JPH11130837A - エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 - Google Patents

エポキシ樹脂組成物及び半導体装置

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JPH11130837A
JPH11130837A JP29895197A JP29895197A JPH11130837A JP H11130837 A JPH11130837 A JP H11130837A JP 29895197 A JP29895197 A JP 29895197A JP 29895197 A JP29895197 A JP 29895197A JP H11130837 A JPH11130837 A JP H11130837A
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JP
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epoxy resin
general formula
type epoxy
group
resin composition
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JP29895197A
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Masaru Ota
賢 太田
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Sumitomo Bakelite Co Ltd
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 成形性、低反り性、耐半田クラック性に優れ
る、特にBGAパッケージに適した半導体封止用エポキ
シ樹脂組成物を提供すること。 【解決手段】 一般式(1)で示されるスチルベン型エ
ポキシ樹脂と一般式(2)で示されるスチルベン型エポ
キシ樹脂との混合物の融点が50〜150℃であるも
の、一般式(3)で示されるフェノール樹脂、硬化促進
剤、及び無機充填材を必須成分とすることを特徴とする
エポキシ樹脂組成物。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、成形性、低反り
性、耐半田クラック性に優れるエポキシ樹脂組成物、及
びこれを用いた半導体装置に関するものである。
【0002】
【従来の技術】半導体を機械的、化学的作用から保護す
るために、従来からエポキシ樹脂組成物(以下、樹脂組
成物という)が開発、生産されてきた。この樹脂組成物
に要求される項目は、半導体の種類、封止されるパッケ
ージの種類、使用される環境等によって変化しつつある
が、最近ではパッケージを実装する際にクラックが生じ
るという問題がある。これは実装時の半田浴に直接浸漬
される等、高温に曝されるため、樹脂組成物の硬化物が
吸湿していた水分が膨張した結果、クラックが生じると
いうものである。このため樹脂組成物は低吸湿性である
ことが求められており、この要求に対し種々検討した結
果、無機充填材を多く含有させることで耐半田クラック
性はかなり改善された。この無機充填材の高充填の手法
としては、無機充填材の粒度分布や形状の変更、エポキ
シ樹脂及びフェノール樹脂の粘度の低減等があるが、こ
れらの手法を併用する場合が殆どである。
【0003】低粘度のエポキシ樹脂としては、ビフェニ
ル骨格を有するグリシジルエーテル型エポキシ樹脂が開
発され、実用化されているが、更に樹脂組成物の硬化物
の力学的、機械的物性を向上させる手法が検討されてい
る。例えば、液晶性を示したり、もしくはロッド状部分
を有するエポキシ樹脂を用い、硬化物中の分子を配向さ
せることで硬化物の特性を向上させる手法が挙げられ
る。このような液晶性を示したり、もしくはロッド状部
分を有するエポキシ樹脂として、炭素−炭素二重結合、
炭素−窒素二重結合、窒素−窒素二重結合等の構造を有
するものが提案されている(特開昭64−56721、
特開平1−85215、特開平2−275872各号公
報)。
【0004】特にスチルベン骨格を有するエポキシ樹脂
については、種々の検討がなされており、特開平8−7
3562号公報には、低粘度であり、且つ低吸湿性と密
着性の高い硬化物を与えるエポキシ樹脂及び樹脂封止型
半導体装置が提案されている。この公報の実施例には、
2,6-キシレノールとクロロアセトアルデヒドジメチルア
セタールを酸性物質の存在下で反応させて得られるフェ
ノール化合物をグリシジルエーテル化したスチルベン型
エポキシ樹脂が示されているが、このスチルベン型エポ
キシ樹脂の融点は152℃で、樹脂組成物を構成する他
成分との混合や成形等の作業性は必ずしも良好とはいえ
ない。
【0005】この作業性の悪さを改良する手法として、
特開平8−301981号公報では、スチルベン骨格の
炭素−炭素二重結合に結合しているアリール基が互いに
異なる、融点が150℃以下であるスチルベン型エポキ
シ樹脂の一種もしくは二種以上、又はスチルベン骨格の
炭素−炭素二重結合に結合しているアリール基が互いに
同じであるスチルベン型エポキシ樹脂の一種もしくは二
種以上との混合物、及びフェノール樹脂系硬化剤を含む
樹脂組成物が提案されており、作業性の点は改善された
が、用いられているスチルベン型エポキシ樹脂もしくは
スチルベン型エポキシ樹脂の混合物では、反応の初期段
階で架橋反応が速やかに進むのを避けられない。更に、
上記のスチルベン型エポキシ樹脂の硬化剤として、従来
からよく使用されているフェノールノボラック樹脂や、
フェノールアラルキル樹脂を配合した樹脂組成物をBG
A(ボール・グリッド・アレイ)に適用した場合、反り
が大きくなり、実用性がないという欠点があった。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、硬化性をは
じめとする良好な成形性、低吸湿化のために耐半田クラ
ック性に優れ、特にBGAパッケージにおける低反り性
に優れる半導体封止用樹脂組成物、及びこれを用いた生
産性と品質の良好な半導体装置を提供するものである。
【0007】
【課題を解決するための手段】本発明は、(A)一般式
(1)で示されるスチルベン型エポキシ樹脂と一般式
(2)で示されるスチルベン型エポキシ樹脂との混合物
の融点が50〜150℃であるもの、(B)一般式
(3)で示されるフェノール樹脂、(C)硬化促進剤、
及び(D)無機充填材を必須成分とすることを特徴とす
るエポキシ樹脂組成物である。
【化6】 (ここで、R1〜R8は、それぞれ独立に、炭素数1〜6
の鎖状、又は環状アルキル基、水素原子、又はハロゲン
原子を示す。炭素−炭素二重結合に結合している2個の
アリール基は互いに異なる。)
【0008】
【化7】 (ここで、R9〜R12は、それぞれ独立に、炭素数1〜
6の鎖状、又は環状アルキル基、水素原子、又はハロゲ
ン原子を示す。炭素−炭素二重結合に結合している2個
のアリール基は互いに同じである。)
【0009】
【化8】 (式中、mは1〜10。nは0、もしくは1又は2。R
13は、メチル基、メトキシ基、又はターシャリブチル基
を示し、同一でも異なっていても良い。)
【0010】
【発明の実施の形態】本発明に用いられる一般式(1)
及び(2)で示されるスチルベン型エポキシ樹脂の置換
基R1〜R12は、それぞれ独立に、炭素数1〜6の鎖
状、又は環状アルキル基、水素原子、又はハロゲン原子
を示し、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、ブ
チル基、アミル基、ヘキシル基(各異性体を含む)、シ
クロヘキシル基、塩素原子、及び臭素原子等が挙げられ
る。これらの中では、樹脂の溶融粘度の低さから、メチ
ル基、エチル基、プロピル基、及びターシャリブチル基
がより好ましい。本発明に用いられるエポキシ樹脂は、
一般式(1)のスチルベン型エポキシ樹脂と一般式
(2)のスチルベン型エポキシ樹脂との混合物である。
一般式(1)のスチルベン型エポキシ樹脂、一般式
(2)のスチルベン型エポキシ樹脂は、共に置換基の種
類等により種々の構造のものがあり、一般式(1)及び
一般式(2)の各々のスチルベン型エポキシ樹脂は、一
種類の構造のものでも、二種類以上の構造のものの混合
物でもかまわない。一般式(1)のスチルベン型エポキ
シ樹脂と一般式(2)のスチルベン型エポキシ樹脂との
混合は、両方の樹脂を混合することにより融点が低くな
れば、混合方法については特に限定しない。例えば、ス
チルベン型エポキシ樹脂の原料であるスチルベン型フェ
ノール類をグリシジルエーテル化する前に混合しておい
たり、両方のスチルベン型エポキシ樹脂を溶融混合する
方法等がある。一般式(1)のスチルベン型エポキシ樹
脂と一般式(2)のスチルベン型エポキシ樹脂との混合
物の融点は、50〜150℃が好ましい。50℃未満だ
と、作業性に難点があり、150℃を越えると、樹脂組
成物を構成する他成分との混練等の作業性に問題が生じ
るおそれがあるので好ましくない。本発明のスチルベン
型エポキシ樹脂の融点は、示差走査熱量計を用いて、常
温から昇温速度5℃/分で昇温した結晶融解の吸熱ピー
クの頂点を示す。
【0011】本発明に用いられる一般式(1)のスチル
ベン型エポキシ樹脂は、原料である炭素−炭素二重結合
に結合している2個のアリール基が互いに異なったスチ
ルベン型フェノール類のグリシジルエーテル化によって
得られるが、入手のし易さ、性能、原料価格の点から、
5-ターシャリブチル-4,4'-ジヒドロキシ-2,3',5'-トリ
メチルスチルベンが特に好ましい。
【0012】一般式(2)のスチルベン型エポキシ樹脂
は、原料である炭素−炭素二重結合に結合している2個
のアリール基が互いに同じであるスチルベン型フェノー
ル類のグリシジルエーテル化によって得られるが、性
能、原料価格の点から、4,4'-ジヒドロキシ-3,3',5,5'-
テトラメチルスチルベン、又は4,4'-ジヒドロキシ-3,3'
-ジターシャリブチル-6,6'-ジメチルスチルベンが特に
好ましい。
【0013】又、上記のスチルベン型エポキシ樹脂は、
他のエポキシ樹脂と併用しても良い。併用するエポキシ
樹脂としては、例えば、ビスフェノールA型エポキシ樹
脂、含臭素エポキシ樹脂、ビスフェノールF型エポキシ
樹脂、ビスフェノールAD型エポキシ樹脂、ビフェニル
型エポキシ樹脂、ジヒドロキシジフェニルメタン型エポ
キシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、、ク
レゾールノボラック型エポキシ樹脂、環状脂肪族エポキ
シ樹脂、グリシジルエステル系エポキシ樹脂、グリシジ
ルアミン系エポキシ樹脂、複素環式エポキシ樹脂、3官
能型エポキシ樹脂、トリスヒドロキシフェニルメタン型
エポキシ樹脂、及びジシクロペンタジエンとフェノール
類を付加反応により重合させたフェノール樹脂をグリシ
ジルエーテル化することによって得られるエポキシ樹脂
等が挙げられ、これらは単独でも混合して用いても良
い。本発明のエポキシ樹脂は、モノマー、オリゴマー、
及びポリマー全般を言う。
【0014】本発明に用いられる一般式(3)で示され
るフェノール樹脂において、mは1〜10である。nは
0、もしくは1又は2である。R13は、メチル基、メト
キシ基、又はターシャリブチル基を示し、同一でも異な
っていても良い。最も好ましいのは、トリフェノールメ
タン型フェノール樹脂である。一般式(3)で示される
フェノール樹脂は、分子の剛直性による非常に良好な硬
化性、低反り性という特徴を有しているため、一般式
(1)及び(2)で示されるスチルベン型エポキシ樹脂
と組み合わせることにより、低粘度で且つ硬化性良好、
低反り性という優れた性能を発現させることが可能とな
る。
【0015】又、一般式(3)で示されるフェノール樹
脂の特性を損なわない範囲で、他のフェノール樹脂を併
用してもよい。併用するフェノール樹脂としては、例え
ば、フェノールノボラック樹脂、オルソクレゾールノボ
ラック樹脂、フェノールアラルキル樹脂、ジシクロペン
タジエン変性フェノール樹脂、リモネン変性フェノール
ノボラック樹脂等が挙げられ、これらは単独でも混合し
て用いてもよい。本発明に用いられる全エポキシ樹脂の
エポキシ基と全フェノール樹脂のフェノール性水酸基の
当量比は、好ましくは0.5〜2であり、特に0.7〜
1.5がより好ましい。0.5〜2の範囲を外れると、
耐湿性、硬化性等が低下するので好ましくない。
【0016】本発明に用いられる硬化促進剤は、エポキ
シ基とフェノール性水酸基の反応を促進するものであれ
ば特に限定はしないが、例えば、1,8−ジアザビシク
ロ(5,4,0)ウンデセン−7、トリフェニルホスフ
ィン、テトラフェニルホスホニウム・テトラフェニルボ
レート、テトラフェニルホスホニウム・テトラ安息香酸
ボレート、テトラフェニルホスホニウム・テトラナフト
イックアシッドボレート等が挙げられ、これらは単独で
も混合して用いてもよい。
【0017】本発明に用いられる無機充填材の種類につ
いては特に制限はなく、公知の無機充填材を使用するこ
とができる。例えば、溶融破砕シリカ粉末、溶融球状シ
リカ粉末、結晶シリカ粉末、2次凝集シリカ粉末、アル
ミナ、チタンホワイト、水酸化アルミニウム、タルク、
クレー、ガラス繊維等が挙げられ、特に溶融球状シリカ
粉末が好ましい。形状は限りなく真球状であることが好
ましく、又、粒子の大きさの異なるものを混合すること
により充填量を多くすることができる。
【0018】本発明に用いられるシランカップリング剤
は、無機充填材と樹脂成分の両者に反応性を有するもの
であればよく、特に、式(4)に示されるアミノシラン
カップリング剤及び/又は式(5)に示されるエポキシ
シランカップリング剤が信頼性向上の点で好ましい。更
に、メルカプトシランカップリング剤、ウレイドシラン
カップリング剤等の、他のシランカップリング剤を併用
してもよい。
【化9】 (式中、R14は水素原子、又はフェニル基を示し、R15
はメチル基、又はエチル基を示す。)
【0019】
【化10】 (式中、R16はメチル基、又はエチル基を示す。pは0
〜2。)
【0020】本発明の樹脂組成物は、(A)〜(D)成
分、又は(A)〜(E)成分の他、必要に応じてカーボ
ンブラック等の着色剤、臭素化エポキシ樹脂、酸化アン
チモン、リン化合物等の難燃剤、シリコーンオイル、シ
リコーンゴム等の低応力成分、天然ワックス、合成ワッ
クス、高級脂肪酸及びその金属塩類もしくはパラフィン
等の離型剤、酸化防止剤等の各種添加剤を配合すること
ができる。本発明の樹脂組成物は、(A)〜(D)成
分、又は(A)〜(E)成分、及びその他の添加剤等を
ミキサーを用いて常温混合し、ロール、押出機等の混練
機で混練し、冷却後粉砕して得られる。本発明の樹脂組
成物を用いて、半導体等の電子部品を封止し、半導体装
置を製造するには、トランスファーモールド、コンプレ
ッションモールド、インジェクションモールド等の従来
からの成形方法で硬化成形すればよい。
【0021】
【実施例】以下に本発明の実施例を示すが、本発明はこ
れらに限定されるものではない。配合単位は重量部とす
る。 実施例1 式(E−1)のエポキシ樹脂 4重量部
【化11】
【0022】 式(E−2)のエポキシ樹脂 6.5重量部
【化12】
【0023】 フェノール樹脂(H−1) 5.3重量部
【化13】 1,8−ジアザビシクロ(5,4,0)ウンデセン−7(以下、DBUという ) 0.2重量部 溶融球状シリカ(平均粒径15μm) 82重量部 カーボンブラック 0.5重量部 臭素化ビスフェノールA型エポキシ樹脂 0.5重量部 三酸化アンチモン 0.5重量部 カルナバワックス 0.5重量部 を常温でミキサーを用いて混合した後、100℃で二軸
ロールを用いて混練し、冷却後粉砕し、樹脂組成物を得
た。得られた樹脂組成物を以下の方法で評価した。結果
を表1に示す。
【0024】評価方法 硬化性:低圧トランスファー成形機を用い、成形温度1
75℃、圧力70kg/cm2、硬化時間2分で、25
6pBGA(ビスマレイミド・トリアジン樹脂/ガラス
クロス基板、サイズ27mm×27mm、ICチップサ
イズ9mm×9mm)を成形し、成形直後(金型が開い
て10秒後)のバコール硬度を用いて測定した。 離型性:BGAの成形において、離型の状況を○、△、
×の3段階で官能評価した。 BGAの反り量:低圧トランスファー成形機を用い、成
形温度175℃、圧力70kg/cm2、硬化時間2分
で、256pBGA(ビスマレイミド・トリアジン樹脂
/ガラスクロス基板、サイズ27mm×27mm、IC
チップサイズ9mm×9mm)を成形し、175℃、8
時間のポストキュアを行ったのち、表面粗さ計(東京精
密(株)・製、サーフコム)を用いて、BGAの反り量
を測定した。単位はμm。BGAの反り量とは、BGA
の対角線方向を表面粗さ計を用いて反り量の測定を行
い、得られた最大反り量の値を示す。 耐半田クラック性:低圧トランスファー成形機を用い、
成形温度175℃、圧力70kg/cm2、硬化時間2
分で、256pBGA(ビスマレイミド・トリアジン樹
脂/ガラスクロス基板、サイズ27mm×27mm、I
Cチップサイズ9mm×9mm)を成形し、175℃、
8時間のポストキュアを行ったのち、6個のBGAパッ
ケージを、85℃、相対湿度65%で168時間吸湿さ
せた後、220℃のIRリフロー処理を行い、パッケー
ジクラック個数を超音波探傷機で観察した。クラックの
生じたパッケージがn個であるとき、n/6と表示す
る。
【0025】実施例2〜11 表1の処方に従って配合し、実施例1と同様にして樹脂
組成物を得、実施例1と同様にして評価した。結果を表
1に示す。 比較例1〜2 表2の処方に従って配合し、実施例1と同様にして樹脂
組成物を得、実施例1と同様にして評価した。結果を表
2に示す。実施例2〜11、比較例1〜2で用いたエポ
キシ樹脂を式(E−3)、式(E−4)に、フェノール
樹脂を式(H−2)、式(H−3)、シランカップリン
グ剤を式(C−1)〜(C−4)に示す。又、実施例1
1で用いた硬化促進剤は、テトラフェニルホスホニウム
・テトラナフトイックアシッドボレート(以下、TPP
K−NAという)である。
【化14】
【0026】
【化15】
【0027】
【化16】
【0028】
【表1】
【0029】
【表2】
【0030】
【発明の効果】本発明の半導体封止用エポキシ樹脂組成
物は、成形性に優れ、低反り性や耐半田クラック性に優
れており、これを用いた半導体装置、特にBGAパッケ
ージの、生産性及び信頼性が向上する。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 FI H01L 23/31

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 (A)一般式(1)で示されるスチルベ
    ン型エポキシ樹脂と一般式(2)で示されるスチルベン
    型エポキシ樹脂との混合物の融点が50〜150℃であ
    るもの、(B)一般式(3)で示されるフェノール樹
    脂、(C)硬化促進剤、及び(D)無機充填材を必須成
    分とすることを特徴とするエポキシ樹脂組成物。 【化1】 (ここで、R1〜R8は、それぞれ独立に、炭素数1〜6
    の鎖状、又は環状アルキル基、水素原子、又はハロゲン
    原子を示す。炭素−炭素二重結合に結合している2個の
    アリール基は互いに異なる。) 【化2】 (ここで、R9〜R12は、それぞれ独立に、炭素数1〜
    6の鎖状、又は環状アルキル基、水素原子、又はハロゲ
    ン原子を示す。炭素−炭素二重結合に結合している2個
    のアリール基は互いに同じである。) 【化3】 (式中、mは1〜10。nは0、もしくは1又は2。R
    13は、メチル基、メトキシ基、又はターシャリブチル基
    を示し、同一でも異なっていても良い。)
  2. 【請求項2】 一般式(1)で示されるスチルベン型エ
    ポキシ樹脂が、5-ターシャリブチル-4,4'-ジヒドロキシ
    -2,3',5'-トリメチルスチルベンのグリシジルエーテル
    化物で、一般式(2)で示されるスチルベン型エポキシ
    樹脂が、4,4'-ジヒドロキシ-3,3',5,5'-テトラメチルス
    チルベン、又は4,4'-ジヒドロキシ-3,3'-ジターシャリ
    ブチル-6,6'-ジメチルスチルベンのグリシジルエーテル
    化物である請求項1記載のエポキシ樹脂組成物。
  3. 【請求項3】 請求項1記載の(A)〜(D)成分に、
    更に(E)一般式(4)及び/又は一般式(5)で示さ
    れるシランカップリング剤から選ばれる1種以上を添加
    してなることを特徴とするエポキシ樹脂組成物。 【化4】 (式中、R14は水素原子、又はフェニル基を示し、R15
    はメチル基、又はエチル基を示す。) 【化5】 (式中、R16はメチル基、又はエチル基を示す。pは0
    〜2。)
  4. 【請求項4】 請求項1、2、又は3記載のエポキシ樹
    脂組成物を用いて封止してなることを特徴とする半導体
    装置。
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001089636A (ja) * 1999-07-22 2001-04-03 Sumitomo Bakelite Co Ltd エポキシ樹脂組成物及び半導体装置
JP4617532B2 (ja) * 1999-10-28 2011-01-26 住友ベークライト株式会社 エポキシ樹脂組成物及び半導体装置

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