KR20160040218A - 에폭시 수지 조성물 및 전자 부품 장치 - Google Patents

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Abstract

에폭시 수지와, 경화제와, 경화 촉진제와, 무기질 충전제와, 이하의 A, B 및 C로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 하나를 만족시키는 카르복실산 화합물을 포함하는 에폭시 수지 조성물. A: 1개 이상의 카르복시기 및 1개 이상의 히드록시기를 갖는다. B: 2개 이상의 카르복시기를 갖는다. C: 2개의 카르복시기가 탈수되어 축합된 구조를 갖는다.

Description

에폭시 수지 조성물 및 전자 부품 장치 {EPOXY RESIN COMPOSITION AND ELECTRONIC COMPONENT DEVICE}
본 발명은 에폭시 수지 조성물 및 전자 부품 장치에 관한 것이다.
트랜지스터, IC(Integerated Circuit), LSI(Large Scale Integration) 등의 반도체 소자는 통상, 세라믹 패키지, 플라스틱 패키지 등으로 밀봉되어 반도체 장치로 되고 있다. 전자의 세라믹 패키지는 구성 재료 그 자체가 내열성을 갖고 내습성도 우수하므로, 고온 고습의 환경에 대한 내성 및 기계적 강도가 우수하여, 신뢰성이 높은 밀봉이 가능하다.
그러나 세라믹 패키지는, 구성 재료가 비교적 고가라는 점, 양산성이 떨어진다는 점 등의 문제점을 갖는다. 이 때문에 최근에는, 후자의 수지로 밀봉하는 플라스틱 패키지가 주류로 되어 있다. 플라스틱 패키지의 밀봉에는, 종래부터 내열성이 우수하다는 성질을 갖는 에폭시 수지 조성물이 적절히 사용되고 있다.
한편, 자동차, 대형 가전 제품, 산업 기기 등의 분야에 있어서, 대전력의 제어 등을 행하는 반도체 장치로서, 트랜지스터, 다이오드, 사이리스터 등의 파워 디바이스가 사용되고 있다. 이러한 파워 디바이스는, 고전압 하에 노출되므로, 반도체 소자의 발열량이 매우 크다. 따라서 파워 디바이스용의 리드 프레임으로서는, 니켈 도금된 리드 프레임, 알루미늄제 리드 프레임 등의, 방열성이 우수한 리드 프레임이 채용되어 있다. 그러나 이들 리드 프레임은, 일반적으로 구리제 또는 42 알로이와 같은 합금제의 프레임과 비교하여 밀봉 수지와의 접착성이 부족하다. 이 때문에, 패키지 내에서 밀봉 수지와의 사이에서 박리를 발생시키기 쉽다. 이러한 박리가 발생하면, 밀봉 수지 내에서의 열전도성이 저하되어 디바이스의 신뢰성이 저하되는 경향이 있다. 이러한 배경에서, 밀봉 수지와의 접착성이 부족한 금속 재료에 대해서도 양호한 접착성을 나타내는 밀봉용 수지 조성물의 개발이 강하게 요망되고 있다.
반도체 밀봉용 에폭시 수지 조성물(이하, 「에폭시 수지 조성물」이라고 약기하는 경우가 있음)의 금속 재료에 대한 접착성을 향상시키는 시도로서, 예를 들어 일본 특허 공개 제2002-206016호 공보에서는, 티올기를 함유하는 특정한 커플링제의 사용이 제안되어 있다. 그 외에도, 에폭시기를 갖는 실란 커플링제, 비닐기를 갖는 실란 커플링제 등의 사용이 제안되어 있다(예를 들어 일본 특허 공개 평3-119049호 공보 참조).
그러나 파워 디바이스 등의 금속 재료를 사용하는 분야에서는, 상기 방법에 의하여 얻어지는 에폭시 수지 조성물보다도 금속 재료에 대한 접착성이 더 향상된 에폭시 수지 조성물이 요구되고 있다.
본 발명은 상기 과제를 감안하여, 금속 재료에 대한 접착력이 우수한 에폭시 수지 조성물, 및 밀봉 수지와 금속 재료 사이의 박리가 억제되는 전자 부품 장치를 제공한다.
상기 과제를 해결하기 위한 방법은 이하와 같다.
<1> 에폭시 수지와, 경화제와, 경화 촉진제와, 무기질 충전제와, 이하의 A, B 및 C로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 하나를 만족시키는 카르복실산 화합물을 포함하는 에폭시 수지 조성물.
A 1개 이상의 카르복시기 및 1개 이상의 히드록시기를 갖는다.
B 2개 이상의 카르복시기를 갖는다.
C 2개의 카르복시기가 탈수되어 축합된 구조를 갖는다.
<2> 상기 카르복실산 화합물이 1개 이상의 카르복시기 및 1개 이상의 히드록시기를 갖는, <1>에 기재된 에폭시 수지 조성물.
<3> 상기 카르복실산 화합물이 방향족환을 갖는, <1> 또는 <2>에 기재된 에폭시 수지 조성물.
<4> 상기 카르복실산 화합물이, 2개 또는 3개의 히드록시기와 1개의 카르복시기가 결합한 벤젠환을 1개 갖는, <1> 내지 <3> 중 어느 하나에 기재된 에폭시 수지 조성물.
<5> 상기 카르복실산 화합물이 갈산을 포함하는, <1> 내지 <4> 중 어느 하나에 기재된 에폭시 수지 조성물.
<6> 실리콘 화합물을 더 포함하는, <1> 내지 <5> 중 어느 하나에 기재된 에폭시 수지 조성물.
<7> 분말상 또는 정제상인, <1> 내지 <6> 중 어느 하나에 기재된 에폭시 수지 조성물.
<8> 전자 부품과, 상기 전자 부품을 밀봉하고 있는, <1> 내지 <7> 중 어느 하나에 기재된 에폭시 수지 조성물의 경화물을 포함하는 전자 부품 장치.
본 발명에 따르면, 금속 재료에 대한 접착력이 우수한 에폭시 수지 조성물, 및 밀봉 수지와 금속 재료 사이의 박리가 억제되는 전자 부품 장치를 제공할 수 있다.
본 명세서에 있어서 「공정」이란 단어는, 독립된 공정뿐만 아니라, 다른 공정과 명확히 구별할 수 없는 경우여도, 그 공정의 소기 목적이 달성되면, 본 용어에 포함된다. 또한 「내지」를 이용하여 표시된 수치 범위는, 「내지」의 전후에 기재되는 수치를 각각 최솟값 및 최대값으로서 포함하는 범위를 나타낸다. 또한 조성물 중의 각 성분의 함유량은, 조성물 중에 각 성분에 해당하는 물질이 복수 존재하는 경우, 특별히 언급하지 않는 한, 조성물 중에 존재하는 당해 복수의 물질의 합계량을 의미한다. 본 명세서에 있어서 「층」이란 단어는, 평면도로서 관찰했을 때, 전체면에 형성되어 있는 형상의 구성 외에, 일부에 형성되어 있는 형상의 구성도 포함된다.
본 발명의 에폭시 수지 조성물은, 에폭시 수지와, 경화제와, 경화 촉진제와, 무기질 충전제와, 이하의 A, B 및 C로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 하나를 만족시키는 카르복실산 화합물(이하, 특정 카르복실산 화합물이라고도 함)을 포함한다.
A 1개 이상의 카르복시기 및 1개 이상의 히드록시기를 갖는다.
B 2개 이상의 카르복시기를 갖는다.
C 2개의 카르복시기가 탈수되어 축합된 구조를 갖는다.
본 발명의 에폭시 수지 조성물은, 특정 카르복실산 화합물을 포함함으로써, 금속 재료에 대한 접착력이 우수하다.
특정 카르복실산 화합물을 포함하는 에폭시 수지 조성물이 금속 재료에 대한 접착력이 우수한 이유는 이하와 같이 추측된다. 즉, 리드 프레임 등의 금속 재료가 표면에 존재하는 수산기, 금속 원자, 또는 그 양쪽과, 특정 카르복실산 화합물이 갖는 카르복시기(탈수되어 축합된 카르복시기가 가수분해되어 형성되는 카르복시기를 포함함), 히드록시기, 또는 그 양쪽이 화학적으로 결합함으로써, 에폭시 수지 조성물과 금속 재료의 접착이 강고해져, 접착성이 향상되는 것으로 추측된다.
특정 카르복실산 화합물을 포함하는 에폭시 수지 조성물은, 에폭시 수지 조성물과의 접착성이 낮은 니켈, 알루미늄 등에 대하여 우수한 접착력을 나타낸다. 또한 구리, 금, 은, 팔라듐 등의 다른 금속, 배선 기판 등에 형성되는 레지스트층 등에 대해서도 우수한 접착력을 나타낸다.
(특정 카르복실산 화합물)
본 발명의 에폭시 수지 조성물은, 상술한 A, B 및 C로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 하나를 만족시키는 카르복실산 화합물(특정 카르복실산 화합물)을 포함한다. 특정 카르복실산 화합물은 1종을 단독으로 사용할 수도, 2종 이상을 조합하여 사용할 수도 있다.
특정 카르복실산 화합물은, A, B 및 C 중 하나만을 만족시키고 있을 수도 있고, 임의의 둘을 만족시키고 있을 수도 있으며, 셋 모두를 만족시키고 있을 수도 있다. 즉, 2개 이상의 카르복시기와 1개 이상의 히드록시기를 갖고 있을 수도 있고(A 및 B), 2개 이상의 카르복시기와 2개의 카르복시기가 탈수되어 축합된 구조를 갖고 있을 수도 있으며(B 및 C), 1개 이상의 카르복시기, 1개 이상의 히드록시기 및 2개의 카르복시기가 탈수되어 축합된 구조를 갖고 있을 수도 있고(A 및 C), 2개 이상의 카르복시기, 1개 이상의 히드록시기 및 2개의 카르복시기가 탈수되어 축합된 구조를 갖고 있을 수도 있다(A, B 및 C).
특정 카르복실산 화합물이 1개 이상의 카르복시기 및 1개 이상의 히드록시기를 갖는 경우, 카르복시기의 수는 1개 이상이면 특별히 제한되지 않는다. 또한 히드록시기의 수는 1개 이상이면 특별히 제한되지 않는다. 금속 재료에 대한 접착성을 높이는 관점에서는, 히드록시기의 수는 2개 이상인 것이 바람직하고, 3개 이상인 것이 보다 바람직하다.
특정 카르복실산 화합물이 2개 이상의 카르복시기를 갖는 경우, 카르복시기의 수는 2개 이상이면 특별히 제한되지 않는다.
특정 카르복실산 화합물이, 2개의 카르복시기가 탈수되어 축합된 구조를 갖는 경우, 상기 구조의 수는 특별히 제한되지 않는다.
특정 카르복실산 화합물의 구조는 특별히 제한되지 않는다. 예를 들어 지방족 또는 방향족의 카르복실산 또는 그의 산 무수물을 들 수 있다. 특정 카르복실산 화합물은, 카르복시기 또는 히드록시기 이외의 치환기를 갖고 있을 수도, 갖고 있지 않을 수도 있다. 치환기의 종류 및 수는 특별히 제한되지 않는다. 구체적으로는, 탄소수 1 내지 10의 알킬기, 탄소수 1 내지 10의 알콕시기, 탄소수 6 내지 12의 아릴기, 탄소수 6 내지 12의 아릴옥시기, 할로겐 원자, 케톤기가 될 수도 있는 카르보닐기, 아미노기, 니트로기 등을 들 수 있다.
1개 이상의 카르복시기 및 1개 이상의 히드록시기를 갖는 특정 카르복실산 화합물로서는, 방향족환을 갖지 않는 지방족 히드록시산 및 그의 유도체, 방향족환을 갖는 방향족 히드록시산 및 그의 유도체 등을 들 수 있다.
지방족 히드록시산 및 그의 유도체의 구체예로서는, 글리콜산, 락트산, 타르트론산, 글리세린산, 히드록시부티르산, 말산, 타르타르산, 시트라말산, 시트르산, 이소시트르산, 류신산, 메발론산, 판토산, 리시놀레산, 리시넬라이드산, 세레브론산, 퀸산, 시킴산, N-[(2-히드록시에틸)이미노]2아세트산, N,N-디(2-히드록시에틸)글리신 등을 들 수 있다.
방향족 히드록시산 및 그의 유도체의 구체예로서는, 살리실산(2-히드록시벤조산), 3-히드록시벤조산, 4-히드록시벤조산, 크레오소트산, 바닐린산, 시링산 등의 모노히드록시벤조산 및 그의 유도체; 2-피로카테쿠산(2,3-디히드록시벤조산), β-레조르신산(2,4-디히드록시벤조산), 겐티스산(2,5-디히드록시벤조산), γ-레조르신산(2,6-디히드록시벤조산), 프로토카테쿠산(3,4-디히드록시벤조산), α-레조르신산(3,5-디히드록시벤조산), 3,6-디히드록시벤조산, 오르셀린산 등의 디히드록시벤조산 및 그의 유도체; 갈산(3,4,5-트리히드록시벤조산), 플로로글루시놀카르복실산(2,4,6-트리히드록시벤조산) 등의 트리히드록시벤조산 및 그의 유도체; 만델산, 벤질산, 아트로락트산 등의 페닐아세트산 및 그의 유도체; 멜릴로트산, 플로레트산, 쿠마르산, 움벨산, 커피산, 페룰산, 시나프산 등의 히드록시신남산 및 그의 유도체; 5-히드록시이소프탈산, 2-히드록시테레프탈산, 2,5-디히드록시테레프탈산 등의, 1개 이상의 히드록시기를 갖는 방향족 디카르복실산 및 그의 유도체 등을 들 수 있다.
2개 이상의 카르복시기를 갖는 특정 카르복실산 화합물의 구체예로서는, 옥살산, 말론산, 숙신산, 글루타르산, 아디프산, 피멜산, 수베르산, 아젤라산, 세바스산, 말레산, 푸마르산 등의 지방족 디카르복실산 및 그의 유도체; 프탈산, 이소프탈산, 테레프탈산 등의 방향족 디카르복실산 및 그의 유도체; 트리멜리트산, 피로멜리트산, 벤젠펜타카르복실산, 벤젠헥사카르복실산 등의 방향족 폴리카르복실산 및 그의 유도체; 상술한 1개 이상의 카르복시기 및 1개 이상의 히드록시기를 갖는 화합물이며, 카르복시기를 2개 이상 갖는 화합물 등을 들 수 있다.
2개의 카르복시기가 탈수되어 축합된 구조를 갖는 특정 카르복실산 화합물의 구체예로서는, 상술한 2개 이상의 카르복시기를 갖는 특정 카르복실산 화합물의 카르복실산 중 2개가 탈수되어 축합된 구조를 갖는 화합물(산 무수물)을 들 수 있다.
흡수율의 상승을 억제하는 관점에서는, 특정 카르복실산 화합물은 방향족환을 갖는 것이 바람직하다. 방향족환은 특별히 제한되지 않으며, 벤젠환, 복소환, 이들의 축합환 등을 들 수 있다. 그 중에서도 벤젠환 또는 그의 축합환을 갖는 화합물이 바람직하고, 1개의 벤젠환을 갖는 화합물이 보다 바람직하다.
금속 재료에 대한 양호한 접착력과 양호한 흡수성을 양립시키는 관점에서는, 특정 카르복실산 화합물은, 1개 이상의 카르복시기(카르복시기를 2개 이상 갖는 경우, 카르복시기 중 2개가 탈수 축합된 구조로 되어 있을 수도 있음) 및 1개 이상의 히드록시기가 결합한 벤젠환을 1개 갖는 것이 바람직하다. 금속 재료에 대한 접착력을 보다 높이는 관점에서는, 벤젠환에 결합하는 카르복시기와 히드록시기의 합계 수가 3 이상인 것이 바람직하고, 4 이상인 것이 보다 바람직하다. 흡수율의 상승을 억제하는 관점에서는, 벤젠환에 결합하는 카르복시기의 수는 2 이하인 것이 바람직하고, 1 이하인 것이 보다 바람직하다. 따라서 접착성과 흡수성의 균형의 관점에서는, 2개 내지 5개의 히드록시기와 1개 내지 2개의 카르복시기가 결합한 벤젠환을 1개 갖는 화합물이 바람직하고(카르복시기를 2개 갖는 경우, 이 카르복시기가 탈수 축합된 구조로 되어 있을 수도 있음), 2개 내지 3개의 히드록시기와 1개의 카르복시기가 결합한 벤젠환을 1개 갖는 화합물이 보다 바람직하며, 3개의 히드록시기와 1개의 카르복시기가 결합한 벤젠환을 1개 갖는 화합물이 더욱 바람직하다. 그 중에서도 갈산(3, 4, 5-트리히드록시벤조산)이 특히 바람직하다.
특정 카르복실산 화합물의 에폭시 수지 조성물 중의 함유량은 특별히 제한되지 않는다. 에폭시 수지 조성물의 접착성의 향상을 충분히 얻는 관점에서는, 특정 카르복실산 화합물의 함유량은, 하기 식에서 계산되는 값이 0.01 이상이 되도록 설정되는 것이 바람직하고, 0.2 이상이 되도록 설정되는 것이 바람직하며, 0.4 이상이 되도록 설정되는 것이 보다 바람직하고, 0.8 이상이 되도록 설정되는 것이 더욱 바람직하다.
특정 카르복실산 화합물의 질량/(에폭시 수지의 질량+경화제의 질량+경화 촉진제의 질량)×100
에폭시 수지 조성물의 흡수율 상승을 억제하는 관점에서는, 특정 카르복실산 화합물의 함유량은, 상기 식에서 계산되는 값이 30 이하로 되도록 설정되는 것이 바람직하고, 21 이하로 되도록 설정되는 것이 바람직하며, 18 이하로 되도록 설정되는 것이 보다 바람직하고, 15 이하로 되도록 설정되는 것이 더욱 바람직하다.
특정 카르복실산 화합물의 함유량이 상기 조건을 만족시키는 경우, 양호한 접착성을 실현하면서 흡수율의 상승을 억제할 수 있는 경향이 있다. 그 결과, 전자 부품 장치의 신뢰성이 보다 향상되는 경향이 있다. 에폭시 수지 조성물 중에 특정 카르복실산 화합물이 존재하는지 여부는, 핵자기 공명 분광법(NMR), 고속 액체 크로마토그래피(HPLC) 등에 의하여 확인할 수 있다.
(에폭시 수지)
본 발명의 에폭시 수지 조성물은 에폭시 수지를 포함한다. 에폭시 수지의 종류는 특별히 제한되지 않으며, 용도에 따라 선택할 수 있다. 에폭시 수지는 1종을 단독으로 사용할 수도, 2종 이상을 조합하여 사용할 수도 있다. 에폭시 수지로서 구체적으로는, 디시클로펜타디엔형 에폭시 수지, 크레졸노볼락형 에폭시 수지, 페놀노볼락형 에폭시 수지, 나프탈렌형 에폭시 수지, 비스페놀 A형 에폭시 수지, 비페닐형 에폭시 수지, 트리페닐메탄형 에폭시 수지 등의 다관능 에폭시 수지 등을 들 수 있다.
본 발명의 에폭시 수지 조성물에 사용되는 에폭시 수지는, 실온(25℃)을 초과하는 융점 또는 연화점을 갖고 있는 것이 바람직하다. 또한 에폭시 수지 조성물을 파워 디바이스의 밀봉에 사용하는 경우에는, 에폭시 수지, 경화제 등을 포함하는 수지 조성물을 경화시킨 후의 Tg가 175℃ 이상이 되는 에폭시 수지를 사용하는 것이 바람직하다. 이러한 조건을 만족시키는 에폭시 수지로서는, 트리페닐메탄형 에폭시 수지, 크레졸노볼락형 에폭시 수지 등을 들 수 있다. 에폭시 수지 조성물을 BGA(Ball Grid Array)의 밀봉에 사용하는 경우에는, 에폭시 수지 중에서도 점도가 낮고 흡수율이 낮은 에폭시 수지를 사용하는 것이 바람직하다. 이러한 조건을 만족시키는 에폭시 수지로서는 비페닐형 에폭시 수지 등을 제시할 수 있다.
(경화제)
본 발명의 에폭시 수지 조성물은 경화제를 포함한다. 경화제의 종류는 특별히 제한되지 않으며, 용도에 따라 선택할 수 있다. 경화제는 1종을 단독으로 사용할 수도, 2종 이상을 조합하여 사용할 수도 있다. 경화제로서 구체적으로는, 디시클로펜타디엔형 페놀 수지, 페놀노볼락 수지, 크레졸노볼락 수지, 페놀아르알킬 수지, 비페닐형 페놀 수지 등, 트리페닐메탄형 페놀 수지 등의 다관능 페놀 수지 등을 들 수 있다.
본 발명의 에폭시 수지 조성물에 사용되는 경화제는, 실온(25℃)을 초과하는 융점 또는 연화점을 갖고 있는 것이 바람직하다. 또한 에폭시 수지 조성물을 파워 디바이스의 밀봉에 사용하는 경우에는, 에폭시 수지, 경화제 등을 포함하는 수지 조성물을 경화시킨 후의 Tg가 175℃ 이상이 되는 경화제를 사용하는 것이 바람직하다. 이러한 조건을 만족시키는 경화제로서는, 트리페닐메탄형 페놀 수지, 페놀노볼락 수지 등을 들 수 있다.
에폭시 수지 조성물 중의 에폭시 수지와 경화제의 함유 비율은, 경화제의 양이 에폭시 수지를 경화시키는 데 충분한 양이 되도록 설정하는 것이 바람직하다. 구체적으로는, 경화제로서 페놀 수지를 사용하는 경우, 에폭시 수지 중의 에폭시기 1당량당, 페놀 수지 중의 수산기 당량이 0.6당량 내지 1.5당량이 되도록 설정하는 것이 바람직하다.
(경화 촉진제)
본 발명의 에폭시 수지 조성물은 경화 촉진제를 포함한다. 경화 촉진제의 종류는 특별히 제한되지 않으며, 용도에 따라 선택할 수 있다. 경화 촉진제는 1종을 단독으로 사용할 수도, 2종 이상을 조합하여 사용할 수도 있다. 경화 촉진제로서 구체적으로는, 테트라페닐포스포늄테트라페닐보레이트, 트리페닐포스핀 등의 유기 인 화합물, 2-메틸이미다졸, 페닐이미다졸 등의 이미다졸 화합물, 1,8-디아자비시클로(5.4.0)운데센-7(DBU), 1,5-디아자비시클로(4.3.0)노넨-5(DBN) 등의 3급 아민 화합물 등을 들 수 있다. 에폭시 수지 조성물의 경화성 및 접착성의 관점에서는 이미다졸 화합물이 바람직하다.
에폭시 수지 조성물 중의 경화 촉진제의 함유율은 특별히 제한되지 않으며, 용도에 따라 선택할 수 있다. 충분한 효과 촉진 효과를 얻는 관점에서는, 경화제의 질량을 100으로 했을 경우의 경화 촉진제의 질량이 0.001 이상이 되도록 설정하는 것이 바람직하고, 0.01 이상이 되도록 설정하는 것이 바람직하다. 에폭시 수지 조성물의 경화물의 변색을 억제하는 관점에서는, 경화제의 질량을 100으로 했을 경우의 경화 촉진제의 질량이 15.0 이하로 되도록 설정하는 것이 바람직하고, 10.0 이하로 되도록 설정하는 것이 바람직하다.
(무기질 충전재)
본 발명의 에폭시 수지 조성물은 무기질 충전재를 포함한다. 무기질 충전재의 종류는 특별히 제한되지 않으며, 용도에 따라 선택할 수 있다. 무기질 충전재는 1종을 단독으로 사용할 수도, 2종 이상을 조합하여 사용할 수도 있다.
무기질 충전재로서 구체적으로는, 석영 유리 분말, 탈크 분말, 용융 실리카 분말, 결정성 실리카 분말 등의 실리카 분말, 알루미나 분말, 질화알루미늄 분말, 질화규소 분말 등을 들 수 있다. 본 발명의 에폭시 수지 조성물에 사용하는 무기질 충전재는, 파쇄상, 구상, 마쇄 처리한 것 등 중 어느 것일 수도 있다. 에폭시 수지 조성물을 경화시켜 얻어지는 경화물의 선팽창 계수를 저감시킬 수 있다는 관점에서는 실리카 분말을 사용하는 것이 바람직하고, 고충전성 및 고유동성의 관점에서는 용융 실리카 분말을 사용하는 것이 보다 바람직하다. 용융 실리카 분말로서는, 구상 용융 실리카 분말, 파쇄 용융 실리카 분말 등을 들 수 있다. 유동성의 관점에서는 구상 용융 실리카 분말을 사용하는 것이 바람직하다.
무기질 충전재의 평균 입자 직경은 특별히 제한되지 않으며, 용도에 따라 선택할 수 있다. 예를 들어 무기질 충전재의 평균 입자 직경은 1㎛ 내지 50㎛의 범위 내로 할 수 있으며, 2㎛ 내지 40㎛의 범위 내로 하는 것이 바람직하다. 본 명세서에 있어서 무기질 충전재의 평균 입자 직경은, 레이저 회절 산란식 입도 분포 측정에 의하여 얻어진 평균값으로 정의한다. 평균 입자 직경은, 예를 들어 모집단으로부터 임의의 측정 자료를 취출하고, 레이저 회절 산란식 입도 분포 측정 장치(예를 들어 호리바(HORIBA) 사의 LA-920)를 사용하여 측정할 수 있다.
본 발명의 에폭시 수지 조성물에 있어서는, 체적 평균 입자 직경이 상이한 2종 이상의 무기질 충전재를 조합하여 사용할 수도 있다. 유동성의 향상이라는 관점에서는, 예를 들어 체적 평균 입자 직경이 1㎛ 내지 50㎛의 범위 내, 또는 2㎛ 내지 40㎛의 범위 내인 무기질 충전재와, 체적 평균 입자 직경이 0.5㎛ 내지 2㎛의 범위 내인 무기질 충전재를 조합하여 사용할 수도 있다. 체적 평균 입자 직경이 상이한 2종 이상의 무기질 충전재를 조합하여 사용하는 경우의 무기질 충전재의 혼합비는 특별히 제한되지 않으며, 용도에 따라 선택할 수 있다.
에폭시 수지 조성물 중의 무기질 충전제의 함유율은 특별히 제한되지 않으며, 용도에 따라 선택할 수 있다. 에폭시 수지 조성물 중의 유기물 성분의 함유율을 억제하여 경화물의 난연성을 양호하게 하는 관점에서는, 무기질 충전재의 함유율은 에폭시 수지 조성물의 총 질량 중에 50질량％ 이상인 것이 바람직하고, 65질량％ 이상인 것이 보다 바람직하다. 에폭시 수지 조성물의 유동성 저하를 억제하는 관점에서는, 무기질 충전재의 함유율은 에폭시 수지 조성물의 총 질량 중에 95질량％ 이하인 것이 바람직하고, 92질량％ 이하인 것이 보다 바람직하다.
(실리콘 화합물)
본 발명의 에폭시 수지 조성물은 실리콘 화합물을 포함하는 것이 바람직하다. 실리콘 화합물은, 에폭시 수지 조성물의 저응력화제로서 사용되는 경우가 있는 화합물이다. 에폭시 수지 조성물이 특정 카르복실산 화합물을 포함하고, 또한 실리콘 화합물을 포함함으로써, 에폭시 수지 조성물의 접착성이 더욱 향상되는 경향이 있다.
실리콘 화합물이란, 유기 기가 결합한 실록산 결합을 주 골격으로 하는 고분자 화합물이며, 일반적인 유기 폴리실록산 화합물을 특별히 제한 없이 사용할 수 있다.
실리콘 화합물로서 구체적으로는, 디메틸폴리실록산, 메틸히드로겐폴리실록산, 양 말단 히드로겐메틸폴리실록산, 메틸페닐폴리실록산, 알킬 변성 폴리실록산, 아미노 변성 폴리실록산, 카르복실 변성 폴리실록산, 에폭시 변성 폴리실록산, 에폭시·폴리에테르 변성 폴리실록산, 알코올 변성 폴리실록산, 폴리에테르 변성 폴리실록산, 고급 지방산 변성 폴리실록산, 비닐기 함유 폴리실록산, 알킬·폴리에테르 변성 폴리실록산, 알킬·아르알킬·폴리에테르 변성 폴리실록산, 불소 변성 폴리실록산, 머캅토 변성 폴리실록산, 클로로알킬 변성 폴리실록산, (메트)아크릴로일 변성 폴리실록산 등을 들 수 있다. 실리콘 화합물은 1종 단독으로 사용할 수도, 2종 이상을 조합하여 사용할 수도 있다. 또한 실리콘 화합물은 공업 제품 또는 시약으로서 시판되고 있는 것을 사용할 수도, 공지된 방법으로 합성한 것을 사용할 수도 있다. 실리콘 화합물의 분자량은 특별히 제한되지 않으며, 용도에 따라 선택할 수 있다.
에폭시 수지 조성물 중의 실리콘 화합물의 함유량은 특별히 제한되지 않으며, 용도에 따라 선택할 수 있다. 충분한 저응력성 및 충분한 접착성을 얻는 관점에서는, 에폭시 수지, 경화제 및 경화 촉진제의 합계 질량을 100으로 했을 경우의 실리콘 화합물의 질량이 1.0 이상이 되도록 설정하는 것이 바람직하고, 2.0 이상이 되도록 설정하는 것이 보다 바람직하다. 흡수율의 상승을 억제하는 관점에서는, 에폭시 수지, 경화제 및 경화 촉진제의 합계 질량을 100으로 했을 경우의 실리콘 화합물의 질량이 20.0 이하로 되도록 설정하는 것이 바람직하고, 15.0 이하로 되도록 설정하는 것이 보다 바람직하다. 에폭시 수지 조성물 중에 실리콘 화합물이 존재하는지 여부는, 핵자기 공명 분광법(NMR), 푸리에 변환 적외 분광 광도계(FT-IR) 등에 의하여 확인할 수 있다.
(기타 성분)
본 발명의 에폭시 수지 조성물은, 필요에 따라 상기 성분 이외의 성분을 포함할 수도 있다. 기타 성분으로서 구체적으로는, 이형제, 실리콘 화합물 이외의 저응력화제, 난연제, 안료, 이온 트랩제, 커플링제, 내열화제 등을 들 수 있다.
이형제의 종류는 특별히 제한되지 않으며, 용도에 따라 선택할 수 있다. 이형제로서는 고급 지방산, 고급 지방산에스테르, 고급 지방산칼슘 등을 들 수 있다. 보다 구체적으로는, 예를 들어 카르나우바 왁스, 폴리에틸렌계 왁스 등을 들 수 있다. 이형제는 1종 단독으로 사용할 수도, 2종 이상을 조합하여 사용할 수도 있다.
저응력화제의 종류는 특별히 제한되지 않으며, 용도에 따라 선택할 수 있다. 저응력화제로서는, 아크릴산 메틸-부타디엔-스티렌 공중합체, 메타크릴산메틸-부타디엔-스티렌 공중합체 등의 부타디엔 고무, 상술한 실리콘 화합물 등을 들 수 있다. 저응력화제는 1종 단독으로 사용할 수도, 2종 이상을 조합하여 사용할 수도 있다. 저응력화제를 포함함으로써, 접착성이 보다 향상되는 경향이 있다. 특히 저응력화제로서 실리콘 화합물을 포함함으로써, 저응력성과 접착성 양쪽이 향상되는 경향이 있다.
난연제의 종류는 특별히 제한되지 않으며, 용도에 따라 선택할 수 있다. 난연제로서는, 유기 인 화합물, 산화안티몬, 수산화알루미늄, 수산화마그네슘 등의 금속 수산화물 등을 들 수 있다. 난연제는 1종 단독으로 사용할 수도, 2종 이상을 조합하여 사용할 수도 있다.
안료의 종류는 특별히 제한되지 않으며, 용도에 따라 선택할 수 있다. 안료로서는 카본 블랙 등을 들 수 있다. 카본 블랙을 포함함으로써, 정전 제거 효과가 얻어지는 경향이 있다. 안료는 1종 단독으로 사용할 수도, 2종 이상을 조합하여 사용할 수도 있다.
이온 트랩제의 종류는 특별히 제한되지 않으며, 용도에 따라 선택할 수 있다. 이온 트랩제를 포함함으로써, 내습 신뢰성 테스트에 있어서의 신뢰성이 향상되는 경향이 있다. 이온 트랩제로서는, 히드로탈사이트 화합물, 수산화비스무트 등을 들 수 있다. 이온 트랩제는 1종 단독으로 사용할 수도, 2종 이상을 조합하여 사용할 수도 있다.
커플링제의 종류는 특별히 제한되지 않으며, 용도에 따라 선택할 수 있다. 커플링제로서는, 3-머캅토프로필트리메톡시실란, 3-글리시독시프로필트리메톡시실란 등의 실란 커플링제 등을 들 수 있다. 커플링제는 1종 단독으로 사용할 수도, 2종 이상을 조합하여 사용할 수도 있다.
내열화제의 종류는 특별히 제한되지 않으며, 용도에 따라 선택할 수 있다. 내열화제로서는, 말레이미드 화합물, 시아네이트에스테르 수지 등을 들 수 있다. 내열화제는 1종 단독으로 사용할 수도, 2종 이상을 조합하여 사용할 수도 있다.
본 발명에 있어서 말레이미드 화합물이란, 1분자 중에 2개 이상의 말레이미드기를 갖는 화합물을 의미한다. 말레이미드 화합물로서 구체적으로는, 하기 식 (1) 내지 (3)으로 표시되는 화합물을 들 수 있다.
Figure pct00001
식 (1)에 있어서, Ar은 방향족환을 포함하는 2가의 기를 나타내고, R은 수소 원자, 탄소수 1 내지 4의 알킬기, 탄소수 1 내지 4의 알콕시기 또는 -CF3을 나타낸다. Ar로 표시되는 2가의 기의 구조로서 구체적으로는, 이하의 구조를 들 수 있다.
Figure pct00002
Figure pct00003
식 (2)에 있어서, n은 0 또는 양수이다.
Figure pct00004
시아네이트에스테르 수지는 특별히 한정되지 않으며, 용도에 따라 선택할 수 있다. 시아네이트에스테르 수지로서 구체적으로는, 페놀노볼락형 시아네이트에스테르, 크레졸노볼락형 시아네이트에스테르 등의 노볼락 골격을 갖는 시아네이트에스테르 수지(예를 들어 하기 식 (4)로 표시되는 시아네이트에스테르 수지), 비스(3,5-디메틸-4-시아네이트페닐)메탄, 비스(4-시아네이트페닐)메탄, 비스(3-메틸-4-시아네이트페닐)메탄, 비스(3-에틸-4-시아네이트페닐)메탄, 비스(4-시아네이트페닐)-1,1-에탄, 비스(4-시아네이트페닐)-2,2-프로판, 디(4-시아네이트페닐)에테르, 디(4-시아네이트페닐)티오에테르, 4,4'-{1,3-페닐렌비스(1-메틸에틸리덴)}비페닐 시아네이트, 2,2-비스(4-시아네이트페닐)-1,1,1,3,3,3-헥사플루오로프로판 등의 2가 시아네이트에스테르 수지, 트리스(4-시아네이트페닐)-1,1,1-에탄, 비스(3,5-디메틸-4-시아네이트페닐)-4-시아네이트페닐-1,1,1-에탄 등의 3가 시아네이트에스테르 수지, 이들 시아네이트에스테르 수지의 부분 3량화 화합물인 다가 시아네이트에스테르올리고머 수지 등을 들 수 있다. 시아네이트에스테르 수지는 액상일 수도, 고형상일 수도 있으며, 용도에 따라 선택할 수 있다.
Figure pct00005
식 (4)에 있어서, n은 2 내지 10의 정수이다.
에폭시 수지 조성물 중의 내열화제의 함유량은 특별히 제한되지 않으며, 용도에 따라 선택할 수 있다. 에폭시 수지 조성물 중에 내열화제가 존재하는지 여부는, 핵자기 공명 분광법(NMR), 푸리에 변환 적외 분광 광도계(FT-IR) 등에 의하여 확인할 수 있다.
(에폭시 수지 조성물의 제조 방법)
본 발명의 에폭시 수지 조성물은, 예를 들어 다음과 같이 하여 제조할 수 있다. 즉, 특정 카르복실산 화합물, 에폭시 수지, 경화제, 경화 촉진제, 무기질 충전재, 필요에 따라 그 외의 성분을 통상의 방법에 준하여 적절히 배합하고, 분체 믹서로 블렌드한다. 이어서, 블렌드한 것을 믹싱 롤이나 압출식의 혼련기 등을 사용하여 가열 상태에서 용융 혼련한다. 그 후, 이를 실온 하에서 냉각하여 고화시켜 에폭시 수지 조성물을 얻는다. 에폭시 수지 조성물은, 공지된 수단에 의하여 분쇄하여 원하는 입자 직경의 분말로 할 수도 있고, 얻어진 분말을 타정하여 원하는 형상의 정제로 할 수도 있다. 분말의 입자 직경 및 정제의 크기는 특별히 제한되지 않으며, 용도에 따라 선택할 수 있다.
(전자 부품 장치)
본 발명의 전자 부품 장치는, 전자 부품과, 상기 전자 부품을 밀봉하고 있는 본 발명의 에폭시 수지 조성물의 경화물을 갖는다. 본 발명의 전자 부품 장치는, 본 발명의 에폭시 수지 조성물을 사용하여 전자 부품이 밀봉되어 있기 때문에 신뢰성이 우수하다.
본 발명의 에폭시 수지 조성물은, 금속 재료에 대한 접착성이 우수하다. 이 때문에, 금속 재료를 포함하는 전자 부품을 밀봉하는 경우에 본 발명의 효과가 보다 현저하다. 금속 재료를 포함하는 전자 부품으로서는, 금속제 또는 금속으로 도금 처리된 부재를 포함하는 전자 부품을 들 수 있다. 그러한 부재로서 구체적으로는, 종래의 밀봉 재료로는 충분한 접착력이 얻어지지 않는 알루미늄제 리드 프레임, 표면이 전해 니켈 도금 처리 또는 무전해 니켈 도금 처리된 리드 프레임을 들 수 있다.
본 발명의 에폭시 수지 조성물을 사용하여 전자 부품을 밀봉하는 방법은 특별히 제한되지 않으며, 용도에 따라 선택할 수 있다. 예를 들어 트랜스퍼 성형 등의 공지된 몰드 방법에 의하여 행할 수 있다. 전자 부품 장치의 예로서는, IC, LSI, 파워 디바이스 등을 들 수 있다.
(실시예)
이하, 본 발명을 실시예에 기초하여 설명한다. 단, 본 발명은 이들 실시예에 한정되는 것은 아니다.
〔실시예 1 내지 49, 비교예 1 내지 4〕
하기에 나타내는 각 성분을 표 1 내지 4에 나타내는 비율(질량％)로 상온(25℃)에서 혼합하고, 80℃ 내지 150℃로 가열한 롤 혼련기에 넣고 용융 혼련하였다. 다음으로, 얻어진 용융물을 실온까지 냉각하여 고체 상태의 에폭시 수지 조성물을 얻었다. 이 에폭시 수지 조성물을 분쇄하여 분말을 얻었다. 얻어진 분말을 타정 성형하여 원뿔대 형상의 정제를 제작하였다.
〔특정 카르복실산 화합물〕
특정 카르복실산 화합물 1: 무수 트리멜리트산
특정 카르복실산 화합물 2: 옥살산
특정 카르복실산 화합물 3: 말레산
특정 카르복실산 화합물 4: 갈산
특정 카르복실산 화합물 5: 5-히드록시이소프탈산
특정 카르복실산 화합물 6: 2-히드록시벤조산
특정 카르복실산 화합물 7: 3-히드록시벤조산
특정 카르복실산 화합물 8: 4-히드록시벤조산
특정 카르복실산 화합물 9: 2,4-디히드록시벤조산
특정 카르복실산 화합물 10: 2,5-디히드록시벤조산
특정 카르복실산 화합물 11: 2,6-디히드록시벤조산
특정 카르복실산 화합물 12: 3,4-디히드록시벤조산
특정 카르복실산 화합물 13: 3,5-디히드록시벤조산
특정 카르복실산 화합물 14: 타르타르산
특정 카르복실산 화합물 15: 시트르산
특정 카르복실산 화합물 16: 말산
특정 카르복실산 화합물 17: N-(2-히드록시에틸)이미노2아세트산
특정 카르복실산 화합물 18: N,N-디(2-히드록시에틸)글리신
〔비교용 카르복실산에스테르〕
카르복실산에스테르 1: 갈산메틸
카르복실산에스테르 2: 갈산에틸
카르복실산에스테르 3: 갈산프로필
〔에폭시 수지〕
에폭시 수지 1: 트리페닐메탄형 에폭시 수지(에폭시 당량 169, 융점 60℃)
에폭시 수지 2: 디시클로펜타디엔형 에폭시 수지(에폭시 당량 258, 융점 60℃)
에폭시 수지 3: 크레졸노볼락형 에폭시 수지(에폭시 당량 200, 융점 65℃)
에폭시 수지 4: 비페닐형 에폭시 수지(에폭시 당량 193, 융점 105℃)
〔경화제〕
경화제 1: 페놀노볼락 수지(수산기 당량 105, 융점 83℃)
경화제 2: 페놀아르알킬 수지(수산기 당량 170, 융점 62℃)
경화제 3: 트리페닐메탄형 페놀 수지(수산기 당량 97, 융점 111℃)
〔경화 촉진제〕
경화 촉진제 1: 1,5-디아자비시클로[4.3.0]노넨-5
경화 촉진제 2: 2-페닐-4-메틸-5-히드록시메틸이미다졸
경화 촉진제 3: 테트라페닐포스포늄테트라페닐보레이트(홋코 가가쿠 고교 가부시키가이샤, TPP-K)
〔무기질 충전재〕
용융 구상 실리카
〔실리콘 화합물〕
실리콘 화합물 1: 에폭시·폴리에테르 변성 실리콘 오일(도레이 다우코닝 가부시키가이샤, SF8421EG)
실리콘 화합물 2: 에폭시·폴리에테르 변성 실리콘 오일(도레이 다우코닝 가부시키가이샤, BY16-876)
〔이형제〕
이형제 1: 카르나우바 왁스
이형제 2: 산화폴리에틸렌 왁스(산가 17)
〔안료〕
카본 블랙
〔난연제〕
수산화알루미늄
〔커플링제〕
3-머캅토프로필트리메톡시실란
〔내열화제〕
내열화제 1: 2,2-비스〔4-(4-말레이미드페녹시)페닐〕프로판(다이와 가세이 고교 가부시키가이샤, BMI-4000)
내열화제 2: 식 (2)에 있어서 n이 0.35인 말레이미드 화합물(다이와 가세이 고교 가부시키가이샤, BMI-2300)
내열화제 3: 식 (4)에 있어서 n이 2 내지 10인 시아네이트에스테르 수지(론자 저팬 가부시키가이샤, PT-60)
내열화제 4: 비스(3,5)-디메틸-4-시아네이트페닐)메탄(론자 저팬 가부시키가이샤, BA-3000)
실시예 및 비교예에서 제작한 에폭시 수지 조성물을 사용하여, 리드 프레임에 대한 접착성 및 흡수성을, 하기에 나타내는 방법에 따라 측정하고 평가하였다. 이들의 결과를 표 1 내지 4에 나타낸다.
<리드 프레임에 대한 접착성>
전해 니켈 도금 처리된 리드 프레임(리드 프레임 1), 무전해 니켈 도금 처리된 리드 프레임(리드 프레임 2) 및 알루미늄(A6063)제의 리드 프레임(리드 프레임 3)을 각각 준비하고, 약 8㎜×8㎜의 크기로 절단하여 칩을 제작하였다. 얻어진 칩을 전용의 금형에 끼우고, 칩 상에 실시예 또는 비교예에서 제작한 에폭시 수지 조성물을, 프레스기(도호 인터내셔널 가부시키가이샤, TF15)에서 성형함으로써 시험편을 제작하였다. 성형 조건은, 성형 온도를 175℃, 성형 시간을 120초, 금형 체결 압력을 1962㎫, 트랜스퍼 압력을 686.7㎫로 하였다. 또한 성형 후의 시험편을 175℃에서 5시간 가열하여 후경화를 행하였다. 그 후, 본드 테스터(데이지 저팬 가부시키가이샤, Dage4000)에 의하여, 칩에 대한 에폭시 수지 조성물의 전단 접착력(단위: ㎫)을 측정하였다.
전단 접착력을 측정할 때, 측정대의 온도는 25℃로 하였다. 전단 접착력의 측정은, 3종의 리드 프레임에 대하여 각각 6개의 시험편을 제작하여 6회 행하였다. 그의 평균값을 표 1 내지 4에 나타낸다.
<흡수성>
실시예 및 비교예에서 제작한 에폭시 수지 조성물의 정제를 프레스기(도호 인터내셔널 가부시키가이샤, TF15)에서 성형함으로써 직경이 5㎝, 두께가 1㎜인 원판상의 시험편을 제작하였다. 성형 조건은, 성형 온도를 175℃, 성형 시간을 120초, 금형 체결 압력을 1962㎫, 트랜스퍼 압력을 686.7㎫로 하였다. 또한 이 시험편을 175℃에서 5시간 가열하여 후경화를 행하였다. 그 후, 제작한 시험편을 105℃의 건조기에서 1시간 건조하고, 실온(25℃)까지 복귀한 시점의 질량(흡수 전의 질량)을 측정하였다. 이어서, 온도 121℃, 습도 100％의 조건에서 시험편을 48시간 흡수시킨 후의 질량(흡수 후의 질량)을 측정하였다.
(흡수율)
시험편의 흡수율을, 흡수 전의 질량과 흡수 후의 질량으로부터 흡수율(％)을 하기 식에 의하여 계산하여 구하였다. 결과를 표 1 내지 4에 나타낸다.
흡수율(％)=(흡수 후의 질량-흡수 전의 질량)/(흡수 전의 질량)×100
(흡수율의 변화율)
시험편의 흡수율의 변화율을, 특정 카르복실산 화합물을 사용하지 않는 비교예 1에서 제작한 시험편의 흡수율을 기준으로 하여, 하기 식에 의하여 계산하여 구하였다. 결과를 표 1 내지 4에 나타낸다.
변화율=100-(흡수율/비교예 1의 흡수율×100)
Figure pct00006
Figure pct00007
Figure pct00008
Figure pct00009
상기 측정 결과로부터, 각 실시예에서 제작한 에폭시 수지 조성물은, 리드 프레임 1 내지 3 중 어느 것에 대해서도 높은 접착력을 나타내는 것을 알 수 있었다.
특정 카르복실산 화합물 중에서도, 1개 이상의 카르복시기 및 1개 이상의 히드록시기가 벤젠환에 결합한 구조를 갖는 화합물을 사용한 실시예 13 내지 36, 42 내지 47의 에폭시 수지 조성물은, 리드 프레임에 대한 접착성 및 흡수율의 변화율 양쪽에 있어서 우수한 경향이 있음을 알 수 있었다. 또한 갈산을 사용했을 경우에는, 리드 프레임에 대한 접착성 및 흡수율의 변화율 양쪽에 있어서 우수한 경향이 특히 현저한 것을 알 수 있었다. 추가로, 실리콘 화합물을 첨가함으로써, 흡수율의 변화를 억제하면서 리드 프레임에 대한 접착성을 보다 향상시킬 수 있음을 알 수 있었다.
특정 카르복실산 화합물을 포함하지 않는 비교예 1의 에폭시 수지 조성물은 리드 프레임 1 내지 3 중 어느 것에 대해서도 접착력을 나타내지 않았다. 특정 카르복실산 화합물 대신 카르복실산에스테르를 포함하는 비교예 2 내지 4도 리드 프레임에 대한 접착력이 불충분하였다.
이상의 결과로부터, 본 발명의 에폭시 수지 조성물은, 금속 재료를 사용하는 파워 디바이스 등의 밀봉에 적절히 사용할 수 있으며, 신뢰성이 높은 반도체 장치를 얻는 데 적합한 것을 알 수 있었다.

Claims (8)

  1. 에폭시 수지와, 경화제와, 경화 촉진제와, 무기질 충전제와, 이하의 A, B 및 C로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 하나를 만족시키는 카르복실산 화합물을 포함하는 에폭시 수지 조성물.
    A 1개 이상의 카르복시기 및 1개 이상의 히드록시기를 갖는다.
    B 2개 이상의 카르복시기를 갖는다.
    C 2개의 카르복시기가 탈수되어 축합된 구조를 갖는다.
  2. 제1항에 있어서, 상기 카르복실산 화합물이 1개 이상의 카르복시기 및 1개 이상의 히드록시기를 갖는 에폭시 수지 조성물.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 카르복실산 화합물이 방향족환을 갖는 에폭시 수지 조성물.
  4. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 카르복실산 화합물이, 2개 또는 3개의 히드록시기와 1개의 카르복시기가 결합한 벤젠환을 1개 갖는 에폭시 수지 조성물.
  5. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 카르복실산 화합물이 갈산을 포함하는 에폭시 수지 조성물.
  6. 제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서, 실리콘 화합물을 더 포함하는 에폭시 수지 조성물.
  7. 제1항 내지 제6항 중 어느 한 항에 있어서, 분말상 또는 정제상인 에폭시 수지 조성물.
  8. 전자 부품과, 상기 전자 부품을 밀봉하고 있는, 제1항 내지 제7항 중 어느 한 항에 기재된 에폭시 수지 조성물의 경화물을 포함하는 전자 부품 장치.
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