CN203288658U - 具有双层空穴注入层的有机发光器件结构 - Google Patents

具有双层空穴注入层的有机发光器件结构 Download PDF

Info

Publication number
CN203288658U
CN203288658U CN2013201638237U CN201320163823U CN203288658U CN 203288658 U CN203288658 U CN 203288658U CN 2013201638237 U CN2013201638237 U CN 2013201638237U CN 201320163823 U CN201320163823 U CN 201320163823U CN 203288658 U CN203288658 U CN 203288658U
Authority
CN
China
Prior art keywords
layer
injection layer
hole injection
double
organic
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
CN2013201638237U
Other languages
English (en)
Inventor
段瑜
孙浩
王光华
万锐敏
季华夏
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
YUNNAN NORTH OLIGHTEK OPTO-ELECTRONIC TECHNOLOGY Co Ltd
Original Assignee
YUNNAN NORTH OLIGHTEK OPTO-ELECTRONIC TECHNOLOGY Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by YUNNAN NORTH OLIGHTEK OPTO-ELECTRONIC TECHNOLOGY Co Ltd filed Critical YUNNAN NORTH OLIGHTEK OPTO-ELECTRONIC TECHNOLOGY Co Ltd
Priority to CN2013201638237U priority Critical patent/CN203288658U/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN203288658U publication Critical patent/CN203288658U/zh
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Images

Landscapes

  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Abstract

具有双层空穴注入层的有机发光器件结构，涉及一种有机电致发光器件(OLED)，更具体地，涉及到采用双层空穴注入层的有机电致发光器件。本实用新型具有双层空穴注入层的有机发光器件结构，该器件的结构依次是基板、阳极层、有机层、阴极层；有机层包括空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层，其特征在于空穴注入层包含第一空穴注入层和第二空穴注入层，第二空穴注入层是由后续的空穴传输层作为基质材料掺杂第一空穴注入层构成。本实用新型的有机电致发光器件能有效地提高器件的发光效率，通过这种双层空穴注入层所形成的阶梯势垒可有效提高载流子的注入能力，进而增强界面之间的电荷注入，改善器件效率。

Description

具有双层空穴注入层的有机发光器件结构
技术领域
本实用新型涉及一种有机电致发光器件(OLED)，更具体地，涉及到采用双层空穴注入层的有机电致发光器件。 
背景技术
有机电致发光发光显示器具有自主发光、低电压直流驱动、全固化、视角宽、重量轻、可制作大尺寸与可弯曲的面板、工艺简单等一系列特点，且具有低成本的潜力，能够满足当今信息科技时代对显示技术更高性能和更大信息容量的要求，成为目前科学界和产业界最热门的课题之一。 
有机电致发光器件的一般结构依次包括：基板、阳极、有机层和阴极。有机层又包括空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层等。在目前的OLED器件中，空穴注入层起着重要的作用，引入空穴注入层可以降低从阳极的空穴注入势垒，使得阳极有效地注入空穴，从而降低器件的工作电压，提高器件的寿命。因此，改进OLED器件空穴注入层的结构，将使得器件具有较好的稳定性和更高的发光效率。 
发明内容
本发明的目的是提供一种可以提高OLED器件发光效率的具有新型双层空穴注入层的有机光器件。 
本实用新型具有双层空穴注入层的有机发光器件结构，该器件的结构包括基板、阳极层、有机发光层、阴极层、空穴注入层、空穴传输层和电子传输层，其特征在于空穴注入层包含第一空穴注入层和第二空穴注入层，其中： 
第一层空穴注入层是HAT-CN或者基于HAT-CN的衍生物；
第二层空穴注入层（32）是NPB混合物。
该NPB混合物是由NPB掺杂3%的HAT-CN构成的。
所述的第一空穴注入层的厚度为5-20nm。 
所述的第一空穴层和第二空穴层的总厚度为30-40nm。 
所述的第一空穴注入层可与阳极界面之间可形成缺陷态导致器件结构具有很强的空穴注入能力，对载流子的传输起到降低势垒的作用，同时第一空穴注入层材料是一个P型材料，具有很强的吸电子功能，从而增强载流子的传输能力。 
所述的第二空穴注入层包含基质材料以及作为电子接受体的掺杂材料。该基质材料在作为第二空穴注入层的同时也作为器件的空穴传输层，而该掺杂材料即为第一空穴注入层材料，从而构成一个P型结构。 
本发明的发光有机电致发光器件能有效地提高器件的发光效率，通过这种双层空穴注入层所形成的阶梯势垒可有效提高载流子的注入能力，进而增强界面之间的电荷注入，改善器件效率。 
附图说明
图1是本实用新型双层空穴注入层的有机发光器件结构示意图。 
基板1、阳极层2、空穴注入层3、空穴传输层4、有机发光层5、电子传输层6、阴极层7、第一空穴注入层31、第二空穴注入层32。 
具体实施方式
实施例1：具有双层空穴注入层的有机顶发光器件结构采用硅作为衬底形成基板1，采用铝和钼形成阳极层2，阳极层2厚度为40nm，在阳极层2上形成空穴注入层3，空穴注入层3包含第一空穴注入层31和第二空穴注入层32。第二空穴注入层32是由后续的空穴传输层4作为基质材料掺杂第一空穴注入层31构成的。 
该器件采用热蒸发的方式实施，具体包含以下工艺： 
1.      将镀好阳极层的基板进行预热处理，预热温度为80度，蒸镀腔体真空度为10-7Torr；
2.      蒸镀双层空穴注入层的蒸镀顺序依次是第一空穴注入层和第二空穴注入层，蒸镀的步骤如下：
    A．在预热好的基板上蒸镀第一空穴注入层HAT-CN，厚度为15nm；
B．在已蒸镀好的第一空穴注入层HAT-CN上蒸镀第二空穴注入层，基质材料采用NPB, 厚度为15nm，掺杂材料HAT-CN的掺杂率为3%；
C．在已蒸镀好的第二空穴注入层上蒸镀空穴传输层NPB，厚度为20nm；
上述的A、B、C步骤按照先后顺序依次完成蒸发生长过程，形成总厚度为30nm的双层空穴注入层和20nm的空穴传输层；
3.      在蒸镀好空穴传输层NPB上蒸镀有机发光层Alq3，厚度为30nm；
4.      在蒸镀好有机发光层Alq3上蒸镀电子传输层BCP，厚度为20nm；
5.      在蒸镀好电子传输层BCP上蒸镀阴极层Mg/Ag，厚度为10nm；
通过以上步骤，形成具有新型双层空穴注入层的有机顶发光器件，其结构依次为：基板、40nm阳极层（Mo/Al）、15nm第一空穴注入层 (HAT-CN)、15nm第二空穴注入层 (NPB+3%HAT-CN) 、20nm空穴传输层 (NPB)、30nm有机发光层 (Alq3)、20nm电子传输层 (BCP)和10nm阴极层(Mg/Ag)。
    实施例2：具有双层空穴注入层的有机底发光器件结构采用玻璃作为衬底形成基板1，采用ITO（铟锡氧化物）作为阳极层2，阳极层2厚度为100nm，在阳极层2上形成空穴注入层3，空穴注入层3包含第一空穴注入层31和第二空穴注入层32，第二空穴注入层32是由后续的空穴传输层4作为基质材料掺杂第一空穴注入层31构成的。 
该器件采用热蒸发的方式实施，具体包含以下工艺： 
1.          将镀好阳极层的基板进行预热处理，预热温度为80度，蒸镀腔体真空度为10-7Torr；
2.          蒸镀双层空穴注入层的蒸镀顺序依次是第一空穴注入层和第二空穴注入层，蒸镀的步骤如下：
    A．在预热好的基板上蒸镀第一空穴注入层HAT-CN，厚度为15nm；
B．在已蒸镀好的第一空穴注入层HAT-CN上蒸镀第二空穴注入层，基质材料采用NPB, 厚度为15nm，掺杂材料HAT-CN的掺杂率为3%；
C．在已蒸镀好的第二空穴注入层上蒸镀空穴传输层NPB，厚度为20nm；
上述的A、B、C步骤按照先后顺序依次完成蒸发生长过程，形成总厚度为30nm的双层空穴注入层和20nm的空穴传输层；
3.      在蒸镀好空穴传输层NPB上蒸镀有机发光层Alq3，厚度为30nm；
4.      在蒸镀好有机发光层Alq3上蒸镀电子传输层BCP，厚度为20nm；
5.      在蒸镀好电子传输层BCP上蒸镀阴极层Al，厚度为150nm；
通过以上步骤，形成具有新型双层空穴注入层的有机底发光器件，其结构依次为：基板、100nm阳极层（ITO）、15nm第一空穴注入层 (HAT-CN)、15nm第二空穴注入层 (NPB+3%HAT-CN) 、20nm空穴传输层 (NPB)、30nm有机发光层 (Alq3)、20nm电子传输层 (BCP)和150nm阴极层(Al)。

Claims (3)

1.具有双层空穴注入层的有机发光器件结构，该器件的结构包括基板（1）、阳极层（2）、有机发光层（5）、阴极层（7）、空穴注入层（3）、空穴传输层（4）、发光层（8）和电子传输层（6），其特征在于空穴注入层（3）包含第一空穴注入层（31）和第二空穴注入层（32），其中：
第一层空穴注入层（31）是HAT-CN或者基于HAT-CN的衍生物，第二层空穴注入层（32）是NPB混合物。
2.如权利要求1所述的具有双层空穴注入层的有机发光器件结构，其特征在于所述的第一空穴注入层的厚度为5-20nm。
3.如权利要求1所述的具有双层空穴注入层的有机发光器件结构，其特征在于所述的第一空穴层和第二空穴层的总厚度为30-40nm。
CN2013201638237U 2013-04-03 2013-04-03 具有双层空穴注入层的有机发光器件结构 Expired - Fee Related CN203288658U (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN2013201638237U CN203288658U (zh) 2013-04-03 2013-04-03 具有双层空穴注入层的有机发光器件结构

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN2013201638237U CN203288658U (zh) 2013-04-03 2013-04-03 具有双层空穴注入层的有机发光器件结构

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN203288658U true CN203288658U (zh) 2013-11-13

Family

ID=49545009

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN2013201638237U Expired - Fee Related CN203288658U (zh) 2013-04-03 2013-04-03 具有双层空穴注入层的有机发光器件结构

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN203288658U (zh)

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104362254A (zh) * 2014-09-30 2015-02-18 中山大学 一种具有复合空穴注入层的有机发光器件
CN105679945A (zh) * 2014-11-18 2016-06-15 上海和辉光电有限公司 蓝光有机电致发光器件及包含该器件的显示器
CN106206961A (zh) * 2015-05-06 2016-12-07 上海和辉光电有限公司 一种oled器件
CN106601924A (zh) * 2016-12-21 2017-04-26 浙江大学 一种量子点发光二极管及其制备方法
WO2022061939A1 (zh) * 2020-09-28 2022-03-31 京东方科技集团股份有限公司 有机电致发光器件和显示装置

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104362254A (zh) * 2014-09-30 2015-02-18 中山大学 一种具有复合空穴注入层的有机发光器件
CN105679945A (zh) * 2014-11-18 2016-06-15 上海和辉光电有限公司 蓝光有机电致发光器件及包含该器件的显示器
US9673415B2 (en) 2014-11-18 2017-06-06 Everdisplay Optronics (Shanghai) Limited Blue light organic light-emitting diode and display including same
CN105679945B (zh) * 2014-11-18 2017-12-26 上海和辉光电有限公司 蓝光有机电致发光器件及包含该器件的显示器
CN106206961A (zh) * 2015-05-06 2016-12-07 上海和辉光电有限公司 一种oled器件
CN106601924A (zh) * 2016-12-21 2017-04-26 浙江大学 一种量子点发光二极管及其制备方法
WO2022061939A1 (zh) * 2020-09-28 2022-03-31 京东方科技集团股份有限公司 有机电致发光器件和显示装置

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN101305071A (zh) 有机电致发光器件及其制造方法
CN203288658U (zh) 具有双层空穴注入层的有机发光器件结构
CN103715360A (zh) 有机电致发光器件、显示装置
CN103367653B (zh) 倒置型有机发光二极管显示器件及其制备方法
CN103137881B (zh) 有机电致发光装置及其制备方法
CN103378297B (zh) 有机发光二极管及包括其的显示装置
CN104393180A (zh) 一种有机发光二极管及其制备方法、显示基板、显示装置
CN102244204B (zh) 一种oled 器件及其制备方法
WO2021227115A1 (zh) 一种显示面板及显示面板制程方法
KR101973207B1 (ko) 금속 산화물이 함유된 양극 및 상기 양극을 포함하는 유기발광소자
CN102157703B (zh) 一种提高亮度的oled器件
CN103137876B (zh) 有机电致发光装置及其制备方法
CN102906895A (zh) 有机el元件
TW201440275A (zh) 有機電子發光器件及其製造方法
CN101339976A (zh) 一种有机电致发光器件
TW201212323A (en) Organic light-emitting device
CN203983340U (zh) 一种倒置oled器件结构
CN104051639A (zh) 一种有机电致发光器件及其制备方法
CN104882545A (zh) 有机电致发光器件及其制备方法
CN110061143A (zh) 一种具有np型复合空穴注入层的磷光有机发光二极管及其制备方法
Yang et al. Influence of the hole transport layer on spectral stability in the white phosphorescent organic light emitting diode with non-doped structure
US11690241B2 (en) OLED with auxiliary electrode contacting electron transport layer
CN103427045A (zh) 一种有机电致发光器件及其制备方法
CN104218156A (zh) 一种有机电致发光器件及其制备方法
CN213692099U (zh) 一种oled显示屏组件、显示器

Legal Events

Date Code Title Description
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
EE01 Entry into force of recordation of patent licensing contract
EE01 Entry into force of recordation of patent licensing contract

Assignee: Kunming BOE Display Technology Co.,Ltd.

Assignor: YUNNAN NORTH OLIGHTEK OPTO-ELECTRONIC TECHNOLOGY Co.,Ltd.

Contract record no.: 2018530000014

Denomination of utility model: Organic illuminating device structure provided with double-layer cavity injection layer

Granted publication date: 20131113

License type: Exclusive License

Record date: 20181015

CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee

Granted publication date: 20131113