CN213692099U

CN213692099U - 一种oled显示屏组件、显示器

Info

Publication number: CN213692099U
Application number: CN202023301137.0U
Authority: CN
Inventors: 杨玉成
Original assignee: Guangzhou Zhengtian Electronic Technology Co ltd
Current assignee: Guangzhou Zhengtian Electronic Technology Co ltd
Priority date: 2020-12-31
Filing date: 2020-12-31
Publication date: 2021-07-13
Anticipated expiration: 2030-12-31

Abstract

本实用新型公开了一种OLED显示屏组件、显示器，包括由下自上依次叠设的ITO导电玻璃基板、空穴传输层、发光层、空穴阻挡层、空穴缓冲层和阴极层；所述空穴传输层为胺类衍生物NPB材料制成；所述空穴阻挡层采用LiF材料制成；所述空穴缓冲层采用三氧化钼制成；所述ITO导电玻璃基板和所述阴极层与外部直流电源连接。本实用新型结构简单，易于实现大规模生产，通过规模化效应有效降低成本。

Description

一种OLED显示屏组件、显示器

技术领域

本实用新型涉及OLED器件技术领域，具体涉及一种OLED显示屏组件、显示器。

背景技术

有机电致发光器件(OLED:Organic Light Emitting Device)是一种发光二极管，其中发光层是由有机化合物制成的膜，有机化合物的发光层夹在两个电极(阳极和阴极)之间，在一定驱动电压下OLED器件即可以发光。OLED由于其高照明、低重量、超薄外形、自照明而无需背光、低能耗、响应速度快而应用于平板显示器中。

OLED器件典型地由位于阳极和阴极之间的有机材料层构成，其包括空穴传输层(HTL)、发光层(EML)、电子传输层(ETL)。OLED器件的基本机制涉及注入载流子、传输、重组载流子和形成激子以发光。当外部电压施加到OLED器件时，电子和空穴分别从阴极和阳极注入，电子将从阴极注入到电子传输层、空穴将从阳极注入到空穴传输层，当电子与空穴进一步注入到发光层时会相互复合形成激子，激子由激发态变为基态后会发射出光子。

目前，已进行了很多改进以使有机电致发光器件实用化。可通过提高空穴注入性同时提高电子阻挡性来阻挡通过阴极注入的电子，改进空穴和电子再结合的几率。因此，空穴传输材料和电子阻挡材料起着重要作用，并且期望提供具有高的空穴注入性、大的空穴迁移率、高的电子阻挡性和高的耐热性的材料。

实用新型内容

为了克服上述技术缺陷，本实用新型提供一种OLED显示屏组件、显示器。

为了解决上述问题，本实用新型按以下技术方案予以实现的：

第一方面，本实用新型提供了一种OLED显示屏组件，包括由下自上依次叠设的ITO导电玻璃基板、空穴传输层、发光层、空穴阻挡层、空穴缓冲层和阴极层；

所述空穴传输层为胺类衍生物NPB材料制成；

所述空穴阻挡层采用LiF材料制成；

所述空穴缓冲层采用三氧化钼制成；

所述ITO导电玻璃基板和所述阴极层与外部直流电源连接。

结合第一方面，本实用新型提供了第一方面的第一种实施方式，所述空穴传输层、发光层和空穴缓冲层均通过真空蒸镀法与相邻的层连接。

结合第一方面，本实用新型提供了第一方面的第二种实施方式，所述空穴传输层的厚度为45～65nm。

结合第一方面，本实用新型提供了第一方面的第三种实施方式，所述发光层为双发光层结构。

结合第一方面，本实用新型提供了第一方面的第四种实施方式，所述空穴阻挡层的厚度为 2nm～4nm。

结合第一方面，本实用新型提供了第一方面的第五种实施方式，所述空穴阻挡层采用电阻热蒸镀法与相邻的层连接。

结合第一方面，本实用新型提供了第一方面的第六种实施方式，所述阴极层为铝材料制成，阴极层通过真空蒸镀法与空穴缓冲层连接。

结合第一方面，本实用新型提供了第一方面的第七种实施方式，所述ITO导电玻璃基板的厚度为5mm。

第二方面，本实用新型还提供了一种显示器，所述显示器包括第一方面第一～第七所述的 OLED显示屏组件。

与现有技术相比，本实用新型的有益效果是：

1、本实用新型结构简单，易于实现大规模生产，通过规模化效应有效降低成本。

2、本实用新型的空穴传输层为胺类衍生物NPB材料制成,胺类衍生物NPB材料本身也可以作为有机电致发光器件中的发光物质，且其具有很好的空穴传输特性，因此选取NPB作为空穴传输层。且胺类衍生物NPB材料的玻璃化转变温度为98℃，也就是该物质蒸镀成薄膜后暴露在空气中不易再次结晶，而再次结晶明显会影响器件的使用寿命和储存寿命。

3、本实用新型设计有用三氧化钼制成的空穴缓冲层，可提高OLED的性能，降低驱动电压、提高发光效率和改善器件稳定性的优点。

附图说明

下面结合附图对本实用新型的具体实施方式作进一步详细的说明，其中：

图1是本实用新型的OLED显示屏组件的截面层结构图；

图中：

10-ITO导电玻璃基板；

20-空穴传输层；

30-发光层；

40-空穴阻挡层；

50-空穴缓冲层；

60-阴极层。

具体实施方式

以下结合附图对本实用新型的优选实施例进行说明，应当理解，此处所描述的优选实施例仅用于说明和解释本实用新型，并不用于限定本实用新型。

如图1所示，本实用新型所述的一种OLED显示屏组件的优选结构。

如图1所示，所述OLED显示屏组件包括由下自上依次叠设的ITO导电玻璃基板10、空穴传输层20、发光层30、空穴阻挡层40、空穴缓冲层50和阴极层60。所述ITO导电玻璃基板10和所述阴极层60通过导线等与外部直流电源连接。

其中，所述空穴传输层20为胺类衍生物NPB材料制成，空穴传输层20的厚度为45～65nm，在一种具体实施中，所述空穴传输层为65nm。所述空穴传输层20通过真空蒸镀法与相邻的层连接。

具体的，胺类衍生物NPB(N,N'-二苯基-N,N'-(1-萘基)-1,1'-联苯-4,4'-二胺)作空穴传输层材料，NPB的玻璃化转变温度为98℃，也就是该物质蒸镀成薄膜后暴露在空气中不易再次结晶，而再次结晶明显会影响器件的使用寿命和储存寿命。且NPB本身也可以作为有机电致发光器件中的发光物质。

所述发光层30为双发光层结构，其为两层蓝光有机发光层复合而成，蓝光有机发光层为 4,4',4”-三(咔唑-9-基)三苯胺(TCTA)和二(4,6-二氟苯基吡啶-C2,N)吡啶甲酰合铱(Firpic) 制成。所述发光层通过真空蒸镀法与相邻的层连接，发光层的厚度为45nm。

其中，所述空穴阻挡层40采用LiF材料制成，所述空穴阻挡层40的厚度为2nm～4nm。具体的，根据LiF的物理化学性质，所述空穴阻挡层采用电阻热蒸镀法与相邻的层连接。所述空穴阻挡层的厚度为1.5nm。

其中，所述空穴缓冲层50采用三氧化钼制成；可提高OLED的性能，降低驱动电压、提高发光效率和改善器件稳定性的优点。

具体的，ITO是Indium Tin Oxides的缩写，是铟(III族)氧化物(In2O3)和锡(IV族)氧化物(SnO2)的混合物。ITO具有很好的导电性和透明性，它在薄膜状时略显茶色对可见光完全透明，呈导电状态，并且是良好的空穴提供体，同时可以阻挡对人体有害的电子辐射、紫外线以及远红外线等。铟锡氧化物喷涂在玻璃基底上，形成ITO导电玻璃基板。

具体的，所述阴极层60为铝材料制成，阴极层0通过真空蒸镀法与空穴缓冲层连接。金属铝是良好的电子提供体，电子能级为4.3eV。因为有延展性，可以利用小颗粒状态的铝作为原材料进行蒸镀。

本实用新型还提供了一种显示器，其包括上述OLED显示屏组件。

本实施例所述一种OLED显示屏组件、显示器的其它结构参见现有技术。

以上所述，仅是本实用新型的较佳实施例而已，并非对本实用新型作任何形式上的限制，故凡是未脱离本实用新型技术方案内容，依据本实用新型的技术实质对以上实施例所作的任何修改、等同变化与修饰,均仍属于本实用新型技术方案的范围内。

Claims

1.一种OLED显示屏组件，其特征在于，包括由下自上依次叠设的ITO导电玻璃基板、空穴传输层、发光层、空穴阻挡层、空穴缓冲层和阴极层；

所述空穴传输层为胺类衍生物NPB材料制成；

所述空穴阻挡层采用LiF材料制成；

所述空穴缓冲层采用三氧化钼制成；

所述ITO导电玻璃基板和所述阴极层与外部直流电源连接。

2.根据权利要求1所述的OLED显示屏组件，其特征在于：

所述空穴传输层、发光层和空穴缓冲层均通过真空蒸镀法与相邻的层连接。

3.根据权利要求2所述的OLED显示屏组件，其特征在于：

所述空穴传输层的厚度为45～65nm。

4.根据权利要求1所述的OLED显示屏组件，其特征在于：

所述发光层为双发光层结构。

5.根据权利要求1所述的OLED显示屏组件，其特征在于：

所述空穴阻挡层的厚度为2nm～4nm。

6.根据权利要求5所述的OLED显示屏组件，其特征在于：

所述空穴阻挡层采用电阻热蒸镀法与相邻的层连接。

7.根据权利要求1所述的OLED显示屏组件，其特征在于：

所述阴极层为铝材料制成，阴极层通过真空蒸镀法与空穴缓冲层连接。

8.根据权利要求1所述的OLED显示屏组件，其特征在于：

所述ITO导电玻璃基板的厚度为5mm。

9.一种显示器，其特征在于，包括权利要求1至8任意一项所述的OLED显示屏组件。