透明电极。当将有机发光装置应用于顶部发光有机发光显示装置时，阳极可以是具有由透明导电材料制成的反射层和透明电极层的多层结构。
阴极6将电子送入发光层。阴极可包含具有低功函的导电材料，以便于电子的供给。当将有机发光装置应用于底部发光有机发光显示装置时，阴极可以是由金属制成的反射电极。当将有机发光装置应用于顶部发光有机发光显示装置时，阴极可以实施为由金属制成并且厚度较小的透明电极。
发光层4可以发出红色R、绿色G和蓝色B光束，并且可以由磷光材料或荧光材料制成。
当发光层4发出红光时，且当发光层4由磷光材料制成时，发光层4可包含：包括CBP(咔唑联苯)或mCP(1,3-双(咔唑-9-基)苯)的基质材料；和掺杂到基质中的掺杂剂，所述掺杂剂包括选自由PIQIr(acac)(双(1-苯基异喹啉)乙酰基丙酮酸铱)、PQIr(acac)(双(1-苯基喹啉)乙酰基丙酮酸铱)、PQIr(三(1-苯基喹啉)铱)、PtOEP(八乙基卟啉铂)、及其组合组成的群组中的至少一种。或者，当发光层4发出红光时，且发光层4由荧光材料制成时，发光层4可包含PBD:Eu(DBM)3(Phen)或苝。但是，本公开内容不限于此。
当发光层4发出绿光时，且当发光层4由磷光材料制成时，发光层4可包含：包括CBP或mCP的基质材料；和掺杂到基质中的掺杂剂，所述掺杂剂包括Ir(ppy)3(fac-三(2-苯基吡啶)合铱)。或者，当发光层4发出绿光时，且当发光层4由荧光材料制成时，发光层4可包含Alq3(三(8-羟基喹啉)铝)。然而，本公开内容不限于此。
当发光层4发出蓝光时，且当发光层4由磷光材料制成时，发光层4可包含：包括CBP或mCP的基质材料；和掺杂到基质中的掺杂剂，所述掺杂剂包括(4,6-F2ppy)2Irpic。或者，当发光层4发出蓝光时，且当发光层4由荧光材料制成时，发光层4可包含选自由螺-DPVBi、螺-6P、均二苯乙烯(DSB)、二苯乙烯基芳烃(DSA)、PFO基聚合物和PPV基聚合物及其组合组成的群组中的至少一种，或可包含化学式1的化合物作为蓝色荧光材料。然而，本公开内容不限于此。
空穴注入层2可以促进空穴的注入。空穴注入层2可包含由化学式1表示的化合物。由化学式1表示的化合物的细节如上所述。
空穴注入层2可进一步包含除由化学式1表示的化合物之外的另外的空穴注入材料。
在一实施例中，另外的空穴注入材料可包括选自由例如CuPc(铜酞菁)、PEDOT(聚(3,4)-乙撑二氧噻吩)、PANI(聚苯胺)、NPD(N,N-二萘基-N,N'-二苯基联苯胺及其组合组成的群组中的至少一种。然而，本公开内容不限于此。
空穴传输层3可包含通过阳离子化(即通过失去电子)电化学稳定的材料作为空穴传输材料。或者，空穴传输层3可包含产生稳定自由基阳离子的材料作为空穴传输材料。
空穴传输层3可包含由化学式1表示的化合物。由化学式1表示的化合物的细节如上所述。
空穴传输层3可进一步包含除由化学式1表示的化合物之外的另外的空穴传输材料。
另外的空穴传输材料可包含芳胺以易于阳离子化。在一实施例中，另外的空穴传输材料可包括选自由NPD(N,N-二萘基-N,N'-二苯基联苯胺)、TPD(N,N'-双-(3-甲基苯基)-N,N'-双-(苯基)-联苯胺)、螺-TAD(2,2',7,7'-四(N,N-二甲基氨基)-9,9-螺芴)、MTDATA(4,4',4-三(N-3-甲基苯基-N-苯基氨基)-三苯胺)及其组合组成的群组中的至少一种。然而，本公开内容不限于此。
电子传输层5从阴极接收电子。电子传输层5可以将该供应的电子转移到发光层。
电子传输层5可用于促进电子的传输。电子传输层5包含电子传输材料。
电子传输材料可以通过阴离子(即通过获得电子)进行电化学稳定化。或者，电子传输材料可以产生稳定的自由基阴离子。或者，电子传输材料可包含杂环以易于被杂原子阴离子化。
在一实施例中，电子传输材料可包括选自由例如PBD(2-(4-联苯基)-5-(4-叔丁基苯基)-1,3,4-恶二唑)、TAZ(3-(4-联苯基)-4-苯基-5-叔丁基苯基-1,2,4-三唑)、螺-PBD、TPBi(1,3,5-三(1-苯基-1-H-苯并咪唑-2-基)苯)、恶二唑、三唑、菲咯啉、苯并恶唑、苯并噻唑及其组合组成的群组中的至少一种。然而，本公开内容不限于此。
在一实施例中，电子传输材料可包括诸如有机铝化合物或有机锂化合物之类的有机金属化合物，包括选自由例如Alq3(三(8-羟基喹啉)铝、Liq(8-羟基喹啉基锂)、BAlq(双(2-甲基-8-喹啉)-4-(苯基苯酚)铝)和SAlq等组成的群组中的至少一种。然而，本公开内容不限于此。
具体地，有机金属化合物可以是有机锂化合物。
更具体地，与有机锂化合物的锂结合的配体可以是羟基喹啉类的配体。
当空穴穿过发光层4移动到阴极6时，或者当电子穿过发光层4到达阳极1时，这可能导致装置的寿命和效率降低。为了防止这种情况，根据本公开内容的一个实施方式的有机发光装置可包括至少一个与发光层4相邻的电子阻挡层(EBL)7和与发光层4相邻的空穴阻挡层(HBL)8。电子阻挡层7可以位于空穴传输层3和发光层4之间。电子阻挡层7可包含由化学式1表示的化合物。由化学式1表示的化合物的细节如上所述。
电子阻挡层7可进一步包含除由化学式1表示的化合物之外的另外的电子阻挡材料。
在一实施例中，另外的电子阻挡材料可包括选自由例如TCTA、三[4-(二乙基氨基)苯基]胺、N-(联苯-4-基)-9,9-二甲基-N-(4-(9-苯基-9H-咔唑-3-基)苯基)-9H-芴-2-胺、三-对-甲苯胺、1,1-双(4-(N,N'-二(对-甲苯基)氨基)苯基)环己烷(TAPC)、MTDATA、mCP、mCBP、CuPC、N,N'-双[4-[双-3-甲基苯基]氨基]苯基]-N,N'-二苯基-[1,1'-联苯基]-4,4'-二胺(DNTPD)、TDAPB及其组合组成的群组中的至少一种。然而，本公开内容不限于此。
空穴阻挡层8可以位于电子传输层5和发光层4之间。空穴阻挡层8可包含由化学式1表示的化合物。由化学式1表示的化合物的细节如上所述。
空穴阻挡层8可进一步包含除由化学式1表示的化合物之外的另外的空穴阻挡材料。
在一实施例中，另外的空穴阻挡材料可包括选自由例如恶二唑、三唑、菲咯啉、苯并恶唑、苯并噻唑、苯并咪唑、三嗪及其组合组成的群组中的至少一种。然而，本公开内容不限于此。
除了电子传输层之外，有机材料层还可包括选自由空穴注入层、空穴传输层、电子阻挡层、空穴阻挡层、电子注入层及其组合组成的群组中的一种。空穴注入层、空穴传输层、电子阻挡层、空穴阻挡层、电子传输层和电子注入层中的每一个可以由单层或多层的堆叠形成。
有机材料层可进一步包括电子注入层。
电子注入层用于促进电子注入并包含电子注入材料。电子注入材料可包括但不限于选自由Alq3(三(8-羟基喹啉)铝)、PBD、TAZ、螺-PBD、BAlq、SAlq及其组合组成的群组中的至少一种。或者，电子注入层可以由金属化合物制成。金属化合物可包括但不限于选自由例如LiQ、LiF、NaF、KF、RbF、CsF、FrF、BeF2、MgF2、CaF2、SrF2、BaF2和RaF2组成的群组中的至少一种。
根据本公开内容的有机发光装置可应用于诸如移动电话和TV之类的有机发光显示装置。例如，图5是根据本公开内容的示例性实施方式的可应用于移动电话的有机发光显示装置的示意性截面图。
如图5所示，有机发光显示装置300可包括基板301、有机发光装置400和覆盖有机发光装置400的封装层390。在基板301上，设置有作为驱动装置的驱动薄膜晶体管Td和与驱动薄膜晶体管Td连接的有机发光装置400。
尽管未示出，但是在基板301上，形成有作为限定像素区域的栅极线和数据线、与栅极线或数据线平行且间隔开的电源线、连接到栅极线和数据线的开关薄膜晶体管、以及连接到电源线和开关薄膜晶体管的一个电极的存储电容器。
驱动薄膜晶体管Td连接到开关薄膜晶体管，并且包括半导体310、栅极330、源极352和漏极354。
半导体层310形成在基板301上，并且可以由氧化物半导体材料或多晶硅制成。当半导体层310由氧化物半导体材料制成时，可以在半导体层310的下方形成光阻挡图案(未示出)。光阻挡图案防止光进入半导体层310，从而防止半导体层310因光而恶化。或者，当半导体层310可由多晶硅制成时，杂质可以掺杂到半导体层310的两个边缘中。
由绝缘材料制成的栅极绝缘膜320形成在基板301的整个表面的上方和在半导体层310上。栅极绝缘膜320可以由诸如氧化硅或氮化硅的无机绝缘材料制成。
由诸如金属的导电材料制成的栅极330形成在栅极绝缘膜320上和在半导体层310的中心区域中。栅极330连接到开关薄膜晶体管。
由绝缘材料制成的层间绝缘膜340形成在基板301的整个表面的上方。层间绝缘膜340可以由诸如氧化硅或氮化硅的无机绝缘材料制成，或者可以由诸如苯并环丁烯或光亚克力的有机绝缘材料制成。
层间绝缘膜340具有限定在其中的第一接触孔342和第二接触孔344，用于暴露半导体层310的两侧。第一接触孔342和第二接触孔344与栅极330间隔开并设置在栅极330周围。
在层间绝缘膜340上，形成有由诸如金属的导电材料制成的源极352和漏极354。源极352和漏极354彼此间隔开并且设置在栅极330周围。源极352和漏极354分别经由第一接触孔342和第二接触孔344接触半导体层310的两侧。源极352连接到电源线(未示出)。
半导体层310、栅极330、源极352和漏极354形成驱动薄膜晶体管Td。驱动薄膜晶体管Td具有共面结构，其中栅极330、源极352和漏极354设置在半导体层310的上方。
或者，驱动薄膜晶体管Td可以具有反交错结构，其中栅极设置在半导体层的下方，而源极和漏极设置在半导体层的上方。在这种情况下，半导体层可以由非晶硅制成。在一实施例中，开关薄膜晶体管(未示出)可以具有与驱动薄膜晶体管Td基本相同的结构。
或者，有机发光显示装置300可包括吸收从有机电致发光这种400产生的光的滤色器360。在一实施例中，滤色器360可以吸收红色(R)、绿色(G)、蓝色(B)和白色(W)光。在这种情况下，分别吸收红色、绿色和蓝色光的红色、绿色和蓝色滤色器图案可以在每个像素区域中单独形成。这些滤色器图案中的每一个可被设置为与有机发光装置400中的对应的有机发光层430重叠，该有机发光装置400中的对应的有机发光层430发出将被每个滤色器图案吸收的波段的光。采用滤色器360可以允许有机电致发光显示装置300呈现全彩色。
在一实施例中，当有机电致发光显示装置300是底部发光型时，滤色器360可以位于层间绝缘膜340的顶部上并且位于与有机发光装置400相对应的区域中。在替代实施方式中，当有机电致发光显示装置300是顶部发光型时，滤色器360可以位于第二电极420的顶部上并且位于与有机发光装置400相对应的区域中。在一实施例中，滤色器360可以形成为2μm至5μm的厚度。
在一实施例中，形成具有限定在其中的漏极接触孔372且暴露驱动薄膜晶体管Td的漏极354的保护层370，以覆盖驱动薄膜晶体管Td。
在保护层370上，经由漏极接触孔372连接到驱动薄膜晶体管Td的漏极354的第一电极410单独地形成在每个像素区域中。
第一电极410可以用作阳极，并且可以由具有相对大的功函值的导电材料制成。例如，第一电极410可以由诸如ITO、IZO或ZnO的透明导电材料制成。
在一实施例中，当有机电致发光显示装置300是顶部发光型时，反射电极或反射层可进一步形成在第一电极410的下方。例如，反射电极或反射层可以由铝(Al)、银(Ag)、镍(Ni)、铝-钯-铜(APC合金)中的任一种制成。
在保护层370上，形成覆盖第一电极410的边缘的堤层380。堤层380可被构造为使得与所限定的每个像素区域对应的堤孔部分地暴露第一电极410。
有机发光层430形成在第一电极410上。在一实施例中，有机发光层430可包括两个或更多个发光层，如图1和图2所示。
第二电极420形成在有机发光层430上。第二电极420位于整个显示区域上，并且可以由具有相对小的功函值的导电材料制成，因此可以用作阴极。例如，第二电极400可以由铝Al、镁Mg、和铝镁合金AlMg中的任一种制成。
第一电极410、有机发光层430和第二电极420构成有机发光装置400。
在第二电极420上，形成封装膜390以防止外部湿气渗入有机发光装置400中。虽然未示出，但是封装膜390可以具有但不限于依次由第一无机层、和有机层以及第二无机层组成的三层结构(未示出)。
提供本公开内容的以下实施例以向本领域技术人员更充分地描述本公开内容。以下实施例可以改变为各种其他形式。因此，本公开内容的范围不限于以下实施例。而是，提供以下实施例以使本公开内容更加如实和完整，并且提供为向本领域技术人员充分地传达本公开内容的构思。
在下文中，将阐述实施例和比较例。各实施例可以仅是本公开内容的示例。因此，本公开内容不限于这些实施例。
(实施例)
合成例1：化合物61和72
制备化合物61-1
[反应式1]
在氮气氛下，于500ml圆底烧瓶中，将SM(原料)(15.9g，50mmol)、Cu(OAc)2(10.9g，60mmol)和Zn(OTf)2(3.63g，10mmol)完全溶解于200ml甲苯和50ml二甲亚砜(DMSO)中以形成混合物。然后，将混合物加热并在120℃下搅拌，同时回流24小时。在混合物的反应完成之后，将反应混合物冷却至室温，并进行过滤。然后，除去沉淀物并进行减压浓缩，然后使用四氢呋喃：己烷＝1：5进行柱色谱，以制备化合物61-1(12.9g，产率：82％)。
制备化合物61-2
[反应式2]
在氮气氛下，将2-溴联苯(9.32g，40mmol)溶解在四氢呋喃(100ml)中，然后冷却至-78℃。然后，向其中缓慢滴加n-BuLi(2.5M，16ml，40mmol)，随后搅拌1小时。向其中缓慢滴加上述化合物61-1(12.6g，40mmol)，搅拌3小时，然后升温至室温。向其中加入水(100ml)。用四氢呋喃进行萃取。将所得的有机层进行浓缩并用甲醇进行重结晶，以得到化合物61-2(16g，产率85％)。
制备化合物61-3
[反应式3]
在氮气氛下，将化合物61-2(9.4g，20mmol)溶解在100ml乙酸中。然后，向其中加入20ml无水硫酸。然后，将混合物加热并搅拌，同时回流3小时。反应完成之后，将反应混合物冷却至室温，用氯仿萃取，并用水洗涤。然后，利用无水硫酸镁从洗涤过的提取产物中除去水，然后过滤。然后，将有机溶剂进行减压蒸馏和从萃取产物中去除，以得到化合物61-3(7.13g，产率：79％)。
制备化合物61
[反应式4]
在氮气氛下，于500ml圆底烧瓶中，将化合物61-3(9.0g，20mmol)、二([1,1'-联苯基]-4-基)胺(6.4g，20mmol)、Pd(OAc)2(0.45g，2mmol)、P(t-Bu)3(0.81g，4mmol)和NaOtBu(7.7g，80mmol)溶解在200ml甲苯中以形成混合物。然后，将混合物加热并搅拌，同时回流12小时。将有机层用氯仿萃取并用水洗涤。用无水硫酸镁从有机层中除去水，过滤有机层。然后，从有机层中减压蒸馏并除去有机溶剂，然后进行柱纯化，以得到化合物61(12.5g，产率：90％)。
制备化合物72-1
[反应式5]
在氮气氛下，于500ml圆底烧瓶中，将SM1(3.0g，20mmol)、SM2(5.0g，20mmol)、Pd(OAc)2(0.45g，2mmol)、P(t-Bu)3(0.81g，4mmol)和NaOtBu(7.7g，80mmol)溶解在200ml甲苯中以形成混合物。然后，将混合物加热并搅拌，同时回流12小时。将有机层用氯仿萃取并用水洗涤。用无水硫酸镁从有机层中除去水，过滤有机层。然后，将有机溶剂减压蒸馏并从有机层中除去，然后进行柱纯化，以得到化合物72-1(6.4g，产率：95％)。
制备化合物72
[反应式6]
在氮气氛下，于500ml圆底烧瓶中，将化合物61-3(9.0g，20mmol)、化合物72-1(6.7g，20mmol)、Pd(OAc)2(0.45g，2mmol)、P(t-Bu)3(0.81g，4mmol)和NaOtBu(7.7g，80mmol)溶解在200ml甲苯中以形成混合物。然后，将混合物加热并搅拌，同时回流12小时。将有机层用氯仿萃取并用水洗涤。用无水硫酸镁从有机层中除去水，过滤有机层。然后，将有机溶剂减压蒸馏并从有机层中除去，然后进行柱纯化，以得到化合物72(13.1g，产率：93％)。
合成例2：化合物3、15和16
制备化合物3-1
[反应式7]
在氮气氛下，于500ml圆底烧瓶中，将SM(原料)(11.9g，50mmol)、Cu(OAc)2(10.9g，60mmol)和Zn(OTf)2(3.63g，10mmol)完全溶解于200ml甲苯和50ml二甲亚砜(DMSO)中以形成混合物。然后，将混合物加热并在120℃下搅拌，同时回流24小时。在混合物的反应完成之后，将反应混合物冷却至室温，并进行过滤。然后，除去沉淀物并进行减压浓缩，然后使用四氢呋喃：己烷＝1：5进行柱色谱，以制备化合物3-1(11.2g，产率：95％)。
制备化合物3-2
[反应式8]
在氮气氛下，将SM(原料)(10.7g，40mmol)溶解在四氢呋喃(100ml)中，然后冷却至-78℃。然后，向其中缓慢滴加n-BuLi(2.5M，16ml，40mmol)，随后搅拌1小时。向其中缓慢滴加上述化合物3-1(9.5g，40mmol)，搅拌3小时，然后升温至室温。向其中加入水(100ml)。用四氢呋喃进行萃取。将所得的有机层进行浓缩并用甲醇进行重结晶，以得到化合物3-2(13.6g，产率：80％)。
制备化合物3-3
[反应式9]
在氮气氛下，将化合物3-2(8.5g，20mmol)溶解在100ml乙酸中。然后，向其中加入20ml无水硫酸。然后，将混合物加热并搅拌，同时回流3小时。反应完成之后，将反应混合物冷却至室温，用氯仿萃取，并用水洗涤。然后，利用无水硫酸镁从洗涤过的提取产物中除去水，然后过滤。然后，将有机溶剂进行减压蒸馏和从萃取产物中去除，以得到化合物3-3(5.9g，产率：73％)。
制备化合物3
[反应式10]
在氮气氛下，于500ml圆底烧瓶中，将化合物3-3(8.1g，20mmol)、SM(原料)(6.4g，20mmol)、Pd(OAc)2(0.45g，2mmol)、P(t-Bu)3(0.81g，4mmol)和NaOtBu(7.7g，80mmol)溶解在200ml甲苯中以形成混合物。然后，将混合物加热并搅拌，同时回流12小时。将有机层用氯仿萃取并用水洗涤。用无水硫酸镁从有机层中除去水，过滤有机层。然后，从有机层中减压蒸馏并除去有机溶剂，然后进行柱纯化，以得到化合物3(12.2g，产率：88％)。
制备化合物15
[反应式11]
在氮气氛下，于500ml圆底烧瓶中，将化合物3-3(8.1g，20mmol)、SM(原料)(8.0g，20mmol)、Pd(OAc)2(0.45g，2mmol)、P(t-Bu)3(0.81g，4mmol)和NaOtBu(7.7g，80mmol)溶解在200ml甲苯中以形成混合物。然后，将混合物加热并搅拌，同时回流12小时。将有机层用氯仿萃取并用水洗涤。用无水硫酸镁从有机层中除去水，过滤有机层。然后，从有机层中减压蒸馏并除去有机溶剂，然后进行柱纯化，以得到化合物15(13.2g，产率：86％)。
制备化合物26
[反应式12]
在氮气氛下，于500ml圆底烧瓶中，将化合物3-3(8.0g，20mmol)、SM(原料)(8.0g，20mmol)、Pd(OAc)2(0.45g，2mmol)、P(t-Bu)3(0.81g，4mmol)和NaOtBu(7.7g，80mmol)溶解在200ml甲苯中以形成混合物。然后，将混合物加热并搅拌，同时回流12小时。将有机层用氯仿萃取并用水洗涤。用无水硫酸镁从有机层中除去水，过滤有机层。然后，从有机层中减压蒸馏并除去有机溶剂，然后进行柱纯化，以得到化合物26(13.7g，产率：89％)。
合成例3：化合物100、102和111
制备化合物100-1
[反应式13]
在氮气氛下，于500ml圆底烧瓶中，将SM(原料)(12.9g，50mmol)、Cu(OAc)2(10.9g，60mmol)和Zn(OTf)2(3.63g，10mmol)完全溶解于200ml甲苯和50ml二甲亚砜(DMSO)中以形成混合物。然后，将混合物加热并在120℃下搅拌，同时回流24小时。在混合物的反应完成之后，将反应混合物冷却至室温，并进行过滤。然后，除去沉淀物并进行减压浓缩，然后使用四氢呋喃：己烷＝1：5进行柱色谱，以制备化合物100-1(14.2g，产率：90％)。
制备化合物100-2
[反应式14]
/>
在氮气氛下，将SM(原料)(9.3g，40mmol)溶解在四氢呋喃(100ml)中，然后冷却至-78℃。然后，向其中缓慢滴加n-BuLi(2.5M，16ml，40mmol)，随后搅拌1小时。向其中缓慢滴加上述化合物100-1(12.6g，40mmol)，搅拌3小时，然后升温至室温。向其中加入水(100ml)。用四氢呋喃进行萃取。将所得的有机层进行浓缩并用甲醇进行重结晶，以得到化合物100-2(16.3g，产率：87％)。
制备化合物100-3
[反应式15]
在氮气氛下，将化合物100-2(9.4g，20mmol)溶解在100ml乙酸中。然后，向其中加入20ml无水硫酸。然后，将混合物加热并搅拌，同时回流3小时。反应完成之后，将反应混合物冷却至室温，用氯仿萃取，并用水洗涤。然后，利用无水硫酸镁从洗涤过的提取产物中除去水，然后过滤。然后，将有机溶剂进行减压蒸馏和从萃取产物中去除，以得到化合物100-3(7.2g，产率：80％)。
制备化合物100
[反应式16]
在氮气氛下，于500ml圆底烧瓶中，将化合物100-3(9.1g，20mmol)、SM(原料)(6.4g，20mmol)、Pd(OAc)2(0.45g，2mmol)、P(t-Bu)3(0.81g，4mmol)和NaOtBu(7.7g，80mmol)溶解在200ml甲苯中以形成混合物。然后，将混合物加热并搅拌，同时回流12小时。将有机层用氯仿萃取并用水洗涤。用无水硫酸镁从有机层中除去水，过滤有机层。然后，从有机层中减压蒸馏并除去有机溶剂，然后进行柱纯化，以得到化合物100(12.7g，产率：92％)。
制备化合物102
[反应式17]
在氮气氛下，于500ml圆底烧瓶中，将化合物100-3(9.1g，20mmol)、SM(原料)(9.5g，20mmol)、Pd(OAc)2(0.45g，2mmol)、P(t-Bu)3(0.81g，4mmol)和NaOtBu(7.7g，80mmol)溶解在200ml甲苯中以形成混合物。然后，将混合物加热并搅拌，同时回流12小时。将有机层用氯仿萃取并用水洗涤。用无水硫酸镁从有机层中除去水，过滤有机层。然后，从有机层中减压蒸馏并除去有机溶剂，然后进行柱纯化，以得到化合物102(15.2g，产率：90％)。
制备化合物111
[反应式18]
在氮气氛下，于500ml圆底烧瓶中，将化合物100-3(9.1g，20mmol)、SM(原料)(6.7g，20mmol)、Pd(OAc)2(0.45g，2mmol)、P(t-Bu)3(0.81g，4mmol)和NaOtBu(7.7g，80mmol)溶解在200ml甲苯中以形成混合物。然后，将混合物加热并搅拌，同时回流12小时。将有机层用氯仿萃取并用水洗涤。用无水硫酸镁从有机层中除去水，过滤有机层。然后，从有机层中减压蒸馏并除去有机溶剂，然后进行柱纯化，以得到化合物111(12.4g，产率：88％)。
合成例4：化合物122和131
制备化合物122-1
[反应式19]
在氮气氛下，于500ml圆底烧瓶中，将SM(原料)(7.3g，20mmol)和磷酸(1.0g，10mmol)溶解在200ml甲苯中以形成混合物。然后，将混合物加热并搅拌，同时回流12小时。将有机层用氯仿萃取并用水洗涤。用无水硫酸镁从有机层中除去水，过滤有机层。然后，从有机层中减压蒸馏并除去有机溶剂，然后进行柱纯化，以得到化合物122-1(5.4g，产率：78％)。
制备化合物122-2
[反应式20]
在氮气氛下，将SM(原料)(9.3g，40mmol)溶解在四氢呋喃(100ml)中，然后冷却至-78℃。然后，向其中缓慢滴加n-BuLi(2.5M，16ml，40mmol)，随后搅拌1小时。向其中缓慢滴加上述化合物122-1(13.9g，40mmol)，搅拌3小时，然后升温至室温。向其中加入水(100ml)。用四氢呋喃进行萃取。将所得的有机层进行浓缩并用甲醇进行重结晶，以得到化合物122-2(8.3g，产率：83％)。
制备化合物122-3
[反应式21]
在氮气氛下，将化合物122-2(10.0g，20mmol)溶解在100ml乙酸中。然后，向其中加入20ml无水硫酸。然后，将混合物加热并搅拌，同时回流3小时。反应完成之后，将反应混合物冷却至室温，用氯仿萃取，并用水洗涤。然后，利用无水硫酸镁从洗涤过的提取产物中除去水，然后过滤。然后，将有机溶剂进行减压蒸馏和从萃取产物中去除，以得到化合物122-3(8.0g，产率：84％)。
制备化合物122
[反应式22]
在氮气氛下，于500ml圆底烧瓶中，将化合物122-3(9.7g，20mmol)、SM(原料)(9.5g，20mmol)、Pd(OAc)2(0.45g，2mmol)、P(t-Bu)3(0.81g，4mmol)和NaOtBu(7.7g，80mmol)溶解在200ml甲苯中以形成混合物。然后，将混合物加热并搅拌，同时回流12小时。将有机层用氯仿萃取并用水洗涤。用无水硫酸镁从有机层中除去水，过滤有机层。然后，从有机层中减压蒸馏并除去有机溶剂，然后进行柱纯化，以得到化合物122(14.5g，产率：83％)。
制备化合物131
[反应式23]
在氮气氛下，于500ml圆底烧瓶中，将化合物122-3(9.7g，20mmol)、SM(原料)(6.7g，20mmol)、Pd(OAc)2(0.45g，2mmol)、P(t-Bu)3(0.81g，4mmol)和NaOtBu(7.7g，80mmol)溶解在200ml甲苯中以形成混合物。然后，将混合物加热并搅拌，同时回流12小时。将有机层用氯仿萃取并用水洗涤。用无水硫酸镁从有机层中除去水，过滤有机层。然后，从有机层中减压蒸馏并除去有机溶剂，然后进行柱纯化，以得到化合物131(13.0g，产率：88％)。
合成例5：化合物42、46、53和56
制备化合物42-1
[反应式24]
在氮气氛下，于500ml圆底烧瓶中，将将SM1(6.67g，30mmol)、SM2(11.2g，30mmol)和KN(SiMe3)2(15g，75mmol)完全溶解于200ml 1,4-二恶烷中以形成混合物。然后，将混合物加热并搅拌，同时回流16小时。在混合物的反应完成之后，将反应混合物冷却至室温，并进行过滤。然后，除去沉淀物并进行减压浓缩，然后使用四氢呋喃：己烷＝1：5进行柱色谱，以制备化合物42-1(11.9g，产率：73％)。
制备化合物42
[反应式25]
在氮气氛下，于500ml圆底烧瓶中，将化合物42-1(5.3g，10mmol)、二([1,1'-联苯基]-4-基)胺(6.4g，20mmol)、Pd(OAc)2(0.45g，2mmol)、P(t-Bu)3(0.81g，4mmol)和NaOtBu(7.7g，80mmol)溶解在200ml甲苯中以形成混合物。然后，将混合物加热并搅拌，同时回流12小时。将有机层用氯仿萃取并用水洗涤。用无水硫酸镁从有机层中除去水，过滤有机层。然后，从有机层中减压蒸馏并除去有机溶剂，然后进行柱纯化，以得到化合物42(8.4g，产率：83％)。
制备化合物46
[反应式26]
在氮气氛下，于500ml圆底烧瓶中，将化合物42-1(5.3g，10mmol)、SM(原料)(3.3g，20mmol)、Pd(OAc)2(0.45g，2mmol)、P(t-Bu)3(0.81g，4mmol)和NaOtBu(7.7g，80mmol)溶解在200ml甲苯中以形成混合物。然后，将混合物加热并搅拌，同时回流12小时。将有机层用氯仿萃取并用水洗涤。用无水硫酸镁从有机层中除去水，过滤有机层。然后，从有机层中减压蒸馏并除去有机溶剂，然后进行柱纯化，以得到化合物46(6.3g，产率：89％)。
制备化合物53-1
[反应式27]
在氮气氛下，于500ml圆底烧瓶中，将化合物42-1(5.3g，10mmol)、SM(原料)(1.7g，10mmol)、Pd(OAc)2(0.45g，2mmol)、P(t-Bu)3(0.81g，4mmol)和NaOtBu(7.7g，80mmol)溶解在200ml甲苯中以形成混合物。然后，将混合物加热并搅拌，同时回流12小时。将有机层用氯仿萃取并用水洗涤。用无水硫酸镁从有机层中除去水，过滤有机层。然后，从有机层中减压蒸馏并除去有机溶剂，然后进行柱纯化，以得到化合物53-1(4.6g，产率：75％)。
制备化合物53
[反应式28]
将化合物53-1(6.2g，10mmol)、SM(原料)(2.9g，10mmol)、Pd(PPh3)4(0.6g，0.5mmol)和K2CO3(4.1g，30mmol)溶解在200ml甲苯和40ml水的混合溶液中以形成混合物。然后，将混合物加热并搅拌，同时回流12小时。将有机层用氯仿萃取并用水洗涤。用无水硫酸镁从有机层中除去水，过滤有机层。然后，从有机层中减压蒸馏并除去有机溶剂，然后进行柱纯化，以得到化合物53(7.0g，产率：90％)。
制备化合物56
[反应式29]
将化合物42-1(5.3g，10mmol)、SM(原料)(5.7g，20mmol)、Pd(PPh3)4(0.6g，0.5mmol)和K2CO3(4.1g，30mmol)溶解在200ml甲苯和40ml水的混合溶液中以形成混合物。然后，将混合物加热并搅拌，同时回流12小时。将有机层用氯仿萃取并用水洗涤。用无水硫酸镁从有机层中除去水，过滤有机层。然后，从有机层中减压蒸馏并除去有机溶剂，然后进行柱纯化，以得到化合物56(7.5g，产率：88％)。
合成例6：化合物160和174
制备化合物160-1
[反应式30]
在氮气氛下，于500ml圆底烧瓶中，将SM(原料)(15.3g，50mmol)、Cu(OAc)2(10.9g，60mmol)和Zn(OTf)2(3.63g，10mmol)完全溶解于200ml甲苯和50ml二甲亚砜(DMSO)中以形成混合物。然后，将混合物加热并在120℃下搅拌，同时回流24小时。在混合物的反应完成之后，将反应混合物冷却至室温，并进行过滤。然后，除去沉淀物并进行减压浓缩，然后使用四氢呋喃：己烷＝1：5进行柱色谱，以制备化合物160-1(12.2g，产率：80％)。
制备化合物160-2
[反应式31]
在氮气氛下，将SM(原料)(9.3g，40mmol)溶解在四氢呋喃(100ml)中，然后冷却至-78℃。然后，向其中缓慢滴加n-BuLi(2.5M，16ml，40mmol)，随后搅拌1小时。向其中缓慢滴加上述化合物160-1(12.2g，40mmol)，搅拌3小时，然后升温至室温。向其中加入水(100ml)。用四氢呋喃进行萃取。将所得的有机层进行浓缩并用甲醇进行重结晶，以得到化合物160-2(15.6g，产率：85％)。
制备化合物160-3
[反应式32]
在氮气氛下，将化合物160-2(9.2g，20mmol)溶解在100ml乙酸中。然后，向其中加入20ml无水硫酸。然后，将混合物加热并搅拌，同时回流3小时。反应完成之后，将反应混合物冷却至室温，用氯仿萃取，并用水洗涤。然后，利用无水硫酸镁从洗涤过的提取产物中除去水，然后过滤。然后，将有机溶剂进行减压蒸馏和从萃取产物中去除，以得到化合物160-3(7.2g，产率：81％)。
制备化合物160
[反应式33]
在氮气氛下，于500ml圆底烧瓶中，将化合物160-3(8.8g，20mmol)、SM(原料)(12.8g，40mmol)、Pd(OAc)2(0.45g，2mmol)、P(t-Bu)3(0.81g，4mmol)和NaOtBu(7.7g，80mmol)溶解在200ml甲苯中以形成混合物。然后，将混合物加热并搅拌，同时回流12小时。将有机层用氯仿萃取并用水洗涤。用无水硫酸镁从有机层中除去水，过滤有机层。然后，从有机层中减压蒸馏并除去有机溶剂，然后进行柱纯化，以得到化合物160(17.6g，产率：87％)。
制备化合物174-1
[反应式34]
在氮气氛下，于500ml圆底烧瓶中，将SM(原料)(17.6g，50mmol)、Cu(OAc)2(10.9g，60mmol)和Zn(OTf)2(3.63g，10mmol)完全溶解于200ml甲苯和50ml二甲亚砜(DMSO)中以形成混合物。然后，将混合物加热并在120℃下搅拌，同时回流24小时。在混合物的反应完成之后，将反应混合物冷却至室温，并进行过滤。然后，除去沉淀物并进行减压浓缩，然后使用四氢呋喃：己烷＝1：5进行柱色谱，以制备化合物174-1(13.5g，产率：77％)。
制备化合物174-2
[反应式35]
在氮气氛下，将2-溴联苯(9.3g，40mmol)溶解在四氢呋喃(100ml)中，然后冷却至-78℃。然后，向其中缓慢滴加n-BuLi(2.5M，16ml，40mmol)，随后搅拌1小时。向其中缓慢滴加上述化合物174-1(14.0g，40mmol)，搅拌3小时，然后升温至室温。向其中加入水(100ml)。用四氢呋喃进行萃取。将所得的有机层进行浓缩并用甲醇进行重结晶，以得到化合物174-2(16.1g，产率：80％)。
制备化合物174-3
[反应式36]
在氮气氛下，将化合物174-2(10.0g，20mmol)溶解在100ml乙酸中。然后，向其中加入20ml无水硫酸。然后，将混合物加热并搅拌，同时回流3小时。反应完成之后，将反应混合物冷却至室温，用氯仿萃取，并用水洗涤。然后，利用无水硫酸镁从洗涤过的提取产物中除去水，然后过滤。然后，将有机溶剂进行减压蒸馏和从萃取产物中去除，以得到化合物174-3(8.6g，产率：88％)。
制备化合物174-4
[反应式37]
在氮气氛下，于500ml圆底烧瓶中，将化合物174-3(9.7g，20mmol)、SM(原料)(6.7g，20mmol)、Pd(OAc)2(0.45g，2mmol)、P(t-Bu)3(0.81g，4mmol)和NaOtBu(7.7g，80mmol)溶解在200ml甲苯中以形成混合物。然后，将混合物加热并搅拌，同时回流12小时。将有机层用氯仿萃取并用水洗涤。用无水硫酸镁从有机层中除去水，过滤有机层。然后，从有机层中减压蒸馏并除去有机溶剂，然后进行柱纯化，以得到化合物174-4(11.7g，产率：79％)。
制备化合物174
[反应式38]
在氮气氛下，于500ml圆底烧瓶中，将化合物174-4(14.8g，20mmol)、SM(原料)(6.7g，20mmol)、Pd(OAc)2(0.45g，2mmol)、P(t-Bu)3(0.81g，4mmol)和NaOtBu(7.7g，80mmol)溶解在200ml甲苯中以形成混合物。然后，将混合物加热并搅拌，同时回流24小时。将有机层用氯仿萃取并用水洗涤。用无水硫酸镁从有机层中除去水，过滤有机层。然后，从有机层中减压蒸馏并除去有机溶剂，然后进行柱纯化，以得到化合物174(15.2g，产率：73％)。
合成例7：化合物80
制备化合物80-1
[反应式39]
在氮气氛下，于500ml圆底烧瓶中，将SM(原料)(7.0g，20mmol)和磷酸(1.0g，10mmol)溶解在200ml甲苯中以形成混合物。然后，将混合物加热并搅拌，同时回流12小时。将有机层用氯仿萃取并用水洗涤。用无水硫酸镁从有机层中除去水，过滤有机层。然后，从有机层中减压蒸馏并除去有机溶剂，然后进行柱纯化，以得到化合物80-1(5.4g，产率：82％)。
制备化合物80-2
[反应式40]
在氮气氛下，将2-溴联苯(9.3g，40mmol)溶解在四氢呋喃(100ml)中，然后冷却至-78℃。然后，向其中缓慢滴加n-BuLi(2.5M，16ml，40mmol)，随后搅拌1小时。向其中缓慢滴加上述化合物122-1(13.9g，40mmol)，搅拌3小时，然后升温至室温。向其中加入水(100ml)。用四氢呋喃进行萃取。将所得的有机层进行浓缩并用甲醇进行重结晶，以得到化合物80-2(14.6g，产率：78％)。
制备化合物80-3
[反应式41]
在氮气氛下，将化合物80-2(9.7g，20mmol)溶解在100ml乙酸中。然后，向其中加入20ml无水硫酸。然后，将混合物加热并搅拌，同时回流3小时。反应完成之后，将反应混合物冷却至室温，用氯仿萃取，并用水洗涤。然后，利用无水硫酸镁从洗涤过的提取产物中除去水，然后过滤。然后，将有机溶剂进行减压蒸馏和从萃取产物中去除，以得到化合物80-3(8.4g，产率：90％)。
制备化合物80
[反应式42]
在氮气氛下，于500ml圆底烧瓶中，将化合物80-3(9.3g，20mmol)、SM(原料)(8.0g，20mmol)、Pd(OAc)2(0.45g，2mmol)、P(t-Bu)3(0.81g，4mmol)和NaOtBu(7.7g，80mmol)溶解在200ml甲苯中以形成混合物。然后，将混合物加热并搅拌，同时回流24小时。将有机层用氯仿萃取并用水洗涤。用无水硫酸镁从有机层中除去水，过滤有机层。然后，从有机层中减压蒸馏并除去有机溶剂，然后进行柱纯化，以得到化合物80(12.5g，产率：80％)。
合成例8：化合物92
制备化合物92-1
[反应式43]
在氮气氛下，于500ml圆底烧瓶中，将SM(原料)(7.0g，20mmol)和磷酸(1.0g，10mmol)溶解在200ml甲苯中以形成混合物。然后，将混合物加热并搅拌，同时回流12小时。将有机层用氯仿萃取并用水洗涤。用无水硫酸镁从有机层中除去水，过滤有机层。然后，从有机层中减压蒸馏并除去有机溶剂，然后进行柱纯化，以得到化合物92-1(5.3g，产率：80％)。
制备化合物92-2
[反应式44]
在氮气氛下，将2-溴联苯(9.3g，40mmol)溶解在四氢呋喃(100ml)中，然后冷却至-78℃。然后，向其中缓慢滴加n-BuLi(2.5M，16ml，40mmol)，随后搅拌1小时。向其中缓慢滴加上述化合物92-1(13.2g，40mmol)，搅拌3小时，然后升温至室温。向其中加入水(100ml)。用四氢呋喃进行萃取。将所得的有机层进行浓缩并用甲醇进行重结晶，以得到化合物92-2(14.7g，产率：76％)。
制备化合物92-3
[反应式45]
在氮气氛下，将化合物92-2(9.7g，20mmol)溶解在100ml乙酸中。然后，向其中加入20ml无水硫酸。然后，将混合物加热并搅拌，同时回流3小时。反应完成之后，将反应混合物冷却至室温，用氯仿萃取，并用水洗涤。然后，利用无水硫酸镁从洗涤过的提取产物中除去水，然后过滤。然后，将有机溶剂进行减压蒸馏和从萃取产物中去除，以得到化合物92-3(8.7g，产率：93％)。
制备化合物92
[反应式46]
在氮气氛下，于500ml圆底烧瓶中，将化合物92-3(9.3g，20mmol)、SM(原料)(6.7g，20mmol)、Pd(OAc)2(0.45g，2mmol)、P(t-Bu)3(0.81g，4mmol)和NaOtBu(7.7g，80mmol)溶解在200ml甲苯中以形成混合物。然后，将混合物加热并搅拌，同时回流24小时。将有机层用氯仿萃取并用水洗涤。用无水硫酸镁从有机层中除去水，过滤有机层。然后，从有机层中减压蒸馏并除去有机溶剂，然后进行柱纯化，以得到化合物92(12.0g，产率：85％)。
合成例9：化合物120
制备化合物120-1
[反应式47]
在氮气氛下，于500ml圆底烧瓶中，将SM(原料)(7.0g，20mmol)和磷酸(1.0g，10mmol)溶解在200ml甲苯中以形成混合物。然后，将混合物加热并搅拌，同时回流12小时。将有机层用氯仿萃取并用水洗涤。用无水硫酸镁从有机层中除去水，过滤有机层。然后，从有机层中减压蒸馏并除去有机溶剂，然后进行柱纯化，以得到化合物120-1(5.5g，产率：80％)。
制备化合物120-2
[反应式48]
/>
在氮气氛下，将2-溴联苯(9.3g，40mmol)溶解在四氢呋喃(100ml)中，然后冷却至-78℃。然后，向其中缓慢滴加n-BuLi(2.5M，16ml，40mmol)，随后搅拌1小时。向其中缓慢滴加上述化合物120-1(13.2g，40mmol)，搅拌3小时，然后升温至室温。向其中加入水(100ml)。用四氢呋喃进行萃取。将所得的有机层进行浓缩并用甲醇进行重结晶，以得到化合物120-2(15.0g，产率：77％)。
制备化合物120-3
[反应式49]
在氮气氛下，将化合物120-2(9.7g，20mmol)溶解在100ml乙酸中。然后，向其中加入20ml无水硫酸。然后，将混合物加热并搅拌，同时回流3小时。反应完成之后，将反应混合物冷却至室温，用氯仿萃取，并用水洗涤。然后，利用无水硫酸镁从洗涤过的提取产物中除去水，然后过滤。然后，将有机溶剂进行减压蒸馏和从萃取产物中去除，以得到化合物120-3(8.6g，产率：92％)。
制备化合物120
[反应式50]
在氮气氛下，于500ml圆底烧瓶中，将化合物120-3(9.3g，20mmol)、SM(原料)(8.0g，20mmol)、Pd(OAc)2(0.45g，2mmol)、P(t-Bu)3(0.81g，4mmol)和NaOtBu(7.7g，80mmol)溶解在200ml甲苯中以形成混合物。然后，将混合物加热并搅拌，同时回流24小时。将有机层用氯仿萃取并用水洗涤。用无水硫酸镁从有机层中除去水，过滤有机层。然后，从有机层中减压蒸馏并除去有机溶剂，然后进行柱纯化，以得到化合物120(12.2g，产率：86％)。
实施例1
在将其上涂有厚度为的ITO(氧化铟锡)薄膜的玻璃基板清洗之后，用诸如异丙醇、丙酮或甲醇的溶剂超声清洗基板并干燥。然后，通过热真空沉积将HI-1作为空穴注入材料在ITO透明电极上沉积至厚度为60nm。然后，将如上定义的化合物3作为空穴传输材料在空穴注入材料上热真空沉积至厚度为80nm。随后，将BH-1和BD-1分别用作发光层中的基质材料和掺杂剂材料(5重量％)。因此，将基质材料BH-1在空穴传输材料上热真空沉积至厚度为30nm，同时将掺杂剂BD-1掺杂到基质材料中，从而形成发光层。然后，将作为电子传输层材料的ET-1与作为电子注入层材料的Liq(1：1重量比)分别在发光层上热真空沉积为30nm的厚度。然后，在电子注入层上沉积厚度为100nm的铝作为阴极材料，得到有机发光装置。
实施例2至13
以与实施例1中相同的方式制造有机发光装置，不同之处在于，使用下表1中所示的化合物代替实施例1的化合物3。
比较例1
以与实施例1中相同的方式制造有机发光装置，不同之处在于，使用NPB化合物代替实施例1的化合物3。
实施例14
在将其上涂有厚度为的ITO(氧化铟锡)薄膜的玻璃基板清洗之后，用诸如异丙醇、丙酮或甲醇的溶剂超声清洗基板并干燥。然后，通过热真空沉积将HI-1作为空穴注入材料在ITO透明电极上沉积至厚度为60nm。然后，将如上定义的NPB作为空穴传输材料在空穴注入材料上热真空沉积至厚度为80nm。随后，将BH-1和如上定义的化合物42分别用作发光层中的基质材料和掺杂剂材料(5重量％)。因此，将基质材料BH-1在空穴传输材料上热真空沉积至厚度为30nm，同时将由如上定义的化合物42制得的掺杂剂掺杂到基质材料中，从而形成发光层。然后，将作为电子传输层材料的ET-1与作为电子注入层材料的Liq(1：1重量比)分别在发光层上热真空沉积为30nm的厚度。然后，在电子注入层上沉积厚度为100nm的铝作为阴极材料，得到有机发光装置。
实施例15
以与实施例14中相同的方式制造有机发光装置，不同之处在于，使用化合物160代替实施例14的化合物42。
实施例16
以与实施例14中相同的方式制造有机发光装置，不同之处在于，使用化合物174代替实施例14的化合物42。
比较例2
以与实施例14中相同的方式制造有机发光装置，不同之处在于，使用BD-1化合物代替实施例14的化合物42。
实施例17
在将其上涂有厚度为的ITO(氧化铟锡)薄膜的玻璃基板清洗之后，用诸如异丙醇、丙酮或甲醇的溶剂超声清洗基板并干燥。然后，通过热真空沉积将HI-1作为空穴注入材料在ITO透明电极上沉积至厚度为60nm。然后，将如上定义的NPB作为空穴传输材料在空穴注入材料上热真空沉积至厚度为80nm。随后，将如上定义的化合物46作为电子阻挡层材料在空穴传输材料层上热真空沉积至厚度为10nm。随后，将BH-1和BD-1分别用作发光层中的基质材料和掺杂剂材料(5重量％)。因此，将基质材料BH-1在空穴传输材料上热真空沉积至厚度为30nm，同时将掺杂剂BD-1掺杂到基质材料中，从而形成发光层。然后，将作为电子传输层材料的ET-1与作为电子注入层材料的Liq(1：1重量比)分别在发光层上热真空沉积为30nm的厚度。然后，在电子注入层上沉积厚度为100nm的铝作为阴极材料，得到有机发光装置。
实施例18
以与实施例17中相同的方式制造有机发光装置，不同之处在于，使用化合物53代替实施例17的化合物46。
实施例19
以与实施例17中相同的方式制造有机发光装置，不同之处在于，使用化合物56代替实施例17的化合物46。
比较例3
以与实施例17中相同的方式制造有机发光装置，不同之处在于，使用TCTA化合物代替实施例17的化合物46。
试验例1：有机发光装置的特性评价
于室温下使用电流源(KEITHLEY)和光度计(PR 650)评价实施例1至13和比较例1中制造的装置的装置特性。下表1显示了针对实施例1至13和比较例1中制造的装置测量的驱动电压(V)、电流密度(mA/cm2)、亮度-电流效率(Cd/A)和功率效率(lm/w)、CIE色坐标测量、以及寿命特性测量。利用当前亮度达到初始亮度的95％时消耗的时间(LT95)(hr)来测量寿命特性。
[表1]
试验例2：有机发光装置的特性评价
于室温下使用电流源(KEITHLEY)和光度计(PR 650)评价实施例14至16和比较例2中制造的装置的装置特性。下表2显示了针对实施例14至16和比较例2中制造的装置测量的驱动电压(V)、电流密度(mA/cm2)、亮度-电流效率(Cd/A)和功率效率(lm/w)、CIE色坐标测量、以及寿命特性测量。利用当前亮度达到初始亮度的95％时消耗的时间(LT95)(hr)来测量寿命特性。
[表2]
试验例3：有机发光装置的特性评价
于室温下使用电流源(KEITHLEY)和光度计(PR 650)评价实施例17至19和比较例3中制造的装置的装置特性。下表3显示了针对实施例17至19和比较例3中制造的装置测量的驱动电压(V)、电流密度(mA/cm2)、亮度-电流效率(Cd/A)和功率效率(lm/w)、CIE色坐标测量、以及寿命特性测量。利用当前亮度达到初始亮度的95％时消耗的时间(LT95)(hr)来测量寿命特性。
[表3]
如上所述，参照附图描述了本公开内容。然而，本公开内容并不受到本说明书中所公开的实施方式和附图的限制。显而易见的是，本领域技术人员可以在本公开内容的范围内对其进行各种修改。

Claims (14)

1.一种化合物，其为由化学式1表示：
[化学式1]
其中，在化学式1中，R1至R4各自独立地表示选自由氢、氘、卤素、和未取代的C1至C30烷基组成的群组中的一种；
a和b各自独立地表示0至4的整数，其中当a或b表示2或更大的整数时，每个R1相同或不同，每个R2相同或不同，
c和d各自独立地表示0至4的整数，其中当c或d表示2或更大的整数时，每个R3相同或不同，每个R4相同或不同，
m、n、o、p各自独立地为0或更大且小于2的整数，且m、n、o、p不同时为0；
X代表O或S；和
A至D中的每一个由化学式2表示：
[化学式2]
其中，在化学式2中，L表示直接键合；Ar1或Ar2各自独立地表示选自由未取代的C6至C60芳基或具有6至60个芳环原子的杂芳环的一价基团组成的群组中的一种，可选地，Ar1和Ar2进一步彼此键合以形成一个环。
2.如权利要求1所述的化合物，其中在所述化学式2中的Ar1和Ar2各自独立地选自：
3.一种由以下化学式之一表示的化合物：
4.一种有机发光装置，包括：
阳极，
阴极，和
所述阳极和所述阴极之间的至少一个有机材料层，其中所述有机材料层包括空穴传输层、辅助空穴传输层、电子阻挡层、和蓝色发光层中的至少一种，并且所述有机材料层包括权利要求1所述的化合物。
5.如权利要求4所述的有机发光装置，其中所述空穴传输层、所述辅助空穴传输层和所述电子阻挡层中的至少一种包括所述由化学式1表示的化合物。
6.如权利要求5所述的有机发光装置，其中所述空穴传输层包括所述由化学式1表示的化合物。
7.如权利要求5所述的有机发光装置，其中所述辅助空穴传输层包括所述由化学式1表示的化合物。
8.如权利要求5所述的有机发光装置，其中所述电子阻挡层包括所述由化学式1表示的化合物。
9.如权利要求4所述的有机发光装置，其中蓝色发光层包括所述由化学式1表示的化合物作为蓝色发光材料。
10.如权利要求4所述的有机发光装置，其中所述蓝色发光层包括所述由化学式1表示的化合物作为磷光基质材料。
11.一种有机发光装置，包括：
阳极，
阴极，和
所述阳极和所述阴极之间的至少一个有机材料层，其中所述有机材料层包括空穴传输层、辅助空穴传输层、电子阻挡层、和蓝色发光层中的至少一种，并且所述有机材料层包括权利要求3所述的化合物。
12.如权利要求11所述的有机发光装置，其中所述空穴传输层、所述辅助空穴传输层和所述电子阻挡层中的至少一种包括权利要求3所述的化合物。
13.如权利要求11所述的有机发光装置，其中所述蓝色发光层包括权利要求3所述的化合物作为蓝色发光材料。
14.如权利要求11所述的有机发光装置，其中所述蓝色发光层包括权利要求3所述的化合物作为磷光基质材料。
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