JP2002206021A - エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 - Google Patents
エポキシ樹脂組成物及び半導体装置Info
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Abstract
ム等の各種部材との接着性、基板実装時の耐半田性、特
に半田処理温度が従来よりも高い場合の耐半田性に優
れ、又Ni、Ni−Pd、Ni−Pd−Au等のプリプ
レーティングフレームとの密着性に優れた半導体封止用
エポキシ樹脂組成物を提供すること。 【解決手段】 (A)エポキシ樹脂、(B)フェノール
樹脂、(C)シラノール基とイソシアネート基を同一分
子内に有する有機化合物及び/又は該有機化合物の加水
分解物、(D)無機充填材、及び(E)硬化促進剤を必
須成分とすることを特徴とする半導体封止用エポキシ樹
脂組成物。
Description
半導体封止用エポキシ樹脂組成物、及びこれを用いた半
導体装置に関するものである。
としてエポキシ樹脂組成物のトランスファー成形が低コ
スト、大量生産に適しており、採用されて久しく、信頼
性の点でもエポキシ樹脂や硬化剤であるフェノール樹脂
の改良により特性の向上が図られてきた。しかし、近年
の電子機器の小型化、軽量化、高性能化の市場動向にお
いて、半導体素子の高集積化も年々進み、又、半導体装
置の表面実装化が促進されるなかで、半導体封止用エポ
キシ樹脂組成物への要求は益々厳しいものとなってきて
いる。このため、従来からのエポキシ樹脂組成物では解
決できない問題点も出てきている。その最大の問題点
は、表面実装の採用により半導体装置が半田浸漬、ある
いはリフロー工程で急激に200℃以上の高温にさらさ
れ、吸湿した水分が爆発的に気化する際の応力により、
半導体装置にクラックが発生したり、半導体素子、リー
ドフレーム、インナーリード上の各種メッキされた各接
合部分とエポキシ樹脂組成物の硬化物の界面で剥離が生
じ、信頼性が著しく低下する現象である。
に、エポキシ樹脂組成物中の無機充填材の充填量を増加
させることで低吸湿化、高強度化、低熱膨張化を達成し
耐半田性を向上させるとともに、低溶融粘度の樹脂成分
を使用して、成形時に低粘度で高流動性を維持させる手
法が一般的となりつつある。一方、半田処理による信頼
性において、エポキシ樹脂組成物の硬化物と半導体装置
内部に存在する半導体素子やリードフレーム等の基材と
の界面の接着性は非常に重要になってきている。この界
面の接着力が弱いと、半田処理後の基材との界面で剥離
が生じ、更にはこの剥離に起因し半導体装置にクラック
が発生する。
−グリシドキシプロピルトリメトキシシランやγ―アミ
ノプロピルトリエトキシシラン等のカップリング剤がエ
ポキシ樹脂組成物中に添加されてきた。しかし近年、鉛
フリー化による半田処理温度の上昇や、Ni、Ni−P
d、Ni−Pd−Au等のプリプレーティングフレーム
の出現等で、益々厳しくなっている耐半田性に対する要
求に対して、これらのカップリング剤では充分に対応で
きなくなっている。
田処理においても硬化物の半導体装置にクラックや基材
との剥離が発生しない耐半田性に優れる半導体封止用エ
ポキシ樹脂組成物、及びこれを用いた半導体装置を提供
するものである。
エポキシ樹脂、(B)フェノール樹脂、(C)シラノー
ル基とイソシアネート基を同一分子内に有する有機化合
物及び/又は該有機化合物の加水分解物、(D)無機充
填材、及び(E)硬化促進剤を必須成分とすることを特
徴とする半導体封止用エポキシ樹脂組成物、[2]シラ
ノール基とイソシアネート基を同一分子内に有する有機
化合物が一般式(1)で示される化合物から選ばれる1
種以上である第[1]項記載の半導体封止用エポキシ樹
脂組成物、
数1〜5のアルキル基又は炭素数1〜5のアルコキシ基
である。mは平均値で1〜3の正数、nは1〜10の整
数である。)
キシ樹脂、ビスフェノール型エポキシ樹脂、スチルベン
型エポキシ樹脂から選ばれる1種以上である第[1]、
又は[2]項記載の半導体封止用エポキシ樹脂組成物、
[4]エポキシ樹脂が、一般式(2)から選ばれる1種
以上である第[1]、[2]、又は[3]項記載の半導
体封止用エポキシ樹脂組成物、
れらは同一もしくは異なっていても良い。nは0〜3の
整数、mは0〜4の整数。pは平均値で1〜10の正
数。)
ら選ばれる1種以上である第[1]、[2]、[3]、
又は[4]項記載の半導体封止用エポキシ樹脂組成物、
れらは同一もしくは異なっていても良い。nは0〜3の
整数、mは0〜4の整数。pは平均値で1〜10の正
数。) [6]シラノール基とイソシアネート基を同一分子内に
有する有機化合物及び/又は該有機化合物の加水分解物
が、エポキシ樹脂及び/又はフェノール樹脂の全部又は
一部に予め加熱混合されている第[1]、[2]、
[3]、[4]、又は[5]項記載の半導体封止用エポ
キシ樹脂組成物、[7]無機充填材が、シラノール基と
イソシアネート基を同一分子内に有する有機化合物及び
/又は該有機化合物の加水分解物で予め表面処理された
ものである第[1]、[2]、[3]、[4]、
[5]、又は[6]項記載の半導体封止用エポキシ樹脂
組成物、[8]第[1]〜[7]記載のいずれかの半導
体封止用エポキシ樹脂組成物を用いて半導体素子を封止
してなることを特徴とする半導体装置、である。
は、エポキシ基を有するモノマー、オリゴマー、ポリマ
ー全般を指し、例えば、ビフェニル型エポキシ樹脂、ス
チルベン型エポキシ樹脂、ハイドロキノン型エポキシ樹
脂、ビスフェノールF型エポキシ樹脂等の結晶性エポキ
シ樹脂、ビスフェノールA型エポキシ樹脂、フェノール
アラルキル型エポキシ樹脂(フェニレン骨格、ビフェニ
レン骨格等を有する)、オルソクレゾールノボラック型
エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、
ジシクロペンタジエン変性フェノール型エポキシ樹脂、
トリフェノールメタン型エポキシ樹脂、アルキル変性ト
リフェノールメタン型エポキシ樹脂、トリアジン核含有
エポキシ樹脂、ナフトール型エポキシ樹脂等が挙げられ
るが、これらに限定されるものではない。又、これらは
単独でも2種類以上併用して用いても良い。耐湿信頼性
向上のために、本発明に使用されるエポキシ樹脂中に含
まれる塩素イオン、ナトリウムイオン、その他フリーの
イオンは、極力少ないことが望ましい。これらの内で
は、無機充填材の充填量を増加できる結晶性エポキシ樹
脂、又はビフェニレン骨格を有するフェノールアラルキ
ル型エポキシ樹脂が好ましい。
0℃以下のものが好ましい。150℃を越えると、溶融
混練時に十分に融解しないので均一分散できず、この溶
融混合物を用いたエポキシ樹脂組成物の成形品は不均一
となり、強度が各部分によって異なるために半導体装置
の性能が低下する可能性がある。これらの条件を満たす
結晶性エポキシ樹脂としては、例えば、ビフェニル型エ
ポキシ樹脂、ビスフェノール型エポキシ樹脂、スチルベ
ン型エポキシ樹脂等が挙げられる。
ば、一般式(4)で示されるものが挙げられる。
同一もしくは異なっていてもよい。mは0〜4の整数)
具体例としては、4,4’−ジヒドロキシビフェニル、
4,4’−ジヒドロキシ−3,3’,5,5’−テトラ
メチルビフェニル、4,4’−ジヒドロキシ−3,3’
−ジターシャリブチル−6,6’−ジメチルビフェニ
ル、2,2’−ジヒドロキシ−3,3’−ジターシャリ
ブチル−6,6’−ジメチルビフェニル、4,4’−ジ
ヒドロキシ−3,3’−ジターシャリブチル−5,5’
−ジメチルビフェニル、又は4,4’−ジヒドロキシ−
3,3’,5,5’−テトラターシャリブチルビフェニ
ル等(置換位置の異なる異性体を含む)のグリシジルエ
ーテル化物が挙げられる。
例えば、一般式(5)で示されるものが挙げられる。
ン、ビス(3−メチル−4−ヒドロキシフェニル)メタ
ン、ビス(3,5−ジメチル−4−ヒドロキシフェニ
ル)メタン、ビス(2,3,5−トリメチル−4−ヒド
ロキシフェニル)メタン、1,1−ビス(3’,5’−
ジメチル−4’−ヒドロキシフェニル)エタン、2,2
−ビス(4’−ヒドロキシフェニル)プロパン、2,2
−ビス(3’−メチル−4’−ヒドロキシフェニル)プ
ロパン、2,2−ビス(3’,5’−ジメチル−4’−
ヒドロキシフェニル)プロパン、2,2−ビス(3’−
ターシャリブチル−4’−ヒドロキシフェニル)プロパ
ン、又はビス(2−ターシャリブチル−5−メチル−4
−ヒドロキシフェニル)スルフィド等のグリシジルエー
テル化物が挙げられる。
ば、一般式(6)で示されるものが挙げられる。
ル基で、それらは同一もしくは異なっていてもよい。R
11は炭素数1〜6のアルキル基で、それらは同一もし
くは異なっていてもよい。mは0〜4の整数) 具体例としては、3−ターシャリブチル−4,4’−ジ
ヒドロキシ−5,3’−ジメチルスチルベン、3−ター
シャリブチル−4,4’−ジヒドロキシ−3’,6−ジ
メチルスチルベン、3−ターシャリブチル−2,4’−
ジヒドロキシ−3’,5’,6−トリメチルスチルベ
ン、3−ターシャリブチル−4,4’−ジヒドロキシ−
3’,5’,6−トリメチルスチルベン、3−ターシャ
リブチル−4,4’−ジヒドロキシ−3’,5,5’−
トリメチルスチルベン、4,4’−ジヒドロキシ−3,
3’−ジメチルスチルベン、4,4’−ジヒドロキシ−
3,3’,5,5’−テトラメチルスチルベン、4,
4’−ジヒドロキシ−3,3’−ジターシャリブチルス
チルベン、4,4’−ジヒドロキシ−3,3’−ジター
シャリブチル−6,6’−ジメチルスチルベン、2,
2’−ジヒドロキシ−3,3’−ジターシャリブチル−
6,6’−ジメチルスチルベン、2,4’−ジヒドロキ
シ−3,3’−ジターシャリブチル−6,6’−ジメチ
ルスチルベン、2,2’−ジヒドロキシ−3,3’,
5,5’−テトラメチルスチルベン、4,4’−ジヒド
ロキシ−3,3’−ジターシャリブチル−5,5’−ジ
メチルスチルベン、又は4,4’−ジヒドロキシ−3,
3’,5,5’−テトラターシャリブチルスチルベン等
(置換位置の異なる異性体を含む)のグリシジルエーテ
ル化物が挙げられる。
料価格等の点から、4,4’−ジヒドロキシビフェニ
ル、4,4’−ジヒドロキシ−3,3’,5,5’−テ
トラメチルビフェニル、ビス(3,5−ジメチル−4−
ヒドロキシフェニル)メタン、ビス(2,3,5−トリ
メチル−4−ヒドロキシフェニル)メタン、2,2−ビ
ス(3’−メチル−4’−ヒドロキシフェニル)プロパ
ン、2,2−ビス(3’,5’−ジメチル−4’−ヒド
ロキシフェニル)プロパン、ビス(2−ターシャリブチ
ル−5−メチル−4−ヒドロキシフェニル)スルフィド
のグリシジルエーテル化物(以上7種のエポキシ樹脂
を、以下a群という)、3−ターシャリブチル−2,
4’−ジヒドロキシ−3’,5’,6−トリメチルスチ
ルベン、3−ターシャリブチル−4,4’−ジヒドロキ
シ−3’,5’,6−トリメチルスチルベン、3−ター
シャリブチル−4,4’−ジヒドロキシ−3’,5,
5’−トリメチルスチルベンのグリシジルエーテル化物
(以上3種のエポキシ樹脂を、以下b群という)、4,
4’−ジヒドロキシ−3,3’,5,5’−テトラメチ
ルスチルベン、4,4’−ジヒドロキシ−3,3’−ジ
ターシャリブチル−6,6’−ジメチルスチルベン、
2,2’−ジヒドロキシ−3,3’−ジターシャリブチ
ル−6,6’−ジメチルスチルベン、2,4’−ジヒド
ロキシ−3,3’−ジターシャリブチル−6,6’−ジ
メチルスチルベン、2,2’−ジヒドロキシ−3,
3’,5,5’−テトラメチルスチルベン、又は4,
4’−ジヒドロキシ−3,3’−ジターシャリブチル−
5,5’−ジメチルスチルベンのグリシジルエーテル化
物(以上6種のエポキシ樹脂を、以下c群という)から
選ばれる1種以上が好ましい。
は、低粘度化効果が大きく、且つ反応性に富む4,4’
−ジヒドロキシビフェニルの骨格が含まれているものが
特に好ましい。その他のa群では、ビス(3,5−ジメ
チル−4−ヒドロキシフェニル)メタン、2,2−ビス
(3’,5’−ジメチル−4’−ヒドロキシフェニル)
プロパン、ビス(2−ターシャリブチル−5−メチル−
4−ヒドロキシフェニル)スルフィドのグリシジルエー
テル化物が特に好ましい。又、スチルベン型エポキシ樹
脂では、b群から選ばれる1種以上と、c群から選ばれ
る1種以上との混合物が、融点が低くなるため好まし
い。これらの混合比、混合方法等は特に限定しない。例
えば、スチルベン型エポキシ樹脂の原料であるスチルベ
ン型フェノール類をグリシジルエーテル化する前に混合
しておいたり、両方のスチルベン型エポキシ樹脂を溶融
混合する方法等がある。
ルキル型エポキシ樹脂の内では、一般式(2)で示され
るものが好ましい。一般式(2)のエポキシ樹脂は、1
分子中にエポキシ基を2個以上有するエポキシ樹脂であ
り、エポキシ基間にビフェニレン骨格を有することを特
徴とする。一般式(2)のエポキシ樹脂とフェノール樹
脂とを用いたエポキシ樹脂組成物の硬化物は、架橋密度
が低いため可撓性が高く、かつ疎水性の構造を多く含む
ことから吸湿率が低いため、エポキシ樹脂組成物の成形
時の熱応力、あるいは成形品である半導体装置の吸湿後
の半田処理における発生応力が低減されるので、耐半田
性が向上する。一方、エポキシ基間の疎水性構造が剛直
なビフェニレン骨格であることから、架橋密度が低い割
には耐熱性の低下が少ないという特徴を有しているの
で、熱時強度の低下が少ない。一般式(2)のエポキシ
樹脂の具体例を以下に示すが、これらに限定されるもの
ではない。
は、分子内にフェノール性水酸基を有するモノマー、オ
リゴマー、ポリマー全般を指し、例えば、フェノールノ
ボラック樹脂、クレゾールノボラック樹脂、テルペン変
性フェノール樹脂、ジシクロペンタジエン変性フェノー
ル樹脂、トリフェノールメタン型樹脂、フェノールアラ
ルキル樹脂(フェニレン骨格、ビフェニレン骨格等を有
する)、ナフトールアラルキル樹脂(フェニレン骨格、
ビフェニレン骨格等を有する)等が挙げられるが、これ
らに限定されるものではない。又、これらは単独でも2
種類以上併用して用いても良い。耐湿信頼性向上のため
には、フェノール樹脂中に含まれる塩素イオン、ナトリ
ウムイオン、その他フリーのイオンは、極力少ないこと
が望ましい。
フェノール樹脂が好ましい。一般式(3)のフェノール
樹脂は、1分子中にフェノール性水酸基を2個以上有す
るフェノール樹脂であり、フェノール性水酸基間にビフ
ェニレン骨格を有することを特徴とする。エポキシ樹脂
と一般式(3)のフェノール樹脂とを用いたエポキシ樹
脂組成物の硬化物は、架橋密度が低いため可撓性が高
く、かつ疎水性の構造を多く含むことから吸湿率が低い
ため、エポキシ樹脂組成物の成形時の熱応力、あるいは
成形品である半導体装置の吸湿後の半田処理における発
生応力が低減されるので、耐半田性が向上する。一方、
フェノール性水酸基間の疎水性構造が剛直なビフェニレ
ン骨格であることから、架橋密度が低い割には耐熱性の
低下が少ないという特徴を有しているので、熱時強度の
低下が少ない。一般式(3)で示されるフェノール樹脂
の具体例を以下に示すが、これらに限定されるものでは
ない。
ノール性水酸基との当量比としては、好ましくは0.5
〜2.0、特に好ましくは0.7〜1.5である。0.
5〜2.0の範囲を外れると、硬化性、耐湿信頼性等が
低下する可能性がある。
を同一分子内に有する有機化合物と、シラノール基とイ
ソシアネート基を同一分子内に有する有機化合物の加水
分解物からなる群から選ばれる1種以上は、シランカッ
プリング剤として用いられる。一般的にシランカップリ
ング剤はシラノール基と有機官能基を同一分子内に有す
ることを特徴とする化合物であるが、本発明のシラノー
ル基とイソシアネート基を同一分子内に有する有機化合
物は、有機官能基としてイソシアネート基を有すること
を特徴とする。イソシアネート基はリードフレーム等の
基材、特に銅リードフレームやNi、Ni−Pd、Ni
−Pd−Au等のプリプレーティングフレーム等と反応
し易いため、半導体装置内部の各種基材とエポキシ樹脂
組成物の硬化物との密着性を向上させるので耐半田クラ
ック性が改善される。従来からアミノ基を有する化合物
を使用すると耐半田クラック性が向上することが知られ
ているが、アミノ基は反応性が高いため、エポキシ樹脂
組成物の保存性を低下させるという欠点があった。しか
し本発明のシランカップリング剤では、各種基材との反
応性がアミノ基と同等ながら、エポキシ樹脂組成物の保
存性が損なわれないといった特徴を持つ。シラノール基
とイソシアネート基を同一分子内に有する有機化合物と
しては、シラノール基の加水分解性や保存性の観点か
ら、一般式(1)で示される化合物から選ばれる1種以
上が好ましい。
を同一分子内に有する有機化合物の加水分解物は、予め
アルコキシ基が加水分解されているため、容易に無機充
填材や各種基材表面の水酸基と水素結合あるいは共有結
合を形成し、耐半田性を向上させることが可能となる。
加水分解の方法としては、特に限定するものではない
が、例えば、シラノール基とイソシアネート基を同一分
子内に有する有機化合物と純水を混合し、混合物が2層
に分離しなくなるまで十分攪拌混合する方法等が挙げら
れる。
ランカップリング剤と併用できる。併用できるシランカ
ップリング剤としては、1分子中にアルコキシシリル基
と、エポキシ基等の有機官能基を有するシラン化合物全
般を指し、例えば、γ−アミノプロピルトリエトキシシ
ラン、N−β(アミノエチル)−γ−アミノプロピルト
リメトキシシラン、N−フェニル−γ−アミノプロピル
トリメトキシシラン、γ−ウレイドプロピルトリエトキ
シシラン等のアミノ基を有するシラン、γ−グリシドキ
シプロピルトリメトキシシラン、β−(3,4−エポキ
シシクロヘキシル)エチルトリメトキシシラン等のエポ
キシ基を有するシラン、γ−メルカプトプロピルトリメ
トキシシラン等のメルカプト基を有するシラン、ビニル
トリメトキシシラン等のビニル基を有するシラン、γ−
(メタクリロキシプロピル)トリメトキシシラン等のメ
タクリル基を有するシラン等が挙げられるが、これらに
限定されるものではない。又、これらは単独でも2種類
以上併用して用いても良い。本発明のシランカップリン
グ剤の配合量としては、全エポキシ樹脂組成物中に0.
05〜2重量%が好ましく、特に0.1〜0.4重量%
が好ましい。
ンドによりエポキシ樹脂組成物中に混合されるが、本発
明のシランカップリング剤は、予めエポキシ樹脂やフェ
ノール樹脂の全部又は一部に加熱混合しても良い。本発
明のシランカップリング剤は、半導体装置の内部に存在
する各種基材とエポキシ樹脂組成物の硬化物との界面で
の親和性の向上や、化学結合の形成による界面の接着性
の向上にも効果がある。この場合は、配合されたシラン
カップリング剤が、エポキシ樹脂組成物の成形時に各種
基材との界面に効率的に移行しやすいことが必要にな
る。このために有効な手法が、本発明のシランカップリ
ング剤を予め樹脂成分に加熱混合させる方法である。
機充填材表面に存在することにより、無機充填材とエポ
キシ樹脂組成物中の有機成分を化学的に結合させ、界面
の接着性の向上に有効であると考えられる。このように
無機充填材と有機成分との界面の接着性を向上させるた
めには、本発明のシランカップリング剤が無機充填材表
面に存在すること、より好ましくは吸着又は固定化して
いることが必要で、このため、本発明のシランカップリ
ング剤で無機充填材表面を処理すると、界面の接着性が
向上するので、熱時強度や耐半田性の向上に効果があ
る。無機充填材表面に本発明のシランカップリング剤を
処理する方法としては、例えば、攪拌している無機充填
材にシランカップリング剤、あるいはそのアルコール等
の溶液を噴霧し、更に攪拌を行った後、室温に放置した
り、あるいは加熱することにより表面処理無機充填材を
得る方法等を挙げることができる。又、表面処理した無
機充填材を用いる他に、本発明のシランカップリング剤
をインテグラルブレンド又は樹脂成分と予め加熱混合す
る手法とを併用しても良い。
いては特に制限はなく、一般に封止材料に用いられてい
るものを使用することができる。例えば、溶融破砕シリ
カ、溶融球状シリカ、結晶シリカ、2次凝集シリカ、ア
ルミナ、チタンホワイト、水酸化アルミニウム、タル
ク、クレー、ガラス繊維等が挙げられ、これらは単独で
も2種類以上併用して用いても良い。特に溶融球状シリ
カが好ましい。形状は限りなく真球状であることが好ま
しく、又、粒子の大きさの異なるものを混合することに
より充填量を多くすることができる。無機充填材の含有
量としては、全エポキシ樹脂組成物中に65〜94重量
%が好ましく、より好ましくは75〜91重量%であ
る。65重量%未満だと、無機充填材による補強効果が
十分に発現せず、且つ吸湿要因である樹脂成分の配合量
が多くなるので、エポキシ樹脂組成物の硬化物の吸湿量
が増大してしまうため、半田処理時に半導体装置にクラ
ックが発生しやすくなる可能性がある。94重量%を越
えると、エポキシ樹脂組成物の流動性が低下し、成形時
に充填不良やチップシフト、パッドシフト、ワイヤース
イープが発生しやすくなる可能性がある。
前記エポキシ樹脂とフェノール樹脂との架橋反応を促進
するものであれば良く、例えば、1,8−ジアザビシク
ロ(5,4,0)ウンデセン−7等のアミン系化合物、
トリフェニルホスフィン、テトラフェニルホスフォニウ
ム・テトラフェニルボレート塩等の有機リン系化合物、
2−メチルイミダゾール等のイミダゾール化合物等が挙
げられるが、これらに限定されるものではない。又、こ
れらは単独でも2種類以上併用して用いても良い。
(E)成分の他、必要に応じて臭素化エポキシ樹脂、酸
化アンチモン、リン化合物等の難燃剤、酸化ビスマス水
和物等の無機イオン交換体、カーボンブラック、ベンガ
ラ等の着色剤、シリコーンオイル、シリコーンゴム等の
低応力化剤、天然ワックス、合成ワックス、高級脂肪酸
及びその金属塩類もしくはパラフィン等の離型剤、酸化
防止剤等の各種添加剤を配合することができる。本発明
のエポキシ樹脂組成物は、(A)〜(E)成分、及びそ
の他の添加剤等をミキサーを用いて混合後、熱ロール、
加熱ニーダー、押出機等の混練機で溶融混練し、冷却後
粉砕して得られる。本発明のエポキシ樹脂組成物を用い
て、半導体素子等の電子部品を封止し、半導体装置を製
造するには、トランスファーモールド、コンプレッショ
ンモールド、インジェクションモールド等の成形方法で
硬化成形すればよい。特に、本発明のエポキシ樹脂組成
物は、半田処理温度が従来よりも高い場合や、Ni、N
i−Pd、Ni−Pd−Au等のプリプレーティングフ
レームを用いた半導体装置に適している。
が、本発明はこれらに限定されるものではない。配合割
合は重量部とする。 実施例1 式(7)のビフェニル型エポキシ樹脂を主成分とする樹脂(エポキシ当量19 0、融点105℃) 6.2重量部
℃と45℃の2本ロールを用いて混練し、冷却後粉砕し
て、エポキシ樹脂組成物を得た。得られたエポキシ樹脂
組成物を以下の方法で評価した。結果を表1に示す。
ラルフロー測定用の金型を用いて、金型温度175℃、
注入圧力6.9MPa、硬化時間120秒で測定した。
単位はcm。 熱時強度:240℃での曲げ強さをJIS K 691
1に準じて測定した。単位はN/mm2。 耐半田性:トランスファー成形機を用いて、金型温度1
75℃、射出圧力7.4MPa、硬化時間120秒で1
00ピンTQFP(パッケージサイズは14×14m
m、厚み1.4mm、シリコンチップサイズは8.0×
8.0mm、リードフレームはNi−Pd−Au製)を
成形し、175℃、8時間で後硬化させた。得られたパ
ッケージを85℃、相対湿度85%の環境下で72時間
又は168時間放置し、その後260℃の半田槽に10
秒間浸漬した。顕微鏡で外部クラックを観察し、クラッ
ク発生率[(クラック発生パッケージ数)/(全パッケ
ージ数)×100]を%で表示した。又、チップとエポ
キシ樹脂組成物の硬化物との剥離面積の割合を超音波探
傷装置を用いて測定し、剥離率[(剥離面積)/(チッ
プ面積)×100]として、5個のパッケージの平均値
を求め、%で表示した。
合に従い、実施例1と同様にしてエポキシ樹脂組成物を
得、実施例1と同様にして評価した。結果を表1に示
す。なお実施例1以外で用いたエポキシ樹脂、フェノー
ル樹脂、加水分解物、加熱混合物、表面処理した無機充
填材の詳細を以下に示す。 ・オルソクレゾールノボラック型エポキシ樹脂(エポキ
シ当量196、軟化点55℃)、 ・式(10)のスチルベン型エポキシ樹脂を主成分とす
る樹脂(エポキシ当量187、融点110℃)、
ポキシ樹脂(エポキシ当量272、軟化点58℃)、
(水酸基当量200、軟化点65℃)、
点105℃)
下、シランカップリング剤Bという)
グ剤Aと純水を重量比80:20で混合し、この混合物
が2層に分離しなくなるまで十分攪拌混合し、加水分解
物Aを得た。
を主成分とする樹脂6.2重量部と式(8)のフェノー
ルアラルキル樹脂5.7重量部を110℃で完全に溶融
混合させた後、シランカップリング剤Aを0.4重量部
加えて溶融混合物Aを得た。 (溶融混合物B)式(8)のフェノールアラルキル樹脂
5.7重量部を110℃で完全に溶融させた後、シラン
カップリング剤Bを0.2重量部加えて溶融混合物Bを
得た。
で攪拌しながら、シランカップリング剤Aを0.4重量
部滴下し加えた。そのまま攪拌を15分間継続したの
ち、室温で8時間放置し、処理シリカAを得た。 (処理シリカB)溶融球状シリカ87重量部をミキサー
で攪拌しながら、シランカップリング剤Bを0.2重量
部滴下し加えた。そのまま攪拌を15分間継続したの
ち、70℃で2時間加熱し、処理シリカBを得た。
体素子、リードフレーム等の各種部材との接着性、基板
実装時の耐半田性、特に半田処理温度が従来よりも高い
場合の耐半田性に優れ、又Ni、Ni−Pd、Ni−P
d−Au等のプリプレーティングフレームとの密着性に
優れた半導体封止用エポキシ樹脂組成物、及びこれを用
いた半導体装置が得られる。
Claims (8)
- 【請求項1】 (A)エポキシ樹脂、(B)フェノール
樹脂、(C)シラノール基とイソシアネート基を同一分
子内に有する有機化合物及び/又は該有機化合物の加水
分解物、(D)無機充填材、及び(E)硬化促進剤を必
須成分とすることを特徴とする半導体封止用エポキシ樹
脂組成物。 - 【請求項2】 シラノール基とイソシアネート基を同一
分子内に有する有機化合物が一般式(1)で示される化
合物から選ばれる1種以上である請求項1記載の半導体
封止用エポキシ樹脂組成物。 【化1】 (式中、R1炭素数1〜5のアルコキシ基、R2は炭素
数1〜5のアルキル基又は炭素数1〜5のアルコキシ基
である。mは平均値で1〜3の正数、nは1〜10の整
数である。) - 【請求項3】 エポキシ樹脂が、ビフェニル型エポキシ
樹脂、ビスフェノール型エポキシ樹脂、スチルベン型エ
ポキシ樹脂から選ばれる1種以上である請求項1、又は
2記載の半導体封止用エポキシ樹脂組成物。 - 【請求項4】 エポキシ樹脂が、一般式(2)から選ば
れる1種以上である請求項1、又は2記載の半導体封止
用エポキシ樹脂組成物。 【化2】 (式中、R3、R4は炭素数1〜6のアルキル基で、そ
れらは同一もしくは異なっていても良い。nは0〜3の
整数、mは0〜4の整数。pは平均値で1〜10の正
数。) - 【請求項5】 フェノール樹脂が、一般式(3)から選
ばれる1種以上である請求項1、2、3、又は4記載の
半導体封止用エポキシ樹脂組成物。 【化3】 (式中、R5、R6は炭素数1〜6のアルキル基で、そ
れらは同一もしくは異なっていても良い。nは0〜3の
整数、mは0〜4の整数。pは平均値で1〜10の正
数。) - 【請求項6】 シラノール基とイソシアネート基を同一
分子内に有する有機化合物及び/又は該有機化合物の加
水分解物が、エポキシ樹脂及び/又はフェノール樹脂の
全部又は一部に予め加熱混合されている請求項1、2、
3、4、又は5記載の半導体封止用エポキシ樹脂組成
物。 - 【請求項7】 無機充填材が、シラノール基とイソシア
ネート基を同一分子内に有する有機化合物及び/又は該
有機化合物の加水分解物で予め表面処理されたものであ
る請求項1、2、3、4、5、又は6記載の半導体封止
用エポキシ樹脂組成物。 - 【請求項8】 請求項1〜7記載のいずれかの半導体封
止用エポキシ樹脂組成物を用いて半導体素子を封止して
なることを特徴とする半導体装置。
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