JP2003041096A - エポキシ樹脂成形材料の製造方法及び半導体装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】金型汚れが少なく、流動性、成形性、離型性及
び耐半田クラック性に優れた半導体封止用エポキシ樹脂
成形材料を提供すること。 【解決手段】（Ａ）融点７０〜１５０℃の結晶性エポキ
シ樹脂、（Ｂ）フェノール樹脂、（Ｃ）無機充填材、
（Ｄ）硬化促進剤及び（Ｅ）前記の融点７０〜１５０℃
の結晶性エポキシ樹脂より、融点が１５〜４５℃低い離
型剤（Ｅ１）と融点が１１０〜１５０℃の離型剤（Ｅ
２）とを混練機で加熱混練することを特徴とする半導体
封止用エポキシ成形材料の製造方法。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、流動性、成形性、
離型性及び耐半田クラック性に優れた特性を有する半導
体封止用エポキシ樹脂成形材料の製造方法及び半導体装
置に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】ＩＣ、ＬＳＩ等の半導体素子の封止方法
としてエポキシ樹脂成形材料のトランスファー成形が低
コスト、大量生産に適した方法として採用されており、
信頼性の点でもエポキシ樹脂や硬化剤であるフェノール
樹脂の改良により特性の向上が図られてきた。しかし、
近年の電子機器の小型化、軽量化、高性能化の市場動向
において、半導体素子の高集積化も年々進み、又半導体
装置の表面実装化が増加する中で、半導体封止用エポキ
シ樹脂成形材料への要求はますます厳しいものとなって
きている。このため、従来からのエポキシ樹脂成形材料
では解決できない問題点もでてきている。その最大の問
題点は、表面実装の採用により、半導体装置が半田浸漬
或いは半田リフロー工程で急激に２００℃以上の高温に
さらされ、吸湿した水分が爆発的に気化する際の応力に
より、半導体装置にクラックが発生したり、半導体素
子、リードフレーム、インナーリード上の各種メッキさ
れた各接合部分或いはＬｅａｄ Ｏｎ Ｃｈｉｐ構造の
半導体装置では、ポリイミドテープ接着剤等とエポキシ
樹脂成形材料の硬化物との各界面で、剥離が生じ信頼性
が著しく低下する現象である。

【０００３】更に近年半導体装置の薄型化に伴い、半導
体装置中に占めるエポキシ樹脂成形材料の硬化物の厚み
が一段と薄くなってきており、例えば６４Ｍ、２５６Ｍ
ＤＲＡＭ用の半導体装置は、１ｍｍ厚のＴＳＯＰが主流
となりつつあり、耐半田クラック性の要求はますます強
くなっている。又これら薄型半導体装置には、成形時の
充填性が良好で、金線変形が少なく、半導体素子やリー
ドフレームの変形（半導体素子のシフトやダイパッドシ
フトと呼ぶ）がないエポキシ樹脂成形材料が要求され、
そのためエポキシ樹脂成形材料は成形時の流動性に優れ
ることが必要である。半田リフロー処理による信頼性の
低下の改良と成形時の流動性向上を両立するために、エ
ポキシ樹脂成形材料中の溶融シリカ粉末の充填量を増加
させることで低吸湿化、高強度化、低熱膨張化を達成し
耐半田クラック性を向上させると共に、低溶融粘度の樹
脂を使用して、成形時低粘度で高流動性を維持させる手
法が提案されている。この手法におけるエポキシ樹脂と
しては、特に常温では固体で、溶融時は粘度が極端に低
下する結晶性のエポキシ樹脂があり、特にその代表的な
例としてビフェニル型エポキシ樹脂が広く使用され始め
ている。

【０００４】半導体封止用エポキシ樹脂成形材料は、一
般的にエポキシ樹脂、フェノール樹脂、無機充填材、硬
化促進剤及びその他の添加剤等をミキサーを用いて常温
混合し、二軸混練機等の混練機で溶融混練し、冷却後粉
砕する方法等で得られる。結晶性エポキシ樹脂を用いる
場合、混練機での溶融混練時に結晶性エポキシ樹脂の融
点以上で混練しないとエポキシ樹脂が十分に溶融せず均
一分散しないので、この溶融混合物を用いたエポキシ樹
脂成形材料の成形品は不均一となり、成形品の強度が各
部分によって異なるために半導体装置の特性が低下して
しまう。しかし、溶融混練時にこの溶融混合物の温度が
高いと、混練機内で硬化反応が進行してしまい、流動性
の低下、成形時の未充填の原因となるゲル化物の発生等
を招く恐れがある。

【０００５】又結晶性エポキシ樹脂を用いる場合、硬化
物の架橋密度が低くなり、機械的強度や熱時弾性率が低
下するため、成形品が金型から離型する際に金型に付着
を起こしたり、成形品に割れや欠けが生じるといった欠
点がある。このため金型からの離型性の向上が必要とな
っている。離型性を向上させる手段としては、離型剤を
多量に配合する方法があるが、多量の離型剤の配合は金
型からの離型性を向上するが、半導体装置内部の半導体
素子やそれを搭載するリードフレームとエポキシ樹脂成
形材料の硬化物との間の密着性を低下させる欠点があ
る。これにより吸湿した半導体装置を半田処理すると、
これらの界面で剥離が生じたり、剥離に起因するクラッ
クが発生することになる。更には多量の離型剤成分が金
型に付着することにより金型曇り、型取られといった問
題が生じる。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】本発明は、金型汚れが
少なく、流動性、成形性、離型性及び耐半田クラック性
に優れた特性を有する半導体封止用エポキシ樹脂成形材
料の製造方法及び半導体装置に関するものである。

【０００７】

【課題を解決するための手段】本発明は、［１］（Ａ）
融点７０〜１５０℃の結晶性エポキシ樹脂、（Ｂ）フェ
ノール樹脂、（Ｃ）無機充填材、（Ｄ）硬化促進剤及び
（Ｅ）前記の融点７０〜１５０℃の結晶性エポキシ樹脂
より、融点が１５〜４５℃低い離型剤（Ｅ１）と融点が
１１０〜１５０℃の離型剤（Ｅ２）とを混練機で加熱混
練することを特徴とする半導体封止用エポキシ成形材料
の製造方法、［２］離型剤（Ｅ１）と離型剤（Ｅ２）
が、重量比（Ｅ１）／（Ｅ２）＝５０／５０〜９０／１
０で、全エポキシ樹脂成形材料中に０．０２〜２重量％
含まれる第［１］項記載の半導体封止用エポキシ樹脂成
形材料の製造方法、［３］融点が７０〜１５０℃の結晶
性エポキシ樹脂が、一般式（１）又は一般式（２）から
選ばれる１種以上である第［１］項又は［２］記載の半
導体封止用エポキシ樹脂成形材料の製造方法、

【０００８】

【化３】 （式中のＲ₁は炭素数１〜６のアルキル基を表し、それ
らは互いに同一であっても異なっていてもよい。ｍは０
〜４の整数。）

【０００９】

【化４】 （式中のＲ₂は炭素数１〜６のアルキル基を表し、それ
らは互いに同一であっても異なっていてもよい。ｍは０
〜４の整数。Ｒ₃は水素原子、炭素数１〜６のアルキル
基を表し、それらは互いに同一であっても異なっていて
もよい。）

【００１０】［４］結晶性エポキシ樹脂が、４，４’−
ジヒドロキシビフェニル、４，４’−ジヒドロキシ−
３，３’，５，５’−テトラメチルビフェニル、４，
４’−メチレンビス（２，６−ジメチルフェノール）又
は４，４’−（１−メチルエチリデン）ビス（２，６−
ジメチルフェノール）、４，４’−ビス（２，３−ヒド
ロキシプロピルオキシ）−２，２’−ジメチル−５，
５’−ジターシャリブチルジフェニルスルフィドである
第［１］項、［２］項又は［３］記載の半導体封止用エ
ポキシ樹脂成形材料の製造方法、［５］第［１］項、
［２］項、［３］項又は［４］項記載のエポキシ樹脂成
形材料を用いて半導体素子を封止してなることを特徴と
する半導体装置、である。

【００１１】

【発明の実施の形態】本発明に用いられる結晶性エポキ
シ樹脂としては種々の構造のものがあるが、融点として
は７０〜１５０℃が好ましい。７０℃未満だと得られた
エポキシ樹脂成形材料にべたつき等が発生し作業性が悪
化するので好ましくない。１５０℃を越えると、成形材
料の製造時に樹脂が十分に溶融せず均一分散しないの
で、この成形材料の成形品は不均一となり、成形品の強
度が各部分によって異なるために半導体装置の特性が低
下するので好ましくない。結晶性エポキシ樹脂の融点
は、示差走査熱量計（セイコー電子工業（株）製、ＤＳ
Ｃ２２０）を用いて常温から昇温速度５℃／分で昇温し
た結晶融解の吸熱ピークの頂点の温度を示す。これらの
条件を満たす結晶性エポキシ樹脂としては、一般式
（１）のビフェニル型エポキシ樹脂、一般式（２）のビ
スフェノール型エポキシ樹脂又はスチルベン型エポキシ
樹脂が好ましい。

【００１２】

【化５】 （式中のＲ₁は炭素数１〜６のアルキル基を表し、それ
らは互いに同一であっても異なっていてもよい。ｍは０
〜４の整数。）

【００１３】

【化６】 （式中のＲ₂は炭素数１〜６のアルキル基を表し、それ
らは互いに同一であっても異なっていてもよい。ｍは０
〜４の整数。Ｒ₃は水素原子、炭素数１〜６のアルキル
基を表し、それらは互いに同一であっても異なっていて
もよい。）

【００１４】一般式（１）のビフェニル型エポキシ樹脂
としては、例えば４，４’−ジヒドロキシビフェニル、
４，４’−ジヒドロキシ−３，３’，５，５’−テトラ
メチルビフェニル、４，４’−ジヒドロキシ−３，３’
−ジターシャリブチル−６，６’−ジメチルビフェニ
ル、２，２’−ジヒドロキシ−３，３’−ジターシャリ
ブチル−６，６’−ジメチルビフェニル、４，４’−ジ
ヒドロキシ−３，３’−ジターシャリブチル−５，５’
−ジメチルビフェニル、又は４，４’−ジヒドロキシ−
３，３’，５，５’−テトラターシャリブチルビフェニ
ル等（置換位置の異なる異性体を含む）のグリシジルエ
ーテル化物等が挙げられ、これらは単独でも混合して用
いてもよい。

【００１５】一般式（２）のビスフェノール型エポキシ
樹脂としては、例えば４，４’−メチレンビス（２，６
−ジメチルフェノール）、４，４’−（１−メチルエチ
リデン）ビス（２−メチルフェノール）、４，４’−メ
チレンビス（２−メチルフェノール）、４，４’−メチ
レンビス（２，３，６−トリメチルフェノール）、４，
４’−エチリデンビス（２，６−ジメチルフェノー
ル）、４，４’−（１−メチルエチリデン）ビス（２，
６−ジメチルフェノール）、４，４’−（１−メチルエ
チリデン）ビス［２−（１−メチルエチル）フェノー
ル］、又は４，４’−ビス（２，３−ヒドロキシプロピ
ルオキシ）−２，２’−ジメチル−５，５’−ジターシ
ャリブチルジフェニルスルフィド等のグリシジルエーテ
ル化物等が挙げられ、これらは単独でも混合して用いて
もよい。

【００１６】スチルベン型エポキシ樹脂としては、例え
ば５−ターシャリブチル−４，４’−ジヒドロキシ−
２，３’，５’−トリメチルスチルベン、３−ターシャ
リブチル−４，４’−ジヒドロキシ−３’，５，５’−
トリメチルスチルベン、４，４’−ジヒドロキシ−３，
３’，５，５’−テトラメチルスチルベン、４，４’−
ジヒドロキシ−３，３’−ジターシャリブチル−６，
６’−ジメチルスチルベン、もしくは４，４’−ジヒド
ロキシ−３，３’−ジターシャリブチル−５，５’−ジ
メチルスチルベンのグリシジルエーテル化物等が挙げら
れ、これらは単独でも混合して用いてもよい。

【００１７】本発明に用いられる結晶性エポキシ樹脂の
特性を損なわない範囲で他のエポキシ樹脂を併用しても
よい。併用できるエポキシ樹脂としては、１分子内に２
個以上のエポキシ基を有するモノマー、オリゴマー、ポ
リマー全般を指し、例えばオルソクレゾールノボラック
型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹
脂、ジシクロペンタジエン変性フェノール型エポキシ樹
脂、ナフトール型エポキシ樹脂、トリフェノールメタン
型エポキシ樹脂、フェノールアラルキル型（フェニレン
骨格又はジフェニレン骨格を有する）エポキシ樹脂等挙
げられ、これらは単独でも混合して用いてもよい。

【００１８】本発明に用いられるフェノール樹脂として
は、１分子内に２個以上のフェノール性水酸基を有する
モノマー、オリゴマー及びポリマー全般を指し、例えば
フェノールノボラック樹脂、フェノールアラルキル（フ
ェニレン骨格又はジフェニレン骨格を有する）樹脂、ナ
フトールアラルキル（フェニレン骨格又はジフェニレン
骨格を有する）樹脂、テルペン変性フェノール樹脂、ジ
シクロペンタジエン変性フェノール樹脂、ナフトール樹
脂等が挙げられ、これらは単独でも混合して用いてもよ
い。これらのフェノール樹脂は、分子量、軟化点、水酸
基当量等に特に限定しないが、軟化点１１０℃以下の比
較的低粘度のフェノール樹脂が好ましい。軟化点が１１
０℃を越えるとエポキシ樹脂の低粘度化の効果が薄れる
ので好ましくない。

【００１９】本発明に用いられる無機充填材について
は、特に限定されないが、一般に封止材料に用いられて
いる無機充填材を使用することができる。例えば溶融破
砕シリカ粉末、溶融球状シリカ粉末、結晶シリカ粉末、
２次凝集シリカ粉末、アルミナ、チタンホワイト、水酸
化アルミニウム等が挙げられ、特に溶融球状シリカ粉末
が好ましい。形状は限りなく真球状であることが好まし
く、又粒子の大きさの異なるものを混合することにより
充填量を多くすることができる。本発明に用いられる無
機充填材の配合量としては、全エポキシ樹脂成形材料中
に７５〜９３重量％が好ましく、７５重量％未満だと成
形された半導体装置の吸湿量が増大し、半田リフロー処
理温度での強度が低下してしまうため、半田リフロー処
理時に半導体装置にクラックが発生し易くなり好ましく
ない。一方９３重量％を越えると、成形材料の成形時の
流動性が低下し、未充填や半導体素子のチップシフト、
ダイパッドシフトが発生し易くなり好ましくない。

【００２０】本発明に用いられる硬化促進剤は、前記エ
ポキシ樹脂とフェノール樹脂との架橋反応を促進するも
のであればよく、例えば１，８−ジアザビシクロ（５，
４，０）ウンデセン−７等のアミジン系化合物、トリフ
ェニルホスフィン、テトラフェニルホスフォニウム・テ
トラフェニルボレート塩等の有機リン系化合物、２−メ
チルイミダゾール等のイミダゾール化合物等が挙げられ
るが、これらに限定されるものではない。これらの硬化
促進剤は単独でも混合して用いてよい。

【００２１】本発明に用いられる融点が前記結晶性エポ
キシ樹脂の融点よりも１５〜４５℃低い離型剤（Ｅ１）
としては、例えばステアリン酸、モンタン酸等の飽和脂
肪酸、モンタン酸エチレングリコールエステル、モンタ
ン酸トリグリセリド等の飽和脂肪酸エステル等が挙げら
れる。一方融点が１１０〜１５０℃の離型剤（Ｅ２）と
しては、例えばステアリン酸アマイド、エチレンビスエ
ルカ酸アマイド等の脂肪酸アマイド、ステアリン酸亜
鉛、ステアリン酸マグネシウム等の脂肪酸の金属塩等が
挙げられる。本発明に用いられる前記結晶性エポキシ樹
脂の融点よりも、１５〜４５℃低い離型剤（Ｅ１）は結
晶性エポキシ樹脂と相溶することにより、結晶性エポキ
シ樹脂の融点を降下させるため、混練機での加熱溶融混
練時に結晶性エポキシ樹脂本来の融点よりも低い温度で
混練しても結晶性エポキシ樹脂を十分に溶融させ均一分
散させることが可能となり、混練機内での硬化反応の進
行による流動性の低下、成形時における未充填の原因と
なるゲル化物の発生、成形品が不均一となり各部分の強
度が異なることにより発生する耐半田クラック性の低下
等を防ぐことができる。用いる結晶性エポキシ樹脂と離
型剤（Ｅ１）の融点の差が１５℃未満だと、離型剤（Ｅ
１）と結晶性エポキシ樹脂が十分に相溶せず、又相溶に
よる融点降下の効果が小さいので好ましくない。一方融
点の差が４５℃を越えると得られたエポキシ樹脂成形材
料にべたつき等が発生し作業性が悪化するので好ましく
ない。本発明に用いられる前記結晶性エポキシ樹脂の融
点よりも１５〜４５℃低い離型剤（Ｅ１）単独では、エ
ポキシ樹脂成形材料の低粘度化は図れるが、成形時に過
度に染み出すことにより離型性には優れるものの金型汚
れの原因となる。

【００２２】一方融点が１１０〜１５０℃の離型剤（Ｅ
２）は、融点が高いために成形時に溶融し難く、離型剤
が染み出しにくいため、金型汚れは発生しにくいという
特徴があるが、十分な離型性を得るためには多量の添加
が必要となる。そこで離型剤（Ｅ１）と離型剤（Ｅ２）
を併用することにより、両者の特徴を生かして成形時の
金型汚れ、流動性及び離型性のバランスを図ることが可
能となる。離型剤（Ｅ１）と離型剤（Ｅ２）の割合とし
ては、重量比（Ｅ１）／（Ｅ２）＝５０／５０〜９０／
１０が好ましい。（Ｅ１）／（Ｅ２）＝５０／５０未満
だと成形時に十分な量の離型剤が金型表面に染み出さず
離型性に劣り、又結晶性エポキシ樹脂の融点を降下させ
る効果が小さくなる恐れがある。一方（Ｅ１）／（Ｅ
２）＝９０／１０を越えると、過度に染み出すことで金
型汚れの原因となる恐れがある。なお離型剤（Ｅ１）は
結晶性エポキシ樹脂の融点よりも１５〜４５℃低い他の
離型剤、或いは離型剤（Ｅ２）は融点１１０〜１５０℃
の他の離型剤と併用してもよい。

【００２３】離型剤の配合量としては全エポキシ樹脂成
形材料中０．０２〜２重量％が好ましく、０．０２％未
満だと十分な流動性と離型性が得られず、２重量％を越
えると成形時に半導体装置内部の半導体素子やそれを搭
載するリードフレームとエポキシ樹脂成形材料の硬化物
との界面に移行するため接着性を著しく損ない耐半田ク
ラック性を低下させ、更に金型汚れが発生する恐れがあ
る。本発明での離型剤の融点の測定法は、結晶性エポキ
シ樹脂と同じ示差走査熱量計を用いて行う。本発明のエ
ポキシ樹脂成形材料を製造するのに用いる混練機は、混
練時に発熱溶融させる機構を有する一般的な混練機であ
ればよいが、例えば一軸式混練機、同方向回転二軸式混
練機、異方向回転二軸式混練機等の容器固定型の水平軸
形式の混練機等が挙げられる。

【００２４】本発明のエポキシ樹脂成形材料は、（Ａ）
〜（Ｅ）成分の他、必要に応じて臭素化エポキシ樹脂、
酸化アンチモン、リン化合物等の難燃剤、酸化ビスマス
水和物等の無機イオン交換体、γ-グリシドキシプロピ
ルトリメトキシシラン等のカップリング剤、カーボンブ
ラック、ベンガラ等の着色剤、シリコーンオイル、シリ
コーンゴム等の低応力剤、酸化防止剤等の各種添加剤を
配合することができる。本発明のエポキシ樹脂成形材料
は、（Ａ）〜（Ｅ）成分及びその他の添加剤等をミキサ
ーを用いて常温混合し、二軸式混練機等の混練機で溶融
混練し、冷却後粉砕する一般的な方法で得られる。本発
明のエポキシ樹脂成形材料を用いて、半導体素子等の電
子部品を封止し、半導体装置を造するには、トランスフ
ァーモールド、コンプレッションモールド、インジェク
ションモールド等の成形方法で成形硬化すればよい。

【００２５】

【実施例】以下、本発明の実施例を示すが、本発明はこ
れらに限定されるものではない。配合割合は重量部とす
る。 実施例１ ４，４’−ビス（２，３−エポキシプロポキシ）−３，３’，５，５’−テト ラメチルビフェニルを主成分とするエポキシ樹脂（エポキシ当量１９１、融点１ ０５℃）（以下、エポキシ樹脂Ａという） ９．４重量部 フェノールノボラック樹脂（水酸基当量１０５、軟化点８３℃）５．１重量部 溶融球状シリカ粉末 ８４．０重量部 1，８−ジアザビシクロ（５，４，０）ウンデセン−７（以下、ＤＢＵという ） ０．２重量部 γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン ０．５重量部 カーボンブラック ０．３重量部 モンタン酸エチレングリコールエステル（融点８３℃） ０．４重量部 ステアリン酸亜鉛（融点１２５℃） ０．１重量部 各成分をミキサーを用いて常温で混合した後、二軸混練
機にて吐出口における溶融混合物の温度が９５℃になる
ように加熱混練を行い、冷却後粉砕して、成形材料を得
た。得られた成形材料を以下の方法で評価した。結果を
表１に示す。

【００２６】評価方法 スパイラルフロー：ＥＭＭＩ−１−６６に準じたスパイ
ラルフロー測定用の金型を用いて、金型温度１７５℃、
注入圧力６．９ＭＰａ、硬化時間２分で測定した。単位
はｃｍ。 アセトン不溶分：加熱混練して得られた成形材料約１０
０ｇ前後を精秤し、容器にアセトン３００ｇを精秤して
共に２０分間混合した後、アセトンに不溶でかつ粒度が
７０メッシュ以上の残存物の割合を求め、％で表示し
た。 未充填発生率：１００ピンＴＱＦＰ（パッケージサイズ
は１４×１４ｍｍ、厚み１．４ｍｍ、シリコンチップサ
イズは８．０×８．０ｍｍ、リードフレームはＣｕ製）
を金型温度１７５℃、注入圧力７．４ＭＰａ、硬化時間
１分にて５０ショット連続でトランスファー成形し、ゲ
ート詰まりによるパッケージ未充填が発生した割合を求
め、％で表示した。 離型性：１００ピンＴＱＦＰ（パッケージサイズは１４
×１４ｍｍ、厚み１．４ｍｍ、シリコンチップサイズは
８．０×８．０ｍｍ、リードフレームはＣｕ製）を金型
温度１７５℃、注入圧力７．４ＭＰａ、硬化時間１分に
て５０ショット連続でトランスファー成形し、離型時に
金型に付着したり、成形品に割れ・欠けが発生した回数
が１０回以上のものを×、１〜９回のものを△、発生な
しのものを○と判定した。 金型汚れ：１００ピンＴＱＦＰ（パッケージサイズは１
４×１４ｍｍ、厚み１．４ｍｍ、シリコンチップサイズ
は８．０×８．０ｍｍ、リードフレームはＣｕ製）を金
型温度１７５℃、注入圧力７．４ＭＰａ、硬化時間１分
にて２００ショット連続でトランスファー成形した後、
成形品表面と金型表面の両方に白化があるものを×、ど
ちらにも白化のないものを○と判定した。 耐半田クラック性：１００ピンＴＱＦＰ（パッケージサ
イズは１４×１４ｍｍ、厚み１．４ｍｍ、シリコンチッ
プサイズは８．０×８．０ｍｍ、リードフレームはＣｕ
製）を金型温度１７５℃、注入圧力７．４ＭＰａ、硬化
時間１分でトランスファー成形し、１７５℃、８時間で
後硬化させた。得られた半導体パッケージを８５℃、相
対湿度８５％の環境下で１６８時間放置し、その後２４
０℃の半田槽に１０秒間浸漬した。顕微鏡でパッケージ
を観察し、外部クラック［（クラック発生パッケージ
数）／（全パッケージ数）×１００］を％で表示した。
又チップと成形材料の硬化物との剥離面積の割合を超音
波探傷装置を用いて測定し、剥離率［（剥離面積）／
（チップ面積）×１００］として、１０個のパッケージ
の平均値を求め、％で表示した。

【００２７】実施例２〜５、比較例１〜４ 表１、表２に示す割合で各成分を配合し、実施例１と同
様に表１、表２に示す温度で二軸混練機にて溶融混練を
行い成形材料を得て、実施例１と同様にして評価した。
結果を表１、表２に示す。なお、実施例２〜５、比較例
１〜４で用いた離型剤の詳細を以下に示す。 モンタン酸トリグリセリド（融点８１℃） エチレンビスエルカ酸アマイド（融点１１９℃） 酸化ポリエチレン（融点９７℃）

【００２８】

【表１】

【００２９】

【表２】

【００３０】

【発明の効果】本発明の製造方法に従うと、金型汚れが
少なく、流動性、成形性、離型性及び耐半田クラック性
に優れた特性を有する半導体封止用エポキシ樹脂成形材
料が得られ、これを用いた半導体装置は耐半田クラック
性に優れる。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｃ０８Ｋ 3/00 Ｃ０８Ｋ 3/00 5/00 5/00 Ｈ０１Ｌ 21/56 Ｈ０１Ｌ 21/56 Ｃ 23/29 23/30 Ｒ 23/31 Ｆターム(参考） 4F070 AA44 AA46 AB10 AC11 AC40 AC42 AC47 AE01 AE08 AE17 FA03 FA07 FB06 FC02 4J002 CC04X CD05W DE136 DE146 DJ016 EF057 EH057 EP018 EP028 FA086 FD016 FD150 FD167 FD168 4J036 AD04 AD07 AD08 AD15 AD20 DA05 DC41 DC46 DD07 FA02 FA05 FA10 FA12 FB07 GA04 GA06 GA23 JA07 4M109 AA01 BA01 CA21 EA03 EB03 EB04 EB06 EB07 EB08 EB09 EB12 EB19 5F061 AA01 BA01 CA21 DE03 DE04

Claims (5)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】（Ａ）融点７０〜１５０℃の結晶性エポキ
   シ樹脂、（Ｂ）フェノール樹脂、（Ｃ）無機充填材、
   （Ｄ）硬化促進剤及び（Ｅ）前記の融点７０〜１５０℃
   の結晶性エポキシ樹脂より、融点が１５〜４５℃低い離
   型剤（Ｅ１）と融点が１１０〜１５０℃の離型剤（Ｅ
   ２）とを混練機で加熱混練することを特徴とする半導体
   封止用エポキシ成形材料の製造方法。
2. 【請求項２】 離型剤（Ｅ１）と離型剤（Ｅ２）が、重
   量比（Ｅ１）／（Ｅ２）＝５０／５０〜９０／１０で、
   全エポキシ樹脂成形材料中に０．０２〜２重量％含まれ
   る請求項１記載の半導体封止用エポキシ樹脂成形材料の
   製造方法。
3. 【請求項３】 融点が７０〜１５０℃の結晶性エポキシ
   樹脂が、一般式（１）又は一般式（２）から選ばれる１
   種以上である請求項１又は２記載の半導体封止用エポキ
   シ樹脂成形材料の製造方法。 【化１】 （式中のＲ₁は炭素数１〜６のアルキル基を表し、それ
   らは互いに同一であっても異なっていてもよい。ｍは０
   〜４の整数。） 【化２】 （式中のＲ₂は炭素数１〜６のアルキル基を表し、それ
   らは互いに同一であっても異なっていてもよい。ｍは０
   〜４の整数。Ｒ₃は水素原子、炭素数１〜６のアルキル
   基を表し、それらは互いに同一であっても異なっていて
   もよい。）
4. 【請求項４】 結晶性エポキシ樹脂が、４，４’−ジヒ
   ドロキシビフェニル、４，４’−ジヒドロキシ−３，
   ３’，５，５’−テトラメチルビフェニル、４，４’−
   メチレンビス（２，６−ジメチルフェノール）又は４，
   ４’−（１−メチルエチリデン）ビス（２，６−ジメチ
   ルフェノール）、４，４’−ビス（２，３−ヒドロキシ
   プロピルオキシ）−２，２’−ジメチル−５，５’−ジ
   ターシャリブチルジフェニルスルフィドである請求項
   １、２又は３記載の半導体封止用エポキシ樹脂成形材料
   の製造方法。
5. 【請求項５】 請求項１、２、３又は４記載のエポキシ
   樹脂成形材料を用いて半導体素子を封止してなることを
   特徴とする半導体装置。