JP2001106872A - エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 - Google Patents
エポキシ樹脂組成物及び半導体装置Info
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- JP2001106872A JP2001106872A JP28522099A JP28522099A JP2001106872A JP 2001106872 A JP2001106872 A JP 2001106872A JP 28522099 A JP28522099 A JP 28522099A JP 28522099 A JP28522099 A JP 28522099A JP 2001106872 A JP2001106872 A JP 2001106872A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 成形性、吸湿後の半田処理において耐半田ク
ラック性に優れる半導体封止用エポキシ樹脂組成物を提
供すること。 【解決手段】 （Ａ）結晶性エポキシ樹脂、（Ｂ）一般
式（１）で示されるフェノール樹脂、（Ｃ）無機充填
材、及び（Ｄ）硬化促進剤を必須成分とすることを特徴
とする半導体封止用エポキシ樹脂組成物。 【化１】 （式中のＲ1、Ｒ2は、炭素数１〜４のアルキル基の中か
ら選択される同一もしくは異なる基、ａは０〜３の整
数、ｂは０〜４の整数、ｍ、ｎは平均値で、いずれも
ｍ、ｎ＝１〜１０の正数）
ラック性に優れる半導体封止用エポキシ樹脂組成物を提
供すること。 【解決手段】 （Ａ）結晶性エポキシ樹脂、（Ｂ）一般
式（１）で示されるフェノール樹脂、（Ｃ）無機充填
材、及び（Ｄ）硬化促進剤を必須成分とすることを特徴
とする半導体封止用エポキシ樹脂組成物。 【化１】 （式中のＲ1、Ｒ2は、炭素数１〜４のアルキル基の中か
ら選択される同一もしくは異なる基、ａは０〜３の整
数、ｂは０〜４の整数、ｍ、ｎは平均値で、いずれも
ｍ、ｎ＝１〜１０の正数）
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、成形性、耐半田性
に優れる半導体封止用エポキシ樹脂組成物、及びこれを
用いて半導体素子を封止してなる半導体装置に関するも
のである。
に優れる半導体封止用エポキシ樹脂組成物、及びこれを
用いて半導体素子を封止してなる半導体装置に関するも
のである。
【０００２】
【従来の技術】近年の電子機器の小型化、軽量化、高性
能化の市場動向において、半導体の高集積化が年々進
み、又半導体装置の表面実装化が促進されるなかで、半
導体封止材料への要求は益々厳しいものとなってきてい
る。特に半導体装置の表面実装化が一般的になってきて
いる現状では、吸湿した半導体装置が半田処理時に高温
にさらされ、気化した水蒸気の爆発的応力によりパッケ
ージにクラックが発生したり、あるいは半導体素子やリ
ードフレームと半導体封止材料との界面に剥離が発生す
ることにより、電気的信頼性を大きく損なう不良が生
じ、これらの不良の防止、即ち耐半田性の向上が大きな
課題となっていた。更に、近年の環境問題に対して、半
導体装置の実装に用いる半田に含まれる鉛を無くする方
向になってきており、それに伴い、半田処理の温度が上
昇することが確実視されており、耐半田特性はより厳し
くなると考えられる。
能化の市場動向において、半導体の高集積化が年々進
み、又半導体装置の表面実装化が促進されるなかで、半
導体封止材料への要求は益々厳しいものとなってきてい
る。特に半導体装置の表面実装化が一般的になってきて
いる現状では、吸湿した半導体装置が半田処理時に高温
にさらされ、気化した水蒸気の爆発的応力によりパッケ
ージにクラックが発生したり、あるいは半導体素子やリ
ードフレームと半導体封止材料との界面に剥離が発生す
ることにより、電気的信頼性を大きく損なう不良が生
じ、これらの不良の防止、即ち耐半田性の向上が大きな
課題となっていた。更に、近年の環境問題に対して、半
導体装置の実装に用いる半田に含まれる鉛を無くする方
向になってきており、それに伴い、半田処理の温度が上
昇することが確実視されており、耐半田特性はより厳し
くなると考えられる。
【０００３】この耐半田性の向上のために、半導体封止
用エポキシ樹脂組成物は無機充填材を多量に配合するこ
とにより、これを用いて得られる半導体装置の低吸湿
化、低熱膨張化、高強度化を図ってきている。このた
め、エポキシ樹脂としては低粘度型のものや、常温では
結晶性であるが融点を越えると極めて低粘性を示す結晶
性エポキシ樹脂を使用して、無機充填材の配合量の増加
に伴うエポキシ樹脂組成物の成形時の流動性の低下を防
止する手法が一般的にとられている。一方、半田処理に
よる信頼性において、エポキシ樹脂組成物の硬化物と半
導体装置内部に存在する半導体素子やリードフレーム等
の基材との界面の接着性は非常に重要となってきてい
る。この界面との接着力が弱いと半田処理後の基材との
界面で剥離が生じ、更にはこの剥離に起因するパッケー
ジクラックが発生する原因となっている。このため、無
機充填材を多量に配合しても成形時の低粘度・高流動を
実現でき、且つ接着性に優れた半導体封止用エポキシ樹
脂組成物が要求されている。
用エポキシ樹脂組成物は無機充填材を多量に配合するこ
とにより、これを用いて得られる半導体装置の低吸湿
化、低熱膨張化、高強度化を図ってきている。このた
め、エポキシ樹脂としては低粘度型のものや、常温では
結晶性であるが融点を越えると極めて低粘性を示す結晶
性エポキシ樹脂を使用して、無機充填材の配合量の増加
に伴うエポキシ樹脂組成物の成形時の流動性の低下を防
止する手法が一般的にとられている。一方、半田処理に
よる信頼性において、エポキシ樹脂組成物の硬化物と半
導体装置内部に存在する半導体素子やリードフレーム等
の基材との界面の接着性は非常に重要となってきてい
る。この界面との接着力が弱いと半田処理後の基材との
界面で剥離が生じ、更にはこの剥離に起因するパッケー
ジクラックが発生する原因となっている。このため、無
機充填材を多量に配合しても成形時の低粘度・高流動を
実現でき、且つ接着性に優れた半導体封止用エポキシ樹
脂組成物が要求されている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、成形性、吸
湿後の半田処理において耐半田クラック性に優れる半導
体封止用エポキシ樹脂組成物、及びこれを用いて半導体
素子を封止してなる半導体装置を提供するものである。
湿後の半田処理において耐半田クラック性に優れる半導
体封止用エポキシ樹脂組成物、及びこれを用いて半導体
素子を封止してなる半導体装置を提供するものである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明は、（Ａ）結晶性
エポキシ樹脂、（Ｂ）一般式（１）で示されるフェノー
ル樹脂、（Ｃ）無機充填材、及び（Ｄ）硬化促進剤を必
須成分とすることを特徴とする半導体封止用エポキシ樹
脂組成物、及びこれを用いて半導体素子を封止してなる
ことを特徴とする半導体装置である。
エポキシ樹脂、（Ｂ）一般式（１）で示されるフェノー
ル樹脂、（Ｃ）無機充填材、及び（Ｄ）硬化促進剤を必
須成分とすることを特徴とする半導体封止用エポキシ樹
脂組成物、及びこれを用いて半導体素子を封止してなる
ことを特徴とする半導体装置である。
【化６】 （式中のＲ1、Ｒ2は、炭素数１〜４のアルキル基の中か
ら選択される同一もしくは異なる基、ａは０〜３の整
数、ｂは０〜４の整数、ｍ、ｎは平均値で、いずれも
ｍ、ｎ＝１〜１０の正数）
ら選択される同一もしくは異なる基、ａは０〜３の整
数、ｂは０〜４の整数、ｍ、ｎは平均値で、いずれも
ｍ、ｎ＝１〜１０の正数）
【０００６】
【発明の実施の形態】本発明に用いる結晶性エポキシ樹
脂としては種々の樹脂があるが、これらの内では融点１
５０℃未満のものが好ましい。１５０℃を越えると、溶
融混練時に十分に融解せず均一分散できないので、この
溶融混合物を用いた樹脂組成物の成形品は不均一とな
り、強度が各部分によって異なるために半導体装置の性
能が低下するので好ましくない。これらの条件を満たす
結晶性エポキシ樹脂としては、例えば、一般式（２）の
ビフェニル型エポキシ樹脂、一般式（３）のビスフェノ
ール型エポキシ樹脂、一般式（４）のスチルベン型エポ
キシ樹脂等が挙げられる。
脂としては種々の樹脂があるが、これらの内では融点１
５０℃未満のものが好ましい。１５０℃を越えると、溶
融混練時に十分に融解せず均一分散できないので、この
溶融混合物を用いた樹脂組成物の成形品は不均一とな
り、強度が各部分によって異なるために半導体装置の性
能が低下するので好ましくない。これらの条件を満たす
結晶性エポキシ樹脂としては、例えば、一般式（２）の
ビフェニル型エポキシ樹脂、一般式（３）のビスフェノ
ール型エポキシ樹脂、一般式（４）のスチルベン型エポ
キシ樹脂等が挙げられる。
【化７】 （式中のＲ3は炭素数１〜６のアルキル基、ハロゲンの
中から選択される原子又は基を表し、それらは同一もし
くは異なっていてもよい。ｍは０〜４の整数）
中から選択される原子又は基を表し、それらは同一もし
くは異なっていてもよい。ｍは０〜４の整数）
【０００７】
【化８】
【０００８】
【化９】 （式中のＲ6は水素原子、炭素数１〜６のアルキル基、
ハロゲンの中から選択される原子又は基を表し、それら
は同一もしくは異なっていてもよい。Ｒ7は炭素数１〜
６のアルキル基、ハロゲンの中から選択される原子又は
基を表し、それらは同一もしくは異なっていてもよい。
ｍは０〜４の整数）
ハロゲンの中から選択される原子又は基を表し、それら
は同一もしくは異なっていてもよい。Ｒ7は炭素数１〜
６のアルキル基、ハロゲンの中から選択される原子又は
基を表し、それらは同一もしくは異なっていてもよい。
ｍは０〜４の整数）
【０００９】一般式（２）のビフェニル型エポキシ樹脂
としては、例えば、４，４’−ジヒドロキシビフェニ
ル、４，４’−ジヒドロキシ−３，３’，５，５’−テ
トラメチルビフェニル、４，４’−ジヒドロキシ−３，
３’−ジターシャリブチル−６，６’−ジメチルビフェ
ニル、２，２’−ジヒドロキシ−３，３’−ジターシャ
リブチル−６，６’−ジメチルビフェニル、４，４’−
ジヒドロキシ−３，３’−ジターシャリブチル−５，
５’−ジメチルビフェニル、又は４，４’−ジヒドロキ
シ−３，３’，５，５’−テトラターシャリブチルビフ
ェニル等（置換位置の異なる異性体を含む）のグリシジ
ルエーテル化物が挙げられる。
としては、例えば、４，４’−ジヒドロキシビフェニ
ル、４，４’−ジヒドロキシ−３，３’，５，５’−テ
トラメチルビフェニル、４，４’−ジヒドロキシ−３，
３’−ジターシャリブチル−６，６’−ジメチルビフェ
ニル、２，２’−ジヒドロキシ−３，３’−ジターシャ
リブチル−６，６’−ジメチルビフェニル、４，４’−
ジヒドロキシ−３，３’−ジターシャリブチル−５，
５’−ジメチルビフェニル、又は４，４’−ジヒドロキ
シ−３，３’，５，５’−テトラターシャリブチルビフ
ェニル等（置換位置の異なる異性体を含む）のグリシジ
ルエーテル化物が挙げられる。
【００１０】一般式（３）のビスフェノール型エポキシ
樹脂としては、例えば、ビス（４−ヒドロキシフェニ
ル）メタン、ビス（３−メチル−４−ヒドロキシフェニ
ル）メタン、ビス（３，５−ジメチル−４−ヒドロキシ
フェニル）メタン、ビス（２，３，５−トリメチル−４
−ヒドロキシフェニル）メタン、１，１−ビス（３’，
５’−ジメチル−４’−ヒドロキシフェニル）エタン、
２，２−ビス（４’−ヒドロキシフェニル）プロパン、
２，２−ビス（３’−メチル−４’−ヒドロキシフェニ
ル）プロパン、２，２−ビス（３’，５’−ジメチル−
４’−ヒドロキシフェニル）プロパン、２，２−ビス
（３’−ターシャリブチル−４’−ヒドロキシフェニ
ル）プロパン、又はビス（２−ターシャリブチル−５−
メチル−４−ヒドロキシフェニル）スルフィド等のグリ
シジルエーテル化物が挙げられる。
樹脂としては、例えば、ビス（４−ヒドロキシフェニ
ル）メタン、ビス（３−メチル−４−ヒドロキシフェニ
ル）メタン、ビス（３，５−ジメチル−４−ヒドロキシ
フェニル）メタン、ビス（２，３，５−トリメチル−４
−ヒドロキシフェニル）メタン、１，１−ビス（３’，
５’−ジメチル−４’−ヒドロキシフェニル）エタン、
２，２−ビス（４’−ヒドロキシフェニル）プロパン、
２，２−ビス（３’−メチル−４’−ヒドロキシフェニ
ル）プロパン、２，２−ビス（３’，５’−ジメチル−
４’−ヒドロキシフェニル）プロパン、２，２−ビス
（３’−ターシャリブチル−４’−ヒドロキシフェニ
ル）プロパン、又はビス（２−ターシャリブチル−５−
メチル−４−ヒドロキシフェニル）スルフィド等のグリ
シジルエーテル化物が挙げられる。
【００１１】一般式（４）のスチルベン型エポキシ樹脂
としては、例えば、３−ターシャリブチル−４，４’−
ジヒドロキシ−５，３’−ジメチルスチルベン、３−タ
ーシャリブチル−４，４’−ジヒドロキシ−３’，６−
ジメチルスチルベン、３−ターシャリブチル−２，４’
−ジヒドロキシ−３’，５’，６−トリメチルスチルベ
ン、３−ターシャリブチル−４，４’−ジヒドロキシ−
３’，５’，６−トリメチルスチルベン、３−ターシャ
リブチル−４，４’−ジヒドロキシ−３’，５，５’−
トリメチルスチルベン、４，４’−ジヒドロキシ−３，
３’−ジメチルスチルベン、４，４’−ジヒドロキシ−
３，３’，５，５’−テトラメチルスチルベン、４，
４’−ジヒドロキシ−３，３’−ジターシャリブチルス
チルベン、４，４’−ジヒドロキシ−３，３’−ジター
シャリブチル−６，６’−ジメチルスチルベン、２，
２’−ジヒドロキシ−３，３’−ジターシャリブチル−
６，６’−ジメチルスチルベン、２，４’−ジヒドロキ
シ−３，３’−ジターシャリブチル−６，６’−ジメチ
ルスチルベン、２，２’−ジヒドロキシ−３，３’，
５，５’−テトラメチルスチルベン、４，４’−ジヒド
ロキシ−３，３’−ジターシャリブチル−５，５’−ジ
メチルスチルベン、又は４，４’−ジヒドロキシ−３，
３’，５，５’−テトラターシャリブチルスチルベン等
（置換位置の異なる異性体を含む）のグリシジルエーテ
ル化物が挙げられる。
としては、例えば、３−ターシャリブチル−４，４’−
ジヒドロキシ−５，３’−ジメチルスチルベン、３−タ
ーシャリブチル−４，４’−ジヒドロキシ−３’，６−
ジメチルスチルベン、３−ターシャリブチル−２，４’
−ジヒドロキシ−３’，５’，６−トリメチルスチルベ
ン、３−ターシャリブチル−４，４’−ジヒドロキシ−
３’，５’，６−トリメチルスチルベン、３−ターシャ
リブチル−４，４’−ジヒドロキシ−３’，５，５’−
トリメチルスチルベン、４，４’−ジヒドロキシ−３，
３’−ジメチルスチルベン、４，４’−ジヒドロキシ−
３，３’，５，５’−テトラメチルスチルベン、４，
４’−ジヒドロキシ−３，３’−ジターシャリブチルス
チルベン、４，４’−ジヒドロキシ−３，３’−ジター
シャリブチル−６，６’−ジメチルスチルベン、２，
２’−ジヒドロキシ−３，３’−ジターシャリブチル−
６，６’−ジメチルスチルベン、２，４’−ジヒドロキ
シ−３，３’−ジターシャリブチル−６，６’−ジメチ
ルスチルベン、２，２’−ジヒドロキシ−３，３’，
５，５’−テトラメチルスチルベン、４，４’−ジヒド
ロキシ−３，３’−ジターシャリブチル−５，５’−ジ
メチルスチルベン、又は４，４’−ジヒドロキシ−３，
３’，５，５’−テトラターシャリブチルスチルベン等
（置換位置の異なる異性体を含む）のグリシジルエーテ
ル化物が挙げられる。
【００１２】これらの内では、入手のし易さ、性能、原
料価格等の点から、４，４’−ジヒドロキシビフェニ
ル、４，４’−ジヒドロキシ−３，３’，５，５’−テ
トラメチルビフェニル、ビス（３，５−ジメチル−４−
ヒドロキシフェニル）メタン、ビス（２，３，５−トリ
メチル−４−ヒドロキシフェニル）メタン、２，２−ビ
ス（３’−メチル−４’−ヒドロキシフェニル）プロパ
ン、２，２−ビス（３’，５’−ジメチル−４’−ヒド
ロキシフェニル）プロパン、ビス（２−ターシャリブチ
ル−５−メチル−４−ヒドロキシフェニル）スルフィド
のグリシジルエーテル化物（以上７種のエポキシ樹脂
を、以下ａ群という）、３−ターシャリブチル−２，
４’−ジヒドロキシ−３’，５’，６−トリメチルスチ
ルベン、３−ターシャリブチル−４，４’−ジヒドロキ
シ−３’，５’，６−トリメチルスチルベン、３−ター
シャリブチル−４，４’−ジヒドロキシ−３’，５，
５’−トリメチルスチルベンのグリシジルエーテル化物
（以上３種のエポキシ樹脂を、以下ｂ群という）、４，
４’−ジヒドロキシ−３，３’，５，５’−テトラメチ
ルスチルベン、４，４’−ジヒドロキシ−３，３’−ジ
ターシャリブチル−６，６’−ジメチルスチルベン、
２，２’−ジヒドロキシ−３，３’−ジターシャリブチ
ル−６，６’−ジメチルスチルベン、２，４’−ジヒド
ロキシ−３，３’−ジターシャリブチル−６，６’−ジ
メチルスチルベン、２，２’−ジヒドロキシ−３，
３’，５，５’−テトラメチルスチルベン、又は４，
４’−ジヒドロキシ−３，３’−ジターシャリブチル−
５，５’−ジメチルスチルベンのグリシジルエーテル化
物（以上６種のエポキシ樹脂を、以下ｃ群という）から
選択される１種以上が好ましい。
料価格等の点から、４，４’−ジヒドロキシビフェニ
ル、４，４’−ジヒドロキシ−３，３’，５，５’−テ
トラメチルビフェニル、ビス（３，５−ジメチル−４−
ヒドロキシフェニル）メタン、ビス（２，３，５−トリ
メチル−４−ヒドロキシフェニル）メタン、２，２−ビ
ス（３’−メチル−４’−ヒドロキシフェニル）プロパ
ン、２，２−ビス（３’，５’−ジメチル−４’−ヒド
ロキシフェニル）プロパン、ビス（２−ターシャリブチ
ル−５−メチル−４−ヒドロキシフェニル）スルフィド
のグリシジルエーテル化物（以上７種のエポキシ樹脂
を、以下ａ群という）、３−ターシャリブチル−２，
４’−ジヒドロキシ−３’，５’，６−トリメチルスチ
ルベン、３−ターシャリブチル−４，４’−ジヒドロキ
シ−３’，５’，６−トリメチルスチルベン、３−ター
シャリブチル−４，４’−ジヒドロキシ−３’，５，
５’−トリメチルスチルベンのグリシジルエーテル化物
（以上３種のエポキシ樹脂を、以下ｂ群という）、４，
４’−ジヒドロキシ−３，３’，５，５’−テトラメチ
ルスチルベン、４，４’−ジヒドロキシ−３，３’−ジ
ターシャリブチル−６，６’−ジメチルスチルベン、
２，２’−ジヒドロキシ−３，３’−ジターシャリブチ
ル−６，６’−ジメチルスチルベン、２，４’−ジヒド
ロキシ−３，３’−ジターシャリブチル−６，６’−ジ
メチルスチルベン、２，２’−ジヒドロキシ−３，
３’，５，５’−テトラメチルスチルベン、又は４，
４’−ジヒドロキシ−３，３’−ジターシャリブチル−
５，５’−ジメチルスチルベンのグリシジルエーテル化
物（以上６種のエポキシ樹脂を、以下ｃ群という）から
選択される１種以上が好ましい。
【００１３】ａ群の内、ビフェニル型エポキシ樹脂で
は、低粘度化効果が大きく、且つ反応性に富む４，４’
−ジヒドロキシビフェニルの骨格が含まれているものが
特に好ましく、４，４’−ジヒドロキシビフェニルのグ
リシジルエーテル化物が最も好ましい。その他のａ群で
は、ビス（３，５−ジメチル−４−ヒドロキシフェニ
ル）メタン、２，２−ビス（３’，５’−ジメチル−
４’−ヒドロキシフェニル）プロパン、ビス（２−ター
シャリブチル−５−メチル−４−ヒドロキシフェニル）
スルフィドのグリシジルエーテル化物が特に好ましい。
又、スチルベン型エポキシ樹脂では、ｂ群から選ばれる
１種以上と、ｃ群から選ばれる１種以上との混合物が、
融点が低くなるため好ましい。これらの混合比、混合方
法等は特に限定しない。例えば、スチルベン型エポキシ
樹脂の原料であるスチルベン型フェノール類をグリシジ
ルエーテル化する前に混合しておいたり、両方のスチル
ベン型エポキシ樹脂を溶融混合する方法等がある。又、
耐湿信頼性向上のために、本発明に使用される結晶性エ
ポキシ樹脂中に含まれる塩素イオン、ナトリウムイオ
ン、その他フリーのイオンは、極力少ないことが望まし
い。又、本発明の結晶性エポキシ樹脂の特性を損なわな
い範囲で、他のエポキシ樹脂と併用しても良い。併用可
能なエポキシ樹脂としては、エポキシ基を有するモノマ
ー、オリゴマー、ポリマー全般を指し、例えば、クレゾ
ールノボラック型エポキシ樹脂、ビスフェノールＡ型エ
ポキシ樹脂、ナフトール型エポキシ樹脂、トリフェノー
ルメタン型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン変性フ
ェノール型エポキシ樹脂等が挙げられ、これらは単独で
も混合して用いても良い。
は、低粘度化効果が大きく、且つ反応性に富む４，４’
−ジヒドロキシビフェニルの骨格が含まれているものが
特に好ましく、４，４’−ジヒドロキシビフェニルのグ
リシジルエーテル化物が最も好ましい。その他のａ群で
は、ビス（３，５−ジメチル−４−ヒドロキシフェニ
ル）メタン、２，２−ビス（３’，５’−ジメチル−
４’−ヒドロキシフェニル）プロパン、ビス（２−ター
シャリブチル−５−メチル−４−ヒドロキシフェニル）
スルフィドのグリシジルエーテル化物が特に好ましい。
又、スチルベン型エポキシ樹脂では、ｂ群から選ばれる
１種以上と、ｃ群から選ばれる１種以上との混合物が、
融点が低くなるため好ましい。これらの混合比、混合方
法等は特に限定しない。例えば、スチルベン型エポキシ
樹脂の原料であるスチルベン型フェノール類をグリシジ
ルエーテル化する前に混合しておいたり、両方のスチル
ベン型エポキシ樹脂を溶融混合する方法等がある。又、
耐湿信頼性向上のために、本発明に使用される結晶性エ
ポキシ樹脂中に含まれる塩素イオン、ナトリウムイオ
ン、その他フリーのイオンは、極力少ないことが望まし
い。又、本発明の結晶性エポキシ樹脂の特性を損なわな
い範囲で、他のエポキシ樹脂と併用しても良い。併用可
能なエポキシ樹脂としては、エポキシ基を有するモノマ
ー、オリゴマー、ポリマー全般を指し、例えば、クレゾ
ールノボラック型エポキシ樹脂、ビスフェノールＡ型エ
ポキシ樹脂、ナフトール型エポキシ樹脂、トリフェノー
ルメタン型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン変性フ
ェノール型エポキシ樹脂等が挙げられ、これらは単独で
も混合して用いても良い。
【００１４】本発明に用いられる一般式（１）で示され
るフェノール樹脂は、例えばビス（メトキシメチル）ビ
フェニル及びビス（メトキシメチル）ベンゼンとフェノ
ール類をフリーデル・クラフツ・アルキル化反応により
重合させて得られる。一般式（１）で示されるフェノー
ル樹脂を用いた樹脂組成物の硬化物は、ガラス転移温度
を越えた高温域での弾性率が低く、低吸湿性であるため
表面実装の半田付け時における熱ストレスを低減させる
ことができ耐半田クラック性、半田処理後の基材との密
着性に優れた特徴を有している。この樹脂は、一般式
（６）のジフェニレン骨格のみを含むフェノールアラル
キル樹脂に比べ、樹脂組成物の硬化性が向上し成形性に
優れている。又、一般式（７）のフェニレン骨格のみを
含むフェノールアラルキル樹脂に比べ、樹脂組成物の硬
化物は低吸湿性、熱時低弾性の特徴を有し、接着強度、
耐湿信頼性に優れている。又、一般式（６）のジフェニ
レン骨格を含むフェノールアラルキル樹脂と一般式
（７）のフェニレン骨格を含むフェノールアラルキル樹
脂を単に混合した場合は、硬化性の高い一般式（７）の
フェノールアラルキル樹脂が硬化網目構造を先に形成
し、硬化性の低い一般式（６）のフェノールアラルキル
樹脂が硬化時に取り残されるため、成形品表面と金型と
の界面に一般式（６）のフェノールアラルキル樹脂がブ
リードし、金型や成形品表面に汚れを発生したり、硬化
網目構造が不均一なため曲げ強度等の機械的特性が低下
する。これに対し１分子中にジフェニレン構造とフェニ
レン構造の両者を有する一般式（１）で示されるフェノ
ール樹脂は、両方の樹脂の特徴をバランス良く有してお
り、均一な硬化挙動と均一な硬化物構造を形成する。
るフェノール樹脂は、例えばビス（メトキシメチル）ビ
フェニル及びビス（メトキシメチル）ベンゼンとフェノ
ール類をフリーデル・クラフツ・アルキル化反応により
重合させて得られる。一般式（１）で示されるフェノー
ル樹脂を用いた樹脂組成物の硬化物は、ガラス転移温度
を越えた高温域での弾性率が低く、低吸湿性であるため
表面実装の半田付け時における熱ストレスを低減させる
ことができ耐半田クラック性、半田処理後の基材との密
着性に優れた特徴を有している。この樹脂は、一般式
（６）のジフェニレン骨格のみを含むフェノールアラル
キル樹脂に比べ、樹脂組成物の硬化性が向上し成形性に
優れている。又、一般式（７）のフェニレン骨格のみを
含むフェノールアラルキル樹脂に比べ、樹脂組成物の硬
化物は低吸湿性、熱時低弾性の特徴を有し、接着強度、
耐湿信頼性に優れている。又、一般式（６）のジフェニ
レン骨格を含むフェノールアラルキル樹脂と一般式
（７）のフェニレン骨格を含むフェノールアラルキル樹
脂を単に混合した場合は、硬化性の高い一般式（７）の
フェノールアラルキル樹脂が硬化網目構造を先に形成
し、硬化性の低い一般式（６）のフェノールアラルキル
樹脂が硬化時に取り残されるため、成形品表面と金型と
の界面に一般式（６）のフェノールアラルキル樹脂がブ
リードし、金型や成形品表面に汚れを発生したり、硬化
網目構造が不均一なため曲げ強度等の機械的特性が低下
する。これに対し１分子中にジフェニレン構造とフェニ
レン構造の両者を有する一般式（１）で示されるフェノ
ール樹脂は、両方の樹脂の特徴をバランス良く有してお
り、均一な硬化挙動と均一な硬化物構造を形成する。
【００１５】
【化１０】
【００１６】
【化１１】 一般式（１）中のＲ1、Ｒ2は、炭素数１〜４のアルキル
基の中から選択される同一もしくは異なる基、ａは０〜
３の整数、ｂは０〜４の整数、ｍ、ｎは平均値で、いず
れもｍ、ｎ＝１〜１０の正数である。いずれかが１０を
越えると流動性が劣り好ましくない。より好ましいｍ、
ｎは１〜５である。ｍとｎの合計に対するｍの割合は、
０．１〜０．９が好ましい。０．１未満だと高温時の弾
性率の低下が小さくなり、硬化性が悪く、０．９を越え
ると硬化性が悪くなる傾向にある。更に、一般式（１）
の内では、硬化性、流動性、高温時の弾性率等のバラン
スから式（５）で示される樹脂が好ましい。
基の中から選択される同一もしくは異なる基、ａは０〜
３の整数、ｂは０〜４の整数、ｍ、ｎは平均値で、いず
れもｍ、ｎ＝１〜１０の正数である。いずれかが１０を
越えると流動性が劣り好ましくない。より好ましいｍ、
ｎは１〜５である。ｍとｎの合計に対するｍの割合は、
０．１〜０．９が好ましい。０．１未満だと高温時の弾
性率の低下が小さくなり、硬化性が悪く、０．９を越え
ると硬化性が悪くなる傾向にある。更に、一般式（１）
の内では、硬化性、流動性、高温時の弾性率等のバラン
スから式（５）で示される樹脂が好ましい。
【００１７】
【化１２】 一般式（１）で示されるフェノール樹脂の１５０℃での
溶融粘度としては、０．１〜１．５ポイズが好ましい。
１．５ポイズを越えると、溶融時の流動性が低下するこ
とによる。本発明のフェノール樹脂の１５０℃での溶融
粘度は、ＩＣＩ粘度計（コーン＆プレート型）を用いて
測定したものである。一般式（１）で示されるフェノー
ル樹脂は、その特性が損なわれない範囲で他のフェノー
ル樹脂と併用してもかまわないが、このフェノール樹脂
の配合量を調節することにより、耐半田クラック性を最
大限に引き出すことができる。耐半田クラック性の効果
を引き出すためには、一般式（１）で示されるフェノー
ル樹脂を総フェノール樹脂量に対して３０重量％以上、
好ましくは５０重量％以上の使用が望ましい。３０重量
％未満だと高温時の低弾性化及び接着性が十分に得られ
ず、耐半田クラック性が不十分となるおそれがある。併
用するフェノール樹脂としては、分子内にフェノール性
水酸基を有するモノマー、オリゴマー、ポリマー全般を
指し、例えば、フェノールノボラック樹脂、クレゾール
ノボラック樹脂、テルペン変性フェノール樹脂、ジシク
ロペンタジエン変性フェノール樹脂、トリフェノールメ
タン型樹脂等が挙げられる。又、これらのフェノール樹
脂は、単独もしくは混合して用いても差し支えない。全
エポキシ樹脂のエポキシ基と全フェノール樹脂のフェノ
ール性水酸基との当量比としては、好ましくは０．５〜
２．０、特に好ましくは０．７〜１．５である。０．５
〜２．０の範囲を外れると、硬化性、耐湿信頼性等が低
下するので好ましくない。
溶融粘度としては、０．１〜１．５ポイズが好ましい。
１．５ポイズを越えると、溶融時の流動性が低下するこ
とによる。本発明のフェノール樹脂の１５０℃での溶融
粘度は、ＩＣＩ粘度計（コーン＆プレート型）を用いて
測定したものである。一般式（１）で示されるフェノー
ル樹脂は、その特性が損なわれない範囲で他のフェノー
ル樹脂と併用してもかまわないが、このフェノール樹脂
の配合量を調節することにより、耐半田クラック性を最
大限に引き出すことができる。耐半田クラック性の効果
を引き出すためには、一般式（１）で示されるフェノー
ル樹脂を総フェノール樹脂量に対して３０重量％以上、
好ましくは５０重量％以上の使用が望ましい。３０重量
％未満だと高温時の低弾性化及び接着性が十分に得られ
ず、耐半田クラック性が不十分となるおそれがある。併
用するフェノール樹脂としては、分子内にフェノール性
水酸基を有するモノマー、オリゴマー、ポリマー全般を
指し、例えば、フェノールノボラック樹脂、クレゾール
ノボラック樹脂、テルペン変性フェノール樹脂、ジシク
ロペンタジエン変性フェノール樹脂、トリフェノールメ
タン型樹脂等が挙げられる。又、これらのフェノール樹
脂は、単独もしくは混合して用いても差し支えない。全
エポキシ樹脂のエポキシ基と全フェノール樹脂のフェノ
ール性水酸基との当量比としては、好ましくは０．５〜
２．０、特に好ましくは０．７〜１．５である。０．５
〜２．０の範囲を外れると、硬化性、耐湿信頼性等が低
下するので好ましくない。
【００１８】本発明で用いられる無機充填材の種類につ
いては特に制限はなく、一般に封止材料に用いられてい
るものを使用することができる。例えば、溶融破砕シリ
カ、溶融球状シリカ、結晶シリカ、２次凝集シリカ、ア
ルミナ、チタンホワイト、水酸化アルミニウム、タル
ク、クレー、ガラス繊維等が挙げられ、特に溶融球状シ
リカが好ましい。形状は限りなく真球状であることが好
ましく、又、粒子の大きさの異なるものを混合すること
により充填量を多くすることができる。この無機充填材
の配合量としては、全樹脂組成物中に７５〜９４重量％
が好ましい。７５重量％未満だと、無機充填材による補
強効果が十分に発現せず、且つ吸湿要因である樹脂成分
の配合量が多くなるので、樹脂組成物の硬化物の吸湿量
が増大してしまうため、半田処理時に半導体装置にクラ
ックが発生しやすくなるため好ましくない。９４重量％
を越えると、樹脂組成物の流動性が低下し、成形時に充
填不良やチップシフト、パッドシフト、ワイヤースイー
プが発生しやすくなるため好ましくない。本発明の無機
充填材は、必要に応じて無機充填材をカップリング剤や
エポキシ樹脂或いはフェノール樹脂で予め処理して用い
ても良く、処理の方法としては、溶剤を用いて混合した
後に溶媒を除去する方法や、直接無機充填材に添加し混
合機を用いて処理する方法等がある。
いては特に制限はなく、一般に封止材料に用いられてい
るものを使用することができる。例えば、溶融破砕シリ
カ、溶融球状シリカ、結晶シリカ、２次凝集シリカ、ア
ルミナ、チタンホワイト、水酸化アルミニウム、タル
ク、クレー、ガラス繊維等が挙げられ、特に溶融球状シ
リカが好ましい。形状は限りなく真球状であることが好
ましく、又、粒子の大きさの異なるものを混合すること
により充填量を多くすることができる。この無機充填材
の配合量としては、全樹脂組成物中に７５〜９４重量％
が好ましい。７５重量％未満だと、無機充填材による補
強効果が十分に発現せず、且つ吸湿要因である樹脂成分
の配合量が多くなるので、樹脂組成物の硬化物の吸湿量
が増大してしまうため、半田処理時に半導体装置にクラ
ックが発生しやすくなるため好ましくない。９４重量％
を越えると、樹脂組成物の流動性が低下し、成形時に充
填不良やチップシフト、パッドシフト、ワイヤースイー
プが発生しやすくなるため好ましくない。本発明の無機
充填材は、必要に応じて無機充填材をカップリング剤や
エポキシ樹脂或いはフェノール樹脂で予め処理して用い
ても良く、処理の方法としては、溶剤を用いて混合した
後に溶媒を除去する方法や、直接無機充填材に添加し混
合機を用いて処理する方法等がある。
【００１９】本発明で用いられる硬化促進剤としては、
前記エポキシ樹脂とフェノール樹脂との架橋反応を促進
するものであれば良く、例えば、１，８−ジアザビシク
ロ（５，４，０）ウンデセン−７等のアミン系化合物、
トリフェニルホスフィン、テトラフェニルホスフォニウ
ム・テトラフェニルボレート塩等の有機リン系化合物、
２−メチルイミダゾール等のイミダゾール化合物等が挙
げられるが、これらに限定されるものではない。これら
の硬化促進剤は単独でも混合して用いても差し支えな
い。
前記エポキシ樹脂とフェノール樹脂との架橋反応を促進
するものであれば良く、例えば、１，８−ジアザビシク
ロ（５，４，０）ウンデセン−７等のアミン系化合物、
トリフェニルホスフィン、テトラフェニルホスフォニウ
ム・テトラフェニルボレート塩等の有機リン系化合物、
２−メチルイミダゾール等のイミダゾール化合物等が挙
げられるが、これらに限定されるものではない。これら
の硬化促進剤は単独でも混合して用いても差し支えな
い。
【００２０】本発明の樹脂組成物は、（Ａ）〜（Ｄ）成
分の他、必要に応じて臭素化エポキシ樹脂、酸化アンチ
モン、リン化合物等の難燃剤、酸化ビスマス水和物等の
無機イオン交換体、γ-グリシドキシプロピルトリメト
キシシラン等のカップリング剤、カーボンブラック、ベ
ンガラ等の着色剤、シリコーンオイル、シリコーンゴム
等の低応力化剤、天然ワックス、合成ワックス、高級脂
肪酸及びその金属塩類もしくはパラフィン等の離型剤、
酸化防止剤等の各種添加剤を配合することができる。本
発明の樹脂組成物は、（Ａ）〜（Ｄ）成分、及びその他
の添加剤等をミキサーを用いて混合後、熱ロール、加熱
ニーダー、押出機等の混練機で溶融混練し、冷却後粉砕
して得られる。本発明の樹脂組成物を用いて、半導体素
子等の電子部品を封止し、半導体装置を製造するには、
トランスファーモールド、コンプレッションモールド、
インジェクションモールド等の成形方法で硬化成形すれ
ばよい。
分の他、必要に応じて臭素化エポキシ樹脂、酸化アンチ
モン、リン化合物等の難燃剤、酸化ビスマス水和物等の
無機イオン交換体、γ-グリシドキシプロピルトリメト
キシシラン等のカップリング剤、カーボンブラック、ベ
ンガラ等の着色剤、シリコーンオイル、シリコーンゴム
等の低応力化剤、天然ワックス、合成ワックス、高級脂
肪酸及びその金属塩類もしくはパラフィン等の離型剤、
酸化防止剤等の各種添加剤を配合することができる。本
発明の樹脂組成物は、（Ａ）〜（Ｄ）成分、及びその他
の添加剤等をミキサーを用いて混合後、熱ロール、加熱
ニーダー、押出機等の混練機で溶融混練し、冷却後粉砕
して得られる。本発明の樹脂組成物を用いて、半導体素
子等の電子部品を封止し、半導体装置を製造するには、
トランスファーモールド、コンプレッションモールド、
インジェクションモールド等の成形方法で硬化成形すれ
ばよい。
【００２１】
【実施例】以下、本発明を実施例で具体的に説明する
が、本発明はこれらに限定されるものではない。配合割
合は重量部とする。 実施例１ 式（８）の構造を主成分とするビフェニル型エポキシ樹脂（融点１０５℃、エ ポキシ当量１９１ｇ／ｅｑ．、以下ＢＥＰ−１という） ５．６重量部
が、本発明はこれらに限定されるものではない。配合割
合は重量部とする。 実施例１ 式（８）の構造を主成分とするビフェニル型エポキシ樹脂（融点１０５℃、エ ポキシ当量１９１ｇ／ｅｑ．、以下ＢＥＰ−１という） ５．６重量部
【式１３】
【００２２】 式（５）で示されるフェノール樹脂（ｍとｎの合計に対するｍの割合＝０．４ ９、ｍ／ｎ＝０．９６、軟化点６６℃、溶融粘度０．９ポイズ、水酸基当量１８ ９ｇ／ｅｑ．、以下ＰＮ−１という） ５．５重量部 溶融球状シリカ（平均粒径２０μｍ） ８５．０重量部 １，８−ジアザビシクロ（５，４，０）ウンデセン−７（以下、ＤＢＵという ） ０．２重量部 臭素化ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂（エポキシ当量３５９ｇ／ｅｑ．） １．０重量部 三酸化アンチモン ０．５重量部 酸化ビスマス水和物 １．０重量部 γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン ０．５重量部 カーボンブラック ０．２重量部 カルナバワックス ０．５重量部 をミキサーを用いて常温で混合した後、表面温度が９０
℃と４５℃の２本ロールを用いて３０回混練し、冷却後
粉砕して、樹脂組成物を得た。得られた樹脂組成物を以
下の方法で評価した。結果を表２に示す。
℃と４５℃の２本ロールを用いて３０回混練し、冷却後
粉砕して、樹脂組成物を得た。得られた樹脂組成物を以
下の方法で評価した。結果を表２に示す。
【００２３】評価方法 スパイラルフロー：ＥＭＭＩ−１−６６に準じたスパイ
ラルフロー測定用の金型を用いて、金型温度１７５℃、
注入圧力７０ｋｇ／ｃｍ2、硬化時間２分で測定した。
単位はｃｍ。 バコール硬度：トランスファー成形機を用いて、金型温
度１７５℃、注入圧力７５ｋｇ／ｃｍ2、硬化時間２分
で１６ｐＳＯＰを成形した。金型が開いて１０秒後の成
形品の表面硬度をバコール硬度計＃９３５を用いて測定
した。 吸湿率：トランスファー成形機を用いて、金型温度１７
５℃、注入圧力７５ｋｇ／ｃｍ2、硬化時間２分で直径
５０ｍｍ、厚さ３ｍｍの成形品を成形し、１７５℃、８
時間で後硬化し、得られた成形品を８５℃、相対湿度８
５％の環境下で１６８時間放置し、重量変化を測定して
吸湿率を求めた。単位は重量％。 熱時強度：熱時曲げ強度、及び熱時曲げ弾性率をＪＩＳ
Ｋ ６９１１に準じて（２４０℃で）測定した。単位
はいずれもＮ／ｍｍ2。 熱時密着性：トランスファー成形機を用いて１７５℃、
注入圧力７５ｋｇ／ｃｍ2、硬化時間２分で、せん断接
着力測定用の成形品（円錐状。上面の直径９ｍｍ、下面
の直径１１ｍｍ、高さ５ｍｍ、円錐の下面は銅基板と一
体化）を成形し、更に１７５℃、８時間で後硬化した。
引張り試験機を用いて、基材を固定し、２４０℃で成形
品の部位に横から加重をかけ、引き剥がすまでにかかっ
た荷重を測定した。せん断接着力の単位はＮ／ｍｍ2。 耐半田クラック性：トランスファー成形機を用いて、金
型温度１７５℃、注入圧力７５ｋｇ／ｃｍ2、硬化時間
２分で１００ｐＴＱＦＰ（パッケージサイズは１４×１
４ｍｍ、厚み１．４ｍｍ、半導体素子のサイズは８．０
×８．０ｍｍ、リードフレームは４２アロイ製）を成形
し、１７５℃、８時間で後硬化し、得られたパッケージ
を８５℃、相対湿度８５％で１６８時間放置し、その後
２４０℃の半田槽に１０秒間浸漬した。顕微鏡でパッケ
ージを観察し、外部クラック発生率［（クラック発生パ
ッケージ数）／（全パッケージ数）×１００］を算出し
た。単位は％。又、半導体素子と樹脂組成物の硬化物の
剥離面積の割合を超音波探傷装置を用いて測定し、剥離
率［（剥離面積）／（半導体素子面積）×１００］を求
めた。単位は％。
ラルフロー測定用の金型を用いて、金型温度１７５℃、
注入圧力７０ｋｇ／ｃｍ2、硬化時間２分で測定した。
単位はｃｍ。 バコール硬度：トランスファー成形機を用いて、金型温
度１７５℃、注入圧力７５ｋｇ／ｃｍ2、硬化時間２分
で１６ｐＳＯＰを成形した。金型が開いて１０秒後の成
形品の表面硬度をバコール硬度計＃９３５を用いて測定
した。 吸湿率：トランスファー成形機を用いて、金型温度１７
５℃、注入圧力７５ｋｇ／ｃｍ2、硬化時間２分で直径
５０ｍｍ、厚さ３ｍｍの成形品を成形し、１７５℃、８
時間で後硬化し、得られた成形品を８５℃、相対湿度８
５％の環境下で１６８時間放置し、重量変化を測定して
吸湿率を求めた。単位は重量％。 熱時強度：熱時曲げ強度、及び熱時曲げ弾性率をＪＩＳ
Ｋ ６９１１に準じて（２４０℃で）測定した。単位
はいずれもＮ／ｍｍ2。 熱時密着性：トランスファー成形機を用いて１７５℃、
注入圧力７５ｋｇ／ｃｍ2、硬化時間２分で、せん断接
着力測定用の成形品（円錐状。上面の直径９ｍｍ、下面
の直径１１ｍｍ、高さ５ｍｍ、円錐の下面は銅基板と一
体化）を成形し、更に１７５℃、８時間で後硬化した。
引張り試験機を用いて、基材を固定し、２４０℃で成形
品の部位に横から加重をかけ、引き剥がすまでにかかっ
た荷重を測定した。せん断接着力の単位はＮ／ｍｍ2。 耐半田クラック性：トランスファー成形機を用いて、金
型温度１７５℃、注入圧力７５ｋｇ／ｃｍ2、硬化時間
２分で１００ｐＴＱＦＰ（パッケージサイズは１４×１
４ｍｍ、厚み１．４ｍｍ、半導体素子のサイズは８．０
×８．０ｍｍ、リードフレームは４２アロイ製）を成形
し、１７５℃、８時間で後硬化し、得られたパッケージ
を８５℃、相対湿度８５％で１６８時間放置し、その後
２４０℃の半田槽に１０秒間浸漬した。顕微鏡でパッケ
ージを観察し、外部クラック発生率［（クラック発生パ
ッケージ数）／（全パッケージ数）×１００］を算出し
た。単位は％。又、半導体素子と樹脂組成物の硬化物の
剥離面積の割合を超音波探傷装置を用いて測定し、剥離
率［（剥離面積）／（半導体素子面積）×１００］を求
めた。単位は％。
【００２４】実施例２〜７ 表２の配合に従い、実施例１と同様にして樹脂組成物を
得て、実施例１と同様にして評価を行った。結果を表２
に示す。 比較例１〜７ 表３の配合に従い、実施例１と同様にして樹脂組成物を
得て、実施例１と同様にして評価を行った。結果を表３
に示す。なお、実施例、比較例に用いたエポキシ樹脂、
フェノール樹脂の性状を以下に示す。式（５）で示され
るフェノール樹脂（ＰＮ−１〜３）については、ｍとｎ
の合計に対するｍの割合、ｍ／ｎ比率及び特性を表１に
示す。式（９）の構造を主成分とするスチルベン型エポ
キシ樹脂（融点１１０℃、エポキシ当量１８７ｇ／ｅ
ｑ．、以下ＳＥＰ−１という）、式（１０）の構造を主
成分とするスチルベン型エポキシ樹脂（融点１４５℃、
エポキシ当量２３０ｇ／ｅｑ．、以下ＳＥＰ−２とい
う） オルソクレゾールノボラック型エポキシ樹脂（軟化点５
５℃、エポキシ当量１９６ｇ／ｅｑ．、以下ＥＯＣＮ−
１という） 式（１１）のフェノール樹脂（軟化点７５℃、水酸基当
量１７４ｇ／ｅｑ．、以下ＰＸ−１という） 式（１２）のフェノール樹脂（軟化点９０℃、水酸基当
量１９４ｇ／ｅｑ．、以下ＢＰ−１という） フェノールノボラック樹脂（軟化点８０℃、水酸基当量
１０４ｇ／ｅｑ．） 上記式（９）〜（１２）の樹脂構造を以下に示す。
得て、実施例１と同様にして評価を行った。結果を表２
に示す。 比較例１〜７ 表３の配合に従い、実施例１と同様にして樹脂組成物を
得て、実施例１と同様にして評価を行った。結果を表３
に示す。なお、実施例、比較例に用いたエポキシ樹脂、
フェノール樹脂の性状を以下に示す。式（５）で示され
るフェノール樹脂（ＰＮ−１〜３）については、ｍとｎ
の合計に対するｍの割合、ｍ／ｎ比率及び特性を表１に
示す。式（９）の構造を主成分とするスチルベン型エポ
キシ樹脂（融点１１０℃、エポキシ当量１８７ｇ／ｅ
ｑ．、以下ＳＥＰ−１という）、式（１０）の構造を主
成分とするスチルベン型エポキシ樹脂（融点１４５℃、
エポキシ当量２３０ｇ／ｅｑ．、以下ＳＥＰ−２とい
う） オルソクレゾールノボラック型エポキシ樹脂（軟化点５
５℃、エポキシ当量１９６ｇ／ｅｑ．、以下ＥＯＣＮ−
１という） 式（１１）のフェノール樹脂（軟化点７５℃、水酸基当
量１７４ｇ／ｅｑ．、以下ＰＸ−１という） 式（１２）のフェノール樹脂（軟化点９０℃、水酸基当
量１９４ｇ／ｅｑ．、以下ＢＰ−１という） フェノールノボラック樹脂（軟化点８０℃、水酸基当量
１０４ｇ／ｅｑ．） 上記式（９）〜（１２）の樹脂構造を以下に示す。
【化１４】
【００２５】
【化１５】
【００２６】
【化１６】
【００２７】
【化１７】
【００２８】
【表１】
【００２９】
【表２】
【００３０】
【表３】
【００３１】
【発明の効果】本発明のエポキシ樹脂組成物は、低溶融
粘度、高接着性を有し、これを用いて封止された半導体
装置は吸湿後の耐半田クラック性に優ている。
粘度、高接着性を有し、これを用いて封止された半導体
装置は吸湿後の耐半田クラック性に優ている。
フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０１Ｌ 23/31 Ｆターム(参考） 4J002 CC042 CC052 CD051 CE002 DE136 DE146 DJ016 DJ036 DJ046 DL006 EU117 EU137 EW017 EW177 FA046 FD016 FD090 FD130 FD160 GQ05 4J036 AA01 AA04 AD04 AD05 AD07 AD08 AD09 AD10 AD20 DA05 DC40 DC46 DD07 DD09 FA01 FA05 FB08 JA07 4M109 AA01 BA01 CA21 EA03 EA04 EB03 EB04 EB06 EB07 EB08 EB09 EB12 EB19
Claims (6)
- 【請求項１】 （Ａ）結晶性エポキシ樹脂、（Ｂ）一般
式（１）で示されるフェノール樹脂、（Ｃ）無機充填
材、及び（Ｄ）硬化促進剤を必須成分とすることを特徴
とする半導体封止用エポキシ樹脂組成物。 【化１】 （式中のＲ1、Ｒ2は、炭素数１〜４のアルキル基の中か
ら選択される同一もしくは異なる基、ａは０〜３の整
数、ｂは０〜４の整数、ｍ、ｎは平均値で、いずれも
ｍ、ｎ＝１〜１０の正数） - 【請求項２】 結晶性エポキシ樹脂が、一般式（２）、
一般式（３）又は一般式（４）から選ばれる１種以上で
ある請求項１記載の半導体封止用エポキシ樹脂組成物。 【化２】 （式中のＲ3は炭素数１〜６のアルキル基、ハロゲンの
中から選択される原子又は基を表し、それらは同一もし
くは異なっていてもよい。ｍは０〜４の整数） 【化３】 【化４】 （式中のＲ6は水素原子、炭素数１〜６のアルキル基、
ハロゲンの中から選択される原子又は基を表し、それら
は同一もしくは異なっていてもよい。Ｒ7は炭素数１〜
６のアルキル基、ハロゲンの中から選択される原子又は
基を表し、それらは同一もしくは異なっていてもよい。
ｍは０〜４の整数） - 【請求項３】 結晶性エポキシ樹脂が、４，４’−ジヒ
ドロキシビフェニル、４，４’−ジヒドロキシ−３，
３’，５，５’−テトラメチルビフェニル、ビス（３，
５−ジメチル−４−ヒドロキシフェニル）メタン、２，
２−ビス（３’，５’−ジメチル−４’−ヒドロキシフ
ェニル）プロパン、もしくはビス（２−ターシャリブチ
ル−５−メチル−４−ヒドロキシフェニル）スルフィド
のグリシジルエーテル化物、又は３−ターシャリブチル
−２，４’−ジヒドロキシ−３’，５’，６−トリメチ
ルスチルベン、３−ターシャリブチル−４，４’−ジヒ
ドロキシ−３’，５’，６−トリメチルスチルベン、３
−ターシャリブチル−４，４’−ジヒドロキシ−３’，
５，５’−トリメチルスチルベンのグリシジルエーテル
化物の３種から選ばれる１種以上と４，４’−ジヒドロ
キシ−３，３’，５，５’−テトラメチルスチルベン、
４，４’−ジヒドロキシ−３，３’−ジターシャリブチ
ル−６，６’−ジメチルスチルベン、２，２’−ジヒド
ロキシ−３，３’−ジターシャリブチル−６，６’−ジ
メチルスチルベン、２，４’−ジヒドロキシ−３，３’
−ジターシャリブチル−６，６’−ジメチルスチルベ
ン、２，２’−ジヒドロキシ−３，３’，５，５’−テ
トラメチルスチルベン、もしくは４，４’−ジヒドロキ
シ−３，３’−ジターシャリブチル−５，５’−ジメチ
ルスチルベンのグリシジルエーテル化物の６種から選ば
れる１種以上との混合物である請求項１、又は２記載の
半導体封止用エポキシ樹脂組成物。 - 【請求項４】 一般式（１）で示されるフェノール樹脂
が、式（５）である請求項１、２又は３記載の半導体封
止用エポキシ樹脂組成物。 【化５】 （ｍ、ｎは平均値で、いずれもｍ、ｎ＝１〜１０の正
数） - 【請求項５】 一般式（１）で示されるフェノール樹脂
の１５０℃における溶融粘度が０．１〜１．５ポイズで
ある請求項１、２、３、又は４記載の半導体封止用エポ
キシ樹脂組成物。 - 【請求項６】 請求項１〜５記載のいずれかの半導体封
止用エポキシ樹脂組成物を用いて半導体素子を封止して
なることを特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28522099A JP4379973B2 (ja) | 1999-10-06 | 1999-10-06 | エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28522099A JP4379973B2 (ja) | 1999-10-06 | 1999-10-06 | エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001106872A true JP2001106872A (ja) | 2001-04-17 |
| JP4379973B2 JP4379973B2 (ja) | 2009-12-09 |
Family
ID=17688669
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP28522099A Expired - Fee Related JP4379973B2 (ja) | 1999-10-06 | 1999-10-06 | エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP4379973B2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003012769A (ja) * | 2001-06-26 | 2003-01-15 | Hitachi Chem Co Ltd | 封止用エポキシ樹脂成形材料及び電子部品装置 |
| JP2003012772A (ja) * | 2001-06-26 | 2003-01-15 | Hitachi Chem Co Ltd | 封止用エポキシ樹脂成形材料及び電子部品装置 |
| WO2003029321A1 (en) * | 2001-09-28 | 2003-04-10 | Sumitomo Bakelite Company, Ltd. | Epoxy resin compositions and semiconductor devices |
| JP2003292582A (ja) * | 2002-03-29 | 2003-10-15 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 |
-
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- 1999-10-06 JP JP28522099A patent/JP4379973B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JP2003012769A (ja) * | 2001-06-26 | 2003-01-15 | Hitachi Chem Co Ltd | 封止用エポキシ樹脂成形材料及び電子部品装置 |
| JP2003012772A (ja) * | 2001-06-26 | 2003-01-15 | Hitachi Chem Co Ltd | 封止用エポキシ樹脂成形材料及び電子部品装置 |
| WO2003029321A1 (en) * | 2001-09-28 | 2003-04-10 | Sumitomo Bakelite Company, Ltd. | Epoxy resin compositions and semiconductor devices |
| KR100878415B1 (ko) | 2001-09-28 | 2009-01-13 | 스미토모 베이클리트 컴퍼니 리미티드 | 에폭시 수지 조성물 및 반도체 장치 |
| KR100896858B1 (ko) | 2001-09-28 | 2009-05-12 | 스미토모 베이클리트 컴퍼니 리미티드 | 에폭시 수지 조성물 및 반도체 장치 |
| KR100896859B1 (ko) | 2001-09-28 | 2009-05-12 | 스미토모 베이클리트 컴퍼니 리미티드 | 에폭시 수지 조성물 및 반도체 장치 |
| JP2003292582A (ja) * | 2002-03-29 | 2003-10-15 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 |
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|---|---|
| JP4379973B2 (ja) | 2009-12-09 |
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